JPH1166559A

JPH1166559A - 磁気記録媒体およびその製造方法

Info

Publication number: JPH1166559A
Application number: JP21868197A
Authority: JP
Inventors: Hiroshi Kanazawa; 博金澤; Hiroshi Sakai; 浩志酒井; Hiroshi Osawa; 弘大澤
Original assignee: Showa Denko KK
Current assignee: Resonac Holdings Corp
Priority date: 1997-08-13
Filing date: 1997-08-13
Publication date: 1999-03-09

Abstract

(57)【要約】【課題】ノイズ特性、保磁力等の磁気特性に優れた磁
気記録媒体、およびこの磁気記録媒体を効率よくかつ容
易に製造することができる方法を提供する。【解決手段】非磁性基板上に非磁性下地膜、磁性膜お
よび保護膜を有する磁気記録媒体を複数のターゲット２
Ａ〜２Ｄを備えたスパッタ装置を用いて製造する方法で
あって、ターゲット２Ａ〜２Ｄとして、これらのうち少
なくとも２つが互いに異なる材料からなるものを用い、
非磁性下地膜および／または磁性膜を、前記複数のター
ゲット２Ａ〜２Ｄを順次用いて多数回に亙って繰り返し
スパッタリングを行うことにより形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ドラム、磁気
テープ、磁気ディスク等の磁気記録媒体およびその製造
方法に係り、特に、ノイズ特性、保磁力等の磁気特性に
優れた磁気記録媒体およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気ディスク装置等の高記録密度
化に伴い、磁気抵抗効果を利用した磁気ヘッド（以下、
ＭＲヘッドと略記する）が多く用いられている。このた
め、磁気記録媒体についても、ノイズ特性や保磁力等の
磁気特性に優れたものが必要とされてきている。これ
は、ＭＲヘッドが従来の電磁誘導型ヘッドに比べて再生
感度が高く、ヘッドノイズが低いものであるため、磁気
ディスク装置等のＳ／Ｎ比、記録密度等の特性を向上さ
せるためには、磁気記録媒体についてもノイズ特性等の
磁気特性が優れたものが必要となるためである。

【０００３】現在、一般に用いられている磁気記録媒体
としては、ＮｉＰメッキＡｌ合金などからなる基板上に
Ｃｒ等からなる非磁性下地膜を形成し、その上にＣｏを
主成分とする材料などからなる磁性膜が形成されたもの
がある。この種の磁気記録媒体としては、特公平５−２
４５６４号公報に開示されたものが知られている。該公
報に開示された磁気記録媒体は、厚みを５０ないし２０
０ÅとしたＣｒからなる非磁性下地膜を設けることによ
り、角型比を向上させたものである。また特開平１−２
３２５２２号公報には、非磁性下地膜として、Ｃｒに、
Ｃｕ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｚｒ、Ｍｏ、Ｚｎ、Ｗ、および
Ｔａのうち１種以上の金属を添加した合金からなり、厚
みを５００ないし３０００Åとしたものを用いることに
よって、磁気特性、特に保磁力を高めた磁気記録媒体が
提案されている。

【０００４】しかしながら、上記特公平５−２４５６４
号公報に開示された磁気記録媒体にあっては、Ｃｒから
なる非磁性下地膜が薄いものであるため、この下地膜内
でその材料の結晶が十分に成長せず、その結果、この磁
気記録媒体は磁性膜の結晶構造が良好なものでなくな
り、保磁力等の磁気特性が不十分となる不都合があっ
た。また、特開平１−２３２５２２号公報に開示された
磁気記録媒体では、Ｃｒ合金からなる非磁性下地膜の膜
厚が大きいため、この膜を形成する際に、膜内でＣｒ合
金からなる粒子が大きくなりすぎ、その結果、非磁性下
地膜上に磁性膜を形成する際に、非磁性下地膜内のＣｒ
合金粒子に対しエピタキシャル成長した磁性膜内の磁性
粒子が大粒径化し、この磁気記録媒体がノイズ特性に劣
るものとなってしまう問題があった。

【０００５】保磁力、ノイズ特性等の磁気特性を改善し
た磁気記録媒体としては、特開平８−２１２５３２号公
報に記載されたものが知られている。該公報に開示され
た磁気記録媒体は、磁性層を、磁性膜と非磁性下地膜と
を交互に多数回積層させた多層構造とし、この磁性膜を
ＣｏＮｉＣｒＴａ系材料等の高保磁力材料からなるもの
とすることにより、高保磁力化および低ノイズ化を実現
している。

【０００６】ところで、磁気記録媒体の磁性膜、非磁性
下地膜等を形成する方法としては、通常、スパッタ法が
用いられる。スパッタ法を実施するためのスパッタ装置
には、主に、静止対向成膜方式と、通過対向成膜方式の
２種の方式が採用されている。静止対向成膜方式とは、
例えば、両端部にゲートバルブを有するチャンバを備え
たスパッタ装置を用い、上記チャンバ内に、形成するべ
き膜の構成材料からなるターゲットを設置しておき、ス
パッタリングを施すべきディスクをチャンバの一端側の
ゲートバルブからチャンバ内に搬入し、ディスクがチャ
ンバ内でターゲットに対向配置した時点でディスクを静
止させ、静止状態で上記ターゲットを用いてディスクに
スパッタリングを施し、次いでスパッタリングを終了し
たディスクをチャンバ他端側に移動させてチャンバから
搬出する方式をいう。また通過対向成膜方式とは、ディ
スクを、チャンバ内の一端側から他端側に向けて搬送し
つつ静止させることなくスパッタリングを行う方式をい
う。

【０００７】これらの方式は、いずれもディスクを一方
向に搬送しつつスパッタリングを行うものであり、１つ
のターゲットを用いて１つのディスクに対し２度以上の
成膜を行うことを考慮したものではない。従って、上記
多層構造の磁性層のように、互いに同じ材料からなる複
数の膜を有する層を形成するには、他の方法、例えば次
に示す３つの方法を採用することが必要となる。（１）ターゲットを用いてディスク上に成膜した後、デ
ィスクを他のチャンバに移動させ、このチャンバ内のタ
ーゲットを用いてディスク上に成膜した後、ディスクの
移動方向を逆転させ、上記移動方向上流側のチャンバ内
で再度スパッタリングを行う。（２）チャンバ内でスパッタリングを施したディスク
を、一旦このチャンバから取り出した後、再びこのチャ
ンバ内に搬入し、再度スパッタリングを行う。（３）互いに同じ材料からなるターゲットを備えた複数
のチャンバを有するスパッタ装置を用い、ディスクをこ
れらチャンバ内に順次搬入してスパッタリングを行う。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記
（１）または（２）の方法を採用した場合には、生産効
率が低下してしまう問題がある。また上記（３）の方法
を採用した場合、特に同じ材料からなる膜を多数回形成
するためには、膜数に応じた数のチャンバを有するスパ
ッタ装置を用いる必要があり、装置が大型化し、製造コ
スト面で不利となる問題がある。

【０００９】また、一般に、磁性膜や非磁性下地膜を、
複数の材料を含むものとするには、例えば次の方法が採
用される。（ａ）形成するべき膜と同一組成の合金からなるターゲ
ットを用いてスパッタリングを行うことにより成膜を行
う。（ｂ）上記膜の構成材料となる複数の材料のうち一部を
チップ状に形成して他部の材料に埋め込んだり、これら
材料を粉粒体化した上、均一に混合して集合させること
などにより、上記各材料を複合したターゲットを作製
し、この複合体ターゲットを用いてスパッタリングを行
うことにより成膜を行う。（ｃ）上記複数の材料のうち一部からなる複数の互いに
異なるターゲットを用意し、これら複数のターゲットを
スパッタ装置の１つのチャンバ内に配置し、これらター
ゲットを同時に用いてスパッタリングを行う、いわゆる
コスパッタリングにより成膜を行う。

【００１０】しかしながら、上記（ａ）の合金ターゲッ
トを用いる方法を採用した場合、この合金の物性によっ
ては、ターゲットの機械的強度が低くなり、磁気記録媒
体の製造が困難となることがあった。即ち、形成するべ
き膜が、その構成材料として、ほとんど固溶域を持たな
い共晶型状態図を取る純金属Ｘと純金属Ｙを含む場合を
例に挙げると、これらは互いにほとんど固溶しないた
め、両者を混合してターゲットを作製すると、このター
ゲットは純金属Ｘと純金属Ｙとが小さな粒子の状態で共
存した状態となる。これら純金属ＸおよびＹからなる粒
子同士の結合力は極めて弱いため、ターゲットはその機
械強度が低く、破断しやすいものとなってしまう場合が
多く、このようなターゲットを用いる場合には、ターゲ
ット製造時やスパッタリングを行う際にこのターゲット
が破断し易くなり、その結果、磁気記録媒体の製造が困
難となってしまうことがあった。また、上記複数の材料
が、比重に大きな差がある複数の材料を含むものである
ときには、通常用いられる溶解法によって均一なターゲ
ットを製造することができず、目的とする組成の膜の形
成が困難となることがあった。

【００１１】また、上記（ｂ）の複数の材料からなる複
合体ターゲットを用いる方法を採用した場合には、ター
ゲット作製の際にこれら材料同士の界面に酸素などの不
純物が混入することがあり、その結果、形成した膜がこ
の不純物を多く含むものとなり、得られる磁気記録媒体
の保磁力、角型比等の磁気特性が低下してしまうことが
あった。上記膜中の不純物酸素濃度を低減させることに
より、磁気記録媒体の保磁力等の磁気特性を向上させ得
ることは、例えば国際公開ＷＯ９５／０３６０３号によ
って報告されている。このため、膜中の上記不純物濃度
を低く抑え、磁気特性に優れた磁気記録媒体を容易に製
造することができる方法が要望されていた。

【００１２】また、特に、ターゲットとして上記複数の
材料のうち一部をチップ状に形成して他部の材料に埋め
込むことによって形成したものを用いる場合には、形成
される膜が面方向に不均一なものとなり、磁気記録媒体
の磁気特性が低下してしまうことがあった。

【００１３】また、上記（ｃ）の複数のターゲットを同
時に用いてスパッタリングを行う方法を採用した場合に
は、上記複数のターゲットを１つのチャンバ内に設置す
る必要上、これらターゲットのうち一部はディスク面方
向に均一な膜の形成に不適な位置に配置せざるを得ない
ことが多く、このため、形成された膜が面方向に不均一
なものとなり、磁気記録媒体が磁気特性に劣るものとな
ってしまうことがあった。

【００１４】本発明は、上記事情に鑑みてなされたもの
で、ノイズ特性、保磁力等の磁気特性に優れた磁気記録
媒体、およびこの磁気記録媒体を効率よくかつ容易に製
造することができる方法を提供することを目的とする。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記課題は、非磁性基板
上に非磁性下地膜、磁性膜および保護膜を有する磁気記
録媒体を複数のターゲットを備えたスパッタ装置を用い
て製造する方法であって、前記複数のターゲットとし
て、これらのうち少なくとも２つが互いに異なる材料か
らなるものを含むものを用い、非磁性下地膜および／ま
たは磁性膜を、前記複数のターゲットを順次用いて多数
回に亙って繰り返しスパッタリングを行うことにより形
成する方法によって解決することができる。具体例とし
ては、前記非磁性下地膜および／または磁性膜を形成す
るべきディスクを、回転可能なパレットに保持させ、こ
のパレットを、パレット回転時に前記ディスクが前記複
数のターゲットに順次対向する位置に配置し、このパレ
ットを多数回にわたり回転させつつ前記ターゲットを順
次用いて多数回に亙って繰り返しスパッタリングを行う
ことによって前記ディスク上に前記非磁性下地膜および
／または磁性膜を形成する方法を採用してよい。

【００１６】上記方法を採用することにより、磁気記録
媒体の磁気特性が向上する理由は明らかでないが、上記
のようにスパッタリングにより非磁性下地膜および／ま
たは磁性膜を形成することによって、磁性膜内の磁性粒
子が小粒径化したり、これら磁性粒子同士の間の相互作
用が弱まるようになることが関係していることが考えら
れる。

【００１７】また、スパッタリングの際には、前記パレ
ットを連続的に回転させつつスパッタリングを行うこと
が好ましい。また、ターゲットとしては、前記非磁性下
地膜および／または磁性膜の構成材料のうちの一部から
なるものを用いることが好ましい。また、ターゲットと
しては、単体からなるものを用いるのが好ましい。ま
た、前記ターゲットを、前記ディスクの両面側に配置
し、これらターゲットを用いて前記ディスクの両面にそ
れぞれ非磁性下地膜および／または磁性膜を形成しても
よい。

【００１８】また、本発明の磁気記録媒体は、非磁性下
地膜および／または磁性膜を、ターゲットとしてこれら
のうち少なくとも２つが互いに異なる材料からなるもの
を順次用いて多数回に亙って繰り返しスパッタリングを
行うことにより得たものとしたことを特徴とするもので
ある。

【００１９】

【発明の実施の形態】図１は、本発明の磁気記録媒体の
一実施形態を示すもので、ここに示す磁気記録媒体は、
非磁性基板２１上に、非磁性下地膜２２、磁性膜２３お
よび保護膜２４を順次形成したものである。

【００２０】基板２１としては、磁気記録媒体用基板と
して一般に用いられるＮｉＰメッキ膜が形成されたＡｌ
合金に加え、ガラス、セラミック、カーボン、シリコ
ン、シリコンカーバイドなどからなるものを用いること
ができる。また、基板２１は、その表面にメカニカルテ
クスチャ処理などのテクスチャ処理を施したものとして
もよい。

【００２１】非磁性下地膜２２は、単一層からなるもの
であってもよいし、複数の単位膜を多数回積層した多層
膜からなるものであってもよい。非磁性下地膜２２の材
料としては、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃ
ｕ、Ａｌ、Ａｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｖ、Ｚｒ、Ｃｏ、お
よびＺｎのうち１種の金属、または２種以上の合金を挙
げることができる。この材料の好適な具体例としては、
Ｃｒ、Ｃｒ／Ｔｉ、Ｃｒ／Ｖ、Ｃｒ／Ｓｉ、Ｃｒ／Ａｇ
／Ｔａ、Ｃｒ／Ｗ合金を主成分とするものを挙げること
ができる。なお本明細書において、主成分とは当該成分
を５０ａｔ％以上含むことを指す。

【００２２】非磁性下地膜２２が多層膜からなるものと
される場合には、この非磁性下地膜２２の具体例とし
て、それぞれＣｒ、Ａｇ、およびＴａからなる３種の単
位膜を順次繰り返し多数回、例えば３回以上積層した多
層膜からなるものや、Ｃｒ、Ｔｉからなる２種の単位膜
を順次繰り返し多数回積層した多層膜からなるものを挙
げることができる。

【００２３】上記単位膜は、平均厚みが５０Å以下とな
るように形成するのが好適である。非磁性下地膜２２内
のこれら単位膜の数は、得られる磁気記録媒体の磁気特
性等を考慮して適宜設定される。また、これら単位膜同
士の厚み割合は、得られる磁気記録媒体の磁気特性を考
慮して適宜設定してよい。非磁性下地膜２２の全厚み
は、５０〜６００Åとするのが好ましい。

【００２４】磁性膜２３は、単一層からなるものであっ
てもよいし、複数の単位膜を多数回積層した多層膜から
なるものであってもよい。磁性膜２３の材料としては、
Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉなどの３ｄ遷移元素や４ｆ遷移元素等
の磁性元素を含むものが用いられる。中でも特に、異方
性エネルギーが大きく、ｈｃｐ構造を取るＣｏを含むも
のとすると、保磁力を向上させることができるため好ま
しい。

【００２５】磁性膜２３は、上記磁性元素を含むもので
あれば特に限定されないが、例えば、上記磁性元素と、
Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｂ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａ
ｕ、Ｗ、およびＭｏのうち１種の金属、または２種以上
との合金からなるものとしてよい。この材料の好適な具
体例としては、Ｃｏ／Ｃｒ、Ｃｏ／Ｃｒ／Ｔａ、Ｃｏ／
Ｃｒ／Ｐｔ／Ｔａ、Ｃｏ／Ｎｉ、Ｃｏ／Ｎｉ／Ｐｔ、Ｃ
ｏ／Ｎｉ／Ｃｒ、Ｃｏ／Ｎｉ／Ｃｒ／Ｐｔ等の合金を主
成分とするものを挙げることができる。

【００２６】磁性膜２３が多層膜からなるものとされる
場合には、その具体例として、それぞれＣｏ、Ｃｒ、Ｐ
ｔ、およびＴａからなる４種の単位膜を繰り返し多数
回、例えば３回以上積層した多層膜からなるものや、Ｃ
ｒ、およびＣｏ／Ｃｒ／Ｔａ合金からなる２種の単位膜
を繰り返し多数回、例えば３回以上積層した多層膜から
なるものを挙げることができる。上記単位膜は、それぞ
れその平均厚みが５０Å以下、好ましくは１〜５０Åと
なるように形成するのが好適である。磁性膜２３内のこ
れら単位膜の数は、得られる磁気記録媒体の磁気特性等
を考慮して適宜設定される。また、これら単位膜同士の
膜厚の割合は、得られる磁気記録媒体の磁気特性を考慮
して適宜設定してよい。磁性膜２３の全厚みは、１００
〜３００Åとするのが好ましい。

【００２７】また、上記非磁性下地膜２２と磁性膜２３
のうち少なくともいずれか一方は複数の材料を含むもの
とされる。

【００２８】保護膜２４は、カーボン、酸化シリコン、
窒化シリコンなどからなるものとしてよく、その厚み
は、５０〜２００Åとするのが好ましい。また、保護膜
２４上に、パーフルオロポリエーテルなどからなる潤滑
膜を設けてもよい。

【００２９】次に、上記磁気記録媒体を製造する方法に
ついて説明する。図２ないし図５は、本発明の磁気記録
媒体の製造方法の一実施形態を実施するために用いられ
る製造装置の主要部を示すものである。ここに示す製造
装置は、スパッタ装置であり、図中符号１はチャンバ、
符号２はターゲット、符号３はパレット回転モータ、符
号４は搬送レール、符号５はクライオポンプ、符号６ａ
は第１ゲートバルブ、符号６ｂは第２ゲートバルブ、符
号７はキャリア、符号８は搬送ギア、符号１０はパレッ
ト、符号１１はパレットクランプを示すものである。ま
た、符号９Ａ、９Ｂ、９Ｃおよび９Ｄは、この装置によ
って成膜を施されるべきディスクを示すものである。

【００３０】チャンバ１は、チャンバ１内を減圧するた
めのクライオポンプ５を有し、その両端部に開閉可能な
第１および第２ゲートバルブ６ａ、６ｂが設けられたも
のである。またチャンバ１の両側壁中央には、チャンバ
１内に搬入されたパレット１０を周方向に回転させるた
めのシャフト３ａを有するパレット回転モータ３が設け
られている。シャフト３ａはパレット１０方向に向けて
進退可能に設けられ、前進時においてその先端がパレッ
ト１０のパレットクランプ１１に係合可能に構成されて
いる。

【００３１】ターゲット２は、両側壁にそれぞれ設置さ
れた４種類のターゲット、すなわち第１ないし第４ター
ゲット２Ａ、２Ｂ、２Ｃ、２Ｄからなるものである。こ
こに示す装置において、これら第１ないし第４ターゲッ
ト２Ａ〜２Ｄは、それぞれ材料Ａ、Ｂ、Ｃ、Ｄを用いた
ものとされている。

【００３２】これらターゲットの材料Ａ〜Ｄとしては、
ディスク上に形成するべき膜の構成材料の一部であるも
のが用いられる。特に、この材料として単体を用いる
と、形成される膜中の不純物濃度を低く抑えることがで
きるため好ましい。

【００３３】これら材料Ａ〜Ｄは、これらのうち少なく
とも２つが互いに異なるものとされる。この装置によっ
て形成するべき膜が非磁性下地膜である場合には、Ｃ
ｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｎｉ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａ
ｕ、Ｗ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｖ、Ｚｒ、Ｃｏ、およびＺｎのう
ち１種の金属、または２種以上の合金を用いてよい。具
体的には例えば、材料Ａ、ＣをＣｒ、材料Ｂ、ＤをＴｉ
としてよい。

【００３４】また形成するべき膜が磁性膜である場合、
具体的には、材料Ａ〜Ｄとして、Ｃｏ、Ｆｅ、Ｎｉ、
Ｂ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｃｒ、Ｔｉ、Ａｇ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａ
ｕ、Ｗ、およびＭｏのうち１種の金属、または２種以上
の合金を用いてよい。例えば、材料Ａ〜ＤをそれぞれＣ
ｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、およびＴａとしてよい。また材料Ａ、
ＣをいずれもＣｒ、材料Ｂ、ＤをいずれもＣｏ／Ｃｒ／
Ｔａ合金とすることも可能である。また、チャンバ１内
の下部には、キャリア７をチャンバ１内に搬入またはチ
ャンバ１から搬出するための搬送レール４が設けられて
いる。

【００３５】キャリア７は、上記パレット１０を搬送す
るためのもので、搬送ギア８上に２枚の遮蔽板７ａが互
いに平行に所定の間隔をおいて立設されたものであり、
チャンバ１内の搬送レール４上を走行可能に設けられて
いる。遮蔽板７ａには、キャリア７をチャンバ１内に配
置したときに、ターゲット２Ａ〜２Ｄにそれぞれ対向す
る位置に開口部７ｂが設けられている。これら開口部７
ｂはその径が上記ディスク９Ａ〜９Ｄより大きくなるよ
うに形成されている。また、遮蔽板７ａの中央部には、
上記パレット回転モータ３のシャフト３ａを挿通するた
めの挿通孔７ｃが設けられている。

【００３６】パレット１０は、周方向に回転可能な円板
状物であり、その周方向に亙ってディスク保持部となる
開口部１０ａがターゲット２と同数設けられている。パ
レット１０の中央部には、上記パレット回転モータ３の
シャフト３ａの先端が係合するパレットクランプ１１が
設けられている。パレット１０の開口部１０ａは、キャ
リア７がチャンバ１内に収容された状態でパレット１０
が回転する際に、開口部１０ａに保持されたディスクが
ターゲット２Ａ〜２Ｄに順次対向する位置に設けられ
る。

【００３７】次に、上記製造装置を用い、第１ないし第
４ディスク９Ａ〜９Ｄ上に、上記材料Ａ〜Ｄを順次多数
回に亙って繰り返しスパッタリングすることにより膜を
形成する場合を例として本発明の磁気記録媒体の製造方
法の一実施形態を説明する。

【００３８】まず、第１ないし第４ディスク９Ａ〜９Ｄ
を、パレット１０の開口部１０ａ内にそれぞれパレット
１０と平行に保持させる。ここで用いる第１ないし第４
ディスク９Ａ〜９Ｄとしては、例えばこの装置によって
形成するべき膜が非磁性下地膜である場合、ＮｉＰメッ
キＡｌ合金、ガラス等からなる基板を用いてよい。また
形成するべき膜が磁性膜である場合、上記基板上に、通
常のスパッタ法などによってＣｒ、Ｃｒ／Ｔｉ合金など
からなる非磁性下地膜を形成したものとしてよい。

【００３９】次いで第１ないし第４ディスク９Ａ〜９Ｄ
を保持したパレット１０をキャリア７の２枚の遮蔽板７
ａの間に配置した後、チャンバ１の第１ゲートバルブ６
ａを開放し、キャリア７を搬送レール４に沿ってチャン
バ１内に搬入し、遮蔽板７ａの開口部７ｂがターゲット
２に対向する位置に配置する。次いでチャンバ１のパレ
ット回転モータ３のシャフト３ａ先端をパレット１０の
パレットクランプ１１に係合させる。

【００４０】このようにキャリア７をチャンバ１内に搬
入した後、第１ゲートバルブ６ａを閉止し、クライオポ
ンプ５を用いてチャンバ１内を到達真空度が１×１０^-7
〜１×１０^-6Torr程度となるまで減圧するとともに、Ａ
ｒガスなどのスパッタガスをチャンバ１内に導入する。
この際、パレット１０を、第１ないし第４ディスク９Ａ
〜９Ｄがそれぞれ第１ないし第４ターゲット２Ａ〜２Ｄ
に対向するように配置する（以上の工程をプロセス１と
いう）。

【００４１】次いで、パレット１０を図２中矢印方向へ
例えば３０〜１２０ｒｐｍの回転速度で連続回転させ
る。この過程で、次のようにしてターゲット２Ａ〜２Ｄ
を用いてスパッタリングを行う。まず、材料Ａからなる
第１ターゲット２Ａを用いて開口部７ｂを通して第１デ
ィスク９Ａにのみその両面にＡを供給する（プロセス
２）。続いて、パレット１０を図２中矢印方向に約９０
度回転させ、第１および第４ディスク９Ａ、９Ｄが、そ
れぞれ第２ターゲット２Ｂおよび第１ターゲット２Ａに
対向する位置に配置された段階で、これらターゲット２
Ｂ、２Ａを用いてディスク９Ａ、９Ｄ上にスパッタリン
グを施し、これによって第１ディスク９Ａ上にＢを供給
し、第４ディスク９Ｄ上にＡを供給する（プロセス
３）。

【００４２】続いて、パレット１０をさらに約９０度回
転させ、第１、第４、第３ディスク９Ａ、９Ｄ、９Ｃ
を、それぞれターゲット２Ｃ、２Ｂ、２Ａに対向する位
置に配置した段階で、これら第１、第４、第３ディスク
９Ａ、９Ｄ、９Ｃ上にそれぞれＣ、Ｂ、Ａを供給する
（プロセス４）。

【００４３】次いで、パレット１０をさらに約９０度回
転させ、第１、第４、第３、第２ディスク９Ａ、９Ｄ、
９Ｃ、９Ｂ上にそれぞれＤ、Ｃ、Ｂ、Ａを供給する（プ
ロセス５−１）。次いで、パレット１０をさらに約９０
度回転させ、第１、第４、第３、第２ディスク９Ａ、９
Ｄ、９Ｃ、９Ｂ上にそれぞれＡ、Ｄ、Ｃ、Ｂを供給する
（プロセス５−２）。

【００４４】次いで、パレット１０をさらに約９０度回
転させ、第１、第４、第３、第２ディスク９Ａ、９Ｄ、
９Ｃ、９Ｂ上にそれぞれＢ、Ａ、Ｄ、Ｃを供給する（プ
ロセス５−３）。次いで、パレット１０をさらに約９０
度回転させ、第１、第４、第３、第２ディスク９Ａ、９
Ｄ、９Ｃ、９Ｂ上にそれぞれＣ、Ｂ、Ａ、Ｄを供給する
（プロセス５−４）。これらプロセス５−１ないし５−
４を予め定められた所定回数、例えば２回以上繰り返
す。

【００４５】次に、パレット１０をさらに約９０度回転
させ、第１、第４、第３、第２ディスク９Ａ、９Ｄ、９
Ｃ、９Ｂ上にそれぞれＤ、Ｃ、Ｂ、Ａを供給する（プロ
セス６）。次に、パレット１０をさらに約９０度回転さ
せ、第４、第３、第２ディスク９Ｄ、９Ｃ、９Ｂ上にそ
れぞれＤ、Ｃ、Ｂを供給する（プロセス７）。次に、パ
レット１０をさらに約９０度回転させ、第３、第２ディ
スク９Ｃ、９Ｂ上にそれぞれＤ、Ｃを供給する（プロセ
ス８）。次に、パレット１０をさらに約９０度回転さ
せ、第２ディスク９Ｂ上にＤを供給する（プロセス
９）。

【００４６】上記操作においては、これら操作を行う時
間やターゲット２Ａ〜２Ｄへの供給電力等を適宜調節す
ることによって、形成する膜の厚みやＡ〜Ｄの供給量な
どを所望の値に調整することができる。なお、これらプ
ロセス１〜９において、ディスク９Ａ〜９Ｄと、これら
に対向配置されたターゲット２Ａ〜２Ｄとの相対位置は
常にほぼ一定となる。

【００４７】以上のプロセス１〜９によって、上記材料
Ａ〜Ｄは第１ないし第４ディスク９Ａ〜９Ｄ上に多数
回、例えば３回以上繰り返して順次スパッタリングされ
る。

【００４８】上記プロセス２〜９を行う過程で、ディス
ク９Ａ〜９Ｄ上に供給された材料Ａ〜Ｄは、供給量、デ
ィスク温度等のスパッタリング条件に応じて、ディスク
側からA/B/C/D/A/B/C/D/・・・・/A/B/C/Dの順で積層した多
数の単位膜からなる多層膜を形成するか、またはディス
ク９Ａ〜９Ｄ上で拡散し互いに混合し、材料Ａ〜Ｄの合
金からなる混合膜（単一層）を形成する。また、上記方
法によって形成された膜が磁性膜２３である場合には、
上記材料Ａ〜Ｄの拡散によって磁性粒子が形成されるこ
とがある。

【００４９】上記プロセス９が終了した後、パレット回
転モータ３のシャフト３ａをパレット１０のパレットク
ランプ１１から離間させるとともに第２ゲートバルブ６
ｂを開放し、キャリア７をチャンバ１から搬出する（プ
ロセス１０）。

【００５０】以上のようにして、材料Ａ〜Ｄからなるタ
ーゲット２Ａ〜２Ｄを順次用いて多数回に亙って繰り返
しスパッタリングを行い、ディスク９Ａ〜９Ｄ上に非磁
性下地膜２２および／または磁性膜２３を形成する。上
記過程で形成した膜が非磁性下地膜２２である場合に
は、続いて、通常のスパッタ法または上記プロセス１〜
１０等に従って磁性膜２３および保護膜２４を形成す
る。また、上記過程で形成した膜が磁性膜２３である場
合には、続いて、通常のスパッタ法等によって保護膜２
４を形成する。

【００５１】上記磁気記録媒体の製造方法では、複数の
材料Ａ〜Ｄからなる非磁性下地膜２２および／または磁
性膜２３を、各々材料Ａ〜Ｄからなる複数のターゲット
２Ａ〜２Ｄを順次用いて繰り返しスパッタリングするこ
とにより形成するので、ターゲットとして、これら材料
の合金または複合体を用いた場合に比べ、磁気記録媒体
のノイズ特性、保磁力等の磁気特性を向上させることが
できる。

【００５２】また、ターゲットとして、形成するべき膜
の構成材料の一部からなるものを用いるので、この膜と
同一組成の合金の機械的強度が低い場合でも、ターゲッ
ト２Ａ〜２Ｄの強度を十分なものとし、ターゲットの破
断などの事故を防ぎ、効率のよい製造が可能となる。ま
た、ターゲットとして、不純物含量が多くなりやすい上
記複数の材料の複合体からなる複合体ターゲットを用い
た場合に比べ、形成される膜の不純物含量を低減するこ
とができる。従って不純物含量が少なく、優れた磁気特
性を有する磁気記録媒体を容易かつ効率よく得ることが
できる。

【００５３】また、形成するべき膜が比重に大きな差が
ある複数の材料を含むものであり、これらの合金からな
る均一なターゲットを形成するのが困難である場合で
も、これら材料からなる均一膜を形成することが可能で
ある。

【００５４】さらに、上記実施形態の方法では、プロセ
ス１〜９において、ディスク９Ａ〜９Ｄと、これらに対
向配置されたターゲット２Ａ〜２Ｄとのスパッタリング
時の相対位置を常にほぼ一定とした状態で操作を行うこ
とができる。このため、複数のターゲットを同時に用い
てスパッタリングを行う方法に比べ、ターゲットを、常
に均一膜の形成に適した位置に配置してスパッタリング
を行うことができ、形成される膜を面方向に均一なもの
とし、磁気記録媒体の磁気特性を優れたものとすること
ができる。

【００５５】また、上記複数のターゲットとして、不純
物濃度が低い単体からなるものを用いることによって、
このターゲットを用いて形成された上記膜中の不純物濃
度を低くすることができる。また、上記膜を、１つのチ
ャンバ１内に配置された複数のターゲット２Ａ〜２Ｄを
順次用いて繰り返しスパッタリングすることにより形成
するので、生産効率を低下させず、しかも装置の大型化
を招くこともない。

【００５６】さらには、スパッタリング時の操作条件、
例えば各ターゲット２Ａ〜２Ｄへの供給電力等を適宜調
節することにより、形成される膜の組成を容易な操作で
変化させることが可能となる。従って、形成するべき膜
と同一組成のターゲットを用いる場合に比べ、少数のタ
ーゲットを用いて多種類の膜を形成することができ、磁
気記録媒体の製造を容易化し、生産効率の向上、製造コ
スト低減を図ることができる。

【００５７】また、パレット１０を連続的に回転させつ
つスパッタリングを行うことによって、スパッタリング
を行う際の操作を容易化するとともに、生産効率を高め
ることができる。

【００５８】なお、上記実施形態の製造方法は、本発明
を具体的に説明するための一例に過ぎず、本発明はこれ
に限定されるものではない。従って、第１ないし第４デ
ィスク９Ａ〜９Ｄ上に成膜するに際して、最初にスパッ
タリングする材料としてＡ以外のものを選択してもよい
し、最後にスパッタリングする材料としてＤ以外のもの
を選択してもよい。

【００５９】また、上記材料Ａ〜Ｄをスパッタリングす
る順番としては、上記のようにA/B/C/D/・・・の順番に限
らず、A/C/B/D・・・の順や、B/D/C/B/A/・・・の順など、任
意の順番であってもよい。このようにスパッタリングす
る順番を上記実施形態以外のものとするには、チャンバ
１内のターゲット２Ａ〜２Ｄの設置位置をそれぞれの材
料のスパッタリング順に応じて決定すればよい。

【００６０】また、チャンバ１内のディスク９Ａ〜９Ｄ
の配置についても、実施形態で示したものに限定される
ものではない。さらに、チャンバ１内のターゲット数、
パレット１０上に保持されるディスク数についても上記
実施形態に示したものに限定されるものではなく、形成
するべき膜の組成等に応じて任意に設定してよい。ま
た、ターゲットの種類についても、ターゲットとして、
これらのうち少なくとも２つが異なる材料からなるもの
を用いれば、前記複数のターゲットのうち一部が互いに
同じ材料からなるものであってもよい。

【００６１】また、上記実施形態の製造方法では、パレ
ット１０を連続的に回転させることによってディスク９
Ａ〜９Ｄディスクをターゲット２Ａ〜２Ｄと対向する位
置に配置してスパッタリングを行うようにしたが、本発
明の製造方法はこれに限定されず、パレット１０を間欠
的に回転させつつ成膜を行うことも可能である。

【００６２】また、ディスクの移動を連続的に行う場合
および間欠的に行う場合のいずれの場合においても、チ
ャンバ内のディスクの位置に応じて間欠的にターゲット
へ電力を供給し放電を行うことによって成膜することも
可能であるし、連続放電によって成膜を行うことも可能
である。

【００６３】

【実施例】以下、本発明の実施例を示す。ただし、本発
明は以下の実施例に限定されるものではなく、本発明の
範囲内で任意に変更可能である。（実施例１）図１に示すものと同様の磁気記録媒体を図
２ないし図５に示すものと同様のＤＣマグネトロンスパ
ッタ装置（アネルバ製３１００）を用いて以下に示すよ
うにして作製した。表面粗さＲａが１５Åとなるように
テクスチャリングを施した４枚のＮｉＰメッキＡｌ基板
２１をパレット１０の開口部１０ａに保持させ、このパ
レット１０をキャリア７とともに、Ｃｒ₈₅Ｔｉ₁₅合金か
らなるターゲットを備えたチャンバ内に搬入し、基板２
１上に、非磁性下地膜２２としてＣｒ₈₅Ｔｉ₁₅合金膜を
厚さ２００Åとなるように形成したディスク９Ａ〜９Ｄ
を得た。

【００６４】次いで、上記ディスク９Ａ〜９Ｄの非磁性
下地膜２２上に、次のようにしてそれぞれＣｏ、Ｃｒ、
Ｐｔ、およびＴａを順次繰り返しスパッタリングするこ
とにより磁性膜２３を設けた。まず、予め各々Ｃｏ、Ｃ
ｒ、Ｐｔ、およびＴａからなるターゲット２Ａ〜２Ｄを
チャンバ１内に設置しておき、上記パレット１０をキャ
リア７とともにチャンバ１内に搬入する。次いで、チャ
ンバ１内の真空到達度を２×１０^-7Torrとし、パレット
１０を回転速度４５ｒｐｍで連続的に回転させつつ、２
０秒間の連続放電を行い、ディスク９Ａ〜９Ｄ上に上記
磁性膜２３を形成した。

【００６５】上記操作によって形成された磁性膜２３の
膜厚は、残留磁化膜厚積（ＢｒＴ）で１１０Ｇμｍであ
った。また、磁性膜２３の組成は、Ｃｏ：７８ａｔ％、
Ｃｒ：１３．２ａｔ％、Ｐｔ：５．８ａｔ％、Ｔａ：３
ａｔ％となった。

【００６６】続いて、上記磁性膜２３上にカーボンから
なる保護膜を厚み１５０Åとなるように形成した。上記
各膜を形成する操作におけるスパッタガスとしてはＡｒ
を用い、その圧力は３mTorrとした。

【００６７】この磁気記録媒体の磁気特性を振動式磁気
特性装置（ＶＳＭ）を用いて測定した結果、保磁力（Ｈ
ｃ）は２７００Ｏｅ、保磁力角型比（Ｓ^*）は８８．３
％であった。磁気記録媒体の記録再生特性は、再生部に
磁気抵抗（ＭＲ）素子を有する複合型薄膜磁気ヘッドを
用い、線記録密度１４８．５ＫＦＣＩにて測定した。こ
の磁気記録媒体の記録再生出力は２５０μＶ、ノイズは
２．８６μＶであった。また、この磁気記録媒体の磁性
膜中の磁性粒子の粒径をＴＥＭを用いて測定したとこ
ろ、この粒径は平均で約１５０Åであった。

【００６８】（比較例１）ターゲットとして、組成が実
施例１によって得られた磁気記録媒体の磁性膜と等しい
ＣｏＣｒＰｔＴａ合金（Ｃｏ₇₈Ｃｒ₁₃Ｐｔ₆Ｔａ₃）から
なるものを使用して磁性膜を形成したこと以外は実施例
１と同様にして、磁気記録媒体を作製した。この比較例
１により得られた磁気記録媒体の磁気特性および記録再
生特性を、実施例１において示したものと同様の方法で
測定した。その結果、保磁力（Ｈｃ）は２７６０Ｏｅ、
保磁力角型比（Ｓ^*）は８５．４％、出力は２４５μ
Ｖ、ノイズは３．３１μＶであった。また、この磁気記
録媒体の磁性膜中の磁性粒子の粒径をＴＥＭを用いて測
定したところ、この粒径は、平均値で約１８０Åであっ
た。

【００６９】（実施例２）図１に示すものと同様の磁気
記録媒体を以下に示すようにして作製した。実施例１に
示したものと同様の基板２１であるディスク９Ａ〜９Ｄ
を、パレット１０に保持させた上、実施例１に示したも
のと同様のスパッタ装置（アネルバ製３１００）のチャ
ンバ１内にセットした。次いで、チャンバ１内を真空到
達度２×１０^-7Torrとなるまで排気し、ディスク９Ａ〜
９Ｄ上に、次のようにしてそれぞれＣｒ、Ａｇ、および
Ｔａを順次繰り返しスパッタリングすることにより非磁
性下地膜２２を形成した。

【００７０】上記スパッタ装置としては、図２ないし図
５に示すスパッタ装置において、第１ターゲット２Ａを
Ｃｒ、第２ターゲット２ＢをＡｇ、第３ターゲット２Ｃ
をＴａからなるものとしたものを使用した。なお、第４
ターゲット２Ｄは用いなかった。スパッタ装置のパレッ
ト１０を回転速度６０ｒｐｍで連続的に回転させつつ、
３０秒間の連続放電を行い、ディスク９Ａ〜９Ｄの基板
２１上に非磁性下地膜２２を形成した。非磁性下地膜２
２の組成は、Ｃｒ：８２ａｔ％、Ａｇ：８ａｔ％、Ｔ
ａ：１０ａｔ％となった。

【００７１】次いで、パレット１０およびキャリア７を
チャンバ（図示略）内に搬入し、このチャンバ内に設置
したＣｏＣｒＰｔＴａ合金（Ｃｏ₇₈Ｃｒ₁₃Ｐｔ₆Ｔａ₃）
からなるターゲットを使用して、このＣｏＣｒＰｔＴａ
合金からなる磁性膜２３を形成した。続いて、上記磁性
膜上にカーボンからなる保護膜を厚み１５０Åとなるよ
うに形成した。磁性膜２３の膜厚は、残留磁化膜厚積
（ＢｒＴ）で１１０Ｇμｍであった。

【００７２】この磁気記録媒体の磁気特性および記録再
生特性を測定した結果、保磁力（Ｈｃ）は２９６０Ｏ
ｅ、保磁力角型比（Ｓ^*）は８６．５％、記録再生出力
は２４８μＶ、ノイズは２．５０μＶであった。

【００７３】（比較例２）ターゲットとして、組成が実
施例２によって得られた磁気記録媒体の非磁性下地膜と
等しいＣｒＡｇＴａ合金（Ｃｒ₈₂Ａｇ₈Ｔａ₁₀）からな
るものを使用して磁気記録媒体の作製を試みたが、この
ターゲットにクラックが入ってしまい、非磁性下地膜を
形成することができなかった。

【００７４】（実施例３）図１に示すものと同様の磁気
記録媒体を以下に示すようにして作製した。実施例１に
示したものと同様の基板２１であるディスク９Ａ〜９Ｄ
を、パレット１０に保持させた上、実施例１に示したも
のと同様のスパッタ装置（アネルバ製３１００）のチャ
ンバ１内にセットした。次いで、チャンバ１内を真空到
達度２×１０^-7Torrとなるまで排気し、ディスク９Ａ〜
９Ｄの基板２１上に、次のようにしてＣｒおよびＴｉを
順次繰り返しスパッタリングすることにより非磁性下地
膜２２を形成した。

【００７５】上記スパッタ装置としては、図２ないし図
５に示すスパッタ装置において、第１および第３ターゲ
ット２Ａ、２ＣをＣｒ、第２および第４ターゲット２
Ｂ、２ＤをＴｉからなるものとしたものを使用した。ス
パッタ装置のパレット１０を回転速度６０ｒｐｍで連続
的に回転させつつ、３０秒間の連続放電を行い、上記非
磁性下地膜２２を形成した。

【００７６】次いで、ＣｏＣｒＰｔＴａ合金（Ｃｏ₇₈Ｃ
ｒ₁₃Ｐｔ₆Ｔａ₃）からなるターゲットを使用して、この
ＣｏＣｒＰｔＴａ合金からなる磁性膜２３を形成した。
磁性膜２３の膜厚は、残留磁化膜厚積（ＢｒＴ）で１１
０Ｇμｍであった。続いて、上記磁性膜上にカーボンか
らなる保護膜を厚み１５０Åとなるように形成した。

【００７７】非磁性下地膜２２の組成は、Ｃｒ：８５ａ
ｔ％、Ｔｉ：１５ａｔ％となった。またＣｒターゲット
中の不純物酸素濃度は４０ｐｐｍ、Ｔｉターゲット中の
不純物酸素濃度は５０ｐｐｍであった。

【００７８】この磁気記録媒体の磁気特性および記録再
生特性を測定した結果、保磁力（Ｈｃ）は２９３０Ｏ
ｅ、保磁力角型比（Ｓ^*）は８８．０％、記録再生出力
は２６８μＶ、ノイズは２．６２μＶであった。また、
二次イオン質量分析（ＳＩＭＳ）による測定の結果、非
磁性下地膜２２中の¹⁶Ｏの強度は、基板２１のＮｉＰメ
ッキ層内部の³¹Ｐ強度で補正した値で０．１０となっ
た。

【００７９】（比較例３）ターゲットとして、組成が実
施例３によって得られた磁気記録媒体の非磁性下地膜と
等しいＣｒＴｉ合金（Ｃｒ₈₅Ｔｉ₁₅）からなるものを使
用して非磁性下地膜を形成したこと以外は実施例３と同
様にして磁気記録媒体を作製した。ここで用いたＣｒＴ
ｉ合金ターゲット中の不純物酸素濃度は２００ｐｐｍで
あった。得られた磁気記録媒体の磁気特性および記録再
生特性について測定した結果、保磁力（Ｈｃ）は２７６
０Ｏｅ、保磁力角型比（Ｓ^*）は８５．４％、記録再生
出力は２４５μＶ、ノイズは３．３１μＶであった。ま
た、ＳＩＭＳによる測定の結果、非磁性下地膜中の¹⁶Ｏ
の強度は、基板２１のＮｉＰメッキ層内部の³¹Ｐ強度で
補正した値で０．２１となった。

【００８０】（実施例４）図１に示すものと同様の磁気
記録媒体を以下に示すようにして作製した。実施例１に
示したものと同様の基板２１であるディスク９Ａ〜９Ｄ
を、パレット１０に保持させた上、実施例１に示したも
のと同様のスパッタ装置（アネルバ製３１００）のチャ
ンバ１内にセットした。次いで、チャンバ１内を真空到
達度２×１０^-7Torrとなるまで排気し、ディスク９Ａ〜
９Ｄの基板２１上に、次のようにしてＣｒおよびＴｉを
順次繰り返しスパッタリングすることにより非磁性下地
膜２２を形成した。

【００８１】上記スパッタ装置としては、図２ないし図
５に示すスパッタ装置において、第１および第３ターゲ
ット２Ａ、２ＣをＣｒ、第２および第４ターゲット２
Ｂ、２ＤをＴｉからなるものとしたものを使用した。ス
パッタ装置のパレット１０を回転速度６０ｒｐｍで連続
的に回転させつつ、３０秒間の連続放電を行い、上記非
磁性下地膜２２を形成した。

【００８２】次いで、各々Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔ、およびＴ
ａからなるターゲット２Ａ〜２Ｄをチャンバ１内に設置
した図２ないし図５に示すものと同様のスパッタ装置を
用い、上記非磁性下地膜２２を形成したディスク９Ａ〜
９Ｄをパレット１０に保持させ、このパレット１０をキ
ャリア７とともにチャンバ１内に搬入し、パレット１０
を回転速度４５ｒｐｍで連続的に回転させつつ、２０秒
間の連続放電を行い、ディスク９Ａ〜９Ｄ上に磁性膜２
３を形成した。

【００８３】上記操作によって形成された非磁性下地膜
２２の組成は、Ｃｒ：８５ａｔ％、Ｔｉ：１５ａｔ％と
なった。また、磁性膜２３の組成は、Ｃｏ：７８ａｔ
％、Ｃｒ：１３．２ａｔ％、Ｐｔ：５．８ａｔ％、Ｔ
ａ：３ａｔ％となった。また、磁性膜２３の膜厚は、残
留磁化膜厚積（ＢｒＴ）で１１０Ｇμｍであった。続い
て、上記磁性膜上にカーボンからなる保護膜を厚み１５
０Åとなるように形成した。

【００８４】この磁気記録媒体の磁気特性および記録再
生特性を測定した結果、保磁力（Ｈｃ）は２９６０Ｏ
ｅ、保磁力角型比（Ｓ^*）は８９．２％、記録再生出力
は２６９μＶ、ノイズは２．５８μＶであった。

【００８５】（比較例４）非磁性下地膜の形成に際し
て、ターゲットとして、組成が、実施例４によって得ら
れた磁気記録媒体の非磁性下地膜と等しいＣｒＴｉ合金
（Ｃｒ₈₅Ｔｉ₁₅）からなるものを使用して非磁性下地膜
を形成し、磁性膜の形成に際して、ターゲットとして、
組成が実施例４によって得られた磁気記録媒体の磁性膜
と等しいＣｏＣｒＰｔＴａ合金（Ｃｏ₇₈Ｃｒ₁₃Ｐｔ₆Ｔ
ａ₃）からなるものを使用して磁性膜を形成したこと以
外は実施例４と同様にして、磁気記録媒体を作製した。

【００８６】比較例４の磁気記録媒体の磁気特性および
記録再生特性について測定した結果、保磁力（Ｈｃ）は
２７８０Ｏｅ、保磁力角型比（Ｓ^*）は８６．１％、記
録再生出力は２４４μＶ、ノイズは３．２８μＶであっ
た。

【００８７】上記結果より、複数のターゲットを順次用
いて多数回に亙って繰り返しスパッタリングを行うこと
により磁性膜を形成する実施例１の製造方法によって製
造された磁気記録媒体は、組成が上記磁性膜と等しい合
金ターゲットを用いてスパッタリングを行うことにより
磁性膜を形成する比較例１の方法によって製造されたも
のに比べ、磁性膜中の磁性粒子が小粒径化され、ノイズ
特性が大幅に改善されたものとなったことがわかる。

【００８８】また、Ｃｒ、Ａｇ、およびＴａからなる合
金ターゲットを用いた比較例２の方法では、このターゲ
ットが破断し非磁性下地膜を形成することができなかっ
たのに対し、それぞれＣｒ、Ａｇ、およびＴａからなる
３つのターゲットを用いた実施例２の製造方法では、こ
れらＣｒ、Ａｇ、およびＴａの合金からなる非磁性下地
膜を容易に形成することができたことがわかる。

【００８９】また、ＣｒおよびＴｉからなる２つのター
ゲットを用いてＣｒＴｉ合金からなる非磁性下地膜を形
成する実施例３の製造方法にあっては、これらターゲッ
トの不純物酸素濃度が、比較例３で用いたＣｒＴｉ合金
からなるターゲットに比べ低いため、このＣｒＴｉ合金
ターゲットを用いて非磁性下地膜を形成した比較例３の
方法によって得られたものに比べ、不純物含有量を低く
抑え、ノイズ特性を高めることができただけでなく、他
の磁気特性、特に保磁力を大幅に向上させることができ
たことがわかる。

【００９０】また、複数のターゲットを順次用いて多数
回に亙って繰り返しスパッタリングを行うことにより非
磁性下地膜および磁性膜の両方を形成する実施例４の方
法によれば、上記下地膜および磁性膜を組成がこれらと
等しい合金ターゲットを用いて形成する比較例４の方法
によって製造されたものに比べ、磁気特性に優れたもの
となったことがわかる。また、下地膜、磁性膜のうちい
ずれかを上記繰り返しスパッタリングにより形成する実
施例１〜３の方法に比べ、磁気記録媒体の磁気特性を一
層向上させることが可能となったことがわかる。

【００９１】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の磁気記録
媒体の製造方法では、非磁性下地膜および／または磁性
膜を、複数のターゲットを順次用いて繰り返しスパッタ
リングすることにより形成するので、ターゲットとし
て、これら材料の合金または複合体を用いた場合に比
べ、磁気記録媒体のノイズ特性、保磁力等の磁気特性を
向上させることができる。

【００９２】また、ターゲットとして、形成するべき膜
の構成材料の一部からなるものを用いるので、この膜と
同一組成の合金の機械的強度が低い場合でも、ターゲッ
トの強度を十分なものとし、ターゲットの破断などの事
故を防ぎ、効率のよい製造が可能となる。また、ターゲ
ットとして、不純物含量が多くなりやすい上記材料の複
合体からなる複合体ターゲットを用いた場合に比べ、形
成される膜の不純物含量を低減することができる。従っ
て不純物含量が少なく、優れた磁気特性を有する磁気記
録媒体を容易かつ効率よく得ることができる。

【００９３】さらには、スパッタリング時の操作条件、
例えば各ターゲットへの供給電力等を適宜調節すること
により、形成される膜の組成を容易な操作で変化させる
ことが可能となる。従って、形成するべき膜と同一組成
のターゲットを用いる場合に比べ、少数のターゲットを
用いて多種類の膜を形成することができ、磁気記録媒体
の製造を容易化し、生産効率の向上、製造コスト低減を
図ることができる。

【００９４】また、本発明の磁気記録媒体は、ノイズ特
性、保磁力等の磁気特性に優れたものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の磁気記録媒体の一実施形態を示す一
部断面図である。

【図２】本発明の磁気記録媒体の製造方法の一例を実
施するために用いられる製造装置の主要部を示す概略構
成図である。

【図３】図１に示す製造装置のチャンバを示す概略構
成図であり、（Ａ）は正面図、（Ｂ）は断面図である。

【図４】図１に示す製造装置のキャリアを示す概略構
成図であり、（Ａ）は正面図、（Ｂ）は断面図である。

【図５】図１に示す製造装置のパレットを示す概略構
成図であり、（Ａ）は正面図、（Ｂ）は断面図である。

【符号の説明】

２・・・ターゲット、２Ａ・・・第１ターゲット、２Ｂ・・・第
２ターゲット、２Ｃ・・・第３ターゲット、２Ｄ・・・第４タ
ーゲット、９Ａ・・・第１ディスク、９Ｂ・・・第２ディス
ク、９Ｃ・・・第３ディスク、９Ｄ・・・第４ディスク、１０
・・・パレット、２１・・・非磁性基板、２２・・・非磁性下地
膜、２３・・・磁性膜、２４・・・保護膜

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】非磁性基板上に非磁性下地膜、磁性膜お
よび保護膜を有する磁気記録媒体を複数のターゲットを
備えたスパッタ装置を用いて製造する方法であって、前記ターゲットとして、これらのうち少なくとも２つが
互いに異なる材料からなるものを用い、非磁性下地膜および／または磁性膜を、前記複数のター
ゲットを順次用いて多数回に亙って繰り返しスパッタリ
ングを行うことにより形成することを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法。
【請求項２】非磁性基板上に非磁性下地膜、磁性膜お
よび保護膜を有する磁気記録媒体を複数のターゲットを
備えたスパッタ装置を用いて製造する方法であって、前記ターゲットとして、これらのうち少なくとも２つが
互いに異なる材料からなるものを用い、前記非磁性下地膜および／または磁性膜を形成するべき
ディスクを、回転可能なパレットに保持させ、このパレ
ットを、パレット回転時に前記ディスクが前記複数のタ
ーゲットに順次対向する位置に配置し、このパレットを
多数回にわたり回転させつつ前記ターゲットを順次用い
て多数回に亙って繰り返しスパッタリングを行うことに
よって前記ディスク上に前記非磁性下地膜および／また
は磁性膜を形成することを特徴とする磁気記録媒体の製
造方法。
【請求項３】請求項２記載の磁気記録媒体の製造方法
において、前記パレットを連続的に回転させつつスパッ
タリングを行うことを特徴とする磁気記録媒体の製造方
法。
【請求項４】請求項１〜３のうちいずれか１項記載の
磁気記録媒体の製造方法において、ターゲットとして、
前記非磁性下地膜および／または磁性膜の構成材料のう
ちの一部からなるものを用いることを特徴とする磁気記
録媒体の製造方法。
【請求項５】請求項４記載の磁気記録媒体の製造方法
において、ターゲットとして、単体からなるものを用い
ることを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項６】請求項２〜５のうちいずれか１項記載の
磁気記録媒体の製造方法において、前記ターゲットを、
スパッタ装置内の前記ディスクの両面側に配置し、これ
らターゲットを用いて前記ディスクの両面にそれぞれ非
磁性下地膜および／または磁性膜を形成することを特徴
とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項７】非磁性基板上に非磁性下地膜、磁性膜お
よび保護膜を有する磁気記録媒体において、非磁性下地膜および／または磁性膜を、ターゲットとし
てこれらのうち少なくとも２つが互いに異なる材料から
なるものを順次用いて多数回に亙って繰り返しスパッタ
リングを行うことにより得たものとすることを特徴とす
る磁気記録媒体。