JPH115012A - 排ガス処理方法および処理装置 - Google Patents
排ガス処理方法および処理装置Info
- Publication number
- JPH115012A JPH115012A JP9176536A JP17653697A JPH115012A JP H115012 A JPH115012 A JP H115012A JP 9176536 A JP9176536 A JP 9176536A JP 17653697 A JP17653697 A JP 17653697A JP H115012 A JPH115012 A JP H115012A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- exhaust gas
- plasma
- reaction
- gas
- reaction chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 title abstract 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 175
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 54
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 47
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 claims abstract description 35
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 claims abstract description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 25
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 17
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 4
- 238000007711 solidification Methods 0.000 claims description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 claims description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 claims 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 225
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 abstract description 4
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 abstract description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 7
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 7
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 6
- 238000011144 upstream manufacturing Methods 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N Phosphine Chemical compound P XYFCBTPGUUZFHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003915 air pollution Methods 0.000 description 3
- RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N arsane Chemical compound [AsH3] RBFQJDQYXXHULB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 3
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N Fluoroform Chemical compound FC(F)F XPDWGBQVDMORPB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N Hydrogen bromide Chemical compound Br CPELXLSAUQHCOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N boron tribromide Chemical compound BrB(Br)Br ILAHWRKJUDSMFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 2
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 2
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H tungsten hexafluoride Chemical compound F[W](F)(F)(F)(F)F NXHILIPIEUBEPD-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018503 SF6 Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GPWHDDKQSYOYBF-UHFFFAOYSA-N ac1l2u0q Chemical compound Br[Br-]Br GPWHDDKQSYOYBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000003518 caustics Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000002485 combustion reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N diboron Chemical compound B#B ZOCHARZZJNPSEU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N dichlorosilicon Chemical compound Cl[Si]Cl BUMGIEFFCMBQDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 1
- 229910000042 hydrogen bromide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 230000000813 microbial effect Effects 0.000 description 1
- 244000005700 microbiome Species 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(dinaphthalen-2-ylamino)phenyl]phenyl]-n-naphthalen-2-ylnaphthalen-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=CC(N(C=3C=CC(=CC=3)C=3C=CC(=CC=3)N(C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C=3C=C4C=CC=CC4=CC=3)C3=CC4=CC=CC=C4C=C3)=CC=C21 QKCGXXHCELUCKW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 229910000073 phosphorus hydride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002035 prolonged effect Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N silicon tetrachloride Chemical compound Cl[Si](Cl)(Cl)Cl FDNAPBUWERUEDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N sulfur hexafluoride Chemical compound FS(F)(F)(F)(F)F SFZCNBIFKDRMGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960000909 sulfur hexafluoride Drugs 0.000 description 1
- TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N tetrafluoromethane Chemical compound FC(F)(F)F TXEYQDLBPFQVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003440 toxic substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 231100000925 very toxic Toxicity 0.000 description 1
Landscapes
- Treating Waste Gases (AREA)
- Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体製造工程等から排出される排ガスを処
理して、その中に含まれる有害・汚染物質を分解除去す
る排ガス処理技術を提供する。 【解決手段】 プラズマ電極２０，２１間の真空雰囲気
Ａ内において、半導体製造工程等から排出された排ガス
に反応促進ガスを混合させながら、プラズマを発生させ
ることにより、排ガス中の構成物質が反応促進ガスと共
に励起活性化されて反応し、プラズマ電極２０，２１の
電極表面に、プラズマ反応生成物として堆積固化され、
これにより、排ガス中の有害・汚染物質が分解除去され
る。
理して、その中に含まれる有害・汚染物質を分解除去す
る排ガス処理技術を提供する。 【解決手段】 プラズマ電極２０，２１間の真空雰囲気
Ａ内において、半導体製造工程等から排出された排ガス
に反応促進ガスを混合させながら、プラズマを発生させ
ることにより、排ガス中の構成物質が反応促進ガスと共
に励起活性化されて反応し、プラズマ電極２０，２１の
電極表面に、プラズマ反応生成物として堆積固化され、
これにより、排ガス中の有害・汚染物質が分解除去され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は排ガス処理方法およ
び処理装置に関し、さらに詳細には、各種の半導体製造
工程等から排出される排ガスを処理する排ガス処理技術
に関する。
び処理装置に関し、さらに詳細には、各種の半導体製造
工程等から排出される排ガスを処理する排ガス処理技術
に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体製造、太陽電池製造、ＬＣＤ製造
などのＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)法を用いた
製造装置、エッチング装置、イオン打込装置、ＰＶＤ(P
hysical Vapor Deposition) 装置、および反応ガスを利
用して成膜またはエッチングを行う装置等を用いた各種
製造工程（以下、半導体製造工程等と称する）において
は、種々の反応ガスが大量に使用されているところ、こ
れらすべての反応ガスが完全に消費されてしまうことは
なく、未反応ガスや残留ガスなどが反応生成ガスと共に
排出される。
などのＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition)法を用いた
製造装置、エッチング装置、イオン打込装置、ＰＶＤ(P
hysical Vapor Deposition) 装置、および反応ガスを利
用して成膜またはエッチングを行う装置等を用いた各種
製造工程（以下、半導体製造工程等と称する）において
は、種々の反応ガスが大量に使用されているところ、こ
れらすべての反応ガスが完全に消費されてしまうことは
なく、未反応ガスや残留ガスなどが反応生成ガスと共に
排出される。
【０００３】例えば、ＣＶＤ法による半導体製造工程に
おいては、大量のシラン（ＳｉＨ4）、四塩化チタン
（ＴｉＣｌ4 ）、六フッ化タングステン（ＷＦ6 ）、ア
ンモニア（ＮＨ3 ）、ジクロルシラン（ＳｉＨ2 Ｃ
ｌ2 ）、アルシン（ＡｓＨ3 ）、ホスフィン（Ｐ
Ｈ3 ）、三臭化ホウ素（ＢＢｒ3 ）等の反応ガスが使用
されるが、この製造工程において実際に消費される量は
非常に少ない。
おいては、大量のシラン（ＳｉＨ4）、四塩化チタン
（ＴｉＣｌ4 ）、六フッ化タングステン（ＷＦ6 ）、ア
ンモニア（ＮＨ3 ）、ジクロルシラン（ＳｉＨ2 Ｃ
ｌ2 ）、アルシン（ＡｓＨ3 ）、ホスフィン（Ｐ
Ｈ3 ）、三臭化ホウ素（ＢＢｒ3 ）等の反応ガスが使用
されるが、この製造工程において実際に消費される量は
非常に少ない。
【０００４】その結果、この製造工程から排出される排
ガスは大量でかつその濃度も比較的高いところ、その中
には人的に非常に有毒な物質、腐食性の物質あるいは引
火性の物質等の有害・汚染物質が含まれており、これら
の排ガスは、環境衛生上はもちろん法律上からもそのま
ま大気へ放出することはできず、事前に所要の排ガス処
理をして無害化する方策がとられている。
ガスは大量でかつその濃度も比較的高いところ、その中
には人的に非常に有毒な物質、腐食性の物質あるいは引
火性の物質等の有害・汚染物質が含まれており、これら
の排ガスは、環境衛生上はもちろん法律上からもそのま
ま大気へ放出することはできず、事前に所要の排ガス処
理をして無害化する方策がとられている。
【０００５】この種の排ガス処理方法としては、従来、
排ガス中の有害・汚染物質を水または薬液により除去す
る湿式、排ガスを高温で反応または燃焼させて有害・汚
染物質を分解処理する乾式、これら両方式を組み合わせ
た薬液燃焼式、あるいは微生物によって排ガス中の有害
・汚染物質を分解処理する微生物式など種々の方法があ
る。そして、これらの方法を利用した各種の排ガス処理
装置が開発提案され、この装置が、上記半導体製造工程
の下流側に配されて、この半導体製造工程から排出され
た排ガスを適宜分解除去してから大気に放出するように
されていた。
排ガス中の有害・汚染物質を水または薬液により除去す
る湿式、排ガスを高温で反応または燃焼させて有害・汚
染物質を分解処理する乾式、これら両方式を組み合わせ
た薬液燃焼式、あるいは微生物によって排ガス中の有害
・汚染物質を分解処理する微生物式など種々の方法があ
る。そして、これらの方法を利用した各種の排ガス処理
装置が開発提案され、この装置が、上記半導体製造工程
の下流側に配されて、この半導体製造工程から排出され
た排ガスを適宜分解除去してから大気に放出するように
されていた。
【０００６】一方、このようにして分解処理された有害
・汚染物質は、上記排ガス処理装置の回収用カートリッ
ジに回収されて、このカートリッジと共にそのまま廃棄
されていた。
・汚染物質は、上記排ガス処理装置の回収用カートリッ
ジに回収されて、このカートリッジと共にそのまま廃棄
されていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、これら
従来の排ガス処理方法のいずれにおいても、排ガス中に
含まれる有害・汚染物質の分解除去はまだ完全とは言え
ず、環境衛生上または法律上の基準レベルは一応満足し
ているものの、依然として大気汚染の問題は残っている
というのが現状であり、さらなる処理効率の向上が望ま
れていた。
従来の排ガス処理方法のいずれにおいても、排ガス中に
含まれる有害・汚染物質の分解除去はまだ完全とは言え
ず、環境衛生上または法律上の基準レベルは一応満足し
ているものの、依然として大気汚染の問題は残っている
というのが現状であり、さらなる処理効率の向上が望ま
れていた。
【０００８】また、上記排ガス処理装置が、上記半導体
製造工程の反応容器とその真空ポンプシステムとの間に
介装される場合には、ガス処理装置での未処理物質を含
む排ガスがこの真空ポンプシステムへ送り込まれる結
果、ポンプオイルが、排ガス中の未処理物質と反応して
劣化してしまい、これが真空ポンプシステムの寿命を縮
めるという問題もあった。
製造工程の反応容器とその真空ポンプシステムとの間に
介装される場合には、ガス処理装置での未処理物質を含
む排ガスがこの真空ポンプシステムへ送り込まれる結
果、ポンプオイルが、排ガス中の未処理物質と反応して
劣化してしまい、これが真空ポンプシステムの寿命を縮
めるという問題もあった。
【０００９】さらに、いずれの排ガス処理方法も排ガス
を一括処理する形態であり、混合ガスの場合における各
構成物質の個別除去が出来なかった。
を一括処理する形態であり、混合ガスの場合における各
構成物質の個別除去が出来なかった。
【００１０】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたものであって、その目的とするところは、各種の
半導体製造工程等から排出される排ガスを処理して、そ
の中に含まれる有害・汚染物質を実質的に完全に分解除
去することができる排ガス処理技術を提供することにあ
る。
されたものであって、その目的とするところは、各種の
半導体製造工程等から排出される排ガスを処理して、そ
の中に含まれる有害・汚染物質を実質的に完全に分解除
去することができる排ガス処理技術を提供することにあ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の排ガス処理方法は、真空雰囲気内におい
て、半導体製造工程等から排出された排ガスに反応促進
ガスを混合させながら、プラズマを発生させることによ
り、排ガス中の構成物質をプラズマ反応生成物として堆
積固化させるようにしたことを特徴とする。上記反応促
進ガスは、処理すべき排ガスの構成物質に対応して選定
される。
め、本発明の排ガス処理方法は、真空雰囲気内におい
て、半導体製造工程等から排出された排ガスに反応促進
ガスを混合させながら、プラズマを発生させることによ
り、排ガス中の構成物質をプラズマ反応生成物として堆
積固化させるようにしたことを特徴とする。上記反応促
進ガスは、処理すべき排ガスの構成物質に対応して選定
される。
【００１２】好適な実施態様として、上記真空雰囲気内
にプラズマを発生させるプラズマ電極を配置して、この
プラズマ電極表面に上記プラズマ反応生成物を堆積固化
させるとともに、排ガス処理中に上記プラズマ電極表面
を冷却して、排ガス中の構成物質の堆積固化を促進させ
る。
にプラズマを発生させるプラズマ電極を配置して、この
プラズマ電極表面に上記プラズマ反応生成物を堆積固化
させるとともに、排ガス処理中に上記プラズマ電極表面
を冷却して、排ガス中の構成物質の堆積固化を促進させ
る。
【００１３】また、本発明の排ガス処理装置は、上記排
ガス処理方法を実施するためのもので、排ガス導入口お
よび排ガス排出口を備える密閉反応室と、この密閉反応
室内に反応促進ガスを導入する気体導入手段と、上記密
閉反応室内を真空雰囲気にする真空手段と、上記密閉反
応室内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備
えてなることを特徴とする。
ガス処理方法を実施するためのもので、排ガス導入口お
よび排ガス排出口を備える密閉反応室と、この密閉反応
室内に反応促進ガスを導入する気体導入手段と、上記密
閉反応室内を真空雰囲気にする真空手段と、上記密閉反
応室内にプラズマを発生させるプラズマ発生手段とを備
えてなることを特徴とする。
【００１４】好適な実施態様として、上記密閉反応室内
におけるプラズマ反応の反応速度を増進させるための冷
却手段を備え、この冷却手段は、上記プラズマ電極を冷
却する構造とされている。
におけるプラズマ反応の反応速度を増進させるための冷
却手段を備え、この冷却手段は、上記プラズマ電極を冷
却する構造とされている。
【００１５】本発明においては、真空手段としての既設
ポンプシステムまたは新設されるポンプシステムにより
得られる真空雰囲気を利用して、所定の間隔をもって平
行対向状に配置させた一対のプラズマ電極間の真空雰囲
気中に、半導体製造工程等から排出された排ガスを導入
するとともに、気体導入手段により反応促進ガスを補助
的に導入して、これら両者を混合させながら、上記両プ
ラズマ電極に高周波発振器からの高周波電気エネルギを
印加する。
ポンプシステムまたは新設されるポンプシステムにより
得られる真空雰囲気を利用して、所定の間隔をもって平
行対向状に配置させた一対のプラズマ電極間の真空雰囲
気中に、半導体製造工程等から排出された排ガスを導入
するとともに、気体導入手段により反応促進ガスを補助
的に導入して、これら両者を混合させながら、上記両プ
ラズマ電極に高周波発振器からの高周波電気エネルギを
印加する。
【００１６】これにより、上記両プラズマ電極間の真空
雰囲気中にプラズマが発生して、上記排ガスの構成物質
が上記反応促進ガスと共に励起活性化されて反応し、好
適には冷却された上記プラズマ電極の表面に、プラズマ
反応生成物が安定して堆積固化し、この結果、上記排ガ
ス中の有害・汚染物質が分解除去される。
雰囲気中にプラズマが発生して、上記排ガスの構成物質
が上記反応促進ガスと共に励起活性化されて反応し、好
適には冷却された上記プラズマ電極の表面に、プラズマ
反応生成物が安定して堆積固化し、この結果、上記排ガ
ス中の有害・汚染物質が分解除去される。
【００１７】すなわち、半導体製造工程等にはできるだ
け高効率での反応を促進する目的等から多量の反応ガス
が供給されるところ、上記排ガス中には、反応消費によ
り新たに生成した反応生成ガスのほか、反応消費される
ことなく排出される多量の未反応ガスや残留ガスが含ま
れている。
け高効率での反応を促進する目的等から多量の反応ガス
が供給されるところ、上記排ガス中には、反応消費によ
り新たに生成した反応生成ガスのほか、反応消費される
ことなく排出される多量の未反応ガスや残留ガスが含ま
れている。
【００１８】したがって、上記反応促進ガスとして、こ
れら排ガスの構成物質に対応したもの、例えば上記半導
体製造工程に反応ガスと共に供給される反応促進ガスと
同じものや触媒効果のある適当な触媒ガスを用いること
により、この反応促進ガスと上記プラズマとの相互作用
で、構成物質分子の解離、重合が促されて、効率的な気
相化学反応（酸化、水素還元、置換反応等）を起こす。
この結果、プラズマ電極の表面には、上記排ガス中の有
害・汚染物質が安定したプラズマ反応生成物として堆積
固化して、排ガスから分解除去されることとなる。この
場合、プラズマ電極を水冷等の適宜冷却手段で冷却する
ことにより、プラズマ反応の反応速度つまりプラズマ反
応生成物の堆積速度が増進する。
れら排ガスの構成物質に対応したもの、例えば上記半導
体製造工程に反応ガスと共に供給される反応促進ガスと
同じものや触媒効果のある適当な触媒ガスを用いること
により、この反応促進ガスと上記プラズマとの相互作用
で、構成物質分子の解離、重合が促されて、効率的な気
相化学反応（酸化、水素還元、置換反応等）を起こす。
この結果、プラズマ電極の表面には、上記排ガス中の有
害・汚染物質が安定したプラズマ反応生成物として堆積
固化して、排ガスから分解除去されることとなる。この
場合、プラズマ電極を水冷等の適宜冷却手段で冷却する
ことにより、プラズマ反応の反応速度つまりプラズマ反
応生成物の堆積速度が増進する。
【００１９】また、半導体製造工程等から排出される排
ガスが複数種類の構成物質からなる混合ガスである場合
は、上記プラズマ反応を起こす密閉反応室を複数台直列
に配設するとともに、各密閉反応室の真空雰囲気内に、
上記気体導入手段により選択された種類の反応促進ガス
を個別に導入して、これら連続する密閉反応室の真空雰
囲気中を順次通過させることにより、上記混合ガス中の
構成物質分子を選択的に解離、重合させて、各種のプラ
ズマ反応生成物として個別除去することが可能となる。
ガスが複数種類の構成物質からなる混合ガスである場合
は、上記プラズマ反応を起こす密閉反応室を複数台直列
に配設するとともに、各密閉反応室の真空雰囲気内に、
上記気体導入手段により選択された種類の反応促進ガス
を個別に導入して、これら連続する密閉反応室の真空雰
囲気中を順次通過させることにより、上記混合ガス中の
構成物質分子を選択的に解離、重合させて、各種のプラ
ズマ反応生成物として個別除去することが可能となる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。
基づいて説明する。
【００２１】実施形態１ 本発明に係る排ガス処理装置の概略構成を図１に示し、
この排ガス処理装置１は、具体的には、図４に示すよう
に、半導体製造装置２の反応室３と、この反応室３内を
真空雰囲気にするポンプシステムの真空ポンプ４との間
に配置されて、上記反応室３から排出される排ガス中の
構成物質を反応固化させるものである。
この排ガス処理装置１は、具体的には、図４に示すよう
に、半導体製造装置２の反応室３と、この反応室３内を
真空雰囲気にするポンプシステムの真空ポンプ４との間
に配置されて、上記反応室３から排出される排ガス中の
構成物質を反応固化させるものである。
【００２２】排ガス処理装置１は、反応部５、反応促進
気体導入部６、真空ポンプ４、プラズマ発生部７および
冷却部８を主要部として備えてなり、真空ポンプ４が半
導体製造装置２と共用される構成とされている。
気体導入部６、真空ポンプ４、プラズマ発生部７および
冷却部８を主要部として備えてなり、真空ポンプ４が半
導体製造装置２と共用される構成とされている。
【００２３】反応部５は、並列に配設された二つの反応
ユニット１０，１０を備える。また、この反応ユニット
１０は、図２に示すように、４つの反応容器１１ａ、１
１ｂ、１１ｃ、１１ｄが直列に接続されてなり、排ガス
が複数種類の構成物質からなる混合ガスである場合に、
各構成物質を個別に除去することも可能な構成とされて
いる。
ユニット１０，１０を備える。また、この反応ユニット
１０は、図２に示すように、４つの反応容器１１ａ、１
１ｂ、１１ｃ、１１ｄが直列に接続されてなり、排ガス
が複数種類の構成物質からなる混合ガスである場合に、
各構成物質を個別に除去することも可能な構成とされて
いる。
【００２４】すなわち、上記４つの反応容器１１ａ〜１
１ｄは、後述する冷却部８の冷却器３０を介して互いに
一体的に組み立てられて、上記反応ユニット１０が構成
されている。最上流側の第１の反応容器１１ａの排ガス
導入口１２ａは、排ガス管路１３ａを介して、半導体製
造工程の反応室３の排ガス排出口３ａに接続され、一
方、最下流側の第４の反応容器１１ｄの排ガス排出口１
２ｂは、排ガス管路１３ｂを介して、真空ポンプ４に接
続されている。また、互いに隣接する反応容器１１ａと
１１ｂ、１１ｂと１１ｃ、１１ｃと１１ｄ同士は、上流
側の反応容器の排ガス排出口１２ｂが下流側の反応容器
の排ガス導入口１２ａに接続されてなる。
１ｄは、後述する冷却部８の冷却器３０を介して互いに
一体的に組み立てられて、上記反応ユニット１０が構成
されている。最上流側の第１の反応容器１１ａの排ガス
導入口１２ａは、排ガス管路１３ａを介して、半導体製
造工程の反応室３の排ガス排出口３ａに接続され、一
方、最下流側の第４の反応容器１１ｄの排ガス排出口１
２ｂは、排ガス管路１３ｂを介して、真空ポンプ４に接
続されている。また、互いに隣接する反応容器１１ａと
１１ｂ、１１ｂと１１ｃ、１１ｃと１１ｄ同士は、上流
側の反応容器の排ガス排出口１２ｂが下流側の反応容器
の排ガス導入口１２ａに接続されてなる。
【００２５】これにより、図１において、上記半導体製
造工程の反応室３の排ガス排出口３ａから排ガス管路１
３ａを介して排出される排ガスは、最上流側の第１の反
応容器１１ａから、第２ないし第３の反応容器１１ｂ〜
１１ｄに至る連続した４つの密閉反応室Ａ，Ａ，…を順
次通過した後、排ガス管路１３ｂを介して上記真空ポン
プ４に至ることとなる。１４は手動バルブを示し、１５
は圧力計を示している。
造工程の反応室３の排ガス排出口３ａから排ガス管路１
３ａを介して排出される排ガスは、最上流側の第１の反
応容器１１ａから、第２ないし第３の反応容器１１ｂ〜
１１ｄに至る連続した４つの密閉反応室Ａ，Ａ，…を順
次通過した後、排ガス管路１３ｂを介して上記真空ポン
プ４に至ることとなる。１４は手動バルブを示し、１５
は圧力計を示している。
【００２６】また、各反応容器１１ａ〜１１ｄは、具体
的には図３に示すような共通した基本構造を備えてお
り、以下、最上流側の第１の反応容器１１ａを例にとっ
て説明する。
的には図３に示すような共通した基本構造を備えてお
り、以下、最上流側の第１の反応容器１１ａを例にとっ
て説明する。
【００２７】反応容器１１ａは、上記排ガス導入口１２
ａおよび排ガス排出口１２ｂを有する密閉反応室Ａを備
え、この密閉反応室Ａ内に、後述するように、プラズマ
発生部７のプラズマ電極２０，２１が設けられて、上記
排ガス導入口１２ａから排ガス排出口１２ｂへ迂回して
延びる排ガス流路１６を形成している。また、各プラズ
マ電極２０，２１の背面には、冷却器３０がそれぞれ隣
接して設けられている。
ａおよび排ガス排出口１２ｂを有する密閉反応室Ａを備
え、この密閉反応室Ａ内に、後述するように、プラズマ
発生部７のプラズマ電極２０，２１が設けられて、上記
排ガス導入口１２ａから排ガス排出口１２ｂへ迂回して
延びる排ガス流路１６を形成している。また、各プラズ
マ電極２０，２１の背面には、冷却器３０がそれぞれ隣
接して設けられている。
【００２８】反応促進気体導入部６は、各反応容器１１
ａ〜１１ｄの密閉反応室Ａ内に反応促進ガスを導入する
気体導入手段として機能するもので、密閉反応室Ａの適
所に気体導入口６ａがそれぞれ内部に臨んで設けられる
とともに、これら気体導入口６ａ，６ａ，…は、図示し
ないが、切換弁等を有する配管を介して気体供給源に連
係されている。
ａ〜１１ｄの密閉反応室Ａ内に反応促進ガスを導入する
気体導入手段として機能するもので、密閉反応室Ａの適
所に気体導入口６ａがそれぞれ内部に臨んで設けられる
とともに、これら気体導入口６ａ，６ａ，…は、図示し
ないが、切換弁等を有する配管を介して気体供給源に連
係されている。
【００２９】この気体供給源は、処理すべき排ガスの構
成物質に対応する反応促進ガスを適宜選択的に供給する
ことができ、例えば、上記反応容器１１ａ〜１１ｄの各
気体導入口６ａ，６ａ，…のすべてに同一種類の反応促
進ガスを供給したり、あるいは、各気体導入口６ａ，６
ａ，…ごとに異なる種類の反応促進ガスを供給すること
も可能である。特に、後者のような供給方法は、処理す
べき排ガスが複数種類の構成物質からなる混合ガスであ
る場合に、各構成物質を個別に回収除去することを可能
にする。
成物質に対応する反応促進ガスを適宜選択的に供給する
ことができ、例えば、上記反応容器１１ａ〜１１ｄの各
気体導入口６ａ，６ａ，…のすべてに同一種類の反応促
進ガスを供給したり、あるいは、各気体導入口６ａ，６
ａ，…ごとに異なる種類の反応促進ガスを供給すること
も可能である。特に、後者のような供給方法は、処理す
べき排ガスが複数種類の構成物質からなる混合ガスであ
る場合に、各構成物質を個別に回収除去することを可能
にする。
【００３０】以下は、処理されるべき排ガスの構成物質
に対して、好適に用いられる反応促進ガスの一例であ
る。
に対して、好適に用いられる反応促進ガスの一例であ
る。
【００３１】ＣＶＤ系の排ガスには、シラン（Ｓｉ
Ｈ4 ）、四塩化チタン（ＴｉＣｌ4 ）、六フッ化タング
ステン（ＷＦ6 ）、アンモニア（ＮＨ3 ）、ジクロルシ
ラン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）、アルシン（ＡｓＨ3 ）、ホス
フィン（ＰＨ3 ）あるいは三臭化ホウ素（ＢＢｒ3 ）等
が含まれているが、これらの排ガスに対しては、酸素
（Ｏ2 ）、水素（Ｈ2 ）、水（Ｈ2 Ｏ）および空気等の
反応促進ガスが、単独であるいは適宜混合して用いられ
る。
Ｈ4 ）、四塩化チタン（ＴｉＣｌ4 ）、六フッ化タング
ステン（ＷＦ6 ）、アンモニア（ＮＨ3 ）、ジクロルシ
ラン（ＳｉＨ2 Ｃｌ2 ）、アルシン（ＡｓＨ3 ）、ホス
フィン（ＰＨ3 ）あるいは三臭化ホウ素（ＢＢｒ3 ）等
が含まれているが、これらの排ガスに対しては、酸素
（Ｏ2 ）、水素（Ｈ2 ）、水（Ｈ2 Ｏ）および空気等の
反応促進ガスが、単独であるいは適宜混合して用いられ
る。
【００３２】また、エッチング系の排ガスには、テトラ
フルオロメタン（ＣＦ4 ）、三塩化ホウ素（ＢＣ
ｌ3 ）、塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4 ）、臭化水素（ＨＢ
ｒ）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ3 ）、三フッ化窒素
（ＮＦ3 ）あるいは六フッ化イオウ（ＳＦ6 ）等が含ま
れているが、これらの排ガスに対しては、酸素
（Ｏ2 ）、水素（Ｈ2 ）、水（Ｈ2 Ｏ）、シラン（Ｓｉ
Ｈ4 ）および二酸化炭素（ＣＯ2 ）等の反応促進ガス
が、単独であるいは適宜混合して用いられる。
フルオロメタン（ＣＦ4 ）、三塩化ホウ素（ＢＣ
ｌ3 ）、塩化ケイ素（ＳｉＣｌ4 ）、臭化水素（ＨＢ
ｒ）、トリフルオロメタン（ＣＨＦ3 ）、三フッ化窒素
（ＮＦ3 ）あるいは六フッ化イオウ（ＳＦ6 ）等が含ま
れているが、これらの排ガスに対しては、酸素
（Ｏ2 ）、水素（Ｈ2 ）、水（Ｈ2 Ｏ）、シラン（Ｓｉ
Ｈ4 ）および二酸化炭素（ＣＯ2 ）等の反応促進ガス
が、単独であるいは適宜混合して用いられる。
【００３３】真空ポンプ４は、反応容器１１ａ〜１１ｄ
の密閉反応室Ａ，Ａ，…内を真空雰囲気にする真空手段
として機能するもので、本実施形態においては、上述し
たように、半導体製造装置２の反応室３用の既設の真空
ポンプシステムのものがそのまま共用されている。この
ような構成とすることにより、設備コストが低減される
とともに、上記真空ポンプ４中に使用されているポンプ
オイルに混入されるガスおよび副生成物が減少し、ポン
プオイルの寿命さらには真空ポンプシステム自体の寿命
も延長されることになる。
の密閉反応室Ａ，Ａ，…内を真空雰囲気にする真空手段
として機能するもので、本実施形態においては、上述し
たように、半導体製造装置２の反応室３用の既設の真空
ポンプシステムのものがそのまま共用されている。この
ような構成とすることにより、設備コストが低減される
とともに、上記真空ポンプ４中に使用されているポンプ
オイルに混入されるガスおよび副生成物が減少し、ポン
プオイルの寿命さらには真空ポンプシステム自体の寿命
も延長されることになる。
【００３４】プラズマ発生部７は、反応容器１１ａ〜１
１ｄの密閉反応室Ａ，Ａ，…内にプラズマを発生させる
プラズマ発生手段として機能するもので、前述した一対
のプラズマ電極２０，２１と、高周波発振器２２とを備
えてなる。
１ｄの密閉反応室Ａ，Ａ，…内にプラズマを発生させる
プラズマ発生手段として機能するもので、前述した一対
のプラズマ電極２０，２１と、高周波発振器２２とを備
えてなる。
【００３５】一対のプラズマ電極２０，２１はアルミニ
ウム製のもので、各密閉反応室Ａ内に所定の間隔をもっ
て平行対向状に配置されている。
ウム製のもので、各密閉反応室Ａ内に所定の間隔をもっ
て平行対向状に配置されている。
【００３６】具体的には、両プラズマ電極２０，２１
は、隔壁部材としての絶縁材料製の電極間分離板２５，
２６により所定の間隔をもって配列支持されて、反応容
器１１ａ〜１１ｄの壁部を構成しており、これらに囲ま
れた空間が密閉反応室Ａとされている。図示のものにお
いては、セラミック製の電極間分離板２５，２６が使用
されている。この電極間分離板２５とプラズマ電極２
０，２１の接合部分は、Ｏリング等のシール部材２７に
より密封されるとともに、上側の電極間分離板２５に、
上記排ガス導入口１２ａおよび気体導入口６ａが設けら
れている。
は、隔壁部材としての絶縁材料製の電極間分離板２５，
２６により所定の間隔をもって配列支持されて、反応容
器１１ａ〜１１ｄの壁部を構成しており、これらに囲ま
れた空間が密閉反応室Ａとされている。図示のものにお
いては、セラミック製の電極間分離板２５，２６が使用
されている。この電極間分離板２５とプラズマ電極２
０，２１の接合部分は、Ｏリング等のシール部材２７に
より密封されるとともに、上側の電極間分離板２５に、
上記排ガス導入口１２ａおよび気体導入口６ａが設けら
れている。
【００３７】また、両プラズマ電極２０，２１の内側に
は、対向する他方のプラズマ電極に向けて平行に延びる
複数の薄肉平板状の電極子２０ａ，２０ａ，…、２１
ａ，２１ａ，…をそれぞれ備えている。
は、対向する他方のプラズマ電極に向けて平行に延びる
複数の薄肉平板状の電極子２０ａ，２０ａ，…、２１
ａ，２１ａ，…をそれぞれ備えている。
【００３８】これら両プラズマ電極２０，２１の電極子
２０ａ，２１ａ，…同士は、交互にかつ平行に交差する
ように配列されて、各対向する電極子２０ａ，２１ａの
間隙が密閉反応室Ａの排ガス導入口１２ａから排ガス排
出口１２ｂへ迂回して延びる排ガス流路１６を形成して
いる。これにより、各電極子２０ａ，２１ａの平坦な電
極表面は、後述するプラズマによる反応生成物の堆積固
化面として機能するとともに、大きな有効電極表面積を
確保している。
２０ａ，２１ａ，…同士は、交互にかつ平行に交差する
ように配列されて、各対向する電極子２０ａ，２１ａの
間隙が密閉反応室Ａの排ガス導入口１２ａから排ガス排
出口１２ｂへ迂回して延びる排ガス流路１６を形成して
いる。これにより、各電極子２０ａ，２１ａの平坦な電
極表面は、後述するプラズマによる反応生成物の堆積固
化面として機能するとともに、大きな有効電極表面積を
確保している。
【００３９】具体的には、上記電極子２０ａ，２１ａ
は、図３に示すような先細のテーパ断面形状を有してい
る。これにより、両電極子２０ａ，２１ａの電極面間距
離が排ガス流路１６全長にわたって等しくなるように設
定されている。
は、図３に示すような先細のテーパ断面形状を有してい
る。これにより、両電極子２０ａ，２１ａの電極面間距
離が排ガス流路１６全長にわたって等しくなるように設
定されている。
【００４０】高周波発振器２２は、上記プラズマ電極２
０，２１に高周波電気エネルギを印加するためのもの
で、これら両電極に電気的に接続されている。高周波発
振器２２は、１００ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの周波数
の電気エネルギを発振する。そして、この高周波発振器
２２により、プラズマ電極２０，２１に高周波電気エネ
ルギが印加されて、これら両プラズマ電極２０，２１間
を通過する排ガスの構成物質が電子的に励起されるよう
に構成されている。
０，２１に高周波電気エネルギを印加するためのもの
で、これら両電極に電気的に接続されている。高周波発
振器２２は、１００ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの周波数
の電気エネルギを発振する。そして、この高周波発振器
２２により、プラズマ電極２０，２１に高周波電気エネ
ルギが印加されて、これら両プラズマ電極２０，２１間
を通過する排ガスの構成物質が電子的に励起されるよう
に構成されている。
【００４１】冷却部８は、各密閉反応室Ａ内におけるプ
ラズマ反応の反応速度を増進させるための冷却手段とし
て機能するもので、具体的には、プラズマ電極２０、２
１を直接冷却する構造とされている。
ラズマ反応の反応速度を増進させるための冷却手段とし
て機能するもので、具体的には、プラズマ電極２０、２
１を直接冷却する構造とされている。
【００４２】図示の実施形態の冷却部８の冷却器３０
は、冷媒として冷却水を利用する水冷式冷却器であっ
て、反応容器１１ａ〜１１ｄの壁部を構成する上記プラ
ズマ電極２０，２１の外側背面に接触配置されて、冷却
水と電極部との距離が極力短くなるように構成されてい
る。また、相隣接する反応容器１１ａ〜１１ｄ同士は、
一つの冷却器３０を共用する構造とされている。
は、冷媒として冷却水を利用する水冷式冷却器であっ
て、反応容器１１ａ〜１１ｄの壁部を構成する上記プラ
ズマ電極２０，２１の外側背面に接触配置されて、冷却
水と電極部との距離が極力短くなるように構成されてい
る。また、相隣接する反応容器１１ａ〜１１ｄ同士は、
一つの冷却器３０を共用する構造とされている。
【００４３】これに関連して、上記プラズマ電極２０，
２１は、前述のごとく複数の薄肉平板状でかつ先細のテ
ーパ断面形状を有する電極子２０ａ，２１ａを備えて、
冷却器３０による冷却温度を効率良く伝達させる電極構
造とされている。
２１は、前述のごとく複数の薄肉平板状でかつ先細のテ
ーパ断面形状を有する電極子２０ａ，２１ａを備えて、
冷却器３０による冷却温度を効率良く伝達させる電極構
造とされている。
【００４４】各冷却器３０，３０，…は、図示しない冷
却水管路を介して相互に接続されてなり、これら冷却水
管路は、図１に示すように、その上流側端の冷却水導入
口３０ａが配管３５ａを介して冷却部８の冷却水供給源
に連係されるとともに、下流側端の冷却水排出口３０ｂ
が配管３５ｂを介して図外へ排水されている。３６は手
動バルブを示し、３７は流量計を示している。
却水管路を介して相互に接続されてなり、これら冷却水
管路は、図１に示すように、その上流側端の冷却水導入
口３０ａが配管３５ａを介して冷却部８の冷却水供給源
に連係されるとともに、下流側端の冷却水排出口３０ｂ
が配管３５ｂを介して図外へ排水されている。３６は手
動バルブを示し、３７は流量計を示している。
【００４５】しかして、以上のように構成された排ガス
処理装置１において、半導体製造装置２の反応室３から
排出された排ガスは、図１に示すように、排ガス管路１
３ａを介して、反応部５の二つの反応ユニット１０，１
０へ導入される。各反応ユニット１０へ導入された排ガ
スは、直列に接続された第１ないし第４の反応容器１１
ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄの密閉反応室Ａ，Ａ，…を
順次通過した後、排ガス管路１３ｂから真空ポンプ４を
介して、大気等に排出される。
処理装置１において、半導体製造装置２の反応室３から
排出された排ガスは、図１に示すように、排ガス管路１
３ａを介して、反応部５の二つの反応ユニット１０，１
０へ導入される。各反応ユニット１０へ導入された排ガ
スは、直列に接続された第１ないし第４の反応容器１１
ａ、１１ｂ、１１ｃ、１１ｄの密閉反応室Ａ，Ａ，…を
順次通過した後、排ガス管路１３ｂから真空ポンプ４を
介して、大気等に排出される。
【００４６】各密閉反応室Ａ内部において、プラズマ電
極２０，２１の電極子２０ａ，２１ａ，…間に形成され
た排ガス流路１６は、真空ポンプ４により真空雰囲気に
されるとともに、気体導入部６から所定の反応促進ガス
が補助的に導入されており、また高周波発振器２２によ
りプラズマ電極２０，２１には高周波電気エネルギが印
加されている。
極２０，２１の電極子２０ａ，２１ａ，…間に形成され
た排ガス流路１６は、真空ポンプ４により真空雰囲気に
されるとともに、気体導入部６から所定の反応促進ガス
が補助的に導入されており、また高周波発振器２２によ
りプラズマ電極２０，２１には高周波電気エネルギが印
加されている。
【００４７】これにより、排ガス導入口１２ａから導入
された排ガスは、図３に示すように、上記反応促進ガス
と混合されながら、真空雰囲気の排ガス流路１６を排ガ
ス排出口１２ｂへ通過する際に、上記電極子２０ａ，２
１ａ，…間の真空雰囲気中にプラズマが発生して、上記
排ガスの構成物質が上記反応促進ガスと共に励起活性化
されて反応し、冷却器３０により冷却された上記電極子
２０ａ，２１ａ，…の電極表面に、プラズマ反応生成物
が固形物として安定して堆積固化し、この結果、上記排
ガス中の有害・汚染物質が分解除去されることとなる。
された排ガスは、図３に示すように、上記反応促進ガス
と混合されながら、真空雰囲気の排ガス流路１６を排ガ
ス排出口１２ｂへ通過する際に、上記電極子２０ａ，２
１ａ，…間の真空雰囲気中にプラズマが発生して、上記
排ガスの構成物質が上記反応促進ガスと共に励起活性化
されて反応し、冷却器３０により冷却された上記電極子
２０ａ，２１ａ，…の電極表面に、プラズマ反応生成物
が固形物として安定して堆積固化し、この結果、上記排
ガス中の有害・汚染物質が分解除去されることとなる。
【００４８】すなわち、半導体製造装置２の反応室３に
はできるだけ高効率での反応を促進する目的等から多量
の反応ガスが供給されるため、上記排ガス中には、反応
消費により新たに生成した反応生成ガスのほか、反応消
費されることなく排出される多量の未反応ガスや残留ガ
スが含まれている。
はできるだけ高効率での反応を促進する目的等から多量
の反応ガスが供給されるため、上記排ガス中には、反応
消費により新たに生成した反応生成ガスのほか、反応消
費されることなく排出される多量の未反応ガスや残留ガ
スが含まれている。
【００４９】したがって、上記反応促進ガスとして、こ
れら排ガスの構成物質に対応したもの、例えば上記反応
室３に反応ガスと共に供給される反応促進ガスと同じも
のや触媒効果のある適当な触媒ガスを用いることによ
り、この反応促進ガスと上記プラズマとの相互作用で、
構成物質分子の解離、重合が促されて、効率的な気相化
学反応（酸化、水素還元、置換反応等）を起こすことが
できる。
れら排ガスの構成物質に対応したもの、例えば上記反応
室３に反応ガスと共に供給される反応促進ガスと同じも
のや触媒効果のある適当な触媒ガスを用いることによ
り、この反応促進ガスと上記プラズマとの相互作用で、
構成物質分子の解離、重合が促されて、効率的な気相化
学反応（酸化、水素還元、置換反応等）を起こすことが
できる。
【００５０】この結果、上記プラズマ電極２０，２１の
電極子２０ａ，２１ａ，…の電極表面には、上記排ガス
中の有害・汚染物質が安定したプラズマ反応生成物とし
て堆積固化して、排ガスから分解除去されることとな
る。この場合、本実施形態においては、電極子２０ａ，
２１ａ，…が冷却器３０により冷却されているため、プ
ラズマ反応の反応速度つまりプラズマ反応生成物の堆積
速度も増進される。
電極子２０ａ，２１ａ，…の電極表面には、上記排ガス
中の有害・汚染物質が安定したプラズマ反応生成物とし
て堆積固化して、排ガスから分解除去されることとな
る。この場合、本実施形態においては、電極子２０ａ，
２１ａ，…が冷却器３０により冷却されているため、プ
ラズマ反応の反応速度つまりプラズマ反応生成物の堆積
速度も増進される。
【００５１】また、図示の実施形態においては、プラズ
マ反応を起こす密閉反応室Ａが複数直列に接続されてい
るため、半導体製造装置２から排出される排ガスが複数
種類の構成物質からなる混合ガスである場合は、各密閉
反応室Ａの排ガス流路１６の真空雰囲気内に、上記気体
導入部６により選択された種類の反応促進ガスを個別に
導入することで、上記混合ガス中の目的とする構成物質
分子のみを選択的に解離、重合させて、各種のプラズマ
反応生成物として個別除去することも可能である。
マ反応を起こす密閉反応室Ａが複数直列に接続されてい
るため、半導体製造装置２から排出される排ガスが複数
種類の構成物質からなる混合ガスである場合は、各密閉
反応室Ａの排ガス流路１６の真空雰囲気内に、上記気体
導入部６により選択された種類の反応促進ガスを個別に
導入することで、上記混合ガス中の目的とする構成物質
分子のみを選択的に解離、重合させて、各種のプラズマ
反応生成物として個別除去することも可能である。
【００５２】本実施形態のように、排ガス処理装置１が
半導体製造装置２とその真空ポンプシステムの真空ポン
プ４との間に設置されていることにより、大気汚染等が
防止されるばかりでなく、真空ポンプ４中に使用されて
いるオイルに混入されるガスおよび複生成物が減少し
て、その寿命が延びるとともに、真空ポンプ４の稼働率
が向上して、真空ポンプシステム自体の寿命も大幅に延
長され得る。
半導体製造装置２とその真空ポンプシステムの真空ポン
プ４との間に設置されていることにより、大気汚染等が
防止されるばかりでなく、真空ポンプ４中に使用されて
いるオイルに混入されるガスおよび複生成物が減少し
て、その寿命が延びるとともに、真空ポンプ４の稼働率
が向上して、真空ポンプシステム自体の寿命も大幅に延
長され得る。
【００５３】実施形態２ 本実施形態は図５に示されており、半導体製造装置１の
既設の真空ポンプ４の駆動容量が小さい場合に、排ガス
処理装置１に別個独立した真空ポンプ１０４を設ける構
成を備えたものである。
既設の真空ポンプ４の駆動容量が小さい場合に、排ガス
処理装置１に別個独立した真空ポンプ１０４を設ける構
成を備えたものである。
【００５４】すなわち、排ガス処理装置１の反応部５
は、半導体製造装置２の反応室３内を真空雰囲気にする
真空ポンプ４の下流側に配置されるとともに、この反応
部５の下流側に上記真空ポンプ１０４が配設されてい
る。なお、この真空ポンプ１０４を駆動する真空ポンプ
システムは、半導体製造装置２の真空ポンプ４のものと
共用でも、あるいは独立したものでも良い。
は、半導体製造装置２の反応室３内を真空雰囲気にする
真空ポンプ４の下流側に配置されるとともに、この反応
部５の下流側に上記真空ポンプ１０４が配設されてい
る。なお、この真空ポンプ１０４を駆動する真空ポンプ
システムは、半導体製造装置２の真空ポンプ４のものと
共用でも、あるいは独立したものでも良い。
【００５５】しかして、このような構成とすることによ
り、半導体製造装置２の性能のいかんにかかわらず、排
ガス処理装置１の反応部５には常に安定した最適真空度
が得られることとなる。その他の構成および作用は実施
形態１と同様である。
り、半導体製造装置２の性能のいかんにかかわらず、排
ガス処理装置１の反応部５には常に安定した最適真空度
が得られることとなる。その他の構成および作用は実施
形態１と同様である。
【００５６】以下は上記実施形態の排ガス処理装置１を
適用した具体例である。 実施例１ 本実施例は、ＣＶＤ法による半導体製造工程においてシ
ランガス（ＳｉＨ4 ）を使用する場合に、上記排ガス処
理装置１を適用したものである。
適用した具体例である。 実施例１ 本実施例は、ＣＶＤ法による半導体製造工程においてシ
ランガス（ＳｉＨ4 ）を使用する場合に、上記排ガス処
理装置１を適用したものである。
【００５７】ＣＶＤでシランガス（ＳｉＨ4 ）を使用す
る場合には、通常酸素（Ｏ2 ）も同時に反応室３に導入
されるから、この反応室３からの排ガス中には、多量の
シランが未反応のまま残留している。したがって、この
残留ガスに対してプラズマ反応を促進するため、これら
の排ガスに対しては、反応促進ガスとして、特に酸素
（Ｏ2 ）を多量に混入させる。
る場合には、通常酸素（Ｏ2 ）も同時に反応室３に導入
されるから、この反応室３からの排ガス中には、多量の
シランが未反応のまま残留している。したがって、この
残留ガスに対してプラズマ反応を促進するため、これら
の排ガスに対しては、反応促進ガスとして、特に酸素
（Ｏ2 ）を多量に混入させる。
【００５８】これにより、上記反応部５においては、排
ガスが反応室３におけるＣＶＤと同じ反応が起こり、シ
ラン系排ガスの濃度低減が可能となる。
ガスが反応室３におけるＣＶＤと同じ反応が起こり、シ
ラン系排ガスの濃度低減が可能となる。
【００５９】実施例２ 本実施例は、ＣＶＤ法による半導体製造工程においてシ
ランガス（ＳｉＨ4 ）中にジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ），フォ
スフィン（ＰＨ3 ），アルシン（ＡＳＨ3 ）が混入され
ている場合に、上記排ガス処理装置１を適用したもので
ある。
ランガス（ＳｉＨ4 ）中にジボラン（Ｂ2 Ｈ6 ），フォ
スフィン（ＰＨ3 ），アルシン（ＡＳＨ3 ）が混入され
ている場合に、上記排ガス処理装置１を適用したもので
ある。
【００６０】この場合は、それぞれプラズマ反応生成物
としてドープされた二酸化ケイ素等の酸化物が堆積固化
されることで、除去が可能となる。
としてドープされた二酸化ケイ素等の酸化物が堆積固化
されることで、除去が可能となる。
【００６１】実施例３ 本実施例は、エッチング系の半導体製造装置２の反応室
３からの排ガス中にフッ素ガスが混入されている場合
に、上記排ガス処理装置１を適用したものである。
３からの排ガス中にフッ素ガスが混入されている場合
に、上記排ガス処理装置１を適用したものである。
【００６２】この場合は、フッ素ガスが被エッチング物
と反応して生成した反応生成ガスが、反応部５のプラズ
マ反応により解離されて、フッ酸（ＨＦ）が新たに生成
される場合がある。このため、反応容器１１ａ〜１１ｄ
の壁面材料の一部をシリコン（Ｓｉ）または多結晶シリ
コンに変えることにより、このシリンコンを形成された
フッ酸と強制的に反応させることにより、四フッ化ケイ
素（ＳｉＦ4 ）および水素（Ｈ2 ）として分解されて、
フッ酸の生成が軽減される。
と反応して生成した反応生成ガスが、反応部５のプラズ
マ反応により解離されて、フッ酸（ＨＦ）が新たに生成
される場合がある。このため、反応容器１１ａ〜１１ｄ
の壁面材料の一部をシリコン（Ｓｉ）または多結晶シリ
コンに変えることにより、このシリンコンを形成された
フッ酸と強制的に反応させることにより、四フッ化ケイ
素（ＳｉＦ4 ）および水素（Ｈ2 ）として分解されて、
フッ酸の生成が軽減される。
【００６３】実施例４ 本実施例は、実施例１と同様、ＣＶＤ法による半導体製
造工程においてシランガス（ＳｉＨ4 ）を使用する場合
に、上記排ガス処理装置１を適用したものである。
造工程においてシランガス（ＳｉＨ4 ）を使用する場合
に、上記排ガス処理装置１を適用したものである。
【００６４】この場合、実施例１の構成において、図６
に示すように、排ガス処理装置１の反応部５の上流側
に、シランガスと酸素を強制的に反応させる反応室Ｂを
配設したものである。その他の構成および作用は実施例
１と同様である。
に示すように、排ガス処理装置１の反応部５の上流側
に、シランガスと酸素を強制的に反応させる反応室Ｂを
配設したものである。その他の構成および作用は実施例
１と同様である。
【００６５】なお、上述した実施形態はあくまでも本発
明の好適な実施態様を示すものであって、本発明はこれ
らに限定されることなくその範囲内で種々の設計変更が
可能である。一例として、以下に列挙するような改変が
考えられる。
明の好適な実施態様を示すものであって、本発明はこれ
らに限定されることなくその範囲内で種々の設計変更が
可能である。一例として、以下に列挙するような改変が
考えられる。
【００６６】(1) 図示の実施形態においては、反応部５
が並列に配設された二つの反応ユニット１０，１０を備
えるが、この反応ユニット１０の配設数は、半導体製造
装置２から排出される排ガスの必要処理量に対応して設
定され、例えば、必要処理量が小さい場合には、単一の
反応ユニット１０とするなど、目的に応じて適宜増減さ
れる。
が並列に配設された二つの反応ユニット１０，１０を備
えるが、この反応ユニット１０の配設数は、半導体製造
装置２から排出される排ガスの必要処理量に対応して設
定され、例えば、必要処理量が小さい場合には、単一の
反応ユニット１０とするなど、目的に応じて適宜増減さ
れる。
【００６７】(2) 同様に、図示の実施形態の反応ユニッ
ト１０は、４つの反応容器１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１
１ｄが直列に接続されて、排ガスが複数種類の構成物質
からなる混合ガスである場合に、各構成物質を個別に除
去することも可能な構成とされているが、この反応容器
の接続数も目的に応じて適宜増減され、単一の反応容器
つまり単一の真空雰囲気で構成されても良い。
ト１０は、４つの反応容器１１ａ、１１ｂ、１１ｃ、１
１ｄが直列に接続されて、排ガスが複数種類の構成物質
からなる混合ガスである場合に、各構成物質を個別に除
去することも可能な構成とされているが、この反応容器
の接続数も目的に応じて適宜増減され、単一の反応容器
つまり単一の真空雰囲気で構成されても良い。
【００６８】(3) プラズマ電極２０，２１の具体的構
成、特に電極子２０ａ，２１ａの具体的構成は、図示の
実施形態に限定されない。例えば、図示の電極子２０
ａ，２１ａは、交互に平行に交差する薄肉平板状とされ
て、これらの電極表面に堆積固化したプラズマ反応生成
物の剥離除去等が可能な構造とされて、プラズマ電極２
０，２１の繰り返し使用が確保されているが、同心状に
かつ平行に交差する同心の渦巻き形状等も採用可能であ
り、この場合は、プラズマ反応生成物の回収用カートリ
ッジとして、使い捨て構造とされる。
成、特に電極子２０ａ，２１ａの具体的構成は、図示の
実施形態に限定されない。例えば、図示の電極子２０
ａ，２１ａは、交互に平行に交差する薄肉平板状とされ
て、これらの電極表面に堆積固化したプラズマ反応生成
物の剥離除去等が可能な構造とされて、プラズマ電極２
０，２１の繰り返し使用が確保されているが、同心状に
かつ平行に交差する同心の渦巻き形状等も採用可能であ
り、この場合は、プラズマ反応生成物の回収用カートリ
ッジとして、使い捨て構造とされる。
【００６９】(4) また、本発明は、図示の実施形態のよ
うな半導体製造装置のほか、反応ガスを利用して成膜ま
たはエッチングを行う同様の装置の排ガスの処理に適用
可能である。
うな半導体製造装置のほか、反応ガスを利用して成膜ま
たはエッチングを行う同様の装置の排ガスの処理に適用
可能である。
【００７０】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
真空雰囲気内において、半導体製造工程等から排出され
た排ガスに反応促進ガスを混合させながら、プラズマを
発生させることにより、排ガス中の構成物質をプラズマ
反応生成物として堆積固化させるようにしたから、上記
反応促進ガスを、処理すべき排ガスの構成物質に対応し
て最適なものを選定することにより、各種の半導体製造
工程等から排出される排ガスを処理して、その中に含ま
れる有害・汚染物質を実質的に完全に分解除去すること
ができる。
真空雰囲気内において、半導体製造工程等から排出され
た排ガスに反応促進ガスを混合させながら、プラズマを
発生させることにより、排ガス中の構成物質をプラズマ
反応生成物として堆積固化させるようにしたから、上記
反応促進ガスを、処理すべき排ガスの構成物質に対応し
て最適なものを選定することにより、各種の半導体製造
工程等から排出される排ガスを処理して、その中に含ま
れる有害・汚染物質を実質的に完全に分解除去すること
ができる。
【００７１】すなわち、半導体製造工程等からの排ガス
中には、反応消費により新たに生成した反応生成ガスの
ほか、反応消費されることなく排出される多量の未反応
ガスや残留ガスが含まれているところ、上記反応促進ガ
スとして、例えば上記半導体製造工程に反応ガスと共に
供給される反応促進ガスと同じものや触媒効果のある適
当な触媒ガスを用いることにより、この反応促進ガスと
上記プラズマとの相互作用で、構成物質分子の解離、重
合が促されて、効率的な気相化学反応を起こす結果、プ
ラズマ電極の表面には、上記排ガス中の有害・汚染物質
が安定したプラズマ反応生成物として堆積固化して、排
ガスから分解除去され得る。これにより、上記排ガスを
直接大気に放出しても大気汚染の問題を生じない。
中には、反応消費により新たに生成した反応生成ガスの
ほか、反応消費されることなく排出される多量の未反応
ガスや残留ガスが含まれているところ、上記反応促進ガ
スとして、例えば上記半導体製造工程に反応ガスと共に
供給される反応促進ガスと同じものや触媒効果のある適
当な触媒ガスを用いることにより、この反応促進ガスと
上記プラズマとの相互作用で、構成物質分子の解離、重
合が促されて、効率的な気相化学反応を起こす結果、プ
ラズマ電極の表面には、上記排ガス中の有害・汚染物質
が安定したプラズマ反応生成物として堆積固化して、排
ガスから分解除去され得る。これにより、上記排ガスを
直接大気に放出しても大気汚染の問題を生じない。
【００７２】また、上記真空雰囲気を、半導体製造工程
等の反応容器とその真空ポンプシステムとの間に介装す
ることにより、清浄化された排ガスがこの真空ポンプシ
ステムへ送り込まれる結果、ポンプオイルが排ガス中の
未処理物質と反応して劣化することもなく、ポンプオイ
ルの寿命が延びるとともに、真空ポンプシステム自体の
寿命も延びる。
等の反応容器とその真空ポンプシステムとの間に介装す
ることにより、清浄化された排ガスがこの真空ポンプシ
ステムへ送り込まれる結果、ポンプオイルが排ガス中の
未処理物質と反応して劣化することもなく、ポンプオイ
ルの寿命が延びるとともに、真空ポンプシステム自体の
寿命も延びる。
【００７３】また、半導体製造工程等から排出される排
ガスが複数種類の構成物質からなる混合ガスである場合
には、上記プラズマ反応を起こす密閉反応室を複数台直
列に配設するとともに、各密閉反応室の真空雰囲気内
に、上記気体導入手段により選択された種類の反応促進
ガスを個別に導入して、これら連続する密閉反応室の真
空雰囲気中を順次通過させることにより、上記混合ガス
中の構成物質分子を選択的に解離、重合させて、各種の
プラズマ反応生成物として個別除去することも可能とな
る。
ガスが複数種類の構成物質からなる混合ガスである場合
には、上記プラズマ反応を起こす密閉反応室を複数台直
列に配設するとともに、各密閉反応室の真空雰囲気内
に、上記気体導入手段により選択された種類の反応促進
ガスを個別に導入して、これら連続する密閉反応室の真
空雰囲気中を順次通過させることにより、上記混合ガス
中の構成物質分子を選択的に解離、重合させて、各種の
プラズマ反応生成物として個別除去することも可能とな
る。
【００７４】さらに、冷却手段により、プラズマ電極の
電極表面を冷却することにより、真空雰囲気内における
プラズマ反応の反応速度つまりプラズマ反応生成物の堆
積速度も増進されて、より効率的な排ガス処理が実現し
得る。
電極表面を冷却することにより、真空雰囲気内における
プラズマ反応の反応速度つまりプラズマ反応生成物の堆
積速度も増進されて、より効率的な排ガス処理が実現し
得る。
【図１】本発明の実施形態１である排ガス処理装置の概
略構成を示すブロック構成図である。
略構成を示すブロック構成図である。
【図２】同排ガス処理装置の反応ユニットを示し、図２
(a) は一部断面で示す平面図、図２(b) は同じく一部断
面で示す正面図、図２(c) は右側面図である。
(a) は一部断面で示す平面図、図２(b) は同じく一部断
面で示す正面図、図２(c) は右側面図である。
【図３】同反応ユニットの反応容器の内部構成を拡大し
て示す縦断面図である。
て示す縦断面図である。
【図４】同排ガス処理装置の接続系統を示すブロック図
である。
である。
【図５】本発明の実施形態２である排ガス処理装置の接
続系統を示すブロック図である。
続系統を示すブロック図である。
【図６】本発明の排ガス処理装置の反応部の改変例を示
すブロック図である。
すブロック図である。
Ａ 密閉反応室 １ 排ガス処理装置 ２ 半導体製造装置 ３ 半導体製造装置の反応室 ４ 真空ポンプ（真空手段） ５ 反応部 ６ 反応促進気体導入部（気体導入手
段） ６ａ 気体導入口 ７ プラズマ発生部（プラズマ発生手
段） ８ 冷却部（冷却手段） １０ 反応ユニット １１ａ〜１１ｄ 反応容器 １２ａ 排ガス導入口 １２ｂ 排ガス排出口 ２０，２１ プラズマ電極 ２０ａ，２１ａ プラズマ電極の電極子 ２２ 高周波発振器 ３０ 冷却器 １０４ 真空ポンプ
段） ６ａ 気体導入口 ７ プラズマ発生部（プラズマ発生手
段） ８ 冷却部（冷却手段） １０ 反応ユニット １１ａ〜１１ｄ 反応容器 １２ａ 排ガス導入口 １２ｂ 排ガス排出口 ２０，２１ プラズマ電極 ２０ａ，２１ａ プラズマ電極の電極子 ２２ 高周波発振器 ３０ 冷却器 １０４ 真空ポンプ
Claims (10)
- 【請求項１】 真空雰囲気内において、半導体製造工程
等から排出された排ガスに反応促進ガスを混合させなが
ら、プラズマを発生させることにより、排ガス中の構成
物質をプラズマ反応生成物として堆積固化させるように
したことを特徴とする排ガス処理方法。 - 【請求項２】 前記真空雰囲気内にプラズマを発生させ
るプラズマ電極を配置して、このプラズマ電極表面に前
記プラズマ反応生成物を堆積固化させるようにしたこと
を特徴とする請求項１に記載の排ガス処理方法。 - 【請求項３】 半導体製造工程等から排出された排ガス
を、複数の真空雰囲気中を順次通過させるとともに、 各真空雰囲気内において、前記ガスに選択された反応促
進ガスを混合させながら、プラズマを発生させることに
より、排ガス中の構成物質をプラズマ反応生成物として
堆積固化させるようにしたことを特徴とする請求項１ま
たは２に記載の排ガス処理方法。 - 【請求項４】 排ガス処理中に前記プラズマ電極表面を
冷却して、排ガス中の構成物質の堆積固化を促進させる
ようにしたことを特徴とする請求項１から３のいずれか
一つに記載の排ガス処理方法。 - 【請求項５】 半導体製造工程等から排出された排ガス
中の構成物質を反応固化させる装置であって、 排ガス導入口および排ガス排出口を備える密閉反応室
と、 この密閉反応室内に反応促進ガスを導入する気体導入手
段と、 前記密閉反応室内を真空雰囲気にする真空手段と、 前記密閉反応室内にプラズマを発生させるプラズマ発生
手段とを備えてなることを特徴とする排ガス処理装置。 - 【請求項６】 前記プラズマ発生手段は、前記密閉反応
室内に所定の間隔をもって平行対向状に配置された一対
のプラズマ電極と、これらプラズマ電極に高周波電気エ
ネルギを印加するための高周波発振器とを備え、 この高周波発振器により前記プラズマ電極に高周波電気
エネルギが印加されて、これら両プラズマ電極間を通過
する排気ガスの構成物質が電子的に励起されるように構
成されていることを特徴とする請求項５に記載の排ガス
処理装置。 - 【請求項７】 前記気体導入手段により前記密閉反応室
内に導入される反応促進ガスは、処理すべき排ガスの構
成物質に対応して選定されることを特徴とする請求項５
または６に記載の排ガス処理装置。 - 【請求項８】 前記密閉反応室内におけるプラズマ反応
の反応速度を増進させるための冷却手段を備え、この冷
却手段は、前記プラズマ電極を冷却する構造とされてい
ることを特徴とする請求項５から７のいずれか一つに記
載の排ガス処理装置。 - 【請求項９】 前記密閉反応室は、半導体製造装置等の
反応室とこの反応室内を真空雰囲気にするポンプシステ
ムとの間に配置され、 このポンプシステムが前記密閉反応室内を真空雰囲気に
する前記真空手段と機能する構成とされていることを特
徴とする請求項５から９のいずれか一つに記載の排ガス
処理装置。 - 【請求項１０】 前記密閉反応室が複数台直列に配設さ
れて、半導体製造工程等から排出された排ガスが、これ
ら密閉反応室内に形成される真空雰囲気中を順次通過す
る構成とされるとともに、 各密閉反応室の真空雰囲気内には、前記気体導入手段に
より選択された反応促進ガスがそれぞれ個別に導入され
ることを特徴とする請求項５から９のいずれか一つに記
載の排ガス処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9176536A JPH115012A (ja) | 1997-06-16 | 1997-06-16 | 排ガス処理方法および処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9176536A JPH115012A (ja) | 1997-06-16 | 1997-06-16 | 排ガス処理方法および処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH115012A true JPH115012A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=16015326
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9176536A Withdrawn JPH115012A (ja) | 1997-06-16 | 1997-06-16 | 排ガス処理方法および処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH115012A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2413293A (en) * | 2004-04-20 | 2005-10-26 | Boc Group Plc | Method of treating an effluent stream |
| DE4307091B4 (de) * | 1992-04-18 | 2009-06-04 | Neumayer Tekfor Holding Gmbh | Mutter, insbesondere Radmutter |
| JP2013086095A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Han Sup Uhm | プラズマを用いたシランガス除去装置 |
| KR20160130261A (ko) * | 2014-03-06 | 2016-11-10 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마 포어라인 열 반응기 시스템 |
-
1997
- 1997-06-16 JP JP9176536A patent/JPH115012A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4307091B4 (de) * | 1992-04-18 | 2009-06-04 | Neumayer Tekfor Holding Gmbh | Mutter, insbesondere Radmutter |
| GB2413293A (en) * | 2004-04-20 | 2005-10-26 | Boc Group Plc | Method of treating an effluent stream |
| JP2013086095A (ja) * | 2011-10-21 | 2013-05-13 | Han Sup Uhm | プラズマを用いたシランガス除去装置 |
| KR20160130261A (ko) * | 2014-03-06 | 2016-11-10 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 플라즈마 포어라인 열 반응기 시스템 |
| JP2017510453A (ja) * | 2014-03-06 | 2017-04-13 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ | プラズマ・フォアライン・サーマル・リアクタ・システム |
| US10920315B2 (en) | 2014-03-06 | 2021-02-16 | Applied Materials, Inc. | Plasma foreline thermal reactor system |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7407635B2 (en) | Processes and apparatuses for treating halogen-containing gases | |
| EP1981618B1 (en) | Method of treating a gas stream | |
| JPH01307429A (ja) | ガスから汚染蒸気を抽出する方法及び装置 | |
| CN106030755A (zh) | 含有重原子的化合物的等离子体减量 | |
| KR20010062657A (ko) | 가스 회수 시스템 및 가스 회수 방법 | |
| CN105047515A (zh) | 用于减少有害物质的等离子体反应器 | |
| JPH115013A (ja) | 排ガス処理装置 | |
| US20140079617A1 (en) | Apparatus for treating a gas stream | |
| US5888357A (en) | Apparatus and method for producing ionic water and system and method for producing electrolytic ionic water | |
| JPH01297126A (ja) | 排ガス処理装置 | |
| KR20040057470A (ko) | 증착 챔버 세정 방법 및 인시튜 세정이 가능한 증착 장치 | |
| JPH115012A (ja) | 排ガス処理方法および処理装置 | |
| JPH0663097B2 (ja) | 膜形成操作系におけるフツ化物系ガスによるクリーニング後の汚染除去方法 | |
| US20030161774A1 (en) | Processes and apparatuses for treating halogen-containing gases | |
| JP2003236338A (ja) | 有機ハロゲン含有ガスの処理方法および装置 | |
| JP4220318B2 (ja) | プロセスチャンバー内のクリーニング方法 | |
| JP2000271429A (ja) | 排ガス処理方法および処理装置 | |
| JP2010058009A (ja) | 三フッ化窒素分解処理方法および三フッ化窒素分解処理装置 | |
| KR20030080447A (ko) | 가스 스크러버 | |
| EP0729777A1 (en) | Method for removing perfluorocarbon from a gas stream | |
| JPH0480723B2 (ja) | ||
| JP2002343785A (ja) | 薄膜形成残渣処理装置 | |
| KR20130122526A (ko) | 불소 분자를 사용한 반응기 박스 챔버의 세정 방법 | |
| JPH10266831A (ja) | 排ガス浄化システム | |
| JP2002085939A (ja) | フッ素系排ガス分解処理方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040907 |