JPH1158232A - ドレッシング工具及びその製造方法 - Google Patents
ドレッシング工具及びその製造方法Info
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- JPH1158232A JPH1158232A JP9243485A JP24348597A JPH1158232A JP H1158232 A JPH1158232 A JP H1158232A JP 9243485 A JP9243485 A JP 9243485A JP 24348597 A JP24348597 A JP 24348597A JP H1158232 A JPH1158232 A JP H1158232A
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Landscapes
- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】ドレッシング時、研磨工程で研磨布を介して被
研磨製品のシリコンウェーハ等の重金属汚染、損傷のな
いドレッシング工具を提供する。 【解決手段】シリコン基材２の表面に一体的に多数形成
されたピット４と、これらピット４の強度を増すために
ピット４を被覆するダイヤモンド薄膜５を設ける。
研磨製品のシリコンウェーハ等の重金属汚染、損傷のな
いドレッシング工具を提供する。 【解決手段】シリコン基材２の表面に一体的に多数形成
されたピット４と、これらピット４の強度を増すために
ピット４を被覆するダイヤモンド薄膜５を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はケミカルメカニカル
ポリッシング（以下、ＣＭＰという）に用いられる研磨
布用のドレッシング工具及びその製造方法に係わり、特
に被研磨部材への汚染及び損傷を低減したドレッシング
工具及びその製造方法に関する。
ポリッシング（以下、ＣＭＰという）に用いられる研磨
布用のドレッシング工具及びその製造方法に係わり、特
に被研磨部材への汚染及び損傷を低減したドレッシング
工具及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】超高平坦度、高純度化が要求される大口
径のφ３００ｍｍシリコンウェーハの表面研磨にはＣＭ
Ｐが不可欠であるが、そのポリッシング工程で研磨布に
目詰まりが起こり、研磨精度、品質を劣化させる原因に
なっている。
径のφ３００ｍｍシリコンウェーハの表面研磨にはＣＭ
Ｐが不可欠であるが、そのポリッシング工程で研磨布に
目詰まりが起こり、研磨精度、品質を劣化させる原因に
なっている。
【０００３】そのため、従来は所定研磨回数後ダイヤモ
ンドペレットをドレッシング工具として用いて研磨布の
ドレッシングを行っていたが、このダイヤモンドペレッ
トはダイヤモンド保持プレートにニッケルメッキ層を介
してダイヤモンド砥粒を電着で保持していたもの（メタ
ルボンド砥石）、あるいはダイヤモンド保持プレートに
フェノール系樹脂によりダイヤモンド砥粒を保持するも
の（レジンボンド砥石）がある。
ンドペレットをドレッシング工具として用いて研磨布の
ドレッシングを行っていたが、このダイヤモンドペレッ
トはダイヤモンド保持プレートにニッケルメッキ層を介
してダイヤモンド砥粒を電着で保持していたもの（メタ
ルボンド砥石）、あるいはダイヤモンド保持プレートに
フェノール系樹脂によりダイヤモンド砥粒を保持するも
の（レジンボンド砥石）がある。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前者のメタルボンド砥
石はドレッシング時、溶出したニッケルが研磨布に付
着、残存し、また後者のレジンボンド砥石は砥粒の保持
力が弱く砥粒が脱落しやすく、脱落した砥粒が研磨布に
付着、残存して、次の研磨工程でシリコンウェーハを重
金属汚染し、あるいは損傷する虞があり、また高価ある
いは耐久性がない等の欠点があった。
石はドレッシング時、溶出したニッケルが研磨布に付
着、残存し、また後者のレジンボンド砥石は砥粒の保持
力が弱く砥粒が脱落しやすく、脱落した砥粒が研磨布に
付着、残存して、次の研磨工程でシリコンウェーハを重
金属汚染し、あるいは損傷する虞があり、また高価ある
いは耐久性がない等の欠点があった。
【０００５】本発明は上述した事情を考慮してなされた
もので、研磨布のドレッシング時、溶出したニッケル等
の重金属の研磨布への付着、残存また脱落した砥粒が研
磨布への付着、残存をなくし研磨工程で研磨布を介して
被研磨製品のシリコンウェーハの重金属汚染また砥粒の
脱落によるシリコンウェーハの損傷がなく、かつ安価な
ドレッシング工具を提供することを目的としている。
もので、研磨布のドレッシング時、溶出したニッケル等
の重金属の研磨布への付着、残存また脱落した砥粒が研
磨布への付着、残存をなくし研磨工程で研磨布を介して
被研磨製品のシリコンウェーハの重金属汚染また砥粒の
脱落によるシリコンウェーハの損傷がなく、かつ安価な
ドレッシング工具を提供することを目的としている。
【０００６】本発明の他の目的は本発明のドレッシング
工具を安価に製造できるドレッシング工具の製造方法を
提供するものである。
工具を安価に製造できるドレッシング工具の製造方法を
提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に成された本発明は、シリコン基材の表面に一体的に多
数形成されたピットと、これらピットの強度を増すため
にピットを被覆するダイヤモンド薄膜とを具備するドレ
ッシング工具である。
に成された本発明は、シリコン基材の表面に一体的に多
数形成されたピットと、これらピットの強度を増すため
にピットを被覆するダイヤモンド薄膜とを具備するドレ
ッシング工具である。
【０００８】また本発明のドレッシング工具の製造方法
は、シリコン基材の表面に粗面を形成する工程と、この
粗面にアルカリエッチングを行い多数のピットを形成す
るする工程と、この多数のピットをダイヤモンド被膜で
被覆する工程よりなる。
は、シリコン基材の表面に粗面を形成する工程と、この
粗面にアルカリエッチングを行い多数のピットを形成す
るする工程と、この多数のピットをダイヤモンド被膜で
被覆する工程よりなる。
【０００９】本発明のドレッシング工具は、所定の寸法
に作成されたシリコン基材の一側の表面を機械的加工方
法、例えばラップ加工によって荒して粗面を形成し、こ
の粗面を化学的加工処理、例えばアルカリエッチングを
行い多数のピットを形成し、かつこのピットの強度を増
すためダイヤモンド低圧気相合成法、例えば熱フィラメ
ント化学的気相合成法によってダイヤモンド被膜を被覆
する。
に作成されたシリコン基材の一側の表面を機械的加工方
法、例えばラップ加工によって荒して粗面を形成し、こ
の粗面を化学的加工処理、例えばアルカリエッチングを
行い多数のピットを形成し、かつこのピットの強度を増
すためダイヤモンド低圧気相合成法、例えば熱フィラメ
ント化学的気相合成法によってダイヤモンド被膜を被覆
する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明にかかるドレッシン
グ工具およびその製造方法を図面に基づき説明する。
グ工具およびその製造方法を図面に基づき説明する。
【００１１】ドレッシング工具１は、工具本体を構成す
るシリコン基材２をドレッシング材として備える。シリ
コン基材２は、シリコン材料をペレット形状あるいは被
加工シリコンウェーハ径と同等のディスク状に平行度よ
く加工して形成される。
るシリコン基材２をドレッシング材として備える。シリ
コン基材２は、シリコン材料をペレット形状あるいは被
加工シリコンウェーハ径と同等のディスク状に平行度よ
く加工して形成される。
【００１２】シリコン基材２の片面に、粗粒の研磨材を
用いて、ラッピング加工あるいはホーニング加工等で粗
面３を形成する。形成されたシリコン基材２の粗面３を
化学的加工処理、例えばアルカリエッチング処理を行な
って選択エッチングを行い、粗面３に深い逆角錐形状の
ピット４を多数形成する。多数のピット４を形成した粗
面（ピット形成面）をダイヤモンド被膜５で被覆し、ピ
ット形成面３の表面硬化を行うことでドレッシング工具
１が構成される。
用いて、ラッピング加工あるいはホーニング加工等で粗
面３を形成する。形成されたシリコン基材２の粗面３を
化学的加工処理、例えばアルカリエッチング処理を行な
って選択エッチングを行い、粗面３に深い逆角錐形状の
ピット４を多数形成する。多数のピット４を形成した粗
面（ピット形成面）をダイヤモンド被膜５で被覆し、ピ
ット形成面３の表面硬化を行うことでドレッシング工具
１が構成される。
【００１３】このドレッシング工具１は、後述するシリ
コンウェーハ１０の表面研磨を行う不織布製研磨布９の
ドレッシングに用いる。
コンウェーハ１０の表面研磨を行う不織布製研磨布９の
ドレッシングに用いる。
【００１４】次に、ドレッシング工具１の製造方法を図
２に従い説明する。
２に従い説明する。
【００１５】図２（ａ）に示すように、ドレッシング工
具１の本体を形成し、平行度がよく加工された直径２０
〜３００ｍｍ、例えば３０ｍｍ、厚さ１〜５０ｍｍ、例
えば３ｍｍのペレット状のシリコン基材２を用意する。
具１の本体を形成し、平行度がよく加工された直径２０
〜３００ｍｍ、例えば３０ｍｍ、厚さ１〜５０ｍｍ、例
えば３ｍｍのペレット状のシリコン基材２を用意する。
【００１６】次に、図２（ｂ）に示すように、シリコン
基材２の一面を粗粒の研磨剤、例えばＣ＃２４０の研磨
剤６を用いラップ装置７でラッピング加工を行い、粗さ
１０μｍ（Ｒａ）の粗面３を形成する。
基材２の一面を粗粒の研磨剤、例えばＣ＃２４０の研磨
剤６を用いラップ装置７でラッピング加工を行い、粗さ
１０μｍ（Ｒａ）の粗面３を形成する。
【００１７】次に、図２（ｃ）に示すように、この粗面
３を化学的加工処理、例えば水酸化ナトリウム水溶液あ
るいは水酸化カリウム水溶液を用いたアルカリエッチン
グを行うが、本実施の形態での使用アルカリ溶液は、１
０〜５０ｗｔ％の水酸化ナトリウム水溶液を用い、５分
間アルカリエッチンングを行い、２０μｍエッチングを
行う。
３を化学的加工処理、例えば水酸化ナトリウム水溶液あ
るいは水酸化カリウム水溶液を用いたアルカリエッチン
グを行うが、本実施の形態での使用アルカリ溶液は、１
０〜５０ｗｔ％の水酸化ナトリウム水溶液を用い、５分
間アルカリエッチンングを行い、２０μｍエッチングを
行う。
【００１８】このアルカリエッチングの形態は反応律速
であり、（１００）面は（１１１）面に対して６０〜１
００倍エッチング速度く、この選択エッチング性のた
め、（１００）面をエッチングするとラッピング加工に
より荒らされた粗面３には深さが２０〜１００ｍｍの正
方形の逆ピラミット型のエッチピットが現れる。なお、
（１１１）面だと逆三角錐になる。
であり、（１００）面は（１１１）面に対して６０〜１
００倍エッチング速度く、この選択エッチング性のた
め、（１００）面をエッチングするとラッピング加工に
より荒らされた粗面３には深さが２０〜１００ｍｍの正
方形の逆ピラミット型のエッチピットが現れる。なお、
（１１１）面だと逆三角錐になる。
【００１９】ラッピング加工による面荒れとエッチング
とが相まって粗面３には多数のピットが形成される。図
３はこのときのエッチピットを示す平面図である。
とが相まって粗面３には多数のピットが形成される。図
３はこのときのエッチピットを示す平面図である。
【００２０】しかる後、図２（ｄ）に示すように、これ
らピット４の強度を増すため周知のダイヤモンド低圧気
相合成法、例えば熱フィラメント化学的気相合成法によ
ってこれらピットにダイヤモンド被膜５を被覆する。こ
の熱フィラメント法は反応容器中に置いたシリコン基材
の数ｍｍ上に、約２０００℃に加熱したフィラメントを
セットし、メタンを水素で０．５〜１％程度に希釈した
反応ガス、例えばメタン０．８％の反応ガスを導入して
接触させ、１μｍの厚さの被膜を形成する。
らピット４の強度を増すため周知のダイヤモンド低圧気
相合成法、例えば熱フィラメント化学的気相合成法によ
ってこれらピットにダイヤモンド被膜５を被覆する。こ
の熱フィラメント法は反応容器中に置いたシリコン基材
の数ｍｍ上に、約２０００℃に加熱したフィラメントを
セットし、メタンを水素で０．５〜１％程度に希釈した
反応ガス、例えばメタン０．８％の反応ガスを導入して
接触させ、１μｍの厚さの被膜を形成する。
【００２１】このような工程を経て、ドレッシング工具
１を製造することができる。
１を製造することができる。
【００２２】次に、シリコンウェーハをＣＭＰする研磨
装置８の使用状態を説明する。この装置８は冷却水Ｗの
水路９を有する定盤１０と、この定盤１０に取り付けら
れた不織布製の研磨布１１を有し、一方研磨布１１には
被研磨部材、例えばシリコンウェーハ１２が押圧接触さ
れ、このシリコンウェーハ１２はワックス１３によりマ
ウントプレート１４に着脱自在に固定され、このマウン
トプレート１４は前記定盤１０の方向に加圧され、かつ
可変的に回転するヘッド１５に取り付けられている。
装置８の使用状態を説明する。この装置８は冷却水Ｗの
水路９を有する定盤１０と、この定盤１０に取り付けら
れた不織布製の研磨布１１を有し、一方研磨布１１には
被研磨部材、例えばシリコンウェーハ１２が押圧接触さ
れ、このシリコンウェーハ１２はワックス１３によりマ
ウントプレート１４に着脱自在に固定され、このマウン
トプレート１４は前記定盤１０の方向に加圧され、かつ
可変的に回転するヘッド１５に取り付けられている。
【００２３】また、前記研磨布１１に研磨剤１６を常時
供給するための供給管１７が設けられている。
供給するための供給管１７が設けられている。
【００２４】このような研磨装置８により、シリコンウ
ェーハ１２をＣＭＰするが、ある個数以上シリコンウェ
ーハを研磨すると研磨布１１と目詰まりを発生するた
め、研磨布１１をドレッシングする必要がある。
ェーハ１２をＣＭＰするが、ある個数以上シリコンウェ
ーハを研磨すると研磨布１１と目詰まりを発生するた
め、研磨布１１をドレッシングする必要がある。
【００２５】研磨布１１のドレッシングは本発明に係わ
るドレッシング工具１を用いて行われる。
るドレッシング工具１を用いて行われる。
【００２６】図３はドレッシングを行う状態を示す研磨
装置８で、ドレッシング工具１が接着剤１８により取り
付けられた付着プレート１９をマウントプレート１４の
換わりにヘッド１５に取り付ける。
装置８で、ドレッシング工具１が接着剤１８により取り
付けられた付着プレート１９をマウントプレート１４の
換わりにヘッド１５に取り付ける。
【００２７】しかる後、ヘッド１５により、ドレッシン
グ工具１を研磨布１１に押圧当接させ、研磨布１１上で
回転させる。この回転により、研磨布１１はドレッシン
グされ、研磨布１１は再使用可能とる。
グ工具１を研磨布１１に押圧当接させ、研磨布１１上で
回転させる。この回転により、研磨布１１はドレッシン
グされ、研磨布１１は再使用可能とる。
【００２８】このようなドレッシングに使用される本発
明によるドレッシング工具１は、シリコンウェーハを同
質のシリコン基材に多数のピットを形成し、かつこのピ
ットを強固にするためダイヤモンド被膜を被覆して従来
例の砥粒に相当するものを形成する。このドレッシング
工具１は従来のドレッシング工具のようにニッケルメッ
キ層を介してダイヤモンド砥粒を電着で保持プレートに
保持する必要がなく、また、万一ピットが破損脱落して
も、ウェーハと同一材料のシリコンで形成されているの
で、従来のように後の研磨工程でシリコンウェーハ等の
被研磨部材を金属汚染することもない。
明によるドレッシング工具１は、シリコンウェーハを同
質のシリコン基材に多数のピットを形成し、かつこのピ
ットを強固にするためダイヤモンド被膜を被覆して従来
例の砥粒に相当するものを形成する。このドレッシング
工具１は従来のドレッシング工具のようにニッケルメッ
キ層を介してダイヤモンド砥粒を電着で保持プレートに
保持する必要がなく、また、万一ピットが破損脱落して
も、ウェーハと同一材料のシリコンで形成されているの
で、従来のように後の研磨工程でシリコンウェーハ等の
被研磨部材を金属汚染することもない。
【００２９】本発明によるドレッシング工具１は、シリ
コンウェーハと同質の基材２に多数のピット３を一体的
に形成しかつダイヤモンド被膜４を被覆しており、従来
のようにダイヤモンド砥粒を接着剤であるフェノール樹
脂により保持する必要もなく、ピットが脱落してシリコ
ンウェーハ等の被研磨部材を損傷する虞も少ない。
コンウェーハと同質の基材２に多数のピット３を一体的
に形成しかつダイヤモンド被膜４を被覆しており、従来
のようにダイヤモンド砥粒を接着剤であるフェノール樹
脂により保持する必要もなく、ピットが脱落してシリコ
ンウェーハ等の被研磨部材を損傷する虞も少ない。
【００３０】また本発明のドレッシング工具の製造方法
は、シリコンウェーハと同一材料のシリコンウェーハ基
板に粗面を形成する工程と、この粗面にアルカリエチン
グを行い多数のピットを形成する工程と、この多数のピ
ットをダイヤモンド被膜で被覆する工程よりなってお
り、本発明によるドレッシング工具のピットとダイヤモ
ンド被膜に相当する粒状の砥粒の形成とその保持プレー
トへの保持を複雑な諸工程により行う従来の製造方法と
異なり、極めて量産性にも適し、安価なドレッシング工
具を提供できる。
は、シリコンウェーハと同一材料のシリコンウェーハ基
板に粗面を形成する工程と、この粗面にアルカリエチン
グを行い多数のピットを形成する工程と、この多数のピ
ットをダイヤモンド被膜で被覆する工程よりなってお
り、本発明によるドレッシング工具のピットとダイヤモ
ンド被膜に相当する粒状の砥粒の形成とその保持プレー
トへの保持を複雑な諸工程により行う従来の製造方法と
異なり、極めて量産性にも適し、安価なドレッシング工
具を提供できる。
【００３１】
【発明の効果】ドレッシング工具から重金属の溶出がな
いのでシリコンウェーハの重金属汚染もなくもなく、ま
た砥粒脱落もないのでシリコンウェーハを傷付けること
もなく、信頼性が高く、製品の歩留を向上させることが
できる。また、量産性に優れた構造と簡易な製造方法で
製造できるので安価なドレッシング工具を提供できる。
いのでシリコンウェーハの重金属汚染もなくもなく、ま
た砥粒脱落もないのでシリコンウェーハを傷付けること
もなく、信頼性が高く、製品の歩留を向上させることが
できる。また、量産性に優れた構造と簡易な製造方法で
製造できるので安価なドレッシング工具を提供できる。
【図１】本発明のドレッシング工具の断面図。
【図２】本発明のドレッシング工具の製造工程図。
【図３】図２（ｃ）のエッチング工程により形成された
エッチピットを示す平面図。
エッチピットを示す平面図。
【図４】シリコンウェーハの研磨に用いられている研磨
装置の断面図。
装置の断面図。
【図５】本発明のドレッシング工具を用いた研磨装置の
断面図。
断面図。
１ ドレッシング工具 ２ シリコン基材 ３ 粗面 ４ ピット ５ ダイヤモンド被膜 ６ 研磨剤 ７ ラップ装置 ８ 研磨装置 ９ 水路 １０ 定盤 １１ 研磨布 １２ シリコンウェーハ １３ ワックス １４ マウントプレート １５ ヘッド １６ 研磨剤 １７ 供給管 １８ 接着剤 １９ 付着プレート
Claims (2)
- 【請求項１】シリコン基材に一体的に形成された多数の
ピットと、この多数のピットを被覆するダイヤモンド被
膜を具備するドレッシング工具。 - 【請求項２】シリコン基材の表面に粗面を形成する工程
と、この粗面にアルカリエッチングを行い多数のピット
を形成する工程と、この多数のピットをダイヤモンド被
膜で被覆する工程よりなるドレッシング工具の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9243485A JPH1158232A (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | ドレッシング工具及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9243485A JPH1158232A (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | ドレッシング工具及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1158232A true JPH1158232A (ja) | 1999-03-02 |
Family
ID=17104598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9243485A Pending JPH1158232A (ja) | 1997-08-26 | 1997-08-26 | ドレッシング工具及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1158232A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030053987A (ko) * | 2001-12-24 | 2003-07-02 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼의 폴리싱 패드 드레서 |
| US7348195B2 (en) * | 1999-08-25 | 2008-03-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the device |
| JP2009269150A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 研磨布用ドレッシングプレート及び研磨布のドレッシング方法並びに半導体基板の研磨方法 |
| KR101072444B1 (ko) | 2008-12-03 | 2011-10-11 | 한국과학기술연구원 | 다이아몬드막으로 코팅된 세라믹 몸체 및 그 제조방법 |
| JP2014510645A (ja) * | 2011-03-07 | 2014-05-01 | インテグリス・インコーポレーテッド | 化学機械平坦化パッドコンディショナー |
| JP2018032745A (ja) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | 東芝メモリ株式会社 | ドレッサー、ドレッサーの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
| TWI621503B (zh) * | 2017-05-12 | 2018-04-21 | Kinik Company Ltd. | 化學機械研磨拋光墊修整器及其製造方法 |
| JP2020123751A (ja) * | 2020-05-07 | 2020-08-13 | キオクシア株式会社 | ドレッサーの製造方法 |
-
1997
- 1997-08-26 JP JP9243485A patent/JPH1158232A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7348195B2 (en) * | 1999-08-25 | 2008-03-25 | Sharp Kabushiki Kaisha | Semiconductor light-emitting device and method for fabricating the device |
| KR20030053987A (ko) * | 2001-12-24 | 2003-07-02 | 주식회사 실트론 | 실리콘 웨이퍼의 폴리싱 패드 드레서 |
| JP2009269150A (ja) * | 2008-05-09 | 2009-11-19 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | 研磨布用ドレッシングプレート及び研磨布のドレッシング方法並びに半導体基板の研磨方法 |
| KR101072444B1 (ko) | 2008-12-03 | 2011-10-11 | 한국과학기술연구원 | 다이아몬드막으로 코팅된 세라믹 몸체 및 그 제조방법 |
| JP2014510645A (ja) * | 2011-03-07 | 2014-05-01 | インテグリス・インコーポレーテッド | 化学機械平坦化パッドコンディショナー |
| US9616547B2 (en) | 2011-03-07 | 2017-04-11 | Entegris, Inc. | Chemical mechanical planarization pad conditioner |
| JP2018032745A (ja) * | 2016-08-24 | 2018-03-01 | 東芝メモリ株式会社 | ドレッサー、ドレッサーの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
| TWI621503B (zh) * | 2017-05-12 | 2018-04-21 | Kinik Company Ltd. | 化學機械研磨拋光墊修整器及其製造方法 |
| JP2020123751A (ja) * | 2020-05-07 | 2020-08-13 | キオクシア株式会社 | ドレッサーの製造方法 |
| JP2022060241A (ja) * | 2020-05-07 | 2022-04-14 | キオクシア株式会社 | ドレッサーの製造方法 |
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