JPH1140687A - 半導体装置 - Google Patents

半導体装置

Info

Publication number
JPH1140687A
JPH1140687A JP9191174A JP19117497A JPH1140687A JP H1140687 A JPH1140687 A JP H1140687A JP 9191174 A JP9191174 A JP 9191174A JP 19117497 A JP19117497 A JP 19117497A JP H1140687 A JPH1140687 A JP H1140687A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
resin substrate
reinforcing plate
substrate
adhesive
reinforcing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9191174A
Other languages
English (en)
Inventor
Hidekazu Hosomi
英一 細美
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP9191174A priority Critical patent/JPH1140687A/ja
Publication of JPH1140687A publication Critical patent/JPH1140687A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
    • H10W72/851—Dispositions of multiple connectors or interconnections
    • H10W72/874—On different surfaces
    • H10W72/877—Bump connectors and die-attach connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W74/00—Encapsulations, e.g. protective coatings
    • H10W74/10—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition
    • H10W74/15—Encapsulations, e.g. protective coatings characterised by their shape or disposition on active surfaces of flip-chip devices, e.g. underfills
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
    • H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10W90/00—Package configurations
    • H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
    • H10W90/731—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors
    • H10W90/734—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of die-attach connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL

Landscapes

  • Wire Bonding (AREA)
  • Structure Of Printed Boards (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 実装歩留及び接続等の信頼性を向上させた半
導体装置を提供する。 【解決手段】 正方形状に形成されたガラスフィラー入
りエポキシ樹脂でなる樹脂基板２３上に半導体チップ２
１を実装すると共に、基板面にステンレス鋼等の補強板
２９を接着したもので、補強板２９は樹脂基板２３の４
隅角部に各隅角を合致させるようそれぞれ分割配置した
同一太Ｌ字形状の板状の４つの補強部材３１によって構
成したものとなっている。これにより、補強板２９を樹
脂基板２３に接着する際、接着剤を硬化させるために一
定時間高温に保持し硬化後に常温にまで戻すが、樹脂基
板２３はその４隅角部にのみ補強板２９が接着され補強
されているだけであるため、接着剤硬化時の温度変化と
熱膨脹率差に基づく樹脂基板２３の反りは小さなものと
なり、実装時の接続が確実なものとなる。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップを実
装した基板に補強板を固着し補強した半導体装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】周知の通り、ボールグリッドアレイ（Ｂ
ａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ；ＢＧＡ）型パッケージ
の半導体装置（以下、ＢＧＡと記す。）は、パッケージ
の裏面に球形のはんだボールからなる多数の外部接続端
子を備えるパッケージで、多ピン化が可能であり、また
実装歩留も高いために広く利用されている。このような
ＢＧＡでは、通常、半導体チップと基板との接続にワイ
ヤボンディングを用いているが、さらに多ピン化を進め
るためにチップの接続技術にＴＡＢ（ＴａｐｅＡｕｔｏ
ｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）あるいはフリップチップ
を用いたＢＧＡも開発されている。
【０００３】以下、従来技術を図面を参照して説明す
る。先ずＴＡＢ技術を用いたＢＧＡの第１の従来例を図
１０及び図１１により説明する。図１０は縦断面図であ
り、図１１は横断面図である。図１０及び図１１におい
て、１は半導体チップで、その一面には複数のバンプ２
が設けられている。３はフィルム状、例えば１００μｍ
以下の厚さに形成された正方形状のポリイミド樹脂等で
なる樹脂基板であり、４は樹脂基板３の表面に銅箔等を
被着して形成されたリードで、５は裏面に配列された外
部接続のための半田バンプである。そして半導体チップ
１は、バンプ２を対応するリード４の先端部に接続する
ことで樹脂基板３に搭載され、また半導体チップ１と樹
脂基板３とは、エポキシ系樹脂の封止樹脂６を塗布し、
硬化することによってバンプ２とリード４の接続部分を
封止するようにして一体化されている。
【０００４】さらに、７は樹脂基板３の表面にエポキシ
系樹脂の接着剤８により接着された、例えばステンレス
鋼あるいは銅などによりなる補強板で、この補強板７の
形状は、外形形状が樹脂基板３と同じで、樹脂基板３の
中央部分に設けられている半導体チップ１を避けるよう
角枠状に形成され、枠幅は同一寸法となっている。そし
て、補強板７の接着の際、接着剤８を硬化させるために
高温に一定時間、例えば１５０℃でｌ時間、放置してお
き、接着剤８が硬化した後に常温にまで戻される。ま
た、９は補強板７の上面に接着剤１０により接着された
同じくステンレス鋼あるいは銅などによりなる正方形状
のカバー板である。なお、このカバー板９の上面には半
導体チップ１の発熱量が大きい場合に図示しない放熱フ
ィンが固定されたり、また発熱量が大きくない場合には
カバー板９が設けられなかったりする。
【０００５】以上のように補強板７を樹脂基板３に固着
することで、たわみやすい樹脂基板３の補強がなされ、
移送や組み込み等の際に取り扱いやすくし、不良などの
発生を低減するようにしている。
【０００６】しかしながら、上記の従来技術では、補強
板７を接着剤８によって樹脂基板３に接着する時、接着
剤８の硬化のために一定時間、高温に補強板７を接着し
た樹脂基板３は保持され、接着剤８の硬化後に常温にま
で戻されるが、樹脂基板３と接着剤８、あるいは樹脂基
板３と補強板７との間の熱膨張係数が異なるため、全体
に反りが生じるという問題が生じる。この時、補強板７
の熱膨張係数の方が樹脂基板３の熱膨張係数よりも大き
いため、補強板７を接着した樹脂基板３は半田バンプ５
が設けられた下方側に向け凸形となるように反る。この
結果、外部接続のための半田バンプ５が凸面に配列され
ることになり、半田バンプ５の高さが一定でなくなり、
平坦な実装面への確実な接続が困難となり、実装歩留が
低下したり、また接続の信頼性が低下してしまう虞があ
った。
【０００７】次に、フリップチップ技術を用いたＢＧＡ
の第２の従来例を図１２乃至図１４により説明する。図
１２は縦断面図であり、図１３は横断面図であり、図１
４は補強板を接着した樹脂基板の反りのシミュレーショ
ン結果を模式的に示す図である。図１２乃至図１４図に
おいて、１１は消費電力が比較的大きい半導体チップ
で、その一面には複数のバンプ２が設けられている。１
２は、例えば厚さが４００μｍ以上に形成された正方形
状のガラスフィラー入りエポキシ樹脂等を用いてなる樹
脂基板で、その表面には複数のパッド１３が設けられて
おり、また裏面には外部接続のための半田バンプ５が配
列されている。そして半導体チップ１１は樹脂基板１２
に、バンプ２を対応するパッド１３に半田付けにより接
続することで搭載され、また半導体チップ１１と樹脂基
板１２とは、両者の間の間隙にエポキシ樹脂系の封止樹
脂１４を充填し、硬化することによって一体化されてい
る。
【０００８】さらに、１５は樹脂基板１２の表面にエポ
キシ樹脂系の接着剤８により接着されたステンレス鋼あ
るいは銅などによりなる補強板で、この補強板１５の形
状は、外形形状が樹脂基板１２と同じで、樹脂基板１２
の中央部分に設けられている半導体チップ１１を避ける
よう角枠状に形成され、枠幅は同一寸法となっている。
そして、補強板１５の接着の際、接着剤８を硬化させる
ために高温に一定時間、例えば１５０℃でｌ時間、放置
しておき、接着剤８が硬化した後に常温にまで戻され
る。また、補強板１５と半導体チップ１１の上面には同
じくステンレス鋼あるいは銅などによりなる正方形状の
カバー板９が接着剤１０により接着されており、さら
に、このカバー板９の上面には図示しない放熱フィンが
固着されている。
【０００９】しかし、このように構成されたものでは、
樹脂基板１２の厚さが比較的厚くたわみ難いものである
が、補強板１５を接着剤８によって樹脂基板１２に接着
する時、接着剤８の硬化のために一定時間、高温に補強
板１５を接着した樹脂基板１２は保持され、接着剤８の
硬化後に常温にまで戻されるた時、樹脂基板１２と接着
剤８、あるいは樹脂基板１２と補強板１５との間の熱膨
張係数が異なるため、第１の従来例と同様に全体に反り
が生じるという問題が生じる。
【００１０】そして、この補強板１５を上面に接着した
樹脂基板１２の反りをシミュレーションした結果は図１
４に示すようになる。図１４は厚さが０．４ｍｍで枠幅
が８ｍｍの補強板１５を接着した厚さが１．０ｍｍで４
０ｍｍ角の樹脂基板１２の１／４部分を示すもので、半
導体チップ１１を省いた状態となっており、１５０℃の
温度で接着剤８を硬化させた状態では２点鎖線で示す形
状であったものが、２５℃まで温度を低下させたときに
は実線で示すように、樹脂基板１２は下方に向けて凸形
となるように反り、角部での反りの大きさは８１μｍと
なっている。このように反りが生じた補強板１５を接着
した樹脂基板１２では、外部接続のための半田バンプ５
が凸面に配列されることになり、半田バンプ５の高さが
一定でなくなり、平坦な実装面への確実な半田付けによ
る接続が困難となり、実装歩留が低下したり、接続の信
頼性が低下してしまう虞があった。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上記のような状況に鑑
みて本発明はなされたもので、その目的とするところは
補強板を接着した樹脂基板の反り量をより小さくするよ
うにして、実装歩留を向上させると共に、実装時におけ
る接続の信頼性を向上させた半導体装置を提供すること
にある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
多角形状の基板上に半導体チップを実装すると共に、基
板面に補強板を固着してなる半導体装置において、補強
板は、基板への固着面積が該基板の角部側で大きくなる
よう偏在するものであることを特徴とする物であり、さ
らに、基板が方形状であると共に、補強板が基板の四隅
角部近傍にそれぞれ固着された補強部材によってのみな
るものであることを特徴とするものであり、さらにま
た、補強板は、四隅角部の補強部材が同一形状をなすも
のであることを特徴とするものであり、さらに、補強板
は、基板と略同外形を有する枠形状をなすものであっ
て、枠幅が該基板の角部側で広くなっていることを特徴
とするものであり、さらに、基板が長方形状であると共
に、補強板が前記基板の両短辺に沿ってそれぞれ固着さ
れた補強部材によりなるものであることを特徴とするも
のであり、さらにまた、補強板は、両短辺の補強部材が
同一形状をなすものであって、該補強部材の幅が基板の
角部側で広くなるよう形成されていることを特徴とする
ものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。
【００１４】先ず、フリップチップ技術を用いたＢＧＡ
型パッケージの半導体装置（以下、ＢＧＡと記す。）の
第１の実施形態を図１乃至図４により説明する。図１は
縦断面図であり、図２は横断面図であり、図３は補強板
を接着した樹脂基板の反りのシミュレーション結果を模
式的に示す図であり、図４は変形形態の横断面図であ
る。
【００１５】図１乃至図４において、２１は消費電力が
比較的大きい正方形状の半導体チップで、その一面には
複数のバンプ２２が設けられている。２３は、例えば厚
さが１．０ｍｍで４０ｍｍ角の正方形状に形成されたガ
ラスフィラー入りエポキシ樹脂でなる樹脂基板で、その
上面２４には複数のパッド２５が設けられており、また
下面２６には外部接続のための複数の半田バンプ２７が
配列されている。
【００１６】そして半導体チップ２１は樹脂基板２３の
所定位置に、バンプ２２を対応するパッド２５に載せた
後に、リフローで溶融させるなどして半田付けにより接
続することによりフェースダウン形に搭載される。また
半導体チップ２１と樹脂基板２３とは、６０℃〜７０℃
の加温状態で両者の間の間隙にエポキシ樹脂系の封止樹
脂２８が注入され、毛細管現象により間隙全体に充填さ
れ、その後に、１５０℃の温度で１時間加熱され、封止
樹脂２８が硬化することによって一体化されている。
【００１７】さらに、２９は樹脂基板２３の上面２４に
エポキシ樹脂系の接着剤３０により接着された、例えば
ＳＵＳ３０４等のステンレス鋼あるいは銅などにより形
成された厚さが０．４ｍｍの補強板である。この補強板
２９は、樹脂基板２３の４隅角部に各隅角を合致させる
ようそれぞれ分割配置された太Ｌ字形状の板状の補強部
材３１でなり、同一形状に形成された各補強部材３１の
形状寸法は、配置時に樹脂基板２３の辺に合致する方向
の長さａは１２ｍｍであり、幅ｂが８ｍｍとなってい
る。
【００１８】そして、補強板２９の接着は、各補強部材
３１を樹脂基板２３の４隅角部の所定位置に接着剤３０
を塗布して載せた後、接着剤３０を硬化させるために高
温に一定時間、例えば１５０℃の温度でｌ時間、加熱放
置しておき、接着剤３０が硬化した後に常温にまで戻さ
れる。また、補強板２９と半導体チップ２１の上面には
同じくステンレス鋼あるいは銅などによりなる樹脂基板
２３と同じ正方形状のカバー板３２が接着剤３３により
接着されており、さらに、このカバー板３２の上面には
図示しない放熱フィンが固着されている。
【００１９】このように構成されたものでは、樹脂基板
２３の厚さが比較的厚くたわみ難いものであるため、補
強板２９を４つの補強部材３１として樹脂基板２３の４
隅角部に分割配置しても樹脂基板２３が簡単に変形して
しまうことがなく、移送や組み込み等の際に取り扱いや
すく、不良などの発生の虞が少ない。また、補強板２９
を接着剤３０によって樹脂基板２３に接着する際、接着
剤３０の硬化のために一定時間、高温に補強板２９を接
着した樹脂基板２３が保持され、接着剤３０の硬化後に
常温にまで戻されるた時、樹脂基板２３と接着剤３０、
あるいは樹脂基板２３と補強板２９の各補強部材３１と
の間の熱膨張係数の差で全体に反りが生じる。
【００２０】しかし、この４つの補強部材３１でなる補
強板２９を接着した樹脂基板２３に生じる反りは、シミ
ュレーションの結果、図３に示す通りとなっている。す
なわち、図３は半導体チップ２１を省いた状態の補強板
２９を接着した樹脂基板２３の１／４部分を示すもの
で、１５０℃の温度で接着剤３０を硬化させた状態では
２点鎖線で示す形状であったものが、２５℃まで温度を
低下させたときには実線で示すように、樹脂基板２３は
下方に向けて少し凸形となるように反る。そして、樹脂
基板２３の角部での反りの大きさは１２．３μｍで非常
に小さなものとなっている。このように樹脂基板２３の
反り量が小さいので、凸面状となった樹脂基板２３の下
面２６に配列された半田バンプ２７の高さの差は小さ
く、平坦な実装面に対しても半田付けによる接続を確実
に行うことができ、実装歩留は向上し、接続の信頼性も
向上したものとなる。
【００２１】なお、上記の第１の実施形態では、補強板
２９を太Ｌ字形状の４つの補強部材３１に分割して樹脂
基板２３の４隅角部に配置したが、これに限るものでは
なく、例えば図４に示す変形形態のように補強板２９ａ
を４つの同じ直角二等辺三角形の板状の補強部材３１ａ
で構成し、各補強部材３１ａを樹脂基板２３の４隅角部
に配置するようにしても、第１の実施形態と同様の作
用、効果を得ることができる。
【００２２】次に、フリップチップ技術を用いたＢＧＡ
で、補強板の構成が異なる以外は第１の実施形態と同様
に構成された第２の実施形態を図５乃至図８により説明
する。図５は横縦断面図であり、図６は補強板を接着し
た樹脂基板の反りのシミュレーション結果を模式的に示
す図であり、図７は第１の変形形態の横断面図であ横断
面図であり、図８は第２の変形形態の横断面図である。
なお、第１の実施形態と同一部分には同一符号を付して
説明を省略し、異なる本実施形態の構成について説明す
る。
【００２３】図５乃至図８において、３４は樹脂基板２
３の上面２４にエポキシ樹脂系の接着剤により接着され
た、例えばＳＵＳ３０４等のステンレス鋼あるいは銅な
どにより形成された厚さが０．４ｍｍの補強板である。
この補強板３４は、その外形形状が樹脂基板２３と同じ
で、樹脂基板２３の中央部分に設けられている半導体チ
ップ２１を避けるよう角枠状に形成され、４隅角部に枠
幅ｃが８ｍｍの広幅部３５を有すると共に、これら４つ
の広幅部３５に連設する広幅部３５より枠幅が狭く枠幅
ｄが２ｍｍの狭幅部３６を備えたものとなっている。す
なわち、補強板３４は樹脂基板２３の角部側で枠幅が広
く、樹脂基板２３への補強板３４の接着は、角部側ほど
接着面積が大きくなっている。
【００２４】そして、補強板３４の接着は、広幅部３５
を樹脂基板２３の４隅角部に合わせるように接着剤を塗
布して載せた後、接着剤を硬化させるために高温に一定
時間、例えば１５０℃の温度でｌ時間、加熱放置してお
き、接着剤が硬化した後に常温にまで戻される。また、
補強板３４と半導体チップ２１の上面には図示しないが
ステンレス鋼あるいは銅などによりなる樹脂基板２３と
同じ正方形状のカバー板が接着剤により接着されてお
り、さらに、このカバー板の上面に放熱フィンが固着さ
れている。
【００２５】このように構成されたものでは、樹脂基板
２３の厚さが比較的厚くたわみ難いものであり、補強板
３４が角枠状であるため、たわみ難く取扱い時に簡単に
変形してしまうことがなく、第１の実施形態より移送や
組み込み等の際に取り扱いやすく、不良などの発生の虞
が少ない。さらに、第１の実施形態が４つの補強部材で
補強板を構成しているのに対し、上記の補強板３４が角
枠状であるため、補強板３４の接着工程に要する時間が
短くてすむ。また、補強板３４を接着剤によって樹脂基
板２３に接着する際、接着剤の硬化のために一定時間、
高温に補強板３４を接着した樹脂基板２３が保持され、
接着剤の硬化後に常温にまで戻されるた時、樹脂基板２
３と接着剤、あるいは樹脂基板２３と補強板３４との間
の熱膨張係数の差で全体に反りが生じる。
【００２６】しかし、この広幅部３５と狭幅部３６とで
構成された補強板３４を接着した樹脂基板２３に生じる
反りは、シミュレーションの結果、図６に示す通りとな
っている。すなわち、図６は半導体チップ２１を省いた
状態の補強板３４を接着した樹脂基板２３の１／４部分
を示すもので、１５０℃の温度で接着剤３０を硬化させ
た状態では２点鎖線で示す形状であったものが、２５℃
まで温度を低下させたときには実線で示すように、樹脂
基板２３は下方に向けて凸形となるように反る。そし
て、樹脂基板２３の角部での反りの大きさは６６．８μ
ｍで小さなものとなっている。このように樹脂基板２３
の反り量が小さいので、凸面状となった樹脂基板２３の
下面に配列された半田バンプの高さの差は小さく、平坦
な実装面に対しても半田付けによる接続を比較的確実に
行うことができ、実装歩留は向上し、接続の信頼性も向
上したものとなる。
【００２７】なお、上記の第２の実施形態では、補強板
３４を枠幅が広幅部３５と狭幅部３６の２段階に変化す
るものとしたが、これに限るものではなく、例えば図７
に示す第１の変形形態のように補強板３４ａを、その枠
幅が角部に向けて漸増するように構成したり、図８に示
す第２の変形形態のように補強板３４ｂを、枠の中間部
に枠幅が狭幅の定幅部３７、角部側に枠幅が角部に向け
て漸増し定幅部３７より広幅の増幅部３８を設けるよう
に構成しても、第２の実施形態と同様の作用、効果を得
ることができる。また、上記のものはフリップチップ技
術を用いたＢＧＡであるが、枠幅が広幅部３５と狭幅部
３６の２段階に変化する補強板３４と同様形状に形成さ
れた補強板をＴＡＢ技術を用いたＢＧＡに対して適用し
た場合には、樹脂基板がフィルム状の薄いものでそのま
まではたわみやすいが、表面に固着した補強板が角枠状
で樹脂基板の辺部分も補強されるのでたわみ難くなり、
取扱い時に簡単に変形してしまうことがなくなり、移送
や組み込み等の際に取り扱いやすく、不良などの発生の
虞が少なくなる。
【００２８】次に、フリップチップ技術を用いたＢＧＡ
の第３の実施形態を図９により説明する。図９は横断面
図である。
【００２９】図９において、４１は消費電力が比較的大
きい長方形状の半導体チップで、図示しないがその一面
には複数のバンプが設けられている。４２は長方形状に
形成されたガラスフィラー入りエポキシ樹脂でなる樹脂
基板で、同様に図示しないがその上面には複数のパッド
が設けられており、また下面には外部接続のための複数
の半田バンプが配列されている。
【００３０】そして半導体チップ４１は樹脂基板４２の
所定位置に、バンプを対応するパッドに載せた後に、リ
フローで溶融させるなどして半田付けにより接続するこ
とによりフェースダウン形に搭載される。また半導体チ
ップ４１と樹脂基板４２とは、６０℃〜７０℃の加温状
態で両者の間の間隙にエポキシ樹脂系の封止樹脂４３が
注入され、毛細管現象により間隙全体に充填され、その
後に、１５０℃の温度で１時間加熱され、封止樹脂４３
が硬化することによって一体化されている。
【００３１】さらに、４４は樹脂基板４２の上面両短辺
部分のみにエポキシ樹脂系の接着剤により接着された、
例えばＳＵＳ３０４等のステンレス鋼あるいは銅などに
より形成された補強板である。この補強板４４は、樹脂
基板４２の両短辺部分の上面に短辺と両端角部を一致さ
せるように分割配置された同一形状の補強部材４５でな
り、この補強部材４５は、両端に略直角三角形状の広幅
部４６と、広幅部４６を連設する中間部分に狭幅部４７
とを備えたものとなっている。なお、これによって樹脂
基板４２の両長辺部分の中間部に、補強板４４が固着さ
れていない部分が形成されている。
【００３２】そして、補強板４４の接着は、補強部材４
５に接着剤を塗布し樹脂基板４２の所定位置に載せた
後、接着剤を硬化させるために高温に一定時間、例えば
１５０℃の温度でｌ時間、加熱放置しておき、接着剤が
硬化した後に常温にまで戻される。また、補強板４４と
半導体チップ４１の上面には同じくステンレス鋼あるい
は銅などによりなる樹脂基板４２と同じ長方形状の図示
しないカバー板が接着剤により接着されており、さら
に、このカバー板の上面には図示しない放熱フィンが固
着されている。
【００３３】このように構成されたものでは、樹脂基板
４２の厚さが比較的厚くたわみ難いものであり、補強板
４４が樹脂基板４２の両短辺部分の上面に補強部材４５
を設けるようにしてなるものであるため、たわみ難く取
扱い時に簡単に変形してしまうことがない。そして、補
強板４４は、樹脂基板４２の両短辺部分に補強部材４５
を分割配置したもので、４隅角部に各隅角を合致させて
分割配置するよう構成するようにしたものよりも移送や
組み込み等の際に取り扱いやすく、不良などの発生の虞
が少なく、さらに、２つの補強部材４５で構成したもの
であるため、補強板４４の接着工程に要する時間が短く
てすむ。また、補強板４４を接着剤によって樹脂基板４
２に接着する際、接着剤の硬化のために一定時間、高温
に補強板４４を接着した樹脂基板４２が保持され、接着
剤の硬化後に常温にまで戻されるた時、樹脂基板４２と
接着剤、あるいは樹脂基板４２と補強板４４との間の熱
膨張係数の差で全体に反りが生じる。
【００３４】しかし、２つの補強部材４５でなる補強板
４４を両短辺部分のみに接着した樹脂基板４２に生じる
反りは、下方に向けて少し凸形となるな反りで、その大
きさは両長辺部分の中間部に補強板４４が固着されてい
ないために小さなものとなっている。そして、樹脂基板
４２の反り量が小さいので、凸面状となった樹脂基板４
２の下面に配列された半田バンプの高さの差は小さく、
平坦な実装面に対しても半田付けによる接続を確実に行
うことができ、実装歩留は向上し、接続の信頼性も向上
したものとなる。
【００３５】なお、上記の第３の実施形態では、補強板
４４の補強部材４５が両端に略直角三角形状の広幅部４
６、中間部分に狭幅部４７を備えたものとしたが、これ
に限るものではなく、広幅部４６が狭幅部４７より広幅
の略方形状のものであっても、また補強部材４５が角部
に向けて漸増する枠幅を有する形状であっても、第３の
実施形態と同様の作用、効果を得ることができる。
【００３６】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
は樹脂基板に固着した補強板を角部側で固着面積が大き
くなるよう構成したので、樹脂基板の反り量が小さなも
のとなり、実装歩留が向上し、実装時における接続の信
頼性が向上する等の効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態を示す縦断面図であ
る。
【図２】本発明の第１の実施形態における横断面図であ
る。
【図３】本発明の第１の実施形態に係る補強板を接着し
た樹脂基板の反りシミュレーション結果を模式的に示す
図である。
【図４】本発明の第１の実施形態に係る変形形態の横断
面図である。
【図５】本発明の第２の実施形態を示す横断面図であ
る。
【図６】本発明の第２の実施形態に係る補強板を接着し
た樹脂基板の反りシミュレーション結果を模式的に示す
図である。
【図７】本発明の第２の実施形態に係る第１の変形形態
の横断面図である。
【図８】本発明の第２の実施形態に係る第２の変形形態
の横断面図である。
【図９】本発明の第３の実施形態を示す横断面図であ
る。
【図１０】第１の従来例を示す縦断面図である。
【図１１】第１の従来例における横断面図である。
【図１２】第２の従来例を示す縦断面図である。
【図１３】第２の従来例における横断面図である。
【図１４】第２の従来例に係る補強板を接着した樹脂基
板の反りのシミュレーション結果を模式的に示す図であ
る。
【符号の説明】
２１，４１…半導体チップ ２３，４２…樹脂基板 ２８，４３…封止樹脂 ２９，２９ａ，３４，３４ａ，３４ｂ，４４…補強板 ３１，３１ａ，４５…補強部材 ３５，４６…広幅部 ３６，４７…狭幅部 ３７…定幅部 ３８…増幅部

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 多角形状の基板上に半導体チップを実装
    すると共に、前記基板面に補強板を固着してなる半導体
    装置において、前記補強板は、前記基板への固着面積が
    該基板の角部側で大きくなるよう偏在するものであるこ
    とを特徴とする半導体装置。
  2. 【請求項２】 基板が方形状であると共に、補強板が前
    記基板の四隅角部近傍にそれぞれ固着された補強部材に
    よってのみなるものであることを特徴とする請求項１記
    載の半導体装置。
  3. 【請求項３】 補強板は、四隅角部の補強部材が同一形
    状をなすものであることを特徴とする請求項２記載の半
    導体装置。
  4. 【請求項４】 補強板は、基板と略同外形を有する枠形
    状をなすものであって、枠幅が該基板の角部側で広くな
    っていることを特徴とする請求項１記載の半導体装置。
  5. 【請求項５】 基板が長方形状であると共に、補強板が
    前記基板の両短辺に沿ってそれぞれ固着された補強部材
    によりなるものであることを特徴とする請求項１記載の
    半導体装置。
  6. 【請求項６】 補強板は、両短辺の補強部材が同一形状
    をなすものであって、該補強部材の幅が基板の角部側で
    広くなるよう形成されていることを特徴とする請求項５
    記載の半導体装置。
JP9191174A 1997-07-16 1997-07-16 半導体装置 Pending JPH1140687A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9191174A JPH1140687A (ja) 1997-07-16 1997-07-16 半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9191174A JPH1140687A (ja) 1997-07-16 1997-07-16 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH1140687A true JPH1140687A (ja) 1999-02-12

Family

ID=16270139

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9191174A Pending JPH1140687A (ja) 1997-07-16 1997-07-16 半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH1140687A (ja)

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001174789A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Sharp Corp 液晶表示装置
US6502926B2 (en) 2001-01-30 2003-01-07 Lexmark International, Inc. Ink jet semiconductor chip structure
WO2004086498A1 (ja) * 2003-03-26 2004-10-07 Fujitsu Limited 半導体装置
WO2007037055A1 (ja) * 2005-09-29 2007-04-05 Nec Corporation 半導体パッケージ、基板、この半導体パッケージ又は基板を用いた電子機器、半導体パッケージの反り矯正方法
JP2007281374A (ja) * 2006-04-11 2007-10-25 Nec Corp 半導体チップ搭載用基板、該基板を備えた半導体パッケージ、電子機器、および半導体パッケージの製造方法
JP2009212315A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその製造方法
EP2395820A1 (en) 2010-06-10 2011-12-14 Fujitsu Limited Board reinforcing structure, board assembly, and electronic device
JP2013033853A (ja) * 2011-08-02 2013-02-14 Fujitsu Ltd 実装基板、半導体装置及び電子機器
JP2013102216A (ja) * 2013-01-31 2013-05-23 Shinko Electric Ind Co Ltd 配線基板
US9053262B2 (en) 2011-11-22 2015-06-09 Fujitsu Limited Method of determining reinforcement position of circuit substrate and substrate assembly
JP2017092395A (ja) * 2015-11-16 2017-05-25 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体装置
US20200258750A1 (en) * 2017-08-17 2020-08-13 Semiconductor Components Industries, Llc Die support structures and related methods
WO2024005172A1 (ja) * 2022-06-29 2024-01-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置及び電子機器

Cited By (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001174789A (ja) * 1999-12-17 2001-06-29 Sharp Corp 液晶表示装置
US6502926B2 (en) 2001-01-30 2003-01-07 Lexmark International, Inc. Ink jet semiconductor chip structure
WO2004086498A1 (ja) * 2003-03-26 2004-10-07 Fujitsu Limited 半導体装置
US7102228B2 (en) 2003-03-26 2006-09-05 Fujitsu Limited Semiconductor device
WO2007037055A1 (ja) * 2005-09-29 2007-04-05 Nec Corporation 半導体パッケージ、基板、この半導体パッケージ又は基板を用いた電子機器、半導体パッケージの反り矯正方法
JPWO2007037055A1 (ja) * 2005-09-29 2009-04-02 日本電気株式会社 半導体パッケージ、基板、この半導体パッケージ又は基板を用いた電子機器、半導体パッケージの反り矯正方法
JP2007281374A (ja) * 2006-04-11 2007-10-25 Nec Corp 半導体チップ搭載用基板、該基板を備えた半導体パッケージ、電子機器、および半導体パッケージの製造方法
JP2009212315A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Elpida Memory Inc 半導体装置及びその製造方法
EP2395820A1 (en) 2010-06-10 2011-12-14 Fujitsu Limited Board reinforcing structure, board assembly, and electronic device
US8604347B2 (en) 2010-06-10 2013-12-10 Fujitsu Limited Board reinforcing structure, board assembly, and electronic device
JP2013033853A (ja) * 2011-08-02 2013-02-14 Fujitsu Ltd 実装基板、半導体装置及び電子機器
US9053262B2 (en) 2011-11-22 2015-06-09 Fujitsu Limited Method of determining reinforcement position of circuit substrate and substrate assembly
JP2013102216A (ja) * 2013-01-31 2013-05-23 Shinko Electric Ind Co Ltd 配線基板
JP2017092395A (ja) * 2015-11-16 2017-05-25 住友電工デバイス・イノベーション株式会社 半導体装置
US20200258750A1 (en) * 2017-08-17 2020-08-13 Semiconductor Components Industries, Llc Die support structures and related methods
WO2024005172A1 (ja) * 2022-06-29 2024-01-04 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 半導体装置及び電子機器

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3219043B2 (ja) 半導体装置のパッケージ方法および半導体装置
US6518666B1 (en) Circuit board reducing a warp and a method of mounting an integrated circuit chip
JP5543086B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP5387685B2 (ja) 半導体装置の製造方法
TWI228806B (en) Flip chip package
JP4079456B2 (ja) 半導体装置
JPH07245360A (ja) 半導体パッケージおよびその製造方法
JP2001326236A (ja) 半導体装置の製造方法
JP4243488B2 (ja) フリップ・チップ相互接続を備えたチップ・スケール・パッケージ
KR20030013737A (ko) 반도체 패키지 및 그 제조 방법
JPH1140687A (ja) 半導体装置
US8980692B2 (en) Semiconductor device manufacturing method
US7663254B2 (en) Semiconductor apparatus and method of manufacturing the same
JP3813540B2 (ja) 半導体装置の製造方法及び半導体装置及び半導体装置ユニット
CN101901770B (zh) 集成电路封装结构的制造方法
JPH1117064A (ja) 半導体パッケージ
JP3552422B2 (ja) ボールグリッドアレイ半導体装置及びその実装方法
JP4581301B2 (ja) 半導体パッケージ
JPH11284097A (ja) 半導体装置
JP3189270B2 (ja) 接着方法
JP3374812B2 (ja) 半導体装置
JP2806362B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JPH11214576A (ja) 半導体チップ搭載用パッケージ
JPH1197569A (ja) 半導体パッケージ
JP5120304B2 (ja) スティフナー付きプリント配線板および放熱板付き半導体パッケージの製造方法