JPH11504321A - 4族金属ジエン錯体の合成 - Google Patents

4族金属ジエン錯体の合成

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JPH11504321A
JPH11504321A JP8532469A JP53246996A JPH11504321A JP H11504321 A JPH11504321 A JP H11504321A JP 8532469 A JP8532469 A JP 8532469A JP 53246996 A JP53246996 A JP 53246996A JP H11504321 A JPH11504321 A JP H11504321A
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Abstract

(57)【要約】 金属が+2形式酸化状態にあるチタン又はジエン錯体の製造方法であって、共役又は非共役のC4-40ジエン化合物をヒドロカルビルオキシド含有前駆体錯体と接触させることを特徴とする方法。

Description

【発明の詳細な説明】 4族金属ジエン錯体の合成 本発明は、金属が+3又は+4の形式酸化状態にあるヒドロカルビロキシド化 合物から出発して+2形式酸化状態の4族金属のある種の配位錯体の製造法に関 する。この金属錯体はポリオレフィンの製造に使用する付加重合触媒の成分とし て非常に有用である。 WO95−00526において、ある種のチタン及びジルコニウムの製造が記 載されている。この錯体は単一の環状非局在化Π結合配位子基を含み、該錯体の 金属が対応する金属ハライドから+2形式酸化状態にある。 上記の金属配位錯体を製造する上記の合成法は出発物質として金属ハライド化 合物を使用する。これらの金属ハライドは腐食性で毒性があり、そして空気及び 水分に敏感である。その取扱いを容易にするために、ハライド化合物は代表的に 、たとえばTHF又はジエチルエーテルで別の工程においてエーテル付加物に軟 化される。この付加物生成工程は多くの場合困難を伴って進行し、減少した温度 及び不活性雰囲気の使用を必要とする。この理由及び他の理由で、上記の製造で えられる収率は望ましくなく低い。 本発明によれば、次式 ただし、 Mは+2形式酸化状態のチタン又はジルコニウムであり; LはMに結合している環状、非局在化アニオン性Π系を含む基であり; ZはLとMの双方に結合し、ホウ素又は元素の周期律表の14族の一員を含み 、窒素、リン、イオウ又は酸素をも含む2価部分であり、該部分は60以下の非 水素原子をもち; Xは中性、共役、又は非共役ジエンであり、任意に1以上のヒドロカルビル基 で置換され、該Xは40以下の炭素原子をもち、MとΠ結合している、 に相当する金属錯体の製造法が提供され、その方法は次の諸工程からなる。 1)a)共役又は非共役C4-40ジエン化合物を式 ただし、 M*は+3又は+4形式酸化状態のチタン又はジルコニウムであり; X*はそれぞれの場合独立にC1-20ヒドロカルビルオキシドであり; xは1又は2であり; Gはアミン、ホスフィン及びエーテルからえらばれたルイス塩基であり、該G は3〜20の非水素原子をもち; L及びZは前記定義のとおりであり;そして gは0〜3の数である; に相当する金属錯体と不活性溶媒中で接触させ、そして b)生成する混合物を還元剤と接触させるか、あるいは 2)a)共役又は非共役C4-40ジエン化合物を適当な非干渉性溶媒中で還元剤と 接触させ、そして b)生成する混合物を式 ただし、L,Z,M*,X*,x,G及びgは前記定義のとおりである、 に相当する錯体と接触させることからなる。 出発試剤の金属中心のヒドロカルビロキシ基は、出発化合物を還元剤の存在下 でジエンと接触させることによって除かれて所望の錯体を高収率及び高純度で与 えるということが発見された。この発見は驚異的であると考えられる。ヒドロカ ルビリロキシ−遷移金属の結合は一般に水素−遷移金属の結合よりも強い結合で あり、それ故、ヒドロカルビロキシ基は水素基よりも通常好適な離脱基ではない からである。これは90%以上の収率で錯体を与える本発明において真実ではな いことが実証された。生成錯体は標準の濾過技術によって高純度で容易に分離す ることができる。また、出発ヒドロカルビロキシ化合物は空気敏感性がずっと少 なく、毒性がなく、対応するハライド化合物よりも炭化水素により容易に可溶で あって、本発明を商業的設置により望ましいものにしている。 元素の周期律表についてのすべての参照はここでは1989年にCRCプレス 、インコーポレーテッドによって刊行された元素の周期律表に準拠している。ま た族の参照は、族の番号づけについてIUPAC系を使用してこの元素の周期律 表に反映されている族のことをいう。 金属原子とΠ結合部分の各構成原子との間の結合は均等である必要がないこと が理解される。すなわち、金属はLに対称的に又は非対称にΠ結合であることが できる。 本発明で出発試剤として使用する金属ヒドロカルビロキシ錯体は、式 M*X* x, ただし、 M*及びX*は前記定義のとおりであり;そして x’は3又は4である、 の金属ヒドロカルビロキシ化合物を式 (D)2(L−2) ただし、 Dはそれぞれの場合独立に1族金属又は2族金属モノハライドであり、そして L及びZは前記定義のとおりである、 のジアニオン性塩化合物と接触させることによって製造することができる。 好ましくは、X*はそれぞれの場合独立にアルコキシ、アリールオキシ、アル カリールオキシ、及びアリールアルコキシ基からなる群からえらばれ、該X*は 10以下の炭素をもち、更に好ましくはX*はそれぞれの場合独立にメトキシ、 エトキシ、イソプロポキシ、n−ブトキシ、及びt−ブトキシからなる群から独 立にえらばれる。 中性ルイス塩基G、たとえばエーテル又はアミン化合物は所望の場合錯体と組 み合わせることもできるが、これは一般には好ましくない。 本発明の方法で製造される好ましい配位金属錯体は次式の化合物である。 ただし、 M及びXは前記定義のとおりであり; CpはZに結合し且つMはη5結合様式で結合しているC5H4基であるか、又 はヒドロカルビル、シリル、ゲルミル、ハロ、シアノ及びそれらの組合せから独 立にえらばれた1〜4個の置換基で置換されたこのようなη5結合基であり、該 置換基は20以下の非水素原子をもち、そして任意に、2個のこのような隣接置 換基は一緒になってCpに結合環構造をもたせ; ZはSiR* 2,CR* 2,SiR* 2SiR* 2,CR* 2CR* 2,CR*=CR*,C R* 2SiR* 2,GeR* 2,BR*,又はBR* 2であり、ただしR*はそれぞれの場 合独立に水素、ヒドロカルビル、水素化ヒドロカルビル、及びシリル基、但し2 0以下の非水素原子をもつ、それらの混合物からなる群から独立にえらばれ、あ るいはZからの2以上のR*基、又はZからのR*基はYと一緒になって結合環系 を形成し;そして Yは窒素、リン、酸素又はイオウからなり、20以下の非水素原子をもつ2価 アニオン性の配位子基であり、該Yはこれらの窒素、リン、酸素又はイオウを介 してZ及びMに結合している。 更に好ましくは、Yは−O−,−S−,−NR*,又は−PR*であり、R*は 前記定義のとおりである。非常に好ましくは、Yは式−N(R”)―又は−P (R”)−に相当する窒素又はリン含有基である。ただしR”はC1-10ヒドロカ ルビルである。 更なる好ましいCp基は、シクロペンタジエニル、インデニル、テトラヒドロ インデニル、フルオレニル、テトラヒドロフルオレニル、オクタヒドロフルオレ ニル基、及び置換基当り20以下の非水素原子の置換基1〜8個で置換されたこ のような基である。 更に好ましくは、本発明の方法に使用するヒドロカルビロキシ錯体は次式に相 当し、 そして生成するジエン含有生成物は式 に相当する。 ただし、 M,M*,R”,X*及びXは前記定義のとおりであり; R’はそれぞれの場合独立に、水素、シリル、アルキル、アリール、ゲルミル 、シアノ、ハロ、及び20以下の非水素原子をもつそれらの組合せ、からなる群 からえらばれ、あるいは2個のR’基は一緒になってその2価誘導体を形成し; R*はそれぞれの場合独立に、ヒドロカルビル、ハロヒドロカルビル、及びシ リル基、但し20以下の非水素原子をもつ、及びそれらの混合物からなる群から えらばれ; Eはケイ素、又は炭素であり;そして mは1又は2である。 最も高度に好ましい金属ジエン錯体は、(ER* 2)mがジメチルシリル又は1 ,2−エタンジイルであり、R”がメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチ ル、ヘキシル、(利用しうるすべての異性体を含む)、ノルボルニル、ベンジル 、又はフェニルであり;Lがシクロペンタジエニル、インデニル、テトラヒドロ インデニル、フルオレニル、オクタヒドロフルオレニル、又はそれらのメチル置 換誘導体であり;そしてXが1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、1,3 −ペンタジエン、1,4−ジベンジル−1,3−ブタジエン、2,4−ヘキサジ エン、3−メチル−1,3−ペンタジエン、1,4−ジトリル−1,3−ブタジ エン、又は1,4−ビス(トリメチルシリル)−1,3−ブタジエンである場合 のチタン化合物である。 出発試剤として使用する特定の非常に好ましいチタンヒドロカルビロキシ化合 物として次のものがあげられる。 (t−ブチルアミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)−1,2 −エタンジイルチタンジエトキシド、(t−ブチルアミド)(テトラメチル―η5 −シクロペンタジエニル)−1,2−エタンジイルチタンジイソプロポキシド (t−ブチルアミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)−1,2 −エタンジイルチタンジ−n−ブトキシド、(t−ブチルアミド)(テトラメチ ル―η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタンジエトキシド、(t― ブチルアミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシラン チタンジイソプロポキシド、(t−ブチルアミド)(テトラメチル―η5−シク ロペンタジエニル)ジメチルシランチタンジ−n−ブトキシド、(メチルアミド )(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタンジエト キシド、(メチルアミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)ジメ チルシランチタンジイソプロポキシド、(メチルアミド)(テトラメチル―η5 −シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタンジ−n−ブトキシド、(フェ ニルアミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチ タンジエトキシド、(フェニルアミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタジ エニル)ジメチルシランチタンジイソプロポキシド、(フェニルアミド)(テト ラメチル―η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタンジ−n−ブトキ シド、(ベンジルアミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)ジメ チルシランチタンジエトキシド、(ベンジルアミド)(テトラメチル―η5−シ クロペンタジエニル)ジメチルシランチタンジイソプロポキシド、(ベンジルア ミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタンジ −n−ブトキシド、(t−ブチルアミド)(η5−シクロペンタジエニル)−1 ,2−エタンジイルチタンジイソプロポキシド、(t−ブチルアミド)(η5− シクロペンタジエニル)−1,2−エタンジイルチタンジ−n−ブトキシド、( t−ブチルアミド)(η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタンジイ ソプロポキシド、(t−ブチルアミド)(η5−シクロペンタジエニル)ジメチ ルシランチタンジ−n−ブトキシド、(t−ブチルアミド)インデニルジメチル シランチタンジイソプロポキシド、(t−ブチルアミド)インデニルジメチルシ ランチタンジ−n−ブトキシド、及び(ベンジルアミド)インデニルジメチルシ ランチタンジイソプロポキシド。 特定の非常に好ましいチタン(II)ジエン錯体として次のものがあげられる。 (t−ブチルアミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)−1,2 −エタンジイルチタン1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、(t−ブチル アミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、(メチルアミド)(テトラメチル− η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン1,4−ジフェニル−1, 3−ブタジエン、(フェニルアミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタジエ ニル)ジメチルシランチタン1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、(ベン ジルアミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチ タン1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、(t−ブチルアミド)(η5− シクロペンタジエニル)−1,2−エタンジイルチタン1,4−ジフェニル−1 , 3−ブタジエン、(t−ブチルアミド)(η5−シクロペンタジエニル)ジメチ ルシランチタン1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、(メチルアミド)( η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン1,4−ジフェニル−1, 3−ブタジエン、(t−ブチルアミド)インデニルジメチルシランチタン1,4 −ジフェニル−1,3−ブタジエン、(ベンジルアミド)インデニルジメチルシ ランチタン1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、(t−ブチルアミド)( テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)−1,2−エタンジイルチタン1 ,3−ブタジエン、(t−ブチルアミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタ ジエニル)ジメチルシランチタン1,3−ブタジエン、(メチルアミド)(テト ラメチル―η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン1,3−ペンタ ジエン、(フェニルアミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)ジ メチルシランチタン1,3−ペンタジエン、(ベンジルアミド)(テトラメチル ―η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン1,3−ペンタジエン、 (t−ブチルアミド)(η5−シクロペンタジエニル)−1,2−エタンジイル チタン1,3−ペンタジエン、(t−ブチルアミド)(η5−シクロペンタジエ ニル)ジメチルシランチタン1,3−ペンタジエン、(メチルアミド)(η5− シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン1,3−ペンタジエン、(t−ブ チルアミド)インデニルジメチルシランチタン1,3−ペンタジエン、(ベンジ ルアミド)インデニルジメチルシランチタン1,3−ペンタジエン、(t−ブチ ルアミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)−1,2−エタンジ イルチタン1,4−ジベンジル−1,3−ブタジエン、(t−ブチルアミド)( テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン1,4―ジ フェニル−1,3−ブタジエン、(メチルアミド)(テトラメチル―η5−シク ロペンタジエニル)ジメチルシランチタン1,4−ジベンジル−1,3−ブタジ エン、(フェニルアミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)ジメ チルシランチタン1,4−ジベンジル−1,3−ブタジエン、(ベンジルアミド )(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン1,4 −ジベンジル−1,3−ブタジエン、(t−ブチルアミド)(η5−シクロペン タジエニル)−1,2−エタンジイルチタン1,4−ジベンジル−1,3−ブ タジエン、(t−ブチルアミド)(η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシラ ンチタン1,4−ジベンジル−1,3−ブタジエン、(メチルアミド)(η5― シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン1,4−ジベンジル−1,3−ブ タジエン、(t−ブチルアミド)インデニルジメチルシランチタン1,4−ジベ ンジル−1,3−ブタジエン、(ベンジルアミド)インデニルジメチルシランチ タン1,4−ジベンジル−1,3−ブタジエン、(t−ブチルアミド)(テトラ メチル―η5−シクロペンタジエニル)−1,2−エタンジイルチタン2,4― ヘキサジエン、(t−ブチルアミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタジエ ニル)ジメチルシランチタン2,4−ヘキサジエン、(メチルアミド)(テトラ メチル―η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン2,4−ヘキサジ エン、(フェニルアミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)ジメ チルシランチタン2,4−ヘキサジエン、(ベンジルアミド)(テトラメチル― η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン2,4−ヘキサジエン、( t−ブチルアミド)(η5−シクロペンタジエニル)−1,2−エタンジイルチ タン2,4−ヘキサジエン、(t−ブチルアミド)(η5−シクロペンタジエニ ル)ジメチルシランチタン2,4−ヘキサジエン、(メチルアミド)(η5―シ クロペンタジエニル)ジメチルシランチタン2,4−ヘキサジエン、(t−ブチ ルアミド)インデニルジメチルシランチタン2,4−ヘキサジエン、(ベンジル アミド)インデニルジメチルシランチタン2,4−ヘキサジエン、(t−ブチル アミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)−1,2−エタンジイ ルチタン3−メチル−1,3−ペンタジエン、(メチルアミド)(テトラメチル ―η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン3−メチル−1,3―ペ ンタジエン、(フェニルアミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル )ジメチルシランチタン3−メチル−1,3−ペンタジエン、(ベンジルアミド )(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン3―メ チル−1,3−ペンタジエン、(t−ブチルアミド)(η5−シクロペンタジエ ニル)−1,2−エタンジイルチタン3−メチル−1,3−ペンタジエン、(t −ブチルアミド)(η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン3−メ チル−1,3−ペンタジエン、(メチルアミド)(η5−シクロペンタジエ ニル)ジメチルシランチタン3−メチル−1,3−ペンタジエン、(t−ブチル アミド)インデニルジメチルシランチタン3−メチル−1,3−ペンタジエン、 (ベンジルアミド)インデニルジメチルシランチタン3−メチル−1,3−ペン タジエン、(t−ブチルアミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル )−1,2−エタンジイルチタン1,4−ジトリル−1,3−ブタジエン、(t −ブチルアミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシラ ンチタン1,4−ジトリル−1,3−ブタジエン、(メチルアミド)(テトラメ チル―η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン1,4−ジトリル− 1,3−ブタジエン、(フェニルアミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタ ジエニル)ジメチルシランチタン1,4−ジトリル−1,3−ブタジエン、(ベ ンジルアミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシラン チタン1,4−ジトリル−1,3−ブタジエン、(t−ブチルアミド)(η5− シクロペンタジエニル)−1,2−エタンジイルチタン1,4−ジトリル―1, 3−ブタジエン、(t−ブチルアミド)(η5−シクロペンタジエニル)ジメチ ルシランチタン1,4−ジトリル−1,3−ブタジエン、(メチルアミド)(η5 −シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン1,4−ジトリル−1,3− ブタジエン、(t−ブチルアミド)インデニルジメチルシランチタン1,4−ジ トリル−1,3−ブタジエン、(ベンジルアミド)インデニルジメチルシランチ タン1,4−ジトリル−1,3−ブタジエン、(t−ブチルアミド)(テトラメ チル―η5−シクロペンタジエニル)−1,2−エタンジイルチタン1,4−ビ ス(トリメチルシリル)−1,3−ブタジエン、(t−ブチルアミド)(テトラ メチル―η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン1,4−ビス(ト リメチルシリル)−1,3−ブタジエン、(メチルアミド)(テトラメチル―η5 −シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン1,4−ビス(トリメチルシ リル)−1,3−ブタジエン、(フェニルアミド)(テトラメチル―η5―シク ロペンタジエニル)ジメチルシランチタン1,4−ビス(トリメチルシリル)− 1,3−ブタジエン、(ベンジルアミド)(テトラメチル―η5−シクロペンタ ジエニル)ジメチルシランチタン1,4−ビス(トリメチルシリル)−1,3− ブタジエン、(t−ブチルアミド)(η5−シクロペンタジエニル)−1, 2−エタンジイルチタン1,4−ビス(トリメチルシリル)−1,3−ブタジエ ン、(t−ブチルアミド)(η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタ ン1,4−ビス(トリメチルシリル)−1,3−ブタジエン、(メチルアミド) (η5−シクロペンタジエニル)ジメチルシランチタン1,4−ビス(トリメチ ルシリル)1,3−ブタジエン、(t−ブチルアミド)インデニルジメチルシラ ンチタン1,4−ビス(トリメチルシリル)−1,3−ブタジエン、及び(ベン ジルアミド)インデニルジメチルシランチタン1,4−ビス(トリメチルシリル )−1,3−ブタジエン。 対応するジルコニウム錯体は当業者によって自明であり、ここには列挙しない 。 ここに「還元剤」なる用語は、出発錯体と混合したときM*を+3又は+4形 式酸化状態から+2形式酸化状態に還元する金属又は化合物(又はジエンとこの ような金属又は化合物との混合から生ずる生成物)のことを意味する。好適な金 属還元剤の例は、アルカリ金属、アルカリ土類金属、アルミニウム及び亜鉛、ア ルカリ金属又はアルカリ土類金属の合金、たとえばナトリウム/水銀アマルガム 及びナトリウム/カリウム合金である。好適な還元剤化合物の例は、ナトリウム ナフタレニド、カリウムグラファイト、リチウムアルキル、トリヒドロカルビル アンモニウム化合物及びグリニア試剤である。最も好ましい還元剤はアルカリ金 属、アルカリ土類金属、各アルキル基中に2〜8の炭素をもつトリアルキルアル ミニウム化合物、及びC1-8アルキルリチウム化合物である。特に好ましい還元 剤はトリエチルアルミニウムである。 本発明の方法において、不活性の、好ましくは非プロトン性の、有機液体希釈 剤を使用する。このような希釈剤の好適な例は脂肪族又は脂環族のエーテル及び 炭化水素である。好ましくは、炭化水素希釈剤は5〜10個の炭素原子をもつ脂 肪族又は脂環族の炭化水素である。例としてペンタン、ヘキサン、ヘプタン、I sopar E(エクソン ケミカル インコーポレーテッドから入手しうるイ ソパラフィン系炭化水素の混合物)、イソオクタン、シクロヘキサン、及びメチ ルシクロヘキサンがあげられる。 この方法を行う温度は臨界的ではないが、好ましくは希釈剤の沸点以下である 。好ましい温度範囲は0℃〜200℃であり、更に好ましくは10℃〜150℃ 、 最も好ましくは20℃〜120℃である。 一般に、反応試剤は不活性雰囲気下で数分〜数日間接触させる。酸素及び水分 の存在は避けるのが好ましい。反応試剤は如何なる順序で加えてもよい。攪拌は 所望ならば使用することができる。 金属錯体から製造される触媒系は、ジエン含有金属配位錯体を1以上の活性化 共触媒と混合することによって、製造される。好ましくは、配位錯体と共触媒と の比はモル基準で1:0.1〜1:10,000である。触媒成分を重合法に直 接加え、そして好適な溶媒又は希釈剤(縮合モノマーを含む)を重合法に使用す る場合、触媒系をその場で作ることもできる、ということが勿論理解されるであ ろう。好適な溶媒として、トルエン、エチルベンゼン、アルカン、及びそれらの 混合物があげられる。若干の場合に、触媒は使用前に溶液から分離し、不活性雰 囲気下に保持することができる。触媒の各成分は水分と酸素の双方に敏感であり 、不活性雰囲気下で、たとえば窒素、アルゴン又はヘリウム下で又は真空下で取 扱い及び輸送すべきである。 好適な活性化用の共触媒として、ポリマー状又はオリゴマー状のアルモキサン とくにメチルアルモキサン、トリイソブチルアルミニウム変性メチルアルモキサ ン、又はジイソブチルアルモキサン;強ルイス酸、たとえばC1-30ヒドロカルビ ル置換13族成分とくにトリ(ヒドロカルビル)アルミニウム―又はトリ(ヒド ロカルビル)ホウ素−化合物及びそのハロゲン化誘導体であって各ヒドロカルビ ル又はハロゲン化ヒドロカルビル基中に1〜10の炭素をもつもの、更に特別に は完全弗素化トリ(アリール)ホウ素化合物、更に特別にはトリス(ペンタフル オロフェニル)ボラン;非ポリマー状相溶性非配位性のイオン形成性化合物(酸 化性条件下でのこのような化合物の使用を含む)、特にテトラキス(ペンタフル オロフェニル)ボレートのアンモニウム、ホスホニウム、フェロセニウム、カル ベニウム、又はシリリウム塩、及び上記の活性化用共触媒と技術の組合せがあげ られる。上記の活性化用触媒と活性化用技術は、異なった金属錯体に関してEP −A−277,003、US−A−5,153,157、US−A−5,064 ,802、EP−A−468,651、WP−A−520,732、及びWO9 3/03250に既に教示された。 強ルイス酸の組合せ、とくに各アルキル基中に1〜4の炭素をもつトリアルキ ルアルミニウムと、各ヒドロカルビル基中に1〜10の炭素をもつトリ(ヒドロ カルビル)ホウ素化合物とくにトリス(ペンタフルオロフェニル)ボランとの組 合せ、このような強ルイス酸混合物とポリマー状又はオリゴマー状アルモキサン との更なる組合せ、及び単一強ルイス酸とくにトリス(ペンタフルオロフェニル )ボランとポリマー状又はオリゴマー状アルモキサンとの組合せ、が特に望まし い活性化用共触媒である。 重合はチグラー・ナッタ又はカミンスキイ−シン型重合についての周知の技術 により行われる。すなわち、モノマー(類)と触媒を、減圧、昇圧又は大気圧に おいて−30℃〜250℃の温度で接触させる。重合は不活性雰囲気下で行われ 、これは窒素、アルゴン、水素、エチレンなどのような外套ガスでありうる。当 業技術において既に知られている鎖停止による分子量調節に水素を付加的に使用 することができる。触媒はそのままで使用することができ、又は好適な支持体た とえばアルミナ、MgCl2、又はシリカに支持させて不均一支持された触媒と することもできる。所望ならば溶媒を使用することもできる。好適な溶媒として 、トルエン、エチルベンゼン、アルカン及び過剰のビニル芳香族又はオレフィン モノマー、があげられる。反応はまた完全弗素化炭化水素又は類似液体を使用す る懸濁液中で、気相中で、溶液又はスラリ条件下で行うことができる。すなわち 、流動床反応器を使用して気相で、又は固相粉末重合において行うことができる 。本発明の触媒及び共触媒の触媒有効量はポリマーの生成を成功裡にもたらす量 である。このような量は当業者による日常の実験によって容易に決定することが できる。触媒及び共触媒の好ましい量は、付加重合性モノマー:触媒の当量比1 ×1010:1〜100:1、好ましくは1×108:1〜500:1、最も好ま しくは1×106:1〜1000:1を与えるに十分な量である。共触媒は共触 媒:触媒の当量比10,000:1〜0.1:1、好ましくは1,000:1〜 1:1を与える量で一般に使用される。 生成するポリマー生成物は濾過又は他の好適な技術によって回収される。添加 物及び補薬を本発明のポリマーに配合して望ましい特性を与えることもできる。 好適な添加物として、顔料、UV安定剤、酸化防止剤、発泡剤、滑剤、可塑剤、 感光剤、及びそれらの混合物があげられる。 本発明を記述したが、次の実施例により本発明を更に具体的に説明する。然し これらは本発明を限定するものと解すべきではない。実施例1 A)ジ(クロロマグネシウム)(t−ブチルアミド)ジメチル(テトラ―η5− シクロペンタジエニル)シラン〔Me4C5SiMe2N1Bu〕〔MgCl〕2( DME)nの製造 ドライボックス中、攪拌器、コンデンサー、及び窒素入口を備える31の丸底 フラスコに500mlのトルエンを入れ、次いで106gのMe4C5HSiMe2 NHtBuを、その後にジエチルエーテル中の2.2MiPrMgClの380m lを入れた。混合物を加熱し、エーテルを蒸留によって除き、−78℃に冷却し たコンデンサー中に捕捉した。5時間の加熱後に、加熱を止め、450mlのジ メトキシエタン(DME)を依然として熱い攪拌溶液に徐々に加え、白色固体の 沈澱をえた。溶液を室温に冷却し、固体を沈降させ、そして上澄液を固体からデ カンテーションした。固体をIsopar Eに再懸濁し、濾過した。灰白色固 体の収量は210g(79%)であった。 B)(t−ブチルアミド)ジメチル(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニ ル)シランチタンジイソプロポキシドの製造 ドライボックス中、24.95gのチタンテトライソプロポキシド(Ti(Oi Pr)4)(アルドリッチ ケミカル カンパニー)(88ミリモル)を約20 0mlのヘキサンにとかした。58gの固体〔Me4C5SiMe2NtBu〕〔M gCl〕2(DME)n(滴定による有効分子量:約629g/モル;92ミリモ ル)を、約50mlの追加のヘキサンを使用して、フラスコに加えた。混合物を 室温で一夜攪拌し、次いで中程度の多孔性フリントガラス・フィルター(10− 15μm多孔度)を通して濾過した。フリントに残る固体を、追加のヘキサンで 、洗浄液が無色になるまで、洗浄した。黄橙色溶液をえた、そして揮発物を減圧 下に除去して、(Me4C5SiMe2NtBu)Ti(OiPr)2を黄色結晶固体 として実質的に定量的収率でえた。1H NMR(C6D6):4.57ppm( セプテット、2H),2.16ppm(s,6H),1.91 ppm(s,6H),1.37ppm(s,9H),1.15ppm(d,12 H),及び0.65ppm(6H)。 Cl)(t−ブチルアミド)ジメチル(テトラメチル―η5−シクロペンタジエ ニル)シランチタンη4−1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエンの製造 ドライボックス中で、0.125gの(t−ブチルアミド)ジメチル(テトラ メチル―η5−シクロペンタジエニル)シランチタンジプロポキシド((Me4C5 SiMe2NtBu)Ti(OiPr)2及び0.062gの1,4−ジフェニル― トランス,トランス−1,3−ブタジエン(アルドリッチ ケミカル カンパニ ーから購入)を無水Isopar E 20ml中で混合した。これらIsop ar E中のトリエチルアルミニウムの0.015M溶液5.0mlを加えた。 色調は直ちに超淡黄色から橙色に変わった。反応混合物を攪拌しながら温和な還 流に加熱した。色調は徐々に深赤/紫色に暗化した。3時間後に、溶液を約20 ℃に冷却した。少量を取出し、揮発物質を減圧下に除いて、所望の生成物、(M e4C5SiMe2NtBu)Ti・CH(C6H5)CHCHCH(C6H5)を紫固 体としてえた。この物質は、他のルートにより行われた錯体のスペクトルとの1 H NMRスペクトルの比較によって確認された。 C2)(t−ブチルアミド)ジメチル(テトラメチル―η5−シクロペンタジエ ニル)シランチタン(1,3−ペンタジエン)の製造 ドライボックス中で、0.125gの(Me4C5SiMe2NtBu)Ti(Oi Pr)2を20mlの混合アルカンにとかした。1,3−ペンタジエン(0.3 0ml)を加え、次いで4.5mlのトリエチルアルミニウム(ヘキサン中0. 15M)を加えた。混合物を5時間還流加熱し、この時間にわたって溶液の色調 は深赤/褐色に変化した。この溶液を次いで冷却し、少量を取り出して減圧下に 乾燥して深赤色オイルをえた。この物質の1H NMRスペクトルは、主要成分 が(t−ブチルアミド)ジメチル(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル )シランチタン(1,3−ペンタジエン)であり、少量成分が(t−ブチルアミ ド)ジメチル(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)シランチタンエチ ルイソプロポキシドであることを示した。 D)重合 3.81の攪拌反応器に21の混合アルカン溶媒(エクソン ケミカルス イ ンコーポレーテッドから入手しうるIsopar E)及び175mlの1−オ クテンコモノマーを充填した。反応器を140℃に加熱し、エチレンを3450 kPaで飽和させた。約30mlの添加槽から差圧膨張によって水素(Δ340 kPa)を加えた。Isopar E中の0.0050Mの(t−ブチルアミド )ジメチル(テトラメチル―η5−シクロペンタジエニル)シランチタン η4− 1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン(CIで製造したもの)の溶液1.0 0ml、ビス(ペンタフルオロフェニル)ボランの0.0150M溶液1.50 ml、及びヘプタンとIsopar Eとの混合物(容量で50/50)中のト リイソブチルアルミニウム変性メチルアルモキサンの0.050M溶液の100 mlを混合することによってドライボックス中で触媒/共触媒溶液を製造した。 この溶液を次いで触媒添加槽に移し、反応器に注入した。 必要に応じてエチレンを供給しながら、重合を10分間進行させた。溶液を反 応器から除き、イソプロパノールで反応を停止させた。障害フェノール酸化防止 剤(チバ ガイギーから入手しうるIrganox 1010)をこのポリマー 溶液に加えた。ポリマーを120℃に設定した真空オーブン中で約20時間乾燥 した。0.911g/ccの密度、メルトインデックス I2=8.7dg/分 、及びI10/I2=5.6をもつエチレン/オクテンコポリマー127gを収量 としてえた。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.式 ただし、 Mは+2形式酸化状態のチタン又はジルコニウムであり; LはMに結合している環状、非局在化アニオン性Π系を含む基であり; ZはLとMの双方に結合し、ホウ素又は元素の周期律表の14族の一員を含み 、窒素、リン、イオウ又は酸素をも含む2価の基であり、該基は60以下の非水 素原子をもち; Xは中性、共役又は非共役ジエンであり、任意に1以上のヒドロカルビル基で 置換され、該Xは40以下の炭素原子をもち、MとΠ結合している、 に相当する4族金属錯体の製造方法であって、 1)a)共役又は非共役C4-40ジエン化合物を、式 ただし、 M*は+3又は+4形式酸化状態のチタン又はジルコニウムであり; X*はそれぞれの場合独立にC1-20ヒドロカルビルオキシドであり; xは1又は2であり; Gはアミン、ホスフィン及びエーテルからえらばれたルイス塩基であり、該G は3〜20の非水素原子をもち; L及びZは前記定義のとおりであり;そして gは0〜3の数である; に相当する金属錯体と不活性溶媒中で接触させ、そして b)生成する混合物を還元剤と接触させるか、あるいは 2)a)共役又は非共役C4-40ジエン化合物を適当な非干渉性溶媒中で還元剤と 接触させ、そして b)生成する混合物を式 ただし、L、Z、M*、X*、x、G及びgは前記定義のとおりである、 に相当する錯体と接触させる、 ことからなることを特徴とする4族金属錯体の製造方法。 2.X*がメトキシ、エトキシ、イソプロポキシ、n−ブトキシ、又はt−ブト キシである請求項1記載の方法。 3.ヒドロカルビロキシ錯体が式 に相当し、そして生成するジエン含有生成物が式 に相当する、 ただし、 M、M*、X*及びXは請求項1に定義のとおりであり; R*はそれぞれの場合独立に、20以下の非水素原子をもつヒドロカルビル、 ハロヒドロカルビル、及びシリル基及びそれらの組合せからなる群からえらばれ ; R”はC1-10ヒドロカルビルであり; R’はそれぞれの場合独立に、水素、シリル、アルキル、アリール、ゲルミル 、シアノ、ハロ、及びそれらの組合せであって20以下の非水素原子をもつもの からえらばれ、あるいは2個の隣接R’基は一緒になってその2価誘導体を形成 し; Eはケイ素、又は炭素であり;そして mは1又は2である、 請求項1記載の方法。 4.ジエンが1,4−ジフェニル−1,3−ブタジエン、1,3−ペンタジエン 、1,4−ジベンジル−1,3−ブタジエン、2,4−ヘキサジエン、3−メチ ル−1,3−ペンタジエン、1,4−ジトリル−1,3−ブタジエン、又は1, 4−ビス(トリメチルシリル)−1,3−ブタジエンである請求項1記載の方法 。
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