JPH1187409A5 - 半導体集積回路装置 - Google Patents
半導体集積回路装置Info
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- JPH1187409A5 JPH1187409A5 JP1998185259A JP18525998A JPH1187409A5 JP H1187409 A5 JPH1187409 A5 JP H1187409A5 JP 1998185259 A JP1998185259 A JP 1998185259A JP 18525998 A JP18525998 A JP 18525998A JP H1187409 A5 JPH1187409 A5 JP H1187409A5
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Description
【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1面と、前記第1面と反対側の第2面と、外部装置と電気的に接続するための複数の外部端子とを有する実装基板と、
前記実装基板の前記第1面上に配置された複数の第1パッケージと、
前記実装基板の前記第1面上に配置され、前記複数の第1パッケージと異なる機能を有する第2パッケージとを有し、
前記複数の第1パッケージの各々は、
第1面と、前記第1面の反対側の第2面と、前記第1面から前記第2面に貫通する開口部と前記第2面側に形成された複数の配線層とを有する配線基板と、
その主面にDRAM回路及び複数のボンディングパッドが形成された第1半導体チップであって、前記複数のボンディングパッドが前記配線基板の開口部に位置するように、前記配線基板の第1面上に搭載された第1半導体チップと、
前記第1半導体チップの前記複数のボンディングパッドと前記配線基板の前記複数の配線層とを前記開口部を通して電気的に接続する複数の導体層と、
前記配線基板の前記第2面側に前記第1半導体チップと平面的に重なるように配置され、前記複数の配線層の夫々に電気的に接続された複数のバンブ電極とを有し、
前記第2パッケージは、
前記第1半導体チップと異なる機能を有する第2半導体チップと、
前記第2半導体チップを封止する封止体と、
前記封止体の側面から突出する複数のリードとを有し、
前記複数の第1パッケージの各々は、前記複数のバンプ電極を介して前記実装基板に搭載され、
前記第2パッケージは、前記複数のリードを介して前記実装基板に搭載され、前記第1パッケージの個数は、前記第2パッケージの個数より多いことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項2】
前記第1パッケージの各々は、前記配線基板と前記第1半導体チップ間に形成されたエラストマ層を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
【請求項3】
前記第1パッケージの各々の前記配線基板は、フレキシブルテープと、前記フレキシブルテープ上に形成された銅配線を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路装置。
【請求項4】
前記複数の導体層は、前記フレキシブルテープ上に形成された銅配線を含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体集積回路装置。
【請求項5】
前記第2パッケージの前記第2半導体チップは、前記複数の第1パッケージを制御する制御回路を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
【請求項6】
前記複数のボンディングパッドは、前記第1半導体チップの長手方向の中央部に形成され、前記複数のバンプ電極は、前記複数のボンディングパッドの両側において、前記配線基板の前記第2面上に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
【請求項7】
前記複数の導体層は、ボンディングワイヤであることを特徴とする請求項6に記載の半導体集積回路装置。
【請求項8】
前記ボンディングワイヤ及び前記第1半導体チップの前記複数のボンディングパッドは、前記配線基板の開口部に供給された樹脂材により封止されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体集積回路装置。
【請求項9】
前記バンプ電極は、半田バンプであることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
【請求項10】
前記第2パッケージの封止体は、四角形状を有し、前記複数のリードは、前記封止体の4つの側面から突出していることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
【請求項11】
前記半導体集積回路装置はメモリカードを構成することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
【請求項1】
第1面と、前記第1面と反対側の第2面と、外部装置と電気的に接続するための複数の外部端子とを有する実装基板と、
前記実装基板の前記第1面上に配置された複数の第1パッケージと、
前記実装基板の前記第1面上に配置され、前記複数の第1パッケージと異なる機能を有する第2パッケージとを有し、
前記複数の第1パッケージの各々は、
第1面と、前記第1面の反対側の第2面と、前記第1面から前記第2面に貫通する開口部と前記第2面側に形成された複数の配線層とを有する配線基板と、
その主面にDRAM回路及び複数のボンディングパッドが形成された第1半導体チップであって、前記複数のボンディングパッドが前記配線基板の開口部に位置するように、前記配線基板の第1面上に搭載された第1半導体チップと、
前記第1半導体チップの前記複数のボンディングパッドと前記配線基板の前記複数の配線層とを前記開口部を通して電気的に接続する複数の導体層と、
前記配線基板の前記第2面側に前記第1半導体チップと平面的に重なるように配置され、前記複数の配線層の夫々に電気的に接続された複数のバンブ電極とを有し、
前記第2パッケージは、
前記第1半導体チップと異なる機能を有する第2半導体チップと、
前記第2半導体チップを封止する封止体と、
前記封止体の側面から突出する複数のリードとを有し、
前記複数の第1パッケージの各々は、前記複数のバンプ電極を介して前記実装基板に搭載され、
前記第2パッケージは、前記複数のリードを介して前記実装基板に搭載され、前記第1パッケージの個数は、前記第2パッケージの個数より多いことを特徴とする半導体集積回路装置。
【請求項2】
前記第1パッケージの各々は、前記配線基板と前記第1半導体チップ間に形成されたエラストマ層を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
【請求項3】
前記第1パッケージの各々の前記配線基板は、フレキシブルテープと、前記フレキシブルテープ上に形成された銅配線を有することを特徴とする請求項2に記載の半導体集積回路装置。
【請求項4】
前記複数の導体層は、前記フレキシブルテープ上に形成された銅配線を含むことを特徴とする請求項3に記載の半導体集積回路装置。
【請求項5】
前記第2パッケージの前記第2半導体チップは、前記複数の第1パッケージを制御する制御回路を有することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
【請求項6】
前記複数のボンディングパッドは、前記第1半導体チップの長手方向の中央部に形成され、前記複数のバンプ電極は、前記複数のボンディングパッドの両側において、前記配線基板の前記第2面上に配置されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
【請求項7】
前記複数の導体層は、ボンディングワイヤであることを特徴とする請求項6に記載の半導体集積回路装置。
【請求項8】
前記ボンディングワイヤ及び前記第1半導体チップの前記複数のボンディングパッドは、前記配線基板の開口部に供給された樹脂材により封止されていることを特徴とする請求項7に記載の半導体集積回路装置。
【請求項9】
前記バンプ電極は、半田バンプであることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
【請求項10】
前記第2パッケージの封止体は、四角形状を有し、前記複数のリードは、前記封止体の4つの側面から突出していることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
【請求項11】
前記半導体集積回路装置はメモリカードを構成することを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。
すなわち、本発明の一つの半導体集積回路装置は、第1面と、前記第1面と反対側の第2面と、外部装置と電気的に接続するための複数の外部端子とを有する実装基板と、前記実装基板の前記第1面上に配置された複数の第1パッケージと、前記実装基板の前記第1面上に配置され、前記複数の第1パッケージと異なる機能を有する第2パッケージとを有し、前記複数の第1パッケージの各々は、第1面と、前記第1面の反対側の第2面と、前記第1面から前記第2面に貫通する開口部と前記第2面側に形成された複数の配線層とを有する配線基板と、その主面にDRAM回路及び複数のボンディングパッドが形成された第1半導体チップであって、前記複数のボンディングパッドが前記配線基板の開口部に位置するように、前記配線基板の第1面上に搭載された第1半導体チップと、前記第1半導体チップの前記複数のボンディングパッドと前記配線基板の前記複数の配線層とを前記開口部を通して電気的に接続する複数の導体層と、前記配線基板の前記第2面側に前記第1半導体チップと平面的に重なるように配置され、前記複数の配線層の夫々に電気的に接続された複数のバンブ電極とを有し、前記第2パッケージは、前記第1半導体チップと異なる機能を有する第2半導体チップと、前記第2半導体チップを封止する封止体と、前記封止体の側面から突出する複数のリードとを有し、前記複数の第1パッケージの各々は、前記複数のバンプ電極を介して前記実装基板に搭載され、前記第2パッケージは、前記複数のリードを介して前記実装基板に搭載され、前記第1パッケージの個数は、前記第2パッケージの個数より多いことを特徴とするものである。
また、本発明の半導体集積回路装置は、半導体チップの主面上に弾性構造体を介して配線基板を設け、前記配線基板の配線の一端側であるリード部を撓ませた状態で前記半導体チップの主面上の外部端子と電気的に接続させ、かつ前記配線基板の配線の他端側であるランド部をバンプ電極と電気的に接続させてなる半導体集積回路装置に適用して、前記配線基板は基板基材の主面上に前記配線が形成されて、前記基板基材の裏面側に前記弾性構造体を配置させ、かつ前記配線の主面上に絶縁膜を形成させてなる、いわゆる表配線構造を採用したパッケージ構造とするものである。特に、前記配線基板の配線を複数の配線層構造とするようにしたものである。
また、本発明の半導体集積回路装置は、半導体チップの主面上に弾性構造体を介して配線基板を設け、前記配線基板の配線の一端側であるリード部を撓ませた状態で前記半導体チップの主面上の外部端子と電気的に接続させ、かつ前記配線基板の配線の他端側であるランド部をバンプ電極と電気的に接続させてなる半導体集積回路装置に適用して、前記配線基板は基板基材の主面上に前記配線が形成されて、前記基板基材の裏面側に前記弾性構造体を配置させ、かつ前記配線の主面上に絶縁膜を形成させてなる、いわゆる表配線構造を採用したパッケージ構造とするものである。特に、前記配線基板の配線を複数の配線層構造とするようにしたものである。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10185259A JPH1187409A (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10185259A JPH1187409A (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8066637A Division JP2891665B2 (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Related Child Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2005275115A Division JP2006013553A (ja) | 2005-09-22 | 2005-09-22 | 半導体集積回路装置 |
| JP2006284705A Division JP4397920B2 (ja) | 2006-10-19 | 2006-10-19 | 半導体集積回路装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187409A JPH1187409A (ja) | 1999-03-30 |
| JPH1187409A5 true JPH1187409A5 (ja) | 2005-11-10 |
Family
ID=16167701
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10185259A Withdrawn JPH1187409A (ja) | 1998-06-30 | 1998-06-30 | 半導体集積回路装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1187409A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100309470B1 (ko) * | 1999-10-07 | 2001-11-02 | 김영환 | 마이크로 비지에이 패키지 및 제조방법 |
| JP3640876B2 (ja) * | 2000-09-19 | 2005-04-20 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置及び半導体装置の実装構造体 |
| JP2002252304A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Toshiba Corp | 半導体装置およびこれに用いられる支持基板 |
| JP4462864B2 (ja) * | 2003-07-18 | 2010-05-12 | フィガロ技研株式会社 | ガスセンサの製造方法 |
| JP4353328B2 (ja) | 2005-09-28 | 2009-10-28 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体パッケージの製造方法及び半導体パッケージ |
-
1998
- 1998-06-30 JP JP10185259A patent/JPH1187409A/ja not_active Withdrawn
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