JPH1187567A - 半導体装置 - Google Patents
半導体装置Info
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- JPH1187567A JPH1187567A JP23706497A JP23706497A JPH1187567A JP H1187567 A JPH1187567 A JP H1187567A JP 23706497 A JP23706497 A JP 23706497A JP 23706497 A JP23706497 A JP 23706497A JP H1187567 A JPH1187567 A JP H1187567A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W90/00—Package configurations
- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/754—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked insulating package substrate, interposer or RDL
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電位の異なる部位間にまたがる液状あるいは
ゲル状絶縁樹脂の気泡形成をなくし、耐電圧不良の発生
を低減した信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】 底部に放熱板２３が設けられたケース２
２と、このケース２２内の放熱板２３上に固着された絶
縁基材２５の上下両面にメタル薄板２６，２７を被着し
てなる絶縁配線基板２８と、パターニングされた上面側
のメタル薄板２６の素子搭載部３０に搭載された半導体
素子３１とを備えると共に、ケース２２内に液状あるい
はゲル状の絶縁樹脂２９を充填し、充電部位の封止を行
ったもので、下面側のメタル薄板２７と絶縁基材２５の
側端面２５ａ，２７ａが、略同一面を形成している。こ
れにより絶縁配線基板２８の外周部分に気泡が形成され
ることがなくなり、気泡によって素子搭載部３０等と放
熱板２３との間などの電位の異なる部位間がつながれて
しまうことがない。
ゲル状絶縁樹脂の気泡形成をなくし、耐電圧不良の発生
を低減した信頼性の高い半導体装置を提供する。 【解決手段】 底部に放熱板２３が設けられたケース２
２と、このケース２２内の放熱板２３上に固着された絶
縁基材２５の上下両面にメタル薄板２６，２７を被着し
てなる絶縁配線基板２８と、パターニングされた上面側
のメタル薄板２６の素子搭載部３０に搭載された半導体
素子３１とを備えると共に、ケース２２内に液状あるい
はゲル状の絶縁樹脂２９を充填し、充電部位の封止を行
ったもので、下面側のメタル薄板２７と絶縁基材２５の
側端面２５ａ，２７ａが、略同一面を形成している。こ
れにより絶縁配線基板２８の外周部分に気泡が形成され
ることがなくなり、気泡によって素子搭載部３０等と放
熱板２３との間などの電位の異なる部位間がつながれて
しまうことがない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子を搭載
した絶縁配線基板をケース底部の放熱板の上面に固着す
ると共に、ケース内に絶縁配線基板の周囲を封止するよ
う液状あるいはゲル状の絶縁体を注入した半導体装置に
関する。
した絶縁配線基板をケース底部の放熱板の上面に固着す
ると共に、ケース内に絶縁配線基板の周囲を封止するよ
う液状あるいはゲル状の絶縁体を注入した半導体装置に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の、例えばパワートランジスタ等の
半導体素子を絶縁配線基板に搭載してケース内に収納す
るよう構成した大電力用の半導体装置について、図１４
乃至図１６により説明する。図１４は模式的に示す断面
図であり、図１５は気泡形成部位を拡大して示す要部断
面図であり、図１６は温度上昇時の気泡形成部位を示す
要部断面図である。
半導体素子を絶縁配線基板に搭載してケース内に収納す
るよう構成した大電力用の半導体装置について、図１４
乃至図１６により説明する。図１４は模式的に示す断面
図であり、図１５は気泡形成部位を拡大して示す要部断
面図であり、図１６は温度上昇時の気泡形成部位を示す
要部断面図である。
【０００３】図１４乃至図１６図において、１は半導体
装置であり、２は底部に金属製の放熱板３を設けて構成
された半導体装置１のケースで、４はケース２の合成樹
脂製の角枠状の側壁部材である。そして放熱板３の上面
には、絶縁基材５の上下両面にメタライズ加工により被
着され、所定パターンを有するようパターニングされた
メタル薄板６，７を備えた絶縁配線基板８が、下面側の
メタル薄板７を半田付けすることによって固定されてい
る。なお、絶縁基材５の下面に設けられたメタル薄板７
は、その周縁部７ａが、通常、絶縁破壊防止等のために
沿面距離が大きくなるよう絶縁基材５の外周端部５ａか
ら、例えば約１．５ｍｍ程度内方側に位置するようにパ
ターニングされている。
装置であり、２は底部に金属製の放熱板３を設けて構成
された半導体装置１のケースで、４はケース２の合成樹
脂製の角枠状の側壁部材である。そして放熱板３の上面
には、絶縁基材５の上下両面にメタライズ加工により被
着され、所定パターンを有するようパターニングされた
メタル薄板６，７を備えた絶縁配線基板８が、下面側の
メタル薄板７を半田付けすることによって固定されてい
る。なお、絶縁基材５の下面に設けられたメタル薄板７
は、その周縁部７ａが、通常、絶縁破壊防止等のために
沿面距離が大きくなるよう絶縁基材５の外周端部５ａか
ら、例えば約１．５ｍｍ程度内方側に位置するようにパ
ターニングされている。
【０００４】また絶縁配線基板８の上面側には、パター
ニングされた上面側のメタル薄板６の素子搭載部９にパ
ワートランジスタ等の半導体素子１０がダイボンディン
グされている。さらに、半導体素子１０の電極部１１と
これに対応するメタル薄板６の端子部１２とが、ボンデ
ィングワイヤ１３をアーチ形状に弛みを持たせてボンデ
ィングすることにより電気的に接続されている。またさ
らに、ケース２内にはアーチ形状となっているボンディ
ングワイヤ１３を覆いつくすように、液状あるいはゲル
状のシリコーン等でなる液状あるいはゲル状の絶縁樹脂
１４が充填され、ケース２内の充電部の封止が行われて
いる。
ニングされた上面側のメタル薄板６の素子搭載部９にパ
ワートランジスタ等の半導体素子１０がダイボンディン
グされている。さらに、半導体素子１０の電極部１１と
これに対応するメタル薄板６の端子部１２とが、ボンデ
ィングワイヤ１３をアーチ形状に弛みを持たせてボンデ
ィングすることにより電気的に接続されている。またさ
らに、ケース２内にはアーチ形状となっているボンディ
ングワイヤ１３を覆いつくすように、液状あるいはゲル
状のシリコーン等でなる液状あるいはゲル状の絶縁樹脂
１４が充填され、ケース２内の充電部の封止が行われて
いる。
【０００５】このように構成されたものでは、半導体素
子１０を搭載した絶縁配線基板８を放熱板３の上面に固
定した状態で、ケース２内に例えば絶縁樹脂１４が注入
される。この絶縁樹脂１４の注入の際、注入条件等によ
っては絶縁基材５の外周端部５ａには、例えば図１５に
拡大して示す要部断面図のように、絶縁配線基板８と放
熱板３の間にメタル薄板７の厚さにもとづく間隙が形成
されているので、この間隙に絶縁樹脂１４が注入され
ず、気泡１５が形成され残留する虞がある。そして、気
泡１５が形成されたままの状態で装置を動作させるなど
した場合、装置は動作に伴い発熱し温度が上昇し、気泡
１５は温度上昇にともなって膨脹する。
子１０を搭載した絶縁配線基板８を放熱板３の上面に固
定した状態で、ケース２内に例えば絶縁樹脂１４が注入
される。この絶縁樹脂１４の注入の際、注入条件等によ
っては絶縁基材５の外周端部５ａには、例えば図１５に
拡大して示す要部断面図のように、絶縁配線基板８と放
熱板３の間にメタル薄板７の厚さにもとづく間隙が形成
されているので、この間隙に絶縁樹脂１４が注入され
ず、気泡１５が形成され残留する虞がある。そして、気
泡１５が形成されたままの状態で装置を動作させるなど
した場合、装置は動作に伴い発熱し温度が上昇し、気泡
１５は温度上昇にともなって膨脹する。
【０００６】膨脹した気泡１５は、場合によっては図１
６に示すように絶縁基材５の外周端部５ａを包むように
広がり、絶縁配線基板８の上面側のメタル薄板６で形成
された端子部１２等と、下面側のメタル薄板７あるいは
放熱板３が気泡１５を間に介してつながれた状態が生じ
る。この結果、装置を動作させない状態では耐電圧特性
が良好であっても、装置を動作させることで充電部であ
るメタル薄板６とメタル薄板７との間にまたがった気泡
１５が形成され、両メタル薄板６，７間の電圧差にもと
づくコロナ放電が気泡１５内に生じ、両メタル薄板６，
７間での耐電圧不良が発生する虞があり、装置の信頼性
が低いものとなっていた。
６に示すように絶縁基材５の外周端部５ａを包むように
広がり、絶縁配線基板８の上面側のメタル薄板６で形成
された端子部１２等と、下面側のメタル薄板７あるいは
放熱板３が気泡１５を間に介してつながれた状態が生じ
る。この結果、装置を動作させない状態では耐電圧特性
が良好であっても、装置を動作させることで充電部であ
るメタル薄板６とメタル薄板７との間にまたがった気泡
１５が形成され、両メタル薄板６，７間の電圧差にもと
づくコロナ放電が気泡１５内に生じ、両メタル薄板６，
７間での耐電圧不良が発生する虞があり、装置の信頼性
が低いものとなっていた。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のような状況に鑑
みて本発明はなされたもので、注入した液状あるいはゲ
ル状の絶縁樹脂による電位の異なる部位間にまたがる気
泡の形成がないようにし、耐電圧不良の発生の虞が低減
するようにして信頼性の高い半導体装置を提供すること
を目的とする。
みて本発明はなされたもので、注入した液状あるいはゲ
ル状の絶縁樹脂による電位の異なる部位間にまたがる気
泡の形成がないようにし、耐電圧不良の発生の虞が低減
するようにして信頼性の高い半導体装置を提供すること
を目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体装置は、
底部に放熱板が設けられたケースと、このケース内の放
熱板上に固着された絶縁基材の上下両面にメタル薄板を
被着してなる絶縁配線基板と、パターニングされた上面
側のメタル薄板の所定部位に搭載された半導体素子とを
備えると共に、ケース内に絶縁樹脂が充填されてなる半
導体装置において、下面側のメタル薄板と絶縁基材の側
端面が、略同一面を形成していることを特徴とするもの
であり、また、底部に放熱板が設けられたケースと、こ
のケース内の放熱板上に固着された絶縁基材の上下両面
にメタル薄板を被着してなる絶縁配線基板と、パターニ
ングされた上面側のメタル薄板の所定部位に搭載された
半導体素子とを備えると共に、ケース内に絶縁樹脂が充
填されてなる半導体装置において、放熱板が、絶縁配線
基板の外周縁の下方に削設された環状溝を有し、かつ絶
縁基材の外周縁が、環状溝の溝幅の中間部分上方に延在
していることを特徴とするものであり、さらに、環状溝
の外側溝内壁に、放熱板上面から溝底部に至る縦溝が削
設されていることを特徴とするものであり、さらに、放
熱板が、環状溝より外側部分上面に一端が開口し他端が
該環状溝の底部に開口する連通孔を備えていることを特
徴とするものであり、また、底部に放熱板が設けられた
ケースと、このケース内の放熱板上に固着された絶縁基
材の上下両面にメタル薄板を被着してなる絶縁配線基板
と、パターニングされた上面側のメタル薄板の所定部位
に搭載された半導体素子とを備えると共に、ケース内に
絶縁樹脂が充填されてなる半導体装置において、放熱板
が、上面内方部分に突状部を備えていると共に、該突状
部の頂部に絶縁配線基板を固着していることを特徴とす
るものであり、また、底部に放熱板が設けられたケース
と、このケース内の放熱板上に固着された絶縁基材の上
下両面にメタル薄板を被着してなる絶縁配線基板と、パ
ターニングされた上面側のメタル薄板の所定部位に搭載
された半導体素子とを備えると共に、ケース内に絶縁樹
脂が充填されてなる半導体装置において、絶縁基材は側
端面が、下方向に面を向けた逆勾配を有するものである
ことを特徴とするものであり、また、底部に放熱板が設
けられたケースと、このケース内の放熱板上に固着され
た絶縁基材の上下両面にメタル薄板を被着してなる絶縁
配線基板と、パターニングされた上面側のメタル薄板の
所定部位に搭載された半導体素子とを備えると共に、ケ
ース内に絶縁樹脂が充填されてなる半導体装置におい
て、絶縁基材が、外周部に上面のメタル薄板を囲むよう
に立設した側壁を具備していることを特徴とするもので
あり、さらに、底部に放熱板が設けられたケースと、こ
のケース内の放熱板上に固着された絶縁基材の上下両面
にメタル薄板を被着してなる絶縁配線基板と、パターニ
ングされた上面側のメタル薄板の所定部位に搭載された
半導体素子とを備えると共に、ケース内に絶縁樹脂が充
填されてなる半導体装置において、絶縁基材が、上面に
メタル薄板を囲むように削設された窪みを具備している
ことを特徴とするものである。
底部に放熱板が設けられたケースと、このケース内の放
熱板上に固着された絶縁基材の上下両面にメタル薄板を
被着してなる絶縁配線基板と、パターニングされた上面
側のメタル薄板の所定部位に搭載された半導体素子とを
備えると共に、ケース内に絶縁樹脂が充填されてなる半
導体装置において、下面側のメタル薄板と絶縁基材の側
端面が、略同一面を形成していることを特徴とするもの
であり、また、底部に放熱板が設けられたケースと、こ
のケース内の放熱板上に固着された絶縁基材の上下両面
にメタル薄板を被着してなる絶縁配線基板と、パターニ
ングされた上面側のメタル薄板の所定部位に搭載された
半導体素子とを備えると共に、ケース内に絶縁樹脂が充
填されてなる半導体装置において、放熱板が、絶縁配線
基板の外周縁の下方に削設された環状溝を有し、かつ絶
縁基材の外周縁が、環状溝の溝幅の中間部分上方に延在
していることを特徴とするものであり、さらに、環状溝
の外側溝内壁に、放熱板上面から溝底部に至る縦溝が削
設されていることを特徴とするものであり、さらに、放
熱板が、環状溝より外側部分上面に一端が開口し他端が
該環状溝の底部に開口する連通孔を備えていることを特
徴とするものであり、また、底部に放熱板が設けられた
ケースと、このケース内の放熱板上に固着された絶縁基
材の上下両面にメタル薄板を被着してなる絶縁配線基板
と、パターニングされた上面側のメタル薄板の所定部位
に搭載された半導体素子とを備えると共に、ケース内に
絶縁樹脂が充填されてなる半導体装置において、放熱板
が、上面内方部分に突状部を備えていると共に、該突状
部の頂部に絶縁配線基板を固着していることを特徴とす
るものであり、また、底部に放熱板が設けられたケース
と、このケース内の放熱板上に固着された絶縁基材の上
下両面にメタル薄板を被着してなる絶縁配線基板と、パ
ターニングされた上面側のメタル薄板の所定部位に搭載
された半導体素子とを備えると共に、ケース内に絶縁樹
脂が充填されてなる半導体装置において、絶縁基材は側
端面が、下方向に面を向けた逆勾配を有するものである
ことを特徴とするものであり、また、底部に放熱板が設
けられたケースと、このケース内の放熱板上に固着され
た絶縁基材の上下両面にメタル薄板を被着してなる絶縁
配線基板と、パターニングされた上面側のメタル薄板の
所定部位に搭載された半導体素子とを備えると共に、ケ
ース内に絶縁樹脂が充填されてなる半導体装置におい
て、絶縁基材が、外周部に上面のメタル薄板を囲むよう
に立設した側壁を具備していることを特徴とするもので
あり、さらに、底部に放熱板が設けられたケースと、こ
のケース内の放熱板上に固着された絶縁基材の上下両面
にメタル薄板を被着してなる絶縁配線基板と、パターニ
ングされた上面側のメタル薄板の所定部位に搭載された
半導体素子とを備えると共に、ケース内に絶縁樹脂が充
填されてなる半導体装置において、絶縁基材が、上面に
メタル薄板を囲むように削設された窪みを具備している
ことを特徴とするものである。
【０００９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
により説明する。いずれもパワートランジスタ等の半導
体素子を用いて構成した大電力用の半導体装置である。
により説明する。いずれもパワートランジスタ等の半導
体素子を用いて構成した大電力用の半導体装置である。
【００１０】先ず、第１の実施形態を図１により説明す
る。図１は模式的に示す断面図であり、図１において、
２１は半導体装置であり、２２は底部に良熱伝導材料製
平板、例えば銅製平板で形成された放熱板２３を設けて
構成された半導体装置２１のケースで、２４はケース２
２の、例えばＰＰＳ樹脂等の合成樹脂によって角枠状に
形成された側壁部材である。また放熱板２３の上面に
は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等で形成された平板状
の絶縁基材２５の上下両面に、銅（Ｃｕ）等でなるメタ
ル薄板２６，２７がメタライズ加工により被着された絶
縁配線基板２８が、下面側のメタル薄板２７を半田付け
することによって固定されている。
る。図１は模式的に示す断面図であり、図１において、
２１は半導体装置であり、２２は底部に良熱伝導材料製
平板、例えば銅製平板で形成された放熱板２３を設けて
構成された半導体装置２１のケースで、２４はケース２
２の、例えばＰＰＳ樹脂等の合成樹脂によって角枠状に
形成された側壁部材である。また放熱板２３の上面に
は、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）等で形成された平板状
の絶縁基材２５の上下両面に、銅（Ｃｕ）等でなるメタ
ル薄板２６，２７がメタライズ加工により被着された絶
縁配線基板２８が、下面側のメタル薄板２７を半田付け
することによって固定されている。
【００１１】そして絶縁基材２５の下面に設けられたメ
タル薄板２７の形状は、絶縁基材２５と略々同じ形状と
なっていて、両者の外周端部２５ａ，２７ａが一致した
ものとなっている。すなわち、絶縁基材２５とメタル薄
板２７の全側端面が、後述のケース２２内に充填される
液状あるいはゲル状の絶縁樹脂２９によって気泡が形成
されない範囲で絶縁基材２５が大きい状態を許容する程
度の略同一面を形成している。このため、絶縁配線基板
２８はその外周部分に絶縁基材２５の下面と放熱板２３
の上面との間に間隙を形成することなく固着される。
タル薄板２７の形状は、絶縁基材２５と略々同じ形状と
なっていて、両者の外周端部２５ａ，２７ａが一致した
ものとなっている。すなわち、絶縁基材２５とメタル薄
板２７の全側端面が、後述のケース２２内に充填される
液状あるいはゲル状の絶縁樹脂２９によって気泡が形成
されない範囲で絶縁基材２５が大きい状態を許容する程
度の略同一面を形成している。このため、絶縁配線基板
２８はその外周部分に絶縁基材２５の下面と放熱板２３
の上面との間に間隙を形成することなく固着される。
【００１２】一方、絶縁配線基板２８の上面側のメタル
薄板２６は、所定パターンを有するようにパターニング
されており、形成されたパターンの素子搭載部３０に
は、パワートランジスタ等の半導体素子３１がダイボン
ディングされている。さらに、半導体素子３１の電極部
３２と、これに対応するメタル薄板２６をパターニング
してなる端子部３３とが、ボンディングワイヤ３４をア
ーチ形状に弛みを持たせてボンディングすることにより
電気的に接続されている。また、ケース２２内にはアー
チ形状となっているボンディングワイヤ３４及び素子搭
載部３０に搭載された半導体素子３１等を覆いつくすよ
うに、液状あるいはゲル状のシリコーン等でなる液状あ
るいはゲル状の絶縁樹脂２９が充填され、ケース２２内
の充電部の封止が行われている。
薄板２６は、所定パターンを有するようにパターニング
されており、形成されたパターンの素子搭載部３０に
は、パワートランジスタ等の半導体素子３１がダイボン
ディングされている。さらに、半導体素子３１の電極部
３２と、これに対応するメタル薄板２６をパターニング
してなる端子部３３とが、ボンディングワイヤ３４をア
ーチ形状に弛みを持たせてボンディングすることにより
電気的に接続されている。また、ケース２２内にはアー
チ形状となっているボンディングワイヤ３４及び素子搭
載部３０に搭載された半導体素子３１等を覆いつくすよ
うに、液状あるいはゲル状のシリコーン等でなる液状あ
るいはゲル状の絶縁樹脂２９が充填され、ケース２２内
の充電部の封止が行われている。
【００１３】このように構成されたものでは、半導体素
子３１を搭載しボンディングワイヤ３４による所定の接
続がなされた絶縁配線基板２８を放熱板２３の上面に固
着した状態で、ケース２２内に絶縁樹脂２９が注入され
る。注入された絶縁樹脂２９は放熱板２３の上面に広が
り、さらに注入された量が増えるにしたがい絶縁配線基
板２８、半導体素子３１、ボンディングワイヤ３４等を
埋めていき、所定深さにまで注入される。
子３１を搭載しボンディングワイヤ３４による所定の接
続がなされた絶縁配線基板２８を放熱板２３の上面に固
着した状態で、ケース２２内に絶縁樹脂２９が注入され
る。注入された絶縁樹脂２９は放熱板２３の上面に広が
り、さらに注入された量が増えるにしたがい絶縁配線基
板２８、半導体素子３１、ボンディングワイヤ３４等を
埋めていき、所定深さにまで注入される。
【００１４】そして、上記の絶縁樹脂２９の注入過程
で、絶縁配線基板２８の下面側に設けられたメタル薄板
２７の形状が絶縁基材２５と略々同じ形状で、両者が略
同一面となる側端面を形成しているため、絶縁樹脂２９
は放熱板２３の上面からメタル薄板２７、絶縁基材２５
の側面に沿って液位を順に上昇させて行くことになり、
絶縁配線基板２８の外周部分に気泡が形成されることが
ない。この結果、気泡によって素子搭載部３０や端子部
３３と放熱板２３との間等の電位の異なる部位間がつな
がれてしまうことがなく、また気泡が存在しないので、
気泡内に生じるコロナ放電によって耐電圧不良が発生す
るようなことがなく、装置の信頼性は高いものとなる。
で、絶縁配線基板２８の下面側に設けられたメタル薄板
２７の形状が絶縁基材２５と略々同じ形状で、両者が略
同一面となる側端面を形成しているため、絶縁樹脂２９
は放熱板２３の上面からメタル薄板２７、絶縁基材２５
の側面に沿って液位を順に上昇させて行くことになり、
絶縁配線基板２８の外周部分に気泡が形成されることが
ない。この結果、気泡によって素子搭載部３０や端子部
３３と放熱板２３との間等の電位の異なる部位間がつな
がれてしまうことがなく、また気泡が存在しないので、
気泡内に生じるコロナ放電によって耐電圧不良が発生す
るようなことがなく、装置の信頼性は高いものとなる。
【００１５】次に、第２の実施形態を図２により説明す
る。なお、上記第１の実施形態と同一部分には同一符号
を付して説明を省略し、異なる本実施形態の構成につい
て説明する。図２は要部を模式的に示す断面図である。
る。なお、上記第１の実施形態と同一部分には同一符号
を付して説明を省略し、異なる本実施形態の構成につい
て説明する。図２は要部を模式的に示す断面図である。
【００１６】図２において、３５は半導体装置であり、
３６は底部に良熱伝導材料製平板、例えば銅製平板で形
成された放熱板３７を設け、側部に角枠状の側壁部材２
４を設けて構成された半導体装置３５のケースである。
さらに、３８は絶縁配線基板で、絶縁基材２５の上下両
面にはメタライズ加工により、銅等でなるメタル薄板２
６，３９が被着されている。そして、下面のメタル薄板
３９の形状は、表面のメタル薄板２６との沿面距離が大
きく取れるように絶縁基材２５の形状よりも小さなもの
となっている。
３６は底部に良熱伝導材料製平板、例えば銅製平板で形
成された放熱板３７を設け、側部に角枠状の側壁部材２
４を設けて構成された半導体装置３５のケースである。
さらに、３８は絶縁配線基板で、絶縁基材２５の上下両
面にはメタライズ加工により、銅等でなるメタル薄板２
６，３９が被着されている。そして、下面のメタル薄板
３９の形状は、表面のメタル薄板２６との沿面距離が大
きく取れるように絶縁基材２５の形状よりも小さなもの
となっている。
【００１７】また、放熱板３７の上部には、絶縁基材２
５のメタル薄板３９と同形状の島状部４０が、所定の溝
幅を有し開口する環状溝４１を削設することによって形
成されている。そして、この島状部４０には絶縁配線基
板３８が、裏面側のメタル薄板３９を位置合わせして半
田付けすることによって固定されている。また島状部４
０に固定された絶縁配線基板３８は、絶縁基材２５の外
周縁が環状溝４１の上方に延在し、溝幅の略中心付近ま
でを覆うような状態となっている。なお、これによって
環状溝４１の開口は狭められるが、絶縁基材２５の外周
縁との間に残された開口部分は、メタル薄板３９の板厚
に比して、十分に大きな寸法を有するものとなってい
る。
５のメタル薄板３９と同形状の島状部４０が、所定の溝
幅を有し開口する環状溝４１を削設することによって形
成されている。そして、この島状部４０には絶縁配線基
板３８が、裏面側のメタル薄板３９を位置合わせして半
田付けすることによって固定されている。また島状部４
０に固定された絶縁配線基板３８は、絶縁基材２５の外
周縁が環状溝４１の上方に延在し、溝幅の略中心付近ま
でを覆うような状態となっている。なお、これによって
環状溝４１の開口は狭められるが、絶縁基材２５の外周
縁との間に残された開口部分は、メタル薄板３９の板厚
に比して、十分に大きな寸法を有するものとなってい
る。
【００１８】一方、絶縁配線基板３８の上面側のメタル
薄板２６は、素子搭載部３０や端子部３３等を有するよ
うにパターニングされており、形成された素子搭載部３
０には半導体素子３１がダイボンディングされ、半導体
素子３１の電極部３２と対応する端子部３３とが、ボン
ディングワイヤ３４により電気的に接続されている。ま
た、ケース３６内にはボンディングワイヤ３４及び半導
体素子３１等を覆いつくすように、液状あるいはゲル状
のシリコーン等でなる液状あるいはゲル状の絶縁樹脂２
９が充填され、ケース３６内の充電部の封止が行われて
いる。
薄板２６は、素子搭載部３０や端子部３３等を有するよ
うにパターニングされており、形成された素子搭載部３
０には半導体素子３１がダイボンディングされ、半導体
素子３１の電極部３２と対応する端子部３３とが、ボン
ディングワイヤ３４により電気的に接続されている。ま
た、ケース３６内にはボンディングワイヤ３４及び半導
体素子３１等を覆いつくすように、液状あるいはゲル状
のシリコーン等でなる液状あるいはゲル状の絶縁樹脂２
９が充填され、ケース３６内の充電部の封止が行われて
いる。
【００１９】このように構成されたものでは、半導体素
子３１を搭載しボンディングワイヤ３４による所定の接
続がなされた絶縁配線基板３８を放熱板３７の島状部４
０の上面に固着した状態で、ケース３６内に絶縁樹脂２
９が注入される。注入された絶縁樹脂２９は放熱板３７
の上面に広がり、先ず、絶縁基材２５の外周縁によって
狭められているが十分大きな開口部分が残されている環
状溝４１に流れ込み、これを埋め尽くす。その後、注入
された量が増えるにしたがい絶縁配線基板３８、半導体
素子３１、ボンディングワイヤ３４等を埋めていき、ケ
ース３６内に所定深さにまで注入される。
子３１を搭載しボンディングワイヤ３４による所定の接
続がなされた絶縁配線基板３８を放熱板３７の島状部４
０の上面に固着した状態で、ケース３６内に絶縁樹脂２
９が注入される。注入された絶縁樹脂２９は放熱板３７
の上面に広がり、先ず、絶縁基材２５の外周縁によって
狭められているが十分大きな開口部分が残されている環
状溝４１に流れ込み、これを埋め尽くす。その後、注入
された量が増えるにしたがい絶縁配線基板３８、半導体
素子３１、ボンディングワイヤ３４等を埋めていき、ケ
ース３６内に所定深さにまで注入される。
【００２０】そして、上記の絶縁樹脂２９の注入過程
で、絶縁基材２５の下面側の小形状のメタル薄板３９
が、同形状の放熱板３７の島状部４０に半田付けされた
絶縁配線基板３８は、その外周部分の下方に十分な大き
さで開口する環状溝４１が設けられていて、この環状溝
４１が絶縁樹脂２９によって埋め尽くされた後に下面側
から側面、上面側へと順に覆われていくため、外周部分
の下面側に気泡が形成されることがない。この結果、気
泡によって素子搭載部３０や端子部３３と放熱板３７と
の間等の電位の異なる部位間がつながれてしまうことが
なく、本実施形態のおいても上記の第１の実施形態と同
様の作用、効果を有する。
で、絶縁基材２５の下面側の小形状のメタル薄板３９
が、同形状の放熱板３７の島状部４０に半田付けされた
絶縁配線基板３８は、その外周部分の下方に十分な大き
さで開口する環状溝４１が設けられていて、この環状溝
４１が絶縁樹脂２９によって埋め尽くされた後に下面側
から側面、上面側へと順に覆われていくため、外周部分
の下面側に気泡が形成されることがない。この結果、気
泡によって素子搭載部３０や端子部３３と放熱板３７と
の間等の電位の異なる部位間がつながれてしまうことが
なく、本実施形態のおいても上記の第１の実施形態と同
様の作用、効果を有する。
【００２１】次に、第３の実施形態を図３により説明す
る。なお、上記各実施形態と同一部分には同一符号を付
して説明を省略し、異なる本実施形態の構成について説
明する。図３は要部を模式的に示す図で、図３（ａ）は
断面図、図３（ｂ）は上面図である。
る。なお、上記各実施形態と同一部分には同一符号を付
して説明を省略し、異なる本実施形態の構成について説
明する。図３は要部を模式的に示す図で、図３（ａ）は
断面図、図３（ｂ）は上面図である。
【００２２】図３において、４２は半導体装置であり、
４３は底部に良熱伝導材料製平板、例えば銅製平板で形
成された放熱板４４を設け、側部に角枠状の側壁部材２
４を設けて構成された半導体装置４２のケースである。
また放熱板４４には、その上部に絶縁配線基板３８の下
面側に被着されたメタル薄板３９と同形状の島状部４０
が、所定の溝幅を有し開口する環状溝４５を削設するこ
とによって形成されている。そして放熱板４４に削設さ
れた環状溝４５には、外側の溝内壁４６に放熱板４４の
上面から溝底部に向けて、溝内壁面からの溝深さが浅く
なる縦溝４７が複数条削設されている。
４３は底部に良熱伝導材料製平板、例えば銅製平板で形
成された放熱板４４を設け、側部に角枠状の側壁部材２
４を設けて構成された半導体装置４２のケースである。
また放熱板４４には、その上部に絶縁配線基板３８の下
面側に被着されたメタル薄板３９と同形状の島状部４０
が、所定の溝幅を有し開口する環状溝４５を削設するこ
とによって形成されている。そして放熱板４４に削設さ
れた環状溝４５には、外側の溝内壁４６に放熱板４４の
上面から溝底部に向けて、溝内壁面からの溝深さが浅く
なる縦溝４７が複数条削設されている。
【００２３】このように形成された放熱板４４には、そ
の島状部４０に絶縁配線基板３８が、下面側のメタル薄
板３９を位置合わせして半田付けすることによって固定
されている。また島状部４０に固定された絶縁配線基板
３８は、絶縁基材２５の外周縁が環状溝４５の上方に延
在し、溝幅の略中心付近までを覆うような状態となって
いる。なお、これによって環状溝４５の開口は狭められ
るが、絶縁基材２５の外周縁との間に残された開口部分
は、メタル薄板３９の板厚に比して、十分に大きな寸法
を有するものとなっている。なおまた、環状溝４５の溝
内壁４６に削設された縦溝４７は、島状部４０に固着さ
れた絶縁配線基板３８の外周部に配置された端子部３３
等の充電部位に対応するよう配設されている。
の島状部４０に絶縁配線基板３８が、下面側のメタル薄
板３９を位置合わせして半田付けすることによって固定
されている。また島状部４０に固定された絶縁配線基板
３８は、絶縁基材２５の外周縁が環状溝４５の上方に延
在し、溝幅の略中心付近までを覆うような状態となって
いる。なお、これによって環状溝４５の開口は狭められ
るが、絶縁基材２５の外周縁との間に残された開口部分
は、メタル薄板３９の板厚に比して、十分に大きな寸法
を有するものとなっている。なおまた、環状溝４５の溝
内壁４６に削設された縦溝４７は、島状部４０に固着さ
れた絶縁配線基板３８の外周部に配置された端子部３３
等の充電部位に対応するよう配設されている。
【００２４】一方、絶縁配線基板３８の上面側のメタル
薄板２６は、素子搭載部３０や端子部３３等を有するよ
うにパターニングされていて、形成された素子搭載部３
０には半導体素子３１がダイボンディングされ、半導体
素子３１の電極部３２と対応する端子部３３とが、ボン
ディングワイヤ３４により電気的に接続されている。ま
た、ケース４３内にはボンディングワイヤ３４及び半導
体素子３１等を覆いつくすように、液状あるいはゲル状
の絶縁樹脂２９が充填され、ケース４３内の充電部の封
止が行われている。
薄板２６は、素子搭載部３０や端子部３３等を有するよ
うにパターニングされていて、形成された素子搭載部３
０には半導体素子３１がダイボンディングされ、半導体
素子３１の電極部３２と対応する端子部３３とが、ボン
ディングワイヤ３４により電気的に接続されている。ま
た、ケース４３内にはボンディングワイヤ３４及び半導
体素子３１等を覆いつくすように、液状あるいはゲル状
の絶縁樹脂２９が充填され、ケース４３内の充電部の封
止が行われている。
【００２５】このように構成されたものでは、半導体素
子３１を搭載しボンディングワイヤ３４による所定の接
続がなされた絶縁配線基板３８を放熱板４４の島状部４
０の上面に固着した状態で、ケース４３内に絶縁樹脂２
９が注入される。注入された絶縁樹脂２９は放熱板４４
の上面に広がり、先ず、絶縁基材２５の外周縁によって
狭められているが十分大きな開口部分が残され、また縦
溝４７が形成されているので、これらを通じて環状溝４
５に流れ込み、これを埋め尽くす。その後、注入された
量が増えるにしたがい絶縁配線基板３８、半導体素子３
１、ボンディングワイヤ３４等を埋めていき、ケース４
３内に所定深さにまで注入される。
子３１を搭載しボンディングワイヤ３４による所定の接
続がなされた絶縁配線基板３８を放熱板４４の島状部４
０の上面に固着した状態で、ケース４３内に絶縁樹脂２
９が注入される。注入された絶縁樹脂２９は放熱板４４
の上面に広がり、先ず、絶縁基材２５の外周縁によって
狭められているが十分大きな開口部分が残され、また縦
溝４７が形成されているので、これらを通じて環状溝４
５に流れ込み、これを埋め尽くす。その後、注入された
量が増えるにしたがい絶縁配線基板３８、半導体素子３
１、ボンディングワイヤ３４等を埋めていき、ケース４
３内に所定深さにまで注入される。
【００２６】そして、上記の絶縁樹脂２９の注入過程
で、絶縁基材２５の下面側の小形状のメタル薄板３９
が、同形状の放熱板４４の島状部４０に半田付けされた
絶縁配線基板３８は、その外周部分の下方に、十分な大
きさで開口が残され溝内壁４６に縦溝４７を有する環状
溝４５が設けられており、この環状溝４５に直接あるい
は縦溝４７を通じて絶縁樹脂２９が注入され埋め尽くさ
れた後、下面側から側面、上面側へと順に覆われていく
ため、外周部分の下面側に気泡が形成されることがな
い。この結果、気泡によって素子搭載部３０や端子部３
３と放熱板４４との間等の電位の異なる部位間がつなが
れてしまうことがなく、本実施形態のおいても上記の第
１の実施形態と同様の作用、効果を有する。
で、絶縁基材２５の下面側の小形状のメタル薄板３９
が、同形状の放熱板４４の島状部４０に半田付けされた
絶縁配線基板３８は、その外周部分の下方に、十分な大
きさで開口が残され溝内壁４６に縦溝４７を有する環状
溝４５が設けられており、この環状溝４５に直接あるい
は縦溝４７を通じて絶縁樹脂２９が注入され埋め尽くさ
れた後、下面側から側面、上面側へと順に覆われていく
ため、外周部分の下面側に気泡が形成されることがな
い。この結果、気泡によって素子搭載部３０や端子部３
３と放熱板４４との間等の電位の異なる部位間がつなが
れてしまうことがなく、本実施形態のおいても上記の第
１の実施形態と同様の作用、効果を有する。
【００２７】次に、第４の実施形態を図４により説明す
る。なお、上記各実施形態と同一部分には同一符号を付
して説明を省略し、異なる本実施形態の構成について説
明する。図４は要部を模式的に示す断面図である。
る。なお、上記各実施形態と同一部分には同一符号を付
して説明を省略し、異なる本実施形態の構成について説
明する。図４は要部を模式的に示す断面図である。
【００２８】図４において、４８は半導体装置であり、
４９は底部に良熱伝導材料製平板、例えば銅製平板で形
成された放熱板５０を設け、側部に角枠状の側壁部材２
４を設けて構成された半導体装置４８のケースである。
また放熱板５０には、その上部に絶縁配線基板３８の下
面側に被着されたメタル薄板３９と同形状の島状部４０
が、所定の溝幅を有し開口する環状溝５１を削設するこ
とによって形成されている。そして放熱板５０には環状
溝５１より外側部分に、放熱板５０の上面に一端が開口
し他端が環状溝５１の外側の溝内壁４６底部に開口する
連通孔５２が複数本形成されている。
４９は底部に良熱伝導材料製平板、例えば銅製平板で形
成された放熱板５０を設け、側部に角枠状の側壁部材２
４を設けて構成された半導体装置４８のケースである。
また放熱板５０には、その上部に絶縁配線基板３８の下
面側に被着されたメタル薄板３９と同形状の島状部４０
が、所定の溝幅を有し開口する環状溝５１を削設するこ
とによって形成されている。そして放熱板５０には環状
溝５１より外側部分に、放熱板５０の上面に一端が開口
し他端が環状溝５１の外側の溝内壁４６底部に開口する
連通孔５２が複数本形成されている。
【００２９】このように形成された放熱板５０には、そ
の島状部４０に絶縁配線基板３８が、下面側のメタル薄
板３９を位置合わせして半田付けすることによって固定
されている。また島状部４０に固定された絶縁配線基板
３８は、絶縁基材２５の外周縁が環状溝５１の上方に延
在し、溝幅の略中心付近までを覆うような状態となって
いる。なお、これによって環状溝５１の開口は狭められ
るが、絶縁基材２５の外周縁との間に残された開口部分
は、メタル薄板３９の板厚に比して、十分に大きな寸法
を有するものとなっている。なおまた、環状溝５１の外
側部分に形成された連通孔５２は、島状部４０に固着さ
れた絶縁配線基板３８の外周部に配置された端子部３３
等の充電部位に対応するよう配設されている。
の島状部４０に絶縁配線基板３８が、下面側のメタル薄
板３９を位置合わせして半田付けすることによって固定
されている。また島状部４０に固定された絶縁配線基板
３８は、絶縁基材２５の外周縁が環状溝５１の上方に延
在し、溝幅の略中心付近までを覆うような状態となって
いる。なお、これによって環状溝５１の開口は狭められ
るが、絶縁基材２５の外周縁との間に残された開口部分
は、メタル薄板３９の板厚に比して、十分に大きな寸法
を有するものとなっている。なおまた、環状溝５１の外
側部分に形成された連通孔５２は、島状部４０に固着さ
れた絶縁配線基板３８の外周部に配置された端子部３３
等の充電部位に対応するよう配設されている。
【００３０】一方、絶縁配線基板３８の上面側のメタル
薄板２６は、素子搭載部３０や端子部３３等を有するよ
うにパターニングされていて、形成された素子搭載部３
０には半導体素子３１がダイボンディングされ、半導体
素子３１の電極部３２と対応する端子部３３とが、ボン
ディングワイヤ３４により電気的に接続されている。ま
た、ケース４９内にはボンディングワイヤ３４及び半導
体素子３１等を覆いつくすように、液状あるいはゲル状
の絶縁樹脂２９が充填され、ケース４９内の充電部の封
止が行われている。
薄板２６は、素子搭載部３０や端子部３３等を有するよ
うにパターニングされていて、形成された素子搭載部３
０には半導体素子３１がダイボンディングされ、半導体
素子３１の電極部３２と対応する端子部３３とが、ボン
ディングワイヤ３４により電気的に接続されている。ま
た、ケース４９内にはボンディングワイヤ３４及び半導
体素子３１等を覆いつくすように、液状あるいはゲル状
の絶縁樹脂２９が充填され、ケース４９内の充電部の封
止が行われている。
【００３１】このように構成されたものでは、半導体素
子３１を搭載しボンディングワイヤ３４による所定の接
続がなされた絶縁配線基板３８を放熱板５０の島状部４
０の上面に固着した状態で、ケース４９内に絶縁樹脂２
９が注入される。注入された絶縁樹脂２９は放熱板５０
の上面に広がり、先ず、絶縁基材２５の外周縁によって
狭められているが十分大きな開口部分が残され、また連
通孔５２が形成されているので、これらを通じて環状溝
５１に流れ込み、これを埋め尽くす。その後、注入され
た量が増えるにしたがい絶縁配線基板３８、半導体素子
３１、ボンディングワイヤ３４等を埋めていき、ケース
４９内に所定深さにまで注入される。
子３１を搭載しボンディングワイヤ３４による所定の接
続がなされた絶縁配線基板３８を放熱板５０の島状部４
０の上面に固着した状態で、ケース４９内に絶縁樹脂２
９が注入される。注入された絶縁樹脂２９は放熱板５０
の上面に広がり、先ず、絶縁基材２５の外周縁によって
狭められているが十分大きな開口部分が残され、また連
通孔５２が形成されているので、これらを通じて環状溝
５１に流れ込み、これを埋め尽くす。その後、注入され
た量が増えるにしたがい絶縁配線基板３８、半導体素子
３１、ボンディングワイヤ３４等を埋めていき、ケース
４９内に所定深さにまで注入される。
【００３２】そして、上記の絶縁樹脂２９の注入過程
で、絶縁基材２５の下面側の小形状のメタル薄板３９
が、同形状の放熱板５０の島状部４０に半田付けされた
絶縁配線基板３８は、その外周部分の下方に、十分な大
きさで開口が残され連通孔５２が溝底部に通じるように
形成された環状溝５１が設けられており、この環状溝５
１に直接あるいは連通孔５２を通じて絶縁樹脂２９が注
入され埋め尽くされた後、下面側から側面、上面側へと
順に覆われていくため、外周部分の下面側に気泡が形成
されることがない。この結果、気泡によって素子搭載部
３０や端子部３３と放熱板５０との間等の電位の異なる
部位間がつながれてしまうことがなく、本実施形態のお
いても上記の第１の実施形態と同様の作用、効果を有す
る。
で、絶縁基材２５の下面側の小形状のメタル薄板３９
が、同形状の放熱板５０の島状部４０に半田付けされた
絶縁配線基板３８は、その外周部分の下方に、十分な大
きさで開口が残され連通孔５２が溝底部に通じるように
形成された環状溝５１が設けられており、この環状溝５
１に直接あるいは連通孔５２を通じて絶縁樹脂２９が注
入され埋め尽くされた後、下面側から側面、上面側へと
順に覆われていくため、外周部分の下面側に気泡が形成
されることがない。この結果、気泡によって素子搭載部
３０や端子部３３と放熱板５０との間等の電位の異なる
部位間がつながれてしまうことがなく、本実施形態のお
いても上記の第１の実施形態と同様の作用、効果を有す
る。
【００３３】次に、第５の実施形態を図５により説明す
る。なお、上記各実施形態と同一部分には同一符号を付
して説明を省略し、異なる本実施形態の構成について説
明する。図５は要部を模式的に示す断面図である。
る。なお、上記各実施形態と同一部分には同一符号を付
して説明を省略し、異なる本実施形態の構成について説
明する。図５は要部を模式的に示す断面図である。
【００３４】図５において、５３は半導体装置であり、
５４は底部に良熱伝導材料製平板、例えば銅製平板で形
成された放熱板５５を設け、側部に角枠状の側壁部材２
４を設けて構成された半導体装置５３のケースである。
また、放熱板５５の上部には、絶縁基材２５のメタル薄
板３９と頂部が同形状の突状部５６が、錐台状に形成さ
れている。そして、この突状部５６には絶縁配線基板３
８が、下面側のメタル薄板３９を位置合わせして半田付
けすることによって固定されている。また突状部５６に
固定された絶縁配線基板３８は、絶縁基材２５の外周縁
が突状部５６の傾斜側面５７の上方に延在するものとな
っている。
５４は底部に良熱伝導材料製平板、例えば銅製平板で形
成された放熱板５５を設け、側部に角枠状の側壁部材２
４を設けて構成された半導体装置５３のケースである。
また、放熱板５５の上部には、絶縁基材２５のメタル薄
板３９と頂部が同形状の突状部５６が、錐台状に形成さ
れている。そして、この突状部５６には絶縁配線基板３
８が、下面側のメタル薄板３９を位置合わせして半田付
けすることによって固定されている。また突状部５６に
固定された絶縁配線基板３８は、絶縁基材２５の外周縁
が突状部５６の傾斜側面５７の上方に延在するものとな
っている。
【００３５】一方、絶縁配線基板３８の上面側のメタル
薄板２６は、素子搭載部３０や端子部３３等を有するよ
うにパターニングされていて、形成された素子搭載部３
０には半導体素子３１がダイボンディングされ、半導体
素子３１の電極部３２と対応する端子部３３とが、ボン
ディングワイヤ３４により電気的に接続されている。ま
た、ケース５４内にはボンディングワイヤ３４及び半導
体素子３１等を覆いつくすように、液状あるいはゲル状
の絶縁樹脂２９が充填され、ケース５４内の充電部の封
止が行われている。
薄板２６は、素子搭載部３０や端子部３３等を有するよ
うにパターニングされていて、形成された素子搭載部３
０には半導体素子３１がダイボンディングされ、半導体
素子３１の電極部３２と対応する端子部３３とが、ボン
ディングワイヤ３４により電気的に接続されている。ま
た、ケース５４内にはボンディングワイヤ３４及び半導
体素子３１等を覆いつくすように、液状あるいはゲル状
の絶縁樹脂２９が充填され、ケース５４内の充電部の封
止が行われている。
【００３６】このように構成されたものでは、半導体素
子３１を搭載しボンディングワイヤ３４による所定の接
続がなされた絶縁配線基板３８を放熱板５５の突状部５
６の上面に固着した状態で、ケース５４内に絶縁樹脂２
９が注入される。注入された絶縁樹脂２９は放熱板５５
の突状部５６の下部に広がり、その後、注入された量が
増えるにしたがい突状部５６、絶縁配線基板３８、半導
体素子３１、ボンディングワイヤ３４等を埋めていき、
ケース５４内に所定深さにまで注入される。
子３１を搭載しボンディングワイヤ３４による所定の接
続がなされた絶縁配線基板３８を放熱板５５の突状部５
６の上面に固着した状態で、ケース５４内に絶縁樹脂２
９が注入される。注入された絶縁樹脂２９は放熱板５５
の突状部５６の下部に広がり、その後、注入された量が
増えるにしたがい突状部５６、絶縁配線基板３８、半導
体素子３１、ボンディングワイヤ３４等を埋めていき、
ケース５４内に所定深さにまで注入される。
【００３７】そして、上記の絶縁樹脂２９の注入過程
で、絶縁基材２５の下面側の小形状のメタル薄板３９
が、同形状の頂部となっている放熱板５５の突状部５６
に半田付けされた絶縁配線基板３８は、その外周部分の
下方の突状部５６の傾斜側面５７が絶縁樹脂２９で埋め
尽くされた後、下面側から側面、上面側へと順に覆われ
ていくため、外周部分の下面側に気泡が形成されること
がない。この結果、気泡によって素子搭載部３０や端子
部３３と放熱板５５との間等の電位の異なる部位間がつ
ながれてしまうことがなく、本実施形態のおいても上記
の第１の実施形態と同様の作用、効果を有する。
で、絶縁基材２５の下面側の小形状のメタル薄板３９
が、同形状の頂部となっている放熱板５５の突状部５６
に半田付けされた絶縁配線基板３８は、その外周部分の
下方の突状部５６の傾斜側面５７が絶縁樹脂２９で埋め
尽くされた後、下面側から側面、上面側へと順に覆われ
ていくため、外周部分の下面側に気泡が形成されること
がない。この結果、気泡によって素子搭載部３０や端子
部３３と放熱板５５との間等の電位の異なる部位間がつ
ながれてしまうことがなく、本実施形態のおいても上記
の第１の実施形態と同様の作用、効果を有する。
【００３８】次に、第６の実施形態を図６乃至図９によ
り説明する。なお、上記各実施形態と同一部分には同一
符号を付して説明を省略し、異なる本実施形態の構成に
ついて説明する。図６は要部を模式的に示す断面図であ
り、図７は本実施形態における第１の変形形態を模式的
に示す部分断面図であり、図８は本実施形態における第
２の変形形態を模式的に示す部分断面図であり、図９は
本実施形態における第３の変形形態を模式的に示す部分
断面図である。
り説明する。なお、上記各実施形態と同一部分には同一
符号を付して説明を省略し、異なる本実施形態の構成に
ついて説明する。図６は要部を模式的に示す断面図であ
り、図７は本実施形態における第１の変形形態を模式的
に示す部分断面図であり、図８は本実施形態における第
２の変形形態を模式的に示す部分断面図であり、図９は
本実施形態における第３の変形形態を模式的に示す部分
断面図である。
【００３９】図６において、５８は半導体装置であり、
底部に放熱板２３を設け、側部に側壁部材２４を設けて
構成されたケース２２を備えている。５９は絶縁配線基
板で、その窒化アルミニウム等で形成された平板状の絶
縁基材６０の上下両面にはメタライズ加工により、銅等
でなるメタル薄板２６，６１が被着されている。また、
絶縁基材６０は、外周端部６０ａの側面６２が、下方向
に面が向いた逆勾配の単一傾斜の平坦な傾斜面によって
構成され、絶縁基材６０の上面形状が下面形状よりも大
きくなっている。さらに絶縁基材６０の下面に被着され
たメタル薄板６１の形状は、上面のメタル薄板２６との
沿面距離が大きく取れるように絶縁基材６０の下面形状
と略等しいか若干小さいものとなっている。そして、放
熱板２３の上面には絶縁配線基板５９が、下面側のメタ
ル薄板６１を半田付けすることによって固定されてい
る。このため、絶縁配線基板５９はその外周部分に、絶
縁基材６０の側面６２と放熱板２３の上面との間にメタ
ル薄板６１の厚さを最小寸法とし外方に向けて拡大する
間隙６３を形成して固着される。
底部に放熱板２３を設け、側部に側壁部材２４を設けて
構成されたケース２２を備えている。５９は絶縁配線基
板で、その窒化アルミニウム等で形成された平板状の絶
縁基材６０の上下両面にはメタライズ加工により、銅等
でなるメタル薄板２６，６１が被着されている。また、
絶縁基材６０は、外周端部６０ａの側面６２が、下方向
に面が向いた逆勾配の単一傾斜の平坦な傾斜面によって
構成され、絶縁基材６０の上面形状が下面形状よりも大
きくなっている。さらに絶縁基材６０の下面に被着され
たメタル薄板６１の形状は、上面のメタル薄板２６との
沿面距離が大きく取れるように絶縁基材６０の下面形状
と略等しいか若干小さいものとなっている。そして、放
熱板２３の上面には絶縁配線基板５９が、下面側のメタ
ル薄板６１を半田付けすることによって固定されてい
る。このため、絶縁配線基板５９はその外周部分に、絶
縁基材６０の側面６２と放熱板２３の上面との間にメタ
ル薄板６１の厚さを最小寸法とし外方に向けて拡大する
間隙６３を形成して固着される。
【００４０】一方、絶縁配線基板５９の上面側のメタル
薄板２６は、素子搭載部３０や端子部３３等を有するよ
うにパターニングされており、形成された素子搭載部３
０には半導体素子３１がダイボンディングされ、半導体
素子３１の電極部３２と対応する端子部３３とが、ボン
ディングワイヤ３４により電気的に接続されている。ま
た、ケース２２内にはボンディングワイヤ３４及び半導
体素子３１等を覆いつくすように、液状シリコーン等で
なる液状あるいはゲル状の絶縁樹脂２９が充填され、ケ
ース２７内の充電部の封止が行われている。
薄板２６は、素子搭載部３０や端子部３３等を有するよ
うにパターニングされており、形成された素子搭載部３
０には半導体素子３１がダイボンディングされ、半導体
素子３１の電極部３２と対応する端子部３３とが、ボン
ディングワイヤ３４により電気的に接続されている。ま
た、ケース２２内にはボンディングワイヤ３４及び半導
体素子３１等を覆いつくすように、液状シリコーン等で
なる液状あるいはゲル状の絶縁樹脂２９が充填され、ケ
ース２７内の充電部の封止が行われている。
【００４１】このように構成されたものでは、半導体素
子３１を搭載しボンディングワイヤ３４による所定の接
続がなされた絶縁配線基板５９を放熱板２３の上面に固
着した状態で、ケース２２内に絶縁樹脂２９が注入され
る。注入された絶縁樹脂２９は放熱板２３の上面に広が
り、絶縁基材６０の外周端部６０ａに形成された間隙６
３に流れ込み、これを埋め尽くす。その後、注入された
量が増えるにしたがい絶縁配線基板５９、半導体素子３
１、ボンディングワイヤ３４等を埋めていき、ケース２
２内に所定深さにまで注入される。
子３１を搭載しボンディングワイヤ３４による所定の接
続がなされた絶縁配線基板５９を放熱板２３の上面に固
着した状態で、ケース２２内に絶縁樹脂２９が注入され
る。注入された絶縁樹脂２９は放熱板２３の上面に広が
り、絶縁基材６０の外周端部６０ａに形成された間隙６
３に流れ込み、これを埋め尽くす。その後、注入された
量が増えるにしたがい絶縁配線基板５９、半導体素子３
１、ボンディングワイヤ３４等を埋めていき、ケース２
２内に所定深さにまで注入される。
【００４２】そして、上記の絶縁樹脂２９の注入過程
で、絶縁基材６０の側面６２と放熱板２３の上面とによ
り形成された間隙６３が、外方に向けて拡大するように
形成されており、この間隙６３が絶縁樹脂２９によって
埋め尽くされた後に、絶縁配線基板５９の側面、上面側
が順に覆われていくため、絶縁配線基板５９の外周部分
の下面側に気泡が形成されることがない。この結果、気
泡によって素子搭載部３０や端子部３３と放熱板２３と
の間等の電位の異なる部位間がつながれてしまうことが
なく、本実施形態のおいても上記の第１の実施形態と同
様の作用、効果を有する。
で、絶縁基材６０の側面６２と放熱板２３の上面とによ
り形成された間隙６３が、外方に向けて拡大するように
形成されており、この間隙６３が絶縁樹脂２９によって
埋め尽くされた後に、絶縁配線基板５９の側面、上面側
が順に覆われていくため、絶縁配線基板５９の外周部分
の下面側に気泡が形成されることがない。この結果、気
泡によって素子搭載部３０や端子部３３と放熱板２３と
の間等の電位の異なる部位間がつながれてしまうことが
なく、本実施形態のおいても上記の第１の実施形態と同
様の作用、効果を有する。
【００４３】また、上記の第６の実施形態では、絶縁基
材６０の外周端部６０ａの側面６２が、下方向に面が向
いた単一傾斜の平坦な傾斜面によって構成されている
が、図７に示す第１の変形形態のように、絶縁配線基板
５９A の絶縁基材６０A の外周端部６０ａA の側面６２
A を、３つ異なる傾斜の平坦面Ｘ，Ｙ，Ｚによって逆勾
配を構成し、放熱板２３との間に全体として外方に向け
て拡大するように間隙６３A が形成されれば、同様の作
用、効果が得られる。さらに、図８に示す第２の変形形
態のように、絶縁配線基板５９B の絶縁基材６０B の外
周端部６０ａB の側面６２B を、下方向に全体として面
が向いた逆勾配の曲面Ｒによって構成し、放熱板２３と
の間に全体として外方に向けて拡大するように間隙６３
B が形成されれば、同様の作用、効果が得られる。また
さらに、図９に示す第３の変形形態のように、絶縁配線
基板５９C の絶縁基材６０C の外周端部６０ａC の側面
６２C を、平坦面Ｘと曲面Ｒによって構成し、放熱板２
３との間に全体として外方に向けて拡大するように間隙
６３C が形成されれば、同様の作用、効果が得られる。
材６０の外周端部６０ａの側面６２が、下方向に面が向
いた単一傾斜の平坦な傾斜面によって構成されている
が、図７に示す第１の変形形態のように、絶縁配線基板
５９A の絶縁基材６０A の外周端部６０ａA の側面６２
A を、３つ異なる傾斜の平坦面Ｘ，Ｙ，Ｚによって逆勾
配を構成し、放熱板２３との間に全体として外方に向け
て拡大するように間隙６３A が形成されれば、同様の作
用、効果が得られる。さらに、図８に示す第２の変形形
態のように、絶縁配線基板５９B の絶縁基材６０B の外
周端部６０ａB の側面６２B を、下方向に全体として面
が向いた逆勾配の曲面Ｒによって構成し、放熱板２３と
の間に全体として外方に向けて拡大するように間隙６３
B が形成されれば、同様の作用、効果が得られる。また
さらに、図９に示す第３の変形形態のように、絶縁配線
基板５９C の絶縁基材６０C の外周端部６０ａC の側面
６２C を、平坦面Ｘと曲面Ｒによって構成し、放熱板２
３との間に全体として外方に向けて拡大するように間隙
６３C が形成されれば、同様の作用、効果が得られる。
【００４４】次に、第７の実施形態を図１０により説明
する。なお、上記各実施形態と同一部分には同一符号を
付して説明を省略し、異なる本実施形態の構成について
説明する。図１０は要部を模式的に示す断面図である。
する。なお、上記各実施形態と同一部分には同一符号を
付して説明を省略し、異なる本実施形態の構成について
説明する。図１０は要部を模式的に示す断面図である。
【００４５】図１０において、６４は半導体装置であ
り、６５は底部に良熱伝導材料製平板、例えば銅製平板
で形成された放熱板６６を設けて構成された半導体装置
６４のケースで、６７はケース６５の、例えばＰＰＳ樹
脂等の合成樹脂によって角枠状に形成された側壁部材で
ある。また放熱板６６の上面には、窒化アルミニウム等
で形成された平板状の絶縁基材６８の上下両面に銅等で
なるメタル薄板２６，６９がメタライズ加工により被着
された絶縁配線基板７０が、下面側のメタル薄板６９を
半田付けすることによって固定されている。絶縁基材６
８は上面側のメタル薄板２６に比して十分大きい形状、
すなわち、絶縁基材６８の端縁からメタル薄板２６の端
子部３３等の充電部位までの距離が、メタル薄板２６を
パターニングした素子搭載部３０に搭載される半導体素
子３１の使用電圧に応じて決定される電気絶縁上必要と
される沿面距離を十分に確保できるような形状となって
いる。そして、下面のメタル薄板６９の形状は、表面の
メタル薄板２６との沿面距離が大きく取れるように絶縁
基材６８の形状よりも小さなものとなっている。そして
絶縁基材６８の外周端部６８ａの下面と放熱板６６の上
面との間にメタル薄板６９の厚さに等しい間隙７１が形
成されている。
り、６５は底部に良熱伝導材料製平板、例えば銅製平板
で形成された放熱板６６を設けて構成された半導体装置
６４のケースで、６７はケース６５の、例えばＰＰＳ樹
脂等の合成樹脂によって角枠状に形成された側壁部材で
ある。また放熱板６６の上面には、窒化アルミニウム等
で形成された平板状の絶縁基材６８の上下両面に銅等で
なるメタル薄板２６，６９がメタライズ加工により被着
された絶縁配線基板７０が、下面側のメタル薄板６９を
半田付けすることによって固定されている。絶縁基材６
８は上面側のメタル薄板２６に比して十分大きい形状、
すなわち、絶縁基材６８の端縁からメタル薄板２６の端
子部３３等の充電部位までの距離が、メタル薄板２６を
パターニングした素子搭載部３０に搭載される半導体素
子３１の使用電圧に応じて決定される電気絶縁上必要と
される沿面距離を十分に確保できるような形状となって
いる。そして、下面のメタル薄板６９の形状は、表面の
メタル薄板２６との沿面距離が大きく取れるように絶縁
基材６８の形状よりも小さなものとなっている。そして
絶縁基材６８の外周端部６８ａの下面と放熱板６６の上
面との間にメタル薄板６９の厚さに等しい間隙７１が形
成されている。
【００４６】一方、絶縁配線基板７０の上面側のメタル
薄板２６は、素子搭載部３０や端子部３３等を有するよ
うにパターニングされており、形成された素子搭載部３
０には半導体素子３１がダイボンディングされ、半導体
素子３１の電極部３２と対応する端子部３３とが、ボン
ディングワイヤ３４により電気的に接続されている。ま
た、ケース６５内にはボンディングワイヤ３４及び半導
体素子３１等を覆いつくすように、液状あるいはゲル状
のシリコーン等でなる液状あるいはゲル状の絶縁樹脂２
９が充填され、ケース６５内の充電部の封止が行われて
いる。
薄板２６は、素子搭載部３０や端子部３３等を有するよ
うにパターニングされており、形成された素子搭載部３
０には半導体素子３１がダイボンディングされ、半導体
素子３１の電極部３２と対応する端子部３３とが、ボン
ディングワイヤ３４により電気的に接続されている。ま
た、ケース６５内にはボンディングワイヤ３４及び半導
体素子３１等を覆いつくすように、液状あるいはゲル状
のシリコーン等でなる液状あるいはゲル状の絶縁樹脂２
９が充填され、ケース６５内の充電部の封止が行われて
いる。
【００４７】このように構成されたものでは、半導体素
子３１を搭載しボンディングワイヤ３４による所定の接
続がなされた絶縁配線基板７０を放熱板６６の上面に固
着した状態で、ケース６５内に絶縁樹脂２９が注入され
る。注入された絶縁樹脂２９は放熱板６６の上面に広が
り、絶縁基材６８の外周端部６８ａに形成された間隙７
１に流れ込み、これを埋め尽くす。その後、注入された
量が増えるにしたがい絶縁配線基板７０、半導体素子３
１、ボンディングワイヤ３４等を埋めていき、ケース６
５内に所定深さにまで注入される。
子３１を搭載しボンディングワイヤ３４による所定の接
続がなされた絶縁配線基板７０を放熱板６６の上面に固
着した状態で、ケース６５内に絶縁樹脂２９が注入され
る。注入された絶縁樹脂２９は放熱板６６の上面に広が
り、絶縁基材６８の外周端部６８ａに形成された間隙７
１に流れ込み、これを埋め尽くす。その後、注入された
量が増えるにしたがい絶縁配線基板７０、半導体素子３
１、ボンディングワイヤ３４等を埋めていき、ケース６
５内に所定深さにまで注入される。
【００４８】そして、上記の絶縁樹脂２９の注入過程
で、絶縁基材６８の外周端部６８ａの下面と放熱板６６
の上面及びメタル薄板６９の端面とにより形成された間
隙７１が絶縁樹脂２９によって埋め尽くされた後に、絶
縁配線基板７０の側面が覆われ、続いて上面側が順に覆
われて行く。この際に絶縁配線基板７０の外周部分に間
隙７１が形成されているので、この間隙７１に気泡が形
成されたとしても、絶縁基材６８は十分大きい形状で、
絶縁基材６８の端縁からメタル薄板２６の端子部３３等
の充電部位までの距離が、必要とされる沿面距離に対し
十分に大きくなるため、動作時の温度上昇にともない間
隙７１の気泡が大きくなっても、気泡によって素子搭載
部３０や端子部３３と放熱板６６との間等の電位の異な
る部位間がつながれてしまうことがなく、また気泡が存
在しても、気泡内に生じるコロナ放電によって耐電圧不
良が発生するようなことがなく、装置の信頼性は高いも
のとなる。
で、絶縁基材６８の外周端部６８ａの下面と放熱板６６
の上面及びメタル薄板６９の端面とにより形成された間
隙７１が絶縁樹脂２９によって埋め尽くされた後に、絶
縁配線基板７０の側面が覆われ、続いて上面側が順に覆
われて行く。この際に絶縁配線基板７０の外周部分に間
隙７１が形成されているので、この間隙７１に気泡が形
成されたとしても、絶縁基材６８は十分大きい形状で、
絶縁基材６８の端縁からメタル薄板２６の端子部３３等
の充電部位までの距離が、必要とされる沿面距離に対し
十分に大きくなるため、動作時の温度上昇にともない間
隙７１の気泡が大きくなっても、気泡によって素子搭載
部３０や端子部３３と放熱板６６との間等の電位の異な
る部位間がつながれてしまうことがなく、また気泡が存
在しても、気泡内に生じるコロナ放電によって耐電圧不
良が発生するようなことがなく、装置の信頼性は高いも
のとなる。
【００４９】次に、第８の実施形態を図１１により説明
する。なお、上記各実施形態と同一部分には同一符号を
付して説明を省略し、異なる本実施形態の構成について
説明する。図１１は要部を模式的に示す断面図である。
する。なお、上記各実施形態と同一部分には同一符号を
付して説明を省略し、異なる本実施形態の構成について
説明する。図１１は要部を模式的に示す断面図である。
【００５０】図１１において、７２は半導体装置であ
り、底部に放熱板２３を設け、側部に側壁部材２４を設
けて構成されたケース２２を備えている。７３は絶縁配
線基板で、その窒化アルミニウム等で形成された全外周
部に側壁７４を立設してなる浅皿状の絶縁基材７５の皿
内上面と下面には、それぞれメタライズ加工により、銅
等でなるメタル薄板２６，７６が被着されていて、下面
側のメタル薄板７６を放熱板２３の上面に半田付けする
ことによって固定されている。そして絶縁基材７５の下
面側に被着されたメタル薄板７６は絶縁基材７５の下面
よりも小形状で、絶縁配線基板７３を放熱板２３の上面
に固着した状態で、絶縁基材７５の外周端部７５ａの下
面と放熱板２３の上面との間にメタル薄板７６の厚さに
等しい間隙７７が形成されている。
り、底部に放熱板２３を設け、側部に側壁部材２４を設
けて構成されたケース２２を備えている。７３は絶縁配
線基板で、その窒化アルミニウム等で形成された全外周
部に側壁７４を立設してなる浅皿状の絶縁基材７５の皿
内上面と下面には、それぞれメタライズ加工により、銅
等でなるメタル薄板２６，７６が被着されていて、下面
側のメタル薄板７６を放熱板２３の上面に半田付けする
ことによって固定されている。そして絶縁基材７５の下
面側に被着されたメタル薄板７６は絶縁基材７５の下面
よりも小形状で、絶縁配線基板７３を放熱板２３の上面
に固着した状態で、絶縁基材７５の外周端部７５ａの下
面と放熱板２３の上面との間にメタル薄板７６の厚さに
等しい間隙７７が形成されている。
【００５１】一方、絶縁配線基板７３の上面側のメタル
薄板２６は、素子搭載部３０や端子部３３等を有するよ
うにパターニングされており、形成された素子搭載部３
０には半導体素子３１がダイボンディングされ、半導体
素子３１の電極部３２と対応する端子部３３とが、ボン
ディングワイヤ３４により電気的に接続されている。ま
た、ケース２２内にはボンディングワイヤ３４及び半導
体素子３１等を覆いつくすように、液状あるいはゲル状
のシリコーン等でなる液状あるいはゲル状の絶縁樹脂２
９が充填され、ケース２２内の充電部の封止が行われて
いる。
薄板２６は、素子搭載部３０や端子部３３等を有するよ
うにパターニングされており、形成された素子搭載部３
０には半導体素子３１がダイボンディングされ、半導体
素子３１の電極部３２と対応する端子部３３とが、ボン
ディングワイヤ３４により電気的に接続されている。ま
た、ケース２２内にはボンディングワイヤ３４及び半導
体素子３１等を覆いつくすように、液状あるいはゲル状
のシリコーン等でなる液状あるいはゲル状の絶縁樹脂２
９が充填され、ケース２２内の充電部の封止が行われて
いる。
【００５２】このように構成されたものでは、半導体素
子３１を搭載しボンディングワイヤ３４による所定の接
続がなされた絶縁配線基板７３を放熱板２３の上面に固
着した状態で、ケース２２内に絶縁樹脂２９が注入され
る。注入された絶縁樹脂２９は放熱板２３の上面に広が
り、絶縁基材７５の外周端部７５ａに形成された間隙７
７に流れ込み、これを埋め尽くす。その後、注入された
量が増えるにしたがい絶縁基材７５の外周部に立設され
た側壁７４の高さまで到達し、これを越えると絶縁基材
７５の皿内上面に搭載された半導体素子３１、ボンディ
ングワイヤ３４等を埋めていき、ケース２２内に所定深
さにまで注入される。
子３１を搭載しボンディングワイヤ３４による所定の接
続がなされた絶縁配線基板７３を放熱板２３の上面に固
着した状態で、ケース２２内に絶縁樹脂２９が注入され
る。注入された絶縁樹脂２９は放熱板２３の上面に広が
り、絶縁基材７５の外周端部７５ａに形成された間隙７
７に流れ込み、これを埋め尽くす。その後、注入された
量が増えるにしたがい絶縁基材７５の外周部に立設され
た側壁７４の高さまで到達し、これを越えると絶縁基材
７５の皿内上面に搭載された半導体素子３１、ボンディ
ングワイヤ３４等を埋めていき、ケース２２内に所定深
さにまで注入される。
【００５３】そして、上記の絶縁樹脂２９の注入過程
で、絶縁基材７５の外周端部７５ａの下面と放熱板２３
の上面とにより形成された間隙７７が絶縁樹脂２９によ
って埋め尽くされた後に、絶縁配線基板７３の側面が覆
われ、続いて上面側が順に覆われて行く。この際に絶縁
配線基板７３の外周部分に間隙７７が形成されているの
で、この間隙７７に気泡が形成されたとしても、絶縁基
材７５は外周部に側壁７４が立設されており、絶縁基材
７５の下面端縁からメタル薄板２６の端子部３３等の充
電部位までの距離が、必要とされる沿面距離に対し十分
に大きくなるため、温度上昇にともない間隙７７の気泡
が大きくなっても、気泡によって素子搭載部３０や端子
部３３と放熱板２３との間等の電位の異なる部位間がつ
ながれてしまうことがなく、また気泡が存在しても、気
泡内に生じるコロナ放電によって耐電圧不良が発生する
ようなことがなく、装置の信頼性は高いものとなる。
で、絶縁基材７５の外周端部７５ａの下面と放熱板２３
の上面とにより形成された間隙７７が絶縁樹脂２９によ
って埋め尽くされた後に、絶縁配線基板７３の側面が覆
われ、続いて上面側が順に覆われて行く。この際に絶縁
配線基板７３の外周部分に間隙７７が形成されているの
で、この間隙７７に気泡が形成されたとしても、絶縁基
材７５は外周部に側壁７４が立設されており、絶縁基材
７５の下面端縁からメタル薄板２６の端子部３３等の充
電部位までの距離が、必要とされる沿面距離に対し十分
に大きくなるため、温度上昇にともない間隙７７の気泡
が大きくなっても、気泡によって素子搭載部３０や端子
部３３と放熱板２３との間等の電位の異なる部位間がつ
ながれてしまうことがなく、また気泡が存在しても、気
泡内に生じるコロナ放電によって耐電圧不良が発生する
ようなことがなく、装置の信頼性は高いものとなる。
【００５４】次に、第９の実施形態を図１２により説明
する。なお、上記各実施形態と同一部分には同一符号を
付して説明を省略し、異なる本実施形態の構成について
説明する。図１２は要部を模式的に示す断面図である。
する。なお、上記各実施形態と同一部分には同一符号を
付して説明を省略し、異なる本実施形態の構成について
説明する。図１２は要部を模式的に示す断面図である。
【００５５】図１２において、７８は半導体装置であ
り、底部に放熱板２３を設け、側部に側壁部材２４を設
けて構成されたケース２２を備えている。７９は絶縁配
線基板で、全外周部に側壁７４が立設された浅皿状の絶
縁基材７５の皿内上面と下面には、それぞれメタライズ
加工により、銅等でなるメタル薄板２６，８０が被着さ
れていて、下面側のメタル薄板８０を放熱板２３の上面
に半田付けすることによって固定されている。そして絶
縁基材７５の下面側に被着されたメタル薄板８０は絶縁
基材７５の下面と略々同じ形状となっていて、両者の外
周端部７５ａ，８０ａが一致したものとなっている。す
なわち、絶縁基材７５とメタル薄板８０の全側端面が、
ケース２２内に充填される絶縁樹脂２９によって気泡が
形成されない範囲で絶縁基材７５が大きい状態を許容す
る程度の略同一面を形成している。このため、絶縁配線
基板７９はその外周部分に絶縁基材７５の下面と放熱板
２３の上面との間に間隙を形成することなく固着され
る。
り、底部に放熱板２３を設け、側部に側壁部材２４を設
けて構成されたケース２２を備えている。７９は絶縁配
線基板で、全外周部に側壁７４が立設された浅皿状の絶
縁基材７５の皿内上面と下面には、それぞれメタライズ
加工により、銅等でなるメタル薄板２６，８０が被着さ
れていて、下面側のメタル薄板８０を放熱板２３の上面
に半田付けすることによって固定されている。そして絶
縁基材７５の下面側に被着されたメタル薄板８０は絶縁
基材７５の下面と略々同じ形状となっていて、両者の外
周端部７５ａ，８０ａが一致したものとなっている。す
なわち、絶縁基材７５とメタル薄板８０の全側端面が、
ケース２２内に充填される絶縁樹脂２９によって気泡が
形成されない範囲で絶縁基材７５が大きい状態を許容す
る程度の略同一面を形成している。このため、絶縁配線
基板７９はその外周部分に絶縁基材７５の下面と放熱板
２３の上面との間に間隙を形成することなく固着され
る。
【００５６】一方、絶縁配線基板７９の上面側のメタル
薄板２６は、素子搭載部３０や端子部３３等を有するよ
うにパターニングされており、形成された素子搭載部３
０には半導体素子３１がダイボンディングされ、半導体
素子３１の電極部３２と対応する端子部３３とが、ボン
ディングワイヤ３４により電気的に接続されている。ま
た、ケース２２内にはボンディングワイヤ３４及び半導
体素子３１等を覆いつくすように、液状あるいはゲル状
のシリコーン等でなる液状あるいはゲル状の絶縁樹脂２
９が充填され、ケース２２内の充電部の封止が行われて
いる。
薄板２６は、素子搭載部３０や端子部３３等を有するよ
うにパターニングされており、形成された素子搭載部３
０には半導体素子３１がダイボンディングされ、半導体
素子３１の電極部３２と対応する端子部３３とが、ボン
ディングワイヤ３４により電気的に接続されている。ま
た、ケース２２内にはボンディングワイヤ３４及び半導
体素子３１等を覆いつくすように、液状あるいはゲル状
のシリコーン等でなる液状あるいはゲル状の絶縁樹脂２
９が充填され、ケース２２内の充電部の封止が行われて
いる。
【００５７】このように構成されたものでは、半導体素
子３１を搭載しボンディングワイヤ３４による所定の接
続がなされた絶縁配線基板７９を放熱板２３の上面に固
着した状態で、ケース２２内に絶縁樹脂２９が注入され
る。注入された絶縁樹脂２９は放熱板２３の上面に広が
り、さらに注入された量が増えるにしたがい絶縁配線基
板７９、半導体素子３１、ボンディングワイヤ３４等を
埋めていき、所定深さにまで注入される。
子３１を搭載しボンディングワイヤ３４による所定の接
続がなされた絶縁配線基板７９を放熱板２３の上面に固
着した状態で、ケース２２内に絶縁樹脂２９が注入され
る。注入された絶縁樹脂２９は放熱板２３の上面に広が
り、さらに注入された量が増えるにしたがい絶縁配線基
板７９、半導体素子３１、ボンディングワイヤ３４等を
埋めていき、所定深さにまで注入される。
【００５８】そして、上記の絶縁樹脂２９の注入過程
で、絶縁配線基板７９の下面側に設けられたメタル薄板
８０の形状が絶縁基材７５の下面と略々同じ形状で、両
者が略同一面となる側端面を形成しているため、絶縁樹
脂２９は放熱板２３の上面からメタル薄板８０、絶縁基
材７５の側面に沿って液位を順に上昇させて行くことに
なり、絶縁配線基板７９の外周部分に気泡が形成される
ことがない。この結果、気泡によって素子搭載部３０や
端子部３３と放熱板２３との間等の電位の異なる部位間
がつながれてしまうことがなく、本実施形態のおいても
上記の第１の実施形態と同様の作用、効果を有する。
で、絶縁配線基板７９の下面側に設けられたメタル薄板
８０の形状が絶縁基材７５の下面と略々同じ形状で、両
者が略同一面となる側端面を形成しているため、絶縁樹
脂２９は放熱板２３の上面からメタル薄板８０、絶縁基
材７５の側面に沿って液位を順に上昇させて行くことに
なり、絶縁配線基板７９の外周部分に気泡が形成される
ことがない。この結果、気泡によって素子搭載部３０や
端子部３３と放熱板２３との間等の電位の異なる部位間
がつながれてしまうことがなく、本実施形態のおいても
上記の第１の実施形態と同様の作用、効果を有する。
【００５９】次に、第１０の実施形態を図１３により説
明する。なお、上記各実施形態と同一部分には同一符号
を付して説明を省略し、異なる本実施形態の構成につい
て説明する。図１３は要部を模式的に示す断面図であ
る。
明する。なお、上記各実施形態と同一部分には同一符号
を付して説明を省略し、異なる本実施形態の構成につい
て説明する。図１３は要部を模式的に示す断面図であ
る。
【００６０】図１３において、８１は半導体装置であ
り、底部に放熱板６６を設け、側部に側壁部材６７を設
けて構成されたケース６５を備えている。８２は絶縁配
線基板で、窒化アルミニウム等で形成された略平板状の
絶縁基材８３の上下両面に銅等でなるメタル薄板２６，
６９がメタライズ加工により被着されていて、下面側の
メタル薄板６９を放熱板６６の上面に半田付けすること
によって固定されている。絶縁基材８３は上面側のメタ
ル薄板２６に比して大きい形状で、その上面にはメタル
薄板２６を囲むように窪み８４が削設され、絶縁基材８
３の端縁からメタル薄板２６の端子部３３等の充電部位
までの距離が、メタル薄板２６をパターニングした素子
搭載部３０に搭載される半導体素子３１の使用電圧に応
じて決定される電気絶縁上必要とされる沿面距離を十分
に確保できるような形状となっている。そして、下面の
メタル薄板６９の形状は、表面のメタル薄板２６との沿
面距離が大きく取れるように絶縁基材８３の形状よりも
小さなものとなっている。そして絶縁基材８３の外周端
部８３ａの下面と放熱板６６の上面との間にメタル薄板
６９の厚さに等しい間隙８５が形成されている。
り、底部に放熱板６６を設け、側部に側壁部材６７を設
けて構成されたケース６５を備えている。８２は絶縁配
線基板で、窒化アルミニウム等で形成された略平板状の
絶縁基材８３の上下両面に銅等でなるメタル薄板２６，
６９がメタライズ加工により被着されていて、下面側の
メタル薄板６９を放熱板６６の上面に半田付けすること
によって固定されている。絶縁基材８３は上面側のメタ
ル薄板２６に比して大きい形状で、その上面にはメタル
薄板２６を囲むように窪み８４が削設され、絶縁基材８
３の端縁からメタル薄板２６の端子部３３等の充電部位
までの距離が、メタル薄板２６をパターニングした素子
搭載部３０に搭載される半導体素子３１の使用電圧に応
じて決定される電気絶縁上必要とされる沿面距離を十分
に確保できるような形状となっている。そして、下面の
メタル薄板６９の形状は、表面のメタル薄板２６との沿
面距離が大きく取れるように絶縁基材８３の形状よりも
小さなものとなっている。そして絶縁基材８３の外周端
部８３ａの下面と放熱板６６の上面との間にメタル薄板
６９の厚さに等しい間隙８５が形成されている。
【００６１】一方、絶縁配線基板８２の上面側のメタル
薄板２６は、素子搭載部３０や端子部３３等を有するよ
うにパターニングされており、形成された素子搭載部３
０には半導体素子３１がダイボンディングされ、半導体
素子３１の電極部３２と対応する端子部３３とが、ボン
ディングワイヤ３４により電気的に接続されている。ま
た、ケース６５内にはボンディングワイヤ３４及び半導
体素子３１等を覆いつくすように、液状あるいはゲル状
のシリコーン等でなる液状あるいはゲル状の絶縁樹脂２
９が充填され、ケース６５内の充電部の封止が行われて
いる。
薄板２６は、素子搭載部３０や端子部３３等を有するよ
うにパターニングされており、形成された素子搭載部３
０には半導体素子３１がダイボンディングされ、半導体
素子３１の電極部３２と対応する端子部３３とが、ボン
ディングワイヤ３４により電気的に接続されている。ま
た、ケース６５内にはボンディングワイヤ３４及び半導
体素子３１等を覆いつくすように、液状あるいはゲル状
のシリコーン等でなる液状あるいはゲル状の絶縁樹脂２
９が充填され、ケース６５内の充電部の封止が行われて
いる。
【００６２】このように構成されたものでは、半導体素
子３１を搭載しボンディングワイヤ３４による所定の接
続がなされた絶縁配線基板８２を放熱板６６の上面に固
着した状態で、ケース６５内に絶縁樹脂２９が注入され
る。注入された絶縁樹脂２９は放熱板６６の上面に広が
り、絶縁基材８３の外周端部８３ａに形成された間隙８
５に流れ込み、これを埋め尽くす。その後、注入された
量が増えるにしたがい絶縁配線基板８２、半導体素子３
１、ボンディングワイヤ３４等を埋めていき、ケース６
５内に所定深さにまで注入される。
子３１を搭載しボンディングワイヤ３４による所定の接
続がなされた絶縁配線基板８２を放熱板６６の上面に固
着した状態で、ケース６５内に絶縁樹脂２９が注入され
る。注入された絶縁樹脂２９は放熱板６６の上面に広が
り、絶縁基材８３の外周端部８３ａに形成された間隙８
５に流れ込み、これを埋め尽くす。その後、注入された
量が増えるにしたがい絶縁配線基板８２、半導体素子３
１、ボンディングワイヤ３４等を埋めていき、ケース６
５内に所定深さにまで注入される。
【００６３】そして、上記の絶縁樹脂２９の注入過程
で、絶縁基材８３の外周端部８３ａの下面と放熱板６６
との間に形成された間隙８５が絶縁樹脂２９によって埋
め尽くされた後に、絶縁配線基板８２の側面が覆われ、
続いて上面側が順に窪み８４が埋め込まれ覆われて行
く。この際に絶縁配線基板８２の外周部分に間隙８５が
形成されているので、この間隙８５に気泡が形成された
としても、絶縁基材８３は大きい形状であり外周部に沿
って窪み８４が形成されていて、絶縁基材８３の端縁か
らメタル薄板２６の端子部３３等の充電部位までの距離
が、必要とされる沿面距離に対し十分に大きくなるた
め、動作時の温度上昇にともない間隙８５の気泡が大き
くなっても、気泡によって素子搭載部３０や端子部３３
と放熱板６６との間等の電位の異なる部位間がつながれ
てしまうことがなく、また気泡が存在しても、気泡内に
生じるコロナ放電によって耐電圧不良が発生するような
ことがなく、装置の信頼性は高いものとなる。
で、絶縁基材８３の外周端部８３ａの下面と放熱板６６
との間に形成された間隙８５が絶縁樹脂２９によって埋
め尽くされた後に、絶縁配線基板８２の側面が覆われ、
続いて上面側が順に窪み８４が埋め込まれ覆われて行
く。この際に絶縁配線基板８２の外周部分に間隙８５が
形成されているので、この間隙８５に気泡が形成された
としても、絶縁基材８３は大きい形状であり外周部に沿
って窪み８４が形成されていて、絶縁基材８３の端縁か
らメタル薄板２６の端子部３３等の充電部位までの距離
が、必要とされる沿面距離に対し十分に大きくなるた
め、動作時の温度上昇にともない間隙８５の気泡が大き
くなっても、気泡によって素子搭載部３０や端子部３３
と放熱板６６との間等の電位の異なる部位間がつながれ
てしまうことがなく、また気泡が存在しても、気泡内に
生じるコロナ放電によって耐電圧不良が発生するような
ことがなく、装置の信頼性は高いものとなる。
【００６４】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、注入した液状あるいはゲル状の絶縁樹脂によ
る電位の異なる部位間にまたがる気泡の形成がなく、気
泡内に生じるコロナ放電による耐電圧不良の発生が低減
し、信頼性が高いものが得られる等の効果を奏する。
によれば、注入した液状あるいはゲル状の絶縁樹脂によ
る電位の異なる部位間にまたがる気泡の形成がなく、気
泡内に生じるコロナ放電による耐電圧不良の発生が低減
し、信頼性が高いものが得られる等の効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施形態を模式的に示す断面図
である。
である。
【図２】本発明の第２の実施形態の要部を模式的に示す
断面図である。
断面図である。
【図３】本発明の第３の実施形態の要部を模式的に示す
図で、図３（ａ）は断面図、図３（ｂ）は上面図であ
る。
図で、図３（ａ）は断面図、図３（ｂ）は上面図であ
る。
【図４】本発明の第４の実施形態の要部を模式的に示す
断面図である。
断面図である。
【図５】本発明の第５の実施形態の要部を模式的に示す
断面図である。
断面図である。
【図６】本発明の第６の実施形態の要部を模式的に示す
断面図である。
断面図である。
【図７】本発明の第６の実施形態の第１の変形例を模式
的に示す部分断面図である。
的に示す部分断面図である。
【図８】本発明の第６の実施形態の第２の変形例を模式
的に示す部分断面図である。
的に示す部分断面図である。
【図９】本発明の第６の実施形態の第３の変形例を模式
的に示す部分断面図である。
的に示す部分断面図である。
【図１０】本発明の第７の実施形態の要部を模式的に示
す断面図である。
す断面図である。
【図１１】本発明の第８の実施形態の要部を模式的に示
す断面図である。
す断面図である。
【図１２】本発明の第９の実施形態の要部を模式的に示
す断面図である。
す断面図である。
【図１３】本発明の第１０の実施形態の要部を模式的に
示す断面図である。
示す断面図である。
【図１４】従来例の模式的に示す断面図である。
【図１５】従来例における気泡形成部位を拡大したす要
部断面図である。
部断面図である。
【図１６】従来例における温度上昇時の気泡形成部位を
拡大した要部断面図である。
拡大した要部断面図である。
２２，３６，４３，４９，５４，６５…ケース ２３，３７，４４，５０，５５，６６…放熱板 ２５，６０，６０A ，６０B ，６０C ，６８，７５，８
３…絶縁基材 ２５ａ，６８ａ，７５ａ…絶縁基材の外周端部 ２６，２７，３９，６１，６９，７６，８０…メタル薄
板 ２７ａ，８０ａ…メタル薄板の外周端部 ２８，３８，５９，５９A ，５９B ，５９C ，７０，７
３，７９，８２…絶縁配線基板 ２９…絶縁樹脂 ３０…素子搭載部 ３１…半導体素子 ４０…島状部４０ ４１，４５，５１…環状溝 ４６…溝内壁 ４７…縦溝 ５２…連通孔 ５６…突状部 ６２，６２A ，６２B ，６２C …側面 ６３，６３A ，６３B ，６３C …間隙（外方に向けて拡
大する） ７１，７７，８５…間隙 ７４…側壁 ８４…窪み
３…絶縁基材 ２５ａ，６８ａ，７５ａ…絶縁基材の外周端部 ２６，２７，３９，６１，６９，７６，８０…メタル薄
板 ２７ａ，８０ａ…メタル薄板の外周端部 ２８，３８，５９，５９A ，５９B ，５９C ，７０，７
３，７９，８２…絶縁配線基板 ２９…絶縁樹脂 ３０…素子搭載部 ３１…半導体素子 ４０…島状部４０ ４１，４５，５１…環状溝 ４６…溝内壁 ４７…縦溝 ５２…連通孔 ５６…突状部 ６２，６２A ，６２B ，６２C …側面 ６３，６３A ，６３B ，６３C …間隙（外方に向けて拡
大する） ７１，７７，８５…間隙 ７４…側壁 ８４…窪み
Claims (8)
- 【請求項１】 底部に放熱板が設けられたケースと、こ
のケース内の前記放熱板上に固着された絶縁基材の上下
両面にメタル薄板を被着してなる絶縁配線基板と、パタ
ーニングされた上面側の前記メタル薄板の所定部位に搭
載された半導体素子とを備えると共に、前記ケース内に
絶縁樹脂が充填されてなる半導体装置において、下面側
の前記メタル薄板と前記絶縁基材の側端面が、略同一面
を形成していることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項２】 底部に放熱板が設けられたケースと、こ
のケース内の前記放熱板上に固着された絶縁基材の上下
両面にメタル薄板を被着してなる絶縁配線基板と、パタ
ーニングされた上面側の前記メタル薄板の所定部位に搭
載された半導体素子とを備えると共に、前記ケース内に
絶縁樹脂が充填されてなる半導体装置において、前記放
熱板が、前記絶縁配線基板の外周縁の下方に削設された
環状溝を有し、かつ前記絶縁基材の外周縁が、前記環状
溝の溝幅の中間部分上方に延在していることを特徴とす
る半導体装置。 - 【請求項３】 環状溝の外側溝内壁に、放熱板上面から
溝底部に至る縦溝が削設されていることを特徴とする請
求項２記載の半導体装置。 - 【請求項４】 放熱板が、環状溝より外側部分上面に一
端が開口し他端が該環状溝の底部に開口する連通孔を備
えていることを特徴とする請求項２記載の半導体装置。 - 【請求項５】 底部に放熱板が設けられたケースと、こ
のケース内の前記放熱板上に固着された絶縁基材の上下
両面にメタル薄板を被着してなる絶縁配線基板と、パタ
ーニングされた上面側の前記メタル薄板の所定部位に搭
載された半導体素子とを備えると共に、前記ケース内に
絶縁樹脂が充填されてなる半導体装置において、前記放
熱板が、上面内方部分に突状部を備えていると共に、該
突状部の頂部に前記絶縁配線基板を固着していることを
特徴とする半導体装置。 - 【請求項６】 底部に放熱板が設けられたケースと、こ
のケース内の前記放熱板上に固着された絶縁基材の上下
両面にメタル薄板を被着してなる絶縁配線基板と、パタ
ーニングされた上面側の前記メタル薄板の所定部位に搭
載された半導体素子とを備えると共に、前記ケース内に
絶縁樹脂が充填されてなる半導体装置において、前記絶
縁基材は側端面が、下方向に面を向けた逆勾配を有する
ものであることを特徴とする半導体装置。 - 【請求項７】 底部に放熱板が設けられたケースと、こ
のケース内の前記放熱板上に固着された絶縁基材の上下
両面にメタル薄板を被着してなる絶縁配線基板と、パタ
ーニングされた上面側の前記メタル薄板の所定部位に搭
載された半導体素子とを備えると共に、前記ケース内に
絶縁樹脂が充填されてなる半導体装置において、前記絶
縁基材が、外周部に上面の前記メタル薄板を囲むように
立設した側壁を具備していることを特徴とする半導体装
置。 - 【請求項８】 底部に放熱板が設けられたケースと、こ
のケース内の前記放熱板上に固着された絶縁基材の上下
両面にメタル薄板を被着してなる絶縁配線基板と、パタ
ーニングされた上面側の前記メタル薄板の所定部位に搭
載された半導体素子とを備えると共に、前記ケース内に
絶縁樹脂が充填されてなる半導体装置において、前記絶
縁基材が、上面に前記メタル薄板を囲むように削設され
た窪みを具備していることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23706497A JPH1187567A (ja) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23706497A JPH1187567A (ja) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | 半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187567A true JPH1187567A (ja) | 1999-03-30 |
Family
ID=17009894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23706497A Pending JPH1187567A (ja) | 1997-09-02 | 1997-09-02 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1187567A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6731001B2 (en) | 2000-08-10 | 2004-05-04 | Denso Corporation | Semiconductor device including bonded wire based to electronic part and method for manufacturing the same |
| WO2013124988A1 (ja) * | 2012-02-22 | 2013-08-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US8558361B2 (en) | 2010-04-12 | 2013-10-15 | Mitsubishi Electric Corporation | Power semiconductor module |
| JP2014123644A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
| JP2014229649A (ja) * | 2013-05-20 | 2014-12-08 | カルソニックカンセイ株式会社 | 半導体モジュール及びその製造方法 |
| WO2018056287A1 (ja) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および電力変換装置 |
| WO2018211751A1 (ja) * | 2017-05-18 | 2018-11-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュールおよび電力変換装置 |
| JP2021052151A (ja) * | 2019-09-26 | 2021-04-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| CN113539977A (zh) * | 2020-04-17 | 2021-10-22 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
| DE102018214904B4 (de) | 2017-10-25 | 2024-03-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
-
1997
- 1997-09-02 JP JP23706497A patent/JPH1187567A/ja active Pending
Cited By (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6731001B2 (en) | 2000-08-10 | 2004-05-04 | Denso Corporation | Semiconductor device including bonded wire based to electronic part and method for manufacturing the same |
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| WO2013124988A1 (ja) * | 2012-02-22 | 2013-08-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| JPWO2013124988A1 (ja) * | 2012-02-22 | 2015-05-21 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
| US9466548B2 (en) | 2012-02-22 | 2016-10-11 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device |
| JP2014123644A (ja) * | 2012-12-21 | 2014-07-03 | Mitsubishi Electric Corp | 電力用半導体装置 |
| JP2014229649A (ja) * | 2013-05-20 | 2014-12-08 | カルソニックカンセイ株式会社 | 半導体モジュール及びその製造方法 |
| US10727145B2 (en) | 2016-09-21 | 2020-07-28 | Mitsubishi Electric Corporation | Semiconducter device with filler to suppress generation of air bubbles and electric power converter |
| WO2018056287A1 (ja) * | 2016-09-21 | 2018-03-29 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および電力変換装置 |
| JPWO2018056287A1 (ja) * | 2016-09-21 | 2019-03-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および電力変換装置 |
| CN109743882A (zh) * | 2016-09-21 | 2019-05-10 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置以及电力变换装置 |
| WO2018211751A1 (ja) * | 2017-05-18 | 2018-11-22 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュールおよび電力変換装置 |
| DE102018214904B4 (de) | 2017-10-25 | 2024-03-28 | Fuji Electric Co., Ltd. | Halbleitervorrichtung und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
| JP2021052151A (ja) * | 2019-09-26 | 2021-04-01 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置 |
| CN113539977A (zh) * | 2020-04-17 | 2021-10-22 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及半导体装置的制造方法 |
| JP2021170616A (ja) * | 2020-04-17 | 2021-10-28 | 三菱電機株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
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