JPH1186231A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
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- JPH1186231A JPH1186231A JP25422997A JP25422997A JPH1186231A JP H1186231 A JPH1186231 A JP H1186231A JP 25422997 A JP25422997 A JP 25422997A JP 25422997 A JP25422997 A JP 25422997A JP H1186231 A JPH1186231 A JP H1186231A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来技術のように、スライダに凸形状の丘等
を設けることなく、サーマル・アスペリティを確実に低
減することのできる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供す
る。 【解決手段】 本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、
磁気抵抗効果型素子の両側にそれぞれ非磁性絶縁層を介
してシールド磁性層が設けられた磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドにおいて、前記非磁性絶縁層のうち少なくとも一方
は、その熱伝導率が３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを
特徴とする。
を設けることなく、サーマル・アスペリティを確実に低
減することのできる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供す
る。 【解決手段】 本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、
磁気抵抗効果型素子の両側にそれぞれ非磁性絶縁層を介
してシールド磁性層が設けられた磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドにおいて、前記非磁性絶縁層のうち少なくとも一方
は、その熱伝導率が３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であることを
特徴とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド、特に磁気ディスク装置に用いられる磁気抵抗効果
型磁気ヘッドに関する。
ッド、特に磁気ディスク装置に用いられる磁気抵抗効果
型磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、磁気センサの高感度化や磁気記録
における高密度化が進められており、これに伴い磁気抵
抗変化を用いた磁気抵抗効果型センサ（以下ＭＲセン
サ）や磁気抵抗効果型ヘッド（以下ＭＲヘッド）の開発
が盛んに進められている。ＭＲセンサもＭＲヘッドも、
磁性材料を用いた磁場検出部の電気抵抗変化により、外
部信号を読み出すものである。記録媒体の小型化によ
り、従来のインダクティブヘッドによる情報読み出しで
は、媒体とヘッドの相対速度の低下によりヘッド出力が
低下してしまうが、ＭＲヘッドでは記録媒体との相対速
度により再生出力が依存しないため、高密度磁気記録で
も高い出力が得られるという特徴を有する。
における高密度化が進められており、これに伴い磁気抵
抗変化を用いた磁気抵抗効果型センサ（以下ＭＲセン
サ）や磁気抵抗効果型ヘッド（以下ＭＲヘッド）の開発
が盛んに進められている。ＭＲセンサもＭＲヘッドも、
磁性材料を用いた磁場検出部の電気抵抗変化により、外
部信号を読み出すものである。記録媒体の小型化によ
り、従来のインダクティブヘッドによる情報読み出しで
は、媒体とヘッドの相対速度の低下によりヘッド出力が
低下してしまうが、ＭＲヘッドでは記録媒体との相対速
度により再生出力が依存しないため、高密度磁気記録で
も高い出力が得られるという特徴を有する。
【０００３】磁気ディスク装置においては、この磁気抵
抗効果型磁気ヘッドを浮上型として用いている。このよ
うな磁気ディスク装置において、磁気ディスクに記録さ
れた磁気情報を再生する際に、磁気ヘッドのエアベアリ
ング面（ＡＢＳ面）が、磁気ディスク面に存在するバン
プと呼ばれる微小な凹凸に衝突した場合、その衝突に伴
う発熱により、ＭＲ素子にサーマル・アスペリティ（以
下、ＴＡと略する）と称される熱ノイズが発生するとい
う問題がある。
抗効果型磁気ヘッドを浮上型として用いている。このよ
うな磁気ディスク装置において、磁気ディスクに記録さ
れた磁気情報を再生する際に、磁気ヘッドのエアベアリ
ング面（ＡＢＳ面）が、磁気ディスク面に存在するバン
プと呼ばれる微小な凹凸に衝突した場合、その衝突に伴
う発熱により、ＭＲ素子にサーマル・アスペリティ（以
下、ＴＡと略する）と称される熱ノイズが発生するとい
う問題がある。
【０００４】このような問題を解決するため、特開平８
−２８７４４４号公報では、ＭＲ素子を取り付けるスラ
イダに凸状の丘等の加工を施して、上記ＭＲ素子のトラ
ック幅部が磁気ディスク表面に接触するのを防止して、
上記ＴＡを防止する技術が開示されている。
−２８７４４４号公報では、ＭＲ素子を取り付けるスラ
イダに凸状の丘等の加工を施して、上記ＭＲ素子のトラ
ック幅部が磁気ディスク表面に接触するのを防止して、
上記ＴＡを防止する技術が開示されている。
【０００５】しかしながら、磁気抵抗効果型磁気ヘッド
に用いられるスライダは、たかだか縦１．２５mm×横
１．００mm×高さ０．３mm程度の大きさであり、加工が
困難であり、しかも加工部分が破損し易くなるという問
題がある。
に用いられるスライダは、たかだか縦１．２５mm×横
１．００mm×高さ０．３mm程度の大きさであり、加工が
困難であり、しかも加工部分が破損し易くなるという問
題がある。
【０００６】また、スライダの加工部分には、ほこり等
の異物が侵入した際除去し難いという問題がある。
の異物が侵入した際除去し難いという問題がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、上
記従来技術のように、スライダに凸形状の丘等を設ける
ことなく、上記ＴＡを確実に低減することのできる磁気
抵抗効果型磁気ヘッドを提供することを目的とする。
記従来技術のように、スライダに凸形状の丘等を設ける
ことなく、上記ＴＡを確実に低減することのできる磁気
抵抗効果型磁気ヘッドを提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的は、以下の本
発明（１）〜（２）により達成される。 （１） 磁気抵抗効果型素子の両側にそれぞれ非磁性絶
縁層を介してシールド磁性層が設けられた磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、前記非磁性絶縁層のうち少なく
とも一方は、その熱伝導率が３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であ
ることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 （２） 前記熱伝導率３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の非磁性絶
縁層が、水素濃度２６％以下のダイアモンドライクカー
ボン膜で形成されている上記（１）の磁気抵抗効果型磁
気ヘッド。
発明（１）〜（２）により達成される。 （１） 磁気抵抗効果型素子の両側にそれぞれ非磁性絶
縁層を介してシールド磁性層が設けられた磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、前記非磁性絶縁層のうち少なく
とも一方は、その熱伝導率が３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上であ
ることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 （２） 前記熱伝導率３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の非磁性絶
縁層が、水素濃度２６％以下のダイアモンドライクカー
ボン膜で形成されている上記（１）の磁気抵抗効果型磁
気ヘッド。
【０００９】
【発明の作用・効果】本発明によれば、磁気抵抗効果型
磁気ヘッドの磁気抵抗効果型素子に隣接して設けられる
非磁性絶縁層の熱伝導率を３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上とした
ことにより、ＴＡのピークを低減することができるとと
もに、ＴＡの減衰時間を短縮することができるため、補
正用の電気回路の負担を減らし小型化することができ、
磁気情報の高速化を図ることができる。
磁気ヘッドの磁気抵抗効果型素子に隣接して設けられる
非磁性絶縁層の熱伝導率を３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上とした
ことにより、ＴＡのピークを低減することができるとと
もに、ＴＡの減衰時間を短縮することができるため、補
正用の電気回路の負担を減らし小型化することができ、
磁気情報の高速化を図ることができる。
【００１０】なお、特開平６−２２３３３１号公報に
は、絶縁層を熱伝導率の高いシリコンやダイヤモンドラ
イクカーボン（以下ＤＬＣ）で形成し、ＭＲ素子層に生
じた熱を放熱し、ＭＲ素子層の温度上昇を防止する技術
が開示されている。しかし、この従来技術は、ＭＲ素子
層に流されるセンス電流により生ずるジュール熱により
ＭＲ素子層が破壊することを防止することを課題とし、
本発明とは課題を全く異にする。実際、上記公開公報の
表１からも分かるように、この従来技術で用いられてい
る絶縁層の材料の熱伝導率は最高でも２４０Ｗ／ｍ・Ｋ
であり、これは上記のジュール熱による問題を解消する
には充分かも知れないが、本発明の課題であるＴＡノイ
ズの対策用としては不十分である。
は、絶縁層を熱伝導率の高いシリコンやダイヤモンドラ
イクカーボン（以下ＤＬＣ）で形成し、ＭＲ素子層に生
じた熱を放熱し、ＭＲ素子層の温度上昇を防止する技術
が開示されている。しかし、この従来技術は、ＭＲ素子
層に流されるセンス電流により生ずるジュール熱により
ＭＲ素子層が破壊することを防止することを課題とし、
本発明とは課題を全く異にする。実際、上記公開公報の
表１からも分かるように、この従来技術で用いられてい
る絶縁層の材料の熱伝導率は最高でも２４０Ｗ／ｍ・Ｋ
であり、これは上記のジュール熱による問題を解消する
には充分かも知れないが、本発明の課題であるＴＡノイ
ズの対策用としては不十分である。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的構成につい
て詳細に説明する。図１に本発明の好ましい構造の磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの一例を概略平面図で示す。
て詳細に説明する。図１に本発明の好ましい構造の磁気
抵抗効果型磁気ヘッドの一例を概略平面図で示す。
【００１２】この図において、磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ドＨは、再生部ＲにＭＲ素子１を有し、このＭＲ素子１
の両端には、電極２ａ、２ｂが接続されている。上記Ｍ
Ｒ素子１および電極２ａ、２ｂの両側には、それぞれ非
磁性絶縁層３ａ、３ｂが形成され、これらの非磁性絶縁
層３ａ、３ｂ上にはそれぞれシールド磁性層４ａ、４ｂ
が形成されている。以上の再生部Ｒは、下地層５を介し
て基板６上に形成されている。一方、記録部Ｗは、再生
部Ｒ上に設けられた非磁性絶縁層９に埋め込まれた記録
磁極８を有している。なお、図中、符号７はリードギャ
ップを示す。
ドＨは、再生部ＲにＭＲ素子１を有し、このＭＲ素子１
の両端には、電極２ａ、２ｂが接続されている。上記Ｍ
Ｒ素子１および電極２ａ、２ｂの両側には、それぞれ非
磁性絶縁層３ａ、３ｂが形成され、これらの非磁性絶縁
層３ａ、３ｂ上にはそれぞれシールド磁性層４ａ、４ｂ
が形成されている。以上の再生部Ｒは、下地層５を介し
て基板６上に形成されている。一方、記録部Ｗは、再生
部Ｒ上に設けられた非磁性絶縁層９に埋め込まれた記録
磁極８を有している。なお、図中、符号７はリードギャ
ップを示す。
【００１３】上記ＭＲ素子１は、従来のどのようなタイ
プのＭＲ素子であっても、ＴＡノイズの問題があるの
で、従来構造のいずれのものであってもよい。
プのＭＲ素子であっても、ＴＡノイズの問題があるの
で、従来構造のいずれのものであってもよい。
【００１４】上記電極２ａ、２ｂとしては、銅、タンタ
ル等により、５００〜２０００Ａ程度の膜厚に形成され
る。
ル等により、５００〜２０００Ａ程度の膜厚に形成され
る。
【００１５】上記シールド層４ａ、４ｂは、パーマロ
イ、センダスト、Ｃｏ系アモルファス合金（ＣｏＺｒＮ
ｂ、ＣｏＺｒＭｏ等）、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ等、ま
た上記の材料にＣｒ等を微量添加した場合を含み、１〜
４μm 程度の膜厚に形成される。
イ、センダスト、Ｃｏ系アモルファス合金（ＣｏＺｒＮ
ｂ、ＣｏＺｒＭｏ等）、ＦｅＺｒＮ、ＦｅＴａＮ等、ま
た上記の材料にＣｒ等を微量添加した場合を含み、１〜
４μm 程度の膜厚に形成される。
【００１６】上記下地層５は、アルミナ、ＳｉＯ2、Ｓ
ｉＣ、ＡｌＮ、ＢＮ等により、２〜１５μm 程度の膜厚
に形成される。
ｉＣ、ＡｌＮ、ＢＮ等により、２〜１５μm 程度の膜厚
に形成される。
【００１７】上記基板６は、ＡｌＴｉＣ、アルミナ、Ｓ
ｉＯ2、ＳｉＣ、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮである。
ｉＯ2、ＳｉＣ、Ｓｉ3Ｎ4、ＡｌＮである。
【００１８】記録部については、本発明とは直接関係が
ないのでこれ以上の説明は省略する。
ないのでこれ以上の説明は省略する。
【００１９】再生部の非磁性絶縁層については、後述す
るが、再生部の他の構成層は、上述の代表的例の他、従
来の構成層のいずれをも採用することができる。
るが、再生部の他の構成層は、上述の代表的例の他、従
来の構成層のいずれをも採用することができる。
【００２０】次に、本発明の特徴部分である非磁性絶縁
層３ａ、３ｂについて詳細に説明する。
層３ａ、３ｂについて詳細に説明する。
【００２１】本発明においては、上記非磁性絶縁層３
ａ、３ｂのうち少なくとも一方、好ましくは、少なくと
も基板側を、熱伝導率が３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の材料で
形成する。この熱伝導率は高ければ高いほど望ましい。
ａ、３ｂのうち少なくとも一方、好ましくは、少なくと
も基板側を、熱伝導率が３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の材料で
形成する。この熱伝導率は高ければ高いほど望ましい。
【００２２】上記非磁性絶縁層３ａ、３ｂは、その厚さ
が５０〜１５０Ａ程度に設定される。
が５０〜１５０Ａ程度に設定される。
【００２３】上記非磁性絶縁層３ａ、３ｂの熱伝導率を
上記のように３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上に設定した理由を以
下述べる。
上記のように３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上に設定した理由を以
下述べる。
【００２４】まず、実験用として、次のようなＭＲヘッ
ドを作製した。
ドを作製した。
【００２５】ＡｌＴｉＣ基板６上に下地層５としてアル
ミナ膜を成膜し、その上にパーマロイＮｉＦｅの下部シ
ールド４ａを成膜した後、非磁性絶縁層３ａとして、熱
伝導率が３．５Ｗ／ｍ・Ｋの物質アルミナを成膜し、そ
の上にＮｉＦｅのＭＲ膜とＴａからなるシャントバイア
ス膜とソフトバイアス膜を積層し、所定の形状に加工し
たＭＲ素子１、その両端にＴａの電極２ａ、２ｂを成膜
し、その上に上記と同じＤＬＣで非磁性絶縁層３ｂを成
膜し、さらにその上にセンダストＦｅＡｌＳｉの上部シ
ールド４ｂを成膜してＭＲヘッドを作製した。
ミナ膜を成膜し、その上にパーマロイＮｉＦｅの下部シ
ールド４ａを成膜した後、非磁性絶縁層３ａとして、熱
伝導率が３．５Ｗ／ｍ・Ｋの物質アルミナを成膜し、そ
の上にＮｉＦｅのＭＲ膜とＴａからなるシャントバイア
ス膜とソフトバイアス膜を積層し、所定の形状に加工し
たＭＲ素子１、その両端にＴａの電極２ａ、２ｂを成膜
し、その上に上記と同じＤＬＣで非磁性絶縁層３ｂを成
膜し、さらにその上にセンダストＦｅＡｌＳｉの上部シ
ールド４ｂを成膜してＭＲヘッドを作製した。
【００２６】実験に用いたＭＲヘッドのディメンション
を下記する。 ＭＲ−ｈ（素子高さ） ＝２．０μｍ Ｔｗ（トラック幅） ＝２．０μｍ リードギャップ長 ＝０．２７μｍ
を下記する。 ＭＲ−ｈ（素子高さ） ＝２．０μｍ Ｔｗ（トラック幅） ＝２．０μｍ リードギャップ長 ＝０．２７μｍ
【００２７】実験では、アルミ基板に高さ４９ｎｍのバ
ンプを加工したディスクを用いた。ディスク速度ｖ＝１
０ｍ／ｓ、浮上量５１ｎｍで、ＭＲヘッドのＡＢＳにデ
ィスクバンプを衝突させた。計算では、ＭＲヘッドスラ
イダのＡＢＳ面にディスクバンプが衝突し、摩擦により
式（１）の熱量が発生したものと仮定した。 式（１） ｑ＝ｆＮｖ／Ａ ここで、ｑは発熱量（Ｗ／μｍ2 ）、ディスクバンプと
ＡＢＳとの動摩擦係数ｆ＝０．２、加重Ｎ＝１．５ｇ
Ｗ、ディスク線速度ｖ＝１０ｍ／ｓ、接触面積Ａ＝４μ
ｍ2 とした。熱量は、２μｍ角の正方形に、時間ｔ＝２
０ｎｓｅｃで均等に与えた。
ンプを加工したディスクを用いた。ディスク速度ｖ＝１
０ｍ／ｓ、浮上量５１ｎｍで、ＭＲヘッドのＡＢＳにデ
ィスクバンプを衝突させた。計算では、ＭＲヘッドスラ
イダのＡＢＳ面にディスクバンプが衝突し、摩擦により
式（１）の熱量が発生したものと仮定した。 式（１） ｑ＝ｆＮｖ／Ａ ここで、ｑは発熱量（Ｗ／μｍ2 ）、ディスクバンプと
ＡＢＳとの動摩擦係数ｆ＝０．２、加重Ｎ＝１．５ｇ
Ｗ、ディスク線速度ｖ＝１０ｍ／ｓ、接触面積Ａ＝４μ
ｍ2 とした。熱量は、２μｍ角の正方形に、時間ｔ＝２
０ｎｓｅｃで均等に与えた。
【００２８】そして、この計算によりＭＲ素子の温度の
時間変化を求め、この温度変化からＴＡの時間変化を求
めたところ、実測値と良く合っていた。
時間変化を求め、この温度変化からＴＡの時間変化を求
めたところ、実測値と良く合っていた。
【００２９】そこで、計算により上記ＭＲヘッドの非磁
性絶縁層３ａ、３ｂを、アルミナ薄膜の熱伝導率（３．
５Ｗ／ｍ・Ｋ）を１に規格化し、その４倍、１０倍、１
９倍、３８倍、１００倍および１０００倍の熱伝導率を
有する材料で形成したとして、それぞれのＭＲ素子の温
度の増分ΔＴ、ＴＡノイズ（ＴＡ／信号）の最大値を下
記表１に示した。
性絶縁層３ａ、３ｂを、アルミナ薄膜の熱伝導率（３．
５Ｗ／ｍ・Ｋ）を１に規格化し、その４倍、１０倍、１
９倍、３８倍、１００倍および１０００倍の熱伝導率を
有する材料で形成したとして、それぞれのＭＲ素子の温
度の増分ΔＴ、ＴＡノイズ（ＴＡ／信号）の最大値を下
記表１に示した。
【００３０】
【表１】
【００３１】そして、ＴＡノイズ（ＴＡ／信号）の時間
変化を図２のグラフに示した。なお、図２には、規格化
された熱伝導率で１、１０、１００および１０００のも
ののみ示した。そして、このグラフ等からＴＡノイズの
半値幅ｔ1/2 を求めた。この半値幅ｔ1/2 とは、図３に
示したように、ＴＡノイズ発生時から、ＴＡノイズが最
高値の半値になるまでの時間をいう。非磁性絶縁層３
ａ、３ｂが上記各熱伝導率における半値幅ｔ1/2 を、上
記表１および図４のグラフに示した。この半値幅ｔ1/2
は、上記の補正回路に次のような重大な影響を及ぼす。
変化を図２のグラフに示した。なお、図２には、規格化
された熱伝導率で１、１０、１００および１０００のも
ののみ示した。そして、このグラフ等からＴＡノイズの
半値幅ｔ1/2 を求めた。この半値幅ｔ1/2 とは、図３に
示したように、ＴＡノイズ発生時から、ＴＡノイズが最
高値の半値になるまでの時間をいう。非磁性絶縁層３
ａ、３ｂが上記各熱伝導率における半値幅ｔ1/2 を、上
記表１および図４のグラフに示した。この半値幅ｔ1/2
は、上記の補正回路に次のような重大な影響を及ぼす。
【００３２】ＴＡノイズが発生すると、再生を一時停止
し、信号をバッファに一時記憶し、ＴＡノイズを含んだ
再生信号に２００〜５００ＭＨｚの高周波のハイパスフ
ィルターをかけ信号からＴＡノイズのみを取り出し、こ
れと元のＴＡノイズを含んだ再生信号との差をとり補正
する。そこで、半値幅ｔ1/2が小さければ、補正時間が
短くなる。また、信号補正用のバッファの容量を小さく
できる。
し、信号をバッファに一時記憶し、ＴＡノイズを含んだ
再生信号に２００〜５００ＭＨｚの高周波のハイパスフ
ィルターをかけ信号からＴＡノイズのみを取り出し、こ
れと元のＴＡノイズを含んだ再生信号との差をとり補正
する。そこで、半値幅ｔ1/2が小さければ、補正時間が
短くなる。また、信号補正用のバッファの容量を小さく
できる。
【００３３】上記図４を検討したところ、非磁性絶縁層
３ａ、３ｂの熱伝導率がアルミナ薄膜の１００倍程度に
なると、上記半値幅ｔ1/2が急激に小さくなり、その後
は僅かに小さくなることが判明した。
３ａ、３ｂの熱伝導率がアルミナ薄膜の１００倍程度に
なると、上記半値幅ｔ1/2が急激に小さくなり、その後
は僅かに小さくなることが判明した。
【００３４】そこで、本発明においては、非磁性絶縁層
３ａ、３ｂの材料をアルミナ薄膜の熱伝導率の１００倍
程度以上とし、すなわち熱伝導率が３００Ｗ／ｍ・Ｋ以
上の材料を用いることとし、これにより上記要求を満た
すこととした。
３ａ、３ｂの材料をアルミナ薄膜の熱伝導率の１００倍
程度以上とし、すなわち熱伝導率が３００Ｗ／ｍ・Ｋ以
上の材料を用いることとし、これにより上記要求を満た
すこととした。
【００３５】具体的には、熱伝導率が３００Ｗ／ｍ・Ｋ
以上を示す材料としては、ＤＬＣが挙げられる。しか
も、このＤＬＣのなかでも、水素濃度３０％を超えるＤ
ＬＣにあっては、熱伝導率が２５０Ｗ／ｍ・Ｋ程度以下
しか示さず、このようなＤＬＣは本発明でも用いること
ができない。
以上を示す材料としては、ＤＬＣが挙げられる。しか
も、このＤＬＣのなかでも、水素濃度３０％を超えるＤ
ＬＣにあっては、熱伝導率が２５０Ｗ／ｍ・Ｋ程度以下
しか示さず、このようなＤＬＣは本発明でも用いること
ができない。
【００３６】ＤＬＣにおける水素濃度と熱伝導率との関
係を調べたところ、表２に示すとおりであった。水素濃
度は、水素前方散乱分析（ＨＦＳ）で測定した。
係を調べたところ、表２に示すとおりであった。水素濃
度は、水素前方散乱分析（ＨＦＳ）で測定した。
【００３７】
【表２】
【００３８】以上のように本発明の磁気抵抗効果型磁気
ヘッドにおいては、リードギャップ材として用いられる
非磁性絶縁層の熱伝導率を３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上とした
ので、補正回路に多大な負荷をかけることなく、良好な
再生出力を得ることができる。
ヘッドにおいては、リードギャップ材として用いられる
非磁性絶縁層の熱伝導率を３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上とした
ので、補正回路に多大な負荷をかけることなく、良好な
再生出力を得ることができる。
【００３９】
【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示し、本発明
をさらに詳細に説明する。ＡｌＴｉＣ基板６上に下地層
５としてアルミナ膜を成膜し、その上にパーマロイＮｉ
Ｆｅの下部シールド４ａ（厚さ２．５μm ）を成膜した
後、非磁性絶縁層３ａとして、バイアス電圧をかけたプ
ラズマＣＶＤにより熱伝導率が３００Ｗ／ｍ・Ｋの物質
ＤＬＣを成膜し（厚さ０．１２μm ）、その上にＮｉＦ
ｅのＭＲ膜とＴａからなるシャントバイアス膜とソフト
バイアス膜を積層し、所定の形状に加工したＭＲ素子
（３３０Ａ）、その両端にＴａの電極２ａ、２ｂを成膜
し、その上に上記と同じＤＬＣで非磁性絶縁層３ｂ（厚
さ０．１２μm ）を成膜し、さらにその上にセンダスト
ＦｅＡｌＳｉの上部シールド４ｂ（厚さ３．５μm ）を
成膜してＭＲヘッドを作製した。
をさらに詳細に説明する。ＡｌＴｉＣ基板６上に下地層
５としてアルミナ膜を成膜し、その上にパーマロイＮｉ
Ｆｅの下部シールド４ａ（厚さ２．５μm ）を成膜した
後、非磁性絶縁層３ａとして、バイアス電圧をかけたプ
ラズマＣＶＤにより熱伝導率が３００Ｗ／ｍ・Ｋの物質
ＤＬＣを成膜し（厚さ０．１２μm ）、その上にＮｉＦ
ｅのＭＲ膜とＴａからなるシャントバイアス膜とソフト
バイアス膜を積層し、所定の形状に加工したＭＲ素子
（３３０Ａ）、その両端にＴａの電極２ａ、２ｂを成膜
し、その上に上記と同じＤＬＣで非磁性絶縁層３ｂ（厚
さ０．１２μm ）を成膜し、さらにその上にセンダスト
ＦｅＡｌＳｉの上部シールド４ｂ（厚さ３．５μm ）を
成膜してＭＲヘッドを作製した。
【００４０】他の条件は、上記のリードギャップの非磁
性絶縁層にアルミナを用いた際の実験の条件と同じにし
て、ＴＡノイズの最大値および半値幅ｔ1/2 を測定した
ところ、実測値で、それぞれ１．９、０．２μsecであ
り、本発明の効果が確認できた。
性絶縁層にアルミナを用いた際の実験の条件と同じにし
て、ＴＡノイズの最大値および半値幅ｔ1/2 を測定した
ところ、実測値で、それぞれ１．９、０．２μsecであ
り、本発明の効果が確認できた。
【図１】本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの層構成の
一例を示す概略平面図である。
一例を示す概略平面図である。
【図２】リードギャップの非磁性絶縁層の熱伝導率を種
々変化させた場合のＴＡノイズの時間変化を示すグラフ
図である。
々変化させた場合のＴＡノイズの時間変化を示すグラフ
図である。
【図３】ＴＡノイズの半値幅ｔ1/2 を説明するためのグ
ラフ図である。
ラフ図である。
【図４】リードギャップの非磁性絶縁層の熱伝導率を種
々変化させた場合のＴＡノイズの半値幅ｔ1/2 の変化の
状態を示すグラフ図である。
々変化させた場合のＴＡノイズの半値幅ｔ1/2 の変化の
状態を示すグラフ図である。
Ｈ 磁気抵抗効果型磁気ヘッド １ ＭＲ素子 ２ａ 電極 ２ｂ 電極 ３ａ 非磁性絶縁層 ３ｂ 非磁性絶縁層 ４ａ シールド磁性層 ４ｂ シールド磁性層 ５ 下地層 ６ 基板 ７ リードギャップ ８ 記録磁極 ９ 非磁性絶縁層
Claims (2)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果型素子の両側にそれぞれ非
磁性絶縁層を介してシールド磁性層が設けられた磁気抵
抗効果型磁気ヘッドにおいて、前記非磁性絶縁層のうち
少なくとも一方は、その熱伝導率が３００Ｗ／ｍ・Ｋ以
上であることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項２】 前記熱伝導率３００Ｗ／ｍ・Ｋ以上の非
磁性絶縁層が、水素濃度２６％以下のダイアモンドライ
クカーボン膜で形成されている請求項１の磁気抵抗効果
型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25422997A JPH1186231A (ja) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25422997A JPH1186231A (ja) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1186231A true JPH1186231A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17262065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25422997A Pending JPH1186231A (ja) | 1997-09-03 | 1997-09-03 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1186231A (ja) |
-
1997
- 1997-09-03 JP JP25422997A patent/JPH1186231A/ja active Pending
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Legal Events
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