JPH115878A - スチレン系樹脂組成物及びその製造方法 - Google Patents
スチレン系樹脂組成物及びその製造方法Info
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Abstract
変性スチレン系樹脂を得る。 【解決手段】 スチレン系単量体を重合せしめて得られ
る重合体にゴム状重合体粒子を分散させてなるゴム変性
スチレン系樹脂組成物であって、特定の、エチレンと炭
素数6以上の不飽和化合物とからなる共重合体であるゴ
ム状重合体を使用する。
Description
物およびその製造方法に関する。さらに詳しくは特定の
構造を有するゴムを含むスチレン系樹脂組成物およびそ
の製造方法に関する。
物とした場合、成形物の外観と、機械物性、電気特性、
寸法安定性等のバランスの良い樹脂であり、家庭電気製
品、電子機器等に広く用いられているが、さらにポリス
チレンの持つ欠点である脆さを改良するためにゴムを添
加グラフト化して、耐衝撃性を向上させた耐衝撃性ポリ
スチレンが用いられている。最近では大型でより複雑な
形状を有し、しかも肉厚が薄い成形物にも用いられるよ
うになった。このような状況から、成形加工性に優れ、
しかも高い衝撃強度を有するゴム変性スチレン系樹脂が
求められている。ゴム変性スチレン系樹脂は、ゴム粒子
をスチレン系樹脂に分散させたものであるが、その分散
ゴム粒子を形成するゴム状重合体の性質が、製品性能に
重要な影響を及ぼす事が知られている。分散ゴム粒子を
形成するゴム状重合体としては、従来アニオン重合等の
重合方法で製造されるポリブタジエンゴムやスチレン・
ブタジエンゴムあるいはエチレン・プロピレンゴム、エ
チレン・プロピレン・ジエンゴム等が用いられている。
ブタジエンを含む重合体が一般的に用いられているが、
これで製造したゴム変性スチレン系樹脂は耐候性が不十
分で用途によっては問題があり、改良がのぞまれてい
る。
の粒径や構造も大きく変化することが知られている。例
えば、ゴム変性スチレン系共重合体樹脂中のゴム粒子の
形状としては通常いわゆるサラミ構造をしているものが
多い。例えばAngew.Makromol.Che
m.58/59P175−198(1977年))。
樹脂中のゴム粒子の粒径や構造が変化し、それによって
成形物の物性も変わっている。
なる配位子を有する遷移金属化合物とメチルアルミノキ
サンを助触媒に使用してなる触媒の存在下にエチレンと
プロピレンとジエンとを共重合することにより従来とは
異なった物性のゴムが得られることが報告されている。
配位子を有する遷移金属化合物とメチルアルミノキサン
を助触媒に使用してなる触媒の存在下にエチレンとブテ
ンやヘキセン等のオレフィンとを共重合することによっ
ても従来とは異なった物性のゴムが得られることが報告
されている。
ン共重合体として最近では特開平2−64111に架橋
構造を有するメタロセン化合物とアルミノキサンよりな
る触媒を用いてプロピレン、エチレン、ジエン共重合体
を合成する方法が公知である。また、DOW社特許US
P5,278,272にはエチレンとヘキセンの共重合
体を合成する方法も公知である。
ためのポリスチレンとゴム状重合体を組み合わせる方法
は、ゴムの種類を変えることにより組成物の物性が大き
く変わることから、精力的に研究開発が行われ、これま
で多くの特許公報等に開示されている。スチレンを含ま
ないゴムであるEPRやEPDMでは耐衝撃性を改良す
るためには大量のゴムを添加しなければならなかった
り、ゴムを樹脂中に均一に分散させるために相溶化剤と
してスチレン成分を含むゴム共重合体を添加する方法が
特開平1−146944、特開平1−279944に提
案されているが、これらの方法は相溶化剤としての効果
が小さく、耐衝撃性を改良するためのゴムの添加量を減
らせることはできないと言う問題があり、現在もポリス
チレンの物性改良を目的に新しいゴムの改良努力が続け
られており、物性バランスの優れたスチレン系樹脂の開
発が望まれている。
解決するために種々のゴムを用いてスチレン系樹脂を合
成する方法を鋭意検討したところ、特定の構造を有する
ゴム状重合体をスチレン系樹脂中に分散させることによ
って物性バランスの優れたスチレン系樹脂組成物が得ら
れることを見いだして本発明を完成させた。すなわち本
発明は以下の発明より構成される。
れる重合体にゴム状重合体粒子を分散させてなるゴム変
性スチレン系樹脂組成物であって、該ゴム状重合体粒子
の形成原料であるゴム状重合体が、エチレンと炭素数6
以上の不飽和化合物とからなる共重合体であって、エチ
レンと炭素数6以上の不飽和化合物との共重合体におけ
る、該炭素数6以上の不飽和化合物単位の含量が20な
いし60モル%の範囲にあり、ムーニー粘度 ML1+4
(100℃)が5〜100の範囲であり、DSCで求め
たガラス転移温度が−30℃以下であり、ジク温度が−
30℃以下であり、ジクロロベンゼンを移動相として昇
温分別装置で25℃以下で流出する成分が90%以上で
あることを特徴とするゴム変性スチレン系樹脂組成物。
π系)の不飽和化合物よりなる基、シクロペンタジエニ
ル基またはその誘導体基、周期律表第13族、14族、
15族及び16族の複素原子がMに結合または配位して
いる基よりなる配位子であり、A、B及びCはそれぞれ
の間で一重結合、二重結合またはそれらの組合せで結合
されていても良い。A、BおよびCはMに結合または配
位しており、A,B及びCでMが共鳴結合しているもの
も含む。R1、R2、R3はそれぞれ水素原子、ハロゲン
原子、有機メタロイド基、アルコキシ基、アミノ基、炭
化水素基またはヘテロ原子含有炭化水素基を示し、それ
らはお互いに同一でも異なっていてもよい。R1、R2及
びR3間で架橋していても良く、またR1、R2及びR3と
Mとが架橋していてもよい。Mは周期律表第3族、第4
族、第5族、ランタノイド系またはアクチノイド系の金
属である。) (B)(B1)〜(B3)より選ばれた少なくとも一種
の、(A)と反応して安定なイオン性の錯体を形成する
化合物 (B1)アルミノキサン、 (B2)(A)と反応して安定なイオン性の錯体を形成
する嵩高いアニオンとカチオンから形成されるイオン性
化合物、 (B3)(A)と反応して安定なイオン性の錯体を形成
するルイス酸化合物 (C)必要に応じて少なくとも1個以上の炭化水素残基
を有する周期律表第1、2族または13族の有機金属化
合物 よりなる触媒を使用してエチレンと不飽和結合を有する
炭素数6以上の不飽和化合物を共重合して得られたもの
であることを特徴とする記載のゴム変成スチレン系樹
脂組成物。
ム状重合体とを溶融混合することを特徴とするまたは
記載のゴム変性スチレン系脂組成物を製造する方法。
単量体を含む溶液に溶解し、この溶液を重合させて得ら
れるゴム状重合体粒子を分散してなるゴム変性スチレン
系樹脂組成物の製造方法。
に、ゴム状重合体がスチレン系単量体を含む溶液に溶解
した溶液100重量部に対し、有機過酸化物を0.00
05ないし0.05重量部添加して重合することを特徴
とする記載のゴム変性スチレン系樹脂組成物の製造方
法。
よって得られるゴム変性スチレン系樹脂組成物。
物のゴム状重合体粒子の形成原料であるゴム状重合体
は、エチレンと炭素数6以上の不飽和化合物とからなる
共重合体であって、エチレンと炭素数6以上の不飽和化
合物との共重合体における、該炭素数6以上の不飽和化
合物単位の含量が20ないし60モル%の範囲にあり、
ムーニー粘度 ML1+4(100℃)が5〜100の範
囲であり、DSCで求めたガラス転移温度が−30℃以
下であり、ジクロロベンゼンを移動相として昇温分別装
置で25℃以下で流出する成分が90%以上であるもの
が用いられる。
造法など特に制限なく使用できる。該ゴム状重合体の好
ましい重合方法の一例は下記一般式(1、2、3)(化
3)と助触媒よりなる触媒系でエチレンと炭素数6以上
の不飽和化合物との共重合して得られたものである。
のである) 本発明のゴム状重合体に使用される不飽和結合を有する
炭素数6以上の不飽和化合物としては例えば3−メタル
ペンテン−1、4−メタルペンテン−1、2,3−ジメ
チルブタジエン、2−メチル−5−ビニルピリジン、1
−ヘキセン、2−エチル−1,2−エチル−1−ヘキセ
ン、1−オクテン、1−デセン、1−ノネン、1−ウン
デセン、1−ドデセン、ビニルシクロヘキサン、スチレ
ン誘導体等の不飽和化合物化合物が挙げられる。
不飽和結合を有する炭素数6以上の不飽和化合物単位の
含量が20ないし60モル%、好ましくは25〜50モ
ル%の範囲にあるものが物性的に良好である。
℃)が5〜100の範囲であることが必要であり、好ま
しくは10〜70の範囲、より好ましくは10〜50の
範囲である。
ので好ましくない。またムーニー粘度が100以上であ
る樹脂中でのゴム粒子の分散性や樹脂組成物の成形性が
悪くなるので好ましくない。
ス転移温度が−30℃以下、であることが必要であり、
好ましくは−40℃以下である。−30℃を超えると衝
撃強度が低下するので好ましくない。
昇温分別装置で25℃以下で流出する成分が90%以
上、好ましくは95%以上である。
鎖を多く含むためゴムとしての性能を低下させるためこ
の成分が10%以上のものは好ましくない。
て1.07cm径のカラムにクロモソルブ−Pを充填
し、赤外検出器を付け、移動相として0−ジクロロベン
ゼンを毎分2mlの割合で流しながら、測定を行った。
試料は0.7mgを2mlの0−ジクロロベンゼンに溶
解した試料溶液を135℃のカラム内に注入し、0℃ま
でカラム全体を冷却した後カラム温度を20℃/時間の
割合で昇温し、各温度で溶出したポリマー濃度を赤外検
出器で検出して求められる。
レン、α−メチルスチレン、α−エチルスチレンのよう
な側鎖アルキル置換スチレン、ビニルトルエン、ビニル
キシレン、o−t−ブチルスチレン、p−t−ブチルス
チレン、p−メチルスチレンのような核アルキル置換ス
チレン、モノクロルスチレン、ジクロルスチレン、トリ
プロモスチレン、テトラヒドロスチレン等のハロゲン化
スチレン及びp−ヒドロキシスチレン、o−メトキシス
チレン等が挙げられる。
チレン、及びp−メチルスチレンであり、スチレン系単
量体はこれらのうちの一種又は二種以上を混合して用い
ることができる。
量を上記スチレン系単量体に溶融混合させることによ
り、スチレン系重合体中にゴム状重合体粒子を分散状態
で形成させるものである。またはゴム状重合体の所定量
を添加したスチレン系単量体を重合させることにより、
スチレン系重合体中にゴム状重合体粒子を分散状態で形
成させるものである。
で重合体中に分散される量が異なるので、スチレン系単
量体の重合体中に含まれるゴム状重合体の割合で示す
と、スチレン系重合体に対して3〜50重量%、好まし
くは5〜40重量%、さらに好ましくは3〜30重量%
である。
6以上の不飽和化合物の共重合体であって、前記したよ
うな特定の不飽和化合物含有率、極限粘度、ガラス転位
温度、昇温分別装置での特定の分別値を有するもであれ
ば製造方法に限定されずに使用することができるが、該
ゴム状重合体の好ましい製造は以下に示す遷移金属化合
物を触媒成分として含む触媒系を用いて行うことができ
る。
クロペンタジエニル基またはその誘導体基や周期律表第
13族、14族、15族または第16族の複素原子を含
む基を配位子とする周期律表第3族、第4族、第5族、
ランタノイドまたはアクチノイドの金属を含む金属錯体
である。
化合物から選ばれた担体、好ましくは無機化合物に担持
したものが好ましく使用される。有機化合物の担体とし
ては架橋ポリスチレン、ポリエチレン、ポリプロピレ
ン、カーボン等、無機化合物としては無機酸化物、金属
炭酸塩、金属ハロゲン化物、金属硫酸塩、例えばシリカ
ゲル、アルミナ、塩化マグネシウムまたは炭酸マグネシ
ウム等が例示される。
応じて他の成分を組み合わせて使用することも可能であ
る。
(1、2、3)で示された化合物が使用でき、これを具
体的に以下に示す。
体的な例を挙げれば次のようなものがある。ビス(シク
ロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、ビス
(メチルヒクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロラ
イド、ビス(1,2ジメチルシクロペンタジエニル)ジ
ルコニウムジクロライド、ビス(1,3ジメチルシクロ
ペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、ビス
(1,2,3トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコ
ニウムジクロライド、ビス(1,2,4トリメチルシク
ロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、ビス
(1,2,3,4テトラメチルシクロペンタジエニル)
ジルコニウムジクロライド、ビス(ペンタメチルシクロ
ペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、ビス(エ
チルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライ
ド、ビス(1,2ジエチルシクロペンタジエニル)ジル
コニウムジクロライド、ビス(1,3ジエチルシクロペ
ンタジエニル)ジルコニウムジクロライド,ビス(イソ
プロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロラ
イド、ビス(フェニルプロピルシクロペンタジエニル)
ジルコニウムジクロライド、ビス(t−ブチルシクロペ
ンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、ビス(イン
デニル)ジルコニウムジクロライド、ビス(4−メチル
−1−インデニル)ジルコニウムジクロライド、ビス
(5−メチルー1−インデニル)ジルコニウムジクロラ
イド、ビス(6−メチル−1−インデニル)ジルコニウ
ムジクロライド、ビス(7−メチルー1−インデニル)
ジルコニウムジクロライド、ビス(5−メトキシー1−
インデニル)ジルコニウムジクロライド、ビス(2,3
−ジメチル−1−インデニル)ジルコニウムジクロライ
ド、ビス(4−7−ジメチルー1−インデニル)ジルコ
ニウムジクロライド、ビス(4,7−ジメトキシー1−
インデニル)ジルコニウムジクロライド、ビス(フルオ
レニル)ジルコニウムジクロライド、(シクロペンタジ
エニル)(メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム
ジクロライド、(シクロペンタジエニル)(ジメチルシ
クロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、(シ
クロペンタジエニル)(トリメチルシクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジクロライド、(シクロペンタジエニ
ル)(テトラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウ
ムジクロライド、(シクロペンタジエニル)(ペンタメ
チルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライ
ド、(シクロペンタジエニル)(エチルシクロペンタジ
エニル)ジルコニウムジクロライド、(シクロペンタジ
エニル)(ジエチルシクロペンタジエニル)ジルコニウ
ムジクロライド、(シクロペンタジエニル)(トリエチ
ルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、
(シクロペンタジエニル)(テトラエチルシクロペンタ
ジエニル)ジルコニウムジクロライド、(シクロペンタ
ジエニル)(ペンタエチルシクロペンタジエニル)ジル
コニウムジクロライド、(シクロペンタジエニル)(フ
ルオレニル)ジルコニウムジクロライド、(シクロペン
タジエニル)(2、7−ジtブチルフルオレニル)ジル
コニウムジクロライド、(シクロペンタジエニル)(オ
クタヒドロフルオレニル)ジルコニウムジクロライド、
(シクロペンタジエニル)(4−メトキシフルオレニ
ル)ジルコニウムジクロライド、(メチルシクロペンタ
ジエニル)(t−ブチルシクロペンタジエニル)ジルコ
ニウムジクロライド、(メチルシクロペンタジエニル)
(フルオレニル)ジルコニウムジクロライド、(メチル
シクロペンタジエニル)(2、7−ジtブチルフルオレ
ニル)ジルコニウムジクロライド、(メチルシクロペン
タジエニル)(オクタヒドロフルオレニル)ジルコニウ
ムジクロライド、(メチルシクロペンタジエニル)(4
−メトキシフルオレニル)ジルコニウムジクロライド、
(ジメチルシクロペンタジエニル)(フルオレニル)ジ
ルコニウムジクロライド、(ジメチルシクロペンタジエ
ニル)(2、7−ジtブチルフルオレニル)ジルコニウ
ムジクロライド、(ジメチルシクロペンタジエニル)
(オクタヒドロフルオレニル)ジルコニウムジクロライ
ド、(ジメチルシクロペンタジエニル)(4−メトキシ
フルオレニル)ジルコニウムジクロライド、(エチルシ
クロペンタジエニル)(フルオレニル)ジルコニウムジ
クロライド、(エチルシクロペンタジエニル)(2、7
−ジtブチルフルオレニル)ジルコニウムジクロライ
ド、(エチルシクロペンタジエニル)(オクタヒドロフ
ルオレニル)ジルコニウムジクロライド、(エチルシク
ロペンタジエニル)(4−メトキシフルオレニル)ジル
コニウムジクロライド、(ジエチルシクロペンタジエニ
ル)(フルオレニル)ジルコニウムジクロライド、(ジ
エチルシクロペンタジエニル)(2、7−ジtブチルフ
ルオレニル)ジルコニウムジクロライド、(ジエチルシ
クロペンタジエニル)(オクタヒドロフルオレニル)ジ
ルコニウムジクロライド、(ジエチルシクロペンタジエ
ニル)(4−メトキシフルオレニル)ジルコニウムジク
ロライド、エチレンビス(シクロペンタジエニル)ジル
コニウムジクロライド、エチレンビス(メチルシクロペ
ンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、エチレンビ
ス(1,2ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウ
ムジクロライド、エチレンビス(1,3ジメチルシクロ
ペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、エチレン
ビス(1,2,3トリメチルシクロペンタジエニル)ジ
ルコニウムジクロライド、エチレンビス(1,2,4ト
リメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロラ
イド、エチレンビス(1.2,3,4テトラメチルシク
ロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、ビス
(ペンタメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジ
クロライド、エチレンビス(エチルシクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジクロライド、ビス(1,2ジエチル
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チレンビス(1.3ジエチルシクロペンタジエニル)ジ
ルコニウムジクロライド、エチレンビス(イソプロピル
シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、エ
チレンビス(フェニルプロピルシクロペンタジエニル)
ジルコニウムジクロライド、エチレンビス(t−ブチル
シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、エ
チレンビス(インデニル)ジルコニウムジクロライド、
エチレンビス(4−メチルー1−インデニル)ジルコニ
ウムジクロライド、エチレンビス(5−メチルー1−イ
ンデニル)ジルコニウムジクロライド、ビス(6−メチ
ル−1−インデニル)ジルコニウムジクロライド、エチ
レンビス(7−メチルー1−インデニル)ジルコニウム
ジクロライド、ビス(5−メトキシ−1−インデニル)
ジルコニウムジクロライド、エチレンビス(2,3−ジ
メチル−1−インデニル)ジルコニウムジクロライド、
エチレンビス(4,7−ジメチル−1−インデニル)ジ
ルコニウムジクロライド、エチレンビス(4,7−ジメ
トキシー1−インデニル)ジルコニウムジクロライド、
エチレンビス(フルオレニル)ジルコニウムジクロライ
ド、エチレンビス(4.5,6,7テトラヒドロ−1−
インデニル)ジルコニウムジクロライド、エチレンビス
(フルオレニル)ジルコニウムジクロライド、エチレン
(シクロペンタジエニル)(メチルシクロペンタジエニ
ル)ジルコニウムジクロライド、エチレン(シクロペン
タジエニル)(ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコ
ニウムジクロライド、エチレン(シクロペンタジエニ
ル)(トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム
ジクロライド、エテレン(シクロペンタジエニル)(テ
トラメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロ
ライド、エチレン(シクロペンタジエニル)(ペンタメ
チルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライ
ド、エチレン(シクロペンタジエニル)(エチルシクロ
ペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、エチレン
(シクロペンタジエニル)(ジエチルシクロペンタジエ
ニル)ジルコニウムジクロライド、エチレン(シクロペ
ンタジエニル)(トリエチルシクロペンタジエニル)ジ
ルコニウムジクロライド、エチレン(シクロペンタジエ
ニル)(テトラエチルシクロペンタジエニル)ジルコニ
ウムジクロライド、エチレン(シクロペンタジエニル)
(ペンタエチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジ
クロライド、エチレン(シクロペンタジエニル)(フル
オレニル)ジルコニウムジクロライド、エチレン(シク
ロペンタ ジエニル)(2、7−ジtブチルフルオレニ
ル)ジルコニウムジクロライド、エチレン(シクロペン
タジエニル)(2、7−ジクロルフルオレニル)ジルコ
ニウムジクロライド、エチレン(シクロペンタジエニ
ル)(オクタヒドロフルオレニル)ジルコニウムジクロ
ライド、エチレン(シクロペンタジエニル)(4−メト
キシフルオレニル)ジルコニウムジクロライド、エチレ
ン(メチルシクロペンタジエニル)(t−ブチルシクロ
ペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、エチレン
(メチルシクロペンタジエニル)(フルオレニル)ジル
コニウムジクロライド、エチレン(メチルシクロペンタ
ジエニル)(2、7−ジtブチルフルオレニル)ジルコ
ニウムジクロライド、(メチルシクロペンタジエニル)
(オクタヒドロフルオレニル)ジルコニウムジクロライ
ド、エチレン(メチルシクロペンタジエニル)(4−メ
トキシフルオレニル)ジルコニウムジクロライド、エチ
レン(ジメチルシクロペンタジエニル)(フルオレニ
ル)ジルコニウムジクロライド、エチレン(ジメチルシ
クロペンタジエニル)(2、7−ジtブチルフルオレニ
ル)ジルコニウムジクロライド、エチレン(ジメチルシ
クロペンタジエニル)(オクタヒドロブルオレニル)ジ
ルコニウムジクロライド、エチレン(ジメチルシクロペ
ンタジエニル)(4−メトキシフルオレニル)ジルコニ
ウムジクロライド、エチレン(エチルシクロペンタジエ
ニル)(フルオレニル)ジルコニウムジクロライド、エ
チレン(エチルシクロペンタジエニル)(2、7−ジt
ブチルフルオレニル)ジルコニウムジクロライド、エチ
レン(エチルシクロペンタジエニル)(オクタヒドロフ
ルオレニル)ジルコニウムジクロライド、エチレン(エ
チルシクロペンタジエニル)(4−メトキシフルオレニ
ル)ジルコニウムジクロライド、エチレン(ジエチルシ
クロペンタジエニル)(フルオレニル)ジルコニウムジ
クロライド、エチレン(ジエチルシクロペンタジエニ
ル)(2、7−ジtブチルフルオレニル)ジルコニウム
ジクロライド、エチレン(ジエチルシクロペンタジエニ
ル)(オクタヒドロフルオレニル)ジルコニウムジクロ
ライド、エチレン(ジエチルシクロペンタジエニル)
(4−メトキシフルオレニル)ジルコニウムジクロライ
ド、エチレン(シクロペンタジエニル)(4,5−メチ
レンフェナントレン)ジルコニウムジクロライド、この
ほかに架橋部分エチレン基の代わりにイソプロピリデン
基、シクロペンチリデン基、シクロヘキシリデン基、メ
チルフェニルメチレン基、ジフェニルメチレン基、1,
4−シクロペンタン−ジ−イリデン基、1,4−シクロ
ヘキサン−ジ−イリデン基、ジメチルシリレン基、メチ
ルフェニルシリレン基、ジフェニルシリレン基、ジメチ
ルゲルミレン基、ジメチルスタニレン基等が結合した物
が挙げられる。またジルコニウム原子の代わりにチタニ
ウム原子及びハフニウム原子に変えた錯体、さらにクロ
ライドの代わりにブロマイド、ヨーダイド、フルオライ
ドに変えた錯体が挙げられる。
する化合物の具体的な例を挙げれぱ次のようなものがあ
る。ジメチルシリレンビス(3−メチルシクロペンタジ
エニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチルシリレン
ビス(2、4−ジメチルシクロペンタジエニル)ジルコ
ニウムジクロライド、ジメチルシリレンビス(2、4−
ジエチルシクロペンタジエニル)ジルゴニウムジクロラ
イド、ジメチルシリレンビス(2,3,5−トリメチル
シクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、ジ
メチルシリレンビス(2,4−ジtブチルシクロペンタ
ジエニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチルシリレ
ンビス(フェニルシクロペンタジエニル)ジルコニウム
ジクロライド、ジメチルシリレンビス(3−エチルシク
ロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチ
ルシリレンビス(2、4−ジフェニルシクロペンタジエ
ニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチルシリレンビ
ス(2、3、5−トリエチルシクロペンタジエニル)ジ
ルコニウムジクロライド、ジメチルシリレンビス(3−
イソプロピルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジク
ロライド、ジメチルシリレンビス(3−フェニルプロピ
ルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、
ジメチルシリレンビス(3−t−ブチルシクロペンタジ
エニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチルシリレン
(メチルシクロペンタジエニル)(2、4−ジメチルシ
クロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、ジメ
チルシリレン(メチルシクロペンタジエニル)(2,
3,5−トリメチルシクロペンタジエニル)ジルコニウ
ムジクロライド、ジメチルシリレン(2,4−ジメチル
シクロペンタジエニル)(2,3,5−トリメチルシク
ロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチ
ルシリレン(シクロペンタジエニル)(テトラメテルシ
クロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライド、ジメ
チルシリレン(2,4−ジメチルシクロペンタジエニ
ル)(3−エチルシクロペンタジエニル)ジルコニウム
ジクロライド、ジメチルシリレン(2.4−ジメチルシ
クロペンタジエニル)(2,4−ジエチルシクロペンタ
ジエニル)ジルコニウムジクロライド、ジメチルシリレ
ン(メチルシクロペンタジエニル)(2.3,5−トリ
メチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジクロライ
ド、ジメチルシリレン(メチルシクロペンタジエニル)
(t−ブチルシクロペンタジエニル)ジルコニウムジク
ロライド、ジメチルシリレン(メチルシクロペンタジエ
ニル)(フェニルシクロペンタジエニル)ジルコニウム
ジクロライド等が挙げられる。
合物としてビス〔N,N−ビス(トリメチルシリル)ベ
ンズアミジナートジルコニウムジクロライド、ビス
〔N,N−ジメチルアセトアミジナート)ジルコニウム
ジクロライド、ビス〔(t−ブトキシジメチルシリル)
−t−ブチルアミノジルコニウムジクロライド、ビス
〔(t−ブトキシジメチルシロキシ)ビス(トリメチル
シリルジルコニウム、ビス〔N,N−ジメチルアセトア
ミジナート)ジエトキシジルコニウム、ビス〔N,N−
ジメチルアセトアミジナ−ト)ビス(ジエチルアミノ)
ジルコニウム、ビス〔(t−ブトキシジメチルシロキ
シ)ビス(ジエチルアミノ)ジルコニウム、ビス〔(t
−ブトキシジメチルシリル)ーt−ブチルアミノ〕ジメ
チルジルコニウム、ブチレンビス〔N.N−ビス(トリ
メチルシリル)ベンズアミジナ−ト〕ジルコニウムジク
ロライド、δ一(t−ブチルアミノ)バレルーN.N−
ビス(トリメチルシリル)アミジナート〕ジルコニウム
ジクロライド、ジアミジナートチタンジクロラシドな
ど、ジルコニウム原子の代わりにチタニウム原子及びハ
フニウム原子に変えた錯体、あるいはランタノイド系列
やアクチノイド系列の金属錯体であってもよい。さらに
クロライドの変わりにブロマイド、ヨーダイド、フルオ
ライドに変えた錯体が挙げられる。これらの化合物は一
種でもあるいは二種以上を組み合わせて用いてもよい。
反応して安定なイオン性錯体を形成しうる化合物(B)
が用いられ、下記(B−1)〜(B−3)の中から少な
くとも一種が使用される。
(A)成分の遷移金属化合物と反応して安定なイオン性
の錯体を形成する嵩高いアニオンとカチオンから形成さ
れるイオン性化合物,(B−2)アルミノキサン,(B
−3)(A)と反応して安定なイオン性の錯体を形成す
るルイス酸化合物を挙げることができる。
の遷移金属化合物と反応して、安定なイオン性の錯体を
形成するイオン性化合物であれば、いずれのものでも使
用できるが、次の一般式(4)(化4)、一般式(5)
(化5)
M3 である。〕〔(4)、(5)式中、L1 はルイス塩
基、[Z]- は、非配位性アニオン[Z1 ]- 及び[Z
2 ]- 、ここで[Z1 ]- は複数の基が元素に結合した
アニオンすなわち[M1 A1 A2 ・・・An ]- (ここ
で、M1 は周期律表第5〜15族元素、好ましくは周期
律表第13〜15族元素を示す。A1 〜An は、それぞ
れ水素原子,ハロゲン原子,炭素数1〜20のアルキル
基,炭素数2〜40のジアルキルアミノ基,炭素数1〜
20のアルコキシ基,炭素数6〜20のアリール基,炭
素数6〜20のアリールオキシ基,炭素数7〜40のア
ルキルアリール基,炭素数7〜40のアリールアルキル
基,炭素数1〜20のハロゲン置換炭化水素基,炭素数
1〜20のアシルオキシ基,有機メタロイド基、又は炭
素数2〜20のヘテロ原子含有炭化水素基を示す。A1
〜An のうち2つ以上が環を形成していてもよい。nは
[(中心金属M1 の原子価)+1]の整数を示す。)、
[Z2 ]- は、酸解離定数の逆数の対数(pKa)が−
10以下のブレンステッド酸単独又はブレンステッド酸
及びルイス酸の組合わせの共役塩基、あるいは一般的に
超強酸と定義される共役塩基を示す。また、ルイス塩基
が配位していてもよい。
アルキル基,炭素数6〜20のアリール基,アルキルア
リール基又はアリールアルキル基を示し、R5 及びR6
は、それぞれシクロペンタジエニル基,置換シクロペン
タジエニル基,インデニル基又はフルオレニル基、R7
は炭素数1〜20のアルキル基,アリール基,アルキル
アリール基又はアリールアルキル基を示す。
ロシアニン等の大環状配位子を示す。kは[L1 −R
4 ],[L2 ]のイオン価数で1〜3の整数、pは1以
上の整数、q=(k×p)である。M2 は、周期律表第
1〜3、11〜13、17族元素を含むものであり、M
3 は、周期律表第7〜12族元素を示す。〕で表される
ものを好適に使用することができる。
ア、メチルアミン、アニリン、ジメチルアミン、ジエチ
ルアミン、N−メチルアニリン、ジフェニルアミン、
N,N−ジメチルアニリン、トリメチルアミン、トリエ
チルアミン、トリ−n−ブチルアミン、メチルジフェニ
ルアミン、ピリジン、p−ブロモ−N,N−ジメチルア
ニリン、p−ニトロ−N,N−ジメチルアニリンなどの
アミン類、トリエチルホスフィン、トリフェニルホスフ
ィン、ジフェニルホスフィンなどのホスフィン類、テト
ラヒドロチオフェンなどのチオエーテル類、安息香酸エ
チルなどのエステル類、アセトニトリル、ベンゾニトリ
ルなどのニトリル類などを挙げることができる。
エチル基、ベンジル基、トリチル基などを挙げることが
でき、R5 、R6 の具体例としては、シクロペンタジエ
ニル基、メチルシクロペンタジエニル基、エチルシクロ
ペンタジエニル基、ペンタメチルシクロペンタジエニル
基などを挙げることができる。
トリル基、p−メトキシフェニル基などを挙げることが
でき、R8 の具体例としてはテトラフェニルポルフィ
ン、フタロシアニン、アリル、メタリルなどを挙げるこ
とができる。
a、K、Ag、Cu、Br、I、I3などを挙げること
ができ、M3 の具体例としては、Mn、Fe、Co、N
i、Znなどを挙げることができる。
・・・An ]において、M1 の具体例としては、B、
Al、Si、P、As、Sbなど、好ましくはB及びA
lが挙げられる。
は、ジアルキルアミノ基としてジメチルアミノ基,ジエ
チルアミノ基など、アルコキシ基若しくはアリールオキ
シ基としてメトキシ基,エトキシ基,n−ブトキシ基,
フェノキシ基など、炭化水素基としてメチル基,エチル
基,n−プロピル基,イソプロピル基,n−ブチル基,
イソブチル基,n−オクチル基,n−エイコシル基,フ
ェニル基,p−トリル基,ベンジル基,4−t−ブチル
フェニル基,3,5−ジメチルフェニル基など、ハロゲ
ン原子としてフッ素,塩素,臭素,ヨウ素、ヘテロ原子
含有炭化水素基としてp−フルオロフェニル基,3,5
−ジフルオロフェニル基,ペンタクロロフェニル基,
3,4,5−トリフルオロフェニル基,ペンタフルオロ
フェニル基,3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェ
ニル基,ビス(トリメチルシリル)メチル基など、有機
メタロイド基としてペンタメチルアンチモン基,トリメ
チルシリル基,トリメチルゲルミル基,ジフェニルアル
シン基,ジシクロヘキシルアンチモン基,ジフェニル硼
素などが挙げられる。
が−10以下のブレンステッド酸単独又はブレンステッ
ド酸及びルイス酸の組合わせの共役塩基[Z2 ]- の具
体例としては、トリフルオロメタンスルホン酸アニオン
(CF3 SO3 )- 、ビス(トリフルオロメタンスルホ
ニル)メチルアニオン、ビス(トリフルオロメタンスル
ホニル)ベンジルアニオン、ビス(トリフルオロメタン
スルホニル)アミド、過塩素酸アニオン(ClO4 )
- 、トリフルオロ酢酸アニオン(CF3 CO2 ) - 、ヘ
キサフルオロアンチモンアニオン(SbF6 )- 、フル
オロスルホン酸アニオン(FSO3 )- 、クロロスルホ
ン酸アニオン(ClSO3 )- 、フルオロスルホン酸ア
ニオン/5−フッ化アンチモン(FSO3 /SbF5 )
- 、フルオロスルホン酸アニオン/5−フッ化砒素(F
SO3 /AsF5 )- 、トリフルオロメタンスルホン酸
/5−フッ化アンチモン(CF3 SO3 /SbF5 )-
などを挙げることができる。
物と反応してイオン性の錯体を形成するイオン性化合
物、すなわち(B−1)成分化合物の具体例としては、
テトラフェニル硼酸トリエチルアンモニウム、テトラフ
ェニル硼酸トリ−n−ブチルアンモニウム、テトラフェ
ニル硼酸トリメチルアンモニウム、テトラフェニル硼酸
テトラエチルアンモニウム、テトラフェニル硼酸メチル
(トリ−n−ブチル)アンモニウム、テトラフェニル硼
酸ベンジル(トリ−n−ブチル)アンモニウム、テトラ
フェニル硼酸ジメチルジフェニルアンモニウム、テトラ
フェニル硼酸トリフェニル(メチル)アンモニウム、テ
トラフェニル硼酸トリメチルアニリニウム、テトラフェ
ニル硼酸メチルピリジニウム、テトラフェニル硼酸ベン
ジルピリジニウム、テトラフェニル硼酸メチル(2−シ
アノピリジニウム)、テトラキス(ペンタフルオロフェ
ニル)硼酸トリエチルアンモニウム、テトラキス(ペン
タフルオロフェニル)硼酸トリ−n−ブチルアンモニウ
ム、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸トリフ
ェニルアンモニウム、テトラキス(ペンタフルオロフェ
ニル)硼酸テトラ−n−ブチルアンモニウム、テトラキ
ス(ペンタフルオロフェニル)硼酸テトラエチルアンモ
ニウム、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸ベ
ンジル(トリ−n−ブチル)アンモニウム、テトラキス
(ペンタフルオロフェニル)硼酸メチルジフェニルアン
モニウム、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸
トリフェニル(メチル)アンモニウム、テトラキス(ペ
ンタフルオロフェニル)硼酸メチルアニリニウム、テト
ラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸ジメチルアニリ
ニウム、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸ト
リメチルアニリニウム、テトラキス(ペンタフルオロフ
ェニル)硼酸メチルピリジニウム、テトラキス(ペンタ
フルオロフェニル)硼酸ベンジルピリジニウム、テトラ
キス(ペンタフルオロフェニル)硼酸メチル(2−シア
ノピリジニウム)、テトラキス(ペンタフルオロフェニ
ル)硼酸ベンジル(2−シアノピリジニウム)、テトラ
キス(ペンタフルオロフェニル)硼酸メチル(4−シア
ノピリジニウム)、テトラキス(ペンタフルオロフェニ
ル)硼酸トリフェニルホスホニウム、テトラキス[ビス
(3,5−ジトリフルオロメチル)フェニル]硼酸ジメ
チルアニリニウム、テトラフェニル硼酸フェロセニウ
ム、テトラフェニル硼酸銀、テトラフェニル硼酸トリチ
ル、テトラフェニル硼酸テトラフェニルポルフィリンマ
ンガン、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸フ
ェロセニウム、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)
硼酸(1,1’−ジメチルフェロセニウム)、テトラキ
ス(ペンタフルオロフェニル)硼酸デカメチルフェロセ
ニウム、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸
銀、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸トリチ
ル、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸リチウ
ム、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸ナトリ
ウム、テトラキス(ペンタフルオロフェニル)硼酸テオ
ラフェニルポルフィリンマンガン、テトラフルオロ硼酸
銀、ヘキサフルオロ燐酸銀、ヘキサフルオロ砒素酸銀、
過塩素酸銀、トリフルオロ酢酸銀、トリフルオロメタン
スルホン酸銀などを挙げることができる。
の遷移金属化合物と反応してイオン性の錯体を形成する
イオン性化合物は一種用いてもよく、また二種以上を組
み合わせて用いてもよい。
しては、一般式(6)(化6)
アルキル基,アルケニル基,アリール基,アリールアル
キル基などの炭化水素基、sは重合度を示し、通常3〜
50、好ましくは7〜40の整数である。〕、及び一般
式(7)(化7)
らの組み合わせで、示されるアルミノキサン化合物を挙
げることができる。
ルキルアルミニウムと水などの縮合剤とを接触させる方
法が挙げられるが、その手段については、特に限定はな
く、公知の方法に準じて反応させればよい。例えば、
有機アルミニウム化合物を有機溶剤に溶解しておき、こ
れを水と接触させる方法、重合時に当初有機アルミニ
ウム化合物を加えておき、後に水を添加する方法、金
属塩などに含有されている結晶水、無機物や有機物への
吸着水を有機アルミニウム化合物と反応させる方法、
テトラアルキルジアルミノキサンにトリアルキルアルミ
ニウムを反応させ、さらに水を反応させる方法などがあ
る。なお、アルミノキサンとしては、トルエン不溶性の
ものであってもよい。これらのアルミノキサンは一種用
いてもよく、二種以上を組み合わせて用いてもよい。
イオン性錯体を形成するルイス酸については、特に制限
はなく、有機化合物でも固体状無機化合物でもよい。
やアルミニウム化合物などが、無機化合物としてはマグ
ネシウム化合物,アルミニウム化合物などが好ましく用
いられる。
ス(2,6−ジ−t−ブチル−4−メチルフェノキシ)
アルミニウムメチル,(1,1−ビ−2−ナフトキシ)
アルミニウムメチルなどが、マグネシウム化合物として
は、例えば塩化マグネシウム,ジエトキシマグネシウム
などが、アルミニウム化合物としては、酸化アルミニウ
ム,塩化アルミニウムなどが、硼素化合物としては、例
えばトリフェニル硼素、トリス(ペンタフルオロフェニ
ル)硼素、トリス[3,5−ビス(トリフルオロメチ
ル)フェニル]硼素、トリス[(4−フルオロメチル)
フェニル]硼素、トリメチル硼素、トリエチル硼素、ト
リ−n−ブチル硼素、トリス(フルオロメチル)硼素、
トリス(ペンタフルオロエチル)硼素、トリス(ノナフ
ルオロブチル)硼素、トリス(2,4,6−トリフルオ
ロフェニル)硼素、トリス(3,5−ジフルオロ)硼
素、トリス[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェ
ニル]硼素、ビス(ペンタフルオロフェニル)フルオロ
硼素、ジフェニルフルオロ硼素、ビス(ペンタフルオロ
フェニル)クロロ硼素、ジメチルフルオロ硼素、ジエチ
ルフルオロ硼素、ジ−n−ブチルフルオロ硼素、ペンタ
フルオロフェニルジフルオロ硼素、フェニルジフルオロ
硼素、ペンタフルオロフェニルジクロロ硼素、メチルジ
フルオロ硼素、エチルジフルオロ硼素、n−ブチルジフ
ルオロ硼素などが挙げられる。これらのルイス酸は一種
用いてもよく、また二種以上を組み合わせて用いてもよ
い。
(B)触媒成分との使用割合は、(B)触媒成分として
(B−1)化合物を用いた場合には、モル比で好ましく
は10:1〜1:100、より好ましくは2:1〜1:
10の範囲が望ましく、また(B−2)化合物を用いた
場合には、モル比で好ましくは1:1〜1:100,0
00、より好ましくは1:10〜1:10,000の範
囲が望ましい。前記(A)触媒成分と(B−3)触媒成
分との使用割合は、モル比で、好ましくは1:0.1〜
1:2,000、より好ましくは1:0.2〜1:1,
000、さらに好ましくは1:0.5〜1:500の範
囲が望ましい。また、触媒成分(B)としては(B−
1),(B−2),(B−3)などを単独又は二種以上
組み合わせて用いることもできる。
(B)成分を主成分として含有するものであってもよい
し、また、(A)成分、(B)成分及び(C)少なくと
も1個以上の金属と炭化水素基の結合を有する周期律表
第1、第2または第13族の有機金属化合物を含有する
ものも使用できる。
化合物が好ましく使用できる。ここで、(C)成分の有
機アルミニウム化合物としては、一般式(8)(化8)
原子,炭素数1〜20のアルコキシ基,炭素数6〜20
のアリール基又はハロゲン原子を示し、rは1〜3の整
数である。〕で示される化合物が用いられる。
例としては、トリメチルアルミニウム、トリエチルアル
ミニウム、トリイソプロピルアルミニウム、トリイソブ
チルアルミニウム、ジメチルアルミニウムクロリド、ジ
エチルアルミニウムクロリド、メチルアルミニウムジク
ロリド、エチルアルミニウムジクロリド、ジメチルアル
ミニウムフルオリド、ジイソブチルアルミニウムヒドリ
ド、ジエチルアルミニウムヒドリド、エチルアルミニウ
ムセスキクロリド等が挙げられる。これらの有機アルミ
ニウム化合物は一種用いてもよく、二種以上を組合せて
用いてもよい。前記(A)触媒成分と(C)触媒成分と
の使用割合は、モル比で好ましくは1:1〜1:10,
000、より好ましくは1:5〜1:2,000、さら
に好ましくは1:10ないし1:1,000の範囲が望
ましい。該(C)触媒成分を用いることにより、遷移金
属当たりの重合活性を向上させることができるが、あま
り多いと有機アルミニウム化合物が無駄になるととも
に、共重合体中に多量に残存し、好ましくない。
一種を適当な担体に担持して用いることができる。該担
体の種類については、特に制限はなく、無機酸化物担
体、それ以外の無機担体及び有機担体のいずれも用いる
ことができるが、特に無機酸化物担体あるいはそれ以外
の無機担体が好ましい。無機酸化物担体としては、具体
的には、SiO2 ,Al2 O3 ,MgO,ZrO2 ,T
lO2 ,Fe2 O3 ,B 2 O3 ,CaO,ZnO,Ba
O,ThO2 やこれらの混合物、例えば、シリカアルミ
ナ,ゼオライト,フェライト,グラスファイバーなどが
挙げられる。これらの中では、特にSiO2 ,Al2 O
3 が好ましい。なお、上記無機酸化物担体は、少量の炭
酸塩,硝酸塩,硫酸塩などを含有してもよい。
2 ,Mg(OC2 H5 )2 などのマグネシウム化合物な
どで代表される一般式MgR11 x X1 y で表されるマグ
ネシウム化合物やその錯塩も使用できる。
上混合して使用することができる。
ず、溶媒重合法あるいは実質的に溶媒の存在しない塊状
重合法、気相重合法などの従来の方法で利用でき、また
重合条件については特に制限はなく通常、反応温度は常
温〜250℃、圧力が常圧〜50kg/cm2で行われる。
前記のゴム状重合体とを溶融混合するゴム変性スチレン
系樹脂組成物の製造方法である。溶融混合の方法として
は特に制限はなく、これらの各成分を溶融混合する温度
として、一番融点の高い重合体の融点よりも実質的に高
い温度で溶融混合すればよい。必要に応じて酸化防止
剤、紫外線吸収剤、滑剤、帯電防止剤、あるいは他の核
剤など公知の添加剤をヘンシェルミキサー、V型ブレン
ダー等で混合後、押出機、あるいはロール、バンバリー
ミキサー、ニーダー等で溶融混合し一度造粒してペレッ
ト状にしておくことが好ましい。
ン系単重体に溶解し、この溶液を重合させるゴム変性ス
チレン系樹脂組成物の製造方法である。すなわち重合方
法としてはゴム状重合体をスチレン系単量体に溶解した
溶液を塊状重合又は塊状−懸濁二段重合法にて重合する
等により得られるが、重合方法は特に限定はなく熱重合
或いは触媒重合により製造される。
単にブレンドした場合よりもゴムへのグラフト効果によ
って衝撃強度が向上して好ましい。
ン、エチルベンゼン、アセトン、イソプロピルペンゼ
ン、メチルエチルケトンや塩化メチレンなどの溶剤が含
まれていてもよい。
ン系モノマーをグラフトさせて、さらにゴム状重合体を
粒子化して樹脂中に分散させるがこれらの反応は熱重合
あるいは反応の際に重合開始剤を使用することも好まし
い。
始剤としては、例えばベンゾイルパ−オキサイド、ラウ
ロイルパーオキサイド、t−ブチルパ−オキシピパレー
ト、t−ブチルパ−オキシペンゾエート、t−ブチルパ
−オキシイソブチレート、t−ブチルパ−オキシオクト
エート、クミルパ−オキシオクトエート、1,1−ビス
(t−ブチルパ−オキシ)3,3,5−トリメチルシロ
キサン、2,2−ビス(t−ブチルパ−オキシ)オクタ
ン、n−ブチル4,4−ビス(t−ブチルパ−オキシ)
バレレート、2,2−ビス(t−ブチルパ−オキシ)ブ
タン、t−ブチルパ−オキシマレイン酸、t−ブチルパ
−オキシイソプロピルカ−ポネート、ジクミルパ−オキ
サイド、t−ブチルハイドロパ−オキサイド、クメンハ
オドロパ−オキサイド等が挙げられる。これらは単独で
あるいは2種以上組み合わせて用いられる。これらの重
合開始剤の使用量としては例えば有機過酸化物を使用す
る場合には有機過酸化物をゴム状重合体を溶解した溶液
100重量部に対し、0.0005〜0.05重量部使
用することが好ましい。0.05重量部より少なければ
巨大粒子が生成せず、成形品の表面状態が良好で好まし
く、0.0005重量部以上使用すれば適度な重合速度
とゴムへのグラフト率が保たれて好ましい。
量調節のために連鎖移動剤を使用することができる。例
えばα−メチルスチレンダイマー、t−ドデシルメルカ
プタン、n−ドデシルメルカプタン、n−オクチルメル
カプタン等の使用が可能である。
合であるが、その重合工程では特定の反応槽に限定され
ず、例えば完全混合型反応槽、管型反応槽、塔型反応槽
等が用いられ、それらの反応槽の種類や数は特に限定さ
れない。
は必要に応じてヒンダ−ドフェノール系酸化防止剤、リ
ン系酸化防止剤、イオウ系酸化防止剤等の酸化防止剤、
ミネラル油等の流動性改良剤、ステアリン酸、ステアリ
ン酸亜鉛、有機ポリシロキサン等の離型剤を原料溶液或
いは重合の途中もしくは重合の終了した時点で添加して
もよい。
形等の通常のポリスチレンの成形に用いられている方法
で成形して剛性と耐衝撃性のバランスの良好な成形物を
製造することができる。このときの成形温度としては特
に制限はなく通常の成形温度で可能であり、通常160
〜300℃である。
る。
じて測定した。 (2)曲げ弾性率 :JIS K−7203に準
じて測定した。 (3)耐候性保持率(%)は下記式(数1)で測定し
た。
0リットルのステンレス製オートクレープにトルエン5
0リットルを入れ、20℃に保ちながら1−オクテン5
0リットルを導入し、さらにトリイソプチルアルミニウ
ム100ミリモルを入れ、20℃でエチレンガスを導入
して3kg/cm2−Gとして常法にしたがって合成し
た(シクロペンタジエニル)〔N,N’−ビス(トリメ
チルシリン)ベンズアミジナト〕ジルコニウムジクロリ
ド1ミリモルをトルエンに溶解した溶液を加えて、つい
でさらにN,N’−ジメチルアニリニウム、テトラキス
(ペンタフルオロフェニル)ボレート2ミリモルを添加
してエチレンガスを3kg/cm2−Gで一定に保ちな
がら80℃に昇温して90分間重合することにより、D
SCで求めたガラス転移温度が−30℃以下であり、D
SCで求めたガラス転移温度が−42℃であり、ジクロ
ロベンゼンを移動相として昇温分別装置で25℃以下で
流出する成分が99%以上であるエチレン/オクテンー
1共重合体(オクテン−1含量26モル%)を得た。
付き反応器の出口に予熱器、ついで真空槽を連結した連
続塊状重合装置を用いてゴム変性スチレン系樹脂を製造
した。第1基目の撹津機付き反応槽にゴム状重合体とし
て上記のゴム状重合体4.2重量部、エチルベンゼン1
5重量部、スチレン79重量部、有機過酸化物として
1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)3,3,5−ト
リメチルシクロヘキサン0.005重量部よりなる原料
液を連続的に供給した。第1基目の反応温度は142℃
とし、第2基目は反応温度を145℃、第3基目は反応
温度を145℃とした。また予熱器の温度は、210〜
240℃に保持し、真空槽の真空度は40Torrとし
た。結果を表1に示す。この樹脂はサンシャインウエザ
ーメーターの暴露試験で1000時間後でも伸びの保持
率が60%であり粘性を保持していた。
例1と同様にして共重合をおこなって、ジクロロベンゼ
ンを移動相として昇温分別装置で25℃以下で流出する
成分が99%以上であり、DSCで求めたガラス転移温
度が−38℃であるエチレン/1−ヘキセン共重合体
(ヘキセン含量32モル%)を用いた以外は実施例1と
同様の条件で行った。結果を表1に示す。この樹脂はサ
ンシャインウエザーメーターの暴露試験で1000時間
後でも伸びの保持率が62%であり粘性を保持してい
た。
1と同様にして共重合をおこなって、得られたエチレン
/1−デセン共重合体を用いた以外は実施例1と同様の
条件で行った。結果を表1に示す。この樹脂はサンシャ
インウエザーメーターの暴露試験で1000時間後でも
伸びの保持率が54%であり粘性を保持していた。
せた以外は同様にして重合して、DSCで求めたガラス
転移温度が−48℃であり、ジクロロベンゼンを移動相
として昇温分別装置で25℃以下で流出する成分が99
%以上であるエチレン/オクテンー1共重合体(オクテ
ン−1含量34モル%)を得た。これを用いた以外は実
施例1と同様にスチレンの重合を行った結果を表1に示
す。この樹脂はサンシャインウエザーメーターの暴露試
験で1000時間後でも伸びの保持率が52%であり粘
性を保持していた。
エン(旭化成ポリブタジエン35SA)を使用した以外
は実施例1と同様の条件でスチレンの重合を行った。結
果を表1に示す。この樹脂はサンシャインウエザーメー
ターの暴露試験で1000時間後には脆化していた。
は、衝撃強度、及び成形物の外観とのバランスが優れて
おり、家庭電気製品、電子機器等の部品材料の用途にお
いて産業上の利用価値は大きいものである。
Claims (6)
- 【請求項1】 スチレン系単量体を重合せしめて得られ
る重合体にゴム状重合体粒子を分散させてなるゴム変性
スチレン系樹脂組成物であって、該ゴム状重合体粒子の
形成原料であるゴム状重合体が、エチレンと炭素数6以
上の不飽和化合物とからなる共重合体であって、エチレ
ンと炭素数6以上の不飽和化合物との共重合体におけ
る、該炭素数6以上の不飽和化合物単位の含量が20な
いし60モル%の範囲にあり、ムーニー粘度 ML1+4
(100℃)が5〜100の範囲であり、DSCで求め
たガラス転移温度が−30℃以下であり、ジクロロベン
ゼンを移動相として昇温分別装置で25℃以下で流出す
る成分が90%以上であることを特徴とするゴム変性ス
チレン系樹脂組成物。 - 【請求項2】 ゴム状重合体が (A)下記一般式(1、2、3)(化1) 【化1】 (A)M(R1)(R2)(R3) 一般式(1) (A)(B)M(R1)(R2) 一般式(2) (A)(B)(C)M(R1) 一般式(3) (式中A、BおよびCは、Mに結合または配位している
π系)の不飽和化合物よりなる基、シクロペンタジエニ
ル基またはその誘導体基、周期律表第13族、14族、
15族及び16族の複素原子がMに結合または配位して
いる基よりなる配位子であり、A、B及びCはそれぞれ
の間で一重結合、二重結合またはそれらの組合せで結合
されていても良い。A、BおよびCはMに結合または配
位しており、A,B及びCでMが共鳴結合しているもの
も含む。R1、R2、R3はそれぞれ水素原子、ハロゲン
原子、有機メタロイド基、アルコキシ基、アミノ基、炭
化水素基またはヘテロ原子含有炭化水素基を示し、それ
らはお互いに同一でも異なっていてもよい。R1、R2及
びR3間で架橋していても良く、またR1、R2及びR3と
Mとが架橋していてもよい。Mは周期律表第3族、第4
族、第5族、ランタノイド系またはアクチノイド系の金
属である。) (B)(B1)〜(B3)より選ばれた少なくとも一種
の、(A)と反応して安定なイオン性の錯体を形成する
化合物 (B1)アルミノキサン、 (B2)(A)と反応して安定なイオン性の錯体を形成
する嵩高いアニオンとカチオンから形成されるイオン性
化合物、 (B3)(A)と反応して安定なイオン性の錯体を形成
するルイス酸化合物 (C)必要に応じて少なくとも1個以上の炭化水素残基
を有する周期律表第1、2族または13族の有機金属化
合物 よりなる触媒を使用してエチレンと不飽和結合を有する
炭素数6以上の不飽和化合物を共重合して得られたもの
であることを特徴とする請求項1記載のゴム変成スチレ
ン系樹脂組成物。 - 【請求項3】 スチレン系単量体の重合体と、前記ゴム
状重合体とを溶融混合することを特徴とする請求項1ま
たは2記載のゴム変性スチレン系樹脂組成物を製造する
方法。 - 【請求項4】 請求項1記載のゴム状重合体をスチレン
系単量体を含む溶液に溶解し、この溶液を重合させて得
られるゴム状重合体粒子を分散してなるゴム変性スチレ
ン系樹脂組成物の製造方法。 - 【請求項5】 ゴム状重合体粒子化を分散する際に、ゴ
ム状重合体がスチレン系単量体を含む溶液に溶解した溶
液100重量部に対し、有機過酸化物を0.0005な
いし0.05重量部添加して重合することを特徴とする
請求項4記載のゴム変性スチレン系樹脂組成物の製造方
法。 - 【請求項6】 請求項3乃至5のいずれか記載の製造方
法によって得られるゴム変性スチレン系樹脂組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12727197A JPH115878A (ja) | 1997-04-22 | 1997-05-16 | スチレン系樹脂組成物及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-104621 | 1997-04-22 | ||
| JP10462197 | 1997-04-22 | ||
| JP12727197A JPH115878A (ja) | 1997-04-22 | 1997-05-16 | スチレン系樹脂組成物及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH115878A true JPH115878A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=26445061
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12727197A Pending JPH115878A (ja) | 1997-04-22 | 1997-05-16 | スチレン系樹脂組成物及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH115878A (ja) |
-
1997
- 1997-05-16 JP JP12727197A patent/JPH115878A/ja active Pending
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