JPH1180559A - 半導体チップ基板間封止材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】環状オレフィン系重合体又は芳香族縮合系重合
体からなる封止材料を用いて半導体パッケージを製造す
ることにより、耐ヒートサイクル性を向上させること。 【解決手段】環状オレフィン系重合体又は主鎖中に芳香
環の繰返し単位を有する芳香族縮合系重合体から選択さ
れる少なくとも１種類以上の環構造を有する重合体を含
有して成る封止材料を用いて半導体パッケージを製造す
ることにより機械強度が向上するため、パッケージの耐
ヒートサイクルクラック性が著しく向上する。さらに該
封止材料は低吸水性に優れるために、パッケージの信頼
性が大幅に向上する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、機械強度に優れ、
且つ、低吸湿性にも優れた半導体チップの封止材料、及
びその封止材料によって封止された半導体パッケージに
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、高度情報化社会の急激な進展に伴
い、コンピューターや通信機器などの情報処理機器の処
理能力の向上、即ち高速化が迫られており、さらには、
情報通信網の発達に伴いその通信波長領域の拡大が必要
となり、特にＧＨｚ（ギガヘルツ）の高周波領域の通信
波長で作動する通信機器の開発が急がれている。こうし
た要求のなかで情報処理速度の高速化、通信波長領域の
高周波化を達成するために、半導体チップなどの電子部
品は、実装基板との接続配線距離を極力短縮して伝送速
度の高速化、高周波領域での伝送損失の低下を図る開発
がなされている。具体的な手段としては、半導体チップ
等の電極と、実装基板の電極とを直接金線やハンダ等を
介して直接接続する方法（ベアチップ実装法）が挙げら
れる。上記手段で接続された電極及び間の配線は、水分
や不純物等から保護する目的で封止されるが、該封止材
料としては従来公知のエポキシ樹脂からなる液状封止材
料やフィルムが使用されている。

【０００３】しかし、該エポキシ樹脂は、一般に液状オ
リゴマーを主要成分とするために、硬化後の機械強度が
十分でなく、長期信頼性試験である耐ヒートサイクル試
験においてクラックが発生し易いという問題があり、し
かも吸水率が比較的大きいために吸湿した水分によって
さらに信頼性が低下するという問題があった。また、近
年封止材料をシートの形態で使用することが求められて
いるが、エポキシ樹脂はそのシートを形成する際にタッ
クフリーになるように部分的に硬化させておく必要があ
った。

【０００４】このような状況のなかで、新たな封止材料
として、低吸湿性、低不純物性に優れる環状オレフィン
系樹脂が提案されている。例えば特開昭６２−２７４１
２号公報には、テトラシクロドデセンとエチレンとの付
加型共重合体をアリルグリシジルエーテルや無水マレイ
ン酸によってグラフト変性させた変性物を用いる方法、
特開平６−１８８３３６号公報、特開平７−１８１６１
号公報にはメチルメトキシカルボニルテトラシクロドデ
センの開環重合体によって光半導体素子を封止する方法
が開示されている。また、特開平６−３１８６５１号公
報には、熱可塑性ノルボルネン系樹脂を不飽和シランと
ラジカル発生剤の存在下で反応させて変性した後に、ジ
ブチル錫ラウレートなどのシラノール縮合触媒を配合し
た架橋性熱可塑性ノルボルネン系樹脂によって電子素子
を封止し、１００℃の熱水で２時間処理して架橋させる
技術が開示されている。

【０００５】このような環状構造を有する重合体は、エ
ポキシ樹脂に比較して低吸水性に優れているが、封止材
料として実用化する試みは殆どなされておらず、上記公
知文献においても実際にはＬＥＤなどの単純な形状の光
半導体素子を射出成形により全体的に封止するか、コー
ティングする程度の技術しか開示されていないのが実情
であった。そしてこのような材料を一般の半導体素子に
比較して配線が高度に集積された高性能な半導体チップ
と実装基板の電極間を部分的に封止するような高信頼性
を要求される分野で用いた場合、どのような特性を示す
かは全く知られてはいなかった。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、低吸
湿性であり耐ヒートサイクル性に優れた半導体チップと
実装基板の層間の封止材料を提供することである。さら
に他の目的は高度の信頼性を有する半導体パッケージ及
びそれを簡単な操作で効率よく製造する方法を提供する
ことである。

【０００７】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、前記課題
を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、環構造を有する重
合体を封止材料として使用することが有効であることを
見出し、本発明を完成するに至った。

【０００８】かくして本発明によれば、第１の発明とし
て、環構造を有する繰り返し単位を含有する環構造含有
重合体を含んでなる半導体チップと実装基板間の封止材
料が提供される。本発明によれば、第２の発明として、
環構造含有重合体が、環状オレフィン系重合体または主
鎖中に芳香環の繰返し単位を有する芳香族縮合系重合体
である第１の発明記載の封止材料が提供される。本発明
によれば、第３の発明として、環構造含有重合体が官能
基を含有するものである第１または第２の発明記載の封
止材料が提供される。本発明によれば、第４の発明とし
て、さらに硬化剤を含有してなる第１乃至第３の発明い
ずれか記載の封止材料が提供される。本発明によれば、
第５の発明として、溶液型またはフィルムである第１乃
至第４の発明いずれか記載の封止材料が提供される。本
発明によれば、第６の発明として、第１乃至第５の発明
いずれか記載の封止材料で半導体チップと実装基板の間
が封止された半導体パッケージが提供される。本発明に
よれば、第７の発明として、実装基板に半導体チップを
接合後、溶液型である第５の発明記載の封止材料を接合
部分を覆うように塗布し、溶媒を除去乾燥して半導体パ
ッケージを製造する方法が提供される。本発明によれ
ば、第８の発明として、実装基板上にフィルムである第
５の発明記載の封止材料を積層し、次いでフィルム上に
半導体チップを積層し、加熱溶融圧着して実装基板と半
導体チップとを接合して半導体パッケージを製造する方
法が提供される。

【０００９】

【発明の実施の形態】以下に本発明の好ましい実施の形
態について、項目に分けて説明する。

【００１０】半導体チップと基板間の封止材料 本発明で使用される封止材料は、環構造を有する繰り返
し単位を含有する環構造含有重合体を主要成分とし、所
望により硬化剤及び各種配合剤を配合したものである。

【００１１】［１］環構造を有する繰り返し単位を含有
する環構造含有重合体 本発明で用いられる重合体は、主鎖および／または側鎖
に環構造を有するものであり、重合体の結合様式として
は、該環構造の炭素−炭素不飽和結合を開環重合したも
の、付加重合したもの、該環構造の環外の炭素−炭素不
飽和結合を付加重合したもの、外環構造以外の官能基を
縮重合したものなどの結合様式が挙げられる。

【００１２】かかる重合体の具体例としては、（１）環
状オレフィン系重合体及びその水素添加物、（２）環状
共役ジエン系重合体及びその水素添加物、（３）ビニル
系環状炭化水素重合体及びその水素添加物、（４）主鎖
中に芳香環の繰返し単位を有する芳香族縮合系重合体な
どが挙げられるが、これらの中でも、（１）環状オレフ
ィン系重合体及びその水素添加物、（２）環状共役ジエ
ン系重合体及びその水素添加物などが好ましく、環状オ
レフィン系重合体及びその水素添加物が最も好ましい。

【００１３】重合体の環構造としては、芳香環構造、飽
和環状炭化水素（シクロアルカン構造）、不飽和環状炭
化水素（シクロアルケン）構造などが挙げられるが、強
度特性、耐熱性などの観点から、中でもシクロアルカン
構造を有するものが最も好ましい。また、強度特性、耐
熱性などの観点から、主鎖に環構造を含有するものが好
ましい。

【００１４】（環構造を有する繰り返し単位）環構造を
有する繰り返し単位の具体例としては、前述の如く、次
の４種類のものが代表的な例として挙がられる。すなわ
ち、（１）環状オレフィン系繰り返し単位、（２）環状
共役ジエン系繰り返し単位、（３）ビニル系環状炭化水
素繰り返し単位、（４）芳香族縮合系繰り返し単位など
である。以下、それぞれについて説明する。

【００１５】（１）環状オレフィン系繰り返し単位 環状オレフィン系繰り返し単位としては、例えば後述の
ノルボルネンやエチリデンノルボルネン、ジシクロペン
タジエン、テトラシクロドデセンなどのノルボルネン系
単量体の繰り返し単位及びその水素添加した繰り返し単
位；シクロペンテン、シクロヘキセンなどの単環の環状
オレフィン系単量体の繰り返し単位などが挙げられる。

【００１６】環状オレフィン系繰り返し単位の原料とな
る環状オレフィン系単量体は、炭素−炭素不飽和結合を
有する環状の炭化水素化合物であれば特に限定はされな
いが、主なものには前述の（ａ）ノルボルネン系単量
体、（ｂ）単環の環状オレフィン系単量体などが挙げら
れる。

【００１７】（ａ）ノルボルネン系単量体 本発明で用いるノルボルネン系単量体は、特開平５−３
２０２６８や特開平２−３６２２４などに記載されてい
るノルボルネン環を有する脂環族系単量体であり、代表
例として（ａ）ノルボルネン、テトラシクロドデセン、
これらのアルキル置換体などの如き、重合反応に関与す
る炭素−炭素不飽和結合以外の不飽和結合を持たない単
量体、（ｂ）エチリデンノルボルネン、ビニルノルボル
ネン、エチリデテトラシクロドデセン、ジシクロペンタ
ジエンなどの如き、重合反応に関与する炭素−炭素不飽
和結合以外の不飽和結合を持つ単量体、（ｃ）ジメタノ
テトラヒドロフルオレン、フェニルノルボルネンなどの
如き、芳香環を持つ単量体、（ｄ）メトキシカルボニル
ノルボルネン、メトキシカルボニルテトラシクロドデセ
ンなどの如き、極性基を有する単量体などが挙げられ
る。これらのノルボルネン環を有する脂環族系単量体
は、それぞれ独立で、あるいは２種以上を組み合わせて
用いることができる。

【００１８】（ｂ）単環の環状オレフィン系単量体 単環の環状オレフィン系単量体は、炭素−炭素二重結合
を環内に一つ有するものであり、例えば、シクロブテ
ン、シクロペンテン、シクロヘキセン、シクロヘプテ
ン、シクロオクテンなどの特開昭６４−６６２１６など
に記載されている単環の環状オレフィン系単量体のこと
である。これらの単環の環状オレフィン系単量体は、そ
れぞれ独立で、あるいは２種以上を組み合わせて用いる
ことができる。

【００１９】（２）環状共役ジエン系繰り返し単位 環状共役ジエン系繰り返し単位としては、シクロペンタ
ジエン、シクロヘキサジエンなどの環状共役ジエン系単
量体を１，４−付加重合した繰り返し単位及びその水素
添加した繰り返し単位が挙げられる。

【００２０】環状共役ジエン系繰り返し単位の原料とな
る環状共役ジエン系単量体としては、環内に共役系炭素
−炭素二重結合を有するものであり、例えば、１、３−
シクロペンタジエン、１、３−シクロヘキサジエン、
１、３−シクロヘプタジエン、１、３−シクロオクタジ
エンなどの、特開平７−２５８３１８などに記載されて
いる環状共役ジエン系単量体のことである。これらの環
状共役ジエン系単量体は、それぞれ独立で、あるいは２
種以上を組み合わせて用いることができる。

【００２１】（３）ビニル系環状炭化水素繰り返し単位 ビニル系環状炭化水素繰り返し単位の具体例としては、
例えばビニルシクロペンテン系もしくはビニルシクロペ
ンタン系繰り返し単位またはその水素添加した繰り返し
単位、ビニルシクロヘキセン系もしくはビニルシクロヘ
キサン系繰り返し単位またはその水素添加した繰り返し
単位、ビニルシクロヘプテン系もしくはビニルシクロヘ
プタン系繰り返し単位またはその水素添加した繰り返し
単位、ビニルシクロオクテン系またはビニルシクロオク
タン系繰り返し単位またはその水素添加した繰り返し単
位、芳香族ビニル系繰り返し単位またはその水素添加し
た繰り返し単位などが挙げられる。これら中でも、耐熱
性と成形性、強度特性のバランスから、環構造は５〜７
員環が好ましく、ビニルシクロヘキセン系もしくはビニ
ルシクロヘキサン系繰り返し単位またはその水素添加し
た繰り返し単位、芳香族ビニル系繰り返し単位または水
素添加した繰り返し単位などの６員環が最も好ましい。
また、環内の炭素−炭素不飽和結合が水素添加されてい
る方が好ましい。

【００２２】前述のビニル系環状炭化水素系繰り返し単
位の原料となるビニル系環状炭化水素系単量体として
は、例えば、スチレン、α−メチルスチレン、α−エチ
ルスチレン、α−プロピルスチレン、α−イソプロピル
スチレン、α−ｔ−ブチルスチレン、２−メチルスチレ
ン、３−メチルスチレン、４−メチルスチレン、２，４
−ジイソプロピルスチレン、２，４−ジメチルスチレ
ン、４−ｔ−ブチルスチレン、５−ｔ−ブチル−２−メ
チルスチレン、モノクロロスチレン、ジクロロスチレ
ン、モノフルオロスチレン、４−フェニルスチレンなど
のスチレン系単量体；ビニルシクロヘキサン、３−メチ
ルイソプロペニルシクロヘキサンなどのビニルシクロヘ
キサン系単量体； ４−ビニルシクロヘキセン、４−イ
ソプロペニルシクロヘキセン、１−メチル−４−ビニル
シクロヘキセン、１−メチル−４−イソプロペニルシク
ロヘキセン、２−メチル−４−ビニルシクロヘキセン、
２−メチル−４−イソプロペニルシクロヘキセンなどの
ビニルシクロヘキセン系単量体； ｄ−テルペン、ｌ−
テルペン、ジテルペンなどのテルペン系単量体などのビ
ニル化六員環炭化水素系単量体またはその置換体などが
挙げられる。芳香環を含有するスチレン系単量体を用い
る場合は、水素添加反応により、水素添加率が８０％以
上にすることが好ましい。

【００２３】（４）主鎖に芳香環を有する芳香族縮合系
繰り返し単位 芳香族縮合系繰り返し単位としては、主鎖中に芳香環を
有し、芳香環同士がヘテロ原子を含む単位構造で結合し
た繰り返し単位である。ヘテロ原子としては特に限定さ
れないが、例えば酸素や硫黄が挙げられ、結合形態とし
ては例えばエーテル結合やエステル結合を有している。
具体例としては、例えば、ポリフェニレンスルフィド、
ポリフェニレンエーテル、ポリエーテルスルホン、ポリ
スルフォン、などの芳香族ポリエーテル系繰り返し単
位；液晶プラスチック、芳香族ポリエステル、ポリアリ
レート、ポリエチレンテレフタレート、ポリブチレンテ
レフタレート、ポリカーボネート、ポリエーテルエーテ
ルケトン、ポリエーテルケトン、などの芳香族ポリエス
テル系繰り返し単位；などが挙げられる。これらのなか
でも、耐熱性及び低吸湿性、誘電特性などの点で、芳香
環とヘテロ原子の単純なエーテル結合から構成されるポ
リフェニレンスルフィド、ポリフェニレンエーテル、な
どの芳香族ポリエーテル系繰り返し単位が好ましく、芳
香族ポリエステル系繰り返し単位のなかでも、単位構造
に対する芳香環の含有量が多い液晶プラスチック系繰り
返し単位が好ましい。特には、ポリフェニレンエーテル
系繰り返し単位、ポリフェニレンスルフィド系繰り返し
単位、液晶プラスチック系繰り返し単位の上記３種類の
繰り返し単位が好ましいが、硬化性樹脂として変性し易
いポリフェニレンエーテル系繰り返し単位が最も好まし
い。

【００２４】これら上記の環構造を有する繰り返し単位
は単独、または２種以上組み合わせて使用しても良い。

【００２５】本発明に使用される環構造を有する繰り返
し単位の、重合体中全繰り返し単位中の含有量は耐熱性
の観点から、通常、５０モル％以上、好ましくは７０モ
ル％以上、より好ましくは８０モル％以上である。

【００２６】（その他の繰り返し単位）その他の繰り返
し単位の原料となる共重合可能な単量体としては、エチ
レン、プロピレン、１−ブテン、４−メチル−１−ペン
テンなどの炭素数２〜１２からなるα−オレフィン類；
スチレン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、
ｐ−クロロスチレンなどのスチレン類；１、３−ブタジ
エン、イソプレンなどの鎖状共役ジエン；エチルビニル
エーテル、イソブチルビニルエーテルなどのビニルエー
テル類や一酸化炭素を挙げることができるが、共重合が
可能であるならば、特にこれらに限定されるものではな
い。

【００２７】（重合及び水素添加方法）本発明の環構造
含有重合体の重合方法としては、従来公知の重合方法を
挙げることができる。ノルボルネン系単量体の開環重合
体を得る方法は、特に限定されず、例えば特開昭６０−
２６０２４号公報、特開平２−１８５５２０公報などに
記載されているＴｉ、Ｍｏ、Ｗなどの遷移金属化合物を
メタセシス重合触媒として用いる公知の方法により得る
ことができる。ノルボルネン系単量体の付加重合体を得
る方法は、特に限定されず、例えば特開平４−６３８０
７公報、国際特許ＷＯ９５／１４０４８に記載されてい
るＮｉ，Ｐｄなどの周期律表第ＶＩＩＩ族の遷移金属化
合物を重合触媒として用いる公知の方法により得ること
ができる。モノ環状オレフィン系単量体の付加重合体を
得る方法は、特に限定されず、例えば国際特許ＷＯ９６
／２３０１０に記載されているＮｉ，Ｐｄ錯体を重合触
媒として用いる公知の方法により得ることができる。モ
ノ環状オレフィン系単量体またはノルボルネン系単量体
などの環状オレフィン系単量体とエチレンなどのα−オ
レフィンとの共重合体を得る方法は、特に限定されず、
例えば特開昭６０−１６８７０８に記載されているＶ系
チーグラー触媒、特開平３−４５６１２に記載の周期律
表第ＩＶｂ族の遷移金属からなるメタロセン系重合触媒
を用いる公知の方法により得ることができる。環状共役
ジエン系単量体の重合体を得る方法としては、特に限定
されず、例えば特開平７−２４７３２１に記載の周期律
表第Ｉａ族の有機金属を触媒として用いる公知の方法に
より得ることができる。環状炭化水素基を有するビニル
化合物、例えばスチレン類やビニルシクロヘキサン誘導
体などの重合体を得る方法としては、特に限定されず、
公知のラジカル重合触媒、アニオン重合触媒、カチオン
重合触媒およびチーグラー・ナッタ重合触媒の中から適
したものを触媒として用いる公知の方法により得ること
ができる。これらの重合体は、共重合可能な他の単量体
との共重合体であってもよい。さらに、上記の重合体の
主鎖部、側鎖部に炭素−炭素二重結合が含まれる場合に
は、公知の水素添加触媒により水素添加してもよい。水
素添加触媒としては、例えばＮｉ，Ｐｄをアルミナやシ
リカに担持した触媒やＮｉ，Ｐｄ系チーグラー触媒を挙
げることができる。

【００２８】（変性）本発明の重合体は、そのままでも
使用可能であるが、金属等との密着性向上などを目的と
して、官能基を導入したものである方がより好ましい。

【００２９】官能基の種類とは、ヘテロ原子を有する有
機団からなる極性を有する官能基（極性基）のことであ
り、ヘテロ原子としては、酸素、窒素、硫黄、珪素、ハ
ロゲンなどが挙げられるが、密着性及び反応性等の観点
から、酸素、窒素を有する極性基が好ましい。

【００３０】極性基の種類としては、主に半導体チップ
及び金属リード、金線及び実装基板との密着性を向上さ
せたり、硬化反応時に硬化点になる機能を有する様な極
性基であれば特に制限はされず、その具体例としてエポ
キシ基、カルボキシル基、ヒドロキシル基、エステル
基、シラノール基、アミノ基、ニトリル基、ハロゲン
基、アシル基、スルホン基などが挙げられる。中でも
（ａ）少ない変性率で架橋密度、密着性の向上が可能で
ある、（ｂ）硬化剤の選択範囲が広い、（ｃ）該硬化剤
との硬化速度の制御が容易である等の理由から、多価フ
ェノールやアミン等の酸性硬化剤あるいは塩基性硬化剤
と反応し得るような酸素原子含有の極性基、例えばエポ
キシ基、酸無水物基、カルボキシル基、ヒドロキシル基
などが好ましく、特に硬化後にヒドロキシル基またはカ
ルボキシル基等の末端−ＯＨ基を生成する極性基、例え
ばエポキシ基、酸無水物基等が好ましい。

【００３１】これらの極性基は、単独でも、２種以上を
組み合わせて用いても良い。

【００３２】極性基の導入率としては、使用目的に応じ
て適宜選択されるが、重合体全繰り返し単位中、通常
０．１〜１００モル％、好ましくは２〜８０モル％、よ
り好ましくは５〜５０モル％の範囲である。極性基含有
環状オレフィン系重合体の極性基導入率がこの範囲にあ
るとき、金属との接着強度、耐熱性、機械強度、吸水
率、誘電特性が高度にバランスされ好適である。

【００３３】極性基の導入方法としては、該重合体を変
性する方法と極性基を有する単量体を共重合する方法の
何れであっても良く、具体的には、例えば（１）極性基
含有不飽和化合物をグラフト変性によって付加する方
法、（２）該重合体中に炭素−炭素不飽和結合が存在す
る場合には、該不飽和結合に直接極性基を付加する方
法、（３）該重合体の重合の際に、予め極性基を持った
単量体を共重合する場合などが挙げられる。

【００３４】（１）極性基含有不飽和化合物のグラフト
反応 極性機の導入は、該重合体を有機過酸化物などのラジカ
ル発生剤の存在下に極性基含有不飽和化合物を反応させ
ることにより得ることができる。極性基含有不飽和化合
物としては、特に限定されないが、少量で感光性の付与
ができて且つ、密着性が向上する理由から、エポキシ基
含有不飽和化合物、カルボキシル基含有不飽和化合物、
ヒドロキシル基含有不飽和化合物、シリル基含有不飽和
化合物などが挙げられる。

【００３５】エポキシ基含有不飽和化合物としては、例
えば、グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレ
ート、ｐ−スチリルカルボン酸グリシジル等の不飽和カ
ルボン酸のグリシジルエステル類；エンド−シス−ビシ
クロ［２，２，１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカル
ボン酸、エンド−シス−ビシクロ［２，２，１］ヘプト
−５−エン−２−メチル−２，３−ジカルボン酸等の不
飽和ポリカルボン酸のモノグリシジルエステルあるいは
ポリグリシジルエステル類；アリルグリシジルエーテ
ル、２−メチルアリルグリシジルエーテル、ｏ−アリル
フェノールのグリシジルエーテル、ｍ−アリルフェノー
ルのグリシジルエーテル、ｐ−アリルフェノールのグリ
シジルエーテル等の不飽和グリシジルエーテル類などが
挙げられる。これらの中でも、特に高い反応率で該エポ
キシ基含有不飽和化合物がグラフト付加できるという点
で、アリルグリシジルエステル類及びアリルグリシジル
エーテル類が好ましく、アリルグリシジルエーテル類が
特に好ましい。これらのエポキシ基含有不飽和化合物
は、それぞれ単独で、あるいは２種以上を組み合わせて
用いることができる。

【００３６】カルボキシル基含有不飽和化合物として
は、特開平５−２７１３５６号公報に記載の化合物など
が挙げられ、例えばアクリル酸、メタクリル酸、α−エ
チルアクリル酸等の不飽和カルボン酸；マレイン酸、フ
マール酸、イタコン酸、エンドシス−ビシクロ［２．
２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボン酸、メ
チル−エンドシス−ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５
−エン−２，３−ジカルボン酸等の不飽和ジカルボン酸
などが挙げられる。また、不飽和カルボン酸誘導体とし
ては、例えば、不飽和カルボン酸の酸無水物、エステ
ル、酸ハライド、アミド、イミドなどが挙げられ、具体
的には無水マレイン酸、クロロ無水マレイン酸、ブテニ
ル無水コハク酸、テトラヒドロ無水フタル酸、無水シト
ラコン酸などの酸無水物；マレイン酸モノメチル、マレ
イン酸ジメチル、グリシジルマレエートなどのエステ
ル；塩化マレニル、マレイミドなどが挙げられる。これ
らの中では上記理由により、不飽和ジカルボン酸又はそ
の酸無水物が好ましく、中でも無水マレイン酸や、イタ
コン酸などの酸無水物が特に好ましい。

【００３７】ヒドロキシル基含有不飽和化合物として
は、例えばアリルアルコール、２−アリル−６−メトキ
シフェノール、４−アリロキシ−２−ヒドロキシベンゾ
フェノン、３−アリロキシ−１，２−プロパンジオー
ル、２−アリルシフェノール、３−ブテン−１−オー
ル、４−ペンテン−１−オール、５−ヘキセン−１−オ
ールなどが挙げられる。

【００３８】シリル基含有不飽和化合物としては、例え
ばクロロジメチルビニルシラン、トリメチルシリルアセ
チレン、５−トリメチルシリル−１，３−シクロペンタ
ジエン、３−トリメチルシリルアリルアルコール、トリ
メチルシリルメタクリレート、１−トリメチルシリロキ
シ−１，３−ブタジエン、１−トリメチルシリロキシ−
シクロペンテン、２−トリメチルシリロキシエチルメタ
クリレート、２−トリメチルシリロキシフラン、２−ト
リメチルシリロキシプロペン、アリロキシ−ｔ−ブチル
ジメチルシラン、アリロキシトリメチルシランなどが挙
げられる。

【００３９】ラジカル発生剤としては、有機過酸化物が
通常使用されるが、有機過酸化物としては、後述の硬化
剤の項の有機過酸化物と同様なもの、その他アゾ化合物
を使用することもできる。アゾ化合物の具体的な例とし
ては、アゾビスイソブチロニトリル及びジメチルアゾイ
ソブチレートを挙げることができる。これらの中でも、
有機過酸化物としてジアルキルペルオキシドが好ましく
用いられる。これらの有機過酸化物は、それぞれ単独
で、あるいは２種以上を組み合わせて用いることができ
る。有機過酸化物の使用割合は、反応時の仕込み割合で
未変性環状オレフィン系重合体１００重量部に対して、
通常０．００１〜１０重量部、好ましくは０．０１〜５
重量部、より好ましくは０．１〜２．５重量部の範囲で
ある。有機過酸化物の使用範囲がこの範囲にあるとき、
極性基含有不飽和化合物の反応率、得られた極性基含有
重合体の吸水率、誘電特性などの諸物性が高度にバラン
スされ好適である。

【００４０】グラフト変性反応は、特に限定はなく、常
法に従って行うことができる。反応温度が、通常０〜４
００℃、好ましくは６０〜３５０℃で、反応時間が、通
常１分〜２４時間、好ましくは３０分〜１０時間の範囲
である。反応終了後は、メタノール等の貧溶媒を多量に
反応系に添加してポリマーを析出させ、濾別洗浄後、減
圧乾燥等により得ることができる。

【００４１】（２）炭素−炭素不飽和結合の直接変性 本発明の重合体は、炭素−炭素不飽和結合を変性して極
性基を付加したり、極性基を有する化合物を結合させた
りして極性基を導入することが出来る。極性基の導入方
法に関しては特に限定はされないが、（ａ）不飽和結合
の酸化による方法、（ｂ）分子内に１つ以上の極性基を
含有する化合物の不飽和結合への付加反応による方法、
及び（ｃ）その他の方法によってエポキシ基やカルボキ
シル基、ヒドロキシル基等を導入する方法に代表され
る、特開平６−１７２４２３号公報に記載されているよ
うな方法が挙げられる。

【００４２】（３）極性基含有モノマーの共重合 極性基含有モノマーとしては特に制限はないが、環状オ
レフィン系重合体の場合は、例えば、５−ヒドロキシメ
チルノルボルネン、５−ヒドロキシ−ｉ−プロピルノル
ボルネン、５−メトキシカルボニルノルボルネン、８−
メトキシカルボニルテトラシクロドデセン、５，６−ジ
カルボキシノルボルネン、などの環状オレフィン系単量
体の項で例示したような、ヒドロキシ基、カルボキシル
基またはエステル基を含有する単量体を共重合させるの
が好ましい。重合触媒および重合方法は、公知の、ノル
ボルネン環を有する脂環族系単量体の重合触媒、重合方
法を用いることができる。

【００４３】以上の中でも、極性基の導入方法として
は、変性が容易な反応条件で実施でき、高い変性率で極
性基を導入することが容易である等の理由により、
（１）のグラフト変性が好ましく、グラフト反応する極
性基含有不飽和化合物の種類としては、前述の理由によ
りエポキシ基、無水マレイン酸、無水イタコン酸等の分
子内に炭素−炭素不飽和結合を有するジカルボン酸無水
物基を持った不飽和化合物が特に好ましい。

【００４４】（重合体の物性）本発明の環構造含有重合
体は、変性されていても良いし、変性されていなくても
良いが、変性前の分子量は、ゲル・パーミエーション・
クロマトグラフィー（ＧＰＣ）により測定したポリスチ
レン換算の数平均分子量（Ｍｎ）で表すと、１，０００
〜５００，０００、好ましくは３，０００〜３００，０
００、より好ましくは５，０００〜２５０，０００、最
も好ましくは１０，０００〜２００，０００の範囲であ
る。数平均分子量が過度に小さいと、封止材料の強度が
低下して、クラック等が発生する原因となり、逆に数平
均分子量が過度に大きいと該重合体の粘度が大きすぎ
て、成形性が悪くなり好ましくない。よって数平均分子
量が上記範囲にあると、成型体の強度と、粘度及び加工
性が適度にバランスされて特に好ましい。変性した場合
にも重合体の物性は、上記範囲内にあるのが好ましい。

【００４５】［２］配合剤 配合剤としては、封止材料の耐熱性、強度特性を向上さ
せる目的で、硬化剤を配合して、硬化性重合体とする方
がより好ましい。

【００４６】（硬化剤）本発明の封止材料は、耐熱性の
向上、線膨張係数の低減等を目的として、硬化剤を配合
してもよい。硬化剤は特に限定はされないが、（１）有
機過酸化物、（２）熱により効果を発揮する硬化剤、
（３）光により効果を発揮する硬化剤、などが用いられ
る。 （１）有機過酸化物 有機過酸化物としては、例えば、メチルエチルケトンパ
ーオキシド、シクロヘキサノンパーオキシドなどのケト
ンパーオキシド類；１，１−ビス（ｔ−ブチルパーオキ
シ）３，３，５−トリメチルシクロヘキサン、２，２−
ビス（ｔ−ブチルパーオキシ）ブタンなどのパーオキシ
ケタール類；ｔ−ブチルハイドロパーオキシド、２，５
−ジメチルヘキサン−２，５−ジハイドロパーオキシド
などのハイドロパーオキシド類；ジクミルパーオキシ
ド、２，５−ジメチル−２，５−ジ（ｔ−ブチルパーオ
キシ）ヘキシン−３，α，α′−ビス（ｔ−ブチルパー
オキシ−ｍ−イソプロピル）ベンゼンなどのジアルキル
パーオキシド類：オクタノイルパーオキシド、イソブチ
リルパーオキシドなどのジアシルパーオキシド類；パー
オキシジカーボネートなどのパーオキシエステル類；が
挙げられる。これらの中でも、硬化後の樹脂の性能か
ら、ジアルキルパーオキシドが好ましく、アルキル基の
種類は、成形温度によって変えるのことができる。

【００４７】（２）熱により効果を発揮する硬化剤 熱により効果を発揮する硬化剤は、加熱によって架橋反
応させうる硬化剤であれば特に限定されないが、ジアミ
ン、トリアミンまたはそれ以上の脂肪族ポリアミン、脂
環族ポリアミン、芳香族ポリアミンビスアジド、酸無水
物、ジカルボン酸、多価フェノール、ポリアミドなどが
挙げられる。具体的な例としては、例えば、ヘキサメチ
レンジアミン、トリエチレンテトラミン、ジエチレント
リアミン、テトラエチレンペンタミン、などの脂肪族ポ
リアミン；ジアミノシクロヘキサン、３（４），８
（９）−ビス（アミノメチル）トリシクロ［５．２．
１．０^{2, 6}］デカン；１，３−（ジアミノメチル）シク
ロヘキサン、メンセンジアミン、イソホロンジアミンＮ
−アミノエチルピペラジン、ビス（４−アミノ−３−メ
チルシクロヘキシル）メタン、ビス（４−アミノシクロ
ヘキシル）メタンなどの脂環族ポリアミン；４，４’−
ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミノジフ
ェニルメタン、α，α’−ビス（４−アミノフェニル）
−１，３−ジイソプロピルベンゼン、α，α’−ビス
（４−アミノフェニル）−１，４−ジイソプロピルベン
ゼン、４，４’−ジアミノジフェニルスルフォン、メタ
フェニレンジアミン、メタキシシリレンジアミン等の芳
香族ポリアミン類；４，４−ビスアジドベンザル（４−
メチル）シクロヘキサノン、４，４’−ジアジドカルコ
ン、２，６−ビス（４’−アジドベンザル）シクロヘキ
サノン、２，６−ビス（４’−アジドベンザル）−４−
メチル−シクロヘキサノン、４，４’−ジアジドジフェ
ニルスルホン、４，４’−ジアジドジフェニルメタン、
２，２’−ジアジドスチルベンなどのビスアジド；無水
フタル酸、無水ピロメリット酸、ベンゾフェノンテトラ
カルボン酸無水物、ナジック酸無水物、１，２−シクロ
ヘキサンジカルボン酸、無水マレイン酸変性ポリプロピ
レン、無水マレイン酸変性環状オレフィン樹脂等の酸無
水物類；フマル酸、フタル酸、マレイン酸、トリメリッ
ト酸、ハイミック酸等のジカルボン酸類；フェノールノ
ボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂等の多価フェ
ノール類；トリシクロデカンジオール、ジフェニルシラ
ンジオール、エチレングリコール及びその誘導体、ジエ
チレングリコール及びその誘導体、トリエチレングリコ
ール及びその誘導体などの多価アルコール類；ナイロン
−６、ナイロン−６６、ナイロン−６１０、ナイロン−
１１、ナイロン−６１２、ナイロン−１２、ナイロン−
４６、メトキシメチル化ポリアミド、ポリヘキサメチレ
ンジアミンテレフタルアミド、ポリヘキサメチレンイソ
フタルアミド等のポリアミド類；等が挙げられる。これ
らは、１種でも２種以上の混合物として使用しても良
い。これらの中でも、硬化物の耐熱性、機械強度、金属
との密着性、誘電特性（低誘電率、低誘電正接）に優れ
るなどの理由により、芳香族ポリアミン類、酸無水物
類、多価フェノール類、多価アルコール類が好ましく、
中でも４，４−ジアミノジフェニルメタン（芳香族ポリ
アミン類）、無水マレイン酸変性環状オレフィン樹脂
（酸無水物）、多価フェノール類などが特に好ましい。
また、必要に応じて硬化促進剤を配合して、架橋反応
の効率を高めることも可能である。前記硬化剤の配合量
は、特に制限はないものの、架橋反応を効率良く行わし
め、且つ、得られる硬化物の物性改善を計ること及び経
済性の面などから、該重合体１００重量部に対して０．
１〜３０重量部、好ましくは１〜２０重量部の範囲で使
用される。硬化剤の量が少なすぎると架橋が起こりにく
く、十分な耐熱性、耐溶剤を得ることができず、また多
すぎると架橋した樹脂の吸水性、誘電特性などの特性が
低下するため好ましくない。よって配合量が上記範囲に
ある時に、これらの特性が高度にバランスされて好適で
ある。

【００４８】また、硬化促進剤としては、ピリジン、ベ
ンジルジメチルアミン、トリエタノールアミン、トリエ
チルアミン、イミダゾール類等のアミン類などが挙げら
れ、硬化速度の調整を行ったり、架橋反応の効率をさら
に良くする目的で添加される。硬化促進剤の配合量は、
特に制限はないものの、前述の重合体１００重量部に対
して０．１〜３０重量部、好ましくは１〜２０重量部の
範囲で使用され、配合量がこの範囲にあるときに、架橋
密度と、誘電特性、吸水率などが高度にバランスされて
好適である。また、なかでもイミダゾール類が誘電特性
に優れて好適である。

【００４９】（３）光により効果を発揮する硬化剤 光により効果を発揮する硬化剤は、ｇ線、ｈ線、ｉ線等
の紫外線、遠紫外線、ｘ線、電子線等の活性光線の照射
により、該重合体と反応し、架橋化合物を生成する光硬
化剤であれば特に限定されるものではないが、例えば芳
香族ビスアジド化合物、光アミン発生剤、光酸発生剤等
が挙げられる。

【００５０】芳香族ビスアジド化合物の具体例として
は、４，４’−ジアジドカルコン、２，６−ビス（４’
−アジドベンザル）シクロヘキサノン、２，６−ビス
（４’−アジドベンザル）４−メチルシクロヘキサノ
ン、４，４’−ジアジドジフェニルスルフォン、４，
４’−ジアジドベンゾフェノン、４，４’−ジアジドジ
フェニル、２，７−ジアジドフルオレン、４，４’−ジ
アジドフェニルメタン等が代表例として挙げられる。こ
れらは、１種類でも２種類以上組み合わせても使用でき
る。

【００５１】光アミン発生剤の具体例としては、芳香族
アミンあるいは脂肪族アミンのｏ−ニトロベンジロキシ
カルボニルカーバメート、２，６−ジニトロベンジロキ
シカルボニルカーバメートあるいはα，α−ジメチル−
３，５−ジメトキシベンジロキシカルボニルカーバメー
ト体等が挙げられ、具体的には、アニリン、シクロヘキ
シルアミン、ピペリジン、ヘキサメチレンジアミン、ト
リエチレンテトラアミン、１，３−（ジアミノメチル）
シクロヘキサン、４，４’−ジアミノジフェニルエーテ
ル、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、フェニレン
ジアミンなどのｏ−ニトロベンジロキシカルボニルカー
バメート体が挙げられる。これらは、１種類でも２種類
以上組み合わせても使用できる。

【００５２】光酸発生剤とは、活性光線の照射によっ
て、ブレンステッド酸あるいはルイス酸を生成する物質
であって、例えばオニウム塩、ハロゲン化有機化合物、
キノンジアジド化合物、α，α−ビス（スルホニル）ジ
アゾメタン系化合物、α−カルボニル−α−スルホニル
−ジアゾメタン系化合物、スルホン化合物、有機酸エス
テル化合物、有機酸アミド化合物、有機酸イミド化合物
等が挙げられる。これらの活性光線の照射により解裂し
て酸を生成可能な化合物は、単独でも２種類以上混合し
て用いても良い。

【００５３】これらの光硬化剤の添加量は、特に制限は
ないものの、該重合体との反応を効率良く行わしめ、且
つ得られる架橋樹脂の物性を損なわないこと及び経済性
などの面から、該重合体１００重量部に対して０．１〜
３０重量部、好ましくは１〜２０重量部の範囲で使用さ
れる。光反応性物質の添加量が少なすぎると架橋が起こ
りにくく、十分な耐熱性、耐溶剤性を得ることができ
ず、また多すぎると架橋した樹脂の吸水性、誘電特性な
どの特性が低下するため好ましくない。よって配合量が
上記範囲にある時に、これらの特性が高度にバランスさ
れて好適である。

【００５４】（その他の配合剤）本発明の封止材料は、
必要に応じて、その他の配合剤を添加しても良い。その
他の配合剤としては、充填剤、難燃剤、その他のポリマ
ー成分、その他の添加剤などが挙げられる。

【００５５】（１）充填剤 本発明の封止材料は、特に線膨張係数の低減を目的とし
て無機または有機充填剤を配合することがあり、従来の
封止材料に使用されるようなものであれば特に限定はさ
れないが、例えば、シリカ、ケイ藻土、アルミナ、酸化
チタン、酸化マグネシウム、軽石粉、軽石バルーン、塩
基性炭酸マグネシウム、ドワマイト、硫酸カルシウム、
チタン酸カリウム、硫酸バリウム、亜硫酸カルシウム、
タルク、クレー、マイカ、アスベスト、ガラス繊維、ガ
ラスフレーク、ガラスビーズ、ケイ酸カルシウム、モン
モリロナイト、ベントナイト、グラファイト、アルミニ
ウム粉、硫化モリブデン、ボロン繊維、炭化ケイ素繊
維、ポリエチレン繊維、ポリプロピレン繊維、ポリエス
テル繊維、ポリアミド繊維などが挙げられる。これら充
填剤の中でも、特に、耐熱性、低吸水率、誘電特性、低
不純物性等に優れる理由から、無機充填剤が好ましく、
特にシリカなどが好ましい。

【００５６】（２）難燃剤 難燃剤は必須成分ではないが、特にＣＰＵやＤＲＡＭな
どのＬＳＩチップを封止する場合には添加するのが好ま
しい。難燃剤としては、特に制約はないが、硬化剤によ
って分解、変性、変質しないものが好ましく、通常ハロ
ゲン系難燃剤が用いられる。ハロゲン系難燃剤として
は、塩素系及び臭素系の種々の難燃剤が使用可能である
が、難燃化効果、成形時の耐熱性、樹脂への分散性、樹
脂の物性への影響等の面から、ヘキサブロモベンゼン、
ペンタブロモエチルベンゼン、ヘキサブロモビフェニ
ル、デカブロモジフェニル、ヘキサブロモジフェニルオ
キサイド、オクタブロモジフェニルオキサイド、デカブ
ロモジフェニルオキサイド、ペンタブロモシクロヘキサ
ン、テトラブロモビスフェノールＡ、及びその誘導体
［例えば、テトラブロモビスフェノールＡ−ビス（ヒド
ロキシエチルエーテル）、テトラブロモビスフェノール
Ａ−ビス（２，３−ジブロモプロピルエーテル）、テト
ラブロモビスフェノールＡ−ビス（ブロモエチルエーテ
ル）、テトラブロモビスフェノールＡ−ビス（アリルエ
ーテル）等］、テトラブロモビスフェノールＳ、及びそ
の誘導体［例えば、テトラブロモビスフェノールＳ−ビ
ス（ヒドロキシエチルエーテル）、テトラブロモビスフ
ェノールＳ−ビス（２，３−ジブロモプロピルエーテ
ル）等］、テトラブロモ無水フタル酸、及びその誘導体
［例えば、テトラブロモフタルイミド、エチレンビステ
トラブロモフタルイミド等］、エチレンビス（５，６−
ジブロモノルボルネン−２，３−ジカルボキシイミ
ド）、トリス−（２，３−ジブロモプロピル−１）−イ
ソシアヌレート、ヘキサクロロシクロペンタジエンのデ
ィールス・アルダー反応の付加物、トリブロモフェニル
グリシジルエーテル、トリブロモフェニルアクリレー
ト、エチレンビストリブロモフェニルエーテル、エチレ
ンビスペンタブロモフェニルエーテル、テトラデカブロ
モジフェノキシベンゼン、臭素化ポリスチレン、臭素化
ポリフェニレンオキサイド、臭素化エポキシ樹脂、臭素
化ポリカーボネート、ポリペンタブロモベンジルアクリ
レート、オクタブロモナフタレン、ヘキサブロモシクロ
ドデカン、ビス（トリブロモフェニル）フマルアミド、
Ｎ−メチルヘキサブロモジフェニルアミン等を使用する
のが好ましい。難燃剤の添加量は、環状重合体１００重
量部に対して、通常３〜１５０重量部、好ましくは１０
〜１４０重量部、特に好ましくは１５〜１２０重量部で
ある。難燃剤の難燃化効果をより有効に発揮させるため
の難燃助剤として、例えば、三酸化アンチモン、五酸化
アンチモン、アンチモン酸ナトリウム、三塩化アンチモ
ン等のアンチモン系難燃助剤を用いることができる。こ
れらの難燃助剤は、難燃剤１００重量部に対して、通常
１〜３０重量部、好ましくは２〜２０重量部の割合で使
用する。

【００５７】（３）その他のポリマー成分 また、本発明においては、必要に応じて、ゴム質重合体
やその他の熱可塑性樹脂を配合することができる。ゴム
質重合体は、常温（２５℃）以下のガラス転移温度を持
つ重合体であって、通常のゴム状重合体および熱可塑性
エラストマーが含まれる。ゴム質重合体のムーニー粘度
（ＭＬ１＋４，１００℃）は、使用目的に応じて適宜選
択され、通常５〜２００である。ゴム状重合体として
は、例えば、エチレン−α−オレフィン系ゴム質重合
体；エチレン−α−オレフィン−ポリエン共重合体ゴ
ム；エチレン−メチルメタクリレート、エテレン−ブチ
ルアクリレートなどのエチレンと不飽和カルボン酸エス
テルとの共重合体；エチレン−酢酸ビニルなどのエチレ
ンと脂肪酸ビニルとの共重合体；アクリル酸エチル、ア
クリル酸ブチル、アクリル酸ヘキシル、アクリル酸２−
エチルヘキシル、アクリル酸ラウリルなどのアクリル酸
アルキルエステルの重合体；ポリブタジエン、ポリソブ
レン、スチレン−ブタジエンまたはスチレン−イソプレ
ンのランダム共重合体、アクリロニトリル−ブタジエン
共重合体、ブタジエン−イソプレン共重合体、ブタジエ
ン−（メタ）アクリル酸アルキルエステル共重合体、ブ
タジエン−（メタ）アクリル酸アルキルエステル−アク
リロニトリル共重合体、ブタジエン−（メタ）アクリル
酸アルキルエステル−アクリロニトリル−スチレン共重
合体などのジエン系ゴム；ブチレン−イソプレン共重合
体などが挙げられる。

【００５８】熱可塑性エラストマーとしては、例えば、
スチレン−ブタジエンブロック共重合体、水素化スチレ
ン−ブタジエンブロック共重合体、スチレン−イソプレ
ンブロック共重合体、水素化スチレン−イソプレンブロ
ック共重合体などの芳香族ビニル−共役ジエン系ブロッ
ク共重合体、低結晶性ポリブタジエン樹脂、エチレン−
プロピレンエラストマー、スチレングラフトエチレン−
プロピレンエラストマー、熱可塑性ポリエステルエラス
トマー、エチレン系アイオノマー樹脂などを挙げること
ができる。これらの熱可塑性エラストマーのうち、好ま
しくは、水素化スチレン−ブタジエンブロック共重合
体、水素化スチレン−イソプレンブロック共重合体など
であり、具体的には、特開平２−１３３４０６号公報、
特開平２−３０５８１４号公報、特開平３−７２５１２
号公報、特開平３−７４４０９号公報などに記載されて
いるものを挙げることができる。その他の熱可塑性樹脂
としては、例えば、低密度ポリエチレン、高密度ポリエ
チレン、直鎖状低密度ポリエチレン、超低密度ポリエチ
レン、エチレン−エチルアクリレート共重合体、エチレ
ン−酢酸ビニル共重合体、ポリスチレン、ポリフェニレ
ンスルフィド、ポリフェニレンエーテル、ポリアミド、
ポリエステル、ポリカーボネート、セルローストリアセ
テートなどが挙げられる。これらのゴム状重合体やその
他の熱可塑性樹脂は、それぞれ単独で、あるいは２種以
上を組み合わせて用いることができ、その配合量は、本
発明の目的を損なわない範囲で適宜選択されるが、絶縁
材料の特性を損なわせないためには３０重量部以下であ
るのが好ましい。

【００５９】（４）その他の添加剤 その他の添加剤として、、必要に応じて、耐熱安定剤、
耐候安定剤、レベリング剤、帯電防止剤、スリップ剤、
アンチブロッキング剤、防曇剤、滑剤、染料、顔料、天
然油、合成油、ワックスなどを適量添加することができ
る。具体的には、例えば、テトラキス［メチレン−３
（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）
プロピオネート］メタン、β−（３，５−ジ−ｔ−ブチ
ル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオン酸アルキルエ
ステル、２，２′−オキザミドビス［エチル−３（３，
５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピ
オネート］などのフェノール系酸化防止剤；トリスノニ
ルフェニルホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ−ブ
リルフェニル）ホスファイト、トリス（２，４−ジ−ｔ
−ブチルフェニル）ホスファイト等のリン系安定剤；ス
テアリン酸亜鉛、ステアリン酸カルシウム、１２−ヒド
ロキシステアリン酸カルシウム等の脂肪酸金属塩；グリ
セリンモノステアレート、グリセリンモノラウレート、
グリセリンジステアレート、ペンタエリスリトールモノ
ステアレート、ペンタエリスリトールジステアレート、
ペンタエリスリトールトリステアレート等の多価アルコ
ール脂肪酸エステル；合成ハイドロタルサイト；アミン
系の帯電防止剤；フッ素系ノニオン界面活性剤、特殊ア
クリル樹脂系レベリング剤、シリコーン系レベリング剤
など塗料用レベリング剤；シランカップリング剤、チタ
ネートカップリング剤、アルミニウム系カップリング
剤、ジルコアルミネートカップリング剤等のカップリン
グ剤；可塑剤；顔料や染料などの着色剤；などを挙げる
ことができる。

【００６０】［３］封止材料 本発明の封止材料は、上記成分を用い、通常は液状組成
物またはフィルムの形状が用いられる。また、熱可塑性
樹脂として使用する場合には、バルクのペレットの状態
で、射出成形用に用いることも可能である。

【００６１】（液状組成物）液状組成物として使用する
場合には、上記成分を溶媒に溶解させて使用する。溶媒
を用いる場合は、例えば、トルエン、キシレン、エチル
ベンゼンなどの芳香族炭化水素、ｎ−ペンタン、ヘキサ
ン、ヘプタンなどの脂肪族炭化水素、シクロヘキサンな
どの脂環式炭化水素、クロロベンゼン、ジクロルベンゼ
ン、トリクロルベンゼンなどのハロゲン化炭化水素など
を挙げることができる。溶媒は、環状重合体、及び必要
に応じて配合する各成分を均一に溶解ないしは分散する
に足りる量比で用いられ、通常固形分濃度が１〜８０重
量％、好ましくは５〜６０重量％、より好ましくは１０
〜５０重量％になるように調整される。

【００６２】また、溶媒の代わりに、反応性希釈剤とし
て、硬化性モノマーを使用することもできる。反応性希
釈剤としては、従来の熱や光で架橋反応を起こし、常温
で液状の化合物であれば特に限定はされないが、エポキ
シ基含有化合物、アクリル（メタクリル）酸エステル系
化合物、ビニルエーテル系化合物、ビニル化合物等が挙
げられる。これらその他の反応性希釈剤の中でも、耐熱
性、低吸水性、誘電特性などに優れる理由から、エポキ
シ基含有化合物が特に好ましい。

【００６３】液状封止材料として使用する場合には、ハ
ンドリング、プロセス上のメリットなどから、特に溶融
粘度が、１００〜２００℃の範囲において５０ポイズ以
下、さらには２０ポイズ以下であるのが好ましい。

【００６４】（フィルム）本発明の封止材料は、フィル
ムとして使用することもでき、その場合には、封止が加
熱圧着などの方法で効率よく実施できるという利点があ
る。フィルムとして提供するには前述の溶媒や反応性希
釈剤に溶解した該重合体溶液を平坦な基板上に塗布し、
溶媒を乾燥除去してキャスト方法によりフィルムを形成
しても良いし、フィルム押し出し成形機を使用して、押
し出し成形法によってフィルムを形成しても良い。形成
されたフィルムは硬化剤を含む場合には部分硬化させて
使用しても構わない。使用されるフィルムの厚みは、通
常３０〜２００μｍ、好ましくは４０〜１００μｍ、よ
り好ましくは５０〜９０μｍである。

【００６５】（硬化方法）本発明で使用される封止材料
は、硬化樹脂として使用する場合は、前述の如く、熱、
光、電子線などの何れの方法を用いて硬化させても良い
が、特に半導体部品などの電子部品を封止する場合は、
オーバーコート法などの薄膜状態で封止する場合を除い
ては、熱により硬化させるのが好ましい。熱による硬化
の場合には、封止材料が肉厚の成形品である場合、光線
が一部到達し得ないような複雑形状を有している場合、
充填剤、添加剤等の光線が透過しない配合剤を含む場合
などに好適である。

【００６６】（封止方法）本発明で使用される封止材料
は、主に、前述の半導体ベアチップ実装パッケージなど
において、チップの電極と実装基板の電極が直接接続さ
れた部分を封止するための材料であり、近年のＬＳＩベ
アチップ実装の封止方法として、液状エポキシ樹脂を用
いる場合に常用されているポッティング（中型）法によ
る封止方法やその他の特殊な封止方法などにそのまま応
用することができる。

【００６７】［４］半導体チップ及び実装基板 本発明で封止する半導体チップ及び実装基板、その接続
方法（実装方法）を説明し、各実装方法毎の封止方法を
説明する。

【００６８】（実装基板）実装基板は、絶縁層と導電層
と電極とを有し、チップ電極からの電気信号を他の電子
部品等に伝送可能なものであれば特に限定はなく、従来
のガラスエポキシプリント配線基板、ガラスポリイミド
プリント配線基板、ビスマレイミドトリアジン樹脂プリ
ント基板、ポリフェニレンエーテル（ポリフェニレンオ
キサイド）プリント配線基板、フッ素樹脂プリント配線
基板、その他環状オレフィン系樹脂プリント配線基板な
どの低誘電率プリント配線基板などのプリント配線基
板；ポリエチレンテレフタレートフレキシブルプリント
配線基板、ポリイミドフレキシブルプリント配線基板な
どのフレキシブルプリント配線基板（ＦＰＣ）；シリコ
ンウェハー基板；セラミック基板；感光性樹脂等を使用
した高密度実装基板；樹脂付き金属箔やドライフィル
ム、接着性絶縁フィルムなどのフィルム積層型の高密度
実装基板；ポリフェニレンスルフィドや液晶ポリマーな
どの熱可塑性エンジアリングプラスチックフィルムなど
のフィルム配線基板などが挙げられる。また、近年のパ
ッケージ形態であるチップスケールパッケージ（ＣＳ
Ｐ）に使用されるキャリアフィルム（ポリイミドキャリ
アフィルムなど）や単層基板なども実装基板として例示
できる。

【００６９】（半導体チップ実装方法及び封止方法）半
導体チップのベアチップ実装方法（接続技術）として
は、（１）ワイヤーボンディング技術、（２）ＴＡＢ技
術、（３）フリップチップボンディング技術が挙げられ
る。

【００７０】（１）ワイヤーボンディング技術 ワイヤーボンディング法は、前述の実装基板上に半導体
チップが、電極を基板面と反対側に向けて設置し、基板
の電極とチップの電極とを直接ワイヤー（金線）によっ
て接続する方法である。この場合の電極間接続部分の封
止は、主に、前述の希釈された重合体溶液を、少なくと
も前述のワイヤー接続部分を覆うようにコートし、溶媒
等を除去することで行う。また、コートした溶液が流れ
ないように、チップの周辺に枠（ダム）を設置したり、
チップ実装部分のみを凹部分にすることも可能である。
また、チップ部分を金型に設置して、射出成形法によっ
てインサート成形しても構わない。

【００７１】（２）テープ・オートメーテッド・ボンデ
ィング（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎ
ｇ）技術：ＴＡＢ技術 ＴＡＢ技術は、基本的にはキャリアフィルム、バンプ
（金属突起；電極）、半導体チップの３つから構成され
る。キャリアフィルムは搬送用部材、パッケージ部材、
実装基板としての機能を有し、前述のポリイミドフレキ
シブルプリント配線板のような、樹脂フィルムに配線パ
ターン、リードが形成されており、バンプはキャリアフ
ィルムのリードと半導体チップの電極とを接続する媒体
としての重要な役割を持っている。この場合の電極間の
封止方法は、キャリアフィルムが、半導体チップ部分だ
けくり貫かれた状態でチップの上方に設置された形態を
とっているので、実際には半導体チップ面が底面を形成
してキャリアテープが枠を形成する状態になっている。
よって（１）の方法同様に、封止材料を枠内に流し込ん
で乾燥させることによって電極間の封止ができる。

【００７２】（３）フリップチップボンディング技術 特にベアチップ実装方法の中で、チップ電極と基板電極
を金線（ワイヤー）を介さずに直接接続する方法をフリ
ップチップボンディングといい、半導体チップ電極部に
はバンプ（突起）あるいは金属ボールが形成され、実装
基板上には電極（パッド）が形成されて、各々が直接接
続される。この場合、半導体チップは、電極形成面を逆
さまにして、フェースダウンの状態で実装基板上に搭載
されることになる。よって、この場合の封止方法は、上
記実装基板面と、半導体チップ面との隙間を封止材で充
填するアンダーフィル法が適用される。アンダーフィル
法は、（１）および（２）で使用したものと同様な封止
材料の溶液を基板とチップの間隙にディスペンサー等を
使用して流し込んで乾燥固化させることによって電極間
を封止する方法であるが、別の方法として、異方性導電
膜などのような封止用のフィルムを電極間にはさみ、電
極間の接着と封止を同時に行う方法が近年開発されてい
る。

【００７３】［５］半導体ベアチップ実装パッケージ 本発明で封止される半導体チップは、半導体部品の中で
もＣＰＵ（中央演算装置）やメモリ（ＤＲＡＭ）などに
使用されるような、微細配線が高度に集積された集積回
路部品や部品である。

【００７４】本発明においては、少なくとも半導体チッ
プの電極と実装基板の電極間尾接続部分を前述の封止材
料を用いて封止することによって半導体パッケージが得
られる。主に半導体チップを小型のプリント基板にベア
チップ実装した後、前述の封止材料で封止したものが、
これらを一体でパッケージとして使用される。上記パッ
ケージに、さらにマザーボードのプリント基板に接続す
る目的でハンダボールなどの接続部材を取付けた物は、
ボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）といい、半導体チップ
が複数実装されたパッケージはマルチチップパッケージ
（マルチチップモジュール）として新規の半導体部品パ
ッケージとして、コンピューターや通信機器に使用可能
である。

【００７５】さらに、本発明の封止材料は、半導体ベア
チップ実装パッケージの近年の形態として、チップスケ
ールパッケージ（ＣＳＰ）などにも使用可能である。Ｃ
ＳＰの具体的な形態としては、μ−ＢＧＡ、ＦＢＧＡ、
ＦＬＧＡ、ＳＯＮ、ＳＯＬ、モールドＣＳＰなどが挙げ
られる。

【００７６】

【実施例】以下に、実施例、比較例を挙げて本発明を具
体的に説明する。 （１）ガラス転移温度は、ＤＳＣ法により測定した。 （２）分子量は特に記載しない限り、トルエンを溶媒と
するゲル・パーミエーション・クロマトグラフィー（Ｇ
ＰＣ）によるポリスチレン換算値として測定した。 （３）主鎖の水素添加率、ポリマーの変性率は¹Ｈ−Ｎ
ＭＲにより測定した。 （４）１ＭＨｚにおける誘電率、誘電正接はＪＩＳ Ｃ
６４８１に準じて測定した。 （５）常温での曲げ強度、引張強度、引張伸び率、およ
び８５℃×８５％ＲＨ×３００時間の条件下での吸水率
はＪＩＳ Ｋ６９１１に準拠して測定した。 （６）ガラス転移温度はＴＭＡによって測定した。 （７）温度サイクル試験（ＴＣＴ）は−５５℃（３０ｍ
ｉｎ）〜室温（５ｍｉｎ）〜１５０℃（３０ｍｉｎ）〜
室温（５ｍｉｎ）の温度サイクルを５００回繰り返すこ
とで温度衝撃を加え、クラック発生の有無を調べた。プ
レッシャークッカー試験（ＰＣＴ）は湿度１００％、１
０５℃の環境下に３００時間放置し、不良発生の有無を
調べた。 （８）尚、実施例中、［部］、［％］にて記載されてい
るものは特に断りのない限り、夫々［重量部］、［重量
％］のことである。

【００７７】（合成例１）六塩化タングステン、トリイ
ソブチルアルミニウム、イソブチルアルコールを重合触
媒として用い、公知の方法により８-エチルテトラシク
ロ［４．４．１^2,5 ．１^7,10．０］−３−ドデセン（以
下ＥＴＤと略す）を重合し、さらにニッケルアセチルア
セトナートとトリイソブチルアルミニウムを用いて公知
の方法により水素化したＥＴＤの開環重合体水素化物
（水素化率≧９９％、Ｔｇ＝１３８℃、Ｍｎ＝１８，５
００、Ｍｗ＝３１，６００）１００部に対して、無水マ
レイン酸３０部、ジクミルパーオキシド１０部、ｔｅｒ
ｔ−ブチルベンゼン３００部を混合し、オートクレーブ
中にて１５０℃、４時間反応を行った後、反応液を上記
と同様にして凝固、乾燥し、無水マレイン酸変性ポリマ
ー（Ａ）を得た。得られたポリマー（Ａ）のＴｇ＝１６
６℃、Ｍｎ＝１６，４００、Ｍｗ＝３５，２００、変性
率は２８％であった。

【００７８】（合成例２）無水マレイン酸３０部をアリ
ルグリシジルエーテル３０部に変える以外は、合成例１
と同様にしてエポキシ変性ポリマー（Ｂ）を得た。得ら
れたポリマー（Ｂ）のＴｇ＝１６０℃、Ｍｎ＝１７，１
００、Ｍｗ＝３６，９００、変性率は２４％であった。

【００７９】（合成例３）テトラシクロ［４．４．１
^2,5．１^7,10．０］−３−ドデセン（以下、ＴＣＤと略
す）とエチレンを公知の方法により共重合して得た付加
型共重合体（ＴＣＤ含有量３８モル％、Ｔｇ＝１３５
℃、Ｍｎ＝１５，２００、Ｍｗ＝３５，６００）を用い
ること以外は合成例１と同様にして無水マレイン酸変性
ポリマー（Ｃ）を得た。得られたポリマー（Ｃ）のＴｇ
＝１６２℃、Ｍｎ＝１４，２００、Ｍｗ＝４１，１０
０、変性率は２３％であった。

【００８０】（合成例４）無水マレイン酸３０部をアリ
ルグリシジルエーテル３０部に変える以外は、合成例３
と同様にしてエポキシ変性ポリマー（Ｄ）を得た。得ら
れたポリマー（Ｄ）のＴｇ＝１５７℃、Ｍｎ＝１３，３
００、Ｍｗ＝４０，０００、変性率は１９％であった。

【００８１】（合成例５）特開平７−２５８３１８号公
報に記載されているＬｉ系リビングアニオン重合触媒
〔ｎ−ＢｕＬｉ／テトラメチレンジアミン（ＴＭＥＤ
Ａ：リビングアニオン安定化剤）＝１／１（モル比）〕
を用いて１，３−シクロヘキサジエン（Ｃ−ＨＤ）を重
合して得られた表−１記載の１，４−付加型重合体の水
素化物（水素化率≧９９％、Ｔｇ＝２１９℃、Ｍｎ＝５
３，４００、Ｍｗ＝７８，０００）を用いること以外は
合成例１同様の方法により無水マレイン酸変性ポリマー
（Ｅ）を得た。得られたポリマー（Ｅ）のＴｇ＝２３８
℃、Ｍｎ＝３７，２００、Ｍｗ＝９４，８００、変性率
は２２％であった。

【００８２】（合成例６）無水マレイン酸３０部をアリ
ルグリシジルエーテル３０部に変える以外は、合成例５
と同様にしてエポキシ変性ポリマー（Ｆ）を得た。得ら
れたポリマー（Ｅ）のＴｇ＝２３０℃、Ｍｎ＝３８，１
００、Ｍｗ＝８９，９００、変性率は１８％であった。

【００８３】（合成例７）数平均分子量（Ｍｎ）が９２
００のポリ（２、６−ジメチル−１、４−フェニレンエ
ーテル）１００部と、無水マレイン酸６．０部、および
２、５−ジメチル−２、５−ジ（ｔーブチルパーオキ
シ）ヘキサン（日本油脂製パーヘキサ２５Ｂ）２．０部
を室温でドライブレンドした後、シリンダー温度３００
℃、スクリュー回転数２３０ｒｐｍの条件で２軸押出機
により押しだして、無水マレイン酸変性ポリフェニレン
エーテル（ＰＰＥ）（Ｇ）を得た。 得られたポリマー
（Ｇ）のＴｇ＝１８３℃、Ｍｎ＝８，５００、Ｍｗ＝１
５，４００、変性率は２０％であった。

【００８４】（実施例１〜７）合成例１〜７で得られた
ポリマー（Ａ）〜（Ｇ）１００部を、ポリマー分が３０
％になるようにトルエンに溶解し、硬化剤としてメタキ
シシリレンジアミン６部を添加し、さらに難燃剤として
臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（ＥＰＩ１５
２：大日本インキ化学工業株式会社製）２０部、難燃助
剤としてＳｂ₂Ｏ₃ を１０部、充填剤として溶融シリカ４
００部、その他配合剤としてカルバナワックス２部、カ
ーボンブラック１．５部を加えて液状半導体封止材料を
作成した。

【００８５】得られた溶液をスピンコーターを用いて厚
さ３ｍｍのテフロン板上で７０μｍに薄膜化し、６０
℃、１２０秒窒素中で乾燥させ、フィルムを作成した。
得られたフィルムを半導体フリップチップボンディング
用電極パッドを有するガラスビスマレイミドトリアジン
多層基板上に置き、その上からシリコンを基体とする電
極バンプを有する半導体ベアチップ（１００μｍピッ
チ、３６０ピン：）を１９０℃×５秒間加熱、圧着し
て、チップバンプと基板パッドを接合するのと同時に接
合部分を封止した。フィルムを１７０℃、４時間加熱し
て完全硬化した後、温度サイクル試験（ＴＣＴ）、およ
びプレッシャークッカー試験における不良発生の有無を
調べた。評価結果はいずれの試料も優れた結果を示し、
不良率は２％以下であった。

【００８６】（実施例８）配線パターン及びリードを有
するポリイミドキャリアフィルムに、実施例１同様の半
導体ベアチップがＴＡＢ実装されたテープキャリアパッ
ケージにおいて、該キャリアフィルムで枠が形成された
半導体チップ面上に、チップ電極とキャリアフィルムリ
ードの接続部分を覆うように、実施例１で得られた、ポ
リマー（Ａ）を使用した液状封止材料を塗布して８０℃
×１時間窒素中で乾燥させ、厚さ７０μｍのコート膜を
形成した。形成されたコート膜を１７０℃、４時間加熱
して完全硬化した後、温度サイクル試験（ＴＣＴ）、お
よびプレッシャークッカー試験における不良発生の有無
を調べた。評価結果はいずれの試料も優れた結果を示
し、不良率は２％以下であった。

【００８７】（比較例１）封止材料成分の主剤として、
ビスフェノールＦ型エポキシ樹脂を用い、これに２−エ
チル−４−メチルイミダゾールを５部添加し、さらに難
燃剤として臭素化ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂（Ｅ
ＰＩ１５２：大日本インキ化学工業株式会社製）２０
部、難燃助剤としてＳｂ₂Ｏ₃を１０部、充填剤として溶
融シリカ４００部、その他配合剤としてカルバナワック
ス２部、カーボンブラック１．５部を加えて液状半導体
封止材料を作成した。得られた溶液をスピンコーターを
用いて厚さ３ｍｍのテフロン板上で７０μｍに薄膜化
し、６０℃、１００秒間反応させて一部硬化させて、タ
ックフリーなフィルムを作成した。得られたフィルムを
実施例１同様の多層基板上に置き、その上からシリコン
を基体とする電極バンプを有する半導体ベアチップ（１
００μｍピッチ、３６０ピン：）を１９０℃×５秒間加
熱、圧着して、チップバンプと基板パッドを接合するの
と同時に接合部分を封止した。フィルムを１２０℃、３
時間加熱して完全硬化した後、温度サイクル試験（ＴＣ
Ｔ）、およびプレッシャークッカー試験における不良発
生の有無を調べた。評価の結果、不良率はそれぞれ３０
％、３５％になった。

【００８８】（比較例２）比較例１で使用した液状封止
剤を使用して、実施例８同様にテープキャリアーパッケ
ージの電極接合部分を封止して、コート膜を１２０℃、
３時間で完全硬化させた後、温度サイクル試験、プレッ
シャークッカー試験を実施したが、不良率はそれぞれ３
０％、３５％になった。

【００８９】

【発明の効果】本発明によれば、機械強度、低吸水性に
優れた、半導体チップと実装基板との間の封止材料が提
供される。さらに本発明によれば、かかる封止材料を用
いて半導体チップと実装基板間を封止することにより高
度に信頼性のある半導体パッケージが得られる。本発明
の封止材料は、電気・電子機器分野において特に高速
性、高信頼性の要求される半導体パッケージ用封止材料
などとして、広範な分野において有用である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/31

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 環構造を有する繰り返し単位を含有する
   環構造含有重合体を含んでなる半導体チップと実装基板
   間の封止材料。
2. 【請求項２】 環構造含有重合体が、環状オレフィン系
   重合体または主鎖中に芳香環の繰返し単位を有する芳香
   族縮合系重合体である請求項１記載の封止材料。
3. 【請求項３】 環構造含有重合体が官能基を含有するも
   のである請求項１または２記載の封止材料。
4. 【請求項４】 さらに硬化剤を含有してなる請求項１乃
   至３いずれか記載の封止材料。
5. 【請求項５】 溶液型またはフィルムである請求項１乃
   至４いずれか記載の封止材料。
6. 【請求項６】 請求項１乃至５いずれかに記載の封止材
   料で半導体チップと実装基板の間が封止された半導体パ
   ッケージ。
7. 【請求項７】 実装基板に半導体チップを接合後、溶液
   型である請求項５記載の封止材料を接合部分を覆うよう
   に塗布し、溶媒を除去乾燥して半導体パッケージを製造
   する方法。
8. 【請求項８】 実装基板上にフィルムである請求項５記
   載の封止材料を積層し、次いでフィルム上に半導体チッ
   プを積層し、加熱溶融圧着して実装基板と半導体チップ
   とを接合して半導体パッケージを製造する方法。