JPH1141079A - 入力増幅器 - Google Patents
入力増幅器Info
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- JPH1141079A JPH1141079A JP10103337A JP10333798A JPH1141079A JP H1141079 A JPH1141079 A JP H1141079A JP 10103337 A JP10103337 A JP 10103337A JP 10333798 A JP10333798 A JP 10333798A JP H1141079 A JPH1141079 A JP H1141079A
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- Japan
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- transistor
- input
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- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0008—Arrangements for reducing power consumption
- H03K19/0013—Arrangements for reducing power consumption in field effect transistor circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K19/00—Logic circuits, i.e. having at least two inputs acting on one output; Inverting circuits
- H03K19/0175—Coupling arrangements; Interface arrangements
- H03K19/0185—Coupling arrangements; Interface arrangements using field effect transistors only
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- H03K19/018528—Interface arrangements of complementary type, e.g. CMOS with at least one differential stage
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 急峻なエッジを有する入力信号に対する片側
電流遮断を有する入力増幅器であって、出力端と接続さ
れている電極を有する少なくとも1つのトランジスタ7
を有する入力増幅器において、速い入力エッジの際にも
確実なスイツチングを保証する。 【解決手段】 電極QNが、急峻なエッジを有する入力
信号が与えられると直ちに作動電圧にプルアップされる
ように、トランジスタ7の完全な遮断を阻止する装置2
1が、入力増幅器の両PチャネルMOSトランジスタ
6、7の間に設けられている。
電流遮断を有する入力増幅器であって、出力端と接続さ
れている電極を有する少なくとも1つのトランジスタ7
を有する入力増幅器において、速い入力エッジの際にも
確実なスイツチングを保証する。 【解決手段】 電極QNが、急峻なエッジを有する入力
信号が与えられると直ちに作動電圧にプルアップされる
ように、トランジスタ7の完全な遮断を阻止する装置2
1が、入力増幅器の両PチャネルMOSトランジスタ
6、7の間に設けられている。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、急峻なエッジ(特
に“ハイ‐ロー‐エッジ”)を有する入力信号に対する
片側電流遮断を有する入力増幅器であって、出力端と接
続されている電極を有する少なくとも1つのトランジス
タを有する入力増幅器に関する。
に“ハイ‐ロー‐エッジ”)を有する入力信号に対する
片側電流遮断を有する入力増幅器であって、出力端と接
続されている電極を有する少なくとも1つのトランジス
タを有する入力増幅器に関する。
【0002】
【従来の技術】CMOS増幅器はかなり以前から知られ
ており、また非常に広範な回路に使用されている。冒頭
に記載した種類の入力増幅器はたとえば専門図書“CM
OS‐Analog Circuit Desig
n”、P.E.AllenおよびD.R.Holber
g、第381頁に記載されている。
ており、また非常に広範な回路に使用されている。冒頭
に記載した種類の入力増幅器はたとえば専門図書“CM
OS‐Analog Circuit Desig
n”、P.E.AllenおよびD.R.Holber
g、第381頁に記載されている。
【0003】図3は差動増幅器1、PチャネルMOSト
ランジスタ9およびNチャネルMOSトランジスタ10
から成るこのような公知の入力増幅器を示す。トランジ
スタ9、10のゲートおよび差動増幅器1の入力端IN
は、入力信号XINを与えられる入力端子5と接続され
ており、他方においてトランジスタ9のソース‐ドレイ
ン間パスは作動電圧VCCに対する端子8と接続されて
いる。さらに差動増幅器1は基準電圧XREFを与えら
れており、また出力信号OUTを出力するための出力端
子20と接続されている。
ランジスタ9およびNチャネルMOSトランジスタ10
から成るこのような公知の入力増幅器を示す。トランジ
スタ9、10のゲートおよび差動増幅器1の入力端IN
は、入力信号XINを与えられる入力端子5と接続され
ており、他方においてトランジスタ9のソース‐ドレイ
ン間パスは作動電圧VCCに対する端子8と接続されて
いる。さらに差動増幅器1は基準電圧XREFを与えら
れており、また出力信号OUTを出力するための出力端
子20と接続されている。
【0004】このような公知の入力増幅器は、たとえば
LVTTL回路(LVTTL=Low Voltage
‐Transistor‐Transistor‐Lo
gik)およびSSTL論理回路(SSTL=Stub
‐Series‐Terminated‐Logic)
に使用され得る。LVTTL論理回路では約0.8Vな
いし2.0Vの電圧上昇‐および下降エッジが生じ、他
方においてSSTL論理回路は基準値のまわりに約40
0mVの相応の上昇‐および下降エッジを有する。
LVTTL回路(LVTTL=Low Voltage
‐Transistor‐Transistor‐Lo
gik)およびSSTL論理回路(SSTL=Stub
‐Series‐Terminated‐Logic)
に使用され得る。LVTTL論理回路では約0.8Vな
いし2.0Vの電圧上昇‐および下降エッジが生じ、他
方においてSSTL論理回路は基準値のまわりに約40
0mVの相応の上昇‐および下降エッジを有する。
【0005】両論理回路、すなわちLVTTL論理回路
およびSSTL論理回路、では電圧下降エッジが非常に
急峻であり、従って相応に速い入力エッジが存在する。
いまチップの上に多数の入力増幅器が設けられているな
らば、電流節減作動モードでは駆動されている回路のみ
が実際に能動的であるべきである。
およびSSTL論理回路、では電圧下降エッジが非常に
急峻であり、従って相応に速い入力エッジが存在する。
いまチップの上に多数の入力増幅器が設けられているな
らば、電流節減作動モードでは駆動されている回路のみ
が実際に能動的であるべきである。
【0006】いましかし、入力信号の急峻なエッジの際
に入力増幅器の相応の遮断が確実に保証されていないこ
とが判明している。
に入力増幅器の相応の遮断が確実に保証されていないこ
とが判明している。
【0007】この問題を解決するため、従来は、電流ミ
ラー回路または非対称な入力増幅器を使用することが考
えられた。しかし、電流ミラー回路は比較的多くの電流
を消費し、他方において非対称な入力増幅器はそのスイ
ツチング特性の対称性の点で欠点を有する。
ラー回路または非対称な入力増幅器を使用することが考
えられた。しかし、電流ミラー回路は比較的多くの電流
を消費し、他方において非対称な入力増幅器はそのスイ
ツチング特性の対称性の点で欠点を有する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明の課題
は、片側電流遮断を有する入力増幅器であって、速い入
力エッジの際にも確実なスイツチングを保証し得る入力
増幅器を提供することである。
は、片側電流遮断を有する入力増幅器であって、速い入
力エッジの際にも確実なスイツチングを保証し得る入力
増幅器を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】この課題は、本発明によ
れば、冒頭に記載した種類の入力増幅器において、電極
が、急峻なエッジを有する入力信号が与えられると直ち
に作動電圧にプルアップされるように、トランジスタの
完全な遮断を阻止する装置が設けられていることにより
解決される。
れば、冒頭に記載した種類の入力増幅器において、電極
が、急峻なエッジを有する入力信号が与えられると直ち
に作動電圧にプルアップされるように、トランジスタの
完全な遮断を阻止する装置が設けられていることにより
解決される。
【0010】好ましくはトランジスタは第1の伝導形式
の第1のMOSトランジスタである。その場合,前記装
置に対しては、第1のMOSトランジスタのしきい電圧
よりも高いしきい電圧を有する、第1の伝導形式とは逆
の第2の伝導形式の別のMOSトランジスタが使用され
る。前記別のMOSトランジスタは、そのソース‐ドレ
イン間パスで入力増幅器の電流ミラートランジスタのゲ
ートの間に接続されており、そのゲートでこれらのトラ
ンジスタのソースまたはドレインと接続されており、ま
たは作動電圧を与えられている。
の第1のMOSトランジスタである。その場合,前記装
置に対しては、第1のMOSトランジスタのしきい電圧
よりも高いしきい電圧を有する、第1の伝導形式とは逆
の第2の伝導形式の別のMOSトランジスタが使用され
る。前記別のMOSトランジスタは、そのソース‐ドレ
イン間パスで入力増幅器の電流ミラートランジスタのゲ
ートの間に接続されており、そのゲートでこれらのトラ
ンジスタのソースまたはドレインと接続されており、ま
たは作動電圧を与えられている。
【0011】
【実施例】以下、図面ににより本発明を一層詳細に説明
する。
する。
【0012】図3は既に冒頭に説明されている。図1お
よび図2中で互いに相応する構成部分には図3中と等し
い参照符号が付されている。
よび図2中で互いに相応する構成部分には図3中と等し
い参照符号が付されている。
【0013】差動増幅器1は、そのゲートに基準電圧X
REFを与えられるNチャネルMOSトランジスタ2
と、節点4に関してこれに対して対称に位置しているN
チャネルMOSトランジスタ3とから成っている。トラ
ンジスタ3のゲートと接続されている入力端子5には入
力信号XINが供給されている。トランジスタ2、3の
ソースまたはドレインは電流ミラー‐PチャネルMOS
トランジスタ6、7と接続されており、それらの基板は
それぞれ、端子8を介して供給されている作動電圧VC
Cを与えられている。この作動電圧VCCは、そのゲー
トに入力信号XINが導かれているPチャネルMOSト
ランジスタ9にも印加されている。NチャネルMOSト
ランジスタ10のソースまたはドレインは、節点4と接
続されており、そのゲートに入力端子からの入力信号X
INが供給されている。トランジスタ6のゲートは、ト
ランジスタ2とトランジスタ6との間の節点Qと接続さ
れている。さらにトランジスタ3とトランジスタ7との
間の節点QNは、出力信号OUTを供給するための出力
端子20と接続されている。
REFを与えられるNチャネルMOSトランジスタ2
と、節点4に関してこれに対して対称に位置しているN
チャネルMOSトランジスタ3とから成っている。トラ
ンジスタ3のゲートと接続されている入力端子5には入
力信号XINが供給されている。トランジスタ2、3の
ソースまたはドレインは電流ミラー‐PチャネルMOS
トランジスタ6、7と接続されており、それらの基板は
それぞれ、端子8を介して供給されている作動電圧VC
Cを与えられている。この作動電圧VCCは、そのゲー
トに入力信号XINが導かれているPチャネルMOSト
ランジスタ9にも印加されている。NチャネルMOSト
ランジスタ10のソースまたはドレインは、節点4と接
続されており、そのゲートに入力端子からの入力信号X
INが供給されている。トランジスタ6のゲートは、ト
ランジスタ2とトランジスタ6との間の節点Qと接続さ
れている。さらにトランジスタ3とトランジスタ7との
間の節点QNは、出力信号OUTを供給するための出力
端子20と接続されている。
【0014】トランジスタ9、10は、高い電圧ストロ
ークの際に差動増幅器1のなかを流れる横電流を遮断す
る役割をする。
ークの際に差動増幅器1のなかを流れる横電流を遮断す
る役割をする。
【0015】トランジスタ3、7はトランジスタ2、6
に対して対称である。トランジスタ6および7から成る
電流ミラー回路は、NチャネルMOSトランジスタによ
っても実現され得る。同様に入力トランジスタ2、3は
PチャネルMOSトランジスタであり得る。
に対して対称である。トランジスタ6および7から成る
電流ミラー回路は、NチャネルMOSトランジスタによ
っても実現され得る。同様に入力トランジスタ2、3は
PチャネルMOSトランジスタであり得る。
【0016】入力端子5にはたとえば、LVTTL論理
で急峻にほぼ2.0V以上から0.8V以下へ下降する
入力信号が与えられる。
で急峻にほぼ2.0V以上から0.8V以下へ下降する
入力信号が与えられる。
【0017】前記形式の“ハイ‐ロー‐電圧エッジ”
は、上記のような回路においてトランジスタ10を遮断
し、それによって節点Qはその電圧をトランジスタ6に
よりプルアップされる。それにより再び、そもそも節点
QNを電圧的にプルアップすべきであったトランジスタ
7も遮断される。換言すれば、上記の入力増幅器は急峻
なエッジを有する入力信号では満足に動作しない。
は、上記のような回路においてトランジスタ10を遮断
し、それによって節点Qはその電圧をトランジスタ6に
よりプルアップされる。それにより再び、そもそも節点
QNを電圧的にプルアップすべきであったトランジスタ
7も遮断される。換言すれば、上記の入力増幅器は急峻
なエッジを有する入力信号では満足に動作しない。
【0018】このような満足な動作をこのような急峻な
エッジを有する入力信号の際にも保証するため、本発明
による入力増幅器は追加的に、トランジスタ7の完全な
遮断を阻止する、たとえば(図2を参照)NチャネルM
OSトランジスタ21から成る装置X(図1を参照)を
も有する。このNチャネルMOSトランジスタ21は、
そのソース‐ドレイン間パスでトランジスタ6、7のゲ
ートまたは節点Qとトランジスタ7のゲートとの間に接
続されており、またそのゲートでトランジスタ6、7の
ソース‐ドレイン間パスの間の節点に接続されており、
または作動電圧VCCを与えられている。
エッジを有する入力信号の際にも保証するため、本発明
による入力増幅器は追加的に、トランジスタ7の完全な
遮断を阻止する、たとえば(図2を参照)NチャネルM
OSトランジスタ21から成る装置X(図1を参照)を
も有する。このNチャネルMOSトランジスタ21は、
そのソース‐ドレイン間パスでトランジスタ6、7のゲ
ートまたは節点Qとトランジスタ7のゲートとの間に接
続されており、またそのゲートでトランジスタ6、7の
ソース‐ドレイン間パスの間の節点に接続されており、
または作動電圧VCCを与えられている。
【0019】トランジスタ21の作用により、急峻なハ
イ‐ロー‐エッジを有する入力信号の際に、このように
構成された本発明による入力増幅器では、節点Qがトラ
ンジスタ6のVCC‐しきい電圧をとり、従ってトラン
ジスタ6が遮断される。しかし、トランジスタ21のし
きい電圧は、トランジスタ6のしきい電圧よりも高い
(このことは“バルク効果”により達成され得る)の
で、それによりトランジスタ7の遮断が阻止され、それ
によって節点QNがプルアップされる。
イ‐ロー‐エッジを有する入力信号の際に、このように
構成された本発明による入力増幅器では、節点Qがトラ
ンジスタ6のVCC‐しきい電圧をとり、従ってトラン
ジスタ6が遮断される。しかし、トランジスタ21のし
きい電圧は、トランジスタ6のしきい電圧よりも高い
(このことは“バルク効果”により達成され得る)の
で、それによりトランジスタ7の遮断が阻止され、それ
によって節点QNがプルアップされる。
【0020】こうして本発明による入力増幅器は、非常
に速いエッジを有する信号のスイツチングを可能にし、
従って確実に遮断が行われ得る。既存の入力増幅器に対
して追加的に必要な回路費用は、別のトランジスタ21
しか必要とされないので、非常にわずかである。
に速いエッジを有する信号のスイツチングを可能にし、
従って確実に遮断が行われ得る。既存の入力増幅器に対
して追加的に必要な回路費用は、別のトランジスタ21
しか必要とされないので、非常にわずかである。
【図1】本発明による入力増幅器の回路図。
【図2】図1による入力増幅器の詳細回路図。
【図3】従来通常の入力増幅器の回路図。
1 差動増幅器 5 入力端子 20 出力端 21 電流源として作用するNチャネルMOSトランジ
スタ X トランジスタの完全遮断を阻止する装置 XIN 入力信号
スタ X トランジスタの完全遮断を阻止する装置 XIN 入力信号
Claims (3)
- 【請求項1】 急峻なエッジを有する入力信号に対する
片側電流遮断を有する入力増幅器であって、出力端と接
続されている電極を有する少なくとも1つのトランジス
タ(7)を有する入力増幅器において、 電極(QN)が、急峻なエッジを有する入力信号が与え
られると直ちに作動電圧にプルアップされるように、ト
ランジスタ(7)の完全な遮断を阻止する装置(21)
が設けられていることを特徴とする入力増幅器。 - 【請求項2】 MOSトランジスタ(7)が第1の伝導
形式の第1のMOSトランジスタであり、前記装置が第
1のMOSトランジスタ(7)のしきい電圧よりも高い
しきい電圧を有する第2の伝導形式の別のMOSトラン
ジスタ(21)であることを特徴とする請求項1記載の
入力増幅器。 - 【請求項3】 前記別のMOSトランジスタがそのソー
ス‐ドレイン間パスで差動増幅器(1)のMOSトラン
ジスタ(6、7)のゲートの間に接続されており、その
ゲートでこれらのトランジスタ(6、7)のソースまた
はドレインと接続されており、または作動電圧(VC
C)を与えられていることを特徴とする請求項2記載の
入力増幅器。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19713833A DE19713833C1 (de) | 1997-04-03 | 1997-04-03 | Eingangsverstärker für Eingangssignale mit steilen Flanken, insbesondere High-Low-Flanken |
| DE19713833.0 | 1997-04-03 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1141079A true JPH1141079A (ja) | 1999-02-12 |
| JP3440201B2 JP3440201B2 (ja) | 2003-08-25 |
Family
ID=7825375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10333798A Expired - Fee Related JP3440201B2 (ja) | 1997-04-03 | 1998-03-31 | 入力増幅器 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6020766A (ja) |
| EP (1) | EP0869615B1 (ja) |
| JP (1) | JP3440201B2 (ja) |
| KR (1) | KR100333240B1 (ja) |
| CN (1) | CN1118926C (ja) |
| DE (2) | DE19713833C1 (ja) |
| TW (1) | TW429677B (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102005004425A1 (de) * | 2005-01-31 | 2006-08-03 | Infineon Technologies Ag | Komparator-Schaltungsanordnung, insbesondere für Halbleiter-Bauelemente |
| DE102005007579A1 (de) * | 2005-02-18 | 2006-08-24 | Infineon Technologies Ag | Empfängerschaltung |
| US8684318B2 (en) | 2010-09-16 | 2014-04-01 | Spx International Limited | Mechanical lock |
| US20150244464A1 (en) * | 2012-09-06 | 2015-08-27 | Telefonaktiebolaget L M Ericsson (Publ) | Operating a Node in an Optical Transport Network |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4644196A (en) * | 1985-01-28 | 1987-02-17 | Motorola, Inc. | Tri-state differential amplifier |
| JPS6247897A (ja) * | 1985-08-28 | 1987-03-02 | Sony Corp | 読み出し増幅器 |
| JPS62192997A (ja) * | 1986-02-20 | 1987-08-24 | Toshiba Corp | カレントミラ−型センスアンプ |
| US4808859A (en) * | 1987-01-09 | 1989-02-28 | American Electronic Laboratories, Inc. | Broadband electronic switch |
| JPH04301921A (ja) * | 1991-03-28 | 1992-10-26 | Nec Corp | インバータ回路 |
| US5202594A (en) * | 1992-02-04 | 1993-04-13 | Motorola, Inc. | Low power level converter |
| JP2813103B2 (ja) * | 1992-06-15 | 1998-10-22 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路 |
| US5377150A (en) * | 1993-03-31 | 1994-12-27 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Disabling sense amplifier |
| US5378943A (en) * | 1993-04-20 | 1995-01-03 | International Business Machines Corporation | Low power interface circuit |
| US5391940A (en) * | 1993-10-20 | 1995-02-21 | Hewlett-Packard Corporation | Pad driver circuit with powered down device protection |
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| US5495195A (en) * | 1994-11-17 | 1996-02-27 | Advanced Micro Devices, Inc. | Output buffer for a high density programmable logic device |
| KR100196510B1 (ko) * | 1995-12-28 | 1999-06-15 | 김영환 | 센스 증폭기 |
-
1997
- 1997-04-03 DE DE19713833A patent/DE19713833C1/de not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-03-20 EP EP98105130A patent/EP0869615B1/de not_active Expired - Lifetime
- 1998-03-20 DE DE59803115T patent/DE59803115D1/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-03-26 TW TW087104532A patent/TW429677B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-03-31 JP JP10333798A patent/JP3440201B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1998-04-03 CN CN98106131A patent/CN1118926C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1998-04-03 KR KR1019980011757A patent/KR100333240B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1998-04-03 US US09/054,927 patent/US6020766A/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1118926C (zh) | 2003-08-20 |
| TW429677B (en) | 2001-04-11 |
| CN1195225A (zh) | 1998-10-07 |
| DE19713833C1 (de) | 1998-10-01 |
| KR100333240B1 (ko) | 2002-06-20 |
| EP0869615B1 (de) | 2002-02-20 |
| EP0869615A1 (de) | 1998-10-07 |
| DE59803115D1 (de) | 2002-03-28 |
| JP3440201B2 (ja) | 2003-08-25 |
| KR19980081059A (ko) | 1998-11-25 |
| US6020766A (en) | 2000-02-01 |
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| Date | Code | Title | Description |
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| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20030508 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080613 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090613 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |