JPH1167830A - 表面弾性波素子の実装構造および実装方法 - Google Patents
表面弾性波素子の実装構造および実装方法Info
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- JPH1167830A JPH1167830A JP9214332A JP21433297A JPH1167830A JP H1167830 A JPH1167830 A JP H1167830A JP 9214332 A JP9214332 A JP 9214332A JP 21433297 A JP21433297 A JP 21433297A JP H1167830 A JPH1167830 A JP H1167830A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＳＡＷ（表面弾性波）素子を実装基板に実装
するために樹脂を用いて封止を行う実装構造では、小型
化、軽量化が難しいと共に、熱応力に対する信頼性を確
保することが難しい。 【解決手段】 接続パッド７を有する実装基板６と、こ
の実装基板６上に機能面を対面させた状態で接続パッド
４を前記接続パッド７にＡｕバンプ５により接続して実
装基板６に実装されるＳＡＷ素子１と、ＳＡＷ素子１の
周辺部においてＳＡＷ素子１と実装基板６との間に充填
される感光性樹脂８とを備えており、感光性樹脂８によ
りＳＡＷ素子１の機能面に構成される振動伝搬部に臨ん
だ空間９を確保した状態で封止した構造とする。ＳＡＷ
素子１と実装基板６の間には感光性樹脂８のみが存在す
るため、ほぼＳＡＷ素子１の寸法のサイズの実装構造が
実現でき、小型化が可能となる。また、感光性樹脂８を
ＳＡＷ素子１の機能面に塗布した後、露光、現像するこ
とでＳＡＷ素子１の周辺部のみに存在させることがで
き、実装が容易なものとなる。
するために樹脂を用いて封止を行う実装構造では、小型
化、軽量化が難しいと共に、熱応力に対する信頼性を確
保することが難しい。 【解決手段】 接続パッド７を有する実装基板６と、こ
の実装基板６上に機能面を対面させた状態で接続パッド
４を前記接続パッド７にＡｕバンプ５により接続して実
装基板６に実装されるＳＡＷ素子１と、ＳＡＷ素子１の
周辺部においてＳＡＷ素子１と実装基板６との間に充填
される感光性樹脂８とを備えており、感光性樹脂８によ
りＳＡＷ素子１の機能面に構成される振動伝搬部に臨ん
だ空間９を確保した状態で封止した構造とする。ＳＡＷ
素子１と実装基板６の間には感光性樹脂８のみが存在す
るため、ほぼＳＡＷ素子１の寸法のサイズの実装構造が
実現でき、小型化が可能となる。また、感光性樹脂８を
ＳＡＷ素子１の機能面に塗布した後、露光、現像するこ
とでＳＡＷ素子１の周辺部のみに存在させることがで
き、実装が容易なものとなる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は表面弾性波素子（以
下、ＳＡＷ素子と称する）を実装基板上に実装するため
の実装構造に関し、特にＳＡＷ素子の機能面が実装基板
に対面した状態で実装するための構造とその実装方法に
関する。
下、ＳＡＷ素子と称する）を実装基板上に実装するため
の実装構造に関し、特にＳＡＷ素子の機能面が実装基板
に対面した状態で実装するための構造とその実装方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】ＳＡＷ素子を実装基板に実装する場合
に、その機能面が外部からの干渉を受けることがないよ
うに、また、素子特性の安定化を図るために、ＳＡＷ素
子の機能面を気密に保持し、かつその振動伝搬部上に所
要の空間を確保した状態の実装が行われる。図８は従来
のＳＡＷ層の実装構造の一例を示す断面図である。同図
において、ＳＡＷ素子１は既に知られているように、基
板の表面にＡｌ（アルミニウム）膜で構成される櫛形電
極２を有しており、この櫛形電極２によってＳＡＷ動作
が行われ、この表面が機能面として構成されている。こ
のＳＡＷ素子１は、実装基板としてのセラミック基板２
１上に裏面がダイボンディングされ、Ａｕ（金）ワイヤ
２２によりＳＡＷ素子１の表面に設けた接続パッド４と
セラミック基板２１の基板パッド２３が電気的に接続さ
れる。その後、セラミック基板２１には上方から金属キ
ャップ２４が固定され、ＳＡＷ素子１はセラミック基板
２１と金属キャップ２４により封止される。なお、セラ
ミック基板２１の代わりにメタル基板が使用されること
もある。また、金属キャップ２４を固定するシール材２
５としてはコバールや金錫（Ａｕ−Ｓｎ）、ガラス等が
用いられ気密性を確保している。
に、その機能面が外部からの干渉を受けることがないよ
うに、また、素子特性の安定化を図るために、ＳＡＷ素
子の機能面を気密に保持し、かつその振動伝搬部上に所
要の空間を確保した状態の実装が行われる。図８は従来
のＳＡＷ層の実装構造の一例を示す断面図である。同図
において、ＳＡＷ素子１は既に知られているように、基
板の表面にＡｌ（アルミニウム）膜で構成される櫛形電
極２を有しており、この櫛形電極２によってＳＡＷ動作
が行われ、この表面が機能面として構成されている。こ
のＳＡＷ素子１は、実装基板としてのセラミック基板２
１上に裏面がダイボンディングされ、Ａｕ（金）ワイヤ
２２によりＳＡＷ素子１の表面に設けた接続パッド４と
セラミック基板２１の基板パッド２３が電気的に接続さ
れる。その後、セラミック基板２１には上方から金属キ
ャップ２４が固定され、ＳＡＷ素子１はセラミック基板
２１と金属キャップ２４により封止される。なお、セラ
ミック基板２１の代わりにメタル基板が使用されること
もある。また、金属キャップ２４を固定するシール材２
５としてはコバールや金錫（Ａｕ−Ｓｎ）、ガラス等が
用いられ気密性を確保している。
【０００３】しかしながら、この実装構造では、金属キ
ャップ２４を使用して気密性を確保しているために、実
装基板の厚さ方向の寸法が大きくなり、近年における小
型化、軽量化の要求に応えることが難しい。また、シー
ル工程が必要であるために製造工数が多くなり、さら
に、セラミック基板２１や金属キャップ２４が必要であ
るために、製造コストが高くなる。この場合、セラミッ
ク基板２１や金属キャップ２４の代わりにプラスチック
素材を用いると、低コスト化は可能であるが、耐湿性が
悪いために、機能面にむき出された状態にある櫛形電極
が腐食され、ＳＡＷ素子の特性が劣化されるおそれがあ
る。
ャップ２４を使用して気密性を確保しているために、実
装基板の厚さ方向の寸法が大きくなり、近年における小
型化、軽量化の要求に応えることが難しい。また、シー
ル工程が必要であるために製造工数が多くなり、さら
に、セラミック基板２１や金属キャップ２４が必要であ
るために、製造コストが高くなる。この場合、セラミッ
ク基板２１や金属キャップ２４の代わりにプラスチック
素材を用いると、低コスト化は可能であるが、耐湿性が
悪いために、機能面にむき出された状態にある櫛形電極
が腐食され、ＳＡＷ素子の特性が劣化されるおそれがあ
る。
【０００４】そこで、近年では小型化、軽量化を図る一
方で気密性を高めた実装構造が提案されている。例え
ば、特開平４−１５０４０５号公報には、フリップチッ
プ法による実装構造が提案されており、この構造は、図
９に示すように、機能面としての表面にＡｌ膜からなる
櫛形電極２を有するＳＡＷ素子１を、その機能面が実装
基板３１に対面するように配置し、ＳＡＷ素子１の表面
に設けた接続パッド４と実装基板３１に設けた接続パッ
ド３２とをＡｕバンプ５によって接続したものである。
その上で、前記ＳＡＷ素子１を覆うように粘度の高いシ
リコン樹脂３３をディスペンサ等により供給し、ＳＡＷ
素子１の封止を行っている。
方で気密性を高めた実装構造が提案されている。例え
ば、特開平４−１５０４０５号公報には、フリップチッ
プ法による実装構造が提案されており、この構造は、図
９に示すように、機能面としての表面にＡｌ膜からなる
櫛形電極２を有するＳＡＷ素子１を、その機能面が実装
基板３１に対面するように配置し、ＳＡＷ素子１の表面
に設けた接続パッド４と実装基板３１に設けた接続パッ
ド３２とをＡｕバンプ５によって接続したものである。
その上で、前記ＳＡＷ素子１を覆うように粘度の高いシ
リコン樹脂３３をディスペンサ等により供給し、ＳＡＷ
素子１の封止を行っている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】この改善された図９の
実装構造では、金属キャップを用いていないため、図８
の実装構造によりも小型化、軽量化が実現できる。しか
しながら、ＳＡＷ素子１の裏面（上面）およぴ周囲をシ
リコン樹脂３３により封止しているため、実装構造全体
がＳＡＷ素子自身のサイズよりも大きくなることは避け
られない。また、シリコン樹脂はＳＡＷ素子の上面と周
囲のみを覆っているため、実装構造の全体に温度変化が
繰り返し加わった場合には、ＳＡＷ素子１と実装基板３
１の熱膨張係数の差により発生する応力がＡｕバンプ５
の接続部に直接加わって疲労破壊し易くなり、かつ落下
時の衝撃等の外力を受けたときの破壊も生じ易い。この
ような破壊が生じると、シリコン樹脂３３による封止機
能が損なわれ、ＳＡＷ素子１の特性に影響を及ぼすこと
になる。この場合、封止材として前記したシリコン樹脂
３３の代わりに、破壊され難いエポキシ樹脂を使用する
ことが考えられるが、封止を行う際の溶融状態での樹脂
粘度によっては、樹脂が表面張力によってＳＡＷ素子１
の機能面と実装基板３１との間に侵入され、ＳＡＷ素子
１の機能面における振動伝搬部に付着してこの振動伝搬
部を開放するための空間９を確保することができなくな
り、ＳＡＷ素子の本来の特性を劣化させてしまうことが
ある。
実装構造では、金属キャップを用いていないため、図８
の実装構造によりも小型化、軽量化が実現できる。しか
しながら、ＳＡＷ素子１の裏面（上面）およぴ周囲をシ
リコン樹脂３３により封止しているため、実装構造全体
がＳＡＷ素子自身のサイズよりも大きくなることは避け
られない。また、シリコン樹脂はＳＡＷ素子の上面と周
囲のみを覆っているため、実装構造の全体に温度変化が
繰り返し加わった場合には、ＳＡＷ素子１と実装基板３
１の熱膨張係数の差により発生する応力がＡｕバンプ５
の接続部に直接加わって疲労破壊し易くなり、かつ落下
時の衝撃等の外力を受けたときの破壊も生じ易い。この
ような破壊が生じると、シリコン樹脂３３による封止機
能が損なわれ、ＳＡＷ素子１の特性に影響を及ぼすこと
になる。この場合、封止材として前記したシリコン樹脂
３３の代わりに、破壊され難いエポキシ樹脂を使用する
ことが考えられるが、封止を行う際の溶融状態での樹脂
粘度によっては、樹脂が表面張力によってＳＡＷ素子１
の機能面と実装基板３１との間に侵入され、ＳＡＷ素子
１の機能面における振動伝搬部に付着してこの振動伝搬
部を開放するための空間９を確保することができなくな
り、ＳＡＷ素子の本来の特性を劣化させてしまうことが
ある。
【０００６】本先明の目的は、小型化及び軽量化を図る
とともに、破壊され難くし、しかも封止機能が損なわれ
ることがない信頼性の高いＳＡＷ素子の実装構造とその
実装方法を提供することにある。
とともに、破壊され難くし、しかも封止機能が損なわれ
ることがない信頼性の高いＳＡＷ素子の実装構造とその
実装方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明のＳＡＷ素子の実
装構造は、接続パッドを有する実装基板と、この実装基
板上に機能面を対面させ、前記機能面に設けられた接続
パッドを前記実装基板の接続パッドに接続した状態で前
記実装基板に実装されるＳＡＷ素子と、前記ＳＡＷ素子
の周辺部において前記ＳＡＷ素子と実装基板との間に充
填される感光性樹脂とを備えており、前記感光性樹脂に
より前記ＳＡＷ素子の前記機能面に構成される振動伝搬
部に臨んだ空間を確保した状態で封止したことを特徴と
している。ここで、前記感光性樹脂は、次の形態が可能
である。すなわち、感光性樹脂は前記ＳＡＷ素子と実装
基板の各接続パッドを含む領域に形成される。また、感
光性樹脂は前記ＳＡＷ素子と実装基板の各接続パッドを
含まないその周囲の領域に形成される。さらに、感光性
樹脂の周囲に第２の樹脂が充填される。あるいは、感光
性樹脂は、第２の樹脂上に積層される。
装構造は、接続パッドを有する実装基板と、この実装基
板上に機能面を対面させ、前記機能面に設けられた接続
パッドを前記実装基板の接続パッドに接続した状態で前
記実装基板に実装されるＳＡＷ素子と、前記ＳＡＷ素子
の周辺部において前記ＳＡＷ素子と実装基板との間に充
填される感光性樹脂とを備えており、前記感光性樹脂に
より前記ＳＡＷ素子の前記機能面に構成される振動伝搬
部に臨んだ空間を確保した状態で封止したことを特徴と
している。ここで、前記感光性樹脂は、次の形態が可能
である。すなわち、感光性樹脂は前記ＳＡＷ素子と実装
基板の各接続パッドを含む領域に形成される。また、感
光性樹脂は前記ＳＡＷ素子と実装基板の各接続パッドを
含まないその周囲の領域に形成される。さらに、感光性
樹脂の周囲に第２の樹脂が充填される。あるいは、感光
性樹脂は、第２の樹脂上に積層される。
【０００８】また、本発明の実装方法は、ＳＡＷ素子の
機能面側に感光性樹脂膜を形成する工程と、前記感光性
樹脂膜に対して所要パターンの露光、現像を行って前記
ＳＡＷ素子の周辺部にのみ前記感光性樹脂膜を残す工程
と、前記ＳＡＷ素子を前記機能面側を実装基板の実装面
に対面させ、前記機能面側に設けられた接続パッドと、
前記実装基板の実装面に形成された接続パッドとを接続
する工程と、前記感光性樹脂に対して加熱あるいは光照
射を行って前記感光性樹脂を硬化させる工程とを備えて
いる。この場合、感光性樹脂膜を実装基板側に設けてお
き、これを露光、現像して実装基板側に所要パターンに
形成し、その上でＳＡＷ素子を実装するようにしてもよ
い。
機能面側に感光性樹脂膜を形成する工程と、前記感光性
樹脂膜に対して所要パターンの露光、現像を行って前記
ＳＡＷ素子の周辺部にのみ前記感光性樹脂膜を残す工程
と、前記ＳＡＷ素子を前記機能面側を実装基板の実装面
に対面させ、前記機能面側に設けられた接続パッドと、
前記実装基板の実装面に形成された接続パッドとを接続
する工程と、前記感光性樹脂に対して加熱あるいは光照
射を行って前記感光性樹脂を硬化させる工程とを備えて
いる。この場合、感光性樹脂膜を実装基板側に設けてお
き、これを露光、現像して実装基板側に所要パターンに
形成し、その上でＳＡＷ素子を実装するようにしてもよ
い。
【０００９】ＳＡＷ素子と実装基板の対面間に感光性樹
脂が充填される構成であるため、ＳＡＷ素子の厚さ以上
に樹脂が充填されることがなく、ほぼＳＡＷ素子のサイ
ズまで小型化が可能となり、かつ軽量化が可能となる。
感光性樹脂を接続パッドを含む領域に形成することで、
熱応力や外力を感光性樹脂で吸収し、接続パッドに対す
る応力を緩和して破壊を防止する。感光性樹脂の周囲に
第２の樹脂を充填し、あるいは感光性樹脂を第２の樹脂
とで積層構造とすることで、封止性を高めることができ
る。
脂が充填される構成であるため、ＳＡＷ素子の厚さ以上
に樹脂が充填されることがなく、ほぼＳＡＷ素子のサイ
ズまで小型化が可能となり、かつ軽量化が可能となる。
感光性樹脂を接続パッドを含む領域に形成することで、
熱応力や外力を感光性樹脂で吸収し、接続パッドに対す
る応力を緩和して破壊を防止する。感光性樹脂の周囲に
第２の樹脂を充填し、あるいは感光性樹脂を第２の樹脂
とで積層構造とすることで、封止性を高めることができ
る。
【００１０】また、感光性樹脂は、露光、現像によって
所要のパターンに形成され、その状態で実装が行われる
ので、このときに感光性樹脂が流動されることがなく、
ＳＡＷ素子の機能面の振動伝搬部に対して空間を確保し
た状態でＳＡＷ素子の周辺部にのみ存在されることにな
り、実装を容易に行うことが可能となる。
所要のパターンに形成され、その状態で実装が行われる
ので、このときに感光性樹脂が流動されることがなく、
ＳＡＷ素子の機能面の振動伝搬部に対して空間を確保し
た状態でＳＡＷ素子の周辺部にのみ存在されることにな
り、実装を容易に行うことが可能となる。
【００１１】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態を図面を
参照して説明する。図１は本発明の実装構造の第１の実
施形態の断面図である。ＳＡＷ素子１はこれまでと同様
に光導波路等を形成する基板の表面にＡｌ膜からなる櫛
形電極２が形成されており、この領域が機能面として構
成されている。また、この機能面には保護膜として０．
０１〜０．１μｍの膜厚のＳｉＯ2 膜３が形成されてい
る。そして、機能面の周囲の所要箇所には、入力端子及
びグランド端子となる接続パッド４が前記Ａｌ膜の一部
で形成されており、この接続パッド４にはＡｕバンプ５
が形成されている。なお、前記ＳｉＯ2 膜３は、前記接
続パッド４以外の前記機能面の全面に形成されてもよ
い。また、保護膜３としてはＳｉ，ＳｉＮ等の膜で構成
されてもよい。一方、前記ＳＡＷ素子１を実装する実装
基板６は、ガラスエポキシ、セラミック基板、ガラス基
板、フレキシブル基板等の絶縁基板で構成され、その実
装面としての表面には前記ＳＡＷ素子の接続パッド４に
対応する位置に接続パッド７が形成され、図外の回路に
電気接続されている。
参照して説明する。図１は本発明の実装構造の第１の実
施形態の断面図である。ＳＡＷ素子１はこれまでと同様
に光導波路等を形成する基板の表面にＡｌ膜からなる櫛
形電極２が形成されており、この領域が機能面として構
成されている。また、この機能面には保護膜として０．
０１〜０．１μｍの膜厚のＳｉＯ2 膜３が形成されてい
る。そして、機能面の周囲の所要箇所には、入力端子及
びグランド端子となる接続パッド４が前記Ａｌ膜の一部
で形成されており、この接続パッド４にはＡｕバンプ５
が形成されている。なお、前記ＳｉＯ2 膜３は、前記接
続パッド４以外の前記機能面の全面に形成されてもよ
い。また、保護膜３としてはＳｉ，ＳｉＮ等の膜で構成
されてもよい。一方、前記ＳＡＷ素子１を実装する実装
基板６は、ガラスエポキシ、セラミック基板、ガラス基
板、フレキシブル基板等の絶縁基板で構成され、その実
装面としての表面には前記ＳＡＷ素子の接続パッド４に
対応する位置に接続パッド７が形成され、図外の回路に
電気接続されている。
【００１２】そして、前記ＳＡＷ素子１は機能面を前記
実装基板６の表面に対面するように実装基板６上に搭載
され、その上で前記Ａｕバンプ５が実装基板６の接続パ
ッド７上に位置決めされ、加熱、押圧を行うことでＡｕ
バンプ５が接続パッド７に機械的かつ電気的に接続され
る。さらに、前記ＳＡＷ素子１と実装基板６の対向面間
には、前記機能面を除き、かつこの機能面を包囲するよ
うな前記ＳＡＷ素子１の周辺に沿った枠状の領域に感光
性樹脂８が充填されている。したがって、前記Ａｕパン
プ５及び各接続パッド４，７によって前記ＳＡＷ素子１
と実装基板６の対向面間に存在する間隙は、この感光性
樹脂によって封止されることになる。また、前記ＳＡＷ
素子１の機能面には、前記感光性樹脂８によって封止さ
れたＳＡＷ素子１と実装基板６との間に空間９が形成さ
れることになり、この空間が振動伝搬部を開放する空間
としてＳＡＷ素子１の特性を確保している。
実装基板６の表面に対面するように実装基板６上に搭載
され、その上で前記Ａｕバンプ５が実装基板６の接続パ
ッド７上に位置決めされ、加熱、押圧を行うことでＡｕ
バンプ５が接続パッド７に機械的かつ電気的に接続され
る。さらに、前記ＳＡＷ素子１と実装基板６の対向面間
には、前記機能面を除き、かつこの機能面を包囲するよ
うな前記ＳＡＷ素子１の周辺に沿った枠状の領域に感光
性樹脂８が充填されている。したがって、前記Ａｕパン
プ５及び各接続パッド４，７によって前記ＳＡＷ素子１
と実装基板６の対向面間に存在する間隙は、この感光性
樹脂によって封止されることになる。また、前記ＳＡＷ
素子１の機能面には、前記感光性樹脂８によって封止さ
れたＳＡＷ素子１と実装基板６との間に空間９が形成さ
れることになり、この空間が振動伝搬部を開放する空間
としてＳＡＷ素子１の特性を確保している。
【００１３】前記感光性樹脂８としては、加熱によって
硬化される熱硬化性、あるいは光照射によって硬化する
光硬化性のものが用いられ、その硬化後のガラス転移点
温度が共晶半田の融点１８３℃よりも高い３００℃が用
いられる。このガラス転移点温度は２００〜３１０℃の
範囲であればよいが、耐熱性が要求されない場合は２０
０℃以下でもよい。また、フィラーなしの状態での熱膨
張係数が７０×１０-6／℃の樹脂が用いられる。また、
シリカ（ＳｉＯ2 ）等のフィラーを混入することによ
り、熱膨張係数を２２〜７０×１０-6／℃の範囲で調整
可能である。
硬化される熱硬化性、あるいは光照射によって硬化する
光硬化性のものが用いられ、その硬化後のガラス転移点
温度が共晶半田の融点１８３℃よりも高い３００℃が用
いられる。このガラス転移点温度は２００〜３１０℃の
範囲であればよいが、耐熱性が要求されない場合は２０
０℃以下でもよい。また、フィラーなしの状態での熱膨
張係数が７０×１０-6／℃の樹脂が用いられる。また、
シリカ（ＳｉＯ2 ）等のフィラーを混入することによ
り、熱膨張係数を２２〜７０×１０-6／℃の範囲で調整
可能である。
【００１４】この実装構造によれば、ＳＡＷ素子１と実
装基板６とは両者の対向面間に存在された感光性樹脂８
のみによって実装されているため、実装基板６上の高さ
寸法をＳＡＷ素子１自身の高さ寸法とほぼ同じサイズま
で小型化でき、かつその軽量化が可能となる。また、感
光性樹脂８はＳＡＷ素子１の周辺に沿って枠状に形成さ
れているため、ＳＡＷ素子１の機能面、特に振動伝搬部
の周囲を封止した構成となり、外部からの水分や埃等の
侵入が防止でき、ＳＡＷ素子１の特性劣化が生じない。
また、ＳＡＷ素子１の機能面には保護膜としてＳｉＯ2
膜３が存在しているため、感光性樹脂８を通して水分等
が侵入されることがあったとしてもＡｌからなる櫛形電
極２の腐食が発生することは少なくなる。さらに、周囲
の温度変化が繰り返し加えられた場合でも、ＳＡＷ素子
１と実装基板６の熱膨張係数の差により生じる応力は、
その一部が感光性樹脂８によって吸収されるため、Ａｕ
パンプ５に加えられる応力が低減され、疲労破壊が防止
される。また、外部からの衝撃によるＡｕバンプ５によ
る接続部の破壊も防止される。
装基板６とは両者の対向面間に存在された感光性樹脂８
のみによって実装されているため、実装基板６上の高さ
寸法をＳＡＷ素子１自身の高さ寸法とほぼ同じサイズま
で小型化でき、かつその軽量化が可能となる。また、感
光性樹脂８はＳＡＷ素子１の周辺に沿って枠状に形成さ
れているため、ＳＡＷ素子１の機能面、特に振動伝搬部
の周囲を封止した構成となり、外部からの水分や埃等の
侵入が防止でき、ＳＡＷ素子１の特性劣化が生じない。
また、ＳＡＷ素子１の機能面には保護膜としてＳｉＯ2
膜３が存在しているため、感光性樹脂８を通して水分等
が侵入されることがあったとしてもＡｌからなる櫛形電
極２の腐食が発生することは少なくなる。さらに、周囲
の温度変化が繰り返し加えられた場合でも、ＳＡＷ素子
１と実装基板６の熱膨張係数の差により生じる応力は、
その一部が感光性樹脂８によって吸収されるため、Ａｕ
パンプ５に加えられる応力が低減され、疲労破壊が防止
される。また、外部からの衝撃によるＡｕバンプ５によ
る接続部の破壊も防止される。
【００１５】図６は図１に示した実装構造を構築するた
めの第１の実装方法を示すフロー図である。先ず、機能
面に櫛形電極２や入出力端子及びグランド端子となる接
続パッド４が形成されているウェハ状態のＳＡＷ素子１
の機能面に保護膜としてＳｉＯ2 膜３を形成する（Ｓ１
１）。また、機能面の前記接続パッド４上にメッキ法や
ワイやボンディング法、転写バンプ法等によりＡｕバン
プ５を形成する（Ｓ１２）。このＡｕバンプ５はあらか
じめレベリングを行って高さを揃えておくことが好まし
い。次に、スピンコート法や印刷法等により感光性樹脂
８をウェハ全面に１０〜１００μｍの厚さに塗布する
（Ｓ１３）。このとき、感光性樹脂８はＳＡＷ素子１を
実装基板６に実装（マウント）したときの前記Ａｕバン
プ５の高さにほぼ等しい高さとなるような厚さにするこ
とが好ましい。そして、前記感光性樹脂８に対する露
光、現像により櫛形電極２を含む振動伝搬部の領域の感
光性樹脂８を選択的に除去し、感光性樹脂８をＳＡＷ素
子１の周辺部のみに枠状に残す（Ｓ１４）。しかる後、
ウェハ状態のＳＡＷ素子１をダイシングして個々の素子
に分離する（Ｓ１５）。そして、ＳＡＷ素子１の機能面
を下向きにして前記金属バンプ５を実装基板６上の接続
パッド７に位置決めし、ＳＡＷ素子１を実装基板６側に
３０〜１５０ｇ程度の力で押圧しながら２００℃以上に
加熱してＡｕバンプ５を接続パッド７に接続するととも
に、感光性樹脂８を熱硬化させ、ＳＡＷ素子１と実装基
板６とを接着させる（Ｓ１６）。
めの第１の実装方法を示すフロー図である。先ず、機能
面に櫛形電極２や入出力端子及びグランド端子となる接
続パッド４が形成されているウェハ状態のＳＡＷ素子１
の機能面に保護膜としてＳｉＯ2 膜３を形成する（Ｓ１
１）。また、機能面の前記接続パッド４上にメッキ法や
ワイやボンディング法、転写バンプ法等によりＡｕバン
プ５を形成する（Ｓ１２）。このＡｕバンプ５はあらか
じめレベリングを行って高さを揃えておくことが好まし
い。次に、スピンコート法や印刷法等により感光性樹脂
８をウェハ全面に１０〜１００μｍの厚さに塗布する
（Ｓ１３）。このとき、感光性樹脂８はＳＡＷ素子１を
実装基板６に実装（マウント）したときの前記Ａｕバン
プ５の高さにほぼ等しい高さとなるような厚さにするこ
とが好ましい。そして、前記感光性樹脂８に対する露
光、現像により櫛形電極２を含む振動伝搬部の領域の感
光性樹脂８を選択的に除去し、感光性樹脂８をＳＡＷ素
子１の周辺部のみに枠状に残す（Ｓ１４）。しかる後、
ウェハ状態のＳＡＷ素子１をダイシングして個々の素子
に分離する（Ｓ１５）。そして、ＳＡＷ素子１の機能面
を下向きにして前記金属バンプ５を実装基板６上の接続
パッド７に位置決めし、ＳＡＷ素子１を実装基板６側に
３０〜１５０ｇ程度の力で押圧しながら２００℃以上に
加熱してＡｕバンプ５を接続パッド７に接続するととも
に、感光性樹脂８を熱硬化させ、ＳＡＷ素子１と実装基
板６とを接着させる（Ｓ１６）。
【００１６】このように、本発明の実装方法では、感光
性樹脂８を露光、現像によって所要のパターンに形成で
き、しかもの実装時には感光性樹脂８を硬化させて実装
を行うため、従来のエポキシ樹脂のように実装時に流動
されるようなこともなく、ＳＡＷ素子１を実装基板６に
実装した場合においても、ＳＡＷ素子１の振動伝搬部に
対応する空間９を高精度に形成することができ、実装後
におけるＳＡＷ素子１の特性の安定化が可能となる。
性樹脂８を露光、現像によって所要のパターンに形成で
き、しかもの実装時には感光性樹脂８を硬化させて実装
を行うため、従来のエポキシ樹脂のように実装時に流動
されるようなこともなく、ＳＡＷ素子１を実装基板６に
実装した場合においても、ＳＡＷ素子１の振動伝搬部に
対応する空間９を高精度に形成することができ、実装後
におけるＳＡＷ素子１の特性の安定化が可能となる。
【００１７】ここで、前記感光性樹脂８は、図２の第２
の実施形態の断面図に示すように、接続パッド４，７及
びＡｕバンプ５を含まないでその周辺の領域にのみ形成
されてもよい。この実装構造によっても、図１の実装構
造と同様の作用効果を得ることは可能であるが、感光性
樹脂８はＡｕバンプ５を覆っていないため、応力を緩和
する効果は幾分低下されることになり、したがってＳＡ
Ｗ素子１と実装基板６との間の熱膨張係数の差が小さ
く、Ａｕバンプ５の接続部に発生する応力が小きい場合
に適用される。その一方で、Ａｕバンプ５によりＳＡＷ
素子１を実装基板６に実装する際に、感光性樹脂８が接
続の障害になることはない。
の実施形態の断面図に示すように、接続パッド４，７及
びＡｕバンプ５を含まないでその周辺の領域にのみ形成
されてもよい。この実装構造によっても、図１の実装構
造と同様の作用効果を得ることは可能であるが、感光性
樹脂８はＡｕバンプ５を覆っていないため、応力を緩和
する効果は幾分低下されることになり、したがってＳＡ
Ｗ素子１と実装基板６との間の熱膨張係数の差が小さ
く、Ａｕバンプ５の接続部に発生する応力が小きい場合
に適用される。その一方で、Ａｕバンプ５によりＳＡＷ
素子１を実装基板６に実装する際に、感光性樹脂８が接
続の障害になることはない。
【００１８】この第２の実施形態の場合には、図７に示
すように、ＳＡＷ素子１に対する保護膜３の形成（Ｓ１
１）、Ａｕバンプ５の形成（Ｓ１２）、ダイシング（Ｓ
１５）を行なうとともに、これと並行して実装基板６の
全面に感光性樹脂８を塗布し（Ｓ１３）、その上で実装
基板６上の所要領域、すなわちＳＡＷ素子１を実装した
際にＳＡＷ素子の周辺部に相当する領域に感光性樹脂８
を残すように露光、現像処理して、当該領域にのみ感光
性樹脂８を残す（Ｓ１４）。その後、前記ＳＡＷ素子１
を実装基板６上にマウントする（Ｓ１６）工程が採用で
きる。この工程では、ＳＡＷ素子１の作製と並行して実
装基板６に感光性樹脂８を形成できるため、従来のＳＡ
Ｗ素子をそのまま実装基板にマウントする工程のみで本
発明の実装構造が実現できる。
すように、ＳＡＷ素子１に対する保護膜３の形成（Ｓ１
１）、Ａｕバンプ５の形成（Ｓ１２）、ダイシング（Ｓ
１５）を行なうとともに、これと並行して実装基板６の
全面に感光性樹脂８を塗布し（Ｓ１３）、その上で実装
基板６上の所要領域、すなわちＳＡＷ素子１を実装した
際にＳＡＷ素子の周辺部に相当する領域に感光性樹脂８
を残すように露光、現像処理して、当該領域にのみ感光
性樹脂８を残す（Ｓ１４）。その後、前記ＳＡＷ素子１
を実装基板６上にマウントする（Ｓ１６）工程が採用で
きる。この工程では、ＳＡＷ素子１の作製と並行して実
装基板６に感光性樹脂８を形成できるため、従来のＳＡ
Ｗ素子をそのまま実装基板にマウントする工程のみで本
発明の実装構造が実現できる。
【００１９】図３は本発明の第３の実施形態の断面図で
ある。この実施形態では、ＳＡＷ素子１と実装基板６と
の対向面間に充填されている感光性樹脂８の周囲にさら
に第２の樹脂１０が設けられている。この第２の樹脂１
０は絶縁性樹脂または導電性樹脂の両方が適用可能であ
り、ＳＡＷ素子１と実装基板６の対向面間のみ、あるい
はＳＡＷ素子１の周面を覆うように形成される。この周
面を覆う場合には、その一部がＳＡＷ素子１の裏面にま
で達していてもよい。
ある。この実施形態では、ＳＡＷ素子１と実装基板６と
の対向面間に充填されている感光性樹脂８の周囲にさら
に第２の樹脂１０が設けられている。この第２の樹脂１
０は絶縁性樹脂または導電性樹脂の両方が適用可能であ
り、ＳＡＷ素子１と実装基板６の対向面間のみ、あるい
はＳＡＷ素子１の周面を覆うように形成される。この周
面を覆う場合には、その一部がＳＡＷ素子１の裏面にま
で達していてもよい。
【００２０】この第３の実施形態によれば、感光性樹脂
８の周囲を第２の樹脂１０で覆うため、第２の樹脂１０
の材質を適切なものに設定すれば、感光性樹脂８のみの
場合よりもＳＡＷ素子１の振動伝搬部に対する封止性を
高めることができ、水分の侵入をより効果的に防止する
ことが可能となる。また、ＳＡＷ素子１の裏面（図の上
面）に導電層が形成されている場合には、第２の樹脂１
０を導電性樹脂で形成することにより、ＳＡＷ素子１の
裏面と実装基板６の任意の配線部を第２の樹脂１０によ
って電気的に接続することができ、ＳＡＷ素子１の裏面
の電位を任意の電位に保ち、ＳＡＷ素子１の電気的特性
の向上、安定化を図る上で有効となる。
８の周囲を第２の樹脂１０で覆うため、第２の樹脂１０
の材質を適切なものに設定すれば、感光性樹脂８のみの
場合よりもＳＡＷ素子１の振動伝搬部に対する封止性を
高めることができ、水分の侵入をより効果的に防止する
ことが可能となる。また、ＳＡＷ素子１の裏面（図の上
面）に導電層が形成されている場合には、第２の樹脂１
０を導電性樹脂で形成することにより、ＳＡＷ素子１の
裏面と実装基板６の任意の配線部を第２の樹脂１０によ
って電気的に接続することができ、ＳＡＷ素子１の裏面
の電位を任意の電位に保ち、ＳＡＷ素子１の電気的特性
の向上、安定化を図る上で有効となる。
【００２１】前記第３の実施形態の実装構造を実現する
ためには、図１或いは図２の実装構造におけるＳＡＷ素
子１を実装基板６にマウントした後、あるいは実装の全
工程が完了したした後に、感光性樹脂８の周囲にディス
ペンス法等により第２の樹脂１０を充填し、かつ必要に
応じて加熱硬化または光硬化することにより可能とな
る。
ためには、図１或いは図２の実装構造におけるＳＡＷ素
子１を実装基板６にマウントした後、あるいは実装の全
工程が完了したした後に、感光性樹脂８の周囲にディス
ペンス法等により第２の樹脂１０を充填し、かつ必要に
応じて加熱硬化または光硬化することにより可能とな
る。
【００２２】図４は本発明の第４の実施形態の断面図で
ある。この実施形態では、ＳＡＷ素子１と実装基板６と
の間は感光性樹脂８と第２の樹脂１１とが積層状態で充
填されている。ここでは、感光性樹脂８はＡｕバンプ５
が接続されたときの高さ寸法にほぼ等しい厚さでＡｕバ
ンプ５を含む領域に形成され、第２の樹脂１１は実装基
板６の接続パッド７と略同じ厚さで接続パッド７の周囲
領域に形成されている。したがって、ＳＡＷ素子１を実
装した状態では、感光性樹脂８と第２の樹脂１１とが相
互に接合され、両者によってＳＡＷ素子１の振動伝搬部
を封止することになる。
ある。この実施形態では、ＳＡＷ素子１と実装基板６と
の間は感光性樹脂８と第２の樹脂１１とが積層状態で充
填されている。ここでは、感光性樹脂８はＡｕバンプ５
が接続されたときの高さ寸法にほぼ等しい厚さでＡｕバ
ンプ５を含む領域に形成され、第２の樹脂１１は実装基
板６の接続パッド７と略同じ厚さで接続パッド７の周囲
領域に形成されている。したがって、ＳＡＷ素子１を実
装した状態では、感光性樹脂８と第２の樹脂１１とが相
互に接合され、両者によってＳＡＷ素子１の振動伝搬部
を封止することになる。
【００２３】この第４の実施形態を構成するための実装
方法としては、前記第１の実施形態の実装方法と同様
に、ＳＡＷ素子１の表面に感光性樹脂８を選択的に形成
し、これと並行して実装基板６の所要領域に第２の樹脂
１１を選択的に形成し、しかる上でＳＡＷ素子１を実装
基板６にマウントすることによって実現できる。この場
合、第２の樹脂１１は、実装基板６の表面にディスペン
ス法または印刷等により液状またはペースト状の第２の
樹脂１１を供給する方法が採用できる。あるいは、所要
パターンのシート状に形成された第２の樹脂１１を実装
基板６の表面に貼り付けてもよい。
方法としては、前記第１の実施形態の実装方法と同様
に、ＳＡＷ素子１の表面に感光性樹脂８を選択的に形成
し、これと並行して実装基板６の所要領域に第２の樹脂
１１を選択的に形成し、しかる上でＳＡＷ素子１を実装
基板６にマウントすることによって実現できる。この場
合、第２の樹脂１１は、実装基板６の表面にディスペン
ス法または印刷等により液状またはペースト状の第２の
樹脂１１を供給する方法が採用できる。あるいは、所要
パターンのシート状に形成された第２の樹脂１１を実装
基板６の表面に貼り付けてもよい。
【００２４】図５は本先明の第５の実施形態の断面図で
ある。この実施形態では、ＳＡＷ素子１は、これとほぼ
同じ大きさのキャリア基板１２に搭載されている。この
ＳＡＷ素子１とキャリア基板１２との実装構造は、前記
各実施形態と同様な構成を採用することが可能であり、
ここでは前記第１の実施形態と同様な構成を採用してい
る。すなわち、ＳＡＷ素子１の接続パッド４とキャリア
基板１２の接続パッド１３とをＡｕバンプ５により接続
し、かつＳＡＷ素子１とキャリア基板１２との間の前記
Ａｕバンプ５を含むＳＡＷ素子の周辺領域に感光性樹脂
８が充填され、ＳＡＷ素子１の振動伝搬部を封止するた
めの空間９を封止状態としている。したがって、このＳ
ＡＷ素子１とキャリア基板１２からなる構体の外形寸法
は、キャリア基板１２の厚さ分だけ若干増大されること
なるが、キャリア基板１２は極めて薄いため、ＳＡＷ素
子１のみの場合と同様に小型に維持できる。
ある。この実施形態では、ＳＡＷ素子１は、これとほぼ
同じ大きさのキャリア基板１２に搭載されている。この
ＳＡＷ素子１とキャリア基板１２との実装構造は、前記
各実施形態と同様な構成を採用することが可能であり、
ここでは前記第１の実施形態と同様な構成を採用してい
る。すなわち、ＳＡＷ素子１の接続パッド４とキャリア
基板１２の接続パッド１３とをＡｕバンプ５により接続
し、かつＳＡＷ素子１とキャリア基板１２との間の前記
Ａｕバンプ５を含むＳＡＷ素子の周辺領域に感光性樹脂
８が充填され、ＳＡＷ素子１の振動伝搬部を封止するた
めの空間９を封止状態としている。したがって、このＳ
ＡＷ素子１とキャリア基板１２からなる構体の外形寸法
は、キャリア基板１２の厚さ分だけ若干増大されること
なるが、キャリア基板１２は極めて薄いため、ＳＡＷ素
子１のみの場合と同様に小型に維持できる。
【００２５】そして、前記ＳＡＷ素子１を搭載したキゃ
リア基板１２は実装基板６上に搭載されており、このと
きキャリア基板１２の裏面に形成されている外部パッド
１４は、半田バンプ１５を介して実装基板６の接続パッ
ド７に接続される。なお、この場合、図示は省略する
が、キャリア基板１２と実装基板６との間に樹脂を充填
することで、半田バンプ１５による接続の信頼性を向上
することも可能である。前記キャリア基板１２にはガラ
スエポキシ基板、セラミック基板、ガラス基板、フレキ
シブル基板、ポリイミド基板等が適用可能である。ま
た、キャリア基板１２と実装基板６との接続は金属バン
プ接続以外に、ランド接続、リードレスチップキャリア
接続が適用可能である。
リア基板１２は実装基板６上に搭載されており、このと
きキャリア基板１２の裏面に形成されている外部パッド
１４は、半田バンプ１５を介して実装基板６の接続パッ
ド７に接続される。なお、この場合、図示は省略する
が、キャリア基板１２と実装基板６との間に樹脂を充填
することで、半田バンプ１５による接続の信頼性を向上
することも可能である。前記キャリア基板１２にはガラ
スエポキシ基板、セラミック基板、ガラス基板、フレキ
シブル基板、ポリイミド基板等が適用可能である。ま
た、キャリア基板１２と実装基板６との接続は金属バン
プ接続以外に、ランド接続、リードレスチップキャリア
接続が適用可能である。
【００２６】ここで、本発明においては、第２の実施形
態、第４の実施形態、及び第５の実施形態の各感光性樹
脂の周囲にも、第３の実施形態と同様な第２の樹脂を形
成することができる。また、第３ないし第５の実施形態
において、感光性樹脂は第２の実施形態と同様にＡｕバ
ンプを含まない領域に形成することも可能である。
態、第４の実施形態、及び第５の実施形態の各感光性樹
脂の周囲にも、第３の実施形態と同様な第２の樹脂を形
成することができる。また、第３ないし第５の実施形態
において、感光性樹脂は第２の実施形態と同様にＡｕバ
ンプを含まない領域に形成することも可能である。
【００２７】また、前記各実施形態において、櫛形電極
及び接続パッドは、コストが安価でありかつＳＡＷ素子
１の特性を得やすいＡｌを用いているが、これ以外の導
電膜で形成することも可能である。また、ＳＡＷ素子と
実装基板の各接続パッドを接続する構造は、前記したＡ
ｕバンプによる構造に限られず、ランド接続、リードレ
スチップキャリア接続が適用可能である。
及び接続パッドは、コストが安価でありかつＳＡＷ素子
１の特性を得やすいＡｌを用いているが、これ以外の導
電膜で形成することも可能である。また、ＳＡＷ素子と
実装基板の各接続パッドを接続する構造は、前記したＡ
ｕバンプによる構造に限られず、ランド接続、リードレ
スチップキャリア接続が適用可能である。
【００２８】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、感
光性樹脂によりＳＡＷ素子の機能面の振動伝搬部に対す
る空間を確保し、かつこの空間を封止した状態でＳＡＷ
素子と実装基板との間隔を充填しているので、ＳＡＷ素
子の特性に影響をおよぼすことがなく、ＳＡＷ素子白身
とほほ同じサイズの小型、かつ軽量な実装構造が実現で
きる。また、感光性樹脂の周囲、或いはこれに積層され
る第２の樹脂を備えることにより、前記した封止効果を
高めることが可能となる。また、感光性樹脂が、ＳＡＷ
素子と実装パッドとを接続する接続パッドを含む領域に
形成することにより、接続パッドに加わる熱応力や外部
衝撃等による応力を緩和し、接続部の信頼性を高めるこ
とができる。さらに、ＳＡＷ素子の機能面に保護膜を有
していることで、水分や埃等が侵入された場合でも、電
極の腐食やＳＡＷ素子の特性劣化が生じることが防止さ
れる。
光性樹脂によりＳＡＷ素子の機能面の振動伝搬部に対す
る空間を確保し、かつこの空間を封止した状態でＳＡＷ
素子と実装基板との間隔を充填しているので、ＳＡＷ素
子の特性に影響をおよぼすことがなく、ＳＡＷ素子白身
とほほ同じサイズの小型、かつ軽量な実装構造が実現で
きる。また、感光性樹脂の周囲、或いはこれに積層され
る第２の樹脂を備えることにより、前記した封止効果を
高めることが可能となる。また、感光性樹脂が、ＳＡＷ
素子と実装パッドとを接続する接続パッドを含む領域に
形成することにより、接続パッドに加わる熱応力や外部
衝撃等による応力を緩和し、接続部の信頼性を高めるこ
とができる。さらに、ＳＡＷ素子の機能面に保護膜を有
していることで、水分や埃等が侵入された場合でも、電
極の腐食やＳＡＷ素子の特性劣化が生じることが防止さ
れる。
【００２９】また、本発明の実装方法では、ＳＡＷ素子
と実装基板との間隔に充填される感光性樹脂は、露光、
現像により所要パターンの形成が可能であり、かつ加熱
または光照射によって硬化させてＳＡＷ素子と実装基板
の間を密接状態とするので、従来の充填方法に比較して
実装が容易なものとなり、しかもＳＡＷ素子の振動伝搬
部に対する空間の確保や、接続パッドを含む領域あるい
は含まない領域等の所望の領域への感光性樹脂のパター
ン形成を容易に実現することが可能となる。
と実装基板との間隔に充填される感光性樹脂は、露光、
現像により所要パターンの形成が可能であり、かつ加熱
または光照射によって硬化させてＳＡＷ素子と実装基板
の間を密接状態とするので、従来の充填方法に比較して
実装が容易なものとなり、しかもＳＡＷ素子の振動伝搬
部に対する空間の確保や、接続パッドを含む領域あるい
は含まない領域等の所望の領域への感光性樹脂のパター
ン形成を容易に実現することが可能となる。
【図１】本発明の第１の実施形態の断面図である。
【図２】本発明の第２の実施形態の断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態の断面図である。
【図４】本発明の第４の実施形態の断面図である。
【図５】本発明の第５の実施形態の断面図である。
【図６】本発明の第１の実装方法を説明するためのフロ
ー図である。
ー図である。
【図７】本発明の第２の実装方法を説明するためのフロ
ー図である。
ー図である。
【図８】従来の実装構造の一例の断面図である。
【図９】従来の実装構造の他の例の断面図である。
１ ＳＡＷ素子 ２ 櫛形電極 ３ 保護膜（ＳｉＯ2 膜） ４ 接続パッド ５ Ａｕバンプ ６ 実装基板 ７ 接続パッド ８ 感光性樹脂 ９ 空間 １０ 第２の樹脂 １１ 第２の樹脂 １２ キャリア基板 １３ 接続パッド １４ 外部パッド １５ 半田バンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 谷岡 道修 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 大竹 健一 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内 (72)発明者 船矢 琢央 東京都港区芝五丁目７番１号 日本電気株 式会社内
Claims (12)
- 【請求項１】 接続パッドを有する実装基板と、この実
装基板上に機能面を対面させ、前記機能面に設けられた
接続パッドを前記実装基板の接続パッドに接続した状態
で前記実装基板に実装されるＳＡＷ素子（表面弾性波素
子）と、前記ＳＡＷ素子の周辺部において前記ＳＡＷ素
子と実装基板との間に充填される感光性樹脂とを備え、
前記感光性樹脂により前記ＳＡＷ素子の前記機能面に構
成される振動伝搬部に臨んだ空間を確保した状態で封止
したことを特徴とするＳＡＷ素子の実装構造。 - 【請求項２】 前記感光性樹脂は前記ＳＡＷ素子と実装
基板の各接続パッドを含む領域に形成されている請求項
１に記載のＳＡＷ素子の実装構造。 - 【請求項３】 前記感光性樹脂は前記ＳＡＷ素子と実装
基板の各接続パッドを含まないその周囲の領域に形成さ
れている請求項１に記載のＳＡＷ素子の実装構造。 - 【請求項４】 前記感光性樹脂の周囲に第２の樹脂が充
填されている請求項１ないし３のいずれかに記載のＳＡ
Ｗ素子の実装構造。 - 【請求項５】 前記感光性樹脂は、第２の樹脂上に積層
されている請求項１ないし３のいずれかに記載のＳＡＷ
素子の実装構造。 - 【請求項６】 前記感光性樹脂は、熱硬化性または光硬
化性を有する請求項１ないし５のいずれかに記載のＳＡ
Ｗ素子の実装構造。 - 【請求項７】 前記感光性樹脂の、硬化後のガラス転移
点温度が２００〜３１０℃の範囲内にある請求項６に記
載のＳＡＷ素子の実装構造。 - 【請求項８】 前記感光性樹脂単体の、硬化後の熱膨張
係数が５０〜７５×１０-6／℃の範囲内にある請求項６
に記載のＳＡＷ素子の実装構造。 【請求項８】 前記ＳＡＷ素子の接続パッドと、前記実
装基板の接続パッドとが金属バンプにより接続されてい
る請求項１ないし７のいずれかに記載のＳＡＷ素子の実
装構造。 - 【請求項９】 接続パッドを有する実装基板と、この実
装基板上に搭載されるキャリア基板と、このキャリア基
板上に機能面を対面させ、前記機能面に設けられた接続
パッドを前記キャリア基板の接続パッドに接続した状態
で前記実装基板に実装されるＳＡＷ素子と、前記ＳＡＷ
素子の周辺部において前記ＳＡＷ素子とキャリア基板と
の間に充填される感光性樹脂とを備え、前記感光性樹脂
により前記ＳＡＷ素子の前記機能面に構成される振動伝
搬部に臨んだ空間を確保した状態で封止したことを特徴
とするＳＡＷ素子の実装構造。 - 【請求項１０】 前記ＳＡＷ素子は機能面の全面あるい
は一部に保護膜を有する請求項１ないし９のいずれかに
記載のＳＡＷ素子の実装構造。 - 【請求項１１】 ＳＡＷ素子の機能面側に感光性樹脂膜
を形成する工程と、前記感光性樹脂膜に対して所要パタ
ーンの露光、現像を行って前記ＳＡＷ素子の周辺部にの
み前記感光性樹脂膜を残す工程と、前記ＳＡＷ素子の前
記機能面側を実装基板の実装面に対面させ、前記機能面
側に設けられた接続パッドと前記実装基板の実装面に形
成された接続パッドとを接続する工程と、前記感光性樹
脂に対して加熱あるいは光照射を行って前記感光性樹脂
を硬化させる工程とを備えることを特徴とするＳＡＷ素
子の実装方法。 - 【請求項１２】 ＳＡＷ素子を実装する実装基板の実装
面に感光性樹脂膜を形成する工程と、前記感光性樹脂膜
に対して所要パターンの露光、現像を行って前記感光性
樹脂膜を実装するＳＡＷ素子の周辺部に対応する領域に
のみ残す工程と、機能面に接続パッドが形成されている
ＳＡＷ素子を、前記機能面を前記実装面に対面した状態
で前記実装基板に搭載し、かつこの実装基板に設けられ
た接続パッドに前記ＳＡＷ素子の接続パッドを接続する
工程と、前記感光性樹脂に対して加熱あるいは光照射を
行って前記開口性樹脂を硬化させる工程とを備えること
を特徴とするＳＡＷ素子の実装方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09214332A JP3123477B2 (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | 表面弾性波素子の実装構造および実装方法 |
| US09/129,539 US6078123A (en) | 1997-08-08 | 1998-08-05 | Structure and method for mounting a saw device |
| GB9817157A GB2328077B (en) | 1997-08-08 | 1998-08-06 | Structure and method for mounting a saw device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09214332A JP3123477B2 (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | 表面弾性波素子の実装構造および実装方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1167830A true JPH1167830A (ja) | 1999-03-09 |
| JP3123477B2 JP3123477B2 (ja) | 2001-01-09 |
Family
ID=16654010
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09214332A Expired - Fee Related JP3123477B2 (ja) | 1997-08-08 | 1997-08-08 | 表面弾性波素子の実装構造および実装方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6078123A (ja) |
| JP (1) | JP3123477B2 (ja) |
| GB (1) | GB2328077B (ja) |
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| JP3123477B2 (ja) | 2001-01-09 |
| US6078123A (en) | 2000-06-20 |
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