JPH117915A - イオン注入装置 - Google Patents
イオン注入装置Info
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- JPH117915A JPH117915A JP9158617A JP15861797A JPH117915A JP H117915 A JPH117915 A JP H117915A JP 9158617 A JP9158617 A JP 9158617A JP 15861797 A JP15861797 A JP 15861797A JP H117915 A JPH117915 A JP H117915A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 イオンビームの出射方向を固定とした状態で
半導体ウェハに均一にイオン注入を行うことのできる枚
葉式のイオン注入装置を提供すること。 【解決手段】 イオンビームの出射方向を固定とし、半
導体ウェハ１をメカニカルに横方向と縦方向に移動させ
ながら該半導体ウェハにイオン注入を行うために、前記
半導体ウェハを保持しているウェハプラテン２を真空容
器９内で等速度Ｖｓにて前記横方向に往復運動させる揺
動機構と、前記ウェハプラテンを前記揺動機構と共に前
記縦方向に等速度Ｖｕにて上下動させる上下駆動機構と
を備えた。
半導体ウェハに均一にイオン注入を行うことのできる枚
葉式のイオン注入装置を提供すること。 【解決手段】 イオンビームの出射方向を固定とし、半
導体ウェハ１をメカニカルに横方向と縦方向に移動させ
ながら該半導体ウェハにイオン注入を行うために、前記
半導体ウェハを保持しているウェハプラテン２を真空容
器９内で等速度Ｖｓにて前記横方向に往復運動させる揺
動機構と、前記ウェハプラテンを前記揺動機構と共に前
記縦方向に等速度Ｖｕにて上下動させる上下駆動機構と
を備えた。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はイオン注入装置に関
し、特にイオンビームの出射方向を固定とし、半導体ウ
ェハをメカニカルに横方向と縦方向に移動させながら半
導体ウェハにイオン注入を行うイオン注入装置に関す
る。
し、特にイオンビームの出射方向を固定とし、半導体ウ
ェハをメカニカルに横方向と縦方向に移動させながら半
導体ウェハにイオン注入を行うイオン注入装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】イオン注入装置には、バッチ式と枚葉式
の２つのタイプがある。高エネルギイオン注入装置と、
高電流イオン注入装置は一般的にバッチ式であり、中電
流イオン注入装置は、通常、枚葉式を採用している。
の２つのタイプがある。高エネルギイオン注入装置と、
高電流イオン注入装置は一般的にバッチ式であり、中電
流イオン注入装置は、通常、枚葉式を採用している。
【０００３】バッチ式のイオン注入装置は、例えば米国
特許第４７３３０９１号に開示されているように、一度
に複数枚の半導体ウェハを載せることのできるウェハデ
ィスクを高速回転させながらウェハディスク全体を低速
で縦（上下）方向に移動させる方式が一般的である。こ
のような方式は、ＤＲＡＭ等の記憶装置の大量生産には
適しているが、今後要求が高まるであろうプロセッサ
（演算装置）等の高付加価値製品の開発や生産の場合に
は、枚葉式の方が効率的であることが指摘されている。
特許第４７３３０９１号に開示されているように、一度
に複数枚の半導体ウェハを載せることのできるウェハデ
ィスクを高速回転させながらウェハディスク全体を低速
で縦（上下）方向に移動させる方式が一般的である。こ
のような方式は、ＤＲＡＭ等の記憶装置の大量生産には
適しているが、今後要求が高まるであろうプロセッサ
（演算装置）等の高付加価値製品の開発や生産の場合に
は、枚葉式の方が効率的であることが指摘されている。
【０００４】中電流イオン注入装置に採用されている枚
葉式のイオン注入装置は、例えば特開平６−２８３１３
０号公報に開示されているように、イオンビームを、電
場方式、又は磁場方式で横方向に高速スキャンさせなが
ら半導体ウェハを縦（上下）方向にメカニカルに低速で
移動させるタイプが一般的である。
葉式のイオン注入装置は、例えば特開平６−２８３１３
０号公報に開示されているように、イオンビームを、電
場方式、又は磁場方式で横方向に高速スキャンさせなが
ら半導体ウェハを縦（上下）方向にメカニカルに低速で
移動させるタイプが一般的である。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、枚葉式
のイオン注入装置は、イオンビームを横方向に高速スキ
ャンさせるための静電界発生装置あるいは磁界発生装置
が必要であり、装置コストが高くなるという問題点があ
る。また、イオンビームを半導体ウェハに到達するまで
の間に振らせる必要があるので、ビームラインが長くな
り、装置がかさ張ったものになるという問題点もある。
のイオン注入装置は、イオンビームを横方向に高速スキ
ャンさせるための静電界発生装置あるいは磁界発生装置
が必要であり、装置コストが高くなるという問題点があ
る。また、イオンビームを半導体ウェハに到達するまで
の間に振らせる必要があるので、ビームラインが長くな
り、装置がかさ張ったものになるという問題点もある。
【０００６】そこで、本発明の課題は、イオンビームの
出射方向を固定とした状態で半導体ウェハに均一にイオ
ン注入を行うことのできる枚葉式のイオン注入装置を提
供することにある。
出射方向を固定とした状態で半導体ウェハに均一にイオ
ン注入を行うことのできる枚葉式のイオン注入装置を提
供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、イオンビーム
の出射方向を固定とし、半導体ウェハをメカニカルに横
方向と縦方向に移動させながら該半導体ウェハにイオン
注入を行うイオン注入装置であって、前記半導体ウェハ
を保持しているウェハプラテンを真空容器内で等速度Ｖ
ｓにて前記横方向に往復運動させる揺動機構と、前記ウ
ェハプラテンを前記揺動機構と共に前記縦方向に等速度
Ｖｕにて上下動させる上下駆動機構とを備えたことを特
徴とする。
の出射方向を固定とし、半導体ウェハをメカニカルに横
方向と縦方向に移動させながら該半導体ウェハにイオン
注入を行うイオン注入装置であって、前記半導体ウェハ
を保持しているウェハプラテンを真空容器内で等速度Ｖ
ｓにて前記横方向に往復運動させる揺動機構と、前記ウ
ェハプラテンを前記揺動機構と共に前記縦方向に等速度
Ｖｕにて上下動させる上下駆動機構とを備えたことを特
徴とする。
【０００８】なお、前記揺動機構は、前記真空容器の壁
を貫通して設けられたアームを含み、該アームはその前
記真空容器の内側の一端に前記ウェハプラテンを設け、
前記真空容器の外側の他端を往復回動用のモータの出力
軸に連結して往復回動するように構成されている。
を貫通して設けられたアームを含み、該アームはその前
記真空容器の内側の一端に前記ウェハプラテンを設け、
前記真空容器の外側の他端を往復回動用のモータの出力
軸に連結して往復回動するように構成されている。
【０００９】また、前記上下駆動機構は、前記真空容器
の外側に壁に沿って上下動可能に設けられたスライドプ
レートを含み、該スライドプレートは、前記アームを前
記真空容器の壁に設けられた長穴を通して一体的に上下
動可能に支持すると共に、前記モータを支持しており、
しかも前記長穴の周囲における前記真空容器の壁と前記
スライドプレートとの間には、密封用のスライディング
シールを設けている。
の外側に壁に沿って上下動可能に設けられたスライドプ
レートを含み、該スライドプレートは、前記アームを前
記真空容器の壁に設けられた長穴を通して一体的に上下
動可能に支持すると共に、前記モータを支持しており、
しかも前記長穴の周囲における前記真空容器の壁と前記
スライドプレートとの間には、密封用のスライディング
シールを設けている。
【００１０】前記真空容器の外側の前記アームには該ア
ームと共に回動する補助アームが固着されており、前記
アームの往復回動範囲のうち両側の所定の範囲を除く領
域を前記等速度Ｖｓで移動させるようにし、前記スライ
ドプレートには前記補助アームが反転移動する箇所に緩
衝機構が設けられる。
ームと共に回動する補助アームが固着されており、前記
アームの往復回動範囲のうち両側の所定の範囲を除く領
域を前記等速度Ｖｓで移動させるようにし、前記スライ
ドプレートには前記補助アームが反転移動する箇所に緩
衝機構が設けられる。
【００１１】前記緩衝機構は、前記スライドプレートに
前記補助アームの衝突力を吸収するばねを設けて構成さ
れるか、あるいは前記スライドプレートと前記補助アー
ムとの衝突部にそれぞれ、同磁極同士が対向するように
設けた磁石で構成される。
前記補助アームの衝突力を吸収するばねを設けて構成さ
れるか、あるいは前記スライドプレートと前記補助アー
ムとの衝突部にそれぞれ、同磁極同士が対向するように
設けた磁石で構成される。
【００１２】更に、前記アームの回転中心から前記半導
体ウェハの中心までの距離がＲである時、前記等速度Ｖ
ｕが前記距離Ｒに反比例するように前記上下駆動機構を
制御することが好ましい。
体ウェハの中心までの距離がＲである時、前記等速度Ｖ
ｕが前記距離Ｒに反比例するように前記上下駆動機構を
制御することが好ましい。
【００１３】また、前記ウェハプラテンは、前記半導体
ウェハを保持するための静電クランプ機構を有すると共
に、該静電クランプ機構をモータ駆動により前記イオン
ビームの入射角度が可変となるように回動させる回動機
構を備えていることが好ましい。
ウェハを保持するための静電クランプ機構を有すると共
に、該静電クランプ機構をモータ駆動により前記イオン
ビームの入射角度が可変となるように回動させる回動機
構を備えていることが好ましい。
【００１４】加えて、前記ウェハプラテンの内部には水
及びガスの少なくとも一方の冷却材用の循環回路が設け
られ、前記アームにもその内部を通して前記真空容器の
外側から前記循環回路に至る冷却材用の循環回路が設け
られていることが好ましい。
及びガスの少なくとも一方の冷却材用の循環回路が設け
られ、前記アームにもその内部を通して前記真空容器の
外側から前記循環回路に至る冷却材用の循環回路が設け
られていることが好ましい。
【００１５】また、前記アームは、前記ウェハプラテン
を保持する保持部を複数個有するようにしても良い。
を保持する保持部を複数個有するようにしても良い。
【００１６】
【作用】このイオン注入装置では、イオンビームを固定
したまま、半導体ウェハを揺動機構により横方向に高速
移動（高速スキャン）させながら、同時に上下駆動機構
により縦方向の低速移動（低速スキャン）を行い、イオ
ンを注入する。横方向における高速スキャンの周波数
は、最大およそ１０Ｈｚとする。それに対し、縦方向の
スキャン速度は最大１００ｍｍ／ｓｅｃ程度とし、注入
均一性を確保するために、アームの回転中心から半導体
ウェハの中心までの距離Ｒを考慮した速度制御を行う。
イオンの注入角度を変更するときは、縦方向の低速スキ
ャンの上端、又は下端で縦方向スキャンを固定し、ウェ
ハプラテンをその直径方向の軸を中心に回転させてイオ
ンの進行方向に対する角度を変更する。なお、同一のビ
ームで注入角度を変更して注入する、ステップ注入等も
可能である。
したまま、半導体ウェハを揺動機構により横方向に高速
移動（高速スキャン）させながら、同時に上下駆動機構
により縦方向の低速移動（低速スキャン）を行い、イオ
ンを注入する。横方向における高速スキャンの周波数
は、最大およそ１０Ｈｚとする。それに対し、縦方向の
スキャン速度は最大１００ｍｍ／ｓｅｃ程度とし、注入
均一性を確保するために、アームの回転中心から半導体
ウェハの中心までの距離Ｒを考慮した速度制御を行う。
イオンの注入角度を変更するときは、縦方向の低速スキ
ャンの上端、又は下端で縦方向スキャンを固定し、ウェ
ハプラテンをその直径方向の軸を中心に回転させてイオ
ンの進行方向に対する角度を変更する。なお、同一のビ
ームで注入角度を変更して注入する、ステップ注入等も
可能である。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下に、図１〜図４を参照して本
発明の好ましい実施の形態について説明する。本形態
は、枚葉式のイオン注入装置であり、イオンビームの出
射方向を固定し、半導体ウェハ１をメカニカルに縦方向
と横方向に移動させることで、半導体ウェハ１全体に均
一にイオンを注入できることを特徴としている。
発明の好ましい実施の形態について説明する。本形態
は、枚葉式のイオン注入装置であり、イオンビームの出
射方向を固定し、半導体ウェハ１をメカニカルに縦方向
と横方向に移動させることで、半導体ウェハ１全体に均
一にイオンを注入できることを特徴としている。
【００１８】このイオン注入装置は、半導体ウェハ１を
保持しているウェハプラテン２を真空容器９内で等速度
Ｖｓにて横方向に往復運動させる揺動機構と、ウェハプ
ラテン２を前記揺動機構と共に縦方向に等速度Ｖｕにて
上下動させる上下駆動機構とを備えている。
保持しているウェハプラテン２を真空容器９内で等速度
Ｖｓにて横方向に往復運動させる揺動機構と、ウェハプ
ラテン２を前記揺動機構と共に縦方向に等速度Ｖｕにて
上下動させる上下駆動機構とを備えている。
【００１９】揺動機構は、真空容器９の壁を貫通して設
けられた中空のＬ形のアーム７を含む。アーム７は、水
平方向に延びる中空の回転軸７１と、その一端、すなわ
ち真空容器９の内側の端部に上下方向に延びるように組
み付けられた中空の揺動アーム７２とから成る。揺動ア
ーム７２は、その上端にＹ字形の支持部７３を有してお
り、この支持部７３にウェハプラテン２を軸７４を中心
に回動自在に設けている。真空容器９の外側に延びてい
る回転軸７１の他端部にはプーリ（あるいはスプロケッ
ト）１６を設け、ベルト（あるいはチェーン）１７を介
して往復回動用のモータ１９の出力軸に連結している。
揺動アーム７２はモータ１９の往復回動により回転軸７
１を中心とする所定角度範囲（図１に示すＸ´−Ｙ´）
内の揺動運動を行う。
けられた中空のＬ形のアーム７を含む。アーム７は、水
平方向に延びる中空の回転軸７１と、その一端、すなわ
ち真空容器９の内側の端部に上下方向に延びるように組
み付けられた中空の揺動アーム７２とから成る。揺動ア
ーム７２は、その上端にＹ字形の支持部７３を有してお
り、この支持部７３にウェハプラテン２を軸７４を中心
に回動自在に設けている。真空容器９の外側に延びてい
る回転軸７１の他端部にはプーリ（あるいはスプロケッ
ト）１６を設け、ベルト（あるいはチェーン）１７を介
して往復回動用のモータ１９の出力軸に連結している。
揺動アーム７２はモータ１９の往復回動により回転軸７
１を中心とする所定角度範囲（図１に示すＸ´−Ｙ´）
内の揺動運動を行う。
【００２０】また、上下駆動機構は、真空容器９の外側
に壁に沿って上下動可能に設けられたスライドプレート
１０を含む。スライドプレート１０は、アーム７を真空
容器９の壁に設けられた長穴９１を通して一体的に上下
動可能に支持すると共に、ブラケット１８でモータ１９
を支持している。長穴９１の周囲における真空容器９の
壁とスライドプレート１０との間には、密封用のスライ
ディングシール２０を設けている。
に壁に沿って上下動可能に設けられたスライドプレート
１０を含む。スライドプレート１０は、アーム７を真空
容器９の壁に設けられた長穴９１を通して一体的に上下
動可能に支持すると共に、ブラケット１８でモータ１９
を支持している。長穴９１の周囲における真空容器９の
壁とスライドプレート１０との間には、密封用のスライ
ディングシール２０を設けている。
【００２１】スライドプレート１０は、真空容器９の上
部に取り付けられた駆動モータ２３で回転駆動されるボ
ールねじ２４とスライドプレート１０に取り付けられた
ナット２６との組合わせにより上下方向に等速度Ｖｕで
移動可能にされている。特に、等速度Ｖｕは最大１００
ｍｍ／ｓｅｃ程度とし、イオンの注入均一性を確保する
ためには、アーム７の回転中心から半導体ウェハ１の中
心までの距離をＲとする時、等速度Ｖｕが距離Ｒに反比
例するように上下駆動機構を制御することが好ましいこ
とが知られている。
部に取り付けられた駆動モータ２３で回転駆動されるボ
ールねじ２４とスライドプレート１０に取り付けられた
ナット２６との組合わせにより上下方向に等速度Ｖｕで
移動可能にされている。特に、等速度Ｖｕは最大１００
ｍｍ／ｓｅｃ程度とし、イオンの注入均一性を確保する
ためには、アーム７の回転中心から半導体ウェハ１の中
心までの距離をＲとする時、等速度Ｖｕが距離Ｒに反比
例するように上下駆動機構を制御することが好ましいこ
とが知られている。
【００２２】回転軸７１が貫通しているスライドプレー
ト１０の穴には真空容器９の内側に延びる筒状体４が設
けられ、回転軸７１と筒状体４との間には、電磁シール
ユニット４１とその両側にベアリング４２が設けられて
いる。このようにして、アーム７は、回転軸７１の周囲
における隙間をシールしながら、回転可能にスライドプ
レート１０に支持されている。
ト１０の穴には真空容器９の内側に延びる筒状体４が設
けられ、回転軸７１と筒状体４との間には、電磁シール
ユニット４１とその両側にベアリング４２が設けられて
いる。このようにして、アーム７は、回転軸７１の周囲
における隙間をシールしながら、回転可能にスライドプ
レート１０に支持されている。
【００２３】真空容器９の外側のアーム７、すなわち回
転軸７１にはこの回転軸７１と共に回動する補助アーム
７５が固着されている。揺動アーム７２は、図１に示す
Ｘ´−Ｙ´の所定角度の往復回動範囲のうち両側の所定
の加減速範囲Ｘ−Ｘ´，Ｙ−Ｙ´を除く領域Ｘ−Ｙを等
速度Ｖｓで移動するようにされている。そして、スライ
ドプレート１０には補助アーム７５の移動が反転する箇
所に緩衝機構が設けられる。ここでは、緩衝機構はスラ
イドプレート１０に取り付けたばねサポート２５に取り
付けられたばね２２で構成される。ばね２２は、半導体
ウェハ１の中心が図１の位置Ｘ´、Ｙ´に到達した時に
補助アーム７５が当接する角度位置に設けられる。その
結果、例えばモータ１９の正転によりアーム７が等速度
Ｖｓで図１の実線の位置からＹの角度位置に至ると減速
してＹ´の角度位置で補助アーム７５がばね２２に衝突
し、ばね２２の反発力により反転すると同時にモータ１
９は逆転してＹ´の角度位置で再び等速度Ｖｓに達して
実線位置に向かう。
転軸７１にはこの回転軸７１と共に回動する補助アーム
７５が固着されている。揺動アーム７２は、図１に示す
Ｘ´−Ｙ´の所定角度の往復回動範囲のうち両側の所定
の加減速範囲Ｘ−Ｘ´，Ｙ−Ｙ´を除く領域Ｘ−Ｙを等
速度Ｖｓで移動するようにされている。そして、スライ
ドプレート１０には補助アーム７５の移動が反転する箇
所に緩衝機構が設けられる。ここでは、緩衝機構はスラ
イドプレート１０に取り付けたばねサポート２５に取り
付けられたばね２２で構成される。ばね２２は、半導体
ウェハ１の中心が図１の位置Ｘ´、Ｙ´に到達した時に
補助アーム７５が当接する角度位置に設けられる。その
結果、例えばモータ１９の正転によりアーム７が等速度
Ｖｓで図１の実線の位置からＹの角度位置に至ると減速
してＹ´の角度位置で補助アーム７５がばね２２に衝突
し、ばね２２の反発力により反転すると同時にモータ１
９は逆転してＹ´の角度位置で再び等速度Ｖｓに達して
実線位置に向かう。
【００２４】このような緩衝機構は、補助アーム７５と
ばねサポート２５との互いに対向し合う位置にそれぞれ
永久磁石を取り付け、同磁極同士を対向させることで反
発力を利用するように構成されても良い。
ばねサポート２５との互いに対向し合う位置にそれぞれ
永久磁石を取り付け、同磁極同士を対向させることで反
発力を利用するように構成されても良い。
【００２５】また、ウェハプラテン２は、半導体ウェハ
１を周知の静電クランプ機構（例えば、ＵＳＰ第５４３
６７８０号あるいはＵＳＰ第５４４４５９７号参照）に
より保持している。イオンの注入均一性を向上させるた
めに、ウェハプラテン２の後部のケース２７内にはプラ
テン駆動モータ３が組み付けられ、半導体ウェハ１を静
電クランプ機構と共に、図１に矢印で示す方向に回転可
能にしている。更に、前述したようにウェハプラテン２
を軸７４を中心に回動させるために、ボールねじ機構が
組み付けられる。このボールねじ機構は、アーム７に取
り付けられたプラテンチルト用モータ１２と、ボールね
じ２８と、プラテンチルト用モータ１２とボールねじ２
８とを連結しているカップリング１１と、カバー２７に
取り付けられたナット２９とから成る。このようにし
て、ウェハプラテン２は、プラテンチルト用モータ１２
の回転により軸７４を中心に回動することでイオンビー
ムの入射角度を可変とすることができる。
１を周知の静電クランプ機構（例えば、ＵＳＰ第５４３
６７８０号あるいはＵＳＰ第５４４４５９７号参照）に
より保持している。イオンの注入均一性を向上させるた
めに、ウェハプラテン２の後部のケース２７内にはプラ
テン駆動モータ３が組み付けられ、半導体ウェハ１を静
電クランプ機構と共に、図１に矢印で示す方向に回転可
能にしている。更に、前述したようにウェハプラテン２
を軸７４を中心に回動させるために、ボールねじ機構が
組み付けられる。このボールねじ機構は、アーム７に取
り付けられたプラテンチルト用モータ１２と、ボールね
じ２８と、プラテンチルト用モータ１２とボールねじ２
８とを連結しているカップリング１１と、カバー２７に
取り付けられたナット２９とから成る。このようにし
て、ウェハプラテン２は、プラテンチルト用モータ１２
の回転により軸７４を中心に回動することでイオンビー
ムの入射角度を可変とすることができる。
【００２６】図示していないが、ウェハプラテン２にお
けるケース２７内には冷却用の水及びガスの循環回路が
設けられている。この循環回路に水及びガスを循環させ
るために、アーム７の中空空間が利用される。すなわ
ち、回転軸７１の他端からその中空部及び揺動アーム７
２の中空部を通して冷却水用の配管１４と冷却ガス用の
配管１５とが挿通され、支持部７３を通しフレキシブル
ホースを経てケース２７内の冷却水及び冷却ガスの循環
回路に接続されている。アーム７の中空空間はまた、プ
ラテン駆動モータ３、プラテンチルト用モータ１２への
電源供給のためのケーブル１３を通すために利用され
る。なお、アーム７内の冷却水配管、冷却ガス配管及び
ケーブルは、回転軸７１及び揺動アーム７２と共に回転
あるいは揺動するので、冷却水配管、冷却ガス配管及び
ケーブルは、回転軸７１から出た箇所で冷却水源、冷却
ガス源及び電源側とフレキシブルタイプの配管を通して
接続される。
けるケース２７内には冷却用の水及びガスの循環回路が
設けられている。この循環回路に水及びガスを循環させ
るために、アーム７の中空空間が利用される。すなわ
ち、回転軸７１の他端からその中空部及び揺動アーム７
２の中空部を通して冷却水用の配管１４と冷却ガス用の
配管１５とが挿通され、支持部７３を通しフレキシブル
ホースを経てケース２７内の冷却水及び冷却ガスの循環
回路に接続されている。アーム７の中空空間はまた、プ
ラテン駆動モータ３、プラテンチルト用モータ１２への
電源供給のためのケーブル１３を通すために利用され
る。なお、アーム７内の冷却水配管、冷却ガス配管及び
ケーブルは、回転軸７１及び揺動アーム７２と共に回転
あるいは揺動するので、冷却水配管、冷却ガス配管及び
ケーブルは、回転軸７１から出た箇所で冷却水源、冷却
ガス源及び電源側とフレキシブルタイプの配管を通して
接続される。
【００２７】以上のように、図１に示した真空容器９の
窓９２を通して行われるイオン注入を均一とするため
に、横方向に関しては、図１に示す区間Ｘ〜Ｙで半導体
ウェハ１の移動速度を一定とし、区間Ｘ〜Ｘ´及びＹ〜
Ｙ´は加減速区間としている。区間Ｘ〜Ｘ´及びＹ〜Ｙ
´での加減速は、図３に示すように、スライドプレート
１０に取り付けられたばね２２により補助的に行われ
る。縦方向については、図２に示すスライドプレート１
０の上下運動による低速移動が行われる。また、プラテ
ン駆動モータ３によるウェハプラテン２の回転と、プラ
テンチルト用モータ１２による回転支持用の軸７４を中
心としたウェハプラテン２の回転とにより、イオンビー
ムラインに対して、半導体ウェハ１に任意の角度の傾斜
を与えることが可能となる。
窓９２を通して行われるイオン注入を均一とするため
に、横方向に関しては、図１に示す区間Ｘ〜Ｙで半導体
ウェハ１の移動速度を一定とし、区間Ｘ〜Ｘ´及びＹ〜
Ｙ´は加減速区間としている。区間Ｘ〜Ｘ´及びＹ〜Ｙ
´での加減速は、図３に示すように、スライドプレート
１０に取り付けられたばね２２により補助的に行われ
る。縦方向については、図２に示すスライドプレート１
０の上下運動による低速移動が行われる。また、プラテ
ン駆動モータ３によるウェハプラテン２の回転と、プラ
テンチルト用モータ１２による回転支持用の軸７４を中
心としたウェハプラテン２の回転とにより、イオンビー
ムラインに対して、半導体ウェハ１に任意の角度の傾斜
を与えることが可能となる。
【００２８】このイオン注入装置では、イオンビームを
固定したまま、半導体ウェハ１を揺動機構により横方向
に高速移動（高速スキャン）させながら、同時に上下駆
動機構により縦方向の低速移動（低速スキャン）を行い
イオンを注入する。横方向における高速スキャンの周波
数は、最大およそ１０Ｈｚとする。それに対し、縦方向
のスキャン速度は最大１００ｍｍ／ｓｅｃ程度とし、注
入均一性を確保するために、アーム７の回転中心から半
導体ウェハ１の中心までの距離Ｒを考慮した速度制御を
行う。イオンの注入角度を変更する時は、縦方向の低速
スキャンの上端、又は下端でスライドプレート１０を固
定し、ウェハプラテン２を回転させてイオンの進行方向
に対する角度を変更する。
固定したまま、半導体ウェハ１を揺動機構により横方向
に高速移動（高速スキャン）させながら、同時に上下駆
動機構により縦方向の低速移動（低速スキャン）を行い
イオンを注入する。横方向における高速スキャンの周波
数は、最大およそ１０Ｈｚとする。それに対し、縦方向
のスキャン速度は最大１００ｍｍ／ｓｅｃ程度とし、注
入均一性を確保するために、アーム７の回転中心から半
導体ウェハ１の中心までの距離Ｒを考慮した速度制御を
行う。イオンの注入角度を変更する時は、縦方向の低速
スキャンの上端、又は下端でスライドプレート１０を固
定し、ウェハプラテン２を回転させてイオンの進行方向
に対する角度を変更する。
【００２９】図５は、本発明の他の形態を示した図であ
り、ウェハプラテン２を２個設けて生産性の向上を図っ
た例である。このために、揺動アーム７２に支持部７３
を２つ設けている。ウェハプラテン２の回転機構や、冷
却構造は前述した形態とまったく同じで良いが、真空容
器９の幅は広くする必要がある。
り、ウェハプラテン２を２個設けて生産性の向上を図っ
た例である。このために、揺動アーム７２に支持部７３
を２つ設けている。ウェハプラテン２の回転機構や、冷
却構造は前述した形態とまったく同じで良いが、真空容
器９の幅は広くする必要がある。
【００３０】なお、本方式は、イオン注入以外にも電子
や原子、中性子、分子注入等にも応用できる。
や原子、中性子、分子注入等にも応用できる。
【００３１】
【発明の効果】本発明によるイオン注入装置は、次のよ
うな効果を持つ。
うな効果を持つ。
【００３２】１．イオンビームを固定できるので、イオ
ンビームをスキャンするための静電方式やマグネット方
式の機構が不要となり、ビームラインを短くでき、注入
装置の長さを短くできるだけでなく、イオンビームスキ
ャン機構が無くなることにより装置のコストも安くでき
る。
ンビームをスキャンするための静電方式やマグネット方
式の機構が不要となり、ビームラインを短くでき、注入
装置の長さを短くできるだけでなく、イオンビームスキ
ャン機構が無くなることにより装置のコストも安くでき
る。
【００３３】２．高エネルギーイオン注入装置と、高電
流イオン注入装置は、これまで複数枚同時に注入するバ
ッチ式であったが、本発明の方式を採用することによ
り、一枚ずつイオン注入ができる枚葉式のイオン注入装
置を提供することができる。
流イオン注入装置は、これまで複数枚同時に注入するバ
ッチ式であったが、本発明の方式を採用することによ
り、一枚ずつイオン注入ができる枚葉式のイオン注入装
置を提供することができる。
【図１】本発明によるイオン注入装置の主要部を正面か
ら見た図である。
ら見た図である。
【図２】本発明によるイオン注入装置の主要部を側面か
ら見た断面図である。
ら見た断面図である。
【図３】図２に示された上下駆動機構を背面から見た図
である。
である。
【図４】図２に示されたウェハプラテンとその周辺の構
成要素を図２の矢印Ａ方向から見た図である。
成要素を図２の矢印Ａ方向から見た図である。
【図５】本発明の他の形態によるイオン注入装置の主要
部を正面から見た図である。
部を正面から見た図である。
１ 半導体ウェハ ２ ウェハプラテン ３ プラテン駆動モータ ４ 筒状体 ７ アーム ９ 真空容器 １０ スライドプレート １１ カップリング １２ プラテンチルト用モータ １３ ケーブル １４ 冷却水用の配管 １５ 冷却ガス用の配管 １６ プーリ １７ ベルト １９ モータ ２０ スライディングシール ２２ ばね ２３ 駆動モータ ２４、２８ ボールねじ ２６、２９ ナット ７１ 回転軸 ７２ 揺動アーム
Claims (10)
- 【請求項１】 イオンビームの出射方向を固定とし、半
導体ウェハをメカニカルに横方向と縦方向に移動させな
がら該半導体ウェハにイオン注入を行うイオン注入装置
であって、 前記半導体ウェハを保持しているウェハプラテンを真空
容器内で等速度Ｖｓにて前記横方向に往復運動させる揺
動機構と、 前記ウェハプラテンを前記揺動機構と共に前記縦方向に
等速度Ｖｕにて上下動させる上下駆動機構とを備えたこ
とを特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項２】 請求項１記載のイオン注入装置におい
て、前記揺動機構は、前記真空容器の壁を貫通して設け
られたアームを含み、該アームはその前記真空容器の内
側の一端に前記ウェハプラテンを設け、前記真空容器の
外側の他端を往復回動用のモータの出力軸に連結して往
復回動するように構成されていることを特徴とするイオ
ン注入装置。 - 【請求項３】 請求項２記載のイオン注入装置におい
て、前記上下駆動機構は、前記真空容器の外側に壁に沿
って上下動可能に設けられたスライドプレートを含み、
該スライドプレートは、前記アームを前記真空容器の壁
に設けられた長穴を通して一体的に上下動可能に支持す
ると共に、前記モータを支持しており、しかも前記長穴
の周囲における前記真空容器の壁と前記スライドプレー
トとの間には、密封用のスライディングシールを設けた
ことを特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項４】 請求項３記載のイオン注入装置におい
て、前記真空容器の外側の前記アームには該アームと共
に回動する補助アームが固着されており、前記アームの
往復回動範囲のうち両側の所定の範囲を除く領域を前記
等速度Ｖｓで移動させるようにし、前記スライドプレー
トには前記補助アームが反転移動する箇所に緩衝機構を
設けたことを特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項５】 請求項４記載のイオン注入装置におい
て、前記緩衝機構は、前記スライドプレートに前記補助
アームの衝突力を吸収するばねを設けて構成されること
を特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項６】 請求項４記載のイオン注入装置におい
て、前記緩衝機構は、前記スライドプレートと前記補助
アームとの衝突部にそれぞれ、同磁極同士が対向するよ
うに設けた磁石で構成されることを特徴とするイオン注
入装置。 - 【請求項７】 請求項５あるいは６記載のイオン注入装
置において、前記アームの回転中心から前記半導体ウェ
ハの中心までの距離がＲである時、前記等速度Ｖｕが前
記距離Ｒに反比例するように前記上下駆動機構を制御す
ることを特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項８】 請求項７記載のイオン注入装置におい
て、前記ウェハプラテンは、前記半導体ウェハを保持す
るための静電クランプ機構を有すると共に、該静電クラ
ンプ機構をモータ駆動により前記イオンビームの入射角
度が可変となるように回動させる回動機構を備えたこと
を特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項９】 請求項８記載のイオン注入装置におい
て、前記ウェハプラテンの内部には水及びガスの少なく
とも一方の冷却材用の循環回路が設けられ、前記アーム
にもその内部を通して前記真空容器の外側から前記循環
回路に至る冷却材用の循環回路が設けられていることを
特徴とするイオン注入装置。 - 【請求項１０】 請求項９記載のイオン注入装置におい
て、前記アームは、前記ウェハプラテンを保持する保持
部を複数個有することを特徴とするイオン注入装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15861797A JP3729604B2 (ja) | 1997-06-16 | 1997-06-16 | イオン注入装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15861797A JP3729604B2 (ja) | 1997-06-16 | 1997-06-16 | イオン注入装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH117915A true JPH117915A (ja) | 1999-01-12 |
| JP3729604B2 JP3729604B2 (ja) | 2005-12-21 |
Family
ID=15675632
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15861797A Expired - Fee Related JP3729604B2 (ja) | 1997-06-16 | 1997-06-16 | イオン注入装置 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3729604B2 (ja) |
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005294331A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Sumitomo Eaton Noba Kk | ウエハスキャン装置 |
| WO2005101463A1 (en) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | Axcelis Technologies, Inc. | Wafer scanning system with reciprocating rotary motion utilizing springs and counterweights |
| JP2006060159A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Sumitomo Eaton Noba Kk | ビーム照射方法およびビーム照射装置 |
| US7112808B2 (en) | 2004-02-25 | 2006-09-26 | Axcelis Technologies, Inc. | Wafer 2D scan mechanism |
| US7119343B2 (en) | 2004-05-06 | 2006-10-10 | Axcelis Technologies, Inc. | Mechanical oscillator for wafer scan with spot beam |
| US7135691B2 (en) | 2004-04-05 | 2006-11-14 | Axcelis Technologies, Inc. | Reciprocating drive for scanning a workpiece through an ion beam |
| WO2006121431A1 (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Axcelis Technologies, Inc. | Mechanical oscillator for wafer scan with spot beam |
| JP2006351312A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置 |
| US7282427B1 (en) | 2006-05-04 | 2007-10-16 | Applied Materials, Inc. | Method of implanting a substrate and an ion implanter for performing the method |
| WO2007127084A1 (en) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Axcelis Technologies, Inc. | Dose uniformity correction technique |
| EP2264739A2 (en) * | 2004-04-05 | 2010-12-22 | Axcelis Technologies, Inc. | Drive system for ion scanning a workpiece |
| KR20130038247A (ko) * | 2010-03-17 | 2013-04-17 | 액셀리스 테크놀러지스, 인크. | 이온 주입기용 증기 압축 냉동 척 |
| KR101500963B1 (ko) * | 2013-02-22 | 2015-03-10 | 닛신 이온기기 가부시기가이샤 | 이온빔 조사 장치 |
| US9368326B2 (en) | 2013-06-17 | 2016-06-14 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Scan head and scan arm using the same |
| WO2016093087A1 (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | パターン形成方法、ガスクラスターイオンビーム照射装置及びパターン形成装置 |
-
1997
- 1997-06-16 JP JP15861797A patent/JP3729604B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (26)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7112808B2 (en) | 2004-02-25 | 2006-09-26 | Axcelis Technologies, Inc. | Wafer 2D scan mechanism |
| JP2005294331A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Sumitomo Eaton Noba Kk | ウエハスキャン装置 |
| JP2007532009A (ja) * | 2004-04-05 | 2007-11-08 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | イオンビームの中を通過してワークピースを往復移動させるための方法 |
| US7135691B2 (en) | 2004-04-05 | 2006-11-14 | Axcelis Technologies, Inc. | Reciprocating drive for scanning a workpiece through an ion beam |
| US7141809B2 (en) | 2004-04-05 | 2006-11-28 | Axcelis Technologies, Inc. | Method for reciprocating a workpiece through an ion beam |
| EP2264739A2 (en) * | 2004-04-05 | 2010-12-22 | Axcelis Technologies, Inc. | Drive system for ion scanning a workpiece |
| US7323695B2 (en) | 2004-04-05 | 2008-01-29 | Axcelis Technologies, Inc. | Reciprocating drive for scanning a workpiece |
| WO2005101463A1 (en) * | 2004-04-09 | 2005-10-27 | Axcelis Technologies, Inc. | Wafer scanning system with reciprocating rotary motion utilizing springs and counterweights |
| US7267520B2 (en) | 2004-04-09 | 2007-09-11 | Axcelis Technologies, Inc. | Wafer scanning system with reciprocating rotary motion utilizing springs and counterweights |
| JP2007533078A (ja) * | 2004-04-09 | 2007-11-15 | アクセリス テクノロジーズ インコーポレーテッド | ばねと釣合重りを用いて往復回転運動を行うウエハ走査システム |
| US7119343B2 (en) | 2004-05-06 | 2006-10-10 | Axcelis Technologies, Inc. | Mechanical oscillator for wafer scan with spot beam |
| JP2006060159A (ja) * | 2004-08-24 | 2006-03-02 | Sumitomo Eaton Noba Kk | ビーム照射方法およびビーム照射装置 |
| WO2006121431A1 (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Axcelis Technologies, Inc. | Mechanical oscillator for wafer scan with spot beam |
| JP2006351312A (ja) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Ulvac Japan Ltd | イオン注入装置 |
| WO2007127084A1 (en) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Axcelis Technologies, Inc. | Dose uniformity correction technique |
| JP2009535814A (ja) * | 2006-04-26 | 2009-10-01 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | ドーズ均一性の補正技術 |
| US7692164B2 (en) | 2006-04-26 | 2010-04-06 | Axcelis Technologies, Inc. | Dose uniformity correction technique |
| KR101353011B1 (ko) * | 2006-04-26 | 2014-01-22 | 액셀리스 테크놀러지스, 인크. | 선량 균일성 보정 기술 |
| US7282427B1 (en) | 2006-05-04 | 2007-10-16 | Applied Materials, Inc. | Method of implanting a substrate and an ion implanter for performing the method |
| JP2013529371A (ja) * | 2010-03-17 | 2013-07-18 | アクセリス テクノロジーズ， インコーポレイテッド | イオン注入装置のための蒸気圧縮冷却チャック |
| CN103460335A (zh) * | 2010-03-17 | 2013-12-18 | 艾克塞利斯科技公司 | 用于离子注入机的蒸汽压缩制冷卡盘 |
| KR20130038247A (ko) * | 2010-03-17 | 2013-04-17 | 액셀리스 테크놀러지스, 인크. | 이온 주입기용 증기 압축 냉동 척 |
| KR101500963B1 (ko) * | 2013-02-22 | 2015-03-10 | 닛신 이온기기 가부시기가이샤 | 이온빔 조사 장치 |
| US9368326B2 (en) | 2013-06-17 | 2016-06-14 | Advanced Ion Beam Technology, Inc. | Scan head and scan arm using the same |
| WO2016093087A1 (ja) * | 2014-12-09 | 2016-06-16 | 東京エレクトロン株式会社 | パターン形成方法、ガスクラスターイオンビーム照射装置及びパターン形成装置 |
| JPWO2016093087A1 (ja) * | 2014-12-09 | 2017-09-07 | 東京エレクトロン株式会社 | パターン形成方法、ガスクラスターイオンビーム照射装置及びパターン形成装置 |
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