JPH10270592A5 - - Google Patents

Description

【発明の名称】半導体装置

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体装置のパッケージ構造に関し、特に、ＣＳＰ型の集積回路パッケージに適用して好適なるものに関する。

Claims (12)

1. 絶縁基板と、
   上記絶縁基板上に、接着層を介して搭載される集積回路チップと、
   上記集積回路チップを搭載した上記絶縁基板の面側に形成される複数の導体パターンであって、該各導体パターンの少なくとも一部が、上記集積回路チップの下に位置するものと、
   上記集積回路チップ下の上記導体パターンが配置されない領域に、該領域が複数に分割された領域となるよう配置されたパターンと、を備えた半導体装置。
2. 上記パターンは、千鳥状に配置されたブロック状の複数のパターンから構成される請求項１記載の半導体装置。
3. 上記ブロック状のパターンにより囲まれる各領域は、その直径が０．９ｍｍ以下である請求項２記載の半導体装置。
4. 上記ブロック状のパターンは、その直径が０．１〜１．０ｍｍである略正方形状のパターンである請求項３記載の半導体装置。
5. 上記集積回路チップは、その回路形成面を上にして上記絶縁基板上に搭載される請求項１、２、３又は４記載の半導体装置。
6. 上記絶縁基板は、上記導体パターンの一部の下にスルーホールを有し、上記集積回路チップを搭載した絶縁基板の面と反対側の面から、上記スルーホールを介して上記導体パターンの一部に接合される、外部接続用の半田バンプを備えた請求項１、２、３、４又は５記載の半導体装置。
7. 第１の面と当該第１の面の反対側に位置する第２の面と上記第１の面と上記第２の面との間を貫通する複数の貫通孔を有する絶縁基板と、
   上記絶縁基板の第１の面側に接着層を介して搭載される集積回路チップと、
   上記絶縁基板の第１の面上に形成され、上記絶縁基板の集積回路チップ搭載領域内に位置する第１の接続ランド部と上記集積回路チップ搭載領域外に位置する第２の接続ランド部とをそれぞれ有する複数の導体パターンと、
   上記絶縁基板の第１の面上に形成され、上記集積回路チップ搭載領域内に位置して互いに離間している複数のパターン要素と、
   上記絶縁基板の第２の面側に設けられ、上記複数の第１の接続ランド部に上記 複数の貫通孔を介してそれぞれ電気的に接続される複数の外部接続端子と、
   を有する半導体装置。
8. 上記複数のパターン要素が千鳥状に配置された複数の矩形パターンである請求項７に記載の半導体装置。
9. 上記集積回路チップの複数の電極パッドと上記複数の第２の接続ランド部とをそれぞれ電気的に接続する複数の導体を有し、
   上記集積回路チップの上記複数の電極が形成されている素子形成面と逆側の裏面が上記絶縁基板の第 １ の面に上記接着層により接着されている請求項７又は８に記載の半導体装置。
10. 上記絶縁基板の第 １ の面側に上記集積回路チップを封止するための封止樹脂が形成されている請求項７、８又は９に記載の半導体装置。
11. 上記複数の導体パターンと上記複数のパターン要素とが同じ材料により形成されている請求項７、８、９又は１０に記載の半導体装置。
12. 上記複数の外部接続端子が上記複数の貫通孔にそれぞれ設けられている請求項７、８、９、１０又は１１に記載の半導体装置。