JPH1173897A

JPH1173897A - 画像形成装置及びその装置とそのスペーサの製造方法

Info

Publication number: JPH1173897A
Application number: JP9360956A
Authority: JP
Inventors: Masato Yamanobe; 正人山野辺; Masaaki Shibata; 雅章柴田; Toyoko Kobayashi; 登代子小林; Sotomitsu Ikeda; 外充池田
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1996-12-26
Filing date: 1997-12-26
Publication date: 1999-03-16
Anticipated expiration: 2017-12-26
Also published as: JP3230737B2

Abstract

(57)【要約】【課題】画像形成装置などのように、電子放出素子を
内包する容器を備えた装置であって、その容器内に配置
されるスペーサとして、高電圧を印加し得る高アスペク
ト比を有するスペーサを提供することにある。【解決手段】電子放出素子が配置されたリアプレート
と、画像形成部材を有し該リアプレートに対向して配置
されたフェースプレートと、該フェースプレートとリア
プレートとの間に配されたスペーサと、を有する画像形
成装置において、該スペーサがスペーサ基材を有機樹脂
と炭素とで被覆され、かつ、該スペーサの表面に該炭素
を有することを特徴とする。また、上記炭素が炭素粉末
として上記有機樹脂に分散されていることを特徴とす
る。前記炭素粉末が前記スペーサ基材を被覆する前記有
機樹脂の表面上に配置されていることを特徴とする。前
記炭素粉末の一部が前記スペーサ基材を被覆する前記有
機樹脂の表面に露出していることを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電子放出素子を内
包する容器内に配置されるスペーサ、及び、容器内に、
電子放出素子と画像形成部材とスペーサとを備える画像
形成装置、更には、それらの製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、電子放出素子を利用した画像形成
装置として、冷陰極電子放出素子を多数形成した電子源
基板と、透明電極および蛍光体を具備した陽極基板とを
平行に対向させ、真空に排気した平面型の電子線表示パ
ネルが知られている。

【０００３】このような画像形成装置において、電界放
出型電子放出素子を用いたものは、例えば、I.Brodie,
“Advanced technology:flat cold-cathode CRTs",Info
rmation Display,1/89,17(1989）に開示されたものがあ
る。また、表面伝導型電子放出素子を用いたものは、例
えば、特開平７−４５２２１号公報等に開示されてい
る。

【０００４】平面型の電子線表示パネルは、現在広く用
いられている陰極線管（cathode ray tube：ＣＲＴ）表
示装置に比べ、薄型化、軽量化、大画面化を図ることが
でき、また、液晶を利用した平面型表示パネルや、プラ
ズマ・ディスプレイ・パネル、エレクトロルミネッセン
ト・ディスプレイ・パネル等の他の平面型表示パネルに
比べて、より高輝度、高品質な画像を提供することがで
きる。

【０００５】図１４、図１５に、電子放出素子を利用し
た画像形成装置の一例として、従来の平面型電子線表示
パネルの概略構成図を示す。ここで、図１５は、図１４
におけるＡ−Ａ’断面図である。

【０００６】図１４，図１５に示される従来の平面型電
子線表示パネルの構成について詳述すると、図中、１４
１は電子源基板１４４が配置されたリアプレート、１４
２はリアプレート１４１に平行に対向した陽極（アノー
ド）基板であるフェースプレート、１４３は側面外周を
囲む支持枠の外枠であり、これらの接合部をフリットガ
ラス等で接合することにより真空外囲器を構成してい
る。１４５は電子放出素子である。１４６ａ（走査電
極）及び１４６ｂ（信号電極）はＸ方向及びＹ方向の電
極配線であり、それぞれ、電子放出素子１４５に接続さ
れている。１４８はフェースプレート１４２の基体であ
るガラス基板、１４９は蛍光体、１５０はメタルバック
である。１５１はスペーサで、Ｘ方向電極配線１４６ａ
に沿って配置され、リアプレート１４１とフェースプレ
ート１４２を所定間隔に保持するとともに、大気圧に対
する支持部材として配置されている。

【０００７】この電子線表示パネルにおいて画像を形成
するには、マトリックス状に配置された走査配線電極１
４６ａと信号配線電極１４６ｂに所定の電圧を順次印加
することで、マトリックスの交点に位置する所定の電子
放出素子１４５を選択的に駆動し、放出された電子を蛍
光体１４９に照射して所定の位置に輝点を得る。なお、
メタルバック（アノード）１５０は、放出電子を加速し
てより高い輝度の輝点を得るために、電子放出素子１４
５に対して電子を吸引する正電位となるように高電圧が
印加される。

【０００８】上記構成の画像形成装置においては、特
に、現行のＣＲＴディスプレイに使用されている安価で
発光効率の高い蛍光体を用い、数ｋＶから数十ｋＶの加
速電圧を印加し、高輝度かつ色表現を向上しているが、
真空の絶縁破壊（すなわち放電）を考慮するとリアプレ
ート１４１とフェースプレート１４２間の距離ｄは１ｍ
ｍ程度以上とする必要がある。

【０００９】一方、前記電子放出素子として、電界放出
素子を用いた場合は、電子ビームの収束性の問題に対応
して、収束電極を配設したり、収束電極を配設せず、リ
アプレート１４１とフェースプレート１４２間の距離ｄ
を小さくし、画像を形成するが、ここで、印加される電
圧は、蛍光体の性能やメタルバックの有無、フェースプ
レートとリアプレート間距離などにもよるが、数百Ｖか
ら数ｋＶ程度の電圧である。従って、リアプレート１４
１とフェースプレート１４２間の距離（正確には配線１
４６ａとメタルバック１４９との距離）ｄは、この印加
電圧によって真空の絶縁破壊（すなわち放電）が生じな
いようにするため、百μｍから数ｍｍ程度に設定される
のが一般的である。

【００１０】また、表示パネルの表示面積が大きくなる
に従い、外囲器内部の真空と外部の大気圧差による基板
の変形を抑えるためには、リアプレート基板１４１およ
びフェースプレート基板１４８を厚くする必要がでてき
た。基板を厚くすることは表示パネルの重量を増加させ
るだけでなく、斜め方向から見た時に歪みを生じ、視野
角を悪化する。そこで、スペーサ１５１を配置すること
により、基板１４１、１４８の強度負担を軽減でき、軽
量化、低コスト化、大画面化が可能となるので、平面型
電子線表示パネルの利点を十分に発揮することができる
様になる。

【００１１】このスペーサ１５１に使用される材質とし
ては、十分な耐大気圧強度（圧縮強度）を有し、画像形
成装置に配置出来るように、高アスペクト比（スペーサ
の高さと断面積の比）が取れること、すなわち、圧縮に
よる破壊、歪み、座屈に対して強いことが求められ、製
造工程及び高真空形成工程における加熱工程に耐えうる
耐熱性を有し、表示パネルの基板、外枠等との熱膨張係
数の整合が取れていることが要求され、高電圧印加に耐
えうる絶縁耐圧を有する高抵抗体或いは絶縁体であるこ
とが求められ、高真空を維持するために、ガス放出レー
トが小さいことや寸法の精度良く加工でき、量産性に優
れること等が要求され、一般的にはガラス材料が用いら
れる。

【００１２】一般的なガラス材料は、機械強度、熱物
性、放出ガス特性については比較的良好な材料である。
また、加工性、量産性もよいので、スペーサ材料として
一般に用いられる。

【００１３】一方、電子放出素子から放出された電子の
一部が、スペーサの表面に入射する場合がある。その結
果、スペーサ表面が帯電し、沿面放電耐圧を著しく減少
させたり、表面の電位が変動してその近傍の電界が歪
み、電子源からの放出電子の軌道に影響を与え色ズレな
どの画像の品位が低下する現象が生じる場合がある。

【００１４】このような帯電によって生じる色ズレなど
の画像の品位の低下を避ける方法としては、例えば特公
平７−９９６７９号公報に開示された、スペーサを微小
電流が流れる高抵抗の導電体で形成する方法がある。こ
こで開示された装置は、フェースプレートと電子源との
間に電極群を具備するもので、これらの電極は、電子線
のフォーカシング、或いは偏向を目的とする集束電極や
偏向電極などで、それぞれの目的に応じて電位を付与さ
れるものである。

【００１５】また、このような電極群を有しない画像形
成装置での一例として、本出願人による特開平５−２６
６８０７号公報に開示されている。この出願において
は、複数の電子放出素子を配置した電子源基板上の電極
や配線と、アノード電極に、導電性を有するスペーサ部
材を接続して帯電を防止するものである。

【００１６】一方、ガラス等の無機材料以外に、ポリイ
ミドなどの樹脂類によるスペーサが知られている。その
例として、『Advanced technology:flat cold-cathode
CRTs』(Information Display 1/89の17〜19頁）やＵＳ
Ｐ５，０６３，３２７において、Ivor Brodie氏は、ポ
リイミドを用いたスペーサを開示している。これは、感
光性のポリイミドをスピン法で基板に塗布し、前ベーク
した後、フォトリソグラフィ（マスク露光、現像、洗
浄）の工程を経て真空ベークを行う手法であり、最終的
に陰極基板表面に１００μｍの高さのポリイミドスペー
サを作っている。更に感光性のポリイミドを利用した例
としてＵＳＰ５，３７１，４３３等も挙げることができ
る。このＵＳＰ５，３７１，４３３には、やはりフォト
リソグラフィ（マスク露光、現像、洗浄）の工程を経て
形成された５００μｍ高さのポリイミドを２段に重ねて
１ｍｍ程度のスペーサ高さを実現している。

【００１７】また、特開平６−１６２９６８号公報に
は、多数のダクト内に発生させた２次電子をアドレスシ
ステムにより引き出し、蛍光スクリーンに衝突させるフ
ラットパネル型画像形成装置において、アドレスシステ
ムと蛍光スクリーン間に配置されたスペーサプレートの
内壁からの電子放出を避けるために、ポリイミド等の低
２次電子放出材料を被覆する例が開示されている。

【００１８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上述の従来
技術に鑑みなされた発明であって、その目的は、画像形
成装置などのように、電子放出素子を内包する容器を備
えた装置であって、その容器内に配置されるスペーサと
して、高電圧を印加し得る高アスペクト比を有するスペ
ーサを提供することにある。

【００１９】また、本発明は、沿面耐圧の高い、上記ス
ペーサを提供することにある。

【００２０】また、本発明は、帯電現象の抑制がなされ
た、上記スペーサを提供することにある。

【００２１】また、本発明は、高輝度、色純度の良い高
品位の画像を形成し得る画像形成装置を提供することに
ある。

【００２２】また、本発明は、放電の発生し難い安定な
画像形成装置を提供することにある。

【００２３】また、本発明は、上記スペーサが配置され
た画像形成装置を提供することにある。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本発明は、即ち、電子放
出素子が配置されたリアプレートと、画像形成部材を有
し、該リアプレートに対向して配置されたフェースプレ
ートと、該フェースプレートとリアプレートとの間に配
されたスペーサとを有する画像形成装置において、該ス
ペーサが、スペーサ基材を有機樹脂と炭素とで被覆する
ことで構成され、かつ、該スペーサの表面に該炭素を有
することを特徴とする画像形成装置である。

【００２５】以下に詳述されるスペーサは、電子放出素
子を用いた画像形成装置のスペーサとして用いられるの
が本発明において好ましい態様であるが、上述同様の目
的を達成しようとする場合においては、該画像形成装置
と同様に、容器内に電子放出素子を内包する装置に適用
することで、同様の効果を得ることができる。

【００２６】まず、上述の従来技術に関し、本発明者ら
が鋭意検討した結果、とりわけ、従来のスペーサ材料や
スペーサを配置した画像形成装置において、以下に述べ
るような知見を得た。（１）ガラスで形成したスペーサを有する画像形成装置
においては、沿面放電耐圧が不足し、蛍光体に高圧を印
加するには、スペーサの高さを大きくせざるをえない。

【００２７】前述した様に、ガラスで形成されたスペー
サは、十分な耐大気圧強度（圧縮強度）を有し、（ｉ）画像形成装置に配置出来るように、高アスペクト
比（スペーサの高さと断面積の比）が取れること、すな
わち、圧縮による破壊、歪み、座屈に対して強いこと；（ii）製造工程及び高真空形成工程における加熱工程に
耐えうる耐熱性を有し、表示パネルの基板、支持枠等と
の熱膨張係数の整合が取れていること；（iii）高真空を維持するために、ガス放出レートが小
さいこと；（iv）寸法の精度良く加工でき、量産性に優れること；
という要件を満足するが、絶縁耐圧については、ガラス
材料の沿面耐圧値が高々３ｋＶ／ｍｍ程度であるため、
あまり大きな電界を印加することはできない。

【００２８】したがって、例えば、ＣＲＴ用の蛍光体を
用いて１０ｋＶの加速電圧で使用する場合、沿面放電耐
圧に対するマージンを考慮すると、一般的ガラス材料を
用いる場合は、４ｍｍ以上のスペーサ高さが必要であ
る。前述した様に、前記電子放出素子として、電界放出
素子を用いた場合は、リアプレート１４１とフェースプ
レート１４２間の距離ｄを大きくした場合、電子ビーム
の収束性が悪くなり、高精細な画像を形成することが困
難となる。（２）有機樹脂で形成したスペーサを用いた画像形成装
置では、機械的強度が不足し、十分な高圧を蛍光体に印
加することが困難である。

【００２９】すなわち、ポリイミドなどの樹脂を用いた
場合において、スペーサのアスペクト比（スペーサの高
さと断面積の比）は、せいぜい５〜１０倍程度であり、
１００μｍΦ程度の断面積とすると最大でも、スペーサ
の高さは１ｍｍ程度であり、蛍光体には、最大でも、５
ｋＶの印加電圧である。

【００３０】前述のＵＳＰ５，０６３，３２７に開示さ
れた、ポリイミドを用いたスペーサをフォトリソグラフ
ィ技術で形成する技術によると、リアプレートないしフ
ェースプレートに一括して多数のスペーサを形成できる
ので、上記製造工程が煩雑になることの問題は低減され
る。しかしながら、形成できるスペーサの高さは、せい
ぜい数十〜百ミクロン程度であり、フェースプレートに
印加できる電圧は制限されてしまう。より高いスペーサ
高さを得るために、何回も工程を繰り返すことも考えら
れるが、やはり工程が煩雑となってしまう。従って、現
行のＣＲＴで用いられている性能の高い高加速蛍光体を
用い、加速電圧として、数ｋＶ〜数十ｋＶを印加するの
は困難であり、輝度、色純度等の性能の劣る低加速蛍光
体を用いなければならなく、高輝度、色純度の高い画像
形成装置ではなかった。

【００３１】また、ＵＳＰ５，３７１，４３３では、や
はりフォトリソグラフィ（マスク露光、現像、洗浄）の
工程を経て形成された５００μｍ高さのポリイミドを２
段に重ねて１ｍｍ程度のスペーサ高さを実現している
が、重ねあわせによる位置合わせの難しさに加え、上記
スペーサ高さが大きくなることによる座屈強度の低下は
避けられず、一画素毎にスペーサを配置する必要があっ
た。（３）有機樹脂で形成したスペーサをも用いた画像形成
装置では、画像形成装置の作成温度が高く、スペーサの
配置面積が必要である。

【００３２】耐大気圧支持をするために必要なスペーサ
の個数は、用いた材料の圧縮強度によって決まる。特
に、電子放出素子を用いた画像形成装置では、真空外囲
器内の圧力をできるだけ低くするため、通常２００℃〜
３００℃で数時間以上の加熱排気を行う必要がある。言
うまでもなく、スペーサには加熱排気中にも大気圧がか
かるので、２００℃〜３００℃の温度領域に置いても十
分な耐大気圧強度、すなわち圧縮強度を持たなければな
らない。

【００３３】大気圧０．０１ｋｇｆ／ｍｍ²に対し、一
般的なガラス材料の３００℃における圧縮強度（破壊限
界）は、約１０ｋｇｆ／ｍｍ²であるので、少なくとも
支持すべき面積の０．１％のスペーサ面積を必要とす
る。一方、通常のポリイミド樹脂の３００℃における圧
縮強度（歪み限界）は、２〜５ｋｇｆ／ｍｍ²程度であ
り、ガラススペーサに比べ２倍から５倍のスペーサ面積
を必要とする。更に、画像形成装置内の表示エリア内で
は、画素間の僅かな隙間にスペーサを形成しなければな
らないため、個々のスペーサの幅は小さくせざるを得な
い。そのため、スペーサのアスペクト比、すなわち、ス
ペーサ高さ／スペーサ幅は大きくなるため、座屈（折れ
曲がり）が生じ易くなり、特に剛性の小さい樹脂では、
歪み限界以下の圧縮応力で座屈してしまうことがあっ
た。従って、更に多くのスペーサを配置する必要があっ
た。

【００３４】必要なスペーサの個数が増えるとそれだけ
製造工程が煩雑になり、歩留まりの低下につながってい
た。

【００３５】更に、フォトリソグラフィを用いたスペー
サ形成工程は、リアプレートまたはフェースプレート上
で行われるために、ポリイミドの残渣がリアプレートま
たはフェースプレート上に残ったり、該工程中に、電子
放出素子にダメージを与えてしまうといった心配もあっ
た。（４）有機樹脂を用いたスペーサは、スペーサ表面が、
絶縁体で構成されたスペーサで、帯電防止のため機能が
なく、特に、蛍光体に高電圧を印加する画像形成装置で
は、スペーサ表面が帯電し、電子ビームに影響し、放電
等を起こす問題がある。

【００３６】ポリイミドなどの樹脂類は、優れた絶縁耐
圧を有し、沿面放電耐圧が高いが、以下の問題がある。
すなわち、冷陰極電子放出素子から放出された電子は、
図１５を参照して、フェースプレート１４２に向かって
広がるため、近接して置かれたスペーサの表面に電子の
一部が直接照射したり、加速電圧が高い場合、フェース
プレート１４２上のメタルバック（不図示）によって、
照射した電子の一部が反射され、スペーサ表面に入射す
る場合がある。仮に、有機樹脂で形成されたスペーサを
用いたとすると、その結果、スペーサ表面から２次電子
が放出され、その部分が帯電することになる。外部から
の電子衝突によるスペーサ表面の帯電は、沿面放電耐圧
を著しく減少させたり、表面の電位が変動してその近傍
の電界が歪み、電子源からの放出電子の軌道に影響を与
える。

【００３７】放出電子の軌道が曲げられた場合、電子源
から放出された電子の飛行距離、すなわちリアプレート
１４１とフェースプレート１４２間の距離ｄが大きいほ
ど、フェースプレート１４２上の電子の到達位置のズレ
が大きくなる。したがって、高さの高いスペーサを用い
た場合、フェースプレート１４２上の所望の位置に到達
しなくなり、３色の蛍光体を用いていたらの色ズレなど
の画像の品位が低下する現象が生じる。（５）導電性を付与したスペーサにおいても、帯電現象
が発生する問題があった。また、導電性の付与の際、真
空製膜法が主体であり、安価でなかった。また、特に導
電性材料として、金属、金属酸化物を用いた時、導電性
の制御が問題であった。

【００３８】上述した様なスペーサに電子が入射した場
合、帯電現象を発生するのは、導電性材料の２次電子放
出係数も重要となるが、金属酸化物、金属においても、
２次電子放出係数は、１と比べ大きい場合もあり、１に
近い材料が必要である。また、金属、金属酸化物は、導
電率が高く、高抵抗な表面抵抗の制御が困難であった。

【００３９】本発明は、以上の知見に基づきなされたも
のである。以下に、本発明の好ましい態様を例に挙げ、
本発明について詳述する。

【００４０】すなわち、（ＡＡ）本発明の画像形成装置
は、電子放出素子が配置されたリアプレートと、画像形
成部材を有し、該リアプレートに対向して配置されたフ
ェースプレートと、該フェースプレートとリアプレート
との間に配されたスペーサとを有する画像形成装置にお
いて、該スペーサが、スペーサ基材を有機樹脂と炭素と
で被覆することで構成され、かつ、該スペーサの表面に
該炭素を有することを特徴とする画像形成装置である。

【００４１】（Ａ）上記本発明の画像形成装置の第１の
構成例は、上記炭素が炭素粉末として分散された有機樹
脂層が、スペーサ基材を被覆したスペーサを有する画像
形成装置である。

【００４２】前記炭素粉末が前記スペーサ基材を被覆す
る前記有機樹脂の表面上に配置されているか、前記炭素
粉末の一部が前記スペーサ基材を被覆する前記有機樹脂
の表面に露出している形態がとられ、カーボンブラッ
ク、グラファイト、或いはそれらの混合物からなる前記
炭素粉末が前記有機樹脂に対して数ｗｔ％以上数十ｗｔ
％以下含有されていることが、好ましい。また、前記ス
ペーサのシート抵抗が１０⁹Ω／□以上１０¹²Ω／□以
下である。

【００４３】（Ｂ）上記本発明の画像形成装置の第２の
構成例は、前記炭素が炭素層として、前記スペーサ基材
を被覆する有機樹脂表面を被覆したスペーサを有する画
像形成装置である。

【００４４】前記炭素層が前記有機樹脂の熱分解ポリマ
ー層或いは、前記有機樹脂表面上に形成された点状凹部
に配置されたグラファイト、アモルファスカーボン、或
いはそれらの混合物からなる炭素微粒子を有する層であ
る。

【００４５】また、別な構造例としては、前記炭素層が
前記スペーサ基材を被覆する有機樹脂表面の一部を被覆
した構造や前記炭素と有機樹脂とがそれぞれ帯状に前記
スペーサ基材を被覆した構造であり、好ましくは、前記
炭素層が帯状に複数形成された構造である。前記帯状の
炭素層と前記有機樹脂は凹凸を形成した構造であり、前
記有機樹脂の凸部間のピッチをＰとし、前記炭素層の帯
の前記プレート平面に対して略垂直方向の幅を１とする
時、１≧Ｐ／２に示される関係式を満たし、前記スペー
サ基材を被覆する有機樹脂の凹部の深さｔがｔ≧０．２
１に示される関係式を満たし、凹部に形成される炭素層
の厚みが、１００ｎｍ以上であることが、更に好まし
い。

【００４６】前記炭素層はＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏの鉄族等の
触媒性金属を含んでも良い。

【００４７】更に、前記スペーサ基材を被覆する有機樹
脂の凸部表面上にグラファイト、アモルファスカーボ
ン、或いはそれらの混合物からなる炭素微粒子を有する
のが、更に、好ましい形態である。また、前記スペーサ
表面のシート抵抗が１０⁹Ω／□以上１０¹²Ω／□以下
である。

【００４８】（Ｃ）上記本発明の画像形成装置の第１、
第２の構成例においては、前記有機樹脂は、ポリイミド
樹脂或いはポリベンゾイミダゾール樹脂のいずれかであ
ることが好ましく、前記ポリイミド樹脂は、全芳香族ポ
リイミドであることが更に好ましく用いられる。また、（Ｄ）前記スペーサ基材は、ガラスからなる部材やポリ
イミド樹脂或いはポリベンゾイミダゾール樹脂等の有機
樹脂にガラス、アルミナ、ボロン、炭素、セラミック系
ウイスカーの少なくとも一つ以上の繊維状フィラーを分
散したもので、前記フィラーが前記有機樹脂に対して１
ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下含有したものが好ましくは用
いられる。

【００４９】（Ｅ）本発明の画像形成装置においては、
前記スペーサの前記フェースプレートおよび／または前
記リアプレート側の当接部にコンタクト層が配されてお
り、前記コンタクト層が前記炭素であり、前記コンタク
ト層がスペーサ側面に形成された前記炭素層と電気的に
接続していることが更に好ましい。

【００５０】前記スペーサが前記フェースプレートに形
成されたアノード及び／或いは前記リアプレートに形成
された駆動配線に接合してなることが好ましく、前記接
合が炭素粉末を混合した樹脂で構成される接着部材によ
り行われることが好ましい。

【００５１】（Ｆ）本発明の画像形成装置においては、
前記電子放出素子が電界放出素子或いは表面伝導型電子
放出素子等の冷陰極である。

【００５２】（ＢＢ）本発明の画像形成装置の第３の構
成例は、電子放出素子が配置されたリアプレートと、画
像形成部材を有し、該リアプレートに対向して配置され
たフェースプレートと、該フェースプレートとリアプレ
ートとの間に配されたスペーサとを有する画像形成装置
において、該スペーサが、スペーサ基材を有機樹脂で被
覆することで構成され、かつ、前記スペーサ基材は有機
樹脂にガラス、アルミナ、ボロン、炭素、セラミック系
ウイスカーの少なくとも一つ以上の繊維状フィラーを分
散してなることを特徴とする画像形成装置である。

【００５３】前記フィラーは、前記有機樹脂に対して１
ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下含有されており、前記有機樹
脂がポリイミド樹脂或いはポリベンゾイミダゾール樹脂
のいずれか好ましく用いられ、更に、前記ポリイミド樹
脂が全芳香族ポリイミドであることが好ましく用いられ
る。

【００５４】別な構成例としては、該スペーサが、スペ
ーサ基材を有機樹脂で被覆することで構成され、かつ、
前記有機樹脂は、ポリベンゾイミダゾール樹脂であるこ
とを特徴とする画像形成装置である。

【００５５】（ＣＣ）本発明の画像形成装置のスペーサ
の製造方法は、前記スペーサ基材に有機樹脂を塗布する
工程を有することを特徴とする画像形成装置のスペーサ
の製造方法である。

【００５６】前記有機樹脂を塗布する工程は、前記スペ
ーサ基体を、前記有機樹脂を含む溶液に、浸せき後、引
き上げによって塗布される工程であることが好ましく用
いられる。

【００５７】前記有機樹脂を塗布する工程は、炭素粉末
を有する有機樹脂塗布する工程である。また、前記スペ
ーサ基材に有機樹脂を塗布する工程と、前記有機樹脂を
炭素化する工程を有することを特徴とする画像形成装置
のスペーサの製造方法である。

【００５８】前記有機樹脂を炭素化する工程は、前記有
機樹脂に電子線を照射する工程や、前記スペーサ基材に
塗布された有機樹脂を加熱する工程や、光照射によって
加熱する工程であり、特には、前記有機樹脂に前記プレ
ートに対し略平行になるように帯状に電子線や光を照射
することで行われる工程である。

【００５９】また、好ましくは、前記有機樹脂を炭素化
する工程の前に、前記スペーサ基材或いは、ないしスペ
ーサ基材に塗布された有機樹脂上に、部分的に触媒性金
属層を形成する工程を有し、更に好ましくは、触媒性金
属層を形成する工程で、前記触媒性金属が、前記プレー
トに対し略平行になるように帯状に形成される。

【００６０】触媒性金属層を形成する工程は、前記触媒
性金属の有機金属化合物溶液を、前記スペーサ基材或い
は、ないしスペーサ基材に塗布された有機樹脂上に、付
与することで形成され、インクジェット法で付与され
る。

【００６１】前記スペーサのフェイスプレート及び／ま
たはリアプレート側の当接部の有機樹脂に電子線或いは
光照射する工程を有する画像形成装置のスペーサの製造
方法でもある。

【００６２】（ＤＤ）本発明の画像形成装置の製造方法
は、前記本発明の画像形成装置のスペーサの製造方法で
形成されたスペーサを前記フェースプレートに形成され
たアノード及び／或いは前記リアプレートに形成された
駆動配線に接合する工程を有する画像形成装置の製造方
法である。

【００６３】［作用・効果］以上述べた本発明の各態様
においては、以下に述べる様な作用効果を奏する。

【００６４】（ａ）電子放出素子が配置されたリアプレ
ートと、画像形成部材を有し、該リアプレートに対向し
て配置されたフェースプレートと、該フェースプレート
とリアプレートとの間に配されたスペーサとを有する画
像形成装置において、該スペーサが、スペーサ基材を有
機樹脂と炭素とで被覆することで構成され、かつ、該ス
ペーサの表面に該炭素を有する本発明の画像形成装置に
よれば、前記スペーサは、樹脂の優れた沿面耐圧特性
と、炭素の２次電子放出係数が１に近い特性をあわせも
ち、更に、スペーサ基材の高い機械強度をあわせもつの
で、その結果、スペーサの個数を増加させることなく、
１ｍｍ以上のリアプレートとフェースプレート間距離が
実現できるので、高性能かつ安価なＣＲＴ用の蛍光体を
高い加速電圧で用いることができ、その結果高輝度かつ
色純度の優れた画像形成装置が提供できる。

【００６５】上記炭素が炭素粉末として分散された有機
樹脂層が、スペーサ基材を被覆したスペーサを有する上
記本発明の画像形成装置の第１の構成例によれば、カー
ボンブラック、グラファイト、或いはそれらの混合物か
らなる前記炭素粉末の前記有機樹脂に対して含有量に応
じて、画像形成装置に最適な高抵抗のスペーサの電気特
性が達成されるので、電子線がスペーサに入射しても帯
電の抑制ができ、消費電力も抑制され、更に、高い加速
電圧が、蛍光体に印加でき、その結果更に、高輝度かつ
色純度の優れた画像形成装置が提供できる。

【００６６】（ｂ）前記炭素が炭素層として、前記スペ
ーサ基材を被覆する有機樹脂表面を被覆したスペーサを
有する本発明の画像形成装置の第２の構成例によれば、
前記炭素層が前記有機樹脂の熱分解ポリマー層或いは、
前記有機樹脂表面上に形成された点状凹部に配置された
グラファイト、アモルファスカーボン、或いはそれらの
混合物からなる炭素微粒子を有する層であるので、画像
形成装置に最適な高抵抗のスペーサの電気特性が達成さ
れ、電子線がスペーサに入射しても帯電の抑制ができ、
消費電力も抑制され、更に、高い加速電圧が、蛍光体に
印加でき、その結果更に、高輝度かつ色純度の優れた画
像形成装置が提供できる。

【００６７】また、前記炭素層が前記スペーサ基材を被
覆する有機樹脂表面の一部を被覆した構造や前記炭素と
有機樹脂とがそれぞれ帯状に前記スペーサ基材を被覆し
た構造で、前記帯状の炭素層と前記有機樹脂は凹凸を形
成した別な構造例によれば、炭素層と有機樹脂で凹凸を
形成しているために、凹凸の形状による沿面距離の増加
と、凹部に入射した電子の２次電子の再捕獲により、帯
電の抑制がなされ、更に、沿面耐圧が増加する。帯電の
防止、円面放電耐圧の向上がなされるので、好ましく
は、有機樹脂の凸面に点状凹部の形態や熱分解ポリマー
の高抵抗層を形成される。また、凹部を構成する炭素層
は、高い導電性であるので、等電位に保たれ、スペーサ
の表面電位にばらつきを抑制する。その結果更に、高輝
度かつ色純度の優れた画像形成装置が提供できる。

【００６８】（ｃ）前記有機樹脂が、ポリイミド樹脂或
いはポリベンゾイミダゾール樹脂である上記本発明の画
像形成装置の第１、第２の構成例によれば、画像形成装
置を構成する容器内の高真空の雰囲気も実現でき、か
つ、上述の高い沿面耐圧を提供できる。また、（ｄ）前記スペーサ基材が、ポリイミド樹脂或いはポリ
ベンゾイミダゾール樹脂等の有機樹脂にガラス、アルミ
ナ、ボロン、炭素、セラミック系ウイスカーの少なくと
も一つ以上の繊維状フィラーを分散した前記本発明の画
像形成装置の第１、第２の構成例によれば、種々の形態
で、機械強度に優れた高アスペクト比のスペーサを有す
る画像形成装置を提供できるので、スペースの個数も減
少でき、安価で、高輝度かつ色純度の優れた画像形成装
置が提供できる。

【００６９】（ｅ）前記スペーサの前記フェースプレー
トおよび／または前記リアプレート側の当接部に炭素材
料からなるコンタクト層が配されて、更に、好ましい形
態として、前記コンタクト層がスペーサ側面に形成され
た前記炭素層と電気的に接続している本発明の画像形成
装置によれば、スペーサの高抵抗膜とリアプレート及び
フェイスプレートの電極或いは配線等と低抵抗のオーミ
ックコンタクトを形成するために、コンタクト層での電
位降下が少ないために、電子放出素子から放出された電
子ビームに影響を与えることがないので、蛍光体面での
電子ビームの位置ずれの抑制された高品位な画像を提供
する。前記スペーサとリアプレート、フェイスプレート
間の接合及び接続を、炭素粉末を混合した樹脂で構成さ
れる接着部材によれば、スペーサのコンタクト層同一材
料の炭素で行われるので、更に、低抵抗のオーミックコ
ンタクトが実現される。

【００７０】（ｆ）前記電子放出素子が電界放出素子或
いは表面伝導型電子放出素子等の冷陰極である本発明の
画像形成装置においては、冷陰極電子放出素子の高速応
答性や広い動作温度範囲によって、高品位で信頼性の高
い画像形成装置が提供できる。

【００７１】（ｇ）電子放出素子が配置されたリアプレ
ートと、画像形成部材を有し、該リアプレートに対向し
て配置されたフェースプレートと、該フェースプレート
とリアプレートとの間に配されたスペーサとを有する画
像形成装置において、該スペーサが、スペーサ基材を有
機樹脂で被覆することで構成され、かつ、前記スペーサ
基材が、ポリイミド樹脂或いはポリベンゾイミダゾール
樹脂等の有機樹脂に、ガラス、アルミナ、ボロン、炭
素、セラミック系ウイスカーの少なくとも一つ以上の繊
維状フィラーを分散してなるスペーサを有する本発明の
画像形成装置の第３の構成例によれば、種々の形態で、
機械強度に優れた高アスペクト比のスペーサを有する画
像形成装置を提供できるので、安価で、画像形成装置を
構成する容器内の高真空の雰囲気も実現でき、高精細な
画像形成装置が提供できる。

【００７２】（ｈ）該スペーサが、スペーサ基材を有機
樹脂で被覆することで構成され、かつ、前記有機樹脂
は、ポリベンゾイミダゾール樹脂である別な構成例によ
れば、画像形成装置を構成する容器内の高真空の雰囲気
も実現できる。

【００７３】（ｉ）本発明の画像形成装置のスペーサの
製造方法によれば、前記スペーサ基材に有機樹脂を塗布
する工程を有するこの画像形成装置のスペーサの製造方
法であるので、容易に、有機樹脂層の膜厚を調整でき、
更に、前記有機樹脂を塗布する工程が、前記スペーサ基
体を、前記有機樹脂を含む溶液に、浸せき後、引き上げ
によって塗布される工程であるので、膜厚の調整がで
き、更に、複数回行うことで、更に、沿面距離を調整す
るのに最適な大きな膜厚が形成できる。また、スペーサ
基材のスペーサのフェイスプレート及び／またはリアプ
レート側の当接部にも容易に有機樹脂が塗布できるため
に、後述するコンタクト層の形成にも有利である。

【００７４】前記有機樹脂を塗布する工程は、炭素粉末
を有する有機樹脂を塗布する工程であるので、絶縁性の
有機樹脂に導電性の炭素粉末の含有量によって、画像形
成装置に最適な高抵抗のスペーサが形成できる。

【００７５】また、前記スペーサ基材に有機樹脂を塗布
する工程と前記有機樹脂を炭素化する工程を有すること
を特徴とする画像形成装置のスペーサの製造方法である
ので、あらたに、真空製膜等によって、高抵抗膜を形成
するものではないので、安価に画像形成装置に最適な高
抵抗のスペーサが形成できる。

【００７６】前記有機樹脂を炭素化する工程は、前記有
機樹脂に電子線を照射する工程であるので、電子線の照
射密度、時間で炭素層の抵抗率が自在に制御できる。前
記スペーサ基材に塗布された有機樹脂を加熱する工程や
光照射によって加熱する工程であるので、加熱時間、温
度、光量等で、炭素層の抵抗率が自在に制御できる。ま
た、特には、前記有機樹脂に前記プレートに対し略平行
になるように帯状に電子線や光を照射することで行われ
る工程であるので、有機樹脂層を選択的に導電性が制御
できる。

【００７７】また、好ましくは、前記有機樹脂を炭素化
する工程の前に、前記スペーサ基材或いは／乃至スペー
サ基材に塗布された有機樹脂上に、部分的に触媒性金属
層を形成する工程を有しているので、前記炭素化工程の
温度が低温化されたり、触媒の金属の配置された形状
で、選択的炭素化を行うことができる。更に好ましく
は、触媒性金属層を形成する工程が、前記触媒性金属
が、前記プレートに対し略平行になるように帯状に形成
されるので、帯状の炭素層と有機層からなるスペーサが
形成でき、沿面距離が増加するために、沿面放電耐圧が
増加する。

【００７８】触媒性金属層を形成する工程は、前記触媒
性金属の有機金属化合物溶液を、前記スペーサ基材或い
は、ないしスペーサ基材に塗布された有機樹脂上に、付
与することで形成されるので、真空製膜法によらず、塗
布法で行われるために、安価に形成できる。とりわけ、
インクジェット法で付与された場合には、上記炭素層を
任意の形態で制御性よく形成できる。

【００７９】前記スペーサのフェイスプレート及び／ま
たはリアプレート側の当接部の有機樹脂に電子線或いは
光照射する工程を有する画像形成装置のスペーサの製造
方法でもあるので、金属層等のコンタクト層を新たに形
成せずとも、安価でコンタクト抵抗の低いコンタクト層
が形成できる。

【００８０】本発明の画像形成装置の製造方法は、前記
本発明の画像形成装置のスペーサの製造方法で形成され
たスペーサを前記フェースプレートに形成されたアノー
ド及び／或いは前記リアプレートに形成された駆動配線
に接合する工程を有する画像形成装置の製造方法である
ので、高輝度で高品位な画像形成装置を、安価に提供で
きる。

【００８１】

【発明の実施の形態】次に本発明の好ましい実施形態
を、図面を参照しつつ詳細に説明する。

【００８２】図１、図２は、本発明のスペーサを利用し
た画像形成装置の構成を示す模式図であり、図２は、図
１におけるＡ−Ａ′断面図である。尚、簡略化のため２
行２列の素子をマトリクス配置した。

【００８３】図１、図２において、１は電子源基板であ
るリアプレート、２は陽極基板であるフェースプレー
ト、３は支持枠（フェースプレートおよびリアプレート
とで気密容器を構成する）、４はリアプレート１の基体
である基板、５は電子放出素子、６ａおよび６ｂは電子
放出素子５に電圧を印加するための電極、７ａ（信号電
極）及び７ｂ（走査電極）はそれぞれ電極６ａ，６ｂに
接続されている電極配線、８はフェースプレート２の基
体である透明基板、９は透明電極、１０は蛍光体、１１
はスペーサである。

【００８４】スペーサ１１は、有機樹脂と無機材料との
複合した材質からなる。

【００８５】本発明のスペーサ１１の構成を、図３、図
４、図５、図６を用いて説明する。

【００８６】図３は、本発明に好適な第１の構成のスペ
ーサ１１の水平断面図である。ここで、３１はスペーサ
基材、３２は表面コート層である。なお、表面コート層
３２とは、本発明において、該スペーサが、スペーサ基
材を有機樹脂と炭素とで被覆することで構成され、か
つ、該スペーサの表面に該炭素を有する層の略称であ
る。スペーサ基材３１は、主に、耐大気圧支持を目的と
し、表面コート層３２は、主に、スペーサ基材３１の低
い沿面耐圧値を改善するために沿面耐圧の向上を目的と
して構成されている。詳しくは後述するが、表面コート
層３２として導電性を付与した樹脂を用いると、更に表
面電位を安定化することができる。

【００８７】好適なスペーサ基材３１の材質の一例とし
ては、従来技術で述べたガラス材料が挙げられる。

【００８８】スペーサ基材３１のサイズ、形状は、言う
までもなく、ほぼスペーサ１１のサイズ、形状である。

【００８９】スペーサ基材３１の高さは、前述したＣＲ
Ｔ用高加速蛍光体を使用する場合、印加電圧Ｖａ＝数ｋ
Ｖから数１０ｋＶに対して、数百μｍから数ｍｍ程度に
設定する。より好ましくは、１ｍｍから４ｍｍ程度であ
る。

【００９０】なお、前述の低加速蛍光体を用いる場合
は、例えばＶａ＝５００Ｖに対して１００μｍ程度とし
て用いることもできる。

【００９１】スペーサ基材３１の底面のサイズ、形状
は、特に表示部での設置可能場所、すなわち、画素配列
や素子ピッチによって決まる画素間領域の大きさ、形
状、更にはパネル内の真空排気時のコンダクタンス等の
設計要項に応じて適宜決定される。

【００９２】即ち、図１、図２、図３に示した平板状の
スペーサ形状の他にも、円柱、四角柱、円柱を積層した
構造のものや井桁状等の形状のスペーサを複数配置した
構造を用いることができる。

【００９３】好適なスペーサ基材３１の材質の別の一例
としては、樹脂にガラス等の無機の繊維状フィラーを分
散させた材質を用いることができる。母材となる樹脂と
しては、耐熱性に優れたものが好適である。

【００９４】樹脂材料は一般に、加工性、量産性に優
れ、安価であることが好ましい。しかしながら、室温か
ら３００℃程度以上までの温度範囲で高い機械強度を有
するものは得にくい。

【００９５】そこで本発明においては、耐熱性の高く真
空デバイスの動作雰囲気を低下させないポリベンゾイミ
ダゾール樹脂或いはポリイミド樹脂に、無機の繊維状フ
ィラーを分散させて、複合体の機械的特性を大幅に向上
させたものを用いる。

【００９６】一般的な繊維状フィラーの充填効果とし
て、引張り強度の増大、弾性率の増大、曲げ強さ
の増大、寸法安定性の向上、クリープ特性の向上、
反りの改善、耐摩耗性、耐熱性（熱硬化、熱変
形、線膨張係数など）の向上、耐衝撃性の向上などが
あるが、本発明におけるスペーサ基材としての用途にお
いては、曲げ強さの増大、寸法安定性の向上、耐
熱性（熱硬化、熱変形、線膨張係数など）の向上が目的
である。

【００９７】フィラーの種類には、汎用：ガラス繊
維、超高強度：炭素繊維、アルミナ繊維、ボロン繊
維、セラミックス系ウィスカー（単結晶針状化学物
質）：炭化ケイ素、窒化ケイ素等、その他（鉱物系繊
維状フィラー）：β−ウォラストナイト（無水ケイ酸カ
ルシウム）、ゾノトライト等があげられるが、本発明に
おけるスペーサ基材としての用途においては、特にスペ
ーサ基材としての樹脂の強度向上と、樹脂とフェースプ
レート、リアプレート、支持枠を構成するガラス材料と
の熱膨張係数をあわせるのが好ましいため、ガラス繊
維、炭素繊維、炭化ケイ素ウィスカーが特に好ましい。

【００９８】なお、フィラーの繊維長は数μｍ〜数十μ
ｍのものが好ましい。また、フィラー含有率は、補強効
率の飽和する５０ｗｔ％を上限として、強度、熱膨張係
数により１０ｗｔ％から５０ｗｔ％、好ましくは２０ｗ
ｔ％から４０ｗｔ％として用いる。

【００９９】これら針状フィラーをポリイミドまたはポ
リベンゾイミダゾール樹脂に分散させたものから作成さ
れたスペーサは、高耐熱性で高強度のものとなり、ガス
放出を抑えるために必要な３００℃、１０時間程度の真
空ベーキングでも耐え得る十分な強度を保持することが
できる。

【０１００】また、本構成のスペーサ基材は樹脂を主成
分とするため、射出成型法、圧縮成型法、注型法等のモ
ールド法を用いて成型することもできるので、図１，図
２，図３に示した平板上のスペーサ形状の他にも、円
柱、四角柱、円柱を積層したものや井桁上の形状のスペ
ーサを複数配した構造を用いることができる。図１３
（ａ）〜（ｂ）に示すような自立型スペーサを容易に構
成することができる。ここで自立型スペーサとは、板
状、棒状を一次元と考えた場合、平面方向に２次元状の
形態で、固定等を行わなくとも、それ自身で配設できる
スペーサの形態を意味する。また、図１３（ａ）（ｂ）
のように基板上の電子放出素子及び電子ビームにスペー
サが影響しないように、ジグザクに曲げた形状でもよ
く、前述した表示部での画素間領域の大きさ、形状等に
よって設計することができる。むろん、本発明は、これ
らの構造に限られるものではない。

【０１０１】表１に、射出成型可能なポリイミド樹脂、
ポリベンゾイミダゾール樹脂、単独と、本発明に好適な
フィラー入りポリイミド樹脂、フィラー入りポリベンゾ
イミダゾール樹脂、の熱変形温度と熱膨張率を比較した
例を示す。表中、繊維状フィラーの含有率は全て３０ｗ
ｔ％である。

【０１０２】

【表１】表面コート層３２の材料は、沿面耐圧が高く、コーティ
ングし易い等の製造上の利点があることから有機樹脂が
用いられる。特に、大気中、および真空中での熱工程に
耐えられ、ガス放出の少ないことから、ポリベンゾイミ
ダゾール樹脂或いはポリイミド樹脂が選ばれる。ポリイ
ミド樹脂については、全芳香族ポリイミドが耐熱性に優
れるため好ましく用いられる。

【０１０３】なお、表面コート層自体には、特に機械的
な強度は必要とされないので、本発明における耐熱性は
熱変形温度、ガラス転移点等では規定されず、大気中で
の燃焼温度、或いは真空中での分解温度で規定する。上
記のポリベンゾイミダゾール樹脂及び全芳香族ポリイミ
ド樹脂は燃焼温度、分解温度が共に５００℃を超えるた
め、好ましく用いることができる。

【０１０４】また、上記樹脂は、十分な真空ベーキン
グ、例えば、３００℃で１０時間程度のベーキングを行
うことができるため、表面コート層からのガス放出はで
きるだけ少なくすることができる。これにより、真空容
器内の圧力を低いまま保持できるとともに、表面へのガ
ス分子の吸着に起因した沿面放電を避けることができ、
沿面耐圧値を真空中の火花放電電圧と同程度とすること
ができる。

【０１０５】表２に、これらの樹脂の特性の一例を示し
た。なお、表面コート層材料としてガス透過性の小さい
ものを選択すれば、スペーサ基材としてガス放出の比較
的多い材質も用いることができるが、ポリベンゾイミダ
ゾールは、ガス透過性が極めて小さいため、ガス放出の
比較的多いスペーサ基材、たとえば、セラミック焼結基
体を用いることもできる。

【０１０６】ポリベンゾイミダゾールコート層は、ワニ
スを用いて容易にコーティングできる。ポリイミドコー
ト層を形成するためのワニスは安価で、取り扱いも簡便
であるため、本発明に好適に用いることができる。

【０１０７】また、表面コート層としてコーティングす
る樹脂の好適な膜厚としては、数ｎｍ以上の厚さがあれ
ば、本発明の効果が得られる。ただし、コート法にもよ
るが、膜厚の均一性を考慮して１０ｎｍ以上であるのが
望ましい。また、膜厚が１０μｍ程度以上になると、コ
ートした樹脂膜と基体との熱膨張係数差によるクラッキ
ングが生じたり、膜応力によるはがれが生じたりするこ
とがある。従って、樹脂の膜厚は１０ｎｍ〜１０μｍ程
度であるのが好ましく、より好ましくは膜厚の制御を考
慮すると０．１μｍ〜１０μｍである。

【０１０８】

【表２】次に、本発明に好適な第２の構成のスペーサを説明す
る。基本的には図３に示したスペーサ１１の構成を有す
る。

【０１０９】第２の構成のスペーサで用いる表面コート
層３２には、スペーサ表面の２次電子放出係数を１に近
くすると同時に、スペーサ表面に帯電が生じないように
適度な導電性を有するように、炭素フィラーを含有させ
た樹脂をコートして用いる。

【０１１０】炭素材料は、前述したように、２次電子放
出効率が１に近い導電体であるため、本発明において好
適に用いることができる。

【０１１１】表面コート層３２の母材としては、上記ポ
リベンゾイミダゾール樹脂或いはポリイミド樹脂が好適
に用いられ、含有させる炭素フィラーとしては、ファー
ネスブラック、チャンネルブラック、アセチレンブラッ
ク、サーマルブラック、ランプブラック、天然グラファ
イト粉末（粒径１００ｎｍ程度まで粉砕、分級したも
の）等を用いることができる。

【０１１２】前述したように、スペーサ表面に電子が入
射するなどの要因によりスペーサ表面の電位が不均一、
不安定であると、スペーサ１１の近傍の電子放出素子５
からの放出電子の軌道が曲がったり、揺らいだりするこ
とがある。スペーサ表面の電位の不均一化、不安定化
は、電子衝突による２次電子放出とそれによる帯電によ
って生じるため、スペーサ表面の２次電子放出係数を１
に近くしておくこと、及び帯電の生じないように適度な
導電性をスペーサ表面に付与することで回避できる。こ
の効果を得るためには、表面抵抗（シート抵抗Ｒｓ＝ρ
／ｗ：ここでρは導電性を付与した表面コート層の比抵
抗、ｗは膜厚）が１０¹²Ω／□程度以下であるのが望ま
しい。しかしながら、導電性を付与した表面コート層の
抵抗が低すぎると発熱が生じ、熱暴走電流による表面コ
ート層の破壊、消費電力の増加等の原因となる。

【０１１３】ここで、抵抗の下限は、フェースプレート
に印加する電圧等によって異なるが、１０ｋＶを印加す
る場合、Ｒｓ＝１０⁹Ω／□以上の抵抗が必要である。
従って、本発明の効果を得るためには導電性を付与した
樹脂コート層の抵抗Ｒｓを１０⁹Ω／□以上１０¹²Ω／
□以下に設定し、表面コート層の膜厚と、比抵抗を調整
して用いる。

【０１１４】樹脂に炭素フィラーを含有させる場合の表
面コート層の比抵抗調整は、樹脂中の炭素フィラーの濃
度を変化させることで実現でき、用いる樹脂、炭素粉末
の種類や粒径等によっても異なるが、樹脂中の炭素含有
比率を数重量％〜数十重量％まで変えることで、１〜１
０⁸Ωｃｍ程度の範囲で変化させることができる。例え
ば、平均粒径２９ｎｍのファーネスブラックを全芳香族
ポリイミド樹脂に１８ｗｔ％混入させることで３×１０
⁴Ωｃｍ程度の比抵抗となる。これを０．１μｍの厚さ
で形成すれば、３×１０⁹Ω／□程度のシート抵抗の表
面コート層が得られる。

【０１１５】なお、炭素フィラーを樹脂に含有させたと
きの、表面コート層の表面の形状を、図４に模式的に示
す。この図４で、３１はスペーサ基材、３２は表面コー
ト層であり、そのうち４１は分散して含有されている炭
素フィラー、４２は有機樹脂である。図４に示すよう
に、炭素フィラー４１の一部は表面コート層３２の表面
に露出しており、表面での２次電子放出効率を１に近づ
けるとともに、表面での帯電を防止する役割を果たして
いる。

【０１１６】或いは、有機樹脂特には、ポリベンゾイミ
ダゾール樹脂、ポリイミド樹脂からなる表面コート層の
少なくとも一部を炭素化させて炭素層を形成することも
できる。

【０１１７】本発明の第３の構成は、表面コート層３２
の少なくとも一部を炭素化させて炭素層を形成する場合
は、以下に述べる構成である。

【０１１８】図５は、表面コート層３２が樹脂層５１と
炭素層５２からなる、本発明に好適なスペーサ構成の部
分断面図の一例を示している。図５（ａ）は断面図であ
り、図５（ｂ）は、後述する点状凹部を形成した場合の
拡大図である。５１は樹脂層、５２は炭素層であり、５
３は不図示のリアプレート、フェースプレートの配線等
との電気的接続を行うコンタクト層、５４は点状凹部、
５５はグラファイトである。

【０１１９】樹脂層５１は、好ましくは、上述のポリベ
ンゾイミダゾール、ポリイミド樹脂が用いられるが、こ
れに限るわけでない。

【０１２０】図５（ａ），（ｂ）に示したスペーサ構成
において、前述した表面コート層３２の抵抗調整は、炭
素層５２の構成する材料及び形態を調整して行う。炭素
層５２を構成する炭素の結晶性や形態について説明す
る。ここで、炭素とは、グラファイト（いわゆるＨＯＰ
Ｇ，ＰＧ，ＧＣを包含する、ＨＯＰＧはほぼ完全なグラ
ファイトの結晶構造、ＰＧは結晶粒が２０ｎｍ程度で結
晶構造がやや乱れたもの、ＧＣは結晶粒が２ｎｍ程度に
なり結晶構造の乱れが更に大きくなったものを指す。）
や、非晶質カーボン（アモルファスカーボン及び、アモ
ルファスカーボンと前記グラファイトの微結晶の混合物
を指す）や、樹脂が熱分解することで形成される導電性
の熱分解ポリマの状態をも包含する。形態とは、特に、
導電率が１０Ｓ／ｃｍ〜１０^-4Ｓ／ｃｍの導電性の高い
グラファイトで構成される場合には、前記樹脂或いは、
前記熱分解ポリマーの主表面に前記樹脂或いは、前記熱
分解ポリマーが炭化されて形成されるために、図５
（ｂ）に例示すように、炭化された部分５４が体積縮小
に伴い凹部５５となり、微粒子状で分散した形態とな
り、前記炭素を有する点状凹部となる。一方、図５
（ａ）に例示すように、導電率が低く、高抵抗の熱分解
ポリマーでは、膜状の構成である。ここでシート抵抗は
第２の構成と同様１０⁹Ω／□〜１０¹²Ω／□が好まし
い範囲である。以下、これらの形態を高抵抗層と呼ぶ。

【０１２１】また、コンタクト層５３は、フェイスプレ
ートおよびリアプレートの配線、電極とオーミックコン
タクトを行う層で、ここで、オーミックコンタクトでな
かったり、コンタクト抵抗が大きいとコンタクト層で電
位降下が起こり、電子放出素子から放出された電子ビー
ムに大きな影響を与えるために必要である。このコンタ
クト層は、炭素層からなることが、新たに金属等のコン
タクト層を形成する必要がなく、また、表面コート層と
同一材料であるのでオーミックコンタクトとなるために
好ましい。しかしながら、新たに、金属等のコンタクト
層を形成しても良い。

【０１２２】図６は、表面コート層が樹脂層と炭素層か
らなる本発明第４の構成のスペーサ１１の部分拡大図で
ある。図６（ａ）は、断面図であり、図６（ｂ）は、横
方向からみた平面図である。図６（ａ）は、沿面距離を
増加するために、表面コート層３１に凹凸を帯状に形成
し、更に、凸面上に高抵抗層を形成した場合を示してい
る。図６（ａ）において、Ｐは、帯状の凹凸面の繰り返
しピッチ、ｑは帯状の凹面の底部の幅、ｔは凹面での凸
面との厚みの差、ｔ0 は凸面の厚みである。尚、帯状の
凹面の底部の幅ｑは、凹面の傾斜部分の中点間の長さと
定義する。

【０１２３】図６において、スペーサ１１は、樹脂層５
１の凸面と樹脂層５１上に炭素層５２の凹面を有してお
り、凹凸面により沿面距離が増加している。また、凹面
の形状は、図６に示される様に、電子放出素子の電子ビ
ームが入射した場合、発生した２次電子は凹面内の炭素
層に再び入射する形状であること、及び２次電子放出係
数が１に近い材料である炭素を用いている。このため
に、実質的に、２次電子放出係数は１に近似される。帯
状の凹凸面のピッチＰと凸面の底部の長さ（凹面の底部
の幅）ｑについては、本図においては、Ｐは約２ｑであ
るが、これに限られるわけでなく、発生した２次電子の
再捕獲を考慮すると、ｑ≧Ｐ／２が好ましく用いられ
る。

【０１２４】凹面の深さｔ及び形状については、沿面距
離および２次電子の捕獲に影響を考慮し設計され、ｔ≧
０．２×ｑが好ましく、樹脂の炭素化に伴う重量ロス、
体積縮小等により決定され、材料にもよるが、炭素化に
より樹脂層の厚みは、最大で３０％程度に減少するの
で、炭素層の基体側の位置より樹脂層の表面側までを樹
脂層厚みｔ0 とおいたとき、ｔ≦０．７×ｔ0 の厚みで
ある。また、後述する様に、凹面に、電子線、光等を照
射することで、炭素を部分的に除去することで、凹面で
の凸面との厚みの差ｔは、前記ｔ≦０．７×ｔ0 の範囲
だけでなく、ｔ＜ｔ0 の範囲も可能である。尚、前記凹
凸面の形状は、電界集中し、電子放出したりすることの
ないように、鋭角がなく、なめらかな曲線的形状が好ま
しい。以上の様にして、凹凸面は、印加されるアノード
電圧Ｖａと電界強度に応じて沿面距離が設計され、凹凸
面の形状パラメーターＰ，ｑ，ｔが適宜設定される。ま
た、帯状の凹凸面の形状パラメーターＰ，ｑ，ｔは、同
一のスペーサ内で、異なってもよいし、部分的に形成さ
れても良い。

【０１２５】更に、この構成では、凸面樹脂層の表面に
も炭素層５２を形成することで高抵抗層を形成しても良
い。また、高抵抗層は、前述の図５（ａ）及び（ｂ）の
形態をとる。また、凹面の炭素層は高導電性であるの
で、凸面樹脂層の表面の炭素層５２の部分的な抵抗値の
ばらつきにより発生するスペーサ表面の電位ばらつきを
抑制し、安定な等電位をスペーサ全体に供給する役割も
同時に果たすことができる。この場合、炭素層が、上記
材料中、高導電性のグラファイト、非晶質カーボンで１
００ｎｍ以上の膜厚であれば、炭素層での電位降下は、
１０Ｖ以下で抑制され、実施例で述べる板状スペーサの
場合、１０Ｖ以下の電位降下に抑制され、炭素層で等電
位の効果が発揮できる。従って、上記の炭素層の膜厚の
下限は、１００ｎｍとなる。また、オーミックコンタク
ト層５３はスペーサ基材に設けられた帯状炭素層と接続
されることがコンタクト抵抗の形態から好ましい。

【０１２６】図７は本発明第４の構成の別の構成例であ
る。

【０１２７】図７（ａ）は、図６のスペーサ１１の有機
樹脂の多い凸面５１に凹面の底部の炭素層５２を形成し
ていない場合である。アノード電圧が極端に高くなく、
沿面耐圧が凹凸面による沿面距離の増加と２次電子の再
捕獲で十分に確保できる場合や、ｑ＞＞１／２Ｐの場合
は、必ずしも、凸面に炭素層５２を形成する必要はなく
なる。

【０１２８】図７（ｂ）は、図６のスペーサ１１の凹面
の底部とスペーサ基材３１の間に、樹脂層５１を配置し
ていない場合である。スペーサ基材３１から表面への不
純物移動、例えば、スペーサ基材にソーダライムガラス
を用いた場合のナトリウムイオン移動等が懸念される場
合、炭素層５２とスペーサ基材３１表面が直接接してい
るのは好ましくない場合がある。このような場合、図
６，図７（ａ）に示したように、樹脂層５１をスペーサ
１１の凹面の底部の炭素層５２とスペーサ基材３１の間
に配置することにより、例えば、ナトリウムイオン拡散
により炭素層５２の抵抗が設計値から大きく変動してし
まう等の問題を回避することができる。しかしながら、
スペーサ基材３１として上述のような懸念の無い場合、
例えば、無アルカリガラス、カリウム置換ガラス、等を
用いる場合、スペーサ１１の凹面とスペーサ基材３１の
間に樹脂層５１は特に必要とはならない。

【０１２９】図７（ｃ）は、図７（ｂ）の炭素層５２の
凹面の底部の表面に、触媒金属を含む炭素層５４を形成
した場合である。触媒金属層５４は、Ｎｉ，Ｃｏ，Ｆｅ
等の鉄族やＰｄ，Ｐｔの白金族の金属材料が用いられ
る。また、特に鉄族の金属が低温化の上で好ましい。こ
れら、触媒金属は、樹脂層５１を炭素化するときに、よ
り低温で炭素化するので、炭素化工程の簡素化や炭素層
５４の選択的な部分形成の機能を果たす。尚、触媒性金
属は、凹面となる有機樹脂層上に予め形成し炭素化を行
うのみならず、凸面とスペーサ基材３１の間に配置した
り、有機樹脂層に混合する等可能である。

【０１３０】次に、本発明のスペーサの製造方法につい
て、図５、図６のスペーサを例にして説明する。本発明
のスペーサの製造方法は、従来技術の様に真空製膜法を
用いず、しかも、簡単なプロセスを用いることができる
ので、低コストで、かつ放電耐圧が高く帯電しにくいス
ペーサを提供するものである。

【０１３１】本発明のスペーサの製造方法は、以下の工
程を有することに特徴がある。

【０１３２】工程−ａ）板状に切断されたスペーサ基材
３１を有機樹脂溶液５１を塗布する工程、工程−ｂ）工
程−ａ）で塗布された有機樹脂５１を硬化する工程、工
程−ｃ）工程−ｂ）で硬化した有機樹脂５１を炭素化す
る工程、工程−ａ）における板状に切断されたスペーサ
基材３１を樹脂溶液、或いは樹脂の前駆体溶液を塗布す
る工程は、スピンナーによりスペーサ基材に塗布するこ
とができるが、特には、スペーサ基材３１を、樹脂或い
は樹脂の前駆体を含む溶液に、浸せき後、引き上げによ
って塗布される工程とすることで、切断されたスペーサ
基材３１の端面等も含め、全体に塗布されるので好まし
い。また、この工程−）ａを繰り返すことや、工程−
ｂ）を終えた後、工程−）ａ、工程−ｂ）を繰り返すこ
とで、有機樹脂層５１は、所望の厚みを得ることができ
る。

【０１３３】工程−ｂ）における工程−ａ）で塗布され
た樹脂を硬化する工程は、前記樹脂溶液中の有機溶媒を
蒸発により取り除き、スペーサ基材３１に樹脂を硬化す
る工程、或いは、前記樹脂の前駆体を含む溶液中の有機
溶媒を蒸発により取り除くとともに、架橋、縮合等の化
学反応を経てスペーサ基材３１に樹脂を硬化する工程で
ある。

【０１３４】なお、本発明の適応可能なスペーサ構成の
一部は、工程−ｂ）までの工程において形成できる。以
後、表面コート層３２として炭素層５２と樹脂層５１か
らなるスペーサ構成の製造方法について説明する。

【０１３５】工程−ｃ）における工程−ｂ）で硬化した
樹脂を炭素化する工程は、電子線或いは光照射或いは、
真空中或いは不活性ガス中での加熱による。

【０１３６】真空中或いは不活性ガス中で樹脂を加熱す
ると樹脂は熱分解し、炭素化される。炭素化に伴いその
体積は、前述したように数十％以上減少する。また、こ
の際、樹脂の炭素化を低温化する効果のある触媒性金属
を予めスペーサ基材上に形成しておくか、樹脂溶媒中に
混合しておくと、触媒性金属を樹脂上に形成しておくこ
とで触媒性金属の作用により金属の周辺に選択的な炭素
化がおこる。

【０１３７】また、真空中或いは不活性ガス中で樹脂を
光照射により加熱すると樹脂は熱分解し、炭素化され
る。光源として、赤外光や可視光をランプにより照射す
るか、レーザー光を照射する。

【０１３８】真空中で電子線を樹脂層５１に照射するこ
とでも、樹脂は炭素化される。電子線の照射条件は、主
に、熱的条件によって決定されるので、電子線の電子線
密度により決定される。電子線の電子線密度が低い場合
は、樹脂が分解し、熱分解ポリマーやアモルファスカー
ボンとなり、更に電子線密度を増加すると、グラファイ
トを形成する。

【０１３９】図６、図７に示したスペーサの様に、部分
的かつ選択的に樹脂層５１の炭素化を行う場合には、ス
ペーサ基材上や有機樹脂上予め、炭素化する形状に触媒
性金属を形成しておけば、触媒金属層５４を配設した部
分に、選択的に炭素化がおこる。また、有機樹脂に触媒
性金属を予め混合しておけば、低温で炭素化が行われ
る。

【０１４０】触媒性金属の塗布方法は、プリンターで用
いられるインクジェット法が、好適に用いられる。すな
わち、インクジェットノズルより有機金属含有溶液を吐
出させ、所望のパターンに有機金属溶液をスペーサ基材
に付与させた後、熱分解により、触媒性金属の所望パタ
ーンを得ることができる。ここで、有機金属溶液とは、
有機金属錯体を溶媒に溶解したものが好適に用いられ
る。また、用いられるインクジェット法は、圧電素子を
用いたピエゾジェット法や熱的エネルギーを用いたバブ
ルジェット法が好適に用いられる。

【０１４１】また、電子線の照射による場合や光照射に
よる場合は、炭素化するパターンに従い、電子線照射や
光照射を行えば良い。更に、電子線や光を凹面に照射を
行えば、凹面内の炭素が減少し、凹面と凸面の厚みの差
ｔを増加し、更に、沿面距離が増加することができる。
また、炭素化を凹面の底部だけでなく、凸面の表面層の
有機樹脂を行う場合には、凹面と凸面に照射する電子
量、時間を設定することで行える。

【０１４２】上記炭素化工程は、スペーサ基材の端面に
形成された有機樹脂を炭素化することでオーミックコン
タクト層の形成にも用いられる。

【０１４３】上述した本発明の製造方法は、単独で行っ
ても良く、また、組み合わせることができる。

【０１４４】図１に示すように、リアプレート１は、多
数の電子放出素子が基板４上に配列された電子源基板で
ある。基板４としては、石英ガラス、青板ガラス、Ｎａ
等の不純物含有量を軽減したガラス、青板ガラスにＳｉ
Ｏ₂を積層したガラス基板、アルミナ等のセラミック
ス、及びＳｉ基板等を用いることができるが、特に大画
面表示パネルを構成する場合、青板ガラス、カリウムガ
ラス、青板ガラスに液相成長法、ゾル−ゲル法、スパッ
タ法等によりＳｉＯ₂を積層したガラス基板等が、比較
的低コストであり、好ましく用いることができる。

【０１４５】電子放出素子５として、ここでは、表面伝
導型電子放出素子を用いている。

【０１４６】本発明は、表面伝導型電子放出素子以外に
も、電界放出型電子放出素子や金属／絶縁体／金属型電
子放出素子、ダイアモンド型電子放出素子等にも好適に
用いることができる。

【０１４７】図８は、図１、図２の画像形成装置中で用
いられる表面伝導型電子放出素子を拡大して示した概略
図である。図８において、図１、図２に示した部位と同
じ部位には図１、図２に付した符合と同一の符合を付
し、重複する説明を省略する。図８において、８１は導
電性薄膜、８２は電子放出部、８３は配線電極７ａと配
線電極７ｂとを電気的に分離するための層間絶縁層であ
る。導電性薄膜８１には、たとえば、１ｎｍより５０ｎ
ｍの範囲の膜厚の導電性微粒子で構成された微粒子膜が
好ましく用いられる。

【０１４８】導電性薄膜８１を構成する材料として、種
々の導電体、ないし半導体を用いることができるが、特
にＰｄ，Ｐｔ，Ａｇ，Ａｕ等の貴金属元素を含む有機化
合物を加熱焼成して得られるＰｄ，Ｐｔ，Ａｇ，Ａｕ，
ＰｄＯ等が好ましく用いられる。

【０１４９】電子放出部８２は、導電性薄膜８１の一部
に形成された高抵抗の亀裂により構成され、その内部に
は、導電性薄膜８１を構成する材料の元素、および炭
素、炭素化合物を含有する０．１ｎｍの数倍から数百倍
の範囲の粒径の導電性微粒子が存在する場合もある。

【０１５０】電極６ａ，６ｂとしては、一般的な導体材
料を用いることができる。これは例えばＮｉ，Ｃｒ，Ａ
ｕ，Ｍｏ，Ｗ，Ｐｔ，Ｔｉ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｐｄ等の金属
或いは合金及びＰｄ，Ａｇ，Ａｕ，ＲｕＯ₂，Ｐｄ−Ａ
ｇ等の金属或いは金属酸化物とガラス等から構成される
印刷導体、Ｉｎ₂Ｏ₃−ＳｎＯ₂等の透明導電体及びポ
リシリコン等の半導体・導体材料等から適宜選択するこ
とができる。

【０１５１】電子放出素子５の配列については、種々の
ものが採用できる。ここで説明しているのは、例えば図
９に示すように、単純マトリクス配置と称される配列
で、電子放出素子５をＸ方向及びＹ方向に行列状に複数
個配し、同じ行に配された複数の電子放出素子５の電極
の一方６ａを、Ｘ方向の配線７ａに共通に接続し、同じ
列に配された複数の電子放出素子５の電極の他方６ｂ
を、Ｙ方向の配線７ｂに共通に接続したものである。Ｘ
方向配線電極７ａ、Ｙ方向配線電極７ｂ共に真空蒸着
法、印刷法、スパッタ法等を用いて形成された導電性金
属等で構成することができる。配線の材料、膜厚、巾
は、適宜設計される。また、層間絶縁層８３は、ガラ
ス、セラミック等を真空蒸着法、印刷法、スパッタ法等
を用いて形成された絶縁体層である。

【０１５２】例えば、Ｘ方向配線７ａを形成した基板４
の全面或いは一部に所望の形状で形成され、特に、Ｘ方
向配線７ａとＹ方向配線７ｂの交差部の電位差に耐え得
るように、膜厚、材料、製法が、適宜設定される。Ｙ方
向配線７ａには、Ｘ方向に配列した電子放出素子５の行
を選択するための走査信号を印加する、不図示の走査信
号印加手段が接続される。

【０１５３】一方、Ｙ方向配線７ｂには、Ｙ方向に配列
した電子放出素子５の各列を入力信号に応じて、変調す
るための不図示の変調信号発生手段が接続される。各電
子放出素子に印加される駆動電圧は、当該素子に印加さ
れる走査信号と変調信号の差電圧として供給される。

【０１５４】上記構成においては、単純なマトリクス配
線を用いて、個別の素子を選択し、独立に駆動可能とす
ることができる。

【０１５５】このほかに、並列に配置した多数の電子放
出素子の個々を両端で接続し、電子放出素子の行を多数
個配し（行方向と呼ぶ）、この配線と直交する方向（列
方向と呼ぶ）で、該電子放出素子５の上方に配した制御
電極（グリッドとも呼ぶ）により、電子放出素子５から
の電子を制御駆動するはしご状配置のもの等があるが、
本発明は、特にこれらの配置によって限定されるもので
はない。

【０１５６】フェースプレート２は、透明基板８の表面
に透明電極９と蛍光体膜１０等を形成した陽極基板であ
る。基板８としては、透明であることは言うまでもない
が、リアプレート用基板４と同様の機械強度、熱物性を
有するものが好ましく、大画面表示パネルを構成する場
合、青板ガラス、カリウムガラス、青板ガラスに液相成
長法、ゾル−ゲル法、スパッタ法等によりＳｉＯ₂を積
層したガラス基板等が、好ましく用いることができる。

【０１５７】透明電極９には不図示の外部電源から正の
高電圧Ｖａが印加される。これにより、電子放出素子５
より放出された電子はフェースプレート２へ引きつけら
れ、加速されて蛍光体膜１０に照射される。このとき、
入射電子が、蛍光体膜１０を発光させるのに十分なエネ
ルギーをもっていれば、そこに輝点を得ることができ
る。

【０１５８】一般に、カラーＴＶ用ＣＲＴに用いられて
いる蛍光体では、数ｋＶから数１０ｋＶの加速電圧で電
子を加速して照射して良好な輝度と発色を得ている。Ｃ
ＲＴ用の蛍光体は、比較的安価でありながら非常に高い
性能を有するため、本発明においても好ましく用いるこ
とができる。

【０１５９】また、一般的な技術として、蛍光体膜１０
の表面に、不図示のメタルバックとよばれる薄いアルミ
ニウム膜を形成することがある。メタルバックを設ける
目的は、蛍光体の発光のうちリアプレート１側への光を
フェースプレート２側へ鏡面反射させることにより輝度
を向上させること、外囲器内で発生した負イオンの衝突
によるダメージから蛍光体を保護すること等であるが、
電子線加速電圧を印加するための電極として作用させる
こともでき、この場合、透明電極９は特に必要とならな
い場合がある。本発明は、いずれの場合でも用いること
ができる。

【０１６０】支持枠３は、リアプレート１及びフェース
プレート２と接続されており、外囲器を形成している。
支持枠３とリアプレート１及びフェースプレート２との
接続は、リアプレート１、フェースプレート２、支持枠
３を構成する材質にもよるが、一例としてガラスを用い
た場合、ガラスフリットを用いて融着することができ
る。

【０１６１】また、スペーサ１１とフェースプレート
２、リアプレート１への固定は、樹脂により行うことも
できる。

【０１６２】

【実施例】以下、具体的な実施例を挙げて本発明を詳し
く説明するが、本発明はこれら実施例に限定されるもの
ではなく、本発明の目的が達成される範囲内での各要素
の置換や設計変更がなされたものをも包含する。

【０１６３】［実施例１］本発明に係わる基本的な画像
形成装置の構成は、図１、図２と同様であり、全体の概
観図を図９に示した。図９中、図１、図２、図８に示し
た部位と同じ部位には同じ符合を付している。図中、９
１はメタルバックである。

【０１６４】本発明に係わる画像形成装置の製造法は、
図１０、図１１に示している。以下、図９、図１０、図
１１を用いて、本発明に係わる画像形成装置の基本的な
構成及び製造法を説明する。

【０１６５】図１０、図１１は簡便のため、一個の電子
放出素子近傍の製造工程を拡大して示しているが、本実
施例は、多数の表面伝導電子放出素子を単純マトリクス
配置した画像形成装置の例である。

【０１６６】（工程−ａ）清浄化した青板ガラス上に厚
さ５００ｎｍのＳｉＯ₂膜をスパッタ法で形成した基板
４上に、真空蒸着により厚さ５ｎｍのＣｒ、厚さ６００
ｎｍのＡｕを順次積層した後、ホトレジスト（ＡＺ１３
７０、ヘキスト社製）をスピンナーにより回転塗布、ベ
ークした後、ホトマスク像を露光、現像して、電極配線
（下配線）７ａのレジストパターンを形成し、Ａｕ／Ｃ
ｒ堆積膜をウェットエッチングして、所望の形状の下配
線７ａを形成する（図１０（ａ））。

【０１６７】（工程−ｂ）次に厚さ１．０μｍのＳｉＯ
₂膜からなる層間絶縁層８３をＲＦスパッタ法により堆
積する（図１０（ｂ））。

【０１６８】（工程−ｃ）工程ｂで堆積したＳｉＯ₂膜
にコンタクトホール１０１を形成するためのホトレジス
トパターンを作り、これをマスクとして層間絶縁層８３
をエッチングしてコンタクトホール１０１を形成する。
エッチングはＣＦ₄とＨ₂ガスを用いたＲＩＥ（Reacti
ve Ion Etching）法によった（図１０（ｃ））。

【０１６９】（工程−ｄ）その後、電極６ａ，６ｂのパ
ターンをホトレジスト（ＲＤ−２０００Ｎ−４１日立化
成社製）形成し、真空蒸着法により、厚さ５ｎｍのＴ
ｉ、厚さ１００ｎｍのＮｉを順次堆積する。ホトレジス
トパターンを有機溶剤で溶解し、Ｎｉ／Ｔｉ堆積膜をリ
フトオフし、電極６ａ，６ｂを形成する（図１０
（ｄ））。

【０１７０】以下図１１に示す。

【０１７１】（工程−ｅ）電極６ａ，６ｂの上に電極配
線（上配線）７ｂのホトレジストパターンを形成した
後、厚さ５ｎｍのＴｉ、厚さ５００ｎｍのＡｕを順次真
空蒸着により堆積し、リフトオフにより不要の部分を除
去して、所望の形状の上配線７ｂを形成する（図１１
（ｅ））。

【０１７２】（工程−ｆ）本工程に関わる電子放出素子
の導電性薄膜８１のマスクは、電極６ａ，６ｂにまたが
って開口を有するマスクであり、このマスクにより膜厚
１００ｎｍのＣｒ膜１１１を真空蒸着により堆積・パタ
ーニングし、そのうえに有機Ｐｄ（ｃｃｐ４２３０、奥
野製薬（株）社製）をスピンナーにより回転塗布、３０
０℃で１０分間の加熱焼成処理をする。また、こうして
形成された主元素としてＰｄよりなる微粒子からなる導
電性薄膜８１の膜厚は１０ｎｍ、シート抵抗値は５×１
０⁴Ω／□であった（図１１（ｆ））。

【０１７３】（工程−ｇ）Ｃｒ膜１１１及び焼成後の導
電性薄膜８１を酸エッチャントによりエッチングして所
望のパターンを形成する（図１１（ｇ））。

【０１７４】（工程−ｈ）コンタクトホール１０１部分
以外にレジストを塗布するようなパターンを形成し、真
空蒸着により厚さ５ｎｍのＴｉ、厚さ５００ｎｍのＡｕ
を順次堆積する。リフトオフにより不要の部分を除去す
ることにより、コンタクトホール１０１を埋め込む（図
１１（ｈ））。

【０１７５】以上の工程によりリアプレート１を形成す
る。

【０１７６】次に、本実施例におけるスペーサ１１の製
造について説明する。

【０１７７】（工程−ｉ）１ｍｍ（高さ）×４０ｍｍ
（長さ）×０．２ｍｍ（幅）に切削・研磨したガラスの
小片を清浄に洗浄した後、ポリベンゾイミダゾールワニ
ス：ＰＢＩＭＲＳｏｌｕｔｉｏｎ（東レ社製）を、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドで２倍に希釈したものを
スピンコーティングする。スピンコーティングは、まず
片面（１ｍｍ×４０ｍｍの面）にスピンコートし、ホッ
トプレート上で１００℃、１０分間のプリベークを行
い、更にもう一方の面にスピンコートした後、再度ホッ
トプレート上で１００℃、１０分間のプリベークを行
う。

【０１７８】これを、クリーンオーブン中に入れて、室
温から２００℃まで昇温し、２００℃で３０分保持した
後、更に３００℃に昇温し、１時間保持して、キュアを
行う。こうして得られたポリベンゾイミダゾール樹脂の
膜厚は約１μｍであった。

【０１７９】（工程−ｊ）リアプレート１の上配線７ｂ
上のスペーサを配置する位置に、ＰＢＩＭＲＳｏｌｕ
ｔｉｏｎをディスペンサーを用いて塗布し、そこに、
（工程−ｉ）により作製されたスペーサ１１を仮固定す
る。このとき、不図示の治具を用い、スペーサ１１が略
垂直に保持できるようにした。スペーサを仮固定したま
ま、ホットプレート上で１００℃、１０分間のプリベー
クを行い、スペーサ保持治具を撤去した後、クリーンオ
ーブン中で、室温から２００℃まで昇温し、２００℃で
３０分保持した後、更に３００℃に昇温し、１時間保持
して、キュアを行う。これにより、リアプレート１上の
所望の位置にスペーサ１１を固定することができる。

【０１８０】なお、フェースプレート２上に、接着剤な
どによって、スペーサを配置、固定することも考えられ
る。

【０１８１】（工程−ｋ）以上のようにして、多数のス
ペーサ１１を固定したリアプレート１に、支持枠３を配
置する。このとき、リアプレート１と支持枠３の接合部
にはあらかじめフリットガラスを塗布してある。フェー
スプレート２（ガラス基板８の内面に蛍光膜１０とメタ
ルバック９１が形成されて構成される）は、支持枠３及
びスペーサ１１を介して配置するが、フェースプレート
２と支持枠３の接合部、及びスペーサ１１との接合部に
は、あらかじめフリットガラス、ＰＢＩＭＲＳｏｌ
ｕｔｉｏｎをそれぞれ塗布しておく。

【０１８２】リアプレート１、支持枠３、フェースプレ
ート２を張り合わせたものを、はじめ、大気中で１００
℃で１０分間保持し、２００℃まで昇温し、２００℃で
３０分保持した後、更に３００℃に昇温し、１時間保持
して、更に、４００℃まで昇温し、１０分間焼成するこ
とで封着する（図９）。

【０１８３】なお、蛍光体膜１０は、モノクロームの場
合は蛍光体のみから成るが、本実施例では蛍光体はスト
ライプ形状を採用し、先にブラックストライプを形成
し、その間隙部に各色蛍光体を塗布したものを用いる。
ブラックストライプの材料としては通常良く用いられて
いる黒鉛を主成分とする材料を用いている。ガラス基板
８に蛍光体を塗布する方法はスラリー法を用いた。

【０１８４】また、蛍光体膜１０の内面側のメタルバッ
ク９１は、蛍光体膜１０の作製後、蛍光体膜１０の内面
側表面の平滑化処理（通常、フィルミングと呼ばれる）
を行い、その後、Ａｌを真空蒸着することで作製してい
る。

【０１８５】フェースプレート２には、更に蛍光体膜１
０の導伝性を高めるため、蛍光体膜１０の外面側に透明
電極が設けられる場合もあるが、本実施例では、メタル
バック９１のみで十分な導電性が得られたので省略し
た。

【０１８６】前述の封着を行う際、カラーの場合は各色
蛍光体と電子放出素子とを対応させなくてはいけないた
め、十分な位置合わせを行った。

【０１８７】以上のようにして完成したガラス容器内の
雰囲気を排気管（図示せず）を通じ真空ポンプにて排気
し、十分な真空度に達した後、容器外端子Ｄxol ないし
Ｄoxm と、Ｄyl ないしＤoyn を通じ電子放出素子５の
電極６ａ，６ｂ間に電圧を印加し、導電性薄膜８１をフ
ォーミング処理することにより亀裂を形成する。更に、
パネルの排気管よりトルエンをスローリークバルブを通
してパネル内に導入し、１．０×１０^-5ｔｏｒｒの雰囲
気下で全ての電子放出素子５を駆動し、活性化処理を行
う。ここで、活性化処理とは、前記亀裂に炭素を形成
し、著しく放出電流（電子）が増加させる工程であり、
これにより電子放出部８２が形成される。

【０１８８】次に１０^-8ｔｏｒｒ程度の真空度まで排気
し、不図示の排気管をガスバーナーで熱することで溶着
し、外囲器の封止を行う。

【０１８９】最後に封止後の真空度を維持するために、
高周波加熱法でゲッター処理を行う。

【０１９０】以上のように完成した本実施例の画像表示
装置において、各電子放出素子５には、容器外端子Ｄx1
ないしＤxm，ＤylないしＤynを通じ、走査信号及び変調
信号を不図示の信号発生手段よりそれぞれ印加すること
により電子放出させ、高圧端子Ｈｖを通じてメタルバッ
ク９１に高電圧Ｖａを印加し、電子ビームを加速し、蛍
光体膜１０に衝突させ、励起・発光させることで画像を
表示することができる。

【０１９１】本実施例の画像形成装置においては、高電
圧Ｖａを７ｋＶまで上げたが、放電やリーク電流等は観
測されず、高輝度で色表現の良い画像が安定に得られ
た。また、本実施例の画像形成装置においては、スペー
サ製造工程が簡略であり、比較的低コストで画像形成装
置を構成することができた。

【０１９２】［実施例２］本実施例では、（工程−ｈ）
まで、第１の実施例と同様の工程を行った。

【０１９３】（工程−ｉ）本実施例では、１ｍｍ（高
さ）×４０ｍｍ（長さ）×０．２ｍｍ（幅）に切削・研
磨したガラスの小片を清浄に洗浄した後、全芳香族ポリ
イミドワニス：トレニース＃３０００（東レ社製）を、
Ｎ−メチル−２−ピロリドンで２倍に希釈したものをス
ピンコーティングする。スピンコーティングは、まず片
面（１ｍｍ×４０ｍｍの面）にスピンコートし、ホット
プレート上で１００℃、１０分間のプリベークを行い、
更にもう一方の面にスピンコートした後、再度ホットプ
レート上で１００℃、１０分間のプリベークを行う。こ
れを、クリーンオーブン中に入れて、室温から３００℃
まで昇温し、３００℃で１時間保持して、キュアを行
う。こうして得られたポリイミド樹脂の膜厚は約１μｍ
であった。

【０１９４】（工程−ｊ）リアプレート１の上配線７ｂ
上のスペーサを配置する位置に、トレニース＃３０００
をディスペンサーを用いて塗布し、そこに、（工程−
ｉ）により作製されたスペーサ１１を仮固定する。この
とき、不図示の治具を用い、スペーサ１１が略垂直に保
持できるようにした。スペーサを仮固定したまま、ホッ
トプレート上で１００℃、１０分間のプリベークを行
い、スペーサ保持治具を撤去した後、クリーンオーブン
中で、室温から３００℃まで昇温し、３００℃で１時間
保持してキュアを行う。

【０１９５】これにより、リアプレート１上の所望の位
置にスペーサ１１を固定することができる。

【０１９６】（工程−ｋ）以上のようにして多数のスペ
ーサ１１を固定したリアプレート１に、支持枠３を配置
する。このとき、リアプレート１と支持枠３の接合部に
はあらかじめフリットガラスを塗布してある。フェース
プレート２（ガラス基板８の内面に蛍光体膜１０とメタ
ルバック９１が形成されて構成される）は、支持枠３及
びスペーサ１１を介して配置するが、フェースプレート
２と支持枠３の接合部、及びスペーサ１１との接合部に
は、あらかじめフリットガラス、トレニース＃３０００
をそれぞれ塗布しておく。

【０１９７】リアプレート１、支持枠３、フェースプレ
ート２を張り合わせたものを、はじめ、大気中で１００
℃で１０分間保持し、その後、３００℃まで昇温し、３
００℃で１時間保持して、更に４００℃まで昇温し、１
０分間焼成することで封着する。封着を行う際、カラー
の場合は各色蛍光体と電子放出素子とを対応させなくて
はいけないため、十分な位置合わせを行った。

【０１９８】以上のようにして完成したガラス容器内の
雰囲気を排気管を通じ真空ポンプにて排気し、十分な真
空度に達した後、実施例１と同様の手法でフォーミング
処理、活性化処理を行う。

【０１９９】次に排気、封止した後、高周波加熱法でゲ
ッター処理を行う。

【０２００】以上のように完成した本発明の画像表示装
置において、実施例１と同様、電子ビームを蛍光膜に衝
突させ、励起・発光させることで画像を表示することが
できる。

【０２０１】本実施例の画像形成装置においては、高電
圧Ｖａを７ｋＶまで上げたが、放電やリーク電流等は観
測されず、高輝度で色表現の良い画像が安定に得られ
た。また、本実施例の画像形成装置においては、スペー
サ製造工程が簡略であり、より低コストで画像形成装置
を構成することができた。

【０２０２】［比較例１］本比較例では、（工程−ｈ）
まで、第１の実施例と同様の工程を行った。

【０２０３】（工程−ｉ）リアプレート１の上配線７ｂ
上のスペーサを配置する位置に、フリットガラスをディ
スペンサーを用いて塗布し、そこに、１ｍｍ（高さ）×
４０ｍｍ（長さ）×０．２ｍｍ（幅）に切削・研磨した
ガラススペーサ１１（スペーサ基材そのもので、樹脂コ
ートなし）を仮固定する。このとき、不図示の治具を用
い、スペーサ１１が略垂直に保持できるようにした。ス
ペーサを仮固定したまま、大気中で４００℃で１０分間
焼成した。

【０２０４】（工程ｊ）多数のスペーサ１１を固定した
リアプレート１に、支持枠３を配置する。このとき、リ
アプレート１と支持枠３の接合部にはあらかじめフリッ
トガラスを塗布してある。フェースプレート２（ガラス
基板８の内面に蛍光体膜１０とメタルバック９１が形成
されて構成される）は、支持枠３及びスペーサ１１を介
して配置するが、フェースプレート２と支持枠３の接合
部、及びスペーサ１１との接合部には、あらかじめフリ
ットガラスを塗布しておく。

【０２０５】リアプレート１、支持枠３、フェースプレ
ート２を張り合わせたものを、大気中で４００℃で１０
分間焼成することで封着する。封着を行う際、カラーの
場合は各色蛍光体と電子放出素子とを対応させなくては
いけないため、十分な位置合わせを行った。

【０２０６】以上のようにして完成したガラス容器内の
雰囲気を排気管を通じ真空ポンプにて排気し、十分な真
空度に達した後、実施例１と同様の手法でフォーミング
処理、活性化処理を行う。

【０２０７】次に排気、封止を行った後、高周波加熱法
でゲッター処理を行う。

【０２０８】以上のように完成した画像表示装置におい
て、実施例１と同様、電子ビームを蛍光体膜１０に衝突
させ、励起・発光させることで画像を表示させた。

【０２０９】本比較例の画像形成装置においては、高電
圧Ｖａを２．２ｋＶまで上げたところ、スペーサ１１近
傍で放電が観測されたので、高電圧Ｖａを２ｋＶまで下
げて画像を評価したところ、輝度が低く、色表現も十分
ではなかった。

【０２１０】［実施例３］本実施例では、（工程−ｈ）
まで、第１の実施例と同様の工程を行った。

【０２１１】（工程−ｉ）本実施例では、清浄に洗浄し
た０．２ｍｍφ直径の円柱状ガラスロッドを全芳香族ポ
リイミドワニス：トレニース＃３０００（東レ社製）を
Ｎ−メチル−２−ピロリドンで５倍に希釈した溶液中に
浸し、引き上げることでディップコーティングする。引
き上げたガラスロッドをクリーンオーブン中で１００
℃、１０分間のプリベークを行い、その後、クリーンオ
ーブン中に入れて、室温から３００℃まで昇温し、３０
０℃で１時間保持して、キュアを行う。こうして得られ
たポリイミド樹脂の膜厚は約１μｍであった。

【０２１２】こうして表面にポリイミド樹脂をコートし
たガラスロッドを１ｍｍの長さに切断し、多数の円柱状
のスペーサ１１を作製した。

【０２１３】（工程−ｊ）リアプレート１の上配線７ｂ
上のスペーサを配置する位置に、トレニース＃３０００
をディスペンサーを用いて塗布し、そこに、（工程−
ｉ）により作製されたスペーサ１１を仮固定する。この
とき、不図示の治具を用い、スペーサ１１が略垂直に保
持できるようにした。スペーサを仮固定したまま、ホッ
トプレート上で１００℃、１０分間のプリベークを行
い、スペーサ保持治具を撤去した後、クリーンオーブン
中で、室温から３００℃まで昇温し、３００℃で１時間
保持して、キュアを行う。

【０２１４】これにより、リアプレート１上の所望の位
置にスペーサ１１を固定することができる。

【０２１５】（工程−ｋ）以上のようにして多数のスペ
ーサ１１を固定したリアプレート１に、支持枠３を配置
する。このとき、リアプレート１と支持枠３の接合部に
はあらかじめフリットガラスを塗布してある。フェース
プレート２（ガラス基板８の内面に蛍光体膜１０とメタ
ルバック９１が形成されて構成される）は支持枠３及び
スペーサ１１を介して配置するが、フェースプレート２
と支持枠３の接合部、及びスペーサ１１との接合部に
は、あらかじめフリットガラス、トレニース＃３０００
をそれぞれ塗布しておく。

【０２１６】リアプレート１、支持枠３、フェースプレ
ート２を張り合わせたものを、はじめ、大気中で１００
℃で１０分間保持し、その後、３００℃まで昇温し、３
００℃で１時間保持して、更に４００℃まで昇温し、１
０分間焼成することで封着する。封着を行う際、カラー
の場合は各色蛍光体と電子放出素子とを対応させなくて
はいけないため、十分な位置合わせを行った。

【０２１７】以上のようにして完成したガラス容器内の
雰囲気を排気管を通じ真空ポンプにて排気し、十分な真
空度に達した後、実施例１と同様の手法でフォーミング
処理、活性化処理を行う。

【０２１８】次に排気、封止した後、高周波加熱法でゲ
ッター処理を行う。

【０２１９】以上のように完成した本発明の画像表示装
置において、実施例１と同様、電子ビームを蛍光体膜１
０に衝突させ、励起・発光させることで画像を表示する
ことができる。

【０２２０】本実施例の画像形成装置においては、高電
圧Ｖａを７ｋＶまで上げたが、放電やリーク電流等は観
測されず、高輝度で色表現の良い画像が安定に得られ
た。また、本実施例の画像形成装置においては、スペー
サ製造工程が簡略であり、より低コストで画像形成装置
を構成することができた。

【０２２１】［実施例４］本実施例では、（工程−ｈ）
まで、第１の実施例と同様の工程を行った。

【０２２２】（工程−ｉ）４ｍｍ（高さ）×４０ｍｍ
（長さ）×０．２ｍｍ（幅）に切削・研磨したガラスの
小片を清浄に洗浄した後、全芳香族ポリイミドワニス：
トレニース＃３０００（東レ社製）を、Ｎ−メチル−２
−ピロリドンで２０倍に希釈したものに、平均粒度２９
ｎｍのカーボンブラック（ファーネスブラック）をトレ
ニース＃３０００の樹脂濃度に対し１８ｗｔ％混入させ
たものをスピンコーティングする。スピンコーティング
は、まず片面（４ｍｍ×４０ｍｍの面）にスピンコート
し、ホットプレート上で１００℃、１０分間のプリベー
クを行い、更にもう一方の面にスピンコートした後、再
度ホットプレート上で１００℃、１０分間のプリベーク
を行う。これを、クリーンオーブン中に入れて、室温か
ら３００℃まで昇温し、３００℃で１時間保持して、キ
ュアを行う。こうして得られたカーボン含有ポリイミド
樹脂の膜厚は約０．１μｍであった。また、スペーサ表
面のシート抵抗Ｒｓを測定したところ、３×１０⁹Ωで
あった。

【０２２３】（工程−ｊ）リアプレート１の上配線７ｂ
上のスペーサを配置する位置に、粒度２９ｎｍのカーボ
ン粉（ファーネスブラック）をトレニース＃３０００の
樹脂濃度に対し３０ｗｔ％混入させたものをディスペン
サーを用いて塗布し、そこに、工程−ｉにより作製され
たスペーサ１１を仮固定する。このとき、不図示の治具
を用い、スペーサ１１が略垂直に保持できるようにし
た。スペーサを仮固定したまま、ホットプレート上で１
００℃、１０分間のプリベークを行い、スペーサ保持治
具を撤去した後、クリーンオーブン中で、室温から３０
０℃まで昇温し、３００℃で１時間保持して、キュアを
行う。これにより、リアプレート１上の所望の位置にス
ペーサ１１を固定することができる。

【０２２４】（工程−ｋ）以上のようにして多数のスペ
ーサ１１を固定したリアプレート１に、支持枠３を配置
する。このとき、リアプレート１と支持枠３の接合部に
はあらかじめフリットガラスを塗布してある。フェース
プレート２（ガラス基板８の内面に蛍光膜１０とメタル
バック９１が形成されて構成される）は、支持枠３及び
スペーサ１１を介して配置するが、フェースプレート２
と支持枠３の接合部、及びスペーサ１１との接合部に
は、あらかじめフリットガラス、粒度２９ｎｍのカーボ
ン粉（ファーネスブラック）をトレニース＃３０００の
樹脂濃度に対し３０ｗｔ％混入させたものをそれぞれ塗
布しておく。リアプレート１、支持枠３、フェースプレ
ート２を張り合わせたものを、はじめ、大気中で１００
℃で１０分間保持し、その後、３００℃まで昇温し、３
００℃で１時間保持して、更に４００℃まで昇温し、１
０分間焼成することで封着する。封着を行う際、カラー
の場合は各色蛍光体と電子放出素子とを対応させなくて
はいけないため、十分な位置合わせを行った。

【０２２５】以上のようにして完成したガラス容器内の
雰囲気を排気管を通じ真空ポンプにて排気し、十分な真
空度に達した後、実施例１と同様の手法でフォーミング
処理、活性化処理を行う。

【０２２６】次に排気、封止した後、高周波加熱法でゲ
ッター処理を行う。

【０２２７】以上のように完成した本発明の画像表示装
置において、実施例１と同様、電子ビームを蛍光体膜１
０に衝突させ、励起・発光させることで画像を表示する
ことができる。

【０２２８】本実施例の画像形成装置においては、高電
圧Ｖａを１５ｋＶまで上げたが、放電やリーク電流等は
観測されず、極めて高輝度で色表現の良い画像が安定に
得られた。また、本実施例の画像形成装置においては、
スペーサ製造工程が簡略であり、比較的低コストで画像
形成装置を構成することができた。

【０２２９】［実施例５］本実施例では、（工程−ｈ）
まで、第１の実施例と同様の工程を行った。

【０２３０】（工程−ｉ）本実施例では、４ｍｍ（高
さ）×４０ｍｍ（長さ）×０．２ｍｍ（幅）に切削・研
磨したガラスの小片を清浄に洗浄した後、ポリベンゾイ
ミダゾールワニス：ＰＢＩＭＲＳｏｌｕｔｉｏｎ
（東レ社製）を、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミドで２倍
に希釈したものに、粒度１００ｎｍの天然グラファイト
粉末をＰＢＩＭＲＳｏｌｕｔｉｏｎの樹脂濃度に対し
２０ｗｔ％混入させたものをスピンコーティングする。
スピンコーティングは、まず片面（４ｍｍ×４０ｍｍの
面）にスピンコートし、ホットプレート上で１００℃、
１０分間のプリベークを行い、更にもう一方の面にスピ
ンコートした後、再度ホットプレート上で１００℃、１
０分間のプリベークを行う。これを、クリーンオーブン
中に入れて、室温から２００℃まで昇温し、２００℃で
３０分保持した後、更に３００℃に昇温し、１時間保持
して、キュアを行う。こうして得られたグラファイト含
有ポリベンゾイミダゾール樹脂の膜厚は約１μｍであ
り、スペーサ表面のシート抵抗Ｒｓを測定したところ、
１×１０¹⁰Ωであった。

【０２３１】（工程−ｊ）リアプレート１の上配線７ｂ
上のスペーサを配置する位置に、粒度１００ｎｍの天然
グラファイト粉末をＰＢＩＭＲＳｏｌｕｔｉｏｎの
樹脂濃度に対し３０ｗｔ％混入させたものをディスペン
サーを用いて塗布し、そこに、工程−ｉにより作製され
たスペーサ１１を仮固定する。このとき、不図示の治具
を用い、スペーサ１１が略垂直に保持できるようにし
た。スペーサを仮固定したまま、ホットプレート上で１
００℃、１０分間のプリベークを行い、スペーサ保持治
具を撤去した後、クリーンオーブン中で、室温から２０
０℃まで昇温し、２００℃で３０分保持した後、更に３
００℃に昇温し、１時間保持して、キュアを行う。これ
により、リアプレート１上の所望の位置にスペーサ１１
を固定することができる。

【０２３２】（工程−ｋ）以上のようにして多数のスペ
ーサ１１を固定したリアプレート１に、支持枠３を配置
する。このとき、リアプレート１と支持枠３の接合部に
はあらかじめフリットガラスを塗布してある。フェース
プレート２（ガラス基板８の内面に蛍光膜１０とメタル
バック９１が形成されて構成される）は支持枠３及びス
ペーサ１１を介して配置するが、フェースプレート２と
支持枠３の接合部、及びスペーサ１１との接合部には、
あらかじめフリットガラス、粒度１００ｎｍの天然グラ
ファイト粉末をＰＢＩＭＲＳｏｌｕｔｉｏｎの樹脂
濃度に対し３０ｗｔ％混入させたものをそれぞれ塗布し
ておく。リアプレート１、支持枠３、フェースプレート
２を張り合わせたものを、はじめ、大気中で１００℃で
１０分間保持し、２００℃まで昇温し、２００℃で３０
分間保持した後、更に３００℃に昇温し、１時間保持し
て、更に、４００℃まで昇温し、１０分間焼成すること
で封着する。封着を行う際、カラーの場合は各色蛍光体
と電子放出素子とを対応させなくてはいけないため、十
分な位置合わせを行った。

【０２３３】以上のようにして完成したガラス容器内の
雰囲気を排気管を通じ真空ポンプにて排気し、十分な真
空度に達した後、実施例１と同様の手法でフォーミング
処理、活性化処理を行う。

【０２３４】次に排気、封止を行った後、高周波加熱法
でゲッター処理を行う。

【０２３５】以上のように完成した本発明の画像表示装
置において、実施例１と同様、電子ビームを蛍光体膜１
０に衝突させ、励起・発光させることで画像を表示する
ことができる。

【０２３６】本実施例の画像形成装置においては、高電
圧Ｖａを２０ｋＶまで上げたが、放電やリーク電流等は
観測されず、極めて高輝度で色表現の良い画像が安定に
得られた。また、本実施例の画像形成装置においては、
スペーサ製造工程が簡略であり、比較的低コストで画像
形成装置を構成することができた。

【０２３７】［比較例２］本比較例では、（工程−ｈ）
まで、第１の実施例と同様の工程を行った。

【０２３８】（工程−ｉ）リアプレート１の上配線７ｂ
上のスペーサを配置する位置に、フリットガラスをディ
スペンサーを用いて塗布し、そこに、４ｍｍ（高さ）×
４０ｍｍ（長さ）×０．２ｍｍ（幅）に切削・研磨した
ガラススペーサ１１（スペーサ基材そのもので、樹脂コ
ートなし）を仮固定する。このとき、不図示の治具を用
い、スペーサ１１が略垂直に保持できるようにした。ス
ペーサを仮固定したまま、大気中で４００℃で１０分間
焼成した。

【０２３９】（工程ｊ）多数のスペーサ１１を固定した
リアプレート１に、支持枠３を配置する。このとき、リ
アプレート１と支持枠３の接合部にはあらかじめフリッ
トガラスを塗布してある。フェースプレート２（ガラス
基板８の内面に蛍光膜１０とメタルパック９１が形成さ
れて構成される）は支持枠３及びスペーサ１１を介して
配置するが、フェースプレート２と支持枠３の接合部、
及びスペーサ１１との接合部には、あらかじめフリット
ガラスを塗布しておく。

【０２４０】リアプレート１、支持枠３、フェースプレ
ート２を張り合わせたものを、大気中で４００℃で１０
分間焼成することで封着する。封着を行う際、カラーの
場合は各色蛍光体と電子放出素子とを対応させなくては
いけないため、十分な位置合わせを行った。

【０２４１】以上のようにして完成したガラス容器内の
雰囲気を排気管を通じ真空ポンプにて排気し、十分な真
空度に達した後、実施例１と同様の手法でフォーミング
処理、活性化処理を行う。

【０２４２】次に排気、封止を行った後、高周波加熱法
でゲッター処理を行う。

【０２４３】以上のように完成した画像表示装置におい
て、実施例１と同様、電子ビームを蛍光膜に衝突させ、
励起・発光させることで画像を表示させた。

【０２４４】本比較例の画像形成装置においては、高電
圧Ｖａを８ｋＶまで上げたところ、放電やリーク電流等
は観測されず、高輝度で色表現の良い画像が得られた。
しかしながら、数分のうちにスペーサ近傍の画像が乱
れ、安定した表示は行えなかった。

【０２４５】また、高電圧Ｖａを徐々に上げていったと
ころ、１２ｋＶ程度で放電が観測され、スペーサ近傍の
画像が突然暗くなった。

【０２４６】［実施例６］本実施例では、（工程−ｈ）
まで、第１の実施例と同様の工程を行った。

【０２４７】（工程−ｉ）次に、ガラス繊維強化ポリイ
ミド樹脂（商品名：ＡＵＲＵＭＪＧＮ３０３０、三井
東圧化学製）を、射出成型法により、１ｍｍ（高さ）×
４０ｍｍ（長さ）×０．２ｍｍ（幅）に加工したものを
スペーサ１１とし、クリーンオーブン中に入れ、３００
℃で１時間加熱して脱ガス処理を行った。

【０２４８】（工程−ｊ）リアプレート１の上配線７ｂ
上のスペーサ１１を配置する位置に、全芳香族ポリイミ
ドワニス（トレニース＃３０００、東レ社製）をディス
ペンサを用いて塗布し、そこに（工程−ｉ）により作製
されたスペーサ１１を仮固定する。この時、不図示の治
具を用い、スペーサ１１が略垂直に保持できるようにし
た。スペーサ１１を仮固定したまま、ホットプレート上
で１００℃、１０分間のプリベークを行い、スペーサ保
持治具を撤去した後、クリーンオーブン中で、室温から
３００℃まで昇温し、３００℃で１時間保持して、脱ガ
ス処理を行った。これにより、リアプレート１上の所望
の位置にスペーサ１１を固定することができた。

【０２４９】（工程−ｋ）以上のようにして多数のスペ
ーサ１１を固定したリアプレート１に、支持枠３を配置
した。この時、リアプレート１と支持枠３の接合部には
あらかじめフリットガラスを塗布してある。フェースプ
レート２（ガラス基板８の内面に蛍光膜１０とメタルバ
ック９１が形成されて構成される）は、支持枠３及びス
ペーサ１１を介して配置するが、フェースプレート２と
支持枠３の接合部、及びスペーサ１１との接合部には、
あらかじめフリットガラスを塗布しておく。リアプレー
ト１、支持枠３、フェースプレート２を張り合わせたも
のを、初め大気中で１００℃で１０分間保持し、その後
３００℃まで昇温し、３００℃で１時間保持して、更に
４００℃まで昇温し、１０分間焼成することで封着し
た。封着を行う際、カラーの場合は各色蛍光体と電子放
出素子とを対応させなくてはいけないため、十分な位置
合わせを行った。

【０２５０】以上のようにして完成したガラス容器内の
雰囲気を排気管を通じ真空ポンプにて排気し、十分な真
空度に達した後、実施例１と同様の手法でフォーミング
処理、活性化処理を行う。

【０２５１】次に排気、封止を行った後、高周波加熱法
でゲッター処理を行う。

【０２５２】以上のように完成した画像表示装置におい
て、実施例１と同様、電子ビームを蛍光体膜１０に衝突
させ、励起・発光させることで画像を表示させた。

【０２５３】本実施例の画像形成装置においては、高電
圧Ｖａを７ｋＶまで上げたが、放電やリーク電流等は観
測されず、高輝度で色表現の良い画像が安定に得られ
た。

【０２５４】また、本実施例の画像形成装置において
は、スペーサ製造工程が簡略であり、低コストで画像形
成装置を構成することができた。

【０２５５】［実施例７］本実施例では、（工程−ｈ）
まで、第１の実施例と同様の工程を行った。

【０２５６】（工程−ｉ）本実施例では、スペーサ材料
として、炭素繊維強化ポリイミド樹脂（商品名：ＡＵＲ
ＵＭＪＣＮ３０３０、三井東圧化学製）を用い、これ
を射出成型法により、４ｍｍ（高さ）×４０ｍｍ（長
さ）×０．２ｍｍ（幅）に加工したものをスペーサ１１
とした。これを実施例１と同様に、クリーンオーブン中
に入れ、３００℃で１時間加熱して、脱ガス処理を行っ
た。

【０２５７】（工程−ｊ）次に、このようにして作製し
たスペーサ１１を、実施例と同様にして、リアプレート
１上に固定した。

【０２５８】（工程−ｋ）以上のようにして多数のスペ
ーサ１１を固定したリアプレート１に、支持枠３を配置
した。この時、リアプレート１と支持枠３の接合部には
あらかじめフリットガラスを塗布してある。フェースプ
レート２（ガラス基板８の内面に蛍光膜１０とメタルバ
ック４１が形成されて構成される）は、支持枠３及びス
ペーサ１１を介して配置するが、フェースプレート２と
支持枠３の接合部、及びスペーサ１１との接合部には、
あらかじめフリットガラス、トレニース＃３０００をそ
れぞれ塗布しておく。リアプレート１、支持枠３、フェ
ースプレート２を張り合わせたものを、初め、大気中で
１００℃で１０分間保持し、２００℃まで昇温し、２０
０℃で３０分保持した後、更に３００℃まで昇温し、１
時間保持して、更に４００℃まで昇温し、１０分間焼成
することで封着した。封着を行う際、カラーの場合は各
色蛍光体と電子放出素子とを対応させなくてはいけない
ため、十分な位置合わせを行った。

【０２５９】以上のようにして完成したガラス容器内の
雰囲気を排気管を通じ真空ポンプにて排気し、十分な真
空度に達した後、実施例１と同様の手法でフォーミング
処理、活性化処理を行った。

【０２６０】次に、排気、封止した後、高周波加熱法で
ゲッター処理を行った。

【０２６１】以上のように完成した本発明の画像形成装
置において、実施例１と同様、電子ビームを蛍光体膜１
０に衝突させ、励起・発光させることで画像を表示する
ことができる。

【０２６２】本実施例の画像形成装置においては、高電
圧Ｖａを１５ｋＶまで上げたが、放電やリーク電流等は
観測されず、高輝度で色表現の良い画像が安定に得られ
た。

【０２６３】また、本実施例の画像形成装置において
は、スペーサ製造工程が簡略であり、低コストで画像形
成装置を構成することができた。

【０２６４】［実施例８］本実施例では、（工程−ｈ）
まで、第１の実施例と同様の工程を行った。

【０２６５】（工程−ｉ）次に、ガラス繊維強化ポリイ
ミド樹脂（商品名：ＡＵＲＵＭＪＧＮ３０３０、三井
東圧化学製）を、射出成型法により、４ｍｍ（高さ）×
４０ｍｍ（長さ）×０．２ｍｍ（幅）に加工したものを
スペーサ１１とし、クリーンオーブン中に入れ、３００
℃で１時間加熱して脱ガス処理を行った。その後、全芳
香族ポリイミドワニス：トレニース＃３０００（東レ社
製）を、Ｎ−メチル−２−ピロリドンで２０倍に希釈し
たものに、平均粒度２９ｎｍのカーボンブラック（ファ
ーネスブラック）をトレニース＃３０００の樹脂濃度に
対し１８ｗｔ％混入させたものをスピンコーティングす
る。スピンコーティングは、まず片面（４ｍｍ×４ｍｍ
の面）にスピンコートし、ホットプレート上で１００
℃、１０分間のプリベークを行い、更にもう一方の面に
スピンコートした後、再度ホットプレート上で１００
℃、１０分間のプリベークを行う。これを、クリーンオ
ーブン中に入れて、室温から３００℃まで昇温し、３０
０℃で１時間保持して、キュアを行う。こうして得られ
たカーボン含有ポリイミド樹脂の膜厚は約０．１μｍで
あった。また、スペーサ表面のシート抵抗Ｒｓを測定し
たところ、３×１０⁹Ωであった。

【０２６６】（工程−ｊ）リアプレート１の上配線７ｂ
のスペーサを配置する位置に、粒度２９ｎｍのカーボン
粉（ファーネスブラック）をトレニース＃３０００の樹
脂濃度に対し３０ｗｔ％混入させたものをディスペンサ
ーを用いて塗布し、そこに、工程−ｉにより作製された
スペーサ１１を仮固定する。この時、不図示の治具を用
い、スペーサ１１が略垂直に保持できるようにした。ス
ペーサを仮固定したまま、ホットプレート上で１００
℃、１０分間のプリベークを行い、スペーサ保持治具を
撤去した後、クリーンオーブン中で、室温から３００℃
まで昇温し、３００℃で１時間保持して、キュアを行
う。これにより、リアプレート１上の所望の位置にスペ
ーサ１１を固定することができる。

【０２６７】（工程−ｋ）以上のようにして多数のスペ
ーサ１１を固定したリアプレート１に、支持枠３を配置
した。この時、リアプレート１と支持枠３の接合部には
あらかじめフリットガラスを塗布してある。フェースプ
レート２（ガラス基板８の内面に蛍光膜１０とメタルバ
ック９１が形成されて構成される）は、支持枠３及びス
ペーサ１１を介して配置するが、フェースプレート２と
支持枠３の接合部、及びスペーサ１１との接合部には、
あらかじめフリットガラス、粒度２９ｎｍのカーボン粉
（ファーネスブラック）をトレニース＃３０００の樹脂
濃度に対し３０ｗｔ％混入させたものをそれぞれ塗布し
ておく。リアプレート１、支持枠３、フェースプレート
２を張り合わせたものを、はじめ、大気中で１００℃で
１０分間保持し、その後、３００℃まで昇温し、３００
℃で１時間保持して、更にに４００℃まで昇温し、１０
分間焼成することで封着する。封着を行う際、カラーの
場合は各色蛍光体と電子放出素子とを対応させなくては
いけないため、十分な位置合わせを行った。

【０２６８】以上のようにして完成したガラス容器内の
雰囲気を排気管を通じ真空ポンプにて排気し、十分な真
空度に達した後、実施例１と同様の手法でフォーミング
処理、活性化処理を行う。

【０２６９】次に排気、封止を行った後、高周波加熱法
でゲッター処理を行う。

【０２７０】以上のように完成した画像表示装置におい
て、実施例１と同様、電子ビームを蛍光体膜１１に衝突
させ、励起・発光させることで画像を表示させた。

【０２７１】本実施例の画像形成装置においては、高電
圧Ｖａを１５ｋＶまで上げたが、放電やリーク電流等は
観測されず、極めて高輝度で色表現の良い画像が安定に
得られた。また、本実施例の画像形成装置においては、
スペーサ製造工程が簡略であり、比較的低コストで画像
形成装置を構成することができた。

【０２７２】［実施例９］本実施例は、図５の構造のス
ペーサを形成した例である。

【０２７３】本実施例では、（工程−ｈ）まで、第１の
実施例と同様の工程を行った。

【０２７４】（工程−ｉ）本実施例では、４ｍｍ（高
さ）×４０ｍｍ（長さ）×０．２ｍｍ（幅）に切削・研
磨したガラスの小片を清浄に洗浄した後、こうして作製
されたスペーサを全芳香族ポリイミドワニス：トレニー
ス＃３０００（東レ社製）をＮ−メチル−２−ピロリド
ンで５倍に希釈したものに浸せきした後、引き上げた。
更に、１００℃、１０分間のプリベークを行い、これ
を、クリーンオーブン中に入れて、室温から３００℃ま
で昇温し、３００℃で１時間保持して、キュアを行う。
更に、５２０℃で３０分保持した。こして得られたスペ
ーサ１１はスペーサ基材上に有機樹脂が、炭素化されて
いた。最後に、スペーサ表面のシート抵抗Ｒｓを測定し
たところ、５×１０⁹Ω／□であった。また、本工程を
終えたスペーサ１１を真空チャンバーよりとりだし、そ
の断面形状を観察したところ、図５（ａ）に示される様
に、炭素層とポリイミド樹脂層が積層されたものであっ
た。ここで、炭素層の厚さは、約２７０ｎｍで、ポリイ
ミド樹脂層の厚さは、３００ｎｍであった。尚、ポリイ
ミド樹脂の初期膜厚は、６００ｎｍであった。これよ
り、ポリイミド樹脂の炭化に伴う膜厚の減少量は、１０
％であることがわかった。また、ラザフォード後方散乱
分光法で、炭素層に含まれる酸素、窒素を測定すると、
それぞれ１２％、５％であり、原材料と大幅な減少がな
く、また、ＥＳＣＡでの観察より、原材料の熱分解ポリ
マーであることがわかった。また、フェイスプレート及
びリアプレートと接続されるスペーサ１１の両端面は、
レーザー照射により更に、有機樹脂の炭化を行い、電気
的コンタクト層とした。

【０２７５】（工程−ｊ）リアプレート１の上配線７ｂ
上のスペーサを配置する位置に、粒度１００ｎｍの天然
グラファイト粉末をＰＢＩＭＲＳｏｌｕｔｉｏｎの
樹脂濃度に対し３０ｗｔ％混入させたものをディスペン
サーを用いて塗布し、そこに、工程−ｉにより作製され
たスペーサ１１を仮固定する。このとき、不図示の治具
を用い、スペーサ１１が略垂直に保持できるようにし
た。スペーサ１１を仮固定したまま、ホットプレート上
で１００℃、１０分間のプリベークを行い、スペーサ保
持治具を撤去した後、クリーンオーブン中で、室温から
２００℃まで昇温し、２００℃で３０分保持した後、更
に３００℃に昇温し、１時間保持して、キュアを行う。
これにより、リアプレート１上の所望の位置にスペーサ
１１を固定することができる。

【０２７６】（工程−ｋ）以上のようにして多数のスペ
ーサ１１を固定したリアプレート１に、支持枠３を配置
する。このとき、リアプレート１と支持枠３の接合部に
はあらかじめフリットガラスを塗布してある。フェース
プレート２（ガラス基板８の内面に蛍光体膜１０とメタ
ルバック９１が形成されて構成される）は、支持枠３及
びスペーサ１１を介して配置するが、フェースプレート
２と支持枠３の接合部、及びスペーサ１１との接合部に
は、あらかじめフリットガラス、粒度１００ｎｍの天然
グラファイト粉末をＰＢＩＭＲＳｏｌｕｔｉｏｎの
樹脂濃度に対し３０ｗｔ％混入させたものをそれぞれ塗
布しておく。リアプレート１、支持枠３、フェースプレ
ート２を張り合わせたものを、はじめ、大気中で１００
℃で１０分間保持し、２００℃まで昇温し、２００℃で
３０分保持した後、更に３００℃まで昇温し、１時間保
持して、更に、４００℃まで昇温し、１０分間焼成する
ことで封着する。封着を行う際、カラーの場合は各色蛍
光体と電子放出素子とを対応させなくてはいけないた
め、十分な位置合わせを行った。

【０２７７】以上のようにして完成したガラス容器内の
雰囲気を排気管を通じ真空ポンプにて排気し、十分な真
空度に達した後、実施例１と同様の手法でフォーミング
処理、活性化処理を行う。

【０２７８】次に排気、封止を行った後、高周波加熱法
でゲッター処理を行う。

【０２７９】以上のように完成した本発明の画像表示装
置において、実施例１と同様、電子ビームを蛍光体膜１
０に衝突させ、励起・発光させることで画像を表示する
ことができる。

【０２８０】本実施例の画像形成装置においては、高電
圧Ｖａを１７ｋＶまで上げたが、放電やスペーサの抵抗
値とアノード電圧に伴う電流値以外のリーク電流等は観
測されず、極めて高輝度で色表現の良い画像が安定に得
られた。これは、２次電子放出効率が小さい炭素を用い
たために、放電耐圧が増加及び帯電が抑制されたものと
推定される。また、本実施例の画像形成装置において
は、スペーサ製造工程が簡略であり、比較的低コストで
画像形成装置を構成することができた。

【０２８１】［実施例１０］本実施例では、（工程−
ｈ）まで、第１の実施例と同様の工程を行った。

【０２８２】次に、本実施例におけるスペーサ１１の製
造について説明する。スペーサの構造は、図５（ｂ）に
示されたスペーサ基材３１上に、炭素層５２と樹脂層５
１を積層したスペーサ１１である。但し、スペーサ基材
３１には、ガラス繊維強化ポリイミド樹脂（商品名：Ａ
ＵＲＵＭＪＧＭ３０３０、三井東圧化学製）を、射出
成型法により、４ｍｍ（高さ）×４０ｍｍ（長さ）×
０．２ｍｍ（幅）に加工したものを用いた。

【０２８３】（工程−ｉ）ガラス繊維強化ポリイミド樹
脂（商品名：ＡＵＲＵＭＪＧＭ３０３０、三井東圧化
学製）を、射出成型法により、４ｍｍ（高さ）×４０ｍ
ｍ（長さ）×０．２ｍｍ（幅）に加工したものに、全芳
香族ポリイミドワニス：トレニース＃３０００（東レ社
製）をＮ−メチル−２−ピロリドンで２倍に希釈したも
のをスピンコーティングする。スピンコーティングは、
まず片面（４ｍｍ×４０ｍｍの面）にスピンコートし、
ホットプレート上で１００℃、１０分間のプリベークを
行い、更にもう一方の面にスピンコートした後、再度ホ
ットプレート上で１００℃、１０分間のプリベークを行
う。これを、クリーンオーブン中に入れて、室温から３
００℃まで昇温し、３００℃で１時間保持して、キュア
を行う。こうして得られたポリイミド樹脂の膜厚は約１
μｍであった。更に、真空チャンバー中に、スペーサ１
１を設置し、電子銃により、電子密度１０¹⁵electrons
／ｃｍ²で５０Ｖに加速した電子線をスペーサ１１上に
積層されたポリイミド樹脂にまんべんなく照射した。最
後に、スペーサ表面のシート抵抗Ｒｓを測定したとこ
ろ、１０¹⁰Ωであった。

【０２８４】また、本工程を終えたスペーサ１１を真空
チャンバーよりとりだし、その断面形状を観察したとこ
ろ、図５（ｂ）に示される様に、スペーサ基材３１にポ
リイミド樹脂層５１とそれと炭素層５２とが積層された
ものであった。ここでの炭素層５２は、ポリイミド樹脂
５１の表面に、部分的に点状の凹部５４が形成され、グ
ラファイトの微粒子５５が分散している状態であった。
ここで、上記電子線の照射条件に先立ち、予備試験とし
て、電子線の密度、加速エネルギーをパラメータとし
て、ポリイミド樹脂の炭素化への影響を検討した。

【０２８５】それによると、電子線の加速エネルギーや
電流密度をかえると炭素層の厚みも変化することがわか
った。すなわち、電子線の加速エネルギーや電子密度を
増加すると炭素層の厚みが増加し、逆の場合は、減少し
た。ここで、高抵抗の表面抵抗を得るために、電子密度
を減少し、最表面層に導電性の炭素微粒子を形成する上
記の条件として製作した。

【０２８６】また、フェイスプレート及びリアレートと
接続されるスペーサの両端面は、レーザー照射により更
に、有機樹脂の炭化を行い、電気的コンタクト層とし
た。

【０２８７】（工程ｊ）以降の工程を実施例９と同様に
行い、画像形成装置を完成した。

【０２８８】以上のように完成した画像表示装置におい
て、実施例１と同様、電子ビームを蛍光体膜１０に衝突
させ、励起・発光させることで画像を表示させた。

【０２８９】本実施例の画像形成装置においては、高電
圧Ｖａを１７ｋＶまで上げたが、放電やスペーサ１１の
抵抗値とアノード電圧に伴う電流値以外のリーク電流等
は観測されず、極めて高輝度で色表現の良い画像が安定
に得られた。

【０２９０】［実施例１１］本実施例は、触媒性金属を
所望のパターンに形成し、選択的かつ部分的に炭素層を
形成した図７（ｃ）の構造のスペーサを形成した例であ
る。

【０２９１】本実施例では、（工程−ｈ）まで、第１の
実施例と同様の工程を行った。

【０２９２】（工程−ｉ）本実施例では、４ｍｍ（高
さ）×４０ｍｍ（長さ）×０．２ｍｍ（幅）に切削・研
磨したガラスの小片を清浄に洗浄した後、こうして作製
されたスペーサ基材をポリベンゾイミダゾールワニス：
ＰＢＩＭＲＳｏｌｕｔｉｏｎ（東レ社製）をＮ，Ｎ
−ジメチルアセトアミドで２倍に希釈したものに浸せき
した後、引き上げた。更に、加熱炉中で、１００℃、２
０分間のプリキュアを行い溶媒を取り除いた。この工程
を繰り返した。これを、窒素雰囲気のクリーンオーブン
中に入れて、室温から２００℃まで昇温し、２００℃で
３０分保持した後、３００℃に昇温し、１時間保持して
キュアを行った。

【０２９３】こうして作製されたスペーサ１１の有機樹
脂上に、ギ酸ニッケル溶液を図１８に示すインクジェッ
トのヘッドを用いるインクジェット法で、図６のピッチ
Ｐ＝７０μｍ、凹面の底面の幅ｑ＝５０μｍに対応する
様に、幅５０μｍで帯状に付与し、更に、窒素ガス中で
３５０℃、３０分間焼成し、ギ酸ニッケルを分解して帯
状のニッケル金属微粒子層をスペーサ基材３１の両面に
形成した。

【０２９４】ここで、インクジェットのヘッドの例を図
１８を参照して説明する。図において、２１はヘッド本
体であり、２２は外部配線により信号電流を印加するヒ
ーター又はピエゾ素子、２３はその流路にヒータ又はピ
エゾ素子２２で瞬時に暖められるインク流路、２４はス
ペーサ１１の有機樹脂上に、ギ酸ニッケル溶液を吐出す
るノズル、２５は上部にインクタンク有して溶液を供給
されるインク供給管である。ノズル数は限定されない
が、スペーサ１１に細かな帯状の溶液を吐出すること
で、精緻な形態を形成できる。

【０２９５】更に、赤外線加熱炉で４７０℃で３０分間
保持した。こうして得られたスペーサ１１は、ギ酸ニッ
ケルを付与したところが炭素化されており、帯状の炭素
層５２とポリベンゾイミダゾール樹脂層５１が、それぞ
れ５０μｍ、２０μｍに交互に繰り返された構成となっ
た。なお、ポリベンゾイミダゾール樹脂層の膜厚は約１
０μｍ、炭素層の厚みは、８μｍであった。また、炭素
層とスペーサ基材間には、ポリベンゾイミダゾール樹脂
がわずかに残留した。炭素層を顕微ラマン分光法で観測
すると、主として、グラファイトのピークが検出され
た。

【０２９６】（工程−ｊ）以降の工程を実施例９と同様
に行い、画像形成装置を完成した。

【０２９７】以上のように完成した画像表示装置におい
て、実施例１と同様、電子ビームを蛍光体膜１０に衝突
させ、励起・発光させることで画像を表示させた。

【０２９８】本実施例の画像形成装置においては、高電
圧Ｖａを２１ｋＶまで上げたが、放電やリーク電流等は
観測されず、極めて高輝度で色表現の良い画像が安定に
得られた。これは、凹凸層の形成により沿面距離が増加
したことに加え、凹面が炭素層となったために、２次電
子放出効率が実質的に１に近づき、放電耐圧が増加した
ものと推定される。また、ｑ＞Ｐ／２で、Ｐ＜２００μ
ｍであるので、帯電によるビーム軌道のずれも抑制され
た。また、本実施例の画像形成装置においては、スペー
サ製造工程が簡略であり、比較的低コストで画像形成装
置を構成することができた。

【０２９９】［実施例１２］本実施例は、触媒性金属を
所望のパターンに形成し、選択的かつ部分的に炭素層を
形成した図７（ｂ）の構造のスペーサを形成した例であ
る。

【０３００】本実施例では、（工程−ｈ）まで、第１の
実施例と同様の工程を行った。

【０３０１】（工程−ｉ）本実施例では、４ｍｍ（高
さ）×４０ｍｍ（長さ）×０．２ｍｍ（幅）に切削・研
磨したガラスの小片を清浄に洗浄した後、こうして作製
されたスペーサの基体上に、ギ酸ニッケル溶液を図１８
に示すインクジェットのヘッドを用いるインクジェット
法で図６のピッチＰ＝７０μｍ、凹面の底面の幅ｑ＝５
０μｍに対応する様に、幅５０μｍで帯状に付与した
後、３５０℃で窒素雰囲気中で焼成した。次に、ポリベ
ンゾイミダゾールワニス：ＰＢＩＭＲＳｏｌｕｔｉ
ｏｎ（東レ社製）をＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドで２
倍に希釈したものに浸せきした後、引き上げた。更に、
加熱炉中で、１００℃、２０分間のプリキュアを行い溶
媒を取り除いた。この工程を繰り返した。これを、窒素
雰囲気のクリーンオーブン中に入れて、室温から２００
℃まで昇温し、２００℃で３０分保持した後、３００℃
に昇温し、１時間保持してキュアを行った。こうして作
製されたスペーサの有機樹脂上に、ギ酸ニッケル溶液を
スペーサの基体上に、付与したニッケル金属微粒子に対
応する様に、幅５０μｍで帯状に付与し、更に、窒素ガ
ス中で３５０℃、３０分間焼成し、ギ酸ニッケルを分解
して帯状のニッケル金属微粒子層をスペーサ基材３１の
両面に形成した。更に赤外線加熱炉で４７０℃で３０分
間保持した。こうして得られたスペーサ１１は、ギ酸ニ
ッケルを付与したところが炭素化されており、帯状の炭
素層５２とポリベンゾイミダゾール樹脂層５１が、それ
ぞれ、５０μｍ，２０μｍに交互に繰り返された構成と
なった。なお、ポリベンゾイミダゾール樹脂層の膜厚は
約１０μｍ、炭素層の厚みは、７μｍであった。また、
炭素層５２とスペーサ基材３１間には、ポリベンゾイミ
ダゾール樹脂はなかった。

【０３０２】（工程−ｊ）以降の工程を実施例１０と同
様に行い、画像形成装置を完成した。

【０３０３】以上のように完成した画像表示装置におい
て、実施例１と同様、電子ビームを蛍光体膜１０に衝突
させ、励起・発光させることで画像を表示させた。

【０３０４】本実施例の画像形成装置においては、高電
圧Ｖａを２１ｋＶまで上げたが、放電やリーク電流等は
観測されず、極めて高輝度で色表現の良い画像が安定に
得られた。これは凹凸層の形成により沿面距離が増加し
たことに加え、凹面が炭素層となったために、２次電子
放出効率が実質的に１に近づき、放電耐圧が増加したも
のと推定される。

【０３０５】［実施例１３］本実施例は、触媒性金属を
所望のパターンに形成し、選択的かつ部分的に炭素層を
形成し、更に、樹脂層の凸面上にも炭素層を形成した図
６の構成のスペーサを形成した例である。

【０３０６】本実施例では、工程−ｉを除き、第１１の
実施例と同様の工程を行った。工程−ｉについて詳細に
説明する。

【０３０７】（工程−ｉ）本実施例では、４ｍｍ（高
さ）×４０ｍｍ（長さ）×０．２ｍｍ（幅）に切削・研
磨したガラスの小片を清浄に洗浄した後、ギ酸ニッケル
水溶液を図１８に示すインクジェットのヘッドを用いる
インクジェット法で図６のピッチＰ＝１８０μｍ、凹面
の底面の幅ｑ＝１５０μｍに対応する様に、幅１００μ
ｍで帯状に付与し、更に、窒素ガス中で３５０℃、３０
分間焼成し、ギ酸ニッケルを分解して帯状のニッケル金
属微粒子層をスペーサ基材の両面に形成した。こうして
作製されたスペーサをポリベンゾイミダゾールワニス：
ＰＢＩＭＲＳｏｌｕｔｉｏｎ（東レ社製）をＮ，Ｎ
−ジメチルアセトアミドで２倍に希釈したものに浸せき
した後、引き上げた。更に、加熱炉中で、１００℃、２
０分間のプリキュアを行い溶媒を取り除いた。この工程
を繰り返した。これを、窒素雰囲気のクリーンオーブン
中に入れて、室温から２００℃まで昇温し、２００℃で
３０分保持した後、３００℃に昇温し、１時間保持して
キュアを行い、更に、４７０℃で３０分保持した。こう
して得られた、帯状の炭素層５２とポリベンゾイミダゾ
ール樹脂層５１が、それぞれ、交互に繰り返されたスペ
ーサを実施例１０と同様に、真空チャンバー中に設置
し、電子銃により電子線密度１０¹⁵ｅｌｅｃｔｒｏｎｓ
／ｃｍ ²、加速エネルギー４０Ｖでスペーサ全面を照射
したところ、凸面のポリベンゾイミダゾール樹脂層５１
の表面も薄く炭素化が起こった。また、フェイスプレー
ト及びリアプレートと接続されるスペーサの両端面は、
Ｐｔ金属を形成し、電気的コンタクト層とした。

【０３０８】こうして得られた帯状の炭素層５２とポリ
ベンゾイミダゾール樹脂層５１が、それぞれ、８０μ
ｍ、１００μｍに交互に繰り返されたスペーサは、ポリ
ベンゾイミダゾール樹脂層の膜厚は約１０μｍ、炭素層
の厚みは、８μｍであり、実施例１２とほぼ同様であっ
た。また、スペーサ表面のシート抵抗Ｒｓを測定したと
ころ、５×１０⁹Ωであった。

【０３０９】（工程−ｊ）以降の工程を実施例９と同様
に行い、画像形成装置を完成した。

【０３１０】以上のように完成した画像表示装置におい
て、実施例１と同様、電子ビームを蛍光膜に衝突させ、
励起・発光させることで画像を表示させた。

【０３１１】本実施例の画像形成装置においては、高電
圧Ｖａを２１ｋＶまで上げたが、放電やスペーサの抵抗
値とアノード電圧に伴う電流値以外のリーク電流等は観
測されず、極めて高輝度で色表現の良い画像が安定に得
られた。これは凹凸層の形成により沿面距離が増加した
ことに加え、凹面が炭素層となったために、２次電子放
出効率が実質的に１に近づき、放電耐圧が増加したもの
と推定される。

【０３１２】［実施例１４］本実施例は、触媒性金属を
所望のパターンに形成し、選択的かつ部分的に炭素層を
形成し、更に、樹脂層の凸面上にも炭素層を形成した図
６の構造のスペーサを形成した例である。

【０３１３】本実施例では、工程−ｉを除き、第１１の
実施例と同様の工程を行った。工程−ｉについて詳細に
説明する。

【０３１４】（工程−ｉ）本実施例では、４ｍｍ（高
さ）×４０ｍｍ（長さ）×０．２ｍｍ（幅）に切削・研
磨したガラスの小片を清浄に洗浄した後、ギ酸ニッケル
溶液を図１８に示すインクジェットのヘッドを用いるイ
ンクジェット法で、図６のピッチＰ＝７０μｍ、凹面の
底部の幅ｑ＝５０μｍに対応する様に、幅５０μｍで帯
状に付与し、更に、窒素ガス中で３５０℃、３０分間焼
成し、ギ酸ニッケルを分解して帯状のニッケル金属微粒
子層をスペーサ基材の両面に形成した。こうして作製さ
れたスペーサをポリベンゾイミダゾールワニス：ＰＢＩ
ＭＲＳｏｌｕｔｉｏｎ（東レ社製）をＮ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミドで２倍に希釈したものに浸せきした
後、引き上げた。更に、加熱炉中で、１００℃、２０分
間のプリキュアを行い溶媒を取り除いた。この工程を繰
り返し、１０μｔの有機樹脂層を得た。これを、窒素雰
囲気のクリーンオーブン中に入れて、室温から２００℃
まで昇温し、２００℃で３０分保持した後、３００℃に
昇温し、１時間保持してキュアを行い、更に、４７０℃
で３０分保持した。

【０３１５】こうして得られた、帯状の炭素層５２とポ
リベンゾイミダゾール樹脂層５１が、それぞれ、交互に
繰り返されたスペーサを実施例９と同様に、真空チャン
バー中に設置し、電子銃により電子線密度１０¹⁸electr
ons／ｃｍ²、加速エネルギー５０Ｖでスペーサの炭素
層を照射した。更に、電子銃により電子線密度１Ｓ１０
¹⁴electrons／ｃｍ²、加速エネルギー４０Ｖでスペー
サの全面を照射した。また、フェイスプレート及びリア
プレート接続されるスペーサの両端面は、電子線照射に
より更に、有機樹脂の炭化を行い、電気的コンタクト層
とした。

【０３１６】こうして得られた帯状の炭素層５２とポリ
ベンゾイミダゾール樹脂層５１が、それぞれ、５０μ
ｍ、２０μｍに交互に繰り返されたスペーサ１１は、ポ
リベンゾイミダゾール樹脂層の膜厚は約１０μｍ、炭素
層の厚みは、２μｍであった。

【０３１７】また、スペーサ表面のシート抵抗Ｒｓを測
定したところ、６×１０⁹Ωであった。

【０３１８】（工程−ｊ）以降の工程を実施例９と同様
に行い、画像形成装置を完成した。

【０３１９】以上のように完成した画像表示装置におい
て、実施例１と同様、電子ビームを蛍光体膜１０に衝突
させ、励起・発光させることで画像を表示させた。

【０３２０】本実施例の画像形成装置においては、高電
圧Ｖａを２５ｋＶまで上げたが、放電やスペーサの抵抗
値とアノード電圧に伴う電流値以外のリーク電流等は観
測されず、極めて高輝度で色表現の良い画像が安定に得
られた。これは、更に、沿面距離が増加したことに加
え、凹面が炭素層となったために、２次電子放出効率が
実質的に１に近づき、放電耐圧が増加したものと推定さ
れる。

【０３２１】［実施例１５］本実施例においては、電子
放出素子は、冷陰極電子放出素子の一種である電界放出
素子を用いた。またスペーサはガラス棒を基材とした画
像形成装置である。まず、電界放出素子について図１２
（ａ）及び図１２（ｂ）を用いて説明する。図１２
（ａ）は、断面図である。図１２において、１２０１は
リアプレート、１２０２はフェイスプレート、１２０３
は陰極、１２０４はゲート電極、１２０５はゲート電極
と陰極間の絶縁層、１２０６は収束電極、１２０７はフ
ェイスプレート側１２０２の蛍光体及び陰極１２０３側
のメタルバックの２層体、１２０８は収束電極１２０６
とゲート電極１２０４間の絶縁層、１２０９は陰極配
線、１２１１はスペーサ、１２１２はスペーサ１２１１
内のスペーサ基材、１２１３は有機樹脂層、１２１４は
炭素層、１２１５はコンタクト層である。

【０３２２】図１２（ｂ）は、図１２（ａ）のリアプレ
ート１２０１の平面図である。尚、平面図では、簡略化
のために、ゲート電極１２０４と陰極１２０３間の絶縁
層１２０５、収束電極１２０６、絶縁層１２０８を省略
した。

【０３２３】陰極１２０３の先端に形成された電界放出
素子は、陰極１２０３の先端とゲート電極１２０４間に
大きな電界を印加され、陰極１２０３の先端より電子を
放出するものである。ゲート電極１２０４は、複数の陰
極からの放出電子が通過できるように、電子通過口１２
１６が設けられている。更に、ゲート電極口１２１６を
通過した電子は、収束電極１２０６によって収束され、
フェイスプレート１２０２に設けられた陽極１２０７の
電界で加速され、陰極に対応する蛍光体の絵素に衝突
し、発光表示するものである。尚、複数のゲート電極１
２０４と複数の陰極配線１２０９は、単純マトリクス状
に配置され、入力された入力信号によって、該当する陰
極が選択され、選択された陰極より電子が放出される。

【０３２４】画像形成装置の有効表示エリアの大きさ
は、縦、横比３：４で、対角１０インチである。リアプ
レート１２０１、フェイスプレート１２０２の間の間隙
は、２．０ｍｍである。

【０３２５】次に、本発明の画像形成装置の製造方法に
ついて説明する。

【０３２６】［リプレートの作成］（工程−１）青板ガラスを基板として、公知の方法によ
って、図１２の陰極、ゲート電極、配線等を作成した。
尚、陰極材料はＭｏとした。

【０３２７】（工程−２）支持枠を固定するためのフリ
ットガラスを印刷によって、所望の位置に形成した。

【０３２８】以上の工程により、リアプレート１２０１
に単純マトリクス配線した電界放出型電子放出素子を形
成した。

【０３２９】［フェイスプレートの作成］（工程−３）青板ガラス基板に透明導電体、蛍光体、黒
色導電体を印刷法により形成した。蛍光膜の内面側表面
の平滑化処理を行い、その後Ａｌを真空蒸着等を用いて
堆積させ、メタルバックを形成した。以上の工程によ
り、フェイスプレートに３原色の蛍光体をストライプ状
の配列蛍光体、を形成した。

【０３３０】［スペーサの作成］（工程−４）５０μφ、３０ｃｍのガラス棒を清浄に洗
浄した後、ギ酸ニッケル水溶液をインクジェット法で、
図６のピッチＰ＝７０μｍ、凹面の底部の幅ｑ＝５０μ
ｍに対応する様に、ガラス棒を回転しながら、幅５０μ
ｍで帯状に複数本付与し、更に、窒素ガス中で３５０
℃、３０分間焼成し、ギ酸ニッケルを分解して帯状のニ
ッケル金属微粒子層をスペーサ基材のガラス棒に形成し
た。こうして作製されたスペーサをポリベンゾイミダゾ
ールワニス：ＰＢＩＭＲＳｏｌｕｔｉｏｎ（東レ社
製）をＮ，Ｎ−ジメチルアセトアミドで２倍に希釈した
ものに浸せきした後、引き上げた。更に、加熱炉中で、
１００℃、２０分間のプリキュアを行い溶媒を取り除い
た。この工程を繰り返し、所望の有機樹脂層の厚みとし
た。これを、窒素雰囲気のクリーンオーブン中に入れ
て、室温から２００℃まで昇温し、２００℃で３０分保
持した後、３００℃に昇温し、１時間保持してキュアを
行い、更に、４７０℃で３０分保持した。

【０３３１】こうして得られた、帯状の炭素層５２とポ
リベンゾイミダゾール樹脂層５１が、それぞれ、交互に
繰り返された棒状スペーサを真空チャンバー中に設置
し、電子銃により電子線密度１０¹⁸electrons／ｃ
ｍ²、加速エネルギー５０Ｖでスペーサの炭素層を照射
した。更に、電子銃により電子線密度１０¹⁴electrons
／ｃｍ²、加速エネルギー４０Ｖでスペーサの全面を照
射した。

【０３３２】こうして得られた帯状の炭素層とポリベン
ゾイミダゾール樹脂層が、それぞれ、５０μｍ、２０μ
ｍに交互に繰り返されたスペーサ１１は、ポリベンゾイ
ミダゾール樹脂層の膜厚は１０μｍ、炭素層の厚みは、
２μｍであった。

【０３３３】次に、こうして作成されたガラス棒を２ｍ
ｍ毎に切断した。更に、また、フェイスプレート２及び
リアプレート１と接続されるスペーサ１１の両端面は、
Ｐｔ金属を形成し、電気的コンタクト層とした。

【０３３４】こうして、作成したスペーサ表面のシート
抵抗Ｒｓを測定したところ、３×１０⁹Ωであった。

【０３３５】（工程−５）次に、フェイスプレートのス
ペーサを配置する位置に、粒度２９ｎｍのカーボン粉
（ファーネスブラック）をトレニース＃３０００の樹脂
濃度に対し３０ｗｔ％混入させたものをディスペンサー
を用いて塗布し、そこに、工程−４により作製されたス
ペーサ１１を仮固定する。この時、不図示の治具を用
い、スペーサが略垂直に保持できるようにした。スペー
サ１１を仮固定したままホットプレート上で１００℃、
１０分間のプリベークを行い、スペーサ保持治具を撤去
した後、クリーンオーブン中で、室温から３００℃まで
昇温し、３００℃で１時間保持して、キュアを行う。こ
れにより、フェイスプレート上の所望の位置にスペーサ
１１を固定することができる。以上のようにして多数の
スペーサを固定したフェイスプレートに、支持枠を接着
する。

【０３３６】次にこうして作成されたスペーサ１１、及
び支持枠３の接着されたフェースプレート２とリアプレ
ート１とを加圧接着することで封着する。封着を行う
際、カラーの場合は各色蛍光体と電子放出素子とを対応
させなくてはいけないため、十分な位置合わせを行っ
た。

【０３３７】（工程−６）以上のようにして完成した容
器内の雰囲気を排気管（図示せず）を通じ真空ポンプに
て排気し、十分な真空度に達した後、２５０度で、３時
間排気しながら、ベーキングを行った。

【０３３８】（工程−７）次に、室温で、１０のマイナ
ス８乗ｔｏｒｒ程度の真空度まで、排気し、不図示の排
気管をガスバーナで熱することで溶着し外囲器の封止を
行った。

【０３３９】最後に封止後の真空度を維持するために、
高周波加熱法でゲッター処理を行った。

【０３４０】以上のように完成した画像表示装置におい
て、実施例１と同様、電子ビームを蛍光膜に衝突させ、
励起・発光させることで画像を表示させた。

【０３４１】本実施例の画像形成装置においては、高電
圧Ｖａを１３ｋＶまで上げたが、放電やスペーサの抵抗
値とアノード電圧に伴う電流値以外のリーク電流等は観
測されず、極めて高輝度で色表現の良い画像が安定に得
られた。これは、凹凸層の形成により沿面距離が増加し
たことに加え、凹面が炭素層となったために、２次電子
放出効率が実質的に１に近づき、放電耐圧が増加したも
のと推定される。

【０３４２】［実施例１６］本実施例では、実施例５，
８，１１のスペーサをスペーサの形状を変え形成したも
のである。各実施例とは、各工程の製法は、同様であ
る。

【０３４３】また、画像形成装置は、画素サイズが、
赤，青，緑の三原色を有するカラー表示のために、１５
０μｍ×３（Ｒ，Ｇ，Ｂ）×４５０μｍとして、有効画
像表示領域が、１２５ｍｍ角の画像形成装置を作成し
た。本実施例におけるスペーサ基材の大きさは、３ｍｍ
（高さ）×１４０ｍｍ（長さ）×０．１ｍｍ（幅）であ
る。

【０３４４】本実施例では、（工程−ｉ）まで、各の実
施例と同様の工程を行ったので省略する。

【０３４５】工程−ｊ以降の画像形成装置の作成を図１
６を用いて説明する。図１６は、図９の画像形成装置の
断面図である。１６１は、スペーサの接着剤、１６２
は、フリットガラスである。図１６中、図１，２，８，
９に示した同じ部位と同じ部位には同じ符号を付して、
重複する説明を省略する。１６１は、スペーサの接着
剤、１６２は、フリットガラスである。

【０３４６】（工程−ｊ）（工程−ｊ−１）（工程−ｈ）を終えたリアプレート１
の上配線７ｂ上のスペーサを配置する位置に、粒度１０
０ｎｍの天然グラファイト粉末をＰＢＩＭＲＳｏｌｕ
ｔｉｏｎの樹脂濃度に対し３０ｗｔ％混入させたものを
ディスペンサーを用いて塗布した。

【０３４７】（工程−ｊ−２）上記ＰＢＩ樹脂１６１上
に、工程−ｉにより作製されたスペーサ１１を仮固定す
る。このとき、不図示の治具を用い、スペーサ１１が略
垂直に保持できるようにした。スペーサを仮固定したま
ま、ホットプレート上で１００℃、１０分間のプリベー
クを行い、スペーサ保持治具を撤去した後、クリーンオ
ーブン中で、室温から２００℃まで昇温し、２００℃で
３０分保持したあと、更に３００℃に昇温し、１時間保
持して、キュアを行う。これにより、リアプレート１上
の所望の位置にスペーサ１１を固定することができる。

【０３４８】（工程−ｋ）（工程−ｋ−１）以上のようにして多数のスペーサ１１
を固定したリアプレート１に、支持枠３を配置する。こ
のとき、リアプレート１と支持枠３の接合部にはあらか
じめフリットガラス１６２を塗布してある。フェースプ
レート２（ガラス基板８の内面に蛍光膜１０とメタルバ
ック９１が形成されて構成される）は支持枠３及びスペ
ーサ１１を介して配置するが、フェースプレート２と支
持枠３の接合部、及びスペーサ１１との接合部には、あ
らかじめフリットガラス１６２、粒度１００ｎｍの天然
グラファイト粉末をＰＢＩＭＲＳｏｌｕｔｉｏｎの
樹脂濃度に対し３０ｗｔ％混入させたものをそれぞれ塗
布しておく。

【０３４９】（工程−ｋ−２）リアプレート１、支持枠
３、フェースプレート２を張り合わせたものを、はじ
め、大気中で１００℃で１０分間保持し、２００℃まで
昇温し、２００℃で３０分保持した後、更に３００℃に
昇温し、１時間保持して、更に、４００℃まで昇温し、
１０分間焼成することで封着する。封着を行う際、カラ
ーの場合は各色蛍光体と電子放出素子とを対応させなく
てはいけないため、十分な位置合わせを行った。

【０３５０】以上のようにして完成したガラス容器内の
雰囲気を排気管を通じ真空ポンプにて排気し、十分な真
空度に達した後、実施例１と同様の手法でフォーミング
処理、活性化処理を行う。

【０３５１】次に排気、封止を行った後、高周波加熱法
でゲッター処理を行う。

【０３５２】以上のように完成した本発明の画像表示装
置に、ＮＴＳＣ方式のテレビ信号に基づいたテレビジョ
ン表示を行う為の駆動回路の構成例について、図１７を
用いて説明する。

【０３５３】図１７において、１７１は画像表示パネ
ル、１７２は走査回路、１７３は制御回路、１７４はシ
フトレジスタである。１７５はラインメモリ、１７６は
同期信号分離回路、１７７は変調信号発生器、Ｖｘ及び
Ｖａは直流電圧源である。

【０３５４】表示パネル１７１は、端子Ｄox1 乃至Ｄox
m 、端子Ｄoy1 乃至Ｄoyn 、及び高圧端子Ｈｖを介して
外部の電気回路と接続している。端子Ｄoxl 乃至Ｄoxm
には、表示パネル内に設けられている電子源、即ち、Ｍ
行Ｎ列の行列状にマトリクス配線された表面伝導型電子
放出素子群を一行（Ｎ素子）ずつ順次駆動する為の走査
信号が印加される。

【０３５５】端子Ｄyl乃至Ｄynには、前記走査信号によ
り選択された一行の表面伝導型電子放出素子の各素子の
出力電子ビームを制御する為の変調信号が印加される。
高圧端子Ｈｖには、直流電圧源Ｖａより、例えば１０ｋ
〔Ｖ〕の直流電圧が供給されるが、これは表面伝導型電
子放出素子から放出される電子ビームに蛍光体を励起す
るのに十分なエネルギーを付与する為の加速電圧であ
る。

【０３５６】走査回路１７２について説明する。同回路
は、内部にＭ個のスイッチング素子を備えたもので（図
中、ＳｌないしＳｍで模式的に示している）ある。各ス
イッチング素子は、直流電圧源Ｖｘの出力電圧もしくは
０〔Ｖ〕（グランドレベル）のいずれか一方を選択し、
表示パネル１７１の端子Ｄox1 ないしＤoxm と電気的に
接続される。Ｓ１乃至Ｓｍの各スイッチング素子は、制
御回路１７３が出力する制御信号Ｔscanに基づいて動作
するものであり、例えばＦＥＴのようなスイッチング素
子を組み合わせることにより構成することができる。

【０３５７】直流電圧源Ｖｘは、本例の場合には表面伝
導型電子放出素子の特性（電子放出しきい値電圧）に基
づき走査されていない素子に印加される駆動電圧が電子
放出しきい値電圧以下となるような一定電圧を出力する
ように設定されている。

【０３５８】制御回路１７３は、外部より入力する画像
信号に基づいて適切な表示が行われるように各部の動作
を整合させる機能を有する。制御回路１７３は、同期信
号分離回路１７６より送られる同期信号Ｔsyncに基づい
て、各部に対してＴscan及びＴsft 及びＴmry の各制御
信号を発生する。

【０３５９】同期信号分離回路１７６は、外部から入力
されるＮＴＳＣ方式のテレビ信号から同期信号成分と輝
度信号成分と分離する為の回路で、一般的な周波数分離
（フィルター）回路等を用いて構成できる。同期信号分
離回路１７６により分離された同期信号は、垂直同期信
号と水平同期信号より成るが、ここでは説明の便宜上Ｔ
sync信号として図示した。前記テレビ信号から分離され
た画像の輝度信号成分は便宜上ＤＡＴＡ信号と表した。
該ＤＡＴＡ信号はシフトレジスタ１７４に入力される。

【０３６０】シフトレジスタ１７４は、時系列的にシリ
アルに入力される前記ＤＡＴＡ信号を、画像の１ライン
毎にシリアル／パラレル変換するためのもので、前記制
御回路１７３より送られる制御信号Ｔsft に基づいて動
作する（即ち、制御信号Ｔsft は、シフトレジスタ１７
４のシフトクロックであるということもできる。）。シ
リアル／パラレル変換された画像１ライン分（電子放出
素子Ｎ素子分の駆動データに相当）のデータは、Ｉｄ１
乃至ＩｄｎのＮ個の並列信号として前記シフトレジスタ
１７４より出力される。

【０３６１】ラインメモリ１７５は、画像１ライン分の
データを必要時間の間だけ記憶する為の記憶装置であ
り、制御回路１７３より送られる制御信号Ｔmry に従っ
て適宜Ｉｄ１乃至Ｉｄｎの内容を記憶する。記憶された
内容は、Ｉ′ｄ１乃至Ｉ′ｄｎとして出力され、変調信
号発生器１７７に入力される。

【０３６２】変調信号発生器１７７は、画像データＩ′
ｄｌ乃至Ｉ′ｄｎの各々に応じて表面伝導型電子放出素
子の各々を適切に駆動変調する為の信号源であり、その
出力信号は、端子Ｄoyl 乃至Ｄoyn を通じて表示パネル
１７１内の表面伝導型電子放出素子に印加される。

【０３６３】ここでは、パルス幅変調方式によって変調
を行った。パルス幅変調方式を実施するに際しては、変
調信号発生器１７７として、一定の波高値の電圧パルス
を発生し、入力されるデータに応じて適宜電圧パルスの
幅を変調するようなパルス幅変調方式の回路を用いるこ
とができる。

【０３６４】シフトレジスタ１７４やラインメモリ１７
５は、デジタル信号式のものもアナログ信号式のものも
採用できる。画像信号のシリアル／パラレル変換や記憶
が所定の速度で行われれば良いからである。例えば、ラ
インメモリ１７５は本例ではアナログメモリとしている
が、デジタルラインメモリとする場合にはシフトレジス
タ１７４又は同期信号分離回路１７６の前段にＡ／Ｄ変
換器を設ければよい。

【０３６５】このような駆動回路により、表示パネルの
各電子放出素子に、容器外端子Ｄoxl 乃至Ｄoxm 、Ｄoy
l 乃至Ｄoyn を介して電圧を印加することにより、電子
放出が生ずる。高圧端子Ｈｖを介してメタルバック１４
９、に高圧を印加し、電子ビームを加速する。加速され
た電子は、蛍光膜１４８に衝突し、発光が生じて画像が
形成される。

【０３６６】以上のようにして完成した本発明の画像形
成装置において、ＮＴＳＣ信号を入力したところ、いず
れの画像形成装置においても、テレビジョン画像が表示
された。本実施例では、ＮＴＳＣ信号の映像信号を用い
たが、ＰＡＬ，ＳＥＣＡＭ信号やハイビジョン信号に対
しても、高電圧で、高速な走査及びドライブによって、
高輝度の画像を得ることができる。

【０３６７】本実施例のいずれの画像形成装置において
も、高電圧Ｖａを１０ｋＶまでは、放電やリーク電流等
は観測されず、１５ｋＶで、実施例８と同様のスペーサ
を有する画像形成装置では、やや放電が発生したが、実
施例５及び１１同様のスペーサを有する画像形成装置で
は、放電やリーク電流等は観測されず、極めて高輝度で
色表現の良い画像が安定に得られた。また、帯電の影響
は観測されなかった。以上の様に、本実施例の画像形成
装置においては、スペーサ製造工程が簡略であり、比較
的低コストで画像形成装置を構成することができた。

【０３６８】

【発明の効果】以上説明した様に、本発明の画像形成装
置によれば、高輝度、色純度の高い良好な画像を長時間
にわたり保持し得る画像形成装置を提供でき、高品位な
平板型画像形成装置が提供できた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の画像形成装置の１例を示す概略構成図
である。

【図２】本発明の画像形成装置の１例を示す断面図であ
る。

【図３】本発明の画像形成装置に用いられるスペーサの
概略断面図である。

【図４】本発明の画像形成装置で用いることのできるス
ペーサの断面図である。

【図５】本発明の画像形成装置に用いられるスペーサ図
である。

【図６】本発明の画像形成装置に用いられるスペーサ図
である。

【図７】本発明の画像形成装置に用いられるスペーサ図
である。

【図８】本発明の画像形成装置で用いることのできる表
面伝導型電子放出素子の概略図である。

【図９】本発明の平面型電子線表示パネルの断面図であ
る。

【図１０】本発明の実施例で作成した表面伝導型電子放
出素子を用いた電子源の作成プロセス図である。

【図１１】本発明の実施例で作成した表面伝導型電子放
出素子を用いた電子源の作成プロセス図である。

【図１２】ａ；本発明の実施例１５の電界放出素子を用
いた画像形成装置の断面図である。ｂ；本発明の実施例
１５の電界放出素子を用いた画像形成装置のリアプレー
トの平面図である。

【図１３】本発明のスペーサを説明する図である。

【図１４】従来の画像形成装置の説明図である。

【図１５】従来の画像形成装置の説明図である。

【図１６】本発明の画像形成装置の製造方法の説明図で
ある。

【図１７】本発明の画像形成装置の一例としての駆動ブ
ロック図である。

【図１８】本発明に用いられるインクジェット方式のヘ
ッドの外観図である。

【符号の説明】

１，１４１，１２０１リアプレート２，１４２，１２０２フェイスプレート３，１４３支持枠又は外枠４，１４４電子源基板５，８２，１４５電子放出素子６素子電極７，１４６配線電極８，１４８ガラス基板９，１４９透明電極１０，１５０蛍光体膜１１，１５１，１２１１スペーサ３１，１２１２スペーサ基材３２表面コート層４１炭素粒子４２樹脂５１樹脂層５２炭素層５３オーミックコンタクト層８１導電性薄膜８３絶縁層９１メタルバック１０１コンタクトホール１１１Ｃｒ膜１６１ＰＢＩ樹脂１６２フリットガラス１７１画像表示パネル１７２走査回路１７３制御回路１７４シフトレジスタ１７５ラインメモリ１７６同期信号分離回路１７７変調信号発生器１２０１基板１２０３陰極１２０４ゲート電極１２０５絶縁層１２０６収束電極１２０７蛍光体とメタルバックの２層体１２０８絶縁層１２０９陰極配線１２１３有機樹脂層１２１４炭素層１２１５コンタクト層１２１６電子通過口

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者池田外充東京都大田区下丸子３丁目30番２号キヤノン株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】電子放出素子が配置されたリアプレート
と、画像形成部材を有し該リアプレートに対向して配置
されたフェースプレートと、該フェースプレートとリア
プレートとの間に配されたスペーサと、を有する画像形
成装置において、該スペーサがスペーサ基材を有機樹脂と炭素とで被覆さ
れ、かつ、該スペーサの表面に該炭素を有することを特
徴とする画像形成装置。
【請求項２】上記炭素が炭素粉末として上記有機樹脂
に分散されていることを特徴とする請求項１に記載の画
像形成装置。
【請求項３】前記炭素粉末が前記スペーサ基材を被覆
する前記有機樹脂の表面上に配置されていることを特徴
とする請求項２に記載の画像形成装置。
【請求項４】前記炭素粉末の一部が前記スペーサ基材
を被覆する前記有機樹脂の表面に露出していることを特
徴とする請求項２或いは請求項３に記載の画像形成装
置。
【請求項５】前記炭素粉末が前記有機樹脂に対して数
ｗｔ％以上数十ｗｔ％以下含有されていることを特徴と
する請求項２乃至請求項４のいずれかに記載の画像形成
装置。
【請求項６】上記炭素粉末がカーボンブラック、グラ
ファイト、或いはそれらの混合物からなることを特徴と
する請求項２乃至請求項５のいずれかに記載の画像形成
装置。
【請求項７】前記スペーサのシート抵抗が１０⁹Ω／
□以上１０¹²Ω／□以下であることを特徴とする請求項
２乃至請求項６のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項８】前記炭素が炭素層として、前記スペーサ
基材を被覆する有機樹脂表面を被覆してなることを特徴
とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項９】前記炭素層が前記有機樹脂の熱分解ポリ
マーであることを特徴とする請求項８に記載の画像形成
装置。
【請求項１０】前記炭素層が前記有機樹脂表面上に形
成された点状凹部に配置された炭素微粒子からなること
を特徴とする請求項８に記載の画像形成装置。
【請求項１１】前記炭素微粒子がグラファイト、アモ
ルファスカーボン、或いはそれらの混合物からなること
を特徴とする請求項１０に記載の画像形成装置。
【請求項１２】前記炭素層が前記スペーサ基材を被覆
する有機樹脂表面の一部を被覆してなることを特徴とす
る請求項８に記載の画像形成装置。
【請求項１３】前記炭素層が帯状に形成されてなるこ
とを特徴とする請求項１２に記載の画像形成装置。
【請求項１４】前記炭素層の帯が前記プレートに略平
行に複数形成されてなることを特徴とする請求項１３に
記載の画像形成装置。
【請求項１５】前記有機樹脂が前記プレートに略平行
の複数の凹凸を有しており、かつ、前記炭素層の帯が前
記有機樹脂の凹部に形成されていることを特徴とする請
求項１４に記載の画像形成装置。
【請求項１６】前記有機樹脂の凸部間のピッチをＰと
し、前記炭素層の帯の前記プレート平面に対して前記凹
部の底面の幅をｑとする時、ｑ≧Ｐ／２に示される関係
式を満たすことを特徴とする請求項１５に記載の画像形
成装置。
【請求項１７】前記スペーサ基材を被覆する有機樹脂
の凹部の深さｔがｔ≧０．２ｑ（ｑは凹部の底面の幅）
に示される関係式を満たすことを特徴とする請求項１５
又は１６に記載の画像形成装置。
【請求項１８】前記凹部に形成される炭素層の厚み
が、１００ｎｍ以上であることを特徴とする請求項１５
乃至請求項１７のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項１９】前記炭素層は触媒性金属を含むことを
特徴とする請求項１５乃至請求項１９のいずれかに記載
の画像形成装置。
【請求項２０】前記触媒性金属がＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏの
鉄族であることを特徴とする請求項１９に記載の画像形
成装置。
【請求項２１】前記スペーサ基材を被覆する有機樹脂
の凸部表面上に炭素微粒子を有することを特徴とする請
求項１５乃至請求項２０のいずれかに記載の画像形成装
置。
【請求項２２】前記炭素微粒子が前記有機樹脂の凸部
表面上に形成された点状凹部に配置された炭素微粒子か
らなることを特徴とする請求項２１に記載の画像形成装
置。
【請求項２３】前記炭素微粒子がグラファイト、アモ
ルファスカーボン、或いはそれらの混合物からなること
を特徴とする請求項２２に記載の画像形成装置。
【請求項２４】前記スペーサ表面のシート抵抗が１０
⁹Ω／□以上１０¹²Ω／□以下であることを特徴とする
請求項８乃至請求項２３のいずれかに記載の画像形成装
置。
【請求項２５】前記炭素と有機樹脂とがそれぞれ帯状
に前記スペーサ基材を被覆し、かつ、該帯が前記プレー
トに対し略垂直方向に交互に連続して形成されてなるこ
とを特徴とする請求項１に記載の画像形成装置。
【請求項２６】前記スペーサ基材を被覆する前記有機
樹脂の帯の厚みが、前記炭素の帯の厚みより大きいこと
を特徴とする請求項２５に記載の画像形成装置。
【請求項２７】前記炭素の帯の厚みが１００ｎｍ以上
であることを特徴とする請求項２６に記載の画像形成装
置。
【請求項２８】前記炭素の帯および前記有機樹脂の帯
がそれぞれ複数形成され、かつ前記炭素の帯および前記
有機樹脂帯が前記プレート平面に対し略平行に形成され
てなることを特徴とする請求項２６或いは請求項２７に
記載の画像形成装置。
【請求項２９】前記有機樹脂の帯間のピッチをＰと
し、前記炭素の帯の前記プレート平面に対して略垂直方
向の幅を１とする時、１≧Ｐ／２に示される関係式を満
たすことを特徴とする請求項２８に記載の画像形成装
置。
【請求項３０】前記炭素の帯は触媒性金属を含むこと
を特徴とする請求項２５乃至請求項２９のいずれかに記
載の画像形成装置。
【請求項３１】前記触媒性金属がＮｉ，Ｆｅ，Ｃｏの
鉄族であることを特徴とする請求項３０に記載の画像形
成装置。
【請求項３２】前記有機樹脂の帯の表面上に炭素微粒
子を有することを特徴とする請求項２５乃至請求項３１
のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項３３】前記炭素微粒子が、前記有機樹脂の帯
の表面上に形成された点状凹部に配置された炭素微粒子
からなることを特徴とする請求項３２に記載の画像形成
装置。
【請求項３４】前記炭素微粒子がグラファイト、アモ
ルファスカーボン、或いはそれらの混合物からなること
を特徴とする請求項３３に記載の画像形成装置。
【請求項３５】前記スペーサ表面のシート抵抗が１０
⁹Ω／□以上１０¹²Ω／□以下であることを特徴とする
請求項２５乃至請求項３４のいずれかに記載の画像形成
装置。
【請求項３６】前記有機樹脂がポリイミド樹脂或いは
ポリベンゾイミダゾール樹脂のいずれかであることを特
徴とする請求項１乃至請求項３５のいずれかに記載の画
像形成装置。
【請求項３７】前記ポリイミド樹脂が全芳香族ポリイ
ミドであることを特徴とする請求項３６に記載の画像形
成装置。
【請求項３８】前記スペーサ基材がガラスからなる部
材であることを特徴とする請求項１乃至請求項３７のい
ずれかに記載の画像形成装置。
【請求項３９】前記スペーサ基材は有機樹脂にガラ
ス、アルミナ、ボロン、炭素、セラミック系ウイスカー
の少なくとも一つ以上の繊維状フィラーを分散してなる
ことを特徴とする請求項１乃至請求項３６のいずれかに
記載の画像形成装置。
【請求項４０】前記フィラーが前記有機樹脂に対して
１ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下含有されていることを特徴
とする請求項３９に記載の画像形成装置。
【請求項４１】前記有機樹脂がポリイミド樹脂或いは
ポリベンゾイミダゾール樹脂のいずれかであることを特
徴とする請求項３９又は，４０のいずれかに記載の画像
形成装置。
【請求項４２】前記ポリイミド樹脂が全芳香族ポリイ
ミドであることを特徴とする請求項４１に記載の画像形
成装置。
【請求項４３】前記スペーサの前記フェースプレート
および／または前記リアプレート側の当接部にコンタク
ト層が配されていることを特徴とする請求項１乃至請求
項４２のいずれかに記載の画像形成装置。
【請求項４４】前記コンタクト層が前記炭素であるこ
とを特徴とする請求項４３記載の画像形成装置。
【請求項４５】前記コンタクト層が前記炭素と電気的
に接続していることを特徴とする請求項４４に記載の画
像形成装置。
【請求項４６】前記スペーサが前記フェースプレート
に形成されたアノード及び／或いは前記リアプレートに
形成された駆動配線に接合してなることを特徴とする請
求項１乃至請求項４５のいずれかに記載の画像形成装
置。
【請求項４７】前記接合が炭素粉末を混合した樹脂で
構成される接着部材により行われることを特徴とする請
求項４６に記載の画像形成装置。
【請求項４８】前記スペーサが複数配置されているこ
とを特徴とする請求項１乃至請求項４５のいずれかに記
載の画像形成装置。
【請求項４９】前記電子放出素子が冷陰極であること
を特徴とする請求項１乃至請求項４８のいずれかに記載
の画像形成装置。
【請求項５０】前記冷陰極が電界放出素子或いは表面
伝導型電子放出素子であることを特徴とする請求項４９
に記載の画像形成装置。
【請求項５１】電子放出素子が配置されたリアプレー
トと、画像形成部材を有し該リアプレートに対向して配
置されたフェースプレートと、該フェースプレートと前
記リアプレートとの間に配されたスペーサと、を有する
画像形成装置において、該スペーサが、スペーサ基材を有機樹脂で被覆すること
で構成され、かつ、前記スペーサ基材は有機樹脂にガラス、アルミナ、ボロ
ン、炭素、セラミック系ウイスカーの少なくとも一つ以
上の繊維状フィラーを分散してなることを特徴とする画
像形成装置。
【請求項５２】前記フィラーが前記有機樹脂に対して
１ｗｔ％以上５０ｗｔ％以下含有されていることを特徴
とする請求項５１に記載の画像形成装置。
【請求項５３】前記有機樹脂がポリイミド樹脂或いは
ポリベンゾイミダゾール樹脂のいずれかであることを特
徴とする請求項５１又は，５２のいずれかに記載の画像
形成装置。
【請求項５４】前記ポリイミド樹脂が全芳香族ポリイ
ミドであることを特徴とする請求項５３に記載の画像形
成装置。
【請求項５５】電子放出素子が配置されたリアプレー
トと、画像形成部材を有し該リアプレートに対向して配
置されたフェースプレートと、該フェースプレートと前
記リアプレートとの間に配されたスペーサと、を有する
画像形成装置において、該スペーサが、スペーサ基材を有機樹脂で被覆すること
で構成され、かつ、前記有機樹脂は、ポリベンゾイミダゾール樹脂であるこ
とを特徴とする画像形成装置。
【請求項５６】請求項１乃至５５のいずれか１項に記
載の画像形成装置のスペーサの製造方法において、前記スペーサ基材に有機樹脂を塗布する工程を有するこ
とを特徴とする画像形成装置のスペーサの製造方法。
【請求項５７】請求項５６に記載の画像形成装置のス
ペーサの製造方法において、前記有機樹脂を塗布する工
程は、前記スペーサ基体を、前記有機樹脂を含む溶液
に、浸せき後、引き上げによって塗布される工程である
ことを特徴とする画像形成装置のスペーサの製造方法。
【請求項５８】請求項５６又は，５７に記載の画像形
成装置のスペーサの製造方法において、前記有機樹脂を
塗布する工程は、スペーサ基材に炭素粉末を有する有機
樹脂塗布する工程であることを特徴とする画像形成装置
のスペーサの製造方法。
【請求項５９】請求項５６又は，５７に記載の画像形
成装置のスペーサの製造方法において、更に、前記有機
樹脂を炭素化する工程を有することを特徴とする画像形
成装置のスペーサの製造方法。
【請求項６０】請求項５９に記載の画像形成装置のス
ペーサの製造方法において、前記有機樹脂を炭素化する
工程が、前記有機樹脂に電子線を照射することで行われ
たことを特徴とする画像形成装置のスペーサの製造方
法。
【請求項６１】請求項５９に記載の画像形成装置のス
ペーサの製造方法において、前記有機樹脂を炭素化する
工程が、前記有機樹脂に前記プレートに対し略平行にな
るように帯状に電子線を照射することで行われたことを
特徴とする画像形成装置のスペーサの製造方法。
【請求項６２】請求項５９に記載の画像形成装置のス
ペーサの製造方法において、前記有機樹脂を炭素化する
工程が、前記スペーサ基材に塗布された有機樹脂を加熱
することで行われることを特徴とする画像形成装置のス
ペーサの製造方法。
【請求項６３】請求項６２に記載の画像形成装置のス
ペーサの製造方法において、前記有機樹脂を炭素化する
工程が、前記スペーサ基材に塗布された有機樹脂を光照
射によって加熱することで行われることを特徴とする画
像形成装置のスペーサの製造方法。
【請求項６４】請求項５６乃至６３のいずれか１項に
記載の画像形成装置のスペーサの製造方法において、前
記有機樹脂を炭素化する工程の前に、前記スペーサ基材
或いは、ないしスペーサ基材に塗布された有機樹脂上
に、部分的に触媒性金属層を形成する工程を有すること
を特徴とする画像形成装置のスペーサの製造方法。
【請求項６５】請求項６４に記載の画像形成装置のス
ペーサの製造方法において、触媒性金属層を形成する工
程が、前記触媒性金属が、前記プレートに対し略平行に
なるように帯状に形成されることを特徴とする画像形成
装置のスペーサの製造方法。
【請求項６６】請求項６４又は，６５項に記載の画像
形成装置のスペーサの製造方法において、触媒性金属層
を形成する工程が、前記触媒性金属を有する溶液を、前
記スペーサ基材或いは、ないしスペーサ基材に塗布され
た有機樹脂上に、付与することで形成されることを特徴
とする画像形成装置のスペーサの製造方法。
【請求項６７】請求項６６に記載の画像形成装置のス
ペーサの製造方法において、触媒性金属層を形成する工
程が、前記触媒性金属を有する溶液を前記スペーサ基材
或いは、ないしスペーサ基材に塗布された有機樹脂上へ
の付与が、インクジェット法で付与されることで形成さ
れることを特徴とする画像形成装置のスペーサの製造方
法。
【請求項６８】請求項５６乃至６７のいずれか１項に
記載の画像形成装置のスペーサの製造方法において、前
記スペーサのフェイスプレート及び／またはリアプレー
ト側の当接部の有機樹脂に電子線或いは光照射する工程
を有することを特徴とする画像形成装置のスペーサの製
造方法。
【請求項６９】請求項１又は，２，８，９，１０，１
２，１３，１４，１５，２５，４６，５１，５５のいず
れか１項に記載の画像形成装置の製造方法において、前
記スペーサを前記フェースプレートに形成されたアノー
ド及び／或いは前記リアプレートに形成された駆動配線
に接合する工程を有することを特徴とする画像形成装置
の製造方法。