JPH1154559A - バンプ付きワークのボンディング装置およびボンディング方法 - Google Patents
バンプ付きワークのボンディング装置およびボンディング方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 バンプ付きワークを基板などのワークにボン
ディングした後の導通検査で不良の場合のリペア作業を
簡単に行えるバンプ付きワークのボンディング装置およ
びボンディング方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 予め電極１２上に半田部１５が形成され
た基板１１に熱硬化性樹脂を塗布し、ボンディングツー
ル２３により保持されたチップ１６のバンプ１６ａを半
田部３５に着地させて熱圧着するボンディング装置にお
いて、ボンディングツール２３の吸着ツール２４にバン
プ１６ａの配列に応じて突起部２４ａを設ける。ボンデ
ィングツール２３のヒータからの熱は突起部２４ａを介
してバンプ１６ａに集中的に伝達され、樹脂３６の熱硬
化前にバンプ１６ａをパッド３２に半田付けすることが
でき、樹脂３６が未硬化の状態で導通検査を行えるの
で、導通不良の場合にチップ１６の基板１５からの分離
が簡単に行える。
ディングした後の導通検査で不良の場合のリペア作業を
簡単に行えるバンプ付きワークのボンディング装置およ
びボンディング方法を提供することを目的とする。 【解決手段】 予め電極１２上に半田部１５が形成され
た基板１１に熱硬化性樹脂を塗布し、ボンディングツー
ル２３により保持されたチップ１６のバンプ１６ａを半
田部３５に着地させて熱圧着するボンディング装置にお
いて、ボンディングツール２３の吸着ツール２４にバン
プ１６ａの配列に応じて突起部２４ａを設ける。ボンデ
ィングツール２３のヒータからの熱は突起部２４ａを介
してバンプ１６ａに集中的に伝達され、樹脂３６の熱硬
化前にバンプ１６ａをパッド３２に半田付けすることが
でき、樹脂３６が未硬化の状態で導通検査を行えるの
で、導通不良の場合にチップ１６の基板１５からの分離
が簡単に行える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バンプ付きワーク
のバンプをワークのパッドにボンディングするバンプ付
きワークのボンディング装置およびボンディング方法に
関するものである。
のバンプをワークのパッドにボンディングするバンプ付
きワークのボンディング装置およびボンディング方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子部品として、バンプ付きワー
クが多用されるようになってきている。以下、従来のバ
ンプ付きワークのボンディング構造について説明する。
クが多用されるようになってきている。以下、従来のバ
ンプ付きワークのボンディング構造について説明する。
【０００３】図１０は、従来の基板にボンディングされ
たバンプ付きワークの側面図である。１はワークとして
の基板であり、その上面にはパッド２が形成されてい
る。３はバンプ付きワークとしてのチップであり、その
下面に形成されたバンプ４がパッド２に半田部５により
ボンディングされている。このボンディングは、基板１
上にボンドとしての樹脂６を塗布した後、バンプ４をパ
ッド２上に形成された半田部５上に搭載し、半田部５を
加熱・溶融・固化させるとともに、樹脂６を熱硬化させ
ることにより行われる。
たバンプ付きワークの側面図である。１はワークとして
の基板であり、その上面にはパッド２が形成されてい
る。３はバンプ付きワークとしてのチップであり、その
下面に形成されたバンプ４がパッド２に半田部５により
ボンディングされている。このボンディングは、基板１
上にボンドとしての樹脂６を塗布した後、バンプ４をパ
ッド２上に形成された半田部５上に搭載し、半田部５を
加熱・溶融・固化させるとともに、樹脂６を熱硬化させ
ることにより行われる。
【０００４】バンプ付きワーク３を基板１にボンディン
グした後、バンプ４がパッド２に正しくボンディングさ
れているか否かの導通検査が行われる。この導通検査
は、テスター８のプローブ９を基板１のパッド１０に当
て、チップ３に電流を流すことにより行われる。そして
良品であれば、基板１は次の工程へ送られる。また不良
の場合には、次のようなリペア作業が行われていた。す
なわち、基板１を加熱炉へ送って再加熱することにより
半田部５を再び溶融させ、バンプ付きワーク３を基板１
から分離する。そして互いに分離された基板１やバンプ
付きワーク３の半田付け部分は補修され、再使用され
る。勿論、安価な基板１やバンプ付きワーク３の場合に
は、上記した分離や補修を行わずに、そのまま不良品と
して廃棄される場合もある。
グした後、バンプ４がパッド２に正しくボンディングさ
れているか否かの導通検査が行われる。この導通検査
は、テスター８のプローブ９を基板１のパッド１０に当
て、チップ３に電流を流すことにより行われる。そして
良品であれば、基板１は次の工程へ送られる。また不良
の場合には、次のようなリペア作業が行われていた。す
なわち、基板１を加熱炉へ送って再加熱することにより
半田部５を再び溶融させ、バンプ付きワーク３を基板１
から分離する。そして互いに分離された基板１やバンプ
付きワーク３の半田付け部分は補修され、再使用され
る。勿論、安価な基板１やバンプ付きワーク３の場合に
は、上記した分離や補修を行わずに、そのまま不良品と
して廃棄される場合もある。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
のリペア作業は、一旦固化した半田部５を溶融させるた
めに再加熱するので、チップ３がこの再加熱により熱ダ
メージを受けやすいという問題点があった。殊に基板１
に、このチップ３以外の他の電子部品が実装されている
場合には、これらの電子部品も再加熱により熱ダメージ
を受けやすかった。また樹脂６が硬化した後で、テスタ
ー８による導通検査を行っていたため、リペア作業を行
う際には硬化した樹脂６も基板１やチップ３から剥離せ
ねばならないため、この剥離作業が甚だ面倒であるとい
う問題点があった。
のリペア作業は、一旦固化した半田部５を溶融させるた
めに再加熱するので、チップ３がこの再加熱により熱ダ
メージを受けやすいという問題点があった。殊に基板１
に、このチップ３以外の他の電子部品が実装されている
場合には、これらの電子部品も再加熱により熱ダメージ
を受けやすかった。また樹脂６が硬化した後で、テスタ
ー８による導通検査を行っていたため、リペア作業を行
う際には硬化した樹脂６も基板１やチップ３から剥離せ
ねばならないため、この剥離作業が甚だ面倒であるとい
う問題点があった。
【０００６】したがって本発明は、バンプ付きワークを
基板などのワークにボンディングした後の導通検査で不
良の場合のリペア作業を簡単に行えるバンプ付きワーク
のボンディング装置およびボンディング方法を提供する
ことを目的とする。
基板などのワークにボンディングした後の導通検査で不
良の場合のリペア作業を簡単に行えるバンプ付きワーク
のボンディング装置およびボンディング方法を提供する
ことを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】請求項１のバンプ付きワ
ークのボンディング装置は、ワークを位置決めする位置
決め部と、ワークの上面に樹脂を塗布する塗布部と、ワ
ークにバンプ付きワークをボンディングするボンディン
グヘッドと、ボンディングヘッドにバンプ付きワークを
供給するワーク供給部とを備え、前記ボンディングヘッ
ドに装着されたボンディングツールが、バンプ付きワー
クを真空吸着する吸着孔と、バンプ付きワークを加熱す
る加熱手段と、前記吸着孔の周囲にバンプ付きワークの
バンプの配列に対応して形成されバンプ付きワークの上
面に当接する突起部を備え、前記加熱手段からの熱を前
記突起部を介してバンプ付きワークのバンプ部に集中的
に伝達するようにした。
ークのボンディング装置は、ワークを位置決めする位置
決め部と、ワークの上面に樹脂を塗布する塗布部と、ワ
ークにバンプ付きワークをボンディングするボンディン
グヘッドと、ボンディングヘッドにバンプ付きワークを
供給するワーク供給部とを備え、前記ボンディングヘッ
ドに装着されたボンディングツールが、バンプ付きワー
クを真空吸着する吸着孔と、バンプ付きワークを加熱す
る加熱手段と、前記吸着孔の周囲にバンプ付きワークの
バンプの配列に対応して形成されバンプ付きワークの上
面に当接する突起部を備え、前記加熱手段からの熱を前
記突起部を介してバンプ付きワークのバンプ部に集中的
に伝達するようにした。
【０００８】請求項２のバンプ付きワークのボンディン
グ方法は、ワークの上面に樹脂を塗布する工程と、ボン
ディングツールにバンプ付きワークを保持させてバンプ
付きワークのバンプを前記ワークのパッドに着地させる
工程と、ボンディングツールに設けられた加熱手段によ
って前記パッド上の半田部を溶融させて前記バンプを前
記パッド上にボンディングし、且つ互いに異種金属であ
る前記バンプと前記半田部の合金層を前記バンプの表面
に生じさせる工程と、前記樹脂が未硬化の状態で前記バ
ンプと前記パッドの導通検査を行う工程とを含む。
グ方法は、ワークの上面に樹脂を塗布する工程と、ボン
ディングツールにバンプ付きワークを保持させてバンプ
付きワークのバンプを前記ワークのパッドに着地させる
工程と、ボンディングツールに設けられた加熱手段によ
って前記パッド上の半田部を溶融させて前記バンプを前
記パッド上にボンディングし、且つ互いに異種金属であ
る前記バンプと前記半田部の合金層を前記バンプの表面
に生じさせる工程と、前記樹脂が未硬化の状態で前記バ
ンプと前記パッドの導通検査を行う工程とを含む。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明によれば、ボンディングツ
ールの加熱手段からの熱をバンプ付きワークのバンプ部
に集中的に伝達させ、ワークのパッド上の半田部を溶融
させて前記バンプを前記パッドにボンディングすること
により、ワークの上面に塗布された接合用の樹脂が未硬
化の状態で前記パッドと前記バンプの導通検査を行うこ
とができ、したがって、導通検査の結果が不良の場合に
はバンプ付きワークをワークから簡単に分離できる。
ールの加熱手段からの熱をバンプ付きワークのバンプ部
に集中的に伝達させ、ワークのパッド上の半田部を溶融
させて前記バンプを前記パッドにボンディングすること
により、ワークの上面に塗布された接合用の樹脂が未硬
化の状態で前記パッドと前記バンプの導通検査を行うこ
とができ、したがって、導通検査の結果が不良の場合に
はバンプ付きワークをワークから簡単に分離できる。
【００１０】次に、本発明の一実施の形態を図面を参照
して説明する。図１は本発明の一実施の形態のバンプ付
きワークのボンディング装置の斜視図、図２は同バンプ
付きワークのボンディングツールの側断面図、図３、図
４、図５、図６、図７、図８、図９は同バンプ付きワー
クのボンディング工程図である。
して説明する。図１は本発明の一実施の形態のバンプ付
きワークのボンディング装置の斜視図、図２は同バンプ
付きワークのボンディングツールの側断面図、図３、図
４、図５、図６、図７、図８、図９は同バンプ付きワー
クのボンディング工程図である。
【００１１】まず、図１を参照してバンプ付きワークの
ボンディング装置の全体構造を説明する。図１におい
て、基台１１上には可動テーブル１２が配設されてい
る。可動テーブル１２は、Ｘ軸モータ１３およびＹ軸モ
ータ１４を備えている。可動テーブル１２上にはワーク
である基板１５およびバンプ付きワークであるチップ１
６の供給部１７が配設されている。
ボンディング装置の全体構造を説明する。図１におい
て、基台１１上には可動テーブル１２が配設されてい
る。可動テーブル１２は、Ｘ軸モータ１３およびＹ軸モ
ータ１４を備えている。可動テーブル１２上にはワーク
である基板１５およびバンプ付きワークであるチップ１
６の供給部１７が配設されている。
【００１２】基台１１上には、フレーム１８が立設され
ている。フレーム１８の上部には、ボンディングヘッド
の昇降テーブル１９及び樹脂塗布用ディスペンサの昇降
テーブル２０が装着されている。昇降テーブル１９、２
０の下端部にはそれぞれボンディングヘッド２１、ディ
スペンサ２２が装着されている。
ている。フレーム１８の上部には、ボンディングヘッド
の昇降テーブル１９及び樹脂塗布用ディスペンサの昇降
テーブル２０が装着されている。昇降テーブル１９、２
０の下端部にはそれぞれボンディングヘッド２１、ディ
スペンサ２２が装着されている。
【００１３】昇降テーブル２０が駆動するとディスペン
サ２２は上下動し、基板１５上にバンプ付きワーク１６
の接着用の樹脂３６を塗布する。また、昇降テーブル１
９が駆動するとボンディングヘッド２１は上下動し、ボ
ンディングヘッド２１の先端部に装着されたボンディン
グツール２３によりチップ１６を真空吸着する。ボンデ
ィングヘッド２１の上下動と、可動テーブル１２の水平
移動を組み合わせることにより、ボンディングヘッド２
１は供給部１７よりチップ１６を真空吸着してピックア
ップし、チップ１６を樹脂３６が塗布された基板１５上
にボンディングする。
サ２２は上下動し、基板１５上にバンプ付きワーク１６
の接着用の樹脂３６を塗布する。また、昇降テーブル１
９が駆動するとボンディングヘッド２１は上下動し、ボ
ンディングヘッド２１の先端部に装着されたボンディン
グツール２３によりチップ１６を真空吸着する。ボンデ
ィングヘッド２１の上下動と、可動テーブル１２の水平
移動を組み合わせることにより、ボンディングヘッド２
１は供給部１７よりチップ１６を真空吸着してピックア
ップし、チップ１６を樹脂３６が塗布された基板１５上
にボンディングする。
【００１４】次に、図２を参照してボンディングツール
２３の構造について説明する。図２においてボンディン
グツール２３はブロック２６と吸着ツール２４より成
る。吸着ツール２４の下面には、突起部２４ａが設けら
れている。突起部２４ａは吸着されるチップ１６のバン
プ１６ａ（図４参照）の配列に対応した位置に設けられ
ており、吸着ツール２４は、チップ１６の品種に応じて
複数のものが交換して使用される。吸着ツール２４の中
央部には、上下方向に貫通した吸引孔２５が設けられて
いる。吸引孔２５から空気を吸引することにより、吸着
ツール２４は突起部２４ａに当接したチップ１６を真空
吸着する。
２３の構造について説明する。図２においてボンディン
グツール２３はブロック２６と吸着ツール２４より成
る。吸着ツール２４の下面には、突起部２４ａが設けら
れている。突起部２４ａは吸着されるチップ１６のバン
プ１６ａ（図４参照）の配列に対応した位置に設けられ
ており、吸着ツール２４は、チップ１６の品種に応じて
複数のものが交換して使用される。吸着ツール２４の中
央部には、上下方向に貫通した吸引孔２５が設けられて
いる。吸引孔２５から空気を吸引することにより、吸着
ツール２４は突起部２４ａに当接したチップ１６を真空
吸着する。
【００１５】ブロック２６には吸引路２７、２９が設け
られている。吸引路２７を真空吸引することにより、ブ
ロック２６の下面には吸着ツール２４が真空吸着されて
着脱自在に装着される。吸引路２９は、吸着ツール２４
の吸引孔２５に連通している。したがって、吸着ツール
２４を装着した状態で吸引路２９を真空吸引することに
より、吸着ツール２４はチップ１６を真空吸着する。
られている。吸引路２７を真空吸引することにより、ブ
ロック２６の下面には吸着ツール２４が真空吸着されて
着脱自在に装着される。吸引路２９は、吸着ツール２４
の吸引孔２５に連通している。したがって、吸着ツール
２４を装着した状態で吸引路２９を真空吸引することに
より、吸着ツール２４はチップ１６を真空吸着する。
【００１６】また、ブロック２６には加熱手段であるヒ
ータ２８が内設されており、ヒータ２８は吸着ツール２
４を介してチップ１６を加熱する。このとき、吸着ツー
ル２４の突起部２４ａのみがチップ１６と当接している
ため、ヒータ２８からの熱は突起部２４ａを介してチッ
プ１６のバンプ１６ａの周囲に集中的に伝達される。
ータ２８が内設されており、ヒータ２８は吸着ツール２
４を介してチップ１６を加熱する。このとき、吸着ツー
ル２４の突起部２４ａのみがチップ１６と当接している
ため、ヒータ２８からの熱は突起部２４ａを介してチッ
プ１６のバンプ１６ａの周囲に集中的に伝達される。
【００１７】このバンプ付きワークのボンディング装置
は上記のような構成より成り、次に図３〜図９を参照し
て動作を説明する。なお、図３〜図９はバンプ付きワー
クのボンディング工程を工程順に示している。図３にお
いて、基板１５の上面にはパッド３２、回路パターン３
３、パッド３４が形成されている。またパッド３２上に
は半田部３５が形成されている。まず、可動テーブル１
２を駆動して基板１５を位置決めし、昇降テーブル２０
を駆動してディスペンサ２２を基板１５上に下降させて
基板１５の上面に樹脂３６を塗布する。この樹脂３６は
熱硬化性であって、２００℃以上で所定時間保持すると
硬化する。なお、半田部３５の半田の溶解温度は１８３
℃であり、樹脂３６の硬化温度より低い。したがって、
加熱開始後に半田部３５が溶解する時点では、樹脂３６
は未だ硬化しない。
は上記のような構成より成り、次に図３〜図９を参照し
て動作を説明する。なお、図３〜図９はバンプ付きワー
クのボンディング工程を工程順に示している。図３にお
いて、基板１５の上面にはパッド３２、回路パターン３
３、パッド３４が形成されている。またパッド３２上に
は半田部３５が形成されている。まず、可動テーブル１
２を駆動して基板１５を位置決めし、昇降テーブル２０
を駆動してディスペンサ２２を基板１５上に下降させて
基板１５の上面に樹脂３６を塗布する。この樹脂３６は
熱硬化性であって、２００℃以上で所定時間保持すると
硬化する。なお、半田部３５の半田の溶解温度は１８３
℃であり、樹脂３６の硬化温度より低い。したがって、
加熱開始後に半田部３５が溶解する時点では、樹脂３６
は未だ硬化しない。
【００１８】次に図４に示すように、ボンディングツー
ル２３により供給部１７からチップ１６を真空吸着して
保持させ、可動テーブル１２を駆動して基板のパッド３
２をチップ１６の下面に突設されたバンプ１６ａに位置
合わせした後、昇降テーブル１９を駆動してバンプ１６
ａを樹脂３６が塗布された半田部３５上に着地させる。
バンプ１６ａは、例えば金、銀、銅などの半田よりも融
点の高い金属である。ボンディングツール２３のツール
温度を２００℃程度に設定してチップ１６を加熱する
と、ヒータ２８から伝えられる熱は突起部２４ａによっ
てバンプ１６ａを集中的に加熱し、更にこの熱は半田部
３５に伝えられる。この結果半田部３５は溶融し、図５
に示すようにバンプ１６ａの表面にはバンプ１６ａの素
材である金、銀、銅などの金属と、半田部３５の素材で
あるすずや鉛などの金属の異種金属の合金層４０が薄く
生じる。一般に合金層はぜい弱なものであり、後述する
ように振動を付与することにより、合金層４０は簡単に
破壊される。
ル２３により供給部１７からチップ１６を真空吸着して
保持させ、可動テーブル１２を駆動して基板のパッド３
２をチップ１６の下面に突設されたバンプ１６ａに位置
合わせした後、昇降テーブル１９を駆動してバンプ１６
ａを樹脂３６が塗布された半田部３５上に着地させる。
バンプ１６ａは、例えば金、銀、銅などの半田よりも融
点の高い金属である。ボンディングツール２３のツール
温度を２００℃程度に設定してチップ１６を加熱する
と、ヒータ２８から伝えられる熱は突起部２４ａによっ
てバンプ１６ａを集中的に加熱し、更にこの熱は半田部
３５に伝えられる。この結果半田部３５は溶融し、図５
に示すようにバンプ１６ａの表面にはバンプ１６ａの素
材である金、銀、銅などの金属と、半田部３５の素材で
あるすずや鉛などの金属の異種金属の合金層４０が薄く
生じる。一般に合金層はぜい弱なものであり、後述する
ように振動を付与することにより、合金層４０は簡単に
破壊される。
【００１９】以上のようにしてチップ１６を基板１５に
ボンディングしたならば、ボンディングツール２３をチ
ップ１６から外して導通検査を行う。図６は導通検査を
示すものであって、テスター８のプローブ９を基板１５
のパッド３４に当て、電流の導通状態をテスター８で検
査する。なおこの時点では、樹脂３６は未硬化である。
上記導通検査で良品であったならば、基板３５を加熱炉
へ送って加熱し、樹脂３６を熱硬化させる（図７）。以
上によりチップ１６の基板１５へのボンディングは終了
する。
ボンディングしたならば、ボンディングツール２３をチ
ップ１６から外して導通検査を行う。図６は導通検査を
示すものであって、テスター８のプローブ９を基板１５
のパッド３４に当て、電流の導通状態をテスター８で検
査する。なおこの時点では、樹脂３６は未硬化である。
上記導通検査で良品であったならば、基板３５を加熱炉
へ送って加熱し、樹脂３６を熱硬化させる（図７）。以
上によりチップ１６の基板１５へのボンディングは終了
する。
【００２０】さて、図６に示す導通検査で不良の場合に
は、図８および図９に示す方法でリペア作業を行う。す
なわち、図８に示すようにチップ１６の上面に加振器４
１を押し当て、チップ１６に振動を付与する。するとぜ
い弱な合金層４０はこの振動によって破壊される。これ
により、チップ１６を基板１５から簡単に分離させるこ
とができる（図９）。
は、図８および図９に示す方法でリペア作業を行う。す
なわち、図８に示すようにチップ１６の上面に加振器４
１を押し当て、チップ１６に振動を付与する。するとぜ
い弱な合金層４０はこの振動によって破壊される。これ
により、チップ１６を基板１５から簡単に分離させるこ
とができる（図９）。
【００２１】このリペア作業は、樹脂１６が未硬化の状
態で行われるので、上記のようにして合金層４０を破壊
すれば、チップ１６は基板１５から難なく分離できる。
この場合、バンプ１６ａの表面に薄く生じた合金層４０
を破壊しただけであるから、図９に示すようにチップ１
６を基板１５から分離してもバンプ１６ａの形状は壊れ
ておらず、バンプ１６ａの形状は良好であり、したがっ
て分離後のチップ１６は十分に再使用が可能であり、ま
た基板１５も未硬化の樹脂３６を除去するなどして補修
することにより、再使用できる。勿論、樹脂３６は未硬
化であるので、基板１５やチップ１６から容易に剥ぎ取
ることができる。
態で行われるので、上記のようにして合金層４０を破壊
すれば、チップ１６は基板１５から難なく分離できる。
この場合、バンプ１６ａの表面に薄く生じた合金層４０
を破壊しただけであるから、図９に示すようにチップ１
６を基板１５から分離してもバンプ１６ａの形状は壊れ
ておらず、バンプ１６ａの形状は良好であり、したがっ
て分離後のチップ１６は十分に再使用が可能であり、ま
た基板１５も未硬化の樹脂３６を除去するなどして補修
することにより、再使用できる。勿論、樹脂３６は未硬
化であるので、基板１５やチップ１６から容易に剥ぎ取
ることができる。
【００２２】本発明は上記実施の形態に限定されないの
であって、図９に示すチップと基板の分離時に樹脂は未
硬化であればよいものであり、したがって樹脂としては
半田の融点以下の低温度で硬化するものであっても、硬
化に長時間を要するもの、すなわち図３から図９に示す
工程を行う時間内に硬化しないものであってもよい。
であって、図９に示すチップと基板の分離時に樹脂は未
硬化であればよいものであり、したがって樹脂としては
半田の融点以下の低温度で硬化するものであっても、硬
化に長時間を要するもの、すなわち図３から図９に示す
工程を行う時間内に硬化しないものであってもよい。
【００２３】また、導通検査後の良品について樹脂１６
を熱硬化させるために行われる加熱工程は、本実施の形
態では加熱炉による例を示しているが、バンプ付きワー
ク１６をボンディングツール２３の加熱手段により行っ
てもよい。
を熱硬化させるために行われる加熱工程は、本実施の形
態では加熱炉による例を示しているが、バンプ付きワー
ク１６をボンディングツール２３の加熱手段により行っ
てもよい。
【００２４】
【発明の効果】本発明によれば、ボンディングツールの
加熱手段からの熱をバンプ付きワークのバンプ部に集中
的に伝達させてワークのパッド上の半田部を溶融させ、
バンプをワークのパッドにボンディングすることによ
り、ワークの上面に塗布された接合用の樹脂が未硬化の
状態で前記パッドと前記バンプの導通検査を行うことが
できる。したがって、導通検査の結果が不良の場合には
バンプ付きワークをワークから簡単に分離できるので、
リペア作業を簡単に行うことができる。また従来技術の
ようにワークを加熱することなくリペアを行えるので、
バンプ付きワークやワークに実装された他の電子部品な
どに熱ダメージを与えることもなく、リペア作業を有利
に行うことができる。
加熱手段からの熱をバンプ付きワークのバンプ部に集中
的に伝達させてワークのパッド上の半田部を溶融させ、
バンプをワークのパッドにボンディングすることによ
り、ワークの上面に塗布された接合用の樹脂が未硬化の
状態で前記パッドと前記バンプの導通検査を行うことが
できる。したがって、導通検査の結果が不良の場合には
バンプ付きワークをワークから簡単に分離できるので、
リペア作業を簡単に行うことができる。また従来技術の
ようにワークを加熱することなくリペアを行えるので、
バンプ付きワークやワークに実装された他の電子部品な
どに熱ダメージを与えることもなく、リペア作業を有利
に行うことができる。
【図１】本発明の一実施の形態のバンプ付きワークのボ
ンディング装置の斜視図
ンディング装置の斜視図
【図２】本発明の一実施の形態のバンプ付きワークのボ
ンディングツールの側断面図
ンディングツールの側断面図
【図３】本発明の一実施の形態のバンプ付きワークのボ
ンディング工程図
ンディング工程図
【図４】本発明の一実施の形態のバンプ付きワークのボ
ンディング工程図
ンディング工程図
【図５】本発明の一実施の形態のバンプ付きワークのボ
ンディング工程図
ンディング工程図
【図６】本発明の一実施の形態のバンプ付きワークのボ
ンディング工程図
ンディング工程図
【図７】本発明の一実施の形態のバンプ付きワークのボ
ンディング工程図
ンディング工程図
【図８】本発明の一実施の形態のバンプ付きワークのボ
ンディング工程図
ンディング工程図
【図９】本発明の一実施の形態のバンプ付きワークのボ
ンディング工程図
ンディング工程図
【図１０】従来の基板にボンディングされたバンプ付き
ワークの側面図
ワークの側面図
１５ ワーク １６ チップ １６ａ バンプ ２３ ボンディングツール ２４ 吸着ツール ２４ａ 突起部 ２５ 吸着孔 ２６ ブロック ２８ ヒータ ３２ パッド ３５ 半田部 ３６ 樹脂 ４０ 合金層 ４１ 加振器
Claims (2)
- 【請求項１】ワークを位置決めする位置決め部と、ワー
クの上面に樹脂を塗布する塗布部と、ワークにバンプ付
きワークをボンディングするボンディングヘッドと、ボ
ンディングヘッドにバンプ付きワークを供給するワーク
供給部とを備え、前記ボンディングヘッドに装着された
ボンディングツールが、バンプ付きワークを真空吸着す
る吸着孔と、バンプ付きワークを加熱する加熱手段と、
前記吸着孔の周囲にバンプ付きワークのバンプの配列に
対応して形成されバンプ付きワークの上面に当接する突
起部を備え、前記加熱手段からの熱を前記突起部を介し
てバンプ付きワークのバンプ部に集中的に伝達すること
を特徴とするバンプ付きワークのボンディング装置。 - 【請求項２】ワークの上面に樹脂を塗布する工程と、ボ
ンディングツールにバンプ付きワークを保持させてバン
プ付きワークのバンプを前記ワークのパッドに着地させ
る工程と、ボンディングツールに設けられた加熱手段に
よって前記パッド上の半田部を溶融させて前記バンプを
前記パッド上にボンディングし、且つ互いに異種金属で
ある前記バンプと前記半田部の合金層を前記バンプの表
面に生じさせる工程と、前記樹脂が未硬化の状態で前記
バンプと前記パッドの導通検査を行う工程とを含むこと
を特徴とするバンプ付きワークのボンディング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20273997A JP3381565B2 (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | バンプ付きワークのボンディング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20273997A JP3381565B2 (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | バンプ付きワークのボンディング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1154559A true JPH1154559A (ja) | 1999-02-26 |
| JP3381565B2 JP3381565B2 (ja) | 2003-03-04 |
Family
ID=16462370
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20273997A Expired - Lifetime JP3381565B2 (ja) | 1997-07-29 | 1997-07-29 | バンプ付きワークのボンディング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3381565B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002313843A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Sharp Corp | 接続装置 |
| JP2007243217A (ja) * | 2007-05-14 | 2007-09-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 実装方法 |
| CN100431123C (zh) * | 2005-06-15 | 2008-11-05 | 英华达(上海)电子有限公司 | 一种修复集成电路芯片的方法及专用于该方法的印刷钢板 |
| KR101261926B1 (ko) | 2011-10-05 | 2013-05-08 | 현대자동차주식회사 | 볼 그리드 어레이 반도체패키지의 솔더링 방법 |
| WO2017164385A1 (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | 株式会社新川 | ボンディング装置 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013095362A1 (en) | 2011-12-20 | 2013-06-27 | Intel Corporation | High performance transient uniform cooling solution for thermal compression bonding process |
-
1997
- 1997-07-29 JP JP20273997A patent/JP3381565B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002313843A (ja) * | 2001-04-18 | 2002-10-25 | Sharp Corp | 接続装置 |
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| KR101261926B1 (ko) | 2011-10-05 | 2013-05-08 | 현대자동차주식회사 | 볼 그리드 어레이 반도체패키지의 솔더링 방법 |
| WO2017164385A1 (ja) * | 2016-03-24 | 2017-09-28 | 株式会社新川 | ボンディング装置 |
| JPWO2017164385A1 (ja) * | 2016-03-24 | 2019-03-22 | 株式会社新川 | ボンディング装置 |
| US11508688B2 (en) | 2016-03-24 | 2022-11-22 | Shinkawa Ltd. | Bonding apparatus including a heater and a cooling flow path used for stacking a plurality of semiconductor chips |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3381565B2 (ja) | 2003-03-04 |
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