JPH1138428A - 電極基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】３層構成とした透明電極または反射電極を基板
上に形成した電極基板において、耐湿性が高く、さらに
電極が薄膜でも高い導電性を有し、かつ、可視光透過率
または反射率が高く、しかも経時変化が無く保存安定性
に優れた、透過型、または、反射型の表示装置用電極基
板を提供する。 【解決手段】酸化物薄膜にて銀合金薄膜を挟持する構成
の電極を基板上に設けた電極基板であって、前記基板が
アルカリ金属元素を含まない基板であることを特徴とす
る電極基板。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、液晶ディスプレイ
装置等の出力表示装置、あるいは、表示画面から直接入
力を行う入出力表示装置または、太陽電池等に使用され
る、透過型電極（透明電極）や反射型電極（反射電極）
等の電極を備えた基板に関し、特に薄膜で導電性が高
く、しかも保存安定性に優れた電極基板に係わる。

【０００２】

【従来の技術】ガラス、プラスチックフィルム等の透明
基板上に、可視光線を透過する電極形状の透明導電膜が
設けられた電極基板は、液晶ディスプレイ装置等の各種
表示装置（表示画面）の表示用電極に用いられ、また、
反射型液晶ディスプレイ等の、自発光機能を持たないた
め外部光を反射して画像を表示する装置においては、電
極板と光反射板を兼ねた表示用電極が広く用いられてい
る。

【０００３】一般に、液晶を用いたディスプレイ装置
は、透明電極が配置された一対の電極基板と、これら電
極基板間に封印された液晶物質とで、その主要部が構成
されており、この電極基板に用いられる透明電極として
は、その高い導電性に着目して、酸化インジウム中に酸
化スズを添加したＩＴＯ薄膜が広く利用されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記ディス
プレイ装置においては、近年、画素密度を増大させて緻
密な画面を表示させることが求められており、これに伴
って上記電極パターンの緻密化が要求されているもので
ある。

【０００５】また、液晶ディスプレイ装置において、電
極基板に液晶駆動用ＩＣ（集積回路チップ）が直接に接
続される方式（ＣＯＧ方式）では、配線の引き回しが、
幅20〜50μｍ程度と細線となる部分があり、電極パター
ンは従来にない高度のエッチング加工適性と高い導線性
（低い抵抗率）が要求されている。

【０００６】また、その一方で表示画面の大型化も求め
られているものである。表示画面を大型化した際、上述
したような緻密パターンの透明電極を形成し、しかも液
晶に十分な駆動電圧を印加できるようにするためには、
上記透明電極を、面積抵抗率５Ω／□以下という高い導
電性にすることが必要となるものである。

【０００７】さらに、ＳＴＮ液晶等を利用した単純マト
リクス駆動方式の液晶表示装置においては、１６階調以
上の多階調表示を行う場合には、面積抵抗率３Ω／□以
下というさらに低い面積抵抗が要求されているものであ
る。

【０００８】このため、１９８２年、日本で開催された
第７回ＩＣＶＭにおいて、銀系導電膜の表裏に、ＩＴＯ
薄膜または酸化インジウム薄膜等の酸化物薄膜を積層し
て構成される、３層構造の透明導電膜が提案されたもの
である。この３層構造の透明導電膜は低い面積抵抗であ
り、その高い導電性を生かして、上記透明電極への応用
が期待されたものである。

【０００９】しかし、上記提案の３層構造の透明電極に
おいても、高々５Ω／□程度の面積抵抗率が得られたに
過ぎず、要求される十分な導電性を確保できないという
問題があった。上記提案の透明電極でも十分な導電性を
確保するため、銀系導電膜の厚さを、例えば16〜18nm程
度に厚くすることにより、その面積抵抗率を約３Ω／□
程度に低下させることは可能といえる。しかし、その場
合、可視光線透過率（特に、波長 610nm程度の長波長側
の可視光線透過率）が75％程度にまで低下し、透明電極
としての機能が損なわれてしまうものである。

【００１０】さらに、上記３層構造の透明導電膜を用い
た透明電極においては、銀の薄膜が、積層界面等から侵
入した空気中の水分と反応しやすく、その表面に反応物
を生成してシミ状の欠陥を生じるものである。このた
め、上記３層構造の透明電極を形成した電極基板を、例
えば液晶表示装置に適用した場合には、その表面に表示
欠陥等を生じやすいという問題があった。

【００１１】このため、本発明者らは、３層構造の透明
電極を形成した電極基板の耐湿性向上の解決手段とし
て、酸化物薄膜にて挟持する銀薄膜を、銀に金を添加し
た銀合金とすることで、耐湿性向上の効果が得られるこ
とを見いだし、特願平７−３３３２２４号にて提案して
いるものである。なお、このとき、金の添加量は４at％
（原子パーセント）以下、さらにいえば 0.1〜 3.0at％
の範囲で特に効果のあることを見いだしたものである。

【００１２】しかし、近年、液晶表示装置等の大型画面
化に伴い、更なる高い表示品位が求められているもので
ある。このため、表示欠陥を回避するため、透明電極を
形成した電極基板への耐湿性向上の要求もより一層高ま
っているといえる。しかるに、上述した従来の電極基板
では、要求される耐性を十分に満足しているとはいえな
かった。

【００１３】本発明は、上記の問題点に鑑みなされたも
ので、その課題とするところは、酸化物薄膜にて銀合金
薄膜を挟持する３層構成とした透明電極または反射電極
を基板上に形成した電極基板において、耐湿性が高く、
さらに電極が薄膜でも高い導電性を有し、かつ、可視光
透過率または反射率が高く、しかも経時変化が無く保存
安定性に優れた、透過型、または、反射型の表示装置用
電極基板を提供することに或る。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を行ったものである。その結果、
酸化物薄膜にて銀合金薄膜を挟持する３層構成とした電
極を基板上に形成した電極基板の耐性、特に耐湿性を劣
化させる要因として、本発明者らは、Ｎａ（ナトリウ
ム）、Ｋ（カリウム）等のアルカリ金属元素に着目した
ものである。

【００１５】なぜならば、アルカリ金属元素を含むソー
ダガラスを基板として３層構成の電極を形成した場合
と、アルカリ金属元素を含まない無アルカリガラス（例
えば、コーニング社製、７０５９材）を基板として３層
構成の電極を形成した場合とでは、アルカリ金属元素を
含むソーダガラスを基板とした電極の方が耐湿性が劣る
ことを、本発明者らは経験的に見いだしたものである。
その結果、本発明者らは、電極基板の耐湿性にアルカリ
金属元素、特に基板に含まれるアルカリ金属元素が影響
を及ぼすと推測したものである。

【００１６】本発明者らは、この推測を確かめるべく、
以下に記すテストを行った。まず、アルカリ金属元素を
含むソーダガラスをガラス基板とし、後述する（実施例
１）に記したと同様にして、３層構造の導電膜をガラス
基板上に形成した電極基板を得たものであり、３層構造
の導電膜の結晶状態を示す薄膜Ｘ線回折データ51を、図
５に示す。なお、図５および、後述する図６のグラフ図
において、横軸は、Ｘ線の回折角２θ（°）を、また、
縦軸は回折強度（ＣＰＳ）を示している。次いで、上記
電極基板に、温度 120℃、湿度 100％の雰囲気中に 100
時間放置するプレッシャークッカーテスト（ＰＣＴ）を
行ったものであり、ＰＣＴ後の３層構造の導電膜の結晶
状態を示す薄膜Ｘ線回折データ52を、図５に示す。

【００１７】図５より分かるように、ＰＣＴ前の３層構
造の導電膜の結晶状態を示す薄膜Ｘ線回折データ51で
は、なだらかなピークが観察できるが顕著なピークは認
められず、導電膜に結晶化が進んでいるとは言えないも
のである。それに対し、ＰＣＴ後の３層構造の導電膜の
結晶状態を示す薄膜Ｘ線回折データ52では、θを回折角
として、２θが28°となる付近に、明らかに顕著なピー
ク81（図５中の点線部）が現れており、３層構造の導電
膜に何らかの結晶が出来ていることが分かった。

【００１８】そこで、本発明者らは、顕著なピーク81を
発生させた結晶としてアルカリ金属元素を想定したもの
であり、確認テストとして、更に以下に記すテストを行
ったものである。

【００１９】すなわち、硝酸インジウム粉末を、温度 4
00℃にて３時間熱処理し、酸化インジウム（Ｉｎ
₂ Ｏ₃ ）とした後の薄膜Ｘ線回折データ61と、硝酸イン
ジウムと水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）とを混合し、こ
の混合物に、上述したと同じく温度400℃にて３時間熱
処理した後の薄膜Ｘ線回折データ62とを得たものであ
る。図６に、薄膜Ｘ線回折データ61と、薄膜Ｘ線回折デ
ータ62とを合わせて記す。

【００２０】図６より明らかなように、硝酸インジウム
と水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）との混合物は、２θが
28°となる付近に顕著なピーク91（図６中の点線部）が
現れており、これは、図５に示した、薄膜Ｘ線回折デー
タ52の顕著なピーク81と一致している。これより、図５
の薄膜Ｘ線回折データ52の顕著なピーク81は、Ｎａ（ナ
トリウム）等のアルカリ金属が直接ないし間接的に作用
した化合物の結晶化により現れたものと判明した。

【００２１】さらに本発明者らは、上述したＰＣＴ後の
３層構造の導電膜に、ＳＩＭＳ分析を行ったものであ
り、その結果、導電膜表面や、薄膜の界面にアルカリ金
属元素が集中して検出されたものである。

【００２２】以上のテスト等より、本発明者らは、酸化
物薄膜にて銀合金薄膜を挟持する３層構成とした電極を
支持する基板が、アルカリ金属元素を含んでいた場合
（例えば基板が、アルカリ金属元素であるＮａ（ナトリ
ウム）を含むソーダガラスであった場合）、周辺雰囲気
中の水分（湿気）のもとに、基板よりアルカリ金属元素
が溶けだし、アルカリ金属元素が３層構造の電極に拡散
していくことを見いだしたものである。さらには、アル
カリ金属元素が３層構造の電極に拡散すると、アルカリ
金属元素が電極を構成する銀合金薄膜にマイグレーショ
ンを引き起こし、結果として３層構成を破壊してしま
い、電極にシミ状の欠陥を生じさせることをも、本発明
者らは見いだしたものである。

【００２３】このため、本発明者らは、３層構成とした
電極を支持する基板がアルカリ金属元素を殆ど含まな
い、さらに好ましくはアルカリ金属元素を全く含まなけ
れば、電極基板の周辺雰囲気中に水分（湿気）があって
も、銀合金薄膜へのマイグレーションが抑制され、シミ
状の欠陥が生じにくい、すなわち、電極基板の耐湿性が
向上すると考え本発明に至ったものである。すなわち、
請求項１に係わる発明は、酸化物薄膜にて銀合金薄膜を
挟持する構成の電極を基板上に設けた電極基板であっ
て、前記基板がアルカリ金属元素を含まない基板である
ことを特徴とする電極基板としたものである。

【００２４】本発明の電極基板に用いる基板として、ア
ルカリ金属元素を含まない無アルカリガラス基板が考え
られるが、これに限定されるものではなく、他に、ＰＥ
Ｔ（ポリエチレンテレフタレート）、ＴＡＣ（トリアセ
チルセルロース）等の樹脂製フィルム、プラスチックボ
ード、または、偏光フィルム、導光板、反射型液晶表示
装置に用いられる散乱用の凹凸を形成した基板、カラー
フィルター等、アルカリ金属元素を実質的に含まない素
材であれば何でも良い。また、基板には予め、カラーフ
ィルターや光の散乱膜、マイクロレンズ、１／４λ波長
板等の光機能フィルムを配設してあっても構わない。

【００２５】また、上記３層構成の電極は、酸化物薄膜
にて挟持される銀合金薄膜の膜厚を５〜30nmの範囲とす
ることで可視光を透過する透過型電極として、または、
膜厚を30〜 200nmとすることで、可視光を反射する反射
型電極として用いることができる。なお、反射型電極で
あった場合、銀合金薄膜の膜厚は 200nmより厚くても構
わないが、材料費がかさみ無駄であるため膜厚は 200nm
以下が好ましく、さらにいえば、実用性を考慮し、膜厚
は 150nm以下が好ましいといえる。

【００２６】次いで、銀合金薄膜は、銀に、金、白金、
パラジウム、ニッケルもしくは銅のうちから１種以上を
添加した銀合金にて形成すると、混合酸化物で銀合金薄
膜を挟持する３層の導電膜の信頼性を向上せしめること
ができるといえる。すなわち、金、白金、パラジウム、
ニッケルもしくは銅のうちから１種以上を添加した銀合
金にて銀系薄膜を成膜することで、スパッタ成膜時の雰
囲気の影響が少なくでき、導電膜の光透過率（あるいは
光反射率）や導電性に大きな影響を与えずに、３層構成
の導電膜を、高信頼性かつ基板との高い密着性をもって
提供でき、ひいては電極基板の耐湿性が向上すること
を、本発明者らは見いだしたものである。

【００２７】すなわち、請求項２に係わる発明は、銀合
金薄膜が、銀に、金、白金、パラジウム、ニッケルもし
くは銅のうちから１種以上を添加した銀合金であること
を特徴とするものである。

【００２８】なお、銀への添加は、金や白金のほうが銅
よりも少ない添加量で上記効果を得られるといえる。銀
への金や白金の添加量を多くするに従って耐湿性が向上
する傾向があるが、高価な金や白金の使用による材料費
のコストアップ、または、パターニング加工性等の問題
から、銀合金の金や白金の含有割合は、 0.1〜10at％
（原子パーセント）が好ましいといえる。

【００２９】次いで、３層構成の電極を、透過型の表示
装置用電極基板（透明電極）に用いる場合、銀合金薄膜
を挟持する透明酸化物薄膜として、２．１より高い屈折
率を有する高屈折率酸化物を混合した混合酸化物を用い
れば、透明電極の透過率を向上でき、かつ、耐湿性を向
上しうることを本発明者らは見いだしたものである。す
なわち、請求項３に係わる発明として、酸化物薄膜を、
屈折率が２．１より高い酸化物を添加した混合酸化物と
することを提案するものである。

【００３０】ここで、請求項３に係わる混合酸化物は、
酸化インジウム、酸化スズ、または酸化亜鉛を主材と
し、これらに、高屈折率酸化物として酸化セリウム、酸
化チタン、酸化タンタル、酸化ジルコニウム、酸化ハフ
ニウム、または酸化ビスマス等を添加した透明な混合酸
化物であり、これを用い銀合金薄膜を挟持する薄膜層と
するものである。

【００３１】上述したように本発明の電極基板は、アル
カリ金属元素を含まない基板を支持体として用いること
により、耐湿性が向上した電極基板とすることができる
ものである。しかし、いかにアルカリ金属元素を含まな
い基板を用いて本発明の電極基板を得たとしても、電極
基板の製造工程中に電極基板にアルカリ金属元素が付着
し、また、製造終了後も電極基板にアルカリ金属元素が
付着残留したままになった場合、周辺雰囲気中の水分
（湿気）のもとに、電極基板に付着したアルカリ金属元
素が３層構造の電極に拡散していくものである。このた
め、アルカリ金属元素による銀合金薄膜のマイグレーシ
ョンが発生するものである。

【００３２】このため、本発明者らは、本発明の電極基
板を製造する際、電極基板へのアルカリ金属元素の付着
残留を防止するため、アルカリ金属元素を含まない薬品
材料にて本発明の電極基板を製造することを提案するも
のである。

【００３３】すなわち、請求項４の発明は、請求項１、
２または３に記載の電極基板を製造する際、アルカリ金
属元素を含有しない薬品材料を用いることを特徴とする
電極基板の製造方法としたものである。

【００３４】なお、従来の電極基板の製造工程におい
て、アルカリ金属元素を含有する薬品材料が使われやす
く、上述したアルカリ金属元素による電極の劣化に影響
を及ぼしやすい工程として、基板への膜付け前の洗浄工
程、および、膜付けした薄膜をパターン化すべくフォト
リソ法を行う場合、フォトレジストを塗布する前に行う
洗浄工程、フォトレジストの現像工程、フォトレジスト
の剥膜工程等があげられ、特に、上記の工程でアルカリ
金属元素を含有しない薬品材料を用いることが望まし
い。

【００３５】

【発明の実施の形態】本発明の実施形態の例を以下に記
す。 ＜実施例１＞図１に示すように、本実施例１に係わる透
明電極基板10は、厚さ 0.7mmの無アルカリガラス基板11
（コーニング社製、７０５９材）上に順次積層成膜され
た、透明酸化物薄膜12（膜厚35nm）と、銀合金薄膜13
（膜厚14nm）と、透明酸化物薄膜14（膜厚35nm）とで、
その主要部が構成されている。

【００３６】ここで、本実施例１では、上記透明酸化物
薄膜12および透明酸化物薄膜14はいずれも、主材とする
酸化インジウムに、酸化セリウム、酸化スズ、および酸
化チタンを添加した混合酸化物を用いた。なお、混合酸
化物の組成比は、酸素元素をノーカウントとする金属元
素換算で、インジウム66.5at％（原子パーセント）、セ
リウム32at％、スズ１at％、チタン 0.5at％（原子パー
セント）とした。また、銀合金薄膜13は、銀に、金を
1.0at％（原子パーセント）、銅を 0.5at％（原子パー
セント）添加した銀合金とした。

【００３７】以下に、上述した本実施例１に係わる透明
電極基板10の成膜工程を記す。まず、厚さ 0.7mmの、ア
ルカリ金属元素を含まない無アルカリガラス基板11（コ
ーニング社製、７０５９材）を70重量％硫酸液に浸漬
し、ガラス基板11表面の汚れを除去した後、純水で十分
に洗浄した。

【００３８】次いで、ガラス基板11に加熱を行うことな
く、ガラス基板11の温度を室温（23℃程度）に維持した
状態にて、スパッタリング法により、透明酸化物薄膜12
（膜厚35nm）と、銀合金薄膜13（膜厚14nm）と、透明酸
化物薄膜14（膜厚35nm）とを順次成膜し、ガラス基板11
上に３層構成の透明導電膜を形成した。

【００３９】次いで、成膜した透明導電膜を所定の形状
とするため、透明導電膜上にフォトレジスト液（東京応
化工業（株）製、商品名「ＰＭＥＲ４０３０」）にてフ
ォトレジスト層を形成後、所定のパターンを有する露光
用パターンマスクを介しフォトレジスト層にパターン露
光を行った。次いで、現像液（東京応化工業（株）製、
商品名「ＮＭＤ−Ｗ」）を用い、フォトレジスト層を現
像し、所定のパターンに従って透明導電膜を露出するフ
ォトレジスト層を得た。

【００４０】次いで、熱硫酸系エッチング液を用い、フ
ォトレジスト層より露出した透明導電膜部位にエッチン
グを行った。次いで、剥膜液（パーカーコーポレーショ
ン社製、商品名「ＣＲマックス」）を用いフォトレジス
ト層を剥膜した後、所定のパターン形状とした透明導電
膜、すなわち透明電極を有するガラス基板11を水洗し
た。最後に、ガラス基板11にアニール処理（温度 250℃
にて１時間の加熱処理を行う）を施し、図１に示す本発
明の透明電極基板10を得た。

【００４１】上述した工程で得られた透明電極の面積抵
抗値は約 3.3Ω／□であった。また、その透明電極の可
視光線透過率は実用上十分なものであった。

【００４２】上記透明電極基板10を、温度60℃、湿度95
％の雰囲気中に 500時間保持する耐湿性試験を施した
後、透明電極の表面の観察を行った。しかし、観察の結
果、透明電極には何ら外観変化は生じていなかった。な
お、透明酸化物薄膜12および透明酸化物薄膜14の屈折率
を測定したところ、屈折率は2.24であった。

【００４３】なお、図示しないが、本実施例１に係わる
透明電極基板10を、カラー画像液晶表示装置用の電極基
板として用いる場合、基板と透明電極との間、または、
透明電極上に、表示画素毎に所定の色、例えば赤、緑、
青に着色したマトリクス状のカラーフィルター層をパタ
ーン形成し、その上に画素電極用の透明電極を形成する
ものである。

【００４４】＜実施例２＞図２に示すように、本実施例
２に係わる電極基板20は、厚さ 0.7mmの無アルカリガラ
ス基板21（コーニング社製、７０５９材）上に順次積層
成膜された、透明酸化物薄膜22（膜厚25nm）と、銀合金
薄膜23（膜厚 150nm）と、透明酸化物薄膜24（膜厚75n
m）とで、その主要部が構成されている。なお、本実施
例２で形成した銀合金薄膜23は、膜厚が 150nmであるた
め透明とはならないものである。

【００４５】ここで、本実施例２の透明酸化物薄膜22、
24および、銀合金薄膜23は、各々、上記の実施例１に用
いた透明酸化物薄膜および銀合金薄膜と同じ組成とし、
実施例１と同様に積層成膜を行った。すなわち、ガラス
基板21に加熱を行うことなく、ガラス基板21の温度を室
温（23℃程度）に維持した状態にて、スパッタリング法
により、透明酸化物薄膜22、24および銀合金薄膜23を順
次積層成膜したものである。

【００４６】本実施例２の３層構成の導電膜の面積抵抗
は約 0.3Ω／□であった。また、銀合金薄膜23の膜厚を
150nmとし、かつ、透明酸化物薄膜24の膜厚を75nmとし
たことで、短波長側での光反射率の低下を生じることな
く、良好な光反射性を有する電極基板20となった。

【００４７】なお、本実施例２に係わる３層構成の導電
膜を所定のパターン形状とする工程は、上記の実施例１
と同様としたものである。すなわち、本実施例２に係わ
る３層構成の導電膜上に、フォトレジスト液（東京応化
工業（株）製、商品名「ＰＭＥＲ４０３０」）にてフォ
トレジスト層を形成後、所定のパターンを有する露光用
パターンマスクを介しフォトレジスト層にパターン露光
を行った。次いで、現像液（東京応化工業（株）製、商
品名「ＮＭＤ−Ｗ」）を用い、フォトレジスト層を現像
し、所定のパターンに従って導電膜部位を露出したフォ
トレジスト層を得た。

【００４８】次いで、熱硫酸系エッチング液を用い、フ
ォトレジスト層より露出した導電膜部位にエッチングを
行った。次いで、剥膜液（パーカーコーポレーション社
製、商品名「ＣＲマックス」）を用いフォトレジスト層
を剥膜した後、所定のパターン形状となった導電膜を有
するガラス基板21を水洗した。最後に、ガラス基板21に
アニール処理（温度 220℃にて１時間の加熱処理を行
う）を施し、図２に示す本発明の電極基板20を得た。

【００４９】＜比較例＞本発明の電極基板と従来の電極
基板との比較例を以下に記す。

【００５０】本比較例においては、アルカリ金属元素を
含まない無アルカリガラス基板31と、アルカリ金属元素
を含有するアルカリガラス基板41との２種類の基板を用
い、各々の基板につき電極基板を得たものである。

【００５１】すなわち、無アルカリガラス基板31として
石英ガラスを、また、アルカリ金属元素を含有するアル
カリガラス基板41としてソーダガラスを用いたものであ
る。各々の基板に対し、上述した実施例１に記したと同
じ３層構成の透明導電膜を成膜形成し、しかる後、上記
の実施例１と同様の工程にて透明導電膜のパターン化、
およびアニール処理等を行い、基板の異なる２種類の電
極基板を得たものである。

【００５２】次いで、石英ガラスを基板とする電極基板
（本発明の電極基板）を、温度 120℃、湿度 100％、圧
力２ atmとした高温多湿高圧試験器内に12時間放置した
ものであり、放置後の電極基板の形状を模式的に示す図
面が図３である。また、同様に、従来の電極基板と同様
にアルカリガラスを基板とした電極基板を、温度 120
℃、湿度 100％、圧力２ atmとした高温多湿高圧試験器
内に12時間放置したものであり、放置後の従来の電極基
板の形状を模式的に示す図面が図４である。なお、図
３、図４ともに、例えばストライプ状にパターン化した
透明電極71部位を部分的に拡大（1000倍）した平面図を
示しているものであり、パターン化した透明電極 71aお
よび 71bの間より、下地となったガラス基板31面およ
び、ガラス基板41面が露出して見えているものである。

【００５３】図３に示すように、本発明の電極基板で
は、透明電極 71a、 71bのパターンエッジ 101部位に変
化は見られない。しかし、図４に示すアルカリガラスを
基板41とした電極基板では、透明電極 71a、 71bのパタ
ーンエッジ 102部位は、アルカリガラスから溶けだした
アルカリ金属元素により劣化を生じており、シミ状の欠
陥となったものである。

【００５４】なお、本発明の実施例では、酸化インジウ
ムを基材とする混合酸化物で示したが、基材とする酸化
物は、酸化亜鉛や酸化スズなど他の酸化物であっても良
い。混合酸化物の薄膜は、銀の粒界拡散を抑えるため、
非晶質（アモルファス）ないし微結晶である方が好まし
い。

【００５５】

【発明の効果】上述したように、本発明の表示装置用電
極基板は、アルカリ金属元素を全く含まない、例えば無
アルカリガラス等の基板上に、少量の、金、白金、パラ
ジウム、ニッケルもしくは銅を、１種類以上銀に添加し
た銀合金薄膜を用いて３層構成の電極を形成している。
また、電極パターンの形成工程等の電極基板の製造工程
においても、アルカリ金属元素を含まない薬液を用いる
ものである。これにより、経時劣化が無く、保存安定性
に優れた透過型または反射型の電極基板を得ることがで
きる。

【００５６】さらに、本発明は、高屈折率かつ高導電性
である酸化セリウムと酸化インジウムを少なくとも混合
酸化物の材料として用いるため、酸等のエッチャントに
より容易にパターン形成が可能であり、かつ、電気的な
接続（例えば、ＴＡＢ等への実装）も可能であり、ま
た、高い透過率で低抵抗の透明電極を提供できる。

【００５７】すなわち、本発明の表示用電極基板は、電
極のパターン導電膜として３層構成の導電膜を備えてい
るため、低抵抗の面積抵抗値を発揮し、かつ、高い光透
過率を有し、さらには、経時劣化が無く保存安定性に優
れた、透過型透明電極基板あるいは、高い反射率を有す
る反射型電極基板を提供できる。

【００５８】また、本発明に係わる透明電極や反射電極
は極めて低抵抗であるため、ＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）等のアクティブ素子の信号線やゲート線等の配線
と、表示用電極とを兼用させて、ＴＦＴ等の構成を簡略
化できるメリットも付与できる。

【００５９】さらに、本発明の表示装置用電極基板は、
光透過率が高く、かつ、低抵抗であるため、その優れた
特性により、表示素子の分野以外にも応用することが可
能であり、例えば太陽電池の分野にも応用が可能であ
る。さらには、本発明の電極基板は、熱線反射性、電磁
波シールド性等の機能をも有しているため、窓ガラス用
の熱線反射膜、高反射率の光の反射板やミラー等にも応
用できる等、産業界への寄与が大といえる。

【００６０】

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の電極基板の一実施例を示す説明図。

【図２】本発明の電極基板の他の実施例を示す説明図。

【図３】本発明の電極基板に耐性テストを実施した後の
様子を示す拡大平面図。

【図４】従来の電極基板に耐性テストを実施した後の様
子を示す拡大平面図。

【図５】Ｘ線回折データの一例を示すグラフ図。

【図６】Ｘ線回折データの他の例を示すグラフ図。

【符号の説明】

10、20 電極基板 11、21、31、41 基板 12、14、22、24 酸化物薄膜 13、23 銀合金薄膜 51、52、61、62 Ｘ線回折データ 71 透明電極 81、91 ピーク 101、 102 パターンエッジ

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 矢澤 一郎 東京都台東区台東１丁目５番１号 凸版印 刷株式会社内

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】酸化物薄膜にて銀合金薄膜を挟持する構成
   の電極を基板上に設けた電極基板であって、前記基板が
   アルカリ金属元素を含まない基板であることを特徴とす
   る電極基板。
2. 【請求項２】銀合金薄膜が、銀に、金、白金、パラジウ
   ム、ニッケルもしくは銅のうちから１種以上を添加した
   銀合金であることを特徴とする請求項１に記載の電極基
   板。
3. 【請求項３】酸化物薄膜が、屈折率が２．１より高い酸
   化物を添加した混合酸化物であることを特徴とする請求
   項１または２に記載の電極基板。
4. 【請求項４】請求項１、２または３に記載の電極基板を
   製造する際、アルカリ金属元素を含有しない薬品材料を
   用いることを特徴とする電極基板の製造方法。