JPS58130443A - 磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS58130443A JPS58130443A JP57012282A JP1228282A JPS58130443A JP S58130443 A JPS58130443 A JP S58130443A JP 57012282 A JP57012282 A JP 57012282A JP 1228282 A JP1228282 A JP 1228282A JP S58130443 A JPS58130443 A JP S58130443A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/85—Coating a support with a magnetic layer by vapour deposition
-
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- H01F41/20—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for applying magnetic films to substrates by evaporation
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、強磁性金ＩＩ４薄膜型の磁気記録媒体の製造
において、電磁変換特性にすぐれ、且つ均一性の改良さ
れた磁気記録媒体の製造方法に関する。
において、電磁変換特性にすぐれ、且つ均一性の改良さ
れた磁気記録媒体の製造方法に関する。
従来の磁気記録媒体は、非磁性支持体上にγ−Ｆ ｅ
２０３に代表される磁性粉末を有機バインダー中に分散
させたもの？塗布し乾燥させることによシ製造されてき
た。近年記録密度の向上のため、強磁性金塊薄膜全真空
蒸着、スパッタリング、メッキ等により形成し、磁気記
録媒体會製造する方法が注目？浴びており、笑用化への
努力がなされている。
２０３に代表される磁性粉末を有機バインダー中に分散
させたもの？塗布し乾燥させることによシ製造されてき
た。近年記録密度の向上のため、強磁性金塊薄膜全真空
蒸着、スパッタリング、メッキ等により形成し、磁気記
録媒体會製造する方法が注目？浴びており、笑用化への
努力がなされている。
特に真空蒸着による方法はメッキの場合のような排液処
理？必要とせず製造工程も簡単でかつ析出速度も大きい
という利点１に有している。蒸着膜と基材との密着を改
良するためあるいはｔ＠変換特性の同上のために、蒸発
源るつは〃・ら蒸発した金属蒸気流を高周波あるいは熱
電子等によりイオン化し、そのイオン化した蒸気流全基
材に差し向けて薄膜全形成するという方法が提案されて
いる。
理？必要とせず製造工程も簡単でかつ析出速度も大きい
という利点１に有している。蒸着膜と基材との密着を改
良するためあるいはｔ＠変換特性の同上のために、蒸発
源るつは〃・ら蒸発した金属蒸気流を高周波あるいは熱
電子等によりイオン化し、そのイオン化した蒸気流全基
材に差し向けて薄膜全形成するという方法が提案されて
いる。
しかしながら、従来の方法は一部夾用化はされているも
のの、磁気デーゾのようにウェブ状の基材に長時間にわ
たシ、均一な膜を形成させる目的には不十分である。
のの、磁気デーゾのようにウェブ状の基材に長時間にわ
たシ、均一な膜を形成させる目的には不十分である。
そこで本発明者等は上記の欠点を改良し、電磁変換特性
の向上を目差して、高周波による金属蒸気流のイオン化
で、安定な膜形成を行なう方法について鋭意研究を重ね
た結果、本発明を見出したものである。
の向上を目差して、高周波による金属蒸気流のイオン化
で、安定な膜形成を行なう方法について鋭意研究を重ね
た結果、本発明を見出したものである。
す々わち、本発明による磁気記録媒体の製造方法とは、
電子ビーム蒸発源の近傍にプラズマ発生用コイルを設置
し、そのコイルの中空部を通って電ナビーム會磁性金桐
又は合金へ照射すると共にコイルに高周波電力を印加し
、プラズマを発生させ、プラズマ中蒸着によシ磁性膜全
形成させて磁気記録媒体を製造する方法である。
電子ビーム蒸発源の近傍にプラズマ発生用コイルを設置
し、そのコイルの中空部を通って電ナビーム會磁性金桐
又は合金へ照射すると共にコイルに高周波電力を印加し
、プラズマを発生させ、プラズマ中蒸着によシ磁性膜全
形成させて磁気記録媒体を製造する方法である。
更に基材、あるいは基材と蒸発源の近傍に蒸発源に対し
て負に印加した電極を設け、これによシ、イオン化した
蒸気九紮加速することによシ、よシすぐれた特性の磁性
薄膜が得られるものである。
て負に印加した電極を設け、これによシ、イオン化した
蒸気九紮加速することによシ、よシすぐれた特性の磁性
薄膜が得られるものである。
本発明においては、磁気記録媒体の電磁カケ上けるため
、基材に対してイオン化した蒸気流を斜めに入射させて
もよい。
、基材に対してイオン化した蒸気流を斜めに入射させて
もよい。
また、本発明においては磁性′／１！腹中に酸素を含有
せしめるため、酸化性雰囲気中で膜形成？行なう方法も
用いられる。
せしめるため、酸化性雰囲気中で膜形成？行なう方法も
用いられる。
本発明で用いられる電子ヒーム銃としては、トランスバ
ース型電子ビーム銃のほかに自己加速型（ピアス型）を
子銃があるが、製造規模で大量の磁性材料を蒸発させる
には後者が有利である。
ース型電子ビーム銃のほかに自己加速型（ピアス型）を
子銃があるが、製造規模で大量の磁性材料を蒸発させる
には後者が有利である。
本発明の真空蒸Ｎ法によって磁気記録媒体を製造する場
合、磁性薄膜膜形成させるための強磁性金属としてはＦ
ｅ、Ｃｏ、へｉ等の金属あるいはＦｅ−Ｃｏ 、 Ｆｅ
−Ｎ ｉ 、 Ｃｏ−Ｎ ｉ 、 Ｆｅ −Ｃｏ−Ｎｉ
、Ｆｅｌも ｈ 、 Ｆ ｅ−Ｃｕ 、 Ｃ
ｏ−Ｃｕ。
合、磁性薄膜膜形成させるための強磁性金属としてはＦ
ｅ、Ｃｏ、へｉ等の金属あるいはＦｅ−Ｃｏ 、 Ｆｅ
−Ｎ ｉ 、 Ｃｏ−Ｎ ｉ 、 Ｆｅ −Ｃｏ−Ｎｉ
、Ｆｅｌも ｈ 、 Ｆ ｅ−Ｃｕ 、 Ｃ
ｏ−Ｃｕ。
Ｃｏ−Ａｕ 、Ｃｏ−Ｙ、Ｃｏ−Ｌａ 、Ｃｏ−Ｐｒ
。
。
Ｃｏ−Ｇｄ 、 Ｃｏ−８ｍ 、 Ｃｏ−Ｐ ｔ 、Ｎ
ｉ−Ｃｕ。
ｉ−Ｃｕ。
Ｍｎ−Ｂ ｉ 、 Ｍｎ−８ｂ 、 Ｍｎ−ｋｌ、Ｆｅ
−Ｃｒ 。
−Ｃｒ 。
Ｃｏ−Ｃｒ 、 Ｎ ｉ−Ｃｒ 、 Ｆｅ−Ｃｏ−Ｃｒ
。
。
Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｒ等のような強磁性合金が用いら
れる。磁性膜の厚さは、磁気記録媒体として充分な出力
全与え得ろ厚さおよび高密度記録の充分性なえる薄さを
必要とすることから一般には０．０ μｍから 、ｏ
ｐｍ、好ましくは００μｍから 、 μｍである。可撓
性基体としてはポリエチレンテレフタレート、ポリイミ
ド、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、三酢酸セルロース、
ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレートのような
プラスチックベース、あるいはＡｔ、Ａ／！、合金、Ｔ
ｉ、Ｔｉ合金、ステンレス鋼のような金属−＝ ｊ− 帝が用いられる。
れる。磁性膜の厚さは、磁気記録媒体として充分な出力
全与え得ろ厚さおよび高密度記録の充分性なえる薄さを
必要とすることから一般には０．０ μｍから 、ｏ
ｐｍ、好ましくは００μｍから 、 μｍである。可撓
性基体としてはポリエチレンテレフタレート、ポリイミ
ド、ポリアミド、ポリ塩化ビニル、三酢酸セルロース、
ポリカーボネート、ポリエチレンナフタレートのような
プラスチックベース、あるいはＡｔ、Ａ／！、合金、Ｔ
ｉ、Ｔｉ合金、ステンレス鋼のような金属−＝ ｊ− 帝が用いられる。
第１図は従来の高周波印加機構を備え友磁気記録媒体製
造用真空蒸着装置の一例を示している。
造用真空蒸着装置の一例を示している。
真空容器を円は上室（図示されておらず）と王室に分け
られており、上室と下室の間に冷却ギャンコが設置され
ている。テープ状基体！は冷却キャン２に沿ってよ室か
ら蒸着の行なわれる下室に搬送され、再び上室へ移送さ
れる。冷却キャンλの下方には磁性材料の蒸発源ルツボ
弘が配置されておシ、蒸発源グからの蒸発蒸気はマスク
３により冷却キャン２に沿って移動するテープ状基体ｊ
に斜方蒸着されるようになっている。蒸発源ルツボグ内
の磁性材料は電子銃６から照射される電子ビーム／２に
よって加熱される。冷却キャンコと蒸発源ケの間には高
周波印加用のコイル１０が設置されており、マツチング
ボックス７を介して高周波電源ｇと接続されている。真
空容器ｌにはガス導入部りが設けられていて下室内に所
望のガス全導入できるようになっている。
られており、上室と下室の間に冷却ギャンコが設置され
ている。テープ状基体！は冷却キャン２に沿ってよ室か
ら蒸着の行なわれる下室に搬送され、再び上室へ移送さ
れる。冷却キャンλの下方には磁性材料の蒸発源ルツボ
弘が配置されておシ、蒸発源グからの蒸発蒸気はマスク
３により冷却キャン２に沿って移動するテープ状基体ｊ
に斜方蒸着されるようになっている。蒸発源ルツボグ内
の磁性材料は電子銃６から照射される電子ビーム／２に
よって加熱される。冷却キャンコと蒸発源ケの間には高
周波印加用のコイル１０が設置されており、マツチング
ボックス７を介して高周波電源ｇと接続されている。真
空容器ｌにはガス導入部りが設けられていて下室内に所
望のガス全導入できるようになっている。
第２図は、本発明による磁気記録媒体の製造法 ６−
に基ずく磁気記録媒体用真空蒸着装置の一例を示してい
る。第１図と同じように真空容器２／内に冷却キャン２
２、マスク２３、蒸発源ルツボ２弘、テープ状基体２ｊ
、電子銃２ｔが設けられておシ、また付属機構としてマ
ツチングボックス２７、高周波電源２ｇ、ガス導入部λ
りが設置されている。
る。第１図と同じように真空容器２／内に冷却キャン２
２、マスク２３、蒸発源ルツボ２弘、テープ状基体２ｊ
、電子銃２ｔが設けられておシ、また付属機構としてマ
ツチングボックス２７、高周波電源２ｇ、ガス導入部λ
りが設置されている。
本装置における高周波印加用のプラズマ発生コイル３０
は、その中空部をピアス式電子銃２乙からの電子ビーム
３２が貫通するように配置されている。特に第２図にお
いてはコイル３０の中心軸が電子ビーム３２のパスと＃
１ぼ同軸になっている。
は、その中空部をピアス式電子銃２乙からの電子ビーム
３２が貫通するように配置されている。特に第２図にお
いてはコイル３０の中心軸が電子ビーム３２のパスと＃
１ぼ同軸になっている。
さらに冷却キャン２２の近傍には蒸発源２μに対して負
の直流電圧を印加し得る電極３１が設けられている。
の直流電圧を印加し得る電極３１が設けられている。
第３図は、プラズマ発生コイルと電子ビームのノクスと
の関係の他の一実施例を示している。冷却キャン弘コの
下方に蒸発源ルツボググが配置されており、ルツボ弘Ｖ
内の磁性材料は電子ビームタコによって加熱される。電
子ビーム５２はプラズマ発生コイル１０の中空部ｊ／ｆ
貫通するような／す４取ってルツボｐｐに照射される。
の関係の他の一実施例を示している。冷却キャン弘コの
下方に蒸発源ルツボググが配置されており、ルツボ弘Ｖ
内の磁性材料は電子ビームタコによって加熱される。電
子ビーム５２はプラズマ発生コイル１０の中空部ｊ／ｆ
貫通するような／す４取ってルツボｐｐに照射される。
本実施例においては、電子ビーム！λのパスとゾラズム
発生コイルｊ０の中心軸夕３とはある角度をなしている
。
発生コイルｊ０の中心軸夕３とはある角度をなしている
。
次に実施例にて本発明を説明するが、本発明はこれに限
足されるものではない。
足されるものではない。
実施例１゜
第１図および第２図に示した巻取式蒸着装置を用い／ｊ
μｍ厚のポリエチレンテレフタレートベース上にコバル
ト磁性膜全形成させて磁気テープを作製し友。ガス導入
部り、２りよシ真空檜内に酸素ガスを導入し真空槽内圧
力が／Ｘ１０ ’Ｔｏｒｒに々るよう流量を調節した
。コイル１０．３０にはｔｏｏｗの高周波（／ｊ、ｊ４
ＭＨｚ）印加し真空槽内にプラズマケ発生させる。加速
用電極３１には一／ｋＶの直流電圧が印加される。マス
ク！、２３に規制される斜め入射角１ｋｊＯ０としコバ
ルト磁性蒸着膜の膜厚が７２００にとなるよう蒸着を施
して磁気テープを作製し喪。作製したテープの長手方向
の膜厚むら、ＶＨ８型ＶＴＲでのｔ Ｍ Ｈｚのビデオ
信号出力、およびテープのバルクノイズを測定したとこ
ろ下表のようであった。
μｍ厚のポリエチレンテレフタレートベース上にコバル
ト磁性膜全形成させて磁気テープを作製し友。ガス導入
部り、２りよシ真空檜内に酸素ガスを導入し真空槽内圧
力が／Ｘ１０ ’Ｔｏｒｒに々るよう流量を調節した
。コイル１０．３０にはｔｏｏｗの高周波（／ｊ、ｊ４
ＭＨｚ）印加し真空槽内にプラズマケ発生させる。加速
用電極３１には一／ｋＶの直流電圧が印加される。マス
ク！、２３に規制される斜め入射角１ｋｊＯ０としコバ
ルト磁性蒸着膜の膜厚が７２００にとなるよう蒸着を施
して磁気テープを作製し喪。作製したテープの長手方向
の膜厚むら、ＶＨ８型ＶＴＲでのｔ Ｍ Ｈｚのビデオ
信号出力、およびテープのバルクノイズを測定したとこ
ろ下表のようであった。
これから明らかなように本発明による製造法での磁気テ
ープは、長手方向の膜厚均一性、ビデオ出力、ノイズに
おいてすぐれている。
ープは、長手方向の膜厚均一性、ビデオ出力、ノイズに
おいてすぐれている。
実施例２
第１図および第３図に示すコイルの配置を施した巻取シ
式蒸着装置を用い２０μｍ厚のポリエチレンテレフタレ
ートベース上ＫＣＯ−Ｎｉ合金（Ｎ ｉ ／ Ｊ′ｗ
ｔ％）ｆ／ｊ００に蒸着し磁気テープを作製した。蒸着
時は酸素とアルゴンｆ！：２− タ − の比率で混合したガス全導入部？、２りよシ蒸着部近傍
に導きｉ、ａ×ｔＯＴｏｒｒの真空度とした。
式蒸着装置を用い２０μｍ厚のポリエチレンテレフタレ
ートベース上ＫＣＯ−Ｎｉ合金（Ｎ ｉ ／ Ｊ′ｗ
ｔ％）ｆ／ｊ００に蒸着し磁気テープを作製した。蒸着
時は酸素とアルゴンｆ！：２− タ − の比率で混合したガス全導入部？、２りよシ蒸着部近傍
に導きｉ、ａ×ｔＯＴｏｒｒの真空度とした。
マスク３．２３に規制される斜め入射角ｉ！ｊ’とした
。
。
高周波電力會／ｋＷ印加して作表した磁気テープの特性
を実施例１と同様に測定したところ下表のような結果が
得られた。
を実施例１と同様に測定したところ下表のような結果が
得られた。
これから明らかなように本発明の製造法による磁気テー
プは長手方向の膜厚均一性、ビデオ出力、ノイズにおい
てすぐれている。
プは長手方向の膜厚均一性、ビデオ出力、ノイズにおい
てすぐれている。
このように高周波コイルの中空部を電子ビームが貫通す
るように高周波コイル金配置して、プラダマ中蒸着によ
シ母気記録媒体ケ製造する方法は実施例から明らかなよ
うに、長手方向の膜厚均一性にすぐれ、ビデオ出力が改
良されると共にノイズの低下した磁気テープが得られ、
蒸着型磁気テープ全製造する上でその価値は大きい。
るように高周波コイル金配置して、プラダマ中蒸着によ
シ母気記録媒体ケ製造する方法は実施例から明らかなよ
うに、長手方向の膜厚均一性にすぐれ、ビデオ出力が改
良されると共にノイズの低下した磁気テープが得られ、
蒸着型磁気テープ全製造する上でその価値は大きい。
第１図は、従来の高周波部７１０機構を備えた磁気記録
媒体製造用真空蒸着装置の一例を示したものであり、第
２図は、本発明に基づく磁気記録媒体製造用真空蒸着装
置の一笑施態様を示し、第３図は本発明に基づくプラズ
マ発生コイルと電子ビームのノスとの関係の他変史例を
示したものである。 コ２は冷却キャン、２３はマスク、２弘は蒸発源ルツボ
、コｔは電子銃、３０及びＳＯはプラズマ発生コイルで
ある。 特許出願人 富士写真フィルム株式会社−ｌ ／ − 第３図 ４４ 昭和ｊ−７Ｍが一人月／■ 特許庁長官 島 ａ３ 。６ 殿１、事件の表示
昭１：ｌｌ ｚ ７年特願第７．２η−号２、発
明の名称 磁気記録媒体の製造方法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人性 所 神奈
川県南足柄市中沼２１０番地１１βに１＋１１・ ４、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ５、補正の内容 本願明細書筒ｊ頁第１≠行〜第１ｊ行目の［ＯｌＯμｍ
から 、０μｍ１好ましくばＯ６μｍから 、 μｍで
ある。」を「０００５μｍから／、Ｏｐｍ、好ましくは
０．Ｏｒｐｍから０．３μ７ｎである。」と訂正する。 手続補正書（自発） １、事件の表示 昭和よ７年 特願第１２２ｊｒ
２ 号２・発明ノ名称 磁気記録媒体の製造方法３
、補正をする者 事件との関係 特許出願人性 所 神奈
川県南足柄市中沼２１０番地４、補正の対象 明細書
の「発明の詳細な説明」の欄 ５、補正の内容 一１０本願明細書第９頁の表を次の通り補正する。 −２回書第ｉｏ頁の表を次の通シ補正する。 ２１０−
媒体製造用真空蒸着装置の一例を示したものであり、第
２図は、本発明に基づく磁気記録媒体製造用真空蒸着装
置の一笑施態様を示し、第３図は本発明に基づくプラズ
マ発生コイルと電子ビームのノスとの関係の他変史例を
示したものである。 コ２は冷却キャン、２３はマスク、２弘は蒸発源ルツボ
、コｔは電子銃、３０及びＳＯはプラズマ発生コイルで
ある。 特許出願人 富士写真フィルム株式会社−ｌ ／ − 第３図 ４４ 昭和ｊ−７Ｍが一人月／■ 特許庁長官 島 ａ３ 。６ 殿１、事件の表示
昭１：ｌｌ ｚ ７年特願第７．２η−号２、発
明の名称 磁気記録媒体の製造方法３、補正をする者 事件との関係 特許出願人性 所 神奈
川県南足柄市中沼２１０番地１１βに１＋１１・ ４、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ５、補正の内容 本願明細書筒ｊ頁第１≠行〜第１ｊ行目の［ＯｌＯμｍ
から 、０μｍ１好ましくばＯ６μｍから 、 μｍで
ある。」を「０００５μｍから／、Ｏｐｍ、好ましくは
０．Ｏｒｐｍから０．３μ７ｎである。」と訂正する。 手続補正書（自発） １、事件の表示 昭和よ７年 特願第１２２ｊｒ
２ 号２・発明ノ名称 磁気記録媒体の製造方法３
、補正をする者 事件との関係 特許出願人性 所 神奈
川県南足柄市中沼２１０番地４、補正の対象 明細書
の「発明の詳細な説明」の欄 ５、補正の内容 一１０本願明細書第９頁の表を次の通り補正する。 −２回書第ｉｏ頁の表を次の通シ補正する。 ２１０−
Claims (3)
- （１）磁性金属又は合金を電子ビーム銃によシ加熱蒸発
させ無機あるいは有機の高分子基材に蒸着磁性薄膜を形
成させて磁気記録媒体を製造する方法において、蒸発源
近傍にプラズマ発生用コイルを設置し、かつ該コイルの
中空部を電子ビームが貫通するようにすると共に、該コ
イルに高周波電力を印加することによシプラズマを発生
させた状態で蒸着することを特徴とする磁気記録媒体の
製造方法。 - （２） プラズマ発生用コイルの中心軸が電子ビーム
のパスとほぼ同軸となるようにしたことを特徴とする特
許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体の製造方法。 - （３） 前記磁性金属又は合金の蒸気流を基材に対し
て斜めに差し向けることによシ磁性薄膜を形成すること
？％徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒体
の製造方法。 （舶 前記、磁性薄膜を形成させる真空権に酸化性カ
スを導入することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の磁気記録媒体の製造方法。 ぐ （Ｉｔｌｌ 前記基材もしくはその近傍に設けた電極
に、前記磁性金属又は合金金入れたるつほに対して負の
電位を印加することを特徴とする特許請求の範であるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の磁気記録媒
体の製造方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57012282A JPS58130443A (ja) | 1982-01-28 | 1982-01-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US06/459,021 US4511594A (en) | 1982-01-28 | 1983-01-18 | System of manufacturing magnetic recording media |
| DE19833302900 DE3302900A1 (de) | 1982-01-28 | 1983-01-28 | Verfahren und vorrichtung zur herstellung eines magnetischen aufzeichnungstraegers |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57012282A JPS58130443A (ja) | 1982-01-28 | 1982-01-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58130443A true JPS58130443A (ja) | 1983-08-03 |
Family
ID=11801000
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57012282A Pending JPS58130443A (ja) | 1982-01-28 | 1982-01-28 | 磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4511594A (ja) |
| JP (1) | JPS58130443A (ja) |
| DE (1) | DE3302900A1 (ja) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4938859A (en) * | 1984-07-31 | 1990-07-03 | Vacuum Optics Corporation Of Japan | Ion bombardment device with high frequency |
| JPH0685216B2 (ja) * | 1985-04-11 | 1994-10-26 | 富士写真フイルム株式会社 | 磁気記録媒体の製造方法 |
| US4767516A (en) * | 1985-05-20 | 1988-08-30 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Method for making magnetic recording media |
| US4791261A (en) * | 1987-09-23 | 1988-12-13 | International Business Machines Corporation | Crucible for evaporation of metallic film |
| DE3914476C1 (ja) * | 1989-05-02 | 1990-06-21 | Forschungszentrum Juelich Gmbh, 5170 Juelich, De | |
| EP0477641A3 (en) * | 1990-09-11 | 1993-05-05 | Tdk Corporation | Magnetic recording medium for digital recording |
| US5256854A (en) * | 1990-12-18 | 1993-10-26 | Massachusetts Institute Of Technology | Tunable plasma method and apparatus using radio frequency heating and electron beam irradiation |
| JP2833230B2 (ja) * | 1991-02-08 | 1998-12-09 | 松下電器産業株式会社 | 蒸着装置 |
| JPH04276061A (ja) * | 1991-03-05 | 1992-10-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 蒸着装置 |
| DE4203632C2 (de) * | 1992-02-08 | 2003-01-23 | Applied Films Gmbh & Co Kg | Vakuumbeschichtungsanlage |
| US5780803A (en) * | 1993-02-16 | 1998-07-14 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Process for the stabilization of plasma generation by means of electron beam vaporizer |
| DE4304613C1 (de) * | 1993-02-16 | 1994-05-26 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Stabilisierung der Plasmaerzeugung mittels Elektronenstrahlverdampfer |
| US6475333B1 (en) * | 1993-07-26 | 2002-11-05 | Nihon Shinku Gijutsu Kabushiki Kaisha | Discharge plasma processing device |
| US5569523A (en) * | 1994-02-28 | 1996-10-29 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Magnetic recording medium having a ferromagnetic thin film in which 70% to 90% of the total magnetic particles have residual magnetization vectors within ±10° of the easy axis direction |
| DE19539986A1 (de) * | 1995-10-27 | 1997-04-30 | Leybold Ag | Vakuumbeschichtungsanlage mit einem in der Vakuumkammer angeordneten Tiegel zur Aufnahme von zu verdampfendem Material |
| US5656091A (en) * | 1995-11-02 | 1997-08-12 | Vacuum Plating Technology Corporation | Electric arc vapor deposition apparatus and method |
| JPH116071A (ja) * | 1997-06-12 | 1999-01-12 | Sony Corp | プラズマｃｖｄ法及びプラズマｃｖｄ装置 |
| US6808741B1 (en) * | 2001-10-26 | 2004-10-26 | Seagate Technology Llc | In-line, pass-by method for vapor lubrication |
| JP4181332B2 (ja) * | 2002-03-26 | 2008-11-12 | 松下電器産業株式会社 | 薄膜の製造方法及び製造装置 |
| US7081268B2 (en) * | 2003-06-03 | 2006-07-25 | Seagate Technology Llc | In-situ post-deposition oxidation treatment for improved magnetic recording media |
| US20100189929A1 (en) * | 2009-01-28 | 2010-07-29 | Neal James W | Coating device and deposition apparatus |
Family Cites Families (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3908183A (en) * | 1973-03-14 | 1975-09-23 | California Linear Circuits Inc | Combined ion implantation and kinetic transport deposition process |
| JPS5650340B2 (ja) * | 1973-07-25 | 1981-11-28 | ||
| JPS5435920B2 (ja) * | 1974-06-10 | 1979-11-06 | ||
| GB1599161A (en) * | 1976-07-15 | 1981-09-30 | Matsushita Electric Industrial Co Ltd | Magnetic recording medium and method of making the same |
| JPS54100987A (en) * | 1978-01-27 | 1979-08-09 | Agency Of Ind Science & Technol | Ion plating device |
| DE3064353D1 (en) * | 1979-02-23 | 1983-09-01 | Seikisui Chemical Co Ltd | A process for producing a magnetic recording medium |
| JPS57200931A (en) * | 1981-06-03 | 1982-12-09 | Tdk Corp | Magnetic recording medium and its manufacture |
-
1982
- 1982-01-28 JP JP57012282A patent/JPS58130443A/ja active Pending
-
1983
- 1983-01-18 US US06/459,021 patent/US4511594A/en not_active Expired - Lifetime
- 1983-01-28 DE DE19833302900 patent/DE3302900A1/de active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE3302900A1 (de) | 1983-08-04 |
| DE3302900C2 (ja) | 1992-08-06 |
| US4511594A (en) | 1985-04-16 |
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