JPH1164893A - 液晶表示パネルおよびその駆動方法 - Google Patents
液晶表示パネルおよびその駆動方法Info
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- JPH1164893A JPH1164893A JP15279198A JP15279198A JPH1164893A JP H1164893 A JPH1164893 A JP H1164893A JP 15279198 A JP15279198 A JP 15279198A JP 15279198 A JP15279198 A JP 15279198A JP H1164893 A JPH1164893 A JP H1164893A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 走査信号を出力する出力ＩＣの出力振幅を抑
え、低電圧なプロセスの使用によりＩＣコストを大幅に
低減し、走査電極の負荷容量を低減し、開口率を向上す
ることのできる液晶表示パネルを実現する。 【解決手段】 補助容量５を介して画素電極３の電位Ｖ
ｄを変調するための変調信号Ｖｆを印加する変調電極８
を、走査電極７とは別に設ける。これにより、出力ＩＣ
から出力される走査信号Ｖｇの振幅が大幅に低減され、
かつ２値のレベル出力となり、ＩＣチップ面積を大幅に
縮小することができるので、ＩＣコストを大きく低減す
ることができる。また、画素電極３と走査電極７との間
に補助容量５を形成しないため、走査電極７の負荷容量
を低減し、走査電極７の幅を細くでき、開口率を大幅に
向上することができる。
え、低電圧なプロセスの使用によりＩＣコストを大幅に
低減し、走査電極の負荷容量を低減し、開口率を向上す
ることのできる液晶表示パネルを実現する。 【解決手段】 補助容量５を介して画素電極３の電位Ｖ
ｄを変調するための変調信号Ｖｆを印加する変調電極８
を、走査電極７とは別に設ける。これにより、出力ＩＣ
から出力される走査信号Ｖｇの振幅が大幅に低減され、
かつ２値のレベル出力となり、ＩＣチップ面積を大幅に
縮小することができるので、ＩＣコストを大きく低減す
ることができる。また、画素電極３と走査電極７との間
に補助容量５を形成しないため、走査電極７の負荷容量
を低減し、走査電極７の幅を細くでき、開口率を大幅に
向上することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ＴＦＴ（薄膜ト
ランジスタ）アレイを駆動し、ＯＡ画像や映像を表示す
る液晶表示パネルおよびその駆動方法に関するものであ
る。
ランジスタ）アレイを駆動し、ＯＡ画像や映像を表示す
る液晶表示パネルおよびその駆動方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の液晶表示パネルには、例えば特開
平２−９１３号公報に示されたものがある。図８はこの
従来の液晶表示パネルの構成を示す回路図である。図８
において、１は画素、２はＴＦＴ、３はＴＦＴ２のドレ
イン電極と接続した画素電極、４は対向電極６と画素電
極３間に形成される液晶容量、５は液晶容量４の保持特
性を補助する補助容量、７はＴＦＴ２のゲート電極と接
続されＴＦＴ２のオンオフを制御するための走査信号を
供給する走査電極、９はＴＦＴ２のソース電極と接続さ
れＴＦＴ２を介して画素電極３に画像信号を供給する信
号電極を示している。
平２−９１３号公報に示されたものがある。図８はこの
従来の液晶表示パネルの構成を示す回路図である。図８
において、１は画素、２はＴＦＴ、３はＴＦＴ２のドレ
イン電極と接続した画素電極、４は対向電極６と画素電
極３間に形成される液晶容量、５は液晶容量４の保持特
性を補助する補助容量、７はＴＦＴ２のゲート電極と接
続されＴＦＴ２のオンオフを制御するための走査信号を
供給する走査電極、９はＴＦＴ２のソース電極と接続さ
れＴＦＴ２を介して画素電極３に画像信号を供給する信
号電極を示している。
【０００３】図９はこの従来の液晶表示パネルの画素
（ｉ，ｊ）におけるＴＦＴ２がオフ時の等価回路図であ
る。図９において、ＣｇｄはＴＦＴ２のゲート電極とド
レイン電極の間のゲート・ドレイン間容量、Ｃｓｄ1 ，
Ｃｓｄ2 は信号電極９と画素電極３との間の信号電極・
画素電極間容量を示している。図１０はこの従来の液晶
表示パネルの信号波形図であり、（ａ）は画素（ｉ，
ｊ）における信号波形図、（ｂ）は画素（ｉ＋１，ｊ）
における信号波形図、（ｃ）は画素（ｉ＋２，ｊ）にお
ける信号波形図を示している。図１０において、１Ｈは
水平走査期間、１Ｖは垂直走査期間、Ｖｃは対向電極６
に印加する対向信号、Ｖｇは走査電極７に印加しＴＦＴ
２のゲート電極へ与える走査信号、Ｖｓは信号電極９に
印加しＴＦＴ２のソース電極へ与える画像信号、Ｖｄは
ＴＦＴ２のドレイン電極に接続した画素電極３の電位、
Ｖｇｅ＋はプラスの変調電圧、Ｖｇｅ−はマイナスの変
調電圧を示している。この従来例では、プラスの変調電
圧Ｖｇｅ＋の大きさは３Ｖ（＝１９Ｖ−１６Ｖ）、マイ
ナスの変調電圧Ｖｇｅ−の大きさは１１Ｖ（＝１６Ｖ−
５Ｖ）である。
（ｉ，ｊ）におけるＴＦＴ２がオフ時の等価回路図であ
る。図９において、ＣｇｄはＴＦＴ２のゲート電極とド
レイン電極の間のゲート・ドレイン間容量、Ｃｓｄ1 ，
Ｃｓｄ2 は信号電極９と画素電極３との間の信号電極・
画素電極間容量を示している。図１０はこの従来の液晶
表示パネルの信号波形図であり、（ａ）は画素（ｉ，
ｊ）における信号波形図、（ｂ）は画素（ｉ＋１，ｊ）
における信号波形図、（ｃ）は画素（ｉ＋２，ｊ）にお
ける信号波形図を示している。図１０において、１Ｈは
水平走査期間、１Ｖは垂直走査期間、Ｖｃは対向電極６
に印加する対向信号、Ｖｇは走査電極７に印加しＴＦＴ
２のゲート電極へ与える走査信号、Ｖｓは信号電極９に
印加しＴＦＴ２のソース電極へ与える画像信号、Ｖｄは
ＴＦＴ２のドレイン電極に接続した画素電極３の電位、
Ｖｇｅ＋はプラスの変調電圧、Ｖｇｅ−はマイナスの変
調電圧を示している。この従来例では、プラスの変調電
圧Ｖｇｅ＋の大きさは３Ｖ（＝１９Ｖ−１６Ｖ）、マイ
ナスの変調電圧Ｖｇｅ−の大きさは１１Ｖ（＝１６Ｖ−
５Ｖ）である。
【０００４】以上のように構成された従来の液晶表示パ
ネルにおいて、以下その動作を説明する。画素（ｉ，
ｊ）において、走査信号Ｖｇ（ｉ＋１）が１Ｈ期間オン
すると、液晶容量４および補助容量５の一方の電極とな
る画素電極３に画像信号Ｖｓ（ｊ）が供給され一定の電
圧に達する。そして走査信号Ｖｇ（ｉ＋１）がオフにな
るとその電圧を１Ｖ期間保持しようとするが、補助容量
５が前段の走査電極７に接続されているため、走査信号
Ｖｇ（ｉ）がプラスの変調電圧Ｖｇｅ＋やマイナスの変
調電圧Ｖｇｅ−に変化すると、画素電極３の電位Ｖｄ
（ｉ，ｊ）もそれに応じて変化する。こうして画像信号
Ｖｓ（ｊ）とともに実効電圧が液晶容量４に印加され
る。同様のことが画素（ｉ＋１，ｊ）や画素（ｉ＋２，
ｊ）等でも行われ、画面全体で画像が表示される。
ネルにおいて、以下その動作を説明する。画素（ｉ，
ｊ）において、走査信号Ｖｇ（ｉ＋１）が１Ｈ期間オン
すると、液晶容量４および補助容量５の一方の電極とな
る画素電極３に画像信号Ｖｓ（ｊ）が供給され一定の電
圧に達する。そして走査信号Ｖｇ（ｉ＋１）がオフにな
るとその電圧を１Ｖ期間保持しようとするが、補助容量
５が前段の走査電極７に接続されているため、走査信号
Ｖｇ（ｉ）がプラスの変調電圧Ｖｇｅ＋やマイナスの変
調電圧Ｖｇｅ−に変化すると、画素電極３の電位Ｖｄ
（ｉ，ｊ）もそれに応じて変化する。こうして画像信号
Ｖｓ（ｊ）とともに実効電圧が液晶容量４に印加され
る。同様のことが画素（ｉ＋１，ｊ）や画素（ｉ＋２，
ｊ）等でも行われ、画面全体で画像が表示される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記従来
の構成では、図１０に示すように、走査信号Ｖｇにプラ
スの変調電圧Ｖｇｅ＋とマイナスの変調電圧Ｖｇｅ−を
重畳させなければならず、しかもこの変調電圧は１０数
Ｖの振幅が必要であり、走査電極７に約３８Ｖまでの走
査信号Ｖｇを出力する出力ＩＣは非常に高耐圧なプロセ
スで、かつ、４値のレベル出力が必要となり、チップ面
積が大きくなり、ＩＣコストが非常に高くなるという課
題を有していた。
の構成では、図１０に示すように、走査信号Ｖｇにプラ
スの変調電圧Ｖｇｅ＋とマイナスの変調電圧Ｖｇｅ−を
重畳させなければならず、しかもこの変調電圧は１０数
Ｖの振幅が必要であり、走査電極７に約３８Ｖまでの走
査信号Ｖｇを出力する出力ＩＣは非常に高耐圧なプロセ
スで、かつ、４値のレベル出力が必要となり、チップ面
積が大きくなり、ＩＣコストが非常に高くなるという課
題を有していた。
【０００６】また、図１１に示すように、画素電極３と
走査電極７との間に補助容量５を形成するため、走査電
極７の負荷容量が大きくなり、しかも補助容量５を形成
する上で走査電極７の幅をあまり狭くできないため開口
率が犠牲となり、また液晶パネルが大画面・高密度にな
るほど出力ＩＣの負担が大きくなり、画面左右での負荷
容量の差により表示品質の低下も招くという課題をも有
していた。
走査電極７との間に補助容量５を形成するため、走査電
極７の負荷容量が大きくなり、しかも補助容量５を形成
する上で走査電極７の幅をあまり狭くできないため開口
率が犠牲となり、また液晶パネルが大画面・高密度にな
るほど出力ＩＣの負担が大きくなり、画面左右での負荷
容量の差により表示品質の低下も招くという課題をも有
していた。
【０００７】また、同一行の画素では同極性の画像信号
Ｖｓが与えられるとともに、１Ｈ期間毎に異なる極性の
画像信号Ｖｓが与えられるため、画像信号Ｖｓの極性が
変化する度に信号電極・画素電極間容量Ｃｓｄ1 ，Ｃｓ
ｄ2 を介して画素電極３の電位Ｖｄが振られ、結果的に
クロストークが発生し、表示品質を著しく低下させると
いう課題をも有していた。
Ｖｓが与えられるとともに、１Ｈ期間毎に異なる極性の
画像信号Ｖｓが与えられるため、画像信号Ｖｓの極性が
変化する度に信号電極・画素電極間容量Ｃｓｄ1 ，Ｃｓ
ｄ2 を介して画素電極３の電位Ｖｄが振られ、結果的に
クロストークが発生し、表示品質を著しく低下させると
いう課題をも有していた。
【０００８】この発明の目的は、走査信号を出力する出
力ＩＣの出力振幅を抑え、低電圧なプロセスの使用によ
りＩＣコストを大幅に低減することのでき、また走査電
極の負荷容量を低減することができ、さらには開口率を
向上することのできる液晶表示パネルおよびその駆動方
法を提供することである。さらに、この発明の他の目的
は、上記目的に加え、クロストークの無い高品質な画像
表示を実現することのできる液晶表示パネルおよびその
駆動方法を提供することである。
力ＩＣの出力振幅を抑え、低電圧なプロセスの使用によ
りＩＣコストを大幅に低減することのでき、また走査電
極の負荷容量を低減することができ、さらには開口率を
向上することのできる液晶表示パネルおよびその駆動方
法を提供することである。さらに、この発明の他の目的
は、上記目的に加え、クロストークの無い高品質な画像
表示を実現することのできる液晶表示パネルおよびその
駆動方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１記載の液晶表示
パネルは、透光性基板上に複数の画素電極をｍ行ｎ列に
配置し、複数の画素電極の間にｍ行の走査電極とｎ列の
信号電極とを直交配置し、ゲート電極を第ｉ行（ｉは１
〜ｍの整数）の走査電極と接続しソース電極を第ｊ列
（ｊは１〜ｎの整数）の信号電極と接続しドレイン電極
を第ｉ行第ｊ列の画素電極と接続した薄膜トランジスタ
を走査電極と信号電極との各交差点に配置し、液晶を介
して画素電極と対向する対向電極を配置した液晶表示パ
ネルであって、第ｉ行全列の画素電極との間に補助容量
を形成する第ｉ行の変調電極を設けたことを特徴とす
る。
パネルは、透光性基板上に複数の画素電極をｍ行ｎ列に
配置し、複数の画素電極の間にｍ行の走査電極とｎ列の
信号電極とを直交配置し、ゲート電極を第ｉ行（ｉは１
〜ｍの整数）の走査電極と接続しソース電極を第ｊ列
（ｊは１〜ｎの整数）の信号電極と接続しドレイン電極
を第ｉ行第ｊ列の画素電極と接続した薄膜トランジスタ
を走査電極と信号電極との各交差点に配置し、液晶を介
して画素電極と対向する対向電極を配置した液晶表示パ
ネルであって、第ｉ行全列の画素電極との間に補助容量
を形成する第ｉ行の変調電極を設けたことを特徴とす
る。
【００１０】この構成によれば、各画素電極との間に補
助容量を形成する変調電極を走査電極とは独立して設け
たことにより、走査電極に印加するために出力ＩＣから
出力される走査信号の振幅が大幅に低減され、かつ２値
のレベル出力となり、ＩＣチップ面積を大幅に縮小する
ことができるので、ＩＣコストを大きく低減することが
できる。また、従来のように画素電極と走査電極との間
に補助容量を形成しないことにより、走査電極の負荷容
量を低減できる。
助容量を形成する変調電極を走査電極とは独立して設け
たことにより、走査電極に印加するために出力ＩＣから
出力される走査信号の振幅が大幅に低減され、かつ２値
のレベル出力となり、ＩＣチップ面積を大幅に縮小する
ことができるので、ＩＣコストを大きく低減することが
できる。また、従来のように画素電極と走査電極との間
に補助容量を形成しないことにより、走査電極の負荷容
量を低減できる。
【００１１】請求項２記載の液晶表示パネルは、請求項
１記載の液晶表示パネルにおいて、第ｉ行の変調電極は
透光性導電材料を用いて形成するとともに、第ｉ行の変
調電極は第ｉ行全列の画素電極と透光性基板との間に、
かつ第ｉ行全列の画素電極との間に透光性絶縁膜を介し
て設けたことを特徴とする。このように、透光性導電材
料を用いた変調電極を画素電極の下部に設け、また、走
査電極の負荷容量を低減できるため走査電極の幅を細く
して、開口率を大幅に向上することができる。
１記載の液晶表示パネルにおいて、第ｉ行の変調電極は
透光性導電材料を用いて形成するとともに、第ｉ行の変
調電極は第ｉ行全列の画素電極と透光性基板との間に、
かつ第ｉ行全列の画素電極との間に透光性絶縁膜を介し
て設けたことを特徴とする。このように、透光性導電材
料を用いた変調電極を画素電極の下部に設け、また、走
査電極の負荷容量を低減できるため走査電極の幅を細く
して、開口率を大幅に向上することができる。
【００１２】請求項３記載の液晶表示パネルは、透光性
基板上に複数の画素電極をｍ行ｎ列に配置し、複数の画
素電極の間にｍ行の走査電極とｎ列の信号電極とを直交
配置し、ゲート電極を第ｉ行（ｉは１〜ｍの整数）の走
査電極と接続しソース電極を第ｊ列（ｊは１〜ｎの整
数）の信号電極と接続しドレイン電極を第ｉ行第ｊ列の
画素電極と接続した薄膜トランジスタを走査電極と信号
電極との各交差点に配置し、液晶を介して画素電極と対
向する対向電極を配置した液晶表示パネルであって、第
１行第ｐ列（ｐは１〜ｎのうちの奇数または偶数）の画
素電極との間に補助容量を形成する第１行の変調電極
と、第ｋ行第ｐ列（ｋは２〜ｍの整数）および第ｋ−１
行第ｑ列（ｑは１〜ｎのうちのｐ以外の整数）の画素電
極との間に補助容量を形成する第ｋ行の変調電極と、第
ｍ行第ｑ列の画素電極との間に補助容量を形成する第ｍ
＋１行の変調電極とを設けたことを特徴とする。
基板上に複数の画素電極をｍ行ｎ列に配置し、複数の画
素電極の間にｍ行の走査電極とｎ列の信号電極とを直交
配置し、ゲート電極を第ｉ行（ｉは１〜ｍの整数）の走
査電極と接続しソース電極を第ｊ列（ｊは１〜ｎの整
数）の信号電極と接続しドレイン電極を第ｉ行第ｊ列の
画素電極と接続した薄膜トランジスタを走査電極と信号
電極との各交差点に配置し、液晶を介して画素電極と対
向する対向電極を配置した液晶表示パネルであって、第
１行第ｐ列（ｐは１〜ｎのうちの奇数または偶数）の画
素電極との間に補助容量を形成する第１行の変調電極
と、第ｋ行第ｐ列（ｋは２〜ｍの整数）および第ｋ−１
行第ｑ列（ｑは１〜ｎのうちのｐ以外の整数）の画素電
極との間に補助容量を形成する第ｋ行の変調電極と、第
ｍ行第ｑ列の画素電極との間に補助容量を形成する第ｍ
＋１行の変調電極とを設けたことを特徴とする。
【００１３】この構成によれば、各画素電極との間に補
助容量を形成する変調電極を走査電極とは独立して設け
たことにより、走査電極に印加するために出力ＩＣから
出力される走査信号の振幅が大幅に低減され、かつ２値
のレベル出力となり、ＩＣチップ面積を大幅に縮小する
ことができるので、ＩＣコストを大きく低減することが
できる。また、従来のように画素電極と走査電極との間
に補助容量を形成しないことにより、走査電極の負荷容
量を低減できる。さらに、補助容量を列ごとに異なる変
調電極との間に形成してあり、信号電極の列ごとに極性
を反転させた画像信号を与えることにより、各画素電極
は両側の信号電極からその間の容量を介して互いに打ち
消し合うように電位が振られ、結果的に画素電極の電位
は振られることなく安定となり、クロストークが消滅し
表示品位を著しく向上することができる。
助容量を形成する変調電極を走査電極とは独立して設け
たことにより、走査電極に印加するために出力ＩＣから
出力される走査信号の振幅が大幅に低減され、かつ２値
のレベル出力となり、ＩＣチップ面積を大幅に縮小する
ことができるので、ＩＣコストを大きく低減することが
できる。また、従来のように画素電極と走査電極との間
に補助容量を形成しないことにより、走査電極の負荷容
量を低減できる。さらに、補助容量を列ごとに異なる変
調電極との間に形成してあり、信号電極の列ごとに極性
を反転させた画像信号を与えることにより、各画素電極
は両側の信号電極からその間の容量を介して互いに打ち
消し合うように電位が振られ、結果的に画素電極の電位
は振られることなく安定となり、クロストークが消滅し
表示品位を著しく向上することができる。
【００１４】請求項４記載の液晶表示パネルは、請求項
３記載の液晶表示パネルにおいて、第１行〜第ｍ＋１行
の変調電極は透光性導電材料を用いて形成し、第１行の
変調電極は、第１行第ｐ列の画素電極と透光性基板との
間に、かつ第１行第ｐ列の画素電極との間に透光性絶縁
膜を介して設け、第ｋ行の変調電極は、第ｋ行第ｐ列お
よび第ｋ−１行第ｑ列の画素電極と透光性基板との間
に、かつ第ｋ行第ｐ列および第ｋ−１行第ｑ列の画素電
極との間に透光性絶縁膜を介して設け、第ｍ＋１行の変
調電極は、第ｍ行第ｑ列の画素電極と透光性基板との間
に、かつ第ｍ行第ｑ列の画素電極との間に透光性絶縁膜
を介して設けたことを特徴とする。
３記載の液晶表示パネルにおいて、第１行〜第ｍ＋１行
の変調電極は透光性導電材料を用いて形成し、第１行の
変調電極は、第１行第ｐ列の画素電極と透光性基板との
間に、かつ第１行第ｐ列の画素電極との間に透光性絶縁
膜を介して設け、第ｋ行の変調電極は、第ｋ行第ｐ列お
よび第ｋ−１行第ｑ列の画素電極と透光性基板との間
に、かつ第ｋ行第ｐ列および第ｋ−１行第ｑ列の画素電
極との間に透光性絶縁膜を介して設け、第ｍ＋１行の変
調電極は、第ｍ行第ｑ列の画素電極と透光性基板との間
に、かつ第ｍ行第ｑ列の画素電極との間に透光性絶縁膜
を介して設けたことを特徴とする。
【００１５】このように、透光性導電材料を用いた変調
電極を画素電極の下部に設け、また、走査電極の負荷容
量を低減できるため走査電極の幅を細くして、開口率を
大幅に向上することができる。請求項５記載の液晶表示
パネルの駆動方法は、請求項１または２記載の液晶表示
パネルの駆動方法であって、信号電極に１水平走査期間
毎に極性を反転させた画像信号を与え、変調電極にプラ
スの変調電圧およびマイナスの変調電圧を印加すること
により補助容量を介して画素電極の電位を制御すること
を特徴とする。
電極を画素電極の下部に設け、また、走査電極の負荷容
量を低減できるため走査電極の幅を細くして、開口率を
大幅に向上することができる。請求項５記載の液晶表示
パネルの駆動方法は、請求項１または２記載の液晶表示
パネルの駆動方法であって、信号電極に１水平走査期間
毎に極性を反転させた画像信号を与え、変調電極にプラ
スの変調電圧およびマイナスの変調電圧を印加すること
により補助容量を介して画素電極の電位を制御すること
を特徴とする。
【００１６】この駆動方法によれば、変調電極にプラス
の変調電圧およびマイナスの変調電圧を印加することに
より補助容量を介して画素電極の電位を制御するため、
走査電極の負荷容量を低減し、走査電極の幅を細くして
開口率を大幅に向上することが可能になる。請求項６記
載の液晶表示パネルの駆動方法は、請求項３または４記
載の液晶表示パネルの駆動方法であって、ｎ列の信号電
極の列ごとに極性を反転させた画像信号を与え、かつ同
一の信号電極に対しては１水平走査期間毎に画像信号の
極性を反転して与え、変調電極にプラスの変調電圧およ
びマイナスの変調電圧を印加することにより補助容量を
介して画素電極の電位を制御することを特徴とする。
の変調電圧およびマイナスの変調電圧を印加することに
より補助容量を介して画素電極の電位を制御するため、
走査電極の負荷容量を低減し、走査電極の幅を細くして
開口率を大幅に向上することが可能になる。請求項６記
載の液晶表示パネルの駆動方法は、請求項３または４記
載の液晶表示パネルの駆動方法であって、ｎ列の信号電
極の列ごとに極性を反転させた画像信号を与え、かつ同
一の信号電極に対しては１水平走査期間毎に画像信号の
極性を反転して与え、変調電極にプラスの変調電圧およ
びマイナスの変調電圧を印加することにより補助容量を
介して画素電極の電位を制御することを特徴とする。
【００１７】この駆動方法によれば、変調電極にプラス
の変調電圧およびマイナスの変調電圧を印加することに
より補助容量を介して画素電極の電位を制御するため、
走査電極の負荷容量を低減し、走査電極の幅を細くして
開口率を大幅に向上することが可能になる。さらに、信
号電極の列ごとに極性を反転させた画像信号を与えるこ
とにより、各画素電極は両側の信号電極からその間の容
量を介して互いに打ち消し合うように電位が振られ、結
果的に画素電極の電位は振られることなく安定となり、
クロストークが消滅し表示品質を著しく向上することが
できる。
の変調電圧およびマイナスの変調電圧を印加することに
より補助容量を介して画素電極の電位を制御するため、
走査電極の負荷容量を低減し、走査電極の幅を細くして
開口率を大幅に向上することが可能になる。さらに、信
号電極の列ごとに極性を反転させた画像信号を与えるこ
とにより、各画素電極は両側の信号電極からその間の容
量を介して互いに打ち消し合うように電位が振られ、結
果的に画素電極の電位は振られることなく安定となり、
クロストークが消滅し表示品質を著しく向上することが
できる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、この発明の実施の形態につ
いて図面を参照しながら説明する。 〔第１の実施の形態〕図１はこの発明の第１の実施の形
態の液晶表示パネルの構成を示す回路図である。図１に
おいて、１は画素、２はＴＦＴ、３はＴＦＴ２のドレイ
ン電極と接続した画素電極、４は対向電極６と画素電極
３間に形成される液晶容量、５は液晶容量４の保持特性
を補助する補助容量、７はＴＦＴ２のゲート電極と接続
されＴＦＴ２のオンオフを制御するための走査信号を供
給する走査電極、９はＴＦＴ２のソース電極と接続され
ＴＦＴ２を介して画素電極３に画像信号を供給する信号
電極を示しており、以上は従来例と同様であり、図８と
同一符号を付記している。さらに、８は画素電極３の電
位を変調するための変調電極である。
いて図面を参照しながら説明する。 〔第１の実施の形態〕図１はこの発明の第１の実施の形
態の液晶表示パネルの構成を示す回路図である。図１に
おいて、１は画素、２はＴＦＴ、３はＴＦＴ２のドレイ
ン電極と接続した画素電極、４は対向電極６と画素電極
３間に形成される液晶容量、５は液晶容量４の保持特性
を補助する補助容量、７はＴＦＴ２のゲート電極と接続
されＴＦＴ２のオンオフを制御するための走査信号を供
給する走査電極、９はＴＦＴ２のソース電極と接続され
ＴＦＴ２を介して画素電極３に画像信号を供給する信号
電極を示しており、以上は従来例と同様であり、図８と
同一符号を付記している。さらに、８は画素電極３の電
位を変調するための変調電極である。
【００１９】この実施の形態において、従来の構成と異
なるのは、補助容量５を介して画素電極３の電位Ｖｄを
変調するための変調信号Ｖｆを印加する変調電極８を、
走査電極７とは別に設けている点である。すなわち、従
来のように補助容量５が画素電極３と走査電極７との間
に形成されるのではなく、この実施の形態では、画素電
極３と変調電極８との間に補助容量５が形成されてい
る。
なるのは、補助容量５を介して画素電極３の電位Ｖｄを
変調するための変調信号Ｖｆを印加する変調電極８を、
走査電極７とは別に設けている点である。すなわち、従
来のように補助容量５が画素電極３と走査電極７との間
に形成されるのではなく、この実施の形態では、画素電
極３と変調電極８との間に補助容量５が形成されてい
る。
【００２０】この実施の形態における補助容量５の構成
を図２に示す。図２（ａ）は補助容量５の構成を示す平
面図、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
である。なお、図２ではＴＦＴ２を図示しないで、簡略
化して示している。図２に示すように、透光性基板１１
上に配置される画素電極３の下部に透光性絶縁膜１２を
介して変調電極８を設けることにより、補助容量５を形
成している。したがって、透光性基板１１上に変調電極
８を形成した後、全面に透光性絶縁膜１２を形成し、そ
の透光性絶縁膜１２上に、画素電極３，走査電極７，信
号電極９等を形成している。なお、画素電極３および変
調電極８はＩＴＯ（インジウムスズオキシド）等の透明
電極を形成できる透光性導電材料からなり、透光性基板
１１はガラス等の透光性を有する基板からなり、透光性
絶縁膜１２はシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ），タンタル酸
化膜（Ｔａ2 Ｏ3 ）またはシリコン窒化膜（ＳｉＮOX）
等からなる。
を図２に示す。図２（ａ）は補助容量５の構成を示す平
面図、図２（ｂ）は図２（ａ）におけるＡ−Ａ線断面図
である。なお、図２ではＴＦＴ２を図示しないで、簡略
化して示している。図２に示すように、透光性基板１１
上に配置される画素電極３の下部に透光性絶縁膜１２を
介して変調電極８を設けることにより、補助容量５を形
成している。したがって、透光性基板１１上に変調電極
８を形成した後、全面に透光性絶縁膜１２を形成し、そ
の透光性絶縁膜１２上に、画素電極３，走査電極７，信
号電極９等を形成している。なお、画素電極３および変
調電極８はＩＴＯ（インジウムスズオキシド）等の透明
電極を形成できる透光性導電材料からなり、透光性基板
１１はガラス等の透光性を有する基板からなり、透光性
絶縁膜１２はシリコン酸化膜（ＳｉＯ2 ），タンタル酸
化膜（Ｔａ2 Ｏ3 ）またはシリコン窒化膜（ＳｉＮOX）
等からなる。
【００２１】図３は第１の実施の形態の液晶表示パネル
の信号波形図であり、（ａ）は画素（ｉ，ｊ）における
信号波形図、（ｂ）は画素（ｉ＋１，ｊ）における信号
波形図、（ｃ）は画素（ｉ＋２，ｊ）における信号波形
図である。図３において、１Ｈは水平走査期間、１Ｖは
垂直走査期間、Ｖｃは対向電極６に印加する対向信号、
Ｖｇは走査電極７に印加しＴＦＴ２のゲート電極へ与え
る走査信号、Ｖｓは信号電極９に印加しＴＦＴ２のソー
ス電極へ与える画像信号、ＶｄはＴＦＴ２のドレイン電
極に接続した画素電極３の電位であり、さらに、Ｖｆは
変調電極８に印加され、プラスの変調電圧Ｖｇｅ＋とマ
イナスの変調電圧Ｖｇｅ−とを有する変調信号である。
ここで、変調電圧Ｖｇｅ＋の大きさは３Ｖ、変調電圧Ｖ
ｇｅ−の大きさは１１Ｖ（＝１４Ｖ−３Ｖ）であり、こ
れらの大きさは従来例と同様である。変調信号Ｖｆは、
ある１Ｖの期間において、走査信号Ｖｇがオンとなる直
後の１Ｈ期間にＶｇｅ−の大きさだけ変化し、つぎに走
査信号Ｖｇがオンとなる直前の１Ｈまで一定で、その後
（Ｖｇｅ−）−（Ｖｇｅ＋）の大きさだけ変化する。そ
して、つぎの１Ｖの期間、走査信号Ｖｇがオンとなる直
後の１Ｈ期間にＶｇｅ＋の大きさだけ変化する。
の信号波形図であり、（ａ）は画素（ｉ，ｊ）における
信号波形図、（ｂ）は画素（ｉ＋１，ｊ）における信号
波形図、（ｃ）は画素（ｉ＋２，ｊ）における信号波形
図である。図３において、１Ｈは水平走査期間、１Ｖは
垂直走査期間、Ｖｃは対向電極６に印加する対向信号、
Ｖｇは走査電極７に印加しＴＦＴ２のゲート電極へ与え
る走査信号、Ｖｓは信号電極９に印加しＴＦＴ２のソー
ス電極へ与える画像信号、ＶｄはＴＦＴ２のドレイン電
極に接続した画素電極３の電位であり、さらに、Ｖｆは
変調電極８に印加され、プラスの変調電圧Ｖｇｅ＋とマ
イナスの変調電圧Ｖｇｅ−とを有する変調信号である。
ここで、変調電圧Ｖｇｅ＋の大きさは３Ｖ、変調電圧Ｖ
ｇｅ−の大きさは１１Ｖ（＝１４Ｖ−３Ｖ）であり、こ
れらの大きさは従来例と同様である。変調信号Ｖｆは、
ある１Ｖの期間において、走査信号Ｖｇがオンとなる直
後の１Ｈ期間にＶｇｅ−の大きさだけ変化し、つぎに走
査信号Ｖｇがオンとなる直前の１Ｈまで一定で、その後
（Ｖｇｅ−）−（Ｖｇｅ＋）の大きさだけ変化する。そ
して、つぎの１Ｖの期間、走査信号Ｖｇがオンとなる直
後の１Ｈ期間にＶｇｅ＋の大きさだけ変化する。
【００２２】以上のように構成されるこの第１の実施の
形態の液晶表示パネルにおいて、以下その動作を説明す
る。画素（ｉ，ｊ）において、走査信号Ｖｇ（ｉ）が１
Ｈ期間オンすると、液晶容量４および補助容量５の一方
の電極となる画素電極３に画像信号Ｖｓ（ｊ）が供給さ
れ一定の電圧に達する。そして走査信号Ｖｇ（ｉ）がオ
フになるとその電圧を１Ｖ期間保持しようとするが、補
助容量５が変調電極８に接続されているため、変調信号
Ｖｆ（ｉ）がプラスの変調電圧Ｖｇｅ＋やマイナスの変
調電圧Ｖｇｅ−に変化すると、画素電極３の電位Ｖｄ
（ｉ，ｊ）もそれに応じて変化する。こうして画像信号
Ｖｓ（ｊ）とともに実効電圧が液晶容量４に印加され
る。同様のことが画素（ｉ＋１，ｊ）や画素（ｉ＋２，
ｊ）等でも行われ、画面全体で画像が表示される。
形態の液晶表示パネルにおいて、以下その動作を説明す
る。画素（ｉ，ｊ）において、走査信号Ｖｇ（ｉ）が１
Ｈ期間オンすると、液晶容量４および補助容量５の一方
の電極となる画素電極３に画像信号Ｖｓ（ｊ）が供給さ
れ一定の電圧に達する。そして走査信号Ｖｇ（ｉ）がオ
フになるとその電圧を１Ｖ期間保持しようとするが、補
助容量５が変調電極８に接続されているため、変調信号
Ｖｆ（ｉ）がプラスの変調電圧Ｖｇｅ＋やマイナスの変
調電圧Ｖｇｅ−に変化すると、画素電極３の電位Ｖｄ
（ｉ，ｊ）もそれに応じて変化する。こうして画像信号
Ｖｓ（ｊ）とともに実効電圧が液晶容量４に印加され
る。同様のことが画素（ｉ＋１，ｊ）や画素（ｉ＋２，
ｊ）等でも行われ、画面全体で画像が表示される。
【００２３】従来例では、走査電極７に走査信号Ｖｇを
出力する出力ＩＣは、非常に高耐圧（約３８Ｖ）なプロ
セスで、かつ、４値のレベル出力が必要であったが、こ
の実施の形態によれば、変調信号Ｖｆを印加するための
変調電極８を走査電極７とは独立して設けたことによ
り、出力ＩＣから出力される走査信号Ｖｇの振幅は約２
２Ｖとなって大幅に低減され、かつ２値のレベル出力と
なり、ＩＣチップ面積を大幅に縮小することができるの
で、ＩＣコストを大きく低減することができる。なお、
変調信号Ｖｆに関しては振幅は約１１Ｖとなる。
出力する出力ＩＣは、非常に高耐圧（約３８Ｖ）なプロ
セスで、かつ、４値のレベル出力が必要であったが、こ
の実施の形態によれば、変調信号Ｖｆを印加するための
変調電極８を走査電極７とは独立して設けたことによ
り、出力ＩＣから出力される走査信号Ｖｇの振幅は約２
２Ｖとなって大幅に低減され、かつ２値のレベル出力と
なり、ＩＣチップ面積を大幅に縮小することができるの
で、ＩＣコストを大きく低減することができる。なお、
変調信号Ｖｆに関しては振幅は約１１Ｖとなる。
【００２４】また、従来例のように画素電極３と走査電
極７との間に補助容量５を形成するのではなく、図２に
示すように、透光性絶縁膜１２を介して画素電極３の下
部に変調電極８を設けて、画素電極３と変調電極８との
間に補助容量５を形成することにより、走査電極７の負
荷容量を低減し、走査電極７の幅を細くでき、開口率を
大幅に向上することができる。
極７との間に補助容量５を形成するのではなく、図２に
示すように、透光性絶縁膜１２を介して画素電極３の下
部に変調電極８を設けて、画素電極３と変調電極８との
間に補助容量５を形成することにより、走査電極７の負
荷容量を低減し、走査電極７の幅を細くでき、開口率を
大幅に向上することができる。
【００２５】〔第２の実施の形態〕図４はこの発明の第
２の実施の形態の液晶表示パネルの構成を示す回路図で
ある。図４において、２はＴＦＴ、３は画素電極、４は
液晶容量、５は補助容量、６は対向電極、７は走査電
極、８は変調電極、９は信号電極を示しており、以上は
第１の実施の形態と同様であり、図１と同一符号を付記
している。さらに、図４では、１を奇数列の画素とし、
１０を偶数列の画素としている。
２の実施の形態の液晶表示パネルの構成を示す回路図で
ある。図４において、２はＴＦＴ、３は画素電極、４は
液晶容量、５は補助容量、６は対向電極、７は走査電
極、８は変調電極、９は信号電極を示しており、以上は
第１の実施の形態と同様であり、図１と同一符号を付記
している。さらに、図４では、１を奇数列の画素とし、
１０を偶数列の画素としている。
【００２６】この実施の形態では、補助容量５を介して
画素電極３の電位Ｖｄを変調するための変調信号Ｖｆを
印加する変調電極８を、走査電極７とは別に設けた点に
ついては、第１の実施の形態と同様である。この第２の
実施の形態では、奇数列の画素１と偶数列の画素１０と
では、補助容量５を異なる行の変調電極８に接続してい
る。したがって、変調電極８の本数は走査電極７の本数
よりも１本多くなっている。そして、奇数列と偶数列の
信号電極９に供給する画像信号Ｖｓの極性を互いに反転
させている。
画素電極３の電位Ｖｄを変調するための変調信号Ｖｆを
印加する変調電極８を、走査電極７とは別に設けた点に
ついては、第１の実施の形態と同様である。この第２の
実施の形態では、奇数列の画素１と偶数列の画素１０と
では、補助容量５を異なる行の変調電極８に接続してい
る。したがって、変調電極８の本数は走査電極７の本数
よりも１本多くなっている。そして、奇数列と偶数列の
信号電極９に供給する画像信号Ｖｓの極性を互いに反転
させている。
【００２７】この実施の形態における補助容量５の構成
を図５に示す。図５（ａ）は補助容量５の構成を示す平
面図、図５（ｂ）は図５（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図
である。なお、図５ではＴＦＴ２を図示しないで、簡略
化して示している。図５に示すように、透光性基板１１
上に配置される画素電極３の下部に透光性絶縁膜１２を
介して変調電極８を設けることにより、補助容量５を形
成している。したがって、透光性基板１１上に変調電極
８を形成した後、全面に透光性絶縁膜１２を形成し、そ
の透光性絶縁膜１２上に、画素電極３，走査電極７，信
号電極９等を形成している。なお、画素電極３，変調電
極８，透光性基板１１，透光性絶縁膜１２等は第１の実
施の形態と同様の材料で形成され、第１の実施の形態と
は、変調電極８の平面形状が異なっている。
を図５に示す。図５（ａ）は補助容量５の構成を示す平
面図、図５（ｂ）は図５（ａ）におけるＢ−Ｂ線断面図
である。なお、図５ではＴＦＴ２を図示しないで、簡略
化して示している。図５に示すように、透光性基板１１
上に配置される画素電極３の下部に透光性絶縁膜１２を
介して変調電極８を設けることにより、補助容量５を形
成している。したがって、透光性基板１１上に変調電極
８を形成した後、全面に透光性絶縁膜１２を形成し、そ
の透光性絶縁膜１２上に、画素電極３，走査電極７，信
号電極９等を形成している。なお、画素電極３，変調電
極８，透光性基板１１，透光性絶縁膜１２等は第１の実
施の形態と同様の材料で形成され、第１の実施の形態と
は、変調電極８の平面形状が異なっている。
【００２８】図６は第２の実施の形態の液晶表示パネル
の画素（ｉ，ｊ）におけるＴＦＴ２がオフ時の等価回路
図である。図６において、ＣｇｄはＴＦＴ２のゲート電
極とドレイン電極の間のゲート・ドレイン間容量、Ｃｓ
ｄ1 ，Ｃｓｄ2 は信号電極９と画素電極３との間の信号
電極・画素電極間容量を示している。図７は第２の実施
の形態の液晶表示パネルの信号波形図であり、（ａ）は
画素（ｉ，ｊ）における信号波形図、（ｂ）は画素（ｉ
＋１，ｊ）における信号波形図、（ｃ）は画素（ｉ＋
２，ｊ）における信号波形図を示し、さらに、（ｄ）は
画素（ｉ，ｊ＋１）における信号波形図、（ｅ）は画素
（ｉ＋１，ｊ＋１）における信号波形図、（ｆ）は画素
（ｉ＋２，ｊ＋１）における信号波形図を示している。
図７において、１Ｈは水平走査期間、１Ｖは垂直走査期
間、Ｖｃは対向信号、Ｖｇは走査信号、Ｖｓは画像信
号、Ｖｄは画素電極３の電位、Ｖｆは変調信号、Ｖｇｅ
＋はプラスの変調電圧、Ｖｇｅ−はマイナスの変調電圧
である。
の画素（ｉ，ｊ）におけるＴＦＴ２がオフ時の等価回路
図である。図６において、ＣｇｄはＴＦＴ２のゲート電
極とドレイン電極の間のゲート・ドレイン間容量、Ｃｓ
ｄ1 ，Ｃｓｄ2 は信号電極９と画素電極３との間の信号
電極・画素電極間容量を示している。図７は第２の実施
の形態の液晶表示パネルの信号波形図であり、（ａ）は
画素（ｉ，ｊ）における信号波形図、（ｂ）は画素（ｉ
＋１，ｊ）における信号波形図、（ｃ）は画素（ｉ＋
２，ｊ）における信号波形図を示し、さらに、（ｄ）は
画素（ｉ，ｊ＋１）における信号波形図、（ｅ）は画素
（ｉ＋１，ｊ＋１）における信号波形図、（ｆ）は画素
（ｉ＋２，ｊ＋１）における信号波形図を示している。
図７において、１Ｈは水平走査期間、１Ｖは垂直走査期
間、Ｖｃは対向信号、Ｖｇは走査信号、Ｖｓは画像信
号、Ｖｄは画素電極３の電位、Ｖｆは変調信号、Ｖｇｅ
＋はプラスの変調電圧、Ｖｇｅ−はマイナスの変調電圧
である。
【００２９】なお、変調電圧Ｖｇｅ＋，Ｖｇｅ−の印加
期間が、図７（ａ）〜（ｃ）と（ｄ）〜（ｆ）とでは１
Ｈ期間ずれる。第ｊ列の画素では、例えば第ｉ行の画素
（ｉ，ｊ）の補助容量５を第ｉ行の変調電極８に接続し
ているのに対し、第（ｊ＋１）列の画素では、例えば第
ｉ行の画素（ｉ，ｊ＋１）の補助容量５を第（ｉ＋１）
行の変調電極８に接続している。そしてこの第（ｉ＋
１）行の変調電極８は第ｊ列の画素における第（ｉ＋
１）行の画素（ｉ＋１，ｊ）の補助容量５に接続された
変調電極８である。このように、奇数列の画素と偶数列
の画素とでは、１行異なる行の画素の補助容量に共通の
変調電極８を用いているため、変調電圧Ｖｇｅ＋，Ｖｇ
ｅ−の印加期間に１Ｈ期間のずれが生じるが、１Ｖ期間
中の１Ｈ期間のずれであるため大きな問題はない。
期間が、図７（ａ）〜（ｃ）と（ｄ）〜（ｆ）とでは１
Ｈ期間ずれる。第ｊ列の画素では、例えば第ｉ行の画素
（ｉ，ｊ）の補助容量５を第ｉ行の変調電極８に接続し
ているのに対し、第（ｊ＋１）列の画素では、例えば第
ｉ行の画素（ｉ，ｊ＋１）の補助容量５を第（ｉ＋１）
行の変調電極８に接続している。そしてこの第（ｉ＋
１）行の変調電極８は第ｊ列の画素における第（ｉ＋
１）行の画素（ｉ＋１，ｊ）の補助容量５に接続された
変調電極８である。このように、奇数列の画素と偶数列
の画素とでは、１行異なる行の画素の補助容量に共通の
変調電極８を用いているため、変調電圧Ｖｇｅ＋，Ｖｇ
ｅ−の印加期間に１Ｈ期間のずれが生じるが、１Ｖ期間
中の１Ｈ期間のずれであるため大きな問題はない。
【００３０】以上のように構成されるこの第２の実施の
形態の液晶表示パネルにおいて、以下その動作を説明す
る。まず、奇数列の画素１の場合を説明する。例えば画
素（ｉ，ｊ）において、走査信号Ｖｇ（ｉ）が１Ｈ期間
オンすると、液晶容量４および補助容量５の一方の電極
となる画素電極３に画像信号Ｖｓ（ｊ）が供給され一定
の電圧に達する。そして走査信号Ｖｇ（ｉ）がオフにな
るとその電圧を１Ｖ期間保持しようとするが、補助容量
５が変調電極８に接続されているため、変調信号Ｖｆ
（ｉ）がプラスの変調電圧Ｖｇｅ＋やマイナスの変調電
圧Ｖｇｅ−に変化すると、画素電極３の電位Ｖｄ（ｉ，
ｊ）もそれに応じて変化する。こうして画像信号Ｖｓ
（ｊ）とともに実効電圧が液晶容量４に印加される。同
様のことが画素（ｉ＋１，ｊ）や画素（ｉ＋２，ｊ）等
でも行われる。
形態の液晶表示パネルにおいて、以下その動作を説明す
る。まず、奇数列の画素１の場合を説明する。例えば画
素（ｉ，ｊ）において、走査信号Ｖｇ（ｉ）が１Ｈ期間
オンすると、液晶容量４および補助容量５の一方の電極
となる画素電極３に画像信号Ｖｓ（ｊ）が供給され一定
の電圧に達する。そして走査信号Ｖｇ（ｉ）がオフにな
るとその電圧を１Ｖ期間保持しようとするが、補助容量
５が変調電極８に接続されているため、変調信号Ｖｆ
（ｉ）がプラスの変調電圧Ｖｇｅ＋やマイナスの変調電
圧Ｖｇｅ−に変化すると、画素電極３の電位Ｖｄ（ｉ，
ｊ）もそれに応じて変化する。こうして画像信号Ｖｓ
（ｊ）とともに実効電圧が液晶容量４に印加される。同
様のことが画素（ｉ＋１，ｊ）や画素（ｉ＋２，ｊ）等
でも行われる。
【００３１】次に、偶数列の画素１０の場合を説明す
る。例えば画素（ｉ，ｊ＋１）において、走査信号Ｖｇ
（ｉ）が１Ｈ期間オンすると、液晶容量４および補助容
量５の一方の電極となる画素電極３に反転画像信号／Ｖ
ｓ（ｊ＋１）が供給され一定の電圧に達する。そして走
査信号Ｖｇ（ｉ）がオフになるとその電圧を１Ｖ期間保
持しようとするが、補助容量５が変調電極８に接続され
ているため、変調信号Ｖｆ（ｉ＋１）がプラスの変調電
圧Ｖｇｅ＋やマイナスの変調電圧Ｖｇｅ−に変化する
と、画素電極３の電位Ｖｄ（ｉ，ｊ＋１）もそれに応じ
て変化する。こうして反転画像信号／Ｖｓ（ｊ＋１）と
ともに実効電圧が液晶容量４に印加される。同様のこと
が画素（ｉ＋１，ｊ＋１）や画素（ｉ＋２，ｊ＋１）等
でも行われ、画面全体で画像が表示される。
る。例えば画素（ｉ，ｊ＋１）において、走査信号Ｖｇ
（ｉ）が１Ｈ期間オンすると、液晶容量４および補助容
量５の一方の電極となる画素電極３に反転画像信号／Ｖ
ｓ（ｊ＋１）が供給され一定の電圧に達する。そして走
査信号Ｖｇ（ｉ）がオフになるとその電圧を１Ｖ期間保
持しようとするが、補助容量５が変調電極８に接続され
ているため、変調信号Ｖｆ（ｉ＋１）がプラスの変調電
圧Ｖｇｅ＋やマイナスの変調電圧Ｖｇｅ−に変化する
と、画素電極３の電位Ｖｄ（ｉ，ｊ＋１）もそれに応じ
て変化する。こうして反転画像信号／Ｖｓ（ｊ＋１）と
ともに実効電圧が液晶容量４に印加される。同様のこと
が画素（ｉ＋１，ｊ＋１）や画素（ｉ＋２，ｊ＋１）等
でも行われ、画面全体で画像が表示される。
【００３２】以上のようにこの実施の形態によれば、第
１の実施の形態同様、変調信号Ｖｆを印加するための変
調電極８を走査電極７とは独立して設けたことにより、
出力ＩＣから出力される走査信号Ｖｇの振幅が大幅に低
減され、かつ２値のレベル出力となり、ＩＣチップ面積
を大幅に縮小することができるので、ＩＣコストを大き
く低減することができる。
１の実施の形態同様、変調信号Ｖｆを印加するための変
調電極８を走査電極７とは独立して設けたことにより、
出力ＩＣから出力される走査信号Ｖｇの振幅が大幅に低
減され、かつ２値のレベル出力となり、ＩＣチップ面積
を大幅に縮小することができるので、ＩＣコストを大き
く低減することができる。
【００３３】また、従来例のように画素電極３と走査電
極７との間に補助容量５を形成するのではなく、図５に
示すように、透光性絶縁膜１２を介して画素電極３の下
部に変調電極８を設けて、画素電極３と変調電極８との
間に補助容量５を形成することにより、走査電極７の負
荷容量を低減し、走査電極７の幅を細くでき、開口率を
大幅に向上することができる。
極７との間に補助容量５を形成するのではなく、図５に
示すように、透光性絶縁膜１２を介して画素電極３の下
部に変調電極８を設けて、画素電極３と変調電極８との
間に補助容量５を形成することにより、走査電極７の負
荷容量を低減し、走査電極７の幅を細くでき、開口率を
大幅に向上することができる。
【００３４】さらに、この実施の形態によれば、画素電
極３に接続される補助容量５を列ごとに異なる変調電極
８との間に形成し、奇数列と偶数列の信号電極９の列ご
とに印加する画像信号Ｖｓの極性を互いに反転して与え
ることにより、隣り合う信号電極・画素電極間容量Ｃｓ
ｄ1 ，Ｃｓｄ2 を介して互いに打ち消し合うように画素
電極３の電位Ｖｄが振られ、結果的に画素電極３の電位
Ｖｄは振られることなく安定となり、クロストークが消
滅し表示品質を著しく向上することができる。
極３に接続される補助容量５を列ごとに異なる変調電極
８との間に形成し、奇数列と偶数列の信号電極９の列ご
とに印加する画像信号Ｖｓの極性を互いに反転して与え
ることにより、隣り合う信号電極・画素電極間容量Ｃｓ
ｄ1 ，Ｃｓｄ2 を介して互いに打ち消し合うように画素
電極３の電位Ｖｄが振られ、結果的に画素電極３の電位
Ｖｄは振られることなく安定となり、クロストークが消
滅し表示品質を著しく向上することができる。
【００３５】なお、以上の説明では、走査信号Ｖｇ、画
像信号Ｖｓ、変調信号Ｖｆを各電極に供給する例で説明
したが、それらの信号はすべてが内蔵ＩＣで生成され供
給されても、各々個別に外付けＩＣで生成され供給され
ても同様に実施可能である。また、上記第１および第２
の実施の形態では、画素毎の構成で説明したが、ＲＧＢ
単位の構成であっても同様の効果を得ることができる。
像信号Ｖｓ、変調信号Ｖｆを各電極に供給する例で説明
したが、それらの信号はすべてが内蔵ＩＣで生成され供
給されても、各々個別に外付けＩＣで生成され供給され
ても同様に実施可能である。また、上記第１および第２
の実施の形態では、画素毎の構成で説明したが、ＲＧＢ
単位の構成であっても同様の効果を得ることができる。
【００３６】
【発明の効果】請求項１記載の液晶表示パネルは、第ｉ
行全列の画素電極との間に補助容量を形成する第ｉ行の
変調電極を設けたことを特徴とする。このように、各画
素電極との間に補助容量を形成する変調電極を走査電極
とは独立して設けたことにより、走査電極に印加するた
めに出力ＩＣから出力される走査信号の振幅が大幅に低
減され、かつ２値のレベル出力となり、ＩＣチップ面積
を大幅に縮小することができるので、ＩＣコストを大き
く低減することができる。また、従来のように画素電極
と走査電極との間に補助容量を形成しないことにより、
走査電極の負荷容量を低減できる。
行全列の画素電極との間に補助容量を形成する第ｉ行の
変調電極を設けたことを特徴とする。このように、各画
素電極との間に補助容量を形成する変調電極を走査電極
とは独立して設けたことにより、走査電極に印加するた
めに出力ＩＣから出力される走査信号の振幅が大幅に低
減され、かつ２値のレベル出力となり、ＩＣチップ面積
を大幅に縮小することができるので、ＩＣコストを大き
く低減することができる。また、従来のように画素電極
と走査電極との間に補助容量を形成しないことにより、
走査電極の負荷容量を低減できる。
【００３７】請求項２記載の液晶表示パネルは、請求項
１記載の液晶表示パネルにおいて、変調電極を透光性導
電材料を用いて画素電極の下部に設けてあり、また、走
査電極の負荷容量を低減できるため走査電極の幅を細く
して、開口率を大幅に向上することができる。請求項３
記載の液晶表示パネルは、第１行第ｐ列（ｐは１〜ｎの
うちの奇数または偶数）の画素電極との間に補助容量を
形成する第１行の変調電極と、第ｋ行第ｐ列（ｋは２〜
ｍの整数）および第ｋ−１行第ｑ列（ｑは１〜ｎのうち
のｐ以外の整数）の画素電極との間に補助容量を形成す
る第ｋ行の変調電極と、第ｍ行第ｑ列の画素電極との間
に補助容量を形成する第ｍ＋１行の変調電極とを設けた
ことを特徴とする。このように、各画素電極との間に補
助容量を形成する変調電極を走査電極とは独立して設け
たことにより、走査電極に印加するために出力ＩＣから
出力される走査信号の振幅が大幅に低減され、かつ２値
のレベル出力となり、ＩＣチップ面積を大幅に縮小する
ことができるので、ＩＣコストを大きく低減することが
できる。また、従来のように画素電極と走査電極との間
に補助容量を形成しないことにより、走査電極の負荷容
量を低減できる。さらに、補助容量を列ごとに異なる変
調電極との間に形成してあり、信号電極の列ごとに極性
を反転させた画像信号を与えることにより、各画素電極
は両側の信号電極からその間の容量を介して互いに打ち
消し合うように電位が振られ、結果的に画素電極の電位
は振られることなく安定となり、クロストークが消滅し
表示品位を著しく向上することができる。
１記載の液晶表示パネルにおいて、変調電極を透光性導
電材料を用いて画素電極の下部に設けてあり、また、走
査電極の負荷容量を低減できるため走査電極の幅を細く
して、開口率を大幅に向上することができる。請求項３
記載の液晶表示パネルは、第１行第ｐ列（ｐは１〜ｎの
うちの奇数または偶数）の画素電極との間に補助容量を
形成する第１行の変調電極と、第ｋ行第ｐ列（ｋは２〜
ｍの整数）および第ｋ−１行第ｑ列（ｑは１〜ｎのうち
のｐ以外の整数）の画素電極との間に補助容量を形成す
る第ｋ行の変調電極と、第ｍ行第ｑ列の画素電極との間
に補助容量を形成する第ｍ＋１行の変調電極とを設けた
ことを特徴とする。このように、各画素電極との間に補
助容量を形成する変調電極を走査電極とは独立して設け
たことにより、走査電極に印加するために出力ＩＣから
出力される走査信号の振幅が大幅に低減され、かつ２値
のレベル出力となり、ＩＣチップ面積を大幅に縮小する
ことができるので、ＩＣコストを大きく低減することが
できる。また、従来のように画素電極と走査電極との間
に補助容量を形成しないことにより、走査電極の負荷容
量を低減できる。さらに、補助容量を列ごとに異なる変
調電極との間に形成してあり、信号電極の列ごとに極性
を反転させた画像信号を与えることにより、各画素電極
は両側の信号電極からその間の容量を介して互いに打ち
消し合うように電位が振られ、結果的に画素電極の電位
は振られることなく安定となり、クロストークが消滅し
表示品位を著しく向上することができる。
【００３８】請求項４記載の液晶表示パネルは、請求項
３記載の液晶表示パネルにおいて、変調電極を透光性導
電材料を用いて画素電極の下部に設けてあり、また、走
査電極の負荷容量を低減できるため走査電極の幅を細く
して、開口率を大幅に向上することができる。請求項５
記載の液晶表示パネルの駆動方法は、請求項１または２
記載の液晶表示パネルの駆動方法であって、変調電極に
プラスの変調電圧およびマイナスの変調電圧を印加する
ことにより補助容量を介して画素電極の電位を制御する
ため、走査電極の負荷容量を低減し、走査電極の幅を細
くして開口率を大幅に向上することが可能になる。
３記載の液晶表示パネルにおいて、変調電極を透光性導
電材料を用いて画素電極の下部に設けてあり、また、走
査電極の負荷容量を低減できるため走査電極の幅を細く
して、開口率を大幅に向上することができる。請求項５
記載の液晶表示パネルの駆動方法は、請求項１または２
記載の液晶表示パネルの駆動方法であって、変調電極に
プラスの変調電圧およびマイナスの変調電圧を印加する
ことにより補助容量を介して画素電極の電位を制御する
ため、走査電極の負荷容量を低減し、走査電極の幅を細
くして開口率を大幅に向上することが可能になる。
【００３９】請求項６記載の液晶表示パネルの駆動方法
は、請求項３または４記載の液晶表示パネルの駆動方法
であって、変調電極にプラスの変調電圧およびマイナス
の変調電圧を印加することにより補助容量を介して画素
電極の電位を制御するため、走査電極の負荷容量を低減
し、走査電極の幅を細くして開口率を大幅に向上するこ
とが可能になる。さらに、信号電極の列ごとに極性を反
転させた画像信号を与えることにより、各画素電極は両
側の信号電極からその間の容量を介して互いに打ち消し
合うように電位が振られ、結果的に画素電極の電位は振
られることなく安定となり、クロストークが消滅し表示
品質を著しく向上することができる。
は、請求項３または４記載の液晶表示パネルの駆動方法
であって、変調電極にプラスの変調電圧およびマイナス
の変調電圧を印加することにより補助容量を介して画素
電極の電位を制御するため、走査電極の負荷容量を低減
し、走査電極の幅を細くして開口率を大幅に向上するこ
とが可能になる。さらに、信号電極の列ごとに極性を反
転させた画像信号を与えることにより、各画素電極は両
側の信号電極からその間の容量を介して互いに打ち消し
合うように電位が振られ、結果的に画素電極の電位は振
られることなく安定となり、クロストークが消滅し表示
品質を著しく向上することができる。
【図１】この発明の第１の実施の形態における液晶表示
パネルの構成を示す回路図である。
パネルの構成を示す回路図である。
【図２】この発明の第１の実施の形態における液晶表示
パネルの補助容量の構成を示す平面図および断面図であ
る。
パネルの補助容量の構成を示す平面図および断面図であ
る。
【図３】この発明の第１の実施の形態における液晶表示
パネルの信号波形図である。
パネルの信号波形図である。
【図４】この発明の第２の実施の形態における液晶表示
パネルの構成を示す回路図である。
パネルの構成を示す回路図である。
【図５】この発明の第２の実施の形態における液晶表示
パネルの補助容量の構成を示す平面図および断面図であ
る。
パネルの補助容量の構成を示す平面図および断面図であ
る。
【図６】この発明の第２の実施の形態の液晶表示パネル
の画素（ｉ，ｊ）におけるＴＦＴがオフ時の等価回路図
である。
の画素（ｉ，ｊ）におけるＴＦＴがオフ時の等価回路図
である。
【図７】この発明の第２の実施の形態における液晶表示
パネルの信号波形図である。
パネルの信号波形図である。
【図８】従来の液晶表示パネルの構成を示す回路図であ
る。
る。
【図９】従来の液晶表示パネルの画素（ｉ，ｊ）におけ
るＴＦＴがオフ時の等価回路図である。
るＴＦＴがオフ時の等価回路図である。
【図１０】従来の液晶表示パネルの信号波形図である。
【図１１】従来の液晶表示パネルの補助容量の構成を示
す平面図である。
す平面図である。
１ 画素 ２ ＴＦＴ（薄膜トランジスタ） ３ 画素電極 ４ 液晶容量 ５ 補助容量 ６ 対向電極 ７ 走査電極 ８ 変調電極 ９ 信号電極
Claims (6)
- 【請求項１】 透光性基板上に複数の画素電極をｍ行ｎ
列に配置し、前記複数の画素電極の間にｍ行の走査電極
とｎ列の信号電極とを直交配置し、ゲート電極を第ｉ行
（ｉは１〜ｍの整数）の走査電極と接続しソース電極を
第ｊ列（ｊは１〜ｎの整数）の信号電極と接続しドレイ
ン電極を第ｉ行第ｊ列の画素電極と接続した薄膜トラン
ジスタを前記走査電極と前記信号電極との各交差点に配
置し、液晶を介して前記画素電極と対向する対向電極を
配置した液晶表示パネルであって、 第ｉ行全列の前記画素電極との間に補助容量を形成する
第ｉ行の変調電極を設けたことを特徴とする液晶表示パ
ネル。 - 【請求項２】 第ｉ行の変調電極は透光性導電材料を用
いて形成するとともに、前記第ｉ行の変調電極は第ｉ行
全列の画素電極と透光性基板との間に、かつ前記第ｉ行
全列の画素電極との間に透光性絶縁膜を介して設けたこ
とを特徴とする請求項１記載の液晶表示パネル。 - 【請求項３】 透光性基板上に複数の画素電極をｍ行ｎ
列に配置し、前記複数の画素電極の間にｍ行の走査電極
とｎ列の信号電極とを直交配置し、ゲート電極を第ｉ行
（ｉは１〜ｍの整数）の走査電極と接続しソース電極を
第ｊ列（ｊは１〜ｎの整数）の信号電極と接続しドレイ
ン電極を第ｉ行第ｊ列の画素電極と接続した薄膜トラン
ジスタを前記走査電極と前記信号電極との各交差点に配
置し、液晶を介して前記画素電極と対向する対向電極を
配置した液晶表示パネルであって、 第１行第ｐ列（ｐは１〜ｎのうちの奇数または偶数）の
前記画素電極との間に補助容量を形成する第１行の変調
電極と、第ｋ行第ｐ列（ｋは２〜ｍの整数）および第ｋ
−１行第ｑ列（ｑは１〜ｎのうちのｐ以外の整数）の前
記画素電極との間に補助容量を形成する第ｋ行の変調電
極と、第ｍ行第ｑ列の前記画素電極との間に補助容量を
形成する第ｍ＋１行の変調電極とを設けたことを特徴と
する液晶表示パネル。 - 【請求項４】 第１行〜第ｍ＋１行の変調電極は透光性
導電材料を用いて形成し、第１行の変調電極は、第１行
第ｐ列の画素電極と透光性基板との間に、かつ前記第１
行第ｐ列の画素電極との間に透光性絶縁膜を介して設
け、第ｋ行の変調電極は、第ｋ行第ｐ列および第ｋ−１
行第ｑ列の画素電極と前記透光性基板との間に、かつ前
記第ｋ行第ｐ列および第ｋ−１行第ｑ列の画素電極との
間に前記透光性絶縁膜を介して設け、第ｍ＋１行の変調
電極は、第ｍ行第ｑ列の画素電極と前記透光性基板との
間に、かつ前記第ｍ行第ｑ列の画素電極との間に前記透
光性絶縁膜を介して設けたことを特徴とする請求項３記
載の液晶表示パネル。 - 【請求項５】 請求項１または２記載の液晶表示パネル
の駆動方法であって、信号電極に１水平走査期間毎に極
性を反転させた画像信号を与え、変調電極にプラスの変
調電圧およびマイナスの変調電圧を印加することにより
補助容量を介して画素電極の電位を制御することを特徴
とする液晶表示パネルの駆動方法。 - 【請求項６】 請求項３または４記載の液晶表示パネル
の駆動方法であって、ｎ列の信号電極の列ごとに極性を
反転させた画像信号を与え、かつ同一の信号電極に対し
ては１水平走査期間毎に前記画像信号の極性を反転して
与え、変調電極にプラスの変調電圧およびマイナスの変
調電圧を印加することにより補助容量を介して画素電極
の電位を制御することを特徴とする液晶表示パネルの駆
動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15279198A JPH1164893A (ja) | 1997-06-13 | 1998-06-02 | 液晶表示パネルおよびその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-156900 | 1997-06-13 | ||
| JP15690097 | 1997-06-13 | ||
| JP15279198A JPH1164893A (ja) | 1997-06-13 | 1998-06-02 | 液晶表示パネルおよびその駆動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1164893A true JPH1164893A (ja) | 1999-03-05 |
Family
ID=26481603
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15279198A Pending JPH1164893A (ja) | 1997-06-13 | 1998-06-02 | 液晶表示パネルおよびその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1164893A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1037193A3 (en) * | 1999-03-16 | 2001-08-01 | Sony Corporation | Liquid crystal display apparatus, its driving method and liquid crystal display system |
| JP2006011405A (ja) * | 2004-05-21 | 2006-01-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
| CN100363966C (zh) * | 2004-07-07 | 2008-01-23 | 友达光电股份有限公司 | 电压驱动的主动式有机发光显示器的画素驱动电路 |
| JP2008191626A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置 |
| WO2009034741A1 (ja) * | 2007-09-11 | 2009-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | 表示装置ならびにその駆動回路および駆動方法 |
-
1998
- 1998-06-02 JP JP15279198A patent/JPH1164893A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1037193A3 (en) * | 1999-03-16 | 2001-08-01 | Sony Corporation | Liquid crystal display apparatus, its driving method and liquid crystal display system |
| US6512505B1 (en) | 1999-03-16 | 2003-01-28 | Sony Corporation | Liquid crystal display apparatus, its driving method and liquid crystal display system |
| US7126574B2 (en) | 1999-03-16 | 2006-10-24 | Sony Corporation | Liquid crystal display apparatus, its driving method and liquid crystal display system |
| JP2006011405A (ja) * | 2004-05-21 | 2006-01-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 表示装置 |
| CN100363966C (zh) * | 2004-07-07 | 2008-01-23 | 友达光电股份有限公司 | 电压驱动的主动式有机发光显示器的画素驱动电路 |
| JP2008191626A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置 |
| US8395742B2 (en) | 2007-02-06 | 2013-03-12 | Samsung Display Co., Ltd. | Liquid crystal display |
| WO2009034741A1 (ja) * | 2007-09-11 | 2009-03-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | 表示装置ならびにその駆動回路および駆動方法 |
| US8115757B2 (en) | 2007-09-11 | 2012-02-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device, it's driving circuit, and driving method |
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