JPH1172U - 過渡現象保護回路 - Google Patents

過渡現象保護回路

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JPH1172U
JPH1172U JP009504U JP950498U JPH1172U JP H1172 U JPH1172 U JP H1172U JP 009504 U JP009504 U JP 009504U JP 950498 U JP950498 U JP 950498U JP H1172 U JPH1172 U JP H1172U
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power supply
circuit
supply line
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voltage
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アドリアヌス コルネリス マリア スホーフス フランシスカス
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Koninklijke Philips NV
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    • H02GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
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    • H02HEMERGENCY PROTECTIVE CIRCUIT ARRANGEMENTS
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    • H02H9/04Emergency protective circuit arrangements for limiting excess current or voltage without disconnection responsive to excess voltage

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Abstract

(57)【要約】 【課題】 半導体集積回路に加わる高電圧過渡電圧の影
響を簡単な回路で除去する。 【解決手段】 抵抗素子、電圧応答手段、過渡電流吸収
手段、スイッチモード電力変換器を有し、更にインダク
タとダイオードを具えて成る。

Description

【考案の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】
本考案は1対のD.C.電源供給ライン(11,12)を具えて成る回路配置 であって、一方のD.C.電源供給ライン(11)は、抵抗素子(R1)を介し て電源より電流供給を受け、この抵抗素子(R1)は、過渡現象保護回路内に包 含されるものであり、該過渡現象保護回路は、この他電圧応答素子と、過渡電流 吸収手段とを有しており、この過渡現象保護回路は、スイッチ モード電力変換 器を有し、このスイッチ モード電力変換器は、前記一方の電源供給ライン(1 1)内に、インダクタ(L)と、その後にある第1ダイオード(D2)との直列 接続を有し、この回路は、他方の電源供給ライン(12)に結合されているコン デンサ(C1) に供給を行い、さらに前記電源供給ライン(11)内のインダク タ(L)と第1ダイオード(D2)との接続点を、他方の電源供給ライン(12 )に対し反復的に結合するスイッチ手段(T1)とを有し、前記電圧応答素子( D1)は、前記インダクタ(L)とダイオード(D2)との直列回路で過渡電流 吸収回路を形成している回路をバイパスする如く接続されてなる回路配置に関す るものである。
【0002】
【従来の技術】
高電圧過渡現象の発生が、電源を供給される回路に破壊的な影響を与えること に対処するためD.C.電源には多くの要求がある。これは、特に、半導体回路 を集積回路状に実現した場合には特別な問題となる。A.C.電源から整流後、 回路に給電するようにし、大容量のコンデンサを D.C.供給ラインの両端に 直接接続し得ない場合は、このようなコンデンサの平滑作用は失われ、主電圧の 変動や過渡現象の影響を低減させる他の手段を必要とする。その例としては、白 熱電球の代替としての蛍光灯の電源用として使用されるスイッチ モード電力変 換器がある。
【0003】 この場合、ツエナー ダイオード、バリスタあるいはガス放電素子を用いてD .C.電源電圧を制限することについては既知であるが、いずれも、寄生的過渡 現象(スプリアス トランジェント)の存在における最大クランプ電圧を実際に 受入れ可能な限度まで低減させることはできない。 実公昭55−2712号にも過大負荷電流を側路する回路が示されているが、 素子数が多く、かつ過大電流の保護が充分でない欠点がある。
【0004】
【考案が解決しようとする課題】
本考案の目的は上記の諸問題を解決した過渡現象保護回路を提供しようとする ものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】
この目的を達成するため、本考案では、1対のD.C.電源供給ラインを具え て成る回路配置であって、一方のD.C.電源供給ラインは、抵抗素子を介して 電源より電流供給を受け、この抵抗素子は、過渡現象保護回路内に包含されるも のであり、該過渡現象保護回路は、この他電圧応答素子と、過渡電流吸収手段と を有しており、この過渡現象保護回路は、スイッチ モード電力変換器を有し、 このスイッチ モード電力変換器は、前記一方の電源供給ライン内に、インダク タと、その後にある第1ダイオードとの直列接続を有し、この回路は、他方の電 源供給ラインに結合されているコンデンサに供給を行い、さらに前記電源供給ラ イン内のインダクタと第1ダイオードとの接続点を、他方の電源供給ラインに対 し反復的に結合するスイッチ手段とを有し、前記電圧応答素子は、前記インダク タとダイオードとの直列回路で過渡電流吸収回路を形成している回路をバイパス する如く接続されてなる回路配置において、電圧応答素子を第2ダイオードとす ることを特徴とする過渡現象保護回路配置を特徴とする。
【0006】 電圧応答素子は過渡現象の発生期間中導電状態となり、その後非導電となるの で、過渡エネルギーは電力供給ラインから発散され、過電圧は抵抗素子の両端の 電圧降下となり、かくして供給ライン電圧は安定化される。
【0007】 電圧応答素子は過渡現象の発生期間中導電状態となるダイオードにより形成す る。このようなダイオードの使用は保護回路の速いレスポンス時間を可能にする 。
【0008】 過渡エネルギーを吸収する手段はコンデンサにより形成する。また、蓄積され た過渡エネルギー用の放電通路を与えるため前記コンデンサと並列に抵抗を結合 することが好ましい。コンデンサはD.C.電源供給ラインから供給される他の 回路の構成素子とし、他の回路におけるその役割のほか過渡エネルギー吸収手段 としても機能させることが得策である。
【0009】 また、本考案は上述のようなスイッチ モード電力増幅器と蛍光灯を組合せた ことを特徴とする蛍光灯ユニットをも包含する。これらは、白熱電球用のソケッ トを着脱可能な電気的結合を可能にするコネクタ部を具えた外匣部内に集積させ ることが好ましい。また、スイッチ モード電力変換器は着脱可能な蛍光灯を収 容するに適するランプ ソケットまたは発光器内に配置するを可とする。
【0010】
【実施例】
以下図面により本考案を説明する。 図1は本考案の説明のために示したもので、230 VのA.C.主電源に接続す るための入力I/Pを有する整流器10を具えた基本的D.C.電源ユニットを示 す。前記整流器の出力は供給ライン11および12を介してそこから電力を供給すべ き回路13に結合する。回路13はその入力と並列に接続したコンデンサC1を有す るが、このコンデンサの容量値は小さく、トランジスタによる大きな電圧変動か ら回路を保護するには不適当である。
【0011】 過渡現象保護回路は、それぞれライン11および12間に直列に接続したダイオー ドD1およびコンデンサC2の直列配置、コンデンサC2と並列に接続した抵抗 R2ならびに整流器10への入力ラインの1つと直列に接続した抵抗R1により形 成されている。図から分るように、ダイオードD1には順方向バイアスを与えて いるので、主電源が接続されると、ダイオードD1を介して初期充電電流がコン デンサC2に供給され、かくしてダイオードは非導電状態となる。したがって、 コンデンサC2は供給ライン上で永久負荷を構成せず、間接的にそれに接続される 。
【0012】 コンデンサC2が充電され、かつ通常の電圧供給状態のもとでは、供給ライン の両端の容量性負荷は小さく、コンデンサC1によってのみ構成されるが、過渡 現象が起った場合は、ダイオードD1は導通し、コンデンサC2は回路に接続さ れる。抵抗R1およびコンデンサC1は、C2による過渡エネルギーの吸収によ りR1の両端に顕著な過渡電圧降下が生成され、供給ライン11および12間の電圧 により著しい影響が与えられることがなく、実際上過渡電圧に対するフィルタを 形成する。コンデンサC2に蓄積された過渡エネルギーは、その後抵抗R2を介 して放電される。
【0013】 図2においては、図1図示回路を、ステップアップ電圧(逓昇電圧)を与える ためスイッチ モード電力変換器により構成した被保護回路と協動させるように している。変換器は整流器10の出力から正電圧供給ライン11内のダイオードD2 と直列に接続した誘導子(インダクタンス)Lを含み、前記インダクタンスLと ダイオードD2の接続点をNPN形スイッチング トランジスタT1のコレクタ 電極に接続し、前記スイッチング トランジスタのエミッタ電極を負電圧供給ラ イン12に接続する。また、前記トランジスタのベース電極は、既知のように反復 的スイッチング オン オフ操作により主電圧より大きいステップアップ電圧を 誘起させるよう形成した周期的スイッチング電圧源(図示せず)にこれを接続す る。かくして、ステップアップ電圧が出力O/Pを介して、例えば、D.C./ A.C.電力変換器および蛍光灯のような負荷14に供給されるようにする。
【0014】 図2において、ダイオードD1は、インダクタンスL1とダイオードD2の直 列配置を、過渡現象保護回路の容量を構成する既存のコンデンサC1に対しブリ ッジ接続する。かくすれば、主電圧源に過渡現象が生じた場合は過渡電流のコン デンサへの発散および抵抗R1の両端の電圧降下により、インダクタンス2の両 端の電圧降下は制限され、インダクタンスは飽和されない。
【0015】 図3は図2図示回路の改良版を示す。この回路において、絶縁ゲート電界効果 トランジスタ (IGFET )T2のソース・ドレイン通路は供給ライン11に接続す る。前記トランジスタT2のゲート電極は適当なバイアス(図示せず)に接続し 、過渡現象に応じてトランジスタがターンオフされるよう配置する。この改良形 回路は、同日出願の平成1年特許願第320704号“過電圧保護回路”の主題 となっており、これを参照として援用する。
【0016】 図4図示回路は図3をベースにして蛍光灯駆動回路を形成する回路の全部を示 すもので、このような回路は商業用および家庭用を前提とした白熱電灯に代るコ ンパクトな集積回路状ランプユニット用として使用することができる。
【0017】 図示のように、主電源入力には電圧クランプ整流回路16を接続する。電圧クラ ンプは抵抗RDと電圧従属抵抗VDRとの直列接続により形成される。この場合 、VDRは実線で示すように整流回路Rの出力と並列に接続することもでき、も しくは点線で示すように整流回路Rの入力と並列に接続することもできる。これ は適当な保護構成素子の相対価格および集積工程に従属する。かくすれば、抵抗 VDRの両端には部分的に整流された電圧が生成され、この電圧は、その出力を 供給ライン11および12に接続し、究極的には電圧ステップアップ回路を介して白 熱電灯を含む負荷18に電力を供給するよう形成した整流・フィルタ回路に給電さ れるようにする。この回路配置においては、T2のドレイン電圧用以外のすべて の電圧は、VDRクランプの両端に生ずる電圧に関して制限される。クランプ回 路16により、またR2,T2,D1およびC1により誘導される遅延は過渡現象 の発生とトランジスタT2のターンオフ間のより長い遅延を許容する。
【0018】 電圧クランプに対する作動条件は、例えば、ICに課せられる電圧要求をそれ 程厳しくないようにするため、このクランプを整流器ブリッジの後段に配置した 場合、これを改善(低劣化;Less degradation )することができるが、この配 置も本考案の範囲内にあるものである。しかしながら、この配置に対する欠点は 、整流器ブリッジをして過渡電流を取扱いうるようにしなければならないことで ある。
【0019】 ここで、例えば、廉価で小形の電子安定器のような利用においては、使用しう る記憶容量は小さく、例えば、1アンペア以下の飽和電流Isat に対して数十mH および10μF 以下であることを理解すべきである。また、直列トランジスタT2 をターンオフするに必要な時間は、電源を主正弦波のゼロ交差の近辺に保持させ るのに必要なコンデンサC1の値に従属する。実際上、インダクタンスLはダイ オードD1により側路されるので、直列トランジスタT2の電圧出力はゆっくり としか増加せず、したがって、電圧が過電圧値に達しうる前に、直列トランジス タT2をターンオフするのに充分な時間が利用でき、かくして直列トランジスタ における消散は制限される。
【0020】 図5は白熱電灯用として使用されるようなソケット内でランプを着脱可能に連 結するための差込コネクタ20を有する口金(ベース)19を具えた白熱ランプ ユ ニットの側面図を示す。口金ユニットは図1ないし図4に関して前述したような 回路ならびに前記回路用の負荷を形成し、外匣部22内に収納した白熱電球21を具 える。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1は本考案の説明用の基本的過渡現象保護回
路と協動するD.C.電源の一部を示すブロック図であ
る。
【図2】図2は本考案による過渡現象保護回路と協動す
るスイッチ モード電力変換器の概要回路図である。
【図3】図3は図2図示回路の改良版を示す回路図であ
る。
【図4】図4は図3図示回路と協動する蛍光灯ユニット
の一部を示すブロック図である。
【図5】図5は過渡現象保護回路と協動する蛍光灯ユニ
ットを示す側面図である。
【符号の説明】
10 整流器 11, 12 供給ライン 13, 15 回路 14, 18 負荷 16 電圧クランプ・整流回路 19 口金(ベース) 20 差込コネクタ 21 白熱電球 22 外匣部 I/P 入力 O/P 出力 R1,R2,RD 抵抗 VDR 電圧従属抵抗 C,C1,C2 コンデンサ L 誘導子(インダクタンス) D1,D2 ダイオード T1 NPN形スイッチグ トランジスタ T2 絶縁ゲート電界効果トランジスタ R 整流回路
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (71)出願人 590000248 Groenewoudseweg 1, 5621 BA Eindhoven, Th e Netherlands

Claims (8)

    【実用新案登録請求の範囲】
  1. 【請求項1】 1対のD.C.電源供給ライン(11,
    12)を具えて成る回路配置であって、一方のD.C.
    電源供給ライン(11)は、抵抗素子(R1)を介して
    電源より電流供給を受け、この抵抗素子(R1)は、過
    渡現象保護回路内に包含されるものであり、該過渡現象
    保護回路は、この他電圧応答素子と、過渡電流吸収手段
    とを有しており、この過渡現象保護回路は、スイッチ
    モード電力変換器を有し、このスイッチ モード電力変
    換器は、前記一方の電源供給ライン(11)内に、イン
    ダクタ(L)と、その後にある第1ダイオード(D2)
    との直列接続を有し、この回路は、他方の電源供給ライ
    ン(12)に結合されているコンデンサ(C1) に供給
    を行い、さらに前記電源供給ライン(11)内のインダ
    クタ(L)と第1ダイオード(D2)との接続点を、他
    方の電源供給ライン(12)に対し反復的に結合するス
    イッチ手段(T1)とを有し、前記電圧応答素子(D
    1)は、前記インダクタ(L)とダイオード(D2)と
    の直列回路で過渡電流吸収回路を形成している回路をバ
    イパスする如く接続されてなる回路配置において、 電圧応答素子(D1)を第2ダイオードとすることを特
    徴とする過渡現象保護回路配置。
  2. 【請求項2】 インダクタ(L)の前側の電源供給ライ
    ン(11)に直列にスイッチング トランジスタ(T
    2)を設け、過渡電圧発生時、所定の時間間隔内にこれ
    をターンオフするようにバイアスすることを特徴とする
    請求項1記載の回路配置。
  3. 【請求項3】 D.C.電源供給ライン(11,12)
    の各々にそれぞれ1つが接続されている1対の出力ライ
    ン及びA.C.電源への接続用の1対の入力ラインを含
    む整流回路(10)を具え、これらの入力ラインまたは
    出力ラインの1つに抵抗素子(R1)を包含させた請求
    項1記載の回路配置。
  4. 【請求項4】 前記直列の抵抗素子の後側に電圧クラン
    プ(VDR)を設けた請求項2記載の回路配置。
  5. 【請求項5】 前記整流回路の出力端子間に電圧クラン
    プ(VDR)を設けた請求項2記載の回路配置。
  6. 【請求項6】 前記請求項1ないし5の何れか1項に記
    載の回路配置と蛍光灯(18)との組合せを特徴とする
    蛍光灯ユニット。
  7. 【請求項7】 前記回路配置と蛍光灯(21)とをハウ
    ジング(22)内に合体的に配置し、該ハウジング(2
    2)には、白熱電灯用のソケットに装着又は取外し可能
    としたコネクタ部(20)を設けた請求項6記載の蛍光
    灯ユニット。
  8. 【請求項8】 前記回路配置を取外し可能とした蛍光灯
    を装着しうるランプソケット又は発光器内に設けた請求
    項6記載のユニット。
JP009504U 1988-12-15 1998-12-01 過渡現象保護回路 Pending JPH1172U (ja)

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GB8829276:8 1988-12-15
GB8829276A GB2226195A (en) 1988-12-15 1988-12-15 A transient protection circuit

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