JPH1175101A - 電気光学装置及びその動作方法 - Google Patents
電気光学装置及びその動作方法Info
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Abstract
捉えた画像を液晶ディスプレイで表示する構成における
消費電力を低減する。 【解決手段】 MOS型撮像素子を用いたアクティブマ
トリクス型のイメージセンサにおいて、1画素101を
2分割する。一方の単位画素群RGBは、順信号を出力
し、他方の単位画素群は反転信号を出力する。こうする
ことで、イメージセンサからの出力で液晶ディスプレイ
を直接駆動する際に、反転動作を簡単に実現することが
できる。特に順真号と反転信号との対称性を良いものと
できるので、動画を扱う場合に有利となる。そして、簡
単な構成と動作を実現することで、低消費電力化を実現
することができる。
Description
アクティブマトリクス型のイメージセンサとアクティブ
マトリクス型の表示ディスプレイとを備えた構成に関す
る。具体的には、アクティブマトリクス型のイメージセ
ンサで捉えた画像をリアルタイムで液晶ディスプレイに
表示する機能を有する構成に関する。
は、マトリクス状に配置された各画素のそれぞれにTF
Tに代表されるアクティブ素子が配置された構造として
定義される。
情報を取り扱うことができる情報端末機器が必要とされ
ている。
ジタルカメラと称される構成も知られている。この構成
は、静止画像をメモリーや磁気ディスクに保存できる機
能を有し、また画像をデジタル処理できる機能を有して
いる。
ては、画像情報を取り込むための受像部と、取り込んだ
画像を表示する表示部とを備える必要がある。
CDカメラが利用される。また、画像情報を表示する手
段としてLCDパネルが利用される。
は、そのままでは液晶ディスプレイに直接入力できな
い。
離されていない時系列信号であるが、液晶ディスプレイ
では、RGBそれぞれの信号が個別に必要とされるから
である。
を防ぐために所定のタイミングで印加電圧の極性を反転
させる必要があるが、CCDからの出力フォーマットは
そのようになっていない。この点でもCCDカメラで取
り込まれた画像の信号は、そのままでは液晶ディスプレ
イに直接入力できない。
ラからの出力をA/D変換回路でデジタル信号に変換
し、それに対して各種デジタル処理を施し、さらにD/
A変換回路で液晶ディスプレイを駆動するためのアナロ
グ信号を生成する構成が採られている。
加工(ズームや色彩補正等の処理)を簡単に実現するこ
とができる。しかしながらそのためには複雑な回路が必
要とされる。
は、携帯型であるが故にバッテリーで動作できることが
望まれる。当然のことながら、低消費電力であることが
望まれる。
間が数十分しかないようでは、実用性が低くなってしま
う。このことは、ビデオカメラや携帯型の情報処理端末
においても同じである。
部、液晶ディスプレイ部、画像処理回路部である。
には、パネル形式として反射型のものを採用すればよ
い。液晶ディスプレイでの消費電力の大部分は、バック
ライトで消費される電力であるから、反射型とすること
で消費電力を大きく削減することができる。
必要とし、また比較的高電圧を必要とすることから、比
較的多くの電力を消費する。
路もまた消費電力が大きい。画像処理回路には、CCD
カメラからの信号出力を液晶ディスプレイに入力できる
信号に変換するために、カラー信号の分離や並び変え
(タイミングを変更する)といった機能が要求される。
このような動作を行わせる場合、多くの電力を消費する
ものとなってしまう。
消費電力を低減する回路を開発する努力がなされている
が、そもそも信号の帯域が広いビデオ信号を処理する回
路においては、消費電力を大きく低減することは困難で
あるのが現状である。
とはいえ、それなりに大きな面積を占めており、それが
全体構成をコンパクトにする上で障害となっている。
ものとなるため、その対策を施すことも必要となってい
る。
示部を備えた構成において、消費電力を極力低減させた
構成を提供することを課題とする。また、構成を極力簡
略化することを課題とする。
では、受像部であるイメージセンサから出力される信号
でもって直接液晶ディスプレイを駆動できるような構成
を採用する。
グ信号)をデジタル処理せずに、直接液晶ディスプレイ
入力するような構成とする。
き、構成を簡略化するとともに低消費電力化を達成す
る。
は、液晶ディスプレイの反転駆動を考慮した画素配置を
アクティブマトリクス型のイメージセンサに採用する。
素に対応させて、イメージセンサ側の画素を順出力用の
ものと反転出力用のものとに分離した構成とする。
て、イメージセンサでは、順出力用のものと反転出力用
のものとの2画素を配置する。
に情報の書込みを行うためのイメージセンサからの出力
は、順出力用のものと反転出力用のものとの2画素から
のものとなる。この2画素からの出力は、互いに極性の
反転した信号に変換され、1画素分を表示を2タイミン
グ分けて表意する。
置を隣合ったものとすれば、タイミングを適当に設定す
ることで、両者の出力は、ほとんど同じものとなる。即
ち、順出力と反転出力とでほとんど同じ信号波形が得ら
れる。(これを本明細書では、相似な波形と定義する)
対称性を極めて高くできるので、液晶ディスプレイをフ
レーム反転モードや走査線反転モードでもって駆動した
場合に動作を理想的なものとできる。このことは、高速
動画をイメージセンサで受像して、それを表示する場合
等に有効なものとなる。
ィブマトリクス型のイメージセンサと、アクティブマト
リクス型の液晶ディスプレイと、を有し、前記液晶ディ
スプレイの1つの単位画素に対応して、前記イメージセ
ンサには2つの単位画素が設けられ、前記2つの単位画
素は隣合って配置され、所定のタイミングにおいて前記
液晶ディスプレイの1つの単位画素には、前記イメージ
センサの2つの単位画素からの画像情報が連続して書き
込まれ、前記2つの単位画素からの出力の一方は、その
極性が他方の出力に対して反転させられて前記液晶ディ
スプレイに入力されることを特徴とする電気光学装置で
ある。
ディスプレイの1つの単位画素と、該単位画素に対応す
るイメージーセンサの2つの単位画素とは、それぞれの
アクティブマトリクス回路内での位置が対応関係にある
ようにする。
の1つの単位画素と、該単位画素に対応するイメージー
センサの2つの単位画素とは、イメージセンサで取り込
まれ、さらに液晶ディスプレイで表示される画像の同一
の部分に対応するものとする。
位画素からの画像情報を含む信号波形は、互いに相似な
のとなる。
リクス型のイメージセンサにおいて、奇数行の画素群で
読み取られた画像と偶数行の画素群で読み取られた画像
とは、相似なものとなる。
するアクティブマトリクス型のイメージセンサと、N個
の単位画素を有するアクティブマトリクス型の液晶ディ
スプレイと、を有し、前記イメージセンサに配置された
N個の単位画素から出力される信号は、他の単位画素か
ら出力される信号に対してその極性を反転させる回路を
介して前記液晶ディスプレイに入力されることを特徴と
する電気光学装置である。
するアクティブマトリクス型のイメージセンサと、N個
の単位画素を有するアクティブマトリクス型の液晶ディ
スプレイと、を有し、イメージセンサには、N個の順出
力用の単位画素と、N個の反転出力用の単位画素とが配
置されており、順出力用の単位画素と反転出力用の単位
画素とは隣合って配置されていることを特徴とする。
イの任意の1画素に対応して、イメージセンサには順出
力用の単位画素と反転出力用の2つの単位画素が組とな
って配置されており、前記2つの単位画素から出力され
る画像情報は、任意のタイミングにおいて前記液晶ディ
スプレイの任意の1画素に連続して書き込まれ、前記2
つの単位画素からの画像情報を含む信号は相似であり、
かつその極性が反対であることを特徴とする。
型のイメージセンサで捉えた画像をアクティブマトリク
ス型の液晶ディスプレイで表示する方法であって、前記
イメージセンサには、液晶ディスプレイの1つの単位画
素に対応させて2つの単位画素が配置されており、前記
液晶ディスプレイの任意の1つの単位画素において、
(1)所定のタイミングでもって所定の画像情報が書き
込まれるステップと、(2)前記(1)のステップで書
き込まれた画像情報を所定の期間保持した後に前記画像
情報と相似な画像情報を書き込むステップと、を含み、
前記(1)及び(2)のステップにおける画像情報を含
む2つの信号は、その極性が互いに逆であることを特徴
とする電気光学装置の動作方法である。
つの単位画素は、隣合って配置されており、前記(1)
及び(2)のステップにおける画像情報を含む2つの信
号は、その波形が相似なものとなる。
反転モードで動作させる場合の例を示す。
型のイメージセンサの概略の構成を示す。
れた画素(その1つは101で示される)を6つ備えた
2×3画素の構成が示されている。
311 、G311、B311、R312、G312、B312) で構成されてい
る。
×3画素分しか記載されていないが、実際には、必要と
する画素数を備えた構成となっている。
る。(行は横方向に延在し、列は縦方向に延在する)
示される。ここで(m,n) は、画素の番地を示している。
(m,n) が同じ単位画素の集合が画素を構成する。そし
て、pは順出力と反転出力に対応する符号である。
て液晶ディスプレイに入力されるならば、p=2の画素
の出力は、極性が反転されたものとして(反転出力とし
て)液晶ディスプレイに入力される。なお、信号の極性
の選択は任意であり、一方を順出力と定義すれば、他方
は反転出力となる。
enの各色素を示すものである。ここでは、カラー画像
を扱うことを前提とした構造となっている。仮にモノク
ロ画像を扱うものであるならば、RGBでなる組を1つ
の単位画素と考えればよい。
は、Rmnp で示される各単位画素において、pで識別さ
れる順出力用と反転出力用の2つの単位画素が存在する
点である。
力用の単位画素群と、p=2で示される反転出力用の単
位画素群を備えている点である。
は、隣合って配置されている。これは、2つの単位画素
において、相似な画像情報を捉えるためである。
または同一と見なせる場合のことをいう。
素群で捉えられる画像は、p=2の単位画素群で捉えら
れる画像と、空間的には、1単位画素分ずれただけで、
またその画像情報を蓄積するタイミングも1フレームの
数百分の1だけ(1/2trow で示される) ずれたものとな
る。この場合、2つの画像はほとんど同じものであると
見なすことができる。
えられる画像の画像情報と、p=2の単位画素群で捉え
られる画像の画像情報とは、相似であるといえる。
号(イメージセンサからの出力)の波形は相似となる。
よって、その極性を反転させることで、理想的な反転信
号を生成することができる。
少なくとも1つのMOS型トランジスタを備えた光セン
サ構造を有している。この構造は、一般にMOS型固体
撮像素子と称されている。
の最も簡単な例としては、1つのフォトダイオードと、
1つのスイッチング用のMOS型トランジスタとを備え
た構造を挙げることができる。
は、一般にこの構造がパッシブ型と称される。しかし、
ここでは、各画素にアクティブ素子を備えた構造をアク
ティブ型と定義する。
位画素構造の例としては、フォトダイオードで蓄積され
た電荷を電位変化として検出し、それを増幅する形式が
知られている。
用、増幅用の少なくとも3つのMOS型トランジスタが
必要とされる。
サと組となる液晶ディスプレイの概略の構成である。
画素は、RGBに対応する3つの単位画素(その一つは
202で示される)で構成れている。
(m,n) で示される番地は、イメージセンサの単位画素の
配置に対応する。
×3画素分しか記載されていないが、実際には、必要と
する画素数を備えた構成となっている。
ブマトリクス型と称されるもので、各単位画素には、少
なくとも一つのスイッチング用のMOS型薄膜トランジ
スタを備えている。
ージセンサの1画素は、液晶ディスプレイの1画素に比
較して、2倍の単位画素を備えている。
対応して、イメージセンサでは、順出力用と反転出力用
との2つの単位画素が配置されているからである。
と、それに対応して設けられたイメージセンサの2つの
単位画素とは、互いのアクティブマトリクス回路におい
て、同じ番地に配置されている。
晶ディスプレイとは、図3に示す変換回路を介して接続
される。
は、それぞれ図3に示す変換回路のRGBに対応する回
路に入力される。
の出力は、図2に示す液晶ディスプレイのRGBそれぞ
れの入力部分に接続される。
を図2の液晶ディスプレイで表示する場合の動作例を示
す。ここでは、行反転という液晶表示モードを利用する
場合の例を示す。
ィスプレイの(1,1) 番地((R11、G11、B11) で示され
る単位画素群)の画素から(m,n) 番地の画素(画面の一
番右下の画素)に画像情報を書き込むのに必要な時間と
して定義する。
が行われることになる。一般に1秒間に30フィールド
あるいは60フィールドの動作が行われ、画像の表示が
行われる。
けるイメージセンサの情報読出タイミングを示したもの
である。
イの1行に画像情報を書き込む時間である。また、tA
で示される期間がイメージセンサの光センサに画像情報
が蓄積される時間である。なお、tA は1フレームの時
間に一致する。
センサの1行目から順に画像情報の読出が行われる。こ
の動作は、垂直シフトレジスタの動作に従って行われ
る。
動作は、液晶ディスプレイの所定の1つの行に画像情報
を書き込む時間trow の半分の時間で行われる。よっ
て、イメージセンサの2つの行における画像情報の読出
時間の合計が液晶ディスプレイの1行に画像情報を書き
込む時間に対応する。
読みだす時間(1/2trow )においては、その行を構
成する単位画素群から水平シフトレジスタの動作に従っ
て、順次画像情報が読みだされる。
すのに必要な時間がts である。
まず、イメージセンサの1行目から画像情報が読み出さ
れる。この画像情報の読出は、図1に示す水平シフトレ
ジスタの動作に従って、1/2trow の期間において、
順次行われる。
図2に示す液晶ディスプレイに入力される。そして、液
晶ディスプレイの1行目にその画像情報は書き込まれ
る。
となっている。即ち、最初の1/2trow の期間におい
て、切替スイッチは、''1''となっている。
た画像情報は、ほぼ1/2trow の期間においてその単
位画素において保持される。
の動作に従って、イメージセンサの2行目の画像情報が
読み出され、再度液晶ディスプレイの1行目にその画像
情報は順次書き込まれる。
えスイッチは、''2''に切り替わっている。即ち、次の
1/2trow の期間において、切替スイッチは、''2''
となっている。
報は、空間的には1画素分、時間的には1/2trow 分
だけずれている。しかし、このずれは僅かなものであ
り、実質的に2つの画像情報は同じものと見なすことが
できる。
row の時間で書き込まれる画像情報は時間的に2分割さ
れて書き込まれ、しかもそれは、最初の1/2trow の
期間に書き込まれた画像情報と相似(実質的に同一)な
画像情報が、その信号の極性が反転した形で再度後の1
/2trow の期間に書き込まれるという形となる。
センサの1行目の画素群から得られたものと、2行目の
画素群から得られたものである。
4行目の画像情報を液晶ディスプレイの2行目に書込
み、さらに次はイメージセンサの5行目と6行目の画像
情報を液晶ディスプレイの3行目に書込み、という動作
を順次行い、1フレームが終了する。
センサから出力される。そして、液晶ディスプレイに
は、RGBそれぞれの信号が、並列のタイミングで入力
され、カラー画像が形成される。
の動作とは、同期したものとなるが、一般に信号処理時
間の遅延は存在するので、その分ずれたものとなる。し
かしこのずれは、人間には感知されず、実質的にイメー
ジセンサで捉えた画像をリアルタイムで表示する構成を
実現できる。
一つの画素に対して、イメージセンサ側に順信号用と反
転信号用の2つの画素を用意することで、反転動作を簡
単な構成で実現することができる。
逆の信号が連続して液晶ディスプレイの1画素に入力す
るので、液晶劣化や画像の劣化を極力抑えた動作を行わ
すことができる。
で、消費電力を従来のデジタル処理回路を用いていた場
合に比較して大きく低減することができる。
センサと図2に示すような液晶ディスプレイとを備えた
装置の例を示す。
示す。図5には、その概略の構成を示す。また、図6に
は概略の等価ブロック図を示す。
を180度異ならせた場合のものである。
ィブマトリクス型のイメージセンサが配置された受光部
1102とその裏面側に配置されたアクティブマトリク
ス型の液晶ディスプレイでなる表示部、さらに操作スイ
ッチ1105、シャッター1104、ストロボ1103
を備えている。
たMOS型撮像素子を各画素に配置したものでもよい
し、単結晶ウエハーを用いたMOS型撮像素子を各画素
に配置したものでもよい。
素に配置し、さらに周辺駆動回路をも同一基板(ガラス
基板または石英基板)上に集積化した構成を有してい
る。
像は、図3に示すように変換回路でもって液晶ディスプ
レイを駆動する信号に変換され、リアリタイムで液晶デ
ィスプレイに映し出される。この状態では、図6の30
2で示す部分が動作する。
1104が押され、そのタイミングで静止画像がデジタ
ル処理回路に取り込まれデジタル処理される。そして、
さらにその画像情報はメモリに取り込まれる。
301で示す回路が動作する。それまでは、回路301
は待機状態となっている。
ル処理回路を常に動作させなくてもよい構成とすること
ができる。
る時間は、僅かな時間である。従って、その時間または
それに必要な時間だけ301で示す回路が動作するよう
な構成とすることにより、低消費電力を達成することが
できる。
石英基板上に形成されるTFT(薄膜トランジスタ)で
もって構成することができる。これは、回路が簡単であ
ることが第1にある。また、トランジスタに高速動作が
要求されるデジタル信号処理が必要とされないことも大
きな要因である。
ICを用いて構成することも当然できる。この場合で
も、全体を構成を簡略化させ、さらに低消費電力化を得
ることができる。
なイメージセンサと図2に示すような液晶ディスプレイ
とを同一基板上に集積化した構成を示す。
情報処理端末の例を示す。
にアクティブマトリクス型の液晶表示装置でなる表示部
1002、アクティブマトリクス型のイメージセンサを
備えた受光部1003、マイク1004、スピーカー1
005を備えている。
報を、受光部1003から画像情報を入力する。また表
示部1002に備えられたタッチセンサーを介して入力
ペン1006から直接文字情報の入力や各種操作を行わ
すことができる。
02に実用上リアルタイムに表示させることができる。
配置されるアクティブマトリクス型の液晶表示装置のア
クティブマトリクス回路と、受光部に配置されるアクテ
ィブマトリクス型のイメージセンサのアクティブマトリ
クス回路とを同一基板上に集積化したものとしている。
イメージセンサと液晶ディスプレイとを集積化した場合
の構造を示す。
は、同一基板上にアクティブマトリクス型の液晶表示装
置とアクティブマトリクス型のイメージセンサとを集積
化したものである。
とが一対のガラス基板である。この一対のガラス基板の
間に液晶405が挟んで保持されてる。
じ込められている。なお、シール材408は一対のガラ
ス基板401と402とを一定の間隔で保持する機能も
有している。
は、偏光板403、407、アクティブマトリクス回路
406、液晶405、対向電極404、が配置されてい
る。
ブマトリクス型のイメージセンサ回路409が配置され
ている。410は、液晶が充填されず、単なる隙間とし
て存在している。
る。また、413は赤外光を遮蔽するためのフィルター
(IRフィルター)である。
基板401上にTFTでもって液晶表示部のアクティブ
マトリクス回路406とイメージセンサ部のアクティブ
マトリクス回路409とが集積化されている。
な接続は、図3に示すような変換回路を介してなされて
いる。
うなオペアンプでなる変換回路もガラス基板401上に
形成されたTFTでもって構成されている。
示す。ここでは、ガラス基板上にイメージセンサ部に配
置されるTFTと液晶表示部に配置されるTFTとを同
時に作製する場合の例を示す。
晶質珪素膜を減圧熱CVD法によって50nmの厚さに
成膜する。
直接成膜する場合の例を示すが、ガラス基板上に酸化珪
素膜や酸化窒化珪素膜等を下地膜として成膜し、その上
に非晶質珪素膜を成膜する構成としてもよい。
この図示しない非晶質珪素膜を結晶化させる。
照射による方法を採用してもよい。
をパターニングして、図9(A)の502及び503で
示すパターンを得る。
として機能する酸化珪素膜504をプラズマCVD法に
より、100nmの厚さに成膜する。
N型の微結晶珪素膜を減圧熱CVD法で成膜し、さらに
それをパターニングすることにより、ゲイト電極505
と506とを形成する。
ド材料や金属材料等を用いることができる。また、金属
材料と珪素材料との積層構造を用いることもできる。
として、プラズマドーピング法により、燐のドーピング
を行う。
る場合の例を示すので、燐のドーピングを行う例を示す
が、Pチャネル型のTFTを作製するのであれば、ボロ
ンのドーピングを行う。
型のTFTとを作製する場合は、選択的なドーピングを
行うことで、2つの導電型のTFTを作り分ける。
2の領域に燐のドーピングが行われる。また、508、
511の領域にはドーピングは行われない。
て、507がソース領域、509がドレイン領域、50
8がチャネル領域となる。
0がソース領域、517がドイレン領域、511がチャ
ネル領域となる。
に層間絶縁膜として酸化珪素膜513をプラズマCVD
法により、300nmの厚さに成膜する。
ージセンサ部のTFTのソース電極514とドレイン電
極515とを形成する。また、液晶表示部のTFTのソ
ース電極516とドレイン電極517とを形成する。
(図9(C))
パッタ法で成膜したチタン膜とアルミニウム膜とチタン
膜との積層膜でもって構成する。
法でもって成膜する。アクリル樹脂膜の表面は平坦にな
るように条件を設定する。またその膜厚は、最小の部分
で600nmとなるようにする。
ン膜でもって電極519とBM(ブラックマトリクス)
520を形成する。(図9(C))
サ部においては、光電変換層の一方の電極となる。ま
た、液晶表示部においては、BMを構成する。
さらにこの樹脂膜をパターニングすることにより、52
2で示されるアクリル樹脂膜を形成する。
って成膜し、さらにこの膜をパターニングすることによ
り、521で示す非晶質珪素膜を形成する。この非晶質
珪素膜521は、光電変換層として機能する。
ールを形成し、画素電極としてITO電極524を形成
する。さらに同時にITO電極523を形成する。
TFTの出力(ドレイン)には、一方の電極519、光
電変換層521、他方電極523とで構成される光電変
換装置(光センサ)が接続されている。
力(ドレイン)に画素電極524が接続されている。
製されたTFTでもって、イメージセンサ部と液晶表示
部とを構成することができる。
るイメージセンサ部と液晶表示部との画素部分に配置さ
れるTFTに関して示した。実際には、さらに周辺駆動
回路や変換回路等も同一基板上に集積化される。
いては、イメージセンサ部と液晶表示部とを同一基板上
に集積化した構成とすることができる。このような構成
は、構造の簡略化、低生産コスト化を目指す構成には有
用なものとなる。
示すようなゲイト電極が活性層の上部にあるトップゲイ
ト型の形式の他に、ゲイト電極が活性層と基板との間に
あるボトムゲイト型であってもよい。また、トップゲイ
ト型とボトムゲイト型とを同一基板上に作り分けた構成
としてもよい。
は、画像を構成する光信号の入射に対してリニアでな
い。あるいはリニアでない領域を有している。
る。 (2)イメージセンサの出力のリニアでない領域を補正
し、最終的な出力がリニアになるような電気的な処理を
施す。といった構成が採用される。
が実施例されている。しかし、デジタル信号を扱うこと
は、回路構成が複雑化し、また消費電力が増大する要因
となる。
ンプ回路の増幅率を入力信号の強度によって変化させる
構成とする。
逆の非線形性を有した増幅率とすることで、最終的な出
力をリニアなものとする。
ードバック回路を工夫することで実現することができ
る。
で、受像部と表示部を備えた構成において、消費電力を
極力低減させた構成を提供することができる。
に供給する画像信号の順信号と反転信号に対応させて、
イメージセンサ側に2つの画素を用意し、この2つの画
素のそれぞれで順信号と反転信号を生成し、それを液晶
ディスプレイの1画素に2タイミングに分けて供給して
いる。
な回路でもって、理想的な液晶ディスプレイの駆動を行
わすことができる。
わないので、低消費電力を実現することができる。
イメージセンサで捉えた画像を液晶ディスプレイに表示
する動作において、液晶の劣化を防止する反転動作を理
想に近い状態で行わすことができる。
いので、発熱の問題に対しても有利な構成とすることが
できる。
をイメージセンサで捉え、それをリアルタイムで液晶デ
ィスプレイに表示する場合に有効なものとなる。
概略を示す図。
の概略を示す図。
タイミング関係を示す図。
ク図。
した構造の断面を示す図。
した構造におけるTFTの作製工程を示す図。
Claims (11)
- 【請求項1】アクティブマトリクス型のイメージセンサ
と、 アクティブマトリクス型の液晶ディスプレイと、 を有し、 前記液晶ディスプレイの1つの単位画素に対応して、前
記イメージセンサには2つの単位画素が設けられ、 前記2つの単位画素は隣合って配置され、 所定のタイミングにおいて前記液晶ディスプレイの1つ
の単位画素には、前記イメージセンサの2つの単位画素
からの画像情報が連続して書き込まれ、 前記2つの単位画素からの出力の一方は、その極性が他
方の出力に対して反転させられて前記液晶ディスプレイ
に入力されることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項2】請求項1において、 2つの単位画素からの画像情報を含む信号波形は、互い
に相似であることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項3】請求項1において、 任意に選択された液晶ディスプレイの1つの単位画素
と、 該単位画素に対応するイメージーセンサの2つの単位画
素とは、 それぞれのアクティブマトリクス回路内での位置が対応
関係にあることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項4】請求項1において、 任意に選択された液晶ディスプレイの1つの単位画素
と、 該単位画素に対応するイメージーセンサの2つの単位画
素とは、 イメージセンサで取り込まれ、さらに液晶ディスプレイ
で表示される画像の同一の部分に対応するものであるこ
とを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項5】請求項1において、 アクティブマトリクス型のイメージセンサ及びアクティ
ブマトリクス型の液晶ディスプレイにおいて、 各単位画素にはアクティブ素子が配置されていることを
特徴とする電気光学装置。 - 【請求項6】2N個の単位画素を有するアクティブマト
リクス型のイメージセンサと、 N個の単位画素を有するアクティブマトリクス型の液晶
ディスプレイと、 を有し、 前記イメージセンサに配置されたN個の単位画素から出
力される信号は、他の単位画素から出力される信号に対
してその極性を反転させる回路を介して前記液晶ディス
プレイに入力されることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項7】2N個の単位画素を有するアクティブマト
リクス型のイメージセンサと、 N個の単位画素を有するアクティブマトリクス型の液晶
ディスプレイと、 を有し、 イメージセンサには、 N個の順出力用の単位画素と、 N個の反転出力用の単位画素とが配置されており、 順出力用の単位画素と反転出力用の単位画素とは隣合っ
て配置されていることを特徴とする電気光学装置。 - 【請求項8】請求項7において、 液晶ディスプレイの任意の1画素に対応して、イメージ
センサには順出力用の単位画素と反転出力用の2つの単
位画素が組となって配置されており、 前記2つの単位画素から出力される画像情報は、任意の
タイミングにおいて前記液晶ディスプレイの任意の1画
素に連続して書き込まれ、 前記2つの単位画素からの画像情報を含む信号は相似で
あり、かつその極性が反対であることを特徴とする電気
光学装置。 - 【請求項9】請求項7において、 アクティブマトリクス型のイメージセンサ及びアクティ
ブマトリクス型の液晶ディスプレイにおいて、 各単位画素にはアクティブ素子が配置されていることを
特徴とする電気光学装置。 - 【請求項10】アクティブマトリクス型のイメージセン
サで捉えた画像をアクティブマトリクス型の液晶ディス
プレイで表示する方法であって、 前記イメージセンサには、液晶ディスプレイの1つの単
位画素に対応させて2つの単位画素が配置されており、 前記液晶ディスプレイの任意の1つの単位画素におい
て、(1)所定のタイミングでもって所定の画像情報が
書き込まれるステップと、(2)前記(1)のステップ
で書き込まれた画像情報を所定の期間保持した後に前記
画像情報と相似な画像情報を書き込むステップと、 を含み、 前記(1)及び(2)のステップにおける画像情報を含
む2つの信号は、前記2つの単位画素からのものであ
り、その極性が互いに逆であることを特徴とする電気光
学装置の動作方法。 - 【請求項11】請求項10において、 イメージセンサの2つの単位画素は、隣合って配置され
ており、 前記(1)及び(2)のステップにおける画像情報を含
む2つの信号は、その波形が相似であることを特徴とす
る電気光学装置の動作方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24981697A JPH1175101A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 電気光学装置及びその動作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24981697A JPH1175101A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 電気光学装置及びその動作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1175101A true JPH1175101A (ja) | 1999-03-16 |
| JPH1175101A5 JPH1175101A5 (ja) | 2005-05-19 |
Family
ID=17198629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24981697A Withdrawn JPH1175101A (ja) | 1997-08-29 | 1997-08-29 | 電気光学装置及びその動作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1175101A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7379139B2 (en) | 2002-03-19 | 2008-05-27 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display and electro-optical devices with a function element |
| JP2011100133A (ja) * | 1999-03-18 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
-
1997
- 1997-08-29 JP JP24981697A patent/JPH1175101A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011100133A (ja) * | 1999-03-18 | 2011-05-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
| US7379139B2 (en) | 2002-03-19 | 2008-05-27 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display and electro-optical devices with a function element |
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