JPH1177873A - 反射防止積層体 - Google Patents
反射防止積層体Info
- Publication number
- JPH1177873A JPH1177873A JP9251057A JP25105797A JPH1177873A JP H1177873 A JPH1177873 A JP H1177873A JP 9251057 A JP9251057 A JP 9251057A JP 25105797 A JP25105797 A JP 25105797A JP H1177873 A JPH1177873 A JP H1177873A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- thin film
- ceramic thin
- refractive index
- ceramic membrane
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Surface Treatment Of Optical Elements (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】十分な反射防止効果を有し、さらに電磁波シー
ルド効果を有する反射防止積層体を提供すること。 【解決手段】基材上に少なくとも３層以上のセラミック
薄膜層からなり、導電性を有するセラミック薄膜層を少
なくとも１層含む反射防止積層体であって、前記導電性
を有するセラミック薄膜層のシート抵抗値が２００Ω／
□以下であることを特徴とする。
ルド効果を有する反射防止積層体を提供すること。 【解決手段】基材上に少なくとも３層以上のセラミック
薄膜層からなり、導電性を有するセラミック薄膜層を少
なくとも１層含む反射防止積層体であって、前記導電性
を有するセラミック薄膜層のシート抵抗値が２００Ω／
□以下であることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はコンピュータ・ディ
スプレイ、テレビのブラウン管、種々の表示画面の全面
に装着され、光の反射を低減させることを目的とした反
射防止機能を有する積層体に関する。
スプレイ、テレビのブラウン管、種々の表示画面の全面
に装着され、光の反射を低減させることを目的とした反
射防止機能を有する積層体に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、テレビのブラウン管などで
は、表面の反射を防止する手段および電磁波を遮断する
ための手段として、多層膜を真空蒸着法などによりコー
ティングしている。さらに液晶画面においてはそれらの
表面に凹凸を設けることで乱反射をさせている。
は、表面の反射を防止する手段および電磁波を遮断する
ための手段として、多層膜を真空蒸着法などによりコー
ティングしている。さらに液晶画面においてはそれらの
表面に凹凸を設けることで乱反射をさせている。
【０００３】透明であり、かつ導電性を有する層を反射
防止積層体に施した例は特開平５−３２３１０１号公報
にあるような酸化インジウムや酸化錫をベースとしたも
のが知られている。また、特開昭６４−８０９０４号公
報にあるように非常に薄い金属膜を利用しているものが
知られている。
防止積層体に施した例は特開平５−３２３１０１号公報
にあるような酸化インジウムや酸化錫をベースとしたも
のが知られている。また、特開昭６４−８０９０４号公
報にあるように非常に薄い金属膜を利用しているものが
知られている。
【０００４】これらにおいては導電性を有するセラミッ
ク薄膜層として用いられる酸化インジウムや酸化錫の屈
折率が２．０程度であり、積層数が少ないと十分な反射
防止効果が得られないという問題があった。
ク薄膜層として用いられる酸化インジウムや酸化錫の屈
折率が２．０程度であり、積層数が少ないと十分な反射
防止効果が得られないという問題があった。
【０００５】また、電磁波シールドとして用いるには必
要とされる周波数帯によって様々であるが、シート抵抗
値が１ｋΩ／□以下、望ましくは２００Ω／□以下の材
料であることが必要で、従来の帯電防止材料や透明電極
材料以上に低抵抗化が要求される。
要とされる周波数帯によって様々であるが、シート抵抗
値が１ｋΩ／□以下、望ましくは２００Ω／□以下の材
料であることが必要で、従来の帯電防止材料や透明電極
材料以上に低抵抗化が要求される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題点を解決するためになされたものであり、その課題と
するところは、十分な反射防止効果を有し、さらに電磁
波シールド効果を有する反射防止積層体を提供すること
にある。
題点を解決するためになされたものであり、その課題と
するところは、十分な反射防止効果を有し、さらに電磁
波シールド効果を有する反射防止積層体を提供すること
にある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明はこの課題を解決
するため、基材上に少なくとも３層以上のセラミック薄
膜層を有し、前記セラミック薄膜層の少なくとも１層は
導電性を有するセラミック薄膜層である反射防止積層体
であって、前記導電性を有するセラミック薄膜層のシー
ト抵抗値が２００Ω／□以下であることを特徴とする反
射防止積層体を提供する。
するため、基材上に少なくとも３層以上のセラミック薄
膜層を有し、前記セラミック薄膜層の少なくとも１層は
導電性を有するセラミック薄膜層である反射防止積層体
であって、前記導電性を有するセラミック薄膜層のシー
ト抵抗値が２００Ω／□以下であることを特徴とする反
射防止積層体を提供する。
【０００８】また、前記導電性を有するセラミック薄膜
層が、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫のいずれかま
たはそれらの２種類もしくは３種類の混合酸化物を主成
分としていること、基材がプラスチックフィルムである
こと、基材とセラミック薄膜層との間にハードコート層
が形成されていること、セラミック薄膜層の表面に防汚
層が形成されていること、セラミック薄膜層の基材に近
い側の高屈折率の層の屈折率が表面に近い側の高屈折率
の層の屈折率よりも高いことを特徴とする反射防止積層
体を提供する。
層が、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫のいずれかま
たはそれらの２種類もしくは３種類の混合酸化物を主成
分としていること、基材がプラスチックフィルムである
こと、基材とセラミック薄膜層との間にハードコート層
が形成されていること、セラミック薄膜層の表面に防汚
層が形成されていること、セラミック薄膜層の基材に近
い側の高屈折率の層の屈折率が表面に近い側の高屈折率
の層の屈折率よりも高いことを特徴とする反射防止積層
体を提供する。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につき
詳細に説明する。図１に本発明の反射防止積層体の断面
の構造の一例を示す。基材１としては透明性を有し、か
つ表面が平滑なものであればよく、例えば、ポリエステ
ルフィルム、ポリオレフィンフィルム、ポリカーボネー
ト、トリアセチルセルロース、ポリエーテルサルホン等
の高分子フィルムやガラスなどが挙げられるが、全体の
層構成からしてプラスチックが好適である。
詳細に説明する。図１に本発明の反射防止積層体の断面
の構造の一例を示す。基材１としては透明性を有し、か
つ表面が平滑なものであればよく、例えば、ポリエステ
ルフィルム、ポリオレフィンフィルム、ポリカーボネー
ト、トリアセチルセルロース、ポリエーテルサルホン等
の高分子フィルムやガラスなどが挙げられるが、全体の
層構成からしてプラスチックが好適である。
【００１０】本発明のセラミック薄膜層２に用いるセラ
ミック薄膜３〜６とは無機化合物からなるものであり、
酸化物、硫化物、フッ化物、窒化物などからなる薄膜が
使用可能である。この無機化合物からなる薄膜はその材
料により屈折率が異なり、その屈折率の異なるセラミッ
ク薄膜を特定の膜厚で複数層積層することにより、反射
防止積層体とすることが可能となる。
ミック薄膜３〜６とは無機化合物からなるものであり、
酸化物、硫化物、フッ化物、窒化物などからなる薄膜が
使用可能である。この無機化合物からなる薄膜はその材
料により屈折率が異なり、その屈折率の異なるセラミッ
ク薄膜を特定の膜厚で複数層積層することにより、反射
防止積層体とすることが可能となる。
【００１１】屈折率の低い材料としては、酸化マグネシ
ウム（屈折率＝１．６）、二酸化珪素（１．５）、フッ
化マグネシウム（１．４）、フッ化カルシウム（１．３
〜１．４）、フッ化セリウム（１．６）、フッ化アルミ
ニウム（１．３）などが挙げられる。屈折率の高い材料
としては二酸化チタン（２．４）、二酸化ジルコニウム
（２．０）、硫化亜鉛（２．３）、酸化タンタル（２．
１）、酸化亜鉛（２．１）、酸化インジウム（２．０）
が挙げられる。
ウム（屈折率＝１．６）、二酸化珪素（１．５）、フッ
化マグネシウム（１．４）、フッ化カルシウム（１．３
〜１．４）、フッ化セリウム（１．６）、フッ化アルミ
ニウム（１．３）などが挙げられる。屈折率の高い材料
としては二酸化チタン（２．４）、二酸化ジルコニウム
（２．０）、硫化亜鉛（２．３）、酸化タンタル（２．
１）、酸化亜鉛（２．１）、酸化インジウム（２．０）
が挙げられる。
【００１２】本発明における少なくとも１層が導電性を
有するセラミック薄膜となる導電性を有するセラミック
薄膜としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫のい
ずれか、またはそれらの２種類もしくは３種類の混合酸
化物が挙げられる。
有するセラミック薄膜となる導電性を有するセラミック
薄膜としては、酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫のい
ずれか、またはそれらの２種類もしくは３種類の混合酸
化物が挙げられる。
【００１３】本発明のセラミック薄膜層の製造方法とし
ては、膜厚の制御が可能であればいかなる成膜方法でも
よく、特には乾式法が適している。これには通常の真空
蒸着法等の物理的気相析出法やＣＶＤ法のような化学的
気相析出法を用いることができる。
ては、膜厚の制御が可能であればいかなる成膜方法でも
よく、特には乾式法が適している。これには通常の真空
蒸着法等の物理的気相析出法やＣＶＤ法のような化学的
気相析出法を用いることができる。
【００１４】本発明の反射防止積層体には、場合により
図２のようにハードコート層７、防汚層８の何れか、も
しくは両方を設けてもよい。
図２のようにハードコート層７、防汚層８の何れか、も
しくは両方を設けてもよい。
【００１５】ハードコート層７としては全体の透明度を
阻害しない程度に透明であり、屈折率が基材と同じであ
るかそれに近いものであるものが使用可能である。例え
ば紫外線硬化型のアクリル等が挙げられる。また、膜厚
は３〜６μｍが望ましい。
阻害しない程度に透明であり、屈折率が基材と同じであ
るかそれに近いものであるものが使用可能である。例え
ば紫外線硬化型のアクリル等が挙げられる。また、膜厚
は３〜６μｍが望ましい。
【００１６】防汚層８としては、種々の組成物からその
用途に応じて選択可能であるが、例えばフロシラン系の
ものが使用可能である。この防汚層を設ける方法として
は特にＣＶＤによる乾式処理が目的に特に適合した好ま
しい方法である。また膜厚としては５〜１５ｎｍが好ま
しい。
用途に応じて選択可能であるが、例えばフロシラン系の
ものが使用可能である。この防汚層を設ける方法として
は特にＣＶＤによる乾式処理が目的に特に適合した好ま
しい方法である。また膜厚としては５〜１５ｎｍが好ま
しい。
【００１７】
＜実施例１＞厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレ
ートを基材として用い、基材側より酸化インジウム錫３
０ｎｍ（波長４５０〜６５０ｎｍにおける屈折率分散が
２．０〜２．２）、二酸化珪素２０ｎｍ、酸化インジウ
ム錫７０ｎｍ（波長４５０〜６５０ｎｍにおける屈折率
分散が１．９〜２．１）、二酸化硅素１０ｎｍ、をそれ
ぞれ真空蒸着により積層させた。
ートを基材として用い、基材側より酸化インジウム錫３
０ｎｍ（波長４５０〜６５０ｎｍにおける屈折率分散が
２．０〜２．２）、二酸化珪素２０ｎｍ、酸化インジウ
ム錫７０ｎｍ（波長４５０〜６５０ｎｍにおける屈折率
分散が１．９〜２．１）、二酸化硅素１０ｎｍ、をそれ
ぞれ真空蒸着により積層させた。
【００１８】得られた膜の光線反射率は４５０〜６５０
ｎｍで、平均０．７％以下で、屈折率分散が同じ酸化イ
ンジウム錫を用いたときに比べ、光線反射率が１％以下
となる波長範囲が１０％広がった。また、シート抵抗値
は、１００Ω／□以下であった。さらに良好な電磁波シ
ールド効果（周波数１００ＭＨｚにおいて３０ｄＢ）が
得られた。
ｎｍで、平均０．７％以下で、屈折率分散が同じ酸化イ
ンジウム錫を用いたときに比べ、光線反射率が１％以下
となる波長範囲が１０％広がった。また、シート抵抗値
は、１００Ω／□以下であった。さらに良好な電磁波シ
ールド効果（周波数１００ＭＨｚにおいて３０ｄＢ）が
得られた。
【００１９】＜実施例２＞厚さ８０μｍのトリアセチル
セルロースを基材として用い、厚さ４μｍの紫外線硬化
性アクリル系樹脂からなるハードコート層を設け、基材
側より酸化亜鉛２５ｎｍ（波長４５０〜６５０ｎｍにお
ける屈折率分散が１．９〜２．１）、二酸化硅素２５ｎ
ｎ、酸化亜鉛７０ｎｍ（波長４５０〜６５０ｎｍにおけ
る屈折率が１．８〜２．０）、二酸化硅素１００ｎｍを
それぞれ真空蒸着により積層し、さらに防汚層としてＣ
ＶＤによりフルオロアルキルシラン１０ｎｍを成膜し
た。
セルロースを基材として用い、厚さ４μｍの紫外線硬化
性アクリル系樹脂からなるハードコート層を設け、基材
側より酸化亜鉛２５ｎｍ（波長４５０〜６５０ｎｍにお
ける屈折率分散が１．９〜２．１）、二酸化硅素２５ｎ
ｎ、酸化亜鉛７０ｎｍ（波長４５０〜６５０ｎｍにおけ
る屈折率が１．８〜２．０）、二酸化硅素１００ｎｍを
それぞれ真空蒸着により積層し、さらに防汚層としてＣ
ＶＤによりフルオロアルキルシラン１０ｎｍを成膜し
た。
【００２０】得られた膜の光線反射率は４５０〜６５０
ｎｍで、平均０．４％以下となった。また、シート抵抗
値は、１００Ω／□以下であった。さらに実施例１と同
様にして良好な電磁波シールド効果（周波数１００ＭＨ
ｚにおいて３０ｄＢ）が得られた。また、層間の密着性
も良好なものとなり、表面純粋接触角が１０７度と、撥
水性も得られた。
ｎｍで、平均０．４％以下となった。また、シート抵抗
値は、１００Ω／□以下であった。さらに実施例１と同
様にして良好な電磁波シールド効果（周波数１００ＭＨ
ｚにおいて３０ｄＢ）が得られた。また、層間の密着性
も良好なものとなり、表面純粋接触角が１０７度と、撥
水性も得られた。
【００２１】
【発明の効果】以上に示したように、本発明により、十
分な反射防止効果が得られると同時に、十分は電磁波シ
ールド効果を持った積層体を得ることが可能となった。
またハードコート層や防汚層を設けることで層間の密着
性や表面の撥水性も向上させることができた。
分な反射防止効果が得られると同時に、十分は電磁波シ
ールド効果を持った積層体を得ることが可能となった。
またハードコート層や防汚層を設けることで層間の密着
性や表面の撥水性も向上させることができた。
【００２２】
【図１】本発明における反射防止積層体の断面構造の一
例を示す説明図である。
例を示す説明図である。
【図２】本発明における反射防止積層体の断面構造の他
の一例を示す説明図である。
の一例を示す説明図である。
１…基材 ２…セラミック薄膜 ３〜６…セラミック薄膜層 ７…ハードコート層 ８…防汚層
フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｇ０２Ｂ 1/11 Ｈ０４Ｎ 5/72 Ａ Ｈ０４Ｎ 5/72 Ｇ０２Ｂ 1/10 Ａ
Claims (6)
- 【請求項１】基材上に少なくとも３層以上のセラミック
薄膜層を有し、前記セラミック薄膜層の少なくとも１層
は導電性を有するセラミック薄膜層である反射防止積層
体であって、前記導電性を有するセラミック薄膜層のシ
ート抵抗値が２００Ω／□以下であることを特徴とする
反射防止積層体。 - 【請求項２】前記導電性を有するセラミック薄膜層が、
酸化インジウム、酸化亜鉛、酸化錫のいずれかまたはそ
れらの２種類もしくは３種類の混合酸化物を主成分とし
ていることを特徴とする請求項１記載の反射防止積層
体。 - 【請求項３】前記基材がプラスチックフィルムであるこ
とを特徴とする請求項１〜２のいずれか記載の反射防止
積層体。 - 【請求項４】前記基材とセラミック薄膜層との間にハー
ドコート層が形成されていることを特徴とする請求項１
〜３のいずれか記載の反射防止積層体。 - 【請求項５】前記セラミック薄膜層の表面に防汚層が形
成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか
記載の反射防止積層体。 - 【請求項６】前記セラミック薄膜層の基材に近い側の高
屈折率の層の屈折率が表面に近い側の高屈折率の層の屈
折率よりも高いことを特徴とする請求項１〜５のいずれ
か記載の反射防止積層体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9251057A JPH1177873A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | 反射防止積層体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9251057A JPH1177873A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | 反射防止積層体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1177873A true JPH1177873A (ja) | 1999-03-23 |
Family
ID=17216990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9251057A Pending JPH1177873A (ja) | 1997-09-16 | 1997-09-16 | 反射防止積層体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1177873A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002327764A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ベアリング防水機構およびディスク洗浄装置 |
| JP2004302086A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体の製造方法 |
| US9369060B2 (en) | 2012-01-06 | 2016-06-14 | General Electric Company | Power generation system and package |
-
1997
- 1997-09-16 JP JP9251057A patent/JPH1177873A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002327764A (ja) * | 2001-05-01 | 2002-11-15 | Hitachi Electronics Eng Co Ltd | ベアリング防水機構およびディスク洗浄装置 |
| JP2004302086A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Dainippon Printing Co Ltd | パターン形成体の製造方法 |
| US9369060B2 (en) | 2012-01-06 | 2016-06-14 | General Electric Company | Power generation system and package |
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