JPH1138657A - 電子写真感光体、及びビスエナミン化合物、アミン化合物、ニトロ化合物、ならびにそれら化合物の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 温度、湿度に対する安定性に優れ、かつ帯電
特性が高く、繰り返し使用でも感度の低下がほとんど起
こらない感光体を提供する。 【解決手段】 導電性支持体上に形成される感光層中
に、下記一般式（Ｉ）で示されるビスエナミン化合物を
含有せしめたことを特徴とする。 （式中、Ａｒ１はアリール基、アラルキル基、またはア
ルキル基を表す。Ｒ１は炭素数１〜３のアルキル基、炭
素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１〜３のジアルキル
アミノ基、ハロゲン原子あるいは水素原子を表し、Ｙは
酸素原子、硫黄原子、１置換窒素原子を表し、ｍは１〜
８の整数であり、ｎは１〜３の整数である。）

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子写真感光体に
関し、更に詳しくは、導電性支持体上に形成せしめた感
光層の中に特定のビスエナミン化合物を含有せしめた電
子写真感光体に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般に電子写真プロセスにおいては種々
の方式があり、その代表的な例として直接方式や潜像転
写方式等が知られている。これら電子写真プロセスに使
用される電子写真感光体において、その光導電層を構成
する光導電層材料として必要とされる基本的な性質に
は、 １）暗所においてコロナ放電による電荷の帯電性が高い
こと、 ２）得られたコロナ放電による電荷が暗所において減衰
の少ないこと、 ３）光照射によって電荷が速やかに散逸すること、 ４）光の照射後の残留電荷が少ないこと、 ５）繰り返し使用時による残留電位の増加、初期電位の
減少が少ないこと、 ６）気温、湿度により電子写真特性の変化が少ないこ
と、 等があげられる。

【０００３】この様な材料として、従来は酸化亜鉛（特
公昭５７−１９７８０号公報）、硫化カドミウム（特公
昭５８−４６０１８号公報）、非晶質セレン合金等の無
機系の光導電性材料が用いられてきたが、近年さまざま
な問題点が指摘されるようになった。すなわち、酸化亜
鉛系の材料においては、増感剤がコロナ放電による帯電
劣化や露光による光退色を生じるため、長期にわたって
安定した画像を与えることができない。硫化カドミウム
系の材料においては、多湿の条件下で安定した感度が得
られない。セレン系の材料においては、熱安定性、結晶
化による特性の劣化、製造上の困難性等である。

【０００４】そこで将来的な展望から、資源の枯渇によ
る生産面の問題や、毒性による公害の心配、さらには環
境面への問題がある無機系の材料よりも、有機系の材料
よりなる電子写真感光体の研究が盛んに行われるように
なり、その結果、さまざまな有機化合物を用いた電子写
真感光体が研究されるようになった。とりわけ、ここ数
年の研究開発は、機能分離型の感光体の概念を積極的に
導入する方向にあり、その中でも特に導電層の上に電荷
発生層と、正孔移動性の電荷移動層とを順に積層し、電
荷移動表面を負に帯電させる方法が主流になっている。

【０００５】そしてこのように、機能を分離させること
により、電荷発生と電荷移動とのそれぞれの機能を個別
に有する材料を独立して開発できるようになり、その結
果、さまざまな分子構造を有する電荷発生物質、並びに
電荷移動物質が多数開発された。

【０００６】なお、これら有機化合物を用いた電子写真
感光体は導電性支持体の上に感光層を塗布して製造され
る。その製造方法としてはシートの場合にはベーカーア
プリケーター、バーコーター等、ドラムの場合にはスプ
レー法、垂直型リング法、浸漬塗工法などが知られてい
るが、一般には装置が簡便であることから浸漬塗工法が
採用されている。

【０００７】ここで、電荷移動物質に注目して、それら
の中から代表的なものを構造的特徴から分類すると、ヒ
ドラゾン系（特開昭５４−５９１４３号公報）、スチル
ベン・スチリル系（特開昭５８−１９８０４３号公
報）、トリアリールアミン系（特公昭５８−３２３７２
号公報）、フェノチアジン系、トリアゾール系、キノキ
サリン系、オキサジアゾール系、オキサゾール系、ピラ
ゾリン系、トリフェニルメタン系、ジヒドロニコチンア
ミド化合物、インドリン化合物、セミカルバゾン化合物
等が開発されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この様
に電荷移動材料として数多くの有機化合物が開発されて
いるにもかかわらず、 １）結着剤に対する相溶性が低い、 ２）結晶が析出しやすい、 ３）繰り返し使用した場合に感度変化が生じる、 ４）帯電能、繰り返し特性が悪い、 ５）残留電位特性が悪い、 等の問題点を全て満足する有機化合物はなく、先に挙げ
た感光体として要求される基本的な性質、更には機械的
強度、高耐久性等を満足するものは未だ充分に得られて
いないのが現状である。

【０００９】本発明の目的は、高感度で高耐久性を有す
る電子写真感光体及び、電子写真感光体のキャリヤ移動
材料として用いられる有機化合物、ならびにキャリヤ移
動材料を合成するために必要な化合物中間体、それら化
合物の効率の良い合成方法を提供することである。特に
本発明の感光体は、温度、湿度に対する安定性に優れ、
かつ帯電特性が高く、繰り返し使用でも感度の低下がほ
とんど起こらない感光体を提供することである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
の高感度及び高耐久性を有する光導電性物質の研究を行
った結果、次に述べる一般式（Ｉ）、（Ｖ）、（Ｉ
Ｘ）、（ＸＶ）で示されるビスエナミン化合物が有効で
あることを見いだし本発明に至った。

【００１１】すなわちこの発明（請求項１）に係る電子
写真感光体は、導電性支持体上に形成される感光層が一
般式（Ｉ）で示されるビスエナミン化合物を含有するこ
とによって上記の目的を達成する。

【００１２】

【化１】

【００１３】（式中、Ａｒ１、は置換基を有してもよい
アリール基、置換基を有してもよい複素環基置換基を有
してもよいアラルキル基または複素環置換アルキル基を
表す。Ｒ１、は置換基を有してもよい炭素数１〜３のア
ルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１〜３
のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子あるいは水素原子
を表し、Ｙは酸素原子、硫黄原子、１置換窒素原子を表
し、ｍは１〜８の整数であり、ｎは１〜３の整数であ
る。ただしｍが２以上の時、Ｒ１は同一でも異なっても
よい。） 一般式（Ｉ）においてＡｒ１は具体的にはフェニル、ト
リル、メトキシフェニル、ナフチル、ピレニル、ビフェ
ニル等のアリール基、ベンゾフリル、ベンチアゾリル、
ベンゾオキサゾリル、Ｎ−エチルカルバゾリル等の複素
環基、メチルベンジル、メトキシベンジル等のアラルキ
ル基、等があげられる、Ｒ１は具体的にはメチル、エチ
ル、ｎ−プロピル、Ｉｓｏ−プロピル等のアルキル基、
メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉｓｏ−プロポ
キシ等のアルコキシ基、ジメチルアミノ、ジエチルアミ
ノ、ジ−ｉｓｏ−プロピルアミノ等のジアルキルアミノ
基、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子、等があげら
れる。一般的に電子供与性の置換基が有効である。

【００１４】ここで、一般式（ＩＩ）、（ＩＩＩ）、
（ＩＶ）で示されるビスエナミン化合物を用いることが
より好ましい。

【００１５】

【化２７】

【００１６】（式中、Ａｒ１、Ｒ１、ｍ、ｎは請求項１
と同義である。）

【００１７】

【化２８】

【００１８】（式中、Ａｒ１、Ｒ１、ｍは請求項１と同
義である。）

【００１９】

【化２９】

【００２０】（式中、Ｒ２は置換基を有してもよい炭素
数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、
炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子ある
いは水素原子を表し、ｌは１から５までの正数を表す。
ただし、ｌが２以上のとき、Ｒ２は同一でも異なっても
よい。Ｒ１、ｍは請求項１と同義である。） また、この発明（請求項２）に係る電子写真感光体は、
導電性支持体上に形成される感光層が一般式（Ｖ）で示
されるビスエナミン化合物を含有することによって上記
目的を達成する。

【００２１】

【化２】

【００２２】（式中、Ａｒ２、Ａｒ３は置換基を有して
もよいアリール基、置換基を有してもよい複素環基、置
換基を有してもよいアラルキル基または複素環置換アル
キル基，あるいは水素原子を表す。（ただしＡｒ２、Ａ
ｒ３が同時に水素原子の場合は除く）Ｒ２は置換基を有
してもよい炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３の
アルコキシ基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハ
ロゲン原子あるいは水素原子を表し、ｌは１〜４の整数
である。ただしｌが２以上の時、Ｒ２は同一でも異なっ
てもよい。Ｒ３は置換基を有してもよいアリール基、置
換基を有してもよい複素環、基置換基を有してもよいア
ラルキル基、またはアルキル基あるいは水素原子を表
す。Ｒ１、ｍ、ｎ、Ｙは請求項１と同義である。） 一般式（Ｖ）においてＡｒ２、Ａｒ３は具体的にはフェ
ニル、トリル、メトキシフェニル、ナフチル、ピレニ
ル、ビフェニル等のアリール基、ベンゾフリル、ベンチ
アゾリル、ベンゾオキサゾリル、Ｎ−エチルカルバゾリ
ル等の複素環基、メチルベンジル、メトキシベンジル等
のアラルキル基等があげられる、Ｒ１、Ｒ２は具体的に
はメチル、エチル、ｎ−プロピル、Ｉｓｏ−プロピル等
のアルキル基、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、
ｉｓｏ−プロポキシ等のアルコキシ基、ジメチルアミ
ノ、ジエチルアミノ、ジ−ｉｓｏ−プロピルアミノ等の
ジアルキルアミノ基、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン
原子等があげられる。Ｒ３は具体的にはメチル、エチ
ル、ｎ−プロピル、Ｉｓｏ−プロピル等のアルキル基が
あげられる。一般的に電子供与性の置換基が有効であ
る。

【００２３】ここで、一般式（ＶＩ）、（ＶＩＩ）、
（ＶＩＩＩ）で示されるビスエナミン化合物を用いるこ
とが好ましい。

【００２４】

【化３０】

【００２５】（式中、Ａｒ２、Ａｒ３、Ｒ１、Ｒ２、
ｌ、ｍ、ｎは請求項２と同義である。）

【００２６】

【化３１】

【００２７】（式中、Ａｒ２、Ａｒ３、Ｒ１、Ｒ２、
ｌ、ｍは請求項２と同義である。）

【００２８】

【化３２】

【００２９】（式中、Ｒ４は置換基を有してもよい炭素
数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、
炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子ある
いは水素原子を表し、ｐは１から５までの正数を表す。
ただし、ｐが２以上のときＲ２は同一でも異なってもよ
い。Ａｒ３、Ｒ１、Ｒ２、ｌ、ｍは請求項２と同義であ
る。） また、この発明（請求項３）に係る電子写真感光体は、
導電性支持体上に形成される感光層が一般式（ＩＸ）で
示されるビスエナミン化合物を含有することによって上
記目的を達成する。

【００３０】

【化３】

【００３１】（式中、Ａｒ４、Ａｒ５は置換基を有して
もよいアリール基、置換基を有してもよい複素環基、置
換基を有してもよいアラルキル基または複素環置換アル
キル基，あるいは水素原子を表す。また、直接もしくは
２価の連結基（メチレン、エチレン、ビニレン、酸素原
子、イオウ原子）によりお互いに環を形成しても良い。
Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｍ、ｎ、ｌ、Ｙは請求項２と同義で
ある。） 一般式（ＩＸ）においてＡｒ４、Ａｒ５は具体的にはフ
ェニル、トリル、メトキシフェニル、ナフチル、ピレニ
ル、ビフェニル等のアリール基、ベンゾフリル、ベンチ
アゾリル、ベンゾオキサゾリル、Ｎ−エチルカルバゾリ
ル等の複素環基、メチルベンジル、メトキシベンジル等
のアラルキル基等があげられる、Ｒ１、Ｒ２は具体的に
はメチル、エチル、ｎ−プロピル、Ｉｓｏ−プロピル等
のアルキル基、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、
ｉｓｏ−プロポキシ等のアルコキシ基、ジメチルアミ
ノ、ジエチルアミノ、ジ−ｉｓｏ−プロピルアミノ等の
ジアルキルアミノ基、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン
原子、等があげられる。Ｒ３は具体的にはメチル、エチ
ル、ｎ−プロピル、Ｉｓｏ−プロピル等のアルキル基が
あげられる。一般的に電子供与性の置換基が有効であ
る。

【００３２】ここで、一般式（Ｘ）、（ＸＩ）、（ＸＩ
Ｉ）、（ＸＩＩＩ）、（ＸＩＶ）で示されるビスエナミ
ン化合物を用いることが好ましい。

【００３３】

【化３３】

【００３４】（式中、Ａｒ４、Ａｒ５、Ｒ１、Ｒ２、
ｌ、ｍ、ｎは請求項３と同義である。）

【００３５】

【化３４】

【００３６】（式中、Ａｒ４、Ａｒ５、Ｒ１、Ｒ２、
ｌ、ｍは請求項３と同義である。）

【００３７】

【化３５】

【００３８】（式中、Ｒ５は置換基を有してもよい炭素
数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、
炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子ある
いは水素原子を表し、ｑは１から５までの正数を表す。
ただし、ｑが２以上のときＲ２は同一でも異なってもよ
い。Ａｒ５、Ｒ１、Ｒ２、ｌ、ｍは請求項３と同義であ
る。）

【００３９】

【化３６】

【００４０】（式中、Ｒ５は置換基を有してもよい炭素
数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、
炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子ある
いは水素原子を表し、ｒは１から８までの正数を表す。
ただし、ｒが２以上のときＲ４は同一でも異なってもよ
い。Ｒ１、Ｒ２、ｌ、ｍは請求項３と同義である。）

【００４１】

【化３７】

【００４２】（式中、Ｒ５は置換基を有してもよい炭素
数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、
炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子ある
いは水素原子を表し、ｓは１から１０までの正数を表
す。ただし、ｓが２以上のときＲ４は同一でも異なって
もよい。Ｒ１、Ｒ２、ｌ、ｍは請求項３と同義であ
る。） また、この発明（請求項４）に係る電子写真感光体は、
導電性支持体上に形成される感光層が一般式（ＸＶ）で
示されるビスエナミン化合物を含有することによって上
記目的を達成する。

【００４３】

【化４】

【００４４】（式中、Ｒ５は置換基を有してもよい炭素
数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、
炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子ある
いは水素原子を表し、ｔは１から１０までの正数を表
し、Ｚは置換基を有しても良い２価の連結基（メチレ
ン、エチレン、ビニレン、酸素原子、イオウ原子）を表
す。ただし、ｔが２以上の時Ｒ４はは同一でも異なって
もよい、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｌ、ｍ、ｎ、Ｙは請求項２
と同義である。） 一般式（ＸＶ）においてＲ１、Ｒ２、Ｒ５は具体的には
メチル、エチル、ｎ−プロピル、Ｉｓｏ−プロピル等の
アルキル基、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ
ｓｏ−プロポキシ等のアルコキシ基、ジメチルアミノ、
ジエチルアミノ、ジ−ｉｓｏ−プロピルアミノ等のジア
ルキルアミノ基、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子
等があげられる。Ｒ３は具体的にはメチル、エチル、ｎ
−プロピル、Ｉｓｏ−プロピル等のアルキル基があげら
れる。一般的に電子供与性の置換基が有効である。

【００４５】ここで、一般式（ＸＶＩ）、（ＸＶＩ
Ｉ）、（ＸＶＩＩＩ）、（ＸＩＸ）で示されるビスエナ
ミン化合物を用いることが好ましい。

【００４６】

【化３８】

【００４７】（式中、Ｒ６は置換基を有してもよい炭素
数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、
炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子ある
いは水素原子を表し、ｔは１から１０までの正数を表
し、Ｚは置換基を有してもよい２価の連結基（メチレ
ン、エチレン、ビニレン、酸素原子、イオウ原子）を表
す。ただし、ｔが２以上のときＲ５は同一でも異なって
もよい。Ｒ１、Ｒ２、ｌ、ｍ、ｎは請求項３と同義であ
る。）

【００４８】

【化３９】

【００４９】（式中、Ｒ６は置換基を有してもよい炭素
数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、
炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子ある
いは水素原子を表し、ｔは１から１０までの正数を表
し、Ｚは置換基を有してもよい２価の連結基（メチレ
ン、エチレン、ビニレン、酸素原子、イオウ原子）を表
す。ただし、ｔが２以上のときＲ５は同一でも異なって
もよい。Ｒ１、Ｒ２、ｌ、ｍは請求項３と同義であ
る。）

【００５０】

【化４０】

【００５１】（式中、Ｒ６は置換基を有してもよい炭素
数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、
炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子ある
いは水素原子を表し、ｔは１から１０までの正数を表
す。ただし、ｔが２以上のときＲ４は同一でも異なって
もよい。Ｒ１、Ｒ２、ｌ、ｍは請求項３と同義であ
る。）

【００５２】

【化４１】

【００５３】（式中、Ｒ６は置換基を有してもよい炭素
数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、
炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子ある
いは水素原子を表し、ｕは１から１０までの正数を表
す。ただし、ｕが２以上のときＲ５は同一でも異なって
もよい。Ｒ１、Ｒ２、ｌ、ｍは請求項３と同義であ
る。） 本発明に関わる一般式（Ｉ）のビスエナミン化合物は種
々の方法で合成することができるが、通常以下の合成過
程で容易に合成される。すなわち、下記一般式（ＸＸ）
（式中、Ｒ１、ｍ、ｎ、Ｙは請求項１と同義である。）
で示されるアルデヒド化合物（２．０−２．８当量）
と、下記一般式（ＸＸＩＩＩ）

【００５４】

【化８】

【００５５】で示されるアミン化合物（１．０当量）と
ｐ−トルエニンスルホン酸、カンファースルホン酸、ピ
リジニュウム−ｐ−トルエニンスルホン酸、等の酸触媒
存在下、トルエン、キシレン、クロロベンゼン、クロロ
ホルム、等の有機溶剤中で２−１８時間加熱撹拌し反応
により副生する水を供沸除去することで容易に合成でき
る。

【００５６】本発明に関わる一般式（Ｖ）のビスエナミ
ン化合物は種々の方法で合成することができるが、通常
以下の合成過程で容易に合成される。すなわち、下記一
般式（ＸＸ）（式中、Ｒ１、ｍ、ｎ、Ｙは請求項１と同
義である。）で示されるアルデヒド化合物（２．０−
２．８当量）と下記一般式（ＸＸＶ）

【００５７】

【化１４】

【００５８】（式中、Ａｒ２、Ａｒ３、Ｒ２、Ｒ３ｌは
請求項２と同義である。）で示されるアミン化合物
（１．０当量）とｐ−トルエニンスルホン酸、カンファ
ースルホン酸、ピリジニュウム−ｐ−トルエニンスルホ
ン酸、等の酸触媒存在下、トルエン、キシレン、クロロ
ベンゼン、クロロホルム、等の有機溶剤中で２−１８時
間加熱撹拌し反応により副生する水を供沸除去すること
で容易に合成できる。

【００５９】本発明に関わる一般式（ＩＸ）のビスエナ
ミン化合物は種々の方法で合成することができるが、通
常以下の合成過程で容易に合成される。すなわち、下記
一般式（ＸＸ）（式中、Ｒ１、ｍ、ｎ、Ｙは請求項１と
同義である。）で示されるアルデヒド化合物（２．０−
２．８当量）と下記一般式（ＸＸＩＸ）

【００６０】

【化２０】

【００６１】（式中、Ａｒ４、Ａｒ５、Ｒ２、Ｒ３ｌは
請求項３と同義である。）で示されるアミン化合物
（１．０当量）とｐ−トルエニンスルホン酸、カンファ
ースルホン酸、ピリジニュウム−ｐ−トルエニンスルホ
ン酸、等の酸触媒存在下、トルエン、キシレン、クロロ
ベンゼン、クロロホルム、等の有機溶剤中で２−１８時
間加熱撹拌し反応により副生する水を供沸除去すること
で容易に合成できる。

【００６２】本発明に関わる一般式（ＸＶ）のビスエナ
ミン化合物は種々の方法で合成することができるが、通
常以下の合成過程で容易に合成される。すなわち、下記
一般式（ＸＸ）（式中、Ｒ１、ｍ、ｎ、Ｙは請求項１と
同義である。）で示されるアルデヒド化合物（２．０−
２．８当量）と下記一般式（ＸＸＸＩＩ）

【００６３】

【化２６】

【００６４】（式中、Ｒ５、Ｒ２、Ｒ３、ｌ、ｔ、Ｚは
請求項４と同義である。）で示されるアミン化合物
（１．０当量）とｐ−トルエニンスルホン酸、カンファ
ースルホン酸、ピリジニュウム−ｐ−トルエニンスルホ
ン酸、等の酸触媒存在下、トルエン、キシレン、クロロ
ベンゼン、クロロホルム、等の有機溶剤中で２−１８時
間加熱撹拌し反応により副生する水を供沸除去すること
で容易に合成できる。

【００６５】本発明に関わる一般式（ＸＸ）のアルデヒ
ド化合物は種々の方法で合成することができるが、通常
以下の合成過程で容易に合成される。すなわち、下記一
般式（ＸＸＩ）（式中、Ｒ１、ｍ、ｎ、Ｙは請求項１と
同義である。）で示されるカルボニル化合物（１．０当
量）と、下記一般式（ＸＸＩＩ）

【００６６】

【化６】

【００６７】（式中、Ｒ４は低級アルキル基を表し、Ｘ
はハロゲン原子を表す。）で示されるエステル化合物
（１．０−３．５当量）とをナトリウムアルコキサイ
ド、カリウムアルコキサイド等の塩基（１．０−３．５
当量）存在下、トルエン、キシレン、等の有機溶剤中、
−５から＋５度の温度内で２−８時間反応させる。つい
で、この反応により得られたグリシジルエステル化合物
をメタノール、エタノール、ブタノール、テトラヒドロ
フラン、１、４ージオキサン等の有機溶剤中で水酸化ナ
トリウム、水酸化カリウム等の水酸化化合物（グリシジ
ルエステル化合物の重量に対して２−４倍量）を加え、
５０−８０度の温度で２−８時間加熱撹拌し、エステル
部分を加水分解する。ついで、トルエン、キシレン、ク
ロロベンゼン等の有機溶剤を加えさらに１０−２０％の
塩酸、硫酸等の酸を徐々に加え溶液のペーハーを２−４
とする。有機層を分離後、水洗後有機層を留去し、粗生
成物を減圧下蒸留することで合成できる。

【００６８】本発明に関わる一般式（ＸＸＶ）のアミン
化合物は種々の方法で合成することができるが、通常以
下の合成過程で容易に合成される。すなわち、下記一般
式（ＸＸＶＩ）（式中、Ｒ２、Ｒ３、ｌは請求項２と同
義である。）で示されるカルボニル化合物（１．０当
量）と、下記一般式（ＸＸＶＩＩ）

【００６９】

【化１２】

【００７０】（式中、Ｒ５は低級アルキル基、置換基を
有しても良いアリール基を表し、Ａｒ２、Ａｒ３は請求
項２と同義である。）で示されるリン化合物（１．０−
１．５当量）をナトリウムアルコキサイド、カリウムア
ルコキサイド、等の塩基（１．０−２．０当量）存在
下、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキ
シド、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン等の有
機溶剤中、−５から＋５度の温度内で２−８時間反応さ
せる。ついで、得られた下記一般式（ＸＸＩＶ）

【００７１】

【化１３】

【００７２】（式中、Ａｒ２、Ａｒ３、Ｒ２、Ｒ３、ｌ
は請求項２と同義である。）で示されるニトロ化合物を
テトラヒドロフラン／水、１，４−ジオキサン／水等の
混合溶剤中で１００−２００メッシュの鉄粉を１：１０
−２０の当量比で加え激しく加熱撹拌する還元反応を行
うことにより、一般式（ＸＸＶ）で示されるアミン化合
物を容易に合成できる。

【００７３】本発明に関わる一般式（ＸＸＩＸ）のアミ
ン化合物は種々の方法で合成することができるが、通常
以下の合成過程で容易に合成される。すなわち、下記一
般式（ＸＸＶＩ）（式中、Ｒ１、Ｒ３、ｌは請求項３と
同義である。）で示されるアルデヒド化合物（１．０当
量）と、下記一般式（ＸＸＸ）

【００７４】

【化１８】

【００７５】（式中、Ａｒ４、Ａｒ５は請求項３と同義
である。）で示されるヒドラジン化合物（１．０−１．
５当量）をメタノール、エタノール、プロパノール等の
有機溶剤中で６０−８０度の温度に加熱し２−８時間反
応させる。ついで、得られた下記一般式（ＸＸＶＩＩ
Ｉ）

【００７６】

【化１５】

【００７７】（式中、Ｒ６、Ｒ２、Ｒ３、ｌ、ｔ、ｚは
請求項４と同義である。）で示されるニトロ化合物をテ
トラヒドロフラン／水、１，４−ジオキサン／水等の混
合溶剤中で１００−２００メッシュの鉄粉を１：１０−
２０の当量比で加え激しく加熱撹拌する還元反応を行う
ことにより一般式（ＸＸＩＸ）のアミン化合物を容易に
合成できる。

【００７８】本発明に関わる一般式（ＸＸＸＩＩ）のア
ミン化合物は種々の方法で合成することができるが、通
常以下の合成過程で容易に合成される。すなわち、下記
一般式（ＸＸＶＩ）（式中、Ｒ１、Ｒ３、ｌは請求項４
と同義である。）で示されるアルデヒド化合物（１．０
当量）と、下記一般式（ＸＸＸＩＩＩ）

【００７９】

【化２４】

【００８０】（式中、Ｒ６、ｔ、Ｚは請求項４と同義で
ある。）で示されるヒドラジン化合物（１．０−１．５
当量）をメタノール、エタノール、プロパノール、等の
有機溶剤中で６０−８０度の温度に加熱し２−８時間反
応させる。ついで、得られた下記一般式（ＸＸＸＩ）

【００８１】

【化２５】

【００８２】（式中、Ｒ６、Ｒ２、ｌ、ｔ、ｚは請求項
４と同義である。）で示されるニトロ化合物をテトラヒ
ドロフラン／水、１，４−ジオキサン／水等の混合溶剤
中で１００−２００メッシュの鉄粉を１：１０−２０の
当量比で加え激しく加熱撹拌する還元反応を行うことに
より、一般式（ＸＸＸＩＩ）のアミン化合物を容易に合
成できる。

【００８３】次に前記一般式（Ｉ）、（Ｖ）、（Ｉ
Ｘ）、（ＸＶ）で示される本発明のビスエナミン化合物
の具体的な例として、次の表１〜表５に示す構造を有す
るものがあげられるが、これによって本発明のビスエナ
ミン化合物が限定されるものではない。

【００８４】

【表１】

【００８５】

【表２】

【００８６】

【表３】

【００８７】

【表４】

【００８８】

【表５】

【００８９】本発明にかかる電子写真感光体は、以上に
示したビスエナミン化合物を１種類あるいは２種類以上
含有させることによって得られる。また、場合によって
は他の電荷輸送材料として、次のスチリル化合物｛例え
ば、β−フェニル−［４−（ベンジルアミノ）］スチル
ベン、β−フェニル−［４−（Ｎ−エチル−Ｎ−フェニ
ルアミノ）］スチルベン、１，１−ビス（４−ジエチル
アミノフェニル）−４，４−ジフェニルブタジエン｝、
あるいは次のヒドラゾン化合物｛例えば、４−（ジベン
ジルアミノ）ベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒ
ドラゾン、４−（エチルフェニルアミノ）ベンズアルデ
ヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、４−ジ（ｐ−ト
リルアミノ）ベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒ
ドラゾン、３，３−ビス−（４’−ジエチルアミノフェ
ニル）−アクロレイン−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラゾ
ン｝あるいは、次のトリフェニルアミン化合物｛例えば
４−メトキシ−４’−（４−メトキシスチリル）トリフ
ェニルアミン、４−メトキシ−４’−スチリルトリフェ
ニルアミン｝等を含有させることもできる。

【００９０】これらビスエナミン化合物を電子写真感光
体として用いる態様には、種々の方法が考えられる。例
えば、ビスエナミン化合物と増感染料を、必要によって
は化学増感剤や電子吸引性化合物を添加して、結合剤樹
脂中に溶解もしくは分散させたものを導電性支持体上に
設けて成る感光体、あるいは、電荷キャリア発生効率の
高いキャリア発生層とキャリア移動層とからなる積層構
造の形態において、導電性支持体上に増感染料又はアゾ
系顔料、フタロシアニン系顔料を代表とする顔料を主体
として設けられたキャリア発生層上に本発明のビスエナ
ミン化合物を、必要によっては酸化防止化合物や電子吸
引性化合物を添加して結合剤中に溶解もしくは分散さ
せ、これをキャリア移動層として設けて成る積層感光体
などがあるが、いずれの場合にも適用することが可能で
ある。

【００９１】本発明の化合物を用いて感光体を作成する
に際しては、金属ドラム、金属板、導電性加工を施した
紙、プラスチックフィルムの様な支持体上へ重合体フィ
ルム形成性結合剤の助けを借りて皮膜にする。この場
合、更に感度を上げるためには、後述するような増感剤
及び重合性フィルム形成結合剤に対する可塑性を付与す
る物質を加えて均一な感光体皮膜にするのが望ましい。
これら重合性フィルム形成結合剤としては、利用分野に
応じて種々の物があげられる。すなわち、複写機用もし
くはプリンター用感光体の分野では、ポリスチレン樹
脂、ポリビニルアセタール樹脂、ポリスルホン樹脂、ポ
リカーボネート樹脂、ポリフェニレンオキサイド樹脂、
ポリエステル樹脂、アルキッド樹脂、ポリアリレート樹
脂等が望ましい。これらは、単独または２種以上混合し
て用いてもよい。なかでも、ポリスチレン、ポリカーボ
ネート、ポリアリレート、ポリフェニレンオキサイド等
の樹脂は、体積抵抗値が１０¹³Ω以上であり、また、皮
膜性、電位特性等にも優れている。

【００９２】また、これら結合剤の本発明のビスエナミ
ン化合物に対して加える量は、重量比で０．２〜２０倍
の割合で、好ましくは０．５〜５倍の範囲で、０．２未
満になるとビスエナミン化合物が感光体表面より析出し
てくるという欠点が生じ、また、２０倍以上になると著
しく感度低下をまねく。

【００９３】印刷版に使用するためには、特にアルカリ
性結合剤が必要である。アルカリ性結合剤とは、水また
はアルコール性のアルカリ性溶剤（混合系も含む）に可
溶な酸性基、例えば、酸無水物基、カルボキシル基、フ
ェノール性水酸基、スルホン酸基、スルホンアミド基、
又はスルホンイミド基を有する高分子物質である。これ
らアルカリ性結合剤樹脂は、通常、酸価が１００以上の
高い値を持っていることが好ましい。酸価の大きな結合
剤樹脂は、アルカリ性溶剤に易溶もしくは容易に膨潤化
する。これら結合剤樹脂としては、例えば、スチレン：
無水マレイン酸共重合体、酢ビ：無水マレイン酸共重合
体、酢ビ：クロトン酸共重合体、メタクリル酸：メタク
リル酸エステル共重合体、フェノール樹脂、メタクリル
酸：スチレン：メタクリル酸エステル共重合体等であ
る。また、これら樹脂の光導電性有機物質に対して加え
る割合は、複写機用感光体の場合と大略同じでよい。

【００９４】次に、感光層中に添加される増感染料とし
ては、メチルバイオレット、クリスタルバイオレット、
ナイトブルー、ビクトリアブルー等で代表されるトリフ
ェニルメタン系染料、エリスロシン、ローダミンＢ、ロ
ーダミン３Ｒ、アクリジンオレンジ、フラペオシン等に
代表されるアクリジン染料、メチレンブルー、メチレン
グリーン等に代表されるチアジン染料、カプリブルー、
メルドラブルー等に代表されるオキサジン染料、その他
シアニン染料、スチリル染料、ピリリウム塩染料、チオ
ピリリウム塩染料などがある。

【００９５】また、感光層において、光吸収によって極
めて高い効率で電荷キャリアを発生させる光導電性の顔
料としては、各種金属フタロシアニン、無金属フタロシ
アニン、ハロゲン化無金属フタロシアニンなどのフタロ
シアニン系顔料、ペリレンイミド、ペリレン酸無水物等
のペリレン酸顔料、ビスアゾ系顔料、トリスアゾ系顔料
等のアゾ系顔料、その他キナクリドン系顔料、アントラ
キノン系顔料などがある。特に、電荷キャリアを発生す
る顔料に無金属フタロシアニン顔料、チタニルフタロシ
アニン顔料、フロレン、フロレノン環を含有するビスア
ゾ顔料、芳香族アミンから成るビスアゾ顔料、トリスア
ゾ顔料を用いたものは高い感度を示す秀れた電子写真感
光体を与える。

【００９６】また、前述の染料も電荷キャリア発生物質
として用いてもよい。これら染料は、単独で使用しても
よいが、顔料を共存させることにより更に高い効率で電
荷キャリアを発生させる場合が多い。

【００９７】以上にあげた分光増感剤とは別に、繰り返
し使用に対しての残留電位の増加、帯電電位の低下、感
度の低下等を防止する目的で種々の化学物質を添加する
場合が必要となってくる。これら添加する物質として
は、１−クロルアントラキノン、ベンゾキノン２，３−
ジクロロナフトキノン、ナフトキノン、４，４’−ジニ
トロベンゾフェノン、４，４’−ジクロロベンゾフェノ
ン、４−ニトロベンゾフェノン、４−ニトロベンザルマ
ロンジニトリル、α−シアノ−β−（ｐ−シアノフェニ
ル）アクリル酸エチル ９−アントラセニルメチルマロ
ンジニトリル １−シアノ−１−（ｐ−ニトロフェニ
ル）−２−（ｐ−クロルフェニル）エチレン、２，７−
ジニトロフルオレノン等の電子吸引性化合物があげられ
る。その他、感光体中への添加物として、酸化防止剤、
カール防止剤、レベリング剤などを必要に応じて添加す
ることができる。

【００９８】本発明のビスエナミン化合物は感光体の形
態に応じて上記の種々の添加物質と共に適当な溶剤中に
溶解又は分散し、その塗布液を先に述べた導電性支持体
上に塗布し、乾燥して感光体を製造する。塗布溶剤とし
ては、ベンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベン
ゼンなどの芳香族炭化水素、ジクロロメタン、ジクロロ
エタンなどのハロゲン化炭化水素、ジオキサン、ジメト
キシメチルエーテル、ジメチルホルムアミドなどの溶剤
の単独又は２種以上の混合溶剤、または必要に応じてア
ルコール類、アセトニトリル、メチルエチルケトンなど
の溶剤を更に加え使用することができる。

【００９９】本発明の電子写真感光体は前記一般式
（Ｉ）で示されるビスエナミン化合物をキャリア移動物
質として用いるもので、その態様には種々の方法が考え
られるが、感光体の構成を図１から図６に模式的に示
す。

【０１００】図１は、導電性支持体１の上に感光層４と
して、キャリア発生物質２を主成分としてバインダー中
に分散させたキャリア発生層５とキャリア移動物質３を
主成分としてバインダー中に分散させたキャリア移動層
６との積層より成る機能分離型感光体であり、キャリア
発生層５の表面にキャリア移動層６が形成されており、
このキャリア移動層６中にキャリア移動物質３として、
本発明のビスエナミン化合物を用いた感光体の構成を示
すものである。

【０１０１】図２は、図１と同一のキャリア発生層５
と、キャリア移動層６との積層よりなる機能分離型感光
体であるが、図１とは逆にキャリア移動層６の表面にキ
ャリア発生層５が形成されており、このキャリア移動層
６中にキャリア移動物質３として、本発明のビスエナミ
ン化合物を用いた感光体の構成を示すものである。

【０１０２】図３は導電性支持体１の上に感光層４とし
て、キャリア発生物質２と、キャリア移動物質３をバイ
ンダー中に分散させた単層よりなる感光体の構成を示す
ものである。

【０１０３】図４は導電性支持体１と図１と同一の感光
層４の間に中間層８を設けたものであり、積層よりなる
機能分離型感光体の構成を示すものである。

【０１０４】図５は導電性支持体１と図３と同一の感光
層４’の間に中間層８を設けたものであり、単層よりな
る感光体の構成を示すものである。

【０１０５】なお、導電性支持体１と感光層４との間に
設けられる中間層８は、保護機能や接着機能を付与し、
塗工性を高め、さらには基盤から感光層への電荷注入改
善を目的としたものであり、このような材料としては、
カゼイン、ポリビニルブチラール、ポリビニルアルコー
ル、ニトロセルロース、エチレンーアクリル酸コポリマ
ー、ポリアミド（ナイロン６、ナイロン６６、ナイロン
６１０、共重合ナイロン、アルコキシメチ化ナイロンな
ど）、ポリウレタン、ゼラチン酸化アルミニウムなどが
適当である。

【０１０６】

【発明の実施の形態】次に本発明を実施例により更に詳
細に説明するが、本発明はこれらによりなんら限定され
るものではない。

【０１０７】（合成例１）４−ホルミルクロマン ４−クロマノン１５．０ｇ（１．０当量）と、モノクロ
ロ酢酸エチルエステル２４．８ｇ（２．０当量）とをナ
トリウムメトキサイド１１．５ｇ（２．１当量）存在
下、３００ｍｌトルエン溶剤中、−５から＋５度の温度
内で８時間反応させる。反応終了後、水を加え過剰のナ
トリウムメトキサイドをつぶし１Ｎの塩酸溶液で中性と
したのちトルエン層を分離し、さらに残った水層を１５
０ｍｌのトルエンで２回抽出する。すべてのトルエンを
合わせエバポレーターにより濃縮し、粗生成物としての
グリシジルエステル化合物を１４．３ｇ得る。

【０１０８】ついで、このグリシジルエステル化合物を
１２０ｍｌのメタノール溶剤中で水酸化ナトリウム５．
０ｇを加え、６０度の温度で４時間加熱撹拌し、エステ
ル部分を加水分解する。ついで、２００ｍｌのトルエン
溶剤を加え、さらに１０％の硫酸を徐々に加え溶液のペ
ーハーを３とする。有機層を分離後、水洗後有機層を留
去し、粗生成物を０．１ｍｍＨｇの減圧下蒸留し、１４
６−９度の留分として目的の４−ホルミルクロマンを
８．４ｇ（収量＝５０．６％）得る。

【０１０９】この様にして得られた化合物は、１Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトル、通常の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトル、Ｄ
ＥＰＴ−１３５による１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルにより
目的の４−ホルミルクロマンであることを確認した。

【０１１０】図６に重クロロホルム中での４−ホルミル
クロマンの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。図７に重ク
ロロホルム中での４−ホルミルクロマンの１３Ｃ−ＮＭ
Ｒスペクトルを示す。図８に重クロロホルム中での４−
ホルミルクロマンのＤＥＰＴ１３５での１３Ｃ−ＮＭＲ
スペクトルを示す。

【０１１１】（合成例２）３−アミノベンズアルデヒド
−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラゾン ３−ニトロベンズアルデヒド１０．０ｇとＮ，Ｎ−ジフ
ェニルヒドラジン塩酸塩１５．０４ｇ（１．０３当量）
を２００ｍｌのエタノール中で８０度の温度に加熱し、
８時間反応させる。反応により得られた結晶を濾別し、
エタノールで洗浄後十分乾燥させる。ついで、得られた
３−ニトロベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒド
ラゾン化合物２０．０ｇを１，４−ジオキサン／水１対
１の混合溶剤３００ｍｌ中で２００メッシュの鉄粉を３
０．０ｇ（８．０当量）加え、激しく加熱撹拌を２時間
行う。反応終了後熱時セライト濾過を行い濾液を濃縮す
ることにより目的の３−アミノベンズアルデヒド−Ｎ，
Ｎ−ジフェニルヒドラゾンを１７．２ｇ（収量＝９０．
８％）得る。

【０１１２】この様にして得られた化合物は、１Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトル、通常の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトル、Ｄ
ＥＰＴ−１３５による１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルにより
目的の３−アミノベンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェニ
ルヒドラゾンであることを確認した。

【０１１３】図９に重クロロホルム中での３−アミノベ
ンズアルデヒド−Ｎ，Ｎ−ジフェニルヒドラゾンの１Ｈ
−ＮＭＲスペクトルを示す。図１０に重クロロホルム中
での３−アミノベンズアルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニル
ヒドラゾンの１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。図１１
に重クロロホルム中での３−アミノベンズアルデヒド−
Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾンのＤＥＰＴ１３５での１
３Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。

【０１１４】（合成例３）４’−アミノベンズアルデヒ
ド−１−アミノ−１，２，３，４−テトラヒドロキノリ
ンヒドラゾン ４−ニトロベンズアルデヒド７．０ｇと１−アミノ−
１，２，３，４−テトラヒドロキノリン６．９５ｇ
（１．０１当量）を１５０ｍｌのエタノール中で８０度
の温度に加熱し、８時間反応させる。反応により得られ
た結晶を濾別し、エタノールで洗浄後十分乾燥させる。
ついで、得られた４’−ニトロベンズアルデヒド−１−
アミノ−１，２，３，４−テトラヒドロキノリンヒドラ
ゾン化合物１３．０ｇを１，４−ジオキサン／水の１対
１混合溶剤２５０ｍｌ中で２００メッシュの鉄粉を２
５．８５ｇ（１０．０当量）加え、激しく加熱撹拌を２
時間行う。反応終了後熱時セライト濾過を行い濾液を濃
縮することにより目的の４’−アミノベンズアルデヒド
−１−アミノ−１，２，３，４−テトラヒドロキノリン
ヒドラゾンを９．１１ｇ（収量＝７８．３６％）得る。

【０１１５】この様にして得られた化合物は、１Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトル、通常の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトル、Ｄ
ＥＰＴ−１３５による１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルにより
目的の４’−アミノベンズアルデヒド−１−アミノ−
１，２，３，４−テトラヒドロキノリンヒドラゾンであ
ることを確認した。

【０１１６】図１２に重クロロホルム中での４’−アミ
ノベンズアルデヒド−１−アミノ−１，２，３，４−テ
トラヒドロキノリンヒドラゾンの１Ｈ−ＮＭＲスペクト
ルを示す。図１３に重クロロホルム中での４’−アミノ
ベンズアルデヒド−１−アミノ−１，２，３，４−テト
ラヒドロキノリンヒドラゾンの１３Ｃ−ＮＭＲスペクト
ルを示す。図１４に重クロロホルム中での４’−アミノ
ベンズアルデヒド−１−アミノ−１，２，３，４−テト
ラヒドロキノリンヒドラゾンのＤＥＰＴ１３５での１３
Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。

【０１１７】（合成例４）４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミ
ノ）−４’−アミノスチルベン ｐ−ニトロベンジルホスホン酸ジエチル１５．８ｇ
（１．０８当量）をテトラヒドロフラン１００ｍｌとジ
メチルホルムアミド５０ｍｌの混合溶媒に溶解させ氷浴
により内温を０度に冷却する。ついでカリウム−ｔ−ブ
トキシドを８．０ｇ（１．２当量）加え約３０分間撹拌
する。その後、４−ジメチルアミノベンズアルデヒド
８．０ｇをテトラヒドロフラン４０ｍｌに溶解させた溶
液を同じく０度で徐々に加える。完全に加え終わったら
氷浴を取り除きそのまま一晩放置する。反応の後処理は
飽和のクエン酸水溶液を反応系中に加え、過剰の塩基を
中和しその後エバポレーターにより溶剤であるテトラヒ
ドロフランを除去し生じる固形物を濾過する。得られた
固形物はエタノールで十分洗浄し、減圧下乾燥させる。
この様にして得られた４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）
−４’−ニトロスチルベン１４．０ｇを１，４−ジオキ
サン／水の１対１混合溶剤３００ｍｌ中で２００メッシ
ュの鉄粉を３０．０ｇ（１０．０当量）加え、激しく加
熱撹拌を２時間行う。反応終了後熱時セライト濾過を行
い濾液を濃縮することにより目的の４−（Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアミノ）−４’−アミノスチルベンを１２．６ｇ
（収量＝９８．７％）得る。

【０１１８】この様にして得られた化合物は、１Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトル、通常の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトル、Ｄ
ＥＰＴ−１３５による１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルにより
目的の４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）−４’−アミノ
スチルベンであることを確認した。図１５に重クロロホ
ルム中での４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミノ）−４’−ア
ミノスチルベンの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。図１
６に重クロロホルム中での４−（Ｎ，Ｎ−ジメチルアミ
ノ）−４’−アミノスチルベンの１３Ｃ−ＮＭＲスペク
トルを示す。図１７に重クロロホルム中での４−（Ｎ，
Ｎ−ジメチルアミノ）−４’−アミノスチルベンのＤＥ
ＰＴ１３５での１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルを示す。

【０１１９】（合成例５） ４−メトキシ−４’−アミ
ノスチルベン ｐ−ニトロベンジルホスホン酸ジエチル１０．８５ｇ
（１．０８当量）をテトラヒドロフラン８０ｍｌとジメ
チルホルムアミド４０ｍｌの混合溶媒に溶解させ氷浴に
より内温を０度に冷却する。ついでカリウム−ｔ−ブト
キシドを４．９５ｇ（１．２当量）加え約３０分間撹拌
する。その後４−ジメチルアミノベンズアルデヒド５．
０ｇをテトラヒドロフラン３０ｍｌに溶解させた溶液を
同じく０度で徐々に加える。完全に加え終わったら氷浴
を取り除きそのまま一晩放置する。反応の後処理は飽和
のクエン酸水溶液を反応系中に加え、過剰の塩基を中和
しその後エバポレーターにより溶剤であるテトラヒドロ
フランを除去し生じる固形物を濾過する。得られた固形
物はエタノールで十分洗浄し、減圧下乾燥させる。この
様にして得られた４−メトキシ−４’−ニトロスチルベ
ン９．３ｇを１，４−ジオキサン／水の１対１混合溶剤
２５０ｍｌ中で２００メッシュの鉄粉を２０．５ｇ（１
０．０当量）加え、激しく加熱撹拌を２時間行う。反応
終了後熱時セライト濾過を行い濾液を濃縮することによ
り目的の４−アミノ−４’−アミノスチルベンを８．０
ｇ（収量＝９６．７％）得る。

【０１２０】この様にして得られた化合物は、１Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトル、通常の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトル、Ｄ
ＥＰＴ−１３５による１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルにより
目的の４−アミノ−４’−アミノスチルベンであること
を確認した。

【０１２１】図１８に重クロロホルム中での４−アミノ
−４’−メトキシスチルベンの１Ｈ−ＮＭＲスペクトル
を示す 図１９に重クロロホルム中での４−アミノ−
４’−メトキシスチルベンの１３Ｃ−ＮＭＲスペクトル
を示す。図２０に重クロロホルム中での４−アミノ−
４’−メトキシスチルベンのＤＥＰＴ１３５での１３Ｃ
−ＮＭＲスペクトルを示す。

【０１２２】（合成例６） 例示化合物Ｎｏ．２ ｐ−トルイジンＰ−１．０ｇと合成例１で得られた４−
ホルミルクロマン１．５９ｇ（１．０５当量）をトルエ
ン５０ｍｌに溶解させる。ついで室温で触媒量（約５０
ｍｇ）のｐ−トルエンスルホン酸を加え撹拌し徐々に加
熱する。反応により副生する水をトルエンとの共沸によ
り反応系外に留去する。さらに４−ホルミルクロマン
１．９７ｇ（１．３０当量）を加え同様に反応させ反応
により副生する水をトルエンとの共沸により反応系外に
留去する。共沸するトルエンの濁りが無くなってから更
に３時間加熱撹拌を続ける。反応終了後エバポレーター
によりトルエンを除去し残留物をエタノール／酢酸エチ
ル混合溶剤より再結晶することにより目的の例示化合物
Ｎｏ２を２．１ｇ（収率５７．０％）得る。

【０１２３】この様にして得られた化合物は、１Ｈ−Ｎ
ＭＲスペクトル、通常の１３Ｃ−ＮＭＲスペクトル、Ｄ
ＥＰＴ−１３５による１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルにより
目的の例示化合物Ｎｏ．２であることを確認した。

【０１２４】図２１に重クロロホルム中での例示化合物
Ｎｏ．２の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す。図２２に重
クロロホルム中での例示化合物Ｎｏ．２の１３Ｃ−ＮＭ
Ｒスペクトルを示す。図２３に重クロロホルム中での例
示化合物Ｎｏ．２のＤＥＰＴ１３５で１３Ｃ−ＮＭＲス
ペクトルを示す。

【０１２５】なお、合成例６のアミン化合物を対応する
アミン化合物に変えることで例示化合物Ｎｏ．１、Ｎ
ｏ．３〜４８の化合物も容易に合成できる。

【０１２６】（実施例１〜５）アルミ蒸着のポリエステ
ルフィルム（膜厚８０μｍ）を支持体とし、その上に下
記構造式で示されるビスアゾ顔料をフェノキシ樹脂（ユ
ニオンカーバイド製：ＰＫＨＨ）の１％ＴＨＦ溶液中に
重量比で樹脂と同量加え、ついでペイントコンディショ
ナ（レッドデビル社製）の中で直径１．５ｍｍのガラス
ビーズと一緒の状態で約２時間分散を行いドクターブレ
イド法により塗布、乾燥した。乾燥後の膜厚は０．２μ
ｍであった。

【０１２７】

【化４２】

【０１２８】この顔料層（電荷発生層）の上に本発明の
例示化合物Ｎｏ．２、Ｎｏ．５、Ｎｏ．２３、Ｎｏ．２
９、あるいはＮｏ．４２を１ｇとポリアリレート樹脂
（ユニチカ製：Ｕ−１００）１．２ｇを塩化メチレンに
溶かした溶液（１５％）をスキージングドクターにより
塗布し、乾燥膜厚２５μｍの樹脂−ビスアミン化合物固
溶相（電荷移動層）を作成した。

【０１２９】上記のように作成した積層型電子写真感光
体の電子写真特性は、静電記録紙試験装置（川口電機
製：ＳＰ−４２８）により評価した。測定条件は、加電
圧：−６ｋＶ、スタティック：Ｎｏ．３であり、白色光
照射（照射光：５ルックス）による−７００Ｖから−１
００Ｖに減衰させるに要する露光量Ｅ１００（ルックス
・秒）及び初期電位Ｖ０（−ボルト）を測定し、その値
を表６に示す。さらに同装置を用いて、加電ー除電（除
電光：４０ルックスの白色光を１秒照射）を１サイクル
として１万回同様の操作を行った後の露光量Ｅ１００
（ルックス・秒）及び初期電位Ｖ０（−ボルト）を測定
し、Ｅ１００及びＶ０の変化を調べた。

【０１３０】

【表６】

【０１３１】表６から明らかなように、本発明のビスエ
ナミン化合物は感度繰り返し特性も良好であることがわ
かった。

【０１３２】（実施例６）アルミ蒸着のポリエステルフ
ィルム上に下記構造式で示されるｘ型無金属フタロシア
ニン（大日本インキ社製：ファストゲンブルー８１２
０）０．４ｇを塩ビ：酢ビ共重合体樹脂（積水化学社
製：エスレックスＭ）０．３ｇを溶かした酢酸エチル溶
液３０ｍｌ中に加え、ペイントコンディショナ中で約２
０分間分散を行い、ドクターブレイド法により塗布し、
乾燥後の膜厚が０．４μｍになるように電荷発生層を形
成させた。

【０１３３】

【化４３】

【０１３４】この電荷発生層の上に本発明の例示化合物
Ｎｏ．２１のビスエナミン化合物を重量比５０％含有し
たポリアリレート層を積層して２層からなる感光体を作
成した。

【０１３５】本感光体の７８０ｎｍの光を用いて電位半
減に要したエネルギー（Ｅ５０）及び初期電位（−Ｖ
０）を求めたところ、Ｖ０＝−７５５（ボルト）、Ｅ５
０＝０．２４（ｕＪ）と非常に感度の高い、かつ高帯電
性の感光体であった。

【０１３６】また、シャープ社製レーザプリンタ（ＷＤ
−５８０Ｐ）を改造し、ドラム部に本感光体を張り付
け、連続空コピー（Ｎｏｎ Ｃｏｐｙ Ａｇｉｎｇ）を
１万回を行った後その初期電位低下、感度の低下の度合
いも調べた。その結果、Ｖ０＝−７３０（ボルト），Ｅ
５０＝０．２６（ｕＪ）と第１回目と比べてほとんど値
の変動が見られなかった。

【０１３７】（実施例７〜１０）アルミ基盤表面をアル
マイト加工（アルマイト層：７μｍ）した支持体上に本
発明の例示化合物Ｎｏ．９、Ｎｏ．３２、Ｎｏ．３９、
あるいはＮｏ．４３を１ｇ、下記構造式で示されるポリ
アリレート樹脂１．１ｇ、Ｎ，Ｎ−３，５−キシリル−
３，４，９，１０−ペリレンテトラカルボキシルイミド
０．１５ｇ及び紫外線吸収剤０．０５ｇを塩化メチレン
に溶かした（イミド化合物は一部分散状態）溶液をアプ
リケータにより塗布し、乾燥膜厚２０μｍの単層感光体
を得た。

【０１３８】

【化４４】

【０１３９】上記のように作成した感光体の電子写真特
性は、静電記録紙試験装置により評価した。測定条件
は、加電圧：−５．５ｋＶ、スタティック：Ｎｏ．３で
行った。白色光照射による＋７００Ｖから＋１００Ｖに
減衰させるに要する露光量Ｅ１００（ルックス・秒）を
測定し、その値を表７に示した。また、一万回の空コピ
ーテストを行い、感度（Ｅ１００）の低下の度合いを表
７に示す。

【０１４０】

【表７】

【０１４１】表７より本発明のビスエナミン化合物を用
いた感光体は、正帯電においても優れた感度及び繰り返
し特性を有する感光体であることがわかる。

【０１４２】

【発明の効果】本発明のビスエナミン化合物の製造方
法、及びその中間体の製造方法によれば、本発明のビス
エナミン化合物を極めて容易に高収率で製造することが
できる。

【０１４３】また、本発明のビスエナミン化合物を含有
する感光体は高感度で高耐久性を有する有機質の電子写
真感光体であり、無機系の物に比べて、無毒で資源的に
も問題がなく、透明性がよく、軽量で成膜性も優れてお
り、正負の両帯電性を有し、感光体の製造も容易という
有機系感光体の利点を備えているとともに、繰り返し使
用でも光感度の低下がほとんど起こらないという優れた
特性を備えている。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のビスエナミン化合物を用いた電子写真
感光体の層構造を模式的に示す断面図である。

【図２】本発明のビスエナミン化合物を用いた電子写真
感光体の層構造を模式的に示す断面図である。

【図３】本発明のビスエナミン化合物を用いた電子写真
感光体の層構造を模式的に示す断面図である。

【図４】本発明のビスエナミン化合物を用いた電子写真
感光体の層構造を模式的に示す断面図である。

【図５】本発明のビスエナミン化合物を用いた電子写真
感光体の層構造を模式的に示す断面図である。

【図６】重クロロホルム中での４−ホルミルクロマンの
１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。

【図７】重クロロホルム中での４−ホルミルクロマンの
１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルである。

【図８】重クロロホルム中での４−ホルミルクロマンの
ＤＥＰＴ１３５での１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルである。

【図９】重クロロホルム中での３−アミノベンズアルデ
ヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾンの１Ｈ−ＮＭＲス
ペクトルである。

【図１０】重クロロホルム中での３−アミノベンズアル
デヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾンの１３Ｃ−ＮＭ
Ｒスペクトルである。

【図１１】重クロロホルム中での３−アミノベンズアル
デヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾンのＤＥＰＴ１３
５での１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルである。

【図１２】重クロロホルム中での４’−アミノベンズア
ルデヒド−１−アミノ−１，２，３，４−テトラヒドロ
キノリンヒドラゾンの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。

【図１３】重クロロホルム中での４’−アミノベンズア
ルデヒド−１−アミノ−１，２，３，４−テトラヒドロ
キノリンヒドラゾンの１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルであ
る。

【図１４】重クロロホルム中での４’−アミノベンズア
ルデヒド−１−アミノ−１，２，３，４−テトラヒドロ
キノリンヒドラゾンのＤＥＰＴ１３５での１３Ｃ−ＮＭ
Ｒスペクトルである。

【図１５】重クロロホルム中での４−（Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアミノ）−４’−アミノスチルベンの１Ｈ−ＮＭＲス
ペクトルである。

【図１６】重クロロホルム中での４−（Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアミノ）−４’−アミノスチルベンの１３Ｃ−ＮＭＲ
スペクトルである。

【図１７】重クロロホルム中での４−（Ｎ，Ｎ−ジメチ
ルアミノ）−４’−アミノスチルベンのＤＥＰＴ１３５
での１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルである。

【図１８】重クロロホルム中での４−アミノ−４’−メ
トキシスチルベンの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。

【図１９】重クロロホルム中での４−アミノ−４’−メ
トキシスチルベンの１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルである。

【図２０】重クロロホルム中での４−アミノ−４’−メ
トキシスチルベンのＤＥＰＴ１３５の１３Ｃ−ＮＭＲス
ペクトルである。

【図２１】重クロロホルム中での例示化合物Ｎｏ．２の
１Ｈ−ＮＭＲスペクトルである。

【図２２】重クロロホルム中での例示化合物Ｎｏ．２の
１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルである。

【図２３】重クロロホルム中での例示化合物Ｎｏ．２の
ＤＥＰＴ１３５で１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルである。

【符号の説明】

１ 導電性支持体 ２ 電荷発生物質 ３ 電荷移動物質 ４、４’ 感光層 ５ 電荷発生層 ６ 電荷移動層 ７ 中間層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｃ０７Ｃ 251/86 Ｃ０７Ｃ 251/86 Ｃ０７Ｄ 215/12 Ｃ０７Ｄ 215/12 277/64 277/64 307/81 307/81 311/58 311/58 313/08 313/08 335/06 335/06 401/14 ２１５ 401/14 ２１５ 405/14 ２０９ 405/14 ２０９ ２１５ ２１５ ２１９ ２１９ 407/14 ３１１ 407/14 ３１１ 409/14 ３３５ 409/14 ３３５ 413/14 ３１１ 413/14 ３１１ 417/14 ３１１ 417/14 ３１１ (72)発明者 杉村 博 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (26)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 導電性支持体上に形成される感光層中
   に、下記一般式（Ｉ）で示されるビスエナミン化合物を
   含有せしめたことを特徴とする電子写真感光体。 【化１】 （式中、Ａｒ１は置換基を有してもよいアリール基、置
   換基を有してもよい複素環基置換基を有してもよいアラ
   ルキル基、またはアルキル基を表す。Ｒ１は置換基を有
   してもよい炭素数１〜３のアルキル基、炭素数１〜３の
   アルコキシ基、炭素数１〜３のジアルキルアミノ基、ハ
   ロゲン原子あるいは水素原子を表し、Ｙは酸素原子、硫
   黄原子、１置換窒素原子を表し、ｍは１〜８の整数であ
   り、ｎは１〜３の整数である。ただしｍが２以上の時、
   Ｒ１は同一でも異なってもよい。）
2. 【請求項２】 導電性支持体上に形成される感光層中
   に、下記一般式（Ｖ）で示されるビスエナミン化合物を
   含有せしめたことを特徴とする電子写真感光体。 【化２】 （式中、Ａｒ２、Ａｒ３は置換基を有してもよいアリー
   ル基、置換基を有してもよい複素環基、置換基を有して
   もよいアラルキル基、またはアルキル基，あるいは水素
   原子を表す。（ただしＡｒ２、Ａｒ３が同時に水素原子
   の場合は除く）Ｒ２は置換基を有してもよい炭素数１〜
   ３のアルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数
   １〜３のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子あるいは水
   素原子を表し、ｌは１〜４の整数である。ただしｌが２
   以上の時、Ｒ２は同一でも異なってもよい。Ｒ３は置換
   基を有してもよいアリール基、置換基を有してもよい複
   素環基、置換基を有してもよいアラルキル基、またはア
   ルキル基，あるいは水素原子を表す。式中、Ｒ１、ｍ、
   ｎ、Ｙは請求項１と同義である。）
3. 【請求項３】 導電性支持体上に形成される感光層中
   に、下記一般式（ＩＸ）で示されるビスエナミン化合物
   を含有せしめたことを特徴とする電子写真感光体。 【化３】 （式中、Ａｒ４、Ａｒ５は置換基を有してもよいアリー
   ル基、置換基を有してもよい複素環基置換基を有しても
   よいアラルキル基、またはアルキル基，あるいは水素原
   子を表す。また、直接もしくは２価の連結基（メチレ
   ン、エチレン、ビニレン、酸素原子、イオウ原子）によ
   りお互いに環を形成しても良い。式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ
   ３、ｍ、ｎ、ｌ、Ｙは請求項２と同義である。）
4. 【請求項４】 導電性支持体上に形成される感光層中
   に、下記一般式（ＸＶ）で示されるビスエナミン化合物
   を含有せしめたことを特徴とする電子写真感光体。 【化４】 （式中、Ｒ６は置換基を有してもよい炭素数１〜３のア
   ルキル基、炭素数１〜３のアルコキシ基、炭素数１〜３
   のジアルキルアミノ基、ハロゲン原子あるいは水素原子
   を表し、ｔは１から１０までの正数を表し、Ｚは置換基
   を有しても良い２価の連結基（メチレン、エチレン、ビ
   ニレン、酸素原子、イオウ原子）を表す。ただし、ｔが
   ２以上の時Ｒ４はは同一でも異なってもよい。式中、Ｒ
   １、Ｒ２、Ｒ３、ｌ、ｍ、ｎ、Ｙは請求項４と同義であ
   る。）
5. 【請求項５】 一般式（ＸＸ）で示されることを特徴と
   するアルデヒド化合物。 【化５】 （式中、Ｒ１、ｍ、ｎ、Ｙは請求項１と同義である。）
6. 【請求項６】 一般式（ＸＸＩ）で示されるカルボニル
   化合物と、一般式（ＸＸＩＩ）で示されるエステル化合
   物とを反応させることを特徴とする請求項５に記載のア
   ルデヒド化合物の製造方法。 【化６】 （式中、Ｒ４は低級アルキル基を表し、Ｘはハロゲン原
   子を表す。Ｒ１、ｍ、ｎ、Ｙは請求項１と同義であ
   る。）
7. 【請求項７】 一般式（Ｉ）で示されることを特徴とす
   るビスエナミン化合物。 【化７】 （式中、Ａｒ１、Ｒ１、Ｒ２ 、ｍ、ｎ、Ｙは請求項１
   と同義である。）
8. 【請求項８】 一般式（ＸＸ）で示されるアルデヒド化
   合物と、一般式（ＸＸＩＩＩ）で示されるアミン化合物
   とを反応させることを特徴とする請求項７に記載のビス
   エナミン化合物の製造方法。 【化８】 （式中、Ａｒ１、Ｒ１、ｍ、ｎ、Ｙは請求項１と同義で
   ある。）
9. 【請求項９】 一般式（ＸＸＩＶ）で示されることを特
   徴とするニトロ化合物。 【化９】 （式中、Ａｒ２、Ａｒ３、Ｒ２、Ｒ３ｌは請求項２と同
   義である。）
10. 【請求項１０】 一般式（ＸＸＶ）で示されることを特
    徴とするアミン化合物。 【化１０】 （式中、Ａｒ２、Ａｒ３、Ｒ２、Ｒ３、ｌは請求項２と
    同義である。）
11. 【請求項１１】 一般式（Ｖ）で示されることを特徴と
    するビスエナミン化合物。 【化１１】 （式中、Ａｒ２、Ａｒ３、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｌ、ｍ、
    ｎ、Ｙは請求項２と同義である。）
12. 【請求項１２】 一般式（ＸＸＶＩ）で示されるカルボ
    ニル化合物と、一般式（ＸＸＶＩＩ）で示されるリン化
    合物とを反応させることを特徴とする請求項９に記載の
    ニトロ化合物の製造方法。 【化１２】 （式中、Ｒ５は低級アルキル基、置換基を有しても良い
    アリール基を表し、Ａｒ２、Ａｒ３、Ｒ２、Ｒ３ｌは請
    求項２と同義である。）
13. 【請求項１３】 一般式（ＸＸＩＶ）で示されるニトロ
    化合物を還元する事を特徴とする請求項１０に記載のア
    ミン化合物の製造方法。 【化１３】 （式中、Ａｒ２、Ａｒ３、Ｒ２、Ｒ３、ｌは請求項２と
    同義である。）
14. 【請求項１４】 一般式（ＸＸ）で示されるアルデヒド
    化合物と、一般式（ＸＸＶ）で示されるアミン化合物と
    を反応させることを特徴とする請求項２に記載のビスエ
    ナミン化合物の製造方法。 【化１４】 （式中、Ａｒ２、Ａｒ３、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｌ、ｍ、
    ｎ、Ｙは請求項２と同義である。）
15. 【請求項１５】 一般式（ＸＸＶＩＩＩ）で示されるこ
    とを特徴とするニトロ化合物。 【化１５】 （式中、Ａｒ４、Ａｒ５、Ｒ２、Ｒ３ｌは請求項３と同
    義である。）
16. 【請求項１６】 一般式（ＸＸＩＸ）で示されることを
    特徴とするアミン化合物。 【化１６】 （式中、Ａｒ４、Ａｒ５、Ｒ２、Ｒ３ｌは請求項３と同
    義である。）
17. 【請求項１７】 一般式（ＩＸ）で示されることを特徴
    とするビスエナミン化合物。 【化１７】 （式中、Ａｒ４、Ａｒ５、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｌ、ｍ、
    ｎ、Ｙは請求項３と同義である。）
18. 【請求項１８】 一般式（ＸＸＶＩ）で示されるカルボ
    ニル化合物と、一般式（ＸＸＸ）で示されるヒドラジン
    化合物とを反応させることを特徴とする請求項１５に記
    載のニトロ化合物の製造方法。 【化１８】 （式中、Ａｒ４、Ａｒ５、Ｒ１、Ｒ３、ｌは請求項３と
    同義である。）
19. 【請求項１９】 一般式（ＸＸＶＩＩＩ）で示されるニ
    トロ化合物を還元することを特徴とする請求項１６に記
    載のアミン化合物の製造方法。 【化１５】 （式中、Ａｒ４、Ａｒ５、Ｒ２、Ｒ３ｌは請求項２と同
    義である。）
20. 【請求項２０】 一般式（ＸＸ）で示されるアルデヒド
    化合物と、一般式（ＸＸＩＸ）で示されるアミン化合物
    とを反応させることを特徴とする請求項１７に記載のビ
    スエナミン化合物の製造方法。 【化２０】 （式中、Ａｒ４、Ａｒ５、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｌ、ｍ、
    ｎ、Ｙは請求項２と同義である。）
21. 【請求項２１】 一般式（ＸＸＸＩ）で示されることを
    特徴とするニトロ化合物。 【化２１】 （式中、Ｒ６、Ｒ２、Ｒ３、ｌ、ｔ、Ｚは請求項４と同
    義である。）
22. 【請求項２２】 一般式（ＸＸＸＩＩ）で示されること
    を特徴とするアミン化合物。 【化２２】 （式中、Ｒ６、Ｒ２、Ｒ３、ｌ、ｔ、Ｚは請求項４と同
    義である。）
23. 【請求項２３】 一般式（ＸＶ）で示されることを特徴
    とするビスエナミン化合物。 【化２３】 （式中、Ｒ６、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｌ、ｍ、ｎ、ｔ、
    Ｙ、Ｚは請求項４と同義である。）
24. 【請求項２４】 一般式（ＸＸＶＩ）で示されるカルボ
    ニル化合物と、一般式（ＸＸＸＩＩＩ）で示されるヒド
    ラジン化合物ととを反応させることを特徴とする請求項
    ２１に記載のニトロ化合物の製造方法。 【化２４】 （式中、Ｒ６、Ｒ２、Ｒ３、ｌ、ｔ、Ｚは請求項４と同
    義である。）
25. 【請求項２５】 一般式（ＸＸＸＩ）で示されるニトロ
    化合物を還元することを特徴とする請求項２２に記載の
    アミン化合物の製造方法。 【化２５】 （式中、Ｒ６、Ｒ２、Ｒ３、ｌ、ｔ、Ｚは請求項４と同
    義である。）
26. 【請求項２６】 一般式（ＸＸ）で示されるアルデヒド
    化合物と、一般式（ＸＸＸＩＩ）で示されるアミン化合
    物とを反応させることを特徴とする請求項２３に記載の
    ビスエナミン化合物の製造方法。 【化２６】 （式中、Ｒ６、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、ｌ、ｍ、ｎ、ｔ、
    Ｙ、Ｚは請求項４と同義である。）