JPH113904A - High frequency chip carrier and semiconductor light control device mounting structure using the same - Google Patents
High frequency chip carrier and semiconductor light control device mounting structure using the sameInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 高周波電気配線用基板の幅を狭くした場合で
あっても、一定の値の特性インピーダンスを得ることが
できる。
【解決手段】 少なくとも複数の電気絶縁層２８および
高周波電気配線１８、２０から構成される多層の高周波
電気配線用基板１２を備えた高周波用チップキャリア１
０において、高周波電気配線用基板の先端部にテーパ部
１６を設け、そして、電気絶縁層を介して高周波電気配
線と概ね平行に対向するように、電気絶縁層の表面に中
間グランド層５４を設け、さらに、この中間グランド層
と、高周波電気配線用基板の最下面に設けられたグラン
ド層５２とを、スルーホール５０を用いて導通させる。
(57) [Problem] To provide a constant value of characteristic impedance even when the width of a high-frequency electric wiring substrate is reduced. SOLUTION: A high frequency chip carrier 1 provided with a multilayer high frequency electric wiring substrate 12 composed of at least a plurality of electric insulating layers 28 and high frequency electric wirings 18 and 20.
At 0, a tapered portion 16 is provided at the tip of the high-frequency electric wiring substrate, and an intermediate ground layer 54 is provided on the surface of the electric insulating layer so as to face the high-frequency electric wiring substantially in parallel via the electric insulating layer. Further, the intermediate ground layer and the ground layer 52 provided on the lowermost surface of the high-frequency electric wiring substrate are electrically connected by using the through hole 50.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、高周波特性に優
れた高周波用チップキャリアおよびそれを用いた半導体
光制御素子の実装構造に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high frequency chip carrier having excellent high frequency characteristics and a mounting structure of a semiconductor light control element using the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の高周波用チップキャリアおよびそ
れを用いた半導体光制御素子の実装構造としては、例え
ば、回路実装学会誌、ｖｏｌ．１０、Ｎｏ．５（１９９
５）、ｐｐ．３０６−３０９に開示されている。2. Description of the Related Art A conventional high-frequency chip carrier and a mounting structure of a semiconductor light control element using the same are described in, for example, Journal of Circuit Packaging Society, vol. 10, No. 5 (199
5), pp. 306-309.
【０００３】この発明の説明に先立ち、図９および図１
０を用いて、従来の高周波用チップキャリアが用いられ
た光モジュール２００の構造につき簡単に説明する。す
なわち、光モジュール２００は、光変調素子２２６、入
力用と出力用の光ファイバ２３２、２３４、および２つ
の非球面レンズ２３６、２３８を備えていて、これらが
互いに光軸を一致させて配置されており、さらに、高周
波電気配線用基板２１２、電子冷却素子２４８、高周波
コネクタ２４４、およびそれらを収納するパッケージ２
４６等を備えて構成されている。Prior to the description of the present invention, FIGS.
The structure of the optical module 200 using the conventional high-frequency chip carrier will be briefly described using FIG. That is, the optical module 200 includes a light modulation element 226, input and output optical fibers 232 and 234, and two aspheric lenses 236 and 238, which are arranged so that their optical axes coincide with each other. And a high-frequency electric wiring board 212, an electronic cooling element 248, a high-frequency connector 244, and a package 2 for accommodating them.
46 and the like.
【０００４】そして、光変調素子２２６には、高周波電
気配線用基板の幅と同程度の長さになるように、この半
導体光制御素子の長さを調整するための導波路が設けら
れている。また、この光変調素子は、図９に示されるよ
うに、高周波電気配線用基板２１２の線幅が一定であ
る、直線状の高周波電気配線２１８の端部と、ボンディ
ングワイヤ２２４により電気接続されている。そして、
高周波電気配線２１８におけるボンディングワイヤ２２
４の接続点の近傍には、光変調素子と高周波電源とのイ
ンピーダンスマッチングをはかり、高周波電力を有効に
利用するために、薄膜抵抗器２２２が終端抵抗として設
けられている。The light modulation element 226 is provided with a waveguide for adjusting the length of the semiconductor light control element so as to have a length substantially equal to the width of the high-frequency electric wiring substrate. . Further, as shown in FIG. 9, the optical modulation element is electrically connected to an end of a linear high-frequency electric wiring 218 having a constant line width of the high-frequency electric wiring substrate 212 by a bonding wire 224. I have. And
Bonding wire 22 in high-frequency electrical wiring 218
In the vicinity of the connection point No. 4, a thin-film resistor 222 is provided as a terminating resistor in order to measure impedance matching between the light modulation element and the high-frequency power supply and to effectively use the high-frequency power.
【０００５】[0005]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
高周波用チップキャリアおよびそれを用いた半導体光制
御素子の実装構造では、以下の問題があった。However, the conventional high-frequency chip carrier and the mounting structure of the semiconductor light control element using the same have the following problems.
【０００６】（１）高周波が伝播する方向と交わる方向
において、一定幅を有する、すなわち直線状の高周波電
気配線および基板を使用しており、特性インピーダンス
を一定に保つため、この基板の幅が高周波電気配線の幅
の少なくとも４倍程度という幅広の基板を、キャリアベ
ース上に搭載して用いる必要があった。(1) In the direction intersecting with the direction in which the high-frequency wave propagates, a high-frequency electric wiring and a substrate having a constant width, that is, a linear high-frequency electric wiring, are used. It was necessary to mount and use a wide substrate at least about four times the width of the electric wiring on the carrier base.
【０００７】（２）そのため、幅広の基板上に実装する
半導体光制御素子においては、この半導体光制御素子の
長さを、高周波が伝播する方向と交わる方向の基板の幅
（広幅）に合わせて長くする必要があり、よって、コス
トがかかる導波路をわざわざ集積して設ける必要があっ
た。(2) Therefore, in a semiconductor light control element mounted on a wide substrate, the length of the semiconductor light control element is adjusted to the width (wide width) of the substrate in a direction intersecting with a direction in which a high frequency propagates. It is necessary to lengthen the waveguide, and therefore, it is necessary to provide a costly waveguide in an integrated manner.
【０００８】また、半導体光制御素子、例えば光変調素
子に導波路を設けるために、この導波路において、伝送
される光が減衰するという問題があり、さらには、この
光変調素子と導波路との接合部において、光結合損失が
生じてしまうという問題もあった。In addition, since a waveguide is provided in a semiconductor light control element, for example, an optical modulation element, there is a problem that transmitted light is attenuated in this waveguide. There is also a problem that optical coupling loss occurs at the junction.
【０００９】（３）さらに、薄膜抵抗器が、半導体光制
御素子、例えば光変調素子近傍に、高周波電気配線と並
列して設けられていたため、この薄膜抵抗器を設けるた
めのスペースを確保する必要があり、高周波電気配線用
基板およびそれからなるチップキャリアの幅がますます
広くなるという問題があった。(3) Further, since the thin-film resistor is provided in parallel with the high-frequency electrical wiring near the semiconductor light control element, for example, the light modulation element, it is necessary to secure a space for providing the thin-film resistor. Therefore, there has been a problem that the width of the high-frequency electric wiring substrate and the chip carrier formed therefrom have become increasingly wider.
【００１０】（４）さらにまた、幅広の基板を用いてお
り、この基板に搭載された半導体光制御素子、例えば光
変調素子と、レンズとの最大の光結合効率を得るために
は、レンズおよびそれを固定するレンズホルダを、この
光変調素子に近接する位置に移動する必要がある。しか
しながら、レンズ等を基板に近接した位置に移動しよう
とすると、レンズ等と基板とがぶつかって、結果とし
て、低い光の結合効率しか得られないという問題があっ
た。(4) Furthermore, a wide substrate is used. In order to obtain the maximum optical coupling efficiency between the semiconductor light control element, for example, the light modulation element mounted on the substrate and the lens, the lens and the It is necessary to move the lens holder for fixing it to a position close to the light modulation element. However, when trying to move the lens or the like to a position close to the substrate, the lens or the like collides with the substrate, resulting in a problem that only a low light coupling efficiency is obtained.
【００１１】よって、少なくとも先端部における基板幅
の狭い、導波路を有しない半導体光制御素子を実装する
ことができ、さらに、光モジュール構造に用いた場合で
も、レンズ等の付属品とぶつかることなく、半導体光制
御素子、例えば光変調素子と、レンズとの間で、高い光
の結合効率を得ることができる高周波用チップキャリア
およびそれを用いた半導体光制御素子の実装構造が望ま
れていた。Therefore, it is possible to mount a semiconductor light control element having a narrow substrate width and no waveguide at least at the front end, and even if it is used in an optical module structure, it does not hit an accessory such as a lens. A high-frequency chip carrier capable of obtaining high light coupling efficiency between a semiconductor light control element, for example, a light modulation element and a lens, and a mounting structure of a semiconductor light control element using the chip carrier have been desired.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】この発明によれば、キャ
リアベースと、キャリアベースに実装される半導体光制
御素子に先端が対向して、キャリアベースに固定され、
かつ、少なくとも複数の電気絶縁層および高周波電気配
線を以て構成される多層の高周波電気配線用基板とを備
える高周波用チップキャリアにおいて、この高周波電気
配線用基板は、キャリアベース側の最下面にグランド層
を備え、高周波電気配線用基板の先端部にはテーパ部が
設けてある。According to the present invention, the tip is opposed to the carrier base and the semiconductor light control element mounted on the carrier base, and is fixed to the carrier base.
And, in a high-frequency chip carrier comprising at least a plurality of electrical insulating layers and a multilayer high-frequency electrical wiring substrate constituted by high-frequency electrical wiring, the high-frequency electrical wiring substrate has a ground layer on the lowermost surface on the carrier base side. In addition, a tapered portion is provided at the tip of the high-frequency electric wiring substrate.
【００１３】そして、このテーパ部には、前記電気絶縁
層の少なくとも一つを介して、前記高周波電気配線と平
行に対向するように配置された中間グランド層が設けて
あり、さらに、中間グランド層と、キャリアベース側の
最下面に設けられグランド層とは、スルーホールにより
電気的に導通しており、この中間グランド層はグランド
層としての電気的機能を果たしている。The tapered portion is provided with an intermediate ground layer disposed so as to face in parallel with the high-frequency electric wiring via at least one of the electric insulating layers. The ground layer provided on the lowermost surface on the carrier base side is electrically connected to the ground layer by a through hole, and the intermediate ground layer functions as a ground layer.
【００１４】このように、高周波用チップキャリアにお
ける高周波電気配線用基板を構成することにより、光モ
ジュールに使用されるレンズ部（第１と第２）およびそ
れを固定するためのレンズホルダ（第１と第２）の移動
空間が大きくなる。よって、高周波用チップキャリアと
ぶつかることなく、これらのレンズ部等は最適な光の結
合効率が得られる位置に移動可能となる。By configuring the high-frequency electric wiring substrate in the high-frequency chip carrier in this manner, the lens portions (first and second) used in the optical module and the lens holder (first) for fixing the same are provided. And the second) moving space becomes large. Therefore, these lens portions and the like can be moved to a position where optimum light coupling efficiency can be obtained without colliding with the high frequency chip carrier.
【００１５】そして、高周波電気配線用基板の先端部に
テーパ部を設けて、半導体光制御素子と対向する基板の
幅を狭くすることにより、この基板の幅に合わせて半導
体光制御素子に対して、長さ調整のための、導波路を設
ける必要性もなくなる。よって、この導波路に起因し
た、光の減衰や、この導波路の結合部位における、光結
合損失も無くなる。By providing a tapered portion at the tip of the high-frequency electric wiring substrate to reduce the width of the substrate facing the semiconductor light control element, the semiconductor light control element is adjusted to the width of the substrate. In addition, there is no need to provide a waveguide for adjusting the length. Therefore, light attenuation and optical coupling loss at the coupling portion of the waveguide due to the waveguide are eliminated.
【００１６】また、この発明において、多層の高周波電
気配線用基板を用いることを要件とするのは、高周波電
気配線と平行に対向させて、少なくとも一つの電気絶縁
層を介して中間グランド層を設け、さらに、この中間グ
ランド層と、高周波電気配線用基板の最下面に設けたグ
ランド層とを電気的に導通させることにより、いわゆる
マイクロストリップライン構造をとるためである。Further, in the present invention, it is required that a multilayer high-frequency electric wiring substrate is used, and an intermediate ground layer is provided in parallel with and opposed to the high-frequency electric wiring via at least one electric insulating layer. Furthermore, this intermediate ground layer and the ground layer provided on the lowermost surface of the high-frequency electric wiring substrate are electrically connected to each other to form a so-called microstrip line structure.
【００１７】すなわち、単純に、高周波電気配線用基板
の先端部に、電気絶縁層及び高周波電気配線の幅が細く
なるテーパ部を設けるだけでは、基板の特性インピーダ
ンスが高く変化するため、高周波用チップキャリアとし
ては適さない。In other words, simply providing a tapered portion in which the width of the electrical insulating layer and the high-frequency electrical wiring is reduced at the tip of the substrate for high-frequency electrical wiring simply changes the characteristic impedance of the substrate. Not suitable as a carrier.
【００１８】そこで、この発明の高周波用チップキャリ
アにおける高周波電気配線用基板において、中間グラン
ド層と高周波電気配線とで以て、一定厚さの電気絶縁層
を挟み込むようにしてある。そして、スルーホールによ
り、この中間グランド層と高周波電気配線用基板の最下
面に設けたグランド層とを、電気的に導通させることに
より、いわゆるマイクロストリップライン構造を構成す
るものである。すなわち、この発明の構成により、高周
波電気配線としての、マイクロストリップラインの幅が
変化したとしても、所望する一定の値の特性インピーダ
ンスを得ることが可能である。Therefore, in the high-frequency electric wiring substrate of the high-frequency chip carrier of the present invention, an electric insulating layer having a constant thickness is sandwiched between the intermediate ground layer and the high-frequency electric wiring. Then, the so-called microstrip line structure is formed by electrically connecting the intermediate ground layer and the ground layer provided on the lowermost surface of the high-frequency electric wiring substrate with through holes. That is, according to the configuration of the present invention, it is possible to obtain a desired constant value of characteristic impedance even if the width of the microstrip line as the high-frequency electric wiring changes.
【００１９】また、この発明において、好ましくは、中
間グランド層が、複数の電気絶縁層の間にそれぞれ設け
てあると良い。In the present invention, preferably, an intermediate ground layer is provided between each of the plurality of electric insulating layers.
【００２０】このように、中間グランド層を、複数の電
気絶縁層にそれぞれ設けることにより、高周波電気配線
用基板における特性インピーダンスを、より一定にする
ことが可能となる。そのため、基板の先端部から等幅の
位置までのテーパ部の長さを長くすることができる。As described above, by providing the intermediate ground layer on each of the plurality of electric insulating layers, it is possible to make the characteristic impedance of the high-frequency electric wiring substrate more constant. Therefore, the length of the tapered portion from the leading end of the substrate to the position of the same width can be increased.
【００２１】すなわち、電気絶縁層および中間グランド
層が、それぞれ例えば一つであるとすると、特性インピ
ーダンスを一定にすることができる長さが短かくなる
が、複数の電気絶縁層に、中間グランド層をそれぞれ設
けると、この特性インピーダンスの値を一定にすること
ができる、高周波が伝播する方向に沿った長さ方向の高
周波電気配線用基板の長さが累積的に長くなる。That is, if the number of the electrical insulating layers and the number of the intermediate ground layers are respectively one, for example, the length for making the characteristic impedance constant becomes short. Is provided, the value of the characteristic impedance can be made constant, and the length of the high-frequency electric wiring board in the length direction along the direction in which the high-frequency waves propagate is cumulatively increased.
【００２２】また、この発明において、好ましくは、高
周波用チップキャリアにおいて、高周波電気配線に距離
的に近い電気絶縁層に設けた中間グランド層ほど、その
中間グランド層の長さを短くすると良い。In the present invention, preferably, in the high-frequency chip carrier, the length of the intermediate ground layer provided on the electric insulating layer closer to the high-frequency electric wiring is shorter.
【００２３】このように中間グランド層の長さを、高周
波電気配線に距離的に近い位置の電気絶縁層に設けられ
た中間グランド層ほど、その長さを短くすることによ
り、テーパ部において、スルーホールを一つ設けるだけ
で、各中間グランド層のグランドを取ることができる。As described above, the length of the intermediate ground layer is reduced as the length of the intermediate ground layer provided on the electrical insulating layer closer to the high-frequency electrical wiring is reduced. The ground of each intermediate ground layer can be obtained by providing only one hole.
【００２４】もちろん、マイクロストリップライン構造
を取るためには、後述する図８に示すように、テーパ部
における高周波電気配線の線幅に対応して、一定長さの
中間グランド層を複数設け、この各中間グランド層と、
最下層のグランド層とを、個別にスルーホール（図示せ
ず）を設けて電気的に導通させれば良い。Of course, in order to take a microstrip line structure, as shown in FIG. 8 described later, a plurality of intermediate ground layers having a fixed length are provided corresponding to the line width of the high-frequency electric wiring in the tapered portion. Each intermediate ground layer,
A through hole (not shown) may be separately provided to electrically connect the lowermost ground layer to the ground layer.
【００２５】しかしながら、順に、中間グランド層の長
さを各電気絶縁層ごとに変えた構造にすることにより、
各グランド層が垂直方向に電気絶縁層を介して、一部重
なることとなる。したがって、最短の中間グランド層か
ら、最下層のグランド層に向かって一つのスルーホール
を設けてグランドを取れば、最短の中間グランド層と最
下層のグランド層との間に、他の中間グランド層が存在
することになり、結果として、一つのスルーホールです
べての中間グランド層のグランドが取れるという利点が
得られる。However, by sequentially changing the length of the intermediate ground layer for each electrical insulating layer,
The ground layers partially overlap each other in the vertical direction via the electric insulating layer. Therefore, if one through hole is provided from the shortest intermediate ground layer to the lowermost ground layer and grounded, another intermediate ground layer can be placed between the shortest intermediate ground layer and the lowermost ground layer. As a result, there is an advantage that the ground of all the intermediate ground layers can be taken with one through hole.
【００２６】また、この発明において、好ましくは、高
周波電気配線に距離的に近い電気絶縁層に設けた中間グ
ランド層ほど、その中間グランド層の長さを短くすると
ともに、これらの中間グランド層の一方の端部の位置
と、高周波電気配線用基板の先端部の位置とが一致して
いることが良い。In the present invention, preferably, the intermediate ground layer provided on the electric insulating layer which is closer to the high-frequency electric wiring is shorter in the length of the intermediate ground layer. And the position of the tip of the high-frequency electrical wiring board are preferably the same.
【００２７】このように中間グランド層の一方の端部の
位置と、高周波電気配線用基板の先端部の位置とが一致
していると、これらの中間グランド層の一端の位置（始
点）が定まることとなる。そして、これらの中間グラン
ド層は、高周波電気配線に距離的に近い位置の電気絶縁
層に設けられたものほど、その長さが短かい構成を取っ
ている。When the position of one end of the intermediate ground layer matches the position of the tip of the high-frequency electrical wiring board, the position (start point) of one end of the intermediate ground layer is determined. It will be. The length of the intermediate ground layer provided on the electrical insulating layer closer to the high-frequency electrical wiring is shorter.
【００２８】そのため、図４に示すように、これらの中
間グランド層において、もう一端の位置（終点）は、高
周波電気配線に距離的に近い位置の電気絶縁層に設けら
れた中間グランド層ほど、高周波電気配線用基板の先端
部の位置から近距離に位置する。そして、一方で、高周
波電気配線に距離的に遠い位置の電気絶縁層に設けられ
た中間グランド層ほど、高周波電気配線用基板の先端部
の位置から遠距離に位置することとなる。For this reason, as shown in FIG. 4, the other end (end point) of these intermediate ground layers is closer to the intermediate insulating layer provided at a position closer to the high-frequency electric wiring. It is located at a short distance from the position of the tip of the high-frequency electric wiring board. On the other hand, the intermediate ground layer provided on the electrical insulating layer at a position farther from the high-frequency electric wiring is located farther from the position of the tip of the high-frequency electric wiring substrate.
【００２９】よって、高周波電気配線用基板の先端部に
テーパ部を設けたとしても、各中間グランド層に対応し
て、高周波電気配線および電気絶縁層から、それぞれマ
イクロストリップライン構造が構成される。そのため、
各中間グランド層の長さ（位置）および、各中間グラン
ド層と各高周波電気配線との距離との関係から、後述す
るように、例えば下式（１）の関係において、高周波電
気配線用基板における特性インピーダンスの値が、テー
パ部の長さ方向に渡って、より一定になりやすいという
効果が得られる。Therefore, even if a tapered portion is provided at the tip of the high-frequency electric wiring substrate, a microstrip line structure is formed from the high-frequency electric wiring and the electric insulating layer corresponding to each intermediate ground layer. for that reason,
From the relationship between the length (position) of each intermediate ground layer and the distance between each intermediate ground layer and each high-frequency electrical wiring, as described later, for example, in the relationship of the following equation (1), The effect is obtained that the value of the characteristic impedance is more likely to be constant over the length direction of the tapered portion.
【００３０】また、この発明において、好ましくは、チ
ップキャリアにおける高周波電気配線用基板の先端部の
テーパ部において、先端に向かって段階的に高周波電気
配線の線幅を狭くすることが良い。In the present invention, it is preferable that the line width of the high-frequency electric wiring is gradually reduced toward the front end at the tapered portion of the high-frequency electric wiring substrate in the chip carrier.
【００３１】このように高周波電気配線の形状を構成す
ることにより、高周波電気配線の線幅を、計算からより
容易に求めることができる。すなわち、下式（１）か
ら、高周波電気配線の線厚ｔ（μｍ）、高周波電気配線
用基板のインピーダンスＺｏ（Ω）、電気絶縁層の比誘
電率εｒ（−）をあらかじめ所定の値に定めることによ
り、所望の高周波電気配線の線幅Ｗ（μｍ）に対して、
一意的に、中間グランド層の高周波電気配線までの垂直
距離Ｈ（μｍ）が定まることになり、計算された通りの
特性インピーダンスを有する高周波電気配線用基板を作
成することができる。By configuring the shape of the high-frequency electric wiring in this way, the line width of the high-frequency electric wiring can be more easily obtained from the calculation. That is, from the following equation (1), the line thickness t (μm) of the high-frequency electric wiring, the impedance Zo (Ω) of the high-frequency electric wiring substrate, and the relative permittivity εr (−) of the electric insulating layer are set to predetermined values in advance. Thus, for a desired line width W (μm) of the high-frequency electric wiring,
The vertical distance H (μm) from the intermediate ground layer to the high-frequency electric wiring is uniquely determined, and a high-frequency electric wiring substrate having the calculated characteristic impedance can be produced.
【００３２】[0032]
【数１】 (Equation 1)
【００３３】なお、式（１）は、高周波電気配線用基板
における配線の線幅Ｗ、中間グランド層の高周波電気配
線までの垂直距離Ｈとの関係を示す一例であり、下記に
示す類似の近似式（２）および（３）に示す関係であっ
ても良い。Equation (1) is an example showing the relationship between the line width W of the wiring on the high-frequency electric wiring board and the vertical distance H to the high-frequency electric wiring of the intermediate ground layer. The relationship shown in Expressions (2) and (3) may be used.
【００３４】[0034]
【数２】 (Equation 2)
【００３５】[0035]
【数３】 (Equation 3)
【００３６】また、この発明の、別な好ましい態様とし
ては、チップキャリアにおける高周波電気配線用基板
が、高周波電力が印加される側から第１の基板と第２の
基板に分割されている。そして、この第１の基板の表面
上には、第１の高周波電気配線が施してあり、同様に、
第２の基板の表面上には、第２の高周波電気配線が施し
てある。In another preferred embodiment of the present invention, the substrate for high-frequency electrical wiring in the chip carrier is divided into a first substrate and a second substrate from the side to which high-frequency power is applied. A first high-frequency electric wiring is provided on the surface of the first substrate.
On the surface of the second substrate, a second high-frequency electric wiring is provided.
【００３７】このように高周波電気配線用基板を構成す
ることにより、第１の基板と第２の基板とを空間を設け
て離間させることができる。そして、その間に露出した
キャリアべース上に、半導体光制御素子を配置固定する
ことができる。よって、半導体光制御素子を容易に実装
することができる。By configuring the high-frequency electric wiring substrate in this manner, the first substrate and the second substrate can be separated by providing a space. Then, the semiconductor light control element can be arranged and fixed on the carrier base exposed in the meantime. Therefore, the semiconductor light control element can be easily mounted.
【００３８】また、半導体光制御素子の上面と高周波電
気配線用基板上の高周波電気配線の高さとを、実質的に
等しくすることができるため、ボンディングワイヤ等を
用いて、均一に半導体光制御素子と高周波電気配線とを
電気接続することができる。Further, since the upper surface of the semiconductor light control element and the height of the high-frequency electric wiring on the high-frequency electric wiring substrate can be made substantially equal, the semiconductor light control element can be uniformly formed using a bonding wire or the like. And the high-frequency electric wiring.
【００３９】また、この発明において、好ましくは、第
２の基板上に配線された第２の高周波電気配線の末端
に、薄膜抵抗器を設けると良い。このように高周波電気
配線用基板を構成すれば、この薄膜抵抗器を介して、最
下面に設けられたグランド層に電気接続することができ
る。In the present invention, preferably, a thin film resistor is provided at an end of the second high-frequency electrical wiring wired on the second substrate. By configuring the high-frequency electric wiring substrate in this way, it is possible to electrically connect to the ground layer provided on the lowermost surface via the thin film resistor.
【００４０】そして、この薄膜抵抗器により、印加され
る高周波電力を有効に利用することができ、例えば高周
波電気配線用基板に搭載される半導体光制御素子と、高
周波電源等とのインピーダンスマッチングがはかられ
る。The applied high-frequency power can be effectively used by the thin-film resistor. For example, the impedance matching between the semiconductor light control element mounted on the high-frequency electric wiring substrate and the high-frequency power supply can be improved. Get off.
【００４１】また、第２の基板には薄膜抵抗器が設けら
れているため、第１の基板に薄膜抵抗器のスペースを必
要としない。よって、高周波電気配線用基板の幅をより
狭くすることができる。Further, since the second substrate is provided with the thin film resistor, the first substrate does not require the space for the thin film resistor. Therefore, the width of the high-frequency electric wiring substrate can be further reduced.
【００４２】さらに、この薄膜抵抗器は、半導体光制御
素子から、一定距離、離れているため、薄膜抵抗器の発
する熱の影響を、半導体光制御素子が受けづらいという
点でも好ましい。Further, since the thin film resistor is separated from the semiconductor light control element by a certain distance, it is preferable in that the semiconductor light control element is hardly affected by the heat generated by the thin film resistor.
【００４３】また、好ましくは、チップキャリアにおけ
る高周波電気配線用基板において、この高周波電気配線
用基板の上に配線された高周波電気配線の上側に、さら
に別の電気絶縁層およびグランド層が下から順次設けて
あり、いわゆるストリップライン構造が形成してあるの
が良い。Preferably, in the high-frequency electric wiring substrate of the chip carrier, another electric insulating layer and a ground layer are sequentially arranged from the bottom above the high-frequency electric wiring wired on the high-frequency electric wiring substrate. It is preferable that a so-called strip line structure is formed.
【００４４】このように高周波電気配線用基板を構成す
れば、高周波電気配線の縁から両面に設けられたグラン
ド層に向かう電磁波がさらに安定するため、高周波電気
配線とグランド層との間の容量が大きくなり、結果とし
て特性インピーダンスがより低下するという効果が得ら
れる。With this structure of the high-frequency electric wiring board, the electromagnetic wave traveling from the edge of the high-frequency electric wiring to the ground layers provided on both surfaces is further stabilized, so that the capacitance between the high-frequency electric wiring and the ground layer is reduced. This results in an effect that the characteristic impedance is further reduced as a result.
【００４５】その他、かかる高周波電気配線用基板の構
造によれば、表面に設けられた第２のグランド層による
一定のシールド効果も得られ、さらには、高周波電気配
線がむき出しにならないため、安全性も高くなる。In addition, according to the structure of the substrate for high-frequency electric wiring, a certain shielding effect can be obtained by the second ground layer provided on the surface, and further, since the high-frequency electric wiring is not exposed, the safety is improved. Will also be higher.
【００４６】また、この発明の好ましい別な態様とし
て、チップキャリアにおける高周波電気配線用基板およ
びキャリアベースは、これらの側面部に、座ぐりを有す
ることが良い。In another preferred embodiment of the present invention, the high-frequency electric wiring substrate and the carrier base in the chip carrier preferably have a counterbore on their side surfaces.
【００４７】このようにチップキャリアを構成すれば、
ホルダ（第１と第２）に固定して第１と第２のレンズ部
を配置する場合でも、これらのレンズ部等がチップキャ
リアにぶつかるおそれが減少し、これらのレンズ部等を
高い光の結合効率が得られる位置に容易に配置すること
ができる。By configuring the chip carrier in this way,
Even when the first and second lens units are arranged while being fixed to the holder (first and second), the possibility that these lens units or the like hit the chip carrier is reduced, and these lens units or the like are exposed to high light. It can be easily arranged at a position where the coupling efficiency can be obtained.
【００４８】また、この発明の、好ましい別な態様とし
ては、複数の電気絶縁層および高周波電気配線から構成
される多層の高周波電気配線用基板と、この基板を固定
するためのベースキャリアとから構成される高周波用チ
ップキャリアに、半導体光制御素子を実装する構造にお
いて、先端部にテーパ部を有する高周波電気配線用基板
を使用して、この実装構造を構成してあることである。Another preferred embodiment of the present invention comprises a multilayer high-frequency electric wiring board composed of a plurality of electric insulating layers and high-frequency electric wiring, and a base carrier for fixing the substrate. In the structure for mounting a semiconductor light control element on a high-frequency chip carrier, a high-frequency electric wiring substrate having a tapered portion at a tip end is used to configure the mounting structure.
【００４９】そして、この高周波電気配線用基板には、
前記高周波電気配線と平行に対向するように、電気絶縁
層を介して中間グランド層が設けてあり、さらに、この
中間グランド層と最下面に設けられたグランド層とを、
電気的に導通させるためのスルーホールが設けてある。The substrate for high-frequency electric wiring includes:
An intermediate ground layer is provided via an electrical insulating layer so as to face the high-frequency electric wiring in parallel, and further, the intermediate ground layer and a ground layer provided on the lowermost surface are provided,
A through hole for electrical conduction is provided.
【００５０】また、この実装構造においては、高周波電
気配線用基板に半導体光制御素子を搭載するのに、この
半導体光制御素子と、基板に形成された高周波電気配線
とを、ボンディングワイヤにより電気接続して構成して
ある。In this mounting structure, when the semiconductor optical control element is mounted on the high-frequency electric wiring substrate, the semiconductor optical control element and the high-frequency electric wiring formed on the substrate are electrically connected by bonding wires. It is configured.
【００５１】このように、半導体光制御素子の実装構造
を構成すれば、使用する高周波電気配線用基板の先端部
にテーパ部が設けられて、高周波電気配線用基板の半導
体光制御素子と対向する部分の幅が狭くなっているた
め、レンズ部の配置性が向上し、半導体光制御素子とレ
ンズ部との間で、高い光の結合効率が得られる。In this way, when the semiconductor light control element mounting structure is configured, a tapered portion is provided at the tip of the high-frequency electric wiring substrate to be used, and the tapered portion is opposed to the semiconductor light control element of the high-frequency electric wiring substrate. Since the width of the portion is narrow, the disposition of the lens portion is improved, and high light coupling efficiency can be obtained between the semiconductor light control element and the lens portion.
【００５２】また、高周波電気配線用基板の幅が狭くな
った分、半導体光制御素子に素子長の調整のための導波
路を設ける必要もなくなり、導波路を設けること無く半
導体光制御素子を使用することができる。Further, since the width of the high-frequency electric wiring substrate is reduced, it is not necessary to provide a waveguide for adjusting the element length in the semiconductor optical control element, and the semiconductor optical control element can be used without providing a waveguide. can do.
【００５３】さらに、高周波電気配線用基板の幅が狭く
なっているにもかかわらず、一定の値の特性インピーダ
ンスが得られることにより、半導体光制御素子により変
調された光信号を安定して伝送することができる。Further, even though the width of the high-frequency electric wiring board is narrow, a constant value of characteristic impedance is obtained, so that the optical signal modulated by the semiconductor light control element is transmitted stably. be able to.
【００５４】なお、かかる実装構造において、ボンディ
ングワイヤにより高周波電気配線と半導体光制御素子と
を電気接続しているのは、従来の接続方法として実績が
あるためである。In such a mounting structure, the high-frequency electric wiring and the semiconductor optical control element are electrically connected to each other by the bonding wire because of a proven track record as a conventional connection method.
【００５５】また、この発明の、好ましい別な態様とし
ては、高周波電気配線用基板が、さらに、第１の基板と
第２の基板とに離間して二分割してあるものを使用する
ことである。そして、搭載される半導体光制御素子は、
これらの第１の基板と第２の基板との間のキャリアベー
ス上に配置固定してあることが良い。In another preferred embodiment of the present invention, the high-frequency electric wiring substrate is further divided into two parts, a first substrate and a second substrate. is there. And the semiconductor light control element to be mounted is
It is preferable that the first substrate and the second substrate are arranged and fixed on a carrier base.
【００５６】かかる半導体光制御素子の実装構造によれ
ば、既に説明したように、第２の基板に薄膜抵抗器を設
けることができるため、この薄膜抵抗器と半導体光制御
素子との距離を一定以上離すことができ、よって、半導
体光制御素子に対する、薄膜抵抗器の発熱の影響を少な
くすることができる。According to the mounting structure of the semiconductor light control element, as described above, since the thin film resistor can be provided on the second substrate, the distance between the thin film resistor and the semiconductor light control element can be kept constant. Thus, the influence of the heat generation of the thin-film resistor on the semiconductor light control element can be reduced.
【００５７】また、第２の基板に薄膜抵抗器を設けるこ
とにより、薄膜抵抗器を高周波電気配線の末端付近の、
半導体光制御素子と近接した位置に設ける必要がなくな
り、半導体光制御素子と薄膜抵抗器とを過ってボンディ
ングワイヤにより、電気接続することもない。Further, by providing the thin film resistor on the second substrate, the thin film resistor can be placed near the end of the high-frequency electrical wiring.
There is no need to provide the semiconductor light control element in a position close to the semiconductor light control element, and the semiconductor light control element is not electrically connected to the thin film resistor by a bonding wire.
【００５８】さらに、第１の基板上に配線された第１の
高周波電気配線と半導体光制御素子とをボンディングワ
イヤにより電気接続する際に、構成上、同時に、ボンデ
ィングワイヤにより、第２の基板に配線された第２の高
周波電気配線と半導体光制御素子とを電気接続すること
も可能となり、製造上も有利である。Further, when the first high-frequency electrical wiring wired on the first substrate and the semiconductor optical control element are electrically connected by the bonding wire, the second wiring is simultaneously connected to the second substrate by the bonding wire. It is also possible to electrically connect the wired second high-frequency electrical wiring to the semiconductor light control element, which is advantageous in manufacturing.
【００５９】[0059]
【発明の実施の形態】以下、図１〜８を参照して、この
発明の実施の形態につき説明する。なお、図１〜８は、
この発明が理解できる程度に各構成要素の形状、大きさ
及び配置関係を概略的に示してあるにすぎないことは言
うまでもない。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. In addition, FIGS.
It goes without saying that the shapes, sizes and arrangements of the components are only schematically shown to the extent that the present invention can be understood.
【００６０】まず、図１は、この発明の高周波用チップ
キャリア（以下、チップキャリア）の構造を説明するた
めの図である。図１（Ａ）は、チップキャリアを概略的
に示す平面図である。また、図１（Ｂ）は、図１（Ａ）
におけるチップキャリアの側面図である。First, FIG. 1 is a view for explaining the structure of a high-frequency chip carrier (hereinafter, chip carrier) according to the present invention. FIG. 1A is a plan view schematically showing a chip carrier. FIG. 1B is a view similar to FIG.
3 is a side view of the chip carrier in FIG.
【００６１】なお、このチップキャリアには、種々の半
導体光制御素子が実装可能であり、この半導体光制御素
子の種類として、光変調素子や光スイッチ等の種々のも
のがあるが、以下の説明では、一例として、光変調素子
の場合について説明する。Various semiconductor light control elements can be mounted on the chip carrier. There are various types of semiconductor light control elements such as an optical modulation element and an optical switch. Then, the case of a light modulation element will be described as an example.
【００６２】図１（Ａ）および図１（Ｂ）に示すチップ
キャリア１０は、キャリアベース１４と、このキャリア
ベース１４の上に固定された、多層の高周波電気配線用
基板１２とを備えている。The chip carrier 10 shown in FIGS. 1A and 1B includes a carrier base 14 and a multilayer high-frequency electric wiring substrate 12 fixed on the carrier base 14. .
【００６３】そして、ここで説明する例では、高周波電
気配線用基板１２は第１の基板１２ａと第２の基板１２
ｂとに離間して二分割された構成となっている。In the example described here, the high-frequency electric wiring substrate 12 is composed of the first substrate 12a and the second substrate 12a.
b and is divided into two parts.
【００６４】この第１の基板１２ａの、キャリアベース
１４とは反対側の表面には、光変調素子２６に対して、
高周波電源（図示せず。）から高周波（高周波電力）を
印加するための第１の高周波電気配線１８を配線してあ
る。一方、第２の基板１２ｂの表面には、終端抵抗とし
ての薄膜抵抗器２２が端部に設けられた第２の高周波電
気配線２０が配線してある。なお、薄膜抵抗器２２に
は、断面図ではないが、これを強調して示すために、ハ
ッチングを付してある。On the surface of the first substrate 12 a opposite to the carrier base 14,
A first high-frequency electric wiring 18 for applying a high frequency (high-frequency power) from a high-frequency power supply (not shown) is wired. On the other hand, on the surface of the second substrate 12b, a second high-frequency electric wiring 20 having a thin-film resistor 22 as a terminating resistor provided at an end is wired. Although not shown in cross section, the thin film resistor 22 is hatched to emphasize it.
【００６５】このように、基板が二分割されて、離間さ
れた高周波電気配線用基板１２（１２ａ、１２ｂ）間
に、空間が設けられ、この空間に一部露出したキャリア
ベース１４上に、半導体光制御素子としての光変調素子
２６を直接、半田等を用いて配置固定できる。As described above, the space is provided between the high-frequency electric wiring substrates 12 (12a, 12b) which are divided into two parts and are separated from each other. The light modulation element 26 as a light control element can be directly arranged and fixed using solder or the like.
【００６６】また、ここで説明する構成例では、上述し
た第１の基板１２ａおよび第２の基板１２ｂの、互いに
対向する側、すなわち、光変調素子２６と対向する側
の、それぞれの先端部をテーパ状（先細形状）にして、
テーパ部１６を形成してある。このテーパ部１６は、そ
れぞれの第１の基板１２ａおよび第２の基板１２ｂの、
光変調素子２６とは反対側の端（この端を末端と称す
る。）から、光変調素子２６に対向する側の端（この端
を先端と称する。）に向かうにしたがって、第１の基板
１２ａおよび、第２の基板１２ｂの幅を、それぞれ順次
に狭めていって構成している。但し、この場合、第１の
基板１２ａおよび第２の基板１２ｂのテーパ部１６のキ
ャリアベース１４の厚さは、それぞれ同一として変えて
いない。Also, in the configuration example described here, the respective ends of the first substrate 12a and the second substrate 12b facing each other, that is, on the side facing the light modulation element 26, are connected to each other. Taper shape (tapered shape)
A tapered portion 16 is formed. The tapered portion 16 is formed between the first substrate 12a and the second substrate 12b.
The first substrate 12a moves from an end opposite to the light modulation element 26 (this end is referred to as an end) to an end opposite to the light modulation element 26 (this end is referred to as a front end). In addition, the width of the second substrate 12b is sequentially reduced. However, in this case, the thicknesses of the carrier bases 14 of the tapered portions 16 of the first substrate 12a and the second substrate 12b are not changed.
【００６７】そして、また、高周波電気配線用基板１２
のうち、少なくとも第１の基板１２ａは、後述するよう
に、内部に、図４〜図７に示すように、中間グランド層
５４が設けられた基板である。この中間グランド層５４
は、高周波電気配線用基板１２の最下面に設けられたグ
ランド層５２と、電気的にグランド接続されており、い
わゆるマイクロストリップライン構造を形成してある。Further, the high-frequency electric wiring substrate 12
Among them, at least the first substrate 12a is a substrate in which an intermediate ground layer 54 is provided as shown in FIGS. 4 to 7 as described later. This intermediate ground layer 54
Is electrically connected to ground with a ground layer 52 provided on the lowermost surface of the high-frequency electric wiring substrate 12, and has a so-called microstrip line structure.
【００６８】よって、光変調素子２６に近接（対向）す
る高周波電気配線用基板１２の幅、この場合は、高周波
が伝播される方向と交わる方向における、この基板１２
の幅や第１の高周波電気配線１８の幅が、テーパ部１６
を設けたために狭くなっているにもかかわらず、一定の
値の特性インピーダンスが得られる。Therefore, the width of the high-frequency electrical wiring substrate 12 close to (opposed to) the light modulation element 26, in this case, the width of the substrate 12 in the direction intersecting with the direction in which the high-frequency wave propagates.
The width of the first high-frequency electrical wiring 18 and the width of the
, A constant value of characteristic impedance can be obtained despite the narrowing.
【００６９】そして、また、この例では、図２および図
３に示すように、第１のレンズ部３６、第２のレンズ部
３８およびこれらのレンズ部３６、３８を固定するため
の第１および第２のレンズホルダ４０、４２を、チップ
キャリア１０の側方の位置まで近接することができるた
め、光変調素子２６と、第１のレンズ部３６および第２
のレンズ部３８との間で、それぞれ高い光の結合効率が
得られる。In this example, as shown in FIGS. 2 and 3, a first lens portion 36, a second lens portion 38, and first and second lens portions 36, 38 for fixing these lens portions 36, 38 are provided. Since the second lens holders 40 and 42 can be brought close to the side of the chip carrier 10, the light modulation element 26, the first lens unit 36 and the second
And a high light coupling efficiency can be obtained.
【００７０】ここで、高周波電気配線用基板１２の先端
部におけるテーパ部１６の形態に関して説明する。すな
わち、テーパ部１６の側縁が、基板の末端から先端へ向
かう方向となす角度や外形は特に限定されるものでな
い。例えば、テーパ部１６の角度は、好ましくは、この
基板１２ａの使い勝手から決定することが良く、また、
この基板１２ａの外形に関して、直線状でも、階段状で
も、あるいは曲線状であっても良い。Here, the form of the tapered portion 16 at the tip of the high-frequency electrical wiring substrate 12 will be described. That is, the angle and the outer shape that the side edge of the tapered portion 16 makes with the direction from the end to the tip of the substrate are not particularly limited. For example, the angle of the tapered portion 16 is preferably determined from the usability of the substrate 12a.
The outer shape of the substrate 12a may be linear, stepped, or curved.
【００７１】よって、より具体的には、ワイヤボンディ
ング作業の容易性から、テーパ部１６の先端部の基板幅
は５０〜１００μｍの範囲内の値とし、レンズ等の配置
性や基板の特性インピーダンスの最適化の観点から、テ
ーパ部１６の長さは３００〜１５００μｍの範囲内の値
とし、および現行使用されている高周波電気配線用基板
の幅等を考慮して、テーパ部１６に至るまでの直線状の
基板幅は、２００〜４００μｍの範囲内の値となるよう
に定めることが良い。Therefore, more specifically, for ease of wire bonding work, the substrate width at the tip of the tapered portion 16 is set to a value within the range of 50 to 100 μm, and the arrangement of lenses and the like and the characteristic impedance of the substrate are reduced. From the viewpoint of optimization, the length of the tapered portion 16 is set to a value within the range of 300 to 1500 μm, and the straight line extending to the tapered portion 16 is considered in consideration of the width of the currently used high-frequency electric wiring board. The width of the substrate is preferably set to a value within the range of 200 to 400 μm.
【００７２】なお、テーパ部１６の形成方法としては、
高周波電気配線用基板１２を製造する際にテーパ状の型
を用いて作ることもできるし、また、概ね矩形状の高周
波電気配線用基板１２を製造した後に、切削装置により
切削、研磨等して作成することも良い。The method of forming the tapered portion 16 is as follows.
When manufacturing the high-frequency electrical wiring substrate 12, it can be made using a tapered mold, or after manufacturing the generally rectangular high-frequency electrical wiring substrate 12, cutting and polishing with a cutting device. It is also good to create.
【００７３】また、この例では、図１（Ｂ）に示すよう
に、高周波電気配線用基板１２（１２ａ、１２ｂ）のテ
ーパ部１６の下方の、キャリアベース１４の側面部に
は、円錐状（すりばち状）の座ぐり３０を設けてある。In this example, as shown in FIG. 1 (B), the side surface of the carrier base 14 below the tapered portion 16 of the high-frequency electrical wiring board 12 (12a, 12b) has a conical shape. A (surveyed) counterbore 30 is provided.
【００７４】このような構成を取ることにより、図２お
よび３に示すように、第１のレンズ部３６、第２のレン
ズ部３８およびこれらのレンズ部３６、３８を固定する
ための第１および第２のレンズホルダ４０、４２が、チ
ップキャリア１０の側方に近接してもぶつからず、光変
調素子２６と、第１のレンズ部３６および第２のレンズ
部３８との間で、それぞれ、より最適な光の結合効率が
得られる。By adopting such a configuration, as shown in FIGS. 2 and 3, the first lens portion 36, the second lens portion 38 and the first and second lens portions 36, 38 for fixing these lens portions 36, 38 are formed. The second lens holders 40, 42 do not collide with each other even when approaching the side of the chip carrier 10, and between the light modulation element 26, the first lens unit 36, and the second lens unit 38, respectively, More optimal light coupling efficiency can be obtained.
【００７５】ここで、座ぐり３０の形態も特に限定され
るものではないが、好ましくは、例えば、レンズ（レン
ズ部）の形状に合致させて曲面部とすることが良い。ま
た、座ぐり３０の深さとしても、レンズ（レンズ部）の
配置性等を考慮して定めることが好ましいが、具体的に
は、例えば、０．１〜３．０ｍｍの範囲内の値とするの
が良い。座ぐり３０の深さがかかる範囲内の値であれ
ば、よりレンズ（レンズ部）の配置の困難性が解消され
るとともに、半導体光制御素子としての光変調素子２６
の実装も困難とならないためである。Here, the shape of the spot facing 30 is not particularly limited. However, it is preferable that the spot facing 30 is formed into a curved surface in accordance with the shape of the lens (lens), for example. In addition, it is preferable that the depth of the counterbore 30 is determined in consideration of the disposition of the lens (lens portion) and the like, but specifically, for example, a value in a range of 0.1 to 3.0 mm is set. Good to do. If the depth of the counterbore 30 is within the above range, the difficulty of disposing the lens (lens portion) is further eliminated, and the light modulation element 26 as a semiconductor light control element is used.
Is not difficult to implement.
【００７６】よって、レンズ（レンズ部）の配置性の困
難性と、光変調素子２６の実装の容易性のバランスがよ
り好ましい観点から、座ぐり３０の深さとしては、０．
２〜２．０ｍｍの範囲内の値であり、最適には０．５〜
１．０ｍｍの範囲内の値である。Therefore, from the viewpoint that the balance between the difficulty in disposing the lens (lens portion) and the ease of mounting the light modulation element 26 is more preferable, the depth of the spot facing 30 is set to 0.1.
The value is in the range of 2 to 2.0 mm, and optimally 0.5 to
This is a value within the range of 1.0 mm.
【００７７】なお、この発明のチップキャリア１０にお
いて、図１（Ａ）および図１（Ｂ）を参照して説明した
ように、光変調素子２６は、第１の高周波電気配線１８
と第２の高周波電気配線２０との間に露出した、キャリ
アベース１４上に配置固定されている。よって、キャリ
アベース１４の高さを調節することにより、半導体光制
御素子としての光変調素子２６と高周波電気配線用基板
１２の上面の高さとを、ほぼ一致させることができる。In the chip carrier 10 according to the present invention, as described with reference to FIGS. 1A and 1B, the light modulating element 26 includes the first high-frequency electric wiring 18.
And the second high-frequency electric wiring 20, which is exposed and fixed on the carrier base 14. Therefore, by adjusting the height of the carrier base 14, the height of the light modulation element 26 as the semiconductor light control element and the height of the upper surface of the high-frequency electrical wiring substrate 12 can be substantially matched.
【００７８】すなわち、このようにキャリアベース１４
の高さを調節すれば、光変調素子２６と第１の高周波電
気配線１８および第２の高周波電気配線２０とを、それ
ぞれボンディングワイヤ２４によって、均一に電気接続
することが可能となる。That is, the carrier base 14
By adjusting the height, the light modulation element 26 and the first high-frequency electric wiring 18 and the second high-frequency electric wiring 20 can be uniformly electrically connected by the bonding wires 24, respectively.
【００７９】ここで、キャリアベース１４は、高周波電
気配線用基板１２を固定し、実装する半導体光制御素
子、例えば光変調素子２６の、高さ方向の位置の調整の
ために主として用いられている。よって、キャリアベー
ス１４の材料や形態は特に限定されるものではないが、
銅あるいは銅合金等を用いて形成してあり、また、図２
および３に示すように、第１のレンズ部３６、第２のレ
ンズ部３８およびこれらのレンズ部３６、３８を固定す
るための第１および第２のレンズホルダ４０、４２が、
チップキャリア１０の側方に近接してもぶつからないよ
うに、例えば台形状に作られているのが良い。Here, the carrier base 14 is mainly used for adjusting the position in the height direction of the semiconductor light control element, for example, the light modulation element 26 on which the high-frequency electric wiring board 12 is fixed and mounted. . Therefore, although the material and form of the carrier base 14 are not particularly limited,
It is formed using copper or a copper alloy or the like.
As shown in FIGS. 3 and 3, the first lens portion 36, the second lens portion 38, and the first and second lens holders 40, 42 for fixing these lens portions 36, 38 include:
For example, it is good to be made in trapezoid so that it may not hit even if it approaches the side of chip carrier 10.
【００８０】以上のとおり、図１の（Ａ）および（Ｂ）
に示す構成のチップキャリア１０を用いると、高周波電
気配線用基板１２の先端部の幅が狭いため、長さ調整の
ために、導波路を光変調素子に設ける必要がなくなり、
導波路のない光変調素子２６をそのまま実装することが
できる。As described above, FIGS. 1A and 1B
When the chip carrier 10 having the structure shown in FIG. 1 is used, the width of the distal end of the high-frequency electrical wiring substrate 12 is narrow, so that it is not necessary to provide a waveguide on the light modulation element for length adjustment.
The light modulation element 26 without a waveguide can be mounted as it is.
【００８１】また、高周波電気配線用基板１２の先端部
にテーパ部１６が設けてあり、先端部の幅が狭いにもか
かわらず、この高周波電気配線用基板１２のテーパ部１
６の長さ方向に渡って、特性インピーダンスが一定にな
る。したがって、この高周波電気配線用基板１２に実装
される半導体光制御素子、例えば光変調素子２６に対し
て、高周波電力が印加された場合に、この光変調素子２
６は、安定して、入力された光を所定の光信号に変調す
ることが可能となる。Further, a tapered portion 16 is provided at the distal end of the high-frequency electric wiring substrate 12, so that the tapered portion 1 of the high-frequency electric wiring substrate 12 has a small width at the distal end.
6, the characteristic impedance becomes constant over the length direction. Therefore, when high-frequency power is applied to the semiconductor light control element, for example, the light modulation element 26 mounted on the high-frequency electric wiring board 12, the light modulation element 2
6 can stably modulate the input light into a predetermined optical signal.
【００８２】さらに、この発明の高周波電気配線用基板
１２が、光モジュールに使用された場合に、レンズ部等
の配置性が向上し、高周波電気配線用基板１２の側方に
近接できるため、光変調素子２６と第１のレンズ部３６
および第２のレンズ部３８との間で、それぞれ高い光の
結合効率が得られる。Further, when the high-frequency electric wiring board 12 of the present invention is used for an optical module, the arrangement of the lens portion and the like is improved and the high-frequency electric wiring board 12 can be brought close to the side of the high-frequency electric wiring board 12. Modulating element 26 and first lens unit 36
A high light coupling efficiency is obtained between the second lens unit 38 and the second lens unit 38.
【００８３】また、この発明のチップキャリア１０にお
いては、終端抵抗としての薄膜抵抗器２２を、第２の高
周波電気配線２０を介して、光変調素子２６から、一定
距離離して設けることができる。よって、この薄膜抵抗
器２２の発熱の影響を受けずに、高周波電源（図示せ
ず）等と半導体光制御素子、例えば光変調素子２６との
間のインピーダンスマッチングを図ることができる。Further, in the chip carrier 10 of the present invention, the thin film resistor 22 as a terminating resistor can be provided at a fixed distance from the light modulation element 26 via the second high-frequency electric wiring 20. Therefore, impedance matching between a high-frequency power supply (not shown) or the like and a semiconductor light control element such as the light modulation element 26 can be achieved without being affected by the heat generated by the thin film resistor 22.
【００８４】そして、さらには、薄膜抵抗器２２は、第
１の高周波用電気配線１８に並列することなく薄膜抵抗
器２２が設けられているため、基板先端部のテーパ部１
６の幅を、より狭くすることも可能となる。Further, since the thin film resistor 22 is provided without being parallel to the first high-frequency electric wiring 18, the tapered portion 1 at the front end of the substrate is provided.
It is also possible to make the width of 6 smaller.
【００８５】次に、図２および図３を用いて、この発明
のチップキャリア１０に、半導体光制御素子として、光
変調素子２６を実装して、第１および第２のレンズ部３
６、３８と組み合わせて構成した光モジュール１００に
ついて説明する。Next, referring to FIGS. 2 and 3, a light modulation element 26 is mounted on the chip carrier 10 of the present invention as a semiconductor light control element, and the first and second lens units 3 are mounted.
The optical module 100 configured in combination with the optical modules 6 and 38 will be described.
【００８６】まず、図２は、この発明の高周波用の、チ
ップキャリア１０を用いて構成した実装構造の一例を説
明するための、光モジュール１００の平面図を示してい
る。First, FIG. 2 is a plan view of an optical module 100 for explaining an example of a mounting structure constituted by using the high-frequency chip carrier 10 of the present invention.
【００８７】そして、光モジュール１００は、パッケー
ジ４６の蓋を取り除いて示してあり、光源（図示せず）
から出射された光を、この光モジュール１００に正確に
入射させるための入力用光ファイバ３２と、光変調素子
２６から出射された光を外部に取り出すための出力用光
ファイバ３４と、半導体光制御素子としての光変調素子
２６と、光変調素子２６の入力側に光を集光させるため
の第１のレンズ部３６と、光変調素子２６から出射され
た光を再び集光させるための第２のレンズ部３８と、こ
の光変調素子２６に高周波電力を印加して駆動するため
の電気的入出力部（高周波コネクタ）４４と、および光
変調素子２６を搭載するチップキャリア１０とを少なく
とも備えている。The optical module 100 is shown with the lid of the package 46 removed, and a light source (not shown)
An input optical fiber 32 for accurately inputting light emitted from the optical module 100 to the optical module 100; an output optical fiber 34 for extracting light emitted from the light modulation element 26 to the outside; A light modulation element 26 as an element, a first lens unit 36 for condensing light on an input side of the light modulation element 26, and a second lens unit 36 for condensing light emitted from the light modulation element 26 again. At least a lens section 38, an electrical input / output section (high-frequency connector) 44 for applying and driving high-frequency power to the light modulation element 26, and the chip carrier 10 on which the light modulation element 26 is mounted. I have.
【００８８】そして、図３は、図２の光モジュール１０
０におけるＸ−Ｘ線に相当する部分に沿って切断したと
きの断面図であるが、図２と同様にパッケージ４６の蓋
をはずして示してある。FIG. 3 shows the optical module 10 of FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view taken along a portion corresponding to the line XX in FIG. 0, but shows the package 46 with the lid removed, as in FIG.
【００８９】この図に示す構成例では、前述した構成
の、入力用光ファイバ３２、第１のレンズ部３６、光変
調素子２６、第２のレンズ部３８および出力用光ファイ
バ３４の光軸が一致するように、それぞれの構成要素を
配置してある。そして、入力用光ファイバ３２および出
力用光ファイバ３４は、それぞれパッケージ４６に接続
固定してある。In the configuration example shown in this figure, the optical axes of the input optical fiber 32, the first lens unit 36, the light modulation element 26, the second lens unit 38, and the output optical fiber 34 of the above-described configuration are the same. Each component is arranged so as to match. The input optical fiber 32 and the output optical fiber 34 are connected and fixed to a package 46, respectively.
【００９０】また、図示の構成例では、このパッケージ
４６の底部に電子冷却素子４８を設けて、その電子冷却
素子４８の上には、ベース５６をさらに設けてあり、こ
のベース５６の上に、第１および第２のレンズ部３６、
３８をそれぞれ固定するための、第１および第２のレン
ズホルダ４０、４２およびキャリアベース１４が、半田
等の通常の固定手段を用いて固定してある。In the configuration example shown in the figure, an electronic cooling element 48 is provided at the bottom of the package 46, and a base 56 is further provided on the electronic cooling element 48. On the base 56, First and second lens units 36,
The first and second lens holders 40 and 42 and the carrier base 14 for fixing the respective 38 are fixed using ordinary fixing means such as solder.
【００９１】すなわち、このパッケージ４６内には、ベ
ース５６を介して、電子冷却素子４８の上側に取り付け
たチップキャリア１０と、このチップキャリア１０に搭
載された光変調素子２６とが収容してある。That is, the chip carrier 10 mounted on the upper side of the electronic cooling element 48 via the base 56 and the light modulation element 26 mounted on the chip carrier 10 are accommodated in the package 46. .
【００９２】そして、この光変調素子２６は、ボンディ
ングワイヤ２４を用いて、チップキャリア１０の一部を
構成する高周波電気配線用基板１２（１２ａ）の表面に
配線された、第１の高周波電気配線（高周波ライン）１
８と電気的に接続されている。The light modulating element 26 is connected to the first high-frequency electric wiring substrate 12 (12a) constituting a part of the chip carrier 10 using the bonding wires 24. (High frequency line) 1
8 are electrically connected.
【００９３】そして、さらには、この第１の高周波電気
配線１８の先には、電気的入出力部の一部分である高周
波コネクタ４４が接続されており、その先には、高周波
電力を印加するための高周波電源（図示せず）が接続さ
れている。Further, a high-frequency connector 44, which is a part of an electric input / output unit, is connected to the end of the first high-frequency electric wiring 18, and a high-frequency power is applied to the end. High-frequency power supply (not shown) is connected.
【００９４】このように光モジュール１００が構成され
ているため、この光モジュール例では、光源（図示せ
ず）から出射された光が、入力用光ファイバ３２に導入
され、第１のレンズホルダ４０に固定されて位置決めさ
れた第１のレンズ部３６により、効率よく集光されて、
光変調素子２６の一端に導入される。そして、この光変
調素子２６において、高周波電源（図示せず）から印加
された高周波電力により所定の光信号に変調される。Since the optical module 100 is configured as described above, in this example of the optical module, the light emitted from the light source (not shown) is introduced into the input optical fiber 32 and the first lens holder 40. The first lens portion 36 fixed and positioned at
The light is introduced to one end of the light modulation element 26. Then, in the light modulation element 26, the light is modulated into a predetermined optical signal by high-frequency power applied from a high-frequency power supply (not shown).
【００９５】その後、変調されて信号化された光は、第
２のレンズホルダ４２に固定されて位置決めされた第２
のレンズ部３８により、再び効率よく集光されて、出力
用光ファイバ３４に導入されて、外部に光信号として出
射する（取り出す）ことができる。Thereafter, the modulated and signalized light is fixed to the second lens holder 42 and the second light is positioned.
The light is efficiently condensed again by the lens unit 38, is introduced into the output optical fiber 34, and is emitted (extracted) as an optical signal to the outside.
【００９６】その他、この発明のチップキャリア１０
は、周囲の温度変化や薄膜抵抗器２２の発熱が生じたと
しても、ベース５６を介して設けられた電子冷却素子４
８上により、一定温度に保たれる。In addition, the chip carrier 10 of the present invention
Means that the electronic cooling element 4 provided via the base 56 can be used even if the ambient temperature changes or the thin-film resistor 22 generates heat.
8 keeps the temperature constant.
【００９７】次に、この発明のチップキャリア１０にお
ける高周波電気配線用基板１２について、図４〜７を用
いてより詳細に説明する。Next, the high-frequency electric wiring substrate 12 in the chip carrier 10 of the present invention will be described in more detail with reference to FIGS.
【００９８】なお、以下の説明は、高周波電気配線用基
板１２が二分割された場合の第１の基板１２ａについて
行う。そして、第２の基板１２ｂについては、基本的に
第１の基板１２ａと同様のマイクロストリップライン構
造を有する基板の構成をとることもできるし、あるい
は、中間グランド層を設けずに、単層の電気絶縁層の表
面に第２の高周波電気配線が備えられた基板の構成を取
ることも可能である。The following description will be made with respect to the first substrate 12a when the high-frequency electric wiring substrate 12 is divided into two parts. And about the 2nd board | substrate 12b, the structure of the board | substrate which has a microstrip line structure basically similar to the 1st board | substrate 12a can also be taken, or a single layer without an intermediate ground layer is provided. It is also possible to take a configuration of a substrate provided with the second high-frequency electric wiring on the surface of the electric insulating layer.
【００９９】図４は、この発明の第１の実施例のチップ
キャリア１０における高周波電気配線用基板１２のうち
の第１の基板１２ａを説明するための断面図であり、こ
の第１の基板１２ａは、ａ〜ｇの各層を備えていること
を示す。FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining the first substrate 12a of the high-frequency electric wiring substrate 12 in the chip carrier 10 according to the first embodiment of the present invention. Indicates that each of the layers a to g is provided.
【０１００】そして、ａ層は、第１の基板１２ａの表面
層であり、第１の高周波電気配線１８および電気絶縁層
２８ａを備えている。また、ｂ〜ｇの各層は、絶縁層２
８ｂ〜２８ｇを有していて、各層の間、すなわち、互い
に重なり合う表面の先端から内側へと、中間グランド層
５４を部分的に存在させて設けてある。なお、この図４
の構成例では、中間グランド層５４のそれぞれの長さを
各層ごとに変えてある。The a layer is a surface layer of the first substrate 12a, and includes the first high-frequency electric wiring 18 and the electric insulating layer 28a. Each of the layers b to g is an insulating layer 2
8b to 28g, and an intermediate ground layer 54 is provided partially between the layers, that is, from the front end of the overlapping surface to the inside. Note that FIG.
In the configuration example, the length of the intermediate ground layer 54 is changed for each layer.
【０１０１】そして、さらに、最下層のｇ層の裏面に
は、グランド層５２が全面的に設けられている。なお、
図中、Ａ部がテーパ部（先端部）１６を示し、Ｂ部が、
このテーパ部１６に至る第１の基板１２ａの等幅の部
分、すなわち直線部を示している。その他、図４中、各
電気絶縁層を２８で代表して示す。Further, a ground layer 52 is entirely provided on the back surface of the lowermost g layer. In addition,
In the figure, part A shows a tapered part (tip part) 16, and part B shows
The portion of the first substrate 12a reaching the tapered portion 16 has the same width, that is, a straight portion. In addition, in FIG. 4, each electric insulating layer is represented by 28.
【０１０２】また、第１の基板１２ａのｂ〜ｇの各層に
は、グランド層５２から各中間グランド層５４に達する
スルーホール５０が、個別に設けられており、それぞれ
の中間グランド層５４に達するまでに設けられた、それ
ぞれのスルーホール５０を介して、各中間グランド層５
４と、最下層のｇ層の裏面に設けられたグランド層５２
とが、互いに独立してグランド接続されている。In each of the layers b to g of the first substrate 12a, through holes 50 extending from the ground layer 52 to the respective intermediate ground layers 54 are individually provided, and reach the respective intermediate ground layers 54. Through each of the intermediate ground layers 5
4 and a ground layer 52 provided on the back surface of the lowermost g layer.
And are independently grounded.
【０１０３】ここで、第１の基板１２ａの層数は、特に
限定されるものではないが、例えば２〜２０層とするの
が良い。かかる範囲であれば、第１の基板１２ａについ
て、全体に特性インピーダンスが一定になりやすく、ま
た製造もそれほど困難とならず、基板全体の厚さも適当
な値となるためである。Here, the number of layers of the first substrate 12a is not particularly limited, but is preferably, for example, 2 to 20 layers. Within this range, the characteristic impedance of the first substrate 12a as a whole tends to be constant throughout, the manufacturing is not so difficult, and the thickness of the entire substrate also has an appropriate value.
【０１０４】よって、第１の基板１２ａにテーパ部を設
けた場合でも、第１の基板１２ａについて特性インピー
ダンスがより一定になりやすく、また基板全体の厚さが
より適当となることから、第１の基板１２ａの層数とし
ては、３〜１０の範囲内、最適には、５〜８の範囲内の
数とするのが良い。Therefore, even when the first substrate 12a is provided with a tapered portion, the characteristic impedance of the first substrate 12a tends to be more constant and the thickness of the entire substrate becomes more appropriate. The number of layers of the substrate 12a is preferably in the range of 3 to 10, and most preferably in the range of 5 to 8.
【０１０５】なお、第１の基板１２ａを構成する各層の
厚さは、例えば１０〜５００μｍの範囲内の値とするの
が良い。各層の厚さが、かかる範囲内の値であれば、キ
ャリアべース上に複数の層を積層形成しても過度に厚く
なることがなく、また、積層工程も容易なためである。
よって、基板全体の厚さと積層工程の容易さのバランス
がより良好な観点から、第１の基板１２ａを構成する各
層の厚さとしては、５０〜３００μｍの範囲内、最適に
は、７０〜２００μｍの範囲内の値とすることが良い。The thickness of each layer constituting the first substrate 12a is preferably set to a value within a range of, for example, 10 to 500 μm. If the thickness of each layer is within such a range, even if a plurality of layers are formed on the carrier base, the layers do not become excessively thick, and the lamination process is easy.
Therefore, from the viewpoint of better balance between the thickness of the entire substrate and the easiness of the lamination process, the thickness of each layer constituting the first substrate 12a is in the range of 50 to 300 μm, and optimally 70 to 200 μm. It is good to set the value within the range.
【０１０６】また、上述した中間グランド層５４は、マ
イクロストリップライン構造を形成して、一定の値の特
性インピーダンスを得るために設けられている。The above-mentioned intermediate ground layer 54 is provided to form a microstrip line structure and obtain a constant value of characteristic impedance.
【０１０７】ここで、中間グランド層５４の材料や製造
方法は特に限定されるものではない。例えば、タングス
テン、クロム等の耐熱性材料を用いて、いわゆる厚膜方
法等により、容易に作成することができる。そして、中
間グランド層５４の厚さは、０．１〜１００μｍの範囲
内の値とすることが好ましい。Here, the material and manufacturing method of the intermediate ground layer 54 are not particularly limited. For example, it can be easily formed by a so-called thick film method using a heat-resistant material such as tungsten or chromium. The thickness of the intermediate ground layer 54 is preferably set to a value within the range of 0.1 to 100 μm.
【０１０８】中間グランド層５４の厚さが、かかる範囲
内の値であれば、製造上のコントロールも容易であり、
また、高周波電気配線用基板の厚さも過度に厚くなるこ
とがないためである。よって、基板全体の厚さと積層工
程の容易さのバランスがより好ましい観点から、中間グ
ランド層５４の厚さとしては、より好ましくは、０．５
〜５０μｍ、最適には、１〜２０μｍの範囲内の値であ
る。If the thickness of the intermediate ground layer 54 is within the above range, manufacturing control is easy, and
Further, the thickness of the high-frequency electric wiring substrate is not excessively increased. Therefore, from the viewpoint that the balance between the thickness of the entire substrate and the ease of the laminating step is more preferable, the thickness of the intermediate ground layer 54 is more preferably 0.5
５０50 μm, optimally a value in the range of 1-20 μm.
【０１０９】また、同様に、高周波電気配線用基板１２
の最下層に設けられるグランド層５２の形態について
も、特に限定されるものでなく、タングステンやアルミ
ニウム等の材料を用いて、厚膜方法や蒸着等により積層
可能である。そして、その厚さも、例えば、１〜１００
０ｎｍの範囲内の値が好ましい。かかる範囲内であれ
ば、優れたグランド効果が得られるとともに、高周波電
気配線用基板全体として、過度に厚過ぎることもないた
めである。よって、かかるバランスがより好ましい観点
から、グランド層の厚さとしては、５〜５００ｎｍの範
囲内の値が良い。Similarly, the high-frequency electric wiring substrate 12
The form of the ground layer 52 provided as the lowermost layer is not particularly limited, and can be stacked by a thick film method or vapor deposition using a material such as tungsten or aluminum. And the thickness is also, for example, 1 to 100
A value in the range of 0 nm is preferred. Within this range, an excellent ground effect can be obtained, and the entire high-frequency electric wiring substrate is not excessively thick. Therefore, from the viewpoint that such a balance is more preferable, the thickness of the ground layer is preferably a value in the range of 5 to 500 nm.
【０１１０】さらに、中間グランド層５４とグランド層
５２を導通させるスルーホール５０の形態についても特
に限定されるものでは無い。例えば、レーザーやドリル
等を用いて、直径１０〜１０００μｍの範囲内の穴とす
ることが好ましい。スルーホール５０の直径が、かかる
範囲内の値であれば、製造上のコントロールも容易であ
り、また、基板の機械的強度等も低下するおそれが少な
くなる。よって、かかるバランスがより良好な観点か
ら、スルーホール５０の直径としては５０〜５００μ
ｍ、最適には、１００〜４００μｍの範囲内の値であ
る。Furthermore, the form of the through hole 50 for conducting the intermediate ground layer 54 and the ground layer 52 is not particularly limited. For example, it is preferable to use a laser or a drill to form a hole having a diameter in the range of 10 to 1000 μm. When the diameter of the through-hole 50 is within the above range, control in manufacturing is easy, and the possibility that the mechanical strength of the substrate is reduced is reduced. Therefore, from the viewpoint of better balance, the diameter of the through hole 50 is 50 to 500 μm.
m, optimally a value within the range of 100 to 400 μm.
【０１１１】なお、中間グランド層５４と第１の高周波
電気配線１８をスルーホール５０を用いて導通させるた
めには、好ましくは、金、銀、銅、タングステン等の導
電材料を、スルーホール５０内に充填したり、あるいは
スルーホール５０の壁面にメッキ等により、導電材料の
薄膜を形成するのが良い。In order to make the intermediate ground layer 54 and the first high-frequency electric wiring 18 conductive by using the through hole 50, it is preferable to use a conductive material such as gold, silver, copper, or tungsten inside the through hole 50. Or a thin film of a conductive material is preferably formed on the wall surface of the through hole 50 by plating or the like.
【０１１２】次に、図５（Ａ）〜（Ｈ）について説明す
る。図５は、第１の実施例のチップキャリア１０におけ
る高周波電気配線用基板（第１の基板１２ａ）の分解図
である。図５（Ａ）は、第１の基板１２ａの表面を示
し、図５（Ｂ）〜（Ｇ）は、中間グランド層５４を有す
る各層を示し、図５（Ｈ）は、最下層におけるグランド
層５２を示している。Next, FIGS. 5A to 5H will be described. FIG. 5 is an exploded view of the high-frequency electric wiring substrate (first substrate 12a) in the chip carrier 10 of the first embodiment. 5A shows the surface of the first substrate 12a, FIGS. 5B to 5G show each layer having the intermediate ground layer 54, and FIG. 5H shows the ground layer in the lowermost layer. 52 is shown.
【０１１３】そして、各層の平面図に示すように、中間
グランド層５４（５４ｂ〜ｇ）の長さＬb 〜Ｌg は、第
１の高周波電気配線１８に近い層のものほど、短くなっ
ている。すなわち、逆にみれば、最上層の次の層に設け
られた中間グランド層５４の長さＬb から、下層表面に
設けられた中間グランド層５４の長さＬc 、Ｌd 、Ｌ
e 、Ｌf 、Ｌg の順に、中間グランド層５４の長さが長
くなっている。[0113] Then, as shown in the plan view of each layer, the length L b ~L g of intermediate ground layer 54 (54b~g) are as those of the layer closer to the first high-frequency electric wiring 18, is shorter I have. That is, when viewed conversely, the length L b of the intermediate ground layer 54 provided on the next layer of the uppermost layer, the length L c of the intermediate ground layer 54 provided on the lower surface, L d, L
e, L f, in the order of L g, the length of the intermediate ground layer 54 is longer.
【０１１４】よって、第１の基板１２ａを上述した各層
から構成することにより、高周波電気配線用基板（第１
の基板１２ａ）における、テーパ部１６全域にわたっ
て、特性インピーダンスを一定にすることができる。Therefore, by forming the first substrate 12a from each of the above-described layers, the high-frequency electric wiring substrate (first
The characteristic impedance can be made constant over the entire area of the tapered portion 16 of the substrate 12a).
【０１１５】また、図４に示すｂ層のみに、共通したス
ルーホール５０を一つ設けるだけで、その他の層ｃ〜ｇ
の中間グランド層５４（５４ｃ〜５４ｇ）からグランド
を同時にとることもでき、その場合は、基板の製造がよ
り容易となる。Further, only one common through hole 50 is provided only in the layer b shown in FIG.
Can be simultaneously taken from the intermediate ground layer 54 (54c to 54g), in which case the manufacture of the substrate becomes easier.
【０１１６】但し、図５（Ｂ）〜（Ｇ）に示すように、
各中間グランド層５４（５４ｂ〜５４ｇ）ごとに、それ
ぞれスルーホール５０を設けてグランド層５２と導通を
取れば、スルーホール５０の数や製造工程が増えるもの
の、大面積でグランドが取れることになり、テーパ部１
６全域にわたって、よりインピーダンスが一定になると
いう効果が得られ、結果として、安定した光信号の伝送
が可能となる点で良い。However, as shown in FIGS. 5B to 5G,
If a through hole 50 is provided for each of the intermediate ground layers 54 (54b to 54g) and conduction is established with the ground layer 52, the number of through holes 50 and the number of manufacturing steps increase, but a large area can be grounded. , Taper part 1
The effect that the impedance becomes more constant over the entire area is obtained, and as a result, a stable optical signal transmission becomes possible.
【０１１７】また、図６の（Ａ）および（Ｂ）は、この
発明の別なチップキャリア１０における第１の基板１２
ａを説明するための平面図および断面図である。図中に
示すＡ部は、テーパ部（先端部）１６を示し、Ｂ部は、
このテーパ部１６に至る第１の基板１２ａにおける直線
部を示している。FIGS. 6A and 6B show the first substrate 12 of another chip carrier 10 according to the present invention.
It is the top view and sectional drawing for demonstrating a. A part shown in the figure shows a tapered part (tip part) 16, and B part is
A straight line portion of the first substrate 12a reaching the tapered portion 16 is shown.
【０１１８】そして、テーパ部１６において、第１の高
周波電気配線１８を段階的に線幅を狭くした場合を示し
ている。また、各電気絶縁層２８の間に、中間グランド
層５４が設けられており、第１の高周波電気配線１８に
おいて、前述した式（１）の関係にしたがって、各中間
グランド層５４から第１の高周波電気配線１８までの垂
直距離Ｈ１〜Ｈ４と、各中間グランド層５４の垂直位置
に相当する位置Ｌ１〜Ｌ４における第１の高周波電気配
線１８の線幅Ｗ１〜Ｗ４が定められている。The case where the line width of the first high-frequency electric wiring 18 is gradually reduced in the tapered portion 16 is shown. Further, an intermediate ground layer 54 is provided between each of the electrical insulating layers 28. In the first high-frequency electric wiring 18, according to the relationship of the above-described equation (1), the intermediate ground layer 54 The vertical distances H1 to H4 to the high-frequency electric wiring 18 and the line widths W1 to W4 of the first high-frequency electric wiring 18 at positions L1 to L4 corresponding to the vertical positions of the respective intermediate ground layers 54 are defined.
【０１１９】なお、位置Ｌ１〜Ｌ４は、各中間グランド
層５４の一端を第１の基板１２ａの先端からその末端へ
向かう方向に沿った、各中間グランド層５４の長さであ
る。The positions L1 to L4 are the lengths of the intermediate ground layers 54 along the direction from one end of each intermediate ground layer 54 to the end of the first substrate 12a.
【０１２０】このような構造にすることにより、一番短
い中間グランド層５４から、他の中間グランド層５４を
経て、最下層のグランド層５２に達する、一つの共通の
スルーホール（図示せず）により、グランドをとること
ができる。With such a structure, one common through-hole (not shown) extends from the shortest intermediate ground layer 54 to the lowermost ground layer 52 through another intermediate ground layer 54. Thereby, a ground can be taken.
【０１２１】また、計算で容易に求めた、中間グランド
層５４から第１の高周波用電気配線１８までの垂直距離
Ｈや、第１の高周波用電気配線１８の線幅Ｗを有する高
周波電気配線用基板１２を設計することができ、よっ
て、チップキャリア１０の特性インピーダンスを、より
一定の値とすることができる。Further, for the high-frequency electric wiring having the vertical distance H from the intermediate ground layer 54 to the first high-frequency electric wiring 18 and the line width W of the first high-frequency electric wiring 18 easily obtained by calculation. The substrate 12 can be designed, so that the characteristic impedance of the chip carrier 10 can be set to a more constant value.
【０１２２】また、図７の（Ａ）および（Ｂ）は、この
発明の別な態様のチップキャリア１０における、第１の
基板１２ａを説明するための平面図および断面図をそれ
ぞれ示す。図中に示すＡ部は、テーパ部（先端部）１６
を示し、Ｂ部は、テーパ部１６に至る第１の基板１２ａ
における等幅の直線部を示している。そして、テーパ部
１６において、第１の高周波電気配線１８を段階的に線
幅を狭くした場合を示しており、第１の高周波電気配線
１８を図７の（Ａ）に点線で示す。FIGS. 7A and 7B are a plan view and a sectional view, respectively, for explaining the first substrate 12a in the chip carrier 10 according to another embodiment of the present invention. A portion shown in the figure is a tapered portion (tip portion) 16
B portion is the first substrate 12a reaching the tapered portion 16
2 shows a straight portion having the same width. Then, the case where the line width of the first high-frequency electric wiring 18 is gradually reduced in the tapered portion 16 is shown, and the first high-frequency electric wiring 18 is shown by a dotted line in FIG.
【０１２３】ここで、第１の高周波電気配線１８の上側
に、さらに第２の電気絶縁層６０および第２のグランド
層６２が積層してある。そして、第１の高周波電気配線
１８を、最下層のグランド層５２と、最上層の第２のグ
ランド層６２とで、それぞれ電気絶縁層２８を介して挟
み込んで、高周波電気配線用基板１２を形成している。Here, a second electric insulating layer 60 and a second ground layer 62 are further laminated on the first high-frequency electric wiring 18. Then, the first high-frequency electric wiring 18 is sandwiched between the lowermost ground layer 52 and the uppermost second ground layer 62 via the electric insulating layer 28 to form the high-frequency electric wiring substrate 12. doing.
【０１２４】すなわち、二つのグランド層（第２のグラ
ンド層を含む）５２、６２により、高周波電気配線１８
の縁から、これらの両面に設けられたグランド層５２、
６２に向かう電磁波がさらに安定するため、第１の高周
波電気配線１８と二つのグランド層５２、６２との間の
容量がそれぞれ大きくなり、結果として特性インピーダ
ンスの値がより低下する。That is, the two ground layers (including the second ground layer) 52 and 62 form the high-frequency electric wiring 18.
From the edge of the ground layer 52 provided on both sides thereof,
Since the electromagnetic wave traveling toward 62 is further stabilized, the capacitance between the first high-frequency electrical wiring 18 and the two ground layers 52 and 62 is increased, and as a result, the value of the characteristic impedance is further reduced.
【０１２５】また、かかる構造によれば、第１の高周波
電気配線１８が、二つのグランド層５２、６２で上下面
を覆われる形となるため、特に上下方向からの電磁波の
遮蔽効果に優れ、安定した光伝送が可能となる。Further, according to this structure, since the first high-frequency electric wiring 18 has a shape in which the upper and lower surfaces are covered with the two ground layers 52 and 62, it is particularly excellent in the effect of shielding electromagnetic waves from the vertical direction. Stable optical transmission becomes possible.
【０１２６】また、図８の（Ａ）および（Ｂ）は、この
発明のチップキャリア１０における別な態様の第１の基
板１２ａを説明するための平面図および断面図をそれぞ
れ示す。FIGS. 8A and 8B are a plan view and a cross-sectional view, respectively, illustrating another embodiment of the first substrate 12a in the chip carrier 10 of the present invention.
【０１２７】前述したとおり、Ａ部は、テーパ部（先端
部）１６を示し、Ｂ部は、テーパ部１６に至る第１の基
板１２ａにおける等幅の直線部を示している。そして、
テーパ部１６において、第１の高周波電気配線１８を直
線的に線幅を狭くした場合を示している。また、各電気
絶縁層２８の間に、中間グランド層５４が、第１の基板
１２ａの表面から前述した式（１）に対応する垂直距離
の位置に設けられている。As described above, the portion A indicates the tapered portion (tip portion) 16, and the portion B indicates a straight portion having the same width on the first substrate 12 a reaching the tapered portion 16. And
In the tapered portion 16, the first high-frequency electrical wiring 18 has a linearly narrowed line width. In addition, an intermediate ground layer 54 is provided between the electric insulating layers 28 at a position at a vertical distance from the surface of the first substrate 12a corresponding to the above-described equation (1).
【０１２８】そして、第１の高周波電気配線１８におい
て、前述した式（１）の関係にしたがって、各中間グラ
ンド層５４から第１の高周波電気配線１８までの垂直距
離Ｈ１〜Ｈ４と、各中間グランド層５４の垂直位置に相
当する位置Ｌ１〜Ｌ４における第１の高周波電気配線１
８の線幅Ｗ１〜Ｗ４が定められている。In the first high-frequency electric wiring 18, the vertical distances H1 to H4 from each intermediate ground layer 54 to the first high-frequency electric wiring 18 and each intermediate ground First high-frequency electrical wiring 1 at positions L1 to L4 corresponding to the vertical position of layer 54
Eight line widths W1 to W4 are defined.
【０１２９】ここで言う位置Ｌ１〜Ｌ４は、各中間グラ
ンド層５４を、第１の基板１２ａの先端から末端へ向か
う方向に沿って、第１の基板１２ａ中に設けた場合の、
第１の基板１２ａの先端から、各中間グランド層５４の
中心点までの距離である。The positions L1 to L4 referred to here are the positions where the intermediate ground layers 54 are provided in the first substrate 12a along the direction from the front end to the end of the first substrate 12a.
The distance from the tip of the first substrate 12a to the center point of each intermediate ground layer 54.
【０１３０】そして、中間グランド層５４の各段階にお
ける長さは、実質的にテーパ部１６の長さ高周波電気配
線用基板１２の層数で割った値である。The length of the intermediate ground layer 54 at each stage is substantially the value obtained by dividing the length of the tapered portion 16 by the number of layers of the high-frequency electrical wiring substrate 12.
【０１３１】よって、各中間グランド層５４から、最下
層のグランド層５２に、それぞれスルーホール（図示せ
ず）によりグランドをとることにより、チップキャリア
１０における高周波電気配線用基板１２にテーパ部１６
を設けた場合であても、一定の特性インピーダンスが得
られる。Accordingly, by grounding each intermediate ground layer 54 to the lowermost ground layer 52 through through holes (not shown), the tapered portion 16 of the high-frequency electrical wiring substrate 12 in the chip carrier 10 is formed.
Is provided, a constant characteristic impedance can be obtained.
【０１３２】[0132]
【発明の効果】この発明によれば、チップキャリアにお
ける高周波電気配線用基板の先端部にテーパ部を設け、
さらに、テーパ部の高周波電気配線の下方に、平行して
中間グランド層を設けて、この中間グランド層とグラン
ド層とをスルーホールにより電気接続した構造をとるこ
とにより、 （１）テーパ部において、この基板の先端部の幅を狭く
しても、一定の値の特性インピーダンスを有するチップ
キャリアおよびそれを用いた半導体光制御素子の実装構
造を提供することができるようになった。According to the present invention, a tapered portion is provided at the tip of the high-frequency electric wiring substrate in the chip carrier,
Furthermore, by providing a structure in which an intermediate ground layer is provided in parallel below the high-frequency electric wiring of the tapered portion and the intermediate ground layer and the ground layer are electrically connected by through holes, (1) In the tapered portion, Even if the width of the front end portion of the substrate is reduced, it is possible to provide a chip carrier having a constant characteristic impedance and a mounting structure of a semiconductor light control element using the chip carrier.
【０１３３】（２）また、特性インピーダンスの値を低
下させることなく、この基板の先端部の幅を狭くするこ
とができるようになり、実装する半導体光制御素子の長
さ調整のための導波路を設ける必要がなくなった。よっ
て、導波路に起因した、光の減衰や、導波路の結合部位
における結合損失が生じるおそれがなくなった。(2) The width of the front end of the substrate can be reduced without lowering the value of the characteristic impedance, and the waveguide for adjusting the length of the semiconductor light control element to be mounted can be reduced. It is no longer necessary to provide Therefore, there is no possibility that attenuation of light or coupling loss at a coupling portion of the waveguide due to the waveguide may occur.
【０１３４】（３）さらに、高周波電気配線用基板を第
１と第２の基板に二分割して、第２の基板に薄膜抵抗器
を設けることにより、この抵抗器を半導体光制御素子か
ら一定距離、離すとともに、第１の基板における薄膜抵
抗器のスペースを排除することができた。その結果、薄
膜抵抗器に起因する発熱の影響を可及的に少なくし、さ
らには、より幅の狭いチップキャリアを使用することが
できるようになった。(3) Further, the high-frequency electric wiring substrate is divided into a first substrate and a second substrate, and a thin-film resistor is provided on the second substrate. As well as the distance and distance, the space for the thin film resistor on the first substrate could be eliminated. As a result, the influence of heat generated by the thin film resistor is reduced as much as possible, and a chip carrier having a smaller width can be used.
【０１３５】（４）さらにまた、先端部の幅が狭いチッ
プキャリアの側面部に座ぐりを設けることにより、光等
に使用した場合に、よりレンズの配置性が向上し、レン
ズやレンズを固定するとホルダと該チップキャリアがぶ
つからなくなり、レンズとチップキャリアに搭載した半
導体光制御素子との間で、高い光の結合効率が得られる
とともに、不要な光の散乱を防止できるようになった。(4) Further, by providing a counterbore on the side surface of the chip carrier having a narrow end portion, when used for light or the like, the arrangement of the lens is further improved, and the lens or the lens is fixed. As a result, the holder and the chip carrier do not collide with each other, so that a high light coupling efficiency can be obtained between the lens and the semiconductor light control element mounted on the chip carrier, and unnecessary light scattering can be prevented.
【図１】（Ａ）は、この発明の第１の実施例のチップキ
ャリアを説明するための平面図である。（Ｂ）は、この
発明の第１の実施例のチップキャリアを説明するための
側面図である。FIG. 1A is a plan view for explaining a chip carrier according to a first embodiment of the present invention. (B) is a side view for explaining the chip carrier of the first embodiment of the present invention.
【図２】この発明の第１の実施例のチップキャリアを用
いた半導体光制御素子の実装構造（光モジュール）を説
明するための平面図である。FIG. 2 is a plan view for explaining a mounting structure (optical module) of a semiconductor light control element using the chip carrier according to the first embodiment of the present invention.
【図３】この発明の第１の実施例のチップキャリアを用
いた半導体光制御素子の実装構造（光モジュール）を説
明するための、図２におけるＸ−Ｘに沿って切った断面
図である。FIG. 3 is a cross-sectional view taken along line XX in FIG. 2 for explaining a mounting structure (optical module) of a semiconductor light control element using the chip carrier according to the first embodiment of the present invention. .
【図４】この発明の第１の実施例のチップキャリアにお
ける、高周波電気配線用基板を説明するための断面図で
ある。FIG. 4 is a cross-sectional view for explaining a high-frequency electric wiring substrate in the chip carrier according to the first embodiment of the present invention.
【図５】（Ａ）〜（Ｈ）は、この発明の第１の実施例の
チップキャリアにおける、高周波電気配線用基板を構成
する各層をそれぞれ説明するための分解図である。FIGS. 5A to 5H are exploded views for explaining respective layers constituting a high-frequency electric wiring substrate in the chip carrier according to the first embodiment of the present invention.
【図６】（Ａ）は、この発明の別な実施例のチップキャ
リアにおける、高周波電気配線用基板を説明するための
平面図である。（Ｂ）は、この発明の別な実施例のチッ
プキャリアにおける、高周波電気配線用基板を説明する
ための断面図である。FIG. 6A is a plan view for explaining a high-frequency electric wiring substrate in a chip carrier according to another embodiment of the present invention. (B) is a sectional view for explaining a high-frequency electric wiring substrate in a chip carrier according to another embodiment of the present invention.
【図７】（Ａ）は、この発明のさらに別な実施例のチッ
プキャリアにおける、高周波電気配線用基板を説明する
ための平面図である。（Ｂ）は、この発明のさらに別な
実施例のチップキャリアにおける、高周波電気配線用基
板を説明するための断面図である。FIG. 7A is a plan view for explaining a high-frequency electric wiring substrate in a chip carrier according to still another embodiment of the present invention. (B) is a cross-sectional view for explaining a high-frequency electric wiring substrate in a chip carrier according to still another embodiment of the present invention.
【図８】（Ａ）は、この発明のさらにまた別な実施例の
チップキャリアにおける、高周波電気配線用基板を説明
するための平面図である。（Ｂ）は、この発明のさらに
また別な実施例のチップキャリアにおける、高周波電気
配線用基板を説明するための断面図である。FIG. 8A is a plan view for explaining a high-frequency electric wiring substrate in a chip carrier according to still another embodiment of the present invention. (B) is a cross-sectional view for explaining a high-frequency electric wiring substrate in a chip carrier according to still another embodiment of the present invention.
【図９】従来のチップキャリアを用いた半導体光制御素
子の実装構造を説明するための平面図である。FIG. 9 is a plan view for explaining a mounting structure of a semiconductor light control element using a conventional chip carrier.
【図１０】従来のチップキャリアを用いた半導体光制御
素子の実装構造（光モジュール）を説明するための、図
９におけるＯ軸に沿って切った断面図である。FIG. 10 is a cross-sectional view taken along the O-axis in FIG. 9 for explaining a mounting structure (optical module) of a semiconductor light control element using a conventional chip carrier.
１０ ：チップキャリア １２ ：高周波電気配線用基板 １２ａ：第１の基板 １２ｂ：第２の基板 １４ ：キャリアベース １６ ：テーパ部 １８ ：第１の高周波電気配線 ２０ ：第２の高周波電気配線 ２２ ：薄膜抵抗器 ２４ ：ボンディングワイヤ ２６ ：光変調素子（半導体光制御素子） ２８ ：電気絶縁層 ３０ ：座ぐり ３２ ：入力用光ファイバ ３４ ：出力用光ファイバ ３６ ：第１のレンズ部 ３８ ：第２のレンズ部 ４０ ：第１のレンズホルダ ４２ ：第２のレンズホルダ ４４ ：高周波コネクタ ４６ ：パッケージ ４８ ：電子冷却素子 ５０ ：スルーホール ５２ ：グランド層 ５４ ：中間グランド層 ５６ ：ベース ６０ ：第２の電気絶縁層 ６２ ：第２のグランド層 １００、２００：光モジュール Reference Signs List 10: chip carrier 12: high-frequency electric wiring substrate 12 a: first substrate 12 b: second substrate 14: carrier base 16: tapered portion 18: first high-frequency electric wiring 20: second high-frequency electric wiring 22: thin film Resistor 24: Bonding wire 26: Light modulation element (semiconductor light control element) 28: Electrical insulation layer 30: Counterbore 32: Input optical fiber 34: Output optical fiber 36: First lens section 38: Second Lens part 40: first lens holder 42: second lens holder 44: high frequency connector 46: package 48: electronic cooling element 50: through hole 52: ground layer 54: intermediate ground layer 56: base 60: second electricity Insulating layer 62: Second ground layer 100, 200: Optical module
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ // Ｈ０４Ｂ 10/28 Ｈ０４Ｂ 9/00 Ｗ 10/02 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI // H04B 10/28 H04B 9/00 W 10/02
Claims (11)
実装される半導体光制御素子に先端が対向して当該キャ
リアベースに固定され、かつ、少なくとも複数の電気絶
縁層および高周波電気配線を以て構成される多層の高周
波電気配線用基板とを備える高周波用チップキャリアに
おいて、 前記高周波電気配線用基板は、前記キャリアベース側の
最下面にグランド層を備え、該高周波電気配線用基板の
先端部にテーパ部が設けてあり、 該テーパ部には、前記電気絶縁層の少なくとも一つを介
して、前記高周波電気配線と平行に対向するように配置
された中間グランド層と、該中間グランド層と前記グラ
ンド層とを、電気的に導通させるためのスルーホールと
が設けてあることを特徴とする高周波用チップキャリ
ア。1. A multi-layer comprising a carrier base and a semiconductor optical control element mounted on the carrier base, the tip of which is fixed to the carrier base and has at least a plurality of electric insulating layers and high-frequency electric wiring. A high-frequency chip carrier comprising: a high-frequency electric wiring substrate, wherein the high-frequency electric wiring substrate includes a ground layer on the lowermost surface on the carrier base side; The tapered portion includes an intermediate ground layer disposed so as to face in parallel with the high-frequency electrical wiring via at least one of the electrical insulating layers, and an intermediate ground layer and the ground layer. And a through hole for electrical conduction.
アにおいて、前記中間グランド層は、前記複数の電気絶
縁層のそれぞれに個別に設けてあることを特徴とする高
周波用チップキャリア。2. The high-frequency chip carrier according to claim 1, wherein the intermediate ground layer is provided separately on each of the plurality of electric insulating layers.
プキャリアにおいて、前記高周波電気配線に距離的に近
い層に設けられた前記中間グランド層ほど、該中間グラ
ンド層の長さを短くしてあることを特徴とする高周波用
チップキャリア。3. The high-frequency chip carrier according to claim 1, wherein the intermediate ground layer provided in a layer closer to the high-frequency electrical wiring has a shorter length. A high frequency chip carrier, characterized in that:
アにおいて、前記中間グランド層の一方の端部の位置
と、前記高周波電気配線用基板の先端部の位置とが一致
していることを特徴とする高周波用チップキャリア。4. The high-frequency chip carrier according to claim 3, wherein a position of one end of the intermediate ground layer and a position of a front end of the high-frequency electric wiring board coincide with each other. High frequency chip carrier.
周波用チップキャリアにおいて、前記テーパ部における
前記高周波電気配線の線幅が、先端に向かって段階的に
狭くなることを特徴とする高周波用チップキャリア。5. The high-frequency chip carrier according to claim 1, wherein a line width of the high-frequency electric wiring in the tapered portion gradually decreases toward a tip. High frequency chip carrier.
周波用チップキャリアにおいて、 前記高周波電気配線用基板は、第１の基板と第２の基板
に二分割されており、該第１の基板と第２の基板は前記
半導体光制御素子を実装する空間を介して離間されて、
前記キャリアベース上に固定されていることを特徴とす
る高周波用チップキャリア。6. The high-frequency chip carrier according to claim 1, wherein the high-frequency electric wiring substrate is divided into a first substrate and a second substrate. The first substrate and the second substrate are separated via a space for mounting the semiconductor light control element,
A high-frequency chip carrier fixed on the carrier base.
アにおいて、前記第１の基板上には、第１の高周波電気
配線が、及び第２の基板上には、第２の高周波電気配線
が、それぞれ配線されており、該第２の高周波電気配線
の末端部には、薄膜抵抗器が設けてあることを特徴とす
る高周波用チップキャリア。7. The high-frequency chip carrier according to claim 6, wherein a first high-frequency electric wiring is provided on the first substrate, and a second high-frequency electric wiring is provided on the second substrate. A high-frequency chip carrier, wherein a thin-film resistor is provided at an end of the second high-frequency electric wiring.
周波用チップキャリアにおいて、前記高周波電気配線の
上側に、さらに電気絶縁層およびグランド層が下から順
に設けられていることを特徴とする高周波用チップキャ
リア。8. The high-frequency chip carrier according to claim 1, wherein an electric insulating layer and a ground layer are further provided on the high-frequency electric wiring in order from the bottom. High frequency chip carrier.
周波用チップキャリアにおいて、該高周波用チップキャ
リアの側面部に座ぐりを有することを特徴とする高周波
用チップキャリア。9. The high-frequency chip carrier according to claim 1, wherein the high-frequency chip carrier has a counterbore on a side surface of the high-frequency chip carrier.
周波電気配線から構成される多層の高周波電気配線用基
板と、この基板を固定するためのキャリアベースとを備
える高周波用チップキャリアに、前記高周波電気配線用
基板の先端に対向させて、半導体光制御素子を実装させ
た構造において、前記高周波電気配線用基板先端部にテ
ーパ部が設けてあり、 該テーパ部には、前記高周波電気配線と平行に対向する
ように、前記電気絶縁層を介して配置された中間グラン
ド層と、該中間グランド層と前記グランド層とを電気的
に導通させるためのスルーホールが設けてあり、 前記半導体光制御素子と、前記高周波電気配線とを、ボ
ンディングワイヤにより電気接続してあることを特徴と
する高周波用チップキャリアを用いた半導体光制御素子
の実装構造。10. A high-frequency chip carrier comprising a multilayer high-frequency electric wiring substrate comprising at least a plurality of electric insulating layers and high-frequency electric wiring, and a carrier base for fixing the substrate, wherein the high-frequency electric wiring is provided. In the structure in which the semiconductor light control element is mounted so as to face the tip of the substrate for use, a tapered portion is provided at the tip of the substrate for high-frequency electrical wiring, and the tapered portion faces in parallel with the high-frequency electrical wiring. So that an intermediate ground layer disposed via the electrical insulating layer and a through hole for electrically connecting the intermediate ground layer and the ground layer are provided; and The high-frequency electric wiring, the semiconductor light control element using a high-frequency chip carrier, characterized by being electrically connected by a bonding wire Instrumentation structure.
ャリアを用いた半導体光制御素子の実装構造において、
前記高周波電気配線用基板は、該第１の基板と第２の基
板に、離間して二分割されており、前記半導体光制御素
子は、該第１の基板と第２の基板の間の空間に露出した
前記キャリアベース上に配置固定されていることを特徴
とする、高周波用チップキャリアを用いた半導体光制御
素子の実装構造。11. A mounting structure of a semiconductor light control element using the high-frequency chip carrier according to claim 10.
The high-frequency electrical wiring substrate is divided into two parts, a first substrate and a second substrate, spaced apart from each other, and the semiconductor light control element is provided in a space between the first substrate and the second substrate. A semiconductor light control element using a high-frequency chip carrier, wherein the semiconductor light control element is mounted and fixed on the carrier base exposed to the outside.
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- 1997-06-12 JP JP15559597A patent/JP3897401B2/en not_active Expired - Fee Related
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