JPH1155068A - 固体素子デバイス - Google Patents
固体素子デバイスInfo
- Publication number
- JPH1155068A JPH1155068A JP9220012A JP22001297A JPH1155068A JP H1155068 A JPH1155068 A JP H1155068A JP 9220012 A JP9220012 A JP 9220012A JP 22001297 A JP22001297 A JP 22001297A JP H1155068 A JPH1155068 A JP H1155068A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solid
- lid
- state device
- base
- metal film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、パッケージベースの開口を閉鎖す
るリッドが非金属素材の場合でも確実にシールドでき、
しかもシールド構造を簡素化できる固体素子デバイスを
提供する。 【解決手段】 固体素子（４）と、この固体素子を収容
するパッケージベース（１）と、このパッケージベース
の開口を閉鎖する非金属製リッド（６０）と、前記固体
素子の前記リッドに対向する面に形成されたシールド用
の金属膜（１０）とを備えるように、固体素子デバイス
を構成する。
るリッドが非金属素材の場合でも確実にシールドでき、
しかもシールド構造を簡素化できる固体素子デバイスを
提供する。 【解決手段】 固体素子（４）と、この固体素子を収容
するパッケージベース（１）と、このパッケージベース
の開口を閉鎖する非金属製リッド（６０）と、前記固体
素子の前記リッドに対向する面に形成されたシールド用
の金属膜（１０）とを備えるように、固体素子デバイス
を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、シールドを必要と
する弾性表面波デバイス等の固体素子デバイスに関す
る。
する弾性表面波デバイス等の固体素子デバイスに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波デバイスを製造する場合、従
来は、不要輻射対策として、チップ（固体素子）を封止
するパッケージ全体を金属素材で形成するか、或いはパ
ッケージベースに金属以外の素材を使用する場合でも、
その開口を閉鎖するリッド（蓋）には金属を用いるか、
または金属素材以外のリッドを使用する場合は、リッド
の裏面へ金属メッキを施し、できるだけチップの周辺を
金属で覆う（シールドする）ようにしている。
来は、不要輻射対策として、チップ（固体素子）を封止
するパッケージ全体を金属素材で形成するか、或いはパ
ッケージベースに金属以外の素材を使用する場合でも、
その開口を閉鎖するリッド（蓋）には金属を用いるか、
または金属素材以外のリッドを使用する場合は、リッド
の裏面へ金属メッキを施し、できるだけチップの周辺を
金属で覆う（シールドする）ようにしている。
【０００３】金属以外のパッケージ素材としては、セラ
ミックが一般的である。図５は従来のセラミックパッケ
ージを用いたデバイスの組立斜視図、図６は組立後の外
観斜視図である。図中、１はセラミックのパッケージベ
ース、２はベース１外壁に露出した外部電極、３はベー
ス１内に形成されたワイヤパッド、４はベース１内に収
容されたチップ、５はチップ４とパッド３との間を接続
するボンディングワイヤ、６はベース１の開口を閉鎖す
る金属製のリッドである。
ミックが一般的である。図５は従来のセラミックパッケ
ージを用いたデバイスの組立斜視図、図６は組立後の外
観斜視図である。図中、１はセラミックのパッケージベ
ース、２はベース１外壁に露出した外部電極、３はベー
ス１内に形成されたワイヤパッド、４はベース１内に収
容されたチップ、５はチップ４とパッド３との間を接続
するボンディングワイヤ、６はベース１の開口を閉鎖す
る金属製のリッドである。
【０００４】チップ４が弾性表面波素子の場合、図９の
ように、チップ表面４１には、フィルタ機能を有する櫛
形電極４２が形成されている。図５の場合、チップ４は
表面４１を上にしてベース１内に収容される。弾性表面
波素子は機械的な振動をするため、図６のようにリッド
６でベース１の開口を閉鎖する場合、リッド６をチップ
４の表面４１に密着させることはできない（空間を残す
必要がある）。
ように、チップ表面４１には、フィルタ機能を有する櫛
形電極４２が形成されている。図５の場合、チップ４は
表面４１を上にしてベース１内に収容される。弾性表面
波素子は機械的な振動をするため、図６のようにリッド
６でベース１の開口を閉鎖する場合、リッド６をチップ
４の表面４１に密着させることはできない（空間を残す
必要がある）。
【０００５】図７はフェースダウン・ボンディングを行
った従来の弾性表面波デバイスの組立斜視図、図８はそ
の断面図である。フェースダウン・ボンディングでは、
チップ４の表面４１を下向き、裏面４３を上向きにして
実装する。チップ４とベース１との間は、バンプ等の突
状接続部分７で間隙を形成して結合（接着）される。金
属製リッド６とセラミック製パッケージベース１との間
には導電性のあるコバール材からなるシームリング８を
介在させ、これを加熱・圧着して接着する。この点は、
図５の例も同じである。
った従来の弾性表面波デバイスの組立斜視図、図８はそ
の断面図である。フェースダウン・ボンディングでは、
チップ４の表面４１を下向き、裏面４３を上向きにして
実装する。チップ４とベース１との間は、バンプ等の突
状接続部分７で間隙を形成して結合（接着）される。金
属製リッド６とセラミック製パッケージベース１との間
には導電性のあるコバール材からなるシームリング８を
介在させ、これを加熱・圧着して接着する。この点は、
図５の例も同じである。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したセラミックパ
ッケージの場合、金属製リッド６をグランドに接続する
必要がある。このため、リッド６とベース１との接着に
は、導電性のある接着剤を使用する等、シールド構造が
複雑になり、コストアップの要因となる。セラミック以
外のパッケージの場合は、リッドをグランド（アース）
に接続することが困難で、シンプルなパッケージ構造を
実現できない。これらの点が本発明で解決しようとする
課題である。
ッケージの場合、金属製リッド６をグランドに接続する
必要がある。このため、リッド６とベース１との接着に
は、導電性のある接着剤を使用する等、シールド構造が
複雑になり、コストアップの要因となる。セラミック以
外のパッケージの場合は、リッドをグランド（アース）
に接続することが困難で、シンプルなパッケージ構造を
実現できない。これらの点が本発明で解決しようとする
課題である。
【０００７】本発明は、パッケージベースの開口を閉鎖
するリッドが非金属素材の場合でも確実にシールドで
き、しかもシールド構造を簡素化できる固体素子デバイ
スを提供することを目的としている。
するリッドが非金属素材の場合でも確実にシールドで
き、しかもシールド構造を簡素化できる固体素子デバイ
スを提供することを目的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、固
体素子と、この固体素子を収容するパッケージベース
と、このパッケージベースの開口を閉鎖する非金属製リ
ッドと、前記固体素子の前記リッドに対向する面に形成
されたシールド用の金属膜とを備える固体素子デバイス
で達成できる。
体素子と、この固体素子を収容するパッケージベース
と、このパッケージベースの開口を閉鎖する非金属製リ
ッドと、前記固体素子の前記リッドに対向する面に形成
されたシールド用の金属膜とを備える固体素子デバイス
で達成できる。
【０００９】本発明の種々の実施形態によれば、前記固
体素子は、その表面に櫛形電極を有する弾性表面波素子
である。また、前記弾性表面波素子の裏面に前記金属膜
が形成されている。更に、前記リッドは、樹脂素材で形
成されている。また、前記リッドと前記パッケージベー
スとは、非導電性封止剤で接着されている。更に、前記
金属膜は、ボンディングワイヤで前記ベースのアースに
接続される。或いは、前記金属膜は、導電性樹脂で前記
ベースのアースに接続される。
体素子は、その表面に櫛形電極を有する弾性表面波素子
である。また、前記弾性表面波素子の裏面に前記金属膜
が形成されている。更に、前記リッドは、樹脂素材で形
成されている。また、前記リッドと前記パッケージベー
スとは、非導電性封止剤で接着されている。更に、前記
金属膜は、ボンディングワイヤで前記ベースのアースに
接続される。或いは、前記金属膜は、導電性樹脂で前記
ベースのアースに接続される。
【００１０】本発明のデバイス構造であると、リッドが
金属製でなくとも、金属膜がシールド機能を果たすの
で、チップからの不要輻射が外部に漏洩することを防止
できる。このため、リッドを樹脂製として、コストダウ
ンを図ることができる。
金属製でなくとも、金属膜がシールド機能を果たすの
で、チップからの不要輻射が外部に漏洩することを防止
できる。このため、リッドを樹脂製として、コストダウ
ンを図ることができる。
【００１１】また金属膜はリッド側ではなく、チップ側
に形成されているため、これをベースのグランドに接続
する構造は簡単である。即ち、リッド閉鎖前のワイヤボ
ンディング工程だけで容易にアースでき、リッドとベー
スとの間を電気的に接続する必要がない。このため、リ
ッドとベースとの接着も、ガラス、樹脂等の安価な封止
手法で行うことができる。換言すれば、従来のシーム溶
接やロウ付け等のコストのかかる手法を要しない。
に形成されているため、これをベースのグランドに接続
する構造は簡単である。即ち、リッド閉鎖前のワイヤボ
ンディング工程だけで容易にアースでき、リッドとベー
スとの間を電気的に接続する必要がない。このため、リ
ッドとベースとの接着も、ガラス、樹脂等の安価な封止
手法で行うことができる。換言すれば、従来のシーム溶
接やロウ付け等のコストのかかる手法を要しない。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、図面に示した実施形態を参
照して、本発明を詳細に説明する。図１は本発明の一実
施形態を示す組立斜視図、図２はその外観斜視図、図３
は断面図である。図中、１はセラミックのパッケージベ
ース、２はベース１外壁に露出した外部電極、４はベー
ス１内にフェースダウンで（表面を下向き、裏面を上向
きにして）収容されたチップ、１０はチップ４の裏面
（図９の４３）全体に蒸着、スパッタ、メッキ等の手法
で形成されたシールド用の金属膜、６０はベース１の開
口を閉鎖する非金属製（例えば樹脂素材）のリッドであ
る。
照して、本発明を詳細に説明する。図１は本発明の一実
施形態を示す組立斜視図、図２はその外観斜視図、図３
は断面図である。図中、１はセラミックのパッケージベ
ース、２はベース１外壁に露出した外部電極、４はベー
ス１内にフェースダウンで（表面を下向き、裏面を上向
きにして）収容されたチップ、１０はチップ４の裏面
（図９の４３）全体に蒸着、スパッタ、メッキ等の手法
で形成されたシールド用の金属膜、６０はベース１の開
口を閉鎖する非金属製（例えば樹脂素材）のリッドであ
る。
【００１３】チップ４は、図３に示すように、バンプ等
の接続部分７により、ベース１の底面との間に間隙を残
して接続される。チップ４の裏面に形成された金属膜１
０はボンディングワイヤ１１によってベース１底面のグ
ランドパターン（図示せず）に接続される。チップ４表
面４１の櫛形電極等は接続部分７によってフェースダウ
ン・ボンディングされる。
の接続部分７により、ベース１の底面との間に間隙を残
して接続される。チップ４の裏面に形成された金属膜１
０はボンディングワイヤ１１によってベース１底面のグ
ランドパターン（図示せず）に接続される。チップ４表
面４１の櫛形電極等は接続部分７によってフェースダウ
ン・ボンディングされる。
【００１４】このような、デバイス構造であると、リッ
ド６０が金属製でなくとも、金属膜１０がシールド機能
を果たすので、チップ４からの不要輻射が外部に漏洩す
ることを防止できる。このため、リッド６０を樹脂製と
して、コストダウンを図ることができる。
ド６０が金属製でなくとも、金属膜１０がシールド機能
を果たすので、チップ４からの不要輻射が外部に漏洩す
ることを防止できる。このため、リッド６０を樹脂製と
して、コストダウンを図ることができる。
【００１５】金属膜１０はリッド６０側ではなく、チッ
プ４側に形成されているため、これをベース１のグラン
ドに接続する構造は簡単である。即ち、リッド６０閉鎖
前のワイヤボンディング工程だけで容易にアースでき、
リッド６０とベース１との間を電気的に接続する必要が
ない。このため、リッド６０とベース１との接着も、ガ
ラス、樹脂等の安価な封止手法で行うことができる。換
言すれば、従来のシーム溶接やロウ付け等のコストのか
かる手法を要しない。
プ４側に形成されているため、これをベース１のグラン
ドに接続する構造は簡単である。即ち、リッド６０閉鎖
前のワイヤボンディング工程だけで容易にアースでき、
リッド６０とベース１との間を電気的に接続する必要が
ない。このため、リッド６０とベース１との接着も、ガ
ラス、樹脂等の安価な封止手法で行うことができる。換
言すれば、従来のシーム溶接やロウ付け等のコストのか
かる手法を要しない。
【００１６】図４は本発明の他の実施形態を示す断面図
である。本例は、図３のボンディングワイヤ１１による
シールド用アース接続を、導電性樹脂１２で実施するよ
うにしたものである。シールド用アース接続を、ワイヤ
ボンディングで行うか導電性樹脂で行うかは、製造上の
都合により任意に選択することができる。
である。本例は、図３のボンディングワイヤ１１による
シールド用アース接続を、導電性樹脂１２で実施するよ
うにしたものである。シールド用アース接続を、ワイヤ
ボンディングで行うか導電性樹脂で行うかは、製造上の
都合により任意に選択することができる。
【００１７】なお、以上の実施形態では、チップ（固体
素子）４を弾性表面波素子として説明したが、本発明の
シールド構造はこれに限定されるものではなく、シール
ドを要する他の固体素子にも適用することができる。
素子）４を弾性表面波素子として説明したが、本発明の
シールド構造はこれに限定されるものではなく、シール
ドを要する他の固体素子にも適用することができる。
【００１８】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、パッ
ケージベースの開口を閉鎖するリッドが非金属素材の場
合でも確実にシールドでき、しかもシールド構造を簡素
化できる固体素子デバイスを提供することができる。
ケージベースの開口を閉鎖するリッドが非金属素材の場
合でも確実にシールドでき、しかもシールド構造を簡素
化できる固体素子デバイスを提供することができる。
【図１】本発明の一実施形態を示す組立斜視図である。
【図２】図１のデバイスの組立後の外観斜視図である。
【図３】図１のデバイスの組立後の断面図である。
【図４】本発明の他の実施形態を示す組立後の断面図で
ある。
ある。
【図５】従来の弾性表面波デバイスの一例を示す組立斜
視図である。
視図である。
【図６】図５のデバイスの組立後の外観斜視図である。
【図７】従来の弾性表面波デバイスの他の例を示す組立
斜視図である。
斜視図である。
【図８】図７のデバイスの組立後の断面図である。
【図９】弾性表面波素子を単体で示す斜視図である。
１ パッケージベース ２ 外部電極 ４ チップ（固体素子） ７ 接続部分 １０ 金属膜 １１ ボンディングワイヤ １２ 導電性樹脂 ４１ チップ表面 ４２ 櫛形電極 ４３ チップ裏面 ６０ 非金属性リッド
Claims (7)
- 【請求項１】 固体素子と、 この固体素子を収容するパッケージベースと、 このパッケージベースの開口を閉鎖する非金属製リッド
と、 前記固体素子の前記リッドに対向する面に形成されたシ
ールド用の金属膜とを備えることを特徴とする固体素子
デバイス。 - 【請求項２】 前記固体素子は、その表面に櫛形電極を
有する弾性表面波素子であることを特徴とする請求項１
に記載の固体素子デバイス。 - 【請求項３】 前記弾性表面波素子の裏面に前記金属膜
が形成されていることを特徴とする請求項２に記載の固
体素子デバイス。 - 【請求項４】 前記リッドは、樹脂素材で形成されてい
ることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載の固
体素子デバイス。 - 【請求項５】 前記リッドと前記パッケージベースと
は、非導電性封止剤で接着されていることを特徴とする
請求項１〜４のいずれかに記載の固体素子デバイス。 - 【請求項６】 前記金属膜は、ボンディングワイヤで前
記ベース側のアースに接続されることを特徴とする請求
項１〜５のいずれかに記載の固体素子デバイス。 - 【請求項７】 前記金属膜は、導電性樹脂で前記ベース
側のアースに接続されることを特徴とする請求項１〜５
のいずれかに記載の固体素子デバイス。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9220012A JPH1155068A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 固体素子デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9220012A JPH1155068A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 固体素子デバイス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1155068A true JPH1155068A (ja) | 1999-02-26 |
Family
ID=16744557
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9220012A Pending JPH1155068A (ja) | 1997-07-30 | 1997-07-30 | 固体素子デバイス |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1155068A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006042008A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子および通信装置 |
| WO2008065834A1 (en) * | 2006-11-29 | 2008-06-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave device |
-
1997
- 1997-07-30 JP JP9220012A patent/JPH1155068A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006042008A (ja) * | 2004-07-28 | 2006-02-09 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子および通信装置 |
| WO2008065834A1 (en) * | 2006-11-29 | 2008-06-05 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave device |
| US7915784B2 (en) | 2006-11-29 | 2011-03-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave resonator and surface acoustic wave device in which spurious responses that occur when a SiO2 protective film is provided are suppressed |
| EP2093880A4 (en) * | 2006-11-29 | 2013-04-17 | Murata Manufacturing Co | SURFACE WAVE RECONNECTOR AND SURFACE WAVE DEVICE |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051031 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051129 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060411 |