JPH1187326A - 気相成長装置 - Google Patents
気相成長装置Info
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- JPH1187326A JPH1187326A JP26502697A JP26502697A JPH1187326A JP H1187326 A JPH1187326 A JP H1187326A JP 26502697 A JP26502697 A JP 26502697A JP 26502697 A JP26502697 A JP 26502697A JP H1187326 A JPH1187326 A JP H1187326A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 成膜処理に伴う付着物の堆積による影響を排
除して、高品質の成膜処理を稼働率を落とすことなく安
定に行うことができる気相成長装置を提供する。 【解決手段】 気密な成膜室１０を備え、成膜室１０内
において加熱・保持された基板Ｗに向けて成膜原料ガス
を噴射し、基板Ｗ上に成膜を行なう気相成長装置におい
て、成膜室１０と気密な通路を介して連絡された洗浄室
２４と、成膜室１０から所定の部品を洗浄室２４に搬送
する搬送装置とを有する。
除して、高品質の成膜処理を稼働率を落とすことなく安
定に行うことができる気相成長装置を提供する。 【解決手段】 気密な成膜室１０を備え、成膜室１０内
において加熱・保持された基板Ｗに向けて成膜原料ガス
を噴射し、基板Ｗ上に成膜を行なう気相成長装置におい
て、成膜室１０と気密な通路を介して連絡された洗浄室
２４と、成膜室１０から所定の部品を洗浄室２４に搬送
する搬送装置とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は気相成長装置に係
り、特に、チタン酸バリウム／ストロンチウム等の高誘
電体又は強誘電体薄膜を基板上に気相成長させる気相成
長装置に関する。
り、特に、チタン酸バリウム／ストロンチウム等の高誘
電体又は強誘電体薄膜を基板上に気相成長させる気相成
長装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体産業における集積回路の集
積度の向上はめざましく、現状のメガビットオーダか
ら、将来のギガビットオーダを睨んだＤＲＡＭの研究開
発が行われている。かかるＤＲＡＭの製造のためには、
小さな面積で大容量が得られるキャパシタ素子が必要で
ある。このような大容量素子の製造に用いる誘電体薄膜
として、誘電率が１０以下であるシリコン酸化膜やシリ
コン窒化膜に替えて、誘電率が２０程度である五酸化タ
ンタル(Ｔa2Ｏ5)薄膜、あるいは誘電率が３００程度で
あるチタン酸バリウム(ＢaＴiＯ3)、チタン酸ストロン
チウム(ＳrＴiＯ3)又はこれらの混合物であるチタン酸
バリウムストロンチウム等の金属酸化物薄膜材料が有望
視されている。
積度の向上はめざましく、現状のメガビットオーダか
ら、将来のギガビットオーダを睨んだＤＲＡＭの研究開
発が行われている。かかるＤＲＡＭの製造のためには、
小さな面積で大容量が得られるキャパシタ素子が必要で
ある。このような大容量素子の製造に用いる誘電体薄膜
として、誘電率が１０以下であるシリコン酸化膜やシリ
コン窒化膜に替えて、誘電率が２０程度である五酸化タ
ンタル(Ｔa2Ｏ5)薄膜、あるいは誘電率が３００程度で
あるチタン酸バリウム(ＢaＴiＯ3)、チタン酸ストロン
チウム(ＳrＴiＯ3)又はこれらの混合物であるチタン酸
バリウムストロンチウム等の金属酸化物薄膜材料が有望
視されている。
【０００３】このような金属酸化物薄膜を基板上に気相
成長させる際には、図６に示すように、気密な成膜室１
０の内部に配置したサセプタ（加熱保持部）１２上に基
板Ｗを載置し、このサセプタ１２の内部に内蔵されたヒ
ータ等の加熱手段１４によって基板Ｗを所定温度に加熱
しつつ、成膜室１０の内部に設置したシャワヘッド（原
料噴射ノズル）１６から原料ガスと反応ガス（酸素含有
ガス）との混合ガスを基板Ｗに向けて噴射するようにし
ている。
成長させる際には、図６に示すように、気密な成膜室１
０の内部に配置したサセプタ（加熱保持部）１２上に基
板Ｗを載置し、このサセプタ１２の内部に内蔵されたヒ
ータ等の加熱手段１４によって基板Ｗを所定温度に加熱
しつつ、成膜室１０の内部に設置したシャワヘッド（原
料噴射ノズル）１６から原料ガスと反応ガス（酸素含有
ガス）との混合ガスを基板Ｗに向けて噴射するようにし
ている。
【０００４】このような成膜過程においては、成膜が基
板Ｗのみでなく、サセプタ１２の上面のような周辺部分
にも付着してしまう。このような付着物はパーティクル
の発生や基板Ｗの汚れに繋がり、また、付着物が基板Ｗ
とサセプタ１２の間に隙間を形成し、伝熱を不均一にす
る結果、成膜が不均一になってしまう。
板Ｗのみでなく、サセプタ１２の上面のような周辺部分
にも付着してしまう。このような付着物はパーティクル
の発生や基板Ｗの汚れに繋がり、また、付着物が基板Ｗ
とサセプタ１２の間に隙間を形成し、伝熱を不均一にす
る結果、成膜が不均一になってしまう。
【０００５】これを防止するために、同図に示すよう
に、基板Ｗの外形より僅かに大きな内形を有する中空円
板状の防着板１８でサセプタ１２の外周縁部を覆い、こ
れによって、サセプタ１２の上面への成膜原料の付着を
防止することも行われている。
に、基板Ｗの外形より僅かに大きな内形を有する中空円
板状の防着板１８でサセプタ１２の外周縁部を覆い、こ
れによって、サセプタ１２の上面への成膜原料の付着を
防止することも行われている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例にあっては、基板Ｗと防着板１８の間に公差や誤差
があるため、基板Ｗの外周面と防着板１８の内周面との
間に隙間Ｓが生じ、この隙間Ｓの内部に成膜原料ガスの
付着物が堆積することを防止することができなかった。
来例にあっては、基板Ｗと防着板１８の間に公差や誤差
があるため、基板Ｗの外周面と防着板１８の内周面との
間に隙間Ｓが生じ、この隙間Ｓの内部に成膜原料ガスの
付着物が堆積することを防止することができなかった。
【０００７】処理の終わった成膜室１０を何らかの反応
ガスで処理したり高度の真空に曝して付着物を昇華させ
ることが可能であれば、付着物の除去を容易に行うこと
ができるが、例えば、Ｂａ，Ｓｒの酸化物あるいはハロ
ゲン化物は沸点が高く、このような方法で除去すること
は困難である。従って、サセプタ１２を洗浄するには、
成膜装置をある程度分解・組立する必要があり、このた
め成膜装置の稼働率はかなり低下してしまう。
ガスで処理したり高度の真空に曝して付着物を昇華させ
ることが可能であれば、付着物の除去を容易に行うこと
ができるが、例えば、Ｂａ，Ｓｒの酸化物あるいはハロ
ゲン化物は沸点が高く、このような方法で除去すること
は困難である。従って、サセプタ１２を洗浄するには、
成膜装置をある程度分解・組立する必要があり、このた
め成膜装置の稼働率はかなり低下してしまう。
【０００８】この発明は上記に鑑み、成膜処理に伴う付
着物の堆積による影響を排除して、高品質の成膜処理を
稼働率を落とすことなく安定に行うことができる気相成
長装置を提供することを目的とする。
着物の堆積による影響を排除して、高品質の成膜処理を
稼働率を落とすことなく安定に行うことができる気相成
長装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載の発明
は、気密な成膜室を備え、該成膜室内において加熱・保
持された基板に向けて成膜原料ガスを噴射し、基板上に
成膜を行なう気相成長装置において、前記成膜室と気密
な通路を介して連絡された洗浄室と、前記成膜室から所
定の部品を前記洗浄室に搬送する搬送装置とを有するこ
とを特徴とする気相成長装置である。
は、気密な成膜室を備え、該成膜室内において加熱・保
持された基板に向けて成膜原料ガスを噴射し、基板上に
成膜を行なう気相成長装置において、前記成膜室と気密
な通路を介して連絡された洗浄室と、前記成膜室から所
定の部品を前記洗浄室に搬送する搬送装置とを有するこ
とを特徴とする気相成長装置である。
【００１０】このように構成された気相成長装置では、
基板保持部材や防着板に付着物が堆積した時には、これ
らの部品を洗浄室に移動して洗浄した後、成膜室に戻し
て用いる。これにより、成膜室の真空系を破壊すること
なく基板保持部材等を洗浄して連続的に成膜処理を行な
うことができる。通路と洗浄室の間には気密な開閉ゲー
トを設け、洗浄室から成膜室への汚染が無いようにす
る。
基板保持部材や防着板に付着物が堆積した時には、これ
らの部品を洗浄室に移動して洗浄した後、成膜室に戻し
て用いる。これにより、成膜室の真空系を破壊すること
なく基板保持部材等を洗浄して連続的に成膜処理を行な
うことができる。通路と洗浄室の間には気密な開閉ゲー
トを設け、洗浄室から成膜室への汚染が無いようにす
る。
【００１１】請求項２に記載の発明は、前記所定の部品
は、成膜室の基板加熱部と前記基板の間に着脱自在に配
置された基板保持部材であることを特徴とする請求項１
に記載の気相成長装置である。
は、成膜室の基板加熱部と前記基板の間に着脱自在に配
置された基板保持部材であることを特徴とする請求項１
に記載の気相成長装置である。
【００１２】請求項３に記載の発明は、前記通路に沿っ
て、基板と前記基板保持部材を着脱する仮置室を設けた
ことを特徴とする請求項２に記載の気相成長装置であ
る。これにより、基板と基板保持部材の着脱を成膜室で
行わないで済むので全体の作業が効率良く行われる。
て、基板と前記基板保持部材を着脱する仮置室を設けた
ことを特徴とする請求項２に記載の気相成長装置であ
る。これにより、基板と基板保持部材の着脱を成膜室で
行わないで済むので全体の作業が効率良く行われる。
【００１３】請求項４に記載の発明は、前記通路に沿っ
て、洗浄後の基板保持部材を保管する保管室を設けたこ
とを特徴とする請求項２に記載の気相成長装置である。
これにより、洗浄工程の際に基板保持部材を交換して成
膜処理を継続することができるので、稼働率が向上す
る。
て、洗浄後の基板保持部材を保管する保管室を設けたこ
とを特徴とする請求項２に記載の気相成長装置である。
これにより、洗浄工程の際に基板保持部材を交換して成
膜処理を継続することができるので、稼働率が向上す
る。
【００１４】請求項５に記載の発明は、気密な成膜室を
備え、該成膜室内において加熱・保持された基板に向け
て成膜原料ガスを噴射し、基板上に成膜を行なう気相成
長装置において、前記成膜室には着脱自在な基板保持部
材が配置され、前記成膜室には、予備の基板保持部材を
保管する保管室が気密な通路を介して連絡されているこ
とを特徴とする気相成長装置である。
備え、該成膜室内において加熱・保持された基板に向け
て成膜原料ガスを噴射し、基板上に成膜を行なう気相成
長装置において、前記成膜室には着脱自在な基板保持部
材が配置され、前記成膜室には、予備の基板保持部材を
保管する保管室が気密な通路を介して連絡されているこ
とを特徴とする気相成長装置である。
【００１５】請求項６に記載の発明は、前記基板保持部
材には、その基板載置面に開口する孔あるいは切欠部が
設けられていることを特徴とする請求項２乃至５のいず
れかに記載の気相成長装置である。これらの孔あるいは
切欠部に突き出しピン等を挿通することにより、基板加
熱部から基板保持部材を移動させることなく、基板のみ
を搬出させることができる。従って、基板保持部材はそ
れが汚れたときのみ取り出すことが可能となり、毎回の
基板保持部材を加熱部に再載置したときの基板保持部材
の加熱時間を省略でき、稼働率を向上させることができ
る。
材には、その基板載置面に開口する孔あるいは切欠部が
設けられていることを特徴とする請求項２乃至５のいず
れかに記載の気相成長装置である。これらの孔あるいは
切欠部に突き出しピン等を挿通することにより、基板加
熱部から基板保持部材を移動させることなく、基板のみ
を搬出させることができる。従って、基板保持部材はそ
れが汚れたときのみ取り出すことが可能となり、毎回の
基板保持部材を加熱部に再載置したときの基板保持部材
の加熱時間を省略でき、稼働率を向上させることができ
る。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は、気相成長装置の全体平面
図を示すもので、これは、成膜室１０、ロード・アンロ
ード室２０、ホルダ仮置室２２及びホルダ洗浄室２４が
ロボット室２６，２７を介して連結されている。第１の
ロボット室２６には基板Ｗ又は基板ホルダ３０の搬送手
段であるロボット２６ａが、第２のロボット室２７には
基板ホルダ３０の搬送手段であるロボット２７ａがそれ
ぞれ配置されている。
を参照して説明する。図１は、気相成長装置の全体平面
図を示すもので、これは、成膜室１０、ロード・アンロ
ード室２０、ホルダ仮置室２２及びホルダ洗浄室２４が
ロボット室２６，２７を介して連結されている。第１の
ロボット室２６には基板Ｗ又は基板ホルダ３０の搬送手
段であるロボット２６ａが、第２のロボット室２７には
基板ホルダ３０の搬送手段であるロボット２７ａがそれ
ぞれ配置されている。
【００１７】成膜室１０の内部には、図２に示すよう
に、加熱手段としてのヒータ１４を内蔵したサセプタ
（加熱プレート）１２が配置され、このサセプタ１２の
上面に、円板状の基板ホルダ３０が分離自在に載置され
ている。この基板ホルダ３０は、例えば石英ガラス等の
耐熱性を有する透明体あるいはＳｉＣや金属等熱伝導性
のよい部材で構成され、サセプタ１２からの輻射及び熱
伝導によってこの上面の基板載置部３２に載置された基
板Ｗが加熱されるようになっている。基板ホルダ３０
は、できるだけ薄い方が熱流束を大きく取る上で輻射の
場合も熱伝導の場合も好ましい。
に、加熱手段としてのヒータ１４を内蔵したサセプタ
（加熱プレート）１２が配置され、このサセプタ１２の
上面に、円板状の基板ホルダ３０が分離自在に載置され
ている。この基板ホルダ３０は、例えば石英ガラス等の
耐熱性を有する透明体あるいはＳｉＣや金属等熱伝導性
のよい部材で構成され、サセプタ１２からの輻射及び熱
伝導によってこの上面の基板載置部３２に載置された基
板Ｗが加熱されるようになっている。基板ホルダ３０
は、できるだけ薄い方が熱流束を大きく取る上で輻射の
場合も熱伝導の場合も好ましい。
【００１８】基板ホルダ３０には、その上面に基板Ｗを
載置保持する平坦な基板載置部３２が設けられ、外周面
には、縁部に突出する係合部３４がその全周に亘って設
けられている。また、基板ホルダ３０には上下に挿通す
る複数の突き出し孔３６が設けられ、一方、サセプタ１
２には上方に突出可能な突き出しピン（図示略）が設け
られ、該突き出しピンを突き出し孔３６に挿通すること
により基板Ｗが基板ホルダ３０から持ち上げられるよう
になっている。
載置保持する平坦な基板載置部３２が設けられ、外周面
には、縁部に突出する係合部３４がその全周に亘って設
けられている。また、基板ホルダ３０には上下に挿通す
る複数の突き出し孔３６が設けられ、一方、サセプタ１
２には上方に突出可能な突き出しピン（図示略）が設け
られ、該突き出しピンを突き出し孔３６に挿通すること
により基板Ｗが基板ホルダ３０から持ち上げられるよう
になっている。
【００１９】ホルダ洗浄室２４は、図５に示すように、
仕切壁５０を介して洗浄乾燥室５２と保管室５４とに上
下に区分され、洗浄乾燥室５２には、薬液噴射ノズル５
６、純水供給ノズル５８、ブラシ付きロール６０及び温
風送風機６２が備えられているとともに、ドレン６４が
接続されている。保管室には、１ないし数枚の洗浄乾燥
の終了した清浄なホルダが常時準備されている。
仕切壁５０を介して洗浄乾燥室５２と保管室５４とに上
下に区分され、洗浄乾燥室５２には、薬液噴射ノズル５
６、純水供給ノズル５８、ブラシ付きロール６０及び温
風送風機６２が備えられているとともに、ドレン６４が
接続されている。保管室には、１ないし数枚の洗浄乾燥
の終了した清浄なホルダが常時準備されている。
【００２０】このような成膜装置においては、成膜室１
０のサセプタ１２の上面に基板ホルダ３０を載置し、図
示しない開閉ゲートを介してロボットハンドにより基板
ホルダ３０の基板載置部３２に基板Ｗを載置する。ヒー
タ１４により基板Ｗを加熱しつつ、成膜原料ガスと反応
ガス、あるいはこれらとキャリアガスの混合ガスをシャ
ワーヘッド１６から基板ホルダ３０に向けて噴射するこ
とによって、基板Ｗの表面に薄膜が形成される。
０のサセプタ１２の上面に基板ホルダ３０を載置し、図
示しない開閉ゲートを介してロボットハンドにより基板
ホルダ３０の基板載置部３２に基板Ｗを載置する。ヒー
タ１４により基板Ｗを加熱しつつ、成膜原料ガスと反応
ガス、あるいはこれらとキャリアガスの混合ガスをシャ
ワーヘッド１６から基板ホルダ３０に向けて噴射するこ
とによって、基板Ｗの表面に薄膜が形成される。
【００２１】基板Ｗの成膜処理が終わると、サセプタ１
２が降下し、所定の取り出し位置において図示しない突
き出し機構により基板Ｗがホルダ３０より持ち上げられ
る。持ち上げられた基板Ｗとホルダ３０の隙間にロボッ
ト２６ａのアームが進入して基板Ｗを成膜室１０から取
り出し、ロード・アンロード室２０に搬送し、逆の工程
で新たな基板Ｗが成膜室１０へ移送される。
２が降下し、所定の取り出し位置において図示しない突
き出し機構により基板Ｗがホルダ３０より持ち上げられ
る。持ち上げられた基板Ｗとホルダ３０の隙間にロボッ
ト２６ａのアームが進入して基板Ｗを成膜室１０から取
り出し、ロード・アンロード室２０に搬送し、逆の工程
で新たな基板Ｗが成膜室１０へ移送される。
【００２２】所定回数の成膜処理が終わると基板ホルダ
３０の洗浄工程が以下のようにして行われる。ロボット
２６ａは、基板を載せた基板ホルダ３０を成膜室１０か
ら取り出し、ホルダ仮置室２２に搬送する。このホルダ
仮置室２２の内部には、図４に示すように、ピン４４を
上方に突出させた基板着脱具４２が昇降自在に配置され
ており、ロボット２６ａがこの基板着脱具４２上に基板
ホルダ３０を置くと、図３に示すように、突き出しピン
４４により基板Ｗがホルダ３０より持ち上げられる。持
ち上げられた基板はロボット２６ａによりロード・アン
ロード室２０に搬送される。
３０の洗浄工程が以下のようにして行われる。ロボット
２６ａは、基板を載せた基板ホルダ３０を成膜室１０か
ら取り出し、ホルダ仮置室２２に搬送する。このホルダ
仮置室２２の内部には、図４に示すように、ピン４４を
上方に突出させた基板着脱具４２が昇降自在に配置され
ており、ロボット２６ａがこの基板着脱具４２上に基板
ホルダ３０を置くと、図３に示すように、突き出しピン
４４により基板Ｗがホルダ３０より持ち上げられる。持
ち上げられた基板はロボット２６ａによりロード・アン
ロード室２０に搬送される。
【００２３】基板Ｗが取り除かれたホルダ３０は、ロボ
ット２７ａのハンド４６ｂにより基板ホルダ３０の係止
部３４を持って洗浄乾燥室５２内に搬送する。そして、
ロボット２７ａによりホルダ保管室５４から洗浄済みの
ホルダ３０を取り出してホルダ仮置室２２の基板着脱具
４２の上に置き、ロボット２６ａによりロード・アンロ
ード室２０より基板Ｗを移送して突き出しピン４４に載
せる。さらに、ロボット２６ａによりホルダ３０を基板
Ｗごと持ち上げて成膜室１０に運び、成膜処理を継続す
る。上記工程はもちろん基板をまず先に搬出し系外に取
り出し次に基板ホルダを取り出し洗浄をする工程をとっ
てもよい。
ット２７ａのハンド４６ｂにより基板ホルダ３０の係止
部３４を持って洗浄乾燥室５２内に搬送する。そして、
ロボット２７ａによりホルダ保管室５４から洗浄済みの
ホルダ３０を取り出してホルダ仮置室２２の基板着脱具
４２の上に置き、ロボット２６ａによりロード・アンロ
ード室２０より基板Ｗを移送して突き出しピン４４に載
せる。さらに、ロボット２６ａによりホルダ３０を基板
Ｗごと持ち上げて成膜室１０に運び、成膜処理を継続す
る。上記工程はもちろん基板をまず先に搬出し系外に取
り出し次に基板ホルダを取り出し洗浄をする工程をとっ
てもよい。
【００２４】洗浄室２４では、基板ホルダ３０の上面に
向けて洗浄液噴射ノズル５６から洗浄液を吹き付け、ブ
ラシ付きロール６０を自転させながら往復させて、基板
ホルダ３０の上面を洗浄する。さらに、純水供給ノズル
５８から純水を基板ホルダ３０に吹き付けてリンスを行
い、乾燥ガスで水滴を吹き飛ばした後、温風送風機６２
から温風を吹き付けて、これを乾燥させる。
向けて洗浄液噴射ノズル５６から洗浄液を吹き付け、ブ
ラシ付きロール６０を自転させながら往復させて、基板
ホルダ３０の上面を洗浄する。さらに、純水供給ノズル
５８から純水を基板ホルダ３０に吹き付けてリンスを行
い、乾燥ガスで水滴を吹き飛ばした後、温風送風機６２
から温風を吹き付けて、これを乾燥させる。
【００２５】この洗浄・乾燥終了後、洗浄乾燥室５２の
シャッタ６６ａを開き、ロボット２７ａにより洗浄乾燥
室５２から洗浄後の基板ホルダ３０を取出し、次に、保
管部５４のシャッタ６６ｂを開いて、これを保管室５４
内に保管する。基板ホルダ３０の洗浄・乾燥工程は次回
のホルダ交換までに行なうようにする。例えば、洗浄が
成膜処理１０枚に１回行うのであれば、洗浄作業は成膜
処理８〜９枚の間に終了させればよい。
シャッタ６６ａを開き、ロボット２７ａにより洗浄乾燥
室５２から洗浄後の基板ホルダ３０を取出し、次に、保
管部５４のシャッタ６６ｂを開いて、これを保管室５４
内に保管する。基板ホルダ３０の洗浄・乾燥工程は次回
のホルダ交換までに行なうようにする。例えば、洗浄が
成膜処理１０枚に１回行うのであれば、洗浄作業は成膜
処理８〜９枚の間に終了させればよい。
【００２６】基板ホルダ３０の基板載置部３２を凹凸の
ないフラットな面に形成することにより、付着物の洗浄
による除去を容易に行うことができる。また、ドライ洗
浄可能な原料を使用している場合には、ウェット洗浄に
代えてドライ洗浄を行っても良いことは勿論である。
ないフラットな面に形成することにより、付着物の洗浄
による除去を容易に行うことができる。また、ドライ洗
浄可能な原料を使用している場合には、ウェット洗浄に
代えてドライ洗浄を行っても良いことは勿論である。
【００２７】
【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、基板保持部材や防着板に付着物が堆積した時には、
これらの部品を洗浄室に移動して洗浄した後、成膜室に
戻して用いることにより、成膜室の真空系を破壊するこ
となく基板保持部材等を洗浄して連続的に成膜処理を行
なうことができ、従って、成膜処理に伴う付着物の堆積
による影響を排除して、高品質の成膜処理を稼働率を落
とすことなく安定に行うことができる。
ば、基板保持部材や防着板に付着物が堆積した時には、
これらの部品を洗浄室に移動して洗浄した後、成膜室に
戻して用いることにより、成膜室の真空系を破壊するこ
となく基板保持部材等を洗浄して連続的に成膜処理を行
なうことができ、従って、成膜処理に伴う付着物の堆積
による影響を排除して、高品質の成膜処理を稼働率を落
とすことなく安定に行うことができる。
【図１】本発明の実施の形態を示す全体平面図である。
【図２】図１に示す成膜室の断面図である。
【図３】図１のＡ−Ａ線に沿った断面図である。
【図４】基板着脱具を下降させた時のホルダ仮置室の断
面図である。
面図である。
【図５】図１のＢーＢ線に沿った断面図である。
【図６】従来例を示す成膜室の断面図である。
１０ 成膜室 １２ サセプタ（加熱プレート） １４ ヒータ（加熱手段） １６ シャワーヘッド ２０ ロード・アンロード室 ２２ ホルダ仮置室 ２４ ホルダ洗浄室 ２６，２７ ロボット室 ２６ａ，２７ａ ロボット（ホルダ搬送装置） ３０ 基板ホルダ ３４ 係止部 ３６ 通孔 ４２ 基板着脱具 ５２ 洗浄乾燥室 ５４ 保管室
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 上山 浩幸 東京都大田区羽田旭町11番１号 株式会社 荏原製作所内
Claims (6)
- 【請求項１】 気密な成膜室を備え、該成膜室内におい
て加熱・保持された基板に向けて成膜原料ガスを噴射
し、基板上に成膜を行なう気相成長装置において、 前記成膜室と気密な通路を介して連絡された洗浄室と、
前記成膜室から所定の部品を前記洗浄室に搬送する搬送
装置とを有することを特徴とする気相成長装置。 - 【請求項２】 前記所定の部品は、成膜室の基板加熱部
と前記基板の間に着脱自在に配置された基板保持部材で
あることを特徴とする請求項１に記載の気相成長装置。 - 【請求項３】 前記通路に沿って、基板と前記基板保持
部材を着脱する仮置室を設けたことを特徴とする請求項
２に記載の気相成長装置。 - 【請求項４】 前記通路に沿って、洗浄後の基板保持部
材を保管する保管室を設けたことを特徴とする請求項２
に記載の気相成長装置。 - 【請求項５】 気密な成膜室を備え、該成膜室内におい
て加熱・保持された基板に向けて成膜原料ガスを噴射
し、基板上に成膜を行なう気相成長装置において、 前記成膜室には着脱自在な基板保持部材が配置され、前
記成膜室には、予備の基板保持部材を保管する保管室が
気密な通路を介して連絡されていることを特徴とする気
相成長装置。 - 【請求項６】 前記基板保持部材には、その基板載置面
に開口する孔あるいは切欠部が設けられていることを特
徴とする請求項２乃至５のいずれかに記載の気相成長装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26502697A JPH1187326A (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | 気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26502697A JPH1187326A (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | 気相成長装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187326A true JPH1187326A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17411556
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26502697A Pending JPH1187326A (ja) | 1997-09-11 | 1997-09-11 | 気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1187326A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100469912B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2005-02-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 증착 장치 |
| WO2018042756A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 株式会社日本製鋼所 | 原子層成長装置および原子層成長方法 |
| WO2020100554A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 大陽日酸株式会社 | 半導体製造装置部品の洗浄装置、半導体製造装置部品の洗浄方法、及び半導体製造装置部品の洗浄システム |
-
1997
- 1997-09-11 JP JP26502697A patent/JPH1187326A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100469912B1 (ko) * | 2001-12-31 | 2005-02-02 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 증착 장치 |
| WO2018042756A1 (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 株式会社日本製鋼所 | 原子層成長装置および原子層成長方法 |
| JP2018037508A (ja) * | 2016-08-31 | 2018-03-08 | 株式会社日本製鋼所 | 原子層成長装置および原子層成長方法 |
| US11453944B2 (en) | 2016-08-31 | 2022-09-27 | The Japan Steel Works, Ltd. | Atomic layer deposition apparatus and atomic layer deposition method |
| WO2020100554A1 (ja) * | 2018-11-16 | 2020-05-22 | 大陽日酸株式会社 | 半導体製造装置部品の洗浄装置、半導体製造装置部品の洗浄方法、及び半導体製造装置部品の洗浄システム |
| JP2020088016A (ja) * | 2018-11-16 | 2020-06-04 | 大陽日酸株式会社 | 半導体製造装置部品の洗浄装置、半導体製造装置部品の洗浄方法、及び半導体製造装置部品の洗浄システム |
| CN113015583A (zh) * | 2018-11-16 | 2021-06-22 | 大阳日酸株式会社 | 半导体制造装置部件的清洗装置、半导体制造装置部件的清洗方法及半导体制造装置部件的清洗系统 |
| CN113015583B (zh) * | 2018-11-16 | 2023-08-11 | 大阳日酸株式会社 | 半导体制造装置部件的清洗装置、清洗方法及清洗系统 |
| US12139788B2 (en) | 2018-11-16 | 2024-11-12 | Taiyo Nippon Sanso Corporation | Cleaning apparatus for component for semiconductor production apparatus, cleaning method for component of semiconductor production apparatus, and cleaning system for component of semiconductor production apparatus |
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