JPH1172643A - 光ファイバ用ｖ溝基板の製造方法および光ファイバの端末保持構造 - Google Patents
光ファイバ用ｖ溝基板の製造方法および光ファイバの端末保持構造Info
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- JPH1172643A JPH1172643A JP23109897A JP23109897A JPH1172643A JP H1172643 A JPH1172643 A JP H1172643A JP 23109897 A JP23109897 A JP 23109897A JP 23109897 A JP23109897 A JP 23109897A JP H1172643 A JPH1172643 A JP H1172643A
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- Mechanical Coupling Of Light Guides (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 加工性に優れかつ、精度が高くしかも加工時
間が短くてすむようなＶ溝基板を提供する。 【解決手段】 シリコン単結晶からなる一対の基板１
２，１３のそれぞれに、互いに平行な複数の光ファイバ
整列用のＶ溝２０と、段差部２５と、延長部２６が形成
されている。段差部２５と延長部２６との間に、曲面部
２７が形成されている。Ｖ溝２０は異方性エッチングに
よって形成される。段差部２５と延長部２６と曲面部２
７は機械研削加工によって形成される。各Ｖ溝２０に光
ファイバ１１の非被覆部１１ｂを配置しかつ、延長部２
６に光ファイバ１１の被覆部１１ａを配置した状態で、
Ｖ溝基板１２，１３を互いに重ねて接合することによ
り、光ファイバ１１が整列する。
間が短くてすむようなＶ溝基板を提供する。 【解決手段】 シリコン単結晶からなる一対の基板１
２，１３のそれぞれに、互いに平行な複数の光ファイバ
整列用のＶ溝２０と、段差部２５と、延長部２６が形成
されている。段差部２５と延長部２６との間に、曲面部
２７が形成されている。Ｖ溝２０は異方性エッチングに
よって形成される。段差部２５と延長部２６と曲面部２
７は機械研削加工によって形成される。各Ｖ溝２０に光
ファイバ１１の非被覆部１１ｂを配置しかつ、延長部２
６に光ファイバ１１の被覆部１１ａを配置した状態で、
Ｖ溝基板１２，１３を互いに重ねて接合することによ
り、光ファイバ１１が整列する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光ファイバの光学
的接続部に使用されるＶ溝基板の製造方法と、このＶ溝
基板を用いた光ファイバの端末保持構造に関する。
的接続部に使用されるＶ溝基板の製造方法と、このＶ溝
基板を用いた光ファイバの端末保持構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】光通信などに使われる光ファイバを平面
型三次元光導波路等に接続したり、複数本の光ファイバ
どうしを光学的に接続するために、光ファイバアレイが
使用されることがある。光ファイバアレイは、例えば特
開昭５７−３０８１２号公報などに記載されているよう
なＶ溝を有する基板（Ｖ溝基板）を用いて、裸の光ファ
イバ（非被覆部）を整列させた状態で接着剤等により固
定するようにしている。そしてこの光ファイバを含んだ
Ｖ溝基板の端面を光学研磨などの方法により平坦に加工
することにより、精度の良い接続端面を得ることができ
る。
型三次元光導波路等に接続したり、複数本の光ファイバ
どうしを光学的に接続するために、光ファイバアレイが
使用されることがある。光ファイバアレイは、例えば特
開昭５７−３０８１２号公報などに記載されているよう
なＶ溝を有する基板（Ｖ溝基板）を用いて、裸の光ファ
イバ（非被覆部）を整列させた状態で接着剤等により固
定するようにしている。そしてこの光ファイバを含んだ
Ｖ溝基板の端面を光学研磨などの方法により平坦に加工
することにより、精度の良い接続端面を得ることができ
る。
【０００３】上記Ｖ溝基板は、ガラスあるいはシリコン
単結晶などの材料により構成されるが、高精度な光学的
接続を実現するにはＶ溝の加工精度を高めることが重要
となる。Ｖ溝の加工方法として、物理的（機械的）に加
工する機械研削加工とエッチングなどの化学的な処理に
よる加工方法が考えられる。またこのＶ溝基板は、光フ
ァイバの被覆部（シースによって被覆されている箇所）
を外側から挾持できるようにする必要があるため、Ｖ溝
以外に段差加工と呼ばれる加工も必要である。この段差
部では加工精度はさほど必要としないが、大きな体積を
加工する必要があるためそれなりの問題が生じる。
単結晶などの材料により構成されるが、高精度な光学的
接続を実現するにはＶ溝の加工精度を高めることが重要
となる。Ｖ溝の加工方法として、物理的（機械的）に加
工する機械研削加工とエッチングなどの化学的な処理に
よる加工方法が考えられる。またこのＶ溝基板は、光フ
ァイバの被覆部（シースによって被覆されている箇所）
を外側から挾持できるようにする必要があるため、Ｖ溝
以外に段差加工と呼ばれる加工も必要である。この段差
部では加工精度はさほど必要としないが、大きな体積を
加工する必要があるためそれなりの問題が生じる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来は上記のようなＶ
溝と段差部を有する基板を製造するために、機械的研削
によってＶ溝と段差部を形成するか、あるいはエッチン
グによってＶ溝と段差部を形成することが提案された。
しかしながら、これら２種類の加工方法は、基板材料
（ガラスあるいはシリコン単結晶）によって下記のよう
な長所および短所があるため、Ｖ溝基板を加工するため
の理想的な方法については優劣つけがたいものであっ
た。Ｖ溝基板の加工性について、ガラスおよびシリコン
単結晶のそれぞれについてみると下記の通りとなる。
溝と段差部を有する基板を製造するために、機械的研削
によってＶ溝と段差部を形成するか、あるいはエッチン
グによってＶ溝と段差部を形成することが提案された。
しかしながら、これら２種類の加工方法は、基板材料
（ガラスあるいはシリコン単結晶）によって下記のよう
な長所および短所があるため、Ｖ溝基板を加工するため
の理想的な方法については優劣つけがたいものであっ
た。Ｖ溝基板の加工性について、ガラスおよびシリコン
単結晶のそれぞれについてみると下記の通りとなる。
【０００５】まず、シリコン単結晶からなるＶ溝基板の
場合には、異方性エッチングによってＶ溝を精度良く加
工することができるが、段差部の加工については加工体
積が大であるためエッチングは得策ではない。しかし機
械研削加工によるＶ溝の加工は精度に問題があるばかり
でなく、単結晶という性質上、機械加工ではクラックな
どが入りやすい。また、加工すべき体積が大きいと加工
に要する時間も長くかかり、コストが高くなるという問
題がある。
場合には、異方性エッチングによってＶ溝を精度良く加
工することができるが、段差部の加工については加工体
積が大であるためエッチングは得策ではない。しかし機
械研削加工によるＶ溝の加工は精度に問題があるばかり
でなく、単結晶という性質上、機械加工ではクラックな
どが入りやすい。また、加工すべき体積が大きいと加工
に要する時間も長くかかり、コストが高くなるという問
題がある。
【０００６】一方、基板材料がガラスの場合、異方性エ
ッチングの適用が不可能であるため機械加工に頼らざる
を得ない。ガラス製の基板材料のＶ溝および段差部の機
械加工性はシリコン単結晶に比較して良い反面、光ファ
イバを整列させる上で重要なＶ溝の加工精度に関して
は、シリコン単結晶のエッチング加工に比べると劣るこ
とがある。
ッチングの適用が不可能であるため機械加工に頼らざる
を得ない。ガラス製の基板材料のＶ溝および段差部の機
械加工性はシリコン単結晶に比較して良い反面、光ファ
イバを整列させる上で重要なＶ溝の加工精度に関して
は、シリコン単結晶のエッチング加工に比べると劣るこ
とがある。
【０００７】従ってこの発明の目的は、シリコン単結晶
を用いたＶ溝基板において、Ｖ溝と段差部とも加工性に
優れかつ、Ｖ溝の精度が高くしかも加工時間が短くてす
むようなＶ溝基板の製造方法およびＶ溝基板を用いた光
ファイバの端末保持構造を提供することにある。
を用いたＶ溝基板において、Ｖ溝と段差部とも加工性に
優れかつ、Ｖ溝の精度が高くしかも加工時間が短くてす
むようなＶ溝基板の製造方法およびＶ溝基板を用いた光
ファイバの端末保持構造を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を果たすため
の本発明のＶ溝基板の製造方法は、請求項１に記載した
ように、シリコン単結晶からなる基板材料に異方性エッ
チングによりＶ溝を形成するエッチング工程と、上記基
板材料の一部を機械研削加工により肉厚を減らして段差
部およびこの段差部に連なる平坦な延長部を形成する機
械加工工程とを有することを特徴とする。
の本発明のＶ溝基板の製造方法は、請求項１に記載した
ように、シリコン単結晶からなる基板材料に異方性エッ
チングによりＶ溝を形成するエッチング工程と、上記基
板材料の一部を機械研削加工により肉厚を減らして段差
部およびこの段差部に連なる平坦な延長部を形成する機
械加工工程とを有することを特徴とする。
【０００９】このように、シリコン単結晶を用いたＶ溝
基板の製造において、異方性エッチングと機械研削加工
とを組合わせることにより、加工性に優れ、かつ精度良
く、しかも短時間で加工できるようになる。また、これ
ら２種類の加工方法を組合わせたことにより、それぞれ
の加工方法の特徴を生かし、量産性に優れ、低コストな
Ｖ溝基板の製作が可能となる。
基板の製造において、異方性エッチングと機械研削加工
とを組合わせることにより、加工性に優れ、かつ精度良
く、しかも短時間で加工できるようになる。また、これ
ら２種類の加工方法を組合わせたことにより、それぞれ
の加工方法の特徴を生かし、量産性に優れ、低コストな
Ｖ溝基板の製作が可能となる。
【００１０】さらにこの発明の製造方法は、請求項２に
記載したように、シリコン単結晶からなる基板材料に異
方性エッチングによって互いに平行な複数の光ファイバ
整列用のＶ溝を形成するエッチング工程と、上記基板材
料の一部を機械研削加工により肉厚を減らして上記Ｖ溝
に連なる段差部を形成するとともに光ファイバの被覆部
を配置すべき箇所に平坦な延長部を形成する機械加工工
程とを有する。そしてこの製造方法においては、請求項
３に記載したように、上記段差部と上記延長部との間に
機械研削加工により曲面部を形成することも含まれる。
記載したように、シリコン単結晶からなる基板材料に異
方性エッチングによって互いに平行な複数の光ファイバ
整列用のＶ溝を形成するエッチング工程と、上記基板材
料の一部を機械研削加工により肉厚を減らして上記Ｖ溝
に連なる段差部を形成するとともに光ファイバの被覆部
を配置すべき箇所に平坦な延長部を形成する機械加工工
程とを有する。そしてこの製造方法においては、請求項
３に記載したように、上記段差部と上記延長部との間に
機械研削加工により曲面部を形成することも含まれる。
【００１１】本発明のＶ溝基板を用いた光ファイバの端
末保持構造は、請求項４に記載したように、シリコン単
結晶からなりかつ互いの対向面にエッチングによって形
成された複数の平行な光ファイバ整列用のＶ溝を有する
一対のＶ溝基板を備え、上記一対のＶ溝基板は、上記Ｖ
溝に連なりかつ機械研削加工によって形成された段差部
およびこの段差部に連なる平坦な延長部を有するととも
に、上記段差部と上記延長部との間にこれら両者に連な
る曲面部を有し、上記一対のＶ溝基板の各Ｖ溝にそれぞ
れ光ファイバの非被覆部を収容するとともに、上記曲面
部の外側に各光ファイバの被覆部のシースの端が位置す
るように上記延長部に被覆部を配置した状態で、上記一
対のＶ溝基板を互いに重ね合わせることにより上記各光
ファイバを整列させることを特徴とする。
末保持構造は、請求項４に記載したように、シリコン単
結晶からなりかつ互いの対向面にエッチングによって形
成された複数の平行な光ファイバ整列用のＶ溝を有する
一対のＶ溝基板を備え、上記一対のＶ溝基板は、上記Ｖ
溝に連なりかつ機械研削加工によって形成された段差部
およびこの段差部に連なる平坦な延長部を有するととも
に、上記段差部と上記延長部との間にこれら両者に連な
る曲面部を有し、上記一対のＶ溝基板の各Ｖ溝にそれぞ
れ光ファイバの非被覆部を収容するとともに、上記曲面
部の外側に各光ファイバの被覆部のシースの端が位置す
るように上記延長部に被覆部を配置した状態で、上記一
対のＶ溝基板を互いに重ね合わせることにより上記各光
ファイバを整列させることを特徴とする。
【００１２】このように構成される端末保持構造は、光
ファイバの光学的接続などに使用される光ファイバアレ
イに適用され、シースによって被覆された複数本の光フ
ァイバが一対のＶ溝基板によって精度良く保持される。
この場合、Ｖ溝基板に上記曲面部を設けているため機械
加工の際にクラックが生じにくい。また、曲面部の外側
に各光ファイバの被覆部のシースの端が位置するため、
各Ｖ溝基板の平行度が保たれる。
ファイバの光学的接続などに使用される光ファイバアレ
イに適用され、シースによって被覆された複数本の光フ
ァイバが一対のＶ溝基板によって精度良く保持される。
この場合、Ｖ溝基板に上記曲面部を設けているため機械
加工の際にクラックが生じにくい。また、曲面部の外側
に各光ファイバの被覆部のシースの端が位置するため、
各Ｖ溝基板の平行度が保たれる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下にこの発明の一実施形態につ
いて図１ないし図５を参照して説明する。図１に示す光
ファイバアレイ１０は、複数本の光ファイバ１１の端末
を一対のＶ溝基板１２，１３によって保持する構造であ
る。光ファイバ１１はその保護のためにシース１５によ
って被覆されている。この光ファイバ１１は、シース１
５によって被覆されている被覆部１１ａと、その先端側
のシース１５によって被覆されていない裸の部分すなわ
ち非被覆部１１ｂとからなる。
いて図１ないし図５を参照して説明する。図１に示す光
ファイバアレイ１０は、複数本の光ファイバ１１の端末
を一対のＶ溝基板１２，１３によって保持する構造であ
る。光ファイバ１１はその保護のためにシース１５によ
って被覆されている。この光ファイバ１１は、シース１
５によって被覆されている被覆部１１ａと、その先端側
のシース１５によって被覆されていない裸の部分すなわ
ち非被覆部１１ｂとからなる。
【００１４】一対のＶ溝基板１２，１３はいずれもシリ
コン単結晶からなり、互いに実質的に同等の構成である
から、図２に示す一方のＶ溝基板１２を代表して説明す
る。これらＶ溝基板１２，１３の相互対向面には、後述
する異方性エッチングによって互いに平行な複数のＶ溝
２０を形成したＶ溝部２１と、Ｖ溝部２１の端に位置し
かつ機械研削加工によって形成された段差部２５および
この段差部２５に連なる平坦な形状の延長部２６を有し
ている。段差部２５と延長部２６との間には、両者に連
なる曲面状の加工部すなわち曲面部２７が形成されてい
る。
コン単結晶からなり、互いに実質的に同等の構成である
から、図２に示す一方のＶ溝基板１２を代表して説明す
る。これらＶ溝基板１２，１３の相互対向面には、後述
する異方性エッチングによって互いに平行な複数のＶ溝
２０を形成したＶ溝部２１と、Ｖ溝部２１の端に位置し
かつ機械研削加工によって形成された段差部２５および
この段差部２５に連なる平坦な形状の延長部２６を有し
ている。段差部２５と延長部２６との間には、両者に連
なる曲面状の加工部すなわち曲面部２７が形成されてい
る。
【００１５】図１に示すように、各Ｖ溝基板１２，１３
のＶ溝２０に光ファイバ１１の非被覆部１１ｂを配置す
るとともに、各Ｖ溝基板１２，１３の延長部２６に光フ
ァイバ１１の被覆部１１ａを配置し、各Ｖ溝基板１２，
１３を重ね合わせた状態で接着剤等の適宜の固定手段に
よって各Ｖ溝基板１２，１３を固定する。このとき段差
部２５からシース１５の端１５ａを距離Ｇだけ離すこと
により、シース１５の端１５ａを曲面部２７の外側に位
置させる。
のＶ溝２０に光ファイバ１１の非被覆部１１ｂを配置す
るとともに、各Ｖ溝基板１２，１３の延長部２６に光フ
ァイバ１１の被覆部１１ａを配置し、各Ｖ溝基板１２，
１３を重ね合わせた状態で接着剤等の適宜の固定手段に
よって各Ｖ溝基板１２，１３を固定する。このとき段差
部２５からシース１５の端１５ａを距離Ｇだけ離すこと
により、シース１５の端１５ａを曲面部２７の外側に位
置させる。
【００１６】このＶ溝基板１２，１３は、図４に示すよ
うにエッチング工程ＳＴ１と機械加工工程ＳＴ２を含む
加工プロセスにより製造される。すなわちＶ溝２０はエ
ッチング工程ＳＴ１によって形成され、段差部２５と延
長部２６および曲面部２７は機械加工工程ＳＴ２によっ
て形成される。
うにエッチング工程ＳＴ１と機械加工工程ＳＴ２を含む
加工プロセスにより製造される。すなわちＶ溝２０はエ
ッチング工程ＳＴ１によって形成され、段差部２５と延
長部２６および曲面部２７は機械加工工程ＳＴ２によっ
て形成される。
【００１７】エッチング工程ＳＴ１は以下に述べる通り
である。まず、Ｖ溝基板１２，１３の材料である（１０
０）Ｓｉウェハー１２ａを準備する。（１００）はミラ
ー指数である。（図５・Ａ） 上記Ｓｉウェハー（基板材料）１２ａ上に、例えばＣＶ
Ｄ法（Chemical VaporDeposition ：化学気相蒸着法）
などの膜形成方法によって、保護膜３０としてのＳｉＯ
2 を形成する。（図５・Ｂ） 前記保護膜３０の上に、レジスト（フォトレジスト）３
１を塗布する。（図５・Ｃ） 所望のパターンが形成されたマスク３２を重ねて光を照
射し、露光する。（図５・Ｄ） 前記露光後、現像を行なうと、マスクパターン３５がレ
ジスト３１に転写される。（図５・Ｅ） 前記パターンニングされたレジスト３１をマスクにし
て、前記保護膜３０をバッファードフッ酸にてエッチン
グする。エッチングすると保護膜３０に窓３６が形成さ
れる。（図５・Ｆ） レジスト３１を除去する。（図５・Ｇ） パターン化された保護膜３０をマスクにして、Ｓｉウェ
ハー１２ａを水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液にて異方
性エッチングを行う。これにより、Ｖ溝２０が形成され
る。（図５・Ｈ） バッファードフッ酸によって、保護膜３０（ＳｉＯ2 ）
を除去する。（図５・Ｉ） 上記のようなエッチング工程ＳＴ１を経て、複数のＶ溝
２０を同時に形成するため、Ｓｉ単結晶からなる基板材
料（Ｓｉウェハー１２ａ）もクラックを生じるおそれが
なく、しかも異方性エッチングにより正確な形状にＶ溝
２０を形成することができる。
である。まず、Ｖ溝基板１２，１３の材料である（１０
０）Ｓｉウェハー１２ａを準備する。（１００）はミラ
ー指数である。（図５・Ａ） 上記Ｓｉウェハー（基板材料）１２ａ上に、例えばＣＶ
Ｄ法（Chemical VaporDeposition ：化学気相蒸着法）
などの膜形成方法によって、保護膜３０としてのＳｉＯ
2 を形成する。（図５・Ｂ） 前記保護膜３０の上に、レジスト（フォトレジスト）３
１を塗布する。（図５・Ｃ） 所望のパターンが形成されたマスク３２を重ねて光を照
射し、露光する。（図５・Ｄ） 前記露光後、現像を行なうと、マスクパターン３５がレ
ジスト３１に転写される。（図５・Ｅ） 前記パターンニングされたレジスト３１をマスクにし
て、前記保護膜３０をバッファードフッ酸にてエッチン
グする。エッチングすると保護膜３０に窓３６が形成さ
れる。（図５・Ｆ） レジスト３１を除去する。（図５・Ｇ） パターン化された保護膜３０をマスクにして、Ｓｉウェ
ハー１２ａを水酸化カリウム（ＫＯＨ）水溶液にて異方
性エッチングを行う。これにより、Ｖ溝２０が形成され
る。（図５・Ｈ） バッファードフッ酸によって、保護膜３０（ＳｉＯ2 ）
を除去する。（図５・Ｉ） 上記のようなエッチング工程ＳＴ１を経て、複数のＶ溝
２０を同時に形成するため、Ｓｉ単結晶からなる基板材
料（Ｓｉウェハー１２ａ）もクラックを生じるおそれが
なく、しかも異方性エッチングにより正確な形状にＶ溝
２０を形成することができる。
【００１８】一方、機械加工工程ＳＴ２によって、光フ
ァイバ１１の被覆部１１ａを配置する箇所に段差部２５
と延長部２６および曲面部２７の機械研削加工を行な
う。加工具としては、半導体ウェハーの溝切加工などに
用いられているダイシングソー（dicing saw）などを用
いることができる。この機械加工工程ＳＴ２では、段差
部２５と延長部２６との間に曲面部２７も形成される。
この曲面部２７を設けたことにより、Ｖ溝基板１２，１
３の機械研削時のクラック発生を抑制できるとともに、
Ｖ溝基板１２，１３の強度を高めることができた。
ァイバ１１の被覆部１１ａを配置する箇所に段差部２５
と延長部２６および曲面部２７の機械研削加工を行な
う。加工具としては、半導体ウェハーの溝切加工などに
用いられているダイシングソー（dicing saw）などを用
いることができる。この機械加工工程ＳＴ２では、段差
部２５と延長部２６との間に曲面部２７も形成される。
この曲面部２７を設けたことにより、Ｖ溝基板１２，１
３の機械研削時のクラック発生を抑制できるとともに、
Ｖ溝基板１２，１３の強度を高めることができた。
【００１９】上記加工プロセスを経て完成したＶ溝基板
１２，１３の各Ｖ溝２０に、光ファイバ１１の非被覆部
１１ｂを配置し、かつ、Ｖ溝基板１２，１３の各延長部
２６間に光ファイバ１１の被覆部１１ａを配置し、Ｖ溝
基板１２，１３を重ね合わせることにより、全ての光フ
ァイバ１１が互いに平行に整列しかつ位置決めされた状
態で保持されるとともに、Ｖ溝基板１２，１３に対する
光ファイバ１１の光軸位置が定まる。この場合、シース
１５の端１５ａを曲面部２７の外側に配置することによ
り、光ファイバアレイ１０の平行度も保たれる。
１２，１３の各Ｖ溝２０に、光ファイバ１１の非被覆部
１１ｂを配置し、かつ、Ｖ溝基板１２，１３の各延長部
２６間に光ファイバ１１の被覆部１１ａを配置し、Ｖ溝
基板１２，１３を重ね合わせることにより、全ての光フ
ァイバ１１が互いに平行に整列しかつ位置決めされた状
態で保持されるとともに、Ｖ溝基板１２，１３に対する
光ファイバ１１の光軸位置が定まる。この場合、シース
１５の端１５ａを曲面部２７の外側に配置することによ
り、光ファイバアレイ１０の平行度も保たれる。
【００２０】こうして製造された光ファイバアレイ１０
は、光ファイバ１１を含むＶ溝基板１２，１３の端面が
光学研磨などの方法により更に平坦に加工され、光学的
な接続端面が得られる。
は、光ファイバ１１を含むＶ溝基板１２，１３の端面が
光学研磨などの方法により更に平坦に加工され、光学的
な接続端面が得られる。
【００２１】なお、図３に示すＶ溝基板１２の変形例の
ように、段差部２５と延長部２６との間に上記曲面部２
７を設けずに、段差部２５と延長部２６とが互いにほぼ
垂直となるように形成しても本発明の所期の目的は達成
できる。
ように、段差部２５と延長部２６との間に上記曲面部２
７を設けずに、段差部２５と延長部２６とが互いにほぼ
垂直となるように形成しても本発明の所期の目的は達成
できる。
【００２２】
【発明の効果】本発明の製造方法によれば、Ｖ溝基板を
製造する場合に、基板材料としてシリコン単結晶を用い
て異方性エッチングと機械研削加工のそれぞれの特徴を
生かすようにこれら加工方法を組合わせたことにより、
Ｖ溝基板の加工性に優れ、しかも精度良く、加工時間も
短くてすむ。このためＶ溝基板の量産性に優れ、Ｖ溝基
板を低コストで提供することが可能である。
製造する場合に、基板材料としてシリコン単結晶を用い
て異方性エッチングと機械研削加工のそれぞれの特徴を
生かすようにこれら加工方法を組合わせたことにより、
Ｖ溝基板の加工性に優れ、しかも精度良く、加工時間も
短くてすむ。このためＶ溝基板の量産性に優れ、Ｖ溝基
板を低コストで提供することが可能である。
【００２３】また本発明の光ファイバの端末保持構造に
よれば、光ファイバアレイ等において、精度良く加工さ
れたＶ溝基板を用いて各光ファイバの光軸位置を精度良
く定めることができ、しかも光ファイバアレイを低コス
トで提供することが可能である。また、段差部と延長部
との間に曲面部を設けたことにより、Ｖ溝基板の強度を
高めることができる。
よれば、光ファイバアレイ等において、精度良く加工さ
れたＶ溝基板を用いて各光ファイバの光軸位置を精度良
く定めることができ、しかも光ファイバアレイを低コス
トで提供することが可能である。また、段差部と延長部
との間に曲面部を設けたことにより、Ｖ溝基板の強度を
高めることができる。
【図１】 本発明の一実施形態を示すＶ溝基板を有する
光ファイバアレイの側面図。
光ファイバアレイの側面図。
【図２】 図１に示された光ファイバアレイに用いるＶ
溝基板の斜視図。
溝基板の斜視図。
【図３】 Ｖ溝基板の変形例を示す斜視図。
【図４】 上記Ｖ溝基板の製造工程を示すフローチャー
ト。
ト。
【図５】 上記Ｖ溝基板のエッチング工程を工程順に示
す断面図。
す断面図。
１０…光ファイバアレイ １１…光ファイバ １１ａ…被覆部 １１ｂ…非被覆部 １２，１３…Ｖ溝基板 １５…シース ２０…Ｖ溝 ２５…段差部 ２６…延長部 ２７…曲面部
Claims (4)
- 【請求項１】シリコン単結晶からなる基板材料に異方性
エッチングによりＶ溝を形成するエッチング工程と、 上記基板材料の一部を機械研削加工により肉厚を減らし
て段差部およびこの段差部に連なる平坦な延長部を形成
する機械加工工程と、 を有することを特徴とする光ファイバ用Ｖ溝基板の製造
方法。 - 【請求項２】シリコン単結晶からなる基板材料に異方性
エッチングによって互いに平行な複数の光ファイバ整列
用のＶ溝を形成するエッチング工程と、 上記基板材料の一部を機械研削加工により肉厚を減らし
て上記Ｖ溝に連なる段差部を形成するとともに光ファイ
バの被覆部を配置すべき箇所に平坦な延長部を形成する
機械加工工程と、 を有することを特徴とする光ファイバ用Ｖ溝基板の製造
方法。 - 【請求項３】上記段差部と上記延長部との間に機械研削
加工により曲面部を形成することを特徴とする請求項２
記載の光ファイバ用Ｖ溝基板の製造方法。 - 【請求項４】シリコン単結晶からなりかつ互いの対向面
にエッチングによって形成された複数の平行な光ファイ
バ整列用のＶ溝を有する一対のＶ溝基板を備え、 上記一対のＶ溝基板は、 上記Ｖ溝に連なりかつ機械研削加工によって形成された
段差部およびこの段差部に連なる平坦な延長部を有する
とともに、 上記段差部と上記延長部との間にこれら両者に連なる曲
面部を有し、 上記一対のＶ溝基板の各Ｖ溝にそれぞれ光ファイバの非
被覆部を収容するとともに、上記曲面部の外側に各光フ
ァイバの被覆部のシースの端が位置するように上記延長
部に被覆部を配置した状態で、上記一対のＶ溝基板を互
いに重ね合わせることにより上記各光ファイバを整列さ
せることを特徴とする光ファイバの端末保持構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23109897A JPH1172643A (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 光ファイバ用ｖ溝基板の製造方法および光ファイバの端末保持構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23109897A JPH1172643A (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 光ファイバ用ｖ溝基板の製造方法および光ファイバの端末保持構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1172643A true JPH1172643A (ja) | 1999-03-16 |
Family
ID=16918272
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23109897A Pending JPH1172643A (ja) | 1997-08-27 | 1997-08-27 | 光ファイバ用ｖ溝基板の製造方法および光ファイバの端末保持構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1172643A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003025647A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-27 | Microsolutions, Inc. | Optical device and method for fabricating the same |
| JP2005227574A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Fujikura Ltd | Ｖ溝基板とその製造方法及び光ファイバアレイ |
-
1997
- 1997-08-27 JP JP23109897A patent/JPH1172643A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003025647A1 (en) * | 2001-08-31 | 2003-03-27 | Microsolutions, Inc. | Optical device and method for fabricating the same |
| JP2005227574A (ja) * | 2004-02-13 | 2005-08-25 | Fujikura Ltd | Ｖ溝基板とその製造方法及び光ファイバアレイ |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Effective date: 20031212 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 |
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| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20061101 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20061107 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20070109 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Effective date: 20070312 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070626 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20071204 |