JPH1167873A - 半導体ウエハの処理方法および装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ウエハの表面に高品質の成膜処理を行い得る
ようにする。 【解決手段】 ウエハ処理室に対して複数の半導体ウエ
ハを搬出入する搬送アーム１６を有する半導体ウエハの
処理装置であって、それぞれ水平方向を向き相互に所定
の間隔を隔てて前記ウエハ処理室内に配置された複数の
保持プレート２６ａ，２６ｂを有し、それぞれの保持プ
レート２６ａ，２６ｂには半導体ウエハＷの中心に対し
て所定の応力均一位置に設けられた３つの支持ピン３１
と、半導体ウエハＷを支持ピン３１に載置する際に前記
半導体ウエハの外周面を案内するウエハガイド駒３２と
が設けられ、複数の半導体ウエハＷは保持プレート２６
ａ，２６ｂと半導体ウエハＷとの間に形成された処理ガ
ス案内空間に露出させた状態のもとで同時に処理され
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体ウエハを保持
してその表面に薄膜を形成する技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体ウエハ（以下ウエハと言う）の表
面に絶縁膜を形成したり、金属膜を形成したり、ポリシ
リコンなどの半導体膜を形成するために、ＣＶＤ(Chemi
cal Vapor Deposition) 技術などが使用されている。Ｃ
ＶＤ技術は、薄膜材料を構成する元素からなる１種また
は数種の化合物ガス、単体ガスをウエハ上に供給し、気
相またはウエハ表面での化学反応により所望の薄膜を形
成させる技術である。半導体膜であるエピタキシャル層
を形成する際にも、ＣＶＤ技術と同様のエピタキシャル
技術が使用されている。

【０００３】効率的にＣＶＤ処理を行うために、近年に
あっては、ウエハ搬送ロボットの周囲にＣＶＤ処理など
の薄膜成長室とローダやアンローダを配置した薄膜成長
装置が開発されている。薄膜成長室内に設けられたウエ
ハ保持治具はヒータにより加熱されるようになってお
り、ウエハはウエハ保持治具により保持された状態のも
とで、薄膜成長室内に反応ガスを供給することにより、
ウエハ表面には薄膜が形成されて成膜処理が行われる。
このような、ＣＶＤ・エピタキシャル装置については、
たとえば、株式会社工業調査会、1991年11月22日発行、
「電子材料」１１月号別冊 Ｐ２９〜Ｐ３５に記載され
ている。

【０００４】処理がなされる前のウエハをローダ室から
薄膜成長室に搬送したり、処理後のウエハをアンローダ
室に搬送するためのウエハ搬送ロボットには、ウエハを
保持して搬送するための搬送アームが設けられており、
この搬送アームはツイーザとも言われている。従来のツ
イーザは２本の真っ直ぐな棒状部を有し、その棒状部で
ウエハの下面を保持しながら、ウエハを搬送するように
している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】薄膜成長室において２
枚程度の複数枚のウエハを同時に処理するために、ウエ
ハ保持治具は複数枚のウエハを相互に上下方向に所定の
間隔を介して積層した状態で保持するようにしており、
それぞれのウエハはウエハ保持治具としてのウエハプレ
ートにウエハの外径よりもやや大きな内径となって形成
された収容孔の中に沈み込んだ状態で保持されるように
なっている。このため、反応ガスがウエハ外周部に位置
するウエハプレートで消費され、その結果、ウエハ面内
の成長品質がばらつくことがある。また、ウエハプレー
トに堆積した生成物がウエハとの接触などによって落下
し、下側のウエハに付着することがある。

【０００６】一方、ウエハがウエハプレートに保持され
る際には、ウエハプレートの下面のうち収容孔の近傍に
取り付けられた支持爪に、ウエハはその外周部で支持さ
れるようになっている。このため、支持爪で支持された
状態でウエハは自重で撓み、応力歪が生じて結晶性が低
下することになり、特に、大口径のウエハにあっては、
その傾向が顕著となる。

【０００７】さらに、ウエハプレートにより形成される
従来のウエハ保持治具は、凹凸部が多くその構造が複雑
となっており、薄膜成長室内にクリーニングガスを供給
してウエハ保持治具をクリーニングする際に、クリーニ
ングガスとの反応効率を向上させることが容易でないの
みならず、その製造コストが高くなっている。

【０００８】本発明の目的は、ウエハ表面に高品質の成
膜処理を行い得るようにすることにある。

【０００９】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００１１】すなわち、本発明の半導体ウエハの処理方
法は、それぞれ水平方向を向き相互に所定の間隔を隔て
て保持プレートが配置されたウエハ処理室内に、複数の
半導体ウエハをそれぞれ搬送アームに支持して搬入する
工程と、前記搬送アームを下降移動させて、前記保持プ
レートに前記半導体ウエハの中心に対して所定の応力均
一位置に設けられた少なくとも３つの支持ピンの上に前
記半導体ウエハをそれぞれ載置する工程と、前記ウエハ
処理室内に処理ガスを供給して、前記保持プレートと前
記半導体ウエハとの間に形成された処理ガス案内空間に
前記半導体ウエハを露出させた状態のもとで複数枚の前
記半導体ウエハを同時に処理する処理工程とを有するこ
とを特徴とする。

【００１２】本発明の半導体ウエハの処理装置は、ウエ
ハ処理室に対して複数の半導体ウエハを搬出入する搬送
アームを有する半導体ウエハの処理装置であって、それ
ぞれ水平方向を向き相互に所定の間隔を隔てて前記ウエ
ハ処理室内に配置された複数の保持プレートと、それぞ
れの前記保持プレートに前記半導体ウエハの中心に対し
て所定の応力均一位置に設けられ、前記半導体ウエハを
支持する少なくとも３つの支持ピンと、それぞれ前記保
持プレートに少なくとも３つ設けられ、前記半導体ウエ
ハを前記支持ピンに載置する際に前記半導体ウエハの外
周面を案内するウエハガイド駒とを有し、前記保持プレ
ートと前記半導体ウエハとの間に形成された処理ガス案
内空間に前記半導体ウエハを露出させた状態のもとで複
数枚の前記半導体ウエハを同時に処理するようにしたこ
とを特徴とする。

【００１３】支持ピンを半導体ウエハの径の約0.７倍の
位置で半導体ウエハに接触させるようにすると、半導体
ウエハは応力均一位置で支持ピンにより支持されること
になる。

【００１４】本発明にあっては、半導体ウエハを応力均
一位置で支持ピンにより支持した状態でウエハ処理室内
に載置するようにしたので、処理に際してはウエハは自
重による応力歪の発生が軽減されることになり、結晶性
の低下が防止される。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。

【００１６】図１は本発明の一実施の形態であるウエハ
処理装置を示す概略平面図であり、ウエハ搬送ロボット
１０の周囲には、２つの薄膜成長室１１，１２と、ウエ
ハを冷却する待機室１３と、所定枚数のウエハを収容し
たカセットが搬入されるローダ室１４と、薄膜形成処理
終了後のウエハを収容したカセットを外部に搬出するア
ンローダ室１５とが配置されている。図示する場合に
は、それぞれの薄膜成長室１１，１２においてＣＶＤ処
理によりウエハＷの表面に薄膜を形成するようにしてい
る。

【００１７】ウエハを薄膜成長室１１，１２などに搬送
するために、搬送ロボット１０にはツーザとも言われる
搬送アーム１６が設けられており、搬送アーム１６によ
りウエハＷが搬入された薄膜成長室１１を拡大して示す
と、図２の通りである。

【００１８】図２に示すように、薄膜成長室１１は横断
面が矩形となった石英製の反応管２１を有し、その外側
には反応管２１を加熱するためのヒータ２２が配置され
ている。反応管２１の両端には、それぞれ反応ガス供給
管２３ａ，２４ａが設けられ、反応処理後の排気ガスを
外部に排出するために排気管２３ｂ，２４ｂがそれぞれ
設けられている。

【００１９】反応管２１内には、２枚のウエハＷをそれ
ぞれ水平状態として相互に所定の間隔を隔てて保持する
ために、ウエハ保持治具２５が配置されている。薄膜形
成処理前のウエハＷをウエハ保持治具２５に載置すると
ともに、処理後に反応管２１内から搬出するために、反
応管２１に対してその一端部から搬送アーム１６が進退
自在となっている。反応管２１の一端部には搬送アーム
１６が進退移動する際に反応管２１を開くためのゲート
バルブ１７が開閉自在に設けられている。

【００２０】図３は図２に示された搬送アーム１６とウ
エハ保持治具２５とを示す斜視図であり、図４は図３に
示されたウエハ保持治具２５を示す断面図である。

【００２１】ウエハ保持治具２５はそれぞれ四辺形とな
った上下２枚の保持プレート２６ａ，２６ｂを有し、両
方の保持プレート２６ａ，２６ｂは、それぞれの四隅に
設けられたスペーサ２７によって所定の間隔を介して積
層されている。下側の保持プレート２６ｂには治具載せ
台２８が取り付けられ、この治具載せ台２８によってウ
エハ保持治具２５は反応管２１内に配置されるようにな
っている。

【００２２】上側の保持プレート２６ａにはこの上に載
置されるウエハＷの中心から半径ｂの位置に３つの支持
ピン３１が前記中心から相互に１２０度の位相となって
取り付けられている。さらに、上側の保持プレート２６
ａには、この上に載置されるウエハＷの中心が保持プレ
ート２６ａに対して所定の中心位置となるように、３つ
のウエハガイド駒３２がウエハＷの中心から相互に１２
０度の位相となって取り付けられており、それぞれの支
持ピン３１とウエハガイド駒３２は相互に６０度の位相
でずれている。それぞれのウエハガイド駒３２は、上下
方向を向く位置決め面３３と、これよりも低い位置の水
平面３４とを有する段付きとなっており、水平面３４の
高さは支持ピン３１よりも低く設定されている。

【００２３】下側の保持プレート２６ｂにも、上側の保
持プレート２６ａと同様に、支持ピン３１とウエハガイ
ド駒３２が３つずつ取り付けられている。したがって、
それぞれの保持プレート２６ａ，２６ｂにウエハＷを載
置すると、ウエハガイド駒３２により案内されて、ウエ
ハＷはその中心部が保持プレート２６ａ，２６ｂの所定
の中心位置となるように位置決めされた状態で、支持ピ
ン３１により下面から支持されることになる。このとき
には、支持ピン３１の高さはウエハガイド駒３２の水平
面よりも高く設定されているので、水平面にはウエハＷ
の下面は接触しない。

【００２４】図４に示すように、ウエハＷの半径をＲと
し、それぞれの支持ピン３１がウエハＷの下面に接触す
るウエハ中心からの半径距離をｂとすると、支持ピン３
１はｂ／Ｒがほぼ0.７となる位置でウエハＷに接触する
ようになっている。

【００２５】図５はウエハＷを支持する支持ピン３１の
位置をウエハの中心から外周にまで変化した場合におけ
るウエハ中心（ｒ＝０）とウエハ外周（ｒ＝Ｒ）との撓
み量の変化を示すグラフである。このグラフから分かる
ように、ｂ／Ｒを0.６８程度に設定すると、撓み量が最
小となることが判明した。

【００２６】図６はウエハＷを支持する支持ピン３１の
位置をウエハの中心から外周にまで変化した場合におけ
るウエハ中心とウエハ支持位置とにおける応力の変化を
示すグラフである。このグラフから分かるように、ｂ／
Ｒを0.７１程度に設定すると、応力が最小となることが
判明した。

【００２７】これらの測定結果から、支持ピン３１の位
置をウエハ径の約0.７倍としてウエハＷに接触させる
と、ウエハＷにその自重によって発生する応力歪が軽減
され、ウエハＷの表面に形成される成膜の結晶性の低下
が防止されることになる。

【００２８】従来では、ウエハプレートにウエハＷの外
径よりもやや大きい内径を有する収容孔を形成し、その
中にウエハＷを沈み込ませて保持するようにしていた
が、そのような保持孔を形成することなく、ウエハＷを
保持プレート２６ａ，２６ｂの上に完全に露出させた状
態で保持するようにしたので、反応管２１内において反
応ガスとウエハＷとの反応効率が向上し、成膜品質の向
上が達成される。

【００２９】それぞれの保持プレート２６ａ，２６ｂは
収容孔を有することなく、全体的にフラットな構造とな
っているので、保持プレート２６ａ，２６ｂをクリーニ
ングガスを用いてクリーニング処理する際にクリーニン
グガスとの反応効率が向上し、クリーニング性が向上す
る。

【００３０】搬送アーム１６は、上下２枚の保持プレー
ト２６ａ，２６ｂの上に同時にウエハＷを載置し得るよ
うに、２つが対となってウエハ搬送ロボット１０に設け
られている。それぞれの搬送アーム１６はアーム基部４
１とその先端に設けられた円弧状のホルダ部つまり円弧
状部４２とを有している。それぞれの保持プレート２６
ａ，２６ｂには、図３において符号ａを付して示すよう
に、搬送アーム１６のアーム進入側に設けられたウエハ
ガイド駒３２に対して左右に１２０度ずれた位置に２つ
のウエハガイド駒３２が位置しているので、ホルダ部４
２の左右両側の先端の中心部に対する角度θは、先端と
ウエハガイド駒３２との干渉を避けるべく、２４０度よ
りも小さい角度に設定される一方、保持の安定性を考慮
して１８０度よりも大きい角度に設定されている。

【００３１】搬送アーム１６によって保持した状態のウ
エハＷを支持ピン３１の上に載置するために搬送アーム
１６を下降移動させる際、および搬送アーム１６をこれ
によりウエハＷを搬出するために上昇移動させる際に、
アーム進入側のウエハガイド駒３２が搬送アーム１６に
干渉しないようにするために、搬送アーム１６には切り
欠き部４３が形成されている。

【００３２】搬送アーム１６のホルダ部４２には、ウエ
ハＷの外周面に対応する垂直方向の内周面４４が形成さ
れ、ウエハＷの外周部の下面に接触する凸部４５が円周
方向に所定の間隔毎に設けられている。

【００３３】次に、前述したウエハ処理装置を用いてウ
エハＷにＣＶＤ処理する手順について説明する。

【００３４】図１に示すウエハ処理装置によりＣＶＤ処
理されるウエハＷは、所定の枚数がカセットに収納され
た状態で、ローダ室１４に搬入される。ウエハＷはその
カセットからウエハ搬送ロボット１０の搬送アーム１６
により取り出されて、薄膜成長室１１内に搬入される。
その際には、図２に示すゲートバルブ１７は開かれてお
り、ウエハＷは搬送アーム１６のホルダ部４２に設けら
れた凸部４５に接触した状態で支持されることになる。

【００３５】搬送アーム１６によりウエハＷをウエハ保
持治具２５の中心位置まで搬送された後に、搬送アーム
１６を下降移動させると、ウエハＷは搬送アーム１６に
保持されていた状態から支持ピン３１に移し換えられ、
搬送アーム１６を薄膜成長室１１から取り出すことによ
り支持ピン３１に対するウエハＷの載置が完了する。こ
の下降動作に際しては、ウエハガイド駒３２の位置決め
面３３に案内されることになるので、ウエハＷは自動的
に所定の中心位置に位置決めされる。

【００３６】図示する場合には、ウエハ保持治具２５に
２枚のウエハＷを保持するようにしており、２枚のウエ
ハＷを同時にウエハ保持治具２５に載置するようにして
も良く、時間をずらして載置するようにしても良い。ま
た、１つのウエハ保持治具２５に３つあるいはそれ以上
の数のウエハＷを載置するようにしても良い。

【００３７】ウエハ保持治具２５に所定枚数のウエハＷ
が載置された後に、ゲートバルブ１７を閉じ、ヒータ２
２によりウエハＷは加熱される。その後、反応管２１内
に反応ガスを供給してウエハＷの表面に成膜を形成す
る。その際には、それぞれのウエハＷは、保持プレート
２６ａ，２６ｂと反応管２１の内面とウエハＷとにより
形成される処理ガス案内空間内に露出されており、ウエ
ハＷの周辺には処理ガスの流れを阻止したり、遮蔽する
部材が設けられておらず、処理ガスのウエハＷの表面へ
の流れ性が良好となり、処理ガスはウエハＷの表面全体
に均一な流れとなって案内される。これにより、ウエハ
Ｗの表面全体に均一な厚みとなって薄膜が形成されるこ
とになる。

【００３８】しかも、ウエハＷはその外径から約0.７倍
の位置で支持ピン３１により支持されており、自重によ
る応力歪が軽減されて結晶性の低下が防止され、高品質
の成膜処理がなされることになる。

【００３９】成膜処理が終了した後には、ゲートバルブ
１７を開いた後に薄膜成長室１１内に搬送アーム１６を
進入させて搬送アーム１６により処理後のウエハＷを取
り出し、待機室１３で冷却後にアンローダ室１５内のカ
セットに装填する。このようにして、ウエハＷを取り出
す際には、保持プレート２６ａ，２６ｂに対しては支持
ピン３１によりウエハＷが保持されているので、ウエハ
Ｗの外周面とウエハガイド駒３２との接触に起因した異
物の発生が少なくなり、しかも、保持プレート２６ａ，
２６ｂには、ウエハＷを収容するための収容孔が形成さ
れていないので、それぞれの保持プレート２６ａ，２６
ｂは上下のウエハＷを仕切るための仕切り板としての機
能をも有し、ウエハＷへの異物の付着を低減することが
できる。

【００４０】ウエハＷを薄膜成長室１１，１２に搬入し
たり、処理後のウエハＷを搬出するための搬送アーム１
６は、円弧状となったウエハホルダ部４２を有してお
り、この部分でウエハＷは保持されることになるので、
ウエハホルダ部４２の剛性が高くなるだけでなく、ウエ
ハ搬送に際しての安定性が改善され、ウエハ搬送の信頼
性が向上することになる。この搬送に際しては、ウエハ
Ｗの下面の外周部は、ウエハホルダ部４２に設けられた
４つの凸部４５に接触するので、ウエハＷとウエハホル
ダ部４２との接触面積を少なくすることができる。

【００４１】数バッチ程度の所定の枚数のウエハＷに対
する処理が終了した後には、反応管２１内を清浄するた
めに、この中にクリーニングガスを供給してクリーニン
グ処理がなされるが、その際にもウエハ保持治具を構成
する保持プレート２６ａ，２６ｂには収容孔などが形成
されておらず、全体的にフラットに形成されているため
に、クリーニング処理の効果を向上させることができ
る。

【００４２】以上、本発明者によってなされた発明を実
施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実
施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱し
ない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【００４３】たとえば、図示する場合には、ＣＶＤによ
りウエハＷにポリシリコンなどの薄膜を形成するために
本発明を具体化しているが、ウエハＷの表面にエピタキ
シャル層や絶縁膜などの種々の処理を行う場合にも本発
明を適用することができる。

【００４４】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。

【００４５】(1).ウエハを処理する際にウエハを少なく
とも３つの支持ピンによりウエハ処理室内に保持するよ
うにし、それぞれの支持ピンをウエハに対して応力均一
位置でウエハを保持するようにしたので、処理に際して
ウエハは自重による応力歪の発生が軽減されてて結晶性
の低下が防止される。

【００４６】(2).支持ピンが取り付けられた保持プレー
トは全体的に平面状となっており、処理ガスは保持プレ
ートとウエハとの間に形成される処理ガス案内空間を均
一に流れ、この処理ガス案内空間にウエハが露出されて
いることから、反応ガスとウエハとの反応効率が向上す
ることになった。

【００４７】(3).このようなことから、ウエハ表面に高
品質の成膜処理を行うことができる。

【００４８】(4).保持プレートが全体的に平面状となっ
ているので、処理室内をクリーニングする際におけるク
リーニングガスの反応性が向上し、クリーニング性が向
上することになる。

【００４９】(5).搬送アームのウエハホルダ部を円弧状
としてウエハを外周部で支持しながら搬送するようにし
たので、ウエハ搬送の安定性が向上する。

【００５０】(6).保持プレートを有するウエハ保持治具
の構造を簡単にすることができ、その製造コストを低減
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施の形態であるウエハ処理装置を
示す概略平面図である。

【図２】図１に示された処理室の内部構造と搬送アーム
とを示す断面図である。

【図３】図２に示されたウエハ保持治具と搬送アームを
示す斜視図である。

【図４】図３に示されたウエハ保持治具を示す断面図で
ある。

【図５】ウエハを支持する支持ピンの位置をウエハの中
心から外周にまで変化した場合におけるウエハ中心とウ
エハ外周との撓み量の変化を示すグラフである。

【図６】ウエハを支持する支持ピンの位置をウエハの中
心から外周にまで変化した場合におけるウエハ中心とウ
エハ支持位置とにおける応力の変化を示すグラフであ
る。

【符号の説明】

１０ ウエハ搬送ロボット １１ 薄膜成長室 １３ 待機室 １４ ローダ室 １５ アンローダ室 １６ 搬送アーム １７ ゲートバルブ ２１ 反応管 ２２ ヒータ ２３ａ 反応ガス供給管 ２３ｂ 排気管 ２５ ウエハ保持治具 ２６ａ 保持プレート ２６ｂ 保持プレート ２７ スペーサ ２８ 治具載せ台 ３１ 支持ピン ３２ ウエハガイド駒 ３３ 位置決め面 ３４ 水平面 ４１ アーム基部 ４２ ウエハホルダ部 ４２ ホルダ部 ４３ 切り欠き部 ４４ 内周面 ４５ 凸部

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 それぞれ水平方向を向き相互に所定の間
   隔を隔てて保持プレートが配置されたウエハ処理室内
   に、複数の半導体ウエハをそれぞれ搬送アームに支持し
   て搬入する工程と、 前記搬送アームを下降移動させて、前記保持プレートに
   前記半導体ウエハの中心に対して所定の応力均一位置に
   設けられた少なくとも３つの支持ピンの上に前記半導体
   ウエハをそれぞれ載置する工程と、 前記ウエハ処理室内に処理ガスを供給して、前記保持プ
   レートと前記半導体ウエハとの間に形成された処理ガス
   案内空間に前記半導体ウエハを露出させた状態のもとで
   複数枚の前記半導体ウエハを同時に処理する処理工程と
   を有することを特徴とする半導体ウエハの処理方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の半導体ウエハの処理方法
   であって、前記支持ピンは前記半導体ウエハの径の約0.
   ７倍の位置で前記半導体ウエハを支持するようにしたこ
   とを特徴とする半導体ウエハの処理方法。
3. 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体ウエハの
   処理方法であって、前記搬送アームは基部とその先端に
   設けられたウエハホルダ部とを有し、前記ウエハホルダ
   部は前記半導体ウエハの外周形状に対応した円弧状部を
   有することを特徴とする半導体ウエハの処理方法。
4. 【請求項４】 ウエハ処理室に対して複数の半導体ウエ
   ハを搬出入する搬送アームを有する半導体ウエハの処理
   装置であって、 それぞれ水平方向を向き相互に所定の間隔を隔てて前記
   ウエハ処理室内に配置された複数の保持プレートと、 それぞれの前記保持プレートに前記半導体ウエハの中心
   に対して所定の応力均一位置に設けられ、前記半導体ウ
   エハを支持する少なくとも３つの支持ピンと、 それぞれ前記保持プレートに少なくとも３つ設けられ、
   前記半導体ウエハを前記支持ピンに載置する際に前記半
   導体ウエハの外周面を案内するウエハガイド駒とを有
   し、 前記保持プレートと前記半導体ウエハとの間に形成され
   た処理ガス案内空間に前記半導体ウエハを露出させた状
   態のもとで複数枚の前記半導体ウエハを同時に処理する
   ようにしたことを特徴とする半導体ウエハの処理装置。
5. 【請求項５】 請求項４記載の半導体ウエハの処理装置
   であって、前記支持ピンは前記半導体ウエハの径の約0.
   ７倍の位置で前記半導体ウエハを支持するようにしたこ
   とを特徴とする半導体ウエハの処理装置。
6. 【請求項６】 請求項４または５記載の半導体ウエハの
   処理装置であって、前記搬送アームは基部とその先端に
   設けられたウエハホルダ部とを有し、前記ウエハホルダ
   部は前記半導体ウエハの外周形状に対応した円弧状部を
   有することを特徴とする半導体ウエハの処理装置。