JPH1192147A - 増大された結晶表面電荷減少能力を有するニオブ酸リチウム結晶またはタンタル酸リチウム結晶およびこのような結晶を予め状態調節する方法 - Google Patents
増大された結晶表面電荷減少能力を有するニオブ酸リチウム結晶またはタンタル酸リチウム結晶およびこのような結晶を予め状態調節する方法Info
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- JPH1192147A JPH1192147A JP20740198A JP20740198A JPH1192147A JP H1192147 A JPH1192147 A JP H1192147A JP 20740198 A JP20740198 A JP 20740198A JP 20740198 A JP20740198 A JP 20740198A JP H1192147 A JPH1192147 A JP H1192147A
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Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B33/00—After-treatment of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure
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- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 弾性表面波（SAW）のフィルターデバイス、
案内波の光変調およびスイッチング、ならびに電子光学
的なＱスイッチングおよび変調のような用途に対して望
ましい性質を連続的に示しかつ過剰のスプーリアスの焦
電気または圧電気の表面電荷の蓄積と関連した欠点を蒙
らないＬＮ結晶およびＬＴ結晶。 【解決手段】 電子的または光学的用途に使用するため
の増大された結晶表面電荷減少能力を有するニオブ酸リ
チウム結晶またはタンタル酸リチウム結晶の場合に、ニ
オブ酸リチウム結晶またはタンタル酸リチウム結晶の表
面の電荷を減少させる結晶能力を増大させるために、ニ
オブ酸リチウム結晶またはタンタル酸リチウム結晶が予
め状態調節されている。
案内波の光変調およびスイッチング、ならびに電子光学
的なＱスイッチングおよび変調のような用途に対して望
ましい性質を連続的に示しかつ過剰のスプーリアスの焦
電気または圧電気の表面電荷の蓄積と関連した欠点を蒙
らないＬＮ結晶およびＬＴ結晶。 【解決手段】 電子的または光学的用途に使用するため
の増大された結晶表面電荷減少能力を有するニオブ酸リ
チウム結晶またはタンタル酸リチウム結晶の場合に、ニ
オブ酸リチウム結晶またはタンタル酸リチウム結晶の表
面の電荷を減少させる結晶能力を増大させるために、ニ
オブ酸リチウム結晶またはタンタル酸リチウム結晶が予
め状態調節されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ニオブ酸リチウム
およびタンタル酸リチウムの改善された結晶、ならびに
弾性表面波フィルターデバイスのような電気的用途に使
用するためにかかる結晶を予め状態調節する方法に関す
る。
およびタンタル酸リチウムの改善された結晶、ならびに
弾性表面波フィルターデバイスのような電気的用途に使
用するためにかかる結晶を予め状態調節する方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ニオブ酸リチウム（LN）およびタンタル
酸リチウム（LT）は、弾性表面波（SAW）の信号処理、
案内波の光変調およびスイッチング、ならびに電子光学
的レーザーの光スイッチングおよび変調を含めて多種多
様の電子的用途に広範に使用されている。このタイプの
用途に適したＬＮ結晶およびＬＴ結晶についての物理学
的な基礎は、原子的規模の結晶構造にあり、この構造
は、ＳＡＷを基礎とするデバイスに有用な結晶の自然の
圧電気応答、光学的集積デバイスに有用な電子光学的応
答および焦電気検出器に有用な焦電気応答を生じる。幾
つかの用途において重要であることができるＬＮおよび
ＬＴの別の特性は、結晶の光学的吸収にある。例えば、
光学的集積デバイスは、比較的小さな光学的吸収を必要
とし、他方、他のデバイス、例えばＳＡＷフィルター
は、低い光学的吸収を必要としない。幾つかの場合にお
いて、結晶のこの自然の物理的応答は、結晶処理を複雑
にする可能性があり、かつ結晶が配合されるデバイスの
不利な効果を有する性能を複雑にする可能性がある。
酸リチウム（LT）は、弾性表面波（SAW）の信号処理、
案内波の光変調およびスイッチング、ならびに電子光学
的レーザーの光スイッチングおよび変調を含めて多種多
様の電子的用途に広範に使用されている。このタイプの
用途に適したＬＮ結晶およびＬＴ結晶についての物理学
的な基礎は、原子的規模の結晶構造にあり、この構造
は、ＳＡＷを基礎とするデバイスに有用な結晶の自然の
圧電気応答、光学的集積デバイスに有用な電子光学的応
答および焦電気検出器に有用な焦電気応答を生じる。幾
つかの用途において重要であることができるＬＮおよび
ＬＴの別の特性は、結晶の光学的吸収にある。例えば、
光学的集積デバイスは、比較的小さな光学的吸収を必要
とし、他方、他のデバイス、例えばＳＡＷフィルター
は、低い光学的吸収を必要としない。幾つかの場合にお
いて、結晶のこの自然の物理的応答は、結晶処理を複雑
にする可能性があり、かつ結晶が配合されるデバイスの
不利な効果を有する性能を複雑にする可能性がある。
【０００３】結晶の焦電気応答または圧電気応答は、二
次加工された結晶の外側表面を、結晶の温度変化に応じ
てかまたは結晶に加えられた機械的応力に応じて帯電さ
せる。この表面電荷は、自然と短絡する可能性があり、
火花放電と関連して、著しい処理または性能の欠陥を引
き起こし、結晶の亀裂さえも引き起こす。このような性
能の不足の１つの共通の例は、デジタル無線用途におい
て使用されるＬＮを基礎とするＳＡＷフィルターの受け
入れがたい高いビットエラー速度にある。このようなタ
イプの欠陥を回避するために、このタイプのフィルター
に対する常用の生産プロトコルは、このようなスプーリ
アスの焦電気または圧電気により誘発された欠陥を生じ
る傾向にあるフィルターを排除するように設計された、
高価で費用のかかるデバイス試験を含んでいる。
次加工された結晶の外側表面を、結晶の温度変化に応じ
てかまたは結晶に加えられた機械的応力に応じて帯電さ
せる。この表面電荷は、自然と短絡する可能性があり、
火花放電と関連して、著しい処理または性能の欠陥を引
き起こし、結晶の亀裂さえも引き起こす。このような性
能の不足の１つの共通の例は、デジタル無線用途におい
て使用されるＬＮを基礎とするＳＡＷフィルターの受け
入れがたい高いビットエラー速度にある。このようなタ
イプの欠陥を回避するために、このタイプのフィルター
に対する常用の生産プロトコルは、このようなスプーリ
アスの焦電気または圧電気により誘発された欠陥を生じ
る傾向にあるフィルターを排除するように設計された、
高価で費用のかかるデバイス試験を含んでいる。
【０００４】ＬＮ結晶またはＬＴ結晶を電子デバイス中
に配合する方法は、不時の望ましくない焦電気または圧
電気の応答を呼び出す条件に結晶を晒すという数工程を
含む。表面電荷の意図しない蓄積に関連した問題の危
険、例えば製造中での前記電荷の崩壊的放電を減少させ
ることに努力する場合には、製造業者は、重大なことに
結晶をデバイス中に配合する費用、時間および煩雑さが
付加される数工程を取らなければならない。
に配合する方法は、不時の望ましくない焦電気または圧
電気の応答を呼び出す条件に結晶を晒すという数工程を
含む。表面電荷の意図しない蓄積に関連した問題の危
険、例えば製造中での前記電荷の崩壊的放電を減少させ
ることに努力する場合には、製造業者は、重大なことに
結晶をデバイス中に配合する費用、時間および煩雑さが
付加される数工程を取らなければならない。
【０００５】常法によって製造されたＬＮ結晶およびＬ
Ｔ結晶に関連して、表面電荷は、結晶自体内または周囲
環境からの遊離電荷の移動によって中和されるように時
間と共に場合によっては崩壊しうる。この自然の崩壊
は、表面電荷の展開後に起こり、かつ結晶表面が結晶の
自然の焦電気または圧電気の応答の結果として帯電され
る程度を何等軽減するものでもないし、最小化するもの
でもない。
Ｔ結晶に関連して、表面電荷は、結晶自体内または周囲
環境からの遊離電荷の移動によって中和されるように時
間と共に場合によっては崩壊しうる。この自然の崩壊
は、表面電荷の展開後に起こり、かつ結晶表面が結晶の
自然の焦電気または圧電気の応答の結果として帯電され
る程度を何等軽減するものでもないし、最小化するもの
でもない。
【０００６】弾性表面波（SAW）のフィルターデバイ
ス、案内波の光変調およびスイッチング、ならびに電子
光学的なＱスイッチングおよび変調のような用途に対し
て信頼のあるＬＮ結晶およびＬＴ結晶についての要求が
増大していることに関連して、このような用途に対して
望ましい性質を連続的に示しかつ過剰のスプーリアスの
焦電気または圧電気の表面電荷の蓄積と関連した欠点を
蒙らないＬＮ結晶およびＬＴ結晶が必要とされる。
ス、案内波の光変調およびスイッチング、ならびに電子
光学的なＱスイッチングおよび変調のような用途に対し
て信頼のあるＬＮ結晶およびＬＴ結晶についての要求が
増大していることに関連して、このような用途に対して
望ましい性質を連続的に示しかつ過剰のスプーリアスの
焦電気または圧電気の表面電荷の蓄積と関連した欠点を
蒙らないＬＮ結晶およびＬＴ結晶が必要とされる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】従って、本発明には、
前記に記載されたような課題が課された。
前記に記載されたような課題が課された。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、ＬＮ結
晶またはＬＴ結晶は、結晶表面の電荷を減少させる結晶
能力を増大させるために予め状態調節される。本発明に
よる結晶は、好ましくは電荷が発生されるのと同程度に
迅速に（結晶の自然の焦電気または圧電気の応答によっ
て引き起こされる）表面電荷の蓄積を有効に減少させる
かまたは消滅させることによって電荷を減少させること
ができる。
晶またはＬＴ結晶は、結晶表面の電荷を減少させる結晶
能力を増大させるために予め状態調節される。本発明に
よる結晶は、好ましくは電荷が発生されるのと同程度に
迅速に（結晶の自然の焦電気または圧電気の応答によっ
て引き起こされる）表面電荷の蓄積を有効に減少させる
かまたは消滅させることによって電荷を減少させること
ができる。
【０００９】また、本発明は、結晶表面の電荷を減少さ
せる結晶能力を増大させるためにＬＮ結晶またはＬＴ結
晶を予め状態調節する方法に関する。本発明の方法の見
地からの１つの好ましい実施態様において、結晶表面の
電荷を減少させる結晶能力は、結晶内の自由電子密度を
増大させるために、結晶が熱と化学的に還元する雰囲気
との組合せに晒されることによって増大されている。
せる結晶能力を増大させるためにＬＮ結晶またはＬＴ結
晶を予め状態調節する方法に関する。本発明の方法の見
地からの１つの好ましい実施態様において、結晶表面の
電荷を減少させる結晶能力は、結晶内の自由電子密度を
増大させるために、結晶が熱と化学的に還元する雰囲気
との組合せに晒されることによって増大されている。
【００１０】本発明は、結晶の自然の焦電気または圧電
気の応答によって誘発される結晶表面上の電荷、特に結
晶が配合されているデバイスの標準の操作とは無関係に
機械的応力または温度変化の結果として形成される表面
電荷の蓄積を有効に最小化することができる結晶を提供
する。１つの好ましい実施態様において、予め状態調節
された結晶は、表面電荷が発生される程度と同程度に迅
速に変化を中和するかまたは消滅させることによって表
面電荷を減少させることができる。
気の応答によって誘発される結晶表面上の電荷、特に結
晶が配合されているデバイスの標準の操作とは無関係に
機械的応力または温度変化の結果として形成される表面
電荷の蓄積を有効に最小化することができる結晶を提供
する。１つの好ましい実施態様において、予め状態調節
された結晶は、表面電荷が発生される程度と同程度に迅
速に変化を中和するかまたは消滅させることによって表
面電荷を減少させることができる。
【００１１】本発明によるＬＮ（Ｌｉ２ＯおよびＮｂ２
Ｏ５から形成された化合物）結晶およびＬＴ（Ｌｉ２Ｏ
およびＴａ２Ｏ５から形成された化合物）結晶は、弾性
表面波（SAW）の信号処理、案内波の光変調およびスイ
ッチング、ならびに電子光学的レーザーの光スイッチン
グおよび変調のような用途に適当な結晶を形成させる焦
電気応答および圧電気応答を示す。本発明は、以下のＬ
Ｎ結晶の記載内容に記載されているが；しかし、この記
載は、ＬＴのような他のタイプの結晶に等しく適用でき
るものと考えられる。
Ｏ５から形成された化合物）結晶およびＬＴ（Ｌｉ２Ｏ
およびＴａ２Ｏ５から形成された化合物）結晶は、弾性
表面波（SAW）の信号処理、案内波の光変調およびスイ
ッチング、ならびに電子光学的レーザーの光スイッチン
グおよび変調のような用途に適当な結晶を形成させる焦
電気応答および圧電気応答を示す。本発明は、以下のＬ
Ｎ結晶の記載内容に記載されているが；しかし、この記
載は、ＬＴのような他のタイプの結晶に等しく適用でき
るものと考えられる。
【００１２】ＬＮ結晶およびＬＴ結晶は、数多くの技術
によって成長させることができ、その中で最もよく知ら
れたものは、チョクラルスキーによる技術である。この
チョクラルスキーによる技術の概論は、Current Topics
and Material Science, 第１巻, E. Kaldis編, North
Holland Publishing Co., 1978, ch. 7 Dr. Armin Raeu
ber, 第５４５〜５４８頁に見出すことができ、この場
合この刊行物の記載は、参考のために記載した。チョク
ラルスキーによる技術によって成長されたＬＮ結晶は、
溶融液からＬＮを引上げることによって達成される。ほ
ぼ任意の常用の結晶引上げ装置を使用することができ
る。加熱されるＬＮが入っている坩堝は、白金であるこ
とができる。雰囲気に対しての特殊な要求は何もなく、
この場合には、空気と一緒の数多くの状態が好ましい。
によって成長させることができ、その中で最もよく知ら
れたものは、チョクラルスキーによる技術である。この
チョクラルスキーによる技術の概論は、Current Topics
and Material Science, 第１巻, E. Kaldis編, North
Holland Publishing Co., 1978, ch. 7 Dr. Armin Raeu
ber, 第５４５〜５４８頁に見出すことができ、この場
合この刊行物の記載は、参考のために記載した。チョク
ラルスキーによる技術によって成長されたＬＮ結晶は、
溶融液からＬＮを引上げることによって達成される。ほ
ぼ任意の常用の結晶引上げ装置を使用することができ
る。加熱されるＬＮが入っている坩堝は、白金であるこ
とができる。雰囲気に対しての特殊な要求は何もなく、
この場合には、空気と一緒の数多くの状態が好ましい。
【００１３】本発明の従来の技術に記載されているよう
に、ＬＮ結晶は、自然の焦電気応答および圧電気応答を
示す。従って、下記の比較例に詳説されているように、
ウェファーの形のＬＮ結晶は、温度変化を受けた際の表
面電荷、例えばこのような結晶が処理されかつ電気素子
中に配合された際またはこの素子が使用された際に受け
た表面電荷を蓄積する。自然に消滅させるために拡張さ
れた時間（例えば、１５〜２０時間）を取ることができ
る前記表面電荷は、デバイスの機能不調または欠陥をま
ねきうる火花放電または短絡を引き起こしうるかまたは
結晶の亀裂さえも引き起こす。これとは異なり、実施例
および次の比較例に記載されているように、本発明の予
め状態調節されたＬＮウェファーは、結晶の自然の焦電
気応答から生じる表面電荷の少なくとも一部の蓄積を有
効に減少させることができる。表面電荷を有効に減少さ
せる場合には、（１）火花放電の危険は、減少され、デ
バイスの欠陥の危険は、減少させることができ；かつ
（２）表面電荷の蓄積の減少に通常使用される、費用と
時間のかかる処理工程の必要性は、回避される。
に、ＬＮ結晶は、自然の焦電気応答および圧電気応答を
示す。従って、下記の比較例に詳説されているように、
ウェファーの形のＬＮ結晶は、温度変化を受けた際の表
面電荷、例えばこのような結晶が処理されかつ電気素子
中に配合された際またはこの素子が使用された際に受け
た表面電荷を蓄積する。自然に消滅させるために拡張さ
れた時間（例えば、１５〜２０時間）を取ることができ
る前記表面電荷は、デバイスの機能不調または欠陥をま
ねきうる火花放電または短絡を引き起こしうるかまたは
結晶の亀裂さえも引き起こす。これとは異なり、実施例
および次の比較例に記載されているように、本発明の予
め状態調節されたＬＮウェファーは、結晶の自然の焦電
気応答から生じる表面電荷の少なくとも一部の蓄積を有
効に減少させることができる。表面電荷を有効に減少さ
せる場合には、（１）火花放電の危険は、減少され、デ
バイスの欠陥の危険は、減少させることができ；かつ
（２）表面電荷の蓄積の減少に通常使用される、費用と
時間のかかる処理工程の必要性は、回避される。
【００１４】任意の特別な理論に限定されることは意図
されていないが、しかし、本発明の予め状態調節された
結晶について観察される表面電荷の減少により、予め状
態調節されなかった結晶と比較して予め状態調節された
結晶の導電性が増大されるという結果を生じる。好まし
くは、結晶の導電性は、意図した目的にとって望ましい
結晶を形成させる他の物理的性質および電気的性質の点
で重大な変化なしに増大される。この導電性の増大は、
＋５の酸化状態から＋４の酸化状態へのニオブまたはタ
ンタルの一部の酸化状態の有効な変化により生じるもの
と思われる。電子密度が増大することにより、結晶の導
電性は増大するものと思われ、この場合この結晶は、結
晶の自然の圧電気応答または焦電気応答により生じる表
面電荷を迅速に中和させるかまたは消滅させることがで
きる。ＬＮ結晶を予め状態調節する１つの好ましい方法
は、下記に記載されている。また、結晶の他の物理的性
質および電気的性質に不利な影響を及ぼすことなしに結
晶の導電性を増大させることができる他の技術は、本発
明によれば、表面電荷を減少させるＬＮ結晶またはＬＴ
結晶の能力を増大させるために使用することもできる。
下記の特殊な方法は、対照の簡易化および簡便性のため
に好ましい。
されていないが、しかし、本発明の予め状態調節された
結晶について観察される表面電荷の減少により、予め状
態調節されなかった結晶と比較して予め状態調節された
結晶の導電性が増大されるという結果を生じる。好まし
くは、結晶の導電性は、意図した目的にとって望ましい
結晶を形成させる他の物理的性質および電気的性質の点
で重大な変化なしに増大される。この導電性の増大は、
＋５の酸化状態から＋４の酸化状態へのニオブまたはタ
ンタルの一部の酸化状態の有効な変化により生じるもの
と思われる。電子密度が増大することにより、結晶の導
電性は増大するものと思われ、この場合この結晶は、結
晶の自然の圧電気応答または焦電気応答により生じる表
面電荷を迅速に中和させるかまたは消滅させることがで
きる。ＬＮ結晶を予め状態調節する１つの好ましい方法
は、下記に記載されている。また、結晶の他の物理的性
質および電気的性質に不利な影響を及ぼすことなしに結
晶の導電性を増大させることができる他の技術は、本発
明によれば、表面電荷を減少させるＬＮ結晶またはＬＴ
結晶の能力を増大させるために使用することもできる。
下記の特殊な方法は、対照の簡易化および簡便性のため
に好ましい。
【００１５】本発明によるＬＮ結晶またはＬＴ結晶は、
結晶表面上の電荷を中和させるかまたは消滅させる結晶
能力を増大させるために処理された。予め状態調節され
ていない結晶とは異なり、１つの好ましい実施態様の方
法を使用することにより状態調節された予め状態調節さ
れた結晶は、明るい灰色から暗青色または黒色までの範
囲の色を示す。結晶は、結晶を状態調節するために使用
される状態に依存して、明色に着色されていてもよいか
または不透明であってもよい。この色の範囲に関連し
て、好ましい実施態様の予め状態調節された結晶は、光
吸収が重要な結晶の性質でない場合の用途にとって好ま
しい。予め状態調節された結晶は、焦電気応答を呼び出
す条件に晒された後に、本発明による場合と同じ条件に
晒されたが、しかし、本発明による予めの状態調節を行
なわなかった結晶から観察される表面電荷よりも少なく
表面電荷を示す。実施例中に下記したように、一定の状
態の場合には、好ましい実施態様の予め状態調節された
結晶は、測定可能な表面電荷の形成を生じる焦電気応答
を通常呼び出す温度変化に晒された後に、測定可能な焦
電気帯電を何も示さない。
結晶表面上の電荷を中和させるかまたは消滅させる結晶
能力を増大させるために処理された。予め状態調節され
ていない結晶とは異なり、１つの好ましい実施態様の方
法を使用することにより状態調節された予め状態調節さ
れた結晶は、明るい灰色から暗青色または黒色までの範
囲の色を示す。結晶は、結晶を状態調節するために使用
される状態に依存して、明色に着色されていてもよいか
または不透明であってもよい。この色の範囲に関連し
て、好ましい実施態様の予め状態調節された結晶は、光
吸収が重要な結晶の性質でない場合の用途にとって好ま
しい。予め状態調節された結晶は、焦電気応答を呼び出
す条件に晒された後に、本発明による場合と同じ条件に
晒されたが、しかし、本発明による予めの状態調節を行
なわなかった結晶から観察される表面電荷よりも少なく
表面電荷を示す。実施例中に下記したように、一定の状
態の場合には、好ましい実施態様の予め状態調節された
結晶は、測定可能な表面電荷の形成を生じる焦電気応答
を通常呼び出す温度変化に晒された後に、測定可能な焦
電気帯電を何も示さない。
【００１６】本発明によるＬＮ結晶を予め状態調節する
１つの方法は、化学的に還元する雰囲気の下でＬＮ結晶
のウェファーを熱に晒すことを含む。ウェファーを望ま
しい温度に晒した後に、このウェファーは、室温に冷却
させることができる。ＬＮ結晶ウェファーの適当な予め
の状態調節は、約１分ないし約２００分の程度の滞留時
間で８５％の窒素ガスおよび１５％の水素ガスの雰囲気
下で約５００℃を上廻る炉中でウェファーをターゲット
温度に晒すことによって達成させることができる。ウェ
ファーをターゲット温度に晒した後に、このウェファー
は、室温に冷却させることができる。
１つの方法は、化学的に還元する雰囲気の下でＬＮ結晶
のウェファーを熱に晒すことを含む。ウェファーを望ま
しい温度に晒した後に、このウェファーは、室温に冷却
させることができる。ＬＮ結晶ウェファーの適当な予め
の状態調節は、約１分ないし約２００分の程度の滞留時
間で８５％の窒素ガスおよび１５％の水素ガスの雰囲気
下で約５００℃を上廻る炉中でウェファーをターゲット
温度に晒すことによって達成させることができる。ウェ
ファーをターゲット温度に晒した後に、このウェファー
は、室温に冷却させることができる。
【００１７】以下の実施例中に詳説したように、焦電気
応答を呼び出す条件に晒された予め状態調節された結晶
ウェファーは、本発明による場合と同じ条件に晒された
が、しかし、予め状態調節されていない同一のウェファ
ー上に蓄積される表面電荷よりも少ない表面電荷を示
す。更に、検出可能な表面電荷が観察される場合には、
常用の静電界計量器を使用することにより検出可能なレ
ベル未満で表面電荷が崩壊されることが必要とされる時
間の長さは、予め状態調節されていない結晶ウェファー
と比較して予め状態調節された結晶の場合には、短い。
応答を呼び出す条件に晒された予め状態調節された結晶
ウェファーは、本発明による場合と同じ条件に晒された
が、しかし、予め状態調節されていない同一のウェファ
ー上に蓄積される表面電荷よりも少ない表面電荷を示
す。更に、検出可能な表面電荷が観察される場合には、
常用の静電界計量器を使用することにより検出可能なレ
ベル未満で表面電荷が崩壊されることが必要とされる時
間の長さは、予め状態調節されていない結晶ウェファー
と比較して予め状態調節された結晶の場合には、短い。
【００１８】上記のものおよび以下の実施例に記載され
たもの以外に、結晶の望ましい性能特性に不利な影響を
及ぼすことなしに表面電荷を減少させる結晶の能力を増
大させるのに適した他のターゲット温度、加熱速度およ
び冷却速度、滞留時間および雰囲気も使用することがで
きる。例えば、下記した水素と窒素とのガス混合物と共
に、本発明によれば、他のガス、例えば水素だけ、窒素
だけ、アルゴン、水、二酸化炭素、一酸化炭素、酸素お
よびこれらの組合せ物も使用されることができる。窒素
ガス８５％と水素ガス１５％との組合せ物は、数多くの
市販の源からの直接の有効性のために好ましい。異なる
ガス混合物は、達成される還元の程度に応じて異なる結
果を提供することが予想される。
たもの以外に、結晶の望ましい性能特性に不利な影響を
及ぼすことなしに表面電荷を減少させる結晶の能力を増
大させるのに適した他のターゲット温度、加熱速度およ
び冷却速度、滞留時間および雰囲気も使用することがで
きる。例えば、下記した水素と窒素とのガス混合物と共
に、本発明によれば、他のガス、例えば水素だけ、窒素
だけ、アルゴン、水、二酸化炭素、一酸化炭素、酸素お
よびこれらの組合せ物も使用されることができる。窒素
ガス８５％と水素ガス１５％との組合せ物は、数多くの
市販の源からの直接の有効性のために好ましい。異なる
ガス混合物は、達成される還元の程度に応じて異なる結
果を提供することが予想される。
【００１９】結晶ウェファーが加熱される速度は、重要
なことではないと考えられる。ＬＮ結晶の有効な予めの
状態調節は、毎分約６℃〜約７℃の加熱速度で達成され
ることができる。同様に、冷却速度も重要なことではな
いと考えられ、ＬＮ結晶の有効な予めの状態調節は、毎
分約０．５℃〜約１℃の範囲内の冷却速度で達成される
ことができる。また、前記のものを上廻るかまたは下廻
る他の加熱速度および冷却速度も使用されることができ
る。
なことではないと考えられる。ＬＮ結晶の有効な予めの
状態調節は、毎分約６℃〜約７℃の加熱速度で達成され
ることができる。同様に、冷却速度も重要なことではな
いと考えられ、ＬＮ結晶の有効な予めの状態調節は、毎
分約０．５℃〜約１℃の範囲内の冷却速度で達成される
ことができる。また、前記のものを上廻るかまたは下廻
る他の加熱速度および冷却速度も使用されることができ
る。
【００２０】有効な予めの状態調節は、５００℃を上廻
る炉温度で達成される。好ましくは、この炉温度は、約
５００℃〜約１１４０℃（ニオブ酸リチウムに対するキ
ュリー温度）、最も好ましくは約７５０℃〜約１１４０
℃の範囲内にある。よりいっそう高い温度は、好まし
い。それというのも、この温度は、前記範囲の下限付近
の温度と比較して表面電荷を減少させる結晶の能力の著
しい増大を提供するからである。上記範囲の下限付近の
温度に近い炉温度に関連して、表面電荷を減少させる結
晶の能力の増大が観察されるが、しかし、この増大は、
よりいっそう高い温度で観察される増大と比較して大き
くはない。また、このような増大は、５００℃を上廻る
温度で観察されるものを下廻るけれども、表面電荷を減
少させる結晶の能力の増大は、約５００℃を下廻る温度
で観察される。上記したように、結晶の他の性質に対す
る予めの状態調節の効果に依存して、よりいっそう低い
温度が適当であることができ、実際に好ましい。
る炉温度で達成される。好ましくは、この炉温度は、約
５００℃〜約１１４０℃（ニオブ酸リチウムに対するキ
ュリー温度）、最も好ましくは約７５０℃〜約１１４０
℃の範囲内にある。よりいっそう高い温度は、好まし
い。それというのも、この温度は、前記範囲の下限付近
の温度と比較して表面電荷を減少させる結晶の能力の著
しい増大を提供するからである。上記範囲の下限付近の
温度に近い炉温度に関連して、表面電荷を減少させる結
晶の能力の増大が観察されるが、しかし、この増大は、
よりいっそう高い温度で観察される増大と比較して大き
くはない。また、このような増大は、５００℃を上廻る
温度で観察されるものを下廻るけれども、表面電荷を減
少させる結晶の能力の増大は、約５００℃を下廻る温度
で観察される。上記したように、結晶の他の性質に対す
る予めの状態調節の効果に依存して、よりいっそう低い
温度が適当であることができ、実際に好ましい。
【００２１】結晶が本発明によりターゲット温度に晒さ
れる滞留時間は、変動することができる。所定のターゲ
ット温度および雰囲気に対して滞留時間を増大させるこ
とにより、よりいっそう短い滞留時間でターゲット温度
に晒される結晶と比較して蓄積された表面電荷を減少さ
せる結晶の能力が増大される。よりいっそう短い滞留時
間は、処理時間および処理に対するエネルギー要件を最
小化する見地から好ましい。
れる滞留時間は、変動することができる。所定のターゲ
ット温度および雰囲気に対して滞留時間を増大させるこ
とにより、よりいっそう短い滞留時間でターゲット温度
に晒される結晶と比較して蓄積された表面電荷を減少さ
せる結晶の能力が増大される。よりいっそう短い滞留時
間は、処理時間および処理に対するエネルギー要件を最
小化する見地から好ましい。
【００２２】比較例および引続く実施例に詳細に下記さ
れた記載と同様に、自然の焦電気応答を呼び出す条件に
晒された本発明による予め状態調節されたＬＮ結晶ウェ
ファーは、予め状態調節されていないが、同じ条件に晒
された常用のＬＮウェファーに対して観察された表面電
荷を下廻る表面電荷を示す。
れた記載と同様に、自然の焦電気応答を呼び出す条件に
晒された本発明による予め状態調節されたＬＮ結晶ウェ
ファーは、予め状態調節されていないが、同じ条件に晒
された常用のＬＮウェファーに対して観察された表面電
荷を下廻る表面電荷を示す。
【００２３】
比較例 この比較例により、本発明による予めの状態調節を行な
わなかった常用のＬＮ結晶の自然の焦電気応答が詳説さ
れる。
わなかった常用のＬＮ結晶の自然の焦電気応答が詳説さ
れる。
【００２４】表面法線に対してｙ方向に６４゜回転して
配向された直径７６ｍｍおよび厚さ０．５ｍｍのＬＮウ
ェファーを、チョクラルスキー法および常用の二次加工
法を使用することにより調製した。このウェファーの片
面を研磨し、このウェファーは、無色で半透明であっ
た。このウェファーは、ホットプレート上で１２５℃で
電気的に中和された。電気的中和に引き続いて、このウ
ェファーを４５分間に亘って８０℃に冷却し、同じホッ
トプレートを用いて８０℃で維持した。Monroe Electro
nics社からDigital Stat-Arc 2, Model No. 282-1の商
標名で入手できる実験室用静電界計量器を使用すること
により、ウェファー表面は、ウェファーの全表面積に対
して少なくとも５×１０−９クーロンの電荷を有するこ
とが測定された。表面電荷を連続的に監視し、かつ５分
間ごとに記録した。８０℃でほぼ１時間後、表面電荷を
再び測定し、かつ元来の表面電荷のほぼ６０％に徐々に
崩壊されることを観察した。全表面電荷が８０℃でウェ
ファーの全表面積に対して５×１０−１１クーロンを下
廻るレベルまで消滅されることが観察されたのは、８０
℃で約１５時間の延長時間後にすぎず、これは、静電界
計量器の検出限界であった。
配向された直径７６ｍｍおよび厚さ０．５ｍｍのＬＮウ
ェファーを、チョクラルスキー法および常用の二次加工
法を使用することにより調製した。このウェファーの片
面を研磨し、このウェファーは、無色で半透明であっ
た。このウェファーは、ホットプレート上で１２５℃で
電気的に中和された。電気的中和に引き続いて、このウ
ェファーを４５分間に亘って８０℃に冷却し、同じホッ
トプレートを用いて８０℃で維持した。Monroe Electro
nics社からDigital Stat-Arc 2, Model No. 282-1の商
標名で入手できる実験室用静電界計量器を使用すること
により、ウェファー表面は、ウェファーの全表面積に対
して少なくとも５×１０−９クーロンの電荷を有するこ
とが測定された。表面電荷を連続的に監視し、かつ５分
間ごとに記録した。８０℃でほぼ１時間後、表面電荷を
再び測定し、かつ元来の表面電荷のほぼ６０％に徐々に
崩壊されることを観察した。全表面電荷が８０℃でウェ
ファーの全表面積に対して５×１０−１１クーロンを下
廻るレベルまで消滅されることが観察されたのは、８０
℃で約１５時間の延長時間後にすぎず、これは、静電界
計量器の検出限界であった。
【００２５】この比較例の場合には、表面電荷およびそ
の崩壊は、８０℃で観察された。室温で検出限界を下廻
って表面電荷を崩壊させるのに必要とされる時間の長さ
は、十分に長いであろう。
の崩壊は、８０℃で観察された。室温で検出限界を下廻
って表面電荷を崩壊させるのに必要とされる時間の長さ
は、十分に長いであろう。
【００２６】この比較例により、ＬＮの自然の焦電気応
答から生じるＬＮウェファーの表面電荷および蓄積され
た電荷を自然に消滅させるのに必要とされる時間の長さ
が詳説される。
答から生じるＬＮウェファーの表面電荷および蓄積され
た電荷を自然に消滅させるのに必要とされる時間の長さ
が詳説される。
【００２７】実施例 本実施例において、本発明により表面電荷を減少させる
ＬＮウェファーの能力を増大させるために、ＬＮウェフ
ァーを予め状態調節する。
ＬＮウェファーの能力を増大させるために、ＬＮウェフ
ァーを予め状態調節する。
【００２８】ＬＮウェファーを、比較例の場合のウェフ
ァーの源として役立つ同じボウルから細断した。ウェフ
ァーを研磨し、かつ比較例に記載されたウェファーと同
一の方法で重ねた。これらのウェファーを、窒素ガス８
５％と水素ガス１５％との混合物が毎分約１．５リット
ルの速度で流通する封止された炉中に置いた。この炉
は、水平方向の直径約１０ｃｍ（４インチ）のアルミナ
処理管を備えた３つの帯域を有する管状炉から成り立っ
ていた。ウェファーを前記処理管の中心に置かれたアル
ミナ担体によって支持した。アルミナ処理管は、炉から
延在しており、したがってこのアルミナ処理管の端部
は、晒されかつ冷却されたままである。アルミナ処理管
のＯリングシールは、封止された炉空隙を提供した。ウ
ェファーを処理管中に入れ、次にこの処理管を端部キャ
ップで封止した。ガス流を流し始め、炉の加熱を開始し
た。炉の温度を室温から毎分約６．７℃の速度でターゲ
ット温度に増加させた。ターゲット温度に到達したら直
ちに、この温度を予め定めた滞留時間の間、維持した。
滞留時間後、炉を自然冷却させた。冷却後、ウェファー
を炉から取り出し、このウェファーの目で見ての外観を
品質について観察し、かつ記録した。Ｘ線回折分析によ
り、物質の元来の結晶構造が確認された。予め状態調節
されたウェファーに、比較例の記載と同じホットプレー
ト処理を行ない、温度変化に晒された後のウェファーの
表面電荷、および表面電荷が静電界計量器の検出限界よ
りも低い５×１０−１１クーロンを下廻って減少するこ
とが必要とされる電荷崩壊時間を確認した。ターゲット
温度が５００℃またはそれ以上で設定されたウェファー
およびターゲット温度が４００℃でありかつ滞留時間が
２００分であるウェファーについては、８０℃への冷却
直前、冷却中および冷却の完結後に測定された表面電荷
は、静電界計量器の検出限界を下廻っていた。この観察
により、電荷は１秒未満で崩壊したものと推測された。
ウェファーの表面抵抗率を、Model 8008 抵抗率試験取
付け具を備えたKeithley Instruments Model 487 ピコ
電流計／電圧源を用いて測定した。表面抵抗率を、２つ
の電極の間の環状間隙を横切る２００ボルトの電圧を印
加することによって測定した。両電極は、環状であり
（一方は、大きなドーナツ形状の電極であり、他方は、
大きな電極内に位置した小さな環形状のものである）、
かつ導電性ゴムを使用することにより、研磨されたウェ
ファー表面に接触されていた。環状電極の”有効な周
長”は、１６．９７センチメートル（６．６８インチ）
であり、間隙幅は、０．３２センチメートル（１インチ
の１／８）であった。表面抵抗率Σは、６．６８／０．
２５×Ｕ／Ｉ＝５３．４×Ｕ／Ｉによって記載され、こ
の場合Ｕは、印加された２００ボルトであり、かつディ
スプレイが安定である場合には、Ｉは、電圧を印加して
から約１分後に読み取られた間隙を横切る電流であっ
た。結果は、第１表に纏められている。
ァーの源として役立つ同じボウルから細断した。ウェフ
ァーを研磨し、かつ比較例に記載されたウェファーと同
一の方法で重ねた。これらのウェファーを、窒素ガス８
５％と水素ガス１５％との混合物が毎分約１．５リット
ルの速度で流通する封止された炉中に置いた。この炉
は、水平方向の直径約１０ｃｍ（４インチ）のアルミナ
処理管を備えた３つの帯域を有する管状炉から成り立っ
ていた。ウェファーを前記処理管の中心に置かれたアル
ミナ担体によって支持した。アルミナ処理管は、炉から
延在しており、したがってこのアルミナ処理管の端部
は、晒されかつ冷却されたままである。アルミナ処理管
のＯリングシールは、封止された炉空隙を提供した。ウ
ェファーを処理管中に入れ、次にこの処理管を端部キャ
ップで封止した。ガス流を流し始め、炉の加熱を開始し
た。炉の温度を室温から毎分約６．７℃の速度でターゲ
ット温度に増加させた。ターゲット温度に到達したら直
ちに、この温度を予め定めた滞留時間の間、維持した。
滞留時間後、炉を自然冷却させた。冷却後、ウェファー
を炉から取り出し、このウェファーの目で見ての外観を
品質について観察し、かつ記録した。Ｘ線回折分析によ
り、物質の元来の結晶構造が確認された。予め状態調節
されたウェファーに、比較例の記載と同じホットプレー
ト処理を行ない、温度変化に晒された後のウェファーの
表面電荷、および表面電荷が静電界計量器の検出限界よ
りも低い５×１０−１１クーロンを下廻って減少するこ
とが必要とされる電荷崩壊時間を確認した。ターゲット
温度が５００℃またはそれ以上で設定されたウェファー
およびターゲット温度が４００℃でありかつ滞留時間が
２００分であるウェファーについては、８０℃への冷却
直前、冷却中および冷却の完結後に測定された表面電荷
は、静電界計量器の検出限界を下廻っていた。この観察
により、電荷は１秒未満で崩壊したものと推測された。
ウェファーの表面抵抗率を、Model 8008 抵抗率試験取
付け具を備えたKeithley Instruments Model 487 ピコ
電流計／電圧源を用いて測定した。表面抵抗率を、２つ
の電極の間の環状間隙を横切る２００ボルトの電圧を印
加することによって測定した。両電極は、環状であり
（一方は、大きなドーナツ形状の電極であり、他方は、
大きな電極内に位置した小さな環形状のものである）、
かつ導電性ゴムを使用することにより、研磨されたウェ
ファー表面に接触されていた。環状電極の”有効な周
長”は、１６．９７センチメートル（６．６８インチ）
であり、間隙幅は、０．３２センチメートル（１インチ
の１／８）であった。表面抵抗率Σは、６．６８／０．
２５×Ｕ／Ｉ＝５３．４×Ｕ／Ｉによって記載され、こ
の場合Ｕは、印加された２００ボルトであり、かつディ
スプレイが安定である場合には、Ｉは、電圧を印加して
から約１分後に読み取られた間隙を横切る電流であっ
た。結果は、第１表に纏められている。
【００２９】
【表１】
【００３０】この実施例は、本発明による予め状態調節
されたＬＮ結晶ウェファーがＬＮ結晶ウェファーの表面
電荷を如何にして減少させるのかを説明するものであ
る。
されたＬＮ結晶ウェファーがＬＮ結晶ウェファーの表面
電荷を如何にして減少させるのかを説明するものであ
る。
【００３１】本発明の概念は、多種多様の物理的特性を
有する種々のＬＮ結晶またはＬＴ結晶、例えば直径、厚
さおよび配向が変動するウェファーに簡単に適用される
ことができるものと考えられる。このことは、適当な炉
温度、滞留時間、化学的還元雰囲気および他のパラメー
ターを選択することによって達成されることができる。
また、本発明の概念は、ウェファーの研磨前または研磨
後にウェファーに適用することもできたし、結晶材料が
スラブであっても適用することができた。その上、本発
明による方法は、デバイスを製造する異なる段階で、例
えばウェファー上の清浄後またはウェファー上での金属
析出後に実施されることもできる。
有する種々のＬＮ結晶またはＬＴ結晶、例えば直径、厚
さおよび配向が変動するウェファーに簡単に適用される
ことができるものと考えられる。このことは、適当な炉
温度、滞留時間、化学的還元雰囲気および他のパラメー
ターを選択することによって達成されることができる。
また、本発明の概念は、ウェファーの研磨前または研磨
後にウェファーに適用することもできたし、結晶材料が
スラブであっても適用することができた。その上、本発
明による方法は、デバイスを製造する異なる段階で、例
えばウェファー上の清浄後またはウェファー上での金属
析出後に実施されることもできる。
【００３２】本発明の予め状態調節された結晶によって
提供される利点および結晶を予め状態調節する本発明に
よる方法は、望ましくない表面電荷の蓄積を生じる焦電
気応答または圧電気応答を呼び出す製造条件に施こされ
るＬＮ結晶およびＬＴ結晶に適用することができる。表
面電荷の蓄積を減少させるために本発明による予め状態
調節された結晶の能力は、意図された方法を実施するた
めに、結晶の能力に不利な影響を及ぼすとは考えられな
い。例えば、ＳＡＷを基礎とするデバイスについては、
通常の操作で発生する機械的応力の周波数および生じる
応答は、結晶を配合するデバイスの性能に影響を及ぼさ
ない本発明による結晶を予め状態調節することから生じ
る表面電荷の消滅速度が幾らか増大するのに十分な高さ
である。他面、本発明による予め状態調節された結晶
は、結晶が配合される場合のデバイスの製造方法に由来
するかまたはデバイスの使用の間に起こる温度変化また
は機械的応力から生じる蓄積された望ましくない表面電
荷を有効に減少させることができる。それというのも、
機械的応力または温度変化の周波数は、通常の操作の場
合に発生する周波数よりも著しく短いからである。
提供される利点および結晶を予め状態調節する本発明に
よる方法は、望ましくない表面電荷の蓄積を生じる焦電
気応答または圧電気応答を呼び出す製造条件に施こされ
るＬＮ結晶およびＬＴ結晶に適用することができる。表
面電荷の蓄積を減少させるために本発明による予め状態
調節された結晶の能力は、意図された方法を実施するた
めに、結晶の能力に不利な影響を及ぼすとは考えられな
い。例えば、ＳＡＷを基礎とするデバイスについては、
通常の操作で発生する機械的応力の周波数および生じる
応答は、結晶を配合するデバイスの性能に影響を及ぼさ
ない本発明による結晶を予め状態調節することから生じ
る表面電荷の消滅速度が幾らか増大するのに十分な高さ
である。他面、本発明による予め状態調節された結晶
は、結晶が配合される場合のデバイスの製造方法に由来
するかまたはデバイスの使用の間に起こる温度変化また
は機械的応力から生じる蓄積された望ましくない表面電
荷を有効に減少させることができる。それというのも、
機械的応力または温度変化の周波数は、通常の操作の場
合に発生する周波数よりも著しく短いからである。
フロントページの続き (72)発明者 リチャード グレゴリー ノーウッド アメリカ合衆国 カリフォルニア サン ノゼ パインウエル コート 5621 (72)発明者 ユージン マイケル スタンディファー アメリカ合衆国 カリフォルニア サニー ヴェイル エスカロン アヴェニュー 1000 ナンバー3101
Claims (11)
- 【請求項１】 ニオブ酸リチウムまたはタンタル酸リチ
ウムを基礎とする電子的または光学的用途に使用するた
めの結晶において、ニオブ酸リチウム結晶またはタンタ
ル酸リチウム結晶の表面の電荷を減少させる結晶能力を
増大させるために、ニオブ酸リチウム結晶またはタンタ
ル酸リチウム結晶が予め状態調節されていることを特徴
とする、増大された結晶表面電荷減少能力を有するニオ
ブ酸リチウム結晶またはタンタル酸リチウム結晶。 - 【請求項２】 結晶内の導電性を増大させるために、結
晶が熱と化学的に還元する雰囲気との組合せに晒された
ものである、請求項１記載の結晶。 - 【請求項３】 結晶が５００℃よりも高い温度に晒され
たものである、請求項２記載の結晶。 - 【請求項４】 温度が５００℃〜１１４０℃の範囲内に
ある、請求項３記載の結晶。 - 【請求項５】 化学的に還元する雰囲気がアルゴン、
水、水素、窒素、二酸化炭素、一酸化炭素、酸素および
これらの組合せ物から選択されたガスからなる、請求項
２記載の結晶。 - 【請求項６】 ニオブ酸リチウム結晶またはタンタル酸
リチウム結晶の表面の電荷を減少させる結晶の能力を増
大させるためにニオブ酸リチウム結晶またはタンタル酸
リチウム結晶を予め状態調節する方法において、該結晶
を処理し、該結晶の導電性を増大させることを特徴とす
る、ニオブ酸リチウム結晶またはタンタル酸リチウム結
晶を予め状態調節する方法。 - 【請求項７】 該結晶を処理し、該結晶の導電性を増大
させ、さらに該結晶を熱と化学的に還元する雰囲気との
組合せ物に晒し、結晶内で導電性を増大させる、請求項
６記載の方法。 - 【請求項８】 該結晶を５００℃を上廻る温度に晒す、
請求項７記載の方法。 - 【請求項９】 温度が５００℃〜１１４０℃の範囲内に
ある、請求項８記載の方法。 - 【請求項１０】 化学的に還元する雰囲気がアルゴン、
水、水素、窒素、二酸化炭素、一酸化炭素、酸素および
これらの組合せ物から選択されたガスからなる、請求項
６記載の方法。 - 【請求項１１】 デバイス中への結晶の配合により、結
晶の自然の焦電気応答または圧電気応答を呼び出す条件
に結晶を施こし、結晶の表面上での電荷の蓄積を生じさ
せることにより、ニオブ酸リチウム結晶またはタンタル
酸リチウム結晶をデバイス中への配合前に予め状態調節
する方法において、該結晶を処理し、該結晶の導電性を
増大させることを特徴とする、ニオブ酸リチウム結晶ま
たはタンタル酸リチウム結晶をデバイス中への配合前に
予め状態調節する方法。
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