JPH1149968A - 光導電性組成物及びこれより形成された光導電膜を採用した表示素子 - Google Patents
光導電性組成物及びこれより形成された光導電膜を採用した表示素子Info
- Publication number
- JPH1149968A JPH1149968A JP10160883A JP16088398A JPH1149968A JP H1149968 A JPH1149968 A JP H1149968A JP 10160883 A JP10160883 A JP 10160883A JP 16088398 A JP16088398 A JP 16088398A JP H1149968 A JPH1149968 A JP H1149968A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoconductive
- photoconductive composition
- composition
- binder
- group
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0609—Acyclic or carbocyclic compounds containing oxygen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0612—Acyclic or carbocyclic compounds containing nitrogen
- G03G5/0614—Amines
- G03G5/06142—Amines arylamine
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/0618—Acyclic or carbocyclic compounds containing oxygen and nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0601—Acyclic or carbocyclic compounds
- G03G5/062—Acyclic or carbocyclic compounds containing non-metal elements other than hydrogen, halogen, oxygen or nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/06—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being organic
- G03G5/0664—Dyes
- G03G5/0666—Dyes containing a methine or polymethine group
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J11/00—Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
- H01J11/20—Constructional details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J29/00—Details of cathode-ray tubes or of electron-beam tubes of the types covered by group H01J31/00
- H01J29/02—Electrodes; Screens; Mounting, supporting, spacing or insulating thereof
- H01J29/10—Screens on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted or stored
- H01J29/18—Luminescent screens
- H01J29/28—Luminescent screens with protective, conductive or reflective layers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Medicine (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Formation Of Various Coating Films On Cathode Ray Tubes And Lamps (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光導電性組成物及びこれよりなる光導電膜を
採用した表示素子を提供する。 【解決手段】 光導電性組成物は電子供与体、電子受容
体、電荷移動物質、結合剤、界面活性剤及び溶媒を含ん
でいるが、前記電子供与体として１、４−ジフェニル−
１−ブテン−３−イン誘導体を使用する。これにより、
光導電性組成物は感度が優秀で熱分解性が優秀なため、
焼成後残留物がほとんどなくて残留物による表示素子の
画像品質低下を効果的に抑制できる。
採用した表示素子を提供する。 【解決手段】 光導電性組成物は電子供与体、電子受容
体、電荷移動物質、結合剤、界面活性剤及び溶媒を含ん
でいるが、前記電子供与体として１、４−ジフェニル−
１−ブテン−３−イン誘導体を使用する。これにより、
光導電性組成物は感度が優秀で熱分解性が優秀なため、
焼成後残留物がほとんどなくて残留物による表示素子の
画像品質低下を効果的に抑制できる。
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光導電性組成物及び
これより形成された光導電膜を採用した表示素子に係
り、詳細には電子写真的な方法によって、光導電膜形成
時に用いられる光導電性組成物及びこれより形成された
光導電膜を採用した表示素子に関する。
これより形成された光導電膜を採用した表示素子に係
り、詳細には電子写真的な方法によって、光導電膜形成
時に用いられる光導電性組成物及びこれより形成された
光導電膜を採用した表示素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】カラー陰極線管の蛍光膜は、スラリーコ
ーティング方法や電子写真的な方法によって製造されう
る。
ーティング方法や電子写真的な方法によって製造されう
る。
【０００３】スラリーコーティング方法による蛍光膜の
形成方法を調べると、パネルを洗浄した後、三原色、即
ち、赤色、緑色及び青色の発光蛍光体スラリーをパネル
に各々塗布する。各蛍光体スラリーは、主成分のポリビ
ニルアルコール、赤色、緑色及び青色の発光蛍光体中の
一つ、重クロム酸アンモニウムよりなる。シャドーマス
クを通じて前記パネルの所定部位だけを露光処理した
後、現像することによってストライプ状またはドット状
の蛍光膜を形成する。
形成方法を調べると、パネルを洗浄した後、三原色、即
ち、赤色、緑色及び青色の発光蛍光体スラリーをパネル
に各々塗布する。各蛍光体スラリーは、主成分のポリビ
ニルアルコール、赤色、緑色及び青色の発光蛍光体中の
一つ、重クロム酸アンモニウムよりなる。シャドーマス
クを通じて前記パネルの所定部位だけを露光処理した
後、現像することによってストライプ状またはドット状
の蛍光膜を形成する。
【０００４】前記スラリーコーティング方法によって蛍
光膜を形成した場合に、次のような問題点がある。
光膜を形成した場合に、次のような問題点がある。
【０００５】第１に、露光及び現像工程を経た後にも非
露光部位に蛍光体が残留し、以後塗布される蛍光体と混
合する問題点がある。
露光部位に蛍光体が残留し、以後塗布される蛍光体と混
合する問題点がある。
【０００６】第２に、蛍光体スラリー中に含まれている
ポリビニルアルコールのヒドロキシ基と重クロム酸アン
モニウムの反応によって色を帯びる物質が生成し、色純
度が劣化する問題がある。
ポリビニルアルコールのヒドロキシ基と重クロム酸アン
モニウムの反応によって色を帯びる物質が生成し、色純
度が劣化する問題がある。
【０００７】カラー陰極線管の蛍光膜を製造する他の方
法として、電子写真的な方法が知られている。この方法
は前述したスラリー方法に比べて工程が単純なだけでな
く、より輝度特性に優れたカラー陰極線管が形成できる
方法である。
法として、電子写真的な方法が知られている。この方法
は前述したスラリー方法に比べて工程が単純なだけでな
く、より輝度特性に優れたカラー陰極線管が形成できる
方法である。
【０００８】電子写真的な方法に従う蛍光膜の製造方法
を調べると、まずきれいに洗浄された陰極線管パネル上
に導電膜を形成する。それから、前記導電膜上部に光導
電膜を形成する。
を調べると、まずきれいに洗浄された陰極線管パネル上
に導電膜を形成する。それから、前記導電膜上部に光導
電膜を形成する。
【０００９】次いで、コロナ帯電器を利用して光導電膜
を帯電させ、その所定部位をシャドーマスクを通じて露
光する。露光部の電荷を中和させ、露光部に赤色、緑色
及び青色の蛍光体組成物の中から選択された一つの蛍光
体組成物を付着させた後、これをパネル内面に固着させ
る。その後、前記過程を反復し、残りの蛍光体組成物を
各々陰極線管のパネル内面に固着させて蛍光膜パターン
を完成させる。
を帯電させ、その所定部位をシャドーマスクを通じて露
光する。露光部の電荷を中和させ、露光部に赤色、緑色
及び青色の蛍光体組成物の中から選択された一つの蛍光
体組成物を付着させた後、これをパネル内面に固着させ
る。その後、前記過程を反復し、残りの蛍光体組成物を
各々陰極線管のパネル内面に固着させて蛍光膜パターン
を完成させる。
【００１０】一方、プラズマ表示装置はガス放電現象を
利用して画像を表示するための装置であって、表示容
量、輝度、コントラスト、視野角などの特性に優れるの
で陰極線管に代わる表示素子として注目されている。こ
のようなプラズマ表示装置では、電極に印加する直流ま
たは交流の電圧によって電極間のガスから放電が発生
し、これに伴う紫外線の放射によって蛍光体を励起させ
て発光する。
利用して画像を表示するための装置であって、表示容
量、輝度、コントラスト、視野角などの特性に優れるの
で陰極線管に代わる表示素子として注目されている。こ
のようなプラズマ表示装置では、電極に印加する直流ま
たは交流の電圧によって電極間のガスから放電が発生
し、これに伴う紫外線の放射によって蛍光体を励起させ
て発光する。
【００１１】プラズマ表示装置は、放電メカニズムによ
って交流型（ＡＣ型）と直流型（ＤＣ型）に分類でき
る。
って交流型（ＡＣ型）と直流型（ＤＣ型）に分類でき
る。
【００１２】図１は従来の交流型プラズマ表示装置の構
造に関する概略的な分解斜視図である。
造に関する概略的な分解斜視図である。
【００１３】これを参照すると、前面基板１１と背面基
板１２との間にディスプレー電極の第１電極１３ａ、ア
ドレス電極の第２電極１３ｂが形成されている。ここ
で、複数の第１電極１３ａと第２電極１３ｂは、前面基
板１１及び背面基板１２の内表面に各々ストライプ状で
形成され、相互直角で交差している。
板１２との間にディスプレー電極の第１電極１３ａ、ア
ドレス電極の第２電極１３ｂが形成されている。ここ
で、複数の第１電極１３ａと第２電極１３ｂは、前面基
板１１及び背面基板１２の内表面に各々ストライプ状で
形成され、相互直角で交差している。
【００１４】第１電極１３ａが形成された前面基板１１
の上部には、誘電膜１４と保護膜１５が順次形成されて
いる。そして、第２電極１３ｂが形成された背面基板１
２の上部には、誘電膜１４’が形成されているし、この
誘電膜１４’の上部には複数の隔壁１７が形成されてい
る。
の上部には、誘電膜１４と保護膜１５が順次形成されて
いる。そして、第２電極１３ｂが形成された背面基板１
２の上部には、誘電膜１４’が形成されているし、この
誘電膜１４’の上部には複数の隔壁１７が形成されてい
る。
【００１５】前記隔壁１７によって複数のセル１９が形
成され、このセル１９内にはアルゴンのような不活性ガ
スが充填されている。そして、セル１９の所定領域には
蛍光体層１８が形成されている。
成され、このセル１９内にはアルゴンのような不活性ガ
スが充填されている。そして、セル１９の所定領域には
蛍光体層１８が形成されている。
【００１６】前述したようなプラズマ表示装置におい
て、隔壁１７は、ブレードコータを利用して、背面基板
１２の誘電膜１４の上部にペースト状態の隔壁材料を反
復的に塗布する印刷法によって形成される。ところが、
印刷法によって隔壁を形成する場合、次のような問題点
がある。
て、隔壁１７は、ブレードコータを利用して、背面基板
１２の誘電膜１４の上部にペースト状態の隔壁材料を反
復的に塗布する印刷法によって形成される。ところが、
印刷法によって隔壁を形成する場合、次のような問題点
がある。
【００１７】第１、所定厚さの隔壁を得るためには、ブ
レードコータを用いた隔壁材料の印刷作業を反復的に実
施すべきである。従って、隔壁製造に長時間を要し、生
産性の低下を招く。
レードコータを用いた隔壁材料の印刷作業を反復的に実
施すべきである。従って、隔壁製造に長時間を要し、生
産性の低下を招く。
【００１８】第２、ブレードコータを使用して、背面基
板の誘電膜上部にペースト状態の隔壁材料をコーティン
グ及び加圧する時、基板に付着したスクリーンメッシュ
がブレードコータにより加えられた圧力によって変形す
る。このように、スクリーンメッシュが変形すると、隔
壁は設計上のパターン通りに製作できない。即ち、最終
的に完成した隔壁の形態が歪む恐れがあるし、これによ
って画像の品質が低下する。
板の誘電膜上部にペースト状態の隔壁材料をコーティン
グ及び加圧する時、基板に付着したスクリーンメッシュ
がブレードコータにより加えられた圧力によって変形す
る。このように、スクリーンメッシュが変形すると、隔
壁は設計上のパターン通りに製作できない。即ち、最終
的に完成した隔壁の形態が歪む恐れがあるし、これによ
って画像の品質が低下する。
【００１９】プラズマ表示装置の隔壁を形成する他の方
法として、電子写真的な方法がある。この方法により、
複数個のアドレス電極が形成された背面基板の上部に誘
電膜を形成する。次いで、前記誘電膜の上部に導電膜と
光導電膜を順次形成する。
法として、電子写真的な方法がある。この方法により、
複数個のアドレス電極が形成された背面基板の上部に誘
電膜を形成する。次いで、前記誘電膜の上部に導電膜と
光導電膜を順次形成する。
【００２０】前記光導電膜の表面を帯電させた後、紫外
線を利用して光導電膜の所定領域だけを露光することに
よって静電潜像を形成する。
線を利用して光導電膜の所定領域だけを露光することに
よって静電潜像を形成する。
【００２１】前記光導電膜の静電潜像に隔壁形成用組成
物のトナー（toner）組成物を付着させることによって
光導電膜を現像する。このような現像過程では静電潜像
に付着したトナー組成物が乾燥し、静電潜像以外の領域
に残留するトナー組成物が除去される。
物のトナー（toner）組成物を付着させることによって
光導電膜を現像する。このような現像過程では静電潜像
に付着したトナー組成物が乾燥し、静電潜像以外の領域
に残留するトナー組成物が除去される。
【００２２】前述した光導電膜の帯電段階から光導電膜
の現像段階を反復実施した後、前記背面基板を焼成する
ことによって隔壁を完成する。
の現像段階を反復実施した後、前記背面基板を焼成する
ことによって隔壁を完成する。
【００２３】光導電膜を構成する主成分の光導電体は、
無機光導電体と有機光導電体とに大別される。
無機光導電体と有機光導電体とに大別される。
【００２４】無機光導電体は、一般的に、感度、熱安定
性、耐湿性及び耐久性が不足するとともに毒性がある。
そして、焼成後残留物量が多い。このような問題点を解
決するために、有機光導電体に関する研究が活発に進行
している。有機光導電体は軽量性と透明性が優秀で、焼
成が容易という長所を有している。従って、このような
有機光導電体は、電子写真的な方法によって陰極線管の
蛍光膜やプラズマ表示装置の隔壁を形成するときに頻繁
に利用されている。
性、耐湿性及び耐久性が不足するとともに毒性がある。
そして、焼成後残留物量が多い。このような問題点を解
決するために、有機光導電体に関する研究が活発に進行
している。有機光導電体は軽量性と透明性が優秀で、焼
成が容易という長所を有している。従って、このような
有機光導電体は、電子写真的な方法によって陰極線管の
蛍光膜やプラズマ表示装置の隔壁を形成するときに頻繁
に利用されている。
【００２５】しかし、有機光導電体は帯電電位が低くて
電荷発生能力及び電荷輸送能力が足りないし、その上焼
成後残留物が存在し表示素子の画像品質が劣化するとい
う問題点を有している。
電荷発生能力及び電荷輸送能力が足りないし、その上焼
成後残留物が存在し表示素子の画像品質が劣化するとい
う問題点を有している。
【００２６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、前記
の問題点を解決して熱分解性に優れた有機光導電体を含
んでいる光導電性組成物を提供することにある。
の問題点を解決して熱分解性に優れた有機光導電体を含
んでいる光導電性組成物を提供することにある。
【００２７】本発明の他の目的は、前記光導電性組成物
よりなる光導電膜を採用することによって画像品質の改
善した表示素子を提供することにある。
よりなる光導電膜を採用することによって画像品質の改
善した表示素子を提供することにある。
【００２８】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めに本発明では、電子供与体、電子受容体、電荷移動物
質、結合剤、界面活性剤及び溶媒を含む光導電性組成物
において、前記電子供与体が化学式１の１、４−ジフェ
ニル−１−ブテン−３−イン誘導体であることを特徴と
する光導電性組成物を提供する。
めに本発明では、電子供与体、電子受容体、電荷移動物
質、結合剤、界面活性剤及び溶媒を含む光導電性組成物
において、前記電子供与体が化学式１の１、４−ジフェ
ニル−１−ブテン−３−イン誘導体であることを特徴と
する光導電性組成物を提供する。
【００２９】
【化４】
【００３０】前記式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 、Ｘ4 、
Ｘ5 、Ｙ1 、Ｙ2 、Ｙ3 、Ｙ4 及びＹ5は、お互い独立
に水素、アルキル基、フェニル基、ニトロ基、ＮＲ
2 基、ＯＲ基及びＳｉＲ3 基よりなる群から選択される
（ただし、Ｒは水素、アルキル基及びフェニル基よりな
る群から選ばれる少なくとも１種である）。ここで、ア
ルキル基は、それぞれ、炭素数１乃至３０のアルキル基
が好ましい。
Ｘ5 、Ｙ1 、Ｙ2 、Ｙ3 、Ｙ4 及びＹ5は、お互い独立
に水素、アルキル基、フェニル基、ニトロ基、ＮＲ
2 基、ＯＲ基及びＳｉＲ3 基よりなる群から選択される
（ただし、Ｒは水素、アルキル基及びフェニル基よりな
る群から選ばれる少なくとも１種である）。ここで、ア
ルキル基は、それぞれ、炭素数１乃至３０のアルキル基
が好ましい。
【００３１】本発明の他の目的は、前記光導電性組成物
よりなる光導電膜を採用することを特徴とする表示素子
によってなされる。このような本発明の望ましい態様と
して、本発明の光導電性組成物よりなる光導電膜を採用
している陰極線管用バルブと、プラズマ表示装置を挙げ
られる。
よりなる光導電膜を採用することを特徴とする表示素子
によってなされる。このような本発明の望ましい態様と
して、本発明の光導電性組成物よりなる光導電膜を採用
している陰極線管用バルブと、プラズマ表示装置を挙げ
られる。
【００３２】即ち、本発明の他の目的は導電膜、光導電
膜及び蛍光膜が順次形成されたフェースプレート（face
plate）及び前記フェースプレートと連結されており、
電子銃と偏向ヨークが備えられているファンネルより構
成された陰極線管用バルブにおいて、前記光導電膜が化
学式１の電子供与体、電子受容体、電荷移動物質、結合
剤、界面活性剤及び溶媒を含む光導電性組成物を塗布及
び乾燥してなるものであることを特徴とする陰極線管用
バルブにより達成される：
膜及び蛍光膜が順次形成されたフェースプレート（face
plate）及び前記フェースプレートと連結されており、
電子銃と偏向ヨークが備えられているファンネルより構
成された陰極線管用バルブにおいて、前記光導電膜が化
学式１の電子供与体、電子受容体、電荷移動物質、結合
剤、界面活性剤及び溶媒を含む光導電性組成物を塗布及
び乾燥してなるものであることを特徴とする陰極線管用
バルブにより達成される：
【００３３】
【化５】
【００３４】前記式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 、Ｘ4 、
Ｘ5 、Ｙ1 、Ｙ2 、Ｙ3 、Ｙ4 及びＹ5は、お互い独立
に水素、アルキル基、フェニル基、ニトロ基、ＮＲ
2 基、ＯＲ基及びＳｉＲ3 基よりなる群から選択される
（ただし、Ｒは水素、アルキル基及びフェニル基よりな
る群から選ばれる少なくとも１種である）。ここで、ア
ルキル基は、それぞれ、炭素数１乃至３０のアルキル基
が好ましい。
Ｘ5 、Ｙ1 、Ｙ2 、Ｙ3 、Ｙ4 及びＹ5は、お互い独立
に水素、アルキル基、フェニル基、ニトロ基、ＮＲ
2 基、ＯＲ基及びＳｉＲ3 基よりなる群から選択される
（ただし、Ｒは水素、アルキル基及びフェニル基よりな
る群から選ばれる少なくとも１種である）。ここで、ア
ルキル基は、それぞれ、炭素数１乃至３０のアルキル基
が好ましい。
【００３５】また本発明の他の目的は、電極、誘電膜、
導電膜、光導電膜及び隔壁が順次積層された基板部材を
具備しているプラズマ表示装置において、前記光導電膜
が化学式１の電子供与体、電子受容体、電荷移動物質、
結合剤、界面活性剤及び溶媒を含む光導電性組成物を塗
布及び乾燥してなるものであることを特徴とするプラズ
マ表示装置により達成される：
導電膜、光導電膜及び隔壁が順次積層された基板部材を
具備しているプラズマ表示装置において、前記光導電膜
が化学式１の電子供与体、電子受容体、電荷移動物質、
結合剤、界面活性剤及び溶媒を含む光導電性組成物を塗
布及び乾燥してなるものであることを特徴とするプラズ
マ表示装置により達成される：
【００３６】
【化６】
【００３７】前記式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 、Ｘ4 、
Ｘ5 、Ｙ1 、Ｙ2 、Ｙ3 、Ｙ4 及びＹ5は、お互い独立
に水素、アルキル基、フェニル基、ニトロ基、ＮＲ
2 基、ＯＲ基及びＳｉＲ3 基よりなる群から選択される
（ただし、Ｒは水素、アルキル基及びフェニル基よりな
る群から選ばれる少なくとも１種である）。ここで、ア
ルキル基は、それぞれ、炭素数１乃至３０のアルキル基
が好ましい。
Ｘ5 、Ｙ1 、Ｙ2 、Ｙ3 、Ｙ4 及びＹ5は、お互い独立
に水素、アルキル基、フェニル基、ニトロ基、ＮＲ
2 基、ＯＲ基及びＳｉＲ3 基よりなる群から選択される
（ただし、Ｒは水素、アルキル基及びフェニル基よりな
る群から選ばれる少なくとも１種である）。ここで、ア
ルキル基は、それぞれ、炭素数１乃至３０のアルキル基
が好ましい。
【００３８】
【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の望ましい実施例について詳細に説明する。
の望ましい実施例について詳細に説明する。
【００３９】本発明の光導電性組成物は、電子供与体、
電子受容体、電荷移動物質、結合剤、界面活性剤及び溶
媒を含む。前記光導電性組成物を構成する各成分及びそ
の含有量に対して説明する。
電子受容体、電荷移動物質、結合剤、界面活性剤及び溶
媒を含む。前記光導電性組成物を構成する各成分及びそ
の含有量に対して説明する。
【００４０】本発明の電子供与体として、化学式１の
１、４−ジフェニル−１−ブテン−３−イン誘導体を使
用する。ここで、この化合物はシス（cis）型、トラン
ス（trans）型またはシス（cis）型とトランス（tran
s）型の混合物形態で存在できるが、特に制限されな
い。
１、４−ジフェニル−１−ブテン−３−イン誘導体を使
用する。ここで、この化合物はシス（cis）型、トラン
ス（trans）型またはシス（cis）型とトランス（tran
s）型の混合物形態で存在できるが、特に制限されな
い。
【００４１】前記電子供与体の含有量は、光導電性組成
物の総重量を基準として０．５乃至５重量％である。仮
りに電子供与体が光導電性組成物の総重量を基準として
５重量％を超過すると、電子供与体の電荷発生量が過大
で電子受容体と電荷移動錯体を形成できない剰余電荷が
光導電膜の表面電位に影響を与えて残留電位が大きくな
る。一方、電子供与体が光導電性組成物の総重量を基準
として０．５重量％未満であれば、電子供与体の電荷発
生量があまり少なくて電荷移動錯体の形成が円滑でない
ので望ましくない。
物の総重量を基準として０．５乃至５重量％である。仮
りに電子供与体が光導電性組成物の総重量を基準として
５重量％を超過すると、電子供与体の電荷発生量が過大
で電子受容体と電荷移動錯体を形成できない剰余電荷が
光導電膜の表面電位に影響を与えて残留電位が大きくな
る。一方、電子供与体が光導電性組成物の総重量を基準
として０．５重量％未満であれば、電子供与体の電荷発
生量があまり少なくて電荷移動錯体の形成が円滑でない
ので望ましくない。
【００４２】本発明の電子受容体は４−ニトロアニリ
ン、２、４−ジニトロアニリン、５−ニトロアントラニ
ロニトリル（5-nitroanthranilonitrile）、２、４−ジ
ニトロジフェニルアミン、１、５−ジニトロナフタレ
ン、４−ニトロビフェニル、９、１０−ジシアノアント
ラセン及び３、５−ジニトロベンゾニトリルよりなる群
から選ばれる少なくとも一つが好ましい。
ン、２、４−ジニトロアニリン、５−ニトロアントラニ
ロニトリル（5-nitroanthranilonitrile）、２、４−ジ
ニトロジフェニルアミン、１、５−ジニトロナフタレ
ン、４−ニトロビフェニル、９、１０−ジシアノアント
ラセン及び３、５−ジニトロベンゾニトリルよりなる群
から選ばれる少なくとも一つが好ましい。
【００４３】電子受容体の含有量は、光導電性組成物の
総重量を基準として０．０５乃至０．５重量％であるこ
とが望ましい。この範囲であるとき、電子受容体が電子
供与体と最適の電荷移動錯体を形成するからである。
総重量を基準として０．０５乃至０．５重量％であるこ
とが望ましい。この範囲であるとき、電子受容体が電子
供与体と最適の電荷移動錯体を形成するからである。
【００４４】本発明の電荷移動物質は特に限られない
が、その中でもトリフェニルアミン誘導体を使用するこ
とが望ましい。ここで、電荷移動物質の含有量は光導電
性組成物の総重量を基準として０．５乃至５重量％が望
ましいが、この範囲であるとき電荷移動物質の電荷移動
度が最も優秀だからである。
が、その中でもトリフェニルアミン誘導体を使用するこ
とが望ましい。ここで、電荷移動物質の含有量は光導電
性組成物の総重量を基準として０．５乃至５重量％が望
ましいが、この範囲であるとき電荷移動物質の電荷移動
度が最も優秀だからである。
【００４５】本発明の結合剤として、ポリスチレン、ス
チレン−ブタジエン共重合体、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリアルファメチルスチレン（poly-α-methylstyr
ene）、スチレン−メチルメタクリレート共重合体、ポ
リブタジエン、ポリカーボネイト（polycarbonate）及
びその誘導体よりなる群から選択された少なくとも一つ
の物質を使う。その中でもポリブタジエンを必須構成成
分とし、ここにポリスチレン、スチレン−ブタジエン共
重合体、ポリメチルメタクリレート、ポリアルファメチ
ルスチレン、スチレン−メチルメタクリレート共重合
体、ポリカーボネイト及びその誘導体から選択された少
なくとも一つが添加された混合物を使うことが望まし
い。これは、この混合物を使用すると、焼成後結合剤か
らなる残留物がほとんどないからである。ここで、結合
剤の含量は光導電性組成物の総重量を基準として５乃至
１５重量％であることが望ましい。
チレン−ブタジエン共重合体、ポリメチルメタクリレー
ト、ポリアルファメチルスチレン（poly-α-methylstyr
ene）、スチレン−メチルメタクリレート共重合体、ポ
リブタジエン、ポリカーボネイト（polycarbonate）及
びその誘導体よりなる群から選択された少なくとも一つ
の物質を使う。その中でもポリブタジエンを必須構成成
分とし、ここにポリスチレン、スチレン−ブタジエン共
重合体、ポリメチルメタクリレート、ポリアルファメチ
ルスチレン、スチレン−メチルメタクリレート共重合
体、ポリカーボネイト及びその誘導体から選択された少
なくとも一つが添加された混合物を使うことが望まし
い。これは、この混合物を使用すると、焼成後結合剤か
らなる残留物がほとんどないからである。ここで、結合
剤の含量は光導電性組成物の総重量を基準として５乃至
１５重量％であることが望ましい。
【００４６】光導電性組成物を陰極線管パネル上に塗布
する場合、光導電性組成物の表面張力を減少させるため
に少量の界面活性剤を添加することが望ましい。これに
は、シリコンシラ１００（ゼネラルエレクトロニクス
社）またはプルロニクＰ−８４（ＢＡＳＦ社）が好まし
い。そして、界面活性剤の含有量は光導電性組成物の総
重量を基準として０．００１乃至０．０１重量％である
ことが望ましいが、この範囲のとき光導電性組成物の表
面張力が最小化するからである。
する場合、光導電性組成物の表面張力を減少させるため
に少量の界面活性剤を添加することが望ましい。これに
は、シリコンシラ１００（ゼネラルエレクトロニクス
社）またはプルロニクＰ−８４（ＢＡＳＦ社）が好まし
い。そして、界面活性剤の含有量は光導電性組成物の総
重量を基準として０．００１乃至０．０１重量％である
ことが望ましいが、この範囲のとき光導電性組成物の表
面張力が最小化するからである。
【００４７】光導電性組成物に用いられる溶媒は、特に
限定されないが、クロロホルム、ジクロロメタン、１、
２−ジクロロエタン、トルエンおよびキシレンよりなる
群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。そして、溶
媒の含有量は光導電性組成物の総重量から前記電子供与
体、電子受容体、電荷移動物質、結合剤及び界面活性剤
の総重量を差し引いた重量である。
限定されないが、クロロホルム、ジクロロメタン、１、
２−ジクロロエタン、トルエンおよびキシレンよりなる
群から選ばれる少なくとも１種が好ましい。そして、溶
媒の含有量は光導電性組成物の総重量から前記電子供与
体、電子受容体、電荷移動物質、結合剤及び界面活性剤
の総重量を差し引いた重量である。
【００４８】以下、本発明の光導電性組成物を使用する
一実施例として、電子写真的な方法によって陰極線管の
蛍光膜を製造する方法に関して説明する。
一実施例として、電子写真的な方法によって陰極線管の
蛍光膜を製造する方法に関して説明する。
【００４９】陰極線管パネル内面をきれいに洗浄した
後、導電性組成物をコーティングして導電膜を形成す
る。この導電膜は後にコーティングされる光導電膜から
発生した電気を流す役割をする膜であって、酸化すず、
酸化インジウム、酸化インジウムすず（indium tin oxi
de）などの無機導電体または４価アンモニウム塩の有機
導電体が使用できる。その中でも、焼成工程時の熱分解
性を考えて、導電性組成物として有機導電体を使用する
ことがさらに望ましい。
後、導電性組成物をコーティングして導電膜を形成す
る。この導電膜は後にコーティングされる光導電膜から
発生した電気を流す役割をする膜であって、酸化すず、
酸化インジウム、酸化インジウムすず（indium tin oxi
de）などの無機導電体または４価アンモニウム塩の有機
導電体が使用できる。その中でも、焼成工程時の熱分解
性を考えて、導電性組成物として有機導電体を使用する
ことがさらに望ましい。
【００５０】前記導電膜の上部に化学式１の電子供与体
０．５乃至５重量％、電子受容体０．０５乃至０．５重
量％、電荷移動物質０．５乃至５重量％、結合剤５乃至
１５重量％、界面活性剤０．００１乃至０．０１重量
％、そしてその残りの含有量の溶媒を含む光導電性組成
物を塗布及び乾燥して光導電膜を形成する。ここで、光
導電膜のコーティングの厚さは２μｍ乃至６μｍが適当
であり、焼成工程後、アルミニウム膜が膨らむ現象を抑
制するために、光導電膜の厚さが６μｍを超過しないよ
うに形成する。
０．５乃至５重量％、電子受容体０．０５乃至０．５重
量％、電荷移動物質０．５乃至５重量％、結合剤５乃至
１５重量％、界面活性剤０．００１乃至０．０１重量
％、そしてその残りの含有量の溶媒を含む光導電性組成
物を塗布及び乾燥して光導電膜を形成する。ここで、光
導電膜のコーティングの厚さは２μｍ乃至６μｍが適当
であり、焼成工程後、アルミニウム膜が膨らむ現象を抑
制するために、光導電膜の厚さが６μｍを超過しないよ
うに形成する。
【００５１】コロナ帯電器を使用して前記光導電膜を帯
電させ、シャドーマスクを通じて光導電膜の所定部位を
露光する。光導電膜の露光部の電荷を中和させた後、露
光部に第１色の蛍光体組成物を粉末状態で付着させる。
その後、揮発性の強いアセトンやアルコールの有機溶媒
を使用して第１色蛍光体を陰極線管パネルに半固着させ
る。
電させ、シャドーマスクを通じて光導電膜の所定部位を
露光する。光導電膜の露光部の電荷を中和させた後、露
光部に第１色の蛍光体組成物を粉末状態で付着させる。
その後、揮発性の強いアセトンやアルコールの有機溶媒
を使用して第１色蛍光体を陰極線管パネルに半固着させ
る。
【００５２】第１色蛍光体組成物の代わりに、第２色及
び第３色蛍光体組成物を各々使用し、光導電膜の帯電過
程から蛍光体の付着過程までを反復し、陰極線管パネル
の露光部に第２色及び第３色の蛍光体組成物を各々付着
させる。その後、揮発性の強いアセトンやアルコールを
使用して前記第２色及び第３色の蛍光体組成物を陰極線
管パネルに順次半固着させる。
び第３色蛍光体組成物を各々使用し、光導電膜の帯電過
程から蛍光体の付着過程までを反復し、陰極線管パネル
の露光部に第２色及び第３色の蛍光体組成物を各々付着
させる。その後、揮発性の強いアセトンやアルコールを
使用して前記第２色及び第３色の蛍光体組成物を陰極線
管パネルに順次半固着させる。
【００５３】最後に、赤外線ヒーターを利用して第１
色、第２色及び第３色の蛍光体組成物を陰極線管パネル
に融着させることによって蛍光膜を完成する。
色、第２色及び第３色の蛍光体組成物を陰極線管パネル
に融着させることによって蛍光膜を完成する。
【００５４】以下、添付図面を参照して本発明の光導電
性組成物を使用する他の実施例として、電子写真的な方
法によってプラズマ表示装置の隔壁を製造する方法に関
して説明する。
性組成物を使用する他の実施例として、電子写真的な方
法によってプラズマ表示装置の隔壁を製造する方法に関
して説明する。
【００５５】まず、写真平版方法によって背面基板２１
にアドレス電極２２を形成する。
にアドレス電極２２を形成する。
【００５６】次に、前記アドレス電極２２が形成された
背面基板２１の上部に、誘電膜形成用材料を塗布及び乾
燥して、誘電膜２３を形成する。ここで、誘電膜２３を
形成する方法は通常的なスピンコーティング方法や印刷
方法を利用し、誘電膜形成用材料は従来技術で使用した
ものと同じ材料を利用する。
背面基板２１の上部に、誘電膜形成用材料を塗布及び乾
燥して、誘電膜２３を形成する。ここで、誘電膜２３を
形成する方法は通常的なスピンコーティング方法や印刷
方法を利用し、誘電膜形成用材料は従来技術で使用した
ものと同じ材料を利用する。
【００５７】アドレス電極２２と誘電膜２３が順次形成
された背面基板２１の上部に導電性組成物を塗布及び乾
燥して導電膜２４を形成する。ここで、導電膜形成用組
成物は陰極線管の蛍光膜形成時と同じものを使用する。
された背面基板２１の上部に導電性組成物を塗布及び乾
燥して導電膜２４を形成する。ここで、導電膜形成用組
成物は陰極線管の蛍光膜形成時と同じものを使用する。
【００５８】前記導電膜２４の上部に、光導電性組成物
の総重量を基準として化学式１の電子供与体０．５乃至
５重量％、電子受容体０．０５乃至０．５重量％、電荷
移動物質０．５乃至５重量％、結合剤５乃至１５重量
％、界面活性剤０．００１乃至０．０１重量％そしてそ
の残りの含有量の溶媒を含む光導電性組成物を塗布及び
乾燥して光導電膜２５を形成する（図２）。
の総重量を基準として化学式１の電子供与体０．５乃至
５重量％、電子受容体０．０５乃至０．５重量％、電荷
移動物質０．５乃至５重量％、結合剤５乃至１５重量
％、界面活性剤０．００１乃至０．０１重量％そしてそ
の残りの含有量の溶媒を含む光導電性組成物を塗布及び
乾燥して光導電膜２５を形成する（図２）。
【００５９】次いで、前記光導電膜２５の表面を帯電さ
せる。ここで、光導電膜の表面はタングステンワイヤー
またはスコロトン（scoroton）２０を利用してプラス電
荷に帯電する。この際、導電膜２４は接地状態を維持す
る（図３）。
せる。ここで、光導電膜の表面はタングステンワイヤー
またはスコロトン（scoroton）２０を利用してプラス電
荷に帯電する。この際、導電膜２４は接地状態を維持す
る（図３）。
【００６０】光導電膜２５の表面から所定間隔ほど離隔
した位置に露光用マスク２７を設置した後、このマスク
２７を利用して光導電膜２５の所定領域に紫外線３０を
照射する。前記マスク２７は、ガラス基板２８の表面に
クロム膜パターン２９を形成することによって製作され
る。クロム膜パターン２９は以後に形成される隔壁のパ
ターンと一致するように、露光用紫外線光を遮断する作
用をする。紫外線によって露光された光導電膜の所定領
域からプラス電荷が排除されて所定パターンの静電潜像
３１が形成される（図４）。
した位置に露光用マスク２７を設置した後、このマスク
２７を利用して光導電膜２５の所定領域に紫外線３０を
照射する。前記マスク２７は、ガラス基板２８の表面に
クロム膜パターン２９を形成することによって製作され
る。クロム膜パターン２９は以後に形成される隔壁のパ
ターンと一致するように、露光用紫外線光を遮断する作
用をする。紫外線によって露光された光導電膜の所定領
域からプラス電荷が排除されて所定パターンの静電潜像
３１が形成される（図４）。
【００６１】隔壁形成用組成物のトナー組成物を利用し
て静電潜像が形成された光導電膜２５の表面を現像す
る。このような現像過程では、基板２１の光導電膜２５
方向に下部電極３３が形成された基板３２が上昇するこ
とによって、光導電膜２５と下部電極３３との間に形成
されたギャップにトナー組成物が充満される状態にな
り、この状態で光導電膜２５の静電潜像３１にトナー組
成物が付着する（図５）。この際、トナー組成物はプラ
ス電荷に帯電されている。
て静電潜像が形成された光導電膜２５の表面を現像す
る。このような現像過程では、基板２１の光導電膜２５
方向に下部電極３３が形成された基板３２が上昇するこ
とによって、光導電膜２５と下部電極３３との間に形成
されたギャップにトナー組成物が充満される状態にな
り、この状態で光導電膜２５の静電潜像３１にトナー組
成物が付着する（図５）。この際、トナー組成物はプラ
ス電荷に帯電されている。
【００６２】前記トナー組成物はフリット（frit）、結
合剤及び溶媒よりなる。ここで、前記フリットは酸化チ
タン、酸化ジルコニウム、アルミナ、酸化鉛、酸化ホウ
素及び酸化珪素の中から選択された少なくとも１種であ
る。この際、２回以上の反復的な現像時ごとにフリット
の組成が相異することが望ましいが、フリット組成が相
異すると、完成した隔壁が熱膨張により変形する時にク
ラックの発生が防止されるからである。
合剤及び溶媒よりなる。ここで、前記フリットは酸化チ
タン、酸化ジルコニウム、アルミナ、酸化鉛、酸化ホウ
素及び酸化珪素の中から選択された少なくとも１種であ
る。この際、２回以上の反復的な現像時ごとにフリット
の組成が相異することが望ましいが、フリット組成が相
異すると、完成した隔壁が熱膨張により変形する時にク
ラックの発生が防止されるからである。
【００６３】前述したように光導電膜２５を現像した
後、光導電膜２５の静電潜像３１に付着したトナー組成
物を乾燥することによって定着させ、静電潜像以外の領
域に分散したトナー組成物を真空により吸入して除去さ
せる。
後、光導電膜２５の静電潜像３１に付着したトナー組成
物を乾燥することによって定着させ、静電潜像以外の領
域に分散したトナー組成物を真空により吸入して除去さ
せる。
【００６４】前述した光導電膜の帯電段階から光導電膜
の静電潜像以外の領域に残留するトナー組成物を除去す
る段階を２回以上、望ましくは３回にかけて反復的に実
施する。
の静電潜像以外の領域に残留するトナー組成物を除去す
る段階を２回以上、望ましくは３回にかけて反復的に実
施する。
【００６５】２番目及び３番目に実施する光導電膜の帯
電過程時、最初の現像段階で形成された隔壁を有してい
る光導電膜表面を所定大きさの電位で帯電させる。この
ような帯電過程によって、表面電位は隔壁の上部表面、
隔壁の側面及び隔壁が形成されない光導電膜領域の順に
低く形成される。
電過程時、最初の現像段階で形成された隔壁を有してい
る光導電膜表面を所定大きさの電位で帯電させる。この
ような帯電過程によって、表面電位は隔壁の上部表面、
隔壁の側面及び隔壁が形成されない光導電膜領域の順に
低く形成される。
【００６６】一方、２番目及び３番目の露光段階は、最
初の露光段階と同じようにマスクを利用して行うことも
でき、マスクなしで行うこともできる。
初の露光段階と同じようにマスクを利用して行うことも
でき、マスクなしで行うこともできる。
【００６７】光導電膜の帯電段階から光導電膜に残留す
るトナー組成物を除去する段階を反復的に実施した後、
前記背面基板２１を焼成することによって隔壁３４が形
成される（図６）。この際、焼成は５００乃至６００℃
で２０乃至４０分間、より望ましくは５５０℃で３０分
間加熱することによってなされる。このような焼成過程
では隔壁形成用組成物に含まれた結合剤が除去され、誘
電膜２３の上部に形成された導電膜２４及び光導電膜２
５が除去される。そして、このような焼成過程で加えた
熱により隔壁のフリット成分が一部軟化することによっ
て、隔壁３４が前記誘電膜２３に安定的に固着できる。
焼成が終了した以後には、隔壁３４を安定化させる目的
で加熱がなされる。
るトナー組成物を除去する段階を反復的に実施した後、
前記背面基板２１を焼成することによって隔壁３４が形
成される（図６）。この際、焼成は５００乃至６００℃
で２０乃至４０分間、より望ましくは５５０℃で３０分
間加熱することによってなされる。このような焼成過程
では隔壁形成用組成物に含まれた結合剤が除去され、誘
電膜２３の上部に形成された導電膜２４及び光導電膜２
５が除去される。そして、このような焼成過程で加えた
熱により隔壁のフリット成分が一部軟化することによっ
て、隔壁３４が前記誘電膜２３に安定的に固着できる。
焼成が終了した以後には、隔壁３４を安定化させる目的
で加熱がなされる。
【００６８】前述したプラズマ表示装置の製造方法にお
いて、光導電膜の表面をプラス電荷に帯電させ、後に隔
壁の形成される位置に該当する部分にクロム膜パターン
を有するマスクを光導電膜の形成された基板上に所定間
隔で離隔して配置する方法を使ったが、その反対の場合
も可能である。即ち、光導電膜の表面をマイナス電荷に
帯電させ、隔壁の形成されない位置にクロム膜パターン
を有するマスクを光導電膜の形成された基板上に所定間
隔離して配置して露光過程を遂行すると同じ結果が得ら
れる。
いて、光導電膜の表面をプラス電荷に帯電させ、後に隔
壁の形成される位置に該当する部分にクロム膜パターン
を有するマスクを光導電膜の形成された基板上に所定間
隔で離隔して配置する方法を使ったが、その反対の場合
も可能である。即ち、光導電膜の表面をマイナス電荷に
帯電させ、隔壁の形成されない位置にクロム膜パターン
を有するマスクを光導電膜の形成された基板上に所定間
隔離して配置して露光過程を遂行すると同じ結果が得ら
れる。
【００６９】
【実施例】以下、本発明を実施例を挙げて詳細に説明す
るが、本発明が下記実施例にだけ限定されることはな
い。
るが、本発明が下記実施例にだけ限定されることはな
い。
【００７０】＜実施例１＞陰極線管パネル内面を洗浄し
た後、導電膜を塗布した。この導電膜上部に１、４−ジ
フェニル−１−ブテン−３−イン２５ｇ、２、４−ジニ
トロアニリン２．５ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、ポ
リスチレン２５０ｇ、シリコンシラ１０００．１ｇ及び
トルエン２５９５ｇを含む光導電性組成物を塗布及び乾
燥して約４μｍの厚さの光導電膜を形成した。
た後、導電膜を塗布した。この導電膜上部に１、４−ジ
フェニル−１−ブテン−３−イン２５ｇ、２、４−ジニ
トロアニリン２．５ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、ポ
リスチレン２５０ｇ、シリコンシラ１０００．１ｇ及び
トルエン２５９５ｇを含む光導電性組成物を塗布及び乾
燥して約４μｍの厚さの光導電膜を形成した。
【００７１】コロナ帯電器を利用して前記光導電膜を帯
電させたが、この際４００乃至６００Ｖの表面電位を得
ることができた。
電させたが、この際４００乃至６００Ｖの表面電位を得
ることができた。
【００７２】シャドーマスクを利用して前記光導電膜の
所定部位を露光した。その露光部の電荷を中和させた
後、露光部に緑色蛍光体組成物を付着させた。アセトン
を使用して前記結果物を半固着化させた。
所定部位を露光した。その露光部の電荷を中和させた
後、露光部に緑色蛍光体組成物を付着させた。アセトン
を使用して前記結果物を半固着化させた。
【００７３】次いで、コロナ帯電器を使用して光導電膜
をまた帯電させた。それから、シャドーマスクを利用し
て前記光導電膜の所定部位を露光した。その露光部の電
荷を中和させた後、露光部に青色蛍光体組成物を付着さ
せた。アセトンを使用して前記青色蛍光体を半固着させ
た。
をまた帯電させた。それから、シャドーマスクを利用し
て前記光導電膜の所定部位を露光した。その露光部の電
荷を中和させた後、露光部に青色蛍光体組成物を付着さ
せた。アセトンを使用して前記青色蛍光体を半固着させ
た。
【００７４】青色蛍光体組成物の代わりに、赤色蛍光体
組成物を使用したことを除いては前記青色蛍光体組成物
の場合と同じく、前記過程を反復して光導電膜の露光部
に赤色蛍光体組成物を粉末状で付着させた。アセトンを
使用して前記赤色蛍光体組成物を半固着させた。
組成物を使用したことを除いては前記青色蛍光体組成物
の場合と同じく、前記過程を反復して光導電膜の露光部
に赤色蛍光体組成物を粉末状で付着させた。アセトンを
使用して前記赤色蛍光体組成物を半固着させた。
【００７５】赤外線ヒーターを使用して前記緑色、青色
及び赤色の蛍光体組成物を陰極線管パネルに融着させる
ことによって蛍光膜を完成した。
及び赤色の蛍光体組成物を陰極線管パネルに融着させる
ことによって蛍光膜を完成した。
【００７６】＜実施例２＞１−フェニル−４−パラ−ア
ニシル−１−ブテン−３−イン２７ｇ、２、４−ジニト
ロアニリン２．５ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、ポリ
スチレン２５０ｇ、シリコンシラ１００ ０．１ｇ及び
トルエン２５９５ｇを含む光導電性組成物を使用したこ
とを除いては、実施例１と同じ方法で蛍光膜を完成し
た。
ニシル−１−ブテン−３−イン２７ｇ、２、４−ジニト
ロアニリン２．５ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、ポリ
スチレン２５０ｇ、シリコンシラ１００ ０．１ｇ及び
トルエン２５９５ｇを含む光導電性組成物を使用したこ
とを除いては、実施例１と同じ方法で蛍光膜を完成し
た。
【００７７】＜実施例３＞１−フェニル−４−アニリノ
フェニル−１−ブテン−３−イン２７ｇ、２、４−ジニ
トロアニリン２．５ｇ、トリフェニルアミン３０ｇ、ポ
リスチレン２５０ｇ、プルロニクＰ−８４ ０．１ｇ及
びトルエン／１、２−ジクロロエタン（２：１体積比）
２５９５ｇを含む光導電性組成物を使用したことを除い
ては、実施例１と同じ方法で蛍光膜を完成した。
フェニル−１−ブテン−３−イン２７ｇ、２、４−ジニ
トロアニリン２．５ｇ、トリフェニルアミン３０ｇ、ポ
リスチレン２５０ｇ、プルロニクＰ−８４ ０．１ｇ及
びトルエン／１、２−ジクロロエタン（２：１体積比）
２５９５ｇを含む光導電性組成物を使用したことを除い
ては、実施例１と同じ方法で蛍光膜を完成した。
【００７８】＜実施例４＞１、４−ジフェニル−１−ブ
テン−３−イン２５ｇ、５−ニトロアントラニロニトリ
ル３ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、スチレン−ブタジ
エン共重合体２６０ｇ、シリコンシラ１００ ０．１ｇ
及びトルエン２５９５ｇを含む光導電性組成物を使用し
たことを除いては、実施例１と同じ方法で蛍光膜を完成
した。
テン−３−イン２５ｇ、５−ニトロアントラニロニトリ
ル３ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、スチレン−ブタジ
エン共重合体２６０ｇ、シリコンシラ１００ ０．１ｇ
及びトルエン２５９５ｇを含む光導電性組成物を使用し
たことを除いては、実施例１と同じ方法で蛍光膜を完成
した。
【００７９】＜実施例５＞１−フェニル−４−パラ−ア
ニシル−１−ブテン−３−イン２５ｇ、５−ニトロアン
トラニロニトリル３ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、ス
チレン−ブタジエン共重合体２６０ｇ、シリコンシラ１
００ ０．１ｇ及びトルエン２５９５ｇを含む光導電性
組成物を使用したことを除いては、実施例１と同じ方法
で蛍光膜を完成した。
ニシル−１−ブテン−３−イン２５ｇ、５−ニトロアン
トラニロニトリル３ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、ス
チレン−ブタジエン共重合体２６０ｇ、シリコンシラ１
００ ０．１ｇ及びトルエン２５９５ｇを含む光導電性
組成物を使用したことを除いては、実施例１と同じ方法
で蛍光膜を完成した。
【００８０】＜実施例６＞１、４−ジフェニル−１−ブ
テン−３−イン２５ｇ、２、４−ジニトロアニリン２．
５ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、ポリスチレンとポリ
ブタジエンの混合物（１：１重量比）２５０ｇ、シリコ
ンシラ１００ ０．１ｇ及びトルエン２５９５ｇを含む
光導電性組成物を使用したことを除いては、実施例１と
同じ方法で蛍光膜を完成した。
テン−３−イン２５ｇ、２、４−ジニトロアニリン２．
５ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、ポリスチレンとポリ
ブタジエンの混合物（１：１重量比）２５０ｇ、シリコ
ンシラ１００ ０．１ｇ及びトルエン２５９５ｇを含む
光導電性組成物を使用したことを除いては、実施例１と
同じ方法で蛍光膜を完成した。
【００８１】＜実施例７＞１−フェニル−４−パラ−ア
ニシル−１−ブテン−３−イン２７ｇ、２、４−ジニト
ロアニリン２．５ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、ポリ
スチレンとポリブタジエンの混合物（１：１重量比）２
５０ｇ、シリコンシラ１００ ０．１ｇ及びトルエン２
５９５ｇを含む光導電性組成物を使用したことを除いて
は、実施例１と同じ方法で蛍光膜を完成した。
ニシル−１−ブテン−３−イン２７ｇ、２、４−ジニト
ロアニリン２．５ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、ポリ
スチレンとポリブタジエンの混合物（１：１重量比）２
５０ｇ、シリコンシラ１００ ０．１ｇ及びトルエン２
５９５ｇを含む光導電性組成物を使用したことを除いて
は、実施例１と同じ方法で蛍光膜を完成した。
【００８２】＜実施例８＞１−フェニル−４−アニリノ
フェニル−１−ブテン−３−イン２７ｇ、２、４−ジニ
トロアニリン２．５ｇ、トリフェニルアミン３０ｇ、ポ
リスチレンとポリブタジエンの混合物（１：１重量比）
２５０ｇ、プルロニクＰ−８４ ０．１ｇ及びトルエン
／１、２−ジクロロエタン（２：１体積比）２５９５ｇ
を含む光導電性組成物を使用したことを除いては、実施
例１と同じ方法で蛍光膜を完成した。
フェニル−１−ブテン−３−イン２７ｇ、２、４−ジニ
トロアニリン２．５ｇ、トリフェニルアミン３０ｇ、ポ
リスチレンとポリブタジエンの混合物（１：１重量比）
２５０ｇ、プルロニクＰ−８４ ０．１ｇ及びトルエン
／１、２−ジクロロエタン（２：１体積比）２５９５ｇ
を含む光導電性組成物を使用したことを除いては、実施
例１と同じ方法で蛍光膜を完成した。
【００８３】＜実施例９＞１、４−ジフェニル−１−ブ
テン−３−イン２５ｇ、５−ニトロアントラニロニトリ
ル３ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、スチレン−ブタジ
エン共重合体とポリブタジエンの混合物（１：１重量
比）２６０ｇ、シリコンシラ１００ ０．１ｇ及びトル
エン２５９５ｇを含む光導電性組成物を使用したことを
除いては、実施例１と同じ方法で蛍光膜を完成した。
テン−３−イン２５ｇ、５−ニトロアントラニロニトリ
ル３ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、スチレン−ブタジ
エン共重合体とポリブタジエンの混合物（１：１重量
比）２６０ｇ、シリコンシラ１００ ０．１ｇ及びトル
エン２５９５ｇを含む光導電性組成物を使用したことを
除いては、実施例１と同じ方法で蛍光膜を完成した。
【００８４】＜実施例１０＞１−フェニル−４−パラ−
アニシル−１−ブテン−３−イン２５ｇ、５−ニトロア
ントラニロニトリル３ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、
スチレン−ブタジエン共重合体とポリブタジエンの混合
物（１：１重量比）２６０ｇ、シリコンシラ１００
０．１ｇ及びトルエン２５９５ｇを含む光導電性組成物
を使用したことを除いては、実施例１と同じ方法で蛍光
膜を完成した。
アニシル−１−ブテン−３−イン２５ｇ、５−ニトロア
ントラニロニトリル３ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、
スチレン−ブタジエン共重合体とポリブタジエンの混合
物（１：１重量比）２６０ｇ、シリコンシラ１００
０．１ｇ及びトルエン２５９５ｇを含む光導電性組成物
を使用したことを除いては、実施例１と同じ方法で蛍光
膜を完成した。
【００８５】＜実施例１１＞ＩＴＯ電極の形成された基
板の上部に誘電膜及び導電膜を順次形成した。以後、前
記導電膜上部に１、４−ジフェニル−１−ブテン−３−
イン２５ｇ、２、４−ジニトロアニリン２．５ｇ、トリ
フェニルアミン２５ｇ、ポリスチレン２５０ｇ、シリコ
ンシラ１００ ０．１ｇ及びトルエン２５９５ｇを含む
光導電性組成物を塗布及び乾燥して約４μｍの厚さの光
導電膜を形成した。
板の上部に誘電膜及び導電膜を順次形成した。以後、前
記導電膜上部に１、４−ジフェニル−１−ブテン−３−
イン２５ｇ、２、４−ジニトロアニリン２．５ｇ、トリ
フェニルアミン２５ｇ、ポリスチレン２５０ｇ、シリコ
ンシラ１００ ０．１ｇ及びトルエン２５９５ｇを含む
光導電性組成物を塗布及び乾燥して約４μｍの厚さの光
導電膜を形成した。
【００８６】前記光導電膜の表面をタングステンワイヤ
を利用してプラス電荷に帯電させた。この際、導電膜は
接地状態で維持させた。前記光導電膜の表面から所定間
隔ほど離隔した位置にシャドーマスクを設置し、このシ
ャドーマスクを利用して光導電膜の所定領域に紫外線を
照射した。光導電膜の露光部にはプラス電気が排除され
て静電潜像が形成された。
を利用してプラス電荷に帯電させた。この際、導電膜は
接地状態で維持させた。前記光導電膜の表面から所定間
隔ほど離隔した位置にシャドーマスクを設置し、このシ
ャドーマスクを利用して光導電膜の所定領域に紫外線を
照射した。光導電膜の露光部にはプラス電気が排除され
て静電潜像が形成された。
【００８７】次いで、第１トナー組成物を利用して光導
電膜を現像した。即ち、第１トナー組成物はプラス電荷
に帯電させた後、第１トナー組成物を光導電膜の静電潜
像に付着させた。
電膜を現像した。即ち、第１トナー組成物はプラス電荷
に帯電させた後、第１トナー組成物を光導電膜の静電潜
像に付着させた。
【００８８】前記第１トナー組成物は次のような方法に
よって製造した。即ち、酸化鉛、酸化マンガン及び酸化
亜鉛を３：４：３の重量比に混合してフリットを得た
後、このフリットと、ポリメタクリル酸を３：７重量比
に混合した。この混合物１ｇにイソパラフィン２０ｇを
混合して製造した。
よって製造した。即ち、酸化鉛、酸化マンガン及び酸化
亜鉛を３：４：３の重量比に混合してフリットを得た
後、このフリットと、ポリメタクリル酸を３：７重量比
に混合した。この混合物１ｇにイソパラフィン２０ｇを
混合して製造した。
【００８９】以後、光導電膜に残留する第１トナー組成
物を真空に吸入して除去し、光導電膜の静電潜像に付着
された第１トナー組成物を乾燥させることによって第１
トナー組成物を定着させた。
物を真空に吸入して除去し、光導電膜の静電潜像に付着
された第１トナー組成物を乾燥させることによって第１
トナー組成物を定着させた。
【００９０】第２トナー組成物及び第３トナー組成物を
使用して前記光導電膜を帯電させる段階から光導電膜に
残留するトナー組成物を除去する段階を順次実施した。
使用して前記光導電膜を帯電させる段階から光導電膜に
残留するトナー組成物を除去する段階を順次実施した。
【００９１】以後、前記結果物を約５５０℃で３０分間
焼成させることによって隔壁を完成した。
焼成させることによって隔壁を完成した。
【００９２】前記第２トナー組成物は次のような方法に
よって製造した。即ち、酸化鉛、酸化銅、酸化マンガン
及び酸化クロムの混合物（３０：２５：３０：１５重量
比）と、ポリメタクリル酸を３：７重量比に混合し、こ
の混合物１ｇにこのイソパラフィン２０ｇを混合して製
造した。そして、前記第３トナー組成物は酸化鉛、三酸
化二硼素及び酸化アルミニウムの混合物（３５：２５：
４０重量比）と、ポリメタクリル酸を３：７重量比に混
合し、この混合物１ｇにイソパラフィン２０ｇを混合し
て製造した。
よって製造した。即ち、酸化鉛、酸化銅、酸化マンガン
及び酸化クロムの混合物（３０：２５：３０：１５重量
比）と、ポリメタクリル酸を３：７重量比に混合し、こ
の混合物１ｇにこのイソパラフィン２０ｇを混合して製
造した。そして、前記第３トナー組成物は酸化鉛、三酸
化二硼素及び酸化アルミニウムの混合物（３５：２５：
４０重量比）と、ポリメタクリル酸を３：７重量比に混
合し、この混合物１ｇにイソパラフィン２０ｇを混合し
て製造した。
【００９３】＜実施例１２＞１−フェニル−４−パラ−
アニシル−１−ブテン−３−イン２７ｇ、２、４−ジニ
トロアニリン２．５ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、ポ
リスチレン２５０ｇ、シリコンシラ１００ ０．１ｇ及
びトルエン２５９５ｇを含む光導電性組成物を使用した
ことを除いては、実施例１１と同じ方法で隔壁を形成し
た。
アニシル−１−ブテン−３−イン２７ｇ、２、４−ジニ
トロアニリン２．５ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、ポ
リスチレン２５０ｇ、シリコンシラ１００ ０．１ｇ及
びトルエン２５９５ｇを含む光導電性組成物を使用した
ことを除いては、実施例１１と同じ方法で隔壁を形成し
た。
【００９４】＜実施例１３＞１−フェニル−４−アニリ
ノフェニル−１−ブテン−３−イン２７ｇ、２、４−ジ
ニトロアニリン２．５ｇ、トリフェニルアミン３０ｇ、
ポリスチレン２５０ｇ、プルロニクＰ−８４ ０．１ｇ
及びトルエン／１、２−ジクロロエタン（２：１体積
比）２５９５ｇを含む光導電性組成物を使用したことを
除いては、実施例１１と同じ方法で隔壁を形成した。
ノフェニル−１−ブテン−３−イン２７ｇ、２、４−ジ
ニトロアニリン２．５ｇ、トリフェニルアミン３０ｇ、
ポリスチレン２５０ｇ、プルロニクＰ−８４ ０．１ｇ
及びトルエン／１、２−ジクロロエタン（２：１体積
比）２５９５ｇを含む光導電性組成物を使用したことを
除いては、実施例１１と同じ方法で隔壁を形成した。
【００９５】＜実施例１４＞１、４−ジフェニル−１−
ブテン−３−イン２５ｇ、５−ニトロアントラニロニト
リル３ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、スチレン−ブタ
ジエン共重合体２６０ｇ、シリコンシラ１００ ０．１
ｇ及びトルエン２５９５ｇを含む光導電性組成物を使用
したことを除いては、実施例１１と同じ方法で隔壁を形
成した。
ブテン−３−イン２５ｇ、５−ニトロアントラニロニト
リル３ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、スチレン−ブタ
ジエン共重合体２６０ｇ、シリコンシラ１００ ０．１
ｇ及びトルエン２５９５ｇを含む光導電性組成物を使用
したことを除いては、実施例１１と同じ方法で隔壁を形
成した。
【００９６】＜実施例１５＞１−フェニル−４−パラ−
アニリン−１−ブテン−３−イン２５ｇ、５−ニトロア
ントラニロニトリル３ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、
スチレン−ブタジエン共重合体２６０ｇ、シリコンシラ
１００ ０．１ｇ及びトルエン２５９５ｇを含む光導電
性組成物を使用したことを除いては、実施例１１と同じ
方法で隔壁を形成した。
アニリン−１−ブテン−３−イン２５ｇ、５−ニトロア
ントラニロニトリル３ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、
スチレン−ブタジエン共重合体２６０ｇ、シリコンシラ
１００ ０．１ｇ及びトルエン２５９５ｇを含む光導電
性組成物を使用したことを除いては、実施例１１と同じ
方法で隔壁を形成した。
【００９７】＜実施例１６＞１、４−ジフェニル−１−
ブテン−３−イン２５ｇ、２、４−ジニトロアニリン
２．５ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、ポリスチレンと
ポリブタジエンの混合物（１：１重量比）２５０ｇ、シ
リコンシラ１００ ０．１ｇ及びトルエン２５９５ｇを
含む光導電性組成物を使用したことを除いては、実施例
１１と同じ方法で隔壁を形成した。
ブテン−３−イン２５ｇ、２、４−ジニトロアニリン
２．５ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、ポリスチレンと
ポリブタジエンの混合物（１：１重量比）２５０ｇ、シ
リコンシラ１００ ０．１ｇ及びトルエン２５９５ｇを
含む光導電性組成物を使用したことを除いては、実施例
１１と同じ方法で隔壁を形成した。
【００９８】＜実施例１７＞１−フェニル−４−パラ−
アニシル−１−ブテン−３−イン２７ｇ、２、４−ジニ
トロアニリン２．５ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、ポ
リスチレンとポリブタジエンの混合物（１：１重量比）
２５０ｇ、シリコンシラ１００ ０．１ｇ及びトルエン
２５９５ｇを含む光導電性組成物を使用したことを除い
ては、実施例１１と同じ方法で隔壁を形成した。
アニシル−１−ブテン−３−イン２７ｇ、２、４−ジニ
トロアニリン２．５ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、ポ
リスチレンとポリブタジエンの混合物（１：１重量比）
２５０ｇ、シリコンシラ１００ ０．１ｇ及びトルエン
２５９５ｇを含む光導電性組成物を使用したことを除い
ては、実施例１１と同じ方法で隔壁を形成した。
【００９９】＜実施例１８＞１−フェニル−４−アニリ
ノフェニル−１−ブテン−３−イン２７ｇ、２、４−ジ
ニトロアニリン２．５ｇ、トリフェニルアミン３０ｇ、
ポリスチレンとポリブタジエンの混合物（１：１重量
比）２５０ｇ、プルロニクＰ−８４ ０．１ｇ及びトル
エン／１、２−ジクロロエタン（２：１体積比）２５９
５ｇを含む光導電性組成物を使用したことを除いては、
実施例１１と同じ方法で隔壁を形成した。
ノフェニル−１−ブテン−３−イン２７ｇ、２、４−ジ
ニトロアニリン２．５ｇ、トリフェニルアミン３０ｇ、
ポリスチレンとポリブタジエンの混合物（１：１重量
比）２５０ｇ、プルロニクＰ−８４ ０．１ｇ及びトル
エン／１、２−ジクロロエタン（２：１体積比）２５９
５ｇを含む光導電性組成物を使用したことを除いては、
実施例１１と同じ方法で隔壁を形成した。
【０１００】＜実施例１９＞１、４−ジフェニル−１−
ブテン−３−イン２５ｇ、５−ニトロアントラニロニト
リル３ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、スチレン−ブタ
ジエン共重合体とポリブタジエンの混合物（１：１重量
比）２６０ｇ、シリコンシラ１００ ０．１ｇ及びトル
エン２５９５ｇを含む光導電性組成物を使用したことを
除いては、実施例１１と同じ方法で隔壁を形成した。
ブテン−３−イン２５ｇ、５−ニトロアントラニロニト
リル３ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、スチレン−ブタ
ジエン共重合体とポリブタジエンの混合物（１：１重量
比）２６０ｇ、シリコンシラ１００ ０．１ｇ及びトル
エン２５９５ｇを含む光導電性組成物を使用したことを
除いては、実施例１１と同じ方法で隔壁を形成した。
【０１０１】＜実施例２０＞１−フェニル−４−パラ−
アニシル−１−ブテン−３−イン２５ｇ、５−ニトロア
ントラニロニトリル３ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、
スチレン−ブタジエン共重合体とポリブタジエンの混合
物（１：１混合物）２６０ｇ、シリコンシラ１００
０．１ｇ及びトルエン２５９５ｇを含む光導電性組成物
を使用したことを除いては、実施例１１と同じ方法で隔
壁を形成した。
アニシル−１−ブテン−３−イン２５ｇ、５−ニトロア
ントラニロニトリル３ｇ、トリフェニルアミン２５ｇ、
スチレン−ブタジエン共重合体とポリブタジエンの混合
物（１：１混合物）２６０ｇ、シリコンシラ１００
０．１ｇ及びトルエン２５９５ｇを含む光導電性組成物
を使用したことを除いては、実施例１１と同じ方法で隔
壁を形成した。
【０１０２】＜比較例１＞ポリスチレン３００ｇ、テト
ラフェニルブタトリエン５０ｇ、２、４、７−トリニト
ロ−９−フルオレノン２．５ｇ、シリコンシラ１００
０．１５ｇ及びトルエン２６４８ｇを含む光導電性組成
物を使用したことを除いては、実施例１と同じ方法で蛍
光膜を完成した。
ラフェニルブタトリエン５０ｇ、２、４、７−トリニト
ロ−９−フルオレノン２．５ｇ、シリコンシラ１００
０．１５ｇ及びトルエン２６４８ｇを含む光導電性組成
物を使用したことを除いては、実施例１と同じ方法で蛍
光膜を完成した。
【０１０３】＜比較例２＞ポリスチレン３００ｇ、テト
ラフェニルブタトリエン５０ｇ、２、４、７−トリニト
ロ−９−フルオレノン２．５ｇ、シリコンシラ１００
０．１５ｇ及びトルエン２６４８ｇを含む光導電性組成
物を使用したことを除いては、実施例１１と同じ方法で
隔壁を形成した。
ラフェニルブタトリエン５０ｇ、２、４、７−トリニト
ロ−９−フルオレノン２．５ｇ、シリコンシラ１００
０．１５ｇ及びトルエン２６４８ｇを含む光導電性組成
物を使用したことを除いては、実施例１１と同じ方法で
隔壁を形成した。
【０１０４】実施例１〜２０及び比較例１〜２による光
導電性組成物を陰極線管パネルの内面及びプラズマ表示
装置の背面基板の上部にコーティングして焼成させた
後、その結果を観察した。
導電性組成物を陰極線管パネルの内面及びプラズマ表示
装置の背面基板の上部にコーティングして焼成させた
後、その結果を観察した。
【０１０５】その結果、比較例１〜２の場合には焼成後
に肉眼で観察しうる程度で残留物が多かった。これに対
し、実施例１〜２０の場合には残留物がほとんどなく、
帯電と露光を反復した時の残留電位も３０Ｖ以下であっ
た。
に肉眼で観察しうる程度で残留物が多かった。これに対
し、実施例１〜２０の場合には残留物がほとんどなく、
帯電と露光を反復した時の残留電位も３０Ｖ以下であっ
た。
【０１０６】特に、結合剤としてポリブタジエンとポリ
スチレンとの混合物を使用する場合（実施例６〜８及び
１６〜１８）またはポリブタジエンとスチレン−ブタジ
エンとの共重合体の混合物を使用する場合（実施例９〜
１０及び１９〜２０）には、焼成後結合剤から生じる残
留物がほとんど無いことを確認しうる。
スチレンとの混合物を使用する場合（実施例６〜８及び
１６〜１８）またはポリブタジエンとスチレン−ブタジ
エンとの共重合体の混合物を使用する場合（実施例９〜
１０及び１９〜２０）には、焼成後結合剤から生じる残
留物がほとんど無いことを確認しうる。
【０１０７】
【発明の効果】本発明によれば、次のような効果が得ら
れる。
れる。
【０１０８】本発明の電子供与体の１、４−ジフェニル
−１−ブテン−３−イン誘導体は感度及び熱分解性に優
れる。従って、焼成後残留物がほとんどなくて残留物に
よる陰極線管、プラズマ表示装置などの表示素子の画像
品質の劣化を効率よく抑制しうる。特に、結合剤がポリ
ブタジエンを必須構成成分として含んでいる場合には熱
分解性に優れ、焼成後の結合剤から生じる残留物がほと
んどない。
−１−ブテン−３−イン誘導体は感度及び熱分解性に優
れる。従って、焼成後残留物がほとんどなくて残留物に
よる陰極線管、プラズマ表示装置などの表示素子の画像
品質の劣化を効率よく抑制しうる。特に、結合剤がポリ
ブタジエンを必須構成成分として含んでいる場合には熱
分解性に優れ、焼成後の結合剤から生じる残留物がほと
んどない。
【０１０９】また、本発明による組成物を構成する各成
分は合成しやすく、かつ容易に購入できるので、比較的
安価で組成物を製造しうる。
分は合成しやすく、かつ容易に購入できるので、比較的
安価で組成物を製造しうる。
【図１】従来のプラズマ表示装置の概略的な分解斜視図
である。
である。
【図２】本発明の光導電性組成物を使用する一実施例で
あって、電子写真的な方法によってプラズマディスプレ
ー装置の隔壁を製造する過程を示す断面図である。
あって、電子写真的な方法によってプラズマディスプレ
ー装置の隔壁を製造する過程を示す断面図である。
【図３】本発明の光導電性組成物を使用する一実施例で
あって、電子写真的な方法によってプラズマディスプレ
ー装置の隔壁を製造する過程を示す断面図である。
あって、電子写真的な方法によってプラズマディスプレ
ー装置の隔壁を製造する過程を示す断面図である。
【図４】本発明の光導電性組成物を使用する一実施例で
あって、電子写真的な方法によってプラズマディスプレ
ー装置の隔壁を製造する過程を示す断面図である。
あって、電子写真的な方法によってプラズマディスプレ
ー装置の隔壁を製造する過程を示す断面図である。
【図５】本発明の光導電性組成物を使用する一実施例で
あって、電子写真的な方法によってプラズマディスプレ
ー装置の隔壁を製造する過程を示す断面図である。
あって、電子写真的な方法によってプラズマディスプレ
ー装置の隔壁を製造する過程を示す断面図である。
【図６】本発明の光導電性組成物を使用する一実施例で
あって、電子写真的な方法によってプラズマディスプレ
ー装置の隔壁を製造する過程を示す断面図である。
あって、電子写真的な方法によってプラズマディスプレ
ー装置の隔壁を製造する過程を示す断面図である。
２１…背面基板 ２２…アドレス電極 ２３…誘電膜 ２４…導電膜 ２５…光導電膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｃ０９Ｄ 125/02 Ｃ０９Ｄ 125/02 133/04 133/04 169/00 169/00 201/00 201/00 Ｈ０１Ｂ 1/12 Ｈ０１Ｂ 1/12 Ｚ Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｈ０１Ｊ 9/02 Ｆ
Claims (28)
- 【請求項１】 電子供与体、電子受容体、電荷移動物
質、結合剤、界面活性剤及び溶媒を含む光導電性組成物
において、 前記電子供与体が化学式１の１、４−ジフェニル−１−
ブテン−３−イン誘導体であることを特徴とする光導電
性組成物： 【化１】 前記式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 、Ｘ4 、Ｘ5 、Ｙ1 、
Ｙ2 、Ｙ3 、Ｙ4 及びＹ5は、お互い独立に水素、アル
キル基、フェニル基、ニトロ基、ＮＲ2 基、ＯＲ基及び
ＳｉＲ3 基よりなる群から選択される（ただし、Ｒは水
素、アルキル基及びフェニル基よりなる群から選択され
るいずれか１種である）。 - 【請求項２】 前記電子受容体が４−ニトロアニリン、
２、４−ジニトロアニリン、５−ニトロアントラニロニ
トリル、２、４−ジニトロジフェニルアミン、１、５−
ジニトロナフタレン、４−ニトロビフェニル、９、１０
−ジシアノアントラセン及び３、５−ジニトロベンゾニ
トリルよりなる群から選ばれる少なくとも一つであるこ
とを特徴とする請求項１に記載の光導電性組成物。 - 【請求項３】 前記結合剤がポリスチレン、スチレン−
ブタジエン共重合体、ポリメチルメタクリレート、ポリ
アルファメチルスチレン、スチレン−メチルメタクリレ
ート共重合体、ポリブタジエン、ポリカーボネイト及び
その誘導体よりなる群から選ばれる少なくとも一つであ
ることを特徴とする請求項１に記載の光導電性組成物。 - 【請求項４】 前記結合剤がポリブタジエンを必須構成
成分とし、ここにポリスチレン、スチレン−ブタジエン
共重合体、ポリメチルメタクリレート、ポリアルファメ
チルスチレン、スチレン−メチルメタクリレート共重合
体、ポリカーボネイト及びその誘導体よりなる群から選
択された少なくとも一つが添加された混合物であること
を特徴とする請求項１に記載の光導電性組成物。 - 【請求項５】 前記電子供与体の含有量が光導電性組成
物の総重量を基準として０．５乃至５重量％であること
を特徴とする請求項１に記載の光導電性組成物。 - 【請求項６】 前記電子受容体の含有量が光導電性組成
物の総重量を基準として０．０５乃至０．５重量％であ
ることを特徴とする請求項１に記載の光導電性組成物。 - 【請求項７】 前記電荷移動物質の含有量が光導電性組
成物の総重量を基準として０．５乃至５重量％であるこ
とを特徴とする請求項１に記載の光導電性組成物。 - 【請求項８】 前記結合剤の含有量が光導電性組成物の
総重量を基準として５乃至１５重量％であることを特徴
とする請求項１に記載の光導電性組成物。 - 【請求項９】 前記界面活性剤の含有量が光導電性組成
物の総重量を基準として０．００１乃至０．０１重量％
であることを特徴とする請求項１に記載の光導電性組成
物。 - 【請求項１０】 導電膜、光導電膜及び蛍光膜が順次形
成されたフェースプレート及び前記フェースプレートと
連結されており、電子銃と偏向ヨークが備えられている
ファンネルより構成された陰極線管用バルブにおいて、 前記光導電膜が化学式１の電子供与体、電子受容体、電
荷移動物質、結合剤、界面活性剤及び溶媒を含む光導電
性組成物を塗布及び乾燥してなるものであることを特徴
とする陰極線管用バルブ： 【化２】 前記式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 、Ｘ4 、Ｘ5 、Ｙ1 、
Ｙ2 、Ｙ3 、Ｙ4 及びＹ5は、お互い独立に水素、アル
キル基、フェニル基、ニトロ基、ＮＲ2 基、ＯＲ基及び
ＳｉＲ3 基よりなる群から選択される（ただし、Ｒは水
素、アルキル基及びフェニル基の中で選択される）。 - 【請求項１１】 前記電子受容体が４−ニトロアニリ
ン、２、４−ジニトロアニリン、５−ニトロアントラニ
ロニトリル、２、４−ジニトロジフェニルアミン、１、
５−ジニトロナフタレン、４−ニトロビフェニル、９、
１０−ジシアノアントラセン及び３、５−ジニトロベン
ゾニトリルよりなる群から選ばれる少なくとも一つであ
ることを特徴とする請求項１０に記載の陰極線管用バル
ブ。 - 【請求項１２】 前記結合剤がポリスチレン、スチレン
−ブタジエン共重合体、ポリメチルメタクリレート、ポ
リアルファメチルスチレン、スチレン−メチルメタクリ
レート共重合体、ポリブタジエン、ポリカーボネイト及
びその誘導体よりなる群から選ばれる少なくとも一つで
あることを特徴とする請求項１０に記載の陰極線管用バ
ルブ。 - 【請求項１３】 前記結合剤がポリブタジエンを必須構
成成分とし、ここにポリスチレン、スチレン−ブタジエ
ン共重合体、ポリメチルメタクリレート、ポリアルファ
メチルスチレン、スチレン−メチルメタクリレート共重
合体、ポリカーボネイト及びその誘導体よりなる群から
選択された少なくとも一つが添加された混合物であるこ
とを特徴とする請求項１０に記載の陰極線管用バルブ。 - 【請求項１４】 前記電子供与体の含有量が光導電性組
成物の総重量を基準として０．５乃至５重量％であるこ
とを特徴とする請求項１０に記載の陰極線管用バルブ。 - 【請求項１５】 前記電子受容体の含有量が光導電性組
成物の総重量を基準として０．０５乃至０．５重量％で
あることを特徴とする請求項１０に記載の陰極線管用バ
ルブ。 - 【請求項１６】 前記電荷移動物質の含有量が光導電性
組成物の総重量を基準として０．５乃至５重量％である
ことを特徴とする請求項１０に記載の陰極線管用バル
ブ。 - 【請求項１７】 前記結合剤の含有量が光導電性組成物
の総重量を基準として５乃至１５重量％であることを特
徴とする請求項１０に記載の陰極線管用バルブ。 - 【請求項１８】 前記界面活性剤の含有量が光導電性組
成物の総重量を基準として０．００１乃至０．０１重量
％であることを特徴とする請求項１０に記載の陰極線管
用バルブ。 - 【請求項１９】 電極、誘電膜、導電膜、光導電膜及び
隔壁が順次積層された基板部材を具備しているプラズマ
表示装置において、 前記光導電膜が化学式１の電子供与体、電子受容体、電
荷移動物質、結合剤、界面活性剤及び溶媒を含む光導電
性組成物を塗布及び乾燥してなるものであることを特徴
とする陰極線管用表示装置： 【化３】 前記式中、Ｘ1 、Ｘ2 、Ｘ3 、Ｘ4 、Ｘ5 、Ｙ1 、
Ｙ2 、Ｙ3 、Ｙ4 及びＹ5は、お互い独立に水素、アル
キル基、フェニル基、ニトロ基、ＮＲ2 基、ＯＲ基及び
ＳｉＲ3 基よりなる群から選択される（ただし、Ｒは水
素、アルキル基及びフェニル基よりなる群から選ばれる
少なくとも１種である）。 - 【請求項２０】 前記電子受容体が４−ニトロアニリ
ン、２、４−ジニトロアニリン、５−ニトロアントラニ
ロニトリル、２、４−ジニトロジフェニルアミン、１、
５−ジニトロナフタレン、４−ニトロビフェニル、９、
１０−ジシアノアントラセン及び３、５−ジニトロベン
ゾニトリルよりなる群から選ばれる少なくとも一つであ
ることを特徴とする請求項１９に記載のプラズマ表示装
置。 - 【請求項２１】 前記結合剤がポリスチレン、スチレン
−ブタジエン共重合体、ポリメチルメタクリレート、ポ
リアルファメチルスチレン、スチレン−メチルメタクリ
レート共重合体、ポリブタジエン、ポリカーボネイト及
びその誘導体よりなる群から選ばれる少なくとも一つで
あることを特徴とする請求項１９に記載のプラズマ表示
装置。 - 【請求項２２】 前記結合剤がポリブタジエンを必須構
成成分とし、ここにポリスチレン、スチレン−ブタジエ
ン共重合体、ポリメチルメタクリレート、ポリアルファ
メチルスチレン、スチレン−メチルメタクリレート共重
合体、ポリカーボネイト及びその誘導体よりなる群から
選択された少なくとも一つが添加された混合物であるこ
とを特徴とする請求項１９に記載のプラズマ表示装置。 - 【請求項２３】 前記電子供与体の含有量が光導電性組
成物の総重量を基準として０．５乃至５重量％であるこ
とを特徴とする請求項１９に記載のプラズマ表示装置。 - 【請求項２４】 前記電子受容体の含有量が光導電性組
成物の総重量を基準として０．０５乃至０．５重量％で
あることを特徴とする請求項１９に記載のプラズマ表示
装置。 - 【請求項２５】 前記電荷移動物質の含有量が光導電性
組成物の総重量を基準として０．５乃至５重量％である
ことを特徴とする請求項１９に記載のプラズマ表示装
置。 - 【請求項２６】 前記結合剤の含有量が光導電性組成物
の総重量を基準として５乃至１５重量％であることを特
徴とする請求項１９に記載のプラズマ表示装置。 - 【請求項２７】 前記界面活性剤の含有量が光導電性組
成物の総重量を基準として０．００１乃至０．０１重量
％であることを特徴とする請求項１９に記載のプラズマ
表示装置。 - 【請求項２８】 請求項１乃至請求項９のいずれか一つ
による光導電性組成物より形成された光導電膜を採用し
ていることを特徴とする表示素子。
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR19970023655 | 1997-06-09 | ||
| KR1019970072030A KR100255672B1 (ko) | 1997-06-09 | 1997-12-22 | 광도전성 조성물 및 이로부터 형성된 광도전막을 채용한 표시소자 |
| KR97P23655 | 1997-12-22 | ||
| KR97P72030 | 1997-12-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1149968A true JPH1149968A (ja) | 1999-02-23 |
| JP2897985B2 JP2897985B2 (ja) | 1999-05-31 |
Family
ID=26632821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10160883A Expired - Lifetime JP2897985B2 (ja) | 1997-06-09 | 1998-06-09 | 光導電性組成物及びこれより形成された光導電膜を採用した表示素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US5989766A (ja) |
| JP (1) | JP2897985B2 (ja) |
| KR (1) | KR100255672B1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005317923A (ja) * | 2004-04-29 | 2005-11-10 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機アクセプタ膜を備えた有機薄膜トランジスタ |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6756605B1 (en) * | 1999-09-20 | 2004-06-29 | Yale University | Molecular scale electronic devices |
| US6597412B1 (en) * | 1999-04-28 | 2003-07-22 | Tektronix, Inc. | Liquid crystal display device employing fiber spacers |
| JP2000330302A (ja) * | 1999-05-21 | 2000-11-30 | Kyocera Mita Corp | 正帯電単層型電子写真感光体 |
| US6700555B1 (en) * | 2001-08-07 | 2004-03-02 | Rockwell Collins | Optically addressed direct view photo-luminescent display |
| KR100527194B1 (ko) * | 2003-06-24 | 2005-11-08 | 삼성에스디아이 주식회사 | 도핑된 정공수송층 및/또는 정공주입층을 갖는유기전계발광소자 |
| US20070009821A1 (en) * | 2005-07-08 | 2007-01-11 | Charlotte Cutler | Devices containing multi-bit data |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3512966A (en) * | 1965-07-26 | 1970-05-19 | Ibm | Process of electrophotographic recording employing persistent organic photoconductive compositions |
| US3408189A (en) * | 1966-10-27 | 1968-10-29 | Xerox Corp | Electrophotographic plate and process employing photoconductive charge transfer complexes |
| US3772011A (en) * | 1971-11-04 | 1973-11-13 | Eastman Kodak Co | Print-out elements and methods using photoconductors and polygnes |
| US3879201A (en) * | 1972-12-18 | 1975-04-22 | Xerox Corp | Persistent photoconductive compositions |
| NL167779C (nl) * | 1973-02-14 | 1982-01-18 | Oce Van Der Grinten Nv | Elektrofotografisch reproduktie-element. |
| DE2737516C3 (de) * | 1976-08-23 | 1981-09-17 | Ricoh Co., Ltd., Tokyo | Elektrophotographisches Aufzeichnungsmaterial |
| US4535042A (en) * | 1983-02-24 | 1985-08-13 | Hiroyuki Kitayama | Electrophotographic photosensitive member with electron donor and acceptor layers |
| JPH02288047A (ja) * | 1989-04-26 | 1990-11-28 | Nec Corp | プラズマディスプレイ及びその駆動方法 |
| JPH0337939A (ja) * | 1989-07-05 | 1991-02-19 | Hitachi Ltd | 受光素子及びその動作方法 |
-
1997
- 1997-12-22 KR KR1019970072030A patent/KR100255672B1/ko not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-06-08 US US09/093,058 patent/US5989766A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-06-09 JP JP10160883A patent/JP2897985B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-10-06 US US09/412,982 patent/US6097141A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005317923A (ja) * | 2004-04-29 | 2005-11-10 | Samsung Sdi Co Ltd | 有機アクセプタ膜を備えた有機薄膜トランジスタ |
| US7355198B2 (en) | 2004-04-29 | 2008-04-08 | Samsung Sdi Co., Ltd. | Organic thin film transistor including organic acceptor film |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100255672B1 (ko) | 2000-05-01 |
| US6097141A (en) | 2000-08-01 |
| US5989766A (en) | 1999-11-23 |
| JP2897985B2 (ja) | 1999-05-31 |
| KR19990006305A (ko) | 1999-01-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0380279B1 (en) | Method of electrophotographically manufacturing a luminescent screen assembly for a color cathode-ray tube | |
| CS715589A2 (en) | Method of electrotopographical production of luminescent crt face | |
| US5405722A (en) | Method for combined baking-out and sealing of an electrophotographically processed screen assembly for a cathode-ray tube | |
| JP2897985B2 (ja) | 光導電性組成物及びこれより形成された光導電膜を採用した表示素子 | |
| JP3663224B2 (ja) | 有機光伝導体を使用する陰極線管の電子写真スクリーニング方法 | |
| US5370952A (en) | Organic conductor for an electrophotographic screening process for a CRT | |
| US5827628A (en) | Method of electrographically manufacturing a luminescent screen assembly for a CRT and CRT comprising a luminescent screen assembly manufacturing by the method | |
| KR100243257B1 (ko) | 광도전성 조성물 및 이로부터 형성된 광도전막을 채용한 표시소자 | |
| KR100255670B1 (ko) | 광도전성 조성물 및 이로부터 형성된 광도전막을 채용한 표시소자 | |
| KR100265784B1 (ko) | 광도전성 조성물 및 이로부터 형성된 광도전막을 채용하고 있는표시소자 | |
| US6040097A (en) | Solution for making photoconductive layer and an electrophotographic manufacturing method of the layer in CRT | |
| KR100268725B1 (ko) | 플라즈마디스플레이장치의격벽제조방법및그에의한플라즈마디스플레이장치 | |
| US6090509A (en) | Solution for making photoconductive layers and their electrophotographical manufacturing in CRTs | |
| US6027840A (en) | Solution for making photoconductive layers in CRTS | |
| US6054236A (en) | Solution for making a photoconductive layer and a method of electrophographically manufacturing a luminescent screen assembly for a CRT using the solution | |
| US6180306B1 (en) | Solution for making a photoconductive layer in dry-electrophotographically manufacturing a screen of a CRT and method for dry-electrophotographically manufacturing the screen using the solution | |
| WO1999012179A1 (en) | SOLUTION FOR MAKING A RESIN FILM AND ITS APPLICATION AT SCREENS OF CRTs | |
| KR100232572B1 (ko) | 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조방법 및 이에 사용되는 광전도막 도포용액 | |
| US5843601A (en) | High-luminance-low-temperature mask for CRTS and fabrication of a screen using the mask | |
| CN1221132A (zh) | 光电导组合物和采用其制得光电导层的显示装置 | |
| JPH09194745A (ja) | 光導電性組成物及びこれによる光導電膜を採用した陰極線管バルブ | |
| WO1999012180A1 (en) | SOLUTION FOR MAKING A RESIN FILM AND ITS APPLICATION AT SCREENS OF CRTs | |
| KR980011582A (ko) | 음극선관의 건식 전자사진식 스크린 제조용 광전도막도포용액 및 이를 사용하는 그 스크린 제조방법 | |
| WO1998021741A1 (en) | Dry-powdered, double-coated, b phosphor particles with silica and titanic-coupling for crt screens and their manufacturing |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 19990223 |