JPH11500968A - 研磨パッドの摩擦係数の測定 - Google Patents

研磨パッドの摩擦係数の測定

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JPH11500968A
JPH11500968A JP9522886A JP52288697A JPH11500968A JP H11500968 A JPH11500968 A JP H11500968A JP 9522886 A JP9522886 A JP 9522886A JP 52288697 A JP52288697 A JP 52288697A JP H11500968 A JPH11500968 A JP H11500968A
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Abstract

(57)【要約】 表面摩擦に関連される力を測定することによりパッド調整中のエンドポイントを検出するための、研磨パッド(14)の粗さの測定装置及びその方法。この装置は、研磨パッド表面(14)と接触する底面を有する浮動ヘッド(34)を含む。ブラケット(38)は浮動ヘッド(34)を拘束し、力感知装置が、ブラケット(38)が浮動ヘッド(34)に対して及ぼす拘束力を感知し、摩擦力と関連される前記拘束力を示す信号を出力する。この摩擦力は、パッド(14)の表面粗さに直接関係する。

Description

【発明の詳細な説明】 研磨パッドの摩擦係数の測定 背景技術分野 本発明は一般的には半導体デバイスの製造に関し、より詳細には、パッドの摩 擦係数を利用した化学機械的研磨(CMP)パッド調整プロセスの制御のための 装置及び方法に関する。背景技術 最新の半導体集積回路(IC)の製造プロセスにおいては、直前に形成された 層や構造の上にさまざまな材料の層や構造を形成する必要がある。しかしながら 、従来の技術による形成法はしばしば、処理中のウエハの上面の微細構成を、非 常に不規則な、バンプ、不均一な突起、トラフ、溝及び/又は他の表面不規則性 なものとする。これらの不規則性は、次の層を形成する際に問題を起こす。例え ば、直前に形成された層の上に小規模の寸法を持つフォトリソグラフィ(写真技 術)のパターンをプリント(焼き付け)する場合、非常に浅い深さで焦点を合わ せる必要がある。したがって、平坦で平面的な表面が必要となるが、さもないと 、パターンの一部が焦点があっており、他はあっていないということになる。さ らに、前記の不規則性が個々の主要な処理ステップで平坦化されないと、ウエハ の表面微細構成はさらに不規則になり、したがって、さらなる処理で層が積層さ れるにつれて上記の問題が悪化することになる。ダイスの寸法とその形状によっ て、表面の不規則性が歩留まりや素子の性能を劣化させかねない。その結果、I C構造のある種の平面化、すなわち平滑化が望ましい。事実、最も集積度の高い ICの製造技術は、製造プロセス中の重要なポイントで平面化されたウエハ表面 を形成するなんらかの方法を利用している。 上記の半導体ウエハ平面化ないしは微細構造除去を達成する1つの方法は、化 学機械的研磨(CMP)プロセスである。一般に、CMPプロセスは、制御圧力 下で、回転する研磨プラテンを基準にしてウエハを保持したり回転させたりする ことを含む。研磨プラテンは標準的にはパッドで覆われている。このパッドは、 ウエハを研磨するために、すなわちウエハから異物を除去するために化学的研磨 スラリと共に用いられる。ウエハと接触するパッドの表面は通常は、連続気泡発 泡ポリウレタン(例えば、Rodel IC1000)又は溝付き表面を持つポ リウレタンのシート(例えば、Rodel EX2000)である。いずれの場 合でも、この表面は、研磨プロセスで助けとなるよう、比較的粗い。 一定の期間の後、パッドは、その研磨表面とウエハとの間の相互作用のために 光沢化した状態(glazed)となる。パッドの組織を粗くする原因となるこのよう な表面の特徴はやがて鈍く、さらにサイズ的に縮小する。すなわち圧力下で潰れ る。この結果、ウエハ表面から異物を除去するパッドの能力が劣化する。したが って、パッドは、CMPプロセスにおいて繰り返し可能な異物除去の速度を保証 するために、その粗い表面組織を回復するように定期的に調整しなければならな い。習慣的に、パッドは個々のウエハを処理した後で調整される。 パッドを調整するのに用いられる一般的な装置を、単純化した形態で、図1に 示す。この調整装置10は、パッド14に押し付けられた状態で保持される調整 ヘッド12を有する。パッド14と接している調整ヘッド12の表面は、ダイア モンド・グリット16の層で被覆されている。パッドはプラテン18で支持され ている。パッドの材料は標準的には、調整プロセスの助けとなるように、研磨ス ラリで潤浸されている。プラテン18は通常は、その中心軸22の周りを回転す る。さらに、調整ヘッド12は通常は、その中心軸の周りを回転すると共に、並 進アーム26を介してパッド14の表面全面にわたって並進される。もちろん、 他のタイプや構造の調整装置を用いて、パッドの調整プロセスを実行してもよい 。例えば、調整用のロッド、ブレード、ピンなどを持ったアッセンブリを使用し てもよい。図1に示す調整装置は、例証目的で提示したにすぎない。以下に説明 する本発明の実施態様は、図1の装置での使用に制限されることはなく、いかな るタイプの調整装置に関連して用いてもよい。 連続気泡発泡ポリウレタン構造を持つ上記のタイプの調整パッドは、CMPプ ロセスで使用される前に予調整しなければならないことに注意されたい。実質的 には、パッドの製造で用いられる切削プロセスによってその表面に光沢ないしは つやが生じ、使用に先だって粗面化する必要がある。予調整には、新しいパッド に対して上記のパッド調整プロセスを実行するステップを伴う。 CMPパッドの調整の際に遭遇する特にやっかいな問題は、所望の粗さがパッ ド上でいつ回復されたかを判断する際に起こる。パッドの調整があまりに少なす ぎると、その除去速度は期待値未満となり、パッドの調整があまりに長すぎると 、パッド材料が不必要に除去され、したがってその有効寿命を短縮する。過去に おいては、試行錯誤法を用いて、調整時間の適当な値を決定した。しかしながら 、調整プロセスにつきまとう不正確さのために、そしてパッド材料の化学機械的 特性が用途によって異なるために、同一の粗さが、尺度として時間に頼るだけで は必ずしも達成されるとは限らない。したがって、CMPプロセスの繰り返し可 能性に悪影響が及ぼされる。 したがって、調整プロセス中に、その場で(in-situ)、パッドの粗さをより 正確に測定するCMPパッドの調整用の装置及び方法を提供し、それによって一 貫したパッド性能を保証する必要がある。 概要 本発明は、より高い精度で、パッド調整中に、その場で、CMPパッド表面の 粗さを判断ないしは測定するための新規な装置及び方法を提供することにある。 本発明による装置及び方法は、概して述べるならば、このタスク(仕事)を遂行 するために表面摩擦効果を測定して利用する。この効果は、パッド調整プロセス のエンドポイントの判断に際して有効に利用される。さらに、この表面摩擦効果 は、調整プロセス・パラメータの変更を限定するのを容易にしたりこれらのパラ メータを最適化するのに用いられる。また、この効果は、パッド表面の粗さの不 均一性を測定したり修正措置を講じたりするのにも用いられる。 上記の目的は、その底面が、CMPパッド調整プロセス中の回転しているCM Pパッドの上面と接触しているディスク状の本体を含む装置を使用して遂行され る。ブラケットは、このディスク状本体を、それが回転しているCMPパッドに 沿って運動しないように拘束するために用いられる。力感知装置を用いて、ブラ ケットがディスク状本体に及ぼす拘束力を感知し、この拘束力を示す信号を出力 する。別の装置によって、CMPパッド調整プロセスは、力感知装置の出力信号 が、所定のしきい値を超えたことを示したらいつでも、進行中のCMPパッド調 整プロセスを終了させる。前記の拘束力は、拘束されたディスク状本体の底面と 回転中のCMPパッドの上面の相互作用によって生じた摩擦力を示し、前記の所 定のしきい値は、CMPパッドの上面が所望の表面粗さにまで調整されるといつ でも現れると想定される摩擦力に対応する。しかしながら、ディスク状本体の底 面と回転中のCMPパッドの上面間の摩擦係数の計算用の装置もまた含まれるこ とが望ましい。この装置は、力感知装置からの出力信号を用いてこの摩擦係数を 測定する。この場合、前記所定のしきい値は、CMPパッドの上面が所望の表面 粗さにまで調整されるといつでも現れると想定される摩擦係数に対応する。本装 置はまた、力感知装置からの出力信号を監視するための装置及び、この監視され た出力信号を分析してある所望のCMPパッド調整プロセスの属性が現れたか否 か判断する装置も含むことが望ましい。この所望のプロセス属性が存在しない場 合、あるCMPパッド調整プロセス・パラメータを修正して所望の属性を与える 装置が含まれる。 上記の装置の好ましい態様は、CMPパッドの回転方向に反対向きの内部コー ナーを形成する第1及び第2のアームを持つ直角部分を含むブラケットを有する 。ディスク状本体は内部コーナー内部に配置され、これらのアームによって拘束 される。力感知装置はこの場合、第1と第2のロード・セルを持つ。第1のロー ド・セルは、ディスク状本体の第1の接点と一致する位置でブレケットの第1の アームに取り付けられ、第2のロード・セルは、ディスク状本体の第2の接点と 一致する位置でブラケットの第2のアームに取り付けられる。このブラケットは 、ディスク状本体の中心から見た場合の回転CMPパッドと関連する速度ベクト ルが、ブラケットの内部コーナーにより形成される角度を二分するように配向さ れるのが望ましい。このような配向によって、ブラケットのコーナーの内側のデ ィスク状本体が安定し、各々のロード・セルからの信号が確実に強く且つ低ノイ ズとなる。 ディスク状本体は半導体ウエハを含む浮動ヘッド構造から成り、その一方の側 がこのヘッドの底部を形成することが望ましい。これによって、本装置によって 測定された摩擦力及び摩擦係数が、パッドがこのようなウエハを平坦化するため に用いられるCMPプロセス中で遭遇する摩擦力及び摩擦係数と確実に一致する 。したがって、CMPプロセスで望まれる摩擦係数は、本発明による上記の装置 を用いれば直接に測定可能である。 上記の装置の代替態様には、第1及び第2の張力センサーを持つ力感知装置が 用いられる。これら張力センサーは各々がブラケットに取り付けられ、そこから 延びるフィラメントを持つ。さらに、これらのフィラメントの各々はその遠位の 端部がディスク状本体に取り付けられている。ディスク状本体は、CMPパッド の回転方向において、フィラメントによってブラケットから離隔されている。こ のように、本発明の前の態様のように、ディスク状本体は、回転パッドによって ブラケットに押しつけられるのではなくて、この例ではパッドによってブラケッ トから引き離される。フィラメントは双方共長さが等しく、第1の張力センサー に関連されたフィラメントはディスク状本体の上部にその周辺上の点で取り付け られ、第2の張力センサーに関連されるフィラメントはディスク状本体の上部に 、第1の張力センサーに関連されたフィラメントの取付け点の反対側となる周辺 上の点で取り付けられ、これら2つのフィラメントがその全長にわたって互いに 等間隔で位置されていることが望ましい。この好ましい構成によって、パッドが 回転するに連れてディスク状本体がブラケットの後方で確実に安定する。この例 では、拘束力を示す出力信号は、第1と第2の張力センサーが感知した張力の総 和として表される。 上述した本発明の種々の態様では、パッドの1つの径方向位置に静止状態に保 持されるディスク状本体を用いているが、かならずしもそうする必要はない。本 発明による別の態様では、並進アームが含まれる。このアームはブラケットに取 り付けられ、一般的に径方向においてCMPパッドの表面を横切って、ディスク 状本体と共にそれを移動させるのに用いられる。この並進アームによってブラケ ットは上記の好ましい配向に保持されることが望ましい。さらに、この並進アー ムは、ディスク状本体の周縁がCMPパッドの中心と重ならず、CMPパッドの 外縁を越えて延びないように、ほぼ径方向のディスク状本体の運動を制限するこ とが望ましい。 すでに述べたように、本装置の前述の態様は、いくつかの有効な仕方で使用可 能である。このような方法の1つは、プロセスを終了させ、プロセス・パラメー タを扱うために、化学機械的研磨(CMP)パッドを制御することに関連する。 この方法は、ブラケットによる拘束力の感知ステップ、拘束力を示す信号の出力 ステップ、及びしきい値を超えたことを出力信号が示した時はいつでも進行中の CMPパッド調整プロセスを終了するようにCMPパッド調整装置にさせるステ ップを含む。さらに、この出力信号を監視し、分析して、所望のCMPパッド調 整プロセス属性が現れたか否か判断できる。まだ現れていなければ、少なくとも 1つのCMPパッド調整プロセス・パラメータを修正して、所望のプロセス属性 を生じるようにする。この所望の属性には、CMPパッドがパッド表面の粗さを 増大させるように調整される所望の速度が含まれる。このプロセス・パラメータ には、(i)研磨パッドの回転速度、(ii)調整ヘッドの回転速度、(iii)調 整ヘッドとパッド間の並進速度、(iv)研磨スラリの組成、(v)スラリの使用 量、(vi)調整ヘッドと関連される研磨グリットの寸法、及び、(vii)研磨パ ッドと調整ヘッド間の圧力が含まれる。 別の有効な方法は、CMPパッド調整プロセス中におけるプロセス・パラメー タの変更を限定するステップを含む。この方法は、基準ライン・プロセス・パラ メータのセットを用いて第1のパッドに対して第1の調整プロセスを実行するス テップと、第1の調整プロセス中にパッドの表面粗さを監視し、ある時間にわた って第1のパッドの表面粗さを示す信号を出力するステップと、第1のパッドが 所望の表面粗さを表していることを出力信号が示したら第1の調整プロセスを終 了させるステップと、プロセス・パラメータの修正されたセットを用いて第2の パッドに対して第2の調整プロセスを実行するステップと、第2の調整プロセス 中に第2のパッドと関連される表面粗さを監視し、ある時間にわたってそのパッ ドの表面粗さを示す信号を出力するステップと、第2のパッドが所望の表面粗さ を表していることを出力信号が示したら第2の調整プロセスを終了させるステッ プと、第1のパッドと関連される主力信号を第2のパッドに関連される出力信号 と比較して、プロセス・パラメータの前記修正されたセットが第2の調整プロセ スに対して持つ効果を判断するステップと、を有する。 さらに別の方法は、パッドの調整プロセスを最適化するステップを含む。上記 の方法と同様に、この方法は、基準ライン・プロセス・パラメータのセットを用 いてパッドに対する第1の調整プロセスを実行するステップと、第1の調整プロ セス中にパッドの表面粗さを監視し、ある時間にわたってパッドの表面粗さを示 す信号を出力するステップと、第1の調整プロセスと関連される出力信号を分析 して、ある所望のプロセス属性が現れているか否か判断するステップと、を含む 。しかしながら、この場合、所望のプロセス属性が現れていない場合、基準ライ ン・プロセス・パラメータの少なくとも1つが修正され、プロセス・パラメータ の修正されたセットを作成し、これによって所望のプロセス属性が発生し、後に 続くすべての調整プロセスはこの修正されたプロセス・パラメータのセットを用 いることとなる。 最適化方法はまた、次の実行を待つのではなく、調整プロセス中に実行可能で ある。この場合、プロセス属性は調整プロセス中に監視され、もし所望の属性が 示されていなければ、しかるべきパラメータを修正する。この手順は、パラメー タが修正された後では、最適化プロセスは、パッドが所望の表面粗さを表してい ることを出力信号が示すまで最適化プロセスが繰り返されることを除いて、前記 のものと同等である。所望の表面粗さが表された時点で、調整は終了する。 本発明のさらに別の有効な方法は、パッドの表面粗さの不規則性を検出して補 正するために、ディスク状の本体をパッド表面を横切って並進させる前記の装置 の態様を用いることを含む。この方法は、基準ライン・プロセス・パラメータの セットを用いるパッドに対して調整プロセスを実行するステップを含む。ブラケ ットがディスク状本体に対して及ぼす拘束力は感知され、パッドの表面粗さを示 す。具体的には、この感知ステップは、ブラケット及びディスク状本体を回転中 のCMPパッドの表面を横切って、ブラケット及びディスク状本体の運動が調整 ヘッドの径方向位置を追跡するほぼ径方向に移動させ、次にパッドの表面粗さを 示す信号を発生するステップを含む。周期的に、掃引の間の信号を表す値が記憶 される。これらの記憶された値は、パッド上の特定の放射状の位置の信号値に対 応する。掃引に対するこの記憶された信号値は比較され、記憶されている最高の 信号値と、パッド上の特定の径方向位置の個々に対する記憶されている信号値と の差が計算される。これら計算された差は次に所定のしきい差と比較される。計 算された差がこの所定のしきい差を超える場合に、もし調整ヘッドが、所定のし きい差を超える計算された差を関連する位置に対応するパッド上の径方向位置上 に配置されたら、基準ライン・プロセス・パラメータの内の少なくとも1つは修 正される。この修正されたプロセス・パラメータの意図は、これらの位置の表面 粗さを増大させることである。さらに、このプロセスは繰り返される。しかしな がら、計算された差が所定のしきい値を超えない場合は、記憶された信号値は平 均値ととって、パッドの表面粗さの平均値を示す値となる。この平均信号値は、 パッドの所望の表面粗さの範囲を表す所定の範囲と比較される。もし平均信号値 がこの所定の範囲内に収まらない場合、上記のプロセス全体が継続される。しか し、平均信号値が所定の値を超える場合は、調整プロセスは終了される。 これらの方法のすべてにおいて、表面粗さを示す個々の信号は、ディスク状本 体の底面と個別のパッドの回転上面との相互作用によって生じた摩擦力を表す信 号か、又は、好ましくは、ディスク状本体の底面と個別のパッドの回転上面との 間の摩擦係数を表す信号のいずれかに対応する。 上記の効果や、本発明の他の目的及び長所は、添付の図面に沿っての以下の詳 細な説明から明らかになるであろう。 図面の説明 本発明の特定の特徴、態様及び長所は、以下に続く説明、添付の請求の範囲及 び添付図面を参照すれば、さらに理解されよう。 図1は、従来技術の典型的なCMPパッド調整装置の側面図である。 図2A及び図2Bは共に、直角拘束ブラケットを用いる本発明による摩擦効果 によってCMPパッドの表面粗さを検出するための装置の実施形態の概略図であ り、図2Aはその側面図であり、図2Bは平面部分図である。 図3は、本発明の一実施形態において用いられる浮動ヘッドの断面図である。 図4は、ある時間にわたってプロットされた図2A及び図2Bの実施形態の、 合力信号を表すグラフである。 図5は、CMPパッド調整プロセス・パラメータを最適化し、さらに、得られ た摩擦係数から分るように、所望の表面粗さ範囲に達した場合にプロセスを終了 させるための方法のブロック図である。 図6は、並進アーム構造を含むように変形された図2A及び図2Bの実施形態 の概略図である。 図7は、CMPパッド表面粗さの不均一性を検出して補正し、所望の均一表面 粗さ範囲に達したらプロセスを終了させるための方法のブロック図である。 図8は、湾曲型の拘束ブラケットを用いる本発明による摩擦効果によってCM Pパッドの表面粗さを検出するための装置の一実施形態を示す概略図である。 図9は、つながれた浮動ヘッドを用いる本発明による摩擦効果によってCMP パッドの表面粗さを検出するための装置の一実施形態を示す概略図である。 好ましい実施形態の詳細な説明 本発明の好ましい実施形態を図面を参照にして以下に説明する。 図2A及び図2Bは、浮動ヘッド装置30を用いて、調整を受けている研磨パ ッド14の表面の摩擦係数を測定する本発明の実施形態を示す。この浮動ヘッド 装置30は、調整プロセスの妨害とならないように、調整ヘッド12及び並進ア ーム26の装置からは離れて置かれている。例えば、図2Aは、浮動ヘッド装置 30が、上記の調整ヘッド12及び並進アーム26から見てプラテン18の反対 側に存在するところを示す。 浮動ヘッド装置30は、研磨パッド14上に配置される自由浮動ヘッド32を 有している。このヘッド32は、他のいかなる構造体にも直接的な接続を持たな い。装置30はまた、調整装置のベースないしは台に固定されている直角ブラケ ット34を含む。ブラケット34は、それ自身が回転研磨パッド14に接触しな いようにするのに充分な高さのところでプラテン18の上方に片持ち状態で突出 している。ロード・セル36は、図2Bに示すように、ブラケット・アーム38 及び40によって形成されるコーナーの内側に接触した状態で配置されている場 合、ヘッド32が通常はこれらのブレケット・アームに接触する位置でこれらの ブラケット・アームの各々に取り付けられている。したがって、ロード・セル3 6の位置は、浮動ヘッド32の直径によって異なる。例えば、ロード・セル36 は、直径6インチのヘッドを使用した場合はコーナーから3インチはなれた位置 に、そして、直径8インチのヘッドを用いた場合は4インチ離れた位置にその中 心を置くことが望ましい。ロード・セル36は、自身に印加された力を示す信号 を生じるかぎり適当ないかなる市販のタイプのものでもよい。 ブラケット34のアーム38及び40によって形成される内部コーナーは、浮 動ヘッド32がこのコーナーに対して配置される場合、アーム38に押し付けら れるように、プラテンの回転方向とは反対に向けられていなければならない。言 い替えれば、ブラケット34は、ヘッド32の中心から見た速度ベクトル42が ブラケット・アーム38と40との成す内角を分割するように配向されなければ ならない。上記の角度はいかなる割合(例えば、30°対60°、20°対70 °など)で分割してもよいが、速度ベクトル42が、図2Bに示すように、角度 を二等分する(すなわち、45°対45°)ことが好ましい。二等分することが 好ましい理由は、これによって、ロード・セル36によって感知された力を等し くする傾向があるからである。これによって、セル36の双方が強く且つ低ノイ ズの信号を生じる。さらに、ブラケット34のこの好ましい配向によって、浮動 ヘッド32が安定しやすく、したがって、プラテン18が回転している間も接触 が常に維持される。想像されるように、速度ベクトル42が内部ブラケット角度 を分割し、その分割された角度の殆ど又は殆どすべてが一方のアーム上で隣接す ると、そのアームに関連されるロード・セル36に印加される力はブラケット3 4によってヘッド32に印加されるすべての力のほとんどをなす。したがって、 比較的少ない力が他のアームには印加され、これによって、ヘッド32がこのア ームからなんらかの外力(例えば、振動によって生じる外力)の存在下で引き離 れる危険が生じる。 浮動ヘッド32は、ディスク又はパック形状の本体であり、図3に示すような 構造であることが望ましい。この好ましいヘッド構造体は、本体部分44、キャ リヤ・パッド46、ブランクの半導体ウエハ48及び保持リング50を持つ。本 体部分44はヘッド32の物理的な寸法及び重量のほとんどを成し、しかもヘッ ド32の高さのほとんどを成すので、本体部分44は、ヘッド32がブラケット 34上の上記のロード・セル36と確実に接触するに充分な厚さを持たなければ ならない(図2Bを参照)。キャリヤ・パッド46は、本体部分44とウエハ4 8との間の境界部を形成するために用いられるだけである。キャリヤ・パッド4 6の一方の面は本体部分44の底部に付着し、一方ウエハ48は他方の面に付着 している。キャリヤ・パッド46は、ウエハ48と研磨パッドの表面との間の摩 擦係数を超える摩擦係数をパッド46とウエハ48との間に与える材料からでき ている。これによって、ウエハ48は、研磨パッドが運動しているときに、本体 部分44に対して回転しないようになる。さらに、キャリヤ・パッド46は、ウ エハ48に面する自身の表面と交差するチャネル(溝)を持つことがある。その 場合は、パッド46は、ウエハ48を当該パッド46に接触状態で配置させる以 前に湿される。チャネルと湿気を組み合わせるとその結果、真空力が働き、これ によって、浮動ヘッド構造体が上げられても、ウエハ48はキャリヤ・パッド4 6に対して保持される。最後に、保持リング50を用いて、本体部分44及びキ ャリヤ・パッド46をウエハ48と水平方向に整列するように保持する。このリ ング50が必要とされる理由は、キャリヤ・パッド46とウエハ48との間の摩 擦力及び真空力は、研磨パッドが回転中は、ウエハをしかるべき位置に保持する には充分ではないからである。リング50は上記のヘッドの構成部品を取り囲む ことが好ましいが、ウエハ48の両側を完全にカバーするように下方に延びるこ とは許されない。このようにして、ウエハ48の一部は、ウエハ48の外部フェ ースが、保持リング50に妨げられることなく研磨パッドと接触できるようにリ ング50の下に突出する。ウエハ48は、研磨パッドがこのようなウエハを平面 化するために用いられるCMPプロセスに存在する条件を模擬するために、研磨 パッドと浮動ヘッドとの間のインタフェースとして用いられる。このようにして 、浮動ヘッド装置によって測定された摩擦係数(以下にさらに説明する)は、研 磨パッドと、CMPプロセスで平面化されるウエハとの間の摩擦係数と相関する 。今説明したばかりの浮動ヘッド32は、CMP装置で使用される研磨ヘッドの 構造体に対応することに注意されたい。したがって、この既存の構造体が浮動ヘ ッド32として使用可能である。 再度、図2A及び図2Bを参照すると、パッドの調整中、プラテン18は回転 され、自由浮動ヘッド32は、研磨パッド14とヘッド32との間の摩擦によっ て、ロード・セル36に対して押し付けられる。その結果、各ロード・セルは力 を感知し、その感知した力を示す信号を発する。ブラケット34が前述の好まし い配向で配置されている場合、ブラケットがヘッドに対して合力は概ね次の通り である。 FR=0.707(Fx+FY) (1) ここで、FRは合力、Fxはブラケット・アーム38に関連する力、FYはブラケ ット・アーム40に関連する力である。好ましくは、プロセッサ52がこの合力 の計算に用いられる。研磨パッド14が調整されるに連れて、パッドの表面はよ り粗くなり、したがって、浮動ヘッド32とパッド14間の摩擦は増大する。こ れによって、図4に示すように、ロード・セル36の出力から決められる合力が 徐々に増大する。図4のグラフは、ある時間にわたる合力を示す信号の電圧の変 化を示すものであって、プラテンが回転するに連れて研磨パッド上の1点から次 の点への摩擦の小変動によって引き起こされると考えられるサイクリングを平滑 化するためにフィルタリングした後の状態を示している。このグラフは、典型的 な調整プロセスの場合の合力の変化を表す。信号の最初の立ち上がりは、プラテ ンのスピードアップに対応しており、その隣接するレベルの部分は調整ヘッドが パッド上に降下するに先立つ時間間隔を表す。したがって、調整プロセスは約2 0秒で開始され、約70秒間継続していることが分かる。一度調整ヘッドが降下 されると、力は増大しついには約50秒で横ばい状態になる(すなわち30秒で 図示される調整プロセスに達する)。上記のように、力の増大は、調整プロセス が進行するに連れてパッドの表面の粗さが増大するためである。調整プロセスの 末期で力が横ばい状態になるということは、最大表面粗さに達したことを示す。 調整プロセスのこの段階において、パッド材料の除去は続くが、粗さはたいして 得られない。このように材料が過度に除去されることは、パッドの有効寿命が減 少するので好ましくない。したがって、パッド材料が不必要にまで失われる前に (すなわち、図示する場合では調整の約30秒後で)調整プロセスを終了させる ほうが有効である。これは、合力を表す信号の電圧を監視することによって達成 され得るが、この電圧値が予め定められたしきい値(すなわち、図示する場合は 約0.70V)を超えたら、調整プロセスは終了される。このようにして、パッ ド材料の不必要な除去は最小にとどめられる。例えば、図4に示す調整プロセス においては、もしプロセスが約90秒ではなく約50秒で終了すると、40秒間 にわたって不必要な材料が除去されることが避けられる。図示の場合が、エンド ポイントを設定するのに時間に頼る典型的な現行の調整プロセスとすると、本発 明はかなりの処理時間を節約でき、余分の材料が除去される以前にプロセスを終 了させることによって研磨パッドの有効寿命を引き延ばすことが可能であること が明かである。 しかしながら、合力の大きさは浮動ヘッドの重量と結び付いている。したがっ て、合力を測定しそれをしきい値と比較することに依存するシステムは、違う重 量を持つヘッドを用いる場合には再構成しなければならない。この問題は、摩擦 係数を代わりにキー・インジケータとして用いることによって回避することがで きる。研磨パッドとウエハ間の摩擦係数(μ)は実質的に次式で与えられる。 μ=FR/WH (2) ここで、WHは浮動ヘッドの重量である。摩擦係数は、ヘッド重量の増減とは無 関係なパッドの表面粗さのインジケータである。例えば、もしパッド重量が増大 すると、この結果、それに比例して合力も増大する。しかしながら。この2つの 値の比率、すなわち摩擦係数は同一のままである。この結果、調整プロセスをい つ終了させるべきであるかを決定するのに摩擦係数を用いることが好ましい。さ らに、上記のプロセッサは、上記の合力と共に摩擦係数の計算に用い、さらに、 この係数を示す信号を発生することが好ましい。これは、本発明にとっては新規 ではない周知の方法によって実現可能であり、本明細書中ではこれ以上説明を要 しない。 もちろん、上記の摩擦係数の関係式には他にも二次的因数がある。しかしなが ら、それらは大抵の場合、大したものではなく、1つの例外事項を除いては本発 明に関連する用途の場合は無視してよい。既に述べた連続気泡発泡ポリウレタン 級の研磨パッドは、プラテンの回転速度によっては異なった摩擦係数を示す傾向 がある。この変化はパッドのセル中に捉えられたスラリの影響から来ると考えら れる。この現象は、溝付き表面を持つポリウレタンのシートを持つパッドのタイ プの場合には認められない。この溝がスラリの逃げる通路となり、そのためにそ れを因数として消去していると考えられる。このように、摩擦係数はプラテンの 速度が変化しても不変のままである。連続気泡タイプのパッドの場合において摩 擦係数が可変であることの正味効果は、このようなパッドに対する調整プロセス は、CMPプロセスで用いられることが期待されるプラテン速度で実行するのが 望ましいということである。これによって、摩擦係数の測定値が、CMPプロセ スにとって望まれる摩擦係数に確実に対応する。 新しい研磨パッドと半導体ウエハとの間の摩擦係数は約0.4〜0.5である 。この値は、CMPプロセスにとって望ましい開始値であると考えられる。CM Pプロセスが完了した後では、この係数は標準的には0.4〜0.1の範囲内に 降下する。したがって、パッド調整プロセスの目的は、約0.4〜0.5という 望ましい摩擦係数を生じる粗さにまでパッドを回復させることである。この目的 は、摩擦係数を示すプロセッサ信号を監視し、摩擦係数が望ましい範囲内に入っ たことをこの信号が示したら調整プロセスを終了させることによって達成するこ とが可能である。このようにして、不必要なパッド材料の除去及び処理時間が最 小化される。エンドポイントとして用いられる厳密な値はユーザによって決定さ れ、このような要因を、浮動ヘッド装置で使用されるロード・セル及びプロセッ サの感度及び確度として考慮する。 さらに、上記の浮動ヘッド装置30(図2A及び図2Bを参照)は、単なるパ ッド調整エンドポイント検出システムのため以上に利点をもって使用できること を指摘する。例えば、調整ヘッド圧力及びグリット寸法、スラリの特性及び流量 、プラテン及び調整ヘッドの回転速度、調整ヘッド並進速度、さらに使用される 調整装置のタイプなどの調整プロセス・パラメータに対して提案されている変更 は、浮動ヘッド装置30を用いれば限定できる。このような限定は、ある所定の 基準ライン・プロセス・パラメータを用いる、調整プロセス中に浮動ヘッド装置 30が発生した信号を、異なった1つ又は複数のパラメータを用いる調整プロセ スによって発生した信号と比較することによって遂行される。例えば、研磨パッ ドを可能な限り最小の時間で(しかも除去される材料の分量を最小にとどめて) 最大の所定表面粗さにまで調整することが望ましい。このようにして、所望の粗 さを達成するに必要な調整時間を減少させると期待されるプロセス・パラメータ の変 更が実現され、結果得られる浮動ヘッド装置の信号は、前に用いられたパラメー タを使用するプロセスから派生した信号と比較される。上記の浮動ヘッド装置信 号は、最大粗さがいつ達成されたか、どれほど時間がかかったかを示すので、こ の比較によって、提案される変更が所望の効果があったか否かが分かる。1例と しては、調整ヘッドの圧力を増大させて、除去されるパッド材料の分量を最小に とどめて所定の粗さを達成するために必要とされる調整時間が短縮されるか否か 判断してもよい。もちろん、これは1例にすぎない。要点は、浮動ヘッド装置3 0が出力した信号を分析し比較することによって、予測されるすべてのパラメー タの変更の効果、すなわち良い効果を持つか悪い効果を持つかということを迅速 にしかも効率的に評価することが可能である。もし提案されるプロセス・パラメ ータの変更が所望される効果を持てば、この変更は将来の調整プロセスに対して も用いることができる。 さらに、前記の信号はまた、パラメータ変更の未知の効果を限定するためでは なく、調整プロセスを微調整したり、最適化したりするために用いても良い。言 い換えれば、既知の効果を持つパラメータを処理して、プロセスを向上させるこ とができる(もちろん、これらの既知の効果は上記の限定方法で判断され得る) 。例えば、研磨パッドの化学機械的特徴が用途によって変化することが知られて いる。したがって、パッドの使用寿命初期に用いられた調整パラメータは、旧く なったパッドにはもはや最適ではないかも知れない。もし、例えば、所定のパッ ド表面粗さを生じるに必要とされる時間が、「旧い」パッドを調整する時にはゆ っくりすぎると見なされるのであれば、調整速度を増大させることが知られてい るプロセス・パラメータの変更(例えば、ヘッド圧力の増加)は、パッドの後続 の調整に関するプロセスをスピード・アップさせるために実行され得る。また、 前記のプロセッサをこのパラメータ変更を制御するために用いてもよいことを指 摘しておく。このようにして、調整速度が判断され、さらに、調整速度が所定の レベル未満であれば、適切な処理パラメータを操作してこの速度を上げるような フィードバック・ループが形成される。 前記のフィードバック・ループを用いると、調整プロセス中に変更されやすい プロセス・パラメータ(例えば、調整ヘッド圧力、プラテンや調整ヘッドの回転 速度など)の変更は、後続の流れを待つことなく実行され得る。したがって、例 えば、前記のプロセッサは、所定の時間経過にわたる摩擦係数の変化の速度を計 算することによって、パッドが調整されている速度を計算する仕事が与えられて もよい。この速度が予め定められた所望のしきい速度未満である場合、適切なパ ラメータを変更して、速度を増加させる。なお、上記の仕事を実行する能力を持 つ論理回路又はソフトウエア・プログラムが技術上周知である。したがって、本 明細書中では詳細は説明不要である。 調整プロセスの属性制御に関連する上記のフィードバック制御方法を、図5に 概略的に示す。本方法はステップ100から始まるが、このステップでは1セッ トのベースライン・プロセス・パラメータを用いて調整プロセスを始動させる。 このプロセス中では、浮動ヘッド装置信号が分析ステップ102で分析され、所 望のプロセス属性(例えば、調整速度)が現れたか否か判断される。もし現れて いたら、プロセスはこのベースライン・パラメータを用いて継続され、ついには 、前記のエンドポイントが検出され、プロセスが終了される(ステップ104) 。或はまた、プロセス属性が変化し、所望の属性は現れない。所望の属性が現れ ない場合、前記プロセス・パラメータの1つ又は複数が、調整プロセスを所望の 属性の方に御するのに知られた方法で処理される(ステップ106)。次にこの プロセスは、分析ステップ102が連続的に繰り返され、必要に応じてパラメー タがさらに修正されつつ(ステップ106)、継続され、ついにはエンドポイン トが検出され、プロセスは終了する(ステップ104)。 プロセス中のフィードバック制御ループのさらに別の使用方法は、パッドの表 面粗さの不均一性を測定するために、さらに、おそらくは、その測定値が所望の 不均一性の度合いを超える場合は補正措置さえとるために適用される。前述の調 整装置の機械的性質ゆえに、調整済みパッドの表面粗さが隣の点同士間で均一で ない可能性がある。この不均一性は、もし極端であれば、パッドをCMPプロセ スで使用した場合に矛盾した又は不満足な結果となりかねない。調整を受けてい るパッドの不均一性は、浮動ヘッド装置の変形実施形態を用いて測定される。図 6に示すように、この装置は並進アーム54を有するように改良されている。こ のアーム54は浮動ヘッド32及びブラケット・アッセンブリ34’を、パッド 14が回転するに連れてそれを直線的に横切って移動させる。ヘッド32及びブ ラケット34’は、プラテンの速度ベクトルに対する前述の好ましい配向が維持 されるように移動されるのが望ましい。さらに、並進アーム54はヘッド32及 びブラケット34’のアッセンブリを、浮動ヘッド32の周縁がパッド14の中 心に隣接している第1の点とヘッド32の周縁がパッド14の外縁に隣接してい る第2の点との間の直線経路に沿って移動させ、さらに、ヘッド32がパッドの 中心に重なったり、パッド14の縁を超えて突出したりしないようにすることが 望ましい。 図6及び図7を参照すると、調整を受けているパッド14の不均一性を測定す るために上述の変形実施形態を用いた1つの方法によれば、浮動ヘッド32が調 整ヘッド12の動きを模擬するように、パッド14の表面を横切って不動ヘッド 32を移動させる(ステップ200)。言い換えれば、浮動ヘッド32は常に、 調整ヘッド12とほぼ同じ距離だけパッド14の中心から隔たっている。プロセ ッサ52(図2B参照)は、浮動ヘッド32と、パッド14を横切るヘッドの経 路に沿った予め定められた位置にあるパッド14との間の摩擦係数を示す信号値 を定期的に記憶するのに用いられる(ステップ202)。例えば、このような値 は、ヘッド32がその直径に等しい距離を横断する毎に記憶してもよい。浮動ヘ ッド32がパッドを横切って掃引(スイープ)する毎に、プロセッサ54はこの 記憶された値を比較して、パッドのどの領域が記憶されている最高値と比較して より低い摩擦係数を持っているか判断し、この最高値とこの各々の領域のより低 い値との差を計算する(ステップ204)。プロセス中に均一な表面粗さを生じ させる補正措置を取ることが望まれない場合、又は不均一性の度合い(すなわち 、記憶されている摩擦係数値と各々の領域のより低い値との差)がある所望の予 め定められたしきい値を超えない場合、掃引に対する摩擦係数の平均値が計算さ れ(ステップ206)、プロセスのエンドポイントを決定するために、又は、す でに検討したように、プロセス・パラメータを限定/最適化するために用いられ る。しかしながら、もしより均一な表面粗さを生じさせるために補正措置を取る ことが望ましい又はそうする必要があるときは、プロセッサ54は、適切なプロ セス・パラメータを修正して、パッド14と、不均一性しきい値を超えて、直前 の掃 引以来の最高記憶値に匹敵すると判断されたようなパッド14の領域内にあるヘ ッド32との間の摩擦係数を増加させるために用いられる。一方では、最高係数 値を持つ領域及びしきい値を超えない領域は次の掃引中では不変のままとなる( ステップ208)。したがって、次の掃引は補正掃引となる。例えば、調整ヘッ ド12及びその並進アーム26はプロセッサに制御されて、パッド12を横切っ ての調整ヘッド12の次の掃引の間に、調整ヘッド12をして、最高の係数値を 持つ領域に関連摩擦係数を合わせるために追加の調整を必要とするパッド上の位 置で適当な時間にわたって停止させることができる(ステップ208)。もちろ ん、これは1例にすぎない。停止時間以外のプロセス・パラメータもまた修正し て、直前の掃引で最高係数値を持つ領域に適合するために、適当な位置における 摩擦係数(及び表面粗さも)を増大させることができる。例えば、パッド14及 び/又は調整ヘッド12の回転速度を増大させることができる。さらに、調整ヘ ッドの圧力も増大させることが可能である。どのパラメータが用いられようと関 係なく、目的は同一である、すなわち、パッド14の表面の全般にわたって、摩 擦係数が示すような均一な表面粗さを生じさせることである。補正掃引の最後で は、ノーマル調整プロセスが継続され(ステップ210)、上述の均一性監視と 補正のプロセス(ステップ200、202、204、206又は208)が、調 整ヘッド12の次の掃引の時に繰り返される。もし、前述の平均化された摩擦係 数値(ステップ206)を用いて、調整プロセスのエンドポイントを決定すると したら、このプロセスは、その平均値が所望の係数範囲内に収まると終了する( ステップ212)。しかしながら、もし平均値が所望の範囲内に収まらないとき は、調整プロセスは継続される(ステップ210)。再度述べるが、上記のタス ク(仕事)を実行するためのプロセッサによる方法は技術上周知であることに注 意されたい。したがって、これ以上の説明は不要であろう。 図2A〜図2Bに示す装置の複式のロード・セル構成を用いる事によって、浮 動ヘッド32の安定性が保証されている。しかしながら、この構成では、結果生 じる力を2つのロード・セル36の出力から計算する必要があった。図8に、湾 曲型のブラケット56に接続されたただ1つのロード・セル36’を用いる本発 明の別の実施形態を示す。この湾曲型ブラケット56は、次のような条件で形状 及び向きが定められている。即ち、プラテンが回転している場合、プラテンの速 度ベクトル42が、図8に示すように、ヘッド36’に接して引かれた想像線5 8と直角に交差する点において、浮動ヘッド32がブラケット56と接触するよ うな形状と配向になっている。ロード・セル36’はこの点のところでブラケッ ト56に取り付けられている。見れば分かるように、単一のロード・セル36’ によって感知された力は、既述の合力の計算値に等しい。しかしながら、(ロー ド・セル36’を介しての)ブラケット56と浮動ヘッド32との間の単一の接 点のために、セル36’は、外力ないしは反力(振動によって引き起こされたよ うな力)によってセル36’から極めて引き離されやすい。さらに、この単一ロ ード・セルの概念は、掃引ヘッド装置(図6参照)を含む前述の実施形態に対し てはあまり良好な候補ではない。ブラケット56の、それがパッド表面を横切っ て放射状に移行する際の運動によってもたらされたヘッド32に対する摩擦力に よって、ヘッド32はロード・セル36’から移動させられる傾向がある。した がって、この単一ロード・セル実施形態によって浮動ヘッド装置が簡略化される とはいえ、好ましくはない。 本発明による浮動ヘッド装置の前述のすべての実施形態において、浮動ヘッド は、他の構造体にはいかなる仕方でも接続されていない。浮動ヘッドは単に、ヘ ッドとパッド間の摩擦によってブラケットに押し付けられているだけである。本 装置の別の実施形態では、図9に示すようにブラケット構造体60に取り付けら れた浮動ヘッド32を用いている。この代替実施形態では、ヘッド32は、各々 が張力センサー64の一部を形成する2つのランヤード状フィラメント62によ ってブラケット60につながれている。張力センサー64の他の構成部品は、ブ ラケット構造体60に取り付けられている。ブラケット構造体60は、前述の本 発明の実施形態に関連のブラケットと同様に、調整装置の台に固定されており、 パッド14上に、それがパッド14に接触しない程度の高さで片持ち状態で突出 している。2つのフィラメント62は、プラテンが回転するに連れてヘッド36 がブラケット60の後方に進んでいった際、ヘッド36を保持し安定化するよう に用いられる。したがって、浮動ヘッド装置は、プラテンの回転によってもたら されたヘッド36とパッド14間の摩擦によって、フィラメント62内に張力が 発生する。フィラメント62同士間の距離は、ヘッド36のいかなる横方向の運 動も最小にするに充分大きくされている。したがって、フィラメント62はそれ ぞれ、図9に示すように、ヘッド36の上面の、互いに相対する側に取り付けら れるのが望ましい。さらに、フィラメント62の他方の端部は、ヘッド36に取 り付けられる距離と等しい分離距離を置いて、張力センサー64の対応の残余の 部分に取り付けられる。この取付け方法によって、ヘッド36の安定性が最大化 されると考えられる。各張力センサー64は、ヘッド36と回転パッド14間に 生じた摩擦力の一部を感知し、これらの力を示す信号を発生する。この2つの信 号は総和されて、前述の合力を表す合成信号を、好ましくは前述のプロセッサ5 2内で作成する。他のすべての面では、この実施形態は前述の実施形態と同じよ うに作動し、同一の目的のために使用可能である。しかしながら、この代替の浮 動ヘッド装置は、パッド表面を横切って浮動ヘッドを掃引することを含む実施形 態には理想的には適さないと考えられる。掃引運動によって生じた摩擦力は、浮 動ヘッド36を横方向に不安定にして、パッド14の特定の領域の摩擦係数の計 算値に誤差を生じさせかねない。したがって、複式ロード・セル機構を用いる最 初に説明した浮動ヘッド装置30(図2A、図2B参照)が、本発明の掃引ヘッ ドの実施形態(図6参照)に好ましい。 本発明は上述の好ましい実施形態を参照して詳述したが、本発明の変更や修正 が、本発明の真の精神と範囲から逸脱することなくなされ得ることが理解されよ う。例えば、パッドの粗さを検出するための開示された装置及び方法は、いつパ ッドの粗さがある予め定められた値を下回るかを確認するために、CMPプロセ ス中に、その場で用いることができる。次にCMPプロセスを終了させてパッド を調整することができる。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.化学機械的研磨(CMP)パッド調整装置を制御するための装置において、 (a)CMPパッド調整プロセスを受けている回転CMPパッドの上面と接触し ている底面を有するディスク状本体と、 (b)前記ディスク状本体が前記回転CMPパッドと共に動くことを防止するよ う前記ディスク状本体を拘束するためのブラケットと、 (c)前記ディスク状本体に対して前記ブラケットにより及ぼされた拘束力を感 知して、該拘束力を示す信号を出力するための力感知手段と、 (d)前記力感知手段からの前記出力信号が所定のしきい値を超えたことを示し た時、前記CMPパッド調整装置の進行中のCMP調整プロセスを終了させるた めの手段と、 を備える装置。 2.前記拘束力が、前記拘束されたディスク状本体の底面と前記回転CMPパッ ドの上面との相互作用によって生じた摩擦力を示し、前記所定のしきい値が、前 記CMPパッドの上面が所望の表面粗さにまで調整された時はいつでも現れると 想定される摩擦力に対応したものとされている、請求項1に記載の装置。 3.(a)前記ブラケットが、前記CMPパッドの回転方向とは反対向きの内部 コーナーを形成する第1及び第2のアームを有する直角部分を備え、前記ディス ク状本体が前記内部コーナー内に配置され、前記アームによって拘束されており 、 (b)前記力感知手段が第1及び第2のロード・セルを備え、前記第1のロード ・セルが、前記ディスク状本体の第1の接点と一致する位置で前記ブラケットの 前記第1のアームに取り付けられ、前記第2のロード・セルが、前記ディスク状 本体の第2の接点と一致する位置で前記ブラケットの前記第2のアームに取り付 けられている、 請求項1に記載の装置。 4.前記ブラケットは、前記ディスク状本体の中心から見た場合に前記回転CM Pパッドに関連される速度ベクトルが、前記ブラケットの前記内部コーナーによ り形成される角度を二分するよう、配向されている、請求項3に記載の装置。 5.(a)前記力感知手段からの出力信号を用いて、前記ディスク状本体の底面 と前記回転CMPパッドの上面との間の摩擦係数を計算する手段をさらに備え、 (d)前記所定のしきい値が、前記CMPパッドの上面が所望の表面粗さにまで 調整された時はいつでも現れると想定される摩擦係数に対応している、 請求項1に記載の装置。 6.前記ディスク状本体が、半導体ウエハを含む浮動ヘッド構造体を備え、前記 ディスク状本体の底面が前記ウエハの外面に対応することを特徴とする、請求項 5に記載の装置。 7.前記想定される摩擦係数が0.4〜0.5の範囲内にある、請求項6に記載 の装置。 8.(a)前記力感知手段からの出力信号を監視するための監視手段と、 (b)前記監視された出力信号を分析して、所望のCMPパッド調整プロセス属 性が現れたか否かを判断するための分析手段と、 をさらに備える、請求項1に記載の装置。 9.前記所望のプロセス属性が現れていないと前記分析手段が示した時はいつで も、CMPパッド調整プロセス・パラメータを修正して、前記所望のプロセス属 性を生じさせる修正手段をさらに備える、請求項8に記載の装置。 10.前記修正手段が、調整プロセス中に前記プロセス・パラメータを修正する 、請求項9に記載の装置。 11.(a)前記力感知手段が第1及び第2の張力センサーを備え、前記張力セ ンサーの各々が前記ブラケットに取り付けられており、且つ、前記ブラケットか ら延びるフィラメントを有しており、 (b)各フィラメントはその遠位の端部で前記ディスク状本体に取り付けられて おり、前記ディスク状本体が、前記CMPパッドの回転方向において該フィラメ ントによって前記ブラケットから離隔されている、 請求項1に記載の装置。 12.(a)各フィラメントは互いに長さが等しく、 (b)前記第1の張力センサーと関連されている前記フィラメントは前記ディス ク状本体の上部にその周辺上の一点で取り付けられており、前記第2の張力セン サーと関連されている前記フィラメントは前記ディスク状本体の上部に、その周 辺上の一点であって、前記第1の張力センサーと関連されているフィラメントの 前記取付け点の反対側の点で取り付けられており、 (c)前記フィラメントが、その全長にわたって互いに等間隔で置かれている、 請求項11に記載の装置。 13.前記拘束力を示す出力信号が、前記第1と第2の張力センサーによって感 知された張力の総和を表す、請求項11に記載の装置。 14.前記ブラケットを、ひいては前記ディスク状本体を実質的に径方向に前記 CMPパッドの表面を横切って並進させるために、前記ブラケットに接続されて いる並進アームをさらに備える、請求項3に記載の装置。 15.前記ディスク状本体の中心から見た場合に前記回転CMPパッドに関連さ れる速度ベクトルが、前記ブラケットの前記内部コーナーにより形成される角度 を連続的に二分するような配向に、前記ブラケットを前記並進アームが保持する 、請求項14に記載の装置。 16.前記ディスク状本体の周縁が前記CMPパッドの中心に重ならず、且つ、 前記CMPパッドの外縁を超えては延びないように、前記並進アームは前記ディ スク状本体の実質的に径方向の運動を制限している、請求項14に記載の装置。 17.化学機械的研磨(CMP)パッド調整装置を制御する方法において、 (a)CMPパッド調整プロセスを受けている回転CMPパッドの上面と接触し ている底面を有するディスク状本体に及ぼされる拘束力を感知するステップと、 (b)前記拘束力を示す信号を出力するステップと、 (c)所定のしきい値を超えたことを前記出力信号が示した時、前記CMPパッ ド調整装置の進行中のCMPパッド調整を終了させるようにするステップと、 を備える方法。 18.(a)前記出力信号を用いて前記ディスク状本体の前記底面と前記回転C MPパッドの前記上面との間の摩擦係数を計算するステップをさらに備え、 (d)前記所定のしきい値が、前記CMPパッドの上面が所望の表面粗さにまで 調整された時はいつでも現れると想定される摩擦係数に対応している、 請求項17に記載の方法。 19.(a)前記出力信号を監視するステップと、 (b)監視された出力信号を分析して、所望のCMPパッド調整プロセス属性が 現れたか否か判断するステップと、 をさらに備える、請求項17に記載の方法。 20.前記所望の属性は、前記パッド表面粗さを増加させるために前記CMPパ ッドが調整される所望の速度を備える、請求項19に記載の方法。 21.前記所望のプロセス属性が現れていないと前記分析手段が示した時はいつ でも、1セットのCMPパッド調整プロセス・パラメータの内の少なくとも1つ を修正して、前記所望のプロセス属性を生じさせるステップをさらに備える、請 求項19に記載の方法。 22.(a)CMPパッド調整プロセスが、回転可能に且つ並進可能な調整ヘッ ドを、下側の回転プラテン上に配置され研磨スラリで湿潤された研磨パッドに接 した状態で保持するステップを備え、 (b)前記プロセス・パラメータが、(i)前記研磨パッドの回転速度と、(ii )前記調整ヘッドの回転速度と、(iii)前記調整ヘッドと前記パッドとの間の 並進速度と、(iv)前記研磨スラリの組成と、(v)前記スラリの使用量と、( vi)前記調整ヘッドに関連される研磨グリットの寸法と、(vii)前記研磨パッ ドと前記調整ヘッドとの間の圧力と、を備える、 請求項21に記載の方法。 23.化学機械的研磨(CMP)パッド調整プロセスにおけるプロセス・パラメ ータの変更を限定する方法において、 (a)基準ラインとなる1セットのプロセス・パラメータを用いて第1のパッド に対して第1の調整プロセスを実行するステップと; (b)前記第1の調整プロセスの実行中に前記第1のパッドの表面粗さを監視し 、ある時間にわたって前記第1のパッドの前記表面粗さを示す信号を出力するス テップと、 (c)前記第1のパッドが所望の表面粗さを現したことを前記出力信号が示した 時に前記第1の調整プロセスを終了させるステップと、 (d)修正された1セットのプロセス・パラメータを用いて、第2のパッドに対 して第2の調整プロセスを実行するステップと、 (e)前記第2の調整プロセスの実行中に前記第2のパッドに関連される表面粗 さを監視し、ある時間にわたって前記第2のパッドの表面粗さを示す信号を出力 するステップと、 (f)前記第2のパッドが所望の表面粗さを現したことを前記出力信号が示した 時に前記第2の調整プロセスを終了させるステップと、 (g)前記第1のパッドに関連される出力信号を前記第2のパッドに関連される 出力信号と比較して、前記第2の調整プロセスに対して前記修正された1セット のプロセス・パラメータが及ぼす影響を判断するステップと、 を備える方法。 24.前記第1及び第2のパッドの表面粗さをそれぞれ示す信号が、(i)ディ スク状本体がパッド回転方向に移動しないように拘束されている場合において、 前記ディスク状本体の底面と対応の前記パッドの回転上面との相互作用により生 ずる摩擦力を表す信号と、(ii)前記ディスク状本体の底面と対応の前記パッド の回転上面との間の摩擦係数を表す信号とのいずれか一方に対応する、請求項2 3に記載の方法。 25.前記修正された1セットのプロセス・パラメータが前記第2の調整プロセ スに対して及ぼす影響は、パッド表面粗さを増加させるように前記CMPパッド が調整される所望の速度を備える、請求項23に記載の方法。 26.(a)CMPパッド調整プロセスが、回転可能に且つ並進可能な調整ヘッ ドを、下側の回転プラテン上に配置され研磨スラリで湿潤された研磨パッドに接 した状態で保持するステップを備え、 (b)前記基準ラインの1セットのプロセス・パラメータと前記修正された1セ ットのプロセス・パラメータが、(i)前記研磨パッドの回転速度と、(ii)前 記調整ヘッドの回転速度と、(iii)前記調整ヘッドと前記パッドとの間の並進 速度と、(iv)前記研磨スラリの組成と、(v)前記スラリの使用量と、(vi) 前記調整ヘッドに関連される研磨グリットの寸法と、(vii)前記研磨パッドと 前記調整ヘッドとの間の圧力と、の内の少なくとも1つの点において異なる、 請求項23に記載の方法。 27.化学機械的研磨(CMP)パッド調整プロセスを最適化する方法において 、 (a)1セットの基準ライン・プロセス・パラメータを用いてパッドに対して第 1の調整プロセスを実行するステップと、 (b)前記第1の調整プロセス中に前記パッドの表面粗さを監視し、ある時間に わたって前記パッドの表面粗さを示す信号を出力するステップと、 (c)前記第1の調整プロセスに関連される出力信号を分析して、ある所望のプ ロセス属性が現れているか否かを判断するステップと、 (d)前記所望のプロセス属性が現れていない時はいつでも、前記基準ライン・ プロセス・パラメータの内の少なくとも1つを修正して、前記所望のプロセス属 性を生じる修正された1セットのプロセス・パラメータを作成するステップと、 (e)前記修正された1セットのプロセス・パラメータを用いて後続の調整プロ セスを実行するステップと、 を備える方法。 28.前記パッドの表面粗さを示す信号が、(i)ディスク状本体がパッド回転 方向に移動しないように拘束されている場合において、前記ディスク状本体の底 面と前記パッドの回転上面との相互作用により生ずる摩擦力を表す信号と、(ii )前記ディスク状本体の底面と前記パッドの回転上面との間の摩擦係数を表す信 号とのいずれか一方に対応する、請求項27に記載の方法。 29.前記所望のプロセス属性は、前記パッド表面粗さを増加させるために前記 パッドが調整される所望の速度を備える、請求項27に記載の方法。 30.(a)CMPパッド調整プロセスが、回転可能に且つ並進可能な調整ヘッ ドを、下側の回転プラテン上に配置され研磨スラリで湿潤された研磨パッドに接 した状態で保持するステップを備え、 (b)前記基準ライン・プロセス・パラメータと前記修正されたプロセス・パラ メータが、(i)前記研磨パッドの回転速度と、(ii)前記調整ヘッドの回転速 度と、(iii)前記調整ヘッドと前記パッドとの間の並進速度と、(iv)前記研 磨スラリの組成と、(v)前記スラリの使用量と、(vi)前記調整ヘッドに関連 される研磨グリットの寸法と、(vii)前記研磨パッドと前記調整ヘッドとの間 の圧力と、の内の少なくとも1つの点において異なる、 請求項27に記載の方法。 31.化学機械的研磨(CMP)パッド調整プロセスを最適化する方法において 、 (a)1セットの基準ライン・プロセス・パラメータを用いてパッドに対して調 整プロセスを実行するステップと、 (b)前記調整プロセス中に前記パッドの表面粗さを監視し、ある時間にわたっ て前記パッドの表面粗さを示す信号を出力するステップと、 (c)前記調整プロセスに関連される出力信号を分析し、ある所望のプロセス属 性が現れたか否かを判断するステップと、 (d)前記所望のプロセス属性が現れない時はいつでも、前記基準ライン・プロ セス・パラメータの内の少なくとも1つを修正して、前記所望のプロセス属性を 生じる修正された1セットのプロセス・パラメータを作成するステップと、 (e)前記パッドが所望の表面粗さを現したことを前記出力信号が示すまで、前 記ステップ(b)〜(d)を繰り返すステップと、 (f)前記パッドが前記所望の表面粗さを現したことを前記出力信号が示した時 、CMPプロセスを終了させるステップと、 を備える方法。 32.前記パッドの表面粗さを示す信号が、(i)ディスク状本体がパッド回転 方向に移動しないように拘束されている場合において、前記ディスク状本体の底 面と前記パッドの回転上面との相互作用により生ずる摩擦力を表す信号と、(ii )前記ディスク状本体の底面と前記パッドの回転上面との間の摩擦係数を表す信 号とのいずれか一方に対応する、請求項31に記載の方法。 33.前記所望のプロセス属性は、前記パッド表面粗さを増加させるために前記 パッドが調整される所望の速度を備える、請求項31に記載の方法。 34.(a)CMPパッド調整プロセスが、回転可能に且つ並進可能な調整ヘッ ドを、下側の回転プラテン上に配置され研磨スラリで湿潤された研磨パッドに接 した状態で保持するステップを備え、 (b)前記基準ライン・プロセス・パラメータと前記修正されたプロセス・パラ メータが、(i)前記研磨パッドの回転速度と、(ii)前記調整ヘッドの回転速 度と、(iii)前記調整ヘッドと前記パッドとの間の並進速度と、(iv)前記研 磨スラリの組成と、(v)前記スラリの使用量と、(vi)前記調整ヘッドに関連 される研磨グリットの寸法と、(vii)前記研磨パッドと前記調整ヘッドとの間 の圧力と、の内の少なくとも1つの点において異なる、 請求項31に記載の方法。 35.化学機械的研磨(CMP)パッド調整装置を制御する方法において、 (a)1セットの基準ライン・プロセス・パラメータを用いてパッドに対して調 整プロセスを実行するステップであって、前記調整プロセスが、 (a1)下側の回転プラテン上に配置された前記パッドに接した状態で回転 中の調整ヘッドを保持するステップと、 (a2)前記調整ヘッドを径方向に、該パッドの外縁から該パッドの中心に 向かって、そして逆に、連続的に並進させるさせるステップであり、1方向にお ける該パッドを横切っての各並進運動が掃引を形成するステップと、 を有するものであるステップと、 (b)前記回転パッドの上面と接触している底面を有するディスク状本体に対し てブラケットが及ぼす拘束力であって、前記パッドの表面粗さを示す拘束力を感 知するステップであり、前記感知が、 (b1)前記ブラケット及び前記ディスク状本体を、実質的に径方向に、前 記回転CMPパッドの表面を横切って移動させ、前記ブラケット及び前記ディス ク状本体の動きが調整ヘッドの径方向位置を追跡するようになっているステップ と、 (b2)前記パッドの表面粗さを示す信号を発生するステップと、 を有するものであるステップと、 (c)掃引中に信号を現す値を定期的に記憶するステップであり、前記記憶され た値が前記パッド上の特定の径方向位置の信号値に対応するものとなるステップ と、 (d)前記掃引に関して記憶された複数の信号値を比較し、前記パッド上の前記 特定の径方向位置の各々に対する記憶された信号の最高値と、前記記憶された信 号値との差を計算するステップと、 (e)前記計算された差を所定のしきい差と比較するステップと、 (f)差の計算値が前記所定のしきい差を超える場合は、表面粗さを増加させる 修正された1セットのプロセス・パラメータを作成するために、前記所定のしき い差を超える前記計算された差に関連される位置に対応する前記パッド上の径方 向位置上に調整ヘッドが位置される時、次の掃引中に前記基準ライン・プロセス ・パラメータの内の少なくとも1つを修正し、次にステップ(b)〜(e)を繰 り返すステップと、 (g)前記差の計算値が前記所定のしきい値を超えない場合は、前記記憶された 信号値の平均値をとって、前記パッドの平均表面粗さを示す値を発生させるステ ップと、 (h)前記平均信号値を、前記パッドの所望の表面粗さを現す所定の範囲と比較 するステップと、 (i)前記平均化された信号値が前記所定の範囲内に収まらない場合に、ステッ プ(b)〜(h)を繰り返すステップと、 (j)前記平均化された信号値が前記所定値を超える場合に、前記調整プロセス を終了させるステップと、 を備える方法。 36.前記パッドの表面粗さを示す信号が、(i)ディスク状本体がパッド回転 方向に移動しないように拘束されている場合において、前記ディスク状本体の底 面と前記パッドの回転上面との相互作用により生ずる摩擦力を表す信号と、(ii )前記ディスク状本体の底面と前記パッドの回転上面との間の摩擦係数を表す信 号とのいずれか一方に対応する、請求項35に記載の方法。 37.前記基準ライン・プロセス・パラメータと前記修正されたプロセス・パラ メータが、(i)前記研磨パッドの回転速度と、(ii)前記調整ヘッドの回転速 度と、(iii)前記調整ヘッドと前記パッドとの間の並進速度と、(iv)前記研 磨パッドと前記調整ヘッドとの間の圧力と、の内の少なくとも1つの点において 異なる、 請求項35に記載の方法。
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