JPH116071A - プラズマｃｖｄ法及びプラズマｃｖｄ装置 - Google Patents
プラズマｃｖｄ法及びプラズマｃｖｄ装置Info
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- JPH116071A JPH116071A JP9155420A JP15542097A JPH116071A JP H116071 A JPH116071 A JP H116071A JP 9155420 A JP9155420 A JP 9155420A JP 15542097 A JP15542097 A JP 15542097A JP H116071 A JPH116071 A JP H116071A
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32733—Means for moving the material to be treated
- H01J37/32752—Means for moving the material to be treated for moving the material across the discharge
- H01J37/32761—Continuous moving
- H01J37/3277—Continuous moving of continuous material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/20—Positioning, supporting, modifying or maintaining the physical state of objects being observed or treated
- H01J2237/2001—Maintaining constant desired temperature
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/47—Generating plasma using corona discharges
- H05H1/473—Cylindrical electrodes, e.g. rotary drums
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- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマＣＶＤ法によって成膜を行うに際し
て、支持体を十分に冷却して熱変形を抑えるとともに、
異常放電を防止し、成膜に支障を来すことなくＣＶＤ膜
を成膜する。 【解決手段】 長尺状の非磁性支持体上に金属薄膜を形
成した後、この非磁性支持体を、冷却キャンに沿って連
続走行させながら、金属薄膜上にプラズマＣＶＤ法によ
って薄膜を成膜するに際して、上記冷却キャンとして、
金属キャン１２の外周面全面にセラミックよりなる絶縁
層１５が０．３〜１．０ｍｍの厚さで形成されてなるも
のを用いる。
て、支持体を十分に冷却して熱変形を抑えるとともに、
異常放電を防止し、成膜に支障を来すことなくＣＶＤ膜
を成膜する。 【解決手段】 長尺状の非磁性支持体上に金属薄膜を形
成した後、この非磁性支持体を、冷却キャンに沿って連
続走行させながら、金属薄膜上にプラズマＣＶＤ法によ
って薄膜を成膜するに際して、上記冷却キャンとして、
金属キャン１２の外周面全面にセラミックよりなる絶縁
層１５が０．３〜１．０ｍｍの厚さで形成されてなるも
のを用いる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体のカ
ーボン保護膜等を成膜するためのプラズマＣＶＤ法及び
プラズマＣＶＤ装置に関する。
ーボン保護膜等を成膜するためのプラズマＣＶＤ法及び
プラズマＣＶＤ装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】金属磁性薄膜を磁性層とする、いわゆる
金属磁性薄膜型の磁気記録媒体では、磁気ヘッド等との
摺動性を改善するために、通常、金属磁性薄膜上に硬質
の保護膜が設けられる。
金属磁性薄膜型の磁気記録媒体では、磁気ヘッド等との
摺動性を改善するために、通常、金属磁性薄膜上に硬質
の保護膜が設けられる。
【０００３】この硬質の保護膜としては、カーボン膜、
石英（ＳｉＯ2）膜、ジルコニア（ＺｒＯ2）膜等が挙げ
られ、中でもダイヤモンド構造を有するダイヤモンドラ
イクカーボン（ＤＬＣ）膜は、硬度が高く、保護効果に
優れることから期待される。
石英（ＳｉＯ2）膜、ジルコニア（ＺｒＯ2）膜等が挙げ
られ、中でもダイヤモンド構造を有するダイヤモンドラ
イクカーボン（ＤＬＣ）膜は、硬度が高く、保護効果に
優れることから期待される。
【０００４】このＤＬＣ膜の成膜には、例えばプラズマ
ＣＶＤ（化学気相成長）法が用いられる。
ＣＶＤ（化学気相成長）法が用いられる。
【０００５】プラズマＣＶＤ法によってＤＬＣ膜を成膜
するには、金属磁性薄膜が形成された長尺状のプラスチ
ックフィルム（支持体）を円筒キャンに沿って走行させ
ながら反応管の上を通過させる。この反応管内には直流
電源と接続された放電電極が設けられており、管内に導
入された原料ガスがこの電極を通過する時にプラズマと
なり、分解されてプラスイオンを生じる。そして、この
生じたプラスイオンは、円筒キャンに沿って連続走行す
る金属磁性薄膜表面に向かって入射し、堆積することで
ＤＬＣ膜が成膜される。なお、ここで上記円筒キャン
は、支持体の幅よりも広めとなされ、支持体の両側から
円筒キャンの端部がはみ出したかたちになっている。こ
れは、走行時における支持体の幅方向の走行変動や支持
体自体の幅方向の長さムラに対応するためである。
するには、金属磁性薄膜が形成された長尺状のプラスチ
ックフィルム（支持体）を円筒キャンに沿って走行させ
ながら反応管の上を通過させる。この反応管内には直流
電源と接続された放電電極が設けられており、管内に導
入された原料ガスがこの電極を通過する時にプラズマと
なり、分解されてプラスイオンを生じる。そして、この
生じたプラスイオンは、円筒キャンに沿って連続走行す
る金属磁性薄膜表面に向かって入射し、堆積することで
ＤＬＣ膜が成膜される。なお、ここで上記円筒キャン
は、支持体の幅よりも広めとなされ、支持体の両側から
円筒キャンの端部がはみ出したかたちになっている。こ
れは、走行時における支持体の幅方向の走行変動や支持
体自体の幅方向の長さムラに対応するためである。
【０００６】ところで、プラズマＣＶＤ法によって成膜
を行う場合、支持体は、反応管の上を通過する際にプラ
ズマの熱と電極の発熱によって６０〜７０℃程度にまで
加熱される可能性がある。一方、例えばポリエチレンテ
レフタレート等よりなるプラスチックフィルムは、耐熱
温度が６０〜７０℃であるので、このように加熱された
場合には熱変形の問題が生じる。
を行う場合、支持体は、反応管の上を通過する際にプラ
ズマの熱と電極の発熱によって６０〜７０℃程度にまで
加熱される可能性がある。一方、例えばポリエチレンテ
レフタレート等よりなるプラスチックフィルムは、耐熱
温度が６０〜７０℃であるので、このように加熱された
場合には熱変形の問題が生じる。
【０００７】このため、プラズマＣＶＤ法では、円筒キ
ャンに冷却機能を持たせるとともに円筒キャン自身を熱
伝導率の高い金属、例えばステンレスロールの上にクロ
ムメッキを施した構成とすることで、このような支持体
の熱変形を回避するようにしている。
ャンに冷却機能を持たせるとともに円筒キャン自身を熱
伝導率の高い金属、例えばステンレスロールの上にクロ
ムメッキを施した構成とすることで、このような支持体
の熱変形を回避するようにしている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、円筒キ
ャンを金属のような導通体で構成すると、特に支持体か
らはみ出す円筒キャンの端部にプラズマやプラスイオン
が流れ易くなり、異常放電が引き起こされる。その結
果、成膜に支障を来したり、円筒キャンに傷が発生する
といった問題が生じる。
ャンを金属のような導通体で構成すると、特に支持体か
らはみ出す円筒キャンの端部にプラズマやプラスイオン
が流れ易くなり、異常放電が引き起こされる。その結
果、成膜に支障を来したり、円筒キャンに傷が発生する
といった問題が生じる。
【０００９】そこで、本発明はこのような従来の実情に
鑑みて提案されたものであり、支持体の熱変形や異常放
電が防止されるプラズマＣＶＤ法及びプラズマＣＶＤ装
置を提供することを目的とする。
鑑みて提案されたものであり、支持体の熱変形や異常放
電が防止されるプラズマＣＶＤ法及びプラズマＣＶＤ装
置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上述の目的を達成するた
めに、本発明のプラズマＣＶＤ法は、長尺状の非磁性支
持体上に金属薄膜を形成した後、この非磁性支持体を、
冷却キャンに沿って連続走行させながら、金属薄膜上に
プラズマＣＶＤ法によって薄膜を成膜するに際して、上
記冷却キャンとして、金属キャンの外周面全面にセラミ
ックよりなる絶縁層が０．３〜１．０ｍｍの厚さで形成
されてなるものを用いることを特徴とするものである。
めに、本発明のプラズマＣＶＤ法は、長尺状の非磁性支
持体上に金属薄膜を形成した後、この非磁性支持体を、
冷却キャンに沿って連続走行させながら、金属薄膜上に
プラズマＣＶＤ法によって薄膜を成膜するに際して、上
記冷却キャンとして、金属キャンの外周面全面にセラミ
ックよりなる絶縁層が０．３〜１．０ｍｍの厚さで形成
されてなるものを用いることを特徴とするものである。
【００１１】また、本発明のプラズマＣＶＤ装置は、冷
却キャンと、原料ガスをプラズマによって化学反応させ
るための反応管を有し、上記冷却キャンは、金属キャン
の外周面全面に絶縁性セラミックよりなる絶縁層が０．
３〜１．０ｍｍの厚さで形成されてなることを特徴とす
るものである。
却キャンと、原料ガスをプラズマによって化学反応させ
るための反応管を有し、上記冷却キャンは、金属キャン
の外周面全面に絶縁性セラミックよりなる絶縁層が０．
３〜１．０ｍｍの厚さで形成されてなることを特徴とす
るものである。
【００１２】円筒キャンの外周面全面に絶縁性セラミッ
クよりなる絶縁層が所定厚で形成されていると円筒キャ
ンにプラズマやプラスイオンが流れるのが防止され、異
常放電が抑えられる。また、絶縁性セラミックは絶縁性
樹脂等に比べて熱伝導率が高いので、絶縁層を介して円
筒キャンの冷却装置と支持体との間で効率良く熱交換が
なされ、支持体が冷却される。したがって、支持体の熱
変形を防止しながら良好な成膜が行える。
クよりなる絶縁層が所定厚で形成されていると円筒キャ
ンにプラズマやプラスイオンが流れるのが防止され、異
常放電が抑えられる。また、絶縁性セラミックは絶縁性
樹脂等に比べて熱伝導率が高いので、絶縁層を介して円
筒キャンの冷却装置と支持体との間で効率良く熱交換が
なされ、支持体が冷却される。したがって、支持体の熱
変形を防止しながら良好な成膜が行える。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的な実施の形
態について説明する。
態について説明する。
【００１４】本発明に係るプラズマＣＶＤ法によってＣ
ＶＤ膜を成膜するには、まず支持体上に金属薄膜を成膜
する。
ＶＤ膜を成膜するには、まず支持体上に金属薄膜を成膜
する。
【００１５】例えば、磁気記録媒体を製造する場合に
は、支持体としてポリエチレンテレフタレート，ポリエ
チレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリオレ
フィン系樹脂、セルローストリアセテート等のセルロー
ス誘導体、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹
脂、ポリアミド樹脂等の高分子物質が使用可能である。
また、これら非磁性支持体上には、磁性薄膜を形成する
のに先立ち、易接着化、表面性改良、着色、帯電防止、
耐磨耗性付与等の目的で表面処理や前処理を行うように
してもよい。
は、支持体としてポリエチレンテレフタレート，ポリエ
チレンナフタレート等のポリエステル系樹脂、ポリオレ
フィン系樹脂、セルローストリアセテート等のセルロー
ス誘導体、ポリカーボネート樹脂、ポリ塩化ビニル樹
脂、ポリアミド樹脂等の高分子物質が使用可能である。
また、これら非磁性支持体上には、磁性薄膜を形成する
のに先立ち、易接着化、表面性改良、着色、帯電防止、
耐磨耗性付与等の目的で表面処理や前処理を行うように
してもよい。
【００１６】磁性薄膜は、真空下で強磁性金属材料を加
熱蒸発させ、非磁性支持体上に沈着させる真空蒸着法
や、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行うイオンプレー
ティング法、アルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー
放電を起こし生じたアルゴンイオンでターゲット表面の
原子を叩き出すスパッタ法等、いわゆるＰＶＤ技術によ
って成膜される。
熱蒸発させ、非磁性支持体上に沈着させる真空蒸着法
や、強磁性金属材料の蒸発を放電中で行うイオンプレー
ティング法、アルゴンを主成分とする雰囲気中でグロー
放電を起こし生じたアルゴンイオンでターゲット表面の
原子を叩き出すスパッタ法等、いわゆるＰＶＤ技術によ
って成膜される。
【００１７】この強磁性金属材料としては、Ｃｏ、Ｃｏ
−Ｐｔ系金属、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ系
合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｃｕ系合金、
Ｆｅ−Ｃｕ系合金、Ｃｏ−Ａｕ系合金、Ｆｅ−Ｃｒ系合
金、Ｎｉ−Ｃｒ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｃｒ系合金等が使用可能である。
−Ｐｔ系金属、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ系
合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ系合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｂ系合金、Ｃｏ−Ｃｕ系合金、
Ｆｅ−Ｃｕ系合金、Ｃｏ−Ａｕ系合金、Ｆｅ−Ｃｒ系合
金、Ｎｉ−Ｃｒ系合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ系合金、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｃｒ系合金等が使用可能である。
【００１８】そして、この金属薄膜上にプラズマＣＶＤ
法によって成膜を行う。
法によって成膜を行う。
【００１９】この成膜を行うためのプラズマＣＶＤ装置
を図１に示す。
を図１に示す。
【００２０】このＣＶＤ装置は、内部が高真空状態とな
された真空室１内に、図中時計回り方向に定速回転する
送りロール２と、同様に図中時計回り方向に定速回転す
る巻取りロール３とが設けられ、これら送りロール２か
ら巻取りロール３に向かってテープ状の非磁性支持体４
が順次走行するようになされている。
された真空室１内に、図中時計回り方向に定速回転する
送りロール２と、同様に図中時計回り方向に定速回転す
る巻取りロール３とが設けられ、これら送りロール２か
ら巻取りロール３に向かってテープ状の非磁性支持体４
が順次走行するようになされている。
【００２１】これら送りロール２から巻取りロール３側
に上記非磁性支持体４が走行する中途部には上記各ロー
ル２，３の径よりも大径となされた円筒キャン５が設け
られている。この円筒キャン５は冷却機能を有し、上記
非磁性支持体４の温度上昇による変形等を抑制し得るよ
うになされている。
に上記非磁性支持体４が走行する中途部には上記各ロー
ル２，３の径よりも大径となされた円筒キャン５が設け
られている。この円筒キャン５は冷却機能を有し、上記
非磁性支持体４の温度上昇による変形等を抑制し得るよ
うになされている。
【００２２】このような円筒キャン５は上記非磁性支持
体４を図中下方に引き出すように設けられ、図中の時計
回り方向に定速回転する構成とされている。なお、ここ
で上記円筒キャン５は、支持体４の幅よりも広めとなさ
れ、支持体４の両側から円筒キャン５の端部がはみ出し
たかたちになっている。これは、走行時における支持体
４の幅方向の走行変動や支持体自体の幅方向の長さムラ
に対応するためである。
体４を図中下方に引き出すように設けられ、図中の時計
回り方向に定速回転する構成とされている。なお、ここ
で上記円筒キャン５は、支持体４の幅よりも広めとなさ
れ、支持体４の両側から円筒キャン５の端部がはみ出し
たかたちになっている。これは、走行時における支持体
４の幅方向の走行変動や支持体自体の幅方向の長さムラ
に対応するためである。
【００２３】以上のような走行系が構成されたＣＶＤ装
置では、上記非磁性支持体４は、送りロール２から順次
送り出され、さらに上記円筒キャン５周面を通過し、巻
取りロール３に巻き取られる。なお、上記送りロール２
と上記円筒キャン５との間及び該円筒キャン５と上記巻
取りロール３との間にはそれぞれガイドロール６，７が
配設され、上記送りロール２から円筒キャン５及び該円
筒キャン５から巻取りロール３にわたって走行する非磁
性支持体４に所定のテンションをかけ、該非磁性支持体
４が円滑に走行するようになされている。なお、上記ガ
イドロールのうち一方のガイドロール６は接地され、上
記非磁性支持体４上に形成された金属薄膜が接地電極を
兼ねるようになされている。
置では、上記非磁性支持体４は、送りロール２から順次
送り出され、さらに上記円筒キャン５周面を通過し、巻
取りロール３に巻き取られる。なお、上記送りロール２
と上記円筒キャン５との間及び該円筒キャン５と上記巻
取りロール３との間にはそれぞれガイドロール６，７が
配設され、上記送りロール２から円筒キャン５及び該円
筒キャン５から巻取りロール３にわたって走行する非磁
性支持体４に所定のテンションをかけ、該非磁性支持体
４が円滑に走行するようになされている。なお、上記ガ
イドロールのうち一方のガイドロール６は接地され、上
記非磁性支持体４上に形成された金属薄膜が接地電極を
兼ねるようになされている。
【００２４】一方、上記円筒キャン５の下方には反応管
８が設けられている。
８が設けられている。
【００２５】上記反応管８は、空洞部が断面長方形状を
なす中空管であり、円筒キャン５側が開口部となされ、
この開口部と対向する底面にはガス導入管９が貫通し、
このガス導入管９を通じて原料ガスが当該反応管８内に
導入されるようになっている。また、この反応管８の開
口部８ａ側では非磁性支持体の長手方向に対応する端部
が円筒キャン５の周面形状に沿うように円弧を描く形状
とされている。
なす中空管であり、円筒キャン５側が開口部となされ、
この開口部と対向する底面にはガス導入管９が貫通し、
このガス導入管９を通じて原料ガスが当該反応管８内に
導入されるようになっている。また、この反応管８の開
口部８ａ側では非磁性支持体の長手方向に対応する端部
が円筒キャン５の周面形状に沿うように円弧を描く形状
とされている。
【００２６】そして、このような形状の反応管８内には
金属メッシュ等よりなる放電電極１０が取り付けられて
いる。この放電電極１０には、外部の直流電源１１より
電位が印加され、接地電極を兼ねる金属薄膜との間に電
圧が生じるようになっている。この反応管８では、管内
に導入された原料ガスがこの電極を通過する時にプラズ
マＰとなり、分解されてプラスイオンを生じる。そし
て、この生じたプラスイオンは、円筒キャンに沿って連
続走行する金属磁性薄膜表面に向かって入射し、堆積す
ることでＣＶＤ膜が成膜される。
金属メッシュ等よりなる放電電極１０が取り付けられて
いる。この放電電極１０には、外部の直流電源１１より
電位が印加され、接地電極を兼ねる金属薄膜との間に電
圧が生じるようになっている。この反応管８では、管内
に導入された原料ガスがこの電極を通過する時にプラズ
マＰとなり、分解されてプラスイオンを生じる。そし
て、この生じたプラスイオンは、円筒キャンに沿って連
続走行する金属磁性薄膜表面に向かって入射し、堆積す
ることでＣＶＤ膜が成膜される。
【００２７】以上がプラズマＣＶＤ装置の基本的な構成
であるが、この製造方法で用いる円筒キャン５は特に、
金属製のキャンの外周面全面に絶縁性セラミックよりな
る絶縁層１５が０．３〜１．０ｍｍなる厚さで形成され
た構成とされている。
であるが、この製造方法で用いる円筒キャン５は特に、
金属製のキャンの外周面全面に絶縁性セラミックよりな
る絶縁層１５が０．３〜１．０ｍｍなる厚さで形成され
た構成とされている。
【００２８】すなわち、この円筒キャンは、図２に示す
ようにステンレス等よりなる円筒状の金属キャン１２の
外周面に冷媒流路１３を介して金属層１４が形成され、
その上に絶縁性セラミックよりなる絶縁層１５が全面形
成されて構成され、円筒の中心軸に対応して回転駆動軸
１６と回転追従軸１７が設けられている。上記回転追従
軸１７には、上記冷媒流路１３に連通する第１の冷媒流
路管１８が貫通している。この第１の冷媒流路管１８は
隔壁１９が設けられることによって２重構造とされてお
り、内側の冷媒流路２０は回転駆動軸１６が取り付けら
れた円筒底面に沿うように設けられた第２の冷媒流路管
２２を介して、円筒キャン５の冷媒流路１３と連通して
いる。また、外側の冷媒流路２１は回転追従軸１７が取
り付けられた円筒底面に沿うように設けられた第３の冷
媒流路管２３を介して円筒キャン５の冷媒流路１３と連
通している。
ようにステンレス等よりなる円筒状の金属キャン１２の
外周面に冷媒流路１３を介して金属層１４が形成され、
その上に絶縁性セラミックよりなる絶縁層１５が全面形
成されて構成され、円筒の中心軸に対応して回転駆動軸
１６と回転追従軸１７が設けられている。上記回転追従
軸１７には、上記冷媒流路１３に連通する第１の冷媒流
路管１８が貫通している。この第１の冷媒流路管１８は
隔壁１９が設けられることによって２重構造とされてお
り、内側の冷媒流路２０は回転駆動軸１６が取り付けら
れた円筒底面に沿うように設けられた第２の冷媒流路管
２２を介して、円筒キャン５の冷媒流路１３と連通して
いる。また、外側の冷媒流路２１は回転追従軸１７が取
り付けられた円筒底面に沿うように設けられた第３の冷
媒流路管２３を介して円筒キャン５の冷媒流路１３と連
通している。
【００２９】この円筒キャン５では、上記第１の冷媒供
給管１８の内側の冷媒流路２１から例えば−３０℃程度
に冷却された冷媒が供給され、第２の冷媒流路管２２を
通過して円筒キャン５の冷媒流路１３に供給される。そ
して、冷媒流路１３に供給された冷媒は、円筒キャン５
の周面に沿って第３の冷媒流路管２３側に流れ、第３の
冷媒流路管２３に流入する。そして、この第３の冷媒流
路管２３に流入した冷媒は第１の冷媒流路管１８の外側
の冷媒流路２１を通過して流出する。
給管１８の内側の冷媒流路２１から例えば−３０℃程度
に冷却された冷媒が供給され、第２の冷媒流路管２２を
通過して円筒キャン５の冷媒流路１３に供給される。そ
して、冷媒流路１３に供給された冷媒は、円筒キャン５
の周面に沿って第３の冷媒流路管２３側に流れ、第３の
冷媒流路管２３に流入する。そして、この第３の冷媒流
路管２３に流入した冷媒は第１の冷媒流路管１８の外側
の冷媒流路２１を通過して流出する。
【００３０】このような円筒キャンの周面に沿って通過
する支持体は、この循環する冷媒と、金属層１４及び絶
縁層１５を介して熱交換することによって冷却される。
ここで、絶縁層１５を構成する絶縁性セラミックは絶縁
性樹脂等に比べて熱伝導率が高いので、円筒キャン５の
冷媒流路１３を通過する冷媒と支持体との間で効率良く
熱交換がなされ、支持体が十分に冷却される。したがっ
て、支持体の熱変形が防止される。
する支持体は、この循環する冷媒と、金属層１４及び絶
縁層１５を介して熱交換することによって冷却される。
ここで、絶縁層１５を構成する絶縁性セラミックは絶縁
性樹脂等に比べて熱伝導率が高いので、円筒キャン５の
冷媒流路１３を通過する冷媒と支持体との間で効率良く
熱交換がなされ、支持体が十分に冷却される。したがっ
て、支持体の熱変形が防止される。
【００３１】また、この円筒キャン５では、外周面全面
に設けられた絶縁層１５によって、円筒キャン５にプラ
ズマやプラスイオンが流れるのが防止され異常放電が抑
えられる。
に設けられた絶縁層１５によって、円筒キャン５にプラ
ズマやプラスイオンが流れるのが防止され異常放電が抑
えられる。
【００３２】但し、絶縁層１５の厚さは０．３〜１．０
ｍｍであることが重要である。絶縁層１５の厚さが０．
３ｍｍよりも薄い場合には絶縁性を十分に保つことがで
きない。また、絶縁層１５を１．０ｍｍよりも厚く形成
すると、金属層１４と絶縁層１５の熱膨張率の差によっ
て絶縁層１５にクラックが入ってしまう。なお、絶縁層
１５のより好ましい厚さは０．５〜０．７ｍｍである。
ｍｍであることが重要である。絶縁層１５の厚さが０．
３ｍｍよりも薄い場合には絶縁性を十分に保つことがで
きない。また、絶縁層１５を１．０ｍｍよりも厚く形成
すると、金属層１４と絶縁層１５の熱膨張率の差によっ
て絶縁層１５にクラックが入ってしまう。なお、絶縁層
１５のより好ましい厚さは０．５〜０．７ｍｍである。
【００３３】この絶縁層１５は、絶縁性を有するセラミ
ック層であれば良く、とくに限定されないが具体的には
アルミナを主体とするセラミック層が設けられる。
ック層であれば良く、とくに限定されないが具体的には
アルミナを主体とするセラミック層が設けられる。
【００３４】また、絶縁層１５は、例えばセラミック溶
射法によって形成されているのが望ましく、中でもプラ
ズマ・パウダー・スプレイによるセラミック溶射法で形
成されているのが好ましい。
射法によって形成されているのが望ましく、中でもプラ
ズマ・パウダー・スプレイによるセラミック溶射法で形
成されているのが好ましい。
【００３５】プラズマ・パウダー・スプレイは、Ｎ2，
Ｈ2,不活性ガス等を電離させて生じる高温・高速のプラ
ズマジェットに、コートしたい材料の粉末を送り込み、
ジェット中で溶融・加熱して母材（この場合は金属キャ
ン）に衝突させ、皮膜を形成する方法である。このプラ
ズマジェットは極めて高温であるためセラミックス系材
料のような高融点物質の溶射に適しており、緻密でなめ
らかな絶縁層を形成することができる。
Ｈ2,不活性ガス等を電離させて生じる高温・高速のプラ
ズマジェットに、コートしたい材料の粉末を送り込み、
ジェット中で溶融・加熱して母材（この場合は金属キャ
ン）に衝突させ、皮膜を形成する方法である。このプラ
ズマジェットは極めて高温であるためセラミックス系材
料のような高融点物質の溶射に適しており、緻密でなめ
らかな絶縁層を形成することができる。
【００３６】また、絶縁層１５はローカイド・ロッド・
スプレイによるセラミック溶射法で形成するようにして
も良い。
スプレイによるセラミック溶射法で形成するようにして
も良い。
【００３７】ローカイド・ロッド・スプレイは、セラミ
ックの焼結棒を約３０００℃の酸素・エチレン炎中で溶
融し、その溶滴をエア・ジェット流で加速し、母材に向
かって噴射することで皮膜を形成する方法である。この
方法では完全に溶融されたセラミック粒子のみが噴射さ
れるので粒子間結合力の高い皮膜が得られる。
ックの焼結棒を約３０００℃の酸素・エチレン炎中で溶
融し、その溶滴をエア・ジェット流で加速し、母材に向
かって噴射することで皮膜を形成する方法である。この
方法では完全に溶融されたセラミック粒子のみが噴射さ
れるので粒子間結合力の高い皮膜が得られる。
【００３８】このようなセラミック溶射法によってアル
ミナを主体とする絶縁層を形成する場合、溶射材料とし
てはＡｌ2Ｏ3にＳｉＯ2、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｆｅ2Ｏ3等
を添加したいわゆるホワイトアルミナや、Ａｌ2Ｏ3にＴ
ｉＯ2、ＳｉＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯ等を添加し
たいわゆるグレイアルミナ等が用いられる。
ミナを主体とする絶縁層を形成する場合、溶射材料とし
てはＡｌ2Ｏ3にＳｉＯ2、ＣａＯ、ＭｇＯ、Ｆｅ2Ｏ3等
を添加したいわゆるホワイトアルミナや、Ａｌ2Ｏ3にＴ
ｉＯ2、ＳｉＯ2、Ｆｅ2Ｏ3、ＣａＯ、ＭｇＯ等を添加し
たいわゆるグレイアルミナ等が用いられる。
【００３９】実際にＡｌ2Ｏ3９８．５重量％、ＳｉＯ2
１．０重量％なる組成のホワイトアルミナを溶融原料と
し、プラズマ・パウダー・スプレイ（日本コーティング
工業社製）によるセラミック溶射法によって０．５ｍｍ
厚の絶縁層を設けると、耐電圧３ｋＶ以上の絶縁性が得
られ、−１０℃以下の冷却効果が得られる。
１．０重量％なる組成のホワイトアルミナを溶融原料と
し、プラズマ・パウダー・スプレイ（日本コーティング
工業社製）によるセラミック溶射法によって０．５ｍｍ
厚の絶縁層を設けると、耐電圧３ｋＶ以上の絶縁性が得
られ、−１０℃以下の冷却効果が得られる。
【００４０】なお、この絶縁層１５は、表面粗さＲａが
０．１５μｍ以下、表面粗さＲｚが１．０μｍ以下であ
るのが望ましい。ここで、表面粗さＲａ，ＲｚはＪＩＳ
Ｂ０６０１で規定されるものであり、表面粗さＲａは
中心線平均粗さＲａであり、表面粗さＲｚは十点平均粗
さＲｚである。
０．１５μｍ以下、表面粗さＲｚが１．０μｍ以下であ
るのが望ましい。ここで、表面粗さＲａ，ＲｚはＪＩＳ
Ｂ０６０１で規定されるものであり、表面粗さＲａは
中心線平均粗さＲａであり、表面粗さＲｚは十点平均粗
さＲｚである。
【００４１】また、絶縁層１５の下に、熱膨張率の差に
よる当該絶縁層１５の割れを防止するために下地層を設
けるようにしても良い。この下地層としては、Ｎｉ−Ｃ
ｒ、Ｎｉ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｎｉ−Ａｌ等の合金膜が適当で
ある。
よる当該絶縁層１５の割れを防止するために下地層を設
けるようにしても良い。この下地層としては、Ｎｉ−Ｃ
ｒ、Ｎｉ−Ｃｒ−Ａｌ、Ｎｉ−Ａｌ等の合金膜が適当で
ある。
【００４２】なお、この下地層の効果を確認するため、
表１に示すような厚さでＮｉ−Ｃｒ下地層及び／又は絶
縁層を形成した４種類の円筒キャンを作製し、５００℃
程度に調整された電気炉内で加熱を行い、徐冷後、目視
によって割れの様子を観察した。なお、絶縁層はホワイ
トアルミナを溶融原料とし、プラズマ・パウダー・スプ
レイによるセラミック溶射法によって形成した。
表１に示すような厚さでＮｉ−Ｃｒ下地層及び／又は絶
縁層を形成した４種類の円筒キャンを作製し、５００℃
程度に調整された電気炉内で加熱を行い、徐冷後、目視
によって割れの様子を観察した。なお、絶縁層はホワイ
トアルミナを溶融原料とし、プラズマ・パウダー・スプ
レイによるセラミック溶射法によって形成した。
【００４３】
【表１】
【００４４】その結果、絶縁層のみを形成したサンプル
３，サンプル４は割れが生じやすいのに対して、下地層
を形成したサンプル１，サンプル２では割れが防止され
ており、下地層の効果が確認された。
３，サンプル４は割れが生じやすいのに対して、下地層
を形成したサンプル１，サンプル２では割れが防止され
ており、下地層の効果が確認された。
【００４５】このプラズマＣＶＤ装置では以上のように
して成膜が行われ、原料ガスを適宜選択することによっ
て各種ＣＶＤ膜を成膜することができる。例えば磁気記
録媒体の保護膜としてカーボン保護膜を成膜する場合に
は、原料ガスとして炭素を含有するガスを用いる。
して成膜が行われ、原料ガスを適宜選択することによっ
て各種ＣＶＤ膜を成膜することができる。例えば磁気記
録媒体の保護膜としてカーボン保護膜を成膜する場合に
は、原料ガスとして炭素を含有するガスを用いる。
【００４６】この炭素を含有するガスとしては、メタ
ン，エチレン，ブタン等の炭化水素ガス、トルエン、ケ
トン等のいわゆる有機溶剤をガス化したもの等が使用可
能である。また、保護膜に潤滑性等を付与するために、
アミン類や、フッ素，シリコン等を含む有機材料を原料
ガスとして用いても良い。アミン類としてはイソプロピ
ルアミン、トリエチルアミン、ジメチルアミン等が挙げ
られる。これらはトルエンのような有機溶剤に混合溶解
した後、ガス化すれば良い。また、フッ素あるいはシリ
コンを含有するガスとしては、フッ化エチレン等のフッ
化炭素ガス、有機シリコン化合物（シリコーン）ガス、
あるいは有機フッ化シリコンガス等が挙げられる。これ
らの原料ガスは、媒体に要求される特性に合わせ適宜混
合したり、異なる原料ガスを用い、複数の保護膜を積層
形成しても良い。
ン，エチレン，ブタン等の炭化水素ガス、トルエン、ケ
トン等のいわゆる有機溶剤をガス化したもの等が使用可
能である。また、保護膜に潤滑性等を付与するために、
アミン類や、フッ素，シリコン等を含む有機材料を原料
ガスとして用いても良い。アミン類としてはイソプロピ
ルアミン、トリエチルアミン、ジメチルアミン等が挙げ
られる。これらはトルエンのような有機溶剤に混合溶解
した後、ガス化すれば良い。また、フッ素あるいはシリ
コンを含有するガスとしては、フッ化エチレン等のフッ
化炭素ガス、有機シリコン化合物（シリコーン）ガス、
あるいは有機フッ化シリコンガス等が挙げられる。これ
らの原料ガスは、媒体に要求される特性に合わせ適宜混
合したり、異なる原料ガスを用い、複数の保護膜を積層
形成しても良い。
【００４７】
【発明の効果】以上の説明からも明らかなように、本発
明では、長尺状の非磁性支持体上に金属薄膜を形成した
後、この非磁性支持体を、冷却キャンに沿って連続走行
させながら、金属薄膜上にプラズマＣＶＤ法によって薄
膜を成膜するに際して、上記冷却キャンとして、金属キ
ャンの外周面全面に絶縁性セラミックよりなる絶縁層が
０．３〜１．０ｍｍの厚さで形成されてなるものを用い
るので、支持体を十分に冷却しながら異常放電を防止す
ることができる。したがって、支持体の熱変形を生じる
ことなく良好な状態でＣＶＤによる成膜が行える。
明では、長尺状の非磁性支持体上に金属薄膜を形成した
後、この非磁性支持体を、冷却キャンに沿って連続走行
させながら、金属薄膜上にプラズマＣＶＤ法によって薄
膜を成膜するに際して、上記冷却キャンとして、金属キ
ャンの外周面全面に絶縁性セラミックよりなる絶縁層が
０．３〜１．０ｍｍの厚さで形成されてなるものを用い
るので、支持体を十分に冷却しながら異常放電を防止す
ることができる。したがって、支持体の熱変形を生じる
ことなく良好な状態でＣＶＤによる成膜が行える。
【図１】本発明を適用したプラズマＣＶＤ装置の一例を
示す模式図である。
示す模式図である。
【図２】上記プラズマＣＶＤ装置に設けられる円筒キャ
ンの一例を示す模式図である。
ンの一例を示す模式図である。
１ 真空室、２ 送りロール、３ 巻取りロール、４
支持体、５ 円筒キャン、６，７ ガイドロール、８
反応管、９ 酸素ガス導入管、１０ 加速電極、１１
直流電源、１２ 金属キャン、１３ 冷媒流路、１４
金属層、１５絶縁層、１６ 回転駆動軸、１７ 回転追
従軸、１８ 第１の冷媒流路管、２２第２の冷媒流路
管、２３ 第３の冷媒流路管
支持体、５ 円筒キャン、６，７ ガイドロール、８
反応管、９ 酸素ガス導入管、１０ 加速電極、１１
直流電源、１２ 金属キャン、１３ 冷媒流路、１４
金属層、１５絶縁層、１６ 回転駆動軸、１７ 回転追
従軸、１８ 第１の冷媒流路管、２２第２の冷媒流路
管、２３ 第３の冷媒流路管
Claims (6)
- 【請求項１】 長尺状の非磁性支持体上に金属薄膜を形
成した後、この非磁性支持体を、冷却キャンに沿って連
続走行させながら、金属薄膜上にプラズマＣＶＤ法によ
って薄膜を成膜するに際して、 上記冷却キャンとして、金属キャンの外周面全面に絶縁
性セラミックよりなる絶縁層が０．３〜１．０ｍｍの厚
さで形成されてなるものを用いることを特徴とするプラ
ズマＣＶＤ法。 - 【請求項２】 絶縁層は、アルミナを主体とすることを
特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ法。 - 【請求項３】 絶縁層は、セラミック溶射によって形成
されていることを特徴とする請求項１記載のプラズマＣ
ＶＤ法。 - 【請求項４】 非磁性支持体上の金属薄膜は、磁性蒸着
膜であることを特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶ
Ｄ法。 - 【請求項５】 成膜する薄膜は、カーボン膜であること
を特徴とする請求項１記載のプラズマＣＶＤ法。 - 【請求項６】 冷却キャンと、原料ガスをプラズマによ
って化学反応させるための反応管を有し、金属薄膜が形
成された非磁性支持体を前記冷却キャンに沿って走行さ
せながら反応管内で生じた反応物を被着させることで薄
膜を成膜するプラズマＣＶＤ装置であって、 上記冷却キャンは、金属キャンの外周面全面に絶縁性セ
ラミックよりなる絶縁層が０．３〜１．０ｍｍの厚さで
形成されてなることを特徴とするプラズマＣＶＤ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9155420A JPH116071A (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | プラズマｃｖｄ法及びプラズマｃｖｄ装置 |
| US09/092,047 US6051285A (en) | 1997-06-12 | 1998-06-05 | Plasma CVD method and plasma CVD apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9155420A JPH116071A (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | プラズマｃｖｄ法及びプラズマｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH116071A true JPH116071A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=15605620
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9155420A Withdrawn JPH116071A (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | プラズマｃｖｄ法及びプラズマｃｖｄ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6051285A (ja) |
| JP (1) | JPH116071A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015151722A1 (ja) * | 2014-04-01 | 2015-10-08 | 株式会社神戸製鋼所 | プラズマｃｖｄ成膜装置 |
| JP2015200011A (ja) * | 2014-04-01 | 2015-11-12 | 株式会社神戸製鋼所 | プラズマｃｖｄ成膜装置 |
| JP2017053000A (ja) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 株式会社 セルバック | 成膜装置 |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3189780B2 (ja) * | 1998-03-24 | 2001-07-16 | 日本電気株式会社 | 半導体装置の製造装置及びその製造方法 |
| JP2002170555A (ja) | 2000-12-01 | 2002-06-14 | Sanyo Electric Co Ltd | リチウム二次電池用電極の製造方法 |
| US20040265646A1 (en) * | 2003-06-27 | 2004-12-30 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Laser textured magnetic disk |
| EP2762607B1 (en) * | 2013-01-31 | 2018-07-25 | Applied Materials, Inc. | Deposition source with adjustable electrode |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58130443A (ja) * | 1982-01-28 | 1983-08-03 | Fuji Photo Film Co Ltd | 磁気記録媒体の製造方法 |
| JPH0525648A (ja) * | 1991-07-15 | 1993-02-02 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマｃｖｄ成膜方法 |
| US5338577A (en) * | 1993-05-14 | 1994-08-16 | Kemira, Inc. | Metal with ceramic coating and method |
| DE4443530A1 (de) * | 1993-12-16 | 1995-06-22 | Basf Magnetics Gmbh | Magnetisches Aufzeichnungsmedium und Verfahren zur Herstellung desselben |
| US5569523A (en) * | 1994-02-28 | 1996-10-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium having a ferromagnetic thin film in which 70% to 90% of the total magnetic particles have residual magnetization vectors within ±10° of the easy axis direction |
| US5900283A (en) * | 1996-11-12 | 1999-05-04 | General Electric Company | Method for providing a protective coating on a metal-based substrate and related articles |
-
1997
- 1997-06-12 JP JP9155420A patent/JPH116071A/ja not_active Withdrawn
-
1998
- 1998-06-05 US US09/092,047 patent/US6051285A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2015151722A1 (ja) * | 2014-04-01 | 2015-10-08 | 株式会社神戸製鋼所 | プラズマｃｖｄ成膜装置 |
| JP2015196879A (ja) * | 2014-04-01 | 2015-11-09 | 株式会社神戸製鋼所 | プラズマｃｖｄ成膜装置 |
| JP2015200011A (ja) * | 2014-04-01 | 2015-11-12 | 株式会社神戸製鋼所 | プラズマｃｖｄ成膜装置 |
| JP2017053000A (ja) * | 2015-09-09 | 2017-03-16 | 株式会社 セルバック | 成膜装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6051285A (en) | 2000-04-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20040907 |