JPH1151865A - 赤外線検出装置およびガス分析装置 - Google Patents
赤外線検出装置およびガス分析装置Info
- Publication number
- JPH1151865A JPH1151865A JP20600397A JP20600397A JPH1151865A JP H1151865 A JPH1151865 A JP H1151865A JP 20600397 A JP20600397 A JP 20600397A JP 20600397 A JP20600397 A JP 20600397A JP H1151865 A JPH1151865 A JP H1151865A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- infrared
- component
- signal
- unit
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01N—INVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
- G01N21/00—Investigating or analysing materials by the use of optical means, i.e. using sub-millimetre waves, infrared, visible or ultraviolet light
- G01N21/17—Systems in which incident light is modified in accordance with the properties of the material investigated
- G01N21/25—Colour; Spectral properties, i.e. comparison of effect of material on the light at two or more different wavelengths or wavelength bands
- G01N21/31—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry
- G01N21/35—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light
- G01N21/3504—Investigating relative effect of material at wavelengths characteristic of specific elements or molecules, e.g. atomic absorption spectrometry using infrared light for analysing gases, e.g. multi-gas analysis
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Biochemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Immunology (AREA)
- Pathology (AREA)
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 光伝導型赤外線検出素子を用いた光検出にお
いて、光伝導型赤外線検出素子の温度を一定にする手段
を不要として、光伝導型赤外線検出素子の温度補正をす
ること。 【解決手段】 第１のＰｂＳｅ素子６、第２のＰｂＳｅ
素子７に光源３から断続的な赤外線が照射されると、そ
の赤外線量に応じて赤外線検出回路２１ａ，２１ｂは電
気信号を出力する。この出力信号は一方でそのままＡ／
Ｄ変換器３１を介してＣＰＵ３２へ、他方で交流成分検
出回路２２ａおよび２２ｂを介して交流信号とされてＣ
ＰＵ３２に至る。ＣＰＵ３２は、ＥＥＰＲＯＭ２３に格
納されているＰｂＳｅ素子６および７の抵抗値と感度と
の関係のデータと、赤外線検出回路２１ａ，２１ｂの出
力信号の直流成分に基づいて、上記交流信号を補正す
る。
いて、光伝導型赤外線検出素子の温度を一定にする手段
を不要として、光伝導型赤外線検出素子の温度補正をす
ること。 【解決手段】 第１のＰｂＳｅ素子６、第２のＰｂＳｅ
素子７に光源３から断続的な赤外線が照射されると、そ
の赤外線量に応じて赤外線検出回路２１ａ，２１ｂは電
気信号を出力する。この出力信号は一方でそのままＡ／
Ｄ変換器３１を介してＣＰＵ３２へ、他方で交流成分検
出回路２２ａおよび２２ｂを介して交流信号とされてＣ
ＰＵ３２に至る。ＣＰＵ３２は、ＥＥＰＲＯＭ２３に格
納されているＰｂＳｅ素子６および７の抵抗値と感度と
の関係のデータと、赤外線検出回路２１ａ，２１ｂの出
力信号の直流成分に基づいて、上記交流信号を補正す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光伝導型赤外線検
出素子を用いた赤外線検出装置に関するものであり、ま
た、その赤外線検出装置の構成を備えたガス分析装置に
関するものである。
出素子を用いた赤外線検出装置に関するものであり、ま
た、その赤外線検出装置の構成を備えたガス分析装置に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】呼吸ガス中の炭酸ガス濃度を測定する装
置として、非分散型赤外線分析装置が知られている。こ
の原理を利用した炭酸ガス分析装置が、特願平8-262953
号に示されている。この特願平8-262953号の装置のセン
サ部の構造を図１１に示す。
置として、非分散型赤外線分析装置が知られている。こ
の原理を利用した炭酸ガス分析装置が、特願平8-262953
号に示されている。この特願平8-262953号の装置のセン
サ部の構造を図１１に示す。
【０００３】この図に示すように、筐体１内には、呼吸
ガスを導くエアウェイアダプタ２と、このエアウェイア
ダプタ２に赤外線を照射する光源３およびミラー４と、
エアウェイアダプタ２を透過した赤外線の一部を透過さ
せ、残りを反射させて他の方向に導くビームスプリッタ
５とが設けられている。ビームスプリッタ５を反射した
赤外線は、第１のＰｂＳｅ素子６に、ビームスプリッタ
５を透過した赤外線は第２のＰｂＳｅ素子７にそれぞれ
至るようにされている。第１のＰｂＳｅ素子６および第
２のＰｂＳｅ素子７の前面にはいずれも波長 4.3μｍを
中心とする狭いバンド幅の赤外線を透過させるバンドパ
スフィルタ８、バンドパスフィルタ９がそれぞれ設けら
れている。波長 4.3μｍは炭酸ガスに強く吸収される波
長である。更に、ビームスプリッタ５と第２のＰｂＳｅ
素子７との間には、光透過部を有する容器に高濃度の炭
酸ガスが充填された炭酸ガスセル１０が設けられてい
る。第１のＰｂＳｅ素子６および第２のＰｂＳｅ素子７
は、それぞれ図１２に示すような検出回路に組み込まれ
ている。ＰｂＳｅ素子は赤外線の照射によって抵抗値が
変わる素子である。したがって、断続された赤外線が照
射されたとき、これらの検出回路の出力電圧の交流信号
は照射された赤外線量に応じている。
ガスを導くエアウェイアダプタ２と、このエアウェイア
ダプタ２に赤外線を照射する光源３およびミラー４と、
エアウェイアダプタ２を透過した赤外線の一部を透過さ
せ、残りを反射させて他の方向に導くビームスプリッタ
５とが設けられている。ビームスプリッタ５を反射した
赤外線は、第１のＰｂＳｅ素子６に、ビームスプリッタ
５を透過した赤外線は第２のＰｂＳｅ素子７にそれぞれ
至るようにされている。第１のＰｂＳｅ素子６および第
２のＰｂＳｅ素子７の前面にはいずれも波長 4.3μｍを
中心とする狭いバンド幅の赤外線を透過させるバンドパ
スフィルタ８、バンドパスフィルタ９がそれぞれ設けら
れている。波長 4.3μｍは炭酸ガスに強く吸収される波
長である。更に、ビームスプリッタ５と第２のＰｂＳｅ
素子７との間には、光透過部を有する容器に高濃度の炭
酸ガスが充填された炭酸ガスセル１０が設けられてい
る。第１のＰｂＳｅ素子６および第２のＰｂＳｅ素子７
は、それぞれ図１２に示すような検出回路に組み込まれ
ている。ＰｂＳｅ素子は赤外線の照射によって抵抗値が
変わる素子である。したがって、断続された赤外線が照
射されたとき、これらの検出回路の出力電圧の交流信号
は照射された赤外線量に応じている。
【０００４】このような構成のセンサ部において、ビー
ムスプリッタ５を透過した断続された赤外線量を測定す
る検出回路の交流信号の振幅をＶR 、ビームスプリッタ
５を反射した光量を測定する検出回路の交流信号の振幅
をＶs とすると、その比Ｖs／ＶR を計算することによ
り、光源の赤外線の変動等によるドリフトに影響されず
に、ガス濃度を検出することができる。
ムスプリッタ５を透過した断続された赤外線量を測定す
る検出回路の交流信号の振幅をＶR 、ビームスプリッタ
５を反射した光量を測定する検出回路の交流信号の振幅
をＶs とすると、その比Ｖs／ＶR を計算することによ
り、光源の赤外線の変動等によるドリフトに影響されず
に、ガス濃度を検出することができる。
【０００５】しかしこのように比Ｖs ／ＶR を求めて
も、第１のＰｂＳｅ素子６および第２のＰｂＳｅ素子７
のそれぞれは、感度の温度係数が異なるため、温度ドリ
フトの影響は残る。そこで従来は、ヒータとサーミスタ
を用いてＰｂＳｅ素子の温度コントロールを行ってい
る。米国特許5,153,436 にその例が示されている。
も、第１のＰｂＳｅ素子６および第２のＰｂＳｅ素子７
のそれぞれは、感度の温度係数が異なるため、温度ドリ
フトの影響は残る。そこで従来は、ヒータとサーミスタ
を用いてＰｂＳｅ素子の温度コントロールを行ってい
る。米国特許5,153,436 にその例が示されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】このように従来は光伝
導型赤外線検出素子の温度を一定にするために、ヒー
タ、サーミスタ、温度コントロール回路が必要であっ
た。このため製造コストが高くなる、消費電力が大きく
なる、ウォームアップ時間が長くなるといった問題があ
った。
導型赤外線検出素子の温度を一定にするために、ヒー
タ、サーミスタ、温度コントロール回路が必要であっ
た。このため製造コストが高くなる、消費電力が大きく
なる、ウォームアップ時間が長くなるといった問題があ
った。
【０００７】本発明の目的は、光伝導型赤外線検出素子
の温度を一定にする手段を不要とし、光伝導型赤外線検
出素子の温度ドリフトを補正する赤外線検出装置およ
び、その赤外線検出装置の構成を備えたガス分析装置を
提供することである。
の温度を一定にする手段を不要とし、光伝導型赤外線検
出素子の温度ドリフトを補正する赤外線検出装置およ
び、その赤外線検出装置の構成を備えたガス分析装置を
提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の赤外線検出装
置は、断続的な光を発生する光源と、この光源からの光
を測定対象物を介して照射される光伝導型赤外線検出素
子を有し、この光伝導型赤外線検出素子の抵抗値に応じ
た電気信号を出力する信号出力手段と、この信号出力手
段の出力信号から交流成分を検出する交流成分検出手段
と、前記光伝導型赤外線検出素子について抵抗値と感度
に関する固有のデータを記憶する記憶手段と、この記憶
手段が記憶したデータと、前記信号出力手段が出力する
信号の直流成分とに基づいて前記交流成分検出手段が検
出した交流成分を補正する補正手段と、を具備する。
置は、断続的な光を発生する光源と、この光源からの光
を測定対象物を介して照射される光伝導型赤外線検出素
子を有し、この光伝導型赤外線検出素子の抵抗値に応じ
た電気信号を出力する信号出力手段と、この信号出力手
段の出力信号から交流成分を検出する交流成分検出手段
と、前記光伝導型赤外線検出素子について抵抗値と感度
に関する固有のデータを記憶する記憶手段と、この記憶
手段が記憶したデータと、前記信号出力手段が出力する
信号の直流成分とに基づいて前記交流成分検出手段が検
出した交流成分を補正する補正手段と、を具備する。
【０００９】このような構成において、光伝導型赤外線
検出素子は、照射される光の量に応じて抵抗値が変化す
る。信号出力手段は、この抵抗値に応じた電気信号を出
力する。信号出力手段の出力信号のうち交流成分は交流
成分検出手段によって検出される。この交流成分は測定
対象物を介して断続的に照射される光の量に対応してい
る。補正手段は、この交流成分を記憶手段が記憶したデ
ータと、前記信号出力手段が出力する信号の直流成分と
に基づいて補正する。
検出素子は、照射される光の量に応じて抵抗値が変化す
る。信号出力手段は、この抵抗値に応じた電気信号を出
力する。信号出力手段の出力信号のうち交流成分は交流
成分検出手段によって検出される。この交流成分は測定
対象物を介して断続的に照射される光の量に対応してい
る。補正手段は、この交流成分を記憶手段が記憶したデ
ータと、前記信号出力手段が出力する信号の直流成分と
に基づいて補正する。
【００１０】請求項２の赤外線検出装置は、請求項１の
装置において、測定対象物は炭酸ガスを含むガス体であ
ることを特徴とする。
装置において、測定対象物は炭酸ガスを含むガス体であ
ることを特徴とする。
【００１１】請求項３の赤外線検出装置は、請求項１の
装置において、光伝導型赤外線検出素子はＰｂＳｅ素子
であることを特徴とする。
装置において、光伝導型赤外線検出素子はＰｂＳｅ素子
であることを特徴とする。
【００１２】請求項４のガス分析装置は、請求項１の赤
外線検出装置の構成に、その補正手段によって補正され
た前記交流成分に基づいて前記測定対象ガスの濃度を検
出するガス濃度検出手段を付加したものである。
外線検出装置の構成に、その補正手段によって補正され
た前記交流成分に基づいて前記測定対象ガスの濃度を検
出するガス濃度検出手段を付加したものである。
【００１３】このような構成において、補正手段が交流
成分を補正するまでは請求項１の装置と同じであり、ガ
ス濃度検出手段は、その補正手段によって補正された前
記交流成分に基づいて前記測定対象ガスの濃度を検出す
る。
成分を補正するまでは請求項１の装置と同じであり、ガ
ス濃度検出手段は、その補正手段によって補正された前
記交流成分に基づいて前記測定対象ガスの濃度を検出す
る。
【００１４】請求項５のガス分析装置は、請求項４の装
置において、測定対象ガスは炭酸ガスであることを特徴
とする。
置において、測定対象ガスは炭酸ガスであることを特徴
とする。
【００１５】請求項６のガス分析装置は、請求項４の装
置において、光伝導型赤外線検出素子はＰｂＳｅ素子で
あることを特徴とする。
置において、光伝導型赤外線検出素子はＰｂＳｅ素子で
あることを特徴とする。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を説明する。
まず、本実施の形態の原理的説明を行う。前述のように
ＰｂＳｅ素子は、赤外線の照射により抵抗値が変化する
光伝導型赤外線検出素子である。その抵抗値は、また、
温度によっても大きく変わり、それに伴って感度も変化
する。一般にこの種の測定においては、２つの素子が用
いられるが、一方は信号検出用（Signal）素子とされ、
他方は参照用（Reference ）素子とされる。これら各素
子の暗抵抗（光が照射されていないときの抵抗値Ｒd1，
Ｒd2）と、温度との関係は素子によって異なり、それぞ
れは図３に示すような一義的な関係にあるので、暗抵抗
Ｒd1，Ｒd2を測定することにより、それぞれの素子の温
度を知ることができる。ここで検出回路が図１２に示し
た構成であるとすると、例えばチョッパー等によって断
続された赤外線がＰｂＳｅ素子に照射されたとき、その
出力Ｖout は図２に示すようになる。これによると赤外
線が入射しないときは、その出力はＤＣ（直流）信号で
ある。このＤＣ信号の値ＶDCを検出すれば、暗抵抗Ｒd
は、次の式より求めることができる。 Ｒd ＝Ｖ×Ｒ／ＶDC （Ｖ；一定）……（１）
まず、本実施の形態の原理的説明を行う。前述のように
ＰｂＳｅ素子は、赤外線の照射により抵抗値が変化する
光伝導型赤外線検出素子である。その抵抗値は、また、
温度によっても大きく変わり、それに伴って感度も変化
する。一般にこの種の測定においては、２つの素子が用
いられるが、一方は信号検出用（Signal）素子とされ、
他方は参照用（Reference ）素子とされる。これら各素
子の暗抵抗（光が照射されていないときの抵抗値Ｒd1，
Ｒd2）と、温度との関係は素子によって異なり、それぞ
れは図３に示すような一義的な関係にあるので、暗抵抗
Ｒd1，Ｒd2を測定することにより、それぞれの素子の温
度を知ることができる。ここで検出回路が図１２に示し
た構成であるとすると、例えばチョッパー等によって断
続された赤外線がＰｂＳｅ素子に照射されたとき、その
出力Ｖout は図２に示すようになる。これによると赤外
線が入射しないときは、その出力はＤＣ（直流）信号で
ある。このＤＣ信号の値ＶDCを検出すれば、暗抵抗Ｒd
は、次の式より求めることができる。 Ｒd ＝Ｖ×Ｒ／ＶDC （Ｖ；一定）……（１）
【００１７】また、断続的に赤外線がＰｂＳｅ素子に照
射されるので、図２に示すように赤外線量に比例した交
流信号の振幅ＶACが得られる。
射されるので、図２に示すように赤外線量に比例した交
流信号の振幅ＶACが得られる。
【００１８】赤外線量が一定の条件下での２つの検出回
路の交流信号の振幅ＶS ，ＶR と温度との関係を図４に
示す。また、暗抵抗と感度とは図５に示すような関係で
あり、各素子について予め測定しておく。ここで、感度
は２０℃における交流信号の振幅を１としたときの交流
信号の振幅である。
路の交流信号の振幅ＶS ，ＶR と温度との関係を図４に
示す。また、暗抵抗と感度とは図５に示すような関係で
あり、各素子について予め測定しておく。ここで、感度
は２０℃における交流信号の振幅を１としたときの交流
信号の振幅である。
【００１９】従って、ＤＣ信号の値ＶDCを求めれば、暗
抵抗Ｒd を求めることができ、これによって温度が分か
り、この温度から感度を得ることができ、この感度によ
りＡＣ信号の値を素子が２０℃のときの値に補正するこ
とができる。
抵抗Ｒd を求めることができ、これによって温度が分か
り、この温度から感度を得ることができ、この感度によ
りＡＣ信号の値を素子が２０℃のときの値に補正するこ
とができる。
【００２０】図１は上記の原理を用いた炭酸ガス分析装
置のブロック図である。この図に示すように，本装置は
センサ部２０と本体部３０とからなる。図１に示すセン
サ部２０には、電気回路部分のみが示されている。セン
サ部２０の機械的部分は、図１１に示した構成と同じで
あるので説明は省略する。
置のブロック図である。この図に示すように，本装置は
センサ部２０と本体部３０とからなる。図１に示すセン
サ部２０には、電気回路部分のみが示されている。セン
サ部２０の機械的部分は、図１１に示した構成と同じで
あるので説明は省略する。
【００２１】センサ部２０の電気回路部分を説明する。
センサ部２０は、第１のＰｂＳｅ素子６を有する赤外線
検出回路２１ａと、この赤外線検出回路２１ａの出力信
号からその交流成分を検出する交流成分検出回路２２ａ
と、第２のＰｂＳｅ素子７を有する赤外線検出回路２１
ｂと、この赤外線検出回路２１ｂの出力信号からその交
流成分を検出する交流成分検出回路２２ｂと、光源３
と、ＥＥＰＲＯＭ２３を備えている。
センサ部２０は、第１のＰｂＳｅ素子６を有する赤外線
検出回路２１ａと、この赤外線検出回路２１ａの出力信
号からその交流成分を検出する交流成分検出回路２２ａ
と、第２のＰｂＳｅ素子７を有する赤外線検出回路２１
ｂと、この赤外線検出回路２１ｂの出力信号からその交
流成分を検出する交流成分検出回路２２ｂと、光源３
と、ＥＥＰＲＯＭ２３を備えている。
【００２２】赤外線検出回路２１ａは、第１のＰｂＳｅ
素子６と、オペアンプと、抵抗からなる。第１のＰｂＳ
ｅ素子６の一端は一定電圧の−１５ボルトが与えられ、
他端はオペアンプの反転入力端子に接続されている。オ
ペアンプの非反転入力端子は接地されている。オペアン
プの反転入力端子と出力端子は抵抗（抵抗値をＲ1 とす
る）を介して接続されている。赤外線検出回路２１ｂも
同様の構成である（この回路で用いられる抵抗の抵抗値
をＲ2 とする）。
素子６と、オペアンプと、抵抗からなる。第１のＰｂＳ
ｅ素子６の一端は一定電圧の−１５ボルトが与えられ、
他端はオペアンプの反転入力端子に接続されている。オ
ペアンプの非反転入力端子は接地されている。オペアン
プの反転入力端子と出力端子は抵抗（抵抗値をＲ1 とす
る）を介して接続されている。赤外線検出回路２１ｂも
同様の構成である（この回路で用いられる抵抗の抵抗値
をＲ2 とする）。
【００２３】交流成分検出回路２２ａおよび交流成分検
出回路２２ｂはそれぞれ、コンデンサおよび抵抗から成
るハイパスフィルタとそのフィルタの出力を増幅するア
ンプから成る。
出回路２２ｂはそれぞれ、コンデンサおよび抵抗から成
るハイパスフィルタとそのフィルタの出力を増幅するア
ンプから成る。
【００２４】ＥＥＰＲＯＭ２３には、本装置で用いるＰ
ｂＳｅ素子すなわち第１のＰｂＳｅ素子６および第２の
ＰｂＳｅ素子７のそれぞれの温度、暗抵抗、相対感度の
関係が書き込まれている。その一例を図６に示す。これ
らの値は、恒温槽等を用いて予め測定して得る。ＥＥＰ
ＲＯＭ２３には、炭酸ガス濃度と２つの赤外線検出回路
２１ａ、２１ｂの出力（素子の温度が２０℃のときの出
力）の比に関する情報および式（１）に用いる抵抗値Ｒ
1 ，Ｒ2 も書き込まれている。
ｂＳｅ素子すなわち第１のＰｂＳｅ素子６および第２の
ＰｂＳｅ素子７のそれぞれの温度、暗抵抗、相対感度の
関係が書き込まれている。その一例を図６に示す。これ
らの値は、恒温槽等を用いて予め測定して得る。ＥＥＰ
ＲＯＭ２３には、炭酸ガス濃度と２つの赤外線検出回路
２１ａ、２１ｂの出力（素子の温度が２０℃のときの出
力）の比に関する情報および式（１）に用いる抵抗値Ｒ
1 ，Ｒ2 も書き込まれている。
【００２５】光源３は赤外線を放射するランプである。
【００２６】本体部３０は、センサ部２０の赤外線検出
回路２１ａおよび２１ｂから直接に与えられる信号、セ
ンサ部２０の交流成分検出回路２２ａおよび２２ｂから
アンプを介して与えられる信号をそれぞれデジタル信号
に変換するＡ／Ｄ変換器３１と、このＡ／Ｄ変換器３１
から与えられる信号およびセンサ部２０のＥＥＰＲＯＭ
２３に格納されているデータに基づいてデータの処理を
行い、各部を制御するＣＰＵ（中央処理装置）３２を備
えている。更に本体部３０は、ＣＰＵ３２がデータ処理
の際に用いデータの書き込み読み出しを行うＲＡＭ３３
と、ＣＰＵ３２が行ったデータ処理の結果を表示する表
示器３４と、ＣＰＵ３２の指示に応じて光源３を駆動す
る光源駆動部３５と、この本体部３０の各部とセンサ部
２０の各部に電力を供給するための電源回路３６を備え
ている。
回路２１ａおよび２１ｂから直接に与えられる信号、セ
ンサ部２０の交流成分検出回路２２ａおよび２２ｂから
アンプを介して与えられる信号をそれぞれデジタル信号
に変換するＡ／Ｄ変換器３１と、このＡ／Ｄ変換器３１
から与えられる信号およびセンサ部２０のＥＥＰＲＯＭ
２３に格納されているデータに基づいてデータの処理を
行い、各部を制御するＣＰＵ（中央処理装置）３２を備
えている。更に本体部３０は、ＣＰＵ３２がデータ処理
の際に用いデータの書き込み読み出しを行うＲＡＭ３３
と、ＣＰＵ３２が行ったデータ処理の結果を表示する表
示器３４と、ＣＰＵ３２の指示に応じて光源３を駆動す
る光源駆動部３５と、この本体部３０の各部とセンサ部
２０の各部に電力を供給するための電源回路３６を備え
ている。
【００２７】センサ部２０と本体部３０を結ぶ各導線は
まとめられて一本のケーブルにされれている。
まとめられて一本のケーブルにされれている。
【００２８】本実施の形態において、赤外線検出回路２
１ａおよび２１ｂが信号出力手段に相当し、交流成分検
出回路２２ａおよび交流成分検出回路２２ｂが交流成分
検出手段に相当し、ＥＥＰＲＯＭ２３が記憶手段に相当
し、ＣＰＵ３２が有する交流成分の補正機能が補正手段
に相当し、ＣＰＵ３２が有する炭酸ガス濃度を求める機
能がガス濃度検出手段に相当する。
１ａおよび２１ｂが信号出力手段に相当し、交流成分検
出回路２２ａおよび交流成分検出回路２２ｂが交流成分
検出手段に相当し、ＥＥＰＲＯＭ２３が記憶手段に相当
し、ＣＰＵ３２が有する交流成分の補正機能が補正手段
に相当し、ＣＰＵ３２が有する炭酸ガス濃度を求める機
能がガス濃度検出手段に相当する。
【００２９】次にこのように構成された本装置の動作を
図７のフローチャートを参照して説明する。
図７のフローチャートを参照して説明する。
【００３０】電源が投入されると、ＣＰＵ３２はＥＥＰ
ＲＯＭ２３に格納されているデータを読み出してＲＡＭ
３３に書き込む（Ｓ１）。そしてＣＰＵ３２は光源駆動
部３５に動作開始の指示を出して、光源３を３７Ｈｚで
パルス点灯させる。
ＲＯＭ２３に格納されているデータを読み出してＲＡＭ
３３に書き込む（Ｓ１）。そしてＣＰＵ３２は光源駆動
部３５に動作開始の指示を出して、光源３を３７Ｈｚで
パルス点灯させる。
【００３１】光源３から放射された赤外線は、エアウェ
イアダプタ２を通過し、ビームスプリッタ５で２つに分
けられる。そのうち一方は、バンドパスフィルタ８を通
過して第１のＰｂＳｅ素子６に入射し、他方は、炭酸ガ
スセル１０とバンドパスフィルタ９を通過した後、第２
のＰｂＳｅ素子７に入射する。
イアダプタ２を通過し、ビームスプリッタ５で２つに分
けられる。そのうち一方は、バンドパスフィルタ８を通
過して第１のＰｂＳｅ素子６に入射し、他方は、炭酸ガ
スセル１０とバンドパスフィルタ９を通過した後、第２
のＰｂＳｅ素子７に入射する。
【００３２】赤外線検出回路２１ａの出力は一方ではそ
のまま直流信号ＤＣ１として、Ａ／Ｄ変換器３１に至
り、他方では交流成分検出回路２２ａで交流成分が抽出
されその交流信号ＡＣ１がＡ／Ｄ変換器３１に至る。赤
外線検出回路２１ａの出力も同様にして処理され直流信
号ＤＣ２と交流信号ＡＣ２がそれぞれＡ／Ｄ変換器３１
に至る。Ａ／Ｄ変換器３１ではこれらの与えられた信号
をデジタル化する（Ｓ２）。
のまま直流信号ＤＣ１として、Ａ／Ｄ変換器３１に至
り、他方では交流成分検出回路２２ａで交流成分が抽出
されその交流信号ＡＣ１がＡ／Ｄ変換器３１に至る。赤
外線検出回路２１ａの出力も同様にして処理され直流信
号ＤＣ２と交流信号ＡＣ２がそれぞれＡ／Ｄ変換器３１
に至る。Ａ／Ｄ変換器３１ではこれらの与えられた信号
をデジタル化する（Ｓ２）。
【００３３】次にＣＰＵ３２は、Ａ／Ｄ変換器３１によ
ってデジタル化された交流信号ＡＣ１の振幅ＶS および
交流信号ＡＣ２の振幅ＶR を読み取りＲＡＭ３３に格納
する（Ｓ３）。
ってデジタル化された交流信号ＡＣ１の振幅ＶS および
交流信号ＡＣ２の振幅ＶR を読み取りＲＡＭ３３に格納
する（Ｓ３）。
【００３４】次にＣＰＵ３２は、Ａ／Ｄ変換器３１によ
ってデジタル化された直流信号ＤＣ１の値ＶDC1 および
直流信号ＤＣ２の値ＶDC2 を読み取り、これらの値と上
記の式（１）から各ＰｂＳｅ素子の暗抵抗Ｒd1，Ｒd2を
それぞれ計算する（Ｓ４）。
ってデジタル化された直流信号ＤＣ１の値ＶDC1 および
直流信号ＤＣ２の値ＶDC2 を読み取り、これらの値と上
記の式（１）から各ＰｂＳｅ素子の暗抵抗Ｒd1，Ｒd2を
それぞれ計算する（Ｓ４）。
【００３５】次にＣＰＵ３２は、求めた暗抵抗から各Ｐ
ｂＳｅ素子の相対感度をＲＡＭ３３が記憶しているテー
ブルを参照して求める（Ｓ５）。
ｂＳｅ素子の相対感度をＲＡＭ３３が記憶しているテー
ブルを参照して求める（Ｓ５）。
【００３６】次にＣＰＵ３２は、求めた相対感度を用い
て、ステップＳ３で読み取った交流信号の振幅ＶS ，Ｖ
R を２０℃における値に補正する（Ｓ６）。
て、ステップＳ３で読み取った交流信号の振幅ＶS ，Ｖ
R を２０℃における値に補正する（Ｓ６）。
【００３７】次にＣＰＵ３２は、補正したＶS ，ＶR の
比を計算し、ＲＡＭ３３に格納しているデータに基づい
て、炭酸ガス濃度を求める（Ｓ７）。
比を計算し、ＲＡＭ３３に格納しているデータに基づい
て、炭酸ガス濃度を求める（Ｓ７）。
【００３８】次にＣＰＵ３２は、求めた炭酸ガス濃度を
表示器３４に表示する（Ｓ８）。この表示は数値や波形
を用いて行う。
表示器３４に表示する（Ｓ８）。この表示は数値や波形
を用いて行う。
【００３９】実際に本装置のセンサ部を室温（２６℃）
から１０℃の恒温槽に入れると、図８〜図１０に示す結
果が得られた。すなわち、センサ部を恒温槽に入れた直
後から、素子の暗抵抗、交流信号がドリフトしていく
（図８、図９）。しかし、補正後の交流信号はドリフト
が小さくなっており（図９）、両者の比をとって炭酸ガ
ス濃度に換算すると、温度ドリフトはほとんど除去され
ている（図１０）。これにより、ＰｂＳｅ素子の温度コ
ントロールは不要となり、非常に安定した測定が可能で
あることが確認される。
から１０℃の恒温槽に入れると、図８〜図１０に示す結
果が得られた。すなわち、センサ部を恒温槽に入れた直
後から、素子の暗抵抗、交流信号がドリフトしていく
（図８、図９）。しかし、補正後の交流信号はドリフト
が小さくなっており（図９）、両者の比をとって炭酸ガ
ス濃度に換算すると、温度ドリフトはほとんど除去され
ている（図１０）。これにより、ＰｂＳｅ素子の温度コ
ントロールは不要となり、非常に安定した測定が可能で
あることが確認される。
【００４０】本実施の形態では、直流信号値ＶDC1 ，Ｖ
DC2 から式（１）を用いて素子の抵抗値（暗抵抗）Ｒd
1，Ｒd2を求め、これによって素子の温度を特定し、図
６のテーブルを参照してその温度の相対感度を求めてい
る（図７に示すステップＳ４，Ｓ５）。これに対し、式
（１）で用いる抵抗値Ｒ1,Ｒ2 は一定（既知）であるか
ら、予め各温度における直流信号値ＶDC1 ，ＶDC2 と相
対感度とを直接対応付けたテーブルを作成し、このテー
ブルをＥＥＰＲＯＭ２３に格納しておくようにしても良
い。このテーブルが用いられるならば、直流信号値ＶDC
1 ，ＶDC2 から直ちに相対感度が得られるので、測定
中、式（１）を計算する必要がなく、迅速な処理を行う
ことができる。
DC2 から式（１）を用いて素子の抵抗値（暗抵抗）Ｒd
1，Ｒd2を求め、これによって素子の温度を特定し、図
６のテーブルを参照してその温度の相対感度を求めてい
る（図７に示すステップＳ４，Ｓ５）。これに対し、式
（１）で用いる抵抗値Ｒ1,Ｒ2 は一定（既知）であるか
ら、予め各温度における直流信号値ＶDC1 ，ＶDC2 と相
対感度とを直接対応付けたテーブルを作成し、このテー
ブルをＥＥＰＲＯＭ２３に格納しておくようにしても良
い。このテーブルが用いられるならば、直流信号値ＶDC
1 ，ＶDC2 から直ちに相対感度が得られるので、測定
中、式（１）を計算する必要がなく、迅速な処理を行う
ことができる。
【００４１】また、以上の例ではテーブルを用いて相対
感度を求めたが、暗抵抗Ｒd1，Ｒd2と相対感度の関係を
示す近似式、あるいは直流信号値ＶDC1 ，ＶDC2 と相対
感度の関係を示す近似式をＥＥＰＲＯＭ２３に格納し、
この近似式を用いて相対感度を求めるようにしても良
い。
感度を求めたが、暗抵抗Ｒd1，Ｒd2と相対感度の関係を
示す近似式、あるいは直流信号値ＶDC1 ，ＶDC2 と相対
感度の関係を示す近似式をＥＥＰＲＯＭ２３に格納し、
この近似式を用いて相対感度を求めるようにしても良
い。
【００４２】また、本実施の形態では、ビームスプリッ
タで２つに分けられた赤外線の一方は炭酸ガスセルを透
過させ、２つの赤外線検出回路は同じ波長の赤外線を検
出するようにした。このため、エアウェイアダプタの窓
に水分の層が形成されても測定結果は影響を受けないの
で、エアウェイアダプタの窓に防曇膜を用いることがで
き、サファイアなどの高価な部材が不要となり、製造コ
ストの低下を図ることができる等の効果を有する。
タで２つに分けられた赤外線の一方は炭酸ガスセルを透
過させ、２つの赤外線検出回路は同じ波長の赤外線を検
出するようにした。このため、エアウェイアダプタの窓
に水分の層が形成されても測定結果は影響を受けないの
で、エアウェイアダプタの窓に防曇膜を用いることがで
き、サファイアなどの高価な部材が不要となり、製造コ
ストの低下を図ることができる等の効果を有する。
【００４３】これに対し、米国特許5,153,436 で開示さ
れているように、ビームスプリッタで２つに分けられた
赤外線の一方は測定対象ガスの吸収率が極めて高い波長
のバンドパスフィルタを介して検出し、他方は測定対象
ガスの吸収率が極めて低い波長のバンドパスフィルタを
介して検出するような２波長の赤外線を用いる装置にあ
っても、本発明は同様にして適用できる。すなわち、こ
の場合においても、２つの光伝導型赤外線検出素子が用
いられるが、それぞれの素子が組み込まれた検出回路の
出力を同様にして補正すれば同様の補正の効果が得られ
る。この場合、２つの光伝導型赤外線検出素子を一定の
温度に保つ手段は不要となる。
れているように、ビームスプリッタで２つに分けられた
赤外線の一方は測定対象ガスの吸収率が極めて高い波長
のバンドパスフィルタを介して検出し、他方は測定対象
ガスの吸収率が極めて低い波長のバンドパスフィルタを
介して検出するような２波長の赤外線を用いる装置にあ
っても、本発明は同様にして適用できる。すなわち、こ
の場合においても、２つの光伝導型赤外線検出素子が用
いられるが、それぞれの素子が組み込まれた検出回路の
出力を同様にして補正すれば同様の補正の効果が得られ
る。この場合、２つの光伝導型赤外線検出素子を一定の
温度に保つ手段は不要となる。
【００４４】
【発明の効果】請求項１乃至請求項３の赤外線検出装置
によれば、光伝導型赤外線検出素子について抵抗値と感
度に関する固有のデータを用いて検出信号の補正を行う
ので、光伝導型赤外線検出素子を一定の温度に保つため
の手段が不要となる。また、このような構成によれば、
光伝導型赤外線検出素子の抵抗から温度を検出している
ので、別に温度センサを設ける必要がない。また、温度
センサを用いた場合、光伝導型赤外線検出素子と温度セ
ンサとの間に温度差が生じる可能性があるが、光伝導型
赤外線検出素子から温度を検出すると素子自身の温度を
反映しているので、本装置によれば、簡単な構成で精度
の高い温度補正を行うことができる。
によれば、光伝導型赤外線検出素子について抵抗値と感
度に関する固有のデータを用いて検出信号の補正を行う
ので、光伝導型赤外線検出素子を一定の温度に保つため
の手段が不要となる。また、このような構成によれば、
光伝導型赤外線検出素子の抵抗から温度を検出している
ので、別に温度センサを設ける必要がない。また、温度
センサを用いた場合、光伝導型赤外線検出素子と温度セ
ンサとの間に温度差が生じる可能性があるが、光伝導型
赤外線検出素子から温度を検出すると素子自身の温度を
反映しているので、本装置によれば、簡単な構成で精度
の高い温度補正を行うことができる。
【００４５】請求項４乃至請求項６のガス分析装置によ
れば、上記赤外線検出装置と同様の効果を有し、そのた
め構成が簡単であり、かつ正確にガス濃度を検出するこ
とができる。
れば、上記赤外線検出装置と同様の効果を有し、そのた
め構成が簡単であり、かつ正確にガス濃度を検出するこ
とができる。
【図１】本発明の実施の形態の構成を示すブロック図。
【図２】図１に示した赤外線検出回路２１ａおよび２１
ｂの出力信号を示す図。
ｂの出力信号を示す図。
【図３】温度とＰｂＳｅ素子の暗抵抗との関係を示す
図。
図。
【図４】ＰｂＳｅ素子を用いた赤外線検出回路の素子の
温度とＡＣ出力との関係を示す図。
温度とＡＣ出力との関係を示す図。
【図５】ＰｂＳｅ素子を用いた赤外線検出回路の素子の
暗抵抗と感度との関係を示す図。
暗抵抗と感度との関係を示す図。
【図６】図１に示したＥＥＰＲＯＭ２３の内容の例を示
す図。
す図。
【図７】本発明の実施の形態の動作を説明するための
図。
図。
【図８】本発明の実施の形態の効果を説明するための
図。
図。
【図９】本発明の実施の形態の効果を説明するための
図。
図。
【図１０】本発明の実施の形態の効果を説明するための
図。
図。
【図１１】本発明の実施の形態のセンサ部の構成を示す
図。
図。
【図１２】ＰｂＳｅ素子を用いた赤外線検出回路の例を
示す図。
示す図。
３ 光源 ６ 第１のＰｂＳｅ素子 ７ 第２のＰｂＳｅ素子 ２１ａ、２１ｂ 赤外線検出回路 ２２ａ、２２ｂ 交流成分検出回路 ２３ ＥＥＰＲＯＭ ３１ Ａ／Ｄ変換器 ３２ ＣＰＵ３２
Claims (6)
- 【請求項１】 断続的な赤外線を発生する光源と、 この光源からの赤外線を測定対象物を介して照射される
光伝導型赤外線検出素子を有し、この光伝導型赤外線検
出素子の抵抗値に応じた電気信号を出力する信号出力手
段と、 この信号出力手段の出力信号から交流成分を検出する交
流成分検出手段と、 前記光伝導型赤外線検出素子について抵抗値と感度に関
する固有のデータを記憶する記憶手段と、 この記憶手段が記憶したデータと、前記信号出力手段が
出力する信号の直流成分とに基づいて前記交流成分検出
手段が検出した交流成分を補正する補正手段と、を具備
する赤外線検出装置。 - 【請求項２】 測定対象物は炭酸ガスを含むガス体であ
ることを特徴とする請求項１に記載の赤外線検出装置。 - 【請求項３】 光伝導型赤外線検出素子はＰｂＳｅ素子
であることを特徴とする請求項１に記載の赤外線検出装
置。 - 【請求項４】 断続的な赤外線を発生する光源と、 この光源からの赤外線であって測定対象ガスを含むガス
体を透過した光を照射される光伝導型赤外線検出素子を
有し、この光伝導型赤外線検出素子の抵抗値に応じた電
気信号を出力する信号出力手段と、 前記信号出力手段の出力信号から交流成分を検出する交
流成分検出手段と、 前記光伝導型赤外線検出素子について抵抗値と感度に関
する固有のデータを記憶する記憶手段と、 この記憶手段が記憶したデータと、前記信号出力手段が
出力する信号の直流成分とに基づいて前記交流成分検出
手段が検出した交流成分を補正する補正手段と、 この補正手段によって補正された前記交流成分に基づい
て前記測定対象ガスの濃度を検出するガス濃度検出手段
と、を具備するガス分析装置。 - 【請求項５】 測定対象ガスは炭酸ガスであることを特
徴とする請求項４に記載のガス分析装置。 - 【請求項６】 光伝導型赤外線検出素子はＰｂＳｅ素子
であることを特徴とする請求項４に記載のガス分析装
置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20600397A JP3588982B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 赤外線検出装置およびガス分析装置 |
| US09/126,604 US6218665B1 (en) | 1997-07-31 | 1998-07-31 | Infrared detector and gas analyzer |
| EP19980114464 EP0895077A3 (en) | 1997-07-31 | 1998-07-31 | Infrared detector and gas analyzer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20600397A JP3588982B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 赤外線検出装置およびガス分析装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1151865A true JPH1151865A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3588982B2 JP3588982B2 (ja) | 2004-11-17 |
Family
ID=16516307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20600397A Expired - Fee Related JP3588982B2 (ja) | 1997-07-31 | 1997-07-31 | 赤外線検出装置およびガス分析装置 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6218665B1 (ja) |
| EP (1) | EP0895077A3 (ja) |
| JP (1) | JP3588982B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006337067A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Riken Keiki Co Ltd | 焦電型赤外線ガス検知器 |
| JP2012103231A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-05-31 | Riken Keiki Co Ltd | 赤外線式ガス検知器 |
| JP2014506488A (ja) * | 2011-01-25 | 2014-03-17 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | ヒータレスセレン化鉛系カプノメトリおよび／またはカプノグラフィを実施するシステムならびに方法 |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6629625B1 (en) * | 2000-11-21 | 2003-10-07 | Coin Acceptors, Inc. | Reflector and anti-fog film in an optical sensor system |
| US6599253B1 (en) * | 2001-06-25 | 2003-07-29 | Oak Crest Institute Of Science | Non-invasive, miniature, breath monitoring apparatus |
| SE524086C2 (sv) * | 2001-10-30 | 2004-06-22 | Phase In Ab | Mäthuvud för gasanalysator |
| US7180594B2 (en) * | 2004-05-27 | 2007-02-20 | Finesse Instruments, Llc. | Method and apparatus for verifying proper operation of a photometric device, such as a cell density probe |
| CN106461544B (zh) * | 2014-04-14 | 2019-07-23 | 皇家飞利浦有限公司 | 气体传感器的温度补偿 |
| US20180045642A1 (en) * | 2016-08-15 | 2018-02-15 | Radiant Innovation Inc. | Gas detection device and method for detecting gas concentration |
| USD1057159S1 (en) | 2022-03-29 | 2025-01-07 | Masimo Corporation | Electronic measurement device |
| USD1057160S1 (en) | 2022-03-29 | 2025-01-07 | Masimo Corporation | Electronic measurement device |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI67625C (fi) * | 1983-04-06 | 1985-04-10 | Instrumentarium Oy | Foerfarande foer eliminering av maetningsfel vid fotometeranalys |
| US4817013A (en) * | 1986-10-17 | 1989-03-28 | Nellcor, Inc. | Multichannel gas analyzer and method of use |
| JPH02228943A (ja) * | 1989-03-01 | 1990-09-11 | Nippon Koden Corp | ２波長式呼吸ガス濃度測定装置 |
| US5341214A (en) * | 1989-09-06 | 1994-08-23 | Gaztech International Corporation | NDIR gas analysis using spectral ratioing technique |
| US5070244A (en) * | 1990-05-07 | 1991-12-03 | The University Of Sydney | Gas detection by infrared absorption |
| US5153436A (en) | 1990-05-23 | 1992-10-06 | Ntc Technology, Inc. | Temperature controlled detectors for infrared-type gas analyzers |
| JPH08122254A (ja) * | 1994-10-22 | 1996-05-17 | Horiba Ltd | 赤外線ガス分析計 |
| US5693945A (en) * | 1994-07-30 | 1997-12-02 | Horiba Ltd. | Gas analyzer |
| DE69629510T2 (de) * | 1995-02-24 | 2004-04-08 | Nihon Kohden Corp. | Kapnometer |
-
1997
- 1997-07-31 JP JP20600397A patent/JP3588982B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1998
- 1998-07-31 EP EP19980114464 patent/EP0895077A3/en not_active Withdrawn
- 1998-07-31 US US09/126,604 patent/US6218665B1/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006337067A (ja) * | 2005-05-31 | 2006-12-14 | Riken Keiki Co Ltd | 焦電型赤外線ガス検知器 |
| JP2012103231A (ja) * | 2010-11-15 | 2012-05-31 | Riken Keiki Co Ltd | 赤外線式ガス検知器 |
| JP2014506488A (ja) * | 2011-01-25 | 2014-03-17 | コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ | ヒータレスセレン化鉛系カプノメトリおよび／またはカプノグラフィを実施するシステムならびに方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0895077A2 (en) | 1999-02-03 |
| EP0895077A3 (en) | 1999-04-07 |
| US6218665B1 (en) | 2001-04-17 |
| JP3588982B2 (ja) | 2004-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0385256B1 (en) | Two-wavelength type respiratory gas concentration measuring apparatus | |
| US4859859A (en) | Gas analyzers | |
| JP5624548B2 (ja) | 波長変調スペクトロスコピーの方法及び装置 | |
| JP3588982B2 (ja) | 赤外線検出装置およびガス分析装置 | |
| CN108061722B (zh) | 一种一氧化碳浓度的检测装置及检测方法 | |
| US9835604B2 (en) | Temperature compensation of gas sensors | |
| US5268852A (en) | Self diagnostic pH sensor | |
| EP0798557B1 (en) | Gas sensor and method of measuring quantity of specific compounds in measuring gas | |
| US20030023180A1 (en) | Respiratory analyzer and method for measuring changes in concentration of a gas component of a breathing gas mixture | |
| JPH10104215A (ja) | 吸光度検出器，クロマトグラフ装置，吸光度検出方法、及びクロマトグラフ分析方法 | |
| JP3273299B2 (ja) | 炭酸ガス濃度測定装置 | |
| JPH05256768A (ja) | ガス濃度測定方法およびその測定装置 | |
| JPH0219717Y2 (ja) | ||
| US7268352B2 (en) | Apparatus and method for determining the proportion of a substance in a gas sample using an infrared measuring instrument | |
| US6267928B1 (en) | Capnometer | |
| WO1983004101A1 (en) | Oxygen analyzer | |
| JPH08304278A (ja) | 赤外線吸収式湿度変動計 | |
| JPS6396541A (ja) | ガス濃度測定装置 | |
| JPH0619330B2 (ja) | 螢光磁粉液濃度計校正装置 | |
| JPH0540088A (ja) | オゾン濃度測定装置の校正方法及びその装置 | |
| SU1191805A1 (ru) | Устройство дл измерени относительной влажности воздуха | |
| JPH0113527B2 (ja) | ||
| JPH07325053A (ja) | 水分測定装置 | |
| JPH06138236A (ja) | ガラス線量測定装置 | |
| JPS631526B2 (ja) |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040803 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040809 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20070827 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080827 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090827 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100827 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100827 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110827 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120827 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120827 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130827 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |