JPH1145830A - アルミ電解コンデンサ用陽極箔の製造方法 - Google Patents
アルミ電解コンデンサ用陽極箔の製造方法Info
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- JPH1145830A JPH1145830A JP9198139A JP19813997A JPH1145830A JP H1145830 A JPH1145830 A JP H1145830A JP 9198139 A JP9198139 A JP 9198139A JP 19813997 A JP19813997 A JP 19813997A JP H1145830 A JPH1145830 A JP H1145830A
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Abstract
いアルミ電解コンデンサ用陽極箔の製造方法を提供する
ことを目的とする。 【解決手段】 エッチングにより粗面化されたアルミニ
ウム箔を高温の純水中に浸漬する水和処理工程と、この
水和処理工程に続いて硼酸、リン酸、ジカルボン酸およ
びこれらの塩の1種類以上を含む溶液で化成を行う化成
工程と、この化成工程後化成皮膜にクラックを生成させ
る処理とこの生成したクラックを拡大する処理を連続し
て行う減極処理工程と、この減極処理工程後再化成を行
う再化成工程とを備えたものである。
Description
サ用陽極箔の製造方法に関するもので、さらに詳しく言
えば、漏れ電流が小さいアルミ電解コンデンサ用陽極箔
の製造方法に関するものである。
は、エッチング処理により粗面化されて実効表面積を拡
大したアルミニウム箔を純水ボイル処理し、その後、硼
酸、リン酸、ジカルボン酸またはこれらの塩の1種類以
上を含む溶液中で所望の化成電圧を印加して陽極酸化処
理(化成)を行うようにしている。
たはアルカリ性溶液中への浸漬処理による減極処理を行
った後再化成を行う工程を数度繰り返すことにより化成
皮膜を生成している。上記減極処理においては、硼砂水
溶液中で熱水処理のみを行って欠陥を暴露する方法や熱
水処理後に熱処理を行い続いてリン酸2水素アンモニウ
ム溶液へ浸漬する方法(特開平2−45908号公報)
が提案されている。
案の熱水処理のみによる減極処理では、化成箔と熱水と
の水和反応により欠陥を暴露しているため、熱水が浸透
できない独立した欠陥は暴露できず化成皮膜中に残る。
酸性またはアルカリ性溶液中への浸漬処理においても、
処理液による皮膜の溶解作用で欠陥を暴露するため、熱
処理が浸漬できない独立した欠陥を暴露することは困難
であった。さらに熱処理による減極処理は、化成箔のア
ルミニウム金属部分と化成皮膜の熱膨張率の違いにより
化成皮膜を伸張し細かいクラックを皮膜中に生成して欠
陥を暴露するため、再化成においてクラック中に再化成
液が十分に浸透することができず、その結果、化成箔の
アルミニウム金属部分と化成皮膜との界面の欠陥を再化
成して修復することは困難であった。
いる熱水処理を行った後、熱処理を行い、その後リン酸
2水素アンモニウム溶液へ浸漬する処理においてもリン
酸2水素アンモニウム溶液の溶解性が低いため、再化成
において再化成液が十分に浸透することができず、その
結果、化成箔のアルミニウム金属部分と化成皮膜との界
面の欠陥を再化成して修復することは困難であった。
化成皮膜中の欠陥を残してしまい、そしてこの欠陥部に
よりアルミ電解コンデンサに製品化した際の漏れ電流が
大きくなるという問題点を有していた。
で、化成皮膜中の欠陥が少なく、漏れ電流の小さいアル
ミ電解コンデンサ用陽極箔の製造方法を提供することを
目的とするものである。
に本発明のアルミ電解コンデンサ用陽極箔の製造方法
は、エッチングにより粗面化されたアルミニウム箔を高
温の純水中に浸漬する水和処理工程と、この水和処理工
程に続いて硼酸、リン酸、ジカルボン酸およびこれらの
塩の1種類以上を含む溶液で化成を行う化成工程と、こ
の化成工程後化成皮膜にクラックを生成させる処理とこ
の生成したクラックを拡大する処理を連続して行う減極
処理工程と、この減極処理工程後再化成を行う再化成工
程とを備えたもので、この製造方法によれば、化成皮膜
中の欠陥が少なく、漏れ電流の小さいアルミ電解コンデ
ンサ用陽極箔を得ることができるものである。
は、エッチングにより粗面化されたアルミニウム箔を高
温の純水中に浸漬する水和処理工程と、この水和処理工
程に続いて硼酸、リン酸、ジカルボン酸およびこれらの
塩の1種類以上を含む溶液で化成を行う化成工程と、こ
の化成工程後化成皮膜にクラックを生成させる処理とこ
の生成したクラックを拡大する処理を連続して行う減極
処理工程と、この減極処理工程後再化成を行う再化成工
程とを備えたもので、この製造方法によれば、化成工程
後化成皮膜にクラックを生成させる処理を行うようにし
ているため、化成皮膜中の独立した欠陥を暴露すること
ができ、さらにこの処理の後生成したクラックを拡大す
る処理を行うようにしているため、次の再化成工程にお
いては化成箔のアルミニウム金属部分と化成皮膜との界
面の欠陥に再化成液が浸透しやすくなり、これにより、
化成皮膜中の欠陥の修復が効果的になされるため化成皮
膜中の欠陥が少なく、漏れ電流の小さいアルミ電解コン
デンサ用陽極箔を得ることができるものである。
ックを生成させる処理を熱処理で行うようにしたもの
で、この製造方法によれば、熱処理で行っているため化
成皮膜中の独立した欠陥を効果的に暴露することができ
るという効果を有するものである。
ックを生成させる処理を、化成された化成箔を電源のマ
イナス側に接続し、かつ対極となる極板を電源のプラス
側に接続して電圧を印加する処理で行うようにしたもの
で、この製造方法によれば、電圧印加処理で行っている
ため化成皮膜中の独立した欠陥を効果的に暴露すること
ができるという効果を有するものである。
クを拡大する処理を熱水処理で行うようにしたもので、
この製造方法によれば、生成したクラックを熱水処理で
行うようにしているため次の再化成工程において化成箔
のアルミニウム金属部分と化成皮膜との界面の欠陥に再
化成液が浸透しやすくなり、化成皮膜中の欠陥を効果的
に修復することができるという効果を有するものであ
る。
クを拡大する処理を酸性またはアルカリ性の化成皮膜を
溶解する溶液に浸漬する処理で行うようにしたもので、
この製造方法によれば、生成したクラックを酸性または
アルカリ性の化成皮膜を溶解する溶液に浸漬する処理で
行うようにしているため、次の再化成工程において化成
箔のアルミニウム金属部分と化成皮膜の界面の欠陥に再
化成液が浸透しやすくなり、化成皮膜中の欠陥を効果的
に修復することができるという効果を有するものであ
る。
2,3と従来例1,2について説明する。
度99.9%のアルミニウム箔を95℃の純水中に5分
間浸漬し、それに続いて硼酸50g/lと硼砂0.5g
/lの混合溶液中で500Vまで電圧を印加して化成を
行い、そして電圧が500Vに到達した後、15分間保
持を行った。その後、化成により化成皮膜が形成された
化成箔に400℃で2分間熱処理を施し、続いて硼砂3
g/l、95℃の溶液中に2分間浸漬する熱水処理を行
って減極処理とした。この減極処理後、硼酸50g/l
と硼砂0.5g/lの混合溶液中で500Vの電圧を印
加し、かつ10分間保持して再化成を行うことにより陽
極箔を得た。
度99.9%のアルミニウム箔を95℃の純水中に5分
間浸漬し、それに続いて硼酸50g/lと硼砂0.5g
/lの混合溶液中で500Vまで電圧を印加して化成を
行い、そして電圧が500Vに到達した後15分間保持
を行った。その後、化成により化成皮膜が形成された化
成箔を電源のマイナス側に接続し、かつ対極となる極板
を電源のプラス側に接続して20Vの電圧を印加する処
理を2分間行い、その後その化成箔に硼砂3g/l、9
5℃の溶液中に2分間浸漬する熱水処理を行って減極処
理とした。この減極処理後、硼酸50g/lと硼砂0.
5g/lの混合溶液中で500Vの電圧を印加し、かつ
10分間保持して再化成を行うことにより陽極箔を得
た。
度99.9%のアルミニウム箔を95℃の純水中に5分
間浸漬し、それに続いて硼酸50g/lと硼砂0.5g
/lの混合溶液中で500Vまで電圧を印加して化成を
行い、そして電圧が500Vに到達した後、15分間保
持を行った。その後、化成により化成皮膜が形成された
化成箔に400℃で2分間熱処理を施し、続いてリン酸
50g/l、60℃の溶液中に2分間浸漬する浸漬処理
を行って減極処理とした。この減極処理後硼酸50g/
lと硼砂0.5g/lの混合溶液中で500Vの電圧を
印加し、かつ10分間保持して再化成を行うことにより
陽極箔を得た。
砂溶液中で熱水処理のみを行うことにより、陽極箔を得
た。
砂溶液中で熱水処理を行い、その後、400℃で熱処理
を施し、続いて液温80℃のリン酸2水素アンモニウム
溶液中に浸漬する処理を行うことにより、陽極箔を得
た。
3により得られた陽極箔の漏れ電流と、従来例1,2に
より得られた陽極箔の漏れ電流とを比較して示したもの
である。
施の形態1,2,3により得られた陽極箔は、従来例
1,2と比較して漏れ電流を小さくすることができるも
のである。
れた陽極箔と、従来例1,2により得られた陽極箔にそ
れぞれ400℃の熱処理を5分間行い、その後、硼酸1
00g/lの溶液中に浸漬し、この溶液を化成皮膜中の
欠陥に十分浸透させた後、この溶液中で電圧を一定速度
で印加した際の電圧−漏れ電流特性図を示したものであ
る。
1,2では200V付近まで漏れ電流値が大きいもの
で、これは化成箔のアルミニウム金属部分と化成皮膜と
の界面付近に欠陥が残っているものと考えられ、一方、
本発明の実施の形態1により得られた陽極箔は、200
V以下の電圧においても漏れ電流値は小さいもので、こ
れらは化成箔のアルミニウム金属部分と化成皮膜との界
面付近の欠陥が効果的に修復されているものと考えられ
る。
ンサ用陽極箔の製造方法は、エッチングにより粗面化さ
れたアルミニウム箔を高温の純水中に浸漬する水和処理
工程と、この水和処理工程に続いて硼酸、リン酸、ジカ
ルボン酸およびこれらの塩の1種類以上を含む溶液で化
成を行う化成工程と、この化成工程後化成皮膜にクラッ
クを生成させる処理とこの生成したクラックを拡大する
処理を連続して行う減極処理工程と、この減極処理工程
後再化成を行う再化成工程とを備えたもので、この製造
方法によれば、化成工程後、化成皮膜にクラックを生成
させる処理を行うようにしているため、化成皮膜中の独
立した欠陥を暴露することができ、さらに、この処理の
後生成したクラックを拡大する処理を行うようにしてい
るため、次の再化成工程においては化成箔のアルミニウ
ム金属部分と化成皮膜との界面付近の欠陥に再化成液が
浸透しやすくなり、これにより、化成皮膜中の欠陥の修
復が効果的になされるため化成皮膜中の欠陥が少なく、
漏れ電流の小さいアルミ電解コンデンサ用陽極箔を得る
ことができるものである。
により、アルミ電解コンデンサに製品化する際のエージ
ング時間も短縮できるためアルミ電解コンデンサの生産
効率を上げることができるものである。
とにより、化成皮膜が緻密になるため耐電圧当りの化成
皮膜の厚さを薄くすることができ、これにより、静電容
量のアップも図ることができるものである。
と、従来例1,2により得られた陽極箔の電圧−漏れ電
流特性図
Claims (5)
- 【請求項1】 エッチングにより粗面化されたアルミニ
ウム箔を高温の純水中に浸漬する水和処理工程と、この
水和処理工程に続いて硼酸、リン酸、ジカルボン酸およ
びこれらの塩の1種類以上を含む溶液で化成を行う化成
工程と、この化成工程後化成皮膜にクラックを生成させ
る処理とこの生成したクラックを拡大する処理を連続し
て行う減極処理工程と、この減極処理工程後再化成を行
う再化成工程とを備えたアルミ電解コンデンサ用陽極箔
の製造方法。 - 【請求項2】 化成皮膜にクラックを生成させる処理を
熱処理で行うようにした請求項1に記載のアルミ電解コ
ンデンサ用陽極箔の製造方法。 - 【請求項3】 化成皮膜にクラックを生成させる処理
を、化成された化成箔を電源のマイナス側に接続しかつ
対極となる極板を電源のプラス側に接続して電圧を印加
する処理で行うようにした請求項1に記載のアルミ電解
コンデンサ用陽極箔の製造方法。 - 【請求項4】 生成したクラックを拡大する処理を熱水
処理で行うようにした請求項1に記載のアルミ電解コン
デンサ用陽極箔の製造方法。 - 【請求項5】 生成したクラックを拡大する処理を酸性
またはアルカリ性の化成皮膜を溶解する溶液に浸漬する
処理で行うようにした請求項1に記載のアルミ電解コン
デンサ用陽極箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19813997A JP3555392B2 (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | アルミ電解コンデンサ用陽極箔の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19813997A JP3555392B2 (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | アルミ電解コンデンサ用陽極箔の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1145830A true JPH1145830A (ja) | 1999-02-16 |
| JP3555392B2 JP3555392B2 (ja) | 2004-08-18 |
Family
ID=16386111
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19813997A Expired - Fee Related JP3555392B2 (ja) | 1997-07-24 | 1997-07-24 | アルミ電解コンデンサ用陽極箔の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3555392B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007036043A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Nichicon Corp | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| CN112071648A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-12-11 | 新疆众和股份有限公司 | 一种五级磷酸盐化成工艺 |
| CN112103084A (zh) * | 2020-08-17 | 2020-12-18 | 新疆众和股份有限公司 | 一种阳极箔及其制备方法 |
| CN116121841A (zh) * | 2023-02-20 | 2023-05-16 | 新疆丰川电子科技有限公司 | 一种长寿命低漏电电极箔的生产方法 |
-
1997
- 1997-07-24 JP JP19813997A patent/JP3555392B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007036043A (ja) * | 2005-07-28 | 2007-02-08 | Nichicon Corp | アルミニウム電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| CN112071648A (zh) * | 2020-07-13 | 2020-12-11 | 新疆众和股份有限公司 | 一种五级磷酸盐化成工艺 |
| CN112071648B (zh) * | 2020-07-13 | 2021-10-08 | 新疆众和股份有限公司 | 一种五级磷酸盐化成工艺 |
| CN112103084A (zh) * | 2020-08-17 | 2020-12-18 | 新疆众和股份有限公司 | 一种阳极箔及其制备方法 |
| CN112103084B (zh) * | 2020-08-17 | 2021-10-15 | 新疆众和股份有限公司 | 一种阳极箔及其制备方法 |
| CN116121841A (zh) * | 2023-02-20 | 2023-05-16 | 新疆丰川电子科技有限公司 | 一种长寿命低漏电电极箔的生产方法 |
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|---|---|
| JP3555392B2 (ja) | 2004-08-18 |
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