JPH1086056A - 研磨パッドの管理方法及び装置 - Google Patents
研磨パッドの管理方法及び装置Info
- Publication number
- JPH1086056A JPH1086056A JP26257596A JP26257596A JPH1086056A JP H1086056 A JPH1086056 A JP H1086056A JP 26257596 A JP26257596 A JP 26257596A JP 26257596 A JP26257596 A JP 26257596A JP H1086056 A JPH1086056 A JP H1086056A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing pad
- pad
- thickness
- sensor
- polishing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B53/00—Devices or means for dressing or conditioning abrasive surfaces
- B24B53/017—Devices or means for dressing, cleaning or otherwise conditioning lapping tools
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/005—Control means for lapping machines or devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/02—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent
- B24B49/04—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation according to the instantaneous size and required size of the workpiece acted upon, the measuring or gauging being continuous or intermittent involving measurement of the workpiece at the place of grinding during grinding operation
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B49/00—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation
- B24B49/12—Measuring or gauging equipment for controlling the feed movement of the grinding tool or work; Arrangements of indicating or measuring equipment, e.g. for indicating the start of the grinding operation involving optical means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 研磨パッドの表面精度を高度に管理すること
ができる簡単且つ安価な手段を得る。 【解決手段】 加工前後の研磨パッド３の厚さと表面形
状とを単一のセンサ１９により同時に計測して、加工に
伴う該研磨パッド３の厚さの変化と表面形状の変化とを
求め、それらの変化に基づいて制御手段１３からパッド
再生のための再生信号又はパッド交換のための交換信号
を出力する。
ができる簡単且つ安価な手段を得る。 【解決手段】 加工前後の研磨パッド３の厚さと表面形
状とを単一のセンサ１９により同時に計測して、加工に
伴う該研磨パッド３の厚さの変化と表面形状の変化とを
求め、それらの変化に基づいて制御手段１３からパッド
再生のための再生信号又はパッド交換のための交換信号
を出力する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、平面研磨装置の定
盤に貼着された研磨パッドを管理するための方法及び装
置に関するものである。
盤に貼着された研磨パッドを管理するための方法及び装
置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体ウエハ等を研磨する平面研磨装置
は、一般に、上面に研磨パッドが貼り付けられた定盤
と、研磨すべきウエハを把持するキャリヤとを有してい
て、該キャリヤが回転しながら下降し、保持したウエハ
を、回転する定盤表面の研磨パッドに押し付けて研磨加
工するようになっている。このような研磨プロセスにお
いては、研磨後のウエハの平坦度が非常に重要であり、
ベアウエハの場合には総合的な厚さの変化、層間絶縁膜
や金属膜を有するウエハの場合には、研磨後の残膜の均
一性や段差緩和もしくは平坦性といった指標によって、
研磨後のウエハの平坦度が評価され、これらの指標がベ
アウエハやデバイス用ウエハの歩留まりを決定する重要
な要素となっている。
は、一般に、上面に研磨パッドが貼り付けられた定盤
と、研磨すべきウエハを把持するキャリヤとを有してい
て、該キャリヤが回転しながら下降し、保持したウエハ
を、回転する定盤表面の研磨パッドに押し付けて研磨加
工するようになっている。このような研磨プロセスにお
いては、研磨後のウエハの平坦度が非常に重要であり、
ベアウエハの場合には総合的な厚さの変化、層間絶縁膜
や金属膜を有するウエハの場合には、研磨後の残膜の均
一性や段差緩和もしくは平坦性といった指標によって、
研磨後のウエハの平坦度が評価され、これらの指標がベ
アウエハやデバイス用ウエハの歩留まりを決定する重要
な要素となっている。
【０００３】ところで、研磨加工は加工上の分類から転
写加工と呼ばれており、研磨パッドが貼り付けられた定
盤の平坦度や、研磨パッド表面の平坦度がそのまま、研
磨後のウエハの平坦度として転写される加工である。例
えば、定盤又は研磨パッドが凹面状をしていれば、ウエ
ハは凸面状に研磨され、反対に定盤又は研磨パッドが凸
面状をしていれば、ウエハは凹面状に研磨される。従っ
て、研磨後のウエハの平坦度を高めるためには、定盤と
研磨パッドとの表面精度を高めることが必要であるが、
定盤の表面精度に関しては、低膨張定盤等の試みがなさ
れることによって既に大きな成果が得られていること
や、実際の研磨においてはウエハが定盤上の研磨パッド
と接触して研磨されることなどの理由から、該研磨パッ
ドの表面精度に重大な注意を払うことが必要である。特
に不織布や発泡ウレタン等の比較的硬度の高い研磨パッ
ドの場合は、より高度な精度管理が要求される。
写加工と呼ばれており、研磨パッドが貼り付けられた定
盤の平坦度や、研磨パッド表面の平坦度がそのまま、研
磨後のウエハの平坦度として転写される加工である。例
えば、定盤又は研磨パッドが凹面状をしていれば、ウエ
ハは凸面状に研磨され、反対に定盤又は研磨パッドが凸
面状をしていれば、ウエハは凹面状に研磨される。従っ
て、研磨後のウエハの平坦度を高めるためには、定盤と
研磨パッドとの表面精度を高めることが必要であるが、
定盤の表面精度に関しては、低膨張定盤等の試みがなさ
れることによって既に大きな成果が得られていること
や、実際の研磨においてはウエハが定盤上の研磨パッド
と接触して研磨されることなどの理由から、該研磨パッ
ドの表面精度に重大な注意を払うことが必要である。特
に不織布や発泡ウレタン等の比較的硬度の高い研磨パッ
ドの場合は、より高度な精度管理が要求される。
【０００４】一般に研磨パッドの表面は、ウエハの研磨
プロセスによって摩耗し且つ変形する。このため通常
は、パッドコンディショナ又はドレッサと呼ばれる砥石
状の再生用具を使用して、ある一定のサイクル毎にコン
ディショニングを施して研磨パッドの表面の劣化した層
を削り取ることにより、パッドの表面性状（表面形状及
び表面粗さ）を再生するようにしている。特に、ＣＭＰ
と呼ばれるディバイスウエハの加工プロセスにおいて
は、研磨パッドの表面形状のみならず、表面粗さもその
仕上がりを左右する重要な要素として関心が持たれてい
る。また、当然のことながら研磨パッドは、研磨加工と
コンディショニングとによって逐次摩耗していくため、
その摩耗が一定の限度を越えたところで新たなものと交
換しなければならない。従って、研磨パッドの表面精度
を高度に管理するためには、上述した表面再生の時期や
パッド交換の時期を正確に知ることが必要であり、その
ためには、研磨パッドの表面形状の変化や厚さの変化を
逐次計測することが必要になる。
プロセスによって摩耗し且つ変形する。このため通常
は、パッドコンディショナ又はドレッサと呼ばれる砥石
状の再生用具を使用して、ある一定のサイクル毎にコン
ディショニングを施して研磨パッドの表面の劣化した層
を削り取ることにより、パッドの表面性状（表面形状及
び表面粗さ）を再生するようにしている。特に、ＣＭＰ
と呼ばれるディバイスウエハの加工プロセスにおいて
は、研磨パッドの表面形状のみならず、表面粗さもその
仕上がりを左右する重要な要素として関心が持たれてい
る。また、当然のことながら研磨パッドは、研磨加工と
コンディショニングとによって逐次摩耗していくため、
その摩耗が一定の限度を越えたところで新たなものと交
換しなければならない。従って、研磨パッドの表面精度
を高度に管理するためには、上述した表面再生の時期や
パッド交換の時期を正確に知ることが必要であり、その
ためには、研磨パッドの表面形状の変化や厚さの変化を
逐次計測することが必要になる。
【０００５】しかしながら従来は、研磨パッドの表面形
状の変化と厚さの変化とを同時にしかも簡単且つ安価に
計測することができる手段は提案されていない。例え
ば、特開平８−６１９４９号公報には、２つのセンサを
使用して定盤の表面形状と研磨パッドの表面形状とを同
時に測定する装置について開示されているが、これは、
一方のセンサで定盤の表面形状を測定し、他方のセンサ
で研磨パッドの表面形状を測定するもので、表面形状と
同時に研磨パッドの厚さまでも測定するものではない。
従って、表面再生の時期は知ることができても、パッド
交換の正確な時期は知ることができない。しかも、セン
サを２つ使用しているため、装置が非常に高価になる。
状の変化と厚さの変化とを同時にしかも簡単且つ安価に
計測することができる手段は提案されていない。例え
ば、特開平８−６１９４９号公報には、２つのセンサを
使用して定盤の表面形状と研磨パッドの表面形状とを同
時に測定する装置について開示されているが、これは、
一方のセンサで定盤の表面形状を測定し、他方のセンサ
で研磨パッドの表面形状を測定するもので、表面形状と
同時に研磨パッドの厚さまでも測定するものではない。
従って、表面再生の時期は知ることができても、パッド
交換の正確な時期は知ることができない。しかも、セン
サを２つ使用しているため、装置が非常に高価になる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、研磨
加工に伴う研磨パッドの表面形状の変化と厚さの変化と
を同時に計測することにより、研磨パッドの表面精度を
高度に管理することを可能にした簡単且つ安価な手段を
提供することにある。
加工に伴う研磨パッドの表面形状の変化と厚さの変化と
を同時に計測することにより、研磨パッドの表面精度を
高度に管理することを可能にした簡単且つ安価な手段を
提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明によれば、研磨パッドを貼着する前の定盤の
表面をセンサで半径方向に走査することにより、定盤面
の位置を計測し、この定盤面の位置を研磨パッドの厚さ
計測のための基準面として設定する工程と、上記定盤の
表面に研磨パッドを貼着する工程と、加工前の研磨パッ
ドの表面をセンサで定盤の半径方向に走査することによ
り、パッド面の初期表面形状を計測すると共に、該パッ
ド面の位置から研磨パッドの初期厚さを計測する工程
と、加工後の研磨パッドの表面をセンサで定盤の半径方
向に走査することにより、パッド面の表面形状を計測す
ると共に、研磨パッドの厚さを計測する工程と、計測し
た表面形状及び厚さと上記初期表面形状及び初期厚さと
の比較から加工に伴う表面形状及び厚さの変化を求め、
その変化に基づいて制御手段から表面再生のための再生
信号又はパッド交換のための交換信号を出力する工程と
を有することを特徴とする研磨パッドの管理方法が提供
される。
め、本発明によれば、研磨パッドを貼着する前の定盤の
表面をセンサで半径方向に走査することにより、定盤面
の位置を計測し、この定盤面の位置を研磨パッドの厚さ
計測のための基準面として設定する工程と、上記定盤の
表面に研磨パッドを貼着する工程と、加工前の研磨パッ
ドの表面をセンサで定盤の半径方向に走査することによ
り、パッド面の初期表面形状を計測すると共に、該パッ
ド面の位置から研磨パッドの初期厚さを計測する工程
と、加工後の研磨パッドの表面をセンサで定盤の半径方
向に走査することにより、パッド面の表面形状を計測す
ると共に、研磨パッドの厚さを計測する工程と、計測し
た表面形状及び厚さと上記初期表面形状及び初期厚さと
の比較から加工に伴う表面形状及び厚さの変化を求め、
その変化に基づいて制御手段から表面再生のための再生
信号又はパッド交換のための交換信号を出力する工程と
を有することを特徴とする研磨パッドの管理方法が提供
される。
【０００８】また、本発明によれば、研磨パッドを貼着
した定盤の半径方向の少なくとも一端部に、上記研磨パ
ッドを切除することにより定盤面が露出する露出部を形
成する工程と、加工前後の定盤の表面をセンサで半径方
向に走査することにより、上記露出部における定盤面の
位置とパッド面の位置とから研磨パッドの厚さを計測す
ると共に、該研磨パッドの表面形状を計測する工程と、
加工に伴う研磨パッドの表面形状及び厚さの変化に基づ
いて制御手段からパッド面再生のための再生信号又はパ
ッド交換のための交換信号を出力する工程とを有するこ
とを特徴とする研磨パッドの管理方法が提供される。
した定盤の半径方向の少なくとも一端部に、上記研磨パ
ッドを切除することにより定盤面が露出する露出部を形
成する工程と、加工前後の定盤の表面をセンサで半径方
向に走査することにより、上記露出部における定盤面の
位置とパッド面の位置とから研磨パッドの厚さを計測す
ると共に、該研磨パッドの表面形状を計測する工程と、
加工に伴う研磨パッドの表面形状及び厚さの変化に基づ
いて制御手段からパッド面再生のための再生信号又はパ
ッド交換のための交換信号を出力する工程とを有するこ
とを特徴とする研磨パッドの管理方法が提供される。
【０００９】本発明の管理方法においては、上記センサ
で加工前後の研磨パッドの表面祖度を計測し、この粗度
の変化に応じて制御手段からパッド面再生のための再生
信号を出力する工程を含むことができる。また、本発明
の管理方法においては、制御手段から出力された再生信
号により再生手段で研磨パッドの表面を再生する工程
と、再生工程時に研磨パッドの表面をセンサで定盤の半
径方向に走査することにより、パッド面の表面形状及び
表面粗度を計測する工程と、計測した表面形状及び表面
粗度の少なくとも一方について初期データとの差が一定
の許容限度以下になった時に、上記制御手段から再生終
了信号を出力する工程とを含むことができる。
で加工前後の研磨パッドの表面祖度を計測し、この粗度
の変化に応じて制御手段からパッド面再生のための再生
信号を出力する工程を含むことができる。また、本発明
の管理方法においては、制御手段から出力された再生信
号により再生手段で研磨パッドの表面を再生する工程
と、再生工程時に研磨パッドの表面をセンサで定盤の半
径方向に走査することにより、パッド面の表面形状及び
表面粗度を計測する工程と、計測した表面形状及び表面
粗度の少なくとも一方について初期データとの差が一定
の許容限度以下になった時に、上記制御手段から再生終
了信号を出力する工程とを含むことができる。
【００１０】更に、本発明の管理装置は、定盤の表面位
置と該定盤に貼着した研磨パッドの表面位置とを検出す
ることにより該研磨パッドの厚さを計測すると共に、該
研磨パッドの表面形状を計測する単一のセンサと、上記
センサを定盤の半径方向に移動させるための移動手段
と、上記センサからの計測データにより得られる加工前
後の研磨パッドの表面形状の変化に応じて表面再生のた
めの再生信号を出力する機能、及び加工前後の研磨パッ
ドの厚さの変化に応じてパッド交換のための交換信号を
出力する機能を備えた制御手段とを備えた制御手段とを
有することを特徴とするものである。本発明の管理装置
は、上記制御手段が、再生手段による研磨パッドの再生
時に上記センサで計測した表面形状及び表面粗度の少な
くとも一方について、初期データとの差が一定の許容限
度以下になった時に再生終了信号を出力する機能を有す
ることが望ましい。
置と該定盤に貼着した研磨パッドの表面位置とを検出す
ることにより該研磨パッドの厚さを計測すると共に、該
研磨パッドの表面形状を計測する単一のセンサと、上記
センサを定盤の半径方向に移動させるための移動手段
と、上記センサからの計測データにより得られる加工前
後の研磨パッドの表面形状の変化に応じて表面再生のた
めの再生信号を出力する機能、及び加工前後の研磨パッ
ドの厚さの変化に応じてパッド交換のための交換信号を
出力する機能を備えた制御手段とを備えた制御手段とを
有することを特徴とするものである。本発明の管理装置
は、上記制御手段が、再生手段による研磨パッドの再生
時に上記センサで計測した表面形状及び表面粗度の少な
くとも一方について、初期データとの差が一定の許容限
度以下になった時に再生終了信号を出力する機能を有す
ることが望ましい。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳細に説明する。図１及び図２は本発明
の管理装置を備えた片面研磨装置の要部を概略的に示す
もので、１は機体、２は該機体１に取り付けられてモー
タにより駆動回転自在の定盤、３は該定盤２の表面（定
盤面）２ａに貼り付けられた不織布や発泡ウレタン等か
らなる研磨パッド、４はウエハ５を保持して上記定盤２
に押し付けるためのキャリヤ、６は該キャリヤ４を昇降
自在且つモータにより駆動回転自在なるように支持する
支持部材、７は該支持部材６の移動を案内するレール７
を示し、図示しないローディング位置においてウエハ５
を保持した上記キャリヤ４が、レール７，７に沿って定
盤２の上方まで移動すると、該キャリヤ４が回転しなが
ら下降し、保持したウエハ５を回転する定盤２上の研磨
パッド３に押し付けて研磨加工するように構成されてい
る。
を参照しながら詳細に説明する。図１及び図２は本発明
の管理装置を備えた片面研磨装置の要部を概略的に示す
もので、１は機体、２は該機体１に取り付けられてモー
タにより駆動回転自在の定盤、３は該定盤２の表面（定
盤面）２ａに貼り付けられた不織布や発泡ウレタン等か
らなる研磨パッド、４はウエハ５を保持して上記定盤２
に押し付けるためのキャリヤ、６は該キャリヤ４を昇降
自在且つモータにより駆動回転自在なるように支持する
支持部材、７は該支持部材６の移動を案内するレール７
を示し、図示しないローディング位置においてウエハ５
を保持した上記キャリヤ４が、レール７，７に沿って定
盤２の上方まで移動すると、該キャリヤ４が回転しなが
ら下降し、保持したウエハ５を回転する定盤２上の研磨
パッド３に押し付けて研磨加工するように構成されてい
る。
【００１２】上記研磨装置の機体１には、上記研磨パッ
ド３の表面（パッド面）３ａを再生（コンディショニン
グ）するための再生手段１０と、該研磨パッド３の表面
形状及び厚さを計測するための計測手段１２とが設けら
れており、この計測手段１２は、図３に示すように、制
御手段１３と共に研磨パッド３の管理装置１１を構成す
るものである。上記再生手段１０は、支軸１５ａを中心
に一定角度回動可能なアーム１５の先端に、パッドコン
ディショナ又はドレッサと呼ばれる砥石状の再生用具１
６を駆動回転自在なるように取り付け、これで研磨パッ
ド３の表面の劣化した層を削り取ることにより、該パッ
ド３の表面性状（表面形状及び表面粗さ）を再生するも
ので、上記キャリヤ４によるウエハ５の研磨位置と競合
しない位置に設けられている。
ド３の表面（パッド面）３ａを再生（コンディショニン
グ）するための再生手段１０と、該研磨パッド３の表面
形状及び厚さを計測するための計測手段１２とが設けら
れており、この計測手段１２は、図３に示すように、制
御手段１３と共に研磨パッド３の管理装置１１を構成す
るものである。上記再生手段１０は、支軸１５ａを中心
に一定角度回動可能なアーム１５の先端に、パッドコン
ディショナ又はドレッサと呼ばれる砥石状の再生用具１
６を駆動回転自在なるように取り付け、これで研磨パッ
ド３の表面の劣化した層を削り取ることにより、該パッ
ド３の表面性状（表面形状及び表面粗さ）を再生するも
ので、上記キャリヤ４によるウエハ５の研磨位置と競合
しない位置に設けられている。
【００１３】また、上記計測手段１２は、上記機体１に
２つのキャリヤ４，４の間において定盤２の半径方向に
進退自在且つ昇降自在なるように支持された水平な支持
アーム１８と、この支持アーム１８に定盤２の半径に沿
って移動自在なるように取り付けられた、定盤２及び研
磨パッド３の表面の位置と表面形状及び表面粗度を計測
可能なセンサ１９と、該センサを移動させるための移動
手段２０とを有している。上記センサ１９は、非接触形
のレーザーフォーカス変位計により構成されている。こ
のレーザーフォーカス変位計は、測定対象物にレーザー
ビームを投射してその反射ビームを受光することによ
り、対象物までの距離を測定する方式のもので、このセ
ンサ１９で定盤２の表面を半径方向に走査することによ
り、定盤面又はパッド面の位置と表面形状及び表面粗度
を同時に計測することができる。上記移動手段２０は、
例えばパルスモータとベルトとにより構成され、図示し
ない制御回路でパルスモータを駆動することにより、ベ
ルトでセンサ１９を支持アーム１８に沿って前後動させ
るように構成される。
２つのキャリヤ４，４の間において定盤２の半径方向に
進退自在且つ昇降自在なるように支持された水平な支持
アーム１８と、この支持アーム１８に定盤２の半径に沿
って移動自在なるように取り付けられた、定盤２及び研
磨パッド３の表面の位置と表面形状及び表面粗度を計測
可能なセンサ１９と、該センサを移動させるための移動
手段２０とを有している。上記センサ１９は、非接触形
のレーザーフォーカス変位計により構成されている。こ
のレーザーフォーカス変位計は、測定対象物にレーザー
ビームを投射してその反射ビームを受光することによ
り、対象物までの距離を測定する方式のもので、このセ
ンサ１９で定盤２の表面を半径方向に走査することによ
り、定盤面又はパッド面の位置と表面形状及び表面粗度
を同時に計測することができる。上記移動手段２０は、
例えばパルスモータとベルトとにより構成され、図示し
ない制御回路でパルスモータを駆動することにより、ベ
ルトでセンサ１９を支持アーム１８に沿って前後動させ
るように構成される。
【００１４】上記制御手段１３は、上記センサ１９から
の計測信号を処理し、研磨パッド３の表面再生のための
再生信号と、パッド交換のための交換信号とを出力する
ものである。即ち、上記センサ１９で計測された定盤面
の位置とパッド面の位置とから研磨パッド３の厚さを求
めると共に、加工による厚さの変化を求め、且つパッド
面の表面形状及び表面粗度から加工によるこれらの表面
形状及び表面粗度の変化を求め、それらの変化に基づい
て上記再生信号及び交換信号をディスプレイ装置２１に
出力し、文字や音声として表示するものである。この場
合、上記各計測データをディスプレイ装置２１に連続的
に表示することもできる。
の計測信号を処理し、研磨パッド３の表面再生のための
再生信号と、パッド交換のための交換信号とを出力する
ものである。即ち、上記センサ１９で計測された定盤面
の位置とパッド面の位置とから研磨パッド３の厚さを求
めると共に、加工による厚さの変化を求め、且つパッド
面の表面形状及び表面粗度から加工によるこれらの表面
形状及び表面粗度の変化を求め、それらの変化に基づい
て上記再生信号及び交換信号をディスプレイ装置２１に
出力し、文字や音声として表示するものである。この場
合、上記各計測データをディスプレイ装置２１に連続的
に表示することもできる。
【００１５】次に、上記非接触形のセンサ１９を用いた
管理装置１１による、研磨パッド３の管理方法の第１実
施例について説明する。先ず、研磨加工を行う前の未だ
研磨パッド３が貼着されていない上記定盤２に対し、待
機位置にあった支持アーム１８が該定盤２の半径位置に
前進し、停止している該定盤２の表面をセンサ１９で半
径方向に走査することにより、定盤面２ａの位置が計測
され、この定盤面の位置が、研磨パッド３の厚さ計測の
ための基準面として制御手段１３に設定される。この基
準面の計測は、定盤面２ａの一箇所又は複数箇所におい
て定盤２の半径に沿って行われ、半径上の複数点におい
て得られた計測値の平均値が、その半径位置での基準面
として使用される。
管理装置１１による、研磨パッド３の管理方法の第１実
施例について説明する。先ず、研磨加工を行う前の未だ
研磨パッド３が貼着されていない上記定盤２に対し、待
機位置にあった支持アーム１８が該定盤２の半径位置に
前進し、停止している該定盤２の表面をセンサ１９で半
径方向に走査することにより、定盤面２ａの位置が計測
され、この定盤面の位置が、研磨パッド３の厚さ計測の
ための基準面として制御手段１３に設定される。この基
準面の計測は、定盤面２ａの一箇所又は複数箇所におい
て定盤２の半径に沿って行われ、半径上の複数点におい
て得られた計測値の平均値が、その半径位置での基準面
として使用される。
【００１６】次に、上記定盤２の表面に研磨パッド３が
貼着され、必要に応じて上記再生手段１０による加工前
コンディショニングが施されたあと、図３に示すよう
に、上記基準面を計測した位置と同じ位置において加工
前の研磨パッド３の表面をセンサ１９で定盤２の半径方
向に走査することにより、パッド面３ａの初期表面形状
及び初期表面粗度が計測されると共に、該パッド面の位
置が平均値として計測され、上記基準面に対するパッド
面の位置から研磨パッド３の初期厚さが計測される。上
記研磨パッド３の初期表面形状と初期表面粗度及び初期
厚さが制御手段１３に初期データとして保存されると、
研磨加工が開始される。この研磨加工は、上記キャリヤ
４が図示しないローディング位置でウエハ５を受け取
り、レール７に沿って定盤２上まで移動したあと回転し
ながら下降し、保持したウエハ５を回転する定盤２上の
研磨パッド３に押し付けることにより行われる。
貼着され、必要に応じて上記再生手段１０による加工前
コンディショニングが施されたあと、図３に示すよう
に、上記基準面を計測した位置と同じ位置において加工
前の研磨パッド３の表面をセンサ１９で定盤２の半径方
向に走査することにより、パッド面３ａの初期表面形状
及び初期表面粗度が計測されると共に、該パッド面の位
置が平均値として計測され、上記基準面に対するパッド
面の位置から研磨パッド３の初期厚さが計測される。上
記研磨パッド３の初期表面形状と初期表面粗度及び初期
厚さが制御手段１３に初期データとして保存されると、
研磨加工が開始される。この研磨加工は、上記キャリヤ
４が図示しないローディング位置でウエハ５を受け取
り、レール７に沿って定盤２上まで移動したあと回転し
ながら下降し、保持したウエハ５を回転する定盤２上の
研磨パッド３に押し付けることにより行われる。
【００１７】そして、所要枚数のウエハ５の研磨が終了
すると、決められた回転位置に停止している上記定盤２
に対し、初期データを計測した位置と同じ位置において
研磨パッド３の表面を上記センサ１９で定盤２の半径方
向に走査することにより、加工後のパッド面の表面形状
及び表面粗度が計測されると共に、研磨パッド３の厚さ
が計測される。これらの計測は、予め設定された枚数の
ウエハ５を研磨する毎に行われる。しかし、本発明にお
いて「加工後」とは、「研磨加工開始後」の状態を意味
するものであって、必ずしも特定枚数のウエハを完全に
加工し終えた後のことのみを意味するものではなく、ま
た、定盤が研磨のために回転中であるか、ウエハ交換等
のために停止中であるかも問わない。
すると、決められた回転位置に停止している上記定盤２
に対し、初期データを計測した位置と同じ位置において
研磨パッド３の表面を上記センサ１９で定盤２の半径方
向に走査することにより、加工後のパッド面の表面形状
及び表面粗度が計測されると共に、研磨パッド３の厚さ
が計測される。これらの計測は、予め設定された枚数の
ウエハ５を研磨する毎に行われる。しかし、本発明にお
いて「加工後」とは、「研磨加工開始後」の状態を意味
するものであって、必ずしも特定枚数のウエハを完全に
加工し終えた後のことのみを意味するものではなく、ま
た、定盤が研磨のために回転中であるか、ウエハ交換等
のために停止中であるかも問わない。
【００１８】上記計測データは、制御手段１３において
加工前の初期表面形状、初期表面粗度及び初期厚さとそ
れぞれ比較され、加工に伴うそれらの変化が求められ
る。そして、表面形状及び表面粗度の少なくとも一方に
ついてその変化が一定の許容限度を越えた時に、制御手
段１３からディスプレイ装置２１に表面再生のための再
生信号が出力され、また、厚さの変化が一定の許容限度
を越えた時に、制御手段１３からディスプレイ装置２１
にパッド交換のための交換信号が出力され、それらが該
ディスプレイ装置２１に文字や音声として表示される。
加工前の初期表面形状、初期表面粗度及び初期厚さとそ
れぞれ比較され、加工に伴うそれらの変化が求められ
る。そして、表面形状及び表面粗度の少なくとも一方に
ついてその変化が一定の許容限度を越えた時に、制御手
段１３からディスプレイ装置２１に表面再生のための再
生信号が出力され、また、厚さの変化が一定の許容限度
を越えた時に、制御手段１３からディスプレイ装置２１
にパッド交換のための交換信号が出力され、それらが該
ディスプレイ装置２１に文字や音声として表示される。
【００１９】このとき、上記再生信号を再生手段１０に
出力することにより該再生手段１０を動作させて、パッ
ド面を自動的にコンディショニングするように構成する
こともできる。なお、上記加工前の初期データ及び加工
後の計測データは、上記ディスプレイ装置２１にそのま
ま表示することもできる。
出力することにより該再生手段１０を動作させて、パッ
ド面を自動的にコンディショニングするように構成する
こともできる。なお、上記加工前の初期データ及び加工
後の計測データは、上記ディスプレイ装置２１にそのま
ま表示することもできる。
【００２０】かくして、研磨加工に伴う研磨パッド３の
表面形状及び表面粗度の変化と厚さの変化とを計測して
再生信号及び交換信号を出力することにより、該研磨パ
ッド３の表面精度を高度に管理することができる。しか
も、１つのセンサ１９で上記表面形状と表面粗度及び厚
さを同時に計測するようにしたので、高価なセンサを複
数個使用する従来のものに比べ、精度管理を簡単且つ安
価に行うことができる。
表面形状及び表面粗度の変化と厚さの変化とを計測して
再生信号及び交換信号を出力することにより、該研磨パ
ッド３の表面精度を高度に管理することができる。しか
も、１つのセンサ１９で上記表面形状と表面粗度及び厚
さを同時に計測するようにしたので、高価なセンサを複
数個使用する従来のものに比べ、精度管理を簡単且つ安
価に行うことができる。
【００２１】上記第１実施例では、加工後における研磨
パッド３の表面形状と表面粗度及び厚さの計測を、定盤
２を一定の位置に止めて行っているが、定盤２の回転中
に行うこともできる。即ち、ウエハ５の研磨加工中に上
記センサ１９を回転する定盤２の半径方向に移動させる
ことにより、加工後の研磨パッド３の表面の性状をスパ
イラル状に位置する計測点において計測することができ
る。この場合、センサを定盤の半径方向に往復動させな
がらその両行程で上記計測を繰り返し行うか、何れか一
方の行程についてのみ計測を繰り返し行うことにより、
研磨中に連続して計測データを得ることができる。この
結果、研磨パッド３のほぼ全面についての計測データを
得ることが可能となって、研磨に伴うパッド面の摩耗の
度合いや形状変化、表面粗度の変化等をより正確に把握
することができ、一層高度の精度管理を行うことができ
る。
パッド３の表面形状と表面粗度及び厚さの計測を、定盤
２を一定の位置に止めて行っているが、定盤２の回転中
に行うこともできる。即ち、ウエハ５の研磨加工中に上
記センサ１９を回転する定盤２の半径方向に移動させる
ことにより、加工後の研磨パッド３の表面の性状をスパ
イラル状に位置する計測点において計測することができ
る。この場合、センサを定盤の半径方向に往復動させな
がらその両行程で上記計測を繰り返し行うか、何れか一
方の行程についてのみ計測を繰り返し行うことにより、
研磨中に連続して計測データを得ることができる。この
結果、研磨パッド３のほぼ全面についての計測データを
得ることが可能となって、研磨に伴うパッド面の摩耗の
度合いや形状変化、表面粗度の変化等をより正確に把握
することができ、一層高度の精度管理を行うことができ
る。
【００２２】上記管理装置１１は、再生手段１０による
パッド面の再生状態をも管理することができる。即ち、
上述したように制御手段１３から再生信号が出力される
と、再生手段１０が動作して研磨パッド３の表面が再生
されるが、その再生時における定盤２の回転中又は停止
中に、研磨パッド３の表面を上記センサ１９で定盤２の
半径方向に走査することにより、パッド面の表面形状及
び表面粗度が計測される。なお、定盤の停止中に計測す
る場合は、上記初期データを計測した位置と同じ位置で
計測することが望ましい。得られた計測データは、制御
手段１３において加工前のパッド面の初期表面形状及び
初期表面粗度とそれぞれ比較され、表面形状及び表面粗
度の少なくとも一方について初期データとの差が一定の
許容限度以下になった時に、制御手段１３からディスプ
レイ装置２１に再生を終了させるための再生終了信号が
出力され、それらが該ディスプレイ装置２１に文字や音
声として表示されると共に、再生手段１０が停止され
る。かくして、管理装置１１でパッド面の再生工程を管
理することにより、コンディショニングの過不足を生じ
ることなく常に適正なパッド面に再生することができ、
このため再生効率が非常に良く、再生精度も向上する。
パッド面の再生状態をも管理することができる。即ち、
上述したように制御手段１３から再生信号が出力される
と、再生手段１０が動作して研磨パッド３の表面が再生
されるが、その再生時における定盤２の回転中又は停止
中に、研磨パッド３の表面を上記センサ１９で定盤２の
半径方向に走査することにより、パッド面の表面形状及
び表面粗度が計測される。なお、定盤の停止中に計測す
る場合は、上記初期データを計測した位置と同じ位置で
計測することが望ましい。得られた計測データは、制御
手段１３において加工前のパッド面の初期表面形状及び
初期表面粗度とそれぞれ比較され、表面形状及び表面粗
度の少なくとも一方について初期データとの差が一定の
許容限度以下になった時に、制御手段１３からディスプ
レイ装置２１に再生を終了させるための再生終了信号が
出力され、それらが該ディスプレイ装置２１に文字や音
声として表示されると共に、再生手段１０が停止され
る。かくして、管理装置１１でパッド面の再生工程を管
理することにより、コンディショニングの過不足を生じ
ることなく常に適正なパッド面に再生することができ、
このため再生効率が非常に良く、再生精度も向上する。
【００２３】図４及び図５は、上記非接触形のセンサ１
９を用いた管理装置１１による、研磨パッド３の管理方
法の第２実施例を示すものである。この第２実施例にお
いては、研磨パッド３を貼着した定盤２の半径方向の両
端部に、上記研磨パッド３を切除することにより定盤面
が露出する露出部２３が形成される。
９を用いた管理装置１１による、研磨パッド３の管理方
法の第２実施例を示すものである。この第２実施例にお
いては、研磨パッド３を貼着した定盤２の半径方向の両
端部に、上記研磨パッド３を切除することにより定盤面
が露出する露出部２３が形成される。
【００２４】次に、上記定盤２を停止させた状態か又は
回転させた状態で、研磨加工前の定盤２の表面をセンサ
１９で内外の露出部２３，２３間において半径方向に走
査することにより、上記露出部２３における定盤面の位
置とパッド面の位置とが計測されて、それらの位置から
研磨パッド３の初期厚さが計測されると共に、該研磨パ
ッド３の初期表面形状及び初期表面粗度が計測される。
回転させた状態で、研磨加工前の定盤２の表面をセンサ
１９で内外の露出部２３，２３間において半径方向に走
査することにより、上記露出部２３における定盤面の位
置とパッド面の位置とが計測されて、それらの位置から
研磨パッド３の初期厚さが計測されると共に、該研磨パ
ッド３の初期表面形状及び初期表面粗度が計測される。
【００２５】続いて、ウエハ５を研磨加工しながらその
加工中に、上記センサ１９で回転する定盤２の表面を内
外の露出部２３，２３間において半径方向に走査するこ
とにより、加工後の研磨パッド３の厚さが計測されると
共に、該研磨パッド３の表面形状及び表面粗度が計測さ
れ、それらの計測結果が制御手段１３において上記初期
データと比較される。そして、表面形状及び表面粗度の
少なくとも一方についてその変化が一定の許容限度を越
えた時に、制御手段１３からディスプレイ装置２１にパ
ッド面再生のための再生信号が出力され、また、厚さの
変化が一定の許容限度を越えた時に、制御手段１３から
ディスプレイ装置２１にパッド交換のための交換信号が
出力され、それらがこのディスプレイ装置２１に文字や
音声として表示される。
加工中に、上記センサ１９で回転する定盤２の表面を内
外の露出部２３，２３間において半径方向に走査するこ
とにより、加工後の研磨パッド３の厚さが計測されると
共に、該研磨パッド３の表面形状及び表面粗度が計測さ
れ、それらの計測結果が制御手段１３において上記初期
データと比較される。そして、表面形状及び表面粗度の
少なくとも一方についてその変化が一定の許容限度を越
えた時に、制御手段１３からディスプレイ装置２１にパ
ッド面再生のための再生信号が出力され、また、厚さの
変化が一定の許容限度を越えた時に、制御手段１３から
ディスプレイ装置２１にパッド交換のための交換信号が
出力され、それらがこのディスプレイ装置２１に文字や
音声として表示される。
【００２６】この場合、ウエハ５を研磨加工する前の状
態で研磨パッド３の初期データを得る上記工程を省略
し、研磨加工開始直後の計測データを初期データとし
て、これとその後に得られる加工後の計測データとを比
較するようにしても良い。また、上記例では定盤２の回
転中に研磨パッドの厚さと表面形状及び表面粗度を計測
しているが、該定盤を一定の位置に止めた状態で計測し
ても良い。更に、センサを定盤の半径方向に移動させる
毎に露出部２３で定盤面の位置を計測し、それを基準と
して研磨パッドの厚さを測定することもできる。なお、
研磨パッド３を一部切除することにより形成される上記
露出部２３の位置は、半径方向の内外いずれか一方でも
良い。また、この第２実施例においても、上述した第１
実施例と実質的に同様の方法で再生手段１０によるパッ
ド面の再生状態を管理することができる。
態で研磨パッド３の初期データを得る上記工程を省略
し、研磨加工開始直後の計測データを初期データとし
て、これとその後に得られる加工後の計測データとを比
較するようにしても良い。また、上記例では定盤２の回
転中に研磨パッドの厚さと表面形状及び表面粗度を計測
しているが、該定盤を一定の位置に止めた状態で計測し
ても良い。更に、センサを定盤の半径方向に移動させる
毎に露出部２３で定盤面の位置を計測し、それを基準と
して研磨パッドの厚さを測定することもできる。なお、
研磨パッド３を一部切除することにより形成される上記
露出部２３の位置は、半径方向の内外いずれか一方でも
良い。また、この第２実施例においても、上述した第１
実施例と実質的に同様の方法で再生手段１０によるパッ
ド面の再生状態を管理することができる。
【００２７】上記各実施例では、計測に非接触式のセン
サを使用しているが、接触式のセンサを使用することも
できる。このような接触式センサとしては、先端の接触
子を定盤面又はパッド面に当接させ、その状態でこれら
の定盤面上又はパッド面上を定盤の半径方向に走査する
公知の厚さ計を使用することができ、これによって定盤
の表面形状と、研磨パッドの表面形状及び厚さとを計測
することができる。接触式センサを用いた精度管理方法
は、上記第１実施例の方法と実質的に同じであるから、
重複を避ける意味でその説明は省略する。但しこの場合
には、定盤を一定の位置に止めた状態で計測することが
望ましい。
サを使用しているが、接触式のセンサを使用することも
できる。このような接触式センサとしては、先端の接触
子を定盤面又はパッド面に当接させ、その状態でこれら
の定盤面上又はパッド面上を定盤の半径方向に走査する
公知の厚さ計を使用することができ、これによって定盤
の表面形状と、研磨パッドの表面形状及び厚さとを計測
することができる。接触式センサを用いた精度管理方法
は、上記第１実施例の方法と実質的に同じであるから、
重複を避ける意味でその説明は省略する。但しこの場合
には、定盤を一定の位置に止めた状態で計測することが
望ましい。
【００２８】また、上記各実施例では、センサ１９を支
持する支持アーム１８が機体１に進退自在なるように取
り付けられていて、計測時に定盤２の半径上に前進して
くるようになっているが、計測手段１２を研磨装置とは
独立に形成し、計測時にそれを定盤２上やその他の位置
に設置して使用するように構成することもできる。
持する支持アーム１８が機体１に進退自在なるように取
り付けられていて、計測時に定盤２の半径上に前進して
くるようになっているが、計測手段１２を研磨装置とは
独立に形成し、計測時にそれを定盤２上やその他の位置
に設置して使用するように構成することもできる。
【００２９】
【発明の効果】このように本発明によれば、研磨加工に
伴う研磨パッドの表面形状及び表面粗度の変化と厚さの
変化とをセンサにより計測して、制御手段からパッド面
の再生信号及びパッドの交換信号を出力することによ
り、該研磨パッドの表面精度を高度に管理することがで
きる。しかも、１つのセンサで上記表面形状と表面粗度
及び厚さを同時に計測するようにしたので、高価なセン
サを複数個使用する従来のものに比べ、精度管理を簡単
且つ安価に行うことができる。
伴う研磨パッドの表面形状及び表面粗度の変化と厚さの
変化とをセンサにより計測して、制御手段からパッド面
の再生信号及びパッドの交換信号を出力することによ
り、該研磨パッドの表面精度を高度に管理することがで
きる。しかも、１つのセンサで上記表面形状と表面粗度
及び厚さを同時に計測するようにしたので、高価なセン
サを複数個使用する従来のものに比べ、精度管理を簡単
且つ安価に行うことができる。
【図１】本発明に係る管理装置を備えた平面研磨装置の
要部を概略的に示す要部正面図である。
要部を概略的に示す要部正面図である。
【図２】図１の要部平面図である。
【図３】図１の要部拡大断面図である。
【図４】本発明の管理方法の異なる実施例に使用する定
盤の平面図である。
盤の平面図である。
【図５】図４の要部拡大断面図である。
２ 定盤 ３ 研磨パッド ２ａ 定盤面 ３ａ パッド面 １１ 管理装置 １３ 制御手段 １９ センサ ２０ 移動手段 ２３ 露出部
Claims (6)
- 【請求項１】研磨パッドを貼着する前の定盤の表面をセ
ンサで半径方向に走査することにより、定盤面の位置を
計測し、この定盤面の位置を研磨パッドの厚さ計測のた
めの基準面として設定する工程；上記定盤の表面に研磨
パッドを貼着する工程；加工前の研磨パッドの表面をセ
ンサで定盤の半径方向に走査することにより、パッド面
の初期表面形状を計測すると共に、該パッド面の位置か
ら研磨パッドの初期厚さを計測する工程；加工後の研磨
パッドの表面を定盤の回転中又は停止中にセンサで該定
盤の半径方向に走査することにより、パッド面の表面形
状を計測すると共に、研磨パッドの厚さを計測する工
程；計測した表面形状及び厚さと上記初期表面形状及び
初期厚さとの比較から加工に伴う表面形状及び厚さの変
化を求め、その変化に基づいて制御手段から表面再生の
ための再生信号又はパッド交換のための交換信号を出力
する工程；を有することを特徴とする研磨パッドの管理
方法。 - 【請求項２】研磨パッドを貼着した定盤の半径方向の少
なくとも一端部に、上記研磨パッドを切除することによ
り定盤面が露出する露出部を形成する工程；加工前後の
定盤の表面を該定盤の回転中又は停止中にセンサで半径
方向に走査することにより、上記露出部における定盤面
の位置とパッド面の位置とから研磨パッドの厚さを計測
すると共に、該研磨パッドの表面形状を計測する工程；
加工に伴う研磨パッドの表面形状及び厚さの変化に基づ
いて制御手段からパッド面再生のための再生信号又はパ
ッド交換のための交換信号を出力する工程；を有するこ
とを特徴とする研磨パッドの管理方法。 - 【請求項３】請求項１又は２に記載の管理方法におい
て、上記センサで加工前後の研磨パッドの表面祖度を計
測し、この粗度の変化に応じて制御手段からパッド面再
生のための再生信号を出力する工程を含むもの。 - 【請求項４】請求項３に記載の管理方法において、 制御手段から出力された再生信号により、再生手段で研
磨パッドの表面を再生する工程；再生工程時に研磨パッ
ドの表面をセンサで定盤の半径方向に走査することによ
り、パッド面の表面形状及び表面粗度を計測する工程；
計測した表面形状及び表面粗度の少なくとも一方につい
て初期データとの差が一定の許容限度以下になった時
に、上記制御手段から再生終了信号を出力する工程；を
含むもの。 - 【請求項５】定盤の表面位置と該定盤に貼着した研磨パ
ッドの表面位置とを検出することにより該研磨パッドの
厚さを計測すると共に、該研磨パッドの表面形状を計測
する単一のセンサ；上記センサを定盤の半径方向に移動
させるための移動手段；上記センサからの計測データに
より得られる加工前後の研磨パッドの表面形状の変化に
応じて表面再生のための再生信号を出力する機能と、加
工前後の研磨パッドの厚さの変化に応じてパッド交換の
ための交換信号を出力する機能とを備えた制御手段；を
有することを特徴とする研磨パッドの管理装置。 - 【請求項６】請求項５に記載の管理装置において、上記
制御手段が、再生手段による研磨パッドの再生時に上記
センサで計測した表面形状及び表面粗度の少なくとも一
方について、初期データとの差が一定の許容限度以下に
なった時に再生終了信号を出力する機能を有するもの。
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26257596A JPH1086056A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 研磨パッドの管理方法及び装置 |
| EP97306894A EP0829327B1 (en) | 1996-09-11 | 1997-09-05 | Polishing pad control method and apparatus |
| DE69708424T DE69708424T2 (de) | 1996-09-11 | 1997-09-05 | Verfahren und Vorrichtung zur Detektierung des Zustandes einer Polierscheibe |
| TW086112952A TW457169B (en) | 1996-09-11 | 1997-09-08 | Management method and device for polishing pad |
| SG1997003259A SG60114A1 (en) | 1996-09-11 | 1997-09-08 | Polishing pad control method and apparatus |
| KR1019970046442A KR100289985B1 (ko) | 1996-09-11 | 1997-09-09 | 연마패드의관리방법및장치 |
| US08/927,314 US6040244A (en) | 1996-09-11 | 1997-09-11 | Polishing pad control method and apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26257596A JPH1086056A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 研磨パッドの管理方法及び装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1086056A true JPH1086056A (ja) | 1998-04-07 |
Family
ID=17377720
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26257596A Pending JPH1086056A (ja) | 1996-09-11 | 1996-09-11 | 研磨パッドの管理方法及び装置 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6040244A (ja) |
| EP (1) | EP0829327B1 (ja) |
| JP (1) | JPH1086056A (ja) |
| KR (1) | KR100289985B1 (ja) |
| DE (1) | DE69708424T2 (ja) |
| SG (1) | SG60114A1 (ja) |
| TW (1) | TW457169B (ja) |
Cited By (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001198794A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-24 | Ebara Corp | 研磨装置 |
| JP2001334461A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-04 | Ebara Corp | 研磨装置 |
| JP2002092867A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-03-29 | Hoya Corp | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体の製造方法 |
| JP2002187059A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-07-02 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 研磨布のドレッシング方法、半導体ウェーハの研磨方法及び研磨装置 |
| JP2002224946A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-08-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 研磨パッド検査方法および研磨パッド検査装置 |
| WO2004002681A1 (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-08 | Nikon Corporation | 研磨パッド等の寿命・良否判定方法、研磨パッドのコンディショニング方法、研磨装置、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 |
| JP2004017214A (ja) * | 2002-06-17 | 2004-01-22 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | パッドコンディショニング装置、パッドコンディショニング方法、及び研磨装置 |
| KR100436861B1 (ko) * | 2001-08-27 | 2004-06-30 | 나노메트릭스코리아 주식회사 | 화학적 기계적 연마장치에 사용하는 연마 패드의 결함검사 방법 및 장치 |
| JP2004213716A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-29 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及びその製造方法によって製造される情報記録媒体用ガラス基板 |
| JP2005088128A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 研磨パッドのドレッシング方法及び製造装置 |
| KR100630754B1 (ko) | 2005-07-15 | 2006-10-02 | 삼성전자주식회사 | 슬러리 유막 두께 변화량을 이용한 연마패드의 마모 및마찰 측정방법 및 장치 |
| JP2008112572A (ja) * | 2008-01-21 | 2008-05-15 | Hoya Corp | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体の製造方法 |
| US7722437B2 (en) | 2007-06-06 | 2010-05-25 | Renesas Technology Corp. | Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device |
| JP2011530418A (ja) * | 2008-08-07 | 2011-12-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 計量フィードバックに基づくパッドプロファイルの閉ループ制御 |
| KR101100276B1 (ko) | 2009-08-04 | 2011-12-30 | 세메스 주식회사 | 기판 연마 장치 및 그의 연마 패드 교체 방법 |
| US8412370B2 (en) | 2005-04-01 | 2013-04-02 | Nikon Corporation | Polishing apparatus with dressing position setting means |
| US9156122B2 (en) | 2011-06-02 | 2015-10-13 | Ebara Corporation | Method and apparatus for monitoring a polishing surface of a polishing pad used in polishing apparatus |
| JP2017072583A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-04-13 | 財團法人工業技術研究院Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ | 表面測定装置及びその方法 |
| US9835449B2 (en) | 2015-08-26 | 2017-12-05 | Industrial Technology Research Institute | Surface measuring device and method thereof |
| JP2018511950A (ja) * | 2015-06-24 | 2018-04-26 | エスケイ・シルトロン・カンパニー・リミテッド | ウエハ研磨装置のスキャン装置及びスキャンシステム |
| US9970754B2 (en) | 2015-08-26 | 2018-05-15 | Industrial Technology Research Institute | Surface measurement device and method thereof |
| KR20200020142A (ko) * | 2018-08-16 | 2020-02-26 | 주식회사 엠오에스 | 멤브레인 검사장치 및 그 검사방법 |
| KR20240040170A (ko) * | 2022-09-20 | 2024-03-28 | 에프엔에스테크 주식회사 | Cmp 패드 검사 자동화 장치 |
Families Citing this family (32)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3019079B1 (ja) | 1998-10-15 | 2000-03-13 | 日本電気株式会社 | 化学機械研磨装置 |
| US6309277B1 (en) * | 1999-03-03 | 2001-10-30 | Advanced Micro Devices, Inc. | System and method for achieving a desired semiconductor wafer surface profile via selective polishing pad conditioning |
| US6379229B1 (en) * | 1999-05-17 | 2002-04-30 | Ebara Corporation | Polishing apparatus |
| TW466153B (en) * | 1999-06-22 | 2001-12-01 | Applied Materials Inc | Method and apparatus for measuring a pad profile and closed loop control of a pad conditioning process |
| US6652357B1 (en) | 2000-09-22 | 2003-11-25 | Lam Research Corporation | Methods for controlling retaining ring and wafer head tilt for chemical mechanical polishing |
| US7481695B2 (en) | 2000-08-22 | 2009-01-27 | Lam Research Corporation | Polishing apparatus and methods having high processing workload for controlling polishing pressure applied by polishing head |
| US6640155B2 (en) | 2000-08-22 | 2003-10-28 | Lam Research Corporation | Chemical mechanical polishing apparatus and methods with central control of polishing pressure applied by polishing head |
| US6585572B1 (en) | 2000-08-22 | 2003-07-01 | Lam Research Corporation | Subaperture chemical mechanical polishing system |
| US6471566B1 (en) | 2000-09-18 | 2002-10-29 | Lam Research Corporation | Sacrificial retaining ring CMP system and methods for implementing the same |
| US6443815B1 (en) | 2000-09-22 | 2002-09-03 | Lam Research Corporation | Apparatus and methods for controlling pad conditioning head tilt for chemical mechanical polishing |
| EP1270148A1 (en) * | 2001-06-22 | 2003-01-02 | Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG | Arrangement and method for conditioning a polishing pad |
| US6702646B1 (en) | 2002-07-01 | 2004-03-09 | Nevmet Corporation | Method and apparatus for monitoring polishing plate condition |
| US6951503B1 (en) * | 2004-06-28 | 2005-10-04 | Lam Research Corporation | System and method for in-situ measuring and monitoring CMP polishing pad thickness |
| KR101618354B1 (ko) * | 2008-05-08 | 2016-05-04 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | Cmp 패드 두께 및 프로파일 모니터링 시스템 |
| US9138860B2 (en) | 2010-04-20 | 2015-09-22 | Applied Materials, Inc. | Closed-loop control for improved polishing pad profiles |
| US20120270474A1 (en) * | 2011-04-20 | 2012-10-25 | Nanya Technology Corporation | Polishing pad wear detecting apparatus |
| US20130017762A1 (en) * | 2011-07-15 | 2013-01-17 | Infineon Technologies Ag | Method and Apparatus for Determining a Measure of a Thickness of a Polishing Pad of a Polishing Machine |
| JP6066192B2 (ja) * | 2013-03-12 | 2017-01-25 | 株式会社荏原製作所 | 研磨パッドの表面性状測定装置 |
| JP6010511B2 (ja) * | 2013-08-22 | 2016-10-19 | 株式会社荏原製作所 | 研磨パッドの表面粗さ測定方法 |
| KR102683416B1 (ko) * | 2017-02-15 | 2024-07-23 | 삼성전자주식회사 | 화학 기계적 연마 장치 |
| US11192215B2 (en) | 2017-11-16 | 2021-12-07 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with pad wear indicator |
| US11325221B2 (en) | 2017-11-16 | 2022-05-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Polishing pad with multipurpose composite window |
| US10792783B2 (en) * | 2017-11-27 | 2020-10-06 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System, control method and apparatus for chemical mechanical polishing |
| US11389928B2 (en) * | 2017-11-30 | 2022-07-19 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for conditioning polishing pad |
| KR102580487B1 (ko) * | 2018-06-18 | 2023-09-21 | 주식회사 케이씨텍 | 패드 모니터링 장치 및 이를 포함하는 패드 모니터링 시스템, 패드 모니터링 방법 |
| US12208487B2 (en) | 2018-10-29 | 2025-01-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Chemical mechanical polishing apparatus and method |
| KR102674027B1 (ko) * | 2019-01-29 | 2024-06-12 | 삼성전자주식회사 | 재생 연마패드 |
| KR102738569B1 (ko) * | 2020-01-02 | 2024-12-06 | 주식회사 케이씨텍 | 기판 측정 장치, 이를 포함하는 기판 연마 장치 및 기판 연마 방법 |
| DE102020119173A1 (de) | 2020-07-21 | 2022-01-27 | Supfina Grieshaber Gmbh & Co. Kg | System und Verfahren zum Abrichten einer Wirkfläche einer Schleifscheibe |
| US11794305B2 (en) | 2020-09-28 | 2023-10-24 | Applied Materials, Inc. | Platen surface modification and high-performance pad conditioning to improve CMP performance |
| CN113199371B (zh) * | 2021-04-06 | 2023-09-12 | 安徽韦斯顿数控科技有限公司 | 一种复合式抛光数控加工中心 |
| US12686097B2 (en) * | 2023-05-25 | 2026-07-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Semiconductor processing tool and methods of operation |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0615971B2 (ja) * | 1987-02-18 | 1994-03-02 | 日立造船株式会社 | 平面形状精度計測方法 |
| US5081051A (en) * | 1990-09-12 | 1992-01-14 | Intel Corporation | Method for conditioning the surface of a polishing pad |
| JPH0861949A (ja) * | 1994-08-24 | 1996-03-08 | Speedfam Co Ltd | 定盤及び研磨パッドの表面形状測定装置 |
| TW400567B (en) * | 1995-04-10 | 2000-08-01 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | The polishing device and its polishing method for the substrate |
| US5609718A (en) * | 1995-09-29 | 1997-03-11 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for measuring a change in the thickness of polishing pads used in chemical-mechanical planarization of semiconductor wafers |
| US5743784A (en) * | 1995-12-19 | 1998-04-28 | Applied Materials, Inc. | Apparatus and method to determine the coefficient of friction of a chemical mechanical polishing pad during a pad conditioning process and to use it to control the process |
| US5738562A (en) * | 1996-01-24 | 1998-04-14 | Micron Technology, Inc. | Apparatus and method for planar end-point detection during chemical-mechanical polishing |
| US5618447A (en) * | 1996-02-13 | 1997-04-08 | Micron Technology, Inc. | Polishing pad counter meter and method for real-time control of the polishing rate in chemical-mechanical polishing of semiconductor wafers |
| US5834377A (en) * | 1997-04-07 | 1998-11-10 | Industrial Technology Research Institute | In situ method for CMP endpoint detection |
-
1996
- 1996-09-11 JP JP26257596A patent/JPH1086056A/ja active Pending
-
1997
- 1997-09-05 DE DE69708424T patent/DE69708424T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-09-05 EP EP97306894A patent/EP0829327B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-09-08 SG SG1997003259A patent/SG60114A1/en unknown
- 1997-09-08 TW TW086112952A patent/TW457169B/zh not_active IP Right Cessation
- 1997-09-09 KR KR1019970046442A patent/KR100289985B1/ko not_active Expired - Fee Related
- 1997-09-11 US US08/927,314 patent/US6040244A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001198794A (ja) * | 2000-01-21 | 2001-07-24 | Ebara Corp | 研磨装置 |
| JP2001334461A (ja) * | 2000-05-26 | 2001-12-04 | Ebara Corp | 研磨装置 |
| JP2002092867A (ja) * | 2000-09-21 | 2002-03-29 | Hoya Corp | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体の製造方法 |
| JP2002224946A (ja) * | 2000-11-24 | 2002-08-13 | Samsung Electronics Co Ltd | 研磨パッド検査方法および研磨パッド検査装置 |
| JP2002187059A (ja) * | 2000-12-19 | 2002-07-02 | Mitsubishi Materials Silicon Corp | 研磨布のドレッシング方法、半導体ウェーハの研磨方法及び研磨装置 |
| US7027640B2 (en) | 2001-08-27 | 2006-04-11 | Nanometrics Incorporated | Method and apparatus for inspecting defects on polishing pads to be used with chemical mechanical polishing apparatus |
| KR100436861B1 (ko) * | 2001-08-27 | 2004-06-30 | 나노메트릭스코리아 주식회사 | 화학적 기계적 연마장치에 사용하는 연마 패드의 결함검사 방법 및 장치 |
| JP2004017214A (ja) * | 2002-06-17 | 2004-01-22 | Tokyo Seimitsu Co Ltd | パッドコンディショニング装置、パッドコンディショニング方法、及び研磨装置 |
| WO2004002681A1 (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-08 | Nikon Corporation | 研磨パッド等の寿命・良否判定方法、研磨パッドのコンディショニング方法、研磨装置、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 |
| JP2004025413A (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-29 | Nikon Corp | 研磨パッド等の寿命・良否判定方法、研磨パッドのコンディショニング方法、研磨装置、半導体デバイス及び半導体デバイス製造方法 |
| US7500904B2 (en) | 2002-12-26 | 2009-03-10 | Hoya Corporation | Glass substrate for information recording medium and method for producing same |
| JP2004213716A (ja) * | 2002-12-26 | 2004-07-29 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及びその製造方法によって製造される情報記録媒体用ガラス基板 |
| JP2005088128A (ja) * | 2003-09-17 | 2005-04-07 | Sanyo Electric Co Ltd | 研磨パッドのドレッシング方法及び製造装置 |
| US8412370B2 (en) | 2005-04-01 | 2013-04-02 | Nikon Corporation | Polishing apparatus with dressing position setting means |
| KR100630754B1 (ko) | 2005-07-15 | 2006-10-02 | 삼성전자주식회사 | 슬러리 유막 두께 변화량을 이용한 연마패드의 마모 및마찰 측정방법 및 장치 |
| US7722437B2 (en) | 2007-06-06 | 2010-05-25 | Renesas Technology Corp. | Manufacturing method of semiconductor integrated circuit device |
| JP2008112572A (ja) * | 2008-01-21 | 2008-05-15 | Hoya Corp | 情報記録媒体用ガラス基板の製造方法及び情報記録媒体の製造方法 |
| JP2011530418A (ja) * | 2008-08-07 | 2011-12-22 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 計量フィードバックに基づくパッドプロファイルの閉ループ制御 |
| KR101100276B1 (ko) | 2009-08-04 | 2011-12-30 | 세메스 주식회사 | 기판 연마 장치 및 그의 연마 패드 교체 방법 |
| US9156122B2 (en) | 2011-06-02 | 2015-10-13 | Ebara Corporation | Method and apparatus for monitoring a polishing surface of a polishing pad used in polishing apparatus |
| US9302366B2 (en) | 2011-06-02 | 2016-04-05 | Ebara Corporation | Method and apparatus for monitoring a polishing surface of a polishing pad used in polishing apparatus |
| US9943943B2 (en) | 2011-06-02 | 2018-04-17 | Ebara Corporation | Method and apparatus for monitoring a polishing surface of a polishing pad used in polishing apparatus |
| JP2018511950A (ja) * | 2015-06-24 | 2018-04-26 | エスケイ・シルトロン・カンパニー・リミテッド | ウエハ研磨装置のスキャン装置及びスキャンシステム |
| JP2017072583A (ja) * | 2015-08-26 | 2017-04-13 | 財團法人工業技術研究院Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ | 表面測定装置及びその方法 |
| US9835449B2 (en) | 2015-08-26 | 2017-12-05 | Industrial Technology Research Institute | Surface measuring device and method thereof |
| US9970754B2 (en) | 2015-08-26 | 2018-05-15 | Industrial Technology Research Institute | Surface measurement device and method thereof |
| JP2019049549A (ja) * | 2015-08-26 | 2019-03-28 | 財團法人工業技術研究院Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ | 表面測定装置及びその方法 |
| JP2020144148A (ja) * | 2015-08-26 | 2020-09-10 | 財團法人工業技術研究院Ｉｎｄｕｓｔｒｉａｌ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ | 表面測定装置及びその方法 |
| KR20200020142A (ko) * | 2018-08-16 | 2020-02-26 | 주식회사 엠오에스 | 멤브레인 검사장치 및 그 검사방법 |
| KR20240040170A (ko) * | 2022-09-20 | 2024-03-28 | 에프엔에스테크 주식회사 | Cmp 패드 검사 자동화 장치 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| SG60114A1 (en) | 1999-02-22 |
| KR100289985B1 (ko) | 2002-07-02 |
| DE69708424D1 (de) | 2002-01-03 |
| KR19980024472A (ko) | 1998-07-06 |
| DE69708424T2 (de) | 2002-07-18 |
| TW457169B (en) | 2001-10-01 |
| US6040244A (en) | 2000-03-21 |
| EP0829327A1 (en) | 1998-03-18 |
| EP0829327B1 (en) | 2001-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| KR100289985B1 (ko) | 연마패드의관리방법및장치 | |
| US6517414B1 (en) | Method and apparatus for controlling a pad conditioning process of a chemical-mechanical polishing apparatus | |
| JP7697094B2 (ja) | 化学機械研磨における研磨パッドテクスチャのモニタリング | |
| US7147541B2 (en) | Thickness control method and double side polisher | |
| US7070479B2 (en) | Arrangement and method for conditioning a polishing pad | |
| TW472310B (en) | Method and apparatus for optical monitoring in chemical mechanical polishing | |
| USRE34425E (en) | Method and apparatus for mechanical planarization and endpoint detection of a semiconductor wafer | |
| US5081796A (en) | Method and apparatus for mechanical planarization and endpoint detection of a semiconductor wafer | |
| KR101593459B1 (ko) | 계측 피드백에 기초한 패드 프로파일의 폐루프 제어 | |
| JPH11207572A (ja) | 研磨パッドの摩耗監視手段を組み込んだ研磨装置及びその操作方法 | |
| EP1063056A2 (en) | Method and apparatus for measuring a pad profile and closed loop control of a pad conditioning process | |
| JPH1034522A (ja) | Ｃｍｐ用研磨装置及びｃｍｐ用装置システム | |
| US20040043521A1 (en) | In-situ chemical-mechanical planarization pad metrology using ultrasonic imaging | |
| JP2012109019A (ja) | 磁気記録媒体用ガラス基板 | |
| KR980008450A (ko) | 연마 시스템 | |
| JPH02237755A (ja) | 被加工部品に溝又は歯を研削加工する方法及び装置 | |
| US7137867B2 (en) | Thickness control method and double side polisher | |
| JPH11254314A (ja) | ワーク面加工装置 | |
| JP3824345B2 (ja) | 研磨方法および研磨装置 | |
| JP2002355748A (ja) | 化学的機械的研磨方法及び化学的機械的研磨装置 | |
| WO2001058644A1 (en) | Method and apparatus for controlling a pad conditioning process of a chemical-mechanical polishing apparatus | |
| JP7757902B2 (ja) | ウェーハの片面研磨方法、ウェーハの製造方法、およびウェーハの片面研磨装置 | |
| JP2002337046A (ja) | 研磨装置、研磨方法および半導体装置の製造方法 | |
| JPH11265860A (ja) | 部分研磨装置及び方法 | |
| JPH0819948A (ja) | 曲面加工装置及び断面形状評価方法 |