JPH1144513A - 半導体装置の外観検査装置および外観検査方法 - Google Patents

半導体装置の外観検査装置および外観検査方法

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JPH1144513A
JPH1144513A JP10038235A JP3823598A JPH1144513A JP H1144513 A JPH1144513 A JP H1144513A JP 10038235 A JP10038235 A JP 10038235A JP 3823598 A JP3823598 A JP 3823598A JP H1144513 A JPH1144513 A JP H1144513A
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Japan
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package
image
semiconductor device
polarized light
reflected
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JP10038235A
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Hiroshi Tomitani
博 冨谷
Eiji Isomura
英二 磯村
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 パッケージの表面状態に影響を受けることな
く短時間で高精度な外観検査を行うこと。 【解決手段】 本発明は、半導体装置１０のパッケージ
の４つの側面に対向して配置される４つの偏光光源から
偏光光を出射し、パッケージを間として向かい合う側か
らパッケージＰに向けて出射した偏光光により形成され
る各側面側の投影像をビームスプリッタＢＳ１〜ＢＳ４
で反射させ、この反射した各側面側の投影像およびパッ
ケージＰの平面側の画像とを一括してＣＣＤカメラ２で
取り込む。そして、取り込んだ各側面側の投影像および
パッケージＰの平面側の画像に基づいてパッケージＰの
表面における反り等を演算によって求めている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、略四角形のパッケ
ージを備えた半導体装置の外観検査装置および外観検査
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、略四角形のパッケージの各側面か
ら複数本のリードが延出したＱＦＰ（Quad Flat Packag
e ）から成る半導体装置の外観検査を行う場合、パッケ
ージの側方にＣＣＤカメラ等の画像読み取り装置を配置
し、これによって取り込んだパッケージの側面側の画像
に基づいてリードの変形やリード間ピッチ等を検査して
いる。
【０００３】このようなパッケージの側方に配置した画
像読み取り装置による半導体装置の外観検査では、略四
角形のパッケージにおける４つの側面について各々の画
像を取り込むため、第１の側面の画像取り込みを行った
後にパッケージまたは画像読み取り装置を９０°回転さ
せて第２の側面の画像を取り込んでいる。この動作を繰
り返すことで４つの側面の各画像を取り込み、所定の画
像処理によって各側面から延出するリードの良否検査を
行っている。
【０００４】また、パッケージの反り等に関しては、レ
ーザ測長機等を用いてパッケージの外寸を計測し、その
計測結果に基づき演算を行って反り量を求めている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、近年で
はパッケージの下面にボール状の電極が複数配列されて
いるＢＧＡ（Ball Grid Array ）タイプの半導体装置や
ＣＳＰ（Chip Size Package ）タイプの半導体装置が実
装密度向上等の観点から多く適用されている。
【０００６】このようなＢＧＡやＣＳＰから成る半導体
装置では、パッケージの下面からボール状の電極が延出
しているため、各電極からの反射光の影響を大きく受け
てしまい、取り込んだ画像に基づいた各種検査が非常に
困難である。特にボール間隔を検査する場合、取り込ん
だ画像からはボールとパッケージとの区別がつきにくく
検査精度の低下を招いている。
【０００７】また、レーザ測長機等によるパッケージの
外寸計測は長い処理時間を要するとともに、パッケージ
の表面状態の影響を受けやすいという問題がある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明はこのような課題
を解決するために成された半導体装置の外観検査装置お
よび外観検査方法である。すなわち、本発明における半
導体装置の外観検査装置は、略四角形のパッケージを備
えた半導体装置の画像を光学的に読み取るものであり、
パッケージの４つの側面に対向して配置される４つの偏
光光源と、この４つの偏光光源とパッケージの対応する
側面との間に配置され、パッケージを間として向かい合
う側の偏光光源からパッケージに向けて出射された偏光
光により形成される各側面側の投影像を各々反射させる
４つの反射手段と、４つの反射手段で反射した各側面側
の投影像とパッケージの平面側の画像とを一括して取り
込む画像読み取り手段とを備えている。
【０００９】また、本発明における半導体装置の外観検
査方法は、パッケージの各側面に向けて偏光光を入射す
る工程と、入射した偏光光によって形成されるパッケー
ジの各側面における投影像を画像読み取り手段によって
取り込む工程と、パッケージの各側面における投影像に
基づきそのパッケージの表面における反りを演算する工
程とを備えている。
【００１０】本発明における半導体装置の外観検査装置
では、４つの反射手段によりパッケージの向かい合う側
の偏光光源から出射された偏光光により形成される各側
面側の投影像を反射させているため、画像読み取り手段
によってパッケージの表面状態に無関係な投影像を得る
ことができるようになる。また、パッケージの各側面の
投影像とパッケージの平面側の画像とを一括して取り込
むことで、側面側の外観検査と平面側の外観検査とを同
時に行うことができるようになる。
【００１１】また、本発明における半導体装置の外観検
査方法では、パッケージの各側面における投影像を画像
読み取り手段によって取り込むことで、パッケージの表
面状態に影響を受けない投影像に基づく外観検査を行う
ことができる。さらに、この各側面における投影像から
所定の演算を行うことでパッケージの表面の反りを検査
できるようになる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明における半導体装置
の外観検査装置および外観検査方法の実施の形態を図に
基づいて説明する。図１は本実施形態における外観検査
装置を説明する図で、（ａ）は斜視図、（ｂ）は（ａ）
におけるＡ−Ａ’線矢視断面図である。
【００１３】本実施形態における外観検査装置１は、主
として略四角形から成るパッケージＰの下面にグリッド
状に並ぶ複数のボール電極Ｂ（図１（ｂ）参照）を備え
た半導体装置１０の画像をＣＣＤカメラ２で得て、画像
処理によってその外観を検査するものである。
【００１４】すなわち、外観検査装置１は、半導体装置
１０のパッケージＰにおける４つの側面に対向して配置
される４つの光源Ｌ１〜Ｌ４と、各光源Ｌ１〜Ｌ４とパ
ッケージＰの各側面との間に配置される４つの偏光板Ｈ
１１〜１４と、各偏光板Ｈ１１〜Ｈ１４とパッケージＰ
の各側面との間に配置される４つのビームスプリッタＢ
Ｓ１〜ＢＳ４と、各ビームスプリッタＢＳ１〜ＢＳ４の
下方に配置される偏光板２１〜２４と、各偏光板２１〜
２４より下で半導体装置１０の下方に配置されるＣＣＤ
カメラ２とを備えた構成となっている。
【００１５】なお、これらのうち、４つの光源Ｌ１〜Ｌ
４および各光源Ｌ１〜Ｌ４に対応して配置される偏光板
Ｈ１１〜Ｈ１４によって所定の偏光光を出射できる偏光
光源を構成している。
【００１６】４つの光源Ｌ１〜Ｌ４は例えば複数のＬＥ
Ｄ（発光ダイオード）で構成されるＬＥＤ照明から成
り、各々パッケージＰの各側面方向に光を出射する。
【００１７】また、偏光板Ｈ１１〜Ｈ１４は各光源Ｌ１
〜Ｌ４より出射した光を偏光して、所定の偏光角から成
る偏光光を生成する。この偏光板Ｈ１１、Ｈ１２、Ｈ１
３、Ｈ１４で生成される偏光光の偏光角は、パッケージ
Ｐを間として向かい合う側に配置された偏光板Ｈ１２、
Ｈ１１、Ｈ１４、Ｈ１３との関係に基づき設定されてい
る。なお、生成される偏光光については後述する。
【００１８】ビームスプリッタＢＳ１〜ＢＳ４は各々ハ
ーフミラーを備えた構成となっており、光源Ｌ１〜Ｌ４
より出射され偏光板Ｈ１１〜Ｈ１４を介して生成された
偏光光の約半分を透過し、パッケージＰ側から来る偏光
光の約半分を下方に反射する。
【００１９】また、ビームスプリッタＢＳ１〜ＢＳ４の
下方に配置される偏光板２１〜２４は、ビームスプリッ
タＢＳ１〜ＢＳ４で反射した光の透過、不透過を選択す
るものである。
【００２０】半導体装置１０の下方に配置されるＣＣＤ
カメラ２は、偏光板２１〜２４を透過した光および半導
体装置１０の下面からの反射光を取り込んで電気信号に
変換する。
【００２１】このような構成から成る外観検査装置１で
は、主としてＣＣＤカメラ２により半導体装置１０のパ
ッケージＰにおける各側面の投影像とパッケージＰの下
面の画像とを一括して取り込むことができる。
【００２２】つまり、先に説明した偏光板Ｈ１１〜Ｈ１
４および偏光板２１〜２４の偏光角の設定により、ＣＣ
Ｄカメラ２にパッケージＰの各側面の投影像のみを側面
の画像としてＣＣＤカメラ２へ送るようにしている。
【００２３】ここで、偏光板１３、１４と偏光板２３、
２４との関係における光の進行を図１（ｂ）に基づき説
明する。
【００２４】先ず、光源Ｌ３から出射した光は偏光板１
３によって第１の偏光角の偏光光（図中一点鎖線矢印参
照）となり、ビームスプリッタＢＳ３のハーフミラーＨ
Ｍ３を透過して半導体装置１０のパッケージＰにおける
図中左側面まで達する。この第１の偏光角の偏光光はパ
ッケージＰの図中左側面で当たって反射するものと、パ
ッケージＰの図中左側面には当たらずパッケージＰの図
中右側へ進むものとがある。
【００２５】このパッケージＰの図中左側面で当たって
反射した第１の偏光角の偏光光すなわちパッケージＰの
図中左側面の反射像は再びビームスプリッタＢＳ３まで
達し、そのハーフミラーＨＭ３で下方に反射して偏光板
Ｈ２３まで達する。この偏光板Ｈ２３では第１の偏光角
の偏光光を透過させないような偏光角が設定されてお
り、ハーフミラーＨＭ３で反射した第１の偏光角の偏光
光はここで遮断される。すなわち、パッケージＰの図中
左側面における反射像はＣＣＤカメラへは到達しないこ
とになる。
【００２６】一方、パッケージＰの図中左側面には当た
らずパッケージＰの図中右側へ進んだ第１の偏光角の偏
光光すなわちパッケージＰにおける図中右側面の投影像
はビームスプリッタＢＳ４へ達し、そのハーフミラーＨ
Ｍ４で下方に反射して偏光板Ｈ２４まで達する。この偏
光板Ｈ２４では第１の偏光角の偏光光を透過させるよう
な偏光角が設定されており、ハーフミラーＨＭ４で反射
した第１の偏光角の偏光光はここを透過する。すなわ
ち、パッケージＰの図中右側面における投影像はＣＣＤ
カメラへ到達することになる。
【００２７】つまり、偏光板Ｈ１３および偏光板Ｈ２４
としては同じ偏光角の偏光光のみを透過できるよう設定
し、偏光板Ｈ１３および偏光板Ｈ２３としては互いに異
なる偏光角の偏光光を透過できるよう設定する。これに
よって、ＣＣＤカメラは光源Ｌ３からの光が照射されな
いパッケージＰの図中右側面における投影像を取り込む
ことができるようになる。
【００２８】次に、光源Ｌ４から出射した光は偏光板１
４によって第２の偏光角の偏光光（図中破線矢印参照）
となり、ビームスプリッタＢＳ４のハーフミラーＨＭ４
を透過して半導体装置１０のパッケージＰにおける図中
右側面まで達する。この第２の偏光角の偏光光はパッケ
ージＰの図中右側面で当たって反射するものと、パッケ
ージＰの図中右側面には当たらずパッケージＰの図中左
側へ進むものとがある。
【００２９】このパッケージＰの図中右側面で当たって
反射した第２の偏光角の偏光光すなわちパッケージＰの
図中右側面の反射像は再びビームスプリッタＢＳ４まで
達し、そのハーフミラーＨＭ４で下方に反射して偏光板
Ｈ２４まで達する。この偏光板Ｈ２４では第２の偏光角
の偏光光を透過させないような偏光角が設定されてお
り、ハーフミラーＨＭ４で反射した第２の偏光角の偏光
光はここで遮断される。すなわち、パッケージＰの図中
右側面における反射像はＣＣＤカメラへは到達しないこ
とになる。
【００３０】一方、パッケージＰの図中右側面には当た
らずパッケージＰの図中左側へ進んだ第２の偏光角の偏
光光すなわちパッケージＰにおける図中左側面の投影像
はビームスプリッタＢＳ３へ達し、そのハーフミラーＨ
Ｍ３で下方に反射して偏光板Ｈ２３まで達する。この偏
光板Ｈ２３では第２の偏光角の偏光光を透過させるよう
な偏光角が設定されており、ハーフミラーＨＭ３で反射
した第２の偏光角の偏光光はここを透過する。すなわ
ち、パッケージＰの図中左側面における投影像はＣＣＤ
カメラへ到達することになる。
【００３１】つまり、偏光板Ｈ１４および偏光板Ｈ２３
としては同じ偏光角の偏光光のみを透過できるよう設定
し、偏光板Ｈ１４および偏光板Ｈ２４としては互いに異
なる偏光角の偏光光を透過できるよう設定する。これに
よって、ＣＣＤカメラは光源Ｌ４からの光が照射されな
いパッケージＰの図中左側面における投影像を取り込む
ことができるようになる。
【００３２】この図１（ｂ）では、光源Ｌ３および光源
Ｌ４から出射した光の進行について示しているが、光源
Ｌ１および光源Ｌ２においても同様である。これによっ
て、ＣＣＤカメラで得ることができるパッケージＰの側
面の画像としては、その反射像が全て除去され、投影像
のみとなる。
【００３３】また、半導体装置１０のパッケージＰの下
面の反射光（図中実線矢印参照）は、所定のフィルタＦ
を介してＣＣＤカメラへ達する。このフィルタＦは、パ
ッケージＰの下面からの反射光の光量を低減させるもの
である。つまり、ＣＣＤカメラによって先に説明したパ
ッケージＰの図中右側面および図中左側面の投影像とパ
ッケージＰの下面からの反射光（反射像）とを同時に取
り込むにあたり、反射光の光量を各投影像の光量と合わ
せるようフィルタＦで光量低減を図る。これによって取
り込んだ各画像の信号レベルを合わせることができる。
【００３４】次に、この外観検査装置を用いた検査シス
テムを図３に基づいて説明する。すなわち、このシステ
ムでは、図１で説明した外観検査装置１が検査ユニット
１１として組み込まれている。なお、先に説明した偏光
板Ｈ１１〜Ｈ１４、Ｈ２１〜Ｈ２４およびビームスプリ
ッタＢＳ１〜ＢＳ４は図３には示されないが、検査ユニ
ット１１内に配置されているものとする。
【００３５】検査ユニット１１内にはＬＥＤ駆動回路１
２が設けられており、ＣＣＤカメラ２による画像取り込
みと同期をとるための同期信号が入力されている。検査
ユニット１１のＣＣＤカメラ２は画像処理部３に接続さ
れており、ＣＣＤカメラ２で取り込んだ画像を処理して
所定の項目に対する外観検査を行う。
【００３６】また、画像処理部３にはモニタ４等の画像
表示部とトラックボール５等の入力手段が接続されてい
る。ＣＣＤカメラ２で取り込んだ画像や画像処理部３で
処理した後の画像がモニタ４に写し出される。トラック
ボール５はモニタ４に写し出された表示内容を参照して
画像処理を行う部分や所定の情報（半導体装置のパッケ
ージ形式やボール電極の数等）を入力する際に使用され
る。
【００３７】次に、この検査システムを用いた半導体装
置の外観検査方法を図３のフローチャートに基づいて説
明する。なお、図３に示されない符号は特に示さない限
り図１、図２を参照するものとする。
【００３８】先ず、ステップＳ１に示すように、絶対平
面の登録を行う。この絶対平面の登録とは、半導体装置
１０の配置の基準となる平面（絶対平面）の画像をＣＣ
Ｄカメラ２で取り込み、画像処理部１に記憶しておく処
理である。絶対平面としては、例えば半導体装置１０の
パッケージＰと同程度の大きさから成る略四角形の板
（基準板）を用いる。この基準板における各側面および
下面の画像を取り込むことで、後の半導体装置１０の画
像を取り込んで処理する際の基準とする。
【００３９】次に、ステップＳ２に示すように画像の取
り込みを行う。すなわち、半導体装置１０を図示しない
吸着持具等で保持し、各光源Ｌ１〜Ｌ４の間（図１で示
す各ビームスプリッタＢＳ１〜ＢＳ４の間）に配置し、
ＣＣＤカメラ２でその画像を取り込む。ＣＣＤカメラ２
で画像を取り込む際、その取り込むタイミングに合わせ
た同期信号をＬＥＤ駆動回路１２に与え、これに基づき
光源Ｌ１〜Ｌ４から半導体装置１０に光を照射する。
【００４０】図４は取り込み画像を説明する図である。
先に説明したように、ＣＣＤカメラ２は半導体装置１０
のパッケージＰにおける各側面の投影像とパッケージＰ
の下面の反射像とを一括して取り込むことができる。
【００４１】ＣＣＤカメラ２の画像取り込みにより、モ
ニタ４には図４に示すようなパッケージＰの下面の反射
像ＧＰと、パッケージＰの各側面における投影像Ｇ１〜
Ｇ４が写し出される。なお、各側面の投影像Ｇ１〜Ｇ４
に合わせて示す一点鎖線は、先に登録した絶対平面の位
置を示している。
【００４２】パッケージＰの下面の反射像ＧＰはパッケ
ージＰの裏面における反射像と複数のボール電極Ｂの平
面視像とから構成される。また、投影像Ｇ１は図１にお
けるビームスプリッタＢＳ１側のパッケージ側面投影像
Ｐ１’とボール電極投影像Ｂ’とから構成され、投影像
Ｇ２は図１におけるビームスプリッタＢＳ２側のパッケ
ージ側面投影像Ｐ２’とボール電極投影像Ｂ’とから構
成され、投影像Ｇ３は図１におけるビームスプリッタＢ
Ｓ３側のパッケージ側面投影像Ｐ３’とボール電極投影
像Ｂ’とから構成され、投影像Ｇ４は図１におけるビー
ムスプリッタＢＳ４側のパッケージ側面投影像Ｐ４’と
ボール電極投影像Ｂ’とから構成される。
【００４３】なお、図１に示すようにＣＣＤカメラ２は
半導体装置１０の下方に配置されていることから、実際
にビームスプリッタＢＳ１〜ＢＳ４で反射してＣＣＤカ
メラ２に入る投影像Ｇ１〜Ｇ４は、パッケージＰのわず
かに斜め（水平に対して数度）上方から取り込んだもの
と等価となる。これにより、パッケージＰの中央部分に
配置されるボール電極Ｂの投影像は写らないことにな
る。
【００４４】次に、ステップＳ３に示すように、パッケ
ージＰの反りの測定を行う。パッケージＰの反りは先に
ＣＣＤカメラ２によって取り込んだ各パッケージ側面投
影像Ｐ１’〜Ｐ４’を用いて所定の演算によって測定す
る。
【００４５】ここで、パッケージＰの反りの測定方法に
ついて説明する。図５は平面（パッケージ）の反りの計
算を説明する図である。すなわち、パッケージの平面に
対して高さ方向をＺ、平面方向をＸ，Ｙとした場合、パ
ッケージの反りを平面関数ｚ＝ｆ（ｘ，ｙ）で表わす。
このｆ（ｘ，ｙ）は２次平面関数で近似すると以下の
（１）式のようになる。
【００４６】 ｆ（ｘ，ｙ）＝ ａｘ2 ｙ＋ｂｘｙ2 ＋ｃｘ2 ＋ｄｙ2 ＋ｅｘｙ＋ｆｘ＋ｇｙ＋ｈ …（１）
【００４７】また、パッケージＰの平面における各側面
に対応した縁の線（図５中矢印で示す線）の関数を各々
ｆ（ｘ，ｙ1 ）、ｆ（ｘ1 ，ｙ）、ｆ（ｘ，ｙ2 ）、ｆ
（ｘ2 ，ｙ）で表すと以下の（２）〜（５）式のように
なる。
【００４８】 ｆ（ｘ，ｙ1 ）＝ （ａｙ1 ＋ｃ）ｘ2 ＋（ｂｙ12＋ｅｙ1 ＋ｆ）ｘ＋（ｄｙ12＋ｇｙ1 ＋ｈ） …（２） ｆ（ｘ1 ，ｙ）＝ （ｂｘ1 ＋ｄ）ｙ2 ＋（ａｘ12＋ｅｘ1 ＋ｇ）ｙ＋（ｃｘ12＋ｆｘ1 ＋ｈ） …（３） ｆ（ｘ，ｙ2 ）＝ （ａｙ2 ＋ｃ）ｘ2 ＋（ｂｙ22＋ｅｙ2 ＋ｆ）ｘ＋（ｄｙ22＋ｇｙ2 ＋ｈ） …（４） ｆ（ｘ2 ，ｙ）＝ （ｂｘ2 ＋ｄ）ｙ2 ＋（ａｘ22＋ｅｘ2 ＋ｇ）ｙ＋（ｃｘ22＋ｆｘ2 ＋ｈ） …（５）
【００４９】一方、ＣＣＤカメラ２で取り込んだ画像に
基づき、各パッケージ側面投影像Ｐ１’〜Ｐ４’（図４
参照）からパッケージＰの下面に対応する縁の基準位置
（図４の一点鎖線参照）に対する高さＺを求める。
【００５０】ここで、４つの側面における縁に沿った高
さＺの関数は以下の（６）〜（９）式で表される。 Ｚ＝Ａ1 ｘ2 ＋Ｂ1 ｘ＋Ｃ1 …（６） Ｚ＝Ａ2 ｙ2 ＋Ｂ2 ｘ＋Ｃ2 …（７） Ｚ＝Ａ3 ｘ2 ＋Ｂ3 ｘ＋Ｃ3 …（８） Ｚ＝Ａ4 ｙ2 ＋Ｂ4 ｘ＋Ｃ4 …（９）
【００５１】この（６）〜（９）式は上記（２）〜
（５）式と対応することから、これらの関係より、
（１）式における各係数ａ〜ｈを次の式（１０）〜（１
７）で表すことができる。
【００５２】 ａ＝（Ａ1 −Ａ3 ）／（ｙ1 −ｙ2 ） …（１０） ｂ＝（Ａ2 −Ａ4 ）／（ｘ1 −ｘ2 ） …（１１） ｃ＝（Ａ3 ｙ1 −Ａ1 ｙ2 ）／（ｙ1 −ｙ2 ） …（１２） ｄ＝（Ａ4 ｘ1 −Ａ2 ｘ2 ）／（ｘ1 −ｘ2 ） …（１３） ｅ＝（（Ｂ1 −ｂｙ12）−（Ｂ3 −ｂｙ22））／（ｙ1 −ｙ2 ） …（１４） ｆ＝（（Ｃ2 −ｃｘ12）ｙ1 −（Ｃ4 −ｃｘ22））／（ｘ1 −ｘ2 ） …（１５） ｇ＝（（Ｂ4 −ａｘ22）ｘ1 −（Ｂ2 −ａｘ12）ｘ2 ）／（ｘ1 −ｘ2 ） …（１６） ｈ＝（（Ｃ3 −ｄｙ22）ｙ1 −（Ｃ1 −ｄｙ12）ｙ2 ）／（ｙ1 −ｙ2 ） …（１７）
【００５３】すなわち、ＣＣＤカメラ２で取り込んだ各
パッケージ側面投影像Ｐ１’〜Ｐ４’（図４参照）から
上記（６）〜（９）式のようなパッケージＰの下面に対
応する縁の関数を求め、各係数Ａ1 〜Ａ4 、Ｂ1 〜Ｂ4
、Ｃ1 〜Ｃ4 を求めることによってパッケージＰの下
面を示す平面関数ｚ＝ｆ（ｘ，ｙ）を求めることがで
き、これによってパッケージＰの下面における任意に位
置の高さを得ることができ、反りの検査を行うことが可
能となる。
【００５４】具体的には、図４に示す各パッケージ側面
投影像Ｐ１’〜Ｐ４’において、各々基準位置からパッ
ケージ下面までの高さＺに相当する値を一つの側面に対
して数カ所で求め、この値に基づき上記（６）〜（９）
式の各係数Ａ1 〜Ａ4 、Ｂ1〜Ｂ4 、Ｃ1 〜Ｃ4 を求め
る。そして、これらの各係数Ａ1 〜Ａ4 、Ｂ1 〜Ｂ4、
Ｃ1 〜Ｃ4 を用いて上記（１０）〜（１７）式によりａ
〜ｈの係数を求めてパッケージＰの下面の平面関数ｚ＝
ｆ（ｘ，ｙ）を求める。
【００５５】ここで、図４に示す各パッケージ側面投影
像Ｐ１’〜Ｐ４’において、各々基準位置からパッケー
ジ下面までの高さＺに相当する値を数カ所で求めるにあ
たり、各々の基準位置として図３のステップＳ１で登録
した絶対平面の画像を用いるようにする。これによっ
て、各ビームスプリッタＢＳ１〜ＢＳ４の配置位置精度
やＣＣＤカメラ２の位置等、画像読み取りにおける誤
差、レンズ系の収差等の光学的な誤差を除去することが
でき、精度良く検査を行うことができるようになる。
【００５６】次に、図３のステップＳ４に示すように、
ボール電極Ｂの高さの測定を行う。ボール電極の高さ
は、図４に示す取り込み画像のうちパッケージＰの下面
の反射像ＧＰの中にある各ボール電極Ｂの平面視反射像
から各ボール電極Ｂの直径を算出し、これを約半分とし
てボール電極Ｂ自体の高さとする。つまり、ボール電極
Ｂが球状であり、パッケージＰに対して直径の約半分の
高さで取り付けられていると仮定して、平面視像におけ
る直径の約半分をボール電極Ｂ自体の高さとみなしてい
る。
【００５７】そして、このボール電極Ｂ自体の高さに、
パッケージＰの反りを加味してボール電極Ｂの高さ検査
を行う。すなわち、先のステップＳ３で算出したパッケ
ージＰの下面を示す平面関数ｚ＝ｆ（ｘ，ｙ）で各ボー
ル電極Ｂの位置における高さを算出し、これに対応する
位置のボール電極Ｂの直径の半分を加えることでパッケ
ージＰの反りを加味した各ボール電極Ｂの高さを検査で
きるようになる。
【００５８】次に、図３のステップＳ５に示すように、
ボール電極Ｂの変形の測定を行う。本実施形態では、ボ
ール電極Ｂの変形量を測定するにあたり、先ず以下の
（１８）式に示す「複雑度」を求め、そして（１９）式
に示す「ボール変形度」すなわち真円（理想的なボール
電極の形状）に対する「複雑度」の比を求めてボール変
形量を数値化する。
【００５９】 「複雑度」＝（ボール電極の周囲長）／（ボール電極の平面視面積） …（１８） 「ボール変形度」 ＝（ボール電極の「複雑度」）／（真円の「複雑度」） ＝（（真円の半径）×（ボール電極の「複雑度」））／２ …（１９）
【００６０】このように、「ボール変形度」の数値によ
ってボール電極Ｂの変形量を定量的に検査できるように
なる。
【００６１】そして、図３のステップＳ６に示すよう
に、その他の検査項目（例えば、傷や汚れ）の測定を行
い、その後、ステップＳ７に示す測定終了か否かの判断
を行う。このステップＳ７でＹｅｓとなった場合には測
定を終了する。一方、次の半導体装置１０に対する測定
を続行する場合にはステップＳ７の判断でＮｏとなって
ステップＳ２〜Ｓ６を繰り返すようにする。
【００６２】次に、本発明の他の実施形態を説明する。
図６は他の実施形態を説明する主要部断面図、図７は他
の実施形態を適用した検査ユニットの概略断面図であ
る。すなわち、図６に示す他の実施形態における外観検
査装置は、半導体装置１０のパッケージＰの側面の投影
像およびパッケージＰの下面の反射像とを像反射ミラー
ＺＭによって図中横方向に反射し、ＣＣＤカメラによっ
て取り込む点に特徴がある。なお、図６においては、説
明を分かりやすくするため、半導体装置１０のパッケー
ジＰにおける２つの側面の投影像を取り込むための構成
のみが記載されているが、実際には４つの側面の投影像
を取り込むため、他の２側面側についても同様な構成と
なっている。
【００６３】この外観検査装置では、パッケージＰの各
側面に光を照射する光源Ｌ３、Ｌ４と、光源Ｌ３、Ｌ４
とパッケージＰの側面との間に配置される偏光板Ｈ１
３、Ｈ１４と、偏光板Ｈ１３、Ｈ１４とパッケージＰの
側面との間に配置されるビームスプリッタＢＳ３、ＢＳ
４と、ビームスプリッタＢＳ３、ＢＳ４の下方に配置さ
れる偏光板２３、２４と、パッケージＰの下方に配置さ
れるフィルタＦと、偏光板２３、２４およびフィルタＦ
を通過する像を図中横方向へ反射される像反射ミラーＺ
Ｍとを備えている。
【００６４】つまり、他の実施形態では、先に説明した
実施形態の構成に像反射ミラーＺＭを追加した構成とな
っている。
【００６５】このような構成では、パッケージＰの各側
面の投影像が、各ビームスプリッタＢＳ３、ＢＳ４で図
中下方に反射して偏光板２３、２４を通過し、パッケー
ジＰの下面の反射像がフィルタＦを通過して、像反射ミ
ラーＺＭによって図中横方向へ反射していく。したがっ
て、像反射ミラーＺＭは、パッケージＰの各側面の投影
像およびパッケージＰの下面の反射像を図中横方向に反
射させるために約４５度に傾けられている。
【００６６】また、他の実施形態では、ＣＣＤカメラが
像反射ミラーＺＭによる像の反射先に配置されている。
つまり、このような構成によって、装置を横長にレイア
ウトすることが可能となる。
【００６７】図７に示すように他の実施形態を適用した
検査ユニット１１では、光源Ｌ３、Ｌ４、偏光板Ｈ１
３、Ｈ１４、ビームスプリッタＢＳ３、ＢＳ４等の構
成、像反射ミラーＺＭおよびＣＣＤカメラ２が横長の筐
体Ｋの内部に収納されている。
【００６８】ＣＣＤカメラ２は筐体Ｋ内にスライドユニ
ットＳＵで取り付けられており、焦点の調整を行えるよ
うになっている。また、この筐体Ｋには、図示しない光
源用コントロール基板、スライドユニットＳＵの駆動用
リニアモータ、およびリニアモータ駆動用のドライバ回
路等が内蔵されている。
【００６９】この検査ユニット１１では、半導体装置の
パッケージＰを吸着ロボット等の吸着ノズルＮで吸着保
持し、ビームスプリッタＢＳ３、ＢＳ４の間に配置す
る。この状態で光源Ｌ３、Ｌ４から光を照射すること
で、パッケージＰの各側面の投影像およびパッケージＰ
の下面の反射像が下方の像反射ミラーＺＭで図中横方向
に反射し、レンズ２ａを介してＣＣＤカメラ２に達し画
像として取り込まれる。
【００７０】このような横長の検査ユニット１１を構成
することによって、半導体装置の検査装置であるハンド
ラーやインライン設備のメインベース上に簡単に設置す
ることが可能となるとともに、ＣＣＤカメラ２の位置調
整（キャリブレーション調整）等のメインテナンスを容
易に行うことが可能となる。
【００７１】つまり、検査ユニット１１が横長になって
その高さが低くなることで、ハンドラーやインライン設
備のメインベース上に設置しても全体の高さが高くなり
過ぎず、ハンドラー等の装置で使用する半導体装置の吸
着ロボットによってそのまま半導体装置の移送を行うこ
とができるようになる。
【００７２】また、横長の検査ユニット１１をメインベ
ース上に設置することで、ＣＣＤカメラ２もメインベー
スに近い位置（高さ）となり、調整やメインテナンスを
行うオペレータの高さとも近くなる。これによってメイ
ンテナンス性を向上させることができる。
【００７３】なお、本実施形態では、いずれも半導体装
置のパッケージＰにおける４つの側面の投影像を取り込
む例を示したが、ＳＯＰ（Small Outline Package ）の
ようにパッケージＰの２側面からリードが延出している
半導体装置の外観検査を行う場合には、光源、偏光板、
ビームスプリッタをその２側面に対応した位置にのみ配
置するようにすればよい。
【００７４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明における半
導体装置の外観検査装置および外観検査方法によれば次
のような効果がある。すなわち、本発明の外観検査装置
では、パッケージの各側面の投影像とパッケージの平面
側の画像とを一括して取り込むことで、側面側の外観検
査と平面側の外観検査とを同時に行うことができるよう
になる。また、パッケージの各側面の画像として投影像
を取り込んでいることから、表面状態に影響を受けるこ
となく安定した画像を取り込むことができ、精度良い検
査を行うことが可能となる。
【００７５】また、本発明の外観検査方法では、パッケ
ージの表面状態に影響を受けない投影像に基づきパッケ
ージの側面側の検査を行うことができ、この各側面にお
ける投影像から所定の演算によってパッケージの表面の
反りを検査することができ、簡単な計算によって短時間
で高精度の検査を行うことが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本実施形態における外観検査装置を説明する図
である。
【図２】システム構成図である。
【図３】測定フローチャートである。
【図４】取り込み画像を説明する図である。
【図５】反りの計算を説明する図である。
【図６】他の実施形態を説明する主要部断面図である。
【図７】他の実施形態を適用した検査ユニットの概略断
面図である。
【符号の説明】
１…外観検査装置、２…ＣＣＤカメラ、１０…半導体装
置、１１…検査ユニット、ＢＳ１〜ＢＳ４…ビームスプ
リッタ、Ｈ１１〜Ｈ１４，Ｈ２１〜Ｈ２４…偏光板、Ｋ
…筐体、Ｌ１〜Ｌ４…光源、Ｐ…パッケージ、ＺＭ…像
反射ミラー

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 略四角形のパッケージを備えた半導体装
    置の画像を光学的に読み取る半導体装置の外観検査装置
    において、 前記パッケージの４つの側面に対向して配置される４つ
    の偏光光源と、 前記４つの偏光光源と前記パッケージの対応する側面と
    の間に配置され、そのパッケージを間として向かい合う
    側の偏光光源から前記パッケージに向けて出射された偏
    光光により形成される各側面側の投影像を各々反射させ
    る４つの反射手段と、 前記４つの反射手段で反射した各側面側の投影像と前記
    パッケージの平面側の画像とを一括して取り込む画像読
    み取り手段とを備えていることを特徴とする半導体装置
    の外観検査装置。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の構成に加え、 前記４つの反射手段で反射した各側面側の投影像と前記
    パッケージの平面側の画像とを横方向に反射させて前記
    画像取り込み手段へ送る像反射手段を備えていることを
    特徴とする半導体装置の外観検査装置。
  3. 【請求項３】 請求項１記載の構成に加え、 筐体記２つの偏光光源、前記４つの反射手段、前記画像
    取り込み手段をその内部に格納する本体筐体を備えてい
    ることを特徴とする半導体装置の外観検査装置。
  4. 【請求項４】 請求項２記載の構成に加え、 前記２つの偏光光源、前記４つの反射手段、前記画像取
    り込み手段、前記像反射手段をその内部に格納する本体
    筐体を備えていることを特徴とする半導体装置の外観検
    査装置。
  5. 【請求項５】 略四角形のパッケージを備えた半導体装
    置の画像を光学的に読み取る半導体装置の外観検査方法
    において、 前記パッケージの各側面に向けて偏光光を入射する工程
    と、 入射した偏光光によって形成される前記パッケージの各
    側面における投影像を画像読み取り手段によって取り込
    む工程と、 前記パッケージの各側面における投影像に基づきそのパ
    ッケージの表面における反りを演算する工程とを備えて
    いることを特徴とする半導体装置の外観検査方法。
  6. 【請求項６】 前記パッケージの各側面における投影像
    とともにそのパッケージの平面側における画像を一括し
    て取り込むことを特徴とする請求項５記載の半導体装置
    の外観検査方法。
  7. 【請求項７】 前記パッケージの各側面における投影像
    を前記画像読み取り手段で取り込むに先立ち、そのパッ
    ケージの配置の基準となる画像を取り込んで登録してお
    くことを特徴とする請求項５記載の半導体装置の外観検
    査方法。
  8. 【請求項８】 前記画像読み取り手段で取り込んだ前記
    パッケージの平面側における画像に基づきそのパッケー
    ジの平面側に設けられた電極の形状を検査することを特
    徴とする請求項６記載の半導体装置の外観検査方法。
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TW087107559A TW412630B (en) 1997-05-29 1998-05-15 Visual examination apparatus and visual examination method of semiconductor device
SG1998001331A SG70640A1 (en) 1997-05-29 1998-05-19 Visual examination apparatus and visual examination method of semiconductor device
US09/083,540 US6094263A (en) 1997-05-29 1998-05-22 Visual examination apparatus and visual examination method of semiconductor device
MYPI98002347A MY114593A (en) 1997-05-29 1998-05-26 Visual examination apparatus and visual examination method of semiconductor device
KR1019980019407A KR19980087441A (ko) 1997-05-29 1998-05-28 반도체장치의 외관검사장치 및 외관검사방법

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Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003065754A (ja) * 2001-08-24 2003-03-05 Ricoh Co Ltd 半導体装置実装体の平坦度検査方法及び装置
JP2003097926A (ja) * 2001-09-27 2003-04-03 Nec Corp Ｉｃ外観検査方法
JP2008066541A (ja) * 2006-09-07 2008-03-21 Toshiba Corp 検査装置システム
JP2008128944A (ja) * 2006-11-24 2008-06-05 Hitachi Information & Control Solutions Ltd ラベル検査方法及び装置
KR101275134B1 (ko) * 2012-04-27 2013-06-17 한미반도체 주식회사 반도체 자재 검사장치 및 반도체 자재 검사방법
JP2013130535A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ３次元形状計測システム
WO2015076753A1 (en) * 2013-11-20 2015-05-28 Semiconductor Technologies & Instruments Pte, Ltd Apparatus and method for selectively inspecting component sidewalls
WO2016111025A1 (ja) * 2015-01-09 2016-07-14 上野精機株式会社 外観検査装置
KR20180015220A (ko) * 2015-06-05 2018-02-12 케이엘에이-텐코 코포레이션 반도체 디바이스들의 적어도 측면들의 검사를 위한 장치, 방법 및 컴퓨터 프로그램 제품
US20220065619A1 (en) * 2019-05-10 2022-03-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Dimension measurement jig and dimension measurement device including same
JP2023073722A (ja) * 2021-11-16 2023-05-26 シーシーエス株式会社 検査用照明装置、及び、検査システム
KR20230086426A (ko) * 2021-12-08 2023-06-15 주식회사 앤비젼 다면 이미징 광학 장치

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5894537A (en) 1996-01-11 1999-04-13 Corning Incorporated Dispersion managed optical waveguide
JPH1144513A (ja) * 1997-05-29 1999-02-16 Sony Corp 半導体装置の外観検査装置および外観検査方法
US20010048765A1 (en) * 2000-02-29 2001-12-06 Steven Yi Color characterization for inspection of a product having nonuniform color characteristics
KR100339014B1 (ko) * 2000-06-02 2002-06-03 김종현 메모리 모듈 비전 검사기
JP2002048716A (ja) * 2000-07-03 2002-02-15 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 小型部品の外観検査治具およびその治具を用いた検査方法
JP4234402B2 (ja) * 2002-11-21 2009-03-04 富士機械製造株式会社 電子回路部品像取得装置
KR100661911B1 (ko) * 2004-06-22 2006-12-28 (주)알티에스 검사 장치
KR101380653B1 (ko) * 2008-06-12 2014-04-04 한미반도체 주식회사 비전검사장비의 비전검사방법
DE102010053912B4 (de) 2010-12-09 2013-01-31 Mühlbauer Ag Optische Untersuchungseinrichtung und optisches Untersuchungsverfahren
KR101784987B1 (ko) * 2015-08-26 2017-10-12 (주)제이티 비전검사모듈 및 그를 가지는 소자검사시스템
JP6786593B2 (ja) * 2015-08-26 2020-11-18 アーベーベー・シュバイツ・アーゲーＡＢＢ Ｓｃｈｗｅｉｚ ＡＧ 多視点による対象検査装置及び方法
JP6444909B2 (ja) * 2016-02-22 2018-12-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、基板処理装置及びコンピュータ読み取り可能な記録媒体
DE102016011497B4 (de) 2016-09-21 2019-01-24 Mühlbauer Gmbh & Co. Kg Optische Untersuchungseinrichtung und optisches Untersuchungsverfahren mit sichtbarem und infrarotem Licht für Halbleiterbauteile
JP6789187B2 (ja) * 2017-07-07 2020-11-25 東京エレクトロン株式会社 基板反り検出装置及び基板反り検出方法、並びにこれらを用いた基板処理装置及び基板処理方法
JP7090446B2 (ja) * 2018-03-22 2022-06-24 株式会社キーエンス 画像処理装置
CN108918528B (zh) * 2018-06-01 2023-08-01 深圳回收宝科技有限公司 一种终端检测方法、装置及存储介质
KR102769235B1 (ko) * 2019-05-10 2025-02-20 삼성전자주식회사 치수 측정용 지그 및 그를 포함하는 치수 측정 장치
US11686690B2 (en) * 2020-11-12 2023-06-27 Kla Corporation System and method for inspection and metrology of four sides of semiconductor devices
KR20220147217A (ko) * 2021-04-27 2022-11-03 삼성전자주식회사 치수 측정용 지그 및 그를 포함하는 치수 측정 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5298989A (en) * 1990-03-12 1994-03-29 Fujitsu Limited Method of and apparatus for multi-image inspection of bonding wire
JPH05312519A (ja) * 1992-05-12 1993-11-22 Omron Corp 撮像方法、撮像システム、ワーク位置決め方法、およびワーク切断装置
JP3264048B2 (ja) * 1993-06-17 2002-03-11 ソニー株式会社 外観検査装置
JPH0822712A (ja) * 1994-07-05 1996-01-23 Matsushita Electric Ind Co Ltd 照明装置
JP3360429B2 (ja) * 1994-08-19 2002-12-24 ソニー株式会社 外観検査用照明装置
JPH08340475A (ja) * 1995-06-12 1996-12-24 Olympus Optical Co Ltd 光学式角度検出装置
JPH1144513A (ja) * 1997-05-29 1999-02-16 Sony Corp 半導体装置の外観検査装置および外観検査方法

Cited By (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003065754A (ja) * 2001-08-24 2003-03-05 Ricoh Co Ltd 半導体装置実装体の平坦度検査方法及び装置
JP2003097926A (ja) * 2001-09-27 2003-04-03 Nec Corp Ｉｃ外観検査方法
JP2008066541A (ja) * 2006-09-07 2008-03-21 Toshiba Corp 検査装置システム
JP2008128944A (ja) * 2006-11-24 2008-06-05 Hitachi Information & Control Solutions Ltd ラベル検査方法及び装置
JP2013130535A (ja) * 2011-12-22 2013-07-04 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> ３次元形状計測システム
KR101275134B1 (ko) * 2012-04-27 2013-06-17 한미반도체 주식회사 반도체 자재 검사장치 및 반도체 자재 검사방법
US9816938B2 (en) 2013-11-20 2017-11-14 Semiconductor Technologies & Instruments Pte Ltd Apparatus and method for selectively inspecting component sidewalls
KR20160088341A (ko) * 2013-11-20 2016-07-25 세미컨덕터 테크놀로지스 앤드 인스트루먼츠 피티이 엘티디 부품 측벽들을 선택적으로 검사하는 장치 및 방법
WO2015076753A1 (en) * 2013-11-20 2015-05-28 Semiconductor Technologies & Instruments Pte, Ltd Apparatus and method for selectively inspecting component sidewalls
WO2016111025A1 (ja) * 2015-01-09 2016-07-14 上野精機株式会社 外観検査装置
JP2016128781A (ja) * 2015-01-09 2016-07-14 上野精機株式会社 外観検査装置
JP2020091300A (ja) * 2015-06-05 2020-06-11 ケーエルエー コーポレイション 半導体デバイスの側面の検査装置
JP2018516371A (ja) * 2015-06-05 2018-06-21 ケーエルエー−テンカー コーポレイション 半導体デバイスの少なくとも側面の検査装置、方法及びコンピュータプログラム製品
KR20180015220A (ko) * 2015-06-05 2018-02-12 케이엘에이-텐코 코포레이션 반도체 디바이스들의 적어도 측면들의 검사를 위한 장치, 방법 및 컴퓨터 프로그램 제품
TWI713533B (zh) * 2015-06-05 2020-12-21 美商克萊譚克公司 用於至少對半導體裝置之側表面檢測之設備、方法及電腦程式產品
KR20210099172A (ko) * 2015-06-05 2021-08-11 케이엘에이 코포레이션 반도체 디바이스들의 적어도 측면들의 검사를 위한 장치, 방법 및 컴퓨터 프로그램 제품
TWI746289B (zh) * 2015-06-05 2021-11-11 美商克萊譚克公司 用於至少對半導體裝置之側表面檢測之設備、方法及電腦程式產品
US20220065619A1 (en) * 2019-05-10 2022-03-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Dimension measurement jig and dimension measurement device including same
JP2023073722A (ja) * 2021-11-16 2023-05-26 シーシーエス株式会社 検査用照明装置、及び、検査システム
KR20230086426A (ko) * 2021-12-08 2023-06-15 주식회사 앤비젼 다면 이미징 광학 장치

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