JPH117666A

JPH117666A - 記録媒体及び記録媒体の製造方法

Info

Publication number: JPH117666A
Application number: JP17631697A
Authority: JP
Inventors: Tsutomu Ikeda; 勉池田; Takehiko Kawasaki; 岳彦川崎
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-06-17
Filing date: 1997-06-17
Publication date: 1999-01-12

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】高いＳ／Ｎ比と高速再生を可能とする。【解決手段】本発明の記録媒体は表面が平滑な記録層を
有する記録媒体であって、平滑な基板面を有する第１基
板１０１上に平滑な基板面を再現可能な剥離層１０２を
介して形成した記録層１０３上の金属層１０４と、第２
基板１０５上の金属層１０６とを接合させて、第１基板
を剥離層或いは記録層界面から剥離して第１基板面又は
剥離層の平滑な形状を記録層表面に転写する。製造方法
は、平滑面を有する第１基板上に剥離層を形成する工程
と、剥離層上に記録層を形成する工程と、記録層上に金
属層を形成する工程と、金属層を第２基板上に形成され
た金属層に接触させた後、加圧処理を行う工程と、第１
の基板を剥離層或いは記録層界面から剥離して第１基板
面または剥離層形状を記録媒体表面に転写する工程と、
を含む。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、記録媒体及び記録
媒体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＡＶ機器などのエレクトロニクス産業の
中核をなすものであり、その材料開発も活発に進められ
ている。メモリー材料に要求される性能は用途により異
なるが、一般的には、（１）高密度で記録容量が大きい（２）記録再生の応答速度が早い（３）消費電力が少ない（４）生産性が高く、価格が安いなどが挙げられる。従来までは磁性体や半導体を素材と
した半導体メモリや磁気メモリがおもであったが、近年
のレーザー技術の目覚しい進展に伴い、有機色素、フォ
トポリマーなどの有機薄膜を用いた光メモリによる安価
で高密度な記録媒体が登場してきた。

【０００３】一方、最近、導体の表面原子の電子構造を
直接観察できる走査型トンネル顕微鏡（以下、ＳＴＭと
略す）が開発され［Ｇ．Ｂｉｎｎｉｇｅｔａｌ．，
Ｐｈｙｓ．Ｒｅｖ．Ｌｅｔｔ．，４９，５７（１９８
２）］、単結晶、非晶質を問わず実空間像の高い分解能
の測定ができるようになり、しかも試料に電流による損
傷を与えずに低電力で観察できる利点も有し、さらに大
気中でも動作し、種々の材料に対して用いることができ
るため、広範囲な応用が期待できる。ＳＴＭは金属の探
針と導電性物質間に電圧を加えて１ｎｍ程度の距離まで
近づけると、トンネル電流が流れることを利用してい
る。この電流は両者の距離変化に非常に敏感である。ト
ンネル電流を一定に保つように探針を走査することによ
り実空間の全電子雲に関する種々の情報をも読み取るこ
とができる。この際、面内方向の分解能は０．１ｎｍ程
度である。従って、ＳＴＭの原理を応用すれば、十分に
原子オーダー（サブナノメーター）での超高密度記録再
生を行うことが可能となる。例えば、特開昭６１−８０
５３６号公報に開示されている記録再生装置では、電子
ビーム等によって媒体表面に吸着した原子粒子を取り除
き、書き込みを行い、ＳＴＭによりこのデータを再生し
ている。記録層としては、電圧電流のスイッチング特性
に対してメモリ効果をもつ材料、例えばπ電子系有機化
合物やカルコゲン化合物類の薄膜層を用いて、記録・再
生をＳＴＭで行う方法が提案されている（特開昭６３−
１６１５５２号公報、特開昭６３−１６１５５３号公
報）。この方法によれば、記録ビットサイズを１０ｎｍ
とすれば、１０の１２乗ビット／平方センチメートルも
の大容量記録再生が可能となる。

【０００４】図２に、ＳＴＭ技術を応用した情報処理装
置の構成例を示す。以下、図面に従って説明する。１１
は基板、１２は金属の電極層、１３は記録層である。２
０１はＸＹステージ、２０２は探針、２０３は探針の支
持体、２０４は探針をＺ方向に駆動するリニアアクチュ
エーター、２０７はパルス電圧回路である。３０１は探
針２０２から記録層１３を介して電極層１２へ流れるト
ンネル電流を検出する増幅器である。３０２はトンネル
電流の変化を探針２０２と記録層１３の間隙距離に比例
する値に変換するための対数圧縮器、３０３は記録層１
３の表面凹凸成分を抽出するための低域通過フィルタで
ある。３０４は基準電圧Ｖｒｅｆと低域通過フィルタ３
０３の出力との誤差を検出する誤差増幅器、３０５はＺ
軸リニアアクチュエータ２０４を駆動するドライバーで
ある。３０６はＸＹステージ２０１の位置制御を行う駆
動回路である。３０７はデータ成分を分離する高域通過
フィルタである。

【０００５】図５に従来例の記録媒体の断面と探針２０
２を示す。４０１は記録層１３に記録されたデータビッ
ド、４０２は基板１１上に電極層１２を形成したときに
できた結晶粒である。この結晶粒４０２の大きさは、電
極層１２の製法として通常の真空蒸着法、スパッタ法等
を用いると３０〜５０ｎｍ程度である。探針２０２と記
録層１３との間隙は図２に示された回路構成により一定
に保つことができる。即ち、探針２０２と記録層１３の
間に流れるトンネル電流を検出し、対数圧縮器３０２、
低域通過フィルタ３０３を介した後、この値を基準電圧
と比較し、この比較値が零に近づくように探針２０２を
支持するＺ軸リニアアクチュエータ２０４を制御するこ
とにより、探針２０２と記録層１３の間隙を一定にする
ことができる。

【０００６】さらに、ＸＹステージ２０１を駆動するこ
とにより記録媒体の表面を探針２０２がなぞり、また、
図２のａ点における信号の高域周波数成分を分離するこ
とにより記録層１３のデータを検出できる。この時のａ
点における信号の周波数に対する信号強度スペクトラム
を図４に示す。

【０００７】ｆ０以下の周波数成分の信号は基板１１の
反り、歪み等による媒体の緩やかな起伏によるものであ
る。ｆ１を中心とした信号は記録層１３の表面の凹凸に
よるもので、主として電極材料形成時に生じる結晶粒に
よるものである。ｆ２は記録データの搬送波成分で、４
０３はデータ信号帯域である。ｆ３は記録層１３の原
子、分子配列から生じる信号成分である。ｆｃは高域通
過フィルタ３０７の遮断周波数、ｆＴはトラッキング用
の溝を記録層上に形成した場合に検出されるトラッキン
グ信号成分である。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した従
来例に示された記録媒体を使用した場合、以下のような
問題点があった。ＳＴＭの特徴である高分解能を生かし
た高密度記録を行うには、データ信号帯域４０３をｆ１
とｆ３の間に置かなければならない。この場合、データ
成分を分離するため遮断周波数ｆｃの高域通過フィルタ
３０７を用いる。しかしながら、ｆ１の信号成分の裾野
がデータ信号帯域４０３と重なっている。これはｆ１の
信号成分が電極層１２の結晶粒に起因しているためであ
り、結晶粒の３０〜５０ｎｍに対しデータの記録サイズ
及びビット間隔が１〜１０ｎｍと接近していることによ
る。このため、データ再生のＳ／Ｎ比が低下し、読み取
りデータの誤り率を著しく高くしている。

【０００９】そこで、本発明は、上記した従来例のもの
における課題を解決し、高いＳ／Ｎ比を有し、高速再生
を可能とするための記録媒体及び記録媒体の製造方法を
提供することを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するため、記録媒体及び記録媒体の製造方法をつぎの
ように構成したことを特徴とするものである。すなわ
ち、本発明の記録媒体は、表面が平滑な記録層を有する
記録媒体であって、該平滑面を有する記録層が、平滑な
基板面を有する第１基板上に、該平滑な基板面を再現可
能な剥離層を介して形成された該記録層上の金属層と、
第２基板上の金属層同士を接合させて、該第１基板を該
剥離層或いは記録層界面から剥離して該第１基板面また
は該剥離層の平滑な形状を該記録層表面に転写して形成
されていることを特徴としている。また、本発明の記録
媒体は、前記剥離層が、ラングミュアーブロジェット法
によって形成された有機化合物であることを特徴として
いる。また、本発明の記録媒体は、前記記録層が、カル
コゲナイド薄膜材料からなることを特徴としている。ま
た、本発明の記録媒体は、前記第１基板上の金属層が、
貴金属単層或いは貴金属及びその他の金属からなる多層
構造であることを特徴としている。また、本発明の記録
媒体は、前記貴金属が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐ
ｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕのいずれか、或いはそれらを含む
合金であることを特徴としている。また、本発明の記録
媒体は、前記第２基板上の金属層が、単層或いは多層構
造であることを特徴としている。また、本発明の記録媒
体は、前記第２基板上に形成された金属層が、Ａｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａｌのいず
れか、或いはそれらを含む合金であることを特徴として
いる。また、本発明の記録媒体は、前記記録媒体は、そ
の表面粗さが０．５ｎｍ以下の平滑面を１μｍ平方以上
有することを特徴としている。また、本発明の記録媒体
の製造方法は、表面が平滑な記録層を有する記録媒体の
製造方法であって、１．平滑面を有する第１基板上に剥離層を形成する工程
と、２．該剥離層上に記録層を形成する工程と、３．該記録層上に金属層を形成する工程と、４．該金属層を第２基板上に形成された金属層に接触さ
せた後、加圧処理を行う工程と、５．第１の基板を剥離層或いは記録層界面から剥離して
第１基板面または剥離層形状を記録媒体表面に転写する
工程と、を含むことを特徴としている。また、本発明の
記録媒体の製造方法は、前記剥離層が、ラングミュアー
ブロジェット法によって形成された有機化合物であるこ
とを特徴としている。また、本発明の記録媒体の製造方
法は、前記記録層が、カルコゲナイド薄膜からなること
を特徴としている。また、本発明の記録媒体の製造方法
は、前記第１基板上の金属層が、貴金属単層或いは貴金
属及びその他の金属からなる多層構造であることを特徴
としている。また、本発明の記録媒体の製造方法は、前
記貴金属が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒ
ｈ、Ｒｕのいずれか、或いはそれらを含む合金であるこ
とを特徴としている。また、本発明の記録媒体の製造方
法は、前記第２基板上の金属層が、単層或いは多層構造
であることを特徴としている。また、本発明の記録媒体
の製造方法は、前記第２基板上に形成された金属層が、
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａ
ｌのいずれか、或いはそれらを含む合金であることを特
徴としている。また、本発明の記録媒体の製造方法は、
加圧処理を行う工程において、加圧処理後に加熱処理を
行うことを特徴としている。また、本発明の記録媒体の
製造方法は、加圧処理を行う工程において、加圧処理及
び加熱処理を同時に行うことを特徴としている。また、
本発明の記録媒体の製造方法は、前記記録媒体は、その
表面粗さが０．５ｎｍ以下の平滑面を１μｍ平方以上有
することを特徴としている。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明は、上記した構成により平
滑面を有する記録媒体を提供することができ、それによ
りＳＴＭの原理を応用した情報処理装置の機能を十分に
生かすことを可能とした。以下、図面に従って本発明を
説明する。図１は本発明による記録媒体の製造方法の各
工程における断面図を示したものである。図１−（ａ）
において、まず第１の基板１０１を用意する。この基板
は表面粗さが０．５ｎｍ以下の平滑面を好ましくは１μ
ｍ平方以上有することを必要とする。表面凹凸の測定
は、原子間力顕微鏡（以下、ＡＦＭとする）によって測
定することができる。ＡＦＭを用いると、試料の導電性
の有無にかかわらず原子オーダーの分解能で試料の表面
形状を計測することができる。本発明者は、ＡＦＭを用
いて各種材料の表面粗さを評価したところ、以下の材料
で、特に平滑なものにおいて本発明における第１の基板
１０１に適していることが判明した。（１）結晶のへき開面…結晶のへき開面は極めて平滑な
表面を用意に得ることができ、結晶材料としては、Ｍｇ
Ｏ、ＴｉＣ、Ｓｉ、マイカ、ＨＯＰＧ等が挙げられる。（２）溶融したガラス表面…例えば、フロートガラス、
＃７０５９フュージョン溶融石英、等が挙げられる。（３）その他…十分平滑なＳｉウエハー表面上のＳｉ熱
酸化膜においても極めて平滑な表面を得られる。

【００１２】次に、図１−（ｂ）に示すように、剥離層
１０２を第１基板１０１上に形成する。剥離層１０２と
しては、例えば、有機単分子膜或いはその累積膜を、Ｌ
Ｂ（ラングミュアー・ブロジェット）法によって形成す
ることができる。ＬＢ法によって形成されたこれらの分
子の有機単分子膜或いはその累積膜或いはその重合膜は
基板の凹凸を忠実に再現するため、第１の基板１０１表
面の平滑性を損なうことなく第１の基板１０１上に平滑
面を得ることができる。次に、図１−（ｃ）に示すよう
に、剥離層１０２上に記録層１０３を形成する。記録層
１０３としては、例えば、カルコゲナイド薄膜をスパッ
ター蒸着法などで形成することができる。カルコゲナイ
ド薄膜は、相変化型光ディスクとして既に実用化されて
いる。相変化型光ディスクではカルコゲナイド薄膜への
レーザー光の照射条件によって可逆的な相変化を起こさ
せることによって記録を行い、この相変化による光学的
変化を読み取ることにより再生を行う。一方で、カルコ
ゲナイド薄膜は電圧印加によって導電性が変化すること
が知られている（特開昭６３−２２２３４８号公報）。

【００１３】次に、図１−（ｄ）に示すように、金属層
１０４を記録層１０３上に形成する。金属層１０４とし
ては高導電性を有するもので、例えば、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉ
ｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａｕなどの貴金属或いはそれらの合金
が好ましく用いられる。特に、記録層１０４と接する金
属は、酸化膜が生成し難い金属である必要がある。Ｗ、
Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ａｇなどは安価で且つ
熱膨張係数の小さいものもあるため、酸化膜が生成し難
い金属上にそれらの積層膜として使用できる。さらに、
好ましくはＡｕを主とする層を最表面に形成しておく。
Ａｕは柔らかく、融点が低いため、より低圧力、低温度
で接合できる。従って、最表面として好ましく用いるこ
とができる。このような材料を用いた薄膜形成方法とし
ては、従来公知の薄膜形成技術で十分である。次に、図
１−（ｅ）に示すように、第２の基板１０５上に金属層
１０６を形成する。金属層１０６の材料としては、例え
ば、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａｕなどの貴金属
或いはそれらの合金或いはＷ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａ
ｌ、Ｃｕ、Ａｇなどで、それらの積層膜であっても良
い。特に、好ましくはＡｕを主とする層を最表面に形成
する。

【００１４】次に、図１−（ｆ）に示すように、第１基
板１０１及び第２基板１０５の金属層表面同士１０４、
１０６を接触させ、圧力を加える。この時の圧力は特に
制限はないが、数Ｋｇ〜数十ｋｇ／ｃｍ²程度である。
加熱処理を用いると、より低圧力で接着することができ
る。この場合の温度は、圧力との兼ね合いであるが、通
常、１０００℃以下である。加熱処理は加圧処理と別に
行っても構わないが、好ましくは同時に行う。次に、図
１−（ｇ）に示すように、第１基板１０１の剥離を行
う。剥離は剥離層１０２と記録層１０３の界面で起こ
る。また、この時記録層上に剥離層１０２が残留してい
る場合は、酸素プラズマ処理で容易に除去できる。これ
により、記録媒体１０７を得ることができる。記録層表
面の平滑性は第１の基板１０１の平滑性と等しく、表面
粗さが０．５ｎｍ以下の平滑面を１μｍ平方以上有して
いる。

【００１５】本発明による記録媒体１０７を図２の情報
処理装置を用いた場合の媒体と探針の断面図を図５−
（ａ）に示す。また、図２のａ点及びｂ点における信号
の周波数スペクトラムを図５−（ｂ）に示す。ｆ０以下
の周波数成分の信号は記録媒体１０７の反り、歪み等に
よる媒体の緩やかな起伏によるものである。ｆ２は記録
データの搬送波成分で、４０３はデータ信号帯域を示
す。ｆ３は記録層１０３の原子、分子配列から生じる信
号成分である。ｆｃは高域通過フィルタ３０７の遮断周
波数、ｆＴはトラッキング用の溝を記録層上に形成した
場合の信号成分である。ｆ１を中心とした信号は第１の
基板１０１の僅かな凹凸が転写されたもので、この凹凸
はデータは記録信号ｆ２、高域通過フィルタ３０７の遮
断周波数ｆｃ及びトラッキング信号ｆＴより小さく作成
されなければならないため、ｆ１はできる限り小さくし
ておく必要がある。特に、テラビット級の超大容量メモ
リーにおいては、ＳＴＭのプローブ走査速度をより速く
走査させる必要がある。しかし、走査速度を高めるとｆ
１も増加してｆｃに近づいてしまうため、結果として高
速走査を妨げてしまう。従って、ｆ１成分を小さくでき
る平滑性の高い基板を得ることが極めて重要となる。

【００１６】以上により、次のような作用効果が得られ
る。１．平滑面を有する記録媒体によって、記録層表面の粗
さに起因する信号成分ｆ１を極めて小さくできるため、
より高い走査速度においてもｆ１成分をｆｃ成分より十
分低く保つことができる。２．記録媒体が無機材料層及び金属層によって構成され
ているため、耐熱性の高い電極基板が形成できる。３．記録層と金属層（電極層）を一括して転写できるた
め、製造工程がきわめて簡便となる。４．接合層として金属層を用いるため、塗布型の有機接
着層などを用いた場合に比べて、所望の接着面以外への
接着剤のはみ出しがない。５．接合層として金属層を用いるため、塗布型の有機接
着層などを用いた場合に比べて、金属層を保持する基板
面からの記録層表面の高さ制御や、面の平行出し等を容
易行うことができる。６．金属層を形成できる材料なら、どのような基板材料
に対しても平滑な記録層を形成することができる。

【００１７】

【実施例】以下、本発明の金結晶表面の平滑化方法を、
実施例を用いて詳細に説明する。［実施例１］本発明の実施例１を図１を参照しつつ説明
する。まず図１−（ａ）に示すように、平滑化処理した
Ｓｉ（１１１）ウエハーを用意し、第１基板１０１とし
た。平滑化処理は、まず、沸騰させた硫酸：過酸化水素
水＝４：１の溶液に５分浸し、続いて５％フッ酸に１分
浸した。さらにフッ酸：フッ化アンモニウム＝３：５０
の溶液に１０分浸し、その後水洗、乾燥させた。次に、
図１−（ｂ）に示すように第１の基板１０１上にポリア
ミック酸アルキルアミン塩累積膜を特開昭６３−１６１
５５２号公報に開示されている方法（ＬＢ法）で形成し
た。この累積膜を２５０℃、３０分間焼成してポリイミ
ド化させ剥離層１０２を形成した。このようにして得ら
れた剥離層１０２の表面粗さをＡＦＭで測定したとこ
ろ、１μｍ平方において０．３ｎｍ以下であった。次
に、図１−（ｃ）に示すように、二元スパッター蒸着法
により、剥離層１０２上にカルコゲナイド薄膜（ＧｅＳ
ｂ₂Ｔｅ₄）を２０ｎｍの厚さ成膜し記録層１０３を形成
した。ついで、図１−（ｄ）に示すように、記録層１０
３上に金属層１０４としてＰｔとＡｕからなる合金層を
膜厚３００ｎｍ、さらにＡｕを膜厚５０ｎｍ形成した。
次に、図１−（ｅ）に示すように、Ｓｉウエハからなる
第２の基板１０５上に金属層１０６としてＣｒを膜厚５
ｎｍ、Ａｕを膜厚１００ｎｍ成膜した。次に、図１−
（ｆ）に示すように、第１の基板１０１及び第２の基板
１０５の金属層面同士１０４、１０６を合わせた後、両
基板を押し付け合うように加圧した。圧力は、５ｋｇ／
ｃｍ²とした。次に、加圧した状態で両基板を２００℃
に加熱し１０秒間保持し、その後室温に冷却した。次
に、図１−（ｇ）に示すように、剥離層１０２と記録層
１０３との界面から引き剥がし、平滑な表面を有する記
録媒体１０７を得た。このようにして得られた記録層１
０３の表面粗さをＡＦＭで測定したところ、１μｍ平方
において０．３ｎｍ以下であった。

【００１８】次に記録再生の実験を行った。探針２０２
としてＰｔ／Ｒｈ製のものを用いた。この探針２０２は
記録層１０３の表面との距離（Ｚ）を制御することによ
って電流を一定に保つように、圧電素子により、その距
離（Ｚ）が微動制御されている。さらにリニアアクチュ
エータ２０４、２０５、２０６は距離Ｚを一定に保った
まま、面内（Ｘ，Ｙ）方向にも微動制御できるように設
計されている。前述した、記録媒体１０８をＸＹステー
ジ上においた。次に探針２０２と記録媒体の電極層１０
２の間に＋１．０Ｖの電圧を印加し、電流をモニターし
ながら探針２０２と記録層１０３表面の距離Ｚを調整し
た。この時、探針２０２と記録層１０３表面との距離Ｚ
を制御するための電流Ｉｐを１０^-10≧Ｉｐ≧１０^-11に
なるように設定した。次に探針２０２を記録層１０３上
を走査させながら、２０ｎｍピッチで情報の記録を連続
して行った。記録は、探針を＋、電極層を−にして矩形
パルス電圧を印加した。その後、記録されたビット上を
再び走査したところ、ビット上において１０ｎＡ程度の
電流が流れることを確認した。次に読み取りデータの誤
り率を、読み取り速度を一定にして調べたところ、従来
では１０^-1であったのが、本実施例では１０^-7と著しく
小さくすることが可能となった。

【００１９】［実施例２］本発明の実施例２を図１を参
照しつつ説明する。まず図１−（ａ）に示すように、十
分平滑性のよいフロートガラスを第１の基板１０１とし
た。次に、図１−（ｂ）に示すように第１の基板１０１
上にポリアミック酸アルキルアミン塩累積膜をＬＢ法に
より形成した。この累積膜を２５０℃、３０分間焼成し
てポリイミド化させ剥離層１０２を形成した。このよう
にして得られた剥離層１０２の表面粗さをＡＦＭで測定
したところ、１μｍ平方において０．３ｎｍ以下であっ
た。次に、図１−（ｃ）に示すように、二元スパッター
蒸着法により、剥離層１０２上にカルコゲナイド薄膜
（ＧｅＳｂ₂Ｔｅ₄）を２０ｎｍの厚さ成膜し記録層１０
３を形成した。ついで、図１−（ｄ）に示すように、記
録層１０３上に金属層１０４としてＰｄとＡｕの合金層
を膜厚３００ｎｍ、さらにＡｕを膜厚５０ｎｍ形成し
た。次に、図１−（ｅ）に示すように、Ｓｉウエハから
なる第２の基板１０５上に金属層１０６としてＣｒを膜
厚５ｎｍ、Ａｕを膜厚１００ｎｍ成膜した。次に、図１
−（ｆ）に示すように、第１の基板１０１及び第２の基
板１０５の金属層面同士１０４、１０６を合わせた後、
両基板を押し付け合うように加圧した。圧力は、１０ｋ
ｇ／ｃｍ²とした。次に、図１−（ｇ）に示すように、
剥離層１０２と記録層１０３との界面から引き剥がし、
平滑な表面を有する記録媒体１０７を得た。このように
して得られた記録層の表面粗さをＡＦＭで測定したとこ
ろ、１μｍ平方において０．３ｎｍ以下であった。次
に、実施例１と同様に、記録再生の実験を行ない、読み
取りデータの誤り率を、読み取り速度を一定にして調べ
たところ、従来では１０−¹であったのが、本実施例で
は１０^-7と著しく小さくすることが可能となった。

【００２０】［実施例３］本発明の実施例３を説明す
る。まず、実施例１と同様に平滑化処理したＳｉウエハ
ーを第１の基板１０１とし、この第１の基板１０１上に
ポリアミック酸アルキルアミン塩累積膜をＬＢ法により
形成した。この累積膜を化学処理によりポリイミド化さ
せ剥離層１０２を形成した。このようにして得られた剥
離層１０２の表面粗さをＡＦＭで測定したところ、１μ
ｍ平方において０．３ｎｍ以下であった。次に、二元ス
パッター蒸着法により、剥離層１０２上にカルコゲナイ
ド薄膜（Ｇｅ₂Ｓｂ₂Ｔｅ₅）を２０ｎｍの厚さ成膜し記
録層１０３を形成した。ついで、記録層１０３上に金属
層１０４としてＰｔを膜厚５００ｎｍ、さらにＡｌを膜
厚１００ｎｍ形成した。次に、Ｓｉウエハからなる第２
の基板１０５上に金属層１０５としてＣｒを膜厚５ｎ
ｍ、Ａｌを膜厚１００ｎｍ成膜した。次に、第１の基板
１０１及び第２の基板１０５の金属層面同士１０４、１
０６を合わせた後、両基板を押し付け合うように加圧し
た。圧力は、１０ｋｇ／ｃｍ²とした。加圧後３００℃
で１分加熱した。次に、剥離層１０２と記録層１０３と
の界面から引き剥がし、平滑な表面を有する記録媒体１
０７を得た。このようにして得られた記録層の表面粗さ
をＡＦＭで測定したところ、１μｍ平方において０．３
ｎｍ以下であった。次に、実施例１と同様に、記録再生
の実験を行ない、読み取りデータの誤り率を、読み取り
速度を一定にして調べたところ、従来では１０^-1であっ
たのが、本実施例では１０^-7と著しく小さくすることが
可能となった。

【００２１】

【発明の効果】以上のように、本発明の記録媒体及び記
録媒体の製造方法によると、記録層表面の粗さに起因す
る信号成分ｆ１を極めて小さくできるため、より高い走
査速度においてもｆ１成分をｆｃ成分より十分低く保つ
ことができる。また、本発明によると、記録媒体が無機
材料層及び金属層によって構成されているため、耐熱性
の高い記録媒体の基板を形成することができる。また、
本発明の記録媒体の製造方法によると、記録層と電極層
を構成する金属層を一括して転写できるため、製造工程
が簡便となる。また、本発明の記録媒体の製造方法によ
ると、接合層として金属層を用いるため、塗布型の有機
接着層などを用いた場合に比べて、所望の接着面以外へ
の接着剤のはみ出しをなくすことができる。また、本発
明の記録媒体の製造方法によると、接合層として金属層
を用いるため、塗布型の有機接着層などを用いた場合に
比べて、金属層を保持する基板面からの記録層表面の高
さ制御や、面の平行出し等を容易におこなうことができ
る。また、本発明の記録媒体の製造方法によると、金属
層を形成できる材料であれば、どのような基板材料に対
しても平滑な記録層を形成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の製造方法を示す図である。

【図２】ＳＴＭを応用した情報処理装置を示す図であ
る。

【図３】従来の記録媒体の模式断面図である。

【図４】従来の再生信号の周波数スペクトラムのダイア
グラムである。

【図５】本発明の記録媒体の模式断面図及び本発明の再
生信号の周波数スペクトラムのダイアグラムである。

【符号の説明】

１１：基板１２：金属の電極層１３：記録層１０１：第１の基板１０２：剥離層１０３：記録層１０４：金属層１０５：第２の基板１０６：金属層１０７：記録媒体２０１：ＸＹステージ２０２：探針２０３：探針の支持体２０４、２０５、２０６：リニアアクチュエーター２０７：パルス電圧回路３０１：増幅器３０２：対数圧縮器３０３：低域通過フィルタ３０４：誤差増幅器３０５：ドライバー３０６：駆動回路３０７：高域通過フィルタ４０１：データビット４０２：結晶粒４０３：データ信号帯域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】表面が平滑な記録層を有する記録媒体であ
って、該平滑面を有する記録層が、平滑な基板面を有す
る第１基板上に、該平滑な基板面を再現可能な剥離層を
介して形成された該記録層上の金属層と、第２基板上の
金属層同士を接合させて、該第１基板を該剥離層或いは
記録層界面から剥離して該第１基板面または該剥離層の
平滑な形状を該記録層表面に転写して形成されているこ
とを特徴とする記録媒体。
【請求項２】前記剥離層が、ラングミュアーブロジェッ
ト法によって形成された有機化合物であることを特徴と
する請求項１に記載の記録媒体。
【請求項３】前記記録層が、カルコゲナイド薄膜からな
ることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の記
録媒体。
【請求項４】前記第１基板上の金属層が、貴金属単層或
いは貴金属及びその他の金属からなる多層構造であるこ
とを特徴とする請求項１〜請求項３のいずれか１項に記
載の記録媒体。
【請求項５】前記貴金属が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、
Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕのいずれか、或いはそれらを含
む合金であることを特徴とする請求項４に記載の記録媒
体。
【請求項６】前記第２基板上の金属層が、単層或いは多
層構造であることを特徴とする請求項１〜請求項３のい
ずれか１項に記載の記録媒体。
【請求項７】前記第２基板上に形成された金属層が、Ａ
ｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａｌ
のいずれか、或いはそれらを含む合金であることを特徴
とする請求項６に記載の記録媒体。
【請求項８】前記記録媒体は、その表面粗さが０．５ｎ
ｍ以下の平滑面を１μｍ平方以上有することを特徴とす
る請求項１〜請求項７のいずれか１項に記載の記録媒
体。
【請求項９】表面が平滑な記録層を有する記録媒体の製
造方法であって、１．平滑面を有する第１基板上に剥離層を形成する工程
と、２．該剥離層上に記録層を形成する工程と、３．該記録層上に金属層を形成する工程と、４．該金属層を第２基板上に形成された金属層に接触さ
せた後、加圧処理を行う工程と、５．第１の基板を剥離層或いは記録層界面から剥離して
第１基板面または剥離層形状を記録媒体表面に転写する
工程と、を含むことを特徴とする記録媒体の製造方法。
【請求項１０】前記剥離層が、ラングミュアーブロジェ
ット法によって形成された有機化合物であることを特徴
とする請求項９に記載の記録媒体の製造方法。
【請求項１１】前記記録層が、カルコゲナイド薄膜から
なることを特徴とする請求項９または請求項１０に記載
の記録媒体の製造方法。
【請求項１２】前記第１基板上の金属層が、貴金属単層
或いは貴金属及びその他の金属からなる多層構造である
ことを特徴とする請求項９〜請求項１１のいずれか１項
に記載の記録媒体の製造方法。
【請求項１３】前記貴金属が、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐ
ｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕのいずれか、或いはそれら
を含む合金であることを特徴とする請求項１２に記載の
記録媒体の製造方法。
【請求項１４】前記第２基板上の金属層が、単層或いは
多層構造であることを特徴とする請求項９〜請求項１１
のいずれか１項に記載の記録媒体の製造方法。
【請求項１５】前記第２基板上に形成された金属層が、
Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｐｔ、Ｐｄ、Ｉｒ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ａ
ｌのいずれか、或いはそれらを含む合金であることを特
徴とする請求項１４に記載の記録媒体の製造方法。
【請求項１６】加圧処理を行う工程において、加圧処理
後に加熱処理を行うことを特徴とする請求項９〜請求項
１５のいずれか１項に記載の記録媒体の製造方法。
【請求項１７】加圧処理を行う工程において、加圧処理
及び加熱処理を同時に行うことを特徴とする請求項９〜
請求項１５のいずれか１項に記載の記録媒体の製造方
法。
【請求項１８】前記記録媒体は、その表面粗さが０．５
ｎｍ以下の平滑面を１μｍ平方以上有することを特徴と
する請求項９〜請求項１７のいずれか１項に記載の記録
媒体の製造方法。