JPH09283866A - 透明導電膜付き基板 - Google Patents
透明導電膜付き基板Info
- Publication number
- JPH09283866A JPH09283866A JP8087785A JP8778596A JPH09283866A JP H09283866 A JPH09283866 A JP H09283866A JP 8087785 A JP8087785 A JP 8087785A JP 8778596 A JP8778596 A JP 8778596A JP H09283866 A JPH09283866 A JP H09283866A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- layer
- conductive film
- transparent conductive
- transparent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1343—Electrodes
- G02F1/13439—Electrodes characterised by their electrical, optical, physical properties; materials therefor; method of making
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/09—Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
- Surface Treatment Of Glass (AREA)
- Structure Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造を有する透明
導電膜付き基板は、耐湿熱性が実用上十分でない。 【解決の手段】透明基板の一方の主表面上に、基板側か
ら第１の反射防止層としてのＩＴＯ、銀層、第２の反射
防止層としてのＩＴＯを順次積層してなる透明導電膜が
被覆された透明導電膜付き基板で、銀層に、パラジウム
を重量％で０．２以上３．０未満、金を重量％で０．２
以上５．０未満または白金を重量％で０．２以上５．０
未満含有させる。
導電膜付き基板は、耐湿熱性が実用上十分でない。 【解決の手段】透明基板の一方の主表面上に、基板側か
ら第１の反射防止層としてのＩＴＯ、銀層、第２の反射
防止層としてのＩＴＯを順次積層してなる透明導電膜が
被覆された透明導電膜付き基板で、銀層に、パラジウム
を重量％で０．２以上３．０未満、金を重量％で０．２
以上５．０未満または白金を重量％で０．２以上５．０
未満含有させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示素子やプラ
ズマ表示素子などの薄型表示素子に用いられる低抵抗の
透明導電膜付き基板に関し、とりわけ大面積、高精細、
高速応答の液晶表示素子に好適に用いられる透明導電膜
付き基板に関する。
ズマ表示素子などの薄型表示素子に用いられる低抵抗の
透明導電膜付き基板に関し、とりわけ大面積、高精細、
高速応答の液晶表示素子に好適に用いられる透明導電膜
付き基板に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、液晶表示素子に用いられる透明導
電膜付き基板としては、錫含有酸化インジウム（少量の
錫をドープした酸化インジウム：ＩＴＯで略記）をガラ
ス基板表面に被覆したものが用いられている。ＩＴＯ透
明導電膜を所定形状の透明電極にパターン加工したもの
は、可視光の透過性が優れているが、透明導電膜の抵抗
率は１０ー4Ωｃｍオーダーという大きな値を有するた
め、表示面積を大きく、また、表示の高精細化、高速応
答化を実現するためには、透明電極の厚みを厚くしなけ
ればならないという問題があった。
電膜付き基板としては、錫含有酸化インジウム（少量の
錫をドープした酸化インジウム：ＩＴＯで略記）をガラ
ス基板表面に被覆したものが用いられている。ＩＴＯ透
明導電膜を所定形状の透明電極にパターン加工したもの
は、可視光の透過性が優れているが、透明導電膜の抵抗
率は１０ー4Ωｃｍオーダーという大きな値を有するた
め、表示面積を大きく、また、表示の高精細化、高速応
答化を実現するためには、透明電極の厚みを厚くしなけ
ればならないという問題があった。
【０００３】透明導電膜の膜厚が厚くなると、微細な形
状の電極を歩留りよく形成することが困難になり、また
液晶表示素子内部に透明電極による顕著な段差が形成さ
れるので、ラビングなどによる液晶の配向処理において
この段差部周辺で配向不良が生じるという問題があっ
た。この問題を解決するために、抵抗率の小さい銀の薄
膜を導電層とし、透過率の向上をはかるために、この銀
層をＩＴＯ層で挟んだ３層構造の透明電極が、液晶表示
用透明電極として特開昭６３−１８７３９９号公報や特
開平７ー１１４８４１号公報に開示されている。
状の電極を歩留りよく形成することが困難になり、また
液晶表示素子内部に透明電極による顕著な段差が形成さ
れるので、ラビングなどによる液晶の配向処理において
この段差部周辺で配向不良が生じるという問題があっ
た。この問題を解決するために、抵抗率の小さい銀の薄
膜を導電層とし、透過率の向上をはかるために、この銀
層をＩＴＯ層で挟んだ３層構造の透明電極が、液晶表示
用透明電極として特開昭６３−１８７３９９号公報や特
開平７ー１１４８４１号公報に開示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、導電層
に銀（Ａｇ）の薄膜を用いる従来の技術は、透明性（可
視光線透過率）と低抵抗特性を併せ有するが、銀の耐水
性が著しく低いため、膜のキズなどからの水分の侵入時
に、銀層が腐食劣化を起こすという問題点があった。本
発明は、従来技術が有する上記問題点を解決するために
なされたものである。
に銀（Ａｇ）の薄膜を用いる従来の技術は、透明性（可
視光線透過率）と低抵抗特性を併せ有するが、銀の耐水
性が著しく低いため、膜のキズなどからの水分の侵入時
に、銀層が腐食劣化を起こすという問題点があった。本
発明は、従来技術が有する上記問題点を解決するために
なされたものである。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明の第１は、透明基
板の一方の主表面上に透明導電膜が被覆された透明導電
膜付き基板において、前記透明導電膜は、基板側から第
１の反射防止層、金属層、第２の反射防止層を順次積層
してなり、かつ前記金属層がパラジウムを重量％で０．
２以上３．０未満含有する銀層である表示素子用透明導
電膜付き基板である。
板の一方の主表面上に透明導電膜が被覆された透明導電
膜付き基板において、前記透明導電膜は、基板側から第
１の反射防止層、金属層、第２の反射防止層を順次積層
してなり、かつ前記金属層がパラジウムを重量％で０．
２以上３．０未満含有する銀層である表示素子用透明導
電膜付き基板である。
【０００６】本発明の第１に用いることのできる基板と
しては、ソーダライムシリカ組成のガラスや硼珪酸ガラ
ス（無アルカリガラス）などの公知のガラス基板はもち
ろん、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やアクリ
ル（ＰＭＭＡ）などのプラスチック基板やプラスチック
フィルム、さらにはこれらの基板表面上にカラー表示を
目的としたカラーフイルタを設けた基板を例示すること
ができる。またこれらの基板は平面である必要はなく、
ある種の曲面を有した基体でもよい。
しては、ソーダライムシリカ組成のガラスや硼珪酸ガラ
ス（無アルカリガラス）などの公知のガラス基板はもち
ろん、ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）やアクリ
ル（ＰＭＭＡ）などのプラスチック基板やプラスチック
フィルム、さらにはこれらの基板表面上にカラー表示を
目的としたカラーフイルタを設けた基板を例示すること
ができる。またこれらの基板は平面である必要はなく、
ある種の曲面を有した基体でもよい。
【０００７】本発明の第１においては、可視光線に対す
る透明性および低い面積抵抗を確保する上で、第１の反
射防止層の膜厚を１０〜２００ｎｍとするのが好まし
く、銀が主成分である金属層の膜厚を５〜１００ｎｍと
するのが好ましく、さらに第２の反射防止層の膜厚を１
０〜２００ｎｍとするのが好ましい。
る透明性および低い面積抵抗を確保する上で、第１の反
射防止層の膜厚を１０〜２００ｎｍとするのが好まし
く、銀が主成分である金属層の膜厚を５〜１００ｎｍと
するのが好ましく、さらに第２の反射防止層の膜厚を１
０〜２００ｎｍとするのが好ましい。
【０００８】本発明の第１の銀主成分の金属層には、パ
ラジウムが重量％で０．２〜３．０含有される。これに
より透明導電膜の電気抵抗を著しく低下させないで耐湿
熱性を向上させることができる。また、金属層の体積抵
抗率は、１０μΩｃｍ以下とするのが好ましい。
ラジウムが重量％で０．２〜３．０含有される。これに
より透明導電膜の電気抵抗を著しく低下させないで耐湿
熱性を向上させることができる。また、金属層の体積抵
抗率は、１０μΩｃｍ以下とするのが好ましい。
【０００９】パラジウムが０．２重量％より少ないと銀
層の耐水性の向上作用は著しく弱くなり、また３．０重
量％以上になると、銀層の比抵抗が１０μΩｃｍを大き
く越えてしまう。前記パラジウムの他に金や白金等の貴
金属を添加することができる。この場合、銀以外のすべ
ての貴金属の合計を０．２〜７重量％するのが比抵抗を
低く維持する観点から好ましい。
層の耐水性の向上作用は著しく弱くなり、また３．０重
量％以上になると、銀層の比抵抗が１０μΩｃｍを大き
く越えてしまう。前記パラジウムの他に金や白金等の貴
金属を添加することができる。この場合、銀以外のすべ
ての貴金属の合計を０．２〜７重量％するのが比抵抗を
低く維持する観点から好ましい。
【００１０】上記のパラジウム含有銀層の成膜の方法
は、銀とパラジウムの混合材料を用いたスパッタリン
グ、電子ビーム蒸着、イオンプレーテイングなどの公知
の方法が用いられる。また、銀とパラジウムの複数の蒸
発源からの共スパッタリングや電子ビーム共蒸着、共イ
オンプレーテイング等の方法も用いることができる。さ
らに、成膜後１５０〜２５０℃で好ましくは約１０分以
上の大気中、中性雰囲気中、還元雰囲気中、真空中で熱
処理を加えることにより、銀中のパラジウムを熱力学的
により安定な状態にし、耐湿熱性を向上させることがで
きる。
は、銀とパラジウムの混合材料を用いたスパッタリン
グ、電子ビーム蒸着、イオンプレーテイングなどの公知
の方法が用いられる。また、銀とパラジウムの複数の蒸
発源からの共スパッタリングや電子ビーム共蒸着、共イ
オンプレーテイング等の方法も用いることができる。さ
らに、成膜後１５０〜２５０℃で好ましくは約１０分以
上の大気中、中性雰囲気中、還元雰囲気中、真空中で熱
処理を加えることにより、銀中のパラジウムを熱力学的
により安定な状態にし、耐湿熱性を向上させることがで
きる。
【００１１】本発明の第１にかかる第１の反射防止層
は、可視光に対して透明な金属酸化物であれば特に限定
されないが、透明導電膜の可視光線透過率を高くする上
で５５０ｎｍの波長における屈折率が１．６〜２．９の
金属酸化物が好ましく用いられる。このような透明金属
酸化物としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、
酸化ネオジウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸
化カドミウム、酸化アンチモン、五酸化タンタル、酸化
ビスマス、二酸化チタニウム、酸化アルミニウムや、こ
れらの混合物からなる透明な複合酸化物、さらに錫を含
有する酸化インジウム（ＩＴＯ）、アンチモンを含ませ
た酸化錫、アルミニウム含有酸化亜鉛などの導電性透明
金属酸化物やこれらの混合物からなる導電性複合酸化物
を用いることができる。また、上記金属酸化物と二酸化
珪素を二酸化珪素を屈折率の調整目的に混合して用いる
ことができる。
は、可視光に対して透明な金属酸化物であれば特に限定
されないが、透明導電膜の可視光線透過率を高くする上
で５５０ｎｍの波長における屈折率が１．６〜２．９の
金属酸化物が好ましく用いられる。このような透明金属
酸化物としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫、
酸化ネオジウム、酸化ジルコニウム、酸化セリウム、酸
化カドミウム、酸化アンチモン、五酸化タンタル、酸化
ビスマス、二酸化チタニウム、酸化アルミニウムや、こ
れらの混合物からなる透明な複合酸化物、さらに錫を含
有する酸化インジウム（ＩＴＯ）、アンチモンを含ませ
た酸化錫、アルミニウム含有酸化亜鉛などの導電性透明
金属酸化物やこれらの混合物からなる導電性複合酸化物
を用いることができる。また、上記金属酸化物と二酸化
珪素を二酸化珪素を屈折率の調整目的に混合して用いる
ことができる。
【００１２】本発明の第１にかかる第２の反射防止層
は、ＩＴＯとするのが好ましい。また、第２の反射防止
層を基板側のアルミニウムを少量含有する酸化亜鉛と非
基板側のＩＴＯの２層構造とするのが、耐湿熱性と耐ア
ルカリ性の両特性を同時に得る上で好ましい。
は、ＩＴＯとするのが好ましい。また、第２の反射防止
層を基板側のアルミニウムを少量含有する酸化亜鉛と非
基板側のＩＴＯの２層構造とするのが、耐湿熱性と耐ア
ルカリ性の両特性を同時に得る上で好ましい。
【００１３】本発明の第１の銀主成分の金属層は、さら
に分割層を１つまたは２つ以上挿入することにより、２
層以上の多層構造に分割することができる。これによ
り、金属層を分割しない場合に比べ、ほぼ同じ面積抵抗
であれば、より高い透過率の透明導電膜とすることがで
きる。このように前記金属層を分割する場合は、本発明
の透明導電膜付き基板全体の垂直可視光透過率が５０％
以上となるようにするため、それぞれの分割された金属
層の膜厚の総和が１００ｎｍ程度以下とするのが好まし
い。
に分割層を１つまたは２つ以上挿入することにより、２
層以上の多層構造に分割することができる。これによ
り、金属層を分割しない場合に比べ、ほぼ同じ面積抵抗
であれば、より高い透過率の透明導電膜とすることがで
きる。このように前記金属層を分割する場合は、本発明
の透明導電膜付き基板全体の垂直可視光透過率が５０％
以上となるようにするため、それぞれの分割された金属
層の膜厚の総和が１００ｎｍ程度以下とするのが好まし
い。
【００１４】本発明の第１の分割層、反射防止層は、ス
パッタリング、真空蒸着、イオンプレーテイングなどの
公知の真空薄膜の形成方法で成膜することができる。
パッタリング、真空蒸着、イオンプレーテイングなどの
公知の真空薄膜の形成方法で成膜することができる。
【００１５】本発明の第２は、透明基板の一方の主表面
上に透明導電膜が被覆された透明導電膜付き基板であっ
て、前記透明導電膜は、基板側から第１の反射防止層、
金属層、第２の反射防止層を順次積層されてなり、かつ
前記金属層が金を重量％で０．２以上５．０未満含有す
る銀からなる層である表示素子用透明導電膜付き基板で
ある。
上に透明導電膜が被覆された透明導電膜付き基板であっ
て、前記透明導電膜は、基板側から第１の反射防止層、
金属層、第２の反射防止層を順次積層されてなり、かつ
前記金属層が金を重量％で０．２以上５．０未満含有す
る銀からなる層である表示素子用透明導電膜付き基板で
ある。
【００１６】本発明の第２に用いることのできる基板と
しては、本発明の第１と同じようにソーダライムシリカ
組成のガラスや硼珪酸ガラス（無アルカリガラス）など
の公知のガラス基板、ポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）やアクリル（ＰＭＭＡ）などのプラスチック基板
やプラスチックフィルム、これらの基板表面上にカラー
表示を目的としたカラーフイルタを設けた基板を例示す
ることができる。またこれらの基板は平面である必要は
なく、ある種の曲面を有した基体でもよい。
しては、本発明の第１と同じようにソーダライムシリカ
組成のガラスや硼珪酸ガラス（無アルカリガラス）など
の公知のガラス基板、ポリエチレンテレフタレート（Ｐ
ＥＴ）やアクリル（ＰＭＭＡ）などのプラスチック基板
やプラスチックフィルム、これらの基板表面上にカラー
表示を目的としたカラーフイルタを設けた基板を例示す
ることができる。またこれらの基板は平面である必要は
なく、ある種の曲面を有した基体でもよい。
【００１７】本発明の第２においては、可視光線に対す
る透明性および低い面積抵抗を確保する上で、第１の反
射防止層の膜厚を１０〜２００ｎｍとするのが好まし
く、銀が主成分である金属層の膜厚を５〜１００ｎｍと
するのが好ましく、さらに第２の反射防止層の膜厚を１
０〜２００ｎｍとするのが好ましい。
る透明性および低い面積抵抗を確保する上で、第１の反
射防止層の膜厚を１０〜２００ｎｍとするのが好まし
く、銀が主成分である金属層の膜厚を５〜１００ｎｍと
するのが好ましく、さらに第２の反射防止層の膜厚を１
０〜２００ｎｍとするのが好ましい。
【００１８】本発明の第２の銀主成分の金属層には、金
が重量％で０．２〜５．０含有され、それにより電気抵
抗を著しく低下することなく、透明導電膜の耐湿熱性が
向上する。このときの金属層の体積抵抗率は、１０μΩ
ｃｍ以下とするのが好ましい。
が重量％で０．２〜５．０含有され、それにより電気抵
抗を著しく低下することなく、透明導電膜の耐湿熱性が
向上する。このときの金属層の体積抵抗率は、１０μΩ
ｃｍ以下とするのが好ましい。
【００１９】金が０．２重量％より少ないと銀層の耐水
性は弱くなり、また５．０重量％以上になると、銀層の
比抵抗が１０μΩｃｍを大きく越えてしまう。前記金の
他に白金やパラジウム等の貴金属を添加することができ
る。この場合、銀以外の添加するすべての貴金属の合計
を０．２〜７．０重量％にするのが比抵抗を低く保つ観
点から好ましい。
性は弱くなり、また５．０重量％以上になると、銀層の
比抵抗が１０μΩｃｍを大きく越えてしまう。前記金の
他に白金やパラジウム等の貴金属を添加することができ
る。この場合、銀以外の添加するすべての貴金属の合計
を０．２〜７．０重量％にするのが比抵抗を低く保つ観
点から好ましい。
【００２０】上記の金含有銀層の成膜の方法は、銀と金
の混合材料を用いたスパッタリング、電子ビーム蒸着、
イオンプレーテイングなどの公知の方法が用いられる。
また、銀と金の複数の蒸発源からの共スパッタリングや
電子ビーム共蒸着、共イオンプレーテイング等の方法を
用いることができる。さらに、成膜後１５０〜２５０℃
で好ましくは約１０分以上の大気中、中性雰囲気中、還
元雰囲気中、真空中で熱処理を加えることにより、銀中
の金を熱力学的により安定な状態にし、耐湿熱性を向上
させることができる。
の混合材料を用いたスパッタリング、電子ビーム蒸着、
イオンプレーテイングなどの公知の方法が用いられる。
また、銀と金の複数の蒸発源からの共スパッタリングや
電子ビーム共蒸着、共イオンプレーテイング等の方法を
用いることができる。さらに、成膜後１５０〜２５０℃
で好ましくは約１０分以上の大気中、中性雰囲気中、還
元雰囲気中、真空中で熱処理を加えることにより、銀中
の金を熱力学的により安定な状態にし、耐湿熱性を向上
させることができる。
【００２１】本発明の第２にかかる第１の反射防止層
は、本発明の第１と同様、可視光に対して透明な金属酸
化物であれば特に限定されないが、透明導電膜の可視光
線透過率を高くする上で５５０ｎｍの波長における屈折
率が１．６〜２．９の金属酸化物が好ましく用いられ
る。このような透明金属酸化物としては、酸化インジウ
ム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ネオジウム、酸化ジルコニ
ウム、酸化セリウム、酸化カドミウム、酸化アンチモ
ン、五酸化タンタル、酸化ビスマス、二酸化チタニウ
ム、酸化アルミニウムや、これらの混合物からなる透明
な複合酸化物、さらにＩＴＯ、アンチモンを含ませた酸
化錫、アルミニウム含有酸化亜鉛などの導電性透明金属
酸化物やこれらの混合物からなる導電性複合酸化物を用
いることができる。また、上記金属酸化物と二酸化珪素
を二酸化珪素を屈折率調整目的に混合して用いることが
できる。
は、本発明の第１と同様、可視光に対して透明な金属酸
化物であれば特に限定されないが、透明導電膜の可視光
線透過率を高くする上で５５０ｎｍの波長における屈折
率が１．６〜２．９の金属酸化物が好ましく用いられ
る。このような透明金属酸化物としては、酸化インジウ
ム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ネオジウム、酸化ジルコニ
ウム、酸化セリウム、酸化カドミウム、酸化アンチモ
ン、五酸化タンタル、酸化ビスマス、二酸化チタニウ
ム、酸化アルミニウムや、これらの混合物からなる透明
な複合酸化物、さらにＩＴＯ、アンチモンを含ませた酸
化錫、アルミニウム含有酸化亜鉛などの導電性透明金属
酸化物やこれらの混合物からなる導電性複合酸化物を用
いることができる。また、上記金属酸化物と二酸化珪素
を二酸化珪素を屈折率調整目的に混合して用いることが
できる。
【００２２】本発明の第２にかかる第２の反射防止層
は、ＩＴＯとするのが好ましい。また、第２の反射防止
層を基板側のアルミニウムを含有する酸化亜鉛層と非基
板側のＩＴＯの２層構造とするのが、耐湿熱性と耐アル
カリ性の両特性を得る上で好ましい。
は、ＩＴＯとするのが好ましい。また、第２の反射防止
層を基板側のアルミニウムを含有する酸化亜鉛層と非基
板側のＩＴＯの２層構造とするのが、耐湿熱性と耐アル
カリ性の両特性を得る上で好ましい。
【００２３】本発明の第２にかかる銀主成分の金属層
は、本発明の第１と同様、さらに分割層を１つまたは２
つ以上挿入することにより、２層以上の多層構造に分割
することができる。これにより、金属層を分割しない場
合に比べ、ほぼ同じ面積抵抗であれば、より高い透過率
の透明導電膜とすることができる。
は、本発明の第１と同様、さらに分割層を１つまたは２
つ以上挿入することにより、２層以上の多層構造に分割
することができる。これにより、金属層を分割しない場
合に比べ、ほぼ同じ面積抵抗であれば、より高い透過率
の透明導電膜とすることができる。
【００２４】本発明の第２の、第１の反射防止層、分割
層および第２の反射防止層は、スパッタリング、真空蒸
着、イオンプレーテイングなどの公知の真空薄膜の形成
方法で成膜することができる。
層および第２の反射防止層は、スパッタリング、真空蒸
着、イオンプレーテイングなどの公知の真空薄膜の形成
方法で成膜することができる。
【００２５】本発明の第３は、透明基板の一方の主表面
上に透明導電膜が被覆された透明導電膜付き基板におい
て、前記透明導電膜は、基板側から第１の反射防止層、
金属層、第２の反射防止層を順次積層してなり、かつ前
記金属層が白金を重量％で０．２以上５．０未満含有す
る銀層である表示素子用透明導電膜付き基板である。
上に透明導電膜が被覆された透明導電膜付き基板におい
て、前記透明導電膜は、基板側から第１の反射防止層、
金属層、第２の反射防止層を順次積層してなり、かつ前
記金属層が白金を重量％で０．２以上５．０未満含有す
る銀層である表示素子用透明導電膜付き基板である。
【００２６】本発明の第３に用いることのできる基板と
しては、本発明の第１、第２と同じ基板を用いることが
できる。
しては、本発明の第１、第２と同じ基板を用いることが
できる。
【００２７】本発明の第３においては、可視光線に対す
る透明性および低い面積抵抗を確保する上で、第１の反
射防止層の膜厚を１０〜２００ｎｍとするのが好まし
く、銀が主成分である金属層の膜厚を５〜１００ｎｍと
するのが好ましく、さらに第２の反射防止層の膜厚を１
０〜２００ｎｍとするのが好ましい。
る透明性および低い面積抵抗を確保する上で、第１の反
射防止層の膜厚を１０〜２００ｎｍとするのが好まし
く、銀が主成分である金属層の膜厚を５〜１００ｎｍと
するのが好ましく、さらに第２の反射防止層の膜厚を１
０〜２００ｎｍとするのが好ましい。
【００２８】本発明の第３の銀主成分の金属層には、白
金が重量％で０．２〜５．０含有され、それにより電気
抵抗を著しく低下させることなく、透明導電膜の耐湿熱
性が向上する。このときの金属層の体積抵抗率は、１０
μΩｃｍ以下とするのが好ましい。
金が重量％で０．２〜５．０含有され、それにより電気
抵抗を著しく低下させることなく、透明導電膜の耐湿熱
性が向上する。このときの金属層の体積抵抗率は、１０
μΩｃｍ以下とするのが好ましい。
【００２９】白金が０．２重量％より少ないと銀層の耐
水性の向上作用は著しく弱くなり、また５．０重量％以
上になると、銀層の比抵抗が１０μΩｃｍを大きく越え
てしまう。前記白金の他に金やパラジウム等の貴金属を
添加することができる。この場合、銀以外の添加するす
べての貴金属の合計を０．２〜７．０重量％にするのが
比抵抗を大きく劣化させない観点から好ましい。
水性の向上作用は著しく弱くなり、また５．０重量％以
上になると、銀層の比抵抗が１０μΩｃｍを大きく越え
てしまう。前記白金の他に金やパラジウム等の貴金属を
添加することができる。この場合、銀以外の添加するす
べての貴金属の合計を０．２〜７．０重量％にするのが
比抵抗を大きく劣化させない観点から好ましい。
【００３０】上記の白金含有銀層の成膜の方法は、銀と
白金の混合材料を用いたスパッタリング、電子ビーム蒸
着、イオンプレーテイングなどの公知の方法が用いられ
る。また、銀とパラジウムの複数の蒸発源からの共スパ
ッタリングや電子ビーム共蒸着、共イオンプレーテイン
グ等の方法を用いることができる。さらに、成膜後１５
０〜２５０℃で約１０分以上の大気中、中性雰囲気中、
還元雰囲気中、真空中で熱処理を加えることにより、銀
中の白金を熱力学的により安定な状態にし、耐湿熱性を
向上させることができる。
白金の混合材料を用いたスパッタリング、電子ビーム蒸
着、イオンプレーテイングなどの公知の方法が用いられ
る。また、銀とパラジウムの複数の蒸発源からの共スパ
ッタリングや電子ビーム共蒸着、共イオンプレーテイン
グ等の方法を用いることができる。さらに、成膜後１５
０〜２５０℃で約１０分以上の大気中、中性雰囲気中、
還元雰囲気中、真空中で熱処理を加えることにより、銀
中の白金を熱力学的により安定な状態にし、耐湿熱性を
向上させることができる。
【００３１】本発明の第３にかかる第１の反射防止層
は、本発明の第１と同じように、可視光に対して透明な
金属酸化物であれば特に限定されないが、透明導電膜の
可視光線透過率を高くする上で５５０ｎｍの波長におけ
る屈折率が１．６〜２．９の金属酸化物が好ましく用い
られる。このような透明金属酸化物としては、酸化イン
ジウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ネオジウム、酸化ジル
コニウム、酸化セリウム、酸化カドミウム、酸化アンチ
モン、五酸化タンタル、酸化ビスマス、二酸化チタニウ
ム、酸化アルミニウムや、これらの混合物からなる透明
な複合酸化物、さらにＩＴＯ、アンチモンを含ませた酸
化錫、アルミニウム含有酸化亜鉛などの導電性透明金属
酸化物やこれらの混合物からなる導電性複合酸化物を用
いることができる。また、上記金属酸化物と二酸化珪素
を二酸化珪素を屈折率調整目的に混合して用いることが
できる。
は、本発明の第１と同じように、可視光に対して透明な
金属酸化物であれば特に限定されないが、透明導電膜の
可視光線透過率を高くする上で５５０ｎｍの波長におけ
る屈折率が１．６〜２．９の金属酸化物が好ましく用い
られる。このような透明金属酸化物としては、酸化イン
ジウム、酸化亜鉛、酸化錫、酸化ネオジウム、酸化ジル
コニウム、酸化セリウム、酸化カドミウム、酸化アンチ
モン、五酸化タンタル、酸化ビスマス、二酸化チタニウ
ム、酸化アルミニウムや、これらの混合物からなる透明
な複合酸化物、さらにＩＴＯ、アンチモンを含ませた酸
化錫、アルミニウム含有酸化亜鉛などの導電性透明金属
酸化物やこれらの混合物からなる導電性複合酸化物を用
いることができる。また、上記金属酸化物と二酸化珪素
を二酸化珪素を屈折率調整目的に混合して用いることが
できる。
【００３２】本発明の第３にかかる第２の反射防止層
は、ＩＴＯとするのが好ましい。また、第２の販社防止
層を基板側のアルミニウム含有する酸化亜鉛層と非基板
側のＩＴＯの２層構造とするのが、耐熱湿性、と耐アル
カリ性の両特性を得る上で好ましい。
は、ＩＴＯとするのが好ましい。また、第２の販社防止
層を基板側のアルミニウム含有する酸化亜鉛層と非基板
側のＩＴＯの２層構造とするのが、耐熱湿性、と耐アル
カリ性の両特性を得る上で好ましい。
【００３３】本発明の第３の銀主成分の金属層は、さら
に分割層を１つまたは２つ以上挿入することにより、２
層以上の多層構造に分割することができる。これによ
り、金属層を分割しない場合に比べ、ほぼ同じ面積抵抗
であれば、より高い透過率の透明導電膜とすることがで
きる。
に分割層を１つまたは２つ以上挿入することにより、２
層以上の多層構造に分割することができる。これによ
り、金属層を分割しない場合に比べ、ほぼ同じ面積抵抗
であれば、より高い透過率の透明導電膜とすることがで
きる。
【００３４】本発明の第３の分割層、反射防止層は、ス
パッタリング、真空蒸着、イオンプレーテイングなどの
公知の真空薄膜の形成方法で成膜することができる。
パッタリング、真空蒸着、イオンプレーテイングなどの
公知の真空薄膜の形成方法で成膜することができる。
【００３５】添加する貴金属成分の特性については、パ
ラジウムは硝酸に可溶で価格が安価である点で優れてお
り、金、白金については耐食性の向上作用がとくに優れ
ている。
ラジウムは硝酸に可溶で価格が安価である点で優れてお
り、金、白金については耐食性の向上作用がとくに優れ
ている。
【００３６】２枚の透明導電膜付き基板をその透明導電
膜が対向するように、基板の周辺部を接着剤で接着して
基板間に密閉空間を形成し、その密閉空間に液晶を封入
した液晶表示素子に、基板の少なくとも一方に本発明の
透明導電膜付き基板を用いると、高精細で明るい液晶表
示素子とすることができる。
膜が対向するように、基板の周辺部を接着剤で接着して
基板間に密閉空間を形成し、その密閉空間に液晶を封入
した液晶表示素子に、基板の少なくとも一方に本発明の
透明導電膜付き基板を用いると、高精細で明るい液晶表
示素子とすることができる。
【００３７】
【発明の実施の態様】図１は本発明の一実施例の断面図
で、透明導電膜付き基板１０は、透明基板４の表面上
に、第１の反射防止層１、金属層２、第２の反射防止層
が積層されて構成されている。図２は本発明の他の実施
例の断面図で、透明基板４の表面上に、第１の反射防止
層１、金属層２、第２の反射防止層がこの順に積層され
ており、金属層２は分割層５により２層に分割されてい
る。分割層の数は通常１または２とし、金属層を２また
は３層に分割することが多いが、より低い抵抗を必要と
するときには３層以上設け、これにより金属層を４層以
上に分割する。図３は本発明の透明導電膜付き基板の使
用例を説明するための液晶表示素子を模式的に表した図
である。本発明のとりわけ好ましい実施態様としては、
シート抵抗値で約２．５Ω/□以下１．５Ω/□以上で可
視光透過率６０％以上という特性を得るには、ガラス基
板／ＩＴＯ層３０〜７０ｎｍ／銀９８重量％パラジウム
２重量％の金属層５〜２０ｎｍ／ＩＴＯ層６０〜１１０
ｎｍ／銀９８重量％パラジウム２重量％の金属層５〜２
０ｎｍ／ＩＴＯ層３０〜７０ｎｍ積層構造が挙げられ、
１．５Ω/□以下の範囲で可視光透過率６０％以上とい
う特性を得るには、ガラス基板／ＩＴＯ層３０〜７０ｎ
ｍ／銀９８重量パラジウム２重量％の金属層１０〜３０
ｎｍ／ＩＴＯ層６０〜１１０ｎｍ／銀９８重量％パラジ
ウム２重量％の金属層１０〜３０ｎｍ／ＩＴＯ層６０〜
１１０ｎｍ／銀９８重量％パラジウム２重量％の金属層
１０〜３０ｎｍ／ＩＴＯ層３０〜７０ｎｍの積層構造が
挙げられる。本発明の実施例により、高温高湿の雰囲気
に一定時間暴露して評価される耐湿熱性、基板込みの可
視光透過率の高さで評価される透明性、シート抵抗の低
さで評価される電気的特性、エッチングのし易さおよび
エッチングの面内の均一性で評価される電極加工性を測
定した結果を以下に示す。
で、透明導電膜付き基板１０は、透明基板４の表面上
に、第１の反射防止層１、金属層２、第２の反射防止層
が積層されて構成されている。図２は本発明の他の実施
例の断面図で、透明基板４の表面上に、第１の反射防止
層１、金属層２、第２の反射防止層がこの順に積層され
ており、金属層２は分割層５により２層に分割されてい
る。分割層の数は通常１または２とし、金属層を２また
は３層に分割することが多いが、より低い抵抗を必要と
するときには３層以上設け、これにより金属層を４層以
上に分割する。図３は本発明の透明導電膜付き基板の使
用例を説明するための液晶表示素子を模式的に表した図
である。本発明のとりわけ好ましい実施態様としては、
シート抵抗値で約２．５Ω/□以下１．５Ω/□以上で可
視光透過率６０％以上という特性を得るには、ガラス基
板／ＩＴＯ層３０〜７０ｎｍ／銀９８重量％パラジウム
２重量％の金属層５〜２０ｎｍ／ＩＴＯ層６０〜１１０
ｎｍ／銀９８重量％パラジウム２重量％の金属層５〜２
０ｎｍ／ＩＴＯ層３０〜７０ｎｍ積層構造が挙げられ、
１．５Ω/□以下の範囲で可視光透過率６０％以上とい
う特性を得るには、ガラス基板／ＩＴＯ層３０〜７０ｎ
ｍ／銀９８重量パラジウム２重量％の金属層１０〜３０
ｎｍ／ＩＴＯ層６０〜１１０ｎｍ／銀９８重量％パラジ
ウム２重量％の金属層１０〜３０ｎｍ／ＩＴＯ層６０〜
１１０ｎｍ／銀９８重量％パラジウム２重量％の金属層
１０〜３０ｎｍ／ＩＴＯ層３０〜７０ｎｍの積層構造が
挙げられる。本発明の実施例により、高温高湿の雰囲気
に一定時間暴露して評価される耐湿熱性、基板込みの可
視光透過率の高さで評価される透明性、シート抵抗の低
さで評価される電気的特性、エッチングのし易さおよび
エッチングの面内の均一性で評価される電極加工性を測
定した結果を以下に示す。
【００３８】実施例１ 縦４００ｍｍ横３００ｍｍ厚さ０．７ｍｍの単純マトリ
ックス液晶表示用ソーダライムシリカ組成のガラス基板
を洗浄した後、アルカリパッシベーション用二酸化珪素
を３０ｎｍ形成した。つぎにスパッタリングターゲット
として、１０重量％の酸化錫を含む酸化インジウム、銀
９９重量％パラジウム１重量％を用いて、ＤＣスパッタ
リング法により、ＩＴＯ／金属層（ほぼ銀９９重量％パ
ラジウム１重量％の組成からなる）／ＩＴＯ層を、それ
ぞれ膜厚で４２ｎｍ、１５ｎｍ、３８ｎｍになるよう順
次ガラス基板上に被覆し、透明導電膜付きガラスのサン
プル１を得た。サンプル１の特性を表１に示す。またサ
ンプル１の透明導電膜を電極幅７０μｍ、電極間隔１５
μｍのストライプ状透明電極になるように、酸として塩
酸及び硝酸を含む水溶液からなるエッチング液により電
極のパターン加工をし、良好なパターンが得られた。
ックス液晶表示用ソーダライムシリカ組成のガラス基板
を洗浄した後、アルカリパッシベーション用二酸化珪素
を３０ｎｍ形成した。つぎにスパッタリングターゲット
として、１０重量％の酸化錫を含む酸化インジウム、銀
９９重量％パラジウム１重量％を用いて、ＤＣスパッタ
リング法により、ＩＴＯ／金属層（ほぼ銀９９重量％パ
ラジウム１重量％の組成からなる）／ＩＴＯ層を、それ
ぞれ膜厚で４２ｎｍ、１５ｎｍ、３８ｎｍになるよう順
次ガラス基板上に被覆し、透明導電膜付きガラスのサン
プル１を得た。サンプル１の特性を表１に示す。またサ
ンプル１の透明導電膜を電極幅７０μｍ、電極間隔１５
μｍのストライプ状透明電極になるように、酸として塩
酸及び硝酸を含む水溶液からなるエッチング液により電
極のパターン加工をし、良好なパターンが得られた。
【００３９】実施例２ 縦４００ｍｍ横３００ｍｍ厚さ０．７ｍｍの単純マトリ
ックス液晶表示用ソーダライムシリカ組成のガラス基板
を洗浄した後、アルカリパッシベーション用二酸化珪素
を３０ｎｍ形成した。つぎにスパッタリングターゲット
として、１０重量％の酸化錫を含む酸化インジウム、銀
９９重量％パラジウム１重量％を用いて、ＤＣスパッタ
リング法により、ＩＴＯ／金属層（ほぼ銀９９重量％パ
ラジウム１重量％の組成からなる）／ＩＴＯ層／金属層
／ＩＴＯ層を、それぞれ膜厚で４１ｎｍ、１５ｎｍ、８
１ｎｍ、１５ｎｍ、３９ｎｍになるよう順次ガラス基板
上に被覆し、透明導電膜付きガラスのサンプル２を得
た。サンプル２の特性を表１に示す。またサンプル１の
透明導電膜を電極幅７０μｍ、電極間隔１５μｍのスト
ライプ状透明電極になるように、酸として塩酸及び硝酸
を含む水溶液からなるエッチング液により電極のパター
ン加工をし、良好なパターンが得られた。
ックス液晶表示用ソーダライムシリカ組成のガラス基板
を洗浄した後、アルカリパッシベーション用二酸化珪素
を３０ｎｍ形成した。つぎにスパッタリングターゲット
として、１０重量％の酸化錫を含む酸化インジウム、銀
９９重量％パラジウム１重量％を用いて、ＤＣスパッタ
リング法により、ＩＴＯ／金属層（ほぼ銀９９重量％パ
ラジウム１重量％の組成からなる）／ＩＴＯ層／金属層
／ＩＴＯ層を、それぞれ膜厚で４１ｎｍ、１５ｎｍ、８
１ｎｍ、１５ｎｍ、３９ｎｍになるよう順次ガラス基板
上に被覆し、透明導電膜付きガラスのサンプル２を得
た。サンプル２の特性を表１に示す。またサンプル１の
透明導電膜を電極幅７０μｍ、電極間隔１５μｍのスト
ライプ状透明電極になるように、酸として塩酸及び硝酸
を含む水溶液からなるエッチング液により電極のパター
ン加工をし、良好なパターンが得られた。
【００４０】実施例３ 実施例２とは、金属層を成膜するためのターゲットを銀
９８重量％金２重量％とし、またＩＴＯの膜厚を光学的
特性に関し最適化した以外は実施例１と同様にして、５
層構成の透明導電膜付きガラスのサンプル３を得た。サ
ンプル２の特性を表１に示す。サンプル３の透明導電膜
を電極幅７０μｍ、電極間隔１５μｍのストライプ状透
明電極になるように、酸として塩酸及び硝酸を含む水溶
液からなるエッチング液により電極のパターン加工をし
良好なパターンが得られた。
９８重量％金２重量％とし、またＩＴＯの膜厚を光学的
特性に関し最適化した以外は実施例１と同様にして、５
層構成の透明導電膜付きガラスのサンプル３を得た。サ
ンプル２の特性を表１に示す。サンプル３の透明導電膜
を電極幅７０μｍ、電極間隔１５μｍのストライプ状透
明電極になるように、酸として塩酸及び硝酸を含む水溶
液からなるエッチング液により電極のパターン加工をし
良好なパターンが得られた。
【００４１】実施例４ 実施例２とは、金属層を成膜するためのターゲットを銀
９８重量％白金２重量％とし、またＩＴＯの膜厚を光学
的特性に関し最適化した以外は実施例１と同じようにし
て、５層構成の透明導電膜付きガラスのサンプル４を得
た。サンプル４の特性を表１に示す。サンプル４の透明
導電膜を電極幅７０μｍ、電極間隔１５μｍのストライ
プ状透明電極になるように、酸として塩酸及び硝酸を含
む水溶液からなるエッチング液により電極のパターン加
工をし、良好なパターンが得られた。
９８重量％白金２重量％とし、またＩＴＯの膜厚を光学
的特性に関し最適化した以外は実施例１と同じようにし
て、５層構成の透明導電膜付きガラスのサンプル４を得
た。サンプル４の特性を表１に示す。サンプル４の透明
導電膜を電極幅７０μｍ、電極間隔１５μｍのストライ
プ状透明電極になるように、酸として塩酸及び硝酸を含
む水溶液からなるエッチング液により電極のパターン加
工をし、良好なパターンが得られた。
【００４２】実施例５ 縦５５０ｍｍ横４００ｍｍ厚さ０．７ｍｍの単純マトリ
ックス液晶表示用ソーダライムシリカ組成のガラス基板
を洗浄した後、アルカリパッシベーション用二酸化珪素
を３０ｎｍ形成した。つぎにスパッタリングターゲット
として１０重量％の酸化錫を含む酸化インジウム、銀９
９重量％パラジウム１重量％の金属を用いて、ＤＣスパ
ッタリング法により、ＩＴＯ層／金属層（ほぼ銀９９重
量％１重量％）／ＩＴＯ層／金属層／ＩＴＯ層をそれぞ
れ膜厚で４５ｎｍ、１７ｎｍ、９０ｎｍ、２２ｎｍ、４
３ｎｍになるよう順次ガラス基板上に被覆し、透明導電
膜付きガラスのサンプル５を得た。この基板の透明導電
膜を電極幅７０μｍ、電極間隔１５μｍのストライプ状
透明電極になるように、酸として塩酸及び硝酸を含む水
溶液からなるエッチング液により電極のパターン加工を
した。その後大気中で２３０℃３０分の熱処理を行い、
膜の抵抗値を３０％程度改善した。
ックス液晶表示用ソーダライムシリカ組成のガラス基板
を洗浄した後、アルカリパッシベーション用二酸化珪素
を３０ｎｍ形成した。つぎにスパッタリングターゲット
として１０重量％の酸化錫を含む酸化インジウム、銀９
９重量％パラジウム１重量％の金属を用いて、ＤＣスパ
ッタリング法により、ＩＴＯ層／金属層（ほぼ銀９９重
量％１重量％）／ＩＴＯ層／金属層／ＩＴＯ層をそれぞ
れ膜厚で４５ｎｍ、１７ｎｍ、９０ｎｍ、２２ｎｍ、４
３ｎｍになるよう順次ガラス基板上に被覆し、透明導電
膜付きガラスのサンプル５を得た。この基板の透明導電
膜を電極幅７０μｍ、電極間隔１５μｍのストライプ状
透明電極になるように、酸として塩酸及び硝酸を含む水
溶液からなるエッチング液により電極のパターン加工を
した。その後大気中で２３０℃３０分の熱処理を行い、
膜の抵抗値を３０％程度改善した。
【００４３】実施例６ 縦５５０ｍｍ横４００ｍｍ厚さ０．７ｍｍの単純マトリ
ックス液晶表示用ソーダライムシリカ組成のガラス基板
を洗浄した後、アルカリパッシベーション用二酸化珪素
を３０ｎｍ形成した。つぎにスパッタリングターゲット
として１０重量％の酸化錫を含む酸化インジウム、銀９
８重量％パラジウム２重量％の金属を用いて、ＤＣスパ
ッタリング法により、ＩＴＯ層／金属層（ほぼ銀９８重
量％２重量％）／ＩＴＯ層／金属層／ＩＴＯ層をそれぞ
れ膜厚で４６ｎｍ、２３ｎｍ、９１ｎｍ、１８ｎｍ、４
４ｎｍになるよう順次ガラス基板上に被覆し、透明導電
膜付きガラスのサンプル４を得た。この基板の透明導電
膜を電極幅７０μｍ、電極間隔１５μｍのストライプ状
透明電極になるように、酸として塩酸及び硝酸を含む水
溶液からなるエッチング液により電極のパターン加工を
した。その後大気中で２３０℃３０分の熱処理を行い、
膜の抵抗値を３０％程度改善した。
ックス液晶表示用ソーダライムシリカ組成のガラス基板
を洗浄した後、アルカリパッシベーション用二酸化珪素
を３０ｎｍ形成した。つぎにスパッタリングターゲット
として１０重量％の酸化錫を含む酸化インジウム、銀９
８重量％パラジウム２重量％の金属を用いて、ＤＣスパ
ッタリング法により、ＩＴＯ層／金属層（ほぼ銀９８重
量％２重量％）／ＩＴＯ層／金属層／ＩＴＯ層をそれぞ
れ膜厚で４６ｎｍ、２３ｎｍ、９１ｎｍ、１８ｎｍ、４
４ｎｍになるよう順次ガラス基板上に被覆し、透明導電
膜付きガラスのサンプル４を得た。この基板の透明導電
膜を電極幅７０μｍ、電極間隔１５μｍのストライプ状
透明電極になるように、酸として塩酸及び硝酸を含む水
溶液からなるエッチング液により電極のパターン加工を
した。その後大気中で２３０℃３０分の熱処理を行い、
膜の抵抗値を３０％程度改善した。
【００４４】
【表１】
【００４５】比較例１ 金属層を成膜するためのスパッタリングターゲットを銀
１００％のものを用いた以外は実施例１と同じようにし
て、ガラス基板上に透明導電膜を被覆して、比較サンプ
ル１を得た。サンプル１の特性を表１に示す。
１００％のものを用いた以外は実施例１と同じようにし
て、ガラス基板上に透明導電膜を被覆して、比較サンプ
ル１を得た。サンプル１の特性を表１に示す。
【００４６】比較例２ 金属層を成膜するためのスパッタリングターゲットを銀
１００％のものを用いた以外は実施例２と同じようにし
てガラス基板上に透明導電膜を被覆し、比較サンプル２
を得た。サンプル２の特性を表１に示す。上記の説明で
分かるように、本発明の実施例の基板は、比較例の基板
よりも耐湿熱性が優れていることが明らかである。
１００％のものを用いた以外は実施例２と同じようにし
てガラス基板上に透明導電膜を被覆し、比較サンプル２
を得た。サンプル２の特性を表１に示す。上記の説明で
分かるように、本発明の実施例の基板は、比較例の基板
よりも耐湿熱性が優れていることが明らかである。
【００４７】
【発明の効果】本発明の透明導電膜付き基板の導電性を
確保する銀層には、パラジウム、金または白金を所定濃
度で含有させているので、低抵抗、高可視光透過率及び
高耐湿熱性を兼ね備えた透明導電膜付き基板とすること
ができる。これにより、耐久性の優れた大画面、高画質
のディスプレイを得ることができる。
確保する銀層には、パラジウム、金または白金を所定濃
度で含有させているので、低抵抗、高可視光透過率及び
高耐湿熱性を兼ね備えた透明導電膜付き基板とすること
ができる。これにより、耐久性の優れた大画面、高画質
のディスプレイを得ることができる。
【００４８】
【図１】図１は、本発明の一実施例の透明導電膜付き基
板の断面図である。
板の断面図である。
【図２】図２は、本発明の他の実施例の透明導電膜付き
基板の断面図である。
基板の断面図である。
【図３】図３は、本発明の透明導電膜付き基板の一使用
例を説明するための液晶表示素子の模式図である。
例を説明するための液晶表示素子の模式図である。
【００４９】
１：第１の反射防止層 ２：金属層 ３：第２の反射防止層 ４：透明基板 ５：分割層 １０：透明導電膜 ２０：透明導電膜付き基板
Claims (8)
- 【請求項１】透明基板の一方の主表面上に透明導電膜が
被覆された透明導電膜付き基板において、前記透明導電
膜は、基板側から第１の反射防止層、金属層、第２の反
射防止層を順次積層してなり、前記金属層がパラジウム
を重量％で０．２以上３．０未満含有する銀が主成分の
層である表示素子用透明導電膜付き基板。 - 【請求項２】透明基板の一方の主表面上に透明導電膜が
被覆された透明導電膜付き基板において、前記透明導電
膜は、基板側から第１の反射防止層、金属層、第２の反
射防止層を順次積層してなり、かつ前記金属層が金を重
量％で０．２以上５．０未満含有する銀が主成分の層で
ある表示素子用透明導電膜付き基板。 - 【請求項３】透明基板の一方の主表面上に透明導電膜が
被覆された透明導電膜付き基板において、前記透明導電
膜は、基板側から第１の反射防止層、金属層、第２の反
射防止層を順次積層してなり、かつ前記金属層が白金を
重量％で０．２以上５．０未満含有する銀が主成分の層
である表示素子用透明導電膜付き基板。 - 【請求項４】前記第１の反射防止層を５５０ｎｍの波長
における屈折率が１．６〜２．９の透明金属酸化物の層
とし、第２の反射防止層を錫含有酸化インジウムの層と
したことを特徴とする請求項１〜３のいずれかの項に記
載の表示素子用透明導電膜付き基板。 - 【請求項５】前記第１の反射防止層を５５０ｎｍの波長
における屈折率が１．６〜２．９の透明金属酸化物の層
とし、第２の反射防止層を基板側のアルミニウムを含有
する酸化亜鉛と非基板側の錫を含有する酸化インジウム
の２層としたことを特徴とする請求項１〜３のいずれか
に記載の表示素子用透明導電膜付き基板。 - 【請求項６】前記金属層をｎ（ｎは１以上の整数）層の
分割層により、基板側に近い層から遠い層へｎ＋１層に
分割し、この分割層を前記第１の反射防止層または第２
の反射防止層と同じ物質の層とした請求項１〜５のいず
れかの項に記載の表示素子用透明導電膜付き基板。 - 【請求項７】前記透明基板と前記透明導電膜との間に、
カラーフイルタを設けたことを特徴とする請求項１〜６
のいずれかに記載の液晶表示素子用透明導電膜付き基
板。 - 【請求項８】請求項１〜７のいずれかの項に記載の液晶
表示素子用透明導電膜付き基板を用いた液晶表示素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8087785A JPH09283866A (ja) | 1996-04-10 | 1996-04-10 | 透明導電膜付き基板 |
| US08/819,030 US6014196A (en) | 1996-04-10 | 1997-03-17 | Transparent electrically conductive film-attached substrate |
| KR1019970012983A KR100254151B1 (ko) | 1996-04-10 | 1997-04-09 | 투과식 전기적 전도성 막 부착 기판 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8087785A JPH09283866A (ja) | 1996-04-10 | 1996-04-10 | 透明導電膜付き基板 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283866A true JPH09283866A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=13924642
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8087785A Pending JPH09283866A (ja) | 1996-04-10 | 1996-04-10 | 透明導電膜付き基板 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6014196A (ja) |
| JP (1) | JPH09283866A (ja) |
| KR (1) | KR100254151B1 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6747723B2 (en) | 2000-05-25 | 2004-06-08 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device having multi-layer electrode, method of making the same, and electronic apparatus |
| US6798476B2 (en) | 2000-05-25 | 2004-09-28 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, method for making the same, and electronic apparatus |
| WO2005031681A1 (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-07 | Asahi Glass Company, Limited | 配線付き基体形成用積層体、配線付き基体およびそれらの製造方法 |
| JP2010519699A (ja) * | 2007-02-23 | 2010-06-03 | サン−ゴバン グラス フランス | 不連続な電極を保持する基体、同基体を含む有機エレクトロルミネッセントデバイスおよびそれらの作製 |
| JP2016040411A (ja) * | 2014-08-12 | 2016-03-24 | 三菱マテリアル株式会社 | 積層膜、積層配線膜及び積層配線膜の製造方法 |
| JP2016160115A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電部材の選別方法 |
| WO2020054018A1 (ja) | 2018-09-13 | 2020-03-19 | 株式会社 東芝 | グラフェン含有膜の陰イオン透過性評価方法および光電変換素子 |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1152403A (ja) * | 1997-07-31 | 1999-02-26 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶表示装置 |
| US7075610B2 (en) * | 1997-09-16 | 2006-07-11 | Michael Scalora | Liquid crystal display device and light emitting structure with photonic band gap transparent electrode structures |
| US7045187B2 (en) * | 1998-06-22 | 2006-05-16 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7384677B2 (en) * | 1998-06-22 | 2008-06-10 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US6852384B2 (en) * | 1998-06-22 | 2005-02-08 | Han H. Nee | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314657B2 (en) * | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| JP2001032064A (ja) * | 1999-07-23 | 2001-02-06 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | ディスプレイ用基板の製造方法、及び該製造方法により製造されたディスプレイ用基板 |
| US7316837B2 (en) * | 2000-07-21 | 2008-01-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7018696B2 (en) * | 2003-04-18 | 2006-03-28 | Target Technology Company Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7374805B2 (en) * | 2000-07-21 | 2008-05-20 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| US7314659B2 (en) * | 2000-07-21 | 2008-01-01 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or semi-reflective layer of an optical storage medium |
| CN1665678A (zh) * | 2002-05-08 | 2005-09-07 | 目标技术有限公司 | 银合金薄膜反射器和透明导电体 |
| JP3886121B2 (ja) * | 2002-07-29 | 2007-02-28 | 日東電工株式会社 | 粘着テープ |
| WO2004066354A2 (en) * | 2003-01-16 | 2004-08-05 | Target Technology Company, Llc | Photo-voltaic cells including solar cells incorporating silver-alloy reflective and/or transparent conductive surfaces |
| US20070014963A1 (en) * | 2005-07-12 | 2007-01-18 | Nee Han H | Metal alloys for the reflective layer of an optical storage medium |
| KR100745759B1 (ko) * | 2006-01-27 | 2007-08-02 | 삼성전자주식회사 | 투명 캐소드를 가진 유기발광 디스플레이 |
| EP2381745A1 (fr) | 2006-09-07 | 2011-10-26 | Saint-Gobain Glass France | Substrat pour dispositif electroluminescent organique, utilisation et procede de fabrication de ce substrat, ainsi que dispositif electroluminescent organique |
| CN102941711B (zh) * | 2006-11-17 | 2016-08-24 | 法国圣-戈班玻璃公司 | 用于有机发光装置的电极、其酸蚀刻以及包括它的有机发光装置 |
| FR2924274B1 (fr) | 2007-11-22 | 2012-11-30 | Saint Gobain | Substrat porteur d'une electrode, dispositif electroluminescent organique l'incorporant, et sa fabrication |
| FR2925981B1 (fr) * | 2007-12-27 | 2010-02-19 | Saint Gobain | Substrat porteur d'une electrode, dispositif electroluminescent organique l'incorporant. |
| WO2010003066A2 (en) * | 2008-07-03 | 2010-01-07 | University Of Florida Research Foundation, Inc. | Transparent conducting electrode |
| FR2936358B1 (fr) | 2008-09-24 | 2011-01-21 | Saint Gobain | Procede de fabrication d'un masque a ouvertures submillimetriques pour grille electroconductrice submillimetrique, masque a ouverture submillimetriques, grille electroconductrice submillimetrique. |
| FR2936362B1 (fr) | 2008-09-25 | 2010-09-10 | Saint Gobain | Procede de fabrication d'une grille submillimetrique electroconductrice revetue d'une grille surgrille, grille submillimetrique electroconductrice revetue d'une surgrille |
| FR2944145B1 (fr) | 2009-04-02 | 2011-08-26 | Saint Gobain | Procede de fabrication d'une structure a surface texturee pour dispositif a diode electroluminescente organique et structure a surface texturee |
| KR20110031850A (ko) * | 2009-09-21 | 2011-03-29 | 삼성전자주식회사 | 박막형 태양 전지 |
| FR2955575B1 (fr) | 2010-01-22 | 2012-02-24 | Saint Gobain | Substrat verrier revetu d'une couche haut indice sous un revetement electrode et dispositif electroluminescent organique comportant un tel substrat. |
| CN116420195A (zh) | 2020-08-03 | 2023-07-11 | 密歇根大学董事会 | 使用超薄透明导体对有机发光二极管中的波导模式的消除 |
| KR102884793B1 (ko) | 2022-08-10 | 2025-11-11 | 주식회사 로이스 | 기능성 손잡이 및 팬의 무게 중심의 균형을 이루는 기능성 손잡이를 구비한 팬 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2918659B2 (ja) * | 1990-08-20 | 1999-07-12 | 住友ベークライト株式会社 | 積層フィルム |
| JP2839829B2 (ja) * | 1993-10-18 | 1998-12-16 | 株式会社東芝 | 透明導電膜、その形成方法および透明導電膜の加工方法 |
| US5847795A (en) * | 1995-07-27 | 1998-12-08 | Canon Kabushiki Kaisha | Liquid crystal display apparatus and anti-reflection film applicable thereto |
-
1996
- 1996-04-10 JP JP8087785A patent/JPH09283866A/ja active Pending
-
1997
- 1997-03-17 US US08/819,030 patent/US6014196A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-04-09 KR KR1019970012983A patent/KR100254151B1/ko not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6747723B2 (en) | 2000-05-25 | 2004-06-08 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device having multi-layer electrode, method of making the same, and electronic apparatus |
| US6798476B2 (en) | 2000-05-25 | 2004-09-28 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, method for making the same, and electronic apparatus |
| US6831717B2 (en) | 2000-05-25 | 2004-12-14 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal device, method for making the same, and electronic apparatus |
| WO2005031681A1 (ja) * | 2003-09-30 | 2005-04-07 | Asahi Glass Company, Limited | 配線付き基体形成用積層体、配線付き基体およびそれらの製造方法 |
| JP2010519699A (ja) * | 2007-02-23 | 2010-06-03 | サン−ゴバン グラス フランス | 不連続な電極を保持する基体、同基体を含む有機エレクトロルミネッセントデバイスおよびそれらの作製 |
| JP2016040411A (ja) * | 2014-08-12 | 2016-03-24 | 三菱マテリアル株式会社 | 積層膜、積層配線膜及び積層配線膜の製造方法 |
| JP2016160115A (ja) * | 2015-02-27 | 2016-09-05 | コニカミノルタ株式会社 | 透明導電部材の選別方法 |
| WO2020054018A1 (ja) | 2018-09-13 | 2020-03-19 | 株式会社 東芝 | グラフェン含有膜の陰イオン透過性評価方法および光電変換素子 |
| US11217714B2 (en) | 2018-09-13 | 2022-01-04 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Evaluation method on anion permeability of graphene-containing membrane and photoelectric conversion device |
| US11682740B2 (en) | 2018-09-13 | 2023-06-20 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Evaluation method on anion permeability of graphene-containing membrane and photoelectric conversion device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970071066A (ko) | 1997-11-07 |
| US6014196A (en) | 2000-01-11 |
| KR100254151B1 (ko) | 2000-05-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6014196A (en) | Transparent electrically conductive film-attached substrate | |
| US6040056A (en) | Transparent electrically conductive film-attached substrate and display element using it | |
| JP2839829B2 (ja) | 透明導電膜、その形成方法および透明導電膜の加工方法 | |
| JP3031224B2 (ja) | 透明導電膜 | |
| US6465117B2 (en) | Transparent conductive film and process for forming a transparent electrode | |
| JP2985763B2 (ja) | 多層導電膜、並びにこれを用いた透明電極板および液晶表示装置 | |
| JPH1170610A (ja) | 透明導電膜、および透明電極の形成方法 | |
| JPS63239044A (ja) | 透明導電性積層体 | |
| KR19990067926A (ko) | 투과형 또는 반사형의 다층도전막을 갖는 전극판 및 이 전극판의 제조방법 | |
| US20010016253A1 (en) | Glass article and glass substrate for display panel | |
| JP4168689B2 (ja) | 薄膜積層体 | |
| JPH03232746A (ja) | 電導性ガラスの製造方法 | |
| JPH09221340A (ja) | 透明導電膜付基板 | |
| JPH11174993A (ja) | 透明導電膜付き基板およびそれを用いた平面型表示素子 | |
| JP3592830B2 (ja) | 表示素子用基板 | |
| JP2943679B2 (ja) | 電極基板 | |
| JPH10239697A (ja) | 透明導電膜付き基板およびその製造方法 | |
| JP2918659B2 (ja) | 積層フィルム | |
| JPH08262207A (ja) | 光反射板と反射型液晶表示装置用光反射板並びに反射型液晶表示装置用光反射性電極板 | |
| JPH09236811A (ja) | 液晶ディスプレイ用透明導電基板および透明電極形成方法 | |
| JP3191704B2 (ja) | 多層導電膜の形成方法 | |
| JPH1123804A (ja) | 導電性反射防止膜 | |
| JPH09143680A (ja) | 透明導電膜 | |
| JPH11262968A (ja) | 透明導電膜 | |
| JPH09304787A (ja) | 表示装置用電極基板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD05 | Notification of revocation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7425 Effective date: 20060227 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060418 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060815 |