JPH1167645A - フォトリソグラフィーにおけるレジスト現像方法 - Google Patents
フォトリソグラフィーにおけるレジスト現像方法Info
- Publication number
- JPH1167645A JPH1167645A JP9225554A JP22555497A JPH1167645A JP H1167645 A JPH1167645 A JP H1167645A JP 9225554 A JP9225554 A JP 9225554A JP 22555497 A JP22555497 A JP 22555497A JP H1167645 A JPH1167645 A JP H1167645A
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- developing solution
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レジスト現像方法において、現像液中の気泡
による現像欠陥の低減を図ること。 【解決手段】 現像液１が入っている容器２は、穴を設
け大気開放したもの又は真空ポンプ等で内部を負圧して
いる密閉型のものを用いる。現像液１内部に浸漬してい
る配管３を介して、現像液１をレジスト現像装置４内の
ウエハ５表面に重力による自由落下により塗布する。配
管３内には途中に現像液１の流量を調節するバルブ６を
設け、さらに、配管３出口側のウエハ５近傍には、ウエ
ハ５表面に現像液１が均一的にかかるようにノズル７を
設けている。ウエハ５表面にノズル７を介して現像液１
を０．５〜１．０Ｌ／ｍｉｎの流量になるようにバルブ
６で調節する。本発明では、現像液１の入った容器２
を、現像液１を塗布するときのウエハ５の位置よりも高
い位置に設置する。ウエハ５の位置よりも高い位置に設
置することにより、容器２内の現像液１はウエハ５表面
に重力による自由落下により塗布することができる。
による現像欠陥の低減を図ること。 【解決手段】 現像液１が入っている容器２は、穴を設
け大気開放したもの又は真空ポンプ等で内部を負圧して
いる密閉型のものを用いる。現像液１内部に浸漬してい
る配管３を介して、現像液１をレジスト現像装置４内の
ウエハ５表面に重力による自由落下により塗布する。配
管３内には途中に現像液１の流量を調節するバルブ６を
設け、さらに、配管３出口側のウエハ５近傍には、ウエ
ハ５表面に現像液１が均一的にかかるようにノズル７を
設けている。ウエハ５表面にノズル７を介して現像液１
を０．５〜１．０Ｌ／ｍｉｎの流量になるようにバルブ
６で調節する。本発明では、現像液１の入った容器２
を、現像液１を塗布するときのウエハ５の位置よりも高
い位置に設置する。ウエハ５の位置よりも高い位置に設
置することにより、容器２内の現像液１はウエハ５表面
に重力による自由落下により塗布することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、フォトリソグラフ
ィーにおけるレジスト現像方法に係わり、特に現像液中
の気泡により発生していた現像欠陥を低減することを目
的とする。
ィーにおけるレジスト現像方法に係わり、特に現像液中
の気泡により発生していた現像欠陥を低減することを目
的とする。
【０００２】
【従来の技術】従来技術のフォトリソグラフィー工程に
おける一般的なレジスト現像方法としては、図３
（ａ），（ｂ）に示す。図３（ａ）では、現像液１１が
入っている密閉容器１２内現像液１１表面上を配管１３
を介して窒素ガス１４等で加圧する。加圧された窒素ガ
ス１４は、現像液１１内部に浸漬している配管１５を介
して、現像液１１をレジスト現像装置１６内のウエハ１
７表面に圧送して塗布する。配管１５内には途中に現像
液１１の流量を調節するバルブ１８を設け、さらに、配
管１５出口側のウエハ１７近傍には、ウエハ１７表面に
現像液１１が均一的にかかるようにノズル１９を設けて
いる。配管１３内窒素ガス１４の加圧はノズル１９出口
の圧力（例えば大気圧）に０．５〜３．０ｋｇｆ／ｃｍ
2程度加えたものにする。ウエハ１７表面にノズル１９
を介して現像液１１を０．５〜１．０Ｌ／ｍｉｎの流量
になるようにバルブ１８で調節する。
おける一般的なレジスト現像方法としては、図３
（ａ），（ｂ）に示す。図３（ａ）では、現像液１１が
入っている密閉容器１２内現像液１１表面上を配管１３
を介して窒素ガス１４等で加圧する。加圧された窒素ガ
ス１４は、現像液１１内部に浸漬している配管１５を介
して、現像液１１をレジスト現像装置１６内のウエハ１
７表面に圧送して塗布する。配管１５内には途中に現像
液１１の流量を調節するバルブ１８を設け、さらに、配
管１５出口側のウエハ１７近傍には、ウエハ１７表面に
現像液１１が均一的にかかるようにノズル１９を設けて
いる。配管１３内窒素ガス１４の加圧はノズル１９出口
の圧力（例えば大気圧）に０．５〜３．０ｋｇｆ／ｃｍ
2程度加えたものにする。ウエハ１７表面にノズル１９
を介して現像液１１を０．５〜１．０Ｌ／ｍｉｎの流量
になるようにバルブ１８で調節する。
【０００３】図３（ｂ）では、現像液２１が入っている
密閉容器２２内現像液２１表面上を配管２３を介して窒
素ガス２４等で加圧する。加圧された窒素ガス２４は、
現像液２１内部に浸漬している配管２５を介して、現像
液２１を密閉容器であるバッファータンク３０内に溜め
る。溜める際の現像液２１の流量調節はバルブ２８で行
う。現像液２１が入っているバッファータンク３０現像
液２１表面上を配管３１を介して窒素ガス３２等で加圧
する。加圧された窒素ガス３２は、現像液２１内部に浸
漬している配管３３を介して、現像液２１をレジスト現
像装置２６内のウエハ２７表面に圧送して塗布する。配
管３３内には途中に現像液２１の流量を調節するバルブ
３４を設け、さらに、配管３３出口側のウエハ２７近傍
には、ウエハ２７表面に現像液２１が均一的にかかるよ
うにノズル２９を設けている。配管２３及び配管３１内
窒素ガス２４及び窒素ガス３２の加圧は、ノズル２９出
口及び配管２５出口の圧力（例えば大気圧）に０．５〜
３．０ｋｇｆ／ｃｍ2程度加えたものにする。ウエハ２
７表面にノズル２９を介して現像液２１を０．５〜１．
０Ｌ／ｍｉｎの流量になるようにバルブ３４で調節す
る。
密閉容器２２内現像液２１表面上を配管２３を介して窒
素ガス２４等で加圧する。加圧された窒素ガス２４は、
現像液２１内部に浸漬している配管２５を介して、現像
液２１を密閉容器であるバッファータンク３０内に溜め
る。溜める際の現像液２１の流量調節はバルブ２８で行
う。現像液２１が入っているバッファータンク３０現像
液２１表面上を配管３１を介して窒素ガス３２等で加圧
する。加圧された窒素ガス３２は、現像液２１内部に浸
漬している配管３３を介して、現像液２１をレジスト現
像装置２６内のウエハ２７表面に圧送して塗布する。配
管３３内には途中に現像液２１の流量を調節するバルブ
３４を設け、さらに、配管３３出口側のウエハ２７近傍
には、ウエハ２７表面に現像液２１が均一的にかかるよ
うにノズル２９を設けている。配管２３及び配管３１内
窒素ガス２４及び窒素ガス３２の加圧は、ノズル２９出
口及び配管２５出口の圧力（例えば大気圧）に０．５〜
３．０ｋｇｆ／ｃｍ2程度加えたものにする。ウエハ２
７表面にノズル２９を介して現像液２１を０．５〜１．
０Ｌ／ｍｉｎの流量になるようにバルブ３４で調節す
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来技術によるレジス
ト現像方法では、現像液が入っている容器内を窒素ガス
等で加圧するがために、この現像液内に窒素ガス等が溶
け込む。この窒素ガス等が溶け込んだ現像液は、ウエハ
上に塗布される際に大気開放されることにより、溶け込
んでいた窒素ガス等が再び気泡化しこれら気泡を含む状
態となる。そしてこの気泡がウエハ上のレジスト膜に付
着することにより、現像液によるレジストの現像を阻害
し、その結果として現像欠陥を発生させる課題を有して
いる。
ト現像方法では、現像液が入っている容器内を窒素ガス
等で加圧するがために、この現像液内に窒素ガス等が溶
け込む。この窒素ガス等が溶け込んだ現像液は、ウエハ
上に塗布される際に大気開放されることにより、溶け込
んでいた窒素ガス等が再び気泡化しこれら気泡を含む状
態となる。そしてこの気泡がウエハ上のレジスト膜に付
着することにより、現像液によるレジストの現像を阻害
し、その結果として現像欠陥を発生させる課題を有して
いる。
【０００５】特開平５−１３３２０号公報での処理液塗
布方法では、多数の細孔から処理液を供給する液体供給
ノズルを被処理基板面に近接対向する如く配置し、液体
供給ノズルの多数の細孔から液膜状に処理液を被処理基
板面に供給するとともに、被処理基板と液体供給ノズル
とを相対的に移動させて被処理基板面に処理液を塗布す
るものである。この方法でも溶け込んでいた窒素ガス等
が再び気泡化することを抑制する解決策にはなっていな
いし、仮に再び発生した気泡を除去する被処理基板と液
体供給ノズルとを相対的に移動させる機構は複雑で簡便
な方法とはいえない。
布方法では、多数の細孔から処理液を供給する液体供給
ノズルを被処理基板面に近接対向する如く配置し、液体
供給ノズルの多数の細孔から液膜状に処理液を被処理基
板面に供給するとともに、被処理基板と液体供給ノズル
とを相対的に移動させて被処理基板面に処理液を塗布す
るものである。この方法でも溶け込んでいた窒素ガス等
が再び気泡化することを抑制する解決策にはなっていな
いし、仮に再び発生した気泡を除去する被処理基板と液
体供給ノズルとを相対的に移動させる機構は複雑で簡便
な方法とはいえない。
【０００６】依って、本発明においては前記問題点を鑑
み、現像液中の気泡による現像欠陥の低減を図ることを
目的としたレジスト現像方法を提供するものである。
み、現像液中の気泡による現像欠陥の低減を図ることを
目的としたレジスト現像方法を提供するものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、従来技術の課
題を有利に解決するものであって、半導体装置のフォト
リソグラフィー工程におけるレジスト現像処理工程で、
現像液の入った容器を、ウエハ上に塗布する時のウエハ
位置より高い位置に設置し、または、現像液をウエハに
塗布する前に一旦ウエハ上に塗布する時のウエハ位置よ
り高い位置に溜めおき、重力による自由落下によりウエ
ハ上に塗布することを特徴とするフォトリソグラフィー
におけるレジスト現像方法、及び現像液の溜めおき条件
として、現像液に加わる圧力は大気圧と同等、または負
圧とすることを特徴とするフォトリソグラフィーにおけ
るレジスト現像方法である。
題を有利に解決するものであって、半導体装置のフォト
リソグラフィー工程におけるレジスト現像処理工程で、
現像液の入った容器を、ウエハ上に塗布する時のウエハ
位置より高い位置に設置し、または、現像液をウエハに
塗布する前に一旦ウエハ上に塗布する時のウエハ位置よ
り高い位置に溜めおき、重力による自由落下によりウエ
ハ上に塗布することを特徴とするフォトリソグラフィー
におけるレジスト現像方法、及び現像液の溜めおき条件
として、現像液に加わる圧力は大気圧と同等、または負
圧とすることを特徴とするフォトリソグラフィーにおけ
るレジスト現像方法である。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明は、従来技術で行われてい
た現像液容器内を加圧して現像液を圧送し塗布する方法
を、現像液の入った容器をウエハ上に塗布する時のウエ
ハ位置より高い位置に設置し、または、現像液をウエハ
に塗布する前に一旦ウエハ上に塗布する時のウエハ位置
より高い位置に溜めおき、重力による自由落下によりウ
エハ上に塗布することにより現像液中の気泡により発生
していた現像欠陥を低減を図るものである。
た現像液容器内を加圧して現像液を圧送し塗布する方法
を、現像液の入った容器をウエハ上に塗布する時のウエ
ハ位置より高い位置に設置し、または、現像液をウエハ
に塗布する前に一旦ウエハ上に塗布する時のウエハ位置
より高い位置に溜めおき、重力による自由落下によりウ
エハ上に塗布することにより現像液中の気泡により発生
していた現像欠陥を低減を図るものである。
【０００９】図１は、本発明の第１の実施の形態による
フォトリソグラフィーにおけるレジスト現像方法を示す
概要図である。現像液１が入っている容器２は、穴を設
け大気開放したもの又は真空ポンプ等で内部を負圧して
いる密閉型のものを用いる。現像液１内部に浸漬してい
る配管３を介して、現像液１をレジスト現像装置４内の
ウエハ５表面に重力による自由落下により塗布する。配
管３内には途中に現像液１の流量を調節するバルブ６を
設け、さらに、配管３出口側のウエハ５近傍には、ウエ
ハ５表面に現像液１が均一的にかかるようにノズル７を
設けている。ウエハ５表面にノズル７を介して現像液１
を０．５〜１．０Ｌ／ｍｉｎの流量になるようにバルブ
６で調節する。本発明では、現像液１の入った容器２
を、現像液１を塗布するときのウエハ５の位置よりも高
い位置に設置する。ウエハ５の位置よりも高い位置に設
置することにより、容器２内の現像液１はウエハ５表面
に重力による自由落下により塗布することができる。こ
のときこの容器２内は、穴を設け大気開放したもの又は
真空ポンプ等で内部を負圧している密閉型のものを用い
て、大気圧と同等または負圧になるようにする。
フォトリソグラフィーにおけるレジスト現像方法を示す
概要図である。現像液１が入っている容器２は、穴を設
け大気開放したもの又は真空ポンプ等で内部を負圧して
いる密閉型のものを用いる。現像液１内部に浸漬してい
る配管３を介して、現像液１をレジスト現像装置４内の
ウエハ５表面に重力による自由落下により塗布する。配
管３内には途中に現像液１の流量を調節するバルブ６を
設け、さらに、配管３出口側のウエハ５近傍には、ウエ
ハ５表面に現像液１が均一的にかかるようにノズル７を
設けている。ウエハ５表面にノズル７を介して現像液１
を０．５〜１．０Ｌ／ｍｉｎの流量になるようにバルブ
６で調節する。本発明では、現像液１の入った容器２
を、現像液１を塗布するときのウエハ５の位置よりも高
い位置に設置する。ウエハ５の位置よりも高い位置に設
置することにより、容器２内の現像液１はウエハ５表面
に重力による自由落下により塗布することができる。こ
のときこの容器２内は、穴を設け大気開放したもの又は
真空ポンプ等で内部を負圧している密閉型のものを用い
て、大気圧と同等または負圧になるようにする。
【００１０】このことにより、従来技術では現像液の搬
送手段として窒素ガスの加圧工程が必要であったが、本
発明では不必要となる。さらに、従来技術では、窒素ガ
スの加圧工程によって現像液の入った容器内の圧力がウ
エハに現像液を塗布するときの圧力より高いので、現像
液の入った容器内から現像液を塗布するまでの圧力低下
によって現像液中に溶解している空気又は窒素ガスの一
部が気泡として発生するのに対して、本発明では現像液
中に溶解している空気又は窒素ガスの一部が気泡として
発生することはない。本発明の容器２内は、大気圧と同
等または負圧になるようにしているので、従来技術と異
なり現像液の入った容器内から現像液を塗布するまでの
圧力低下がないので、現像液中に溶解している空気又は
窒素ガスの一部が気泡として発生することが全くない。
送手段として窒素ガスの加圧工程が必要であったが、本
発明では不必要となる。さらに、従来技術では、窒素ガ
スの加圧工程によって現像液の入った容器内の圧力がウ
エハに現像液を塗布するときの圧力より高いので、現像
液の入った容器内から現像液を塗布するまでの圧力低下
によって現像液中に溶解している空気又は窒素ガスの一
部が気泡として発生するのに対して、本発明では現像液
中に溶解している空気又は窒素ガスの一部が気泡として
発生することはない。本発明の容器２内は、大気圧と同
等または負圧になるようにしているので、従来技術と異
なり現像液の入った容器内から現像液を塗布するまでの
圧力低下がないので、現像液中に溶解している空気又は
窒素ガスの一部が気泡として発生することが全くない。
【００１１】図２は、本発明の第２の実施の形態による
フォトリソグラフィーにおけるレジスト現像方法を示す
概要図で、塗布前の現像液の溜め置き手段を付加したも
のである。現像液１０１が入っている密閉容器１０２内
現像液１０１表面上を配管１０４を介して窒素ガス１０
３等で加圧する。加圧された窒素ガス１０３は、現像液
１０１内部に浸漬している配管１０５を介して、現像液
１０１を、穴を設け大気開放したもの又は真空ポンプ等
で内部を負圧している密閉型の容器２内に溜める。溜め
る際の現像液１０１の流量調節はバルブ１０６で行う。
配管１０４内窒素ガス１０３の加圧は、配管１０５出口
の圧力（大気圧または負圧）と、容器２と密閉容器１０
２との高さの差による位置エネルギーポテンシャルに相
当する圧力に０．５〜３．０ｋｇｆ／ｃｍ2程度加えた
ものにする。窒素ガス１０３の加圧によって現像液１０
１の入った容器１０２内の圧力が大気開放したもの又は
真空ポンプ等で内部を負圧している密閉型の容器２の圧
力より高いので、密閉容器１０２から容器２までの現像
液１０１の圧力低下によって現像液１０１中に溶解して
いる空気又は窒素ガスの一部が容器２内で気泡として発
生する。
フォトリソグラフィーにおけるレジスト現像方法を示す
概要図で、塗布前の現像液の溜め置き手段を付加したも
のである。現像液１０１が入っている密閉容器１０２内
現像液１０１表面上を配管１０４を介して窒素ガス１０
３等で加圧する。加圧された窒素ガス１０３は、現像液
１０１内部に浸漬している配管１０５を介して、現像液
１０１を、穴を設け大気開放したもの又は真空ポンプ等
で内部を負圧している密閉型の容器２内に溜める。溜め
る際の現像液１０１の流量調節はバルブ１０６で行う。
配管１０４内窒素ガス１０３の加圧は、配管１０５出口
の圧力（大気圧または負圧）と、容器２と密閉容器１０
２との高さの差による位置エネルギーポテンシャルに相
当する圧力に０．５〜３．０ｋｇｆ／ｃｍ2程度加えた
ものにする。窒素ガス１０３の加圧によって現像液１０
１の入った容器１０２内の圧力が大気開放したもの又は
真空ポンプ等で内部を負圧している密閉型の容器２の圧
力より高いので、密閉容器１０２から容器２までの現像
液１０１の圧力低下によって現像液１０１中に溶解して
いる空気又は窒素ガスの一部が容器２内で気泡として発
生する。
【００１２】このように、密閉容器１０２内の現像液１
０１中に空気又は窒素ガスが充分に溶解していても、大
気開放したもの又は真空ポンプ等で内部を負圧している
密閉型の容器２内で充分に脱気してしまう。充分に脱気
してしまえば、ウエハ５の表面に現像液１０１中に溶解
している空気又は窒素ガスの一部が気泡として発生する
ことが全くない。
０１中に空気又は窒素ガスが充分に溶解していても、大
気開放したもの又は真空ポンプ等で内部を負圧している
密閉型の容器２内で充分に脱気してしまう。充分に脱気
してしまえば、ウエハ５の表面に現像液１０１中に溶解
している空気又は窒素ガスの一部が気泡として発生する
ことが全くない。
【００１３】
【発明の効果】本発明により、従来技術で生じていた現
像液中の気泡により発生していた現像欠陥を低減するこ
とが可能であり、半導体素子の製造においてその歩留ま
りを向上させる効果が得られる。
像液中の気泡により発生していた現像欠陥を低減するこ
とが可能であり、半導体素子の製造においてその歩留ま
りを向上させる効果が得られる。
【図１】本発明の第１の実施の形態によるフォトリソグ
ラフィーにおけるレジスト現像方法を示す概要図であ
る。
ラフィーにおけるレジスト現像方法を示す概要図であ
る。
【図２】本発明の第２の実施の形態によるフォトリソグ
ラフィーにおけるレジスト現像方法を示す概要図であ
る。
ラフィーにおけるレジスト現像方法を示す概要図であ
る。
【図３】従来のフォトリソグラフィー工程における一般
的なレジスト現像方法を示した図である。
的なレジスト現像方法を示した図である。
１，１０１ 現像液 ２ 容器 ３，１０４，１０５ 配管 ４ レジスト現像装置 ５ ウエハ ６，１０６ バルブ ７ ノズル １０２ 密閉容器 １０３ 窒素ガス
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体装置のフォトリソグラフィー工程
におけるレジスト現像処理工程で、現像液の入った容器
を、ウエハ上に塗布する時のウエハ位置より高い位置に
設置し、または、現像液をウエハに塗布する前に一旦ウ
エハ上に塗布する時のウエハ位置より高い位置に溜めお
き、重力による自由落下によりウエハ上に塗布すること
を特徴とするフォトリソグラフィーにおけるレジスト現
像方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の現像液の溜めおき条件と
して、現像液に加わる圧力は大気圧と同等、または負圧
とすることを特徴とする請求項１記載のフォトリソグラ
フィーにおけるレジスト現像方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9225554A JPH1167645A (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | フォトリソグラフィーにおけるレジスト現像方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9225554A JPH1167645A (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | フォトリソグラフィーにおけるレジスト現像方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167645A true JPH1167645A (ja) | 1999-03-09 |
Family
ID=16831121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9225554A Pending JPH1167645A (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | フォトリソグラフィーにおけるレジスト現像方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1167645A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011204948A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液供給装置および処理液供給方法 |
| USD779440S1 (en) | 2014-08-07 | 2017-02-21 | Henkel Ag & Co. Kgaa | Overhead transmission conductor cable |
-
1997
- 1997-08-08 JP JP9225554A patent/JPH1167645A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011204948A (ja) * | 2010-03-26 | 2011-10-13 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理液供給装置および処理液供給方法 |
| USD779440S1 (en) | 2014-08-07 | 2017-02-21 | Henkel Ag & Co. Kgaa | Overhead transmission conductor cable |
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