JPH1145867A - Method and device for preparation of semiconductor wafer polishing jig - Google Patents
Method and device for preparation of semiconductor wafer polishing jigInfo
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Landscapes
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- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、研磨プレートに半
導体ウエーハ保持用のバッキングパッドを接着した半導
体ウエーハ研磨用治具を作製する方法および装置に関す
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and an apparatus for manufacturing a jig for polishing a semiconductor wafer in which a backing pad for holding a semiconductor wafer is bonded to a polishing plate.
【0002】[0002]
【従来の技術】最近、半導体ウエーハの鏡面研磨(化学
的機械的研磨)装置として、研磨プレートに保持された
バッキングパッドの片面にシリコンウエーハ、GaAs
ウエーハ等の半導体ウエーハを水貼りにより保持してワ
ックスレス法により研磨するものが採用されてきた。2. Description of the Related Art Recently, as a mirror polishing (chemical mechanical polishing) apparatus for a semiconductor wafer, a silicon wafer, GaAs and a GaAs wafer are provided on one side of a backing pad held by a polishing plate.
Semiconductor wafers, such as wafers, which have been held by water application and polished by a waxless method, have been employed.
【0003】図11は、鏡面研磨装置の従来例を示して
いる。この研磨装置71は、複数枚の半導体ウエーハW
を同時に研磨するバッチ式研磨装置であり、研磨荷重
(ヘッド)72と、テンプレート73と、定盤75とを
備えて構成されている。テンプレート73は研磨プレー
ト76と、バッキングパッド77と、テンプレートブラ
ンク78とを積層して構成されている。77aはバッキ
ングパッド77のウエーハ保持面であり、78aはテン
プレートブランク58に複数形成された、ウエーハ挿入
用の円形貫通孔である。FIG. 11 shows a conventional example of a mirror polishing apparatus. The polishing apparatus 71 includes a plurality of semiconductor wafers W.
Is a batch-type polishing apparatus for polishing simultaneously, and includes a polishing load (head) 72, a template 73, and a surface plate 75. The template 73 is formed by laminating a polishing plate 76, a backing pad 77, and a template blank 78. Reference numeral 77a denotes a wafer holding surface of the backing pad 77, and reference numeral 78a denotes a plurality of circular through holes for wafer insertion formed in the template blank 58.
【0004】バッキングパッド77は研磨プレート76
に接着されて研磨用治具を構成し、この研磨用治具は適
宜の固定部材によって研磨荷重72(ヘッド)に固定さ
れている。また、テンプレートブランク78はバッキン
グパッド77に、研磨パッド74は定盤75に、それぞ
れ接着剤により固定されている。本発明は、上記のよう
にバッキングパッドを研磨プレートに接着した構造の半
導体ウエーハ研磨用治具の作製方法および装置に係わる
ものである。[0004] The backing pad 77 is a polishing plate 76.
To form a polishing jig, and the polishing jig is fixed to the polishing load 72 (head) by an appropriate fixing member. The template blank 78 is fixed to the backing pad 77, and the polishing pad 74 is fixed to the surface plate 75 with an adhesive. The present invention relates to a method and an apparatus for manufacturing a jig for polishing a semiconductor wafer having a structure in which a backing pad is bonded to a polishing plate as described above.
【0005】上記研磨装置により半導体ウエーハの鏡面
研磨を行うに際しては、準備操作として、半導体ウエー
ハWをテンプレートブランク78の円形貫通孔78aに
挿入し、水貼りによりバッキングパッド77のウエーハ
保持面77aで保持する。ついで、研磨荷重(ヘッド)
72を降下させ、半導体ウエーハWの被研磨面を研磨パ
ッド74に押圧させ、この状態で、微細な砥粒を含む研
磨液を供給するとともに、研磨荷重(ヘッド)72を研
磨パッド74に対して自転および公転させながら、複数
枚の半導体ウエーハWを同時に鏡面研磨する。[0005] When the mirror polishing of the semiconductor wafer is performed by the above-mentioned polishing apparatus, as a preparation operation, the semiconductor wafer W is inserted into the circular through hole 78a of the template blank 78 and held on the wafer holding surface 77a of the backing pad 77 by water bonding. I do. Then, polishing load (head)
72 is lowered, the surface to be polished of the semiconductor wafer W is pressed against the polishing pad 74, and in this state, a polishing liquid containing fine abrasive grains is supplied, and the polishing load (head) 72 is applied to the polishing pad 74. The plurality of semiconductor wafers W are simultaneously mirror-polished while rotating and revolving.
【0006】バッチ式研磨装置に限らず、枚葉式研磨装
置においても、上記半導体ウエーハ研磨用治具では、バ
ッキングパッドが皺のない状態で研磨プレートに接着し
ており、かつ、バッキングパッド・研磨プレート間に空
気層が残留しておらず密着していることが重要である。[0006] Not only in the batch type polishing apparatus but also in the single wafer type polishing apparatus, in the jig for polishing a semiconductor wafer, the backing pad is adhered to the polishing plate in a wrinkle-free state. It is important that an air layer does not remain between the plates and that the plates are in close contact.
【0007】これらの条件が同時に満たされない場合に
は、高平坦度の鏡面研磨ウエーハを得るのは難しかっ
た。すなわち、研磨前ウエーハの上下面がそれぞれ殆ど
一つの平面に合致し、かつ上下面が互いに平行(厚さが
均一で、しかも反りなどがない)になっていても、この
状態を維持して鏡面研磨することは困難であった。If these conditions are not satisfied at the same time, it has been difficult to obtain a mirror-polished wafer with high flatness. That is, even if the upper and lower surfaces of the unpolished wafer almost coincide with one plane, and the upper and lower surfaces are parallel to each other (the thickness is uniform and there is no warpage or the like), this state is maintained and the mirror surface is maintained. It was difficult to polish.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】従来、上記構造の半導
体ウエーハ研磨用治具を作製する場合、シート状のバッ
キングパッドの表面に両面テープを接着し、この両面テ
ープと研磨プレートの表面との間隙の空気を手作業で少
しずつ追い出しながら、バッキングパッドを研磨プレー
トに接着していた。Conventionally, when manufacturing a jig for polishing a semiconductor wafer having the above structure, a double-sided tape is adhered to the surface of a sheet-like backing pad, and a gap between the double-sided tape and the surface of the polishing plate is formed. The backing pad was adhered to the polishing plate while the air was manually expelled little by little.
【0009】ところが、最近は大口径ウエーハをバッチ
式に研磨する傾向にあり、バッキングパッドの直径が例
えば約500mm〜1mと大型化してきた。このため、
上記脱気を充分に行うとともに、皺が発生することなく
バッキングパッド材料を接着するには熟練を要するだけ
でなく、作業が面倒となり、しかも時間がかかるという
問題が発生した。However, recently, there has been a tendency to grind large-diameter wafers in a batch manner, and the diameter of the backing pad has been increased to, for example, about 500 mm to 1 m. For this reason,
In addition to performing sufficient degassing and adhering the backing pad material without wrinkling, not only skill is required, but also the operation becomes troublesome and takes time.
【0010】本発明は上記問題点に鑑みなされたもの
で、その目的は、バッキングパッドに皺がなく、かつ、
バッキングパッド・研磨プレート間に空気溜まりのない
大直径の半導体ウエーハ研磨用治具を容易、かつ短時間
の作業で作製することができる方法および装置を提供す
ることにある。The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a backing pad that has no wrinkles,
It is an object of the present invention to provide a method and an apparatus capable of easily manufacturing a large-diameter semiconductor wafer polishing jig having no air pocket between a backing pad and a polishing plate in a short time.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明に係る半導体ウエ
ーハ研磨用治具の作製方法は、半導体ウエーハ保持用の
バッキングパッドを研磨プレートに接着した構造の半導
体ウエーハ研磨用治具を作製する方法において、研磨プ
レートのバッキングパッド接着面に接着剤を塗布し、バ
ッキングパッドシートを、これに適宜の張力を付与して
弛み・伸びのいずれもなく、かつ高平坦な状態となし、
この状態を維持し、かつバッキングパッドシートと研磨
プレートの接着剤塗布面とを互いに平行に維持したまま
バッキングパッドシートを研磨プレートに圧接させて接
着することを特徴とする(請求項1)。A method of manufacturing a jig for polishing a semiconductor wafer according to the present invention is directed to a method of manufacturing a jig for polishing a semiconductor wafer having a structure in which a backing pad for holding a semiconductor wafer is bonded to a polishing plate. An adhesive is applied to the backing pad bonding surface of the polishing plate, and the backing pad sheet is given a suitable tension without any slack or elongation, and in a highly flat state,
In this state, the backing pad sheet is pressed against and adhered to the polishing plate while maintaining the backing pad sheet and the adhesive-coated surface of the polishing plate parallel to each other (claim 1).
【0012】上記作製方法においては、例えば以下のも
の、すなわち研磨プレートのバッキングパッド接着面に
接着剤を均一に塗布する工程と、バッキングパッドシー
トの原反ロールからバッキングパッドシートを繰り出す
工程と、繰り出したバッキングパッドシートを、これに
適宜の張力を付与して弛み・伸びのいずれもなく、かつ
高平坦な状態に維持する工程と、該バッキングパッドシ
ートの表面と研磨プレートの前記接着剤塗布面とを真正
面に対向させたまま、これらの少なくとも一方を移動さ
せて徐々に接近させることにより、バッキングパッドシ
ートを研磨プレートに圧接させて接着する工程と、バッ
キングパッドシートの前記接着部分を原反ロールから切
り離す切断工程とを含むことを特徴とする半導体ウエー
ハ研磨用治具の作製方法が好ましい(請求項2)。In the above-described manufacturing method, for example, the following steps, ie, a step of uniformly applying an adhesive to a backing pad bonding surface of a polishing plate, a step of feeding a backing pad sheet from a raw roll of the backing pad sheet, and a feeding operation Backing pad sheet, a step of applying appropriate tension to the backing pad sheet without any slack or elongation, and maintaining a high flat state, and the surface of the backing pad sheet and the adhesive-coated surface of the polishing plate, Moving the at least one of them and gradually approaching them, keeping the backing pad sheet in pressure contact with the polishing plate and bonding the backing pad sheet to the polishing plate; and A jig for polishing a semiconductor wafer, comprising: The method is preferably (claim 2).
【0013】前記バッキングパッドシートとしては、3
次元的に連通し且つ当該バッキングパッドシートの上下
の表面に延びている微細な気泡を多数有する多孔質体か
らなるものが好ましい(請求項3)。また、このような
バッキングパッドシートとしてはポリウレタン樹脂、フ
ッ素樹脂またはシリコーン樹脂からなる多孔質フィルム
が望ましい(請求項4)。As the backing pad sheet, 3
It is preferable that the backing pad sheet is made of a porous body having a large number of fine air bubbles extending in the upper and lower surfaces of the backing pad sheet. As such a backing pad sheet, a porous film made of a polyurethane resin, a fluorine resin or a silicone resin is desirable (claim 4).
【0014】本発明に係る半導体ウエーハ研磨用治具の
作製装置は、上記作製方法を実施するための装置であっ
て、研磨プレートを水平方向にして保持して高速回転さ
せるワーク回転機構と、原反ロールからバッキングパッ
ドシートを繰り出す繰出し機構と、該繰り出されたバッ
キングパッドシートを弛み・伸びのいずれもなく、かつ
水平方向に高平坦な状態に維持する平坦化機構と、繰り
出されたバッキングパッドシートを原反から切り離す切
断機構と、前記ワーク回転機構のワーク保持部の中心部
直上に接近・離間自在な接着剤滴下機構とを備えて構成
され、前記平坦化機構は、前記繰り出されたバッキング
パッドシートの適宜長さ部分の長さ方向両端部をクラン
プするクランプ部材と、前記ワーク回転機構の直上に該
機構と真正面に対向して設けられ表面が高平坦なバッキ
ングパッドシート押圧板とを備え構成され、該押圧板
は、前記一対のクランプ部材間のバッキングパッドシー
トを下向きに押圧するものであることを特徴とする(請
求項5)。An apparatus for manufacturing a jig for polishing a semiconductor wafer according to the present invention is an apparatus for carrying out the above-described manufacturing method, comprising: a work rotating mechanism for holding a polishing plate in a horizontal direction and rotating at a high speed; A feeding mechanism for feeding the backing pad sheet from the anti-roll, a flattening mechanism for maintaining the fed backing pad sheet in a horizontally flat state without any slack or elongation, and a fed backing pad sheet A cutting mechanism that separates the backing pad from the raw material, and an adhesive dropping mechanism that can be freely moved toward and away from the center of the work holding part of the work rotating mechanism. A clamping member for clamping both ends in the length direction of an appropriate length portion of the sheet; and a pair of members directly above and directly in front of the work rotating mechanism. And a backing pad sheet pressing plate having a highly flat surface, and the pressing plate presses the backing pad sheet between the pair of clamp members downward. Item 5).
【0015】前記ワーク回転機構はモータと、該モータ
により高速回転される鉛直回転軸と、該鉛直回転軸の上
端部に設けられ研磨プレートの下面を吸着してこれを水
平方向に保持する真空チャックとを備えて構成され、前
記繰出し機構および平坦化機構は、第1の駆動機構によ
り一体的に鉛直方向に昇降自在であり、前記バッキング
パッドシート押圧板は、前記バッキングパッドシートを
高平坦に維持したまま第2の駆動機構により徐々に下降
してバッキングパッドシートを前記真空チャック上の研
磨プレートに圧接させるものであることが好ましい(請
求項6)。The work rotating mechanism includes a motor, a vertical rotating shaft rotated at a high speed by the motor, and a vacuum chuck provided at an upper end of the vertical rotating shaft for sucking a lower surface of a polishing plate and holding the polishing plate in a horizontal direction. The feeding mechanism and the flattening mechanism are vertically movable vertically by a first driving mechanism, and the backing pad sheet pressing plate maintains the backing pad sheet highly flat. It is preferable that the backing pad sheet is gradually lowered by the second drive mechanism while being pressed to press the backing pad sheet against the polishing plate on the vacuum chuck.
【0016】この作製装置では、前記ワーク回転機構
が、前記鉛直回転軸の上端部に設けられたリング状の真
空チャックと、前記鉛直回転軸の上端部に前記真空チャ
ックに包囲されて設けられた研磨プレート支持部材とを
備えて構成され、該研磨プレート支持部材が、第3の駆
動機構により鉛直方向に昇降自在であって前記真空チャ
ックに対して突出・没入自在であり、さらに、互いに接
近・離間自在に対向して研磨プレートの周面を挟持する
一対の挟持部材を備えたロードアンロードコンベアが、
前記研磨プレート支持部材の直上に移動・退去自在とな
っていることを特徴とするものが望ましい(請求項
7)。In this manufacturing apparatus, the work rotating mechanism is provided on a ring-shaped vacuum chuck provided at an upper end of the vertical rotation shaft, and is provided at an upper end of the vertical rotation shaft so as to be surrounded by the vacuum chuck. A polishing plate supporting member, the polishing plate supporting member is vertically movable by a third drive mechanism, and is capable of protruding and immersing in the vacuum chuck. A load / unload conveyor having a pair of holding members for holding the peripheral surface of the polishing plate facing each other freely,
It is desirable that the polishing plate can be moved and retreated directly above the polishing plate supporting member (claim 7).
【0017】上記第1、第2または第3の駆動機構をエ
アシリンダとし、かつ、これら第1および第2のエアシ
リンダでは、ピストン前進時(下降時)のピストン背圧
の最大値を所定値に設定しておくことが好ましい。The first, second or third drive mechanism is an air cylinder, and in the first and second air cylinders, the maximum value of the piston back pressure when the piston is advanced (descent) is set to a predetermined value. It is preferable to set to.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面を参照しながら説明する。 実施の形態1 図1は半導体ウエーハ研磨用治具の作製方法・装置を示
す概略断面図である。図2は図1のA−A線矢視図、図
3は図1のB部拡大図である。図4は図2のC−C線断
面図である。図5はシート状弾性部材が接着された研磨
プレートを示す概略斜視図、図6は図5のD−D線断面
図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. Embodiment 1 FIG. 1 is a schematic sectional view showing a method and an apparatus for manufacturing a jig for polishing a semiconductor wafer. FIG. 2 is a view taken along line AA of FIG. 1, and FIG. 3 is an enlarged view of a portion B of FIG. FIG. 4 is a sectional view taken along line CC of FIG. FIG. 5 is a schematic perspective view showing a polishing plate to which a sheet-like elastic member is adhered, and FIG. 6 is a cross-sectional view taken along line DD of FIG.
【0019】図1に示すように、門型のフレーム55に
第1エアシリンダ51を取り付け、この第1エアシリン
ダ51のピストンロッド下端部にフレーム56を設け
る。このフレーム56の下方中央部に第2エアシリンダ
52を取り付ける。前記フレーム56下端部の片側に、
シート状弾性部材(バッキングパッドシート)4の原反
ロール11を着脱自在、かつ回転自在に支持するための
支持部材10を設ける。フレーム56下端部の支持部材
10近傍に、いずれも駆動機構(図示せず)により強制
回転されるニップローラ13,14を互いに接近・離反
自在に設ける。As shown in FIG. 1, a first air cylinder 51 is mounted on a portal frame 55, and a frame 56 is provided at the lower end of the piston rod of the first air cylinder 51. The second air cylinder 52 is attached to a lower central portion of the frame 56. On one side of the lower end of the frame 56,
A support member 10 for detachably and rotatably supporting the material roll 11 of the sheet-like elastic member (backing pad sheet) 4 is provided. In the vicinity of the support member 10 at the lower end of the frame 56, nip rollers 13 and 14, both of which are forcibly rotated by a drive mechanism (not shown), are provided so as to approach and separate from each other.
【0020】また、フレーム56下端部には、いずれも
アイドルローラであるニップローラ17a,17bを互
いに接近・離反自在に設けて、ニップローラ13,14
と対向させる。前記支持部材10およびニップローラ1
3,14は水平方向の位置を固定して設けるのに対し
て、ニップローラ17a,17bは、駆動機構および走
行軌道(いずれも図示せず)により、フレーム56の下
端部に沿って一体的にニップローラ13,14に対して
前進・後退自在とし、これらのニップローラ17a,1
7bにより可動式クランプ17を構成する。この可動式
クランプ17では、前進限位置および後退限位置を一定
の位置に設定しておく。ニップローラ13,14と、ニ
ップローラ17a,17bと、前記駆動機構および走行
軌道とにより、原反ロール11から原反すなわちシート
状弾性部材4を所定長さだけ間欠的に繰り出すための繰
出し機構が構成される。At the lower end of the frame 56, nip rollers 17a and 17b, both idle rollers, are provided so as to be able to approach and separate from each other.
To face. Support member 10 and nip roller 1
The nip rollers 17a and 17b are integrally formed along the lower end of the frame 56 by a driving mechanism and a running track (both not shown), while the nip rollers 17a and 17b are fixedly provided in the horizontal direction. 13 and 14, the nip rollers 17a, 1
The movable clamp 17 is constituted by 7b. In the movable clamp 17, the forward limit position and the retreat limit position are set to fixed positions. The nip rollers 13 and 14, the nip rollers 17a and 17b, the drive mechanism and the running track constitute a feeding mechanism for intermittently feeding the raw material, that is, the sheet-shaped elastic member 4 from the raw material roll 11 by a predetermined length. You.
【0021】さらに、第2エアシリンダ52のピストン
ロード下端部には、円板状のバッキングパッドシート押
圧板15(以下、押圧板と記載することがある)を、ニ
ップローラ13,14から水平方向に適宜距離だけ離れ
た位置に、かつ円板状の研磨プレート1の直上に対向し
て設ける。すなわち、研磨プレート1を水平方向に保持
する支持部材16の直上に、かつ真正面に対向させて、
押圧板15を鉛直方向に昇降自在に設ける。研磨プレー
ト1の上面および押圧板15の押圧面(下面)は、平坦
な平面状に仕上げておく。第2エアシリンダ52は、押
圧板15の下面を水平方向に沿わした状態で、これを昇
降させるためのものである。第2エアシリンダ52と、
押圧板15と、ニップローラ13,14と、ニップロー
ラ17a,17bとにより、繰り出されたシート状弾性
部材4を弛み・伸びのいずれもない状態で緊張させるた
めの機構、すなわち前記平坦化機構が構成される。Further, at the lower end of the piston load of the second air cylinder 52, a disc-shaped backing pad sheet pressing plate 15 (hereinafter, sometimes referred to as a pressing plate) is provided horizontally from the nip rollers 13, 14 in the horizontal direction. It is provided at a position separated by an appropriate distance and directly above and directly above the disk-shaped polishing plate 1. That is, just above the support member 16 that holds the polishing plate 1 in the horizontal direction, and facing the front directly,
The pressing plate 15 is provided so as to be vertically movable in the vertical direction. The upper surface of the polishing plate 1 and the pressing surface (lower surface) of the pressing plate 15 are finished to be flat and flat. The second air cylinder 52 is for raising and lowering the lower surface of the pressing plate 15 while keeping the lower surface along the horizontal direction. A second air cylinder 52,
The pressing plate 15, the nip rollers 13, 14, and the nip rollers 17a, 17b constitute a mechanism for tensioning the fed sheet-like elastic member 4 without any slack or elongation, that is, the flattening mechanism. You.
【0022】第1エアシリンダおよび第2エアシリンダ
は、ピストン前進時(図1においては下降時)のピスト
ン背圧の最大値を所定値に設定しておく。このようにす
ることで第1エアシリンダについては、押圧板15によ
りバッキングパッドシートを研磨プレートに圧接させる
際の圧接力を所定値に制御することができる。また、第
2エアシリンダについては、押圧板15によりバッキン
グパッドシートを弛み・伸びのいずれもなく、しかも高
平坦な状態として、この状態に維持することができる。In the first air cylinder and the second air cylinder, the maximum value of the back pressure of the piston when the piston is advanced (in FIG. 1, when it is lowered) is set to a predetermined value. In this manner, for the first air cylinder, the pressing force when the backing pad sheet is pressed against the polishing plate by the pressing plate 15 can be controlled to a predetermined value. Further, the backing pad sheet can be maintained in this state as a highly flat state without any slack or elongation of the backing pad sheet by the pressing plate 15 with respect to the second air cylinder.
【0023】以下図1〜4を参照して、半導体ウエーハ
研磨用治具の作製方法を工程順に説明する。なお、以下
の工程は、適宜に順序を変えることができる。例えば、
(3)を(4)の後にしてもよい。 (1)押圧板15を支持部材16の上方に、適当な距離
を隔てて待機させる。 (2)研磨プレート1を支持部材16により水平方向に
保持して、研磨プレート1の上面と押圧板15の下面と
を真正面に、かつ互いに平行に対向させる。 (3)適宜方法、例えばスピンコートにより接着剤2を
研磨プレート1の上面に塗布する。A method of manufacturing a jig for polishing a semiconductor wafer will be described in the order of steps with reference to FIGS. Note that the order of the following steps can be appropriately changed. For example,
(3) may be performed after (4). (1) The pressing plate 15 is made to stand by at an appropriate distance above the supporting member 16. (2) The polishing plate 1 is held in the horizontal direction by the support member 16 so that the upper surface of the polishing plate 1 and the lower surface of the pressing plate 15 face each other in front of and parallel to each other. (3) The adhesive 2 is applied to the upper surface of the polishing plate 1 by an appropriate method, for example, spin coating.
【0024】(4)シート状弾性部材4を原反ロール1
1から繰り出し、この繰出し部分を押圧板15の直下、
かつ研磨プレート1の直上にセットする。それにはま
ず、原反ロール11を支持部材10で回転自在に支持
し、可動式クランプ17をニップローラ13,14近傍
の所定位置(前進限位置)に移動させる。ついで、シー
ト状弾性部材4を手作業により繰り出してニップローラ
13,14にクランプさせ、これらのニップローラを回
転させてシート状弾性部材4を適宜長さ繰り出させる。
この繰り出したシート状弾性部材4を可動クランプ17
がクランプし、これらニップローラ13,14・可動ク
ランプ17間のシート状弾性部材4をほぼ弛みのない状
態とする。ついで、ニップローラ13を所定回転数だけ
回転させてシート状弾性部材4を適宜長さ(この長さ
は、毎回の繰出し操作で一定とする)だけ更に繰り出す
とともに、可動クランプ17を図1の位置(後退限位
置)に後退させる。これにより、ニップローラ13,1
4・可動クランプ17間のシート状弾性部材4を、多少
弛んだ状態にする。(4) The sheet-like elastic member 4 is
1 and the extended portion is located immediately below the pressing plate 15,
And, it is set directly above the polishing plate 1. First, the material roll 11 is rotatably supported by the support member 10, and the movable clamp 17 is moved to a predetermined position (forward limit position) near the nip rollers 13, 14. Then, the sheet-like elastic member 4 is manually drawn out and clamped by the nip rollers 13 and 14, and the nip rollers are rotated to draw out the sheet-like elastic member 4 as appropriate.
The extended sheet-like elastic member 4 is moved to a movable clamp 17.
Is clamped, and the sheet-like elastic member 4 between the nip rollers 13, 14 and the movable clamp 17 is set in a state where there is almost no slack. Next, the nip roller 13 is rotated by a predetermined number of revolutions to further extend the sheet-like elastic member 4 by an appropriate length (this length is made constant by each feeding operation), and the movable clamp 17 is moved to the position shown in FIG. (Retreat limit position). Thereby, the nip rollers 13, 1
4. The sheet-like elastic member 4 between the movable clamps 17 is slightly slackened.
【0025】(5)第2エアシリンダ52により押圧板
15を適宜距離だけ下降させ、ニップローラ13,14
・可動式クランプ17間の弾性部材4を、弛み・伸びの
いずれもない状態で緊張させる。図1〜3は、このとき
の状態を示している。この場合、第2エアシリンダ52
では、ピストン前進時(下降時)のピストン背圧の最大
値を所定値に設定してあるため、弾性部材4の張力は過
大にも、過小にならず、したがって弛み・伸びのいずれ
もない状態になる。なお、毎回の繰出し操作では、ニッ
プローラ13,14・可動式クランプ17間の弾性部材
4の長さには、多少の差が生じるが、この長さの差は第
2エアシリンダ52により補償され、弾性部材4の張力
は所定値に設定される。(5) The pressing plate 15 is lowered by an appropriate distance by the second air cylinder 52, and the nip rollers 13, 14
-The elastic member 4 between the movable clamps 17 is tensioned without any slack or elongation. 1 to 3 show the state at this time. In this case, the second air cylinder 52
Since the maximum value of the piston back pressure at the time of piston advance (at the time of descent) is set to a predetermined value, the tension of the elastic member 4 does not become too large or too small, and therefore there is no slack or elongation. become. It should be noted that the length of the elastic member 4 between the nip rollers 13, 14 and the movable clamp 17 is slightly different in each feeding operation, but this difference in length is compensated by the second air cylinder 52. The tension of the elastic member 4 is set to a predetermined value.
【0026】(6)第1エアシリンダ51によりフレー
ム56を徐々に下降させ、最終的に押圧板15と研磨プ
レート1とで弾性部材4aを挟圧することにより、この
弾性部材4aを研磨プレート1に所定時間押圧して接着
させる。この場合、上記説明から明らかなように、フレ
ーム56の下降により、原反ロール11、ニップローラ
13,14、可動クランプ17、第2エアシリンダ52
および押圧板15が一体的に鉛直方向に下降する。ま
た、毎回の接着操作では、押圧板15の下降開始時の高
さ、したがって押圧板15と研磨プレート1との距離に
多少の差が生じるのはやむを得ないが、第1エアシリン
ダ51では、ピストン前進時(下降時)のピストン背圧
の最大値を所定値に設定してあるため、毎回の接着操作
において、一定の圧接力で弾性部材4aを挟圧すること
ができ、このため毎回の接着操作で研磨プレートに対す
る接着状態を一定にすることが可能となる。(6) The frame 56 is gradually lowered by the first air cylinder 51, and finally the elastic member 4a is pressed between the pressing plate 15 and the polishing plate 1, whereby the elastic member 4a is attached to the polishing plate 1. It is pressed for a predetermined time to adhere. In this case, as apparent from the above description, the lowering of the frame 56 causes the material roll 11, the nip rollers 13 and 14, the movable clamp 17, and the second air cylinder 52.
And the pressing plate 15 is integrally lowered in the vertical direction. In addition, in each bonding operation, it is unavoidable that a slight difference occurs in the height of the pressing plate 15 at the start of the downward movement, and hence the distance between the pressing plate 15 and the polishing plate 1. Since the maximum value of the piston back pressure at the time of forward movement (at the time of descent) is set to a predetermined value, the elastic member 4a can be pressed with a constant pressing force in each bonding operation. Thus, the state of adhesion to the polishing plate can be made constant.
【0027】(7)加圧接着した弾性部材4におけるニ
ップローラ13,14の直後部分をカットして、図5,
6に示す形態の、弾性部材4付き研磨プレート1を得
る。4bはカット面を示す。 (8)研磨プレート1の外周端からはみ出た鍔状弾性部
材4cを切除し、半導体ウエーハ研磨用治具とする。こ
れによりシート状弾性部材4は、半導体ウエーハ保持用
のバッキングパッドとなる。(7) The portion immediately after the nip rollers 13 and 14 of the elastic member 4 bonded by pressing is cut, and
6, a polishing plate 1 with an elastic member 4 is obtained. 4b shows a cut surface. (8) The flange-shaped elastic member 4c protruding from the outer peripheral end of the polishing plate 1 is cut off to obtain a jig for polishing a semiconductor wafer. Thereby, the sheet-like elastic member 4 becomes a backing pad for holding a semiconductor wafer.
【0028】上記加圧接着工程では、図4に示すように
弾性部材4が弛みも伸びもない状態にあるため、バッキ
ングパッドが大直径のものであっても皺がなく、しかも
バッキングパッドと研磨プレート1が全面にわたって密
着していて、これらの間に空気溜まりない半導体ウエー
ハ研磨用治具を容易に作製することができる。In the pressure bonding step, since the elastic member 4 is not slackened or stretched as shown in FIG. 4, even if the backing pad has a large diameter, there is no wrinkle, and the backing pad and the polishing pad are not polished. The jig for polishing a semiconductor wafer, in which the plate 1 is in close contact with the entire surface and air does not accumulate therebetween, can be easily manufactured.
【0029】研磨プレート1としては公知のもの、例え
ばセラミックス、ガラス、金属等からなるものが採用で
きる。また、研磨プレートへの接着剤塗布方法、接着剤
の種類・塗布厚等については、公知のものが採用でき
る。接着剤塗布方法としては、スピンコートが好まし
い。接着剤としては、例えばソニーボンド製「SC10
8」が使用できる。As the polishing plate 1, a known one, for example, one made of ceramics, glass, metal or the like can be adopted. Known methods can be employed for the method of applying the adhesive to the polishing plate, the type and thickness of the adhesive, and the like. As an adhesive application method, spin coating is preferable. As the adhesive, for example, “SC10 manufactured by Sony Bond”
8 "can be used.
【0030】実施の形態2 図7は、半導体ウエーハ研磨用治具の作製方法・装置を
示す概略断面図である。図8は図7のE−E線矢視図で
ある。この装置の上半部の構造および作用は図1の作製
装置と同一であるため、ここでは主に下半部材の構造に
ついて説明する。なお、図7において20は支持部材、
21は原反ロール、22および23はニップローラ、2
4は可動式クランプ、25は押圧板、27はフィルムカ
ッターである。Embodiment 2 FIG. 7 is a schematic sectional view showing a method and apparatus for manufacturing a jig for polishing a semiconductor wafer. FIG. 8 is a view taken along line EE of FIG. Since the structure and operation of the upper half of this device are the same as those of the manufacturing device of FIG. 1, the structure of the lower half member will be mainly described here. In FIG. 7, reference numeral 20 denotes a support member,
21 is a raw roll, 22 and 23 are nip rollers, 2
4 is a movable clamp, 25 is a pressing plate, and 27 is a film cutter.
【0031】図7に示すように、研磨プレート1を水平
方向にして保持(その上面を水平方向に沿わした状態に
維持)して昇降および高速回転させるワーク昇降・回転
機構35を設ける。このワーク昇降・回転機構35は、
モータ(図示せず)と、このモータによりロータリージ
ョイント39を介して高速回転される鉛直回転軸36
と、この鉛直回転軸36の上端部に水平方向に設けられ
たリング状の真空チャック(チャックテーブル)37
と、同じくこの鉛直回転軸36の上端部に、かつ真空チ
ャック37により包囲された形態で設けられた第3エア
シリンダ53と、この第3エアシリンダ53のピストン
ロッド上端部に取り付けられた、研磨プレート保持用の
突上げ板40とを設けて構成する。この突上げ板40
は、上端部が真空チャック37より上方に突出できるよ
うにする。真空チャック37の表面に多数形成された真
空吸着孔(図示せず)は、回転軸36に形成された流路
を介して真空ポンプ38に連絡する。回転軸36にはブ
レーキ(図示せず)を設ける。As shown in FIG. 7, a work lifting / lowering / rotating mechanism 35 is provided which holds the polishing plate 1 in a horizontal direction (maintains the upper surface thereof in a horizontal direction) and raises / lowers and rotates at a high speed. This work lifting / lowering / rotating mechanism 35
A motor (not shown) and a vertical rotating shaft 36 which is rotated at high speed by a rotary joint 39 by the motor;
And a ring-shaped vacuum chuck (chuck table) 37 provided at the upper end of the vertical rotation shaft 36 in a horizontal direction.
Similarly, a third air cylinder 53 provided at the upper end of the vertical rotary shaft 36 and surrounded by the vacuum chuck 37, and a polishing device attached to the upper end of the piston rod of the third air cylinder 53 A push-up plate 40 for holding the plate is provided. This push-up plate 40
Allows the upper end to protrude above the vacuum chuck 37. A large number of vacuum suction holes (not shown) formed on the surface of the vacuum chuck 37 are connected to a vacuum pump 38 via a flow path formed on the rotating shaft 36. The rotating shaft 36 is provided with a brake (not shown).
【0032】また、研磨プレート1を真空チャック37
の吸着面上に載置するためのロードアンロードコンベア
31を、真空チャック37の上方に、高さを固定して設
ける。このコンベア31には、図8に示すように、研磨
プレート1の周面を挟持するための一対の挟持部材3
2,33を設ける。挟持部材32,33はそれぞれ、エ
アシリダ(図示せず)により水平方向(図7の左右方
向)に往復動自在とする、また、これらの挟持部材3
2,33の研磨プレート挟持面すなわち対向先端面は、
図8に示すように円弧状凹面に形成し、上記エアシリン
ダにより相互間の距離を最小にしたときに、上記対向先
端面よりほぼ円形の貫通孔が形成されるとともに、円板
状研磨プレート1の周面を挟持できるようにする。さら
に、ロードアンロードコンベア31は、駆動機構(図示
せず)により図7の紙面に垂直方向に往復動自在とす
る。Further, the polishing plate 1 is
A load / unload conveyor 31 for mounting on the suction surface of the vacuum chuck 37 is provided above the vacuum chuck 37 at a fixed height. As shown in FIG. 8, the conveyor 31 has a pair of holding members 3 for holding the peripheral surface of the polishing plate 1.
2, 33 are provided. Each of the holding members 32 and 33 is reciprocally movable in the horizontal direction (the left-right direction in FIG. 7) by an air cylinder (not shown).
2, 33 polishing plate sandwiching surfaces, that is, opposing tip surfaces,
As shown in FIG. 8, when the air cylinder is formed in an arcuate concave surface and the distance between them is minimized by the air cylinder, a substantially circular through-hole is formed from the opposite end surface, and the disk-shaped polishing plate 1 is formed. To be able to hold the peripheral surface. Further, the load / unload conveyor 31 is reciprocally movable in a direction perpendicular to the plane of FIG. 7 by a driving mechanism (not shown).
【0033】さらに、接着剤貯溜・滴下装置28を、真
空チャック37の上方に設ける。この接着剤貯溜・滴下
装置28は、モータにより回動自在のアーム30と、そ
の先端部に設けられた本体29とにより構成する。本体
29は液状接着剤の貯溜容器と、定量滴下機構とで構成
し、アーム30の回動によって真空チャック37の中心
部直上(プレート突上げ板40の直上)に接近・離間自
在とする。さらに、ニップローラ22,23の直近に、
弾性部材4をカットするためのフィルムカッター27を
昇降可能、かつ図7の紙面に直交する方向に回動自在に
設ける。Further, an adhesive storing / dropping device 28 is provided above the vacuum chuck 37. The adhesive storing and dropping device 28 includes an arm 30 that is rotatable by a motor and a main body 29 provided at the tip of the arm 30. The main body 29 is composed of a liquid adhesive storage container and a fixed amount dropping mechanism, and can be freely moved toward and away from the center of the vacuum chuck 37 (directly above the plate push-up plate 40) by the rotation of the arm 30. Furthermore, immediately near the nip rollers 22 and 23,
A film cutter 27 for cutting the elastic member 4 is provided to be vertically movable and rotatable in a direction perpendicular to the plane of FIG.
【0034】つぎに、上記装置による研磨用治具の作製
方法を工程順に説明する。なお、以下の工程は、適宜に
順序を変えることができる。 (1)押圧板25をワーク昇降・回転機構35の上方
に、適当な距離を隔てて待機させる。 (2)実施の形態1と同様にして、シート状弾性部材4
を原反ロール21から繰り出し、この繰出し部分を押圧
板25の直下にセットする。 (3)第2エアシリンダ52により押圧板25を適宜距
離だけ下降させ、ニップローラ22,23と可動式クラ
ンプ24との間の弾性部材4を、弛み・伸びのいずれも
ない状態で緊張させる。図7は、このときの状態を示し
ている。 (4)ロードアンロードコンベア31を、ワーク昇降・
回転機構35から適宜に離れた、研磨プレートのセット
・回収位置に待機させ、ここで、図示されないエアシリ
ンダを作動させて、研磨プレート1を挟持部材32,3
3で挟持する(図8を参照)。このとき、研磨プレート
1の直下には、挟持部材32,33の対向先端面によ
り、底面視でほぼ円形の凹部34が形成される(図7を
参照)。ついでコンベア31を、水平移動(図7の紙面
に垂直な方向に移動)させることによりワーク昇降・回
転機構35の直上に位置決めする。Next, a method of manufacturing a polishing jig using the above-described apparatus will be described in the order of steps. Note that the order of the following steps can be appropriately changed. (1) The pressing plate 25 is made to stand by above the work elevating / rotating mechanism 35 at an appropriate distance. (2) In the same manner as in Embodiment 1, the sheet-like elastic member 4
From the material roll 21, and this extended portion is set immediately below the pressing plate 25. (3) The pressing plate 25 is lowered by an appropriate distance by the second air cylinder 52, and the elastic member 4 between the nip rollers 22, 23 and the movable clamp 24 is tensioned without any slack or elongation. FIG. 7 shows the state at this time. (4) The load / unload conveyor 31 is moved up / down
It is made to stand by at a polishing plate set / collection position, which is appropriately separated from the rotation mechanism 35. Here, an air cylinder (not shown) is operated to hold the polishing plate 1 to the holding members 32, 3.
3 (see FIG. 8). At this time, a concave portion 34 having a substantially circular shape in a bottom view is formed just below the polishing plate 1 by the opposing distal end surfaces of the holding members 32 and 33 (see FIG. 7). Next, the conveyor 31 is moved horizontally (moved in a direction perpendicular to the plane of FIG. 7) to position the conveyor 31 directly above the work lifting / lowering mechanism 35.
【0035】(5)下記操作を行って、研磨プレート1
を真空チャック37により水平方向に吸着する。第3エ
アシリンダ53によりプレート突上げ板40を上昇させ
(真空チャック37よりも上方に突出させる)、上記挟
持部材32,33により形成された凹部34に挿入して
プレート突上げ板40を研磨プレート1の下面に当接さ
せ後、前記図示されないエアシリンダを作動させて挟持
部材32,33による研磨プレート1の挟持を解く。こ
れにより研磨プレート1は、プレート突上げ板40上に
移載される。前記エアシリンダにより挟持部材32,3
3を充分に後退させ、ついで第3エアシリンダ53によ
りプレート突上げ板40を下降させて真空チャック37
より下方に位置させ、研磨プレート1を真空チャック3
7上に載置し、真空ポンプ38により吸着する。(5) By performing the following operation, the polishing plate 1
Is sucked by the vacuum chuck 37 in the horizontal direction. The plate push-up plate 40 is raised (projected above the vacuum chuck 37) by the third air cylinder 53, and inserted into the recess 34 formed by the sandwiching members 32, 33, so that the plate push-up plate 40 is polished. After being brought into contact with the lower surface of the polishing plate 1, the air cylinder (not shown) is operated to release the holding of the polishing plate 1 by the holding members 32 and 33. Thereby, the polishing plate 1 is transferred onto the plate push-up plate 40. The holding members 32, 3 are held by the air cylinder.
3 is sufficiently retracted, and then the plate push-up plate 40 is lowered by the third air cylinder 53 so that the vacuum chuck 37 is moved.
The polishing plate 1 is positioned below the vacuum chuck 3
7 and adsorbed by a vacuum pump 38.
【0036】(6)接着剤を、下記操作により研磨プレ
ート1上面にスピンコートする。アーム30の回転によ
り接着剤貯溜・滴下装置28の本体29を、研磨プレー
ト1の中心位置の直上に位置決めした後、所定量の液状
接着剤を研磨プレート1上面に滴下する。ついで、前記
モータにより研磨プレート1を真空チャック37と一体
で高速回転(鉛直回転軸36を回転)させる。これによ
り接着剤が研磨プレート1上面の全体に均一厚さで塗布
される。 (7)本体29を退去させた後、実施の形態1と同様の
要領で、バッキングパッドを作製する。第1エアシリン
ダ51によりフレーム56を徐々に下降させ、最終的に
押圧板25と研磨プレート1とで弾性部材4aを挟圧す
ることにより、この弾性部材4aを研磨プレート1に所
定時間押圧して接着させる。ついで、加圧接着した弾性
部材4におけるニップローラ22,23の直後部分をフ
ィルムカッター27によりカットして、弾性部材4付き
の研磨プレート1を得る。以下、実施の形態1と同様に
して半導体ウエーハ研磨用治具を得る。(6) The adhesive is spin-coated on the upper surface of the polishing plate 1 by the following operation. After the main body 29 of the adhesive storing and dropping device 28 is positioned just above the center position of the polishing plate 1 by the rotation of the arm 30, a predetermined amount of the liquid adhesive is dropped on the upper surface of the polishing plate 1. Next, the polishing plate 1 is rotated at high speed (the vertical rotation shaft 36 is rotated) integrally with the vacuum chuck 37 by the motor. Thus, the adhesive is applied to the entire upper surface of the polishing plate 1 with a uniform thickness. (7) After leaving the main body 29, a backing pad is manufactured in the same manner as in the first embodiment. The frame 56 is gradually lowered by the first air cylinder 51, and finally the elastic member 4a is pressed between the pressing plate 25 and the polishing plate 1, so that the elastic member 4a is pressed against the polishing plate 1 for a predetermined time and adhered. Let it. Next, the portion immediately after the nip rollers 22 and 23 in the elastic member 4 that has been pressure-bonded is cut by a film cutter 27 to obtain the polishing plate 1 with the elastic member 4. Hereinafter, a jig for polishing a semiconductor wafer is obtained in the same manner as in the first embodiment.
【0037】[0037]
【実施例】つぎに、本発明による研磨用治具作製の実施
例、および比較例について説明する。 実施例1 研磨用治具の作製装置として図7の装置を用いた。研磨
プレートとして、セラミック製で直径565mm、厚さ
15mmの円板を採用した。(シート状)弾性部材とし
ては、ロデルニッタ社製のバッキングパッドシート(商
品名:DF200)を使用した。Next, examples of manufacturing a polishing jig according to the present invention and comparative examples will be described. Example 1 The apparatus shown in FIG. 7 was used as an apparatus for manufacturing a polishing jig. As the polishing plate, a disk made of ceramic and having a diameter of 565 mm and a thickness of 15 mm was used. As the (sheet-like) elastic member, a backing pad sheet (trade name: DF200) manufactured by Rodelnita was used.
【0038】このバッキングパッドシートは、断面が図
3に模式的に示されているように、微細な気泡が多数、
3次元的に連通し、かつバッキングパッドシートの上下
の表面に延びているポリウレタン樹脂多質体のフィルム
であって厚さ0.5mm、幅665mm(研磨プレート
の直径より100mm大きい)のものである。液状接着
剤としては、ソニーボンド製「SC108」を使用し
た。接着剤塗布厚さは20μmとした。接着剤塗布など
の作業は、上記した手順に従って行った。This backing pad sheet has a large number of fine air bubbles, as schematically shown in FIG.
A multi-layer polyurethane resin film that is three-dimensionally communicated and extends on the upper and lower surfaces of the backing pad sheet, and has a thickness of 0.5 mm and a width of 665 mm (100 mm larger than the diameter of the polishing plate). . "SC108" manufactured by Sony Bond was used as the liquid adhesive. The adhesive coating thickness was 20 μm. Operations such as adhesive application were performed according to the above-described procedure.
【0039】その結果、外観上バッキングパッドに皺、
空気溜まりのいずれも全くない大直径の研磨用治具を作
製することができた。このような研磨用治具を得ること
ができた理由の一つとして、バッキングパッドシートを
押圧板と研磨プレートとで挟圧する際に、バッキングパ
ッドシート・研磨プレート(正確には接着剤層)間の空
気が、バッキングパッドシート表面の孔から該シートの
内部に進入し、最終的に該シート側面の孔から排出され
たことが考えられる。As a result, wrinkles appear on the backing pad in appearance.
A large-diameter polishing jig without any air pockets could be produced. One of the reasons for obtaining such a polishing jig is that when the backing pad sheet is sandwiched between the pressing plate and the polishing plate, the gap between the backing pad sheet and the polishing plate (more precisely, the adhesive layer) is removed. It is conceivable that this air entered the inside of the backing pad sheet through the hole on the surface of the sheet and was finally discharged from the hole on the side surface of the sheet.
【0040】比較例1 従来方法に従って、弾性部材を手作業で研磨プレートに
接着した。研磨プレート、弾性部材、液状接着剤は実施
例1と同一にした。図7の装置において、研磨プレート
を真空チャック37上に載置して吸着固定し、実施例1
と同一方法により接着剤をスピンコートした。ついで、
一人の作業員が弾性部材の長手方向一端部を掴み(図7
においてニップローラ22,22でニップするのに対応
している)、もう一人の作業員が長手方向他端部を掴む
(図7において可動式クランプ24でクランプするのに
対応している)ことにより、弾性部材を外観上、弛みも
伸びもない状態に緊張させ、この状態のまま弾性部材を
徐々に、かつ弾性部材と研磨プレート表面とをほぼ平行
に維持しながら下降させて研磨プレートの表面全面に被
せた。ついで、手作業により幅広の円筒状ローラを弾性
部材上で圧接・転動させることにより、外観が実施例1
による研磨用治具と殆ど同一の研磨用治具を作製した。Comparative Example 1 An elastic member was manually bonded to a polishing plate according to a conventional method. The polishing plate, the elastic member, and the liquid adhesive were the same as in Example 1. In the apparatus shown in FIG. 7, a polishing plate is placed on a vacuum chuck 37 and fixed by suction.
The adhesive was spin-coated by the same method as in the above. Then
One worker grips one end in the longitudinal direction of the elastic member (FIG. 7).
Nip rollers 22 and 22), and another worker grasps the other end in the longitudinal direction (corresponding to clamping with the movable clamp 24 in FIG. 7). The elastic member is tensioned to a state where there is no slack or elongation, and the elastic member is gradually lowered in this state while maintaining the elastic member and the surface of the polishing plate almost parallel to each other to cover the entire surface of the polishing plate. I put it on. Then, a wide cylindrical roller was pressed and rolled on the elastic member by hand to obtain an external appearance of Example 1.
A polishing jig almost identical to the polishing jig according to the above was produced.
【0041】図9は、実施例1で得られた半導体ウエー
ハ研磨用治具により構成した、水貼りを行うワックスレ
ス法によってウエーハを保持する研磨装置61を示す概
略断面図である。この研磨装置61の全体構造は、図1
1のものと同様である。図9において62は研磨荷重、
63はテンプレート、64は研磨パッド、65は定盤で
ある。半導体ウエーハ研磨用治具66は研磨プレート1
と、弾性部材4によるバッキングパッド67とからな
る。2aは接着剤層、68はテンプレートブランクであ
る。図10は、実施例1で得られた半導体ウエーハ研磨
用治具の底面図であって、バッキングパッド69の半導
体ウエーハ保持面を示すものである。一点鎖線で描かれ
た円は、複数枚の半導体ウエーハWを保持するときの状
態を示している。FIG. 9 is a schematic cross-sectional view showing a polishing apparatus 61 composed of the jig for polishing a semiconductor wafer obtained in Example 1 and holding a wafer by a waxless method of applying water. The overall structure of the polishing apparatus 61 is shown in FIG.
It is the same as that of No. 1. In FIG. 9, 62 is a polishing load,
63 is a template, 64 is a polishing pad, and 65 is a surface plate. The jig 66 for polishing a semiconductor wafer is a polishing plate 1
And a backing pad 67 made of the elastic member 4. 2a is an adhesive layer, and 68 is a template blank. FIG. 10 is a bottom view of the jig for polishing a semiconductor wafer obtained in Example 1, and shows a semiconductor wafer holding surface of the backing pad 69. A circle drawn by a dashed line indicates a state when a plurality of semiconductor wafers W are held.
【0042】実施例1および比較例1の研磨用治具をそ
れぞれ個別に、同一の鏡面研磨装置の研磨荷重に固定
し、直径200mm、厚さ750μmのシリコンウエー
ハをバッキングパッドに水貼りによって保持し、化学的
機械的研磨法によりバッチ式に鏡面研磨(5枚同時研
磨)した。研磨条件は常用の条件と同一にした。The polishing jigs of Example 1 and Comparative Example 1 were individually fixed to the polishing load of the same mirror polishing apparatus, and a silicon wafer having a diameter of 200 mm and a thickness of 750 μm was held on a backing pad with water. Then, mirror polishing (5 wafers were simultaneously polished) was performed batchwise by a chemical mechanical polishing method. Polishing conditions were the same as usual conditions.
【0043】実施例1および比較例1で得られた研磨後
ウエーハの研磨面の平坦度をLTVmaxにより評価し
た。LTVmax(単位はμm)はウエーハを15mm
×15mmのセルに分割したときの、セル内の厚さの最
大値と最小値との差の最大値すなわち、LTV(Local
Thickness Distribution)の最大値である。汎用の厚さ
測定器によるLTVmaxの測定結果を[表1]に示
す。The flatness of the polished surface of the polished wafer obtained in Example 1 and Comparative Example 1 was evaluated by LTVmax. LTVmax (unit: μm) is 15 mm for wafer
The maximum value of the difference between the maximum value and the minimum value of the thickness in the cell when divided into cells of × 15 mm, that is, LTV (Local
Thickness Distribution). Table 1 shows the LTVmax measurement results obtained by a general-purpose thickness measuring instrument.
【0044】[0044]
【表1】 [Table 1]
【0045】[表1]から明らかなように、比較例1で
はシリコンウエーハ間でLTVmaxのばらつきが大き
く、しかもLTVmaxの平均値が大きいのに対して、
実施例1では、これと逆にLTVmaxのばらつき、お
よびくLTVmaxの平均値が小さい。このように、本
発明により作製した研磨用治具を用いて半導体ウエーハ
をバッチ式に研磨することにより、従来の手作業で作製
していた研磨用治具を使用して研磨する場合に比べて、
平坦度が高く、しかもウエーハ間で平坦度が均一な鏡面
研磨ウエーハが得られることが判る。As is clear from Table 1, in Comparative Example 1, the variation in LTVmax between silicon wafers is large, and the average value of LTVmax is large.
In the first embodiment, conversely, the variation in LTVmax and the average value of LTVmax are small. As described above, by polishing a semiconductor wafer in a batch manner using the polishing jig manufactured according to the present invention, compared with the case of polishing using a polishing jig manufactured by a conventional manual operation. ,
It can be seen that a mirror-polished wafer having a high flatness and a uniform flatness between the wafers can be obtained.
【0046】[0046]
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
係る半導体ウエーハ研磨用治具の作製方法は、シート状
弾性部材を研磨プレートに接着する場合に、この弾性部
材を弛み・伸びのいずれもない状態で緊張させ、かつ、
表面を高平坦に維持したまま研磨プレートの接着剤塗布
面に対し相対的に徐々に接近させることにより、シート
状弾性部材と研磨プレートの接着剤塗布面との対向間隙
の空気を脱気しながら、シート状弾性部材を研磨プレー
トに接着させるように構成したものである。このため本
発明によれば、バッキングパッドに皺がなく、かつ、バ
ッキングパッド・研磨プレート間に空気溜まりない大直
径の半導体ウエーハ研磨用治具を、短時間の作業で容易
に作製することができる。したがって、この研磨用治具
により半導体ウエーハの鏡面研磨装置を構成し、ワック
スレス法で研磨することによって、大口径の半導体ウエ
ーハを高平坦度に研磨することができる。また、本発明
に係る半導体ウエーハ研磨用治具の作製装置によれば、
上記作製方法を的確に実施することができるうえ、研磨
用治具作製作業の自動化も容易である。As is apparent from the above description, the method for manufacturing a jig for polishing a semiconductor wafer according to the present invention is characterized in that, when a sheet-like elastic member is bonded to a polishing plate, the elastic member is not loosened or stretched. Nervous without any, and
By gradually approaching the adhesive coating surface of the polishing plate relatively gradually while keeping the surface highly flat, the air in the opposing gap between the sheet-like elastic member and the adhesive coating surface of the polishing plate is deaerated. And a sheet-like elastic member is bonded to the polishing plate. Therefore, according to the present invention, a jig for polishing a semiconductor wafer having a large diameter without wrinkles on the backing pad and having no air between the backing pad and the polishing plate can be easily manufactured in a short time. . Therefore, a semiconductor wafer having a large diameter can be polished to a high degree of flatness by forming a mirror polishing apparatus for a semiconductor wafer with this polishing jig and polishing the wafer by a waxless method. Further, according to the apparatus for manufacturing a jig for polishing a semiconductor wafer according to the present invention,
The above-described manufacturing method can be accurately performed, and the polishing jig manufacturing operation can be easily automated.
【図1】本発明の実施の形態1を示す概略断面図であ
る。FIG. 1 is a schematic sectional view showing Embodiment 1 of the present invention.
【図2】図1のA−A線矢視図である。FIG. 2 is a view taken along the line AA of FIG. 1;
【図3】図1のB部拡大図である。FIG. 3 is an enlarged view of a portion B in FIG. 1;
【図4】図2のC−C線断面図である。 FIG. 4 is a sectional view taken along line CC of FIG. 2 ;
【図5】シート状弾性部材が接着された研磨プレートを
示す概略斜視図である。FIG. 5 is a schematic perspective view showing a polishing plate to which a sheet-like elastic member is adhered.
【図6】図5のD−D線断面図である。FIG. 6 is a sectional view taken along line DD of FIG. 5;
【図7】本発明の実施の形態2を示す概略断面図であ
る。FIG. 7 is a schematic sectional view showing a second embodiment of the present invention.
【図8】図7のE−E線矢視図である。8 is a view taken in the direction of the arrows EE in FIG. 7;
【図9】本発明の実施例1で得られた半導体ウエーハ研
磨用治具により構成した研磨装置を示す概略断面図であ
る。FIG. 9 is a schematic sectional view showing a polishing apparatus constituted by the jig for polishing a semiconductor wafer obtained in Example 1 of the present invention.
【図10】本発明の実施例1で得られた半導体ウエーハ
研磨用治具の底面図であって、バッキングパッドの半導
体ウエーハ保持面を示すものである。FIG. 10 is a bottom view of the jig for polishing a semiconductor wafer obtained in Example 1 of the present invention, showing a semiconductor wafer holding surface of a backing pad.
【図11】ワックスレス法を用いる半導体ウエーハ研磨
装置の従来例を示す概略断面図である。FIG. 11 is a schematic sectional view showing a conventional example of a semiconductor wafer polishing apparatus using a waxless method.
1 研磨プレート 2 接着剤 2a 接着剤層 4,4a シート状弾性部材(バッキングパッドシー
ト) 4b カット面 4c 鍔状弾性部材 5 対向間隙 10 支持部材 11 原反ロール 13,14 ニップローラ 15 バッキングパッドシート押圧板 16 支持部材 17 可動式クランプ 20 支持部材 21 原反ロール 22,23 ニップローラ 24 可動式クランプ 25 バッキングパッド押圧板 27 フィルムカッター 28 接着剤貯溜・滴下装置 29 本体 30 アーム 31 ロードアンロードコンベア 32,33 挟持部材 34 凹部 35 ワーク昇降・回転機構 36 鉛直回転軸 37 真空チャック(チャックテーブル) 38 真空ポンプ 39 ロータリージョイント 40 プレート突上げ板 51 第1エアシリンダ 52 第2エアシリンダ 53 第3エアシリンダ 55,56 フレーム 61 研磨装置 62 研磨荷重 63 テンプレート 64 研磨パッド 65 定盤 66 半導体ウエーハ研磨用治具 67 バッキングパッド 68 テンプレートブランク 69 バッキングパッド W 半導体ウエーハDESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Polishing plate 2 Adhesive 2a Adhesive layer 4, 4a Sheet-like elastic member (backing pad sheet) 4b Cut surface 4c Flange-like elastic member 5 Opposed gap 10 Support member 11 Raw material roll 13, 14 Nip roller 15 Backing pad sheet pressing plate Reference Signs List 16 support member 17 movable clamp 20 support member 21 material roll 22, 23 nip roller 24 movable clamp 25 backing pad pressing plate 27 film cutter 28 adhesive storage / dropping device 29 main body 30 arm 31 load / unload conveyor 32, 33 sandwiching Member 34 Recess 35 Work lifting / lowering / rotating mechanism 36 Vertical rotating shaft 37 Vacuum chuck (chuck table) 38 Vacuum pump 39 Rotary joint 40 Plate push-up plate 51 First air cylinder 52 Second air cylinder 53 Third d A cylinder 55, 56 Frame 61 Polishing device 62 Polishing load 63 Template 64 Polishing pad 65 Surface plate 66 Semiconductor wafer polishing jig 67 Backing pad 68 Template blank 69 Backing pad W Semiconductor wafer
フロントページの続き (72)発明者 祢津 茂義 マレーシア国、セランゴール州、シャーラ ム、セクション27、セメンタ通り27/91、 ロット8番 エス・イー・エイチ・シャー ラム・センディリアン・バハード内 (72)発明者 斎藤 公一 群馬県群馬郡群馬町棟高1909−1 三益半 導体工業株式会社エンジニアリング事業部 内 (72)発明者 森田 浩至 群馬県群馬郡群馬町棟高1909−1 三益半 導体工業株式会社エンジニアリング事業部 内Continuing on the front page (72) Inventor Shigeyoshi Netsu, Selangor, Malaysia, Section 27, Sementa Street 27/91, Lot 8, Lot 8 S.H.S.H. Sharam Sendilean Bhad (72) Invention Person Koichi Saito 1909-1 Gunma-cho, Gunma-gun, Gunma Prefecture Sanhan Hansen Engineering Co., Ltd. Engineering Division (72) Inventor Koji Morita 1909-1 Gunma-cho, Gunma-gun Gunma Gunma Prefecture Gunma Prefecture Sanmasan Hansan Kogyo Co., Ltd. Within the business division
Claims (8)
ドを研磨プレートに接着した構造の半導体ウエーハ研磨
用治具を作製する方法において、研磨プレートのバッキ
ングパッド接着面に接着剤を塗布し、バッキングパッド
シートを、これに適宜の張力を付与して弛み・伸びのい
ずれもなく、かつ高平坦な状態となし、この状態を維持
し、かつバッキングパッドシートと研磨プレートの接着
剤塗布面とを互いに平行に維持したままバッキングパッ
ドシートを研磨プレートに圧接させて接着することを特
徴とする半導体ウエーハ研磨用治具の作製方法。In a method of manufacturing a jig for polishing a semiconductor wafer having a structure in which a backing pad for holding a semiconductor wafer is bonded to a polishing plate, an adhesive is applied to a backing pad bonding surface of the polishing plate, and the backing pad sheet is formed. By applying an appropriate tension thereto, there is no slack or elongation, and a highly flat state is maintained, and this state is maintained, and the backing pad sheet and the adhesive-coated surface of the polishing plate are maintained parallel to each other. A method for fabricating a jig for polishing a semiconductor wafer, wherein the backing pad sheet is pressed against and adhered to a polishing plate while being kept.
磨プレートのバッキングパッド接着面に接着剤を均一に
塗布する工程と、バッキングパッドシートの原反ロール
からバッキングパッドシートを繰り出す工程と、繰り出
したバッキングパッドシートを、これに適宜の張力を付
与して弛み・伸びのいずれもなく、かつ高平坦な状態に
維持する工程と、該バッキングパッドシートの表面と研
磨プレートの前記接着剤塗布面とを真正面に対向させた
まま、これらの少なくとも一方を移動させて徐々に接近
させることにより、バッキングパッドシートを研磨プレ
ートに圧接させて接着する工程と、バッキングパッドシ
ートの前記接着部分を原反ロールから切り離す切断工程
とを含むことを特徴とする半導体ウエーハ研磨用治具の
作製方法。2. The method according to claim 1, wherein an adhesive is uniformly applied to a backing pad bonding surface of the polishing plate, and a step of feeding the backing pad sheet from a raw roll of the backing pad sheet. Backing pad sheet, a step of applying appropriate tension to the backing pad sheet without any slack or elongation, and maintaining a high flat state, and the surface of the backing pad sheet and the adhesive-coated surface of the polishing plate, Moving the at least one of them and gradually approaching them, keeping the backing pad sheet in pressure contact with the polishing plate and bonding the backing pad sheet to the polishing plate; and A method for producing a jig for polishing a semiconductor wafer, comprising a cutting step of separating.
いて前記バッキングパッドシートは、3次元的に連通し
且つバッキングパッドシートの上下の表面に延びている
微細な気泡を多数有する多孔質体からなることを特徴と
する半導体ウエーハ研磨用治具の作製方法。3. The backing pad sheet according to claim 1, wherein the backing pad sheet is formed of a porous body having a large number of fine air bubbles that are three-dimensionally communicated and extend on upper and lower surfaces of the backing pad sheet. A method for manufacturing a jig for polishing a semiconductor wafer, comprising the steps of:
バッキングパッドシートはポリウレタン樹脂、フッ素樹
脂またはシリコーン樹脂からなる多孔質フィルムである
ことを特徴とする半導体ウエーハ研磨用治具の作製方
法。4. The method for producing a jig for polishing a semiconductor wafer according to claim 3, wherein the backing pad sheet is a porous film made of a polyurethane resin, a fluororesin, or a silicone resin.
エーハ研磨用治具の作製方法を実施するための装置であ
って、研磨プレートを水平方向にして保持して高速回転
させるワーク回転機構と、原反ロールからバッキングパ
ッドシートを繰り出す繰出し機構と、該繰り出されたバ
ッキングパッドシートを弛み・伸びのいずれもなく、か
つ水平方向に高平坦な状態に維持する平坦化機構と、繰
り出されたバッキングパッドシートを原反から切り離す
切断機構と、前記ワーク回転機構のワーク保持部の中心
部直上に接近・離間自在な接着剤滴下機構とを備えて構
成され、前記平坦化機構は、前記繰り出されたバッキン
グパッドシートの適宜長さ部分の長さ方向両端部をクラ
ンプするクランプ部材と、前記ワーク回転機構の直上に
該機構と真正面に対向して設けられ表面が高平坦なバッ
キングパッドシート押圧板とを備え構成され、該押圧板
は、前記一対のクランプ部材間のバッキングパッドシー
トを下向きに押圧するものであることを特徴とする半導
体ウエーハ研磨用治具の作製装置。5. An apparatus for carrying out the method for producing a jig for polishing a semiconductor wafer according to claim 2, wherein the polishing plate is held in a horizontal direction and is rotated at a high speed. And a feeding mechanism for feeding the backing pad sheet from the raw roll, and a flattening mechanism for maintaining the fed backing pad sheet without any slack or elongation and in a highly flat state in the horizontal direction. It is provided with a cutting mechanism for separating the backing pad sheet from the raw material, and an adhesive dropping mechanism that can be freely moved toward and away from the center of the work holding part of the work rotating mechanism, and the flattening mechanism is fed out. A clamp member for clamping both ends of the backing pad sheet in the length direction at an appropriate length, and directly above and directly in front of the work rotating mechanism. And a backing pad sheet pressing plate having a flat surface and a flat surface, and the pressing plate presses the backing pad sheet between the pair of clamp members downward. Wafer polishing jig manufacturing equipment.
記ワーク回転機構はモータと、該モータにより高速回転
される鉛直回転軸と、該鉛直回転軸の上端部に設けられ
研磨プレートの下面を吸着してこれを水平方向に保持す
る真空チャックとを備えて構成され、前記繰出し機構お
よび平坦化機構は、第1の駆動機構により一体的に鉛直
方向に昇降自在であり、前記バッキングパッドシート押
圧板は、前記バッキングパッドシートを高平坦に維持し
たまま第2の駆動機構により徐々に下降してバッキング
パッドシートを前記真空チャック上の研磨プレートに圧
接させるものであることを特徴とする半導体ウエーハ研
磨用治具の作製装置。6. The manufacturing apparatus according to claim 5, wherein the work rotating mechanism includes a motor, a vertical rotating shaft rotated at a high speed by the motor, and a lower surface of a polishing plate provided at an upper end of the vertical rotating shaft. A vacuum chuck for sucking and holding this in a horizontal direction, wherein the feeding mechanism and the flattening mechanism are vertically movable vertically by a first drive mechanism, and the backing pad sheet presses. The wafer is gradually lowered by a second driving mechanism while the backing pad sheet is kept highly flat, and the backing pad sheet is pressed against a polishing plate on the vacuum chuck. Jig manufacturing equipment.
記ワーク回転機構は、前記鉛直回転軸の上端部に設けら
れたリング状の真空チャックと、前記鉛直回転軸の上端
部に前記真空チャックに包囲されて設けられた研磨プレ
ート支持部材とを備えて構成され、該研磨プレート支持
部材は、第3の駆動機構により鉛直方向に昇降自在であ
って前記真空チャックに対して突出・没入自在であり、
さらに、互いに接近・離間自在に対向して研磨プレート
の周面を挟持する一対の挟持部材を備えたロードアンロ
ードコンベアが、前記研磨プレート支持部材の直上に移
動・退去自在となっていることを特徴とする半導体ウエ
ーハ研磨用治具の作製装置。7. The manufacturing apparatus according to claim 6, wherein the workpiece rotation mechanism includes a ring-shaped vacuum chuck provided at an upper end of the vertical rotation shaft, and a vacuum chuck provided at an upper end of the vertical rotation shaft. And a polishing plate supporting member provided so as to be surrounded by the vacuum chuck. The polishing plate supporting member is vertically movable by a third driving mechanism, and is capable of protruding and retracting with respect to the vacuum chuck. Yes,
Further, a load / unload conveyor having a pair of sandwiching members for sandwiching the peripheral surface of the polishing plate so as to be able to approach and separate from each other so as to freely move and retreat directly above the polishing plate support member. Characteristic equipment for manufacturing jigs for polishing semiconductor wafers.
いて、第1、第2または第3の駆動機構がエアシリンダ
であり、これら第1および第2のエアシリンダは、ピス
トン前進時のピストン背圧の最大値が所定値に設定され
ていることを特徴とする半導体ウエーハ研磨用治具の作
製装置。8. The manufacturing apparatus according to claim 6, wherein the first, second, or third drive mechanism is an air cylinder, and the first and second air cylinders are configured to move the piston when the piston is moved forward. An apparatus for manufacturing a jig for polishing a semiconductor wafer, wherein the maximum value of the back pressure is set to a predetermined value.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9215844A JPH1145867A (en) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | Method and device for preparation of semiconductor wafer polishing jig |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9215844A JPH1145867A (en) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | Method and device for preparation of semiconductor wafer polishing jig |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1145867A true JPH1145867A (en) | 1999-02-16 |
Family
ID=16679215
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9215844A Pending JPH1145867A (en) | 1997-07-25 | 1997-07-25 | Method and device for preparation of semiconductor wafer polishing jig |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1145867A (en) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006167835A (en) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Fujibo Holdings Inc | Soft plastic sheet and method for attaching soft plastic sheet |
| US7156933B2 (en) | 2000-12-14 | 2007-01-02 | Infineon Technologies Sc 300 Gmbh & Co. Kg | Configuration and method for mounting a backing film to a polish head |
| JP2010094805A (en) * | 2010-02-01 | 2010-04-30 | Fujibo Holdings Inc | Polishing method |
| KR101238607B1 (en) | 2011-07-13 | 2013-02-28 | 주식회사 엘지실트론 | Apparatus and method for aligning of template assembly |
-
1997
- 1997-07-25 JP JP9215844A patent/JPH1145867A/en active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7156933B2 (en) | 2000-12-14 | 2007-01-02 | Infineon Technologies Sc 300 Gmbh & Co. Kg | Configuration and method for mounting a backing film to a polish head |
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| JP2010094805A (en) * | 2010-02-01 | 2010-04-30 | Fujibo Holdings Inc | Polishing method |
| KR101238607B1 (en) | 2011-07-13 | 2013-02-28 | 주식회사 엘지실트론 | Apparatus and method for aligning of template assembly |
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