JPH1177536A - Cmp用コンディショナ及びその製造方法 - Google Patents
Cmp用コンディショナ及びその製造方法Info
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Abstract
コンディショニングにおいて、酸性の高い研磨液によっ
てもダイヤモンド砥粒を固着するメッキ層が侵されるお
それがなく、金属の溶出によるコンタミネーションやダ
イヤモンド砥粒の脱落を生じないCMP用コンディショ
ナ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】ダイヤモンド砥粒がメッキ層により固着さ
れたコンディショナにおいて、メッキ層上に耐硝酸性の
メッキが施され、その表面がさらに合成樹脂により被覆
され、ダイヤモンド砥粒の先端作用部が合成樹脂層より
突出してなることを特徴とするCMP用コンディショ
ナ、及び、作用面にダイヤモンド砥粒を電着法又は反転
電鋳法によって固着したのち、さらに耐硝酸性のメッキ
を施し、その表面を合成樹脂により被覆することを特徴
とする該CMP用コンディショナの製造方法。
Description
ショナ及びその製造方法に関する。さらに詳しくは、本
発明は、半導体ウェーハ研磨用のポリッシングマットの
コンディショニングにおいて、酸性の高い研磨液によっ
てもダイヤモンド砥粒を固着するメッキ層が侵され、ダ
イヤモンド砥粒が脱落するおそれのないCMP用コンデ
ィショナ及びその製造方法に関する。
ウェーハ加工装置では、円盤状の定盤の上に研磨用ポリ
ッシングマットを貼り付け、定盤上面に1枚又は複数枚
のウェーハを載置し、これらウェーハをポリッシングマ
ット上でキャリアにより強制回転させつつポリッシング
マットとウェーハの間に微細な研磨粒子と研磨液を供給
して、界面の化学的機械的作用によりケミカルメカニカ
ルポリッシング(CMP)を行っている。ポリッシング
マットとしては、ポリエステル不織布にポリウレタン樹
脂を含浸させたベロアタイプマット、ポリエステル不織
布を基材としてその上に発泡ポリウレタン層を形成した
スエードタイプマット、あるいは独立気泡を有する発泡
ポリウレタンのマットなどや、さらにこれらの多層構造
体などが使用されている。また、研磨粒子としては、酸
化鉄、アルミナ、炭酸バリウム、酸化セリウム、コロイ
ダルシリカなどが用いられ、研磨液には水酸化カリウム
溶液、希塩酸、過酸化水素水、硝酸鉄水溶液など、それ
ぞれの場合に応じて使い分けられる。このようなウェー
ハの研磨を繰り返すうちに、研磨粒子や研磨屑などがポ
リッシングマットの微細な孔に入り込んで目詰まりを起
こしたり、研磨粒子と研磨液の化学反応熱によってポリ
ッシングマットの表面が鏡面化して、研磨速度が低下し
てしまう。このため、ポリッシングマットの表面を再生
して研磨速度を回復させる、いわゆるコンディショニン
グと呼ばれる操作を常時又は定期的に行う必要があり、
このような操作にはCMP用コンディショナと呼ばれる
工具が使用される。ダイヤモンド砥粒は優れたコンディ
ショニング材料であり、ダイヤモンド砥粒を利用した半
導体ウェーハ研磨用のポリッシングマットのコンディシ
ョニングが検討されている。例えば、特開昭64−71
661号公報には、ダイヤモンド砥粒と合金粉末を混合
し、加熱焼結したダイヤモンドペレットを端面に貼り付
けるか、あるいは、端面にダイヤモンド砥粒を均一に分
布するように載せて電着した修正リングを用い、ポリッ
シングマットと修正リングを相対移動させることにより
ポリッシングマットの表面を研削して平坦度を高める方
法が提案されている。しかし、合金粉末を用いて焼結し
たダイヤモンドペレットからは、コンディショニングの
際に合金が溶出してウェーハの研磨時にウェーハを汚染
するおそれがある。また、特開平4−364730号公
報には、ウェーハ研磨装置の定盤に貼り付けられたポリ
ッシングマットのコンディショニングに、ダイヤモンド
砥粒をエポキシ樹脂に電着したペレットを用いる方法が
提案されている。しかし、ペレットがメタルボンドの場
合、金属が研磨液によって溶解され、半導体ウェーハに
残存して悪影響を及ぼすおそれがある。特に、一般にメ
タルボンドの主成分として使用される銅は悪影響が著し
い。本発明者らは、先に半導体デバイスの層間絶縁膜及
び金属配線などのCMP用のポリッシングマットのコン
ディショニングに際して、金属分による汚染を生じない
コンディショナとして、台金作用面にメッキにより固着
されたダイヤモンド砥粒層を有し、メッキされた金属が
合成樹脂層により被覆され、ダイヤモンド砥粒の先端作
用部が合成樹脂層より突出してなるコンディショナを提
案した。このコンディショナは、CMP用ポリッシング
マットのコンディショニングに好適に使用されている
が、さらに強い酸性条件下でのCMP加工においても、
金属の溶出やダイヤモンド砥粒の脱落のおそれのないC
MP用コンディショナが求められるようになった。
ーハ研磨用のポリッシングマットのコンディショニング
において、酸性の高い研磨液によってもダイヤモンド砥
粒を固着するメッキ層が侵されるおそれがなく、金属の
溶出によるコンタミネーションやダイヤモンド砥粒の脱
落を生じないCMP用コンディショナ及びその製造方法
を提供することを目的としてなされたものである。
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、ダイヤモンド砥粒
がメッキ層により固着されたコンディショナにおいて、
メッキ層上に耐硝酸性のメッキを施し、さらにその表面
を合成樹脂で被覆することにより、強い酸性条件下での
CMP加工の際にも、金属の溶出によるコンタミネーシ
ョンやダイヤモンド砥粒の脱落を生ずることがなく、ま
た、このようなコンディショナは、作用面にダイヤモン
ド砥粒を電着法又は反転電鋳法によって固着したのち、
その表面に耐硝酸性のメッキを施し、さらに合成樹脂で
被覆することにより、容易に製造し得ることを見いだ
し、この知見に基づいて本発明を完成するに至った。す
なわち、本発明は、(1)ダイヤモンド砥粒がメッキ層
により固着されたコンディショナにおいて、メッキ層上
に耐硝酸性のメッキが施され、その表面がさらに合成樹
脂により被覆され、ダイヤモンド砥粒の先端作用部が合
成樹脂層より突出してなることを特徴とするCMP用コ
ンディショナ、(2)耐硝酸性のメッキが、アルミニウ
ム、クロム、金、ロジウム、錫又はこれらの合金のメッ
キである第(1)項記載のCMP用コンディショナ、及
び、(3)作用面にダイヤモンド砥粒を電着法又は反転
電鋳法によって固着したのち、さらに耐硝酸性のメッキ
を施し、その表面を合成樹脂により被覆することを特徴
とする第(1)項又は第(2)項記載のCMP用コンディシ
ョナの製造方法、を提供するものである。さらに、本発
明の好ましい態様として、(4)耐硝酸性のメッキが、
金メッキである第(2)項記載のCMP用コンディショ
ナ、(5)金メッキの厚さが2〜10μmである第(4)
項記載のCMP用コンディショナ、を挙げることができ
る。
は、台金作用面にダイヤモンド砥粒がメッキ層により固
着され、メッキ層上に耐硝酸性のメッキが施され、その
表面がさらに合成樹脂層により被覆され、ダイヤモンド
砥粒の先端作用部が合成樹脂層より突出してなるもので
ある。図1(a)は、本発明のCMP用コンディショナの
一態様の斜視図であり、図1(b)は、図1(a)のコンデ
ィショナを中心軸を通る平面で切断したときの切断部端
面図である。図1に示すCMP用コンディショナは、カ
ップ型の台金1の作用面にダイヤモンド砥粒がメッキに
より固着されて、ダイヤモンド砥粒層2を形成してい
る。ダイヤモンド砥粒3は、メッキ層4により台金1に
固着され、メッキ層上に耐硝酸性のメッキ5が施され、
その表面が合成樹脂層6により被覆され、ダイヤモンド
砥粒の先端作用部が合成樹脂層より突出している。本発
明において、耐硝酸性のメッキとは、20mm×20mm×
0.2〜2mmの金属試験片を5重量%硝酸50mlに24
時間浸漬したのち、JIS K 0121にしたがって硝
酸をフレーム原子吸光分析して、金属の溶出量が5μg
/ml以下である金属のメッキをいう。このような金属と
しては、例えば、アルミニウム、クロム、金、ロジウ
ム、錫などや、これらの金属の合金を挙げることができ
る。本発明のコンディショナは、ダイヤモンド砥粒がす
べてメッキにより台金に強固に固着され、メッキ層上に
耐硝酸性のメッキが施され、その表面がさらに合成樹脂
層により被覆されているので、pHが2以下であるような
強い酸性の研磨液を用いた場合でも、研磨液が合成樹脂
層に浸透してダイヤモンド砥粒を固着しているメッキ層
と直接接触することがなく、金属分の溶出やダイヤモン
ド砥粒の脱落を生ずるおそれがない。そのため、本発明
のCMP用コンディショナは、半導体デバイスの層間絶
縁膜及び金属配線などのCMP用のポリッシングマット
のコンディショニングに使用したとき、脱落したダイヤ
モンド砥粒によるウェーハの損傷を生ずることがなく、
CMP加工後のウェーハの洗浄工程を簡略化することが
できる。
ィショナの製造方法の一態様の説明図である。本態様に
おいては、台金作用面にダイヤモンド砥粒をメッキによ
り仮固定し、次いでダイヤモンド砥粒をメッキ層により
固着してダイヤモンド砥粒層を形成し、メッキ層上に耐
硝酸性のメッキを施し、その表面をさらに合成樹脂によ
り被覆し、ダイヤモンド砥粒の先端作用部を突出させ
る。ダイヤモンド砥粒をメッキにより仮固定する場合
は、図2(a)に示すように、台金1のダイヤモンド砥粒
固定面7を残して、絶縁性のマスキング材8で被覆す
る。台金をメッキ浴に浸漬し、ダイヤモンド砥粒固定面
にダイヤモンド砥粒3を載置し、台金に陰極を接続し、
メッキ液に陽極を接続して、電気メッキを行う。使用す
るダイヤモンド砥粒に特に制限はないが、JIS B 4
130に規定する粒度100/120〜30/40の粒
径を有する砥粒であることが好ましく、粒度60/80
程度の粒径を有する砥粒であることがより好ましい。ダ
イヤモンド砥粒の粒径が、粒度100/120に相当す
る粒径未満であると、被覆する合成樹脂層の厚さが薄く
なって、耐硝酸性のメッキの表面を完全に被覆しきれな
くなるおそれがある。ダイヤモンド砥粒の粒径が、粒度
30/40に相当する粒径を超えると、ダイヤモンド砥
粒が高価になって経済的に不利であるばかりでなく、コ
ンディショニングの際にポリッシングマットが粗面化す
るおそれがある。メッキする金属は、ダイヤモンド砥粒
を仮固定することができるものであれば特に制限はな
く、例えば、ニッケル、クロムなどを好適に使用するこ
とができる。ダイヤモンド砥粒が仮固定され、ダイヤモ
ンド砥粒固定面から脱落しない状態になれば、余剰のダ
イヤモンド砥粒を除去する。図2(b)は、ダイヤモンド
砥粒が、ダイヤモンド砥粒固定面に仮固定された状態を
示す断面図である。ダイヤモンド砥粒を仮固定したと
き、大部分のダイヤモンド砥粒はその一部が台金のダイ
ヤモンド砥粒固定面に接した状態で仮固定されるが、台
金のダイヤモンド砥粒固定面に接しない状態で付着し、
浮き石9となっているダイヤモンド砥粒が存在する場合
もあるので、仮固定を終了したのち、ダイヤモンド砥粒
層面の表面をアルミナ砥石、シリコンカーバイド砥石な
どを用いて軽く研磨することにより、浮き石を除去する
ことが好ましい。図2(c)は、浮き石を除去した状態を
示す断面図である。
ッキ浴に浸漬し、台金に陰極を接続し、メッキ液に陽極
を接続して、ダイヤモンド砥粒固定面のメッキを行い、
ダイヤモンド砥粒をメッキ層4により固着してダイヤモ
ンド砥粒層を形成し、図2(d)に示す状態とする。メッ
キする金属は、ダイヤモンド砥粒を固定することができ
るものであれば特に制限はなく、例えば、ニッケル、ク
ロムなどを使用することができるが、特にニッケルが好
ましい。ニッケルメッキによりダイヤモンド砥粒を固着
する場合、添加剤を加えたスルファミン酸ニッケル浴を
使用すると、ニッケルの硬度はHV400〜600、伸
び率は1〜5%となり、ニッケル固着層は十分な靭性を
有する。ダイヤモンド砥粒を固着するメッキ層の厚さ
は、ダイヤモンド砥粒の粒径の40%以上であることが
好ましく、50%以上であることがより好ましい。メッ
キ層の厚さがダイヤモンド砥粒の粒径の40%未満であ
ると、ダイヤモンド砥粒を保持する力が不足するおそれ
がある。ダイヤモンド砥粒をメッキ層により固着してダ
イヤモンド砥粒層を形成したのち、さらにメッキ層上に
耐硝酸性のメッキを施す。耐硝酸性のメッキを施す方法
には特に制限はなく、メッキする金属に応じてそれぞれ
公知の方法を適宜選択することができる。例えば、耐硝
酸性のメッキが金メッキである場合は、金シアン化カリ
ウムを用いるシアン化物メッキ浴法や塩化金を用いるリ
ン酸塩浴法などを挙げることができる。金は最も貴な金
属であるので、台金をメッキ浴に浸漬するだけで置換に
よって表面に金が析出する。このような析出物は素地金
属との密着力が弱く剥離しやすいので、台金に陰極を空
気中で接続し、通電を始めてから手早くメッキ浴に浸漬
することが好ましい。使用する陽極の材質には特に制限
はなく、例えば、硬質炭素、ステンレス鋼、ニクロム鋼
などを使用することができる。金のメッキを続けると、
時間の経過にしたがって析出結晶が粗雑になるので、時
々台金をメッキ浴から取り出して刷毛で摩擦し、ふたた
びメッキを繰り返すことにより、平滑なメッキ面を得る
ことができる。金メッキの厚さは、2〜10μmである
ことが好ましく、3〜6μmであることがより好まし
い。金メッキの厚さが2μm未満であると、強い酸性条
件下でダイヤモンド砥粒を固着するメッキ層が侵される
おそれがある。金メッキの厚さは10μmで十分であ
り、10μmを超える金メッキは通常は必要はない。図
3(a)は、メッキ層上に耐硝酸性のメッキ5が施された
状態を示す断面図である。メッキ層上に耐硝酸性のメッ
キを施したのち、台金よりマスキング材を外して洗浄、
乾燥し、合成樹脂層により耐硝酸性のメッキの表面を被
覆する。使用する合成樹脂には特に制限はなく、熱硬化
性樹脂及び熱可塑性樹脂のいずれをも使用することがで
きる。熱硬化性樹脂としては、例えば、エポキシ樹脂、
ポリウレタン樹脂、不飽和ポリエステル樹脂、フッ素樹
脂などを挙げることができる。熱可塑性樹脂としては、
例えば、フッ素樹脂、ポリアミド樹脂、ポリイミド樹脂
などを挙げることができる。また、本発明においては、
樹脂の機械的強度を向上させるために、非導電性の無機
化合物粒子やファイバーを加えることもできる。熱硬化
性樹脂としては、加熱硬化型のほかに常温硬化型の樹脂
も使用することができ、さらに、熱硬化性樹脂に代えて
光硬化性樹脂も使用することができる。
さらに合成樹脂層で被覆した状態を示す断面図である。
合成樹脂層6で被覆したのち合成樹脂層の表面部分を除
去することにより、ダイヤモンド砥粒3の先端作用部を
突出させる。ダイヤモンド砥粒の先端作用部を突出させ
る方法に特に制限はなく、例えば、ダイヤモンド砥粒の
最突出部が見えるまで研削盤などを用いて合成樹脂層を
除去したのち、一般砥石などによるドレッシング、鋳鉄
などの定盤上でのシリコンカーバイドやアルミナなどの
遊離砥粒を用いたドレッシング、ショットブラストなど
により、ダイヤモンド砥粒の突出量を容易に所定の値と
することができる。ダイヤモンド砥粒は、メッキによっ
て強固に台金に固着されているので、ダイヤモンド砥粒
に強い力がかかっても、コンディショナからダイヤモン
ド砥粒が脱落するおそれがない。図3(c)は、合成樹脂
層の表面部分を除去してダイヤモンド砥粒の先端作用部
が合成樹脂層6より突出し、かつ耐硝酸性のメッキの表
面が合成樹脂層に覆われて露出しない状態を示す断面図
である。
ィショナの製造方法の他の態様の説明図である。本態様
においては、反転型のダイヤモンド砥粒固定面にダイヤ
モンド砥粒をメッキにより仮固定し、さらにダイヤモン
ド砥粒をメッキ層により埋め込んだのち、必要に応じて
メッキ層を平坦化し台金の作用面に接合する。その後、
反転型を除去し、メッキ層の表面部分を除去してダイヤ
モンド砥粒を露出させ、メッキ層上に耐硝酸性のメッキ
を施し、その表面をさらに合成樹脂により被覆し、ダイ
ヤモンド砥粒の先端作用部を突出させる。ダイヤモンド
砥粒をメッキにより仮固定する場合は、図4(a)に示す
ように、反転型10のダイヤモンド砥粒固定面7を残し
て、絶縁性のマスキング材8で被覆する。反転型をメッ
キ浴に浸漬し、ダイヤモンド砥粒固定面にダイヤモンド
砥粒3を載置し、反転型に陰極を接続し、メッキ液に陽
極を接続して、電気メッキを行う。使用するダイヤモン
ド砥粒に特に制限はないが、JIS B 4130に規定
する粒度100/120〜30/40の粒径を有する砥
粒であることが好ましく、粒度60/80程度の粒径を
有する砥粒であることがより好ましい。ダイヤモンド砥
粒の粒径が、粒度100/120に相当する粒径より小
さいと、被覆する合成樹脂層の厚さが薄くなって、耐硝
酸性のメッキの表面を完全に被覆しきれなくなるおそれ
がある。ダイヤモンド砥粒の粒径が、粒度30/40に
相当する粒径より大きいと、ダイヤモンド砥粒が高価に
なって経済的に不利であるばかりでなく、コンディショ
ニングの際にポリッシングマットが粗面化するおそれが
ある。メッキする金属は、ダイヤモンド砥粒を仮固定す
ることができるものであれば特に制限はなく、例えば、
ニッケル、クロムなどを好適に使用することができる。
ダイヤモンド砥粒が仮固定され、ダイヤモンド砥粒固定
面から脱落しない状態になれば、余剰のダイヤモンド砥
粒を除去する。図4(b)は、ダイヤモンド砥粒が、ダイ
ヤモンド砥粒固定面に仮固定された状態を示す断面図で
ある。
反転型をふたたびメッキ浴に浸漬し、反転型に陰極を接
続し、メッキ液に陽極を接続して、ダイヤモンド砥粒固
定面のメッキを行い、ダイヤモンド砥粒をメッキ層4に
より埋め込んでダイヤモンド砥粒層を形成し、図4(c)
に示す状態とする。メッキする金属は、ダイヤモンド砥
粒を埋め込んで固着することができるものであれば特に
制限はなく、例えば、ニッケル、クロムなどを使用する
ことができるが、特にニッケルが好ましい。ニッケルメ
ッキによりダイヤモンド砥粒を埋め込む場合、添加剤を
加えたスルファミン酸ニッケル浴を使用すると、ニッケ
ルの硬度はHV400〜600、伸び率は1〜5%とな
り、ニッケル固着層は十分な靭性を有する。ダイヤモン
ド砥粒をメッキにより埋め込んでダイヤモンド砥粒層を
形成した反転型は、マスキング材を外して洗浄、乾燥
し、必要に応じて、反転型上のメッキ層の表面を平坦に
加工する。次いで、図4(d)に示すように、反転型10
上のメッキ層4を台金1に接合する。反転型上のメッキ
層4若しくは台金1のダイヤモンド砥粒層接合面又はそ
の双方に接着剤を塗付し、メッキ層とダイヤモンド砥粒
層接合面を合わせて固定し、メッキ層を台金に接合す
る。使用する接着剤は、コンディショナの使用に十分な
強度を有するものであれば特に制限はなく、例えば、エ
ポキシ接着剤などを好適に使用することができる。必要
に応じて、接着剤に無機充填材、例えば、アルミニウム
粉末などを配合することができる。メッキ層4を台金1
に接合したのち、反転型10を除去する。反転型を除去
する方法には特に制限はなく、例えば、旋盤加工、フラ
イス盤加工などを挙げることができるが、旋盤加工を特
に好適に使用することができる。図5(a)は、メッキ層
4を台金1に接合し、反転型を除去した状態を示す。
分を除去してダイヤモンド砥粒を露出させる。ダイヤモ
ンド砥粒を露出させる方法には特に制限はなく、例え
ば、一般砥石などによるドレッシング、鋳鉄などの定盤
上でのシリコンカーバイドやアルミナなどの遊離砥粒に
よるドレッシング、ショットブラスト、金属剥離材によ
る化学エッチング、電解エッチングなどにより行うこと
ができる。化学エッチング処理は、台金及びダイヤモン
ド砥粒層を形成する材料のうち、メッキされた金属のみ
を溶解する薬剤に浸漬することにより行うものである。
このような薬剤としては、金属がニッケルである場合は
エンストリップNP[メルテックス(株)製]、金属がク
ロムである場合はエンストリップCR−5[メルテック
ス(株)製]などの市販されている薬剤を使用することが
できる。図5(b)は、メッキ層4の表面部分を除去し
て、ダイヤモンド砥粒3を露出させた状態を示す。ダイ
ヤモンド砥粒を露出させたメッキ層は、次いでその上に
耐硝酸性のメッキを施す。耐硝酸性のメッキを必要とし
ない台金の部分は、あらかじめマスキング材により保護
することができる。耐硝酸性のメッキを施す方法には特
に制限はなく、メッキする金属に応じてそれぞれ公知の
方法を適宜選択することができる。例えば、耐硝酸性の
メッキが金メッキである場合は、金シアン化カリウムを
用いるシアン化物メッキ浴法や塩化金を用いるリン酸塩
浴法などを挙げることができる。金は最も貴な金属であ
るので、台金をメッキ浴に浸漬するだけで置換によって
表面に金が析出する。このような析出物は素地金属との
密着力が弱く剥離しやすいので、台金に陰極を空気中で
接続し、通電を始めてから手早くメッキ浴に浸漬するこ
とが好ましい。使用する陽極の材質には特に制限はな
く、例えば、硬質炭素、ステンレス鋼、ニクロム鋼など
を使用することができる。金のメッキを続けると、時間
の経過にしたがって析出結晶が粗雑になるので、時々台
金をメッキ浴から取り出して刷毛で摩擦し、ふたたびメ
ッキを繰り返すことにより、平滑なメッキ面を得ること
ができる。金メッキの厚さは、2〜10μmであること
が好ましく、3〜6μmであることがより好ましい。金
メッキの厚さが2μm未満であると、強い酸性条件下で
ダイヤモンド砥粒を固着するメッキ層が侵されるおそれ
がある。金メッキの厚さは10μmで十分であり、10
μmを超える金メッキは通常は必要はない。図5(c)
は、メッキ層4上に耐硝酸性のメッキ5が施された状態
を示す断面図である。メッキ層上に耐硝酸性のメッキを
施したのち、洗浄、乾燥し、合成樹脂層により耐硝酸性
のメッキの表面を被覆する。使用する合成樹脂には特に
制限はなく、熱硬化性樹脂及び熱可塑性樹脂のいずれを
も使用することができる。熱硬化性樹脂としては、例え
ば、エポキシ樹脂、ポリウレタン樹脂、不飽和ポリエス
テル樹脂、フッ素樹脂などを挙げることができる。熱可
塑性樹脂としては、例えば、フッ素樹脂、ポリアミド樹
脂、ポリイミド樹脂などを挙げることができる。また、
本発明においては、樹脂の機械的強度を向上させるため
に、非導電性の無機化合物粒子やファイバーを加えるこ
ともできる。熱硬化性樹脂としては、加熱硬化型のほか
に常温硬化型の樹脂も使用することができ、さらに、熱
硬化性樹脂に代えて光硬化性樹脂も使用することができ
る。
さらに合成樹脂層で被覆した状態を示す断面図である。
合成樹脂層6で被覆したのち合成樹脂層の表面部分を除
去することにより、ダイヤモンド砥粒の先端作用部を突
出させる。ダイヤモンド砥粒の先端作用部を突出させる
方法に特に制限はなく、例えば、ダイヤモンド砥粒の最
突出部が見えるまで研削盤などを用いて合成樹脂層を除
去したのち、一般砥石などによるドレッシング、鋳鉄な
どの定盤上でのシリコンカーバイドやアルミナなどの遊
離砥粒を用いたドレッシング、ショットブラストなどに
より、ダイヤモンド砥粒の突出量を容易に所定の値とす
ることができる。ダイヤモンド砥粒は、メッキによって
強固に固着されているので、ダイヤモンド砥粒に強い力
がかかっても、コンディショナからダイヤモンド砥粒が
脱落するおそれがない。図5(e)は、合成樹脂層の表面
部分を除去してダイヤモンド砥粒の先端作用部が合成樹
脂層より突出し、かつ耐硝酸性のメッキの表面が合成樹
脂層に覆われて露出しない状態を示す断面図である。本
態様により製造されたコンディショナは、ダイヤモンド
砥粒の仮固定の際に、ダイヤモンド砥粒が反転型のダイ
ヤモンド砥粒固定面に接して固定され、ダイヤモンド砥
粒層を台金に接合したとき、ダイヤモンド砥粒の最突出
部は反転型のダイヤモンド砥粒固定面に接した部分であ
るので、コンディショナにおいて、各ダイヤモンド砥粒
の最突出部が完全に同一平面上に存在する構造となる。
また、ダイヤモンド砥粒層と台金の接合後の基準面転写
により、ダイヤモンド砥粒層面の振れ精度は数μmであ
る。ニッケルの電鋳によりダイヤモンド砥粒を固着する
場合、添加剤を加えたスルファミン酸ニッケル浴を使用
すると、ニッケルの硬度はHV400〜600、伸び率
は1〜5%となり、ニッケル固着層は十分な靭性を有す
る。このために、ポリッシングマットのコンディショニ
ングを精度よく能率よく行うことができ、ダイヤモンド
砥粒の脱落が長期にわたって生じない。
方法によれば、数ミリ程度の厚さの合成樹脂層も短時間
で形成することができ、研削盤や遊離砥粒による合成樹
脂の除去も短時間で精度よく行うことができる。本発明
のCMP用コンディショナにおいて、ダイヤモンド砥粒
の突出量は、ダイヤモンド砥粒の平均粒径の5〜50%
であることが好ましく、平均粒径の20〜30%である
ことがより好ましい。ダイヤモンド砥粒の突出量が平均
粒径の5%未満であると、コンディショナのコンディシ
ョニング作用が微弱になるおそれがある。ダイヤモンド
砥粒の突出量が平均粒径の50%を超えると、コンディ
ショニング作用が強すぎてポリッシングマットを損傷
し、ダイヤモンド砥粒が脱落するおそれがある。本発明
方法においては、必要に応じてさらにラップ加工を行う
ことができる。ラップ加工は、ダイヤモンド砥石を用い
て突出したダイヤモンド砥粒の先端部をカットするもの
であり、ラップ加工を行うことにより、コンディショナ
に、使用当初から安定した優れた性能を発揮させること
ができる。本発明のCMP用コンディショナによれば、
耐硝酸性のメッキがバリアとなって、pHの低い酸性の強
い研磨液を用いても、メッキ層の金属と研磨液が接触す
ることがないので、ダイヤモンド砥粒が脱落してウェー
ハを傷つけたり、金属分が溶出してウェーハを汚染する
ことがない。さらに、本発明のコンディショナはダイヤ
モンド砥粒の最突出部の平坦性に優れるので、ポリッシ
ングマットの平坦度が向上し、ポリッシングマットの切
れ味が向上する。
に説明するが、本発明はこれらの実施例によりなんら限
定されるものではない。 実施例1 寸法が127D−6W−20T−30Hの台金を、ステ
ンレス鋼(SUS304)を旋盤加工することにより作
製した。次に、ダイヤモンド砥粒固定面を残して、表面
を絶縁テープ及び塗料によりマスキングした。台金のア
ルカリ脱脂処理を行い、塩化ニッケル240g/リット
ル及び塩酸100g/リットルを含有する前処理液に浸
漬し、電流密度10A/dm2で常温にて陽極側に台金を
セットし2分間電解エッチングしたのち、陰極側に台金
をセットしてストライクメッキを3分間行った。次い
で、スルファミン酸ニッケルメッキ浴で電流密度1A/
dm2で15分間メッキを行い、下地メッキ層を3μm形
成した。次に、ダイヤモンド砥粒固定面に粒度#60/
80、平均粒径250μmのダイヤモンド砥粒を載置
し、メッキ応力と硬度調節のための添加剤を加えたスル
ファミン酸ニッケルメッキ浴を用い、電流密度0.5A
/dm2で3時間メッキを行い、ダイヤモンド砥粒一層分
を仮固定した。余剰のダイヤモンド砥粒を払い落とし、
電流密度1A/dm2で1時間埋め込みメッキを行ったの
ち、#100アルミナ砥石を当て、浮き石となっている
ダイヤモンド砥粒を除去した。次いで、塩化ニッケル2
40g/リットル及び塩酸100g/リットルを含有す
る前処理液に浸漬して陽極側に台金をセットし、電流密
度10A/dm2で常温にて30秒電解エッチングしたの
ち、陰極側に台金をセットしてストライクメッキを2分
間行った。次に、スルファミン酸ニッケルメッキ浴で電
流密度1A/dm2で15分間メッキを行い、さらに同じ
スルファミン酸ニッケルメッキ浴で、電流密度1A/dm
2で5時間メッキを行い、ダイヤモンド砥粒を固着する
よう厚さ約125μmのメッキを施した。ダイヤモンド
砥粒固定面及び台金を洗浄したのち、シアン化金2.5
g/リットル、シアン化カリウム30.0g/リット
ル、第二リン酸ナトリウム15.0g/リットル及びシ
アン化コバルト10.0g/リットルを含むメッキ浴に
浸漬し、ステンレス鋼を陽極とし、浴温50℃、電流密
度0.2A/dm2、電圧2Vの条件で20時間メッキを行
い、厚さ4μmの金合金層を形成した。金合金の組成
は、金99.7重量%、コバルト0.3重量%であった。
マスキングをすべて外し、ダイヤモンド砥粒層が形成さ
れた台金を洗浄、乾燥したのち、フッ素樹脂塗料[日建
塗装工業(株)、PFA]を、塗膜厚さが100μmとな
るように塗付して、330℃で30分間焼き付けた。そ
の後、アルミナ砥粒#800を用いてスエードタイプの
研磨マットで、ダイヤモンド砥粒先端部が50μm露出
するまでラップ加工を行った。得られたCMP用コンデ
ィショナを5重量%硝酸に24時間浸漬したが、金属分
の溶出は全く認められなかった。また、このCMP用コ
ンディショナと研磨マット(IC1000)を用い、ス
ラリー(硝酸鉄+硝酸+アルミナ)でCMP加工を行っ
たところ、金属膜ウェーハの研磨レート1,870Å/
分という良好な結果が得られた。 実施例2 寸法が280D−6W−20T−140Hの反転型(S
45C)を、旋盤加工により作製した。ダイヤモンド砥
粒固定面をマスキングテープで囲い、さらにその他のダ
イヤモンド砥粒層非形成部分のマスキング処理を行っ
た。アルカリ脱脂処理したのち、反転型を、メッキ応力
と硬度調節のため添加剤を加えたスルファミン酸ニッケ
ル浴に沈め、粒度#60/80のダイヤモンド砥粒をダ
イヤモンド砥粒固定面に載置した。電流密度1A/dm2
で2時間メッキを行い、ダイヤモンド砥粒の仮固定を行
ったのち、余剰のダイヤモンド砥粒を除去し、さらに電
流密度2A/dm2で96時間メッキを行い、3mmの厚み
のニッケル固着層を形成してダイヤモンド砥粒を完全に
埋め込んだ。次いで、反転型上のニッケル固着層面を、
旋盤加工により平坦に加工した。寸法286D−12W
−35T−160Hの台金(SUS304)を、旋盤加
工により作製した。2液型エポキシ接着剤10重量部に
アルミニウム粉末5重量部を混合し、反転型上のニッケ
ル固着層面と台金のダイヤモンド砥粒層接着部分に塗布
し接合した。接合層が十分に硬化したのち、旋盤で反転
型を正にして台金の裏面を切削して基準面転写した。さ
らに、台金を旋盤にくわえ、反転型を切除した。その
後、ニッケル剥離剤エンストリップNP[メルテックス
(株)]を用いて、ダイヤモンド砥粒層面のニッケルを約
125μm溶解除去した。ダイヤモンド砥粒層が形成さ
れた台金を洗浄、乾燥したのち、ダイヤモンド砥粒層以
外の部分をマスキング処理し、シアン化金2.5g/リ
ットル、シアン化カリウム30.0g/リットル、第二
リン酸ナトリウム15.0g/リットル及びシアン化コ
バルト10.0g/リットルを含むメッキ浴に浸漬し、
ステンレス鋼を陽極とし、浴温50℃、電流密度0.2
A/dm2、電圧2Vの条件で25時間メッキを行い、厚
さ5μmの金合金層を形成した。金合金の組成は、金9
9.7重量%、コバルト0.3重量%であった。次いで、
エポキシ塗料を塗膜厚さが110μmとなるように塗付
し、焼き付けた。その後、シリコンカーバイド#800
を用いてエポキシ樹脂層約50μmを削り出し、ダイヤ
モンド砥粒の先端作用部をエポキシ樹脂層から突出させ
て、CMP用コンディショナを得た。得られたCMP用
コンディショナを5重量%硝酸に24時間浸漬したが、
金属分の溶出は全く認められなかった。また、このCM
P用コンディショナを用いて、ポリエステル不織布を基
剤とし、その上に発泡ポリウレタン層を形成したスエー
ドタイプのポリッシングマットのコンデショニングを行
った。平坦性に優れたコンデショニングを、効率よく行
うことができた。
2以下のような強い酸性条件下でのCMP加工に使用し
ても、メッキ層から金属が溶出したり、ダイヤモンド砥
粒が脱落するおそれがなく、安定してコンディショニン
グを行うことができる。
態様の斜視図及び切断部端面図である。
造方法の一態様の説明図である。
造方法の一態様の説明図である。
造方法の他の態様の説明図である。
造方法の他の態様の説明図である。
Claims (3)
- 【請求項1】ダイヤモンド砥粒がメッキ層により固着さ
れたコンディショナにおいて、メッキ層上に耐硝酸性の
メッキが施され、その表面がさらに合成樹脂により被覆
され、ダイヤモンド砥粒の先端作用部が合成樹脂層より
突出してなることを特徴とするCMP用コンディショ
ナ。 - 【請求項2】耐硝酸性のメッキが、アルミニウム、クロ
ム、金、ロジウム、錫又はこれらの合金のメッキである
請求項1記載のCMP用コンディショナ。 - 【請求項3】作用面にダイヤモンド砥粒を電着法又は反
転電鋳法によって固着したのち、さらに耐硝酸性のメッ
キを施し、その表面を合成樹脂により被覆することを特
徴とする請求項1又は請求項2記載のCMP用コンディ
ショナの製造方法。
Priority Applications (1)
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| US6884155B2 (en) | 1999-11-22 | 2005-04-26 | Kinik | Diamond grid CMP pad dresser |
| US7089925B1 (en) | 2004-08-18 | 2006-08-15 | Kinik Company | Reciprocating wire saw for cutting hard materials |
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| JP2010214523A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | 研磨装置とそれを用いた半導体装置の製造方法 |
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| KR101285986B1 (ko) * | 2012-01-03 | 2013-07-15 | 주식회사 엘지실트론 | 양면 연마장비 및 이에 적용된 연마 패드용 드레서 |
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| CN116065217A (zh) * | 2022-12-26 | 2023-05-05 | 吉姆西半导体科技(无锡)有限公司 | 一种用于cmp的研磨垫整理器的制备方法及研磨垫调制器 |
| KR20240008969A (ko) * | 2022-05-11 | 2024-01-19 | 주식회사 태산솔루젼스 | 연마봉을 이용한 친환경 발포스펀지 가공방법 및 이를 이용한 자동차시트 |
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|---|---|---|---|---|
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-
1997
- 1997-09-04 JP JP25598797A patent/JP3895840B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9409280B2 (en) | 1997-04-04 | 2016-08-09 | Chien-Min Sung | Brazed diamond tools and methods for making the same |
| US9221154B2 (en) | 1997-04-04 | 2015-12-29 | Chien-Min Sung | Diamond tools and methods for making the same |
| US6679243B2 (en) | 1997-04-04 | 2004-01-20 | Chien-Min Sung | Brazed diamond tools and methods for making |
| US9868100B2 (en) | 1997-04-04 | 2018-01-16 | Chien-Min Sung | Brazed diamond tools and methods for making the same |
| US9463552B2 (en) | 1997-04-04 | 2016-10-11 | Chien-Min Sung | Superbrasvie tools containing uniformly leveled superabrasive particles and associated methods |
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| JP2001341121A (ja) * | 2000-06-02 | 2001-12-11 | Somar Corp | 高硬度シート体の切断方法及びそれに用いる粘着シート |
| US7089925B1 (en) | 2004-08-18 | 2006-08-15 | Kinik Company | Reciprocating wire saw for cutting hard materials |
| US9724802B2 (en) | 2005-05-16 | 2017-08-08 | Chien-Min Sung | CMP pad dressers having leveled tips and associated methods |
| US9067301B2 (en) | 2005-05-16 | 2015-06-30 | Chien-Min Sung | CMP pad dressers with hybridized abrasive surface and related methods |
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| JP2010214523A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Toshiba Corp | 研磨装置とそれを用いた半導体装置の製造方法 |
| US9022840B2 (en) | 2009-03-24 | 2015-05-05 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Abrasive tool for use as a chemical mechanical planarization pad conditioner |
| US8951099B2 (en) | 2009-09-01 | 2015-02-10 | Saint-Gobain Abrasives, Inc. | Chemical mechanical polishing conditioner |
| US9475169B2 (en) | 2009-09-29 | 2016-10-25 | Chien-Min Sung | System for evaluating and/or improving performance of a CMP pad dresser |
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| KR20240008969A (ko) * | 2022-05-11 | 2024-01-19 | 주식회사 태산솔루젼스 | 연마봉을 이용한 친환경 발포스펀지 가공방법 및 이를 이용한 자동차시트 |
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