JPH1171310A - 1,4−ブタンジオールの製造方法 - Google Patents
1,4−ブタンジオールの製造方法Info
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- JPH1171310A JPH1171310A JP16716498A JP16716498A JPH1171310A JP H1171310 A JPH1171310 A JP H1171310A JP 16716498 A JP16716498 A JP 16716498A JP 16716498 A JP16716498 A JP 16716498A JP H1171310 A JPH1171310 A JP H1171310A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 不純物を含有する粗1,4−ブタンジオール
を簡便に精製し、高純度の1,4−ブタンジオールを効
率的に製造することができる方法の提供。 【解決手段】 粗1,4−ブタンジオールを、次の各工
程、1,4−ブタンジオールの凝固点以下に冷却した
壁面に粗1,4−ブタンジオール溶融液を流すことによ
り、1,4−ブタンジオール結晶を得る結晶化工程、及
び、結晶化工程で得られた1,4−ブタンジオール結
晶を、壁面を1,4−ブタンジオール結晶の凝固点以上
に加熱することにより、結晶融液として1,4−ブタン
ジオールを回収する回収工程からなる溶融晶析法により
精製する。
を簡便に精製し、高純度の1,4−ブタンジオールを効
率的に製造することができる方法の提供。 【解決手段】 粗1,4−ブタンジオールを、次の各工
程、1,4−ブタンジオールの凝固点以下に冷却した
壁面に粗1,4−ブタンジオール溶融液を流すことによ
り、1,4−ブタンジオール結晶を得る結晶化工程、及
び、結晶化工程で得られた1,4−ブタンジオール結
晶を、壁面を1,4−ブタンジオール結晶の凝固点以上
に加熱することにより、結晶融液として1,4−ブタン
ジオールを回収する回収工程からなる溶融晶析法により
精製する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、粗1,4−ブタン
ジオール(以下これを「1,4−BG」と略称すること
がある)を溶融晶析することにより精製する方法および
該精製方法を用いる1,4−ブタンジオールの製造方法
に関する。1,4−BGは、ポリエステル樹脂、γ−ブ
チロラクトン、テトラヒドロフラン等の合成原料として
重要な化合物である。
ジオール(以下これを「1,4−BG」と略称すること
がある)を溶融晶析することにより精製する方法および
該精製方法を用いる1,4−ブタンジオールの製造方法
に関する。1,4−BGは、ポリエステル樹脂、γ−ブ
チロラクトン、テトラヒドロフラン等の合成原料として
重要な化合物である。
【0002】
【従来の技術】1,4−BGの製造方法としては、ブタ
ジエンを酢酸及び酸素によりアセトキシ化し、次いで水
素化して得られるジアセトキシブタンを加水分解して
1,4−BGを得るブタジエン法(例えば、特開昭52
−7909、同52−65208、同52−6520
9、同52−133912号公報等)、無水マレイン酸
を水素化して1,4−BGとγ−ブチロラクトンを併産
する無水マレイン酸法(例えば、特開平2−23362
7号公報)、アセチレンとホルムアルデヒドとを反応さ
せて得られた1,4−ブテンジオールを水添して1,4
−BGを製造するアセチレン法(例えば、特開昭52−
91813号公報)等が知られている。
ジエンを酢酸及び酸素によりアセトキシ化し、次いで水
素化して得られるジアセトキシブタンを加水分解して
1,4−BGを得るブタジエン法(例えば、特開昭52
−7909、同52−65208、同52−6520
9、同52−133912号公報等)、無水マレイン酸
を水素化して1,4−BGとγ−ブチロラクトンを併産
する無水マレイン酸法(例えば、特開平2−23362
7号公報)、アセチレンとホルムアルデヒドとを反応さ
せて得られた1,4−ブテンジオールを水添して1,4
−BGを製造するアセチレン法(例えば、特開昭52−
91813号公報)等が知られている。
【0003】これらの製造方法においては、粗1,4−
BGの精製は通常蒸留により行われるが、粗1,4−B
G中には1,4−BGと極めて近い沸点の不純物や1,
4−BGと共沸する不純物が含まれているため、単なる
蒸留精製では高純度に精製することが難しく、純度を上
げるためには、精製設備が大掛りとなったり、大きなエ
ネルギーを要するという問題があった。
BGの精製は通常蒸留により行われるが、粗1,4−B
G中には1,4−BGと極めて近い沸点の不純物や1,
4−BGと共沸する不純物が含まれているため、単なる
蒸留精製では高純度に精製することが難しく、純度を上
げるためには、精製設備が大掛りとなったり、大きなエ
ネルギーを要するという問題があった。
【0004】そして、1,4−BGに含まれる不純物の
中で、1,2−ジアセトキシブタン(以下これを「12
DAB」と略称することがある)、1,4−ジアセトキ
シブタン(以下これを「14DAB」と略称することが
ある)1,2−ヒドロキシアセトキシブタン(以下これ
を「12HAB」と略称することがある)、1,4−ヒ
ドロキシアセトキシブタン(以下これを「14HAB」
と略称することがある)、ジブチレングリコール(以下
これを「DBG」と略称することがある)、2−(4′
−ヒドロキシブトキシ)テトラヒドロフラン(以下これ
を「BGTF」と略称することがある)、2−(4′−
オキソブトキシ)テトラヒドロフラン(以下これを「B
DTF」と略称することがある)、1,4−ジ−(2′
−テトラヒドロフロキシ)ブタン(以下これを「BGD
TF」と略称することがある)については、1,4−B
Gを原料とする樹脂、繊維等に加工したとき、着色、糸
切れ等の原因となっている。
中で、1,2−ジアセトキシブタン(以下これを「12
DAB」と略称することがある)、1,4−ジアセトキ
シブタン(以下これを「14DAB」と略称することが
ある)1,2−ヒドロキシアセトキシブタン(以下これ
を「12HAB」と略称することがある)、1,4−ヒ
ドロキシアセトキシブタン(以下これを「14HAB」
と略称することがある)、ジブチレングリコール(以下
これを「DBG」と略称することがある)、2−(4′
−ヒドロキシブトキシ)テトラヒドロフラン(以下これ
を「BGTF」と略称することがある)、2−(4′−
オキソブトキシ)テトラヒドロフラン(以下これを「B
DTF」と略称することがある)、1,4−ジ−(2′
−テトラヒドロフロキシ)ブタン(以下これを「BGD
TF」と略称することがある)については、1,4−B
Gを原料とする樹脂、繊維等に加工したとき、着色、糸
切れ等の原因となっている。
【0005】これらの不純物を除去するために、例え
ば、特開昭61−197534号公報には粗1,4−B
Gを水素化処理する方法、特開平6−172235号公
報には高沸点成分を蒸留分離した後の粗1,4−BGを
水素化処理する方法が提案されている。しかしながら、
これらの方法の場合、不純物を分離するためには、水素
化処理の後、再度蒸留を行わねばならない。このため、
上記のとおり精製設備が大掛りとなったり、大きなエネ
ルギーを必要とする等の問題があり、必ずしも効率的な
方法とは言い難い。
ば、特開昭61−197534号公報には粗1,4−B
Gを水素化処理する方法、特開平6−172235号公
報には高沸点成分を蒸留分離した後の粗1,4−BGを
水素化処理する方法が提案されている。しかしながら、
これらの方法の場合、不純物を分離するためには、水素
化処理の後、再度蒸留を行わねばならない。このため、
上記のとおり精製設備が大掛りとなったり、大きなエネ
ルギーを必要とする等の問題があり、必ずしも効率的な
方法とは言い難い。
【0006】ブタジエン法、無水マレイン酸法、アセチ
レン法等の各製造方法により得られる粗1,4−BG中
の全ての不純物の構造および生成機構が明らかにされて
いるわけではないが、不純物の中でもBGTF、BDT
F、BGDTF、特にBGTFは、蒸留工程で再度生成
することが判明している。従って、粗1,4−BGの精
製法として蒸留法を適用している限り、特にBGTF等
の不純物の除去に限界があり、連続運転時は更に不純物
の除去が困難である。
レン法等の各製造方法により得られる粗1,4−BG中
の全ての不純物の構造および生成機構が明らかにされて
いるわけではないが、不純物の中でもBGTF、BDT
F、BGDTF、特にBGTFは、蒸留工程で再度生成
することが判明している。従って、粗1,4−BGの精
製法として蒸留法を適用している限り、特にBGTF等
の不純物の除去に限界があり、連続運転時は更に不純物
の除去が困難である。
【0007】以下、ブタジエン法を例に、1,4−BG
の製造方法の問題点を説明する。現行ブタジエン法で
は、先ず、ブタジエン、酢酸、酸素含有ガスを反応した
後、水素化してジアセトキシブタンを製造する(図1参
照)。かくして得られるジアセトキシブタンを加水分解
後、加水分解反応物の1,4−BGを含む液体原料と酢
酸及び水を第1蒸留塔で分離した後、第2蒸留塔でジア
セトキシブタン及びヒドロキシアセトキシブタンと粗
1,4−BGを分離し、粗1,4−BGと水素ガスを水
素化触媒を通して水素化反応を行い、さらにTHFを第
3蒸留塔で濃縮した後に第4蒸留塔によって側流又は塔
底より高純度1,4−BGを取り出している(図2参
照)。
の製造方法の問題点を説明する。現行ブタジエン法で
は、先ず、ブタジエン、酢酸、酸素含有ガスを反応した
後、水素化してジアセトキシブタンを製造する(図1参
照)。かくして得られるジアセトキシブタンを加水分解
後、加水分解反応物の1,4−BGを含む液体原料と酢
酸及び水を第1蒸留塔で分離した後、第2蒸留塔でジア
セトキシブタン及びヒドロキシアセトキシブタンと粗
1,4−BGを分離し、粗1,4−BGと水素ガスを水
素化触媒を通して水素化反応を行い、さらにTHFを第
3蒸留塔で濃縮した後に第4蒸留塔によって側流又は塔
底より高純度1,4−BGを取り出している(図2参
照)。
【0008】この方法で極めて高純度な1,4−BGを
製造することができるが、ジアセトキシブタン及びヒド
ロキシアセトキシブタンを2回分離しなくてはならない
上に、分離スペックが極めて厳しいこと、THFの副生
産量が多いこと、1,4−BGと高沸点不純物を3カ所
で分離・濃縮していることなどの改善しなくてはならな
い多くの問題点がある。
製造することができるが、ジアセトキシブタン及びヒド
ロキシアセトキシブタンを2回分離しなくてはならない
上に、分離スペックが極めて厳しいこと、THFの副生
産量が多いこと、1,4−BGと高沸点不純物を3カ所
で分離・濃縮していることなどの改善しなくてはならな
い多くの問題点がある。
【0009】一方、溶融晶析法は、有機化合物の高純度
品(例えば97重量%)の製品を更に高純度(例えば9
9.9重量%)に精製することを目的として用いられる
方法である。工業的精製に溶融晶析が適用された具体的
例としては、ビスフェノールA、アクリル酸が挙げられ
る(特開平7−163802、特開平9−155101
号公報)。これらの化合物は、いずれも凝固点付近で粘
度が数cpの低粘度化合物である。一方、1,4−BG
は、凝固点付近(20℃)で粘度が約120cpと高粘
度であるため、溶融晶析法による精製を適用することは
極めて困難であると予想されていた。また、本発明者等
の知るかぎり、粗1,4−BGのように、目的とする有
機化合物より凝固点が著しく低い不純物を比較的多く含
み、かつ凝固点付近で高粘度の粗製有機化合物の精製に
溶融晶析を用いた例はなかった。
品(例えば97重量%)の製品を更に高純度(例えば9
9.9重量%)に精製することを目的として用いられる
方法である。工業的精製に溶融晶析が適用された具体的
例としては、ビスフェノールA、アクリル酸が挙げられ
る(特開平7−163802、特開平9−155101
号公報)。これらの化合物は、いずれも凝固点付近で粘
度が数cpの低粘度化合物である。一方、1,4−BG
は、凝固点付近(20℃)で粘度が約120cpと高粘
度であるため、溶融晶析法による精製を適用することは
極めて困難であると予想されていた。また、本発明者等
の知るかぎり、粗1,4−BGのように、目的とする有
機化合物より凝固点が著しく低い不純物を比較的多く含
み、かつ凝固点付近で高粘度の粗製有機化合物の精製に
溶融晶析を用いた例はなかった。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、製造
工程で副生する様々な不純物を含有する粗1,4−BG
を複雑なプロセスを必要とせず、簡略に且つ効率的に精
製する方法、及び高純度の1,4−BGを効率的に得る
ことができる1,4−BGの製造方法を提供することに
ある。
工程で副生する様々な不純物を含有する粗1,4−BG
を複雑なプロセスを必要とせず、簡略に且つ効率的に精
製する方法、及び高純度の1,4−BGを効率的に得る
ことができる1,4−BGの製造方法を提供することに
ある。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明者等は、上記課題
を達成すべく鋭意検討の結果、1,4−BGより凝固点
が極めて低い不純物を比較的多量に含み、かつ凝固点付
近で高粘度の粗1,4−BGが、溶融晶析により効率的
に精製できることを見い出した。さらに、ジアセトキシ
ブタンを加水分解して得られる粗1,4−BGを溶融晶
析すれば、蒸留塔負荷が低減可能であり、高純度の1,
4−BGが効率的に得られることを見い出し、本発明を
完成するに至った。
を達成すべく鋭意検討の結果、1,4−BGより凝固点
が極めて低い不純物を比較的多量に含み、かつ凝固点付
近で高粘度の粗1,4−BGが、溶融晶析により効率的
に精製できることを見い出した。さらに、ジアセトキシ
ブタンを加水分解して得られる粗1,4−BGを溶融晶
析すれば、蒸留塔負荷が低減可能であり、高純度の1,
4−BGが効率的に得られることを見い出し、本発明を
完成するに至った。
【0012】すなわち本発明の要旨は、(1)不純物を
含有する粗1,4−ブタンジオールを溶融晶析すること
よりなる粗1,4−ブタンジオールの精製方法である。
この発明の好ましい態様によれば、 (2)溶融晶析が下記の各工程 1,4−ブタンジオールの凝固点以下に冷却した壁面
に粗1,4−ブタンジオール溶融液を流すことにより、
1,4−ブタンジオール結晶を得る結晶化工程、 結晶化工程で得られた1,4−ブタンジオール結晶
を、壁面を1,4−ブタンジオール結晶の凝固点以上に
加熱することにより、結晶融液として1,4−ブタンジ
オールを回収する回収工程、よりなる壁面溶融晶析法で
行なわれる上記方法;
含有する粗1,4−ブタンジオールを溶融晶析すること
よりなる粗1,4−ブタンジオールの精製方法である。
この発明の好ましい態様によれば、 (2)溶融晶析が下記の各工程 1,4−ブタンジオールの凝固点以下に冷却した壁面
に粗1,4−ブタンジオール溶融液を流すことにより、
1,4−ブタンジオール結晶を得る結晶化工程、 結晶化工程で得られた1,4−ブタンジオール結晶
を、壁面を1,4−ブタンジオール結晶の凝固点以上に
加熱することにより、結晶融液として1,4−ブタンジ
オールを回収する回収工程、よりなる壁面溶融晶析法で
行なわれる上記方法;
【0013】(3)溶融晶析が下記の工程 1,4−ブタンジオールの凝固点以下に冷却した壁面
に粗1,4−ブタンジオール溶融液を流すことにより、
1,4−ブタンジオール結晶を得る結晶化工程、 結晶化工程で得られた1,4−ブタンジオール結晶か
ら残余の粗1,4−ブタンジオール溶融液である母液を
除いた後、壁面を1,4−ブタンジオール結晶の凝固点
付近まで加熱することにより、1,4−ブタンジオール
結晶中の不純物を発汗液として結晶から除く発汗工程、 発汗工程で得られた1,4−ブタンジオール結晶を、
壁面を1,4−ブタンジオール結晶の凝固点以上に加熱
することにより、結晶融液として1,4−ブタンジオー
ルを回収する回収工程、よりなる壁面溶融晶析法で行な
われる上記方法;
に粗1,4−ブタンジオール溶融液を流すことにより、
1,4−ブタンジオール結晶を得る結晶化工程、 結晶化工程で得られた1,4−ブタンジオール結晶か
ら残余の粗1,4−ブタンジオール溶融液である母液を
除いた後、壁面を1,4−ブタンジオール結晶の凝固点
付近まで加熱することにより、1,4−ブタンジオール
結晶中の不純物を発汗液として結晶から除く発汗工程、 発汗工程で得られた1,4−ブタンジオール結晶を、
壁面を1,4−ブタンジオール結晶の凝固点以上に加熱
することにより、結晶融液として1,4−ブタンジオー
ルを回収する回収工程、よりなる壁面溶融晶析法で行な
われる上記方法;
【0014】(4)結晶化工程の結晶膜厚が1〜20m
mの範囲内である上記方法; (5)粗1,4−ブタンジオールが合計量で1重量%以
上の不純物を含有するものである上記方法; (6)不純物が0℃以下の凝固点をもつ化合物である上
記方法;
mの範囲内である上記方法; (5)粗1,4−ブタンジオールが合計量で1重量%以
上の不純物を含有するものである上記方法; (6)不純物が0℃以下の凝固点をもつ化合物である上
記方法;
【0015】(7)不純物が1,2−ジアセトキシブタ
ン、1,2−ヒドロキシアセトキシブタン、1,4−ジ
アセトキシブタン、1,4−ヒドロキシアセトキシブタ
ン、ジブチレングリコール、2−(4′−ヒドロキシブ
トキシ)テトラヒドロフラン、2−(4′−オキソブト
キシ)テトラヒドロフラン、1,4−ジ−(2′−テト
ラヒドロフロキシ)ブタン、2−メチル−1,4−ブタ
ンジオール、γ−ブチロラクトン、2−ヒドロキシテト
ラヒドロフラン及び2−メチルペンタンジオールから選
ばれる少なくとも1種の化合物である上記方法が提供さ
れる。
ン、1,2−ヒドロキシアセトキシブタン、1,4−ジ
アセトキシブタン、1,4−ヒドロキシアセトキシブタ
ン、ジブチレングリコール、2−(4′−ヒドロキシブ
トキシ)テトラヒドロフラン、2−(4′−オキソブト
キシ)テトラヒドロフラン、1,4−ジ−(2′−テト
ラヒドロフロキシ)ブタン、2−メチル−1,4−ブタ
ンジオール、γ−ブチロラクトン、2−ヒドロキシテト
ラヒドロフラン及び2−メチルペンタンジオールから選
ばれる少なくとも1種の化合物である上記方法が提供さ
れる。
【0016】また、本発明の別の態様により、(8)ジ
アセトキシブタンを加水分解して得られる粗1,4−ブ
タンジオールを上記(1)〜(7)に記載のいずれかの
方法で溶融晶析することよりなる1,4−ブタンジオー
ルの製造方法が提供される。この発明の好ましい態様に
よれば、(9)ジアセトキシブタンを加水分解して得
られる粗1,4−ブタンジオールから低沸点成分を除去
し、低沸点成分が除去された粗1,4−ブタンジオー
ルを上記(1)〜(7)に記載のいずれかの方法で溶融
晶析して1,4−ブタンジオール結晶を回収し、1,
4−−ブタンジオール結晶が分離された母液から高沸点
成分を除去し、工程で得られる高沸点成分除去物を
水素化し、水素化物を工程に供給することよりなる
1,4−ブタンジオールの製造方法が提供される。
アセトキシブタンを加水分解して得られる粗1,4−ブ
タンジオールを上記(1)〜(7)に記載のいずれかの
方法で溶融晶析することよりなる1,4−ブタンジオー
ルの製造方法が提供される。この発明の好ましい態様に
よれば、(9)ジアセトキシブタンを加水分解して得
られる粗1,4−ブタンジオールから低沸点成分を除去
し、低沸点成分が除去された粗1,4−ブタンジオー
ルを上記(1)〜(7)に記載のいずれかの方法で溶融
晶析して1,4−ブタンジオール結晶を回収し、1,
4−−ブタンジオール結晶が分離された母液から高沸点
成分を除去し、工程で得られる高沸点成分除去物を
水素化し、水素化物を工程に供給することよりなる
1,4−ブタンジオールの製造方法が提供される。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、本発明を更に詳細に説明す
る。 (粗1,4−BG)本発明の精製方法の対象(原料)と
なる不純物を含有する粗1,4−BGは、如何なる方法
で製造されたもので良く、例えば、ブタジエン法、無水
マレイン酸法、アセチレン法、プロピレン法等のそれ自
体既知のいずれの方法で製造されたものであっても良
い。
る。 (粗1,4−BG)本発明の精製方法の対象(原料)と
なる不純物を含有する粗1,4−BGは、如何なる方法
で製造されたもので良く、例えば、ブタジエン法、無水
マレイン酸法、アセチレン法、プロピレン法等のそれ自
体既知のいずれの方法で製造されたものであっても良
い。
【0018】具体的には、1,4−BGの精製工程前の
粗1,4−BGや蒸留精製塔工程後の不純物を含んだ
1,4−BG等を粗1,4−BGとして用いることがで
きる。粗1,4−BG中に含有される不純物としては、
1,4−BGと固溶体を形成する不純物であっても、
1,4−BGと共晶系となる不純物であってもよいが、
好ましくは共晶系となる不純物である。具体的には、例
えば、12HAB、12DAB、14HAB(凝固点−
65℃)、14DAB、DBG、BGTF、BDTF、
BGDTF、2−メチル−1,4−ブタンジオール、γ
−ブチロラクトン(凝固点−44℃)、2−ヒドロキシ
テトラヒドロフラン、2−メチルペンタンジオール等が
挙げられる。本発明の方法は、これらの不純物の中で、
好ましくは、12HAB、12DAB、14HAB、1
4DAB、DBG、BGTF、BDTF及びBGDTF
を含む粗1,4−BGを、特にBGTF、BDTF、B
GDTFを含む粗1,4−BGを、なかんずくBGTF
を含む粗1,4−BGを処理するのに好適である。
粗1,4−BGや蒸留精製塔工程後の不純物を含んだ
1,4−BG等を粗1,4−BGとして用いることがで
きる。粗1,4−BG中に含有される不純物としては、
1,4−BGと固溶体を形成する不純物であっても、
1,4−BGと共晶系となる不純物であってもよいが、
好ましくは共晶系となる不純物である。具体的には、例
えば、12HAB、12DAB、14HAB(凝固点−
65℃)、14DAB、DBG、BGTF、BDTF、
BGDTF、2−メチル−1,4−ブタンジオール、γ
−ブチロラクトン(凝固点−44℃)、2−ヒドロキシ
テトラヒドロフラン、2−メチルペンタンジオール等が
挙げられる。本発明の方法は、これらの不純物の中で、
好ましくは、12HAB、12DAB、14HAB、1
4DAB、DBG、BGTF、BDTF及びBGDTF
を含む粗1,4−BGを、特にBGTF、BDTF、B
GDTFを含む粗1,4−BGを、なかんずくBGTF
を含む粗1,4−BGを処理するのに好適である。
【0019】本発明の方法においては、凝固点の低い不
純物を比較的多量に含有する粗1,4−BGの精製に適
用しても、効率良く高純度の1,4−BGを得ることが
できる。粗1,4−BG中に含まれる不純物の凝固点は
特に制限されないが、好ましくは0℃以下、更に好まし
くは−10℃以下、特に好ましくは−30℃以下である
場合が適当である。不純物の含有量は特に制限がなく、
合計量で1重量%以上、通常15重量%程度まで、好ま
しくは1〜10重量%、更に好ましくは2〜10重量
%、特に好ましくは3〜10重量%程度が適当である。
純物を比較的多量に含有する粗1,4−BGの精製に適
用しても、効率良く高純度の1,4−BGを得ることが
できる。粗1,4−BG中に含まれる不純物の凝固点は
特に制限されないが、好ましくは0℃以下、更に好まし
くは−10℃以下、特に好ましくは−30℃以下である
場合が適当である。不純物の含有量は特に制限がなく、
合計量で1重量%以上、通常15重量%程度まで、好ま
しくは1〜10重量%、更に好ましくは2〜10重量
%、特に好ましくは3〜10重量%程度が適当である。
【0020】(溶融晶析方法)本発明で用いる溶融晶析
方法は、特に限定されないが、少くとも晶析操作を含む
方法が好適に用いられる。該溶融晶析方法としては、例
えば、(i)冷却した壁面に精製結晶を成長させる方法
(壁面溶融晶析法)、(ii)溶融液を冷却し液中で精製
結晶を成長させて母液を分離した後に発汗させる方法、
(iii)圧力をかけて晶析させて母液を分離した後に発
汗させる方法等のいずれでも良いが、好ましくは(i)
壁面溶融晶析方法が適当である。
方法は、特に限定されないが、少くとも晶析操作を含む
方法が好適に用いられる。該溶融晶析方法としては、例
えば、(i)冷却した壁面に精製結晶を成長させる方法
(壁面溶融晶析法)、(ii)溶融液を冷却し液中で精製
結晶を成長させて母液を分離した後に発汗させる方法、
(iii)圧力をかけて晶析させて母液を分離した後に発
汗させる方法等のいずれでも良いが、好ましくは(i)
壁面溶融晶析方法が適当である。
【0021】壁面溶融晶析方法は次の各工程からなる。 1,4−BGの凝固点以下に冷却した壁面に粗1,4
−BG溶融液を流すことにより、1,4−BG結晶を得
る結晶化工程。 結晶化工程で得られた1,4−BG結晶を、壁面を
1,4−BG結晶の凝固点以上に加熱することにより、
結晶融液として1,4−BGを回収する回収工程。
−BG溶融液を流すことにより、1,4−BG結晶を得
る結晶化工程。 結晶化工程で得られた1,4−BG結晶を、壁面を
1,4−BG結晶の凝固点以上に加熱することにより、
結晶融液として1,4−BGを回収する回収工程。
【0022】また、付加的工程として発汗工程を加え
た、次の各工程からなる溶融晶析方法がより好ましい。 1,4−BGの凝固点以下に冷却した壁面に粗1,4
−BG溶融液を流すことにより、1,4−BG結晶を得
る結晶化工程。 結晶化工程で得られた1,4−BG結晶から残余の粗
1,4−BG溶融液である母液を除いた後、壁面を1,
4−BG結晶の凝固点付近まで加熱することにより、
1,4−BG結晶中の不純物を発汗液として結晶から除
く発汗工程。 発汗工程で得られた1,4−BG結晶を、壁面を1,
4−BG結晶の凝固点以上に加熱することにより、結晶
融液として1,4−BGを回収する回収工程。
た、次の各工程からなる溶融晶析方法がより好ましい。 1,4−BGの凝固点以下に冷却した壁面に粗1,4
−BG溶融液を流すことにより、1,4−BG結晶を得
る結晶化工程。 結晶化工程で得られた1,4−BG結晶から残余の粗
1,4−BG溶融液である母液を除いた後、壁面を1,
4−BG結晶の凝固点付近まで加熱することにより、
1,4−BG結晶中の不純物を発汗液として結晶から除
く発汗工程。 発汗工程で得られた1,4−BG結晶を、壁面を1,
4−BG結晶の凝固点以上に加熱することにより、結晶
融液として1,4−BGを回収する回収工程。
【0023】一般に、壁面溶融晶析は平滑なプレート或
いは管の一面側に液体原料を流し、他面側から冷却して
一面側表面に結晶を析出させる晶析装置を用いる。さら
に好ましくは、複数のタンクを用いて、あるタンク内の
液体原料について晶析を行ったときの母液および結晶融
液、必要に応じて発汗液を各々別のタンクに送り、当該
結晶融液について更に晶析を行う多段晶析方法が用いら
れる。
いは管の一面側に液体原料を流し、他面側から冷却して
一面側表面に結晶を析出させる晶析装置を用いる。さら
に好ましくは、複数のタンクを用いて、あるタンク内の
液体原料について晶析を行ったときの母液および結晶融
液、必要に応じて発汗液を各々別のタンクに送り、当該
結晶融液について更に晶析を行う多段晶析方法が用いら
れる。
【0024】晶析装置の形状は、平板型、管型或いはそ
の他の形状いずれでもよいが、伝面を効率的に得るため
には平板型が望ましい。以下、一例として平板型溶融晶
析装置を用いて、必要に応じて発汗工程を経る溶融晶析
方法について説明する。この場合、晶析装置は、晶析
器、貯槽、送液ポンプより構成される。晶析器は、例え
ばステンレス製の縦2m×横1m×厚さ1mmの大きさ
の平板からなる結晶付着用の板(以下これを「晶析板」
と略称することがある)を有し、この晶析板は垂直に配
置され、上端部は屈曲されて傾斜面が形成されている。
そして上記傾斜面、又は傾斜面の上端に連続する垂直面
を介して晶析板の一面側に液体原料を薄膜状に流下させ
る原料供給手段をなす原料供給器が設けられている。ス
ケールアップをする場合は、この平板晶析ユニットを増
やすことにより処理量を増加させて対処する。
の他の形状いずれでもよいが、伝面を効率的に得るため
には平板型が望ましい。以下、一例として平板型溶融晶
析装置を用いて、必要に応じて発汗工程を経る溶融晶析
方法について説明する。この場合、晶析装置は、晶析
器、貯槽、送液ポンプより構成される。晶析器は、例え
ばステンレス製の縦2m×横1m×厚さ1mmの大きさ
の平板からなる結晶付着用の板(以下これを「晶析板」
と略称することがある)を有し、この晶析板は垂直に配
置され、上端部は屈曲されて傾斜面が形成されている。
そして上記傾斜面、又は傾斜面の上端に連続する垂直面
を介して晶析板の一面側に液体原料を薄膜状に流下させ
る原料供給手段をなす原料供給器が設けられている。ス
ケールアップをする場合は、この平板晶析ユニットを増
やすことにより処理量を増加させて対処する。
【0025】晶析板の他面側には液体原料の凝固点以下
の温度の冷媒を薄膜状に流下させる冷媒供給のための冷
媒供給管が設けられている。この冷媒供給管は晶析板の
他面側に液体原料の凝固点付近の温度の熱媒を供給する
熱媒供給手段をなす熱媒供給管を兼用している。液体原
料は、送液ポンプにより循環して晶析板の一面側に供給
され、一方、冷媒は、晶析板の他面側に別の送液ポンプ
及び冷却器を介して冷媒供給管に循環供給され、熱媒
は、また別の送液ポンプと加熱器を介して熱媒供給管
(冷媒供給管兼用)に循環供給される。
の温度の冷媒を薄膜状に流下させる冷媒供給のための冷
媒供給管が設けられている。この冷媒供給管は晶析板の
他面側に液体原料の凝固点付近の温度の熱媒を供給する
熱媒供給手段をなす熱媒供給管を兼用している。液体原
料は、送液ポンプにより循環して晶析板の一面側に供給
され、一方、冷媒は、晶析板の他面側に別の送液ポンプ
及び冷却器を介して冷媒供給管に循環供給され、熱媒
は、また別の送液ポンプと加熱器を介して熱媒供給管
(冷媒供給管兼用)に循環供給される。
【0026】晶析装置に用いられる熱媒、冷媒等の温度
調節用媒体としては、−10℃〜+30℃程度の温度調
節が可能な溶媒であれば如何なるものでも良いが、具体
的には、エチレングリコール等のジオール類;メチルア
ルコール、エチルアルコール等の低級アルコール類、
水、及びそれらの混合物等のそれ自体既知の通常用いら
れるものが挙げられる。
調節用媒体としては、−10℃〜+30℃程度の温度調
節が可能な溶媒であれば如何なるものでも良いが、具体
的には、エチレングリコール等のジオール類;メチルア
ルコール、エチルアルコール等の低級アルコール類、
水、及びそれらの混合物等のそれ自体既知の通常用いら
れるものが挙げられる。
【0027】次に、溶融晶析の各工程について説明す
る。 結晶化工程 粗1,4−BG溶融液を晶析板の一面側に循環供給して
薄膜状に流下させ、晶析板の他面側に1,4−BGの凝
固点(19〜20℃)以下の温度の冷媒を薄膜状に流下
させる。ある程度の過冷却でなければ結晶が析出しない
ため、晶析板の壁面温度を核化開始温度(1,4−BG
が凝固を開始する温度)以下にする必要がある。核化開
始温度は、粗1,4−BG溶融液の純度、供給速度等に
より変化し、純度が低いほど、また、供給速度が速いほ
ど核化開始温度は低下する。
る。 結晶化工程 粗1,4−BG溶融液を晶析板の一面側に循環供給して
薄膜状に流下させ、晶析板の他面側に1,4−BGの凝
固点(19〜20℃)以下の温度の冷媒を薄膜状に流下
させる。ある程度の過冷却でなければ結晶が析出しない
ため、晶析板の壁面温度を核化開始温度(1,4−BG
が凝固を開始する温度)以下にする必要がある。核化開
始温度は、粗1,4−BG溶融液の純度、供給速度等に
より変化し、純度が低いほど、また、供給速度が速いほ
ど核化開始温度は低下する。
【0028】壁面温度が低いほど結晶成長は速いが、結
晶成長時に不純物が結晶の中に取り込まれるのを極力減
らすため、結晶成長速度を遅くすることが好ましい。そ
のためには、最初、冷媒を用いて壁面温度を1,4−B
Gの凝固点から最大でも約8℃程度低い温度(壁面温
度:約11℃程度)に冷却して結晶化を開始し、結晶の
成長に従い、徐々に冷媒温度下げることにより、壁面温
度を1,4−BGの凝固点から約15℃程度低い温度ま
で降下させる。溶融晶析を多段で行なう場合は冷媒温度
の降下のさせ方を、例えば、1段めの降下より2段めの
降下の方が遅く、即ち、より後段の結晶化工程の冷媒温
度の降下速度を遅くするというやり方で行うことによ
り、より後段の結晶化工程の結晶成長速度を遅くするこ
とができ、より不純物の少ない結晶を得ることができ
る。
晶成長時に不純物が結晶の中に取り込まれるのを極力減
らすため、結晶成長速度を遅くすることが好ましい。そ
のためには、最初、冷媒を用いて壁面温度を1,4−B
Gの凝固点から最大でも約8℃程度低い温度(壁面温
度:約11℃程度)に冷却して結晶化を開始し、結晶の
成長に従い、徐々に冷媒温度下げることにより、壁面温
度を1,4−BGの凝固点から約15℃程度低い温度ま
で降下させる。溶融晶析を多段で行なう場合は冷媒温度
の降下のさせ方を、例えば、1段めの降下より2段めの
降下の方が遅く、即ち、より後段の結晶化工程の冷媒温
度の降下速度を遅くするというやり方で行うことによ
り、より後段の結晶化工程の結晶成長速度を遅くするこ
とができ、より不純物の少ない結晶を得ることができ
る。
【0029】晶析板の一面側に粗1,4−BG溶融液、
他面側に冷媒をそれぞれ流下させることにより晶析板の
一面側に1,4−BGの結晶が析出する。粗1,4−B
G溶融液の供給温度は、初期段階で、好ましくは1,4
−BGの凝固点より約5℃程度高い温度の範囲内、更に
好ましくは約1℃程度高い温度の範囲内である。結晶表
面は、結晶化熱や結晶厚みによる伝熱効率の低下などか
ら初期温度を保持できないので、結晶面温度上昇を加味
して冷媒温度を徐々に低下させる。粗1,4−BG溶融
液の流量の上限は、薄膜流が得られる範囲であれば特に
制限はなく、流量が多いほど液膜が切れず伝熱係数も向
上し処理速度が上がるため、流量は可能な限り多い方が
望ましい。
他面側に冷媒をそれぞれ流下させることにより晶析板の
一面側に1,4−BGの結晶が析出する。粗1,4−B
G溶融液の供給温度は、初期段階で、好ましくは1,4
−BGの凝固点より約5℃程度高い温度の範囲内、更に
好ましくは約1℃程度高い温度の範囲内である。結晶表
面は、結晶化熱や結晶厚みによる伝熱効率の低下などか
ら初期温度を保持できないので、結晶面温度上昇を加味
して冷媒温度を徐々に低下させる。粗1,4−BG溶融
液の流量の上限は、薄膜流が得られる範囲であれば特に
制限はなく、流量が多いほど液膜が切れず伝熱係数も向
上し処理速度が上がるため、流量は可能な限り多い方が
望ましい。
【0030】1,4−BGの結晶層の厚さが所定値に達
した後、母液を循環供給系から抜き出す。但し、結晶層
が薄いと不純物を取り込みやすく、逆に厚くなりすぎる
と熱伝導度が悪くなり、晶析時間が長くなる。また、発
汗工程と組み合わせる場合にも、結晶層が厚すぎると長
い発汗時間を必要とし、結晶層と発汗液の分離も悪くな
る。従って、結晶層の厚さは、好ましくは1〜20m
m、より好ましくは3〜15mm、最も好ましくは5〜
10mmの範囲内が適当である。
した後、母液を循環供給系から抜き出す。但し、結晶層
が薄いと不純物を取り込みやすく、逆に厚くなりすぎる
と熱伝導度が悪くなり、晶析時間が長くなる。また、発
汗工程と組み合わせる場合にも、結晶層が厚すぎると長
い発汗時間を必要とし、結晶層と発汗液の分離も悪くな
る。従って、結晶層の厚さは、好ましくは1〜20m
m、より好ましくは3〜15mm、最も好ましくは5〜
10mmの範囲内が適当である。
【0031】発汗工程 結晶化工程で得られた1,4−BG結晶を必要に応じて
発汗工程に供することが好ましい。発汗工程とは、析出
した結晶間に取り込まれた又は結晶表面中に付着してい
る不純物濃度が高い液体を融解除去する工程であって、
結晶の不純物濃度を更に低くするために行われるもので
ある。具体的には、回収工程前に、目的とする純物質の
凝固点に近い温度、即ち、熱媒を晶析板の他面側に薄膜
状に流下させて、晶析板の壁面温度を目的とする純物質
の凝固点の±5℃以内、好ましくは±3℃以内の温度に
制御して、結晶を部分融解させることにより行われる。
この発汗工程により、結晶中の不純物濃度をさらに低く
することができる。
発汗工程に供することが好ましい。発汗工程とは、析出
した結晶間に取り込まれた又は結晶表面中に付着してい
る不純物濃度が高い液体を融解除去する工程であって、
結晶の不純物濃度を更に低くするために行われるもので
ある。具体的には、回収工程前に、目的とする純物質の
凝固点に近い温度、即ち、熱媒を晶析板の他面側に薄膜
状に流下させて、晶析板の壁面温度を目的とする純物質
の凝固点の±5℃以内、好ましくは±3℃以内の温度に
制御して、結晶を部分融解させることにより行われる。
この発汗工程により、結晶中の不純物濃度をさらに低く
することができる。
【0032】発汗時間は特に制限がなく、通常30分間
程度であるが、1,4−BGは粘性が77cp(25
℃)と高いため2〜20倍(60〜600分間)程度の
発汗時間が必要である。
程度であるが、1,4−BGは粘性が77cp(25
℃)と高いため2〜20倍(60〜600分間)程度の
発汗時間が必要である。
【0033】回収工程 結晶化工程、必要に応じて更に発汗工程を経て得られた
1,4−BG結晶を、その後、前記媒体を過熱器で1,
4−BG結晶の凝固点以上の温度に加熱して熱媒とし、
この熱媒を晶析板の他面側に流下させて、1,4−BG
結晶を融解して回収する。また、熱媒の流下と共に、す
でに得られた1,4−BGの結晶融液を加熱して晶析板
の一面側、即ち結晶表面に流下させると、1,4−BG
の結晶は両面から加熱され、短時間に融解する。
1,4−BG結晶を、その後、前記媒体を過熱器で1,
4−BG結晶の凝固点以上の温度に加熱して熱媒とし、
この熱媒を晶析板の他面側に流下させて、1,4−BG
結晶を融解して回収する。また、熱媒の流下と共に、す
でに得られた1,4−BGの結晶融液を加熱して晶析板
の一面側、即ち結晶表面に流下させると、1,4−BG
の結晶は両面から加熱され、短時間に融解する。
【0034】結晶化工程、必要に応じて発汗工程、
および回収工程からなる溶融晶析を経て、純度の高い
1,4−BGを得ることができるが、それを更に溶融晶
析に付すことにより一層純度の高い1,4−BGが得ら
れる。従って溶融晶析を多段に行なえば極めて純度の高
い1,4−BGが得られる。
および回収工程からなる溶融晶析を経て、純度の高い
1,4−BGを得ることができるが、それを更に溶融晶
析に付すことにより一層純度の高い1,4−BGが得ら
れる。従って溶融晶析を多段に行なえば極めて純度の高
い1,4−BGが得られる。
【0035】次に、二段階の晶析操作を実施する多段晶
析装置を例に、その概略を図4に基づいて述べる。V−
0〜V−4は各々貯槽であり、V−5は循環槽である。
第4貯槽V−4は製品である1,4−BGを一時貯留す
る製品貯槽である。V−0は母液貯槽であり、最も低純
度の液体原料を用いた晶析操作で得られた、即ち、貯槽
1内の液体原料を晶析して得られた母液を一時貯留する
ためのものである。この装置ではV−2から液体原料を
循環槽V−5内に送り、晶析器1内を通流させて晶析器
1内に1,4−BGの結晶を析出させる(結晶化工
程)。
析装置を例に、その概略を図4に基づいて述べる。V−
0〜V−4は各々貯槽であり、V−5は循環槽である。
第4貯槽V−4は製品である1,4−BGを一時貯留す
る製品貯槽である。V−0は母液貯槽であり、最も低純
度の液体原料を用いた晶析操作で得られた、即ち、貯槽
1内の液体原料を晶析して得られた母液を一時貯留する
ためのものである。この装置ではV−2から液体原料を
循環槽V−5内に送り、晶析器1内を通流させて晶析器
1内に1,4−BGの結晶を析出させる(結晶化工
程)。
【0036】この工程で得られた未結晶残留液体(母
液)は循環槽V−5内に溜り、V−1に送られる。続い
て晶析器1内の1,4−BGの結晶に対し前記した発汗
操作を行い、その発汗液をV−2内に貯留する(発汗工
程)。その後に晶析器1内の1,4−BGを融解させて
得た一段目精製液はV−3に送られる(回収工程)。次
に、V−3内の液体を循環槽V−5に送り、晶析器1に
通流させて晶析器内に1,4−BGを析出させる(結晶
化工程)。この操作に続いて発汗工程及び回収工程の操
作を行う。得られた母液、発汗液、精製液は、戻す貯槽
が1段ずつずれる。即ち、V−3内の融液を循環槽V−
5に送り晶析器1にて晶析を行い、その母液をV−2内
に、発汗液をV−3内に貯留する。そして、結晶の融液
を製品貯槽V−4に回収する。
液)は循環槽V−5内に溜り、V−1に送られる。続い
て晶析器1内の1,4−BGの結晶に対し前記した発汗
操作を行い、その発汗液をV−2内に貯留する(発汗工
程)。その後に晶析器1内の1,4−BGを融解させて
得た一段目精製液はV−3に送られる(回収工程)。次
に、V−3内の液体を循環槽V−5に送り、晶析器1に
通流させて晶析器内に1,4−BGを析出させる(結晶
化工程)。この操作に続いて発汗工程及び回収工程の操
作を行う。得られた母液、発汗液、精製液は、戻す貯槽
が1段ずつずれる。即ち、V−3内の融液を循環槽V−
5に送り晶析器1にて晶析を行い、その母液をV−2内
に、発汗液をV−3内に貯留する。そして、結晶の融液
を製品貯槽V−4に回収する。
【0037】V−3内の融液の晶析操作に続いてV−1
内の融液(V−2内の融液の晶析操作で得られた母液)
に対し晶析を行う。この操作は、既述の操作と全く同様
であり、得られた母液は晶析装置外の母液貯槽V−0に
送られ、発汗液はV−1に送られる。晶析器1から回収
された融液はV−2に貯留される。V−0内の母液は、
再び蒸留塔に回収されて1サイクルが終了する。
内の融液(V−2内の融液の晶析操作で得られた母液)
に対し晶析を行う。この操作は、既述の操作と全く同様
であり、得られた母液は晶析装置外の母液貯槽V−0に
送られ、発汗液はV−1に送られる。晶析器1から回収
された融液はV−2に貯留される。V−0内の母液は、
再び蒸留塔に回収されて1サイクルが終了する。
【0038】また、各回収工程において、前記の通り既
に回収した1,4−BG融液を結晶表面に流下させる
と、短時間で結晶を融解させることができる。本発明の
方法で用いる粗1,4−BGは、前記したとおり、いず
れの製造方法によって製造されたものでも良いが、特
に、ブタジエン法によって製造されたものが好適に用い
られる。
に回収した1,4−BG融液を結晶表面に流下させる
と、短時間で結晶を融解させることができる。本発明の
方法で用いる粗1,4−BGは、前記したとおり、いず
れの製造方法によって製造されたものでも良いが、特
に、ブタジエン法によって製造されたものが好適に用い
られる。
【0039】かくして、本発明の別の態様であるブタジ
エン法、即ちジアセトキシブタンを加水分解することに
より製造される粗1,4−BGを、上記した溶融晶析に
付することよりなる1,4−BGの製造方法が提供され
る。以下、本発明の1,4−ブタンジオールの製造方法
について述べる。 (1,4−ブタンジオールの製造方法)粗1,4−BG
は、ジアセトキシブタンを加水分解して得られる反応生
成物である。ジアセトキシブタンは、通常、パラジウム
系触媒の存在下、ブタジエン、酢酸及び酸素を反応させ
て得られるジアセトキシブテンを水素化して得られる
(特公昭55−45051号、同55−16489号、
同55−17016号)。この製造プロセスの概略を図
1に示す。
エン法、即ちジアセトキシブタンを加水分解することに
より製造される粗1,4−BGを、上記した溶融晶析に
付することよりなる1,4−BGの製造方法が提供され
る。以下、本発明の1,4−ブタンジオールの製造方法
について述べる。 (1,4−ブタンジオールの製造方法)粗1,4−BG
は、ジアセトキシブタンを加水分解して得られる反応生
成物である。ジアセトキシブタンは、通常、パラジウム
系触媒の存在下、ブタジエン、酢酸及び酸素を反応させ
て得られるジアセトキシブテンを水素化して得られる
(特公昭55−45051号、同55−16489号、
同55−17016号)。この製造プロセスの概略を図
1に示す。
【0040】加水分解反応に供するジアセトキシブタン
としては、1,4−ジアセトキシブタンを主体とするも
ののほか、その製造及び精製処理工程によっては、1,
4−ジアセトキシブタンと1,2−ジアセトキシブタ
ン、1,3−ジアセトキシブタン等との異性体混合物、
更にはモノヒドロキシアセトキシブタンを付随したもの
等も含まれる。また、ある場合には、加水分解反応をあ
る程度進行させた後、水及び酢酸を除いた1,4−ジア
セトキシブタン、1,4−モノヒドロキシアセトキシブ
タン及び1,4−BGの混合物も利用できる。
としては、1,4−ジアセトキシブタンを主体とするも
ののほか、その製造及び精製処理工程によっては、1,
4−ジアセトキシブタンと1,2−ジアセトキシブタ
ン、1,3−ジアセトキシブタン等との異性体混合物、
更にはモノヒドロキシアセトキシブタンを付随したもの
等も含まれる。また、ある場合には、加水分解反応をあ
る程度進行させた後、水及び酢酸を除いた1,4−ジア
セトキシブタン、1,4−モノヒドロキシアセトキシブ
タン及び1,4−BGの混合物も利用できる。
【0041】加水分解反応には、陽イオン交換樹脂を触
媒として使用するのが、加水分解速度が速く、テトラヒ
ドロフラン(以下これを「THF」と略称することがあ
る)等の副生物が少ないので適している。具体的には、
スチレンとジビニルベンゼンとの共重合体を母体とする
スルホン酸型強酸性陽イオン交換樹脂が好適であり、ゲ
ル型樹脂でもポーラス型樹脂でも良い。
媒として使用するのが、加水分解速度が速く、テトラヒ
ドロフラン(以下これを「THF」と略称することがあ
る)等の副生物が少ないので適している。具体的には、
スチレンとジビニルベンゼンとの共重合体を母体とする
スルホン酸型強酸性陽イオン交換樹脂が好適であり、ゲ
ル型樹脂でもポーラス型樹脂でも良い。
【0042】かかるスルホン酸型強酸性陽イオン交換樹
脂としては、ゲル型のものとして、例えば、三菱化学株
式会社製SK1B、SK104、SK106、SK11
0、SK112が、ポーラス型のものとして、PK20
8、PK216、PK228、RCP160H、RCP
170H、RCP145H等が挙げられる。加水分解反
応は、通常30〜110℃の範囲内で行われるが、40
〜90℃の範囲内で行うのがより好ましい。
脂としては、ゲル型のものとして、例えば、三菱化学株
式会社製SK1B、SK104、SK106、SK11
0、SK112が、ポーラス型のものとして、PK20
8、PK216、PK228、RCP160H、RCP
170H、RCP145H等が挙げられる。加水分解反
応は、通常30〜110℃の範囲内で行われるが、40
〜90℃の範囲内で行うのがより好ましい。
【0043】反応圧力は特に制限されず、通常は常圧〜
10kg/cm2 G(0.1〜1.08MPa)の範囲
内で行われる。ジアセトキシブタンと水の比率は、水が
反応原料であると同時に溶媒としても作用するので、水
は化学量論量以上用いられ、通常ジアセトキシブタン1
モルに対し2〜100モル、好ましくは4〜50モルの
範囲内で選ばれる。
10kg/cm2 G(0.1〜1.08MPa)の範囲
内で行われる。ジアセトキシブタンと水の比率は、水が
反応原料であると同時に溶媒としても作用するので、水
は化学量論量以上用いられ、通常ジアセトキシブタン1
モルに対し2〜100モル、好ましくは4〜50モルの
範囲内で選ばれる。
【0044】反応態様としては種々のものが考えられる
が、通常は酸性陽イオン交換樹脂を充填した固定床にジ
アセトキシブタン及び水を流下させる方法が採用され
る。上記方法により得られた加水分解反応生成物につい
ては、通常、軽沸点成分及び高沸点成分を蒸留除去する
ことにより粗1,4−BGを得るが、これらの蒸留分離
方法は、それ自体既知の通常用いられる方法、例えば特
開平6−172235号公報に記載の方法を用いること
ができる。
が、通常は酸性陽イオン交換樹脂を充填した固定床にジ
アセトキシブタン及び水を流下させる方法が採用され
る。上記方法により得られた加水分解反応生成物につい
ては、通常、軽沸点成分及び高沸点成分を蒸留除去する
ことにより粗1,4−BGを得るが、これらの蒸留分離
方法は、それ自体既知の通常用いられる方法、例えば特
開平6−172235号公報に記載の方法を用いること
ができる。
【0045】しかし、本発明に用いる蒸留工程は、従来
の1,4−BG製造法に用いる蒸留工程より蒸留塔の段
数や還流量の低減が可能であり、より緩和な蒸留条件で
運転することができる。また、本発明の方法において
は、粗1,4−BGに含まれる不純物を低減させるため
の水素化工程は、必ずしも必要ない。具体的には図3に
示す如く、ジアセトキシブタンを加水分解反応器中で加
水分解反応して得た加水分解生成物を蒸留塔に供給す
る。蒸留塔で、水、酢酸、12HAB、14HAB等の
軽沸点成分を留去して、蒸留塔底部または側流部より加
水分解反応物を抜き出すことにより粗1,4−BGが得
られる。軽沸点成分は、好ましくは、二つ以上の蒸留塔
を用いて、第1蒸留塔302で水と酢酸を、第2蒸留塔
303で12HAB、14HAB等を留去すれば良い。
の1,4−BG製造法に用いる蒸留工程より蒸留塔の段
数や還流量の低減が可能であり、より緩和な蒸留条件で
運転することができる。また、本発明の方法において
は、粗1,4−BGに含まれる不純物を低減させるため
の水素化工程は、必ずしも必要ない。具体的には図3に
示す如く、ジアセトキシブタンを加水分解反応器中で加
水分解反応して得た加水分解生成物を蒸留塔に供給す
る。蒸留塔で、水、酢酸、12HAB、14HAB等の
軽沸点成分を留去して、蒸留塔底部または側流部より加
水分解反応物を抜き出すことにより粗1,4−BGが得
られる。軽沸点成分は、好ましくは、二つ以上の蒸留塔
を用いて、第1蒸留塔302で水と酢酸を、第2蒸留塔
303で12HAB、14HAB等を留去すれば良い。
【0046】本発明の方法においては、蒸留塔の底部又
は側流部より抜き出された粗1,4−BGが、前記した
方法により、そのまま溶融晶析に付される。溶融晶析
は、好ましくは、前記した結晶化工程、必要に応じて
発汗工程、および回収工程からなる溶融晶析方法を
用いるのが適当である。
は側流部より抜き出された粗1,4−BGが、前記した
方法により、そのまま溶融晶析に付される。溶融晶析
は、好ましくは、前記した結晶化工程、必要に応じて
発汗工程、および回収工程からなる溶融晶析方法を
用いるのが適当である。
【0047】本発明の方法においては、蒸留塔の底部よ
り抜き出した粗1,4−ブタンジオールを水素化反応せ
ずに溶融晶析に付し、結晶が析出しなかった残液(母
液)を別の蒸留塔に供給して、ジブチレングリコール、
ジブチレングリコールモノ酢酸エステル、ジブチレング
リコールジ酢酸エステル、トリブチレングリコール、ト
リブチレングリコールモノ酢酸エステル、トリブチレン
グリコールジ酢酸エステル等の高沸点成分(不純物)を
除去した後に、水素化反応して、蒸留塔に戻すプロセス
を取るのが好ましい(図3参照)。この方法により、従
来のTHF濃縮塔(例えば、図2の第3、第4蒸留塔)
が不要になる。さらに蒸留塔の1,4−BGとヒドロキ
シアセトキシブタンの分離スペックを緩和することが可
能である。すなわち、従来の蒸留法で精製するプロセス
(図2)では、第1蒸留塔底部より得られる粗1,4−
BGに含まれる不純物は14HAB 0.5重量%以
下、12HAB 0.1重量%以下、BGTF 2.0
重量%以下になるまで低減させる必要があった。しか
し、溶融晶析法で精製するプロセスでは、第2蒸留塔よ
り得られる粗1,4−BGに含まれる不純物のスペック
は、14HAB 2重量%以下、12HAB 0.4重
量%以下、BGTF 8重量%以下まで緩和しても、蒸
留法と同じ純度の1,4−BGを得ることが可能であ
る。
り抜き出した粗1,4−ブタンジオールを水素化反応せ
ずに溶融晶析に付し、結晶が析出しなかった残液(母
液)を別の蒸留塔に供給して、ジブチレングリコール、
ジブチレングリコールモノ酢酸エステル、ジブチレング
リコールジ酢酸エステル、トリブチレングリコール、ト
リブチレングリコールモノ酢酸エステル、トリブチレン
グリコールジ酢酸エステル等の高沸点成分(不純物)を
除去した後に、水素化反応して、蒸留塔に戻すプロセス
を取るのが好ましい(図3参照)。この方法により、従
来のTHF濃縮塔(例えば、図2の第3、第4蒸留塔)
が不要になる。さらに蒸留塔の1,4−BGとヒドロキ
シアセトキシブタンの分離スペックを緩和することが可
能である。すなわち、従来の蒸留法で精製するプロセス
(図2)では、第1蒸留塔底部より得られる粗1,4−
BGに含まれる不純物は14HAB 0.5重量%以
下、12HAB 0.1重量%以下、BGTF 2.0
重量%以下になるまで低減させる必要があった。しか
し、溶融晶析法で精製するプロセスでは、第2蒸留塔よ
り得られる粗1,4−BGに含まれる不純物のスペック
は、14HAB 2重量%以下、12HAB 0.4重
量%以下、BGTF 8重量%以下まで緩和しても、蒸
留法と同じ純度の1,4−BGを得ることが可能であ
る。
【0048】即ち、従来の蒸留法(図2)においては、
第2蒸留塔203は、通常、理論段数50〜150段、
塔頂圧力100〜400mmHg、塔頂温度150〜2
50℃、好ましくは180〜230℃、還流比10〜2
00、好ましくは20〜100での操作が必要とされ
る。しかし、本発明の方法では、例えば図3の第2蒸留
塔303は、通常、理論段数25〜75段、還流比5〜
100、好ましくは10〜50が適当である。この様
に、本発明の方法においては、従来の蒸留法より蒸留塔
の理論段数や還流比が約半分の値の緩和な条件で操作が
可能である。
第2蒸留塔203は、通常、理論段数50〜150段、
塔頂圧力100〜400mmHg、塔頂温度150〜2
50℃、好ましくは180〜230℃、還流比10〜2
00、好ましくは20〜100での操作が必要とされ
る。しかし、本発明の方法では、例えば図3の第2蒸留
塔303は、通常、理論段数25〜75段、還流比5〜
100、好ましくは10〜50が適当である。この様
に、本発明の方法においては、従来の蒸留法より蒸留塔
の理論段数や還流比が約半分の値の緩和な条件で操作が
可能である。
【0049】
【実施例】次に本発明を実施例により具体的に説明する
が、本発明は下記の実施例により限定されるものではな
い。なお、以下の実施例において、特にことわりのない
限り「部」及び「%」は、各々「重量部」及び「重量
%」を示す。また、以下の実施例の一連の値は、特にこ
とわりのない限り、定常運転に入った運転開始後5日間
におけるガスクロマトグラフィーによる分析値を示す。
が、本発明は下記の実施例により限定されるものではな
い。なお、以下の実施例において、特にことわりのない
限り「部」及び「%」は、各々「重量部」及び「重量
%」を示す。また、以下の実施例の一連の値は、特にこ
とわりのない限り、定常運転に入った運転開始後5日間
におけるガスクロマトグラフィーによる分析値を示す。
【0050】参考例1 図1に示すアセトキシ化反応器101に、ブタジエン1
70部/hr、不純物として1,4−ヒドロキシアセト
キシブタン0.8%、1,2−ヒドロキシアセトキシブ
タン0.6%を含む酢酸3000部/hr、及び酸素5
30部/hrを供給し、パラジウム3%、テルル0.6
%を活性炭に担持した触媒の存在下、9MPa、100
℃で反応した後、気液分離器102にて脱ガス処理し
て、1,4−ジアセトキシブテン12.5%を含む反応
生成物を得た。
70部/hr、不純物として1,4−ヒドロキシアセト
キシブタン0.8%、1,2−ヒドロキシアセトキシブ
タン0.6%を含む酢酸3000部/hr、及び酸素5
30部/hrを供給し、パラジウム3%、テルル0.6
%を活性炭に担持した触媒の存在下、9MPa、100
℃で反応した後、気液分離器102にて脱ガス処理し
て、1,4−ジアセトキシブテン12.5%を含む反応
生成物を得た。
【0051】該反応生成物を3100部/hrで第一蒸
留塔103に供給し、水及び酢酸の大部分を2500部
/hrで塔頂より留去し、1,4−ジアセトキシブテン
74.8%を含む塔底液を580部/hrで缶出した。
該缶出液を第2蒸留塔104(実段数20段)に580
部/hrで供給して、塔頂圧力2.7kPa、還流比
0.5の条件で蒸留し、塔頂から1,4−ジアセトキシ
ブテン75.5%を含む液を550部/hrで留出させ
た。
留塔103に供給し、水及び酢酸の大部分を2500部
/hrで塔頂より留去し、1,4−ジアセトキシブテン
74.8%を含む塔底液を580部/hrで缶出した。
該缶出液を第2蒸留塔104(実段数20段)に580
部/hrで供給して、塔頂圧力2.7kPa、還流比
0.5の条件で蒸留し、塔頂から1,4−ジアセトキシ
ブテン75.5%を含む液を550部/hrで留出させ
た。
【0052】得られたジアセトキシブテン留分を、パラ
ジウム触媒およびルテニウム触媒を充填した水添反応器
105に供給し、水素流通下、反応圧5MPa、温度7
0℃で水添反応を行い、1,4−ジアセトキシブタン7
5.6%を含む反応液を得た。該反応液を気液分離後、
第3蒸留塔106(実段数20段)に550部/hrで
供給して、塔頂圧力2.0kPa、還流比0.25の条
件で蒸留し、塔頂から表1に示す1,4−ジアセトキシ
ブタン75.9%を含む液を520部/hrで留出させ
た。
ジウム触媒およびルテニウム触媒を充填した水添反応器
105に供給し、水素流通下、反応圧5MPa、温度7
0℃で水添反応を行い、1,4−ジアセトキシブタン7
5.6%を含む反応液を得た。該反応液を気液分離後、
第3蒸留塔106(実段数20段)に550部/hrで
供給して、塔頂圧力2.0kPa、還流比0.25の条
件で蒸留し、塔頂から表1に示す1,4−ジアセトキシ
ブタン75.9%を含む液を520部/hrで留出させ
た。
【0053】100リットルの陽イオン交換樹脂SK1
B(三菱化学(株)製)に充填した反応器に上記で得た
表1の組成の1,4−ジアセトキシブタン含有液を52
0部/hr、28%酢酸水溶液250部/hrで供給
し、反応温度50℃で加水分解反応を行った。その結
果、加水分解反応物に含まれる水以外の各成分の組成は
表1の通りであった。
B(三菱化学(株)製)に充填した反応器に上記で得た
表1の組成の1,4−ジアセトキシブタン含有液を52
0部/hr、28%酢酸水溶液250部/hrで供給
し、反応温度50℃で加水分解反応を行った。その結
果、加水分解反応物に含まれる水以外の各成分の組成は
表1の通りであった。
【0054】
【表1】
【0055】この加水分解反応物を図3に示す第1蒸留
塔302に供給し、蒸留した。第1蒸留塔は、SUS3
16製の内径200mmの充填塔で、これに、SUS3
16製のラッシヒリング3000mmの高さに充填し
た。充填層上部から500mm下に液供給口を設け、塔
頂圧力70mmHg、還流比0.5、塔底温度160℃
で操作し、塔頂より水、酢酸及び微量の軽質物を留去
し、塔底液は、第2蒸留塔303に供給した。
塔302に供給し、蒸留した。第1蒸留塔は、SUS3
16製の内径200mmの充填塔で、これに、SUS3
16製のラッシヒリング3000mmの高さに充填し
た。充填層上部から500mm下に液供給口を設け、塔
頂圧力70mmHg、還流比0.5、塔底温度160℃
で操作し、塔頂より水、酢酸及び微量の軽質物を留去
し、塔底液は、第2蒸留塔303に供給した。
【0056】第2蒸留塔はSUS304製内径100m
mの充填塔でこれにSUS304製マクマホンパッキン
グ(McMahon Packing)を充填層高50
00mmになるように充填した。充填層上部から100
0mm下に側流抜出口を設け、それより更に1000m
m下に液供給口を設けた。また、該液供給口よりまた更
に1000mm下に蒸気抜き出し口を設けた。第1蒸留
塔缶出液を塔頂圧力230mmHg、還流比30、塔底
温度200℃、塔頂温度155℃で操作し、蒸留した。
mの充填塔でこれにSUS304製マクマホンパッキン
グ(McMahon Packing)を充填層高50
00mmになるように充填した。充填層上部から100
0mm下に側流抜出口を設け、それより更に1000m
m下に液供給口を設けた。また、該液供給口よりまた更
に1000mm下に蒸気抜き出し口を設けた。第1蒸留
塔缶出液を塔頂圧力230mmHg、還流比30、塔底
温度200℃、塔頂温度155℃で操作し、蒸留した。
【0057】塔頂より、1,2−ジアセトキシブタン
9.5%、1,2−ジヒドロキシアセトキシブタン2
5.2%、1,2−ブタンジオール65.3%からなる
留分を留去した。また、側流から1,2−ジアセトキシ
ブタン0.4%、1,2−ヒドロキシアセトキシブタン
0.9%、1,2−ブタンジオール2.4%、1,4−
ジアセトキシブタン15.9%、1,4−ヒドロキシア
セトキシブタン64.1%、1,4−BG 11.4%
から成る留分を取り出した。該留分は、反応原料の一部
として、前記加水分解反応帯域に循環させた。
9.5%、1,2−ジヒドロキシアセトキシブタン2
5.2%、1,2−ブタンジオール65.3%からなる
留分を留去した。また、側流から1,2−ジアセトキシ
ブタン0.4%、1,2−ヒドロキシアセトキシブタン
0.9%、1,2−ブタンジオール2.4%、1,4−
ジアセトキシブタン15.9%、1,4−ヒドロキシア
セトキシブタン64.1%、1,4−BG 11.4%
から成る留分を取り出した。該留分は、反応原料の一部
として、前記加水分解反応帯域に循環させた。
【0058】更に、第2蒸留塔303から粗1,4−B
G(1,4−BG 94.0重量%、14HAB 0.
02重量%、BGTF 0.48重量%)を取り出し
た。 実施例1 (1)実験装置として図4に示す晶析装置を用い、参考
例1で得た粗1,4−BGを原料(フィード溶液)とし
て2段の晶析を行った。晶析器としては図4に示す垂直
ブレード型を用いた。ステンレス製の晶析板の大きさは
幅200mm、高さ600mmであり、晶析器の前面及
び上部には透明アクリル板を設置して目視可能とした。
冷媒は、30〜40%のエチレングリコール水溶液を使
用した。
G(1,4−BG 94.0重量%、14HAB 0.
02重量%、BGTF 0.48重量%)を取り出し
た。 実施例1 (1)実験装置として図4に示す晶析装置を用い、参考
例1で得た粗1,4−BGを原料(フィード溶液)とし
て2段の晶析を行った。晶析器としては図4に示す垂直
ブレード型を用いた。ステンレス製の晶析板の大きさは
幅200mm、高さ600mmであり、晶析器の前面及
び上部には透明アクリル板を設置して目視可能とした。
冷媒は、30〜40%のエチレングリコール水溶液を使
用した。
【0059】(2)晶析原料の粗1,4−BG 500
gは、貯槽V−2に供給される。貯槽V−2に送られた
原料は循環槽V−5に送液され、更に晶析器1に送られ
る。所定の条件で原料を晶析器に循環して450gを結
晶化する。残り50gの母液を貯槽V−1に送る。次に
200gを約2時間発汗させ、発汗液を貯槽V−2に送
り、融解した一段目晶析融液を貯槽V−3に送る。
gは、貯槽V−2に供給される。貯槽V−2に送られた
原料は循環槽V−5に送液され、更に晶析器1に送られ
る。所定の条件で原料を晶析器に循環して450gを結
晶化する。残り50gの母液を貯槽V−1に送る。次に
200gを約2時間発汗させ、発汗液を貯槽V−2に送
り、融解した一段目晶析融液を貯槽V−3に送る。
【0060】(3)次に、貯槽V−3の融液を循環槽V
−5に送り更に晶析器1に循環させる。既述の方法で母
液10gを貯槽V−2に、発汗液165gを貯槽V−3
に、精製融液75gを貯槽V−4にそれぞれ送った。 (4)この時の貯槽V−4中の精製融液は1,4−BG
の純度約97.7重量%(BGTFの含有量0.19重
量%)であった。
−5に送り更に晶析器1に循環させる。既述の方法で母
液10gを貯槽V−2に、発汗液165gを貯槽V−3
に、精製融液75gを貯槽V−4にそれぞれ送った。 (4)この時の貯槽V−4中の精製融液は1,4−BG
の純度約97.7重量%(BGTFの含有量0.19重
量%)であった。
【0061】実施例2 (1)図4に示す晶析装置を用い、参考例1で得た粗
1,4−BGを原料(フィード溶液)として2段の晶析
を行った。晶析器としては図4にて示す垂直ブレード型
を用いた。晶析板の大きさは幅200mm、高さ600
mmであり、晶析器の前面及び上部には透明アクリル板
を設置して目視可能とした。冷媒は、30〜40%のエ
チレングリコール水溶液を使用した。
1,4−BGを原料(フィード溶液)として2段の晶析
を行った。晶析器としては図4にて示す垂直ブレード型
を用いた。晶析板の大きさは幅200mm、高さ600
mmであり、晶析器の前面及び上部には透明アクリル板
を設置して目視可能とした。冷媒は、30〜40%のエ
チレングリコール水溶液を使用した。
【0062】(2)晶析原料の粗1,4−BG 500
gは、貯槽V−2に供給される。貯槽V−2に送られた
原料は循環槽V−5に送液され、更に晶析器1に送られ
る。所定の条件で原料を晶析器に循環して450gを結
晶化する。残り50gの母液を貯槽V−1に送る。次に
200gを約4時間発汗させ、発汗液を貯槽V−2に送
り、融解した一段目晶析融液を貯槽V−3に送る。
gは、貯槽V−2に供給される。貯槽V−2に送られた
原料は循環槽V−5に送液され、更に晶析器1に送られ
る。所定の条件で原料を晶析器に循環して450gを結
晶化する。残り50gの母液を貯槽V−1に送る。次に
200gを約4時間発汗させ、発汗液を貯槽V−2に送
り、融解した一段目晶析融液を貯槽V−3に送る。
【0063】(3)次に、貯槽V−3の融液を循環槽V
−5に送り更に晶析器1に循環させる。既述の方法で母
液10gを貯槽V−2に、発汗液185gを貯槽V−3
に、精製融液15gを貯槽V−4にそれぞれ送った。 (4)この時の貯槽V−4中の精製融液は1,4−BG
の純度約99.7重量%(BGTFの含有量0.08重
量%)であった。
−5に送り更に晶析器1に循環させる。既述の方法で母
液10gを貯槽V−2に、発汗液185gを貯槽V−3
に、精製融液15gを貯槽V−4にそれぞれ送った。 (4)この時の貯槽V−4中の精製融液は1,4−BG
の純度約99.7重量%(BGTFの含有量0.08重
量%)であった。
【0064】比較例1(従来の蒸留法) 図2の工程で従来の蒸留法を用いてジアセトキシブタン
を原料として1,4−BGを製造した。図2の第2蒸留
塔203の側流部より得られる粗1,4−BGの組成
は、1,4−BG 97.0重量%、14HAB 0.
5重量%、BGTF 2.0重量%であった。1000
時間連続運転後に図2の第4蒸留塔209より得られた
製品は、1,4−BGの純度99.7重量%(BGTF
の含有量は0.25重量%)であった。
を原料として1,4−BGを製造した。図2の第2蒸留
塔203の側流部より得られる粗1,4−BGの組成
は、1,4−BG 97.0重量%、14HAB 0.
5重量%、BGTF 2.0重量%であった。1000
時間連続運転後に図2の第4蒸留塔209より得られた
製品は、1,4−BGの純度99.7重量%(BGTF
の含有量は0.25重量%)であった。
【0065】
【発明の効果】本発明によれば、溶融晶析による精製方
法を用いることにより、製造工程で生成する様々な不純
物を、複雑な工程を取ることなく簡便で効率的に分離精
製することができる。特に、蒸留による分離が困難なB
GTFを効率的に除去することができる。
法を用いることにより、製造工程で生成する様々な不純
物を、複雑な工程を取ることなく簡便で効率的に分離精
製することができる。特に、蒸留による分離が困難なB
GTFを効率的に除去することができる。
【0066】また、ジアセトキシブタンを加水分解して
得られる粗1,4−ブタンジオールを、溶融晶析を用い
て精製することにより、蒸留工程および水素化工程への
負荷が軽減され、効率的に高純度の1,4−ブタンジオ
ールを製造することができる。
得られる粗1,4−ブタンジオールを、溶融晶析を用い
て精製することにより、蒸留工程および水素化工程への
負荷が軽減され、効率的に高純度の1,4−ブタンジオ
ールを製造することができる。
【図1】ジアセトキシブタンの製造プロセスを示す説明
図である。
図である。
【図2】ジアセトキシブタンから1,4−BGを製造す
る従来の製造プロセスを示す説明図である。
る従来の製造プロセスを示す説明図である。
【図3】ジアセトキシブタンから1,4−BGを製造す
る本発明の製造プロセスの一例を示す説明図である。
る本発明の製造プロセスの一例を示す説明図である。
【図4】本発明方法を実施する溶融晶析装置の一例を示
す説明図である。
す説明図である。
101 反応器 102 気液分離器 103 第1蒸留塔 104 第2蒸留塔 105 水素化反応器 106 第3蒸留塔 201 加水分解反応器 202 第1蒸留塔 203 第2蒸留塔 204 第5蒸留塔 205 第1水素化反応器 206 第2水素化反応器 207 気液分離器 208 第3蒸留塔 209 第4蒸留塔 301 加水分解反応器 302 第1蒸留塔 303 第2蒸留塔 304 溶融晶析装置 305 第3蒸留塔 306 第一水素化反応器 401 晶析器 402 恒温水循環器 V−0 母液貯槽 V−1,V−2,V−3 貯槽 V−4 製品貯槽 V−5 循環槽
Claims (9)
- 【請求項1】 不純物を含有する粗1,4−ブタンジオ
ールを溶融晶析することを特徴とする粗1,4−ブタン
ジオールの精製方法。 - 【請求項2】 溶融晶析が下記の各工程からなる壁面溶
融晶析法で行なわれる請求項1に記載の方法。 1,4−ブタンジオールの凝固点以下に冷却した壁面
に粗1,4−ブタンジオール溶融液を流すことにより、
1,4−ブタンジオール結晶を得る結晶化工程。 結晶化工程で得られた1,4−ブタンジオール結晶
を、壁面を1,4−ブタンジオール結晶の凝固点以上に
加熱することにより、結晶融液として1,4−ブタンジ
オールを回収する回収工程。 - 【請求項3】 溶融晶析が下記の各工程からなる壁面溶
融晶析法で行なわれる請求項1に記載の方法。 1,4−ブタンジオールの凝固点以下に冷却した壁面
に粗1,4−ブタンジオール溶融液を流すことにより、
1,4−ブタンジオール結晶を得る結晶化工程。 結晶化工程で得られた1,4−ブタンジオール結晶か
ら残余の粗1,4−ブタンジオール溶融液である母液を
除いた後、壁面を1,4−ブタンジオール結晶の凝固点
付近まで加熱することにより、1,4−ブタンジオール
結晶中の不純物を発汗液として結晶から除く発汗工程。 発汗工程で得られた1,4−ブタンジオール結晶を、
壁面を1,4−ブタンジオール結晶の凝固点以上に加熱
することにより、結晶融液として1,4−ブタンジオー
ルを回収する回収工程。 - 【請求項4】 結晶化工程の結晶膜厚が1〜20mmの
範囲内である請求項2または3に記載の方法。 - 【請求項5】 粗1,4−ブタンジオールが合計量で1
重量%以上の不純物を含有するものである請求項1乃至
4のいずれか1項に記載の方法。 - 【請求項6】 不純物が0℃以下の凝固点を持つ化合物
である請求項1乃至5のいずれか1項に記載の方法。 - 【請求項7】 不純物が1,2−ジアセトキシブタン、
1,2−ヒドロキシアセトキシブタン、1,4−ジアセ
トキシブタン、1,4−ヒドロキシアセトキシブタン、
ジブチレングリコール、2−(4′−ヒドロキシブトキ
シ)テトラヒドロフラン、2−(4′−オキソブトキ
シ)テトラヒドロフラン、1,4−ジ−(2′テトラヒ
ドロフロキシ)ブタン、2−メチル−1,4−ブタンジ
オール、γ−ブチロラクトン、2−ヒドロキシテトラヒ
ドロフラン及び2−メチルペンタンジオールから選ばれ
る少なくとも1種の化合物である請求項1乃至5のいず
れか1項に記載の方法。 - 【請求項8】 ジアセトキシブタンを加水分解して得ら
れる粗1,4−ブタンジオールを溶融晶析することを特
徴とする1,4−ブタンジオールの製造方法。 - 【請求項9】 ジアセトキシブタンを加水分解して得
られる粗1,4−ブタンジオールから低沸点成分を除去
し、低沸点成分が除去された粗1,4−ブタンジオー
ルを溶融晶析して1,4−ブタンジオール結晶を回収
し、1,4−−ブタンジオール結晶が分離された母液
から高沸点成分を除去し、工程で得られる高沸点成
分除去物を水素化し、水素化物を工程に供給するこ
とを特徴とする1,4−ブタンジオールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16716498A JPH1171310A (ja) | 1997-06-16 | 1998-06-15 | 1,4−ブタンジオールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-158593 | 1997-06-16 | ||
| JP15859397 | 1997-06-16 | ||
| JP16716498A JPH1171310A (ja) | 1997-06-16 | 1998-06-15 | 1,4−ブタンジオールの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1171310A true JPH1171310A (ja) | 1999-03-16 |
Family
ID=26485653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16716498A Pending JPH1171310A (ja) | 1997-06-16 | 1998-06-15 | 1,4−ブタンジオールの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1171310A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006321995A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-30 | Mitsubishi Chemicals Corp | ポリエステルの製造方法 |
| JP2009506005A (ja) * | 2005-08-26 | 2009-02-12 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピア | 濃縮イソプレゴールの調製方法 |
| JP2009215177A (ja) * | 2008-03-07 | 2009-09-24 | Fujifilm Corp | 炭酸エステルの精製方法および製造方法 |
| WO2010053073A1 (ja) * | 2008-11-05 | 2010-05-14 | 三菱化学株式会社 | ポリエステルの製造方法、並びに1,4-ブタンジオールの加熱装置及び蒸気発生装置 |
| JP2019531307A (ja) * | 2016-10-06 | 2019-10-31 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | 鏡像異性体混合物から鏡像異性体を濃縮する方法 |
| JP2023169126A (ja) * | 2022-05-16 | 2023-11-29 | 三菱ケミカル株式会社 | ポリブチレンテレフタレート及びその製造方法 |
| CN117504344A (zh) * | 2022-07-29 | 2024-02-06 | 中国石油化工股份有限公司 | 一种连续纯化间苯二甲胺的装置及连续纯化间苯二甲胺的方法 |
-
1998
- 1998-06-15 JP JP16716498A patent/JPH1171310A/ja active Pending
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