JPH1174084A

JPH1174084A - 発光素子及びその製造方法

Info

Publication number: JPH1174084A
Application number: JP9233978A
Authority: JP
Inventors: Yoshio Himeshima; 義夫姫島; Shigeo Fujimori; 茂雄藤森; Toru Kohama; 亨小濱
Original assignee: Toray Industries Inc
Current assignee: Toray Industries Inc
Priority date: 1997-08-29
Filing date: 1997-08-29
Publication date: 1999-03-16

Abstract

(57)【要約】【課題】素子性能を低下させることなく高精細にパタ
ーンニングする。【解決手段】陽極と陰極の間に発光を司る物質が存在
し、電気エネルギーにより発光する素子であって、該素
子を構成する画素がドライエッチング法によってパター
ン化されたことを特徴とする発光素子。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、電気エネルギーを
光に変換できる素子であって、表示素子、フラットパネ
ルディスプレイ、バックライト、照明、インテリア、光
信号発生器などの分野に利用可能な発光素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】陰極から注入された電子と陽極から注入
された正孔が両極に挟まれた有機蛍光体内で再結合する
際に発光するという有機積層薄膜発光素子の研究が近年
活発に行われるようになってきた。この素子は、薄型、
低駆動電圧下での高輝度発光、蛍光材料を選ぶことによ
る多色発光が特徴であり注目を集めている。

【０００３】この研究は、コダック社のＣ．Ｗ．Ｔａｎ
ｇらが有機積層薄膜素子が高輝度に発光することを示し
て以来（Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．５１（１２）
２１，ｐ．９１３，１９８７）、多くの研究機関が検討
を行っている。コダック社の研究グループが提示した有
機積層薄膜発光素子の代表的な構成は、ＩＴＯガラス基
板上に正孔輸送性のジアミン化合物、発光層である８−
ヒドロキシキノリンアルミニウム、そして陰極としてＭ
ｇ：Ａｇを順次設けたものであり、１０Ｖ程度の駆動電
圧で１０００ｃｄ／ｍ² の緑色発光が可能であった。現
在の有機積層薄膜発光素子は、上記の素子構成要素の他
に電子輸送層を設けているものなど構成を変えているも
のもあるが、基本的にはコダック社の構成を踏襲してい
る。

【０００４】本発光素子の有用なる用途の一つにドット
マトリックス表示によるディスプレイがある。本ディス
プレイの場合、高精細表示ができることがその価値とな
る。

【０００５】その為には、ピッチが０．５ｍｍ以下、好
ましくは０．３ｍｍ以下となることが望ましい。通常、
透明電極／有機物／金属電極を順次積層する素子におい
て、ＩＴＯなどの透明電極はウエットプロセスを用いて
パターニングできることから目的とするピッチは実現で
きる。そして、透明電極に有機物を積層した上に形成さ
れる金属電極をパターニングする方法としてフォトレジ
ストを陰電極上に塗布した後露光、現像工程を経てレジ
ストが取り除かれた部分をエッチングによってパターン
化する方法、基板にシャドーマスクを介してそのパター
ンで陰極を作製する方法、透明電極基板上に感光性樹脂
などを設けて隔壁を作り、その間に発光材料を蒸着した
後、陰電極金属を斜め方向から蒸着して各電極間で短絡
が生じないように陰極ストライプを形成する方法（特開
平５−２７５１７２）、そして上記方法を改良して斜め
方向から金属を蒸着しなくても電極間の短絡が起こらな
いで済むように上部に基板に平行な方向に突出するオー
バーハング部を有する隔壁を形成して陰電極パターンを
作製する方法（特開平８−３１５９８１）、更にレーザ
ー光を利用して非発光部分を取り除いてパターンニング
する方法（特開平５−３０７７、特開平８−２２２３７
１、特開平９−５０８８８）などが考案されている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかし、いずれの方法
も安定に高精細ディスプレイを作製するという点におい
て満足のいくものではない。つまり、フォトレジストを
用いたウエットプロセスでは、フォトレジスト溶媒や現
像液と有機物の接触が避けられないために有機物が溶
解、膨潤、または形態変化を起こしてしまい、発光素子
として十分に機能しなくなってしまう。また、シャドー
マスクを介した陰電極の蒸着による作製では陰電極のギ
ャップ（電極のエッジ間の距離）形成に必要なマスク部
分は、糸のように細くなるためにシャドーマスクとして
の形態を保つことが出来なくなる。これは、非常に小型
の表示を行う時には目立たないが、例えば対角４インチ
サイズのディスプレイを作製するような時には顕在化す
る。また、隔壁を形成した後斜め蒸着する方法は、まず
隔壁を形成させるための工程が増えることと、蒸着角度
を確保しながら電極間の短絡を抑制して均一に電極を蒸
着することは至難である。最後にオーバーハング部を有
する隔壁を形成する方法は、前記方法と比較して斜め蒸
着を行わなくても良い点で改良されているが、このオー
バーハング部を再現性よくパネル全面に形成させるには
かなりの労力と注意深い作業が必要となり、工程数が増
えて歩留まりが低いという問題点がある。

【０００７】従って、ファインピッチ電極（ここでピッ
チとは電極の中心線から隣の電極の中心線までの距離を
示す）の作製は画面の高精細化には必要不可欠であり、
これを手間のかかる付加的プロセスを行うことなく、然
も大面積のパネルにおいても容易に陰電極を作製出来る
ようにすることは本発明の課題である。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
達成するために鋭意検討した結果、陽極と陰極の間に発
光を司る物質が存在し、電気エネルギーにより発光する
素子において、陽極あるいは陰極をドライエッチングす
ると容易に然も素子の特性を低減させることなく所望の
ファインピッチパターニングが形成できることを見出
し、本発明に到達した。

【０００９】

【発明の実施の形態】本発明において陽極は、光を取り
出すために透明であれば酸化錫、酸化インジウム、酸化
錫インジウム（ＩＴＯ）などの導電性金属酸化物、ある
いは金、銀、クロム、オスミウムなどの金属、ヨウ化
銅、硫化銅などの無機導電性物質、ポリチオフェン、ポ
リピロール、ポリアニリンなどの導電性ポリマなど特に
限定されるものでないが、通常高い光線透過率と低抵抗
特性を兼ね備えたＩＴＯガラスやネサガラスを用いるこ
とが望ましい例として挙げることができる。透明電極の
抵抗は素子の発光に十分な電流が供給できればよいので
限定されないが、素子の消費電力の観点からは低抵抗で
あることが望ましい。例えば３００Ω／□以下のＩＴＯ
基板であれば素子電極として機能するが、現在では１０
Ω／□程度の基板の供給も可能になっていることから、
低抵抗品を使用することが電力消費や駆動電圧が低くで
きるという観点からは望ましい。ＩＴＯの厚みは抵抗値
に合わせて任意に選ぶ事ができるが、通常５０〜３００
ｎｍの間で用いられることが多い。ＩＴＯ電極は厚くす
ると抵抗値が下がり薄膜内の欠点が減少することからあ
る程度の厚さが必要であるが、厚すぎると光線透過率が
下がり、かつパターンのエッジ部分で対向電極との短絡
現象が起こる確率が高くなるのでこれらの事を勘案しつ
つ最適膜厚を決定する必要がある。最適膜厚は、ＩＴＯ
の製膜方法、素子構成、素子構成材料、素子作製方法な
どに依存するために一概に決めることはできないが、通
常１００〜２００ｎｍの間にあることが多い。本透明電
極のパターン化は通常、レジストを塗布し露光、現像
後、エッチングを行うというウエットプロセスを採用で
きる。しかし、まず陰極を作製した後に発光性の有機層
を形成し、最後に透明電極を作製する場合には、本方法
によるドライエッチングを行うことが好適な手法として
挙げられる。特に電極間のギャップが０．３ｍｍ以下の
場合はシャドーマスクを用いた蒸着パターン加工が十分
な精度を発現出来にくいため特に有効である。

【００１０】また、ガラス基板はアルカリ亜鉛ホウケイ
酸ガラス、ナトリウムホウケイ酸ガラス、ソーダライム
ガラス、低アルカリホウケイ酸ガラス、バリウムホウケ
イ酸ガラス、ホウケイ酸ガラス、アルミノホウケイ酸ガ
ラス、アルミノケイ酸ガラス、溶融石英ガラス、合成石
英ガラスなどが用いられ、また厚みも機械的強度を保つ
のに十分な厚みがあればよいので、０．５ｍｍ以上あれ
ば十分である。ガラスの材質については、特に限定され
るものでないが、通常ガラスからの溶出イオンが少ない
無アルカリガラスやＳｉＯ₂ などのバリアコートを施し
たソーダライムガラスが使用されている。ＩＴＯ膜形成
方法は、電子ビーム法、スパッタリング法、化学反応法
など特に制限を受けるものではない。

【００１１】陰極は、電子を本有機物層に効率良く注入
できる物質であれば特に限定されないが、一般に白金、
金、銀、銅、鉄、錫、アルミニウム、インジウム、リチ
ウム、ナトリウム、カリウム、カルシウム、マグネシウ
ム、ストロンチウム、サマリウムやこれらの金属を含む
合金があげられる。中でも電子注入効率をあげて素子特
性の安定性を向上させるためにリチウムやマグネシウム
などの低仕事関数金属を含む合金（Ａｌ：Ｌｉ，Ａｇ：
Ｍｇなど）を使用することができる。しかし、これらの
低仕事関数金属は、一般に大気中で不安定であることが
多いため、例えば有機層に微量のリチウムやマグネシウ
ム（真空蒸着の膜厚計表示で１ｎｍ未満）をドーピング
してその上に安定性の高いアルミニウムなどの電極を使
用する方法が好ましい例として挙げることができるが、
特にこれに限定されるものではない。陰極の形態はその
用途において様々である。予め決められた記号、数字、
イラストなどを表示する場合もあれば、セグメント表示
を行う場合もあり、またパソコン、テレビ、携帯機器な
どに使用されるドットマトリクス表示である場合もあ
る。本発明が有効に活用できるのは通常のシャドーマス
クを用いた陰電極のパターニングが困難な電極間のギャ
ップが狭い場合に特に有効な方法として利用価値がある
が、その他の場合においても本手法を用いることは可能
である。具体的一例としては、パソコン、モニター、テ
レビの画像および文字表示には、通常一辺が０．３ｍｍ
以下の四角形の画素が用いられるし、表示パネルのよう
な大型ディスプレイの場合は、一辺がｍｍオーダーの画
素を用いることになる。モノクロ表示の場合は、同じ色
の画素を配列すればよいが、カラー表示の場合には、
赤、緑、青の画素を並べて表示させる。この場合、典型
的にはデルタタイプとストライプタイプがある。この様
な場合、陰電極間のギャップは、０．３〜０．０４ｍ
ｍ、場合によっては０．０３〜０．０１ｍｍ若しくはそ
れ以下になることもある。この様な狭いセルギャップに
なった場合は、シャドーマスクを介した蒸着でのパター
ン化は絶望的になる。特に小型の素子の場合は、比較的
問題が顕在化し難い傾向にあるが、対角４インチ以上に
なるとこの様なパターン化は、殆ど不可能になってしま
うため、前述の煩雑な隔壁形成法などに頼らなくてはな
らなくなる。しかし、この方法も操作が煩雑で歩留まり
が低い上に隔壁近くでは素子の積層構造に乱れが生じ電
極間の短絡が起こる危険があるばかりか、マトリクス構
造の場合、隔壁に直交する方向でのパターン加工は隔壁
形成前に行う以外になく、特にカラー表示を行うための
典型的にはデルタタイプとストライプタイプの各画素に
おける蛍光体の配置と陰電極の配置に自由度がない。そ
こで、本発明のドライエッチング法を用いれば、最初は
電極金属を全面に蒸着し、それから所定の形状にパター
ン化することから煩雑な工程をとらずしかも精度良く陰
極をパターン化できる。ドライエッチングによるパター
ン化は、陰電極まで作製された発光積層体の上にシャド
ーマスクを配置する。只、この場合のシャドーマスクは
陰電極を蒸着作製する際に使用されるものとネガポジが
逆転するため、開口部が非常に少ないためシャドーマス
クの形態は安定して保持されているところが大きく異な
る点であり、本発明が狭い電極間ギャップにおいて有効
である理由の根幹を成すものである。図１には、スト
ライプ電極を作るためのシャドーマスクとそれによって
作製された電極のパターンを例示する。即ち基板１の上
に透明陽電極２、発光物質３、陰電極４を積層した有機
ＥＬ素子を作製し、そこにシャドーマスク５を置く。こ
の状態でドライエッチングを行うと陰極部分を含む発光
物質が取り除かれ、所定の領域だけが発光することにな
る。ここで、シャドーマスクは出来るだけ素子と密着し
ている方が精度良くドライエッチングできる。従って、
シャドーマスク及び本素子を作製する基板は、出来るだ
け平滑であることが一つの好ましい態様として挙げるこ
とができる。但し、磁性体などを用いてシャドーマスク
を基板に磁石で密着できる場合（エッチングを阻害する
ほどプラズマに影響を与えない時に限る）には、特別に
平滑性にこだわる必要はない。シャドーマスクの材質
は、ドライエッチングに耐え基板との間に隙間をあけに
くいものであれば特に限定されない。シャドーマスクは
通常金属製の板に開口部を設けた物を使用するが、ポリ
マーフィルムの様なものでも良い。金属性の材料として
は、ステンレス、ニッケル若しくはニッケルを含む合金
（ニッケル−コバルトなど）、ポリマーフィルムはポリ
イミド、アクリル、ポリエチレンテレフタレート系など
や感光性樹脂フィルムなどプラズマに対して著しい劣化
を起こさず基板との密着性に優れる物であれば特に限定
されない。

【００１２】また、電極保護のために白金、金、銀、
銅、鉄、錫、アルミニウム、インジウムなどの金属、ま
たはこれら金属を用いた合金、そしてシリカ、チタニ
ア、窒化珪素などの無機物、ポリビニルアルコール、塩
化ビニル、フッ素系高分子、炭化水素系高分子などを保
護層として積層することが好ましい例として挙げられ
る。これらの電極の作製法も抵抗加熱、電子線、スパッ
タリング、イオンプレーティング、コーティングなど導
通を取ることができれば特に制限されないし、これら保
護層を設けた後にドライエッチングを行っても良い。

【００１３】発光を司る物質とは、１）正孔輸送層／発
光層、２）正孔輸送層／発光層／電子輸送層、３）発光
層／電子輸送層、そして、４）以上の組合わせ物質を一
層に混合した形態のいずれであってもよい。即ち、素子
構成としては、上記１）〜３）の多層積層構造の他に
４）のように発光材料単独または発光材料と正孔輸送材
料および電子輸送材料を含む層、あるいは発光材料と電
子輸送材料を含む層を一層設けるだけでもよい。

【００１４】正孔輸送層は正孔輸送性物質単独または二
種類以上の物質を積層、混合するか正孔輸送性物質と高
分子結着剤の混合物により形成され、正孔輸送性物質と
してはＮ，Ｎ´−ジフェニル−Ｎ，Ｎ´−ジ（３−メチ
ルフェニル）−４，４´−ジフェニル−１，１´−ジア
ミン、Ｎ，Ｎ´−ジフェニル−Ｎ，Ｎ´−ジナフチル−
４，４´−ジフェニル−１，１´−ジアミンなどのトリ
フェニルアミン類、ビスカルバゾリル誘導体、カルバゾ
ールオリゴマー、ピラゾリン誘導体、スチルベン系化合
物、ヒドラゾン系化合物、オキサジアゾール誘導体やフ
タロシアニン誘導体、ポルフィリン誘導体に代表される
複素環化合物、ポリマー系では前記単量体を側鎖に有す
るポリカーボネートやスチレン誘導体、ポリビニルカル
バゾール、ポリシランなどが好ましいが、素子作製に必
要な薄膜を形成し、陽極から正孔が注入できて、さらに
正孔を輸送できる化合物であれば特に限定されるもので
はないが、前記ビスカルバゾリル誘導体およびカルバゾ
ールオリゴマーの具体的一例としては以下に示すような
ものが挙げられる。

【００１５】

【化１】

【化２】

【化３】

【化４】本発明における発光層は、主に以前から発光体として知
られていたアントラセンやピレン、そして前述のトリス
（８−ヒドロキシキノリノラト）アルミニウムや１０−
ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリン金属錯体やビス（２−
メチル−８−キノリノラト）フェノラト金属錯体の他に
も、例えば、ビススチリルアントラセン誘導体、テトラ
フェニルブタジエン誘導体、クマリン誘導体、オキサジ
アゾール誘導体、ジスチリルベンゼン誘導体、ピロロピ
リジン誘導体、ペリノン誘導体、シクロペンタジエン誘
導体、オキサジアゾール誘導体、チアジアゾロピリジン
誘導体、ポリマー系では、ポリフェニレンビニレン誘導
体、ポリパラフェニレン誘導体、そして、ポリチオフェ
ン誘導体などが使用できる。また発光層に添加するドー
パントとしては、前述のルブレン、キナクリドン誘導
体、ジアザインダセン誘導体、フェノキサゾン６６０、
ＤＣＭ１、Nile Red、ペリノン、ペリレン、クマリン誘
導体などがそのまま使用できる。

【００１６】電子輸送材料としては、電界を与えられた
電極間において負極からの電子を効率良く輸送すること
が必要で、電子注入効率が高く、注入された電子を効率
良く輸送することが望ましい。そのためには電子親和力
が大きく、しかも電子移動度が大きく、さらに安定性に
優れ、トラップとなる不純物が製造時および使用時に発
生しにくい物質であることが要求される。このような条
件を満たす物質としてトリス（８−ヒドロキシキノリノ
ラト）アルミニウム、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ
［ｈ］キノリノラト）ベリリウム、２−（４−ビフェニ
ル）−５−（４−ｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−
オキサジアゾール（ｔ−ＢｕＰＢＤ）などのオキサジア
ゾール系誘導体、薄膜安定性を向上させたオキサジアゾ
ール二量体系誘導体の１，３−ビス（４−ｔ−ブチルフ
ェニル−１，３，４−オキサジゾリル）ビフェニレン
（ＯＸＤ−１）、１，３−ビス（４−ｔ−ブチルフェニ
ル−１，３，４−オキサジゾリル）フェニレン（ＯＸＤ
−７）、トリアゾール系誘導体、フェナントロリン系誘
導体などがある。

【００１７】以上の正孔輸送層、発光層、電子輸送層に
用いられる材料は単独で各層を形成することができる
が、高分子結着剤としてポリ塩化ビニル、ポリカーボネ
ート、ポリスチレン、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾー
ル）、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルメタクリ
レート、ポリエステル、ポリスルフォン、ポリフェニレ
ンオキサイド、ポリブタジエン、炭化水素樹脂、ケトン
樹脂、フェノキシ樹脂、ポリサルフォン、ポリアミド、
エチルセルロース、酢酸ビニル、ＡＢＳ樹脂、ポリウレ
タン樹脂などの溶剤可溶性樹脂や、フェノール樹脂、キ
シレン樹脂、石油樹脂、ユリア樹脂、メラミン樹脂、不
飽和ポリエステル樹脂、アルキド樹脂、エポキシ樹脂、
シリコーン樹脂などの硬化性樹脂などに分散させて用い
ることも可能である。

【００１８】発光を司る物質の形成方法は、抵抗加熱蒸
着、電子ビーム蒸着、スパッタリング、分子積層法、コ
ーティング法など特に限定されるものではないが、通常
は、抵抗加熱蒸着、電子ビーム蒸着が特性面で好まし
い。層の厚みは、発光を司る物質の抵抗値にもよるので
限定することはできないが、経験的には１０〜１０００
ｎｍの間から選ばれる。

【００１９】また、本発明のパターン化は前記電極だけ
でなくこれら有機物質のパターン化にも使用することが
できる。これは、特に多色表示パネルを作製する場合に
おいて有益な結果をもたらす。まず、ある定められた第
１の発光色（例えば青色）の素子をパネル全面に作製す
る。次に実際に青色だけ発光させたい部分のみが陰にな
るようにシャドーマスクで覆い他の部分をドライエッチ
ングする。そして、再び第２の発光色（例えば緑色）の
素子を全面に作製して第１の発光色部分と第２の発光色
部分が陰になるようにシャドーマスクで覆い他の部分を
ドライエッチングする。最後に第３の発光色（例えば赤
色）の素子を全面に作製して残りの不要な部分（例えば
ブラックマトリックス部分）をドライエッチング出来る
ようにシャドーマスクで覆いエッチングする。この時重
要なことは、ドライエッチングの際に目的の物質のみを
エッチングできることであり、上記例の場合は陰極や有
機物はエッチングされても陽極はエッチングされない
か、されても非常に僅かであることが重要である。そし
て、最後に残った部分に絶縁層を介してクロムなどブラ
ックマトリックス用の金属を形成出来るようにすれば、
高精細なディスプレイを作製することが出来る。

【００２０】本発明におけるドライエッチング法とは、
減圧されたエッチング室内に設置された電極（例えば、
平行平板電極の一方）上に目的物質（電極若しくは有機
物）が形成された基板を載置し、エッチング室内に特定
成分から成るプラズマ発生ガスを導入し、電極に高周波
電力を印加してプラズマを発生させ、そのプラズマによ
り目的物質をエッチングする。代表的な一例を挙げる
と、アルミニウムのエッチングにはＣｌ₂とＢＣｌ₃の混
合ガス、ＳｉＯ₂のエッチングにはＣＦ₄、ＣＨＦ₃等、
有機薄膜ではＯ₂、その他フッ素、塩素、臭素などの反
応種を含有するガスが用いられるが、所望の形状に目的
物質がパターン加工できれば良いので特にガスの種類、
混合の組合せやその比率は限定されるものではない。ま
た、所望の形状若しくは状態にパターン化するために周
波数、電圧などの電力仕様や基板温度などを調整出来る
ことは言うまでもない。

【００２１】本素子を駆動するための電気エネルギーと
は主に直流電流を指すが、パルス電流や交流電流を用い
ることも可能である。電流値および電圧値は特に制限は
ないが、素子の消費電力、寿命を考慮するとできるだけ
低いエネルギーで最大の輝度が得られるように素子材料
や構成を選択するのが一般的である。

【００２２】そして、このマトリクスの駆動方法として
は、線順次駆動方法やアクティブマトリックスのどちら
でもよい。線順次駆動の方が構造が簡単であるという利
点があるが、動作特性を考慮した場合、アクティブマト
リックスの方が優れる場合があるので、これも用途によ
って使い分けることが必要である。

【００２３】本発明はセグメントタイプの表示にも応用
でき、予め決められた情報を表示するようにパターンを
形成し、決められた領域を発光させることになる。例え
ば、デジタル時計や温度計における時刻や温度表示、オ
ーディオ機器や電磁調理器などの動作状態表示、自動車
のパネル表示などがあげられる。そして、前記マトリク
ス表示とセグメント表示は同じパネルの中に共存してい
てもよい。

【００２４】更に本発明は必要に応じてバックライト等
の面状発光体にも応用できる。これは主に自発光しない
表示装置の視認性を向上させる目的に使用され、液晶表
示装置、時計、オーディオ機器、自動車パネル、表示板
などに使用される。特に液晶表示装置、中でも薄型化が
課題となっているパソコン用途のバックライトとして
は、従来方式のものが蛍光灯や導光板からなっているた
め薄型化が困難であることを考えると本発明におけるバ
ックライトは、薄型、軽量が特徴になる。

【００２５】

【実施例】以下、実施例および比較例をあげて本発明を
説明するが、本発明はこれらの例によって限定されるも
のではない。

【００２６】実施例１ＩＴＯ透明導電膜を１５０ｎｍ堆積させたガラス基板
（１５Ω／□、電子ビーム蒸着品）を所定の大きさに切
断、エッチング後、洗浄を行った。これを使用前にＵＶ
−オゾン洗浄して直ちに真空蒸着装置内に設置して、装
置内の真空度が５×１０^-6Ｔｏｒｒ以下になるまで排気
した。正孔輸送材料であるビス（Ｎ−エチルカルバゾー
ル）を抵抗加熱方式によって０．３ｎｍ／秒の速度で１
３０ｎｍ蒸着し、続いてトリス（８−キノリノラト）ア
ルミニウムを１００ｎｍの厚さに蒸着した。次に真空内
で５×５ｍｍ角素子ができるようにマスクを装着した
後、リチウムを０．１ｎｍ／秒の速度で１ｎｍ、最後に
アルミニウムを０．５ｎｍ／秒の速度で１５０ｎｍ蒸着
して５×５ｍｍ角の素子を作製した。

【００２７】この素子をプラズマシステム社製ＤＥＳ−
３１０４Ｅ（平行平板型ドライエッチング装置、Φ８”
電極、ＲＩＥモード（下部電極給電））にアルミニウム
電極面を上にして載置し、その上にシャドーマスク（Ｎ
ｉ−Ｃｏ製、０．３ｍｍピッチ、開口部幅０．２ｍｍの
ストライプ形状）を置き、減圧にした。Ｃｌ₂ガス１０
ｓｃｃｍ、ＢＣｌ₃ガス３０ｓｃｃｍ、処理圧力４０ｍ
Ｔｏｒｒ、ＲＦパワー１００Ｗａｔｔ、電極間距離７０
ｍｍ、ステージ温度５０℃の条件で１２０秒エッチング
を行った。エッチングレートは、約０．１μｍ／分であ
った。

【００２８】素子は、マスクパターン形状にエッチング
されており、０．１ｍｍ幅のストライプ状の素子パター
ンが残っており、これに直流電流を流したところパター
ンと同じ領域が緑色に発光した。

【００２９】実施例２実施例１において、基板の背面に永久磁石をおいてマス
クを基板の電極側に固定したことと、エッチング時間を
１８０秒にした以外は同様にしてパターンニングを行っ
た。磁場によりエッチングレートは落ちたが、マスクが
基板と密着していたため明瞭なエッジが形成された。

【００３０】比較例１実施例１で作製された素子のアルミ電極側に感光性ポリ
イミド（東レ社製ＵＲ−３１００）をスピンコーティン
グしたところ、素子内部への溶媒の浸透現象が観察され
た。続いて所定のストライプパターン（０．３ｍｍピッ
チ、ライン幅０．２５ｍｍ）に高圧水銀灯を用いて７０
ｍＪ／ｃｍ２で露光して現像を行ったところ素発光は観
察されなくなっていた。

【００３１】

【発明の効果】本発明は、高精細にパターン化された有
機ＥＬパネルとその製造方法を提供する物であり、特に
電極をドライエッチングすると容易に然も素子の特性を
低減させることなく所望のファインピッチパターニング
が形成できるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明におけるドライエッチングの手法の一例
を示す図。

【符号の説明】

１透明ガラス基板２透明陽電極３発光性有機物４陰電極５シャドーマスク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】素子を構成する画素を形成するために陰極
若しくは陽極をドライエッチング法でパターン加工され
たことを特徴とする発光素子。
【請求項２】電極間のギャップが０．３ｍｍ以下である
ことを特徴とする請求項１記載の発光素子。
【請求項３】電極がアルミニウムを主成分とした陰電極
であり、ドライエッチング法によってパターン化される
ことを特徴とする請求項１または２に記載の発光素子。
【請求項４】発光を司る物質がビスカルバゾリル誘導体
を含むことを特徴とする請求項１〜３のいずれか記載の
発光素子。
【請求項５】陽極と陰極の間に発光を司る物質が存在
し、電気エネルギーにより発光する素子であって、陰極
若しくは陽極をドライエッチング法によってパターン化
することを特徴とする発光素子の製造方法。
【請求項６】シャドーマスクを介してドライエッチング
することを特徴とする請求項５記載の発光素子の製造方
法。
【請求項７】塩素を含むガスによってドライエッチング
することを特徴とする請求項５または６記載の発光素子
の製造方法。