JPH1174254A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
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- JPH1174254A JPH1174254A JP23520397A JP23520397A JPH1174254A JP H1174254 A JPH1174254 A JP H1174254A JP 23520397 A JP23520397 A JP 23520397A JP 23520397 A JP23520397 A JP 23520397A JP H1174254 A JPH1174254 A JP H1174254A
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Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 排気系の配管の内部を監視することにより、
該配管内の閉塞状態を未然に防止することができ、した
がって、配管の閉塞に係わるトラブルを未然に防止する
ことができるドライエッチング装置を提供する。 【解決手段】 被処理物にドライエッチング処理を行な
う処理室１と、処理室１より処理後のガス及び処理によ
り生じた反応生成物よりなる排気を排出する配管２と、
配管２内の排気を外方へ排出させる排気手段１４とを備
え、パージ用ガスＧの温度を調節し配管２内に供給する
パージ用ガス供給手段１１と、配管２のパージ用ガス供
給手段１１より下流側に設けられ配管２内の排気の温度
を計測する温度計測手段１５及び排気の圧力を計測する
圧力計測手段１６と、これら温度計測手段１５及び圧力
計測手段１６より出力される信号に基づきパージ用ガス
供給手段１１を制御する制御手段１７とを備えたことを
特徴とする。
該配管内の閉塞状態を未然に防止することができ、した
がって、配管の閉塞に係わるトラブルを未然に防止する
ことができるドライエッチング装置を提供する。 【解決手段】 被処理物にドライエッチング処理を行な
う処理室１と、処理室１より処理後のガス及び処理によ
り生じた反応生成物よりなる排気を排出する配管２と、
配管２内の排気を外方へ排出させる排気手段１４とを備
え、パージ用ガスＧの温度を調節し配管２内に供給する
パージ用ガス供給手段１１と、配管２のパージ用ガス供
給手段１１より下流側に設けられ配管２内の排気の温度
を計測する温度計測手段１５及び排気の圧力を計測する
圧力計測手段１６と、これら温度計測手段１５及び圧力
計測手段１６より出力される信号に基づきパージ用ガス
供給手段１１を制御する制御手段１７とを備えたことを
特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ドライエッチング
装置に関し、特に、半導体装置の微細加工のためのエッ
チング技術に用いて好適なドライエッチング装置に関す
るものである。
装置に関し、特に、半導体装置の微細加工のためのエッ
チング技術に用いて好適なドライエッチング装置に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のドライエッチング装置の
排気系の一例を示す概略構成図であり、図において、１
はエッチングチャンバーと称される被処理物にドライエ
ッチング処理を行なう処理室、２は処理室１に設けられ
処理後のガス及び処理により生じた反応生成物よりなる
排気を排出する配管、３は配管２に設けられたターボポ
ンプ、４は配管２のターボポンプ３より下流側に設けら
れたドライポンプ、５は排気の流れる方向であり、前記
配管２の排出側は図示しない排気ダクトに接続されてい
る。そして、ターボポンプ３とドライポンプ４により排
気手段が構成されている。
排気系の一例を示す概略構成図であり、図において、１
はエッチングチャンバーと称される被処理物にドライエ
ッチング処理を行なう処理室、２は処理室１に設けられ
処理後のガス及び処理により生じた反応生成物よりなる
排気を排出する配管、３は配管２に設けられたターボポ
ンプ、４は配管２のターボポンプ３より下流側に設けら
れたドライポンプ、５は排気の流れる方向であり、前記
配管２の排出側は図示しない排気ダクトに接続されてい
る。そして、ターボポンプ３とドライポンプ４により排
気手段が構成されている。
【０００３】この排気系では、ターボポンプ３及びドラ
イポンプ４を駆動させることにより、処理室１内のエッ
チング処理後のガス及びエッチング処理により生じた反
応生成物よりなる排気を配管２を経由して排気ダクトよ
り排出している。
イポンプ４を駆動させることにより、処理室１内のエッ
チング処理後のガス及びエッチング処理により生じた反
応生成物よりなる排気を配管２を経由して排気ダクトよ
り排出している。
【０００４】また、従来のドライエッチング装置の排気
系の他の一例としては、特開平５−２５９１３３号公報
に開示されている排気系がある。この排気系は、チャン
バに設けられている従来の第１の真空排気ラインとは別
に、ガス除外処理設備をもつ第２の真空排気ラインを新
たに設けたもので、ドライエッチング処理が終わった
後、第１の真空排気ラインに設けてあるコックを第２の
真空排気ラインのコックに切り換えて排気を行なうとと
もに、パージガス導入ラインより水蒸気含有ガスを供給
している。
系の他の一例としては、特開平５−２５９１３３号公報
に開示されている排気系がある。この排気系は、チャン
バに設けられている従来の第１の真空排気ラインとは別
に、ガス除外処理設備をもつ第２の真空排気ラインを新
たに設けたもので、ドライエッチング処理が終わった
後、第１の真空排気ラインに設けてあるコックを第２の
真空排気ラインのコックに切り換えて排気を行なうとと
もに、パージガス導入ラインより水蒸気含有ガスを供給
している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】第１の問題点は、配管
内に反応生成物が付着することによる閉塞を防止する機
能を持たないため、反応生成物が付着することにより配
管内が閉塞してしまい、ポンプの排気能力が低下してし
まい、ポンプ等の排気手段にトラブルが発生し易くなる
という点である。
内に反応生成物が付着することによる閉塞を防止する機
能を持たないため、反応生成物が付着することにより配
管内が閉塞してしまい、ポンプの排気能力が低下してし
まい、ポンプ等の排気手段にトラブルが発生し易くなる
という点である。
【０００６】例えば、従来のドライエッチング装置で
は、処理室内を排気する際、排気されるガスに含まれる
反応生成物が温度が低下することにより固体化し、排気
ラインの配管の内壁に付着する。反応生成物が付着する
ことにより、配管内が徐々に閉塞されて行き、ポンプの
排気能力が低下し、ポンプにトラブルが発生する原因と
なり、エッチング特性の劣化につながる。
は、処理室内を排気する際、排気されるガスに含まれる
反応生成物が温度が低下することにより固体化し、排気
ラインの配管の内壁に付着する。反応生成物が付着する
ことにより、配管内が徐々に閉塞されて行き、ポンプの
排気能力が低下し、ポンプにトラブルが発生する原因と
なり、エッチング特性の劣化につながる。
【０００７】第２の問題点は、排気ラインの閉塞を監視
する機能が備わっていないため、配管内の閉塞状態を知
ることができず、反応生成物が付着することにより配管
が閉塞してしまった場合、閉塞する前に閉塞しかかった
状態を発見することが困難である点である。
する機能が備わっていないため、配管内の閉塞状態を知
ることができず、反応生成物が付着することにより配管
が閉塞してしまった場合、閉塞する前に閉塞しかかった
状態を発見することが困難である点である。
【０００８】本発明は上記の事情に鑑みてなされたもの
であって、排気系の配管の内部を監視することにより、
該配管内の閉塞状態を未然に防止することができ、した
がって、配管の閉塞に係わるトラブルを未然に防止する
ことができるドライエッチング装置を提供することにあ
る。
であって、排気系の配管の内部を監視することにより、
該配管内の閉塞状態を未然に防止することができ、した
がって、配管の閉塞に係わるトラブルを未然に防止する
ことができるドライエッチング装置を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に採用した本発明のドライエッチング装置の主旨は、処
理室から排出された排気中の反応生成物が、ある温度以
下になることで固体化し、配管内に付着することを防止
するため、配管内を適正温度に保つものである。
に採用した本発明のドライエッチング装置の主旨は、処
理室から排出された排気中の反応生成物が、ある温度以
下になることで固体化し、配管内に付着することを防止
するため、配管内を適正温度に保つものである。
【００１０】本発明の請求項１記載のドライエッチング
装置は、被処理物にドライエッチング処理を行なう処理
室と、該処理室より処理後のガス及び処理により生じた
反応生成物よりなる排気を排出する配管と、該配管内の
排気を外方へ排出させる排気手段とを備えたドライエッ
チング装置であり、パージ用ガスの温度を調節し前記配
管内に供給するパージ用ガス供給手段と、前記配管の該
パージ用ガス供給手段より下流側に設けられ該配管内の
排気の温度を計測する温度計測手段及び該排気の圧力を
計測する圧力計測手段と、これら温度計測手段及び圧力
計測手段より出力される信号に基づき前記パージ用ガス
供給手段を制御する制御手段とを備えたものである。
装置は、被処理物にドライエッチング処理を行なう処理
室と、該処理室より処理後のガス及び処理により生じた
反応生成物よりなる排気を排出する配管と、該配管内の
排気を外方へ排出させる排気手段とを備えたドライエッ
チング装置であり、パージ用ガスの温度を調節し前記配
管内に供給するパージ用ガス供給手段と、前記配管の該
パージ用ガス供給手段より下流側に設けられ該配管内の
排気の温度を計測する温度計測手段及び該排気の圧力を
計測する圧力計測手段と、これら温度計測手段及び圧力
計測手段より出力される信号に基づき前記パージ用ガス
供給手段を制御する制御手段とを備えたものである。
【００１１】請求項２記載のドライエッチング装置は、
前記配管の前記パージ用ガス供給手段より上流側に、前
記配管内の排気の温度を計測する第２の温度計測手段及
び該排気の圧力を計測する第２の圧力計測手段を設け、
前記配管のこれら第２の温度計測手段及び第２の圧力計
測手段より上流側に、前記パージ用ガス供給手段により
温度調節されたパージ用ガスを該配管内に供給する供給
管を設けたもので、これら第２の温度計測手段及び第２
の圧力計測手段より出力される信号に基づき前記制御手
段により前記パージ用ガス供給手段を制御するものであ
る。
前記配管の前記パージ用ガス供給手段より上流側に、前
記配管内の排気の温度を計測する第２の温度計測手段及
び該排気の圧力を計測する第２の圧力計測手段を設け、
前記配管のこれら第２の温度計測手段及び第２の圧力計
測手段より上流側に、前記パージ用ガス供給手段により
温度調節されたパージ用ガスを該配管内に供給する供給
管を設けたもので、これら第２の温度計測手段及び第２
の圧力計測手段より出力される信号に基づき前記制御手
段により前記パージ用ガス供給手段を制御するものであ
る。
【００１２】請求項３記載のドライエッチング装置は、
前記パージ用ガスを、不活性ガスとしたものである。
前記パージ用ガスを、不活性ガスとしたものである。
【００１３】本発明のドライエッチング装置では、パー
ジ用ガスの温度を調節し前記配管内に供給するパージ用
ガス供給手段と、前記配管の該パージ用ガス供給手段よ
り下流側に設けられ該配管内の排気の温度を計測する温
度計測手段及び該排気の圧力を計測する圧力計測手段
と、これら温度計測手段及び圧力計測手段より出力され
る信号に基づき前記パージ用ガス供給手段を制御する制
御手段とを備えたことにより、前記パージ用ガス供給手
段を用いて前記配管内に適正な温度に調節されたパージ
用ガスを導入することにより、前記配管内を適正な温度
に保つことが可能になる。
ジ用ガスの温度を調節し前記配管内に供給するパージ用
ガス供給手段と、前記配管の該パージ用ガス供給手段よ
り下流側に設けられ該配管内の排気の温度を計測する温
度計測手段及び該排気の圧力を計測する圧力計測手段
と、これら温度計測手段及び圧力計測手段より出力され
る信号に基づき前記パージ用ガス供給手段を制御する制
御手段とを備えたことにより、前記パージ用ガス供給手
段を用いて前記配管内に適正な温度に調節されたパージ
用ガスを導入することにより、前記配管内を適正な温度
に保つことが可能になる。
【００１４】これにより、排気中の反応生成物が固体化
するのを防止し、配管内の詰まりを防止する。また、前
記圧力計測手段により配管内の圧力を監視することで、
配管内の閉塞状態を予測することが可能になり、配管内
の異常な状態を早期に発見することが可能になる。
するのを防止し、配管内の詰まりを防止する。また、前
記圧力計測手段により配管内の圧力を監視することで、
配管内の閉塞状態を予測することが可能になり、配管内
の異常な状態を早期に発見することが可能になる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明のドライエッチング
装置の各実施形態について図面に基づき説明する。
装置の各実施形態について図面に基づき説明する。
【００１６】（第１の実施形態）図１は本発明の第１の
実施形態のドライエッチング装置の排気系を示す概略構
成図であり、図において、１１は気体（パージ用ガス）
Ｇの温度を調節し配管２内に供給する気体供給部（パー
ジ用ガス供給手段）であり、気体Ｇを配管２内に供給す
る供給管１２と、該供給管１２に設けられ気体Ｇの温度
を適正な温度に調節する温調器１３とにより構成されて
いる。
実施形態のドライエッチング装置の排気系を示す概略構
成図であり、図において、１１は気体（パージ用ガス）
Ｇの温度を調節し配管２内に供給する気体供給部（パー
ジ用ガス供給手段）であり、気体Ｇを配管２内に供給す
る供給管１２と、該供給管１２に設けられ気体Ｇの温度
を適正な温度に調節する温調器１３とにより構成されて
いる。
【００１７】また、１４は配管２の前記供給管１２より
上流側に設けられた排気ポンプ（排気手段）、１５は配
管２の前記供給管１２より下流側に設けられ配管２内の
排気の温度を計測する温度センサ（温度計測手段）、１
６は配管２内の排気の圧力を計測する圧力センサ（圧力
計測手段）、１７は温度センサ１５及び圧力センサ１６
より出力される信号に基づき温調器１３を制御するＣＰ
Ｕ（制御手段）、１８は温度センサ１５とＣＰＵ１７と
の間に設けられた演算器、１９は圧力センサ１６とＣＰ
Ｕ１７との間に設けられた演算器である。
上流側に設けられた排気ポンプ（排気手段）、１５は配
管２の前記供給管１２より下流側に設けられ配管２内の
排気の温度を計測する温度センサ（温度計測手段）、１
６は配管２内の排気の圧力を計測する圧力センサ（圧力
計測手段）、１７は温度センサ１５及び圧力センサ１６
より出力される信号に基づき温調器１３を制御するＣＰ
Ｕ（制御手段）、１８は温度センサ１５とＣＰＵ１７と
の間に設けられた演算器、１９は圧力センサ１６とＣＰ
Ｕ１７との間に設けられた演算器である。
【００１８】本装置の処理室１で発生したガス（排気）
は、排気ポンプ１４により配管２を経由して図示しない
排気ダクトより排出される。ここで、温調器１３により
適正温度に温度調節された気体Ｇを配管２内に導入す
る。処理室１で発生したガスは、導入された気体Ｇと混
合され混合ガスとなって配管２内を流れる。この配管２
内の混合ガスの温度は温度センサ１５により常にモニタ
ーされ、演算器１８を経由してＣＰＵ１７にフィードバ
ックされ、ＣＰＵ１７により温調器１３がコントロール
され、配管２内は常に適正な温度に保たれる。
は、排気ポンプ１４により配管２を経由して図示しない
排気ダクトより排出される。ここで、温調器１３により
適正温度に温度調節された気体Ｇを配管２内に導入す
る。処理室１で発生したガスは、導入された気体Ｇと混
合され混合ガスとなって配管２内を流れる。この配管２
内の混合ガスの温度は温度センサ１５により常にモニタ
ーされ、演算器１８を経由してＣＰＵ１７にフィードバ
ックされ、ＣＰＵ１７により温調器１３がコントロール
され、配管２内は常に適正な温度に保たれる。
【００１９】本装置では、配管２内の温度を常に適正な
温度に保つことで、前記混合ガス中の反応生成物が配管
２内壁で冷却されて固体化するのを防止することができ
るため、配管２が閉塞するのが低減される。また、圧力
センサ１６により配管２内の圧力が常にモニターされ、
演算器１９を経由してＣＰＵ１７にフィードバックされ
る。モニターされている間に圧力に異常が生じればエラ
ーを発する。これにより、配管２内の閉塞状態を常に監
視することができ、排気ポンプ１４及び配管２内に生じ
るトラブルが未然に防止される。
温度に保つことで、前記混合ガス中の反応生成物が配管
２内壁で冷却されて固体化するのを防止することができ
るため、配管２が閉塞するのが低減される。また、圧力
センサ１６により配管２内の圧力が常にモニターされ、
演算器１９を経由してＣＰＵ１７にフィードバックされ
る。モニターされている間に圧力に異常が生じればエラ
ーを発する。これにより、配管２内の閉塞状態を常に監
視することができ、排気ポンプ１４及び配管２内に生じ
るトラブルが未然に防止される。
【００２０】本実施形態のドライエッチング装置によれ
ば、配管２に適正な温度に温度調節された気体Ｇを導入
することで、配管２の温度を適正な温度に保つことがで
き、排気中の反応生成物が配管２内壁で冷却されて固体
化するのを低減することができ、配管２内が反応生成物
の付着により閉塞するのを防止することができる。
ば、配管２に適正な温度に温度調節された気体Ｇを導入
することで、配管２の温度を適正な温度に保つことがで
き、排気中の反応生成物が配管２内壁で冷却されて固体
化するのを低減することができ、配管２内が反応生成物
の付着により閉塞するのを防止することができる。
【００２１】また、配管２が閉塞されると排気に対する
管抵抗が増加し、配管２内の圧力が上昇するので、圧力
センサ１６により配管２内の圧力を常に監視すること
で、配管２内の閉塞状態を予測し異常を早期に発見する
ことができ、ポンプトラブル等の異常を未然に防止する
ことができる。
管抵抗が増加し、配管２内の圧力が上昇するので、圧力
センサ１６により配管２内の圧力を常に監視すること
で、配管２内の閉塞状態を予測し異常を早期に発見する
ことができ、ポンプトラブル等の異常を未然に防止する
ことができる。
【００２２】（第２の実施形態）図２は本発明の第２の
実施形態のドライエッチング装置の排気系を示す概略構
成図であり、図において、２１は窒素ガス（Ｎ2：不活
性ガス）の温度を調節し配管２内に供給する窒素供給部
（パージ用ガス供給手段）であり、窒素ガスを配管２内
に供給する窒素供給管２２と、該窒素供給管２２に設け
られ窒素ガスの温度を適正な温度に調節する窒素ガス温
調器２３とにより構成されている。
実施形態のドライエッチング装置の排気系を示す概略構
成図であり、図において、２１は窒素ガス（Ｎ2：不活
性ガス）の温度を調節し配管２内に供給する窒素供給部
（パージ用ガス供給手段）であり、窒素ガスを配管２内
に供給する窒素供給管２２と、該窒素供給管２２に設け
られ窒素ガスの温度を適正な温度に調節する窒素ガス温
調器２３とにより構成されている。
【００２３】本装置の処理室１で発生したガス（排気）
は、ターボポンプ３、ドライポンプ４により配管２を経
由して図示しない排気ダクトより排出される。ここで、
窒素ガス温調器２３により適正温度に温度調節された窒
素ガス（Ｎ2）を配管２内に導入する。導入位置はドラ
イポンプ４の出口直後である。処理室１で発生したガス
は、導入された窒素ガスと混合され混合ガスとなって配
管２内を流れる。この配管２内の混合ガスの温度は温度
センサ１５により常にモニターされ、演算器１８を経由
してＣＰＵ１７にフィードバックされ、ＣＰＵ１７によ
り窒素ガス温調器２３がコントロールされ、配管２内は
常に６０℃以上に保たれる。
は、ターボポンプ３、ドライポンプ４により配管２を経
由して図示しない排気ダクトより排出される。ここで、
窒素ガス温調器２３により適正温度に温度調節された窒
素ガス（Ｎ2）を配管２内に導入する。導入位置はドラ
イポンプ４の出口直後である。処理室１で発生したガス
は、導入された窒素ガスと混合され混合ガスとなって配
管２内を流れる。この配管２内の混合ガスの温度は温度
センサ１５により常にモニターされ、演算器１８を経由
してＣＰＵ１７にフィードバックされ、ＣＰＵ１７によ
り窒素ガス温調器２３がコントロールされ、配管２内は
常に６０℃以上に保たれる。
【００２４】本装置では、配管２内の温度を常に６０℃
以上に保つことで、前記混合ガス中の反応生成物が配管
２内壁で冷却されて固体化するのを防止することができ
るため、配管２が閉塞するのを低減することができる。
また、圧力センサ１６により配管２内の圧力が常にモニ
ターされ、演算器１９を経由してＣＰＵ１７にフィード
バックされる。モニターされている間に圧力に異常が生
じれば警報を発する。これにより、配管２内の閉塞状態
をいち早く知ることができ、トラブルを未然に防止する
ことができる。
以上に保つことで、前記混合ガス中の反応生成物が配管
２内壁で冷却されて固体化するのを防止することができ
るため、配管２が閉塞するのを低減することができる。
また、圧力センサ１６により配管２内の圧力が常にモニ
ターされ、演算器１９を経由してＣＰＵ１７にフィード
バックされる。モニターされている間に圧力に異常が生
じれば警報を発する。これにより、配管２内の閉塞状態
をいち早く知ることができ、トラブルを未然に防止する
ことができる。
【００２５】（第３の実施形態）図３は本発明の第３の
実施形態のドライエッチング装置の排気系を示す概略構
成図であり、図において、３１は窒素ガス温調器２３に
より適正な温度に調節された窒素ガス（Ｎ2）をターボ
ポンプ３の出口側直後の配管２内に供給する窒素供給
管、３２は配管２の窒素供給管３１より下流側に設けら
れ該配管２内の排気の温度を計測する温度センサ（第２
の温度計測手段）、３３は配管２内の排気の圧力を計測
する圧力センサ（第２の圧力計測手段）、３４は温度セ
ンサ３２とＣＰＵ１７との間に設けられた演算器、３５
は圧力センサ３３とＣＰＵ１７との間に設けられた演算
器である。
実施形態のドライエッチング装置の排気系を示す概略構
成図であり、図において、３１は窒素ガス温調器２３に
より適正な温度に調節された窒素ガス（Ｎ2）をターボ
ポンプ３の出口側直後の配管２内に供給する窒素供給
管、３２は配管２の窒素供給管３１より下流側に設けら
れ該配管２内の排気の温度を計測する温度センサ（第２
の温度計測手段）、３３は配管２内の排気の圧力を計測
する圧力センサ（第２の圧力計測手段）、３４は温度セ
ンサ３２とＣＰＵ１７との間に設けられた演算器、３５
は圧力センサ３３とＣＰＵ１７との間に設けられた演算
器である。
【００２６】本装置の処理室１で発生したガス（排気）
は、ターボポンプ３、ドライポンプ４により配管２を経
由して図示しない排気ダクトより排出される。ここで、
窒素ガス温調器２３により適正温度に温度調節された窒
素ガス（Ｎ2）を配管２内に導入する。導入位置はター
ボポンプ３の出口直後と、ドライポンプ４の出口直後の
２箇所である。
は、ターボポンプ３、ドライポンプ４により配管２を経
由して図示しない排気ダクトより排出される。ここで、
窒素ガス温調器２３により適正温度に温度調節された窒
素ガス（Ｎ2）を配管２内に導入する。導入位置はター
ボポンプ３の出口直後と、ドライポンプ４の出口直後の
２箇所である。
【００２７】処理室１で発生したガスは、導入された窒
素ガスと混合され混合ガスとなって配管２内を流れる。
この配管２内の混合ガスの温度は２箇所に設けられた温
度センサ１５、３２により常にモニターされ、演算器１
８、３４を経由してＣＰＵ１７にフィードバックされ、
ＣＰＵ１７により窒素ガス温調器２３がコントロールさ
れ、配管２内は常に６０℃以上に保たれる。
素ガスと混合され混合ガスとなって配管２内を流れる。
この配管２内の混合ガスの温度は２箇所に設けられた温
度センサ１５、３２により常にモニターされ、演算器１
８、３４を経由してＣＰＵ１７にフィードバックされ、
ＣＰＵ１７により窒素ガス温調器２３がコントロールさ
れ、配管２内は常に６０℃以上に保たれる。
【００２８】本装置では、配管２内の温度を常に６０℃
以上に保つことで、前記混合ガス中の反応生成物が配管
２内壁で冷却されて固体化するのを防止することができ
るので、配管２が閉塞するのを低減することができる。
また、２箇所に設けられた圧力センサ１６、３３により
配管２内の圧力が常にモニターされ、演算器１９、３５
を経由してＣＰＵ１７にフィードバックされる。モニタ
ーの間に圧力に異常が生じれば警報を発する。これによ
り、配管２内の閉塞状態をいち早く知ることができ、ト
ラブルを未然に防止することができる。
以上に保つことで、前記混合ガス中の反応生成物が配管
２内壁で冷却されて固体化するのを防止することができ
るので、配管２が閉塞するのを低減することができる。
また、２箇所に設けられた圧力センサ１６、３３により
配管２内の圧力が常にモニターされ、演算器１９、３５
を経由してＣＰＵ１７にフィードバックされる。モニタ
ーの間に圧力に異常が生じれば警報を発する。これによ
り、配管２内の閉塞状態をいち早く知ることができ、ト
ラブルを未然に防止することができる。
【００２９】なお、パージ用ガス供給手段、温度計測手
段、圧力計測手段及び制御手段の構成は、上述した各実
施形態の構成に限定されることなく、様々に変形可能で
ある。要は、反応生成物の固体化を防ぐ目的で配管内に
温度調節されたパージ用ガスを導入する機能を有すれば
よい。
段、圧力計測手段及び制御手段の構成は、上述した各実
施形態の構成に限定されることなく、様々に変形可能で
ある。要は、反応生成物の固体化を防ぐ目的で配管内に
温度調節されたパージ用ガスを導入する機能を有すれば
よい。
【００３０】
【発明の効果】以上説明した様に、本発明のドライエッ
チング装置によれば、パージ用ガスの温度を調節し前記
配管内に供給するパージ用ガス供給手段と、前記配管の
該パージ用ガス供給手段より下流側に設けられ該配管内
の排気の温度を計測する温度計測手段及び該排気の圧力
を計測する圧力計測手段と、これら温度計測手段及び圧
力計測手段より出力される信号に基づき前記パージ用ガ
ス供給手段を制御する制御手段とを備えたので、前記パ
ージ用ガス供給手段を用いて前記配管内に適正な温度に
調節されたパージ用ガスを導入することができ、前記配
管内を適正な温度に保つことができる。
チング装置によれば、パージ用ガスの温度を調節し前記
配管内に供給するパージ用ガス供給手段と、前記配管の
該パージ用ガス供給手段より下流側に設けられ該配管内
の排気の温度を計測する温度計測手段及び該排気の圧力
を計測する圧力計測手段と、これら温度計測手段及び圧
力計測手段より出力される信号に基づき前記パージ用ガ
ス供給手段を制御する制御手段とを備えたので、前記パ
ージ用ガス供給手段を用いて前記配管内に適正な温度に
調節されたパージ用ガスを導入することができ、前記配
管内を適正な温度に保つことができる。
【００３１】したがって、排気中の反応生成物が固体化
するのを防止することができ、配管内の詰まりを防止す
ることができる。また、前記圧力計測手段により配管内
の圧力を監視するので、配管内の閉塞状態を予測するこ
とができ、配管内の異常な状態を早期に発見することが
できる。
するのを防止することができ、配管内の詰まりを防止す
ることができる。また、前記圧力計測手段により配管内
の圧力を監視するので、配管内の閉塞状態を予測するこ
とができ、配管内の異常な状態を早期に発見することが
できる。
【図１】 本発明の第１の実施形態のドライエッチング
装置の排気系を示す概略構成図である。
装置の排気系を示す概略構成図である。
【図２】 本発明の第２の実施形態のドライエッチング
装置の排気系を示す概略構成図である。
装置の排気系を示す概略構成図である。
【図３】 本発明の第３の実施形態のドライエッチング
装置の排気系を示す概略構成図である。
装置の排気系を示す概略構成図である。
【図４】 従来のドライエッチング装置の排気系の一例
を示す概略構成図である。
を示す概略構成図である。
１ 処理室 ２ 配管 ３ ターボポンプ（排気手段） ４ ドライポンプ（排気手段） ５ 排気の流れる方向 １１ 気体供給部（パージ用ガス供給手段） １２ 供給管 １３ 温調器 １４ 排気ポンプ（排気手段） １５ 温度センサ（温度計測手段） １６ 圧力センサ（圧力計測手段） １７ ＣＰＵ（制御手段） １８、１９ 演算器 ２１ 窒素供給部（パージ用ガス供給手段） ２２ 窒素供給管 ２３ 窒素ガス温調器 ３１ 窒素供給管 ３２ 温度センサ（第２の温度計測手段） ３３ 圧力センサ（第２の圧力計測手段） ３４、３５ 演算器 Ｇ 気体（パージ用ガス） Ｎ2 窒素ガス（不活性ガス）
Claims (3)
- 【請求項１】 被処理物にドライエッチング処理を行な
う処理室と、該処理室より処理後のガス及び処理により
生じた反応生成物よりなる排気を排出する配管と、該配
管内の排気を外方へ排出させる排気手段とを備えたドラ
イエッチング装置において、 パージ用ガスの温度を調節し前記配管内に供給するパー
ジ用ガス供給手段と、前記配管の該パージ用ガス供給手
段より下流側に設けられ該配管内の排気の温度を計測す
る温度計測手段及び該排気の圧力を計測する圧力計測手
段と、これら温度計測手段及び圧力計測手段より出力さ
れる信号に基づき前記パージ用ガス供給手段を制御する
制御手段とを備えたことを特徴とするドライエッチング
装置。 - 【請求項２】 前記配管の前記パージ用ガス供給手段よ
り上流側に、前記配管内の排気の温度を計測する第２の
温度計測手段及び該排気の圧力を計測する第２の圧力計
測手段を設け、前記配管のこれら第２の温度計測手段及
び第２の圧力計測手段より上流側に、前記パージ用ガス
供給手段により温度調節されたパージ用ガスを該配管内
に供給する供給管を設け、 これら第２の温度計測手段及び第２の圧力計測手段より
出力される信号に基づき前記制御手段により前記パージ
用ガス供給手段を制御することを特徴とする請求項１記
載のドライエッチング装置。 - 【請求項３】 前記パージ用ガスは、不活性ガスである
ことを特徴とする請求項１または２記載のドライエッチ
ング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9235203A JP2978854B2 (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9235203A JP2978854B2 (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | ドライエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1174254A true JPH1174254A (ja) | 1999-03-16 |
| JP2978854B2 JP2978854B2 (ja) | 1999-11-15 |
Family
ID=16982615
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9235203A Expired - Fee Related JP2978854B2 (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2978854B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030053283A (ko) * | 2001-12-22 | 2003-06-28 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자용 산화막 증착 시스템 |
| JP2011247823A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Edwards Kk | 堆積物検知装置と、該装置を備えた排気ポンプ |
| JP2017022197A (ja) * | 2015-07-08 | 2017-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
-
1997
- 1997-08-29 JP JP9235203A patent/JP2978854B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20030053283A (ko) * | 2001-12-22 | 2003-06-28 | 동부전자 주식회사 | 반도체 소자용 산화막 증착 시스템 |
| JP2011247823A (ja) * | 2010-05-28 | 2011-12-08 | Edwards Kk | 堆積物検知装置と、該装置を備えた排気ポンプ |
| JP2017022197A (ja) * | 2015-07-08 | 2017-01-26 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置および基板処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2978854B2 (ja) | 1999-11-15 |
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