JPH1161395A - Ｉｔｏスパッタリングターゲット - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 複数の比較的小さなＩＴＯ焼結体を組み合わ
せて１枚の大型のターゲットとするＩＴＯ分割ターゲッ
トであって、分割部においてもノジュールの発生しない
ＩＴＯスパッタリングターゲットを提供する。 【解決手段】 複数枚のＩＴＯ焼結体からなるＩＴＯ分
割ターゲットにおいて、個々のＩＴＯ焼結体の密度を
６．４ｇ／ｃｍ³以上とし、分割部の間隙の幅が０．０
５ｍｍ以上０．４ｍｍ以下とするとともに、個々のＩＴ
Ｏ焼結体の分割部のスパッタリング面に存在するエッジ
部をＲ１〜Ｒ２に加工する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、透明導電性薄膜製
造の際に使用されるＩＴＯスパッタリングターゲット、
特に複数枚のターゲット材を単一のバッキングプレート
上に配置した分割部を有するＩＴＯスパッタリングター
ゲットに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）薄膜は高導電性、高透過率といった特徴を有し、
更に微細加工も容易に行えることから、フラットパネル
ディスプレイ用表示電極、太陽電池用窓材、帯電防止膜
等の広範囲な分野に渡って用いられている。特に液晶表
示装置を始めとしたフラットパネルディスプレイ分野で
は近年大型化および高精細化が進んでおり、その表示用
電極であるＩＴＯ薄膜に対する需要もまた急速に高まっ
ている。このようなＩＴＯ薄膜の製造方法はスプレー熱
分解法、ＣＶＤ法等の化学的成膜法と電子ビーム蒸着
法、スパッタリング法等の物理的成膜法に大別すること
ができる。中でもスパッタリング法は大面積化が容易で
かつ高性能の膜が得られる成膜法でることから、様々な
分野で使用されている。

【０００３】スパッタリング法によりＩＴＯ薄膜を製造
する場合、用いるスパッタリングターゲットとしては金
属インジウムおよび金属スズからなる合金ターゲット
（以降、「ＩＴターゲット」と称す）あるいは酸化イン
ジウムと酸化スズからなる複合酸化物ターゲット（以
降、「ＩＴＯターゲット」と称す）が用いられる。この
うち、ＩＴＯターゲットを用いる方法は、ＩＴターゲッ
トを用いる方法と比較して、得られた膜の抵抗値および
透過率の経時変化が少なく成膜条件のコントロールが容
易であるため、ＩＴＯ薄膜製造方法の主流となってい
る。

【０００４】近年、液晶パネルの大型化および生産性向
上のため、液晶パネル生産用のマザーガラスサイズが増
大している。一般に液晶パネル製造の第２期ラインの当
初では３６０ｍｍ×４６０ｍｍであったマザーガラスサ
イズは、第２期の後半には４１０ｍｍ×５２０ｍｍ、第
３期では５５０ｍｍ×６５０ｍｍとなっている。これに
ともない、前記ガラス基板にＩＴＯ薄膜を形成する際に
使用されるＩＴＯターゲットのサイズも徐々に増大し、
例えば第３期ではインライン型のスパッタリング装置で
約３００ｍｍ×８００ｍｍ、枚葉式スパッタリング装置
で約８００ｍｍ×８４０ｍｍとなっている。

【０００５】しかし、ＩＴＯターゲットに使用されるＩ
ＴＯ焼結体は、セラミックスでありこのような大きな焼
結体を歩留まり良く製造することは困難であり、また歩
留まりが低いことから高価なものとなっている。そこ
で、前記のような大型のターゲットに対しては、複数枚
の小さな焼結体を１枚のバッキングプレート上に配置し
てターゲットを製造する方法が採用されている。例え
ば、８００ｍｍ×８４０ｍｍの大型のターゲットを製造
する場合、８００ｍｍ×２８０ｍｍの比較的小さな焼結
体を３枚、１枚のバッキングプレート上に並べて配置す
ることにより大型のターゲットを得る方法である。この
ように複数枚のＩＴＯ焼結体を１枚のバッキングプレー
ト上に並べて配置することにより形成されたＩＴＯスパ
ッタリングターゲット（以降、「ＩＴＯ分割ターゲッ
ト」と称す）は、大型のターゲットを歩留まり良く製造
できる反面、ターゲットの使用時間の増加に伴い、ター
ゲットを構成するＩＴＯ焼結体同士の接合部近傍（以
降、「分割部」と称す）にノジュールが多量に発生する
という問題があった。

【０００６】ノジュールとは、ＩＴＯターゲットをアル
ゴンガスと酸素ガスとの混合ガス雰囲気中で連続してス
パッタリングした場合、積算スパッタリング時間の増加
にともないターゲット表面に発生する黒色物を意味す
る。インジウムの低級酸化物と考えられているこの黒色
の付着物は、スパッタリング時の異常放電の原因となり
やすく、またそれ自身が異物（パーティクル）の発生源
となることが知られている。そのため、連続してスパッ
タリングを行った場合、形成された薄膜中に異物欠陥が
発生し、これが液晶表示装置等のフラットパネルディス
プレイの製造歩留まり低下の原因となっている。

【０００７】分割部のない１枚物のターゲットの場合に
は、ターゲットの密度を６．４ｇ／ｃｍ³以上とすると
ともにターゲットの表面粗さを制御することにより、ノ
ジュールの発生を防止できることが、例えば特開平８−
６０３５２号公報に開示されている。しかしながら、複
数枚の焼結体を組み合わせて分割部を有するターゲット
としたＩＴＯ分割ターゲットにおいては、このような方
法によっても、分割部でのノジュールの発生を抑制する
ことが困難であった。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、複数
のＩＴＯ焼結体を組み合わせて１枚のターゲットとした
分割部を有するＩＴＯスパッタリングターゲット（ＩＴ
Ｏ分割ターゲット）において、前記分割部においてもノ
ジュールの発生しないＩＴＯスパッタリングターゲット
を提供することにある。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明者等はＩＴＯスパ
ッタリングターゲットの分割部におけるノジュールの発
生量を低減させるため、分割部における隣接するＩＴＯ
焼結体同士の間隙（以降、「分割部の間隙」と称す）の
幅および分割部での焼結体のエッジの形状について検討
を実施した結果、用いる焼結体の焼結密度を６．４ｇ／
ｃｍ³以上とするとともに、分割部の間隙の幅及びエッ
ジの形状を制御することにより、分割部でのノジュール
の発生量を低減できることを見いだし、本発明を完成し
た。

【００１０】即ち、本発明は、実質的にインジウム、ス
ズおよび酸素から成るＩＴＯ焼結体を、１枚のバッキン
グプレート上に複数枚並べて配置して形成されるＩＴＯ
分割ターゲットにおいて、個々のＩＴＯ焼結体の密度が
６．４ｇ／ｃｍ³以上であり、分割部の間隙の幅が０．
０５ｍｍ以上０．４ｍｍ以下であるとともに、個々のＩ
ＴＯ焼結体の各エッジ部の内、分割部のスパッタリング
面に存在するエッジ部が、Ｒ１〜Ｒ２に加工されたもの
であることを特徴とするＩＴＯスパッタリングターゲッ
トである。

【００１１】以下、本発明を詳細に説明する。

【００１２】図１は本発明のＩＴＯスパッタリングター
ゲットの一例を示す斜視図であり、図２はそのＩＴＯ焼
結体の長辺及びスパッタリング面に直交する面で切断し
た断面図である。本例は３枚のＩＴＯ焼結体２を１枚の
バッキングプレート１上に並べて配置したＩＴＯ分割タ
ーゲットであり、ターゲットを構成する個々のＩＴＯ焼
結体２同士は、０．０５ｍｍ以上０．４ｍｍ以下の幅の
間隙（分割部の間隙）４を保って、バッキングプレート
１上に並べて配置されている。さらに、図２により明瞭
に示されているように、ＩＴＯ焼結体２同士が対向する
側のＩＴＯ焼結体のエッジ部であって、スパタリング面
に存在するエッジ部３は、半径１〜２ｍｍの丸みを有す
るように、すなわち、Ｒ１〜Ｒ２に加工されている。な
お、ＩＴＯ焼結体２のスパッタリング面に存在する他の
エッジ部については、必ずしも必須ではないが、適当な
丸み加工を施しても良い。

【００１３】本発明における分割ターゲットとは、複数
枚の焼結体を１枚のバッキングプレート上に配置した物
であれば、ターゲットを構成する焼結体の数や形状は特
に限定しない。例えば、図１に示すように等しい大きさ
の３枚の焼結体を用いたものであっても良いし、図３に
示すように３枚の焼結体のサイズが異なるものであって
も良い。さらに、４分割の場合には焼結体を田の字状に
配置したものであってもかまわない。

【００１４】ＩＴＯの焼結体を作製する方法としては、
得られる密度が６．４ｇ／ｃｍ³以上であれば、特に限
定されるものではないが、例えば、以下のような方法で
製造することができる。

【００１５】始めに酸化インジウム粉末と酸化スズ粉末
との混合粉末或いはＩＴＯ粉末等にバインダー等を加
え、プレス法或いは鋳込法等の成形方法により成形して
ＩＴＯ成形体を作製する。この際、使用する粉末の平均
粒径が大きいと焼結後の密度が充分に上がらず、本発明
に必要な密度６．４ｇ／ｃｍ³以上の焼結体を得難くな
ることがあるので、使用する粉末の平均粒径は１．５μ
ｍ以下であることが望ましく、更に好ましくは０．１〜
１．５μｍである。

【００１６】また、混合粉末またはＩＴＯ粉末中の酸化
スズ含有量は、スパッタリング法により薄膜を作製した
際に比抵抗が低下する５〜１５ｗｔ％とすることが望ま
しい。

【００１７】次に得られた成形体に必要に応じて、ＣＩ
Ｐ等の圧密化処理を行う。この際ＣＩＰ圧力は充分な圧
密効果を得るため２ｔｏｎ／ｃｍ²以上、好ましくは２
〜３ｔｏｎ／ｃｍ²であることが望ましい。ここで始め
の成形を鋳込法により行った場合には、ＣＩＰ後の成形
体中に残存する水分およびバインダー等の有機物を除去
する目的で脱バインダー処理を施してもよい。また、始
めの成形をプレス法により行った場合でも、成型時にバ
インダーを使用したときには、同様の脱バインダー処理
を行うことが望ましい。

【００１８】このようにして得られた成形体を焼結炉内
に投入して焼結を行う。焼結方法としては、焼結体の密
度が６．４ｇ／ｃｍ³以上となる焼結方法であればいか
なる方法でも良いが、生産設備のコスト等を考慮すると
大気中焼結が望ましい。しかしこの他ＨＰ法、ＨＩＰ法
および酸素加圧焼結法等の従来知られている他の焼結法
を用いることができることは言うまでもない。また焼結
条件についても焼結体の密度が６．４ｇ／ｃｍ³以上と
なる焼結条件を適宜選択することができるが、充分な密
度上昇効果を得るため、また酸化スズの蒸発を抑制する
ため、焼結温度が１４５０〜１６５０℃であることが望
ましい。また焼結時の雰囲気としては大気或いは純酸素
雰囲気であることが好ましい。また焼結時間についても
充分な密度上昇効果を得るために５時間以上、好ましく
は５〜３０時間であることが望ましい。

【００１９】続いて上記の方法により作製した密度６．
４ｇ／ｃｍ³以上のＩＴＯ焼結体を所望の大きさに研削
加工する。その後、ＩＴＯ焼結体の分割部のスパッタリ
ング面となるエッジ部分に対して、Ｒ１〜Ｒ２の加工を
施す。ここでのＲ加工が、Ｒ２より大きくなると分割部
でのノジュールの発生が顕著となる。また、Ｒ１より小
さい場合には、エッジ部での電界集中により異常放電が
多発するので好ましくない。なお、必要に応じて、ＩＴ
Ｏ焼結体の他のエッジ部にＲ加工を施しても良い。

【００２０】上記ＩＴＯ焼結体は硬度が高く、研削加工
中に焼結体内部にクラックを生じ易いので、加工は湿式
加工で行うことが望ましい。

【００２１】このようにして得られた、複数枚のＩＴＯ
焼結体を１枚のバッキングプレート上にボンディングす
る。本発明に使用されるバッキングプレートおよび金属
接合剤は特に限定されないが、バッキングプレートとし
ては、無酸素銅およびリン酸銅等が、半田材としては、
インジウム半田等があげられる。

【００２２】ボンディングは、次に示す工程で行う。ま
ず、Ｒ加工の施された複数枚のＩＴＯ焼結体とバッキン
グプレートを使用する金属接合剤の融点以上に加熱す
る。

【００２３】次に加熱されたＩＴＯ焼結体およびバッキ
ングプレートの接合面に金属インジウム半田等の金属接
合剤を塗布する。このようにして得られた、金属接合剤
塗布済みのＩＴＯ焼結体とバッキングプレートの接合面
同士を合わせて接合する。この時、Ｒ加工が施されたエ
ッジ部を分割部のスパッタリング面に配置するととも
に、冷却後の分割部の間隙の幅が０．０５ｍｍ以上０．
４ｍｍ以下となるように配置する。分割部の間隙の幅が
０．４ｍｍを越えた場合には、分割部でのノジュール発
生の抑制効果が得難くなる。また、０．０５ｍｍ未満と
すると、真空装置内に設置して実際にスパッタリングし
た場合に、ＩＴＯ焼結体が熱膨張により増大し、隣り合
った焼結体同士がぶつかりあい破損する恐れがあるので
好ましくない。

【００２４】ボンディングのために加熱された状態での
分割部の間隙の幅は、使用するバッキングプレートの材
質、使用する金属接合剤の融点、使用するＩＴＯ焼結体
の大きさおよび最終的なターゲットサイズに合わせて適
宜選択すればよい。

【００２５】例えば、８００ｍｍ×２８０ｍｍのＩＴＯ
焼結体３枚を１枚のバッキングプレート上にボンディン
グして１枚のターゲットとするに際し、バッキングプレ
ートに無酸素銅を使用し、金属接合剤にインジウム半田
を使用した場合には、１５６℃にＩＴＯ焼結体およびバ
ッキングプレートを加熱した状態で分割部の間隙の幅を
０．５３ｍｍとすることにより、冷却後の分割部の間隙
の幅は０．２ｍｍとなる。

【００２６】実際の分割部の間隙の幅のコントロールは
例えば、以下の様にして実施することができる。

【００２７】まず、分割部の間隙（隣接するＩＴＯ焼結
体の側面同士が対向する部分）に厚さ０．５３ｍｍの治
具を挿入し、その状態でバッキングプレートとＩＴＯ焼
結体を接合する。ＩＴＯ焼結体とバッキングプレートの
位置合わせを行い、金属接合材料であるインジウム半田
が固化した後、分割部の間隙に挿入した治具を抜き取
り、室温まで冷却する。

【００２８】分割部の間隙に挿入する治具を形成する材
質は、ボンディング時の温度に耐えられる材質であれば
特に限定されないが、例えば、ステンレス、鉄、真鍮、
カーボン、テフロン、ポリイミド樹脂等があげられる。
テフロン、ポリイミドなどの樹脂は柔らかいため、半田
固化後の治具の抜き取りが容易であり好ましい。

【００２９】また、ボンディングを行う前に、前記研削
加工を施されたＩＴＯ焼結体のスパッタリング面を更に
機械的に研磨し、スパッタリング面の表面粗さが、Ｒａ
≦０．８μｍで、かつ、下記の（１）〜（７）の少なく
とも１つを満たすようにすることが好ましい。

【００３０】（１）Ｒｍａｘ≦７．０μｍ、 （２）Ｒｚ≦６．０μｍ、 （３）Ｒｔ≦６．５μｍ、 （４）Ｒｐ≦２．０μｍ、 （５）θａ≦１０．０゜、 （６）ｔｐ（０−１０％）におけるＣＶ≦０．５μｍ （７）Ｐｃ（＋１．０μｍ）≦２５ こうすることにより、ターゲットの分割部だけでなく表
面に発生するノジュールを効果的に抑制することができ
る。

【００３１】なお、上記のＲａ、Ｒｍａｘ及びＲｚは、
それぞれ、日本工業規格（ＪＩＳＢ０６０１）に規定さ
れた、中心線平均粗さ、最大高さ及び十点平均粗さであ
り、Ｒｔ、Ｒｐ、θａ、ｔｐ（０−１０％）におけるＣ
Ｖ及びＰｃ（＋１．０μｍ）は、それぞれ、特開平８−
６０３５２号公報に記載された、最大粗さ、平均線深
さ、平均傾斜角、ｔｐ（０−１０％）におけるカッティ
ング深さ及び山の合計数である。すなわち、Ｒｔは基準
長さ２．５ｍｍにおいて測定された粗さ曲線を、中心線
に平行な２直線で挟んだ（２本の直線が粗さ曲線の最大
点と最小点にそれぞれ接するようにした）時に得られる
２直線間の間隔として表される最大粗さ、Ｒｐは基準長
さ２．５ｍｍにおいて測定された断面曲線中の最大高さ
を持つ山の頂点から平均線までの距離で表される平均線
深さ、θａは基準長さ２．５ｍｍの粗さ曲線における凹
凸の平均傾斜角、ｔｐ（０−１０％）におけるＣＶは、
基準長さ２．５ｍｍの区間内の断面曲線を平均線に平行
な種々のレベル（高さ）の直線で断面曲線の山側より順
次切断したとき、あるレベルの直線を断面曲線が切り取
る線分の長さの総和の基準長さに対する比が０％のレベ
ル（断面曲線の最高山頂）と１０％となるレベルとの間
の距離、Ｐｃ（＋１．０μｍ）は、基準長さ２．５ｍｍ
において測定された粗さ曲線の中心線に対し上側に１．
０μｍの位置に、中心線に対して平行な１本のピークカ
ウントレベルを設けたとき、中心線と粗さ曲線が交差す
る２点間において、ピークカウントレベルと粗さ曲線が
交差する点が１回以上存在する場合を一山として数え
た、基準長さにおける山の合計数を表す。

【００３２】ＩＴＯ焼結体の研磨方法としては、研磨時
のＩＴＯ焼結体へのダメージの少ない湿式研磨が好まし
い。この際、研磨に使用する材料としてはＳｉＣ砥粒が
塗布された研磨紙或いはアルミナまたはダイヤモンドの
砥粒を含むスラリー等を適宜使用することができる。こ
の時使用する研磨材料の粗さについては特に規定は無い
が、例えば平均粒径６７μｍ以上の砥粒が塗布された研
磨紙のような粗い材料を使用すると所望の表面状態のタ
ーゲットを得られなくなることがあるので注意を要す
る。逆に始めからアルミナスラリー等の細かい研磨材料
を使用すると被研磨面を所望の表面状態にするために必
要な時間が極端に長くなり生産性の点で問題となる。

【００３３】なお、本発明において規定される表面粗さ
を示すパラメーターの下限については特に制限はない
が、研磨に要する時間やコストとの関係から、Ｒａ、Ｒ
ｍａｘ、Ｒｚ、Ｒｔ、Ｒｐ、θａ、ＣＶおよびＰｃ（＋
１．０μｍ）の下限としては、それぞれ０．０３μｍ、
０．４μｍ、０．３μｍ、０．４μｍ、０．１μｍ、
０．４゜、０．１μｍおよび１０程度で充分である。

【００３４】また、１枚のバッキングプレート上に並べ
て配置される各ＩＴＯ焼結体間の密度のばらつきは±２
％以内であることが望ましい。そうすることにより、基
板上に形成された薄膜の膜厚分布が向上するからであ
る。さらに、各ＩＴＯ焼結体の組織（例えば、粒径、ス
ズの分散性等）も各ＩＴＯ焼結体間でばらつきが小さい
ことが望ましい。こうすることにより、基板上に形成さ
れるＩＴＯ薄膜の膜質（抵抗率、透過率）分布が向上す
るからである。

【００３５】

【実施例】以下、本発明を実施例をもって更に詳細に説
明するが、本発明はこれらに限定されるものではない。

【００３６】実施例１ 平均粒径１．３μｍの酸化インジウム粉末と平均粒径
０．７μｍの酸化スズ粉末をボールミル用ポットに入
れ、これに直径１０ｍｍのナイロンボールを加え、５時
間乾式ボールミル混合して混合粉末を作製した。次に得
られた混合粉末を水、分散材およびバインダーとともに
混合してスラリー化し、これを鋳込用の樹脂型の中へ注
入して１３０ｍｍ×８０ｍｍ×１０ｍｍの成形体３枚を
作製した。次に、これら成形体を乾燥炉内に設置し乾燥
処理を施した。その後これらの成形体を３ｔｏｎ／ｃｍ
²の圧力でＣＩＰ処理した。次にこれら成形体を脱脂炉
に設置し、大気雰囲気中で４５０℃で１０時間加熱して
成形体に残存する有機物を除去した。次に、これら成形
体を大気焼結炉内に設置して以下の条件で焼結を実施し
た。

【００３７】 焼結温度：１４５０℃ 昇温速度：２５℃／Ｈｒ 焼結時間：１５時間 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところ全て６．４５ｇ／ｃｍ³であった。次にこの焼結
体を１００ｍｍ×５８ｍｍ×６ｍｍに加工するとともに
スパッタリング面に相当するエッジ部にＲ１加工を施し
た。次に、この加工済みの焼結体のスパッタリング面を
研磨機を用いて研磨した。研磨済みのスパッタリング面
の表面粗さを測定したところ、それぞれ 焼結体１ Ｒａ：０．４μｍ、Ｒｍａｘ：４．８μｍ、
Ｒｚ：３．８μｍ、Ｒｔ：４．５μｍ、Ｒｐ：０．６μ
ｍ、θａ：２．９゜、ＣＶ：０．２μｍ、Ｐｃ（＋１．
０μｍ）：１８ 焼結体２ Ｒａ：０．４μｍ、Ｒｍａｘ：４．７μｍ、
Ｒｚ：３．７μｍ、Ｒｔ：４．５μｍ、Ｒｐ：０．５μ
ｍ、θａ：２．９゜、ＣＶ：０．２μｍ、Ｐｃ（＋１．
０μｍ）：１７ 焼結体３ Ｒａ：０．４μｍ、Ｒｍａｘ：４．７μｍ、
Ｒｚ：３．６μｍ、Ｒｔ：４．４μｍ、Ｒｐ：０．６μ
ｍ、θａ：２．９゜、ＣＶ：０．２μｍ、Ｐｃ（＋１．
０μｍ）：１７ であった。このようにして得られた、焼結体とバッキン
グプレートを１５６℃まで加熱した後、それぞれの接合
面にインジウム半田を塗布した。次に、これら焼結体を
その接合部の間隙の幅（分割部の間隙の幅）が０．１１
ｍｍになるように配置した後、室温まで冷却してターゲ
ットとした。冷却後の分割部の間隙の幅は、０．１ｍｍ
であった。

【００３８】得られたターゲットを、真空装置内に設置
し、以下の条件でスパッタリングを実施した。

【００３９】 ＤＣ電力 ：２．６Ｗ／ｃｍ² スパッタガス：Ａｒ＋Ｏ₂ ガス圧 ：５ｍＴｏｒｒ Ｏ₂／Ａｒ ：０．２％ 以上の条件により連続的にスパッタリング試験を３０時
間実施したところ、ノジュールはターゲット表面におい
ても分割部においても発生しなかった。

【００４０】実施例２ 平均粒径１．３μｍの酸化インジウム粉末と平均粒径
０．７μｍの酸化スズ粉末をボールミル用ポットに入
れ、これに直径１０ｍｍのナイロンボールを加え、５時
間乾式ボールミル混合して混合粉末を作製した。次に得
られた混合粉末を水、分散材およびバインダーとともに
混合してスラリー化し、これを鋳込用の樹脂型の中へ注
入して１６５ｍｍ×３００ｍｍ×１０ｍｍの成形体２枚
を作製した。次に、これら成形体を乾燥炉内に設置し乾
燥処理を施した。その後これらの成形体を３ｔｏｎ／ｃ
ｍ²の圧力でＣＩＰ処理した。次にこれら成形体を脱脂
炉に設置し、大気雰囲気中で４５０℃で１０時間加熱し
て成形体に残存する有機物を除去した。次に、これら成
形体を大気焼結炉内に設置して以下の条件で焼結を実施
した。

【００４１】 焼結温度：１４５０℃ 昇温速度：２５℃／Ｈｒ 焼結時間：１５時間 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところその密度は、それぞれ６．４５および６．４６ｇ
／ｃｍ³であった。次にこれら焼結体を１２７ｍｍ×２
２８．５ｍｍ×６ｍｍの焼結体に加工するとともにスパ
ッタリング面に相当するエッジ部にＲ２加工を施した。
次に、この加工済みの焼結体のスパッタリング面を研磨
機を用いて実施例１と同様の条件で研磨した。このよう
にして得られた、焼結体とバッキングプレートを１５６
℃まで加熱した後、それぞれの接合面にインジウム半田
を塗布した。次に、これら焼結体を分割部の間隙の幅が
０．６３ｍｍになるように配置した後、室温まで冷却し
てターゲットとした。冷却後の分割部の間隙の幅は、
０．４ｍｍであった。

【００４２】得られたターゲットを、真空装置内に設置
し、以下の条件でスパッタリングを実施した。

【００４３】 ＤＣ電力 ：２．６Ｗ／ｃｍ² スパッタガス：Ａｒ＋Ｏ_２ ガス圧 ：５ｍＴｏｒｒ Ｏ_２／Ａｒ ：０．２％ 以上の条件により連続的にスパッタリング試験を３０時
間実施したところ、ノジュールはターゲット表面におい
ても分割部においても発生しなかった。

【００４４】実施例３ 平均粒径１．３μｍの酸化インジウム粉末と平均粒径
０．７μｍの酸化スズ粉末をボールミル用ポットに入
れ、これに直径１０ｍｍのナイロンボールを加え、５時
間乾式ボールミル混合して混合粉末を作製した。次に得
られた混合粉末を水、分散材およびバインダーとともに
混合してスラリー化し、これを鋳込用の樹脂型の中へ注
入して１６５ｍｍ×３００ｍｍ×１０ｍｍの成形体２枚
を作製した。次に、これら成形体を乾燥炉内に設置し乾
燥処理を施した。その後これらの成形体を３ｔｏｎ／ｃ
ｍ²の圧力でＣＩＰ処理した。次にこれら成形体を脱脂
炉に設置し、大気雰囲気中で４５０℃で１０時間加熱し
て成形体に残存する有機物を除去した。次に、これら成
形体を大気焼結炉内に設置して以下の条件で焼結を実施
した。

【００４５】 焼結温度：１４５０℃ 昇温速度：２５℃／Ｈｒ 焼結時間：１５時間 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところその密度は、それぞれ６．４５、６．４６ｇ／ｃ
ｍ³であった。次にこれら焼結体を１２７ｍｍ×２２
８．５ｍｍ×６ｍｍの焼結体に加工するとともにスパッ
タリング面に相当するエッジ部にＲ１加工を施した。次
に、この加工済みの焼結体のスパッタリング面を研磨機
を用いて実施例１と同様の条件で研磨した。このように
して得られた、焼結体とバッキングプレートを１５６℃
まで加熱した後、それぞれの接合面にインジウム半田を
塗布した。次に、これら焼結体を分割部の間隙の幅が
０．４３ｍｍになるように配置した後、室温まで冷却し
てターゲットとした。冷却後の分割部の間隙の幅は、
０．２ｍｍであった。

【００４６】得られたターゲットを、真空装置内に設置
し、以下の条件でスパッタリングを実施した。

【００４７】 ＤＣ電力 ：２．６Ｗ／ｃｍ² スパッタガス：Ａｒ＋Ｏ₂ ガス圧 ：５ｍＴｏｒｒ Ｏ₂／Ａｒ ：０．２％ 以上の条件により連続的にスパッタリング試験を３０時
間実施したところ、ノジュールはターゲット表面におい
ても分割部においても発生しなかった。

【００４８】比較例１ 平均粒径１．３μｍの酸化インジウム粉末と平均粒径
０．７μｍの酸化スズ粉末をボールミル用ポットに入
れ、これに直径１０ｍｍのナイロンボールを加え、５時
間乾式ボールミル混合して混合粉末を作製した。次に得
られた混合粉末を水、分散材およびバインダーとともに
混合してスラリー化し、これを鋳込用の樹脂型の中へ注
入して１６５ｍｍ×３００ｍｍ×１０ｍｍの成形体３枚
を作製した。次に、これら成形体を乾燥炉内に設置し乾
燥処理を施した。その後これらの成形体を３ｔｏｎ／ｃ
ｍ²の圧力でＣＩＰ処理した。次にこれら成形体を脱脂
炉に設置し、大気雰囲気中で４５０℃で１０時間加熱し
て成形体に残存する有機物を除去した。次に、これら成
形体を大気焼結炉内に設置して以下の条件で焼結を実施
した。

【００４９】 焼結温度：１４５０℃ 昇温速度：２５℃／Ｈｒ 焼結時間：１５時間 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところその密度は、それぞれ６．４５、６．４５、６．
４６ｇ／ｃｍ³であった。次にこれら焼結体を１２７ｍ
ｍ×２２８．５ｍｍ×６ｍｍの焼結体に加工するととも
にスパッタリング面に相当するエッジ部にＲ２加工を施
した。次に、この加工済みの焼結体のスパッタリング面
を研磨機を用いて実施例１と同様の条件で研磨した。こ
のようにして得られた、焼結体とバッキングプレートを
１５６℃まで加熱した後、それぞれの接合面にインジウ
ム半田を塗布した。次に、これら焼結体を分割部の間隙
の幅が０．８３ｍｍになるように配置した後、室温まで
冷却してターゲットとした。冷却後の分割部の間隙の幅
は、０．６ｍｍであった。

【００５０】得られたターゲットを、真空装置内に設置
し、以下の条件でスパッタリングを実施した。

【００５１】 ＤＣ電力 ：２．６Ｗ／ｃｍ² スパッタガス：Ａｒ＋Ｏ₂ ガス圧 ：５ｍＴｏｒｒ Ｏ₂／Ａｒ ：０．２％ 以上の条件により連続的にスパッタリング試験を３０時
間実施したところ、分割部にノジュールが発生した。

【００５２】比較例２ 平均粒径１．３μｍの酸化インジウム粉末と平均粒径
０．７μｍの酸化スズ粉末をボールミル用ポットに入
れ、これに直径１０ｍｍのナイロンボールを加え、５時
間乾式ボールミル混合して混合粉末を作製した。次に得
られた混合粉末を水、分散材およびバインダーとともに
混合してスラリー化し、これを鋳込用の樹脂型の中へ注
入して１６５ｍｍ×３００ｍｍ×１０ｍｍの成形体２枚
を作製した。次に、これら成形体を乾燥炉内に設置し乾
燥処理を施した。その後これらの成形体を３ｔｏｎ／ｃ
ｍ²の圧力でＣＩＰ処理した。次にこれら成形体を脱脂
炉に設置し、大気雰囲気中で４５０℃で１０時間加熱し
て成形体に残存する有機物を除去した。次に、これら成
形体を大気焼結炉内に設置して以下の条件で焼結を実施
した。

【００５３】 焼結温度：１４５０℃ 昇温速度：２５℃／Ｈｒ 焼結時間：１５時間 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところその密度は、それぞれ６．４５、６．４７ｇ／ｃ
ｍ³であった。次にこれら焼結体を１２７ｍｍ×２２
８．５ｍｍ×６ｍｍの焼結体に加工するとともにスパッ
タリング面に相当するエッジ部にＲ３加工を施した。次
に、この加工済みの焼結体のスパッタリング面を研磨機
を用いて実施例１と同様の条件で研磨した。このように
して得られた、焼結体とバッキングプレートを１５６℃
まで加熱した後、それぞれの接合面にインジウム半田を
塗布した。次に、これら焼結体を分割部の間隙の幅が
０．４３ｍｍになるように配置した後、室温まで冷却し
てターゲットとした。冷却後の分割部の間隙の幅は、
０．２ｍｍであった。

【００５４】得られたターゲットを、真空装置内に設置
し、以下の条件でスパッタリングを実施した。

【００５５】 ＤＣ電力 ：２．６Ｗ／ｃｍ² スパッタガス：Ａｒ＋Ｏ₂ ガス圧 ：５ｍＴｏｒｒ Ｏ₂／Ａｒ ：０．２％ 以上の条件により連続的にスパッタリング試験を３０時
間実施したところ、分割部においてノジュールが発生し
た。

【００５６】比較例３ 平均粒径１．３μｍの酸化インジウム粉末と平均粒径
０．７μｍの酸化スズ粉末をボールミル用ポットに入
れ、これに直径１０ｍｍのナイロンボールを加え、５時
間乾式ボールミル混合して混合粉末を作製した。次に得
られた混合粉末を水、分散材およびバインダーとともに
混合してスラリー化し、これを鋳込用の樹脂型の中へ注
入して１３０ｍｍ×８０ｍｍ×１０ｍｍの成形体３枚を
作製した。次に、これら成形体を乾燥炉内に設置し乾燥
処理を施した。その後これらの成形体を３ｔｏｎ／ｃｍ
²の圧力でＣＩＰ処理した。次にこれら成形体を脱脂炉
に設置し、大気雰囲気中で４５０℃で１０時間加熱して
成形体に残存する有機物を除去した。次に、これら成形
体を大気焼結炉内に設置して以下の条件で焼結を実施し
た。

【００５７】 焼結温度：１４５０℃ 昇温速度：２５℃／Ｈｒ 焼結時間：１５時間 得られた焼結体の密度をアルキメデス法により測定した
ところ全て６．４５ｇ／ｃｍ³であった。次にこの焼結
体を１００ｍｍ×５８ｍｍ×６ｍｍに加工するとともに
スパッタリング面に相当するエッジ部にＲ３加工を施し
た。次に、この加工済みの焼結体のスパッタリング面を
研磨機を用いて研磨した。研磨済みのスパッタリング面
の表面粗さを測定したところ、それぞれ 焼結体１ Ｒａ：１．４μｍ、Ｒｍａｘ：１７．１μ
ｍ、Ｒｚ：１６．２μｍ、Ｒｔ：１６．７μｍ、Ｒｐ：
３．０μｍ、θａ：１４．１゜、ＣＶ：１．５μｍ、Ｐ
ｃ（＋１．０μｍ）：９５ 焼結体２ Ｒａ：１．５μｍ、Ｒｍａｘ：１７．８μ
ｍ、Ｒｚ：１６．７μｍ、Ｒｔ：１７．０μｍ、Ｒｐ：
３．２μｍ、θａ：１４．３゜、ＣＶ：１．６μｍ、Ｐ
ｃ（＋１．０μｍ）：９９ 焼結体３ Ｒａ：１．４μｍ、Ｒｍａｘ：１７．０μ
ｍ、Ｒｚ：１６．０μｍ、Ｒｔ：１６．１μｍ、Ｒｐ：
３．０μｍ、θａ：１３．８゜、ＣＶ：１．５μｍ、Ｐ
ｃ（＋１．０μｍ）：９３ であった。このようにして得られた、焼結体とバッキン
グプレートを１５６℃まで加熱した後、それぞれの接合
面にインジウム半田を塗布した。次に、これら焼結体を
分割部の間隙の幅が０．１１ｍｍになるように配置した
後、室温まで冷却してターゲットとした。冷却後の分割
部の間隙の幅は、０．１ｍｍであった。

【００５８】得られたターゲットを、真空装置内に設置
し、以下の条件でスパッタリングを実施した。

【００５９】 ＤＣ電力 ：２．６Ｗ／ｃｍ² スパッタガス：Ａｒ＋Ｏ₂ ガス圧 ：５ｍＴｏｒｒ Ｏ₂／Ａｒ ：０．２％ 以上の条件により連続的にスパッタリング試験を３０時
間実施したところ、ターゲットの表面においても分割部
においてもノジュールが多量に発生した。

【００６０】なお、表面粗さ測定方法の内、Ｒａ、Ｒｍ
ａｘおよびＲｚについては、日本工業規格（ＪＩＳ Ｂ
０６０１）に規定されており、本発明においてもこれに
準拠して測定を実施した。以下に本発明において実施し
た測定条件を示す。

【００６１】 Ｒａ カットオフ値：０．８ｍｍ 測定長さ ：２．５ｍｍ 測定加重 ：２０ｍｇ 触針径 ：０．１μｍ 送り早さ ：１００μｍ／ｓｅｃ． Ｒｍａｘ 測定長さ ：０．２５ｍｍ（Ｒｍａｘ≦０．８μｍ） ０．８ｍｍ（０．８μｍ＜Ｒｍａｘ≦６．３μｍ） ２．５ｍｍ（６．３μｍ＜Ｒｍａｘ≦２５μｍ） 測定加重 ：２０ｍｇ 触針径 ：０．１μｍ 送り早さ ：１００μｍ／ｓｅｃ． Ｒｚ 測定長さ ：０．２５ｍｍ（Ｒｚ≦０．８μｍ） ０．８ｍｍ（０．８μｍ＜Ｒｚ≦６．３μｍ） ２．５ｍｍ（６．３μｍ＜Ｒｚ≦２５μｍ） 測定加重 ：２０ｍｇ 触針径 ：０．１μｍ 送り早さ ：１００μｍ／ｓｅｃ． Ｒｔ カットオフ値：０．８ｍｍ 測定長さ ：２．５ｍｍ 測定加重 ：２０ｍｇ 触針径 ：０．１μｍ 送り早さ ：１００μｍ／ｓｅｃ． Ｒｐ 測定長さ ：２．５ｍｍ 測定加重 ：２０ｍｇ 触針径 ：０．１μｍ 送り早さ ：１００μｍ／ｓｅｃ． θａ カットオフ値：０．８ｍｍ 測定長さ ：２．５ｍｍ 測定加重 ：２０ｍｇ 触針径 ：０．１μｍ 送り早さ ：１００μｍ／ｓｅｃ． ＣＶ 測定長さ ：２．５ｍｍ 測定加重 ：２０ｍｇ 触針径 ：０．１μｍ 送り早さ ：１００μｍ／ｓｅｃ． Ｐｃ（＋１．０μｍ） カットオフ値：０．８ｍｍ 測定長さ ：２．５ｍｍ 測定加重 ：２０ｍｇ 触針径 ：０．１μｍ 送り早さ ：１００μｍ／ｓｅｃ．

【００６２】

【発明の効果】本発明の方法により製造されるＩＴＯ焼
結体は、分割部においてもノジュールの発生量が少ない
ので、大型のターゲットを分割ターゲトとして、歩留ま
り良く安価に製造することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明のＩＴＯ分割ターゲットの形状の一例を
示す斜視図である。

【図２】本発明のＩＴＯ分割ターゲトの断面形状の一例
を示す断面図である。

【図３】本発明のＩＴＯ分割ターゲットの形状の他の例
を示す斜視図である。

【符号の説明】

１ バッキングプレート ２ ＩＴＯ焼結体 ３ Ｒ加工を施したエッジ部 ４ 分割部の間隙

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 実質的にインジウム、スズおよび酸素か
   ら成るＩＴＯ焼結体を、１枚のバッキングプレート上に
   複数枚並べて配置して形成されるＩＴＯ分割ターゲット
   において、並べて配置される個々のＩＴＯ焼結体の密度
   が６．４ｇ／ｃｍ³以上であり、分割部の間隙の幅が
   ０．０５ｍｍ以上０．４ｍｍ以下であるとともに、前記
   個々のＩＴＯ焼結体の各エッジ部の内、分割部のスパッ
   タリング面に存在するエッジ部が、Ｒ１〜Ｒ２に加工さ
   れたものであることを特徴とするＩＴＯスパッタリング
   ターゲット。
2. 【請求項２】 並べて配置されるＩＴＯ焼結体のスパッ
   タリング面の表面粗さが、中心線平均粗さ（以下Ｒａと
   略記）が０．８μｍ以下で、かつ、以下の（１）〜
   （７）の少なくとも一つの条件を満たすことを特徴とす
   る請求項１に記載のＩＴＯスパッタリングターゲット。 （１）最大高さ（以下Ｒｍａｘと略記）が７．０μｍ以
   下、 （２）十点平均粗さ（以下Ｒｚと略記）が６．０μｍ以
   下、 （３）基準長さ２．５ｍｍにおいて測定された粗さ曲線
   を中心線に平行な２直線で挟んだ時に得られる２直線間
   の間隔として表される最大粗さ（以下Ｒｔと略記）が
   ６．５μｍ以下、 （４）基準長さ２．５ｍｍにおいて測定された断面曲線
   中の最大高さを持つ山と平均線までの距離で表される平
   均線深さ（以下Ｒｐと略記）が２．０μｍ以下、 （５）基準長さ２．５ｍｍの粗さ曲線における凹凸の平
   均傾斜角（以下θａと略記）が１０．０゜以下、 （６）基準長さ２．５ｍｍにおいて、ｔｐ（０−１０
   ％）におけるカッティング深さ（以下ＣＶと略記）が
   ０．５μｍ以下、 （但し、ｔｐ（０−１０％）におけるＣＶとは、基準長
   さ区間内の断面曲線を平均線に平行なレベルの直線で断
   面曲線の山側より順次切断したとき、その直線を断面曲
   線が切り取る線分の長さの総和の基準長さに対する比が
   ０％のレベル（断面曲線の最高山頂）と１０％となるレ
   ベルの間の距離を示す） （７）基準長さ２．５ｍｍにおいて、 Ｐｃ（＋１．０μｍ）≦２５ （但し、Ｐｃ（＋１．０μｍ）とは、粗さ曲線の中心線
   に対し上側に１．０μｍの位置に、中心線に対して平行
   な１本のピークカウントレベルを設けたとき、中心線と
   粗さ曲線が交差する２点間において、ピークカウントレ
   ベルと粗さ曲線が交差する点が１回以上存在する場合一
   山とし、基準長さにおける山の合計数を表す。