JPH1171384A - アルキルハロシランの製造方法 - Google Patents
アルキルハロシランの製造方法Info
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- JPH1171384A JPH1171384A JP10195066A JP19506698A JPH1171384A JP H1171384 A JPH1171384 A JP H1171384A JP 10195066 A JP10195066 A JP 10195066A JP 19506698 A JP19506698 A JP 19506698A JP H1171384 A JPH1171384 A JP H1171384A
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Abstract
(57)【要約】
【解決手段】 金属珪素粉末と銅触媒とを含む触体を反
応器に仕込み、該反応器にアルキルハライドを含むガス
を導入して直接合成法により、下記一般式 ＲnＳｉＸ 4-n （但し、式中Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、Ｘはハロ
ゲン原子を示し、ｎは０〜４の整数である。）で示され
るシラン類を製造する方法において、上記触体が１〜１
００００ｐｐｍの硼素元素を含むことを特徴とするアル
キルハロシランの製造方法。 【効果】 本発明に基づいて硼素を従来の反応触体に添
加すれば、従来に比較してより安価な方法で所望のＳＴ
Ｙにおいてジアルキルジハロシランの生産量を高め、か
つ不必要なハロゲノシラン類、ジシラン類を減少させる
ことによってアルキルハロシランの直接法による製造方
法の生産性を向上させることができる。
応器に仕込み、該反応器にアルキルハライドを含むガス
を導入して直接合成法により、下記一般式 ＲnＳｉＸ 4-n （但し、式中Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、Ｘはハロ
ゲン原子を示し、ｎは０〜４の整数である。）で示され
るシラン類を製造する方法において、上記触体が１〜１
００００ｐｐｍの硼素元素を含むことを特徴とするアル
キルハロシランの製造方法。 【効果】 本発明に基づいて硼素を従来の反応触体に添
加すれば、従来に比較してより安価な方法で所望のＳＴ
Ｙにおいてジアルキルジハロシランの生産量を高め、か
つ不必要なハロゲノシラン類、ジシラン類を減少させる
ことによってアルキルハロシランの直接法による製造方
法の生産性を向上させることができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アルキルハロシラ
ンの直接法による製造方法に関し、特に金属珪素とアル
キルハライドを銅触媒存在下で気−固接触反応させてア
ルキルハロシランを連続的に製造するアルキルハロシラ
ンの製造方法に関する。
ンの直接法による製造方法に関し、特に金属珪素とアル
キルハライドを銅触媒存在下で気−固接触反応させてア
ルキルハロシランを連続的に製造するアルキルハロシラ
ンの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明が解決しようとする課題】アルキ
ルハロシランの合成法に関しては、米国特許第２，３８
０，９９５号においてロコーが銅触媒による金属珪素と
アルキルハライドとの直接法を開示して以来、銅触媒の
存在下で用いる種々の助触媒に関するもの、銅触媒とそ
の処理に関するもの、反応装置に関するもの、反応時の
添加物に関するものなど、数多くの研究者によって、そ
の成果が報告されてきた。
ルハロシランの合成法に関しては、米国特許第２，３８
０，９９５号においてロコーが銅触媒による金属珪素と
アルキルハライドとの直接法を開示して以来、銅触媒の
存在下で用いる種々の助触媒に関するもの、銅触媒とそ
の処理に関するもの、反応装置に関するもの、反応時の
添加物に関するものなど、数多くの研究者によって、そ
の成果が報告されてきた。
【０００３】この直接法は、金属珪素に銅触媒を添加し
た触体を活性化した後、これにアルキルハライドを導入
して金属珪素とアルキルハライドとを直接気−固接触さ
せることにより、アルキルハロシランを得る方法であ
る。アルキルハロシランの工業的合成においては、シリ
コーン樹脂に最も多用されるジアルキルジハロシランの
選択性、及びシランの生成速度が重要とされる。ジアル
キルジハロシランの選択性は生成シラン中の重量比（あ
るいはモル比）、及びＴ／Ｄ比により評価される。生成
アルキルハロシラン中に含まれる物質としては、ジアル
キルジハロシラン（Ｄ）、トリアルキルハロシラン
（Ｍ）、アルキルトリハロシラン（Ｔ）などが挙げら
れ、アルキルヒドロジハロシラン（Ｈ）やアルキルハロ
ジシラン類も生成する。特に、シラン製造業者において
残渣と呼ばれるジシラン類は有効な利用方法が少なくほ
とんどが廃棄されているものである。Ｔ／Ｄ比とは全生
成アルキルハロシラン中のアルキルトリハロシランとジ
アルキルジハロシランの組成比でありＴ／Ｄ比が小さい
ほど好ましい。一方、アルキルハロシランの生成速度
は、ＳＴＹ（Ｓｐａｃｅ Ｔｉｍｅ Ｙｉｅｌｄ）値を
用いる。ＳＴＹ値は反応器内に保持される金属珪素重量
に対する単位時間当たりの生成粗アルキルハロシランの
重量である。これら生成ジアルキルジハロシラン組成の
向上あるいはＴ／Ｄ比の低下及びＳＴＹ値を向上させる
ため、触媒、促進剤を中心とした種々の研究がなされて
きた。
た触体を活性化した後、これにアルキルハライドを導入
して金属珪素とアルキルハライドとを直接気−固接触さ
せることにより、アルキルハロシランを得る方法であ
る。アルキルハロシランの工業的合成においては、シリ
コーン樹脂に最も多用されるジアルキルジハロシランの
選択性、及びシランの生成速度が重要とされる。ジアル
キルジハロシランの選択性は生成シラン中の重量比（あ
るいはモル比）、及びＴ／Ｄ比により評価される。生成
アルキルハロシラン中に含まれる物質としては、ジアル
キルジハロシラン（Ｄ）、トリアルキルハロシラン
（Ｍ）、アルキルトリハロシラン（Ｔ）などが挙げら
れ、アルキルヒドロジハロシラン（Ｈ）やアルキルハロ
ジシラン類も生成する。特に、シラン製造業者において
残渣と呼ばれるジシラン類は有効な利用方法が少なくほ
とんどが廃棄されているものである。Ｔ／Ｄ比とは全生
成アルキルハロシラン中のアルキルトリハロシランとジ
アルキルジハロシランの組成比でありＴ／Ｄ比が小さい
ほど好ましい。一方、アルキルハロシランの生成速度
は、ＳＴＹ（Ｓｐａｃｅ Ｔｉｍｅ Ｙｉｅｌｄ）値を
用いる。ＳＴＹ値は反応器内に保持される金属珪素重量
に対する単位時間当たりの生成粗アルキルハロシランの
重量である。これら生成ジアルキルジハロシラン組成の
向上あるいはＴ／Ｄ比の低下及びＳＴＹ値を向上させる
ため、触媒、促進剤を中心とした種々の研究がなされて
きた。
【０００４】１９５９年１月２４日付のソヴィエト出願
明細書第６１７，５６９号（発明者証第１２２，７４９
号）では、金属珪素−銅合金にアンチモンを２０〜４０
ｐｐｍ添加した反応が開示されている。このときジメチ
ルジクロロシランの組成は４０％から６０％へ向上した
ことが示されている。また、米国特許第４，５００，７
２４号においては、２００〜３０００ｐｐｍの錫を含有
する銅／亜鉛／錫系触媒を用いることによりＴ／Ｄが
０．０３７に向上したことが示されている。更に、特公
平６−９２４２１号公報においては、砒素濃度にして５
０ｐｐｍ以上のヒ化銅を用いた反応が開示されている。
これら錫、アンチモン、砒素助触媒は、金属珪素−銅か
らなる反応触体に添加することで反応活性を高め、従っ
て金属珪素の反応率を向上させ得ることが述べられてい
る。
明細書第６１７，５６９号（発明者証第１２２，７４９
号）では、金属珪素−銅合金にアンチモンを２０〜４０
ｐｐｍ添加した反応が開示されている。このときジメチ
ルジクロロシランの組成は４０％から６０％へ向上した
ことが示されている。また、米国特許第４，５００，７
２４号においては、２００〜３０００ｐｐｍの錫を含有
する銅／亜鉛／錫系触媒を用いることによりＴ／Ｄが
０．０３７に向上したことが示されている。更に、特公
平６−９２４２１号公報においては、砒素濃度にして５
０ｐｐｍ以上のヒ化銅を用いた反応が開示されている。
これら錫、アンチモン、砒素助触媒は、金属珪素−銅か
らなる反応触体に添加することで反応活性を高め、従っ
て金属珪素の反応率を向上させ得ることが述べられてい
る。
【０００５】１９６４年６月２日付のソヴィエト出願明
細書第９０３，３６９号（発明者証第１７８，８１７
号）では、亜鉛、ビスマス、リン（２００ｐｐｍ）、砒
素、錫、鉄から選択された助触媒を用いてジメチルジク
ロロシランの組成が前述の出願明細書第６１７，５６９
号（発明者証第１２２，７４９号）から７２．１％まで
向上している。また、１９６９年１１月２０日付のソヴ
ィエト出願明細書第１，１５２，９４３号（発明者証第
２３７，８９２号）において、リン、銅、珪素の合金の
形態で触体に対して２５００〜３００００ｐｐｍのリン
を添加することが示されており、ジメチルジクロロシラ
ン組成は８２．３％と改善されている。また、米国特許
第４，６０２，１０１号（特公平５−５１５９６号公
報）においては、反応器内で元素状のリンが発生するリ
ン化合物を触体に対して２５〜２５００ｐｐｍ添加する
ことが示されている。
細書第９０３，３６９号（発明者証第１７８，８１７
号）では、亜鉛、ビスマス、リン（２００ｐｐｍ）、砒
素、錫、鉄から選択された助触媒を用いてジメチルジク
ロロシランの組成が前述の出願明細書第６１７，５６９
号（発明者証第１２２，７４９号）から７２．１％まで
向上している。また、１９６９年１１月２０日付のソヴ
ィエト出願明細書第１，１５２，９４３号（発明者証第
２３７，８９２号）において、リン、銅、珪素の合金の
形態で触体に対して２５００〜３００００ｐｐｍのリン
を添加することが示されており、ジメチルジクロロシラ
ン組成は８２．３％と改善されている。また、米国特許
第４，６０２，１０１号（特公平５−５１５９６号公
報）においては、反応器内で元素状のリンが発生するリ
ン化合物を触体に対して２５〜２５００ｐｐｍ添加する
ことが示されている。
【０００６】以上のようにこれまで多くの研究者がアル
キルハロシランの直接法の改良を目指して種々の金属の
助触媒効果を検討してきたが、更に有効な助触媒が望ま
れている。
キルハロシランの直接法の改良を目指して種々の金属の
助触媒効果を検討してきたが、更に有効な助触媒が望ま
れている。
【０００７】本発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、所望のＳＴＹにおいてジアルキルジハロシランの生
産量を高め、かつ不必要なジシラン類を減少させるアル
キルハロシランの直接法による製造方法を提供すること
を目的とする。
で、所望のＳＴＹにおいてジアルキルジハロシランの生
産量を高め、かつ不必要なジシラン類を減少させるアル
キルハロシランの直接法による製造方法を提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段及び発明の実施の形態】本
発明者らは、工業的に有効な直接法によるアルキルハロ
シランの製造方法、特に、所望のＳＴＹにおいてジアル
キルジハロシランの生産量を高め、かつ不必要なジシラ
ン類を減少させるアルキルハロシランの直接法について
鋭意検討を行った結果、硼素を含有した反応触体を使用
することによって反応活性を維持しながらハイドロシラ
ン類、ジシラン類の生成を減少せしめ、従ってジアルキ
ルジハロシランの生産量を高めることを見出した。
発明者らは、工業的に有効な直接法によるアルキルハロ
シランの製造方法、特に、所望のＳＴＹにおいてジアル
キルジハロシランの生産量を高め、かつ不必要なジシラ
ン類を減少させるアルキルハロシランの直接法について
鋭意検討を行った結果、硼素を含有した反応触体を使用
することによって反応活性を維持しながらハイドロシラ
ン類、ジシラン類の生成を減少せしめ、従ってジアルキ
ルジハロシランの生産量を高めることを見出した。
【０００９】即ち、上述したように、従来より種々の助
触媒について検討されてきたが、本発明に係る硼素化合
物に関してはこれまで殆んど検討されておらず、例えば
Ｔｕｓｅｔ，Ｊ．Ｋ．，Ｉｎｔ．Ｓｅｍ．ｏｎ Ｒｅｆ
ｉｎｉｎｇ ａｎｄ Ａｌｌｏｙｉｎｇ ｏｆ Ｌｉｑ
ｕｉｄ Ａｌ ＆ Ｆｅｒｒｏａｌｌｏｙｓ（１９８
５）Ｔｒｏｎｄｈｅｉｍには標準的な金属珪素中の硼素
濃度は多くても５０ｐｐｍであり、直接法反応に使用さ
れる精製された金属珪素では多くても４０ｐｐｍである
ことが示されているが、多くの総説において直接法の反
応活性は殆んどないか、あるいは多量に使用する場合に
は触媒毒となると示されているのみである。しかしなが
ら、実際に使用する金属珪素中の硼素含有濃度は原料と
なる硅石の生産諸国により著しく異なる。硼素含有濃度
は元来少ない上に、通常は金属珪素の精錬工程で一層低
減され、触体中には実質的に硼素は殆ど含まれていない
ものである。本発明者の分析によれば、ブラジル等南米
産、中国産、オーストラリア産の精錬金属粉末中の硼素
濃度は、１０ｐｐｍ以下、フランス、ノルウェー等の欧
州産の精錬金属珪素粉末中の硼素濃度は、１０ｐｐｍ以
上３０ｐｐｍ以下のものが多数をしめている。
触媒について検討されてきたが、本発明に係る硼素化合
物に関してはこれまで殆んど検討されておらず、例えば
Ｔｕｓｅｔ，Ｊ．Ｋ．，Ｉｎｔ．Ｓｅｍ．ｏｎ Ｒｅｆ
ｉｎｉｎｇ ａｎｄ Ａｌｌｏｙｉｎｇ ｏｆ Ｌｉｑ
ｕｉｄ Ａｌ ＆ Ｆｅｒｒｏａｌｌｏｙｓ（１９８
５）Ｔｒｏｎｄｈｅｉｍには標準的な金属珪素中の硼素
濃度は多くても５０ｐｐｍであり、直接法反応に使用さ
れる精製された金属珪素では多くても４０ｐｐｍである
ことが示されているが、多くの総説において直接法の反
応活性は殆んどないか、あるいは多量に使用する場合に
は触媒毒となると示されているのみである。しかしなが
ら、実際に使用する金属珪素中の硼素含有濃度は原料と
なる硅石の生産諸国により著しく異なる。硼素含有濃度
は元来少ない上に、通常は金属珪素の精錬工程で一層低
減され、触体中には実質的に硼素は殆ど含まれていない
ものである。本発明者の分析によれば、ブラジル等南米
産、中国産、オーストラリア産の精錬金属粉末中の硼素
濃度は、１０ｐｐｍ以下、フランス、ノルウェー等の欧
州産の精錬金属珪素粉末中の硼素濃度は、１０ｐｐｍ以
上３０ｐｐｍ以下のものが多数をしめている。
【００１０】ところが、本発明者は、従来はむしろ触媒
毒となると考えられていた硼素が助触媒として優れた効
果を有し、触体中に硼素を含有させることにより、反応
活性を維持しながらハイドロシラン類、ジシラン類の生
成を減少させ、ジアルキルジハロシランの生産量を高め
ることができることを知見し、本発明をなすに至った。
毒となると考えられていた硼素が助触媒として優れた効
果を有し、触体中に硼素を含有させることにより、反応
活性を維持しながらハイドロシラン類、ジシラン類の生
成を減少させ、ジアルキルジハロシランの生産量を高め
ることができることを知見し、本発明をなすに至った。
【００１１】以下、本発明を更に詳しく説明すると、本
発明のアルキルハロシランの製造方法は、金属珪素粉末
と銅触媒とを含む触体を反応器に仕込み、該反応器にア
ルキルハライドを含むガスを導入して直接合成法によ
り、下記一般式 ＲnＳｉＸ 4-n （但し、式中Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、Ｘはハロ
ゲン原子を示し、ｎは０〜４の整数である。）で示され
るシラン類を製造する方法において、上記触体が１〜１
００００ｐｐｍの硼素元素を含むことを特徴とするもの
である。
発明のアルキルハロシランの製造方法は、金属珪素粉末
と銅触媒とを含む触体を反応器に仕込み、該反応器にア
ルキルハライドを含むガスを導入して直接合成法によ
り、下記一般式 ＲnＳｉＸ 4-n （但し、式中Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、Ｘはハロ
ゲン原子を示し、ｎは０〜４の整数である。）で示され
るシラン類を製造する方法において、上記触体が１〜１
００００ｐｐｍの硼素元素を含むことを特徴とするもの
である。
【００１２】ここで、金属珪素は、通常、珪素の純度が
９７重量％以上、特に純度が９８重量％以上のものを用
いることが好ましい。また、金属珪素は粉砕し、適当な
粒度を持った粉末として使用することが好ましく、反応
器として流動層反応器又は撹拌型反応器を用いる場合
は、金属珪素粉末に良好な流動性を持たせるため、金属
珪素粉末の粒子径は篩分による重量基準累積分布曲線の
５０％に相当する粒径として５〜１５０μｍの範囲とす
ることが好ましい。
９７重量％以上、特に純度が９８重量％以上のものを用
いることが好ましい。また、金属珪素は粉砕し、適当な
粒度を持った粉末として使用することが好ましく、反応
器として流動層反応器又は撹拌型反応器を用いる場合
は、金属珪素粉末に良好な流動性を持たせるため、金属
珪素粉末の粒子径は篩分による重量基準累積分布曲線の
５０％に相当する粒径として５〜１５０μｍの範囲とす
ることが好ましい。
【００１３】また銅触媒としては、銅粉末、スタンピン
グ銅などの単体銅あるいは酸化第一銅、酸化第二銅、ハ
ロゲン化銅などの銅化合物など種々の形態のものを用い
ることができる。また助触媒として、亜鉛、錫、アンチ
モン、砒素などの種々の促進剤を用いてもよく、これら
は単独で用いても銅との合金として用いてもよい。例示
すると金属亜鉛、金属錫、金属アンチモン、金属砒素粉
及びこれらの塩化物あるいは酸化物、Ｃｕ−Ｚｎ，Ｃｕ
−Ｓｎ，Ｃｕ−Ｚｎ−ＳｎあるいはＺｎやＳｎの代わり
にＳｂ，Ａｓを用いた銅合金が一般に製造可能である。
またこれらの銅触媒は反応器中に単独で仕込んでもよい
し、金属珪素粉末と共に合金として仕込んでもよい。こ
れら銅触媒の配合量は、金属珪素粉末１００部（重量
部、以下同じ）に対して銅量に換算して０．１〜１０
部、特に２〜８部とすることが好ましい。また亜鉛の配
合量は、金属珪素粉末１００部に対して０．０５〜１
部、錫、アンチモン及び砒素の配合量は、金属珪素粉末
に対していずれか一種あるいは合計で０．００１〜０．
０５部、好ましくは０．００５〜０．０１部とするのが
よい。
グ銅などの単体銅あるいは酸化第一銅、酸化第二銅、ハ
ロゲン化銅などの銅化合物など種々の形態のものを用い
ることができる。また助触媒として、亜鉛、錫、アンチ
モン、砒素などの種々の促進剤を用いてもよく、これら
は単独で用いても銅との合金として用いてもよい。例示
すると金属亜鉛、金属錫、金属アンチモン、金属砒素粉
及びこれらの塩化物あるいは酸化物、Ｃｕ−Ｚｎ，Ｃｕ
−Ｓｎ，Ｃｕ−Ｚｎ−ＳｎあるいはＺｎやＳｎの代わり
にＳｂ，Ａｓを用いた銅合金が一般に製造可能である。
またこれらの銅触媒は反応器中に単独で仕込んでもよい
し、金属珪素粉末と共に合金として仕込んでもよい。こ
れら銅触媒の配合量は、金属珪素粉末１００部（重量
部、以下同じ）に対して銅量に換算して０．１〜１０
部、特に２〜８部とすることが好ましい。また亜鉛の配
合量は、金属珪素粉末１００部に対して０．０５〜１
部、錫、アンチモン及び砒素の配合量は、金属珪素粉末
に対していずれか一種あるいは合計で０．００１〜０．
０５部、好ましくは０．００５〜０．０１部とするのが
よい。
【００１４】本発明においては、上記触体として、硼素
元素を１〜１００００ｐｐｍ、好ましくは５〜１０００
０ｐｐｍ、より好ましくは５０〜８０００ｐｐｍ、更に
好ましくは５５〜６０００ｐｐｍ、最も好ましくは２０
０〜５０００ｐｐｍ含むものを使用する。
元素を１〜１００００ｐｐｍ、好ましくは５〜１０００
０ｐｐｍ、より好ましくは５０〜８０００ｐｐｍ、更に
好ましくは５５〜６０００ｐｐｍ、最も好ましくは２０
０〜５０００ｐｐｍ含むものを使用する。
【００１５】この場合、触体中の硼素を上記濃度にする
方法としては、触体を構成する金属珪素として硼素濃度
の高い金属珪素を用いる方法、金属珪素の製造におい
て、金属珪素の溶融温度で揮発性の少ない硼素化合物を
添加し、硼素濃度の高い金属珪素を使用する方法、更に
直接法反応器中の反応触体に硼素化合物を添加する方法
が挙げられる。
方法としては、触体を構成する金属珪素として硼素濃度
の高い金属珪素を用いる方法、金属珪素の製造におい
て、金属珪素の溶融温度で揮発性の少ない硼素化合物を
添加し、硼素濃度の高い金属珪素を使用する方法、更に
直接法反応器中の反応触体に硼素化合物を添加する方法
が挙げられる。
【００１６】ここで、硼素を含む金属珪素は、原料珪素
の精製工程を含むプロセスの中で硼素化合物を珪素に供
給することによって得ることができ、この場合、不揮発
性の化合物を珪素精錬工程を含む工程における溶融状態
の金属珪素に加えることができる。この際に用いられる
硼素化合物としては、ほう砂（Ｎａ2Ｂ4Ｏ7・１０Ｈ
2Ｏ）、カーン石（Ｎａ2Ｂ4Ｏ7・１４Ｈ2Ｏ）、コール
マン石（Ｃａ2Ｂ6Ｏ11・５Ｈ2Ｏ）等の硼素を含有する
天然鉱物や、Ｍ1 2Ｂ（但し、Ｍ1はＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，
Ｍｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ等を示す）、Ｍ2 3Ｂ2（但し、Ｍ2
はＭｇ等を示す）、Ｍ3 Ｂ（但し、Ｍ3はＦｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔａ等を示す）、Ｍ
4 3Ｂ4（但し、Ｍ4はＴａ，Ｎｂ，Ｍｎ，Ｃｒ等を示
す）、Ｍ5 Ｂ2（但し、Ｍ5はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｃｒ等を示す）、Ｍ6 2Ｂ5（但し、Ｍ6はＭ
ｏ，Ｗ等を示す）で示される硼化物、窒化硼素、炭化硼
素、燐化硼素、硼素リン酸塩などを挙げることができ
る。また、珪素精錬条件下に硼素化合物を加えた際、こ
の硼素化合物が還元されて硼素が含有された珪素を用い
ることも好ましいが、このような硼素化合物としては、
硼酸、硼酸金属塩、酸化硼素を挙げることができる。
の精製工程を含むプロセスの中で硼素化合物を珪素に供
給することによって得ることができ、この場合、不揮発
性の化合物を珪素精錬工程を含む工程における溶融状態
の金属珪素に加えることができる。この際に用いられる
硼素化合物としては、ほう砂（Ｎａ2Ｂ4Ｏ7・１０Ｈ
2Ｏ）、カーン石（Ｎａ2Ｂ4Ｏ7・１４Ｈ2Ｏ）、コール
マン石（Ｃａ2Ｂ6Ｏ11・５Ｈ2Ｏ）等の硼素を含有する
天然鉱物や、Ｍ1 2Ｂ（但し、Ｍ1はＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，
Ｍｎ，Ｍｏ，Ｗ，Ｔａ等を示す）、Ｍ2 3Ｂ2（但し、Ｍ2
はＭｇ等を示す）、Ｍ3 Ｂ（但し、Ｍ3はＦｅ，Ｃｏ，Ｎ
ｉ，Ｍｎ，Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ，Ｎｂ，Ｔａ等を示す）、Ｍ
4 3Ｂ4（但し、Ｍ4はＴａ，Ｎｂ，Ｍｎ，Ｃｒ等を示
す）、Ｍ5 Ｂ2（但し、Ｍ5はＴｉ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｖ，Ｎ
ｂ，Ｔａ，Ｃｒ等を示す）、Ｍ6 2Ｂ5（但し、Ｍ6はＭ
ｏ，Ｗ等を示す）で示される硼化物、窒化硼素、炭化硼
素、燐化硼素、硼素リン酸塩などを挙げることができ
る。また、珪素精錬条件下に硼素化合物を加えた際、こ
の硼素化合物が還元されて硼素が含有された珪素を用い
ることも好ましいが、このような硼素化合物としては、
硼酸、硼酸金属塩、酸化硼素を挙げることができる。
【００１７】また、硼素化合物は、気相状あるいは直ち
に揮発するものを用いることができる。
に揮発するものを用いることができる。
【００１８】更に、珪素に硼素を含有させる方法として
は、珪素精錬の原料として、硼素を含有する石英、硼素
を含有する石炭、硼素を含有するコークス、硼素を含有
する木炭、硼素を含有するユーカリを使用する方法を挙
げることもできる。また、珪素精錬の電極として硼素を
含有するカーボン電極を用いる方法を採用してもよい。
は、珪素精錬の原料として、硼素を含有する石英、硼素
を含有する石炭、硼素を含有するコークス、硼素を含有
する木炭、硼素を含有するユーカリを使用する方法を挙
げることもできる。また、珪素精錬の電極として硼素を
含有するカーボン電極を用いる方法を採用してもよい。
【００１９】一方、反応触体に硼素化合物を添加する場
合、硼素は、例えば酸化物を還元して得られる無定形硼
素等の元素硼素、硼素−銅合金、上記と同様のＭ1 2Ｂ、
Ｍ2 3Ｂ2、Ｍ3 Ｂ、Ｍ4 3Ｂ4、Ｍ5 Ｂ2、Ｍ6 2Ｂ5で示される
硼化物、窒化硼素、炭化硼素、燐化硼素、硼素リン酸塩
等を挙げることができる。これらを直接法反応器に添加
する場合には、微量の水分を除去するために予め２００
℃程度で加熱脱水処理を施すことが更に好ましい。ま
た、添加する硼素化合物として、気相状あるいは直ちに
揮発するハロゲン化硼素等を用いることができる。
合、硼素は、例えば酸化物を還元して得られる無定形硼
素等の元素硼素、硼素−銅合金、上記と同様のＭ1 2Ｂ、
Ｍ2 3Ｂ2、Ｍ3 Ｂ、Ｍ4 3Ｂ4、Ｍ5 Ｂ2、Ｍ6 2Ｂ5で示される
硼化物、窒化硼素、炭化硼素、燐化硼素、硼素リン酸塩
等を挙げることができる。これらを直接法反応器に添加
する場合には、微量の水分を除去するために予め２００
℃程度で加熱脱水処理を施すことが更に好ましい。ま
た、添加する硼素化合物として、気相状あるいは直ちに
揮発するハロゲン化硼素等を用いることができる。
【００２０】金属珪素と反応させてアルキルハロシラン
を得るためのアルキルハライドとしては、塩化メチル、
塩化エチル、塩化プロピル、臭化メチル、臭化エチルな
どを例示することができる。この中で工業的に最も有用
なものは塩化メチルであり、これを用いて製造されるジ
メチルジクロロシランは多くのシリコーン樹脂の原料と
して幅広い用途がある。アルキルハライドは予め昇温
し、ガス化した後、反応器へ送入する。この場合、アル
キルハライドガスを単独で送入してもよいし、不活性ガ
スとの混合ガスとしてもよい。このアルキルハライドガ
スの送入量は、不活性ガスと合わせて触体が流動化する
量として算出され、用いる反応器の直径と空塔速度から
適宜決定される。
を得るためのアルキルハライドとしては、塩化メチル、
塩化エチル、塩化プロピル、臭化メチル、臭化エチルな
どを例示することができる。この中で工業的に最も有用
なものは塩化メチルであり、これを用いて製造されるジ
メチルジクロロシランは多くのシリコーン樹脂の原料と
して幅広い用途がある。アルキルハライドは予め昇温
し、ガス化した後、反応器へ送入する。この場合、アル
キルハライドガスを単独で送入してもよいし、不活性ガ
スとの混合ガスとしてもよい。このアルキルハライドガ
スの送入量は、不活性ガスと合わせて触体が流動化する
量として算出され、用いる反応器の直径と空塔速度から
適宜決定される。
【００２１】触体の加熱又は触体への触媒活性付与工程
において、反応器内の触体の流動化に用いる不活性ガス
は、窒素ガス、アルゴンガス等が例示されるが、経済性
の点から、窒素ガスを用いることが好ましい。これらの
工程における不活性ガスの流速は触体の流動化開始速度
以上であればよいが、特に流動化開始速度の５倍程度が
好ましい。不活性ガスの流速をこの範囲より小さくする
と触体の均一な流動化が困難となり、一方、不活性ガス
の流速をこの範囲より大きくすると、金属珪素粉の飛散
が増加し、また不活性ガスのロスや熱のロスが増加する
ため不利となる場合が生じる。また、不活性ガスを循環
使用することがより好ましい。
において、反応器内の触体の流動化に用いる不活性ガス
は、窒素ガス、アルゴンガス等が例示されるが、経済性
の点から、窒素ガスを用いることが好ましい。これらの
工程における不活性ガスの流速は触体の流動化開始速度
以上であればよいが、特に流動化開始速度の５倍程度が
好ましい。不活性ガスの流速をこの範囲より小さくする
と触体の均一な流動化が困難となり、一方、不活性ガス
の流速をこの範囲より大きくすると、金属珪素粉の飛散
が増加し、また不活性ガスのロスや熱のロスが増加する
ため不利となる場合が生じる。また、不活性ガスを循環
使用することがより好ましい。
【００２２】上述のようにして触体への触媒活性付与を
行った後、反応器にアルキルハライドを導入し、常法に
従い、アルキルハライドと金属珪素とを気−固接触反応
させることによりアルキルハロシランを得ることができ
る。この場合、反応温度は２８０〜３００℃とすること
ができる。なお、反応方法としては、流動層内で連続条
件の下に反応を行う方法、撹拌層で反応を行う方法、固
定層で反応を行う方法などを挙げることができる。
行った後、反応器にアルキルハライドを導入し、常法に
従い、アルキルハライドと金属珪素とを気−固接触反応
させることによりアルキルハロシランを得ることができ
る。この場合、反応温度は２８０〜３００℃とすること
ができる。なお、反応方法としては、流動層内で連続条
件の下に反応を行う方法、撹拌層で反応を行う方法、固
定層で反応を行う方法などを挙げることができる。
【００２３】
【実施例】以下、実施例を示し、本発明を具体的に説明
するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではな
い。なお、下記の例において部は重量部を示す。
するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではな
い。なお、下記の例において部は重量部を示す。
【００２４】〔実施例１，２〕直径５０ｍｍ、高さ３０
０ｍｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪
素粉を１００部、金属銅粉よりなる触媒混合物４部を仕
込んだ。また表１に示す硼素化合物を種々の添加量で仕
込んだ。
０ｍｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、金属珪
素粉を１００部、金属銅粉よりなる触媒混合物４部を仕
込んだ。また表１に示す硼素化合物を種々の添加量で仕
込んだ。
【００２５】その後、塩化メチルを流速１．３ｃｍ／ｓ
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹを表１に示す。ま
た、生成した全メチルクロロシラン量に対するジメチル
ジクロロシランの割合、メチルジクロロシランの割合、
高沸点生成物（生成メチルクロロシラン中のジシランな
どの常圧における沸点が７０℃より高い生成物）の割合
も表１にそれぞれＤ、Ｈ、Ｒとして併記する。なお、上
記ＳＴＹは以下の意味を示す。
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹを表１に示す。ま
た、生成した全メチルクロロシラン量に対するジメチル
ジクロロシランの割合、メチルジクロロシランの割合、
高沸点生成物（生成メチルクロロシラン中のジシランな
どの常圧における沸点が７０℃より高い生成物）の割合
も表１にそれぞれＤ、Ｈ、Ｒとして併記する。なお、上
記ＳＴＹは以下の意味を示す。
【００２６】
【数１】
【００２７】
【表１】
【００２８】〔実施例３〕直径５０ｍｍ、高さ３００ｍ
ｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を７．
０ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉より
なる触媒混合物４部を仕込んだ。触体中の硼素濃度を表
２に示す。
ｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を７．
０ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉より
なる触媒混合物４部を仕込んだ。触体中の硼素濃度を表
２に示す。
【００２９】その後、塩化メチルを流速１．３ｃｍ／ｓ
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹを表２に示す。ま
た、生成した全メチルクロロシラン量に対するジメチル
ジクロロシランの割合、メチルジクロロシランの割合、
高沸点生成物（生成メチルクロロシラン中のジシランな
どの常圧における沸点が７０℃より高い生成物）の割合
も表２にそれぞれＤ、Ｈ、Ｒとして併記する。
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹを表２に示す。ま
た、生成した全メチルクロロシラン量に対するジメチル
ジクロロシランの割合、メチルジクロロシランの割合、
高沸点生成物（生成メチルクロロシラン中のジシランな
どの常圧における沸点が７０℃より高い生成物）の割合
も表２にそれぞれＤ、Ｈ、Ｒとして併記する。
【００３０】〔実施例４〕直径５０ｍｍ、高さ３００ｍ
ｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を７４
ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉よりな
る触媒混合物４部を仕込んだ。触体中の硼素濃度を表２
に示す。
ｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を７４
ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉よりな
る触媒混合物４部を仕込んだ。触体中の硼素濃度を表２
に示す。
【００３１】その後、塩化メチルを流速１．３ｃｍ／ｓ
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表２
に示す。
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表２
に示す。
【００３２】〔実施例５〕直径５０ｍｍ、高さ３００ｍ
ｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を１４
８ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉より
なる触媒混合物４部を仕込んだ。触体中の硼素濃度を表
２に示す。
ｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を１４
８ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉より
なる触媒混合物４部を仕込んだ。触体中の硼素濃度を表
２に示す。
【００３３】その後、塩化メチルを流速１．３ｃｍ／ｓ
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表２
に示す。
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表２
に示す。
【００３４】〔実施例６〕直径５０ｍｍ、高さ３００ｍ
ｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を２２
００ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉よ
りなる触媒混合物４部を仕込んだ。触体中の硼素濃度を
表２に示す。
ｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を２２
００ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉よ
りなる触媒混合物４部を仕込んだ。触体中の硼素濃度を
表２に示す。
【００３５】その後、塩化メチルを流速１．３ｃｍ／ｓ
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表２
に示す。
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表２
に示す。
【００３６】〔比較例１〕直径５０ｍｍ、高さ３００ｍ
ｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を０．
０３２ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉
よりなる触媒混合物４部を仕込んだ。触体中の硼素濃度
を表２に示す。
ｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を０．
０３２ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉
よりなる触媒混合物４部を仕込んだ。触体中の硼素濃度
を表２に示す。
【００３７】その後、塩化メチルを流速１．３ｃｍ／ｓ
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表２
に示す。
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表２
に示す。
【００３８】〔比較例２〕直径５０ｍｍ、高さ３００ｍ
ｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を０．
５０ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉よ
りなる触媒混合物４部を仕込んだ。触体中の硼素濃度を
表２に示す。
ｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を０．
５０ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉よ
りなる触媒混合物４部を仕込んだ。触体中の硼素濃度を
表２に示す。
【００３９】その後、塩化メチルを流速１．３ｃｍ／ｓ
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表２
に示す。
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表２
に示す。
【００４０】なお、上記実施例３〜６、比較例１、２に
おいて、硼素は硼酸、硼酸金属塩（金属はナトリウムあ
るいはカリウム）、酸化硼素を用いて所定量を含有させ
た。この場合、これら硼素化合物は、原料珪素の精錬工
程において、還元反応前に、原料硅石、木炭、木片等と
共に電炉釜に添加し、１５００℃以上でアークを発生さ
せ、還元反応を行った。その後、容器を移し換え、窒
素、空気によるバブリングを１時間以上２０時間以下行
い、酸化物スラグと分別し、冷却するという方法で処理
した。
おいて、硼素は硼酸、硼酸金属塩（金属はナトリウムあ
るいはカリウム）、酸化硼素を用いて所定量を含有させ
た。この場合、これら硼素化合物は、原料珪素の精錬工
程において、還元反応前に、原料硅石、木炭、木片等と
共に電炉釜に添加し、１５００℃以上でアークを発生さ
せ、還元反応を行った。その後、容器を移し換え、窒
素、空気によるバブリングを１時間以上２０時間以下行
い、酸化物スラグと分別し、冷却するという方法で処理
した。
【００４１】
【表２】
【００４２】〔実施例７〕直径５０ｍｍ、高さ３００ｍ
ｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を７．
０ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉３．
７部、硼素を２．０重量％含有する金属銅粉０．３部を
仕込んだ。触体中の硼素濃度を表３に示す。
ｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を７．
０ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉３．
７部、硼素を２．０重量％含有する金属銅粉０．３部を
仕込んだ。触体中の硼素濃度を表３に示す。
【００４３】その後、塩化メチルを流速１．３ｃｍ／ｓ
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表３
に示す。
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表３
に示す。
【００４４】〔実施例８〕直径５０ｍｍ、高さ３００ｍ
ｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を５５
０ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉３．
５部、硼素を２．０重量％含有する金属銅粉０．５部を
仕込んだ。触体中の硼素濃度を表３に示す。
ｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を５５
０ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉３．
５部、硼素を２．０重量％含有する金属銅粉０．５部を
仕込んだ。触体中の硼素濃度を表３に示す。
【００４５】その後、塩化メチルを流速１．３ｃｍ／ｓ
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表３
に示す。
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表３
に示す。
【００４６】〔実施例９〕直径５０ｍｍ、高さ３００ｍ
ｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を１４
８ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉４．
０部、硼化チタン１．２部を仕込んだ。触体中の硼素濃
度を表３に示す。
ｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を１４
８ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉４．
０部、硼化チタン１．２部を仕込んだ。触体中の硼素濃
度を表３に示す。
【００４７】その後、塩化メチルを流速１．３ｃｍ／ｓ
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表３
に示す。
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表３
に示す。
【００４８】〔実施例１０〕直径５０ｍｍ、高さ３００
ｍｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を５
５０ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉
４．０部、硼化ジルコニウム０．５部を仕込んだ。触体
中の硼素濃度を表３に示す。
ｍｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を５
５０ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉
４．０部、硼化ジルコニウム０．５部を仕込んだ。触体
中の硼素濃度を表３に示す。
【００４９】その後、塩化メチルを流速１．３ｃｍ／ｓ
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表３
に示す。
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表３
に示す。
【００５０】〔実施例１１〕直径５０ｍｍ、高さ３００
ｍｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を７
４ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉４．
０部、硼化ニオブ０．５部を仕込んだ。触体中の硼素濃
度を表３に示す。
ｍｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を７
４ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉４．
０部、硼化ニオブ０．５部を仕込んだ。触体中の硼素濃
度を表３に示す。
【００５１】その後、塩化メチルを流速１．３ｃｍ／ｓ
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表３
に示す。
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表３
に示す。
【００５２】〔実施例１２〕直径５０ｍｍ、高さ３００
ｍｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を１
４８ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉
３．５部、硼化タングステン１．０部を仕込んだ。触体
中の硼素濃度を表３に示す。
ｍｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を１
４８ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉
３．５部、硼化タングステン１．０部を仕込んだ。触体
中の硼素濃度を表３に示す。
【００５３】その後、塩化メチルを流速１．３ｃｍ／ｓ
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表３
に示す。
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表３
に示す。
【００５４】なお、上記実施例７〜１２において、硼素
を７〜５５０ｐｐｍ含有する金属珪素粉は、実施例３〜
６と同様にして製造した。また、硼素を２．０重量％含
有する金属銅粉は、硼素と銅粉末とを混合し、窒素雰囲
気下において室温から２時間かけて１８００〜２２００
℃に加熱して１時間保持した後、溶融体を冷却させるこ
とにより製造した。
を７〜５５０ｐｐｍ含有する金属珪素粉は、実施例３〜
６と同様にして製造した。また、硼素を２．０重量％含
有する金属銅粉は、硼素と銅粉末とを混合し、窒素雰囲
気下において室温から２時間かけて１８００〜２２００
℃に加熱して１時間保持した後、溶融体を冷却させるこ
とにより製造した。
【００５５】
【表３】
【００５６】〔実施例１３〕直径５０ｍｍ、高さ３００
ｍｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を
７．０ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉
よりなる触媒混合物４部、窒化硼素０．２部を仕込ん
だ。触体中の硼素濃度を表４に示す。
ｍｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を
７．０ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉
よりなる触媒混合物４部、窒化硼素０．２部を仕込ん
だ。触体中の硼素濃度を表４に示す。
【００５７】その後、塩化メチルを流速１．３ｃｍ／ｓ
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表４
に示す。
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表４
に示す。
【００５８】〔実施例１４〕直径５０ｍｍ、高さ３００
ｍｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を
７．０ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉
よりなる触媒混合物４部、窒化硼素０．７部を仕込ん
だ。触体中の硼素濃度を表４に示す。
ｍｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を
７．０ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉
よりなる触媒混合物４部、窒化硼素０．７部を仕込ん
だ。触体中の硼素濃度を表４に示す。
【００５９】その後、塩化メチルを流速１．３ｃｍ／ｓ
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表４
に示す。
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表４
に示す。
【００６０】〔実施例１５〕直径５０ｍｍ、高さ３００
ｍｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を
７．０ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉
よりなる触媒混合物４部、窒化硼素１．４部を仕込ん
だ。触体中の硼素濃度を表４に示す。
ｍｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を
７．０ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉
よりなる触媒混合物４部、窒化硼素１．４部を仕込ん
だ。触体中の硼素濃度を表４に示す。
【００６１】その後、塩化メチルを流速１．３ｃｍ／ｓ
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表４
に示す。
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表４
に示す。
【００６２】〔実施例１６〕直径５０ｍｍ、高さ３００
ｍｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を
７．０ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉
よりなる触媒混合物４部、炭化硼素０．５部を仕込ん
だ。触体中の硼素濃度を表４に示す。
ｍｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を
７．０ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉
よりなる触媒混合物４部、炭化硼素０．５部を仕込ん
だ。触体中の硼素濃度を表４に示す。
【００６３】その後、塩化メチルを流速１．３ｃｍ／ｓ
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表４
に示す。
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表４
に示す。
【００６４】〔実施例１７〕直径５０ｍｍ、高さ３００
ｍｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を７
８ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉より
なる触媒混合物４部、メタ燐酸硼素３．０部を仕込ん
だ。触体中の硼素濃度を表４に示す。
ｍｍのカーボンスチール製の流動層反応器に、硼素を７
８ｐｐｍ含有する金属珪素粉を１００部、金属銅粉より
なる触媒混合物４部、メタ燐酸硼素３．０部を仕込ん
だ。触体中の硼素濃度を表４に示す。
【００６５】その後、塩化メチルを流速１．３ｃｍ／ｓ
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表４
に示す。
ｅｃで反応器に導入し、反応器内温度を３３０℃まで上
げ、反応を継続し、６時間後反応を停止した。反応開始
から反応終了時までの累積のＳＴＹ、Ｄ、Ｈ、Ｒを表４
に示す。
【００６６】
【表４】
【００６７】
【発明の効果】本発明に基づいて硼素を従来の反応触体
に添加すれば、従来に比較してより安価な方法で所望の
ＳＴＹにおいてジアルキルジハロシランの生産量を高
め、かつ不必要なハイドロシラン類、ジシラン類を減少
させることによってアルキルハロシランの直接法による
製造方法の生産性を向上させることができる。
に添加すれば、従来に比較してより安価な方法で所望の
ＳＴＹにおいてジアルキルジハロシランの生産量を高
め、かつ不必要なハイドロシラン類、ジシラン類を減少
させることによってアルキルハロシランの直接法による
製造方法の生産性を向上させることができる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 槻岡 一正 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社群馬事業所内 (72)発明者 中山 宏 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社群馬事業所内 (72)発明者 佐藤 行徳 群馬県安中市磯部２丁目13番１号 信越化 学工業株式会社群馬事業所内
Claims (3)
- 【請求項１】 金属珪素粉末と銅触媒とを含む触体を反
応器に仕込み、該反応器にアルキルハライドを含むガス
を導入して直接合成法により、下記一般式 ＲnＳｉＸ 4-n （但し、式中Ｒは炭素数１〜４のアルキル基、Ｘはハロ
ゲン原子を示し、ｎは０〜４の整数である。）で示され
るシラン類を製造する方法において、上記触体が１〜１
００００ｐｐｍの硼素元素を含むことを特徴とするアル
キルハロシランの製造方法。 - 【請求項２】 触体が５０〜１００００ｐｐｍの硼素元
素を含む請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】 触体が、硼素を含有する金属珪素粉末及
び／又は硼素もしくは硼素化合物を添加することにより
形成された請求項１又は２記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19506698A JP3729236B2 (ja) | 1997-06-27 | 1998-06-25 | アルキルハロシランの製造方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-187574 | 1997-06-27 | ||
| JP18757497 | 1997-06-27 | ||
| JP19506698A JP3729236B2 (ja) | 1997-06-27 | 1998-06-25 | アルキルハロシランの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1171384A true JPH1171384A (ja) | 1999-03-16 |
| JP3729236B2 JP3729236B2 (ja) | 2005-12-21 |
Family
ID=26504445
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19506698A Expired - Fee Related JP3729236B2 (ja) | 1997-06-27 | 1998-06-25 | アルキルハロシランの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3729236B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008074849A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Wacker Chemie Ag | メチルクロロシランの製造方法 |
| KR100839938B1 (ko) * | 2001-11-09 | 2008-06-20 | 주식회사 케이씨씨 | 메틸클로로실란의 제조용 촉매 조성물 및 이를 이용한메틸클로로실란의 제조방법 |
-
1998
- 1998-06-25 JP JP19506698A patent/JP3729236B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100839938B1 (ko) * | 2001-11-09 | 2008-06-20 | 주식회사 케이씨씨 | 메틸클로로실란의 제조용 촉매 조성물 및 이를 이용한메틸클로로실란의 제조방법 |
| JP2008074849A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Wacker Chemie Ag | メチルクロロシランの製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3729236B2 (ja) | 2005-12-21 |
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