JPH1117064A - 半導体パッケージ - Google Patents
半導体パッケージInfo
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- JPH1117064A JPH1117064A JP9167578A JP16757897A JPH1117064A JP H1117064 A JPH1117064 A JP H1117064A JP 9167578 A JP9167578 A JP 9167578A JP 16757897 A JP16757897 A JP 16757897A JP H1117064 A JPH1117064 A JP H1117064A
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- JP
- Japan
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- resin
- wiring board
- plate
- semiconductor element
- semiconductor package
- Prior art date
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-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
- H10W90/724—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 コンパクトで、かつ反りの発生が低減・防止
され、信頼性の高い接続・実装が可能な半導体パッケー
ジの提供。 【解決手段】 一主面に接続端子8aが設けられ、他主面
に外部接続端子8bが導出配置された樹脂を基材としたフ
ィルム状の配線基板８と、前記配線基板８の接続端子8a
に対応させ電気的に接続・搭載された半導体素子９と、
前記半導体素子９周辺を囲繞し、かつ配線基板８面に接
着剤層 11aを介して順次積層された補強板10および前記
配線基板８の基材と同種の樹脂板12と、前記樹脂板12上
面との間に間隙を持たせ、かつ半導体素子９上面に接着
剤層 11bを介して一体的に配置された放熱板13とを具備
することを特徴とする半導体パッケージである。
され、信頼性の高い接続・実装が可能な半導体パッケー
ジの提供。 【解決手段】 一主面に接続端子8aが設けられ、他主面
に外部接続端子8bが導出配置された樹脂を基材としたフ
ィルム状の配線基板８と、前記配線基板８の接続端子8a
に対応させ電気的に接続・搭載された半導体素子９と、
前記半導体素子９周辺を囲繞し、かつ配線基板８面に接
着剤層 11aを介して順次積層された補強板10および前記
配線基板８の基材と同種の樹脂板12と、前記樹脂板12上
面との間に間隙を持たせ、かつ半導体素子９上面に接着
剤層 11bを介して一体的に配置された放熱板13とを具備
することを特徴とする半導体パッケージである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体パッケージ
に係り、さらに詳しくは反りの発生などを低減・解消し
た半導体パッケージに関する。
に係り、さらに詳しくは反りの発生などを低減・解消し
た半導体パッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】電子機器類の軽量化やコンパクト化など
に伴って、電子回路の高密度実装型の開発が進められて
いる。また、この高密度実装回路の構成に当たっては、
搭載・実装する電子部品、たとえば半導体パッケージの
小形・薄型化が望まれている。すなわち、実装回路装置
の高密度化や高機能化には、配線の高密度化だけでな
く、半導体素子（IC素子など）などの回路部品の高機能
・小形・薄型化を要するからである。
に伴って、電子回路の高密度実装型の開発が進められて
いる。また、この高密度実装回路の構成に当たっては、
搭載・実装する電子部品、たとえば半導体パッケージの
小形・薄型化が望まれている。すなわち、実装回路装置
の高密度化や高機能化には、配線の高密度化だけでな
く、半導体素子（IC素子など）などの回路部品の高機能
・小形・薄型化を要するからである。
【０００３】このような要求に対応して、一主面に接続
端子が設けられ、他主面に外部接続端子が導出配置され
たポリイミド樹脂を基材とする配線基板を用いた BGA(B
allGride Array)タイプ、TBGA(Tape Ball Gride Array)
タイプ、あるいは LGA(Land Gride Array)タイプの半
導体パッケージが開発されている。
端子が設けられ、他主面に外部接続端子が導出配置され
たポリイミド樹脂を基材とする配線基板を用いた BGA(B
allGride Array)タイプ、TBGA(Tape Ball Gride Array)
タイプ、あるいは LGA(Land Gride Array)タイプの半
導体パッケージが開発されている。
【０００４】図３は、TBGAタイプの半導体パッケージの
要部構造を断面的に示すもので、１は一主面に接続端子
1aが設けられ、他主面に外部接続端子1bが導出配置され
た樹脂を基材としたフィルム型（もしくはテープ型）の
配線基板である。ここで、配線基板１は、たとえば厚さ
50〜 100μm 程度、20×20mm〜40×40mm角程度のポリイ
ミド樹脂フィルム（もしくはテープ）であり、また、他
主面に導出された外部接続端子1bは、いわゆるボールバ
ンプで格子状に配置されている。
要部構造を断面的に示すもので、１は一主面に接続端子
1aが設けられ、他主面に外部接続端子1bが導出配置され
た樹脂を基材としたフィルム型（もしくはテープ型）の
配線基板である。ここで、配線基板１は、たとえば厚さ
50〜 100μm 程度、20×20mm〜40×40mm角程度のポリイ
ミド樹脂フィルム（もしくはテープ）であり、また、他
主面に導出された外部接続端子1bは、いわゆるボールバ
ンプで格子状に配置されている。
【０００５】２は前記配線基板１の接続端子1aに対応さ
せ電気的に接続・搭載された半導体素子、たとえばICチ
ップであり、３は前記半導体素子２周辺を囲繞し、配線
基板１面に接着剤層4aを介して積層された補強板、５は
前記補強板３に上面に対しては離隔し（間隙を持ち）、
半導体素子２の上面に接着剤層4bを介して一体的に配置
された放熱板、６は前記半導体素子２の接続・搭載部を
封止する樹脂層である。ここで、補強板３は、たとえば
厚さ 200〜 500μm 程度、20×20mm〜40×40mm角程度
で、前記半導体素子２の搭載・実装領域に対応する部分
を開口させた環状のステンレス鋼製板であり、接着剤層
4a，4bは、たとえばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの
熱硬化性もしくは熱可塑性の樹脂である。また、放熱板
５は、たとえば厚さ 200〜 500μm 程度、20×20mm〜40
×40mm角程度の銅板やステンレス鋼板などであり、さら
に、封止樹脂層６は、たとえばシリカ粉末を分散・含有
したエポキシ樹脂など、一般的に、半導体装置の構成で
使用されている封止用樹脂でる。 そして、このような
半導体パッケージは、たとえば半田ペーストを塗布（印
刷）した実装用配線基板７の導電パッド（図示省略）
に、前記ボールバンプ1bを対応・位置合わせマウント
し、半田ペーストをリフローさせて実装回路装置を形成
する形態で使用されている。
せ電気的に接続・搭載された半導体素子、たとえばICチ
ップであり、３は前記半導体素子２周辺を囲繞し、配線
基板１面に接着剤層4aを介して積層された補強板、５は
前記補強板３に上面に対しては離隔し（間隙を持ち）、
半導体素子２の上面に接着剤層4bを介して一体的に配置
された放熱板、６は前記半導体素子２の接続・搭載部を
封止する樹脂層である。ここで、補強板３は、たとえば
厚さ 200〜 500μm 程度、20×20mm〜40×40mm角程度
で、前記半導体素子２の搭載・実装領域に対応する部分
を開口させた環状のステンレス鋼製板であり、接着剤層
4a，4bは、たとえばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの
熱硬化性もしくは熱可塑性の樹脂である。また、放熱板
５は、たとえば厚さ 200〜 500μm 程度、20×20mm〜40
×40mm角程度の銅板やステンレス鋼板などであり、さら
に、封止樹脂層６は、たとえばシリカ粉末を分散・含有
したエポキシ樹脂など、一般的に、半導体装置の構成で
使用されている封止用樹脂でる。 そして、このような
半導体パッケージは、たとえば半田ペーストを塗布（印
刷）した実装用配線基板７の導電パッド（図示省略）
に、前記ボールバンプ1bを対応・位置合わせマウント
し、半田ペーストをリフローさせて実装回路装置を形成
する形態で使用されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記半
導体パッケージの場合は、次ぎのような不具合な問題が
ある。すなわち、 (a)ポリイミド樹脂を基材とするフィ
ルム（もしくはテープ）状の配線基板１、接着材層4a、
補強板３、さらには実装用配線基板７などの間に熱膨脹
率の差があること、 (b)ポリイミド樹脂などフィルム状
の配線基板用の基材が吸湿性を有することなどによっ
て、半導体パッケージの組み立て（もしくは製造）工程
における加熱、あるいは組み込んだ実装回路装置（電子
機器）が使用環境下で温度変化にあった場合など、半導
体パッケージに反りが生じる。
導体パッケージの場合は、次ぎのような不具合な問題が
ある。すなわち、 (a)ポリイミド樹脂を基材とするフィ
ルム（もしくはテープ）状の配線基板１、接着材層4a、
補強板３、さらには実装用配線基板７などの間に熱膨脹
率の差があること、 (b)ポリイミド樹脂などフィルム状
の配線基板用の基材が吸湿性を有することなどによっ
て、半導体パッケージの組み立て（もしくは製造）工程
における加熱、あるいは組み込んだ実装回路装置（電子
機器）が使用環境下で温度変化にあった場合など、半導
体パッケージに反りが生じる。
【０００７】この点をより具体的に例示・説明すると、
たとえば40×40mm角のポリイミド樹脂を基材とするフィ
ルム状配線基板１を使用したTBGAタイプの半導体パッケ
ージにおいては、フィルム状配線基板１の吸排湿に起因
する反りが約44μm 、厚さ 350μm の補強板３の打ち抜
き加工時に発生した反り約70μm 、および熱変形による
反りとによって、 100μm を超える反りが生じる。
たとえば40×40mm角のポリイミド樹脂を基材とするフィ
ルム状配線基板１を使用したTBGAタイプの半導体パッケ
ージにおいては、フィルム状配線基板１の吸排湿に起因
する反りが約44μm 、厚さ 350μm の補強板３の打ち抜
き加工時に発生した反り約70μm 、および熱変形による
反りとによって、 100μm を超える反りが生じる。
【０００８】そして、この半導体パッケージの反り発生
は、実装用配線基板７面に対する実装工程での不良率増
大を招来することになり、また、使用環境下での反り発
生は、半田接合部に対する応力集中・歪みの発生による
接合部の離脱を招来し、長期信頼性が損なわれる恐れが
ある。
は、実装用配線基板７面に対する実装工程での不良率増
大を招来することになり、また、使用環境下での反り発
生は、半田接合部に対する応力集中・歪みの発生による
接合部の離脱を招来し、長期信頼性が損なわれる恐れが
ある。
【０００９】前記反りの発生対策として、補強板３を厚
くして反りを低減する試みも成されているが、高容量化
に伴う半導体素子（半導体チップ）の大形化、換言する
と半導体パッケージの大形化に対応できない状況にあ
る。すなわち、補強板３の厚さを 400〜1000μm 程度
と、従来の 2倍程度に厚くしても、実用性を考慮した場
合、半導体パッケージの反りを規格の範囲内に抑えるこ
とが困難である。しかも、補強板３を厚くすると剛性が
増加し、その剛性の影響によって半田接合部に対する応
力集中・歪みの発生が助長され、接合の信頼性が低下す
るという問題がある。 本発明は上記事情に対処してな
されたもので、コンパクトで、かつ反りの発生が低減・
防止され、信頼性の高い接続・実装が可能な半導体パッ
ケージの提供を目的とする。
くして反りを低減する試みも成されているが、高容量化
に伴う半導体素子（半導体チップ）の大形化、換言する
と半導体パッケージの大形化に対応できない状況にあ
る。すなわち、補強板３の厚さを 400〜1000μm 程度
と、従来の 2倍程度に厚くしても、実用性を考慮した場
合、半導体パッケージの反りを規格の範囲内に抑えるこ
とが困難である。しかも、補強板３を厚くすると剛性が
増加し、その剛性の影響によって半田接合部に対する応
力集中・歪みの発生が助長され、接合の信頼性が低下す
るという問題がある。 本発明は上記事情に対処してな
されたもので、コンパクトで、かつ反りの発生が低減・
防止され、信頼性の高い接続・実装が可能な半導体パッ
ケージの提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、一主
面に接続端子が設けられ、他主面に外部接続端子が導出
配置された樹脂を基材としたフィルム状の配線基板と、
前記配線基板の接続端子に対応させ電気的に接続・搭載
された半導体素子と、前記半導体素子周辺を囲繞し、か
つ配線基板面に接着剤層を介して順次積層された補強板
および前記配線基板の基材と同種の樹脂板と、前記樹脂
板上面との間に間隙を持たせ、かつ半導体素子上面に接
着剤層を介して一体的に配置された放熱板とを具備する
ことを特徴とする半導体パッケージである。
面に接続端子が設けられ、他主面に外部接続端子が導出
配置された樹脂を基材としたフィルム状の配線基板と、
前記配線基板の接続端子に対応させ電気的に接続・搭載
された半導体素子と、前記半導体素子周辺を囲繞し、か
つ配線基板面に接着剤層を介して順次積層された補強板
および前記配線基板の基材と同種の樹脂板と、前記樹脂
板上面との間に間隙を持たせ、かつ半導体素子上面に接
着剤層を介して一体的に配置された放熱板とを具備する
ことを特徴とする半導体パッケージである。
【００１１】請求項２の発明は、請求項１記載の半導体
パッケージにおいて、樹脂フィルムが、ポリイミド樹脂
製であることを特徴とする。
パッケージにおいて、樹脂フィルムが、ポリイミド樹脂
製であることを特徴とする。
【００１２】上記請求項１および２の発明では、同種の
樹脂板で補強板の両主面を挟着させ、対称的な構成とし
たことにより、温度変化や湿度の影響で反りを発生し易
い補強板の膨脹作用などが、両主面側に分散的に及ぶこ
とになって、厚さ方向に発生する反り現象が容易に、防
止・低減化される。そして、本願発明は、構成素材の積
層断面を対称に設計・構成したとき、それら積層素材の
熱膨脹率差や吸湿性差に起因する積層方向（厚さ方向）
における積層体の反り発生が効果的に抑えられ、良好な
平坦性を保持することに着目してなされたものである。
樹脂板で補強板の両主面を挟着させ、対称的な構成とし
たことにより、温度変化や湿度の影響で反りを発生し易
い補強板の膨脹作用などが、両主面側に分散的に及ぶこ
とになって、厚さ方向に発生する反り現象が容易に、防
止・低減化される。そして、本願発明は、構成素材の積
層断面を対称に設計・構成したとき、それら積層素材の
熱膨脹率差や吸湿性差に起因する積層方向（厚さ方向）
における積層体の反り発生が効果的に抑えられ、良好な
平坦性を保持することに着目してなされたものである。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明において、補強板を接着剤
層を介して挟着する樹脂製のフィルム状（ないしテープ
状）配線基板および樹脂板は、たとえばポリイミド樹
脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂などを基材とした
配線基板および樹脂板である。そして、その厚さは、ほ
ぼ同等であることがま望ましく、一般的に、50〜 200μ
m 程度で、コストおよび加工性などを考慮した場合、ポ
リイミド樹脂を基材としたものが好ましい。また、他主
面に導出・配置された外部接続端子は、一般的に、ラン
ド型もしくはボール型で、かつ所定ピッチの格子状や千
鳥状など任意に配列されている。つまり、 BGA(Ball Gr
ide Array)タイプ、TBGA(Tape Ball Gride Array)タイ
プ、 LGA(Land Gride Array)タイプ、TLGA(Tape Land G
ride Array) タイプの半導体パッケージが対象となる。
なお、前記外部接続端子は、たとえば金，銀，ニッケ
ル，アルミニウム，錫，半田類などで形成される。
層を介して挟着する樹脂製のフィルム状（ないしテープ
状）配線基板および樹脂板は、たとえばポリイミド樹
脂、ポリブチレンテレフタレート樹脂などを基材とした
配線基板および樹脂板である。そして、その厚さは、ほ
ぼ同等であることがま望ましく、一般的に、50〜 200μ
m 程度で、コストおよび加工性などを考慮した場合、ポ
リイミド樹脂を基材としたものが好ましい。また、他主
面に導出・配置された外部接続端子は、一般的に、ラン
ド型もしくはボール型で、かつ所定ピッチの格子状や千
鳥状など任意に配列されている。つまり、 BGA(Ball Gr
ide Array)タイプ、TBGA(Tape Ball Gride Array)タイ
プ、 LGA(Land Gride Array)タイプ、TLGA(Tape Land G
ride Array) タイプの半導体パッケージが対象となる。
なお、前記外部接続端子は、たとえば金，銀，ニッケ
ル，アルミニウム，錫，半田類などで形成される。
【００１４】本発明において、前記樹脂製のフィルム状
配線基板に搭載する半導体素子は、たとえばICチップな
ど、チップ型のものであれば特に限定されない。また、
その配線基板面に搭載された半導体素子数は、一般的に
は１個であるが複数個であってもよいし、他の受動素子
なども搭載した構成を採ってもよい。
配線基板に搭載する半導体素子は、たとえばICチップな
ど、チップ型のものであれば特に限定されない。また、
その配線基板面に搭載された半導体素子数は、一般的に
は１個であるが複数個であってもよいし、他の受動素子
なども搭載した構成を採ってもよい。
【００１５】本発明において、補強板は、たとえば厚さ
200〜 500μm 程度のステンレス鋼板や銅板などであ
り、また、この補強板を樹脂製のフィルム状配線基板面
に貼着・一体化などする接着剤としては、たとえばエポ
キシ樹脂系もしくはアクリル樹脂系などが挙げられる。
なお、貼着・一体化に寄与する接着剤層の厚さは、特に
限定されないが、少なくとも補強板の両面側の厚さをほ
ぼ等しく、また、厚さムラのないように設定することが
好ましい。
200〜 500μm 程度のステンレス鋼板や銅板などであ
り、また、この補強板を樹脂製のフィルム状配線基板面
に貼着・一体化などする接着剤としては、たとえばエポ
キシ樹脂系もしくはアクリル樹脂系などが挙げられる。
なお、貼着・一体化に寄与する接着剤層の厚さは、特に
限定されないが、少なくとも補強板の両面側の厚さをほ
ぼ等しく、また、厚さムラのないように設定することが
好ましい。
【００１６】本発明においては、通常、半導体素子の実
装・接続部を樹脂封止するが、一般的に、半導体素子の
封止に使用されている封止用樹脂ならばいずれをも使用
できる。すなわち、半導体素子を外界雰囲気中の水分や
不純物成分などに対して、あるいは機械的に保護するた
めに、被覆封止する樹脂のモールド材ならばいずれも使
用できる。たとえば精製処理したエポキシ樹脂に、Na成
分などを精製除去したシリカ粉末などをフィラーとして
含む封止用のエポキシ樹脂系組成物、あるいはポリスル
フォン酸樹脂などでモールド樹脂層を形成できる。
装・接続部を樹脂封止するが、一般的に、半導体素子の
封止に使用されている封止用樹脂ならばいずれをも使用
できる。すなわち、半導体素子を外界雰囲気中の水分や
不純物成分などに対して、あるいは機械的に保護するた
めに、被覆封止する樹脂のモールド材ならばいずれも使
用できる。たとえば精製処理したエポキシ樹脂に、Na成
分などを精製除去したシリカ粉末などをフィラーとして
含む封止用のエポキシ樹脂系組成物、あるいはポリスル
フォン酸樹脂などでモールド樹脂層を形成できる。
【００１７】本発明において、放熱板は、たとえば厚さ
200〜 500μm （ 0.2〜 0.5mm）程度のステンレス鋼板
や銅板などであり、半導体素子の動作による発熱の放出
を目的として配置される。したがって、外界への放熱
を、より効果的に行うために、補強板上に積層・一体化
される樹脂板上面に対しても、適宜の間隙を採る。
200〜 500μm （ 0.2〜 0.5mm）程度のステンレス鋼板
や銅板などであり、半導体素子の動作による発熱の放出
を目的として配置される。したがって、外界への放熱
を、より効果的に行うために、補強板上に積層・一体化
される樹脂板上面に対しても、適宜の間隙を採る。
【００１８】次に、図１および図２を参照して具体例を
説明する。
説明する。
【００１９】図１はTBGAタイプの半導体パッケージの要
部構造を示す断面図である。図１において、８は一主面
に接続端子8aが設けられ、他主面に外部接続端子8bが導
出配置された樹脂フィルムを基材とした配線基板であ
る。ここで、配線基板８は、たとえば厚さ50〜 100μm
程度、40×40mm角のポリイミド樹脂製のフィルム（もし
くはテープ）状配線基板であり、また、他主面に導出さ
れた外部接続端子8bは、いわゆる金製のボールバンプで
格子状に配置されている。
部構造を示す断面図である。図１において、８は一主面
に接続端子8aが設けられ、他主面に外部接続端子8bが導
出配置された樹脂フィルムを基材とした配線基板であ
る。ここで、配線基板８は、たとえば厚さ50〜 100μm
程度、40×40mm角のポリイミド樹脂製のフィルム（もし
くはテープ）状配線基板であり、また、他主面に導出さ
れた外部接続端子8bは、いわゆる金製のボールバンプで
格子状に配置されている。
【００２０】９は前記配線基板８の接続端子8aに対応さ
せ電気的に接続・搭載された半導体素子、たとえばICチ
ップであり、10は前記半導体素子２周辺を囲繞し、配線
基板８面に接着剤層 11aを介して積層された補強板、12
は前記補強板10の上面に接着剤層 11aを介して積層され
た樹脂板、13は前記樹脂板12に対しては離隔し（間隙を
持ち）、半導体素子９の上面に接着剤層 11bを介して一
体的に配置された放熱板、14は前記半導体素子９の接続
・搭載部を封止する樹脂層である。ここで、補強板10
は、たとえば厚さ 350μm 程度、40×40mm角程度で、前
記半導体素子９の搭載・実装領域に対応する部分を開口
させた環状のステンレス鋼製板であり、接着剤層 11a，
11bは、たとえばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹
脂である。また、樹脂板12は、厚さが50〜 200μm （0.
05〜 0.2mm）程度で、補強板10と同様の形状に形成され
たポリイミド樹脂板であり、放熱板13は、たとえば厚さ
200〜 500μm （ 0.2〜 0.5mm）程度、20×20mm〜40×
40mm角程度のステンレス鋼板や銅板などである。さら
に、封止樹脂層６は、たとえばシリカ粉末を分散・含有
したエポキシ樹脂など、一般的に、半導体装置の構成で
使用されている封止用樹脂である。
せ電気的に接続・搭載された半導体素子、たとえばICチ
ップであり、10は前記半導体素子２周辺を囲繞し、配線
基板８面に接着剤層 11aを介して積層された補強板、12
は前記補強板10の上面に接着剤層 11aを介して積層され
た樹脂板、13は前記樹脂板12に対しては離隔し（間隙を
持ち）、半導体素子９の上面に接着剤層 11bを介して一
体的に配置された放熱板、14は前記半導体素子９の接続
・搭載部を封止する樹脂層である。ここで、補強板10
は、たとえば厚さ 350μm 程度、40×40mm角程度で、前
記半導体素子９の搭載・実装領域に対応する部分を開口
させた環状のステンレス鋼製板であり、接着剤層 11a，
11bは、たとえばエポキシ樹脂やアクリル樹脂などの樹
脂である。また、樹脂板12は、厚さが50〜 200μm （0.
05〜 0.2mm）程度で、補強板10と同様の形状に形成され
たポリイミド樹脂板であり、放熱板13は、たとえば厚さ
200〜 500μm （ 0.2〜 0.5mm）程度、20×20mm〜40×
40mm角程度のステンレス鋼板や銅板などである。さら
に、封止樹脂層６は、たとえばシリカ粉末を分散・含有
したエポキシ樹脂など、一般的に、半導体装置の構成で
使用されている封止用樹脂である。
【００２１】上記構成のTBGAタイプの半導体パッケージ
は、フィルム状配線基板８の吸排湿および補強板などの
熱変形に起因する反りがほとんどなくなり、補強板10の
打ち抜き加工時に発生した反りのみに抑制・低減化す
る。上記反りの発生を抑制・低減化できることは、補強
板10の厚さを薄くできることになる。したがって、補強
板10の剛性に起因する半導体パッケージのボールバンプ
8bを半田付け・接合した接続部における応力集中の回避
となり、半田付け・接合の信頼性向上を助長することに
なる。
は、フィルム状配線基板８の吸排湿および補強板などの
熱変形に起因する反りがほとんどなくなり、補強板10の
打ち抜き加工時に発生した反りのみに抑制・低減化す
る。上記反りの発生を抑制・低減化できることは、補強
板10の厚さを薄くできることになる。したがって、補強
板10の剛性に起因する半導体パッケージのボールバンプ
8bを半田付け・接合した接続部における応力集中の回避
となり、半田付け・接合の信頼性向上を助長することに
なる。
【００２２】図２は、上記構成の半導体パッケージを実
装用配線基板15に搭載・実装して構成した実装回路装置
の要部構成を示す断面図である。すなわち、半田ペース
トを塗布（印刷）など行った実装用配線基板15の導電パ
ッド（図示省略）に、前記半導体パッケージのボールバ
ンプ8bを対応・位置合わせマウントした後、前記半田ペ
ーストをリフローさせ、実装用配線基板15の導電パッド
に、対応するボールバンプ8bを電気的および機械的に接
合して、形成した実装回路装置である。
装用配線基板15に搭載・実装して構成した実装回路装置
の要部構成を示す断面図である。すなわち、半田ペース
トを塗布（印刷）など行った実装用配線基板15の導電パ
ッド（図示省略）に、前記半導体パッケージのボールバ
ンプ8bを対応・位置合わせマウントした後、前記半田ペ
ーストをリフローさせ、実装用配線基板15の導電パッド
に、対応するボールバンプ8bを電気的および機械的に接
合して、形成した実装回路装置である。
【００２３】上記実装回路装置においては、実装用配線
基板に対し、半導体パッケージのボールバンプ8bを半田
付け・接合した接続部、すなわち半田接続部における疲
労破壊などの発生もほとんど認められず、信頼性の高い
実装構造を採っていた。
基板に対し、半導体パッケージのボールバンプ8bを半田
付け・接合した接続部、すなわち半田接続部における疲
労破壊などの発生もほとんど認められず、信頼性の高い
実装構造を採っていた。
【００２４】なお、本発明は上記例示に限定されるもの
でなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲でいろいろの変形
を採り得る。ポリイミド樹脂を基材とする配線基板や樹
脂板の代りに他の耐熱性樹脂、たとえばポリブチレンテ
レフタレート樹脂を基材とした配線基板や樹脂板を用い
てもよいし、また、補強板もステンレス鋼以外の金属製
であってもよい。
でなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲でいろいろの変形
を採り得る。ポリイミド樹脂を基材とする配線基板や樹
脂板の代りに他の耐熱性樹脂、たとえばポリブチレンテ
レフタレート樹脂を基材とした配線基板や樹脂板を用い
てもよいし、また、補強板もステンレス鋼以外の金属製
であってもよい。
【００２５】
【発明の効果】請求項１および請求項２の発明によれ
ば、構成部材の熱膨脹率差による反りの発生が、吸収的
に緩和・抑制されるので、たとえば BGA型端子などを導
出配置した配線基板面の平坦性が容易に確保され、信頼
性の高い接続・実装が可能な半導体パッケージが提供さ
れる。すなわち、半導体素子を搭載・配置した領域周辺
部に配置された補強板は、その両面に同種の樹脂基材か
ら成る配線基板および樹脂板を積層一体化した構成を採
ったことにより、反りの発生に大きく影響する補強板の
熱膨脹率が、それらに分散的に吸収・緩和されるので、
樹脂系の配線基板を中心に、半導体パッケージ自体の反
りが全面的に低減・抑制される。したがって、実装用配
線基板面に対する接続・実装に当たってはその平坦性に
伴って、良好な精度での位置決めが可能となるだけでな
く、耐久的な電気的および機械的な接続実装もでき、信
頼性の高い実装回路装置の提供に大きく寄与する。
ば、構成部材の熱膨脹率差による反りの発生が、吸収的
に緩和・抑制されるので、たとえば BGA型端子などを導
出配置した配線基板面の平坦性が容易に確保され、信頼
性の高い接続・実装が可能な半導体パッケージが提供さ
れる。すなわち、半導体素子を搭載・配置した領域周辺
部に配置された補強板は、その両面に同種の樹脂基材か
ら成る配線基板および樹脂板を積層一体化した構成を採
ったことにより、反りの発生に大きく影響する補強板の
熱膨脹率が、それらに分散的に吸収・緩和されるので、
樹脂系の配線基板を中心に、半導体パッケージ自体の反
りが全面的に低減・抑制される。したがって、実装用配
線基板面に対する接続・実装に当たってはその平坦性に
伴って、良好な精度での位置決めが可能となるだけでな
く、耐久的な電気的および機械的な接続実装もでき、信
頼性の高い実装回路装置の提供に大きく寄与する。
【図１】本発明に係る半導体パッケージの要部構成例を
示す断面図。
示す断面図。
【図２】本発明に係る半導体パッケージを搭載した実装
回路装置の要部構成例を示す断面図。
回路装置の要部構成例を示す断面図。
【図３】従来の半導体パッケージを搭載した実装回路装
置の要部構成を示す断面図。
置の要部構成を示す断面図。
８……樹脂系配線基板 8a……接続端子 8b……外部接続端子 ９……半導体素子 10……補強板 11a， 11b……接着剤層 12……樹脂板 13……放熱板 14……封止樹脂層 15……実装用配線基板
Claims (2)
- 【請求項１】 一主面に接続端子が設けられ、他主面に
外部接続端子が導出配置された樹脂フィルムを基材とし
た配線基板と、 前記配線基板の接続端子に対応させ電気的に接続・搭載
された半導体素子と、 前記半導体素子周辺を囲繞し、かつ配線基板面に接着剤
層を介して順次積層された補強板および前記配線基板の
基材と同種の樹脂板と、 前記樹脂板との間に間隙を持たせ、かつ半導体素子上面
に接着剤層を介して一体的に配置された放熱板とを具備
することを特徴とする半導体パッケージ。 - 【請求項２】 樹脂フィルムが、ポリイミド樹脂製であ
ることを特徴とする請求項１記載の半導体パッケージ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9167578A JPH1117064A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 半導体パッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9167578A JPH1117064A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 半導体パッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1117064A true JPH1117064A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15852353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9167578A Withdrawn JPH1117064A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 半導体パッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1117064A (ja) |
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| US6861750B2 (en) | 2002-02-01 | 2005-03-01 | Broadcom Corporation | Ball grid array package with multiple interposers |
| US6876553B2 (en) | 2002-03-21 | 2005-04-05 | Broadcom Corporation | Enhanced die-up ball grid array package with two substrates |
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| JPWO2012029526A1 (ja) * | 2010-08-30 | 2013-10-28 | 住友ベークライト株式会社 | 半導体パッケージおよび半導体装置 |
-
1997
- 1997-06-24 JP JP9167578A patent/JPH1117064A/ja not_active Withdrawn
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| Date | Code | Title | Description |
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