JPH1151966A

JPH1151966A - 半導体加速度センサおよびその製造方法

Info

Publication number: JPH1151966A
Application number: JP21354797A
Authority: JP
Inventors: Takeshi Fukada; 毅深田; Koji Muto; 浩司武藤; Seiji Fujino; 誠二藤野
Original assignee: Denso Corp
Current assignee: Denso Corp
Priority date: 1997-08-07
Filing date: 1997-08-07
Publication date: 1999-02-26

Abstract

(57)【要約】【課題】容量式の半導体加速度センサにおいて、可動
部および固定電極の付着といった問題が生じない構造と
する。【解決手段】可動部１の可動電極４を固定電極６、７
と対向配置し、加速度を受けて可動部１が変位したとき
の可動電極４と固定電極６、７間の容量変化に基づいて
加速度を検出するようにしたものであって、第１の半導
体層２１と第２の半導体層２３との間に絶縁層２２を有
するＳＯＩ基板２０によって構成され、第１の半導体層
２１および絶縁層２２は、可動部１と固定電極６、７を
形成する領域において第２の半導体層２３が露出するよ
うに除去されており、第２の半導体層２３には前記除去
された領域において貫通溝１０が形成され、この貫通溝
１０によって第２の半導体層２３に可動部１および固定
電極６、７が形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、容量式の半導体加
速度センサおよびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、容量式の半導体加速度センサとし
て、特開平５−３０４３０３号公報、特開平７−３３３
０７８号公報に示すものがあり、可動電極を有する可動
部と、可動電極と対向して配置された固定電極とを有
し、可動電極が加速度を受けて変位したときの可動電極
と固定電極間の容量変化に基づいて加速度を検出するよ
うにしている。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記従来の半導体加速
度センサにおいては、第１の半導体層の上に絶縁層を介
して第２の半導体層が形成された半導体基板を用い、第
２の半導体層の表面側からの加工によって第２の半導体
層に可動部および固定電極が形成されている。このた
め、可動部および固定電極が第１の半導体層側に付着す
るといった問題が生じ、そのような付着が生じないよう
な構造上の工夫が必要となる。

【０００４】本発明は、容量式の半導体加速度センサに
おいて、可動部および固定電極の付着といった問題が生
じない新規な構造の半導体加速度センサおよびその製造
方法を提供することを目的とする。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項１に記載の発明においては、一方の表面側に
第１の半導体層（２１）を有し他方の表面側に第２の半
導体層（２３）を有する半導体基板（２０）によって半
導体加速度センサが構成され、半導体基板（２０）の一
方の表面側の所定領域において、第２の半導体層（２
３）が露出するように除去されており、第２の半導体層
（２３）には前記所定領域において貫通溝（１０）が形
成され、この貫通溝（１０）によって第２の半導体層
（２３）に可動部（１）および固定電極（６、７）が形
成されていることを特徴としている。

【０００６】また、請求項２に記載の発明においては、
第１の半導体層（２１）と第２の半導体層（２３）との
間に絶縁層（２２）を有する半導体基板（２０）によっ
て半導体加速度センサが構成され、第１の半導体層（２
１）および絶縁層（２２）は、所定領域において第２の
半導体層（２３）が露出するように除去されており、第
２の半導体層（２３）には前記所定領域において貫通溝
（１０）が形成され、この貫通溝（１０）によって第２
の半導体層（２３）に可動部（１）および固定電極
（６、７）が形成されていることを特徴としている。

【０００７】従って、請求項１、２に記載の発明によれ
ば、可動部（１）および固定電極（６、７）の下方に第
１の半導体層（２１）が存在せず、可動部（１）および
固定電極（６、７）が第１の半導体層（２１）側に付着
しない構造とすることができる。請求項３乃至１１に記
載の発明においては、一方の表面側に第１の半導体層
（２１）を有し他方の表面側に第２の半導体層（２３）
を有する半導体基板（２０）を用意し、第１の半導体層
（２１）を半導体基板（２０）の一方の表面側からエッ
チングし、このエッチングされた領域において第２の半
導体層（２３）に貫通溝（１０）を形成して、第２の半
導体層（２３）に可動部（１）および固定電極（６、
７）を形成するようにしたことを特徴としている。

【０００８】従って、可動部（１）および固定電極
（６、７）の下方に第１の半導体層（２１）が存在せ
ず、可動部（１）および固定電極（６、７）が第１の半
導体層（２１）側に付着しない構造の半導体加速度セン
サを製造することができる。この場合、請求項１０に記
載の発明のように、可動電極（４）と固定電極（６、
７）を等電位にするための金属配線（４０）をスクライ
ブライン（４１）上に形成し、半導体基板（２０）をチ
ップ単位に切断する時にスクライブライン（４１）上に
形成された金属配線（４０）を切断するようにすれば、
可動電極（４）と固定電極（６、７）の帯電による張り
付きを防止することができる。

【０００９】また、請求項１１に記載の発明のように、
半導体基板（２０）をチップ単位に切断する前に、可動
部（１）と固定電極（６、７）を覆うカバー（５０、５
５）を形成するようにすれば、ダイシングカット時の水
が可動部（１）と固定電極（６、７）に付着するのを防
止することができる。このことによって、可動電極
（４）の破損や、可動電極（４）と固定電極（６、７）
間の張り付きといった問題をなくすことができる。

【００１０】

【発明の実施の形態】

（第１実施形態）図１に本発明の第１実施形態を示す半
導体加速度センサの構成を示す。（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）中のＡ−Ａ断面図である。図１（ａ）に
示すように、半導体加速度センサは、可動部１と固定電
極６、７とを有している。可動部１は、根元部をなす支
持部２によって支持されたビーム状の重り部３と、この
重り部３の両側に櫛歯形状に形成された可動電極４と、
加速度を受けたときに重り部を図の矢印方向に変位さ
せ、加速度を受けなくなったときに元の状態に復元させ
るばね部（梁部）５とから構成されている。固定電極
６、７は、可動電極４と対向する櫛歯状の形状をしてお
り、可動電極４の一方側に対向して配置された第１の固
定電極６と、可動電極４の他方側に対向して配置された
第２の固定電極７とから構成されている。

【００１１】この半導体加速度センサは、図１（ｂ）に
示すように、第１の半導体層２１と第２の半導体層２３
との間に絶縁層２２を有する半導体基板（ＳＯＩ基板）
２０によって構成されており、第１の半導体層２１およ
び絶縁層２２は、可動部１と固定電極６、７が形成され
る領域において、第２の半導体層２３が露出するように
除去されている。また、第２の半導体層２３には、第２
の半導体層２３が露出した領域において貫通溝１０が形
成されており、この貫通溝１０によって第２の半導体層
２３に、上述した可動部１および固定電極６、７が形成
される。

【００１２】また、可動部１と固定電極６、７とを電気
的に絶縁分離するために、可動部１と固定電極６、７の
それぞれの根元部の周囲および第１の固定電極６の導電
路８および第２の固定電極７の導電路９の周囲におい
て、第２の半導体層２３に、絶縁層２２に達する溝が形
成され、その溝内に絶縁物２４が埋設されている。第２
の半導体層２３の上には絶縁膜２５が形成されている。
そして、この絶縁膜２５の上に、可動部１に電気接続さ
れた電極パッド１１、第１の固定電極６の導電路８に電
気接続された電極パッド１２、第２の固定電極７の導電
路９に電気接続された電極パッド１３、および第１、第
２のＡｌ配線（金属配線）１４、１５が形成されてい
る。第１のＡｌ配線１４は、コンタクトホール１６およ
び１７を介して図１（ａ）の左側の第１の固定電極６と
右側に配置された導電路８とを電気的に接続する。同様
に、第２のＡｌ配線１５は、コンタクトホール１８およ
び１９を介して図１（ａ）の右側の固定電極７と左側に
配置された導電路９とを電気的に接続する。

【００１３】上記した構成において、可動部１が加速度
を受けると、重り部３が図の矢印方向に変位し、可動電
極４と第１の固定電極６の間の距離および可動電極４と
第２の固定電極７の間の距離が変化する。可動電極４と
第１の固定電極６および可動電極４と第２の固定電極７
は、それぞれコンデンサを形成しているため、加速度を
受けると、それらの容量が変化し、図示しない検出回路
によって加速度が検出される。

【００１４】次に、上記した半導体加速度センサの製造
方法について、図２に示す工程図に従って説明する。こ
の図２における各工程図は、図１（ａ）中のＢ−Ｂ断面
を示している。まず、図２（ａ）に示すように、（１０
０）面を有するｎ形のシリコン（Ｓｉ）単結晶基板（第
１の半導体層）２１上に、絶縁層（ＳｉＯ₂）２２を介
して、（１００）面を有するｎ形のＳｉ単結晶基板（第
２の半導体層）２３が接合されたＳＯＩ基板（以下、こ
の製造方法の説明においてはウェハという）２０を用意
する。

【００１５】そして、図２（ｂ）の工程において、ウェ
ハの表面を熱酸化して熱酸化膜２６を形成し、絶縁分離
用の溝（トレンチ）２７をホトエッチングによって形成
する。この後、図２（ｃ）の工程において、カバレッジ
性の良いＴＥＯＳ−ＳｉＯ₂２８を堆積し、溝２７を絶
縁物によって埋める。このことによって、図１（ｂ）に
示すように、溝２７内を埋める絶縁物２４と、第２の半
導体層２３表面の絶縁膜２５が形成される。なお、上記
処理によって形成された、熱酸化膜とＴＥＯＳ−ＳｉＯ
₂は、この後、フィールド酸化膜として機能する。

【００１６】次に、図２（ｄ）の工程において、ホトエ
ッチングによってフィールド酸化膜をパターニングし
て、コンタクトホール（図１に示すコンタクトホール１
６〜１９）を形成し、さらにＡｌを蒸着し、ホトエッチ
ングを行って、第１のＡｌ配線１４、およびこの図２に
は図示されない第２のＡｌ配線１５、電極パッド１１〜
１３を形成する。

【００１７】次に、図２（ｅ）の工程において、ウェハ
の裏面をバックポリッシュし、裏面を鏡面にした後、裏
面にプラズマＳｉＮ膜２９を堆積する。そして、プラズ
マＳｉＮ膜２９をエッチングして所定形状にパターニン
グする。また、ウェハの表面にＰＩＱ（ポリイミド）３
０を塗布し、ＰＩＱ３０をエッチングして、可動部１お
よび固定電極６、７を形成する形状にパターニングす
る。さらに、ＰＩＱ３０の上に保護膜としてのレジスト
３１を塗布する。この後、裏面のプラズマＳｉＮ膜２９
をマスクにしてウェハを例えばＫＯＨ水溶液で深堀エッ
チングする。この深堀エッチングにおいては、絶縁層
（ＳｉＯ₂）２２のエッチング速度がＳｉに比較して遅
いため、絶縁層２２がエッチングストッパとして機能す
る。

【００１８】この後、図２（ｆ）の工程において、ＨＦ
水溶液により、露出している絶縁層２２とプラズマＳｉ
Ｎ膜２９を除去する。このとき、ウェハの表面は全面に
塗布されたレジスト３１によって保護されている。そし
て、レジスト３１を除去し、ＰＩＱ３０をマスクにし
て、ドライエッチングにより第２の半導体層２３に貫通
溝１０を形成する。この貫通溝１０の形成によって、第
２の半導体層２３に可動部１と固定電極６、７が形成さ
れる。

【００１９】最後に、図２（ｇ）の工程において、表面
のＰＩＱ３０をＯ₂アッシングによって除去し、図１に
示す半導体加速度センサを得る。このように本実施形態
においては、第１の半導体層２１と第２の半導体層２３
の間に絶縁層２２を有するＳＯＩ基板２０を用い、第１
の半導体層２１をＳＯＩ基板２０の一方の表面側からエ
ッチングし、このエッチングされた領域において第２の
半導体層２３に貫通溝１０を形成して、第２の半導体層
２３に可動部１および固定電極６、７を形成している。
従って、可動部１および固定電極６、７の下方に第１の
半導体層２１が存在していないため、可動部１および固
定電極６、７が第１の半導体層２１側に付着するといっ
た問題は生じない。また、可動部１および固定電極６、
７の下方に第１の半導体層２１が存在していないため、
可動部１および固定電極６、７をエッチングにより形成
した後の目視検査を容易に行うことができる。（第２実施形態）容量式の半導体加速度センサにおいて
は、可動電極４および固定電極６、７が互いに絶縁され
ていることが必要である。しかしながら、可動部１およ
び固定電極６、７を形成するためのドライエッチング工
程あるいはウェハのハンドリングなどにおいて、可動電
極４および固定電極６、７が帯電し、この帯電による静
電気力によって可動電極４と固定電極６、７が張り付い
てしまう可能性がある。

【００２０】そこで、この第２実施形態では、図３に示
すように、可動電極４と固定電極６、７を等電位にする
ためのＡｌ配線４０を形成している。具体的には、図２
（ｄ）の工程において、第１、第２のＡｌ配線１４、１
５および電極パッド１１〜１３がスクライブライン４１
上で結線するように、Ａｌをパターニングする。このこ
とによって、可動電極４、第１の固定電極６、第２の固
定電極７が等電位になり、上記した帯電による問題はな
くなる。

【００２１】なお、第１、第２のＡｌ配線１４、１５お
よび電極パッド１１〜１３を結線するＡｌ配線４０は、
スクライブライン４１上に形成されており、スクライブ
ライン４１に沿ってウェハをチップ単位に切断するダイ
シングカット時に、切断され除去されるため、その後
は、可動電極４、第１の固定電極６、第２の固定電極７
は互いに絶縁される。

【００２２】この場合、カット時にスクライブライン４
１上のＡｌ配線４０の切り粉が付着して、可動部１と固
定電極６、７が短絡するのを防止するため、２段カット
を行うようにしてもよい。具体的には、スクライブライ
ン４１上のＡｌ配線４０のみを切断する目的で浅く切れ
込みを入れ、この後、ウェハを切断する目的でカットす
る。（第３実施形態）可動部１の可動電極４は櫛歯形状に加
工されているため、ダイシングカットを行う工程におい
て、発熱を抑制するための冷却水がかかると可動電極４
が折れるなどの破損を生じる可能性がある。また、可動
電極４が折れないにしても、可動電極４と固定電極６、
７との間に水が入り乾燥することによって、可動電極４
と固定電極６、７が張り付いてしまう可能性がある。

【００２３】そこで、この第３実施形態では、図４に示
すように、可動部１と固定電極６、７を覆うカバー（座
繰り加工したガラス）５０を設けている。具体的には、
図２（ｂ）の工程において、フィールド酸化膜の表面に
リン処理を行ってリンガラス層を形成しておき、図２
（ｇ）の工程の後に、座繰り加工したガラス５０をリン
ガラス層を介して陽極接合する。

【００２４】この後、ウェハの裏面をカット用テープに
貼って、ダイシングカットを行う。この場合、可動部１
と固定電極６、７を覆うようにガラス５０が形成されて
いるため、可動電極１と固定電極６、７に水がかかるこ
とはなく、従って、可動電極４の破損や、可動電極４と
固定電極６、７の張り付きといった問題をなくすことが
できる。

【００２５】なお、図４の（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）中のＣ−Ｃ断面図である。また、この実施形態に
おいては、第１、第２のＡｌ配線１４、１５は、ガラス
５０が陽極接合される部分において分断されており、第
１のＡｌ配線１４はコンタクトホール５１、５２により
第２の半導体層２３を介して電気的に接続され、第２の
Ａｌ配線１５はコンタクトホール５３、５４により第２
の半導体層２３を介して電気的に接続されている。

【００２６】なお、ウェハに形成するガラスは、ウェハ
の表面側のみならず、図５に示すように、ウェハの裏面
側にも設けるようにしてもよい。この裏面側に形成する
ガラス５５は、平坦なガラスでウェハの裏面に陽極接合
されている。この場合、上下のガラス５０、５５を同一
の厚さにすれば、ガラスとＳｉとの熱膨張係数差に起因
する熱的な歪みを抑制することができる。また、内部を
真空封止することも可能であり、この真空封止によって
結露をなくすことができる。なお、ガラス５０、５５と
しては、ほう珪酸ガラス、あるいはアルミノ珪酸ガラス
を用いることができる。

【００２７】この実施形態において、ウェハの表面側の
みにガラス５０を設けた場合、そのガラス５０を設けた
ままセラミックパッケージとしてセンサを構成すること
ができ、またウェハの両側にガラス５０、５５を設けた
場合には、そのままモールドしてセンサを構成すること
ができる。なお、この第３実施形態においても、第２実
施形態で示した帯電防止対策を行うようにしてもよい。

【００２８】また、上述した種々の実施形態において
は、ＳＯＩ基板２０を用いて半導体加速度センサを構成
するものを示したがＳＩＭＯＸ基板を用いてもよく、ま
た第１、第２の半導体層２１、２３の絶縁分離を行う場
合、絶縁層２２を介在させずにｐｎ接合によって絶縁分
離するようにしてもよい。また、可動電極４に、第１の
固定電極６、第２の固定電極７を対向させるようにした
が、そのいずれか一方のみとしてもよい。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施形態を示す半導体加速度セン
サの構成を示す図である。

【図２】図１に示す半導体加速度センサの製造方法を示
す工程図である。

【図３】本発明の第２実施形態を示す半導体加速度セン
サの構成を示す図である。

【図４】本発明の第３実施形態を示す半導体加速度セン
サの構成を示す図である。

【図５】図４に示す半導体加速度センサの変形例を示す
図である。

【符号の説明】

１…可動部、２…支持部、３…重り部、４…可動電極、
５…ばね部、６、７…固定電極、１１〜１３…電極パッ
ド、１４、１５…Ａｌ配線、２０…ＳＯＩ基板、２１…
第１の半導体層、２２…絶縁層、２３…第２の半導体
層。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】可動電極（４）を有する可動部（１）
と、前記可動電極（４）と対向して配置された固定電極
（６、７）とを有し、加速度を受けて前記可動部（１）
が変位したときの前記可動電極（４）と前記固定電極
（６、７）間の容量変化に基づいて前記加速度を検出す
る半導体加速度センサにおいて、一方の表面側に第１の半導体層（２１）を有し他方の表
面側に第２の半導体層（２３）を有する半導体基板（２
０）によって構成され、前記半導体基板（２０）の一方の表面側の所定領域にお
いて、前記第２の半導体層（２３）が露出するように除
去されており、前記第２の半導体層（２３）には前記所定領域において
貫通溝（１０）が形成され、この貫通溝（１０）によっ
て前記第２の半導体層（２３）に前記可動部（１）およ
び前記固定電極（６、７）が形成されていることを特徴
とする半導体加速度センサ。
【請求項２】可動電極（４）を有する可動部（１）
と、前記可動電極（４）と対向して配置された固定電極
（６、７）とを有し、加速度を受けて前記可動部（１）
が変位したときの前記可動電極（４）と前記固定電極
（６、７）間の容量変化に基づいて前記加速度を検出す
る半導体加速度センサにおいて、第１の半導体層（２１）と第２の半導体層（２３）との
間に絶縁層（２２）を有する半導体基板（２０）によっ
て構成され、前記第１の半導体層（２１）および前記絶縁層（２２）
は、所定領域において前記第２の半導体層（２３）が露
出するように除去されており、前記第２の半導体層（２３）には前記所定領域において
貫通溝（１０）が形成され、この貫通溝（１０）によっ
て前記第２の半導体層（２３）に前記可動部（１）およ
び前記固定電極（６、７）が形成されていることを特徴
とする半導体加速度センサ。
【請求項３】可動電極（４）を有する可動部（１）
と、前記可動電極（４）と対向して配置された固定電極
（６、７）とを有し、加速度を受けて前記可動部（１）
が変位したときの前記可動電極（４）と前記固定電極
（６、７）間の容量変化に基づいて前記加速度を検出す
る半導体加速度センサの製造方法であって、一方の表面側に第１の半導体層（２１）を有し他方の表
面側に第２の半導体層（２３）を有する半導体基板（２
０）を用意し、前記第１の半導体層（２１）を前記半導体基板（２０）
の一方の表面側からエッチングする工程と、前記エッチングされた領域において前記第２の半導体層
（２３）に貫通溝（１０）を形成して、前記第２の半導
体層（２３）に前記可動部（１）および前記固定電極
（６、７）を形成する工程とを有することを特徴とする
半導体加速度センサの製造方法。
【請求項４】前記半導体基板（２０）は、前記第１の
半導体層（２１）と前記第２の半導体層（２３）の間に
絶縁層（２２）を有するものであって、前記エッチング工程は、前記第１の半導体層（２１）を
前記絶縁層（２２）に達するまでエッチングする工程で
あることを特徴とする請求項３に記載の半導体加速度セ
ンサの製造方法。
【請求項５】前記貫通溝（１０）を形成する前に、前
記第１の半導体層（２１）の前記エッチングされた領域
における前記絶縁層（２２）を除去する工程を有するこ
とを特徴とする請求項４に記載の半導体加速度センサの
製造方法。
【請求項６】前記第２の半導体層（２３）に、前記絶
縁層（２２）に達する溝（２７）を形成するとともにこ
の溝（２７）内を絶縁物（２４）にて埋めて、前記可動
部（１）と前記固定電極（６、７）とを絶縁分離する工
程を有することを特徴とする請求項４又は５に記載の半
導体加速度センサの製造方法。
【請求項７】可動電極（４）を有する可動部（１）
と、前記可動電極（４）と対向して配置された固定電極
（６、７）とを有し、加速度を受けて前記可動部（１）
が変位したときの前記可動電極（４）と前記固定電極
（６、７）間の容量変化に基づいて前記加速度を検出す
る半導体加速度センサの製造方法であって、一方の表面側に第１の半導体層（２１）を有し他方の表
面側に第２の半導体層（２３）を有し、前記第１の半導
体層（２１）と前記第２の半導体層（２３）の間に絶縁
層（２２）を有する半導体基板（２０）を用意し、前記可動部（１）と前記固定電極（６、７）とを電気的
に絶縁するために、前記第２の半導体層（２３）の所定
領域に前記絶縁層（２２）に達する溝（２７）を形成
し、この溝（２７）内を絶縁物（２４）にて埋める工程
と、この後、前記第２の半導体層（２３）の上に、前記可動
電極（４）および前記固定電極（６、７）を形成するた
めのマスク材（３０）をパターニング形成する工程と、前記半導体基板（２０）の一方の表面側から前記第１の
半導体層（２１）を前記絶縁層（２２）に達するまでエ
ッチングする工程と、このエッチングされた領域における前記絶縁層（２２）
を除去する工程と、前記マスク材（３０）を用い、前記エッチングされた領
域において前記第２の半導体層（２３）に貫通溝（１
０）を形成して、前記第２の半導体層（２３）に前記可
動部（１）および前記固定電極（６、７）を形成する工
程と、前記貫通溝（１０）の形成後、前記マスク材（３０）を
除去する工程とを有することを特徴とする半導体加速度
センサの製造方法。
【請求項８】前記マスク材（３０）の上に保護膜（３
１）を形成した後、前記エッチングを行い、この後、前
記保護膜（３１）を除去して前記貫通溝（１０）の形成
を行うことを特徴とする請求項７に記載の半導体加速度
センサの製造方法。
【請求項９】前記絶縁層（２２）に達する溝（２７）
を形成した後、前記第２の半導体層（２３）に前記溝
（２７）内を絶縁物（２４）で埋めるように絶縁膜（２
８）を形成し、前記第２の半導体層（２３）の表面の絶
縁膜（２５）をパターニングして、前記絶縁膜（２５）
の上に前記可動電極（４）および前記固定電極（６、
７）のための金属配線（１１〜１５）を形成し、この
後、前記マスク材（３０）の形成を行うことを特徴とす
る請求項７又は８に記載の半導体加速度センサの製造方
法。
【請求項１０】前記可動電極（４）と前記固定電極
（６、７）を等電位にするための金属配線（４０）をス
クライブライン（４１）上に形成し、前記半導体基板
（２０）をチップ単位に切断する時に前記スクライブラ
イン（４１）上に形成された金属配線（４０）を切断す
ることを特徴とする請求項３乃至９のいずれか１つに記
載の半導体加速度センサの製造方法。
【請求項１１】前記半導体基板（２０）をチップ単位
に切断する前に、前記可動部（１）と前記固定電極
（６、７）を覆うカバー（５０、５５）を形成すること
を特徴とする請求項３乃至１０のいずれか１つに記載の
半導体加速度センサの製造方法。