JPH1180261A - 結晶性ポリプロピレン - Google Patents
結晶性ポリプロピレンInfo
- Publication number
- JPH1180261A JPH1180261A JP25010097A JP25010097A JPH1180261A JP H1180261 A JPH1180261 A JP H1180261A JP 25010097 A JP25010097 A JP 25010097A JP 25010097 A JP25010097 A JP 25010097A JP H1180261 A JPH1180261 A JP H1180261A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- spherulite
- compound
- temperature
- heptane
- mfr
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 成形性および剛性がバランスよく優れた結晶
性ポリプロピレンを提供する。 【解決手段】 以下の(1) 〜(3) を満たす結晶性ポリプ
ロピレン。 (1) 0.5 <MFR<200 ;MFR=メルトフローレー
ト、(2) 90<HI;HI=改良ソックスレー抽出器で沸
騰n-ヘプタンにより6時間抽出した後の残渣の、重合体
全体に対する重量比率、(3) 次式(i)において、Aの
値が5.0以上。 【数1】 A=0.8209×log(I)+9.481 ×log(G)+0.1616×(CT)−23.15 (i) [IおよびGは、135 ℃での等温結晶化において測定。
I=球晶核発生密度(単位:個/mm3 )、G=球晶成長
速度(球晶半径増加率、単位:μm/分);CTは示差
走査熱量測定で求めた球晶核発生温度(℃)]
性ポリプロピレンを提供する。 【解決手段】 以下の(1) 〜(3) を満たす結晶性ポリプ
ロピレン。 (1) 0.5 <MFR<200 ;MFR=メルトフローレー
ト、(2) 90<HI;HI=改良ソックスレー抽出器で沸
騰n-ヘプタンにより6時間抽出した後の残渣の、重合体
全体に対する重量比率、(3) 次式(i)において、Aの
値が5.0以上。 【数1】 A=0.8209×log(I)+9.481 ×log(G)+0.1616×(CT)−23.15 (i) [IおよびGは、135 ℃での等温結晶化において測定。
I=球晶核発生密度(単位:個/mm3 )、G=球晶成長
速度(球晶半径増加率、単位:μm/分);CTは示差
走査熱量測定で求めた球晶核発生温度(℃)]
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、結晶性ポリプロピ
レンに関し、特に射出成形用途に好適な結晶性ポリプロ
ピレンに関する。
レンに関し、特に射出成形用途に好適な結晶性ポリプロ
ピレンに関する。
【0002】
【従来の技術】ポリプロピレンは軽量であり、かつ剛
性、耐熱性等に優れているため、各種容器、日用品、自
動車部品、電気部品など各種の分野で広く使用されてい
る。しかしながら、これらの性質も、使用目的によって
は、未だ不十分である。剛性を改良する方法は種々提案
されているが、それらの多くは添加剤等を用いて後処理
を施す方法(例えば特開平6-329726号公報)であり、プ
ロセス面でコスト高になってしまう。重合方法を工夫す
ることにより剛性を改良する方法も知られている(特開
平6-329726公報)が、現時点では不十分である。
性、耐熱性等に優れているため、各種容器、日用品、自
動車部品、電気部品など各種の分野で広く使用されてい
る。しかしながら、これらの性質も、使用目的によって
は、未だ不十分である。剛性を改良する方法は種々提案
されているが、それらの多くは添加剤等を用いて後処理
を施す方法(例えば特開平6-329726号公報)であり、プ
ロセス面でコスト高になってしまう。重合方法を工夫す
ることにより剛性を改良する方法も知られている(特開
平6-329726公報)が、現時点では不十分である。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】このように、公知のポ
リプロピレンは、用途によっては成形性および剛性のバ
ランスが不十分である。
リプロピレンは、用途によっては成形性および剛性のバ
ランスが不十分である。
【0004】そこで、本発明は、成形性および剛性がバ
ランスよく優れた結晶性ポリプロピレンを提供すること
を目的とする。
ランスよく優れた結晶性ポリプロピレンを提供すること
を目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の結晶性ポリプロ
ピレンは、(1) メルトフローレートMFRが、0.5 <M
FR<200 を満たし、(2) 改良ソックスレー抽出器で沸
騰n-ヘプタンにより6時間抽出した後の残渣の、重合体
全体に対する重量比率HIが、90<HIを満たし、かつ
(3) 135 ℃で等温結晶化させる際に球晶の成長過程にお
いて求めた球晶核発生密度Iおよび球晶成長速度G、な
らびに示差走査熱量測定において求めた球晶核発生温度
CT(℃)の関係を、次式(i):
ピレンは、(1) メルトフローレートMFRが、0.5 <M
FR<200 を満たし、(2) 改良ソックスレー抽出器で沸
騰n-ヘプタンにより6時間抽出した後の残渣の、重合体
全体に対する重量比率HIが、90<HIを満たし、かつ
(3) 135 ℃で等温結晶化させる際に球晶の成長過程にお
いて求めた球晶核発生密度Iおよび球晶成長速度G、な
らびに示差走査熱量測定において求めた球晶核発生温度
CT(℃)の関係を、次式(i):
【0006】
【数2】 A=0.8209×log(I)+9.481 ×log(G)+0.1616×(CT)−23.15 (i) (上記式中、Iは1mm3 当たりの球晶核の個数で表さ
れ、Gは1分間当たりの球晶半径(μm)の増加率(μ
m/分)として表され、CTは示差走査熱量測定におい
て結晶化が始まる温度(℃)として表される)で示した
とき、Aの値が5.0以上であることを特徴とする。好
ましい態様として、次のものを挙げることができる: MFRが、0.7 <MFR<160 を満たす上記の結晶性
ポリプロピレン。 MFRが、1.0 <MFR<120 を満たす上記の結晶性
ポリプロピレン。 HIが、92<HIを満たす上記のいずれかの結晶性ポ
リプロピレン。 HIが、94<HIを満たす上記のいずれかの結晶性ポ
リプロピレン。 上記式(i)において、Aが6.0 より大きい値である
上記のいずれかの結晶性ポリプロピレン。 上記式(i)において、Aが7.0 より大きい値である
上記のいずれかの結晶性ポリプロピレン。
れ、Gは1分間当たりの球晶半径(μm)の増加率(μ
m/分)として表され、CTは示差走査熱量測定におい
て結晶化が始まる温度(℃)として表される)で示した
とき、Aの値が5.0以上であることを特徴とする。好
ましい態様として、次のものを挙げることができる: MFRが、0.7 <MFR<160 を満たす上記の結晶性
ポリプロピレン。 MFRが、1.0 <MFR<120 を満たす上記の結晶性
ポリプロピレン。 HIが、92<HIを満たす上記のいずれかの結晶性ポ
リプロピレン。 HIが、94<HIを満たす上記のいずれかの結晶性ポ
リプロピレン。 上記式(i)において、Aが6.0 より大きい値である
上記のいずれかの結晶性ポリプロピレン。 上記式(i)において、Aが7.0 より大きい値である
上記のいずれかの結晶性ポリプロピレン。
【0007】
【発明の実施の形態】本発明の結晶性ポリプロピレン
は、そのメルトフローレートMFRが、0.5 <MFR<
200 を満たすことが必要である。MFRは、好ましくは
0.7 より大きく、より好ましくは1.0 より大きい。また
MFRは、好ましくは160 より小さく、より好ましくは
120 より小さい。MFRが0.5 以下の場合には流動性お
よび成形性が悪くなり、200 以上の場合には強度、特に
耐衝撃性が低下する。ここで、メルトフローレート(M
FR)は、ASTM D1238に従い、230 ℃、荷重
2.16 kg の条件で測定したものであり、単位はg/10分
である(以下でも同様)。本発明の結晶性ポリプロピレ
ンは、そのHIが、90<HIを満たすことが必要であ
る。HIは、好ましくは92<HI、より好ましくは94<
HIを満たす。HIが90以下の場合には、剛性が低下す
る。ここで、HIとはヘプタン不溶分含有率であり、結
晶性ポリプロピレンを、改良ソックスレー抽出器で沸騰
n-ヘプタンにより6時間抽出した後の残渣(すなわちヘ
プタン不溶分)の、結晶性ポリプロピレン全体に対する
重量比率である。
は、そのメルトフローレートMFRが、0.5 <MFR<
200 を満たすことが必要である。MFRは、好ましくは
0.7 より大きく、より好ましくは1.0 より大きい。また
MFRは、好ましくは160 より小さく、より好ましくは
120 より小さい。MFRが0.5 以下の場合には流動性お
よび成形性が悪くなり、200 以上の場合には強度、特に
耐衝撃性が低下する。ここで、メルトフローレート(M
FR)は、ASTM D1238に従い、230 ℃、荷重
2.16 kg の条件で測定したものであり、単位はg/10分
である(以下でも同様)。本発明の結晶性ポリプロピレ
ンは、そのHIが、90<HIを満たすことが必要であ
る。HIは、好ましくは92<HI、より好ましくは94<
HIを満たす。HIが90以下の場合には、剛性が低下す
る。ここで、HIとはヘプタン不溶分含有率であり、結
晶性ポリプロピレンを、改良ソックスレー抽出器で沸騰
n-ヘプタンにより6時間抽出した後の残渣(すなわちヘ
プタン不溶分)の、結晶性ポリプロピレン全体に対する
重量比率である。
【0008】本発明の結晶性ポリプロピレンは、135 ℃
で等温結晶化させる際に、球晶の成長過程において測定
した球晶核発生密度I(単位:個/mm3 )および球晶成
長速度G(単位:μm/分)、ならびに示差走査熱量測
定において求めた球晶核発生温度CT(℃)の関係を、
次式(i):
で等温結晶化させる際に、球晶の成長過程において測定
した球晶核発生密度I(単位:個/mm3 )および球晶成
長速度G(単位:μm/分)、ならびに示差走査熱量測
定において求めた球晶核発生温度CT(℃)の関係を、
次式(i):
【0009】
【数3】 A=0.8209×log(I)+9.481 ×log(G)+0.1616×(CT)−23.15 (i) (上記式中、Iは1mm3 当たりの球晶核の個数で表さ
れ、Gは1分間当たりの球晶半径(μm)の増加率(μ
m/分)として表され、CTは示差走査熱量測定におい
て結晶化が始まる温度(℃)として表される)で示した
とき、Aの値が5.0以上であることが必要である。A
の値は、好ましくは6.0より大きく、より好ましくは
7.0より大きい。Aの値が5.0未満であると、剛性
および成形性のバランスが悪くなる。
れ、Gは1分間当たりの球晶半径(μm)の増加率(μ
m/分)として表され、CTは示差走査熱量測定におい
て結晶化が始まる温度(℃)として表される)で示した
とき、Aの値が5.0以上であることが必要である。A
の値は、好ましくは6.0より大きく、より好ましくは
7.0より大きい。Aの値が5.0未満であると、剛性
および成形性のバランスが悪くなる。
【0010】本明細書において、球晶核発生密度Iおよ
び球晶成長速度Gは次のようにして求めたものである。
すなわち、本発明の結晶性ポリプロピレンを135 ℃にて
等温結晶化して、球晶の成長過程を光学顕微鏡を用いて
観測する。試料はまず220 ℃で15分間程度保持した後、
急冷して135 ℃にするのが望ましい。単位体積(1m
m3 )当たりに生成する球晶の個数を数えて球晶核発生
密度を求め、また経過時間に対して成長した球晶の半径
をプロットして得られる直線の傾きを、単位時間(分)
当たりの球晶半径増加量(μm)として求める。
び球晶成長速度Gは次のようにして求めたものである。
すなわち、本発明の結晶性ポリプロピレンを135 ℃にて
等温結晶化して、球晶の成長過程を光学顕微鏡を用いて
観測する。試料はまず220 ℃で15分間程度保持した後、
急冷して135 ℃にするのが望ましい。単位体積(1m
m3 )当たりに生成する球晶の個数を数えて球晶核発生
密度を求め、また経過時間に対して成長した球晶の半径
をプロットして得られる直線の傾きを、単位時間(分)
当たりの球晶半径増加量(μm)として求める。
【0011】球晶核発生温度CTは、次のようにして求
めた。すなわち、結晶性ポリプロピレンについて示差走
査熱量測定を行う。試料はまず220 ℃で15分間程度保持
した後、一定の速度(例えば10℃/分)で降温させてい
き、温度と単位時間当たりの熱量との関係を表したチャ
ートを作成する。得られたチャートから、まさに結晶化
が始まる温度を求め、これを球晶核発生温度CT(℃)
とする。
めた。すなわち、結晶性ポリプロピレンについて示差走
査熱量測定を行う。試料はまず220 ℃で15分間程度保持
した後、一定の速度(例えば10℃/分)で降温させてい
き、温度と単位時間当たりの熱量との関係を表したチャ
ートを作成する。得られたチャートから、まさに結晶化
が始まる温度を求め、これを球晶核発生温度CT(℃)
とする。
【0012】I、GおよびCTを、上記(i)の関係で
示したとき、Aが5.0以上であると、剛性と成形性が
バランスよく優れた結晶性ポリプロピレンを得ることが
できる。
示したとき、Aが5.0以上であると、剛性と成形性が
バランスよく優れた結晶性ポリプロピレンを得ることが
できる。
【0013】本発明の結晶性ポリプロピレンの製造方法
は特に限定されないが、例えば特開平7-133319号公報に
詳細に記載された方法、すなわち塩化マグネシウム担持
型立体規則性触媒を用い、これに適当なシラン添加予備
重合、シラン添加本重合を組合せる方法により製造する
のが好ましい。この方法は具体的には、(a)マグネシ
ウム、チタン、ハロゲンおよび電子供与性化合物を必須
成分とする固体成分を、(b)有機アルミニウム化合物
および(c)有機ケイ素化合物の存在下で、(d)オレ
フィンと接触させる(予備重合)ことにより得られる触
媒成分を用いて、プロピレンを重合する(本重合)こと
により行う。
は特に限定されないが、例えば特開平7-133319号公報に
詳細に記載された方法、すなわち塩化マグネシウム担持
型立体規則性触媒を用い、これに適当なシラン添加予備
重合、シラン添加本重合を組合せる方法により製造する
のが好ましい。この方法は具体的には、(a)マグネシ
ウム、チタン、ハロゲンおよび電子供与性化合物を必須
成分とする固体成分を、(b)有機アルミニウム化合物
および(c)有機ケイ素化合物の存在下で、(d)オレ
フィンと接触させる(予備重合)ことにより得られる触
媒成分を用いて、プロピレンを重合する(本重合)こと
により行う。
【0014】上記(a)固体成分は例えば、マグネシウ
ム化合物、チタン化合物および電子供与性化合物を接触
させて調製する。なお、前記化合物のいずれもハロゲン
原子を含有しない場合には、これにハロゲン化合物を加
えて接触させる。マグネシウム化合物としては、例えば
Mg(CH3 )2 等のジアルキルマグネシウム;Mg
(C6 H5 )2 等のジアリールマグネシウム;Mg(O
C4 H9 )2 等のジアルコキシマグネシウム;Mg(O
C6 H5 )2 等のジアリールオキシマグネシウム;C2
H5 MgBr等のハロゲン化アルキルマグネシウム;C
6 H5 MgCl等のハロゲン化アリールマグネシウム;
(C4 H9 O)MgBr等のハロゲン化アルコキシマグ
ネシウム;(C6 H5 O)MgCl等のハロゲン化アリ
ールオキシマグネシウム;MgCl2 等のハロゲン化マ
グネシウムなどが挙げられる。マグネシウム化合物は、
(a)固体成分調製の際に、金属マグネシウムから調製
することもできる。チタン化合物は、二価、三価または
四価のチタン化合物が使用でき、好ましい具体例として
は、四塩化チタン、トリクロロエトキシチタン、ジクロ
ロジブトキシチタン、ジクロロジフェノキシチタン等が
挙げられる。電子供与性化合物としては、例えばカルボ
ン酸およびその誘導体(無水物、エステル、ハライド
等)、アルコール類、フェノール類、エーテル類、ケト
ン類、アミン類、アミド類、ニトリル類、アルデヒド
類、アルコレート類等が挙げられる。ハロゲン化合物と
しては、例えばメチルクロリド等のハロゲン化炭化水
素;クロロエタノール等のハロゲン化アルコール;ブロ
モフェノール等のハロゲン化フェノール;HSiCl3
等のハロゲン化ケイ素化合物;金属ハライドなどが挙げ
られる。上記化合物の接触は、不活性媒体(例えばヘキ
サン、ヘプタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン
等)の存在下または不存在下で、混合撹拌するか、機械
的に共粉砕することにより行われ、また40〜150 ℃の加
熱下で行うことができる。(a)固体成分の調製は、特
開昭63-264607 号公報、特開昭58-198503 号公報および
特開昭62-146904 号公報に詳細に開示されている方法を
用いるのが好ましい。より詳細には、 (イ)金属マグネシウム、(ロ)ハロゲン化炭化水
素、(ハ)一般式Xn M(OR)m-n の化合物(Xは水
素原子、ハロゲン原子またはC1 〜C20炭化水素;Mは
B、C、Al、SiまたはP;RはC1 〜C20炭化水
素;mはMの原子価、m>n≧0)を接触させることに
より得られるマグネシウム含有固体を(ニ)ハロゲン含
有アルコールと接触させ、次いで(ホ)電子供与性化合
物及び(ヘ)チタン化合物と接触させる方法(特開昭63
-264607 号公報)、 (イ)マグネシウムジアルコキシドと(ロ)水素‐ケ
イ素結合を有するハロゲン化ケイ素化合物を接触させた
後、(ハ)ハロゲン化チタン化合物を接触させ、次いで
(ニ)電子供与性化合物と接触させる(必要に応じて更
にハロゲン化チタン化合物を接触させる)方法(特開昭
62-146904 号公報)、 (イ)マグネシウムジアルコキシドと(ロ)水素‐ケ
イ素結合を有するハロゲン化ケイ素化合物を接触させた
後、(ハ)電子供与性化合物と接触させ、次いで(ニ)
チタン化合物を接触させる方法(特開昭58-198503 号公
報)である。
ム化合物、チタン化合物および電子供与性化合物を接触
させて調製する。なお、前記化合物のいずれもハロゲン
原子を含有しない場合には、これにハロゲン化合物を加
えて接触させる。マグネシウム化合物としては、例えば
Mg(CH3 )2 等のジアルキルマグネシウム;Mg
(C6 H5 )2 等のジアリールマグネシウム;Mg(O
C4 H9 )2 等のジアルコキシマグネシウム;Mg(O
C6 H5 )2 等のジアリールオキシマグネシウム;C2
H5 MgBr等のハロゲン化アルキルマグネシウム;C
6 H5 MgCl等のハロゲン化アリールマグネシウム;
(C4 H9 O)MgBr等のハロゲン化アルコキシマグ
ネシウム;(C6 H5 O)MgCl等のハロゲン化アリ
ールオキシマグネシウム;MgCl2 等のハロゲン化マ
グネシウムなどが挙げられる。マグネシウム化合物は、
(a)固体成分調製の際に、金属マグネシウムから調製
することもできる。チタン化合物は、二価、三価または
四価のチタン化合物が使用でき、好ましい具体例として
は、四塩化チタン、トリクロロエトキシチタン、ジクロ
ロジブトキシチタン、ジクロロジフェノキシチタン等が
挙げられる。電子供与性化合物としては、例えばカルボ
ン酸およびその誘導体(無水物、エステル、ハライド
等)、アルコール類、フェノール類、エーテル類、ケト
ン類、アミン類、アミド類、ニトリル類、アルデヒド
類、アルコレート類等が挙げられる。ハロゲン化合物と
しては、例えばメチルクロリド等のハロゲン化炭化水
素;クロロエタノール等のハロゲン化アルコール;ブロ
モフェノール等のハロゲン化フェノール;HSiCl3
等のハロゲン化ケイ素化合物;金属ハライドなどが挙げ
られる。上記化合物の接触は、不活性媒体(例えばヘキ
サン、ヘプタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン
等)の存在下または不存在下で、混合撹拌するか、機械
的に共粉砕することにより行われ、また40〜150 ℃の加
熱下で行うことができる。(a)固体成分の調製は、特
開昭63-264607 号公報、特開昭58-198503 号公報および
特開昭62-146904 号公報に詳細に開示されている方法を
用いるのが好ましい。より詳細には、 (イ)金属マグネシウム、(ロ)ハロゲン化炭化水
素、(ハ)一般式Xn M(OR)m-n の化合物(Xは水
素原子、ハロゲン原子またはC1 〜C20炭化水素;Mは
B、C、Al、SiまたはP;RはC1 〜C20炭化水
素;mはMの原子価、m>n≧0)を接触させることに
より得られるマグネシウム含有固体を(ニ)ハロゲン含
有アルコールと接触させ、次いで(ホ)電子供与性化合
物及び(ヘ)チタン化合物と接触させる方法(特開昭63
-264607 号公報)、 (イ)マグネシウムジアルコキシドと(ロ)水素‐ケ
イ素結合を有するハロゲン化ケイ素化合物を接触させた
後、(ハ)ハロゲン化チタン化合物を接触させ、次いで
(ニ)電子供与性化合物と接触させる(必要に応じて更
にハロゲン化チタン化合物を接触させる)方法(特開昭
62-146904 号公報)、 (イ)マグネシウムジアルコキシドと(ロ)水素‐ケ
イ素結合を有するハロゲン化ケイ素化合物を接触させた
後、(ハ)電子供与性化合物と接触させ、次いで(ニ)
チタン化合物を接触させる方法(特開昭58-198503 号公
報)である。
【0015】これらの内でも特にの方法が最も望まし
い。
い。
【0016】予備重合は、上記した(a)固体成分を、
(b)有機アルミニウム化合物および(c)有機ケイ素
化合物の存在下で、(d)オレフィン(例えばエチレ
ン、プロピレン、ブテン等のα‐オレフィン)と接触さ
せる。有機アルミニウム化合物としては、例えばトリメ
チルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソ
ブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウム等が挙
げられる。有機ケイ素化合物としては、例えばビス(オ
キサシクロペント-3- イル)ジメトキシシラン、ジメト
キシメチル-2- オキサシクロヘキシルシラン、2,3,4-ト
リメチル-3- アザシクロペンチルトリメトキシシラン、
イソプロポキシシクロペンチルジメトキシシラン、sec-
ブトキシシクロペンチルジメトキシシラン、シクロヘキ
シルメチルジメトキシシラン、ジシクロペンチルジメト
キシシラン、t-ブトキシシクロペンチルジメトキシシラ
ン、t-アミロキシシクロペンチルジメトキシシラン、ジ
-sec- ブトキシプロピルジメトキシシラン等を挙げるこ
とができる。また、必要に応じて、電子供与性化合物を
予備重合時に加えるのが好ましい。そのような電子供与
性化合物としては、例えばテトラメトキシシラン、テト
ラフェノキシシラン、ビニルトリエトキシシラン等の有
機ケイ素化合物が好ましい。
(b)有機アルミニウム化合物および(c)有機ケイ素
化合物の存在下で、(d)オレフィン(例えばエチレ
ン、プロピレン、ブテン等のα‐オレフィン)と接触さ
せる。有機アルミニウム化合物としては、例えばトリメ
チルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソ
ブチルアルミニウム、トリヘキシルアルミニウム等が挙
げられる。有機ケイ素化合物としては、例えばビス(オ
キサシクロペント-3- イル)ジメトキシシラン、ジメト
キシメチル-2- オキサシクロヘキシルシラン、2,3,4-ト
リメチル-3- アザシクロペンチルトリメトキシシラン、
イソプロポキシシクロペンチルジメトキシシラン、sec-
ブトキシシクロペンチルジメトキシシラン、シクロヘキ
シルメチルジメトキシシラン、ジシクロペンチルジメト
キシシラン、t-ブトキシシクロペンチルジメトキシシラ
ン、t-アミロキシシクロペンチルジメトキシシラン、ジ
-sec- ブトキシプロピルジメトキシシラン等を挙げるこ
とができる。また、必要に応じて、電子供与性化合物を
予備重合時に加えるのが好ましい。そのような電子供与
性化合物としては、例えばテトラメトキシシラン、テト
ラフェノキシシラン、ビニルトリエトキシシラン等の有
機ケイ素化合物が好ましい。
【0017】予備重合は、不活性媒体の存在下で行うの
が好ましく、通常100 ℃以下の温度で行う。重合方式
は、バッチ式でも連続式でもよく、また1段で行って
も、2段以上の多段で行ってもよい。好ましくは、予備
重合系での(b)有機アルミニウム化合物の濃度は、10
〜500 ミリモル/リットルとなるように用いられ、
(a)固体成分中のチタン1g原子当たり1〜50,000モ
ルとなるように用いられる。(c)有機ケイ素化合物
は、予備重合系での濃度が5〜1000ミリモル/リットル
になるように用いられる。予備重合により(a)固体成
分中にオレフィンポリマーが取り込まれるが、そのポリ
マー量を(a)固体成分1g当たり0.1 〜200 gとする
のが好ましい。
が好ましく、通常100 ℃以下の温度で行う。重合方式
は、バッチ式でも連続式でもよく、また1段で行って
も、2段以上の多段で行ってもよい。好ましくは、予備
重合系での(b)有機アルミニウム化合物の濃度は、10
〜500 ミリモル/リットルとなるように用いられ、
(a)固体成分中のチタン1g原子当たり1〜50,000モ
ルとなるように用いられる。(c)有機ケイ素化合物
は、予備重合系での濃度が5〜1000ミリモル/リットル
になるように用いられる。予備重合により(a)固体成
分中にオレフィンポリマーが取り込まれるが、そのポリ
マー量を(a)固体成分1g当たり0.1 〜200 gとする
のが好ましい。
【0018】このように調製された触媒成分は、不活性
媒体で希釈または洗浄することができる。洗浄後、乾燥
してもよい。
媒体で希釈または洗浄することができる。洗浄後、乾燥
してもよい。
【0019】あるいは、上記した触媒の固体成分(a)
において、さらに金属酸化物が含まれている触媒を使用
することもできる。金属酸化物は、元素の周期表第II族
〜第IV族の元素の群から選ばれる元素の酸化物であり、
それらを例示すると、B2 O3 、MgO、Al2 O3 、
SiO2 、CaO、TiO2 、ZnO、ZrO2 、Sn
O2 、BaO、ThO2 等が挙げられる。これらの中で
もB2 O3 、MgO、Al2 O3 、SiO2 、Ti
O2 、ZrO2 が好ましく、特にSiO2 が好ましい。
さらに、これら金属酸化物を含む複合酸化物、例えばS
iO2 ‐MgO、SiO2 ‐Al2 O3 、SiO2 ‐T
iO2 、SiO2 ‐V2 O5 、SiO2 ‐Cr2 O3 、
SiO2 ‐TiO2 ‐MgO等を使用することもでき
る。
において、さらに金属酸化物が含まれている触媒を使用
することもできる。金属酸化物は、元素の周期表第II族
〜第IV族の元素の群から選ばれる元素の酸化物であり、
それらを例示すると、B2 O3 、MgO、Al2 O3 、
SiO2 、CaO、TiO2 、ZnO、ZrO2 、Sn
O2 、BaO、ThO2 等が挙げられる。これらの中で
もB2 O3 、MgO、Al2 O3 、SiO2 、Ti
O2 、ZrO2 が好ましく、特にSiO2 が好ましい。
さらに、これら金属酸化物を含む複合酸化物、例えばS
iO2 ‐MgO、SiO2 ‐Al2 O3 、SiO2 ‐T
iO2 、SiO2 ‐V2 O5 、SiO2 ‐Cr2 O3 、
SiO2 ‐TiO2 ‐MgO等を使用することもでき
る。
【0020】これら金属酸化物は、通常粉末状のものが
使用される。粉末の大きさおよび形状等の形態は、得ら
れるオレフィン重合体の形態に影響を及ぼすことが多い
ので、適宜調節することが望ましい。金属酸化物は、使
用にあたって被毒物質を除去する等の目的から、可能な
限り高温で焼成し、さらに大気と直接接触しないように
取り扱うのが望ましい。
使用される。粉末の大きさおよび形状等の形態は、得ら
れるオレフィン重合体の形態に影響を及ぼすことが多い
ので、適宜調節することが望ましい。金属酸化物は、使
用にあたって被毒物質を除去する等の目的から、可能な
限り高温で焼成し、さらに大気と直接接触しないように
取り扱うのが望ましい。
【0021】金属酸化物を含む場合、成分(a)の望ま
しい調製法としては、特開昭58-162607 号公報、同55-9
4909号公報、同55-115405 号公報、同57-108107 号公
報、同61-21109号公報、同61-174204 号公報、同61-174
205 号公報、同61-174206 号公報、同62-7706 号公報等
に開示されている方法が挙げられる。より詳細には、 金属酸化物とマグネシウムジアルコキシドとの反応生
成物を、電子供与性化合物および4価のハロゲン化チタ
ンと接触させる方法(特開昭58-162607 号公報)、 無機酸化物とマグネシウムヒドロカルビルハライド化
合物との反応生成物を、ルイス塩基化合物および四塩化
チタンと接触させる方法(特開昭55-94909号公報)、 シリカ等の多孔質担体とアルキルマグネシウム化合物
との反応生成物を、チタン化合物と接触させる前に電子
供与性化合物およびハロゲン化ケイ素化合物と接触させ
る方法(特開昭55-115405 号公報、同57-108107 号公
報)、 金属酸化物、アルコキシ基含有マグネシウム化合物、
オルト位にカルボキシル基を持つ芳香族多価カルボン酸
もしくはその誘導体およびチタン化合物を接触させる方
法(特開昭61-174204 号公報)、 金属酸化物、アルコキシ基含有マグネシウム化合物、
水素‐ケイ素結合を有するケイ素化合物、電子供与性化
合物およびチタン化合物を接触させる方法(特開昭61-1
74205 号公報) 金属酸化物、アルコキシ基含有マグネシウム化合物、
ハロゲン元素もしくはハロゲン含有化合物、電子供与性
化合物およびチタン化合物を接触させる方法(特開昭61
-174206 公報)、 金属酸化物、ジヒドロカルビルマグネシウムおよびハ
ロゲン含有アルコールを接触させることによって得られ
る反応生成物を、電子供与性化合物およびチタン化合物
と接触させる方法(特開昭61-21109号公報)、 金属酸化物、ヒドロカルビルマグネシウムおよびヒド
ロカルビルオキシ基含有化合物(前記アルコキシ基含有
化合物に相当)を接触させることによって得られる固体
をハロゲン含有アルコールと接触させ、さらに電子供与
性化合物およびチタン化合物と接触させる方法(特開昭
62-7706 号公報)である。これらの中でも〜の方法
が、特におよびの方法が望ましい。
しい調製法としては、特開昭58-162607 号公報、同55-9
4909号公報、同55-115405 号公報、同57-108107 号公
報、同61-21109号公報、同61-174204 号公報、同61-174
205 号公報、同61-174206 号公報、同62-7706 号公報等
に開示されている方法が挙げられる。より詳細には、 金属酸化物とマグネシウムジアルコキシドとの反応生
成物を、電子供与性化合物および4価のハロゲン化チタ
ンと接触させる方法(特開昭58-162607 号公報)、 無機酸化物とマグネシウムヒドロカルビルハライド化
合物との反応生成物を、ルイス塩基化合物および四塩化
チタンと接触させる方法(特開昭55-94909号公報)、 シリカ等の多孔質担体とアルキルマグネシウム化合物
との反応生成物を、チタン化合物と接触させる前に電子
供与性化合物およびハロゲン化ケイ素化合物と接触させ
る方法(特開昭55-115405 号公報、同57-108107 号公
報)、 金属酸化物、アルコキシ基含有マグネシウム化合物、
オルト位にカルボキシル基を持つ芳香族多価カルボン酸
もしくはその誘導体およびチタン化合物を接触させる方
法(特開昭61-174204 号公報)、 金属酸化物、アルコキシ基含有マグネシウム化合物、
水素‐ケイ素結合を有するケイ素化合物、電子供与性化
合物およびチタン化合物を接触させる方法(特開昭61-1
74205 号公報) 金属酸化物、アルコキシ基含有マグネシウム化合物、
ハロゲン元素もしくはハロゲン含有化合物、電子供与性
化合物およびチタン化合物を接触させる方法(特開昭61
-174206 公報)、 金属酸化物、ジヒドロカルビルマグネシウムおよびハ
ロゲン含有アルコールを接触させることによって得られ
る反応生成物を、電子供与性化合物およびチタン化合物
と接触させる方法(特開昭61-21109号公報)、 金属酸化物、ヒドロカルビルマグネシウムおよびヒド
ロカルビルオキシ基含有化合物(前記アルコキシ基含有
化合物に相当)を接触させることによって得られる固体
をハロゲン含有アルコールと接触させ、さらに電子供与
性化合物およびチタン化合物と接触させる方法(特開昭
62-7706 号公報)である。これらの中でも〜の方法
が、特におよびの方法が望ましい。
【0022】かくして得られた触媒成分を用いて、必要
に応じて有機金属化合物および/または電子供与性化合
物と組合せて、プロピレンの重合(本重合反応)を行
う。有機金属化合物としては、Li、Mg、Ca、Z
n、Alの有機化合物を使用できる。中でも特に、有機
アルミニウム化合物が好ましく、例えばトリメチルアル
ミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルア
ルミニウム等のトリアルキルアルミニウム;ジエチルア
ルミニウムクロリド等のジアルキルアルミニウムモノハ
ライド;エチルアルミニウムジブロミド等のモノアルキ
ルアルミニウムジハライド;メチルアルミニウムセスキ
クロリド等のアルキルアルミニウムセスキハライド;ジ
メチルアルミニウムメトキシド等のジアルキルアルミニ
ウムモノアルコキシド;ジイソブチルアルミニウムハイ
ドライド等のジアルキルアルミニウムハイドライド等が
挙げられる。電子供与性化合物としては、例えばジメト
キシメチル-2- オキサシクロヘキシルシラン、2,3,4-ト
リメチル-3- アザシクロペンチルトリメトキシシラン、
ビス(オキサシクロペント-3- イル)ジメトキシシラ
ン、イソプロポキシシクロペンタジエニルジメトキシシ
ラン、t-ブトキシシクロペンタジエニルジメトキシシラ
ン、イソプロポキシシクロペンチルジメトキシシラン、
sec-ブトキシシクロペンチルジメトキシシラン、シクロ
ヘキシルメチルジメトキシシラン、ジシクロペンチルジ
メトキシシラン、t-ブトキシシクロペンチルジメトキシ
シラン、t-アミロキシシクロペンチルジメトキシシラ
ン、ジ-sec- ブトキシプロピルジメトキシシラン等の有
機ケイ素化合物が挙げられる。
に応じて有機金属化合物および/または電子供与性化合
物と組合せて、プロピレンの重合(本重合反応)を行
う。有機金属化合物としては、Li、Mg、Ca、Z
n、Alの有機化合物を使用できる。中でも特に、有機
アルミニウム化合物が好ましく、例えばトリメチルアル
ミニウム、トリエチルアルミニウム、トリイソブチルア
ルミニウム等のトリアルキルアルミニウム;ジエチルア
ルミニウムクロリド等のジアルキルアルミニウムモノハ
ライド;エチルアルミニウムジブロミド等のモノアルキ
ルアルミニウムジハライド;メチルアルミニウムセスキ
クロリド等のアルキルアルミニウムセスキハライド;ジ
メチルアルミニウムメトキシド等のジアルキルアルミニ
ウムモノアルコキシド;ジイソブチルアルミニウムハイ
ドライド等のジアルキルアルミニウムハイドライド等が
挙げられる。電子供与性化合物としては、例えばジメト
キシメチル-2- オキサシクロヘキシルシラン、2,3,4-ト
リメチル-3- アザシクロペンチルトリメトキシシラン、
ビス(オキサシクロペント-3- イル)ジメトキシシラ
ン、イソプロポキシシクロペンタジエニルジメトキシシ
ラン、t-ブトキシシクロペンタジエニルジメトキシシラ
ン、イソプロポキシシクロペンチルジメトキシシラン、
sec-ブトキシシクロペンチルジメトキシシラン、シクロ
ヘキシルメチルジメトキシシラン、ジシクロペンチルジ
メトキシシラン、t-ブトキシシクロペンチルジメトキシ
シラン、t-アミロキシシクロペンチルジメトキシシラ
ン、ジ-sec- ブトキシプロピルジメトキシシラン等の有
機ケイ素化合物が挙げられる。
【0023】本重合反応は、気相もしくは液相(例えば
ブタン、イソブタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トル
エン等の不活性炭化水素中および液状モノマー中)で、
重合温度-80 〜+150℃で、重合圧力1〜60気圧で行うこ
とができる。重合反応はバッチ式でも連続式でもよく、
また1段で行っても、2段以上の多段で行ってもよい。
生成するポリマーの分子量を調節するために、重合反応
系に、水素等公知の分子量調節剤を存在させることがで
きる。分子量調節剤の種類および量を変えることによっ
て、所望のMFRを有するポリプロピレンを得ることが
できる。
ブタン、イソブタン、シクロヘキサン、ベンゼン、トル
エン等の不活性炭化水素中および液状モノマー中)で、
重合温度-80 〜+150℃で、重合圧力1〜60気圧で行うこ
とができる。重合反応はバッチ式でも連続式でもよく、
また1段で行っても、2段以上の多段で行ってもよい。
生成するポリマーの分子量を調節するために、重合反応
系に、水素等公知の分子量調節剤を存在させることがで
きる。分子量調節剤の種類および量を変えることによっ
て、所望のMFRを有するポリプロピレンを得ることが
できる。
【0024】本発明の結晶性ポリプロピレンは、慣用の
添加剤を共に含む組成物として使用できる。併用できる
慣用の添加剤としては、例えば酸化防止剤、熱安定剤、
光安定剤、難燃剤、可塑剤、帯電防止剤、滑剤、離型
剤、核剤、充填剤等が挙げられる。
添加剤を共に含む組成物として使用できる。併用できる
慣用の添加剤としては、例えば酸化防止剤、熱安定剤、
光安定剤、難燃剤、可塑剤、帯電防止剤、滑剤、離型
剤、核剤、充填剤等が挙げられる。
【0025】
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳しく説
明する。なお%は、特に断らない限り重量%である。
明する。なお%は、特に断らない限り重量%である。
【0026】なお、MFRは、ASTM D1238に
従い、230 ℃、荷重2.16 kg の条件で測定した。HI
(ヘプタン不溶分)は、試料を改良ソックスレー抽出器
で沸騰n-ヘプタンにより6時間抽出した後の残渣の、試
料全体に対する重量比率として求めた。曲げ弾性率は、
JIS K−6758に従い、測定した。また、135 ℃
での等温結晶化による球晶の成長過程における球晶核発
生密度Iおよび球晶成長速度Gは次のようにして測定し
た:約5mgの試料(図1、d)をカバーグラス(図
1、c)に挟み、装置1(図1、a)において220 ℃で
15分間保持した後急冷し、135 ℃に保持した。135 ℃に
保持したままで装置1を装置2に挿入し、装置2(図
1、b)によって球晶の成長過程を観測した。温度が13
5 ℃になってから2分間以上経過してから、280μm×3
70 μm×100 μmの直方体領域中に生成した球晶の個
数を数えた。同じことを同じ大きさの4か所の領域で行
って、4回の平均値を求めた。この値を単位体積(1mm
3 )当たりの個数に換算して、球晶核発生密度Iとし
た。また、任意の3つの球晶を選び、各球晶の半径方向
の増加量を測定し、3つの平均値を求めた。これを単位
時間(1分間)当たりの増加量(μm/分)として表
し、球晶成長速度Gとした。なお、装置1および装置2
は、以下のものを使用した。装置1:ホットステージ装
置 METTLER FP80HT、温度制御±0.1
℃;装置2:光学顕微鏡、測定倍率200倍、透過型、
偏光なし。
従い、230 ℃、荷重2.16 kg の条件で測定した。HI
(ヘプタン不溶分)は、試料を改良ソックスレー抽出器
で沸騰n-ヘプタンにより6時間抽出した後の残渣の、試
料全体に対する重量比率として求めた。曲げ弾性率は、
JIS K−6758に従い、測定した。また、135 ℃
での等温結晶化による球晶の成長過程における球晶核発
生密度Iおよび球晶成長速度Gは次のようにして測定し
た:約5mgの試料(図1、d)をカバーグラス(図
1、c)に挟み、装置1(図1、a)において220 ℃で
15分間保持した後急冷し、135 ℃に保持した。135 ℃に
保持したままで装置1を装置2に挿入し、装置2(図
1、b)によって球晶の成長過程を観測した。温度が13
5 ℃になってから2分間以上経過してから、280μm×3
70 μm×100 μmの直方体領域中に生成した球晶の個
数を数えた。同じことを同じ大きさの4か所の領域で行
って、4回の平均値を求めた。この値を単位体積(1mm
3 )当たりの個数に換算して、球晶核発生密度Iとし
た。また、任意の3つの球晶を選び、各球晶の半径方向
の増加量を測定し、3つの平均値を求めた。これを単位
時間(1分間)当たりの増加量(μm/分)として表
し、球晶成長速度Gとした。なお、装置1および装置2
は、以下のものを使用した。装置1:ホットステージ装
置 METTLER FP80HT、温度制御±0.1
℃;装置2:光学顕微鏡、測定倍率200倍、透過型、
偏光なし。
【0027】球晶核発生温度CTは、次のようにして測
定した:約10mgの試料を、示差走査熱量計(DSC)
(パーキン‐エルマー(PERKIN-ELMER)社製、DSC−
4)のパンに入れ、220 ℃で15分間保持した後、10℃/
分の速度で降温させていき、温度と単位時間当たりの熱
量との関係を表したチャートを作成した。得られたチャ
ートから、まさに結晶化が始まる温度(熱量の低下が始
まる温度)を求め、これを球晶核発生温度CT(℃)と
した。
定した:約10mgの試料を、示差走査熱量計(DSC)
(パーキン‐エルマー(PERKIN-ELMER)社製、DSC−
4)のパンに入れ、220 ℃で15分間保持した後、10℃/
分の速度で降温させていき、温度と単位時間当たりの熱
量との関係を表したチャートを作成した。得られたチャ
ートから、まさに結晶化が始まる温度(熱量の低下が始
まる温度)を求め、これを球晶核発生温度CT(℃)と
した。
【0028】実施例1 重合触媒成分A1の調製 還流冷却器をつけた1リットルの反応容器に、窒素ガス
雰囲気下、チップ状の金属マグネシウム(純度99.5%、
平均粒径1.6 mm)8.3 gおよびn-ヘキサン250mlを入
れ、68℃で1時間撹拌後、金属マグネシウムを取り出
し、65℃で減圧乾燥するという方法で予備活性化した金
属マグネシウムを得た。
雰囲気下、チップ状の金属マグネシウム(純度99.5%、
平均粒径1.6 mm)8.3 gおよびn-ヘキサン250mlを入
れ、68℃で1時間撹拌後、金属マグネシウムを取り出
し、65℃で減圧乾燥するという方法で予備活性化した金
属マグネシウムを得た。
【0029】次に、この金属マグネシウムに、n-ブチル
エーテル140 mlおよびn-ブチルマグネシウムクロリド
のn-ブチルエーテル溶液(1.75モル/リットル)を0.5
ml加えた懸濁液を55℃に保持し、さらにn-ブチルエー
テル50mlにn-ブチルクロリド38.5mlを溶解した溶液
を50分間かけて滴下した。撹拌下70℃で4時間反応を行
った後、反応液を25℃に保持した。
エーテル140 mlおよびn-ブチルマグネシウムクロリド
のn-ブチルエーテル溶液(1.75モル/リットル)を0.5
ml加えた懸濁液を55℃に保持し、さらにn-ブチルエー
テル50mlにn-ブチルクロリド38.5mlを溶解した溶液
を50分間かけて滴下した。撹拌下70℃で4時間反応を行
った後、反応液を25℃に保持した。
【0030】次いで、この反応液に、HC(OC
2 H5 )3 55.7mlを1時間かけて滴下した。滴下終
了後、60℃で15分間反応を行い、反応生成固体をn-ヘキ
サン各300mlで6回洗浄し、室温で1時間減圧乾燥
し、マグネシウム19.0%、塩素28.9%を含むマグネシウ
ム含有固体31.6gを回収した。
2 H5 )3 55.7mlを1時間かけて滴下した。滴下終
了後、60℃で15分間反応を行い、反応生成固体をn-ヘキ
サン各300mlで6回洗浄し、室温で1時間減圧乾燥
し、マグネシウム19.0%、塩素28.9%を含むマグネシウ
ム含有固体31.6gを回収した。
【0031】還流冷却器、撹拌機および滴下ロートを取
り付けた300 mlの反応容器に、窒素ガス雰囲気下、マ
グネシウム含有固体6.3 gおよびn-ヘプタン50mlを入
れ、懸濁液とし、室温で撹拌しながら、2,2,2-トリクロ
ロエタノール20ml(0.02ミリモル)とn-ヘプタン11m
lの混合溶液を滴下ロートから30分間かけて滴下し、さ
らに80℃で1時間撹拌した。得られた固体を濾別し、室
温のn-ヘキサン各100mlで4回洗浄し、さらにトルエ
ン各100 mlで2回洗浄して、固体成分を得た。
り付けた300 mlの反応容器に、窒素ガス雰囲気下、マ
グネシウム含有固体6.3 gおよびn-ヘプタン50mlを入
れ、懸濁液とし、室温で撹拌しながら、2,2,2-トリクロ
ロエタノール20ml(0.02ミリモル)とn-ヘプタン11m
lの混合溶液を滴下ロートから30分間かけて滴下し、さ
らに80℃で1時間撹拌した。得られた固体を濾別し、室
温のn-ヘキサン各100mlで4回洗浄し、さらにトルエ
ン各100 mlで2回洗浄して、固体成分を得た。
【0032】上記の固体成分にトルエン40mlを加え、
さらに四塩化チタン/トルエンの体積比が3/2になる
ように四塩化チタンを加えて90℃に昇温した。撹拌下
に、フタル酸ジn-ブチル2mlとトルエン5mlの混合
溶液を5分間で滴下した後、120 ℃で2時間撹拌した。
得られた固体状物質を90℃で濾別し、トルエン各100 m
lで2回、90℃で洗浄した。さらに、四塩化チタン/ト
ルエンの体積比が3/2になるように四塩化チタンを加
え、120 ℃で2時間撹拌した。得られた固体物質を110
℃で濾別し、室温の各100 mlのn-ヘキサンにて7回洗
浄して成分A15.5gを得た。予備重合 窒素で置換して十分に乾燥した200 mlの反応器に、窒
素ガス雰囲気下で、上記で得られた成分A1 2.5 gお
よびn-ヘキサン100 mlを入れ、撹拌しながら0℃に冷
却した。次に、撹拌下で、トリエチルアルミニウム5ミ
リモルおよびイソプロポキシシクロペンチルジメトキシ
シラン1ミリモルを入れた。同温度で10分間撹拌を続け
た後、プロピレンガスを連続的に供給した。プロピレン
の消費量が7.5 gになった時点で、プロピレンガスの供
給を止めた。その後、10分間撹拌を続けた後、撹拌を停
止し、80mlのヘキサンにてデカンテーションによる洗
浄を5回行い、重合触媒成分A1′のスラリーを得た。本重合 十分に窒素置換した1.5リットルのオートクレーブ
に、窒素雰囲気下で、上記で得られた重合触媒成分A
1′ 29.4mg、トリエチルアルミニウムのn-ヘプタン
溶液(0.2 モル/リットル)2mlおよびイソプロポキ
シシクロペンタジエニルジメトキシシランのn-ヘプタン
溶液(0.04モル/リットル)2mlを混合して5分間保
持したものを入れた。次いで、分子量調節剤としての水
素ガス11リットルおよび液体プロピレン1リットルを
圧入した後、オートクレーブの内温を70℃にして1時間
重合を行った。重合終了後、水素および未反応のプロピ
レンをパージし、オートクレーブ内のポリマーを取り出
した。ポリマーが242.9 g得られ、そのMFRは155.3
g/10分であった。このポリマーのHIを測定したとこ
ろ、94.9であった。
さらに四塩化チタン/トルエンの体積比が3/2になる
ように四塩化チタンを加えて90℃に昇温した。撹拌下
に、フタル酸ジn-ブチル2mlとトルエン5mlの混合
溶液を5分間で滴下した後、120 ℃で2時間撹拌した。
得られた固体状物質を90℃で濾別し、トルエン各100 m
lで2回、90℃で洗浄した。さらに、四塩化チタン/ト
ルエンの体積比が3/2になるように四塩化チタンを加
え、120 ℃で2時間撹拌した。得られた固体物質を110
℃で濾別し、室温の各100 mlのn-ヘキサンにて7回洗
浄して成分A15.5gを得た。予備重合 窒素で置換して十分に乾燥した200 mlの反応器に、窒
素ガス雰囲気下で、上記で得られた成分A1 2.5 gお
よびn-ヘキサン100 mlを入れ、撹拌しながら0℃に冷
却した。次に、撹拌下で、トリエチルアルミニウム5ミ
リモルおよびイソプロポキシシクロペンチルジメトキシ
シラン1ミリモルを入れた。同温度で10分間撹拌を続け
た後、プロピレンガスを連続的に供給した。プロピレン
の消費量が7.5 gになった時点で、プロピレンガスの供
給を止めた。その後、10分間撹拌を続けた後、撹拌を停
止し、80mlのヘキサンにてデカンテーションによる洗
浄を5回行い、重合触媒成分A1′のスラリーを得た。本重合 十分に窒素置換した1.5リットルのオートクレーブ
に、窒素雰囲気下で、上記で得られた重合触媒成分A
1′ 29.4mg、トリエチルアルミニウムのn-ヘプタン
溶液(0.2 モル/リットル)2mlおよびイソプロポキ
シシクロペンタジエニルジメトキシシランのn-ヘプタン
溶液(0.04モル/リットル)2mlを混合して5分間保
持したものを入れた。次いで、分子量調節剤としての水
素ガス11リットルおよび液体プロピレン1リットルを
圧入した後、オートクレーブの内温を70℃にして1時間
重合を行った。重合終了後、水素および未反応のプロピ
レンをパージし、オートクレーブ内のポリマーを取り出
した。ポリマーが242.9 g得られ、そのMFRは155.3
g/10分であった。このポリマーのHIを測定したとこ
ろ、94.9であった。
【0033】得られたポリマーの球晶核発生密度I、球
晶成長速度Gおよび球晶核発生温度CTを測定し、また
曲げ弾性率を測定した。結果を表3に示す。
晶成長速度Gおよび球晶核発生温度CTを測定し、また
曲げ弾性率を測定した。結果を表3に示す。
【0034】実施例2 予備重合および本重合において使用したシラン化合物お
よび分子量調節剤(水素)量を表1に示すように変更し
た以外は実施例1と同様にして、ポリプロピレンを得
た。得られたポリプロピレンのMFR、HI、球晶核発
生密度I、球晶成長速度Gおよび曲げ弾性率を測定し
た。結果を表3に示す。
よび分子量調節剤(水素)量を表1に示すように変更し
た以外は実施例1と同様にして、ポリプロピレンを得
た。得られたポリプロピレンのMFR、HI、球晶核発
生密度I、球晶成長速度Gおよび曲げ弾性率を測定し
た。結果を表3に示す。
【0035】比較例1 予備重合および本重合において使用したシラン化合物お
よび分子量調節剤(水素)量を表1に示すように変更し
た以外は実施例1と同様にして、ポリプロピレンを得
た。得られたポリプロピレンのMFR、HI、球晶核発
生密度I、球晶成長速度G、球晶核発生温度CTおよび
曲げ弾性率を測定した。結果を表3に示す。
よび分子量調節剤(水素)量を表1に示すように変更し
た以外は実施例1と同様にして、ポリプロピレンを得
た。得られたポリプロピレンのMFR、HI、球晶核発
生密度I、球晶成長速度G、球晶核発生温度CTおよび
曲げ弾性率を測定した。結果を表3に示す。
【0036】
【表1】
【0037】実施例3 重合触媒成分A2の調製 滴下ロートおよび撹拌機を取り付けた200 mlのフラス
コを窒素で置換した。このフラスコに、酸化ケイ素(D
AVISON社製、商品名:G−952)を窒素気流中
において200 ℃で2時間、さらに700 ℃で5時間焼成し
たもの5gおよびn-ヘプタン40mlを入れた。さらに、
n-ブチルエチルマグネシウム(以下、BEMという)の
20%n-ヘプタン溶液(テキサスアルキルズ社製、商品
名:MAGARA BEM)20mlを加え、90℃で1時
間撹拌した。
コを窒素で置換した。このフラスコに、酸化ケイ素(D
AVISON社製、商品名:G−952)を窒素気流中
において200 ℃で2時間、さらに700 ℃で5時間焼成し
たもの5gおよびn-ヘプタン40mlを入れた。さらに、
n-ブチルエチルマグネシウム(以下、BEMという)の
20%n-ヘプタン溶液(テキサスアルキルズ社製、商品
名:MAGARA BEM)20mlを加え、90℃で1時
間撹拌した。
【0038】得られた懸濁液を0℃に冷却した後、これ
に、テトラエトキシシラン11.2gをn-ヘプタン20mlに
溶解した溶液を、滴下ロートから30分間かけて滴下し
た。滴下終了後、2時間かけて50℃に昇温し、50℃で1
時間撹拌を続けた。反応終了後、デカンテーションによ
り、上澄液を除去し、生成した固体を、60mlのn-ヘプ
タンを用いて室温で洗浄し、更にデカンテーションによ
り上澄液を除去した。このn-ヘプタンによる洗浄処理を
さらに4回行った。
に、テトラエトキシシラン11.2gをn-ヘプタン20mlに
溶解した溶液を、滴下ロートから30分間かけて滴下し
た。滴下終了後、2時間かけて50℃に昇温し、50℃で1
時間撹拌を続けた。反応終了後、デカンテーションによ
り、上澄液を除去し、生成した固体を、60mlのn-ヘプ
タンを用いて室温で洗浄し、更にデカンテーションによ
り上澄液を除去した。このn-ヘプタンによる洗浄処理を
さらに4回行った。
【0039】得られた固体に、50mlのn-ヘプタンを加
えて懸濁液とし、これに2,2,2-トリクロルエタノール8.
0 gを10mlのn-ヘプタンに溶解した溶液を、滴下ロー
トから25℃において15分間かけて滴下した。滴下終了
後、25℃で30分間撹拌を続けた。反応終了後、室温にお
いて、60mlのn-ヘプタンにて2回、60mlのトルエン
にて3回それぞれ洗浄を行った。得られた固体(固体成
分I)を分析したところ、SiO2 36.6%、Mg 5.1
%およびCl 38.5%を含んでいた。
えて懸濁液とし、これに2,2,2-トリクロルエタノール8.
0 gを10mlのn-ヘプタンに溶解した溶液を、滴下ロー
トから25℃において15分間かけて滴下した。滴下終了
後、25℃で30分間撹拌を続けた。反応終了後、室温にお
いて、60mlのn-ヘプタンにて2回、60mlのトルエン
にて3回それぞれ洗浄を行った。得られた固体(固体成
分I)を分析したところ、SiO2 36.6%、Mg 5.1
%およびCl 38.5%を含んでいた。
【0040】上記で得られた固体成分Iに、n-ヘプタン
10mlおよび四塩化チタン40mlを加え、90℃まで昇温
し、n-ヘプタン5mlに溶解したフタル酸ジn-ブチル0.
6 gを5分間かけて添加した。その後、115 ℃に昇温
し、2時間反応させた。90℃に降温した後、デカンテー
ションにより上澄液を除き、n-ヘプタン70mlで2回洗
浄を行った。更に、n-ヘプタン15mlと四塩化チタン40
mlを加え、115 ℃で2時間反応させた。反応終了後、
得られた固体成分を60mlのn-ヘキサンにて室温で8回
洗浄を行った。次いで、減圧下、室温にて1時間乾燥を
行い、8.3 gの触媒成分(成分A2)を得た。この成分
A2には、Tiが3.1 %の他に、酸化ケイ素、Clおよ
びフタル酸ジn-ブチルが含まれていた。予備重合 窒素で置換して十分に乾燥した200 mlの反応器に、窒
素ガス雰囲気下で、上記で得られた成分A2 2.5 gお
よびn-ヘキサン100 mlを入れ、撹拌しながら0℃に冷
却した。次に、撹拌下で、トリエチルアルミニウム5ミ
リモルおよびsec-ブトキシシクロペンチルジメトキシシ
ラン1ミリモルを入れた。同温度で10分間撹拌を続けた
後、プロピレンガスを連続的に供給した。プロピレンの
消費量が7.5 gになった時点で、プロピレンガスの供給
を止めた。その後、10分間撹拌を続けた後、撹拌を停止
し、80mlのヘキサンにてデカンテーションによる洗浄
を5回行い、重合触媒成分A2′のスラリーを得た。本重合 十分に窒素置換した1.5リットルのオートクレーブ
に、窒素雰囲気下で、上記で得られた重合触媒成分A
2′ 62.3mg、トリエチルアルミニウムのn-ヘプタン
溶液(0.2 モル/リットル)2mlおよびt-ブトキシシ
クロペンタジエニルジメトキシシランのn-ヘプタン溶液
(0.04モル/リットル)2mlを混合して5分間保持し
たものを入れた。次いで、分子量調節剤としての水素ガ
ス0.5 リットルおよび液体プロピレン1リットルを圧入
した後、オートクレーブの内温を70℃にして1時間重合
を行った。重合終了後、水素および未反応のプロピレン
をパージし、オートクレーブ内のポリマーを取り出し
た。ポリマーが232.1 g得られ、そのMFRは1.5 g/
10分であった。このポリマーのHIを測定したところ、
98.5であった。
10mlおよび四塩化チタン40mlを加え、90℃まで昇温
し、n-ヘプタン5mlに溶解したフタル酸ジn-ブチル0.
6 gを5分間かけて添加した。その後、115 ℃に昇温
し、2時間反応させた。90℃に降温した後、デカンテー
ションにより上澄液を除き、n-ヘプタン70mlで2回洗
浄を行った。更に、n-ヘプタン15mlと四塩化チタン40
mlを加え、115 ℃で2時間反応させた。反応終了後、
得られた固体成分を60mlのn-ヘキサンにて室温で8回
洗浄を行った。次いで、減圧下、室温にて1時間乾燥を
行い、8.3 gの触媒成分(成分A2)を得た。この成分
A2には、Tiが3.1 %の他に、酸化ケイ素、Clおよ
びフタル酸ジn-ブチルが含まれていた。予備重合 窒素で置換して十分に乾燥した200 mlの反応器に、窒
素ガス雰囲気下で、上記で得られた成分A2 2.5 gお
よびn-ヘキサン100 mlを入れ、撹拌しながら0℃に冷
却した。次に、撹拌下で、トリエチルアルミニウム5ミ
リモルおよびsec-ブトキシシクロペンチルジメトキシシ
ラン1ミリモルを入れた。同温度で10分間撹拌を続けた
後、プロピレンガスを連続的に供給した。プロピレンの
消費量が7.5 gになった時点で、プロピレンガスの供給
を止めた。その後、10分間撹拌を続けた後、撹拌を停止
し、80mlのヘキサンにてデカンテーションによる洗浄
を5回行い、重合触媒成分A2′のスラリーを得た。本重合 十分に窒素置換した1.5リットルのオートクレーブ
に、窒素雰囲気下で、上記で得られた重合触媒成分A
2′ 62.3mg、トリエチルアルミニウムのn-ヘプタン
溶液(0.2 モル/リットル)2mlおよびt-ブトキシシ
クロペンタジエニルジメトキシシランのn-ヘプタン溶液
(0.04モル/リットル)2mlを混合して5分間保持し
たものを入れた。次いで、分子量調節剤としての水素ガ
ス0.5 リットルおよび液体プロピレン1リットルを圧入
した後、オートクレーブの内温を70℃にして1時間重合
を行った。重合終了後、水素および未反応のプロピレン
をパージし、オートクレーブ内のポリマーを取り出し
た。ポリマーが232.1 g得られ、そのMFRは1.5 g/
10分であった。このポリマーのHIを測定したところ、
98.5であった。
【0041】得られたポリマーの球晶核発生密度I、球
晶成長速度Gおよび球晶核発生温度CTを測定し、また
曲げ弾性率を測定した。結果を表3に示す。
晶成長速度Gおよび球晶核発生温度CTを測定し、また
曲げ弾性率を測定した。結果を表3に示す。
【0042】比較例2 予備重合および本重合において使用したシラン化合物お
よび分子量調節剤(水素)量を表2に示すように変更し
た以外は実施例3と同様にして、ポリプロピレンを得
た。得られたポリプロピレンのMFR、HI、球晶核発
生密度I、球晶成長速度G、球晶核発生温度CTおよび
曲げ弾性率を測定した。結果を表3に示す。
よび分子量調節剤(水素)量を表2に示すように変更し
た以外は実施例3と同様にして、ポリプロピレンを得
た。得られたポリプロピレンのMFR、HI、球晶核発
生密度I、球晶成長速度G、球晶核発生温度CTおよび
曲げ弾性率を測定した。結果を表3に示す。
【0043】
【表2】
【0044】
【表3】
【0045】
【発明の効果】本発明の結晶性ポリプロピレンは、成形
性および剛性がバランスよく優れているので、広い用途
に使用できる。特に、射出成形用途に好適である。
性および剛性がバランスよく優れているので、広い用途
に使用できる。特に、射出成形用途に好適である。
【図1】実施例において、球晶核発生密度Iおよび球晶
成長速度Gを求めるのに使用した装置2およびそれに挿
入された装置1を示す。
成長速度Gを求めるのに使用した装置2およびそれに挿
入された装置1を示す。
a 装置1 b 装置2 c カバーガラス d 試料 e ヒーター
Claims (1)
- 【請求項1】 (1) メルトフローレートMFRが、0.5
<MFR<200 を満たし、(2) 改良ソックスレー抽出器
で沸騰n-ヘプタンにより6時間抽出した後の残渣の、重
合体全体に対する重量比率HIが、90<HIを満たし、
かつ(3) 135 ℃で等温結晶化させる際に球晶の成長過程
において求めた球晶核発生密度Iおよび球晶成長速度
G、ならびに示差走査熱量測定において求めた球晶核発
生温度CT(℃)の関係を、次式(i): 【数1】 A=0.8209×log(I)+9.481 ×log(G)+0.1616×(CT)−23.15 (i) (上記式中、Iは1mm3 当たりの球晶核の個数で表さ
れ、Gは1分間当たりの球晶半径(μm)の増加率(μ
m/分)として表され、CTは示差走査熱量測定におい
て結晶化が始まる温度(℃)として表される)で示した
とき、Aの値が5.0以上であることを特徴とする結晶
性ポリプロピレン。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25010097A JPH1180261A (ja) | 1997-09-01 | 1997-09-01 | 結晶性ポリプロピレン |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25010097A JPH1180261A (ja) | 1997-09-01 | 1997-09-01 | 結晶性ポリプロピレン |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1180261A true JPH1180261A (ja) | 1999-03-26 |
Family
ID=17202826
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25010097A Pending JPH1180261A (ja) | 1997-09-01 | 1997-09-01 | 結晶性ポリプロピレン |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1180261A (ja) |
-
1997
- 1997-09-01 JP JP25010097A patent/JPH1180261A/ja active Pending
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