JPH1192222A - 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ - Google Patents
誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH1192222A JPH1192222A JP10128626A JP12862698A JPH1192222A JP H1192222 A JPH1192222 A JP H1192222A JP 10128626 A JP10128626 A JP 10128626A JP 12862698 A JP12862698 A JP 12862698A JP H1192222 A JPH1192222 A JP H1192222A
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Landscapes
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- Ceramic Capacitors (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 電界強度１０ｋＶ／ｍｍでのＣＲ積が室温で
５０００Ω・Ｆ、１５０℃で２００Ω・Ｆ以上と高く、
絶縁抵抗の電圧依存性が小さく、ＤＣバイアス特性や絶
縁耐力に優れ、温度特性がＢ特性およびＸ７Ｒ特性を満
足し、耐候性能に優れ、内部電極にＮｉを使用した積層
セラミックコンデンサを提供する。 【解決手段】 セラミック層２ａ，２ｂのための誘電体
磁器組成物は、｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋Ｒ2 Ｏ3 ＋Ｂａ
ＺｒＯ3 ＋ＭｇＯ＋ＭｎＯ（Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ 3 、Ｇ
ｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、Ｅｒ
2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ 3 、Ｙｂ2 Ｏ3 の少なくとも１種）系
の主成分１００重量部と、Ｌｉ2 Ｏ−（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ
2 −ＭＯ（ＭＯはＡｌ2 Ｏ3 および／またはＺｒＯ2 ）
またはＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＸＯ（ＸＯはＢａＯ、Ｃａ
Ｏ、ＳｒＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＭｎＯの少なくとも１
種）系の副成分０．２〜３．０重量部とを含有する。
５０００Ω・Ｆ、１５０℃で２００Ω・Ｆ以上と高く、
絶縁抵抗の電圧依存性が小さく、ＤＣバイアス特性や絶
縁耐力に優れ、温度特性がＢ特性およびＸ７Ｒ特性を満
足し、耐候性能に優れ、内部電極にＮｉを使用した積層
セラミックコンデンサを提供する。 【解決手段】 セラミック層２ａ，２ｂのための誘電体
磁器組成物は、｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋Ｒ2 Ｏ3 ＋Ｂａ
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またはＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＸＯ（ＸＯはＢａＯ、Ｃａ
Ｏ、ＳｒＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＭｎＯの少なくとも１
種）系の副成分０．２〜３．０重量部とを含有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体磁器組成物
および積層セラミックコンデンサに関するものである。
および積層セラミックコンデンサに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来より、積層セラミックコンデンサは
以下のようにして製造されるのが一般的である。まず、
その表面に内部電極となる電極材料を塗布したシート状
の誘電体材料が準備される。誘電体材料としては、たと
えばＢａＴｉＯ3 を主成分とする材料が用いられる。次
に、この電極材料を塗布したシート状の誘電体材料を積
層して熱圧着し、一体化したものを大気雰囲気中におい
て１２５０〜１３５０℃で焼成することによって、内部
電極を有するセラミック積層体が得られる。そして、こ
のセラミック積層体の端面に、内部電極と電気的に導通
する外部電極を焼き付けることにより、積層セラミック
コンデンサが得られる。
以下のようにして製造されるのが一般的である。まず、
その表面に内部電極となる電極材料を塗布したシート状
の誘電体材料が準備される。誘電体材料としては、たと
えばＢａＴｉＯ3 を主成分とする材料が用いられる。次
に、この電極材料を塗布したシート状の誘電体材料を積
層して熱圧着し、一体化したものを大気雰囲気中におい
て１２５０〜１３５０℃で焼成することによって、内部
電極を有するセラミック積層体が得られる。そして、こ
のセラミック積層体の端面に、内部電極と電気的に導通
する外部電極を焼き付けることにより、積層セラミック
コンデンサが得られる。
【０００３】この積層セラミックコンデンサの内部電極
の材料として、従来は、一般的に、白金、金、パラジウ
ムあるいは銀−パラジウム合金などの貴金属が用いられ
ていた。しかしながら、これらの電極材料は優れた特性
を有する反面、高価であるため、製造コストを上昇させ
る要因となっていた。そのため、現在は、製造コストを
低下させるために卑金属のＮｉを内部電極とする積層コ
ンデンサが提案され、使用量が増大している。
の材料として、従来は、一般的に、白金、金、パラジウ
ムあるいは銀−パラジウム合金などの貴金属が用いられ
ていた。しかしながら、これらの電極材料は優れた特性
を有する反面、高価であるため、製造コストを上昇させ
る要因となっていた。そのため、現在は、製造コストを
低下させるために卑金属のＮｉを内部電極とする積層コ
ンデンサが提案され、使用量が増大している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】電子機器の小型化、高
機能化、低価格化が進む中、積層セラミックコンデンサ
に対しても、低価格化、絶縁耐力の向上、絶縁性の向
上、信頼性の向上、大容量化の要求が強くなっている。
電子機器の低価格化のためには、内部電極にニッケルを
用いた低価格の積層セラミックコンデンサを使うことが
有利であるが、従来の誘電体磁器材料は、低い電界強度
下で使用されることを前提として設計されていたので、
高い電界強度下で使用すると、絶縁抵抗値、絶縁耐力お
よび信頼性が極端に低下するという問題が生じた。すな
わち、内部電極にニッケルを用いながら、高電界強度下
で使用できる積層セラミックコンデンサはなかった。
機能化、低価格化が進む中、積層セラミックコンデンサ
に対しても、低価格化、絶縁耐力の向上、絶縁性の向
上、信頼性の向上、大容量化の要求が強くなっている。
電子機器の低価格化のためには、内部電極にニッケルを
用いた低価格の積層セラミックコンデンサを使うことが
有利であるが、従来の誘電体磁器材料は、低い電界強度
下で使用されることを前提として設計されていたので、
高い電界強度下で使用すると、絶縁抵抗値、絶縁耐力お
よび信頼性が極端に低下するという問題が生じた。すな
わち、内部電極にニッケルを用いながら、高電界強度下
で使用できる積層セラミックコンデンサはなかった。
【０００５】具体的には、特公昭５７−４２５８８号公
報や、特開昭６１−１０１４５９号公報に示される誘電
体材料は、大きな誘電率が得られるものの、得られた誘
電体磁器の結晶粒が大きく、その結果、高い電界強度下
で使用した場合、積層セラミックコンデンサにおける絶
縁耐力が低くなったり、高温負荷試験の平均寿命時間が
短くなるという欠点があった。
報や、特開昭６１−１０１４５９号公報に示される誘電
体材料は、大きな誘電率が得られるものの、得られた誘
電体磁器の結晶粒が大きく、その結果、高い電界強度下
で使用した場合、積層セラミックコンデンサにおける絶
縁耐力が低くなったり、高温負荷試験の平均寿命時間が
短くなるという欠点があった。
【０００６】また、特公昭６１−１４６１１号公報に示
される誘電体材料では、低電界強度下で得られる誘電率
は２０００〜２８００と高いものの、高い電界強度下で
使用したときには、誘電率すなわち静電容量が著しく低
くなるという欠点があった。また、同時に絶縁抵抗値が
低いという欠点もあった。そこで、本発明の目的は、高
電界強度、具体的には１０ｋＶ／ｍｍ程度の高い電界強
度で使用したときに、絶縁抵抗が静電容量との積（ＣＲ
積）で表した場合に、室温および１５０℃で、それぞれ
５０００Ω・Ｆおよび１９０〜２００Ω・Ｆ以上と高
く、絶縁抵抗の電圧依存性が小さく、ＤＣバイアス電圧
に対する静電容量の安定性に優れ、絶縁耐力が高く、静
電容量の温度特性がＪＩＳ規格で規定するＢ特性および
ＥＩＡ規格で規定するＸ７Ｒ特性をそれぞれ満足し、高
温負荷、耐湿負荷などの耐候性能に優れた、たとえば積
層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成し
得る誘電体磁器組成物を提供しようとすること、ならび
に、このような誘電体磁器組成物を誘電体セラミック層
として用いるとともに、内部電極をＮｉまたはＮｉ合金
で構成した、積層セラミックコンデンサを提供しようと
することである。
される誘電体材料では、低電界強度下で得られる誘電率
は２０００〜２８００と高いものの、高い電界強度下で
使用したときには、誘電率すなわち静電容量が著しく低
くなるという欠点があった。また、同時に絶縁抵抗値が
低いという欠点もあった。そこで、本発明の目的は、高
電界強度、具体的には１０ｋＶ／ｍｍ程度の高い電界強
度で使用したときに、絶縁抵抗が静電容量との積（ＣＲ
積）で表した場合に、室温および１５０℃で、それぞれ
５０００Ω・Ｆおよび１９０〜２００Ω・Ｆ以上と高
く、絶縁抵抗の電圧依存性が小さく、ＤＣバイアス電圧
に対する静電容量の安定性に優れ、絶縁耐力が高く、静
電容量の温度特性がＪＩＳ規格で規定するＢ特性および
ＥＩＡ規格で規定するＸ７Ｒ特性をそれぞれ満足し、高
温負荷、耐湿負荷などの耐候性能に優れた、たとえば積
層セラミックコンデンサの誘電体セラミック層を構成し
得る誘電体磁器組成物を提供しようとすること、ならび
に、このような誘電体磁器組成物を誘電体セラミック層
として用いるとともに、内部電極をＮｉまたはＮｉ合金
で構成した、積層セラミックコンデンサを提供しようと
することである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の誘電体磁器組成物は、アルカリ金属酸化物
の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウムと、
酸化ユーロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウ
ム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビ
ウム、酸化ツリウムおよび酸化イッテルビウムの中から
選ばれる少なくとも１種と、ジルコン酸バリウムと、酸
化マンガンとからなり、かつ、次の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｎＯ （ただし、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2
Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ 2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ
3 およびＹｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種で
あり、α、βおよびγはモル比を表し、０．００１≦α
≦０．０６、０．００５≦β≦０．０６、０．００１＜
γ≦０．１３、１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲内に
ある。）で表される主成分を含有するとともに、第１の
副成分をＬｉ2 Ｏ−（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 −ＭＯ系（ただ
し、ＭＯはＡｌ2Ｏ3 およびＺｒＯ2 の少なくとも一方
である。）の酸化物とし、第２の副成分をＳｉＯ2 −Ｔ
ｉＯ2 −ＸＯ系（ただし、ＸＯはＢａＯ、ＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ、ＭｇＯ、ＺｎＯおよびＭｎＯの中から選ばれる少な
くとも１種である。）の酸化物としたときに、該第１ま
たは第２の副成分のどちらか一方を、前記主成分１００
重量部に対して、０．２〜３．０重量部含有しているこ
とを特徴とする。
め、本発明の誘電体磁器組成物は、アルカリ金属酸化物
の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウムと、
酸化ユーロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テルビウ
ム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エルビ
ウム、酸化ツリウムおよび酸化イッテルビウムの中から
選ばれる少なくとも１種と、ジルコン酸バリウムと、酸
化マンガンとからなり、かつ、次の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｎＯ （ただし、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2
Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ 2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ
3 およびＹｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種で
あり、α、βおよびγはモル比を表し、０．００１≦α
≦０．０６、０．００５≦β≦０．０６、０．００１＜
γ≦０．１３、１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲内に
ある。）で表される主成分を含有するとともに、第１の
副成分をＬｉ2 Ｏ−（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 −ＭＯ系（ただ
し、ＭＯはＡｌ2Ｏ3 およびＺｒＯ2 の少なくとも一方
である。）の酸化物とし、第２の副成分をＳｉＯ2 −Ｔ
ｉＯ2 −ＸＯ系（ただし、ＸＯはＢａＯ、ＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ、ＭｇＯ、ＺｎＯおよびＭｎＯの中から選ばれる少な
くとも１種である。）の酸化物としたときに、該第１ま
たは第２の副成分のどちらか一方を、前記主成分１００
重量部に対して、０．２〜３．０重量部含有しているこ
とを特徴とする。
【０００８】本発明の誘電体磁器組成物は、他の局面で
は、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量％以下
のチタン酸バリウムと、酸化ユーロピウム、酸化ガドリ
ニウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホ
ルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウムおよび酸化イ
ッテルビウムの中から選ばれる少なくとも１種と、ジル
コン酸バリウムと、酸化マグネシウムと、酸化マンガン
とからなり、かつ、次の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ （ただし、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2
Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ 2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ
3 およびＹｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種で
あり、α、β、γおよびｇはモル比を表し、０．００１
≦α≦０．０６、０．００１≦β≦０．０６、０．００
１＜γ≦０．１２、０．００１＜ｇ≦０．１２、γ＋ｇ
≦０．１３、１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲内にあ
る。）で表される主成分を含有するとともに、第１の副
成分をＬｉ2 Ｏ−（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 −ＭＯ系（ただ
し、ＭＯはＡｌ2Ｏ3 およびＺｒＯ2 の少なくとも一方
である。）の酸化物とし、第２の副成分をＳｉＯ2 −Ｔ
ｉＯ2 −ＸＯ系（ただし、ＸＯはＢａＯ、ＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ、ＭｇＯ、ＺｎＯおよびＭｎＯの中から選ばれる少な
くとも１種である。）の酸化物としたときに、該第１ま
たは第２の副成分のどちらか一方を、前記主成分１００
重量部に対して、０．２〜３．０重量部含有しているこ
とを特徴とする。
は、アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２重量％以下
のチタン酸バリウムと、酸化ユーロピウム、酸化ガドリ
ニウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホ
ルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウムおよび酸化イ
ッテルビウムの中から選ばれる少なくとも１種と、ジル
コン酸バリウムと、酸化マグネシウムと、酸化マンガン
とからなり、かつ、次の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ （ただし、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2
Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ 2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ
3 およびＹｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種で
あり、α、β、γおよびｇはモル比を表し、０．００１
≦α≦０．０６、０．００１≦β≦０．０６、０．００
１＜γ≦０．１２、０．００１＜ｇ≦０．１２、γ＋ｇ
≦０．１３、１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲内にあ
る。）で表される主成分を含有するとともに、第１の副
成分をＬｉ2 Ｏ−（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 −ＭＯ系（ただ
し、ＭＯはＡｌ2Ｏ3 およびＺｒＯ2 の少なくとも一方
である。）の酸化物とし、第２の副成分をＳｉＯ2 −Ｔ
ｉＯ2 −ＸＯ系（ただし、ＸＯはＢａＯ、ＣａＯ、Ｓｒ
Ｏ、ＭｇＯ、ＺｎＯおよびＭｎＯの中から選ばれる少な
くとも１種である。）の酸化物としたときに、該第１ま
たは第２の副成分のどちらか一方を、前記主成分１００
重量部に対して、０．２〜３．０重量部含有しているこ
とを特徴とする。
【０００９】本発明の誘電体磁器組成物において、好ま
しくは、第１の副成分は、ｘＬｉ2Ｏ−ｙ（Ｓｉw Ｔｉ
1-w ）Ｏ2 −ｚＭＯ（ただし、ｘ、ｙおよびｚはモル％
であり、ｗは０．３０≦ｗ≦１．０の範囲内にある。）
で表したとき、それぞれの成分を頂点とする三元組成図
の、Ａ（ｘ＝２０、ｙ＝８０、ｚ＝０）、Ｂ（ｘ＝１
０、ｙ＝８０、ｚ＝１０）、Ｃ（ｘ＝１０、ｙ＝７０、
ｚ＝２０）、Ｄ（ｘ＝３５、ｙ＝４５、ｚ＝２０）、Ｅ
（ｘ＝４５、ｙ＝４５、ｚ＝１０）、Ｆ（ｘ＝４５、ｙ
＝５５、ｚ＝０）、（ただし、直線Ａ−Ｆ上の組成の場
合は、ｗは０．３≦ｗ＜１．０の範囲内）で示される各
点を結ぶ直線で囲まれた領域の内部または線上にあるこ
とを特徴とする。
しくは、第１の副成分は、ｘＬｉ2Ｏ−ｙ（Ｓｉw Ｔｉ
1-w ）Ｏ2 −ｚＭＯ（ただし、ｘ、ｙおよびｚはモル％
であり、ｗは０．３０≦ｗ≦１．０の範囲内にある。）
で表したとき、それぞれの成分を頂点とする三元組成図
の、Ａ（ｘ＝２０、ｙ＝８０、ｚ＝０）、Ｂ（ｘ＝１
０、ｙ＝８０、ｚ＝１０）、Ｃ（ｘ＝１０、ｙ＝７０、
ｚ＝２０）、Ｄ（ｘ＝３５、ｙ＝４５、ｚ＝２０）、Ｅ
（ｘ＝４５、ｙ＝４５、ｚ＝１０）、Ｆ（ｘ＝４５、ｙ
＝５５、ｚ＝０）、（ただし、直線Ａ−Ｆ上の組成の場
合は、ｗは０．３≦ｗ＜１．０の範囲内）で示される各
点を結ぶ直線で囲まれた領域の内部または線上にあるこ
とを特徴とする。
【００１０】また、本発明の誘電体磁器組成物におい
て、好ましくは、第２の副成分は、ｘＳｉＯ2 −ｙＴｉ
Ｏ2 −ｚＸＯ（ただし、ｘ、ｙおよびｚはモル％であ
る。）で表したとき、それぞれの成分を頂点とする三元
組成図のＡ（ｘ＝８５、ｙ＝１、ｚ＝１４）、Ｂ（ｘ＝
３５、ｙ＝５１、ｚ＝１４）、Ｃ（ｘ＝３０、ｙ＝２
０、ｚ＝５０）、Ｄ（ｘ＝３９、ｙ＝１、ｚ＝６０）で
示される各点を結ぶ直線で囲まれた領域の内部または線
上にあることを特徴とする。
て、好ましくは、第２の副成分は、ｘＳｉＯ2 −ｙＴｉ
Ｏ2 −ｚＸＯ（ただし、ｘ、ｙおよびｚはモル％であ
る。）で表したとき、それぞれの成分を頂点とする三元
組成図のＡ（ｘ＝８５、ｙ＝１、ｚ＝１４）、Ｂ（ｘ＝
３５、ｙ＝５１、ｚ＝１４）、Ｃ（ｘ＝３０、ｙ＝２
０、ｚ＝５０）、Ｄ（ｘ＝３９、ｙ＝１、ｚ＝６０）で
示される各点を結ぶ直線で囲まれた領域の内部または線
上にあることを特徴とする。
【００１１】また、第２の副成分中には、ＳｉＯ2 −Ｔ
ｉＯ2 −ＸＯ系の酸化物１００重量部に対してＡｌ2 Ｏ
3 およびＺｒＯ2 の少なくとも一方を合計で１５重量部
以下（ただし、ＺｒＯ2 は５重量部以下）含有すること
が好ましい。本発明は、また、複数の誘電体セラミック
層と、該誘電体セラミック層間に形成された内部電極
と、該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備え
る、積層セラミックコンデンサにも向けられる。このよ
うな積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミ
ック層が上述したような本発明に係る誘電体磁器組成物
によって構成され、また、内部電極がニッケルまたはニ
ッケル合金によって構成される。
ｉＯ2 −ＸＯ系の酸化物１００重量部に対してＡｌ2 Ｏ
3 およびＺｒＯ2 の少なくとも一方を合計で１５重量部
以下（ただし、ＺｒＯ2 は５重量部以下）含有すること
が好ましい。本発明は、また、複数の誘電体セラミック
層と、該誘電体セラミック層間に形成された内部電極
と、該内部電極に電気的に接続された外部電極とを備え
る、積層セラミックコンデンサにも向けられる。このよ
うな積層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミ
ック層が上述したような本発明に係る誘電体磁器組成物
によって構成され、また、内部電極がニッケルまたはニ
ッケル合金によって構成される。
【００１２】本発明に係る積層セラミックコンデンサに
おいて、外部電極は、導電性金属粉末、またはガラスフ
リットを添加した導電性金属粉末の焼結層を備えていた
り、あるいは、導電性金属粉末、またはガラスフリット
を添加した導電性金属粉末の焼結層からなる第１層と、
その上のめっき層からなる第２層とを備えていたりす
る。
おいて、外部電極は、導電性金属粉末、またはガラスフ
リットを添加した導電性金属粉末の焼結層を備えていた
り、あるいは、導電性金属粉末、またはガラスフリット
を添加した導電性金属粉末の焼結層からなる第１層と、
その上のめっき層からなる第２層とを備えていたりす
る。
【００１３】
【発明の実施の形態】まず、本発明の一実施形態による
積層セラミックコンデンサの基本的構造を図面により説
明する。図１は、積層セラミックコンデンサの一例を示
す断面図、図２は、図１の積層セラミックコンデンサの
うち、内部電極を有する誘電体セラミック層部分を示す
平面図、図３は、図１の積層セラミックコンデンサのう
ち、セラミック積層体部分を示す分解斜視図である。
積層セラミックコンデンサの基本的構造を図面により説
明する。図１は、積層セラミックコンデンサの一例を示
す断面図、図２は、図１の積層セラミックコンデンサの
うち、内部電極を有する誘電体セラミック層部分を示す
平面図、図３は、図１の積層セラミックコンデンサのう
ち、セラミック積層体部分を示す分解斜視図である。
【００１４】本実施形態による積層セラミックコンデン
サ１は、図１に示すように、内部電極４を介して複数枚
の誘電体セラミック層２ａおよび２ｂを積層して得られ
た、直方体形状のセラミック積層体３を備える。セラミ
ック積層体３の両端面上には、内部電極４の特定のもの
に電気的に接続されるように、外部電極５がそれぞれ形
成され、その上には、ニッケル、銅などの第１のめっき
層６が形成され、さらにその上には、半田、錫などの第
２のめっき層７が形成されている。
サ１は、図１に示すように、内部電極４を介して複数枚
の誘電体セラミック層２ａおよび２ｂを積層して得られ
た、直方体形状のセラミック積層体３を備える。セラミ
ック積層体３の両端面上には、内部電極４の特定のもの
に電気的に接続されるように、外部電極５がそれぞれ形
成され、その上には、ニッケル、銅などの第１のめっき
層６が形成され、さらにその上には、半田、錫などの第
２のめっき層７が形成されている。
【００１５】次に、この積層セラミックコンデンサ１の
製造方法について製造工程順に説明する。まず、誘電体
セラミック層２ａおよび２ｂの主成分となる、所定の組
成比率に秤量し混合したチタン酸バリウム系の原料粉末
を用意する。すなわち、前述したように、アルカリ金属
酸化物の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウ
ムと、酸化ユーロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テル
ビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エ
ルビウム、酸化ツリウムおよび酸化イッテルビウムの中
から選ばれる少なくとも１種と、ジルコン酸バリウム
と、酸化マンガンとからなる主成分、または、アルカリ
金属酸化物の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バ
リウムと、酸化ユーロピウム、酸化ガドリニウム、酸化
テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸
化エルビウム、酸化ツリウムおよび酸化イッテルビウム
の中から選ばれる少なくとも１種と、ジルコン酸バリウ
ムと、酸化マグネシウムと、酸化マンガンとからなる主
成分を含有するとともに、Ｌｉ2Ｏ−（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ
2 −ＭＯ系の第１の副成分またはＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −
ＸＯ系の第２の副成分のどちらか一方を含有する、誘電
体磁器組成物を生成し得る原料粉末を用意する。
製造方法について製造工程順に説明する。まず、誘電体
セラミック層２ａおよび２ｂの主成分となる、所定の組
成比率に秤量し混合したチタン酸バリウム系の原料粉末
を用意する。すなわち、前述したように、アルカリ金属
酸化物の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バリウ
ムと、酸化ユーロピウム、酸化ガドリニウム、酸化テル
ビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エ
ルビウム、酸化ツリウムおよび酸化イッテルビウムの中
から選ばれる少なくとも１種と、ジルコン酸バリウム
と、酸化マンガンとからなる主成分、または、アルカリ
金属酸化物の含有量が０．０２重量％以下のチタン酸バ
リウムと、酸化ユーロピウム、酸化ガドリニウム、酸化
テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸
化エルビウム、酸化ツリウムおよび酸化イッテルビウム
の中から選ばれる少なくとも１種と、ジルコン酸バリウ
ムと、酸化マグネシウムと、酸化マンガンとからなる主
成分を含有するとともに、Ｌｉ2Ｏ−（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ
2 −ＭＯ系の第１の副成分またはＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −
ＸＯ系の第２の副成分のどちらか一方を含有する、誘電
体磁器組成物を生成し得る原料粉末を用意する。
【００１６】次いで、この原料粉末に有機バインダを加
えてスラリー化し、このスラリーをシート状に成形し
て、誘電体セラミック層２ａおよび２ｂのためのグリー
ンシートを得る。その後、誘電体セラミック層２ｂとな
るグリーンシートの一方主面上にニッケルまたはニッケ
ル合金からなる内部電極４を形成する。前述したような
誘電体磁器組成物を用いて誘電体セラミック層２ａおよ
び２ｂを形成すれば、内部電極４の材料として、卑金属
としてのニッケルまたはニッケル合金を用いることがで
きる。なお、内部電極４は、スクリーン印刷法などによ
って形成されても、蒸着法、めっき法などによって形成
されてもよい。
えてスラリー化し、このスラリーをシート状に成形し
て、誘電体セラミック層２ａおよび２ｂのためのグリー
ンシートを得る。その後、誘電体セラミック層２ｂとな
るグリーンシートの一方主面上にニッケルまたはニッケ
ル合金からなる内部電極４を形成する。前述したような
誘電体磁器組成物を用いて誘電体セラミック層２ａおよ
び２ｂを形成すれば、内部電極４の材料として、卑金属
としてのニッケルまたはニッケル合金を用いることがで
きる。なお、内部電極４は、スクリーン印刷法などによ
って形成されても、蒸着法、めっき法などによって形成
されてもよい。
【００１７】次いで、内部電極４を有する誘電体セラミ
ック層２ｂのためのグリーンシートを、必要枚数積層し
た後、図３に示すように、内部電極を有しない誘電体セ
ラミック層２ａのためのグリーンシートによって挟んだ
状態とし、これを圧着することによって、生の積層体を
得る。その後、この生の積層体を還元雰囲気中、所定の
温度にて焼成し、セラミック積層体３を得る。
ック層２ｂのためのグリーンシートを、必要枚数積層し
た後、図３に示すように、内部電極を有しない誘電体セ
ラミック層２ａのためのグリーンシートによって挟んだ
状態とし、これを圧着することによって、生の積層体を
得る。その後、この生の積層体を還元雰囲気中、所定の
温度にて焼成し、セラミック積層体３を得る。
【００１８】次に、セラミック積層体３の両端面に、内
部電極４と電気的に接続されるように、外部電極５を形
成する。この外部電極５の材料としては、内部電極４と
同じ材料を使用することができる。また、銀、パラジウ
ム、銀−パラジウム合金、銅、銅合金などが使用可能で
あり、また、これらの金属粉末にＢ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2−
ＢａＯ系ガラス、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＢａＯ系ガラス
などのガラスフリットを添加したものも使用されるが、
積層セラミックコンデンサの使用用途、使用場所などを
考慮に入れて適当な材料が選択される。また、外部電極
５は、材料となる金属粉末ペーストを、焼成により得た
セラミック積層体３に塗布して、焼き付けることによっ
て形成されるが、焼成前に塗布して、セラミック積層体
３と同時に焼き付けることによって形成されてもよい。
部電極４と電気的に接続されるように、外部電極５を形
成する。この外部電極５の材料としては、内部電極４と
同じ材料を使用することができる。また、銀、パラジウ
ム、銀−パラジウム合金、銅、銅合金などが使用可能で
あり、また、これらの金属粉末にＢ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2−
ＢａＯ系ガラス、Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2 −ＢａＯ系ガラス
などのガラスフリットを添加したものも使用されるが、
積層セラミックコンデンサの使用用途、使用場所などを
考慮に入れて適当な材料が選択される。また、外部電極
５は、材料となる金属粉末ペーストを、焼成により得た
セラミック積層体３に塗布して、焼き付けることによっ
て形成されるが、焼成前に塗布して、セラミック積層体
３と同時に焼き付けることによって形成されてもよい。
【００１９】その後、外部電極５上に、ニッケル、銅な
どのめっきを施し、第１のめっき層６を形成する。最後
に、この第１のめっき層６の上に、半田、錫などの第２
のめっき層７を形成し、積層セラミックコンデンサ１を
完成させる。なお、このように外部電極５の上にさらに
めっきなどで導体層を形成することは、積層セラミック
コンデンサの用途によっては省略することもできる。
どのめっきを施し、第１のめっき層６を形成する。最後
に、この第１のめっき層６の上に、半田、錫などの第２
のめっき層７を形成し、積層セラミックコンデンサ１を
完成させる。なお、このように外部電極５の上にさらに
めっきなどで導体層を形成することは、積層セラミック
コンデンサの用途によっては省略することもできる。
【００２０】以上のように、誘電体セラミック層２ａお
よび２ｂを構成するため、前述したような誘電体磁器組
成物を用いることによって、還元性雰囲気中で焼成して
も、その特性が劣化することはない。すなわち、１０ｋ
Ｖ／ｍｍの高い電界強度下で使用した場合であっても、
絶縁抵抗と静電容量との積（ＣＲ積）が、室温および１
５０℃で、それぞれ、５０００Ω・Ｆおよび１９０〜２
００Ω・Ｆ以上と高く、絶縁抵抗の電圧依存性が小さ
く、５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印加時の容量低下率の絶対
値が４０％〜４５％以下と小さく、絶縁耐力がＡＣ電圧
で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ以上
と高く、静電容量の温度特性が−２５℃〜＋８５℃の範
囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性および−５５℃〜＋１
２５℃の範囲でＥＩＡ規格に規定するＸ７Ｒ特性を満足
し、１５０℃およびＤＣ２５ｋＶ／ｍｍの高温負荷およ
び耐湿負荷に対する耐候性能に優れる特性が得られる。
よび２ｂを構成するため、前述したような誘電体磁器組
成物を用いることによって、還元性雰囲気中で焼成して
も、その特性が劣化することはない。すなわち、１０ｋ
Ｖ／ｍｍの高い電界強度下で使用した場合であっても、
絶縁抵抗と静電容量との積（ＣＲ積）が、室温および１
５０℃で、それぞれ、５０００Ω・Ｆおよび１９０〜２
００Ω・Ｆ以上と高く、絶縁抵抗の電圧依存性が小さ
く、５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印加時の容量低下率の絶対
値が４０％〜４５％以下と小さく、絶縁耐力がＡＣ電圧
で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ以上
と高く、静電容量の温度特性が−２５℃〜＋８５℃の範
囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性および−５５℃〜＋１
２５℃の範囲でＥＩＡ規格に規定するＸ７Ｒ特性を満足
し、１５０℃およびＤＣ２５ｋＶ／ｍｍの高温負荷およ
び耐湿負荷に対する耐候性能に優れる特性が得られる。
【００２１】また、この誘電体磁器組成物の主成分のう
ち、チタン酸バリウム中に不純物として存在するＳｒ
Ｏ、ＣａＯなどのアルカリ土類金属酸化物、Ｎａ2 Ｏ、
Ｋ2 Ｏなどのアルカリ金属酸化物、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ
2 などのその他の酸化物のうち、特にアルカリ金属酸化
物の含有量が電気的特性に大きく影響することが確認さ
れている。そして、Ｅｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ
3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ
2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 などの希土類酸化物の添加量が増大
すると比誘電率は低下するが、チタン酸バリウム中に不
純物として存在するアルカリ金属酸化物を０．０２重量
％以下にすることにより、比誘電率を実使用上問題のな
い９００〜１６００に維持することができる。
ち、チタン酸バリウム中に不純物として存在するＳｒ
Ｏ、ＣａＯなどのアルカリ土類金属酸化物、Ｎａ2 Ｏ、
Ｋ2 Ｏなどのアルカリ金属酸化物、Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ
2 などのその他の酸化物のうち、特にアルカリ金属酸化
物の含有量が電気的特性に大きく影響することが確認さ
れている。そして、Ｅｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ
3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ
2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 などの希土類酸化物の添加量が増大
すると比誘電率は低下するが、チタン酸バリウム中に不
純物として存在するアルカリ金属酸化物を０．０２重量
％以下にすることにより、比誘電率を実使用上問題のな
い９００〜１６００に維持することができる。
【００２２】また、誘電体磁器組成物中にＬｉ2 Ｏ−
（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 −ＭＯ系（ＭＯはＡｌ2 Ｏ3 および
ＺｒＯ2 の少なくとも一方）の酸化物を添加することに
よって、１３００℃以下と比較的低温度で焼結させるこ
とができ、さらに、高温負荷特性を向上させることがで
きる。また、誘電体磁器組成物中にＳｉＯ2 −ＴｉＯ2
−ＸＯ系（ＸＯはＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯ、Ｚ
ｎＯおよびＭｎＯの中から選ばれる少なくとも１種）の
酸化物を添加することによって、焼結性が向上するとと
もに、高温負荷特性および耐湿負荷特性が向上する。さ
らに、前記ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＸＯ系の酸化物にＡｌ
2 Ｏ3 および／またはＺｒＯ2 を添加含有させること
で、より高い絶縁抵抗を得ることが可能となる。
（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 −ＭＯ系（ＭＯはＡｌ2 Ｏ3 および
ＺｒＯ2 の少なくとも一方）の酸化物を添加することに
よって、１３００℃以下と比較的低温度で焼結させるこ
とができ、さらに、高温負荷特性を向上させることがで
きる。また、誘電体磁器組成物中にＳｉＯ2 −ＴｉＯ2
−ＸＯ系（ＸＯはＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯ、Ｚ
ｎＯおよびＭｎＯの中から選ばれる少なくとも１種）の
酸化物を添加することによって、焼結性が向上するとと
もに、高温負荷特性および耐湿負荷特性が向上する。さ
らに、前記ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＸＯ系の酸化物にＡｌ
2 Ｏ3 および／またはＺｒＯ2 を添加含有させること
で、より高い絶縁抵抗を得ることが可能となる。
【００２３】
【実施例】次に、本発明を実施例に基づき、さらに具体
的に説明するが、本発明の範囲内における実施の形態
は、このような実施例のみに限定されるものではない。 （実施例１）まず、出発原料として種々の純度のＴｉＣ
ｌ4 とＢａ（ＮＯ3 ）2 とを準備して秤量した後、蓚酸
により蓚酸チタニルバリウム｛ＢａＴｉＯ（Ｃ2 Ｏ4 ）
・４Ｈ2 Ｏ｝として沈殿させた。この沈殿物を１０００
℃以上の温度で加熱分解させて、表１の４種類のチタン
酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）を合成した。
的に説明するが、本発明の範囲内における実施の形態
は、このような実施例のみに限定されるものではない。 （実施例１）まず、出発原料として種々の純度のＴｉＣ
ｌ4 とＢａ（ＮＯ3 ）2 とを準備して秤量した後、蓚酸
により蓚酸チタニルバリウム｛ＢａＴｉＯ（Ｃ2 Ｏ4 ）
・４Ｈ2 Ｏ｝として沈殿させた。この沈殿物を１０００
℃以上の温度で加熱分解させて、表１の４種類のチタン
酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）を合成した。
【００２４】
【表１】
【００２５】また、第１の副成分として０．２５Ｌｉ2
Ｏ−０．６５（０．３０ＴｉＯ2 ・０．７０ＳｉＯ2 ）
−０．１０Ａｌ2 Ｏ3 （モル比）の組成割合になるよう
に、各成分の酸化物、炭酸塩または水酸化物を秤量し、
混合粉砕して粉末を得た。同様に、第２の副成分として
０．６６ＳｉＯ2 −０．１７ＴｉＯ2 −０．１５ＢａＯ
−０．０２ＭｎＯ（モル比）の組成割合になるように、
各成分の酸化物、炭酸塩または水酸化物を秤量し、混合
粉砕して粉末を得た。
Ｏ−０．６５（０．３０ＴｉＯ2 ・０．７０ＳｉＯ2 ）
−０．１０Ａｌ2 Ｏ3 （モル比）の組成割合になるよう
に、各成分の酸化物、炭酸塩または水酸化物を秤量し、
混合粉砕して粉末を得た。同様に、第２の副成分として
０．６６ＳｉＯ2 −０．１７ＴｉＯ2 −０．１５ＢａＯ
−０．０２ＭｎＯ（モル比）の組成割合になるように、
各成分の酸化物、炭酸塩または水酸化物を秤量し、混合
粉砕して粉末を得た。
【００２６】次に、これら第１および第２の副成分酸化
物粉末を別々の白金るつぼ中において、１５００℃まで
加熱した後、急冷し、粉砕することによって、平均粒径
が１μｍ以下のそれぞれの酸化物粉末を得た。次に、チ
タン酸バリウムのＢａ／Ｔｉモル比ｍを調整するための
ＢａＣＯ3 と、純度９９％以上のＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ
3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2Ｏ3 、Ｅｒ
2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 、ＢａＺｒＯ3 、Ｍｇ
ＯおよびＭｎＯを準備した。これらの原料粉末と第１ま
たは第２のどちらか一方の副成分である上記酸化物粉末
を表２および表３に示す組成になるように秤量した。な
お、第１、第２の副成分の添加量は、主成分［｛Ｂａ
Ｏ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋γＭｇ
Ｏ＋ｇＭｎＯ］１００重量部に対する添加部数である。
物粉末を別々の白金るつぼ中において、１５００℃まで
加熱した後、急冷し、粉砕することによって、平均粒径
が１μｍ以下のそれぞれの酸化物粉末を得た。次に、チ
タン酸バリウムのＢａ／Ｔｉモル比ｍを調整するための
ＢａＣＯ3 と、純度９９％以上のＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ
3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2Ｏ3 、Ｅｒ
2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 、ＢａＺｒＯ3 、Ｍｇ
ＯおよびＭｎＯを準備した。これらの原料粉末と第１ま
たは第２のどちらか一方の副成分である上記酸化物粉末
を表２および表３に示す組成になるように秤量した。な
お、第１、第２の副成分の添加量は、主成分［｛Ｂａ
Ｏ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋γＭｇ
Ｏ＋ｇＭｎＯ］１００重量部に対する添加部数である。
【００２７】
【表２】
【００２８】
【表３】
【００２９】次いで、この秤量物にポリビニルブチラー
ル系バインダおよびエタノールなどの有機溶剤を加え
て、ボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリー
を調整した。このセラミックスラリーをドクターブレー
ド法によりシート成形し、厚み３５μｍの矩形のグリー
ンシートを得た。その後、このセラミックグリーンシー
ト上に、Ｎｉを主体とする導電ペーストを印刷し、内部
電極を構成するための導電ペースト層を形成した。
ル系バインダおよびエタノールなどの有機溶剤を加え
て、ボールミルにより湿式混合し、セラミックスラリー
を調整した。このセラミックスラリーをドクターブレー
ド法によりシート成形し、厚み３５μｍの矩形のグリー
ンシートを得た。その後、このセラミックグリーンシー
ト上に、Ｎｉを主体とする導電ペーストを印刷し、内部
電極を構成するための導電ペースト層を形成した。
【００３０】その後、導電ペースト層が形成されたセラ
ミックグリーンシートを導電ペーストが引き出されてい
る側が互い違いとなるように複数枚積層し、積層体を得
た。この積層体を、Ｎ2 雰囲気中にて３５０℃の温度に
加熱し、バインダを分解させた後、酸素分圧１０-9〜１
０-12 ＭＰａのＨ2 −Ｎ2 −Ｈ2 Ｏガスからなる還元性
雰囲気中において表４および表５に示す温度で２時間焼
成し、セラミック焼結体を得た。
ミックグリーンシートを導電ペーストが引き出されてい
る側が互い違いとなるように複数枚積層し、積層体を得
た。この積層体を、Ｎ2 雰囲気中にて３５０℃の温度に
加熱し、バインダを分解させた後、酸素分圧１０-9〜１
０-12 ＭＰａのＨ2 −Ｎ2 −Ｈ2 Ｏガスからなる還元性
雰囲気中において表４および表５に示す温度で２時間焼
成し、セラミック焼結体を得た。
【００３１】焼成後、得られたセラミック焼結体の両端
面にＢ2 Ｏ3 −Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2−ＢａＯ系のガラス
フリットを含有する銀ペーストを塗布し、Ｎ2 雰囲気中
において６００℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的
に接続された外部電極を形成した。このようにして得ら
れた積層セラミックコンデンサの外形寸法は幅：５．０
ｍｍ、長さ：５．７ｍｍ、厚さ：２．４ｍｍであり、誘
電体セラミック層の厚みは３０μｍであった。また、有
効誘電体セラミック層の総数は５７であり、１層当たり
の対向電極の面積は８．２×１０-6ｍ2 であった。
面にＢ2 Ｏ3 −Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2−ＢａＯ系のガラス
フリットを含有する銀ペーストを塗布し、Ｎ2 雰囲気中
において６００℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的
に接続された外部電極を形成した。このようにして得ら
れた積層セラミックコンデンサの外形寸法は幅：５．０
ｍｍ、長さ：５．７ｍｍ、厚さ：２．４ｍｍであり、誘
電体セラミック層の厚みは３０μｍであった。また、有
効誘電体セラミック層の総数は５７であり、１層当たり
の対向電極の面積は８．２×１０-6ｍ2 であった。
【００３２】次に、これら積層セラミックコンデンサの
電気的特性を測定した。静電容量（Ｃ）および誘電損失
（ｔａｎδ）は自動ブリッジ式測定器を用いて、周波数
１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓ、温度２５℃にて測定し、静電容
量から誘電率（ε）を算出した。その後、絶縁抵抗
（Ｒ）を測定するために、絶縁抵抗計を用い、３１５Ｖ
（すなわち、１０ｋＶ／ｍｍ）、および９４５Ｖ（すな
わち、３０ｋＶ／ｍｍ）の直流電圧を２分間印加して２
５℃および１５０℃での絶縁抵抗を測定し、静電容量と
絶縁抵抗との積、すなわちＣＲ積を求めた。
電気的特性を測定した。静電容量（Ｃ）および誘電損失
（ｔａｎδ）は自動ブリッジ式測定器を用いて、周波数
１ｋＨｚ、１Ｖｒｍｓ、温度２５℃にて測定し、静電容
量から誘電率（ε）を算出した。その後、絶縁抵抗
（Ｒ）を測定するために、絶縁抵抗計を用い、３１５Ｖ
（すなわち、１０ｋＶ／ｍｍ）、および９４５Ｖ（すな
わち、３０ｋＶ／ｍｍ）の直流電圧を２分間印加して２
５℃および１５０℃での絶縁抵抗を測定し、静電容量と
絶縁抵抗との積、すなわちＣＲ積を求めた。
【００３３】また、温度変化に対する静電容量の変化率
を測定した。温度変化に対する静電容量の変化率につい
ては、２０℃での静電容量を基準とした−２５℃と８５
℃とでの変化率（ΔＣ／Ｃ２０）、ならびに、２５℃で
の静電容量を基準とした、−５５℃と１２５℃とでの変
化率（ΔＣ／Ｃ２５）および−５５℃〜１２５℃の範囲
内で絶対値としてその変化率の最大となった値（｜ΔＣ
｜max ）を求めた。
を測定した。温度変化に対する静電容量の変化率につい
ては、２０℃での静電容量を基準とした−２５℃と８５
℃とでの変化率（ΔＣ／Ｃ２０）、ならびに、２５℃で
の静電容量を基準とした、−５５℃と１２５℃とでの変
化率（ΔＣ／Ｃ２５）および−５５℃〜１２５℃の範囲
内で絶対値としてその変化率の最大となった値（｜ΔＣ
｜max ）を求めた。
【００３４】また、ＤＣバイアス特性を評価した。すな
わち、まず１ｋＨｚ、１ＶｒｍｓのＡＣ電圧を印加した
ときの静電容量を測定した。次に、ＤＣ１５０Ｖと１ｋ
Ｈｚ、１ＶｒｍｓのＡＣ電圧を同時に印加した時の静電
容量を測定した。そして、ＤＣ電圧を負荷したことによ
る静電容量の低下率ΔＣ／Ｃを算出した。また、高温負
荷試験として、各試料を３６個ずつ、温度１５０℃にて
７５０Ｖ（すなわち、２５ｋＶ／ｍｍ）の直流電圧を印
加して、その絶縁抵抗の経時変化を測定した。なお、高
温負荷寿命試験は各試料の絶縁抵抗値が１０6 Ω以下に
なったときの時間を寿命時間とし、その平均寿命時間を
求めた。
わち、まず１ｋＨｚ、１ＶｒｍｓのＡＣ電圧を印加した
ときの静電容量を測定した。次に、ＤＣ１５０Ｖと１ｋ
Ｈｚ、１ＶｒｍｓのＡＣ電圧を同時に印加した時の静電
容量を測定した。そして、ＤＣ電圧を負荷したことによ
る静電容量の低下率ΔＣ／Ｃを算出した。また、高温負
荷試験として、各試料を３６個ずつ、温度１５０℃にて
７５０Ｖ（すなわち、２５ｋＶ／ｍｍ）の直流電圧を印
加して、その絶縁抵抗の経時変化を測定した。なお、高
温負荷寿命試験は各試料の絶縁抵抗値が１０6 Ω以下に
なったときの時間を寿命時間とし、その平均寿命時間を
求めた。
【００３５】また、耐湿負荷試験として、各試料を７２
個ずつ、２気圧（相対湿度１００％）、温度１２０℃に
て３１５ＶのＤＣ電圧を２５０時間印加したときの、絶
縁抵抗が１０6 Ω以下になった試料の個数を求めた。さ
らに、絶縁破壊電圧は昇圧速度１００Ｖ／秒でＡＣ電圧
およびＤＣ電圧をそれぞれ印加し、ＡＣ電圧およびＤＣ
電圧での破壊電圧を測定した。
個ずつ、２気圧（相対湿度１００％）、温度１２０℃に
て３１５ＶのＤＣ電圧を２５０時間印加したときの、絶
縁抵抗が１０6 Ω以下になった試料の個数を求めた。さ
らに、絶縁破壊電圧は昇圧速度１００Ｖ／秒でＡＣ電圧
およびＤＣ電圧をそれぞれ印加し、ＡＣ電圧およびＤＣ
電圧での破壊電圧を測定した。
【００３６】以上の結果を表４および表５に示す。
【００３７】
【表４】
【００３８】
【表５】
【００３９】表１〜表５から明らかなように、本発明の
積層セラミックコンデンサは５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印
加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘電損失は
１．０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が−２
５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性規
格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規格に
規定するＸ７Ｒ特性規格を満足する。
積層セラミックコンデンサは５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印
加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘電損失は
１．０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が−２
５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性規
格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規格に
規定するＸ７Ｒ特性規格を満足する。
【００４０】しかも、１０ｋＶ／ｍｍという高電界強度
下で使用する時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣ
Ｒ積で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２
００Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧が
ＡＣ電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／
ｍｍ以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。
下で使用する時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣ
Ｒ積で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２
００Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧が
ＡＣ電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／
ｍｍ以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。
【００４１】ここで、本発明の組成限定理由について説
明する。 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ （ただし、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2
Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ 2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ
3 およびＹｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種で
あり、α、β、γおよびｇはモル比を表す。）におい
て、試料番号１のように、Ｒ2 Ｏ3 量αが０．００１未
満の場合には絶縁抵抗が低く、ＣＲ積が小さくなるので
好ましくない。一方、試料番号２のようにＲ2 Ｏ3量α
が０．０６を超える場合には、温度特性がＢ特性／Ｘ７
Ｒ特性を満足せず、信頼性が悪くなるので好ましくな
い。したがって、Ｒ2 Ｏ3 量αは０．００１≦α≦０．
０６の範囲が好ましい。
明する。 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ （ただし、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2
Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ 2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ
3 およびＹｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種で
あり、α、β、γおよびｇはモル比を表す。）におい
て、試料番号１のように、Ｒ2 Ｏ3 量αが０．００１未
満の場合には絶縁抵抗が低く、ＣＲ積が小さくなるので
好ましくない。一方、試料番号２のようにＲ2 Ｏ3量α
が０．０６を超える場合には、温度特性がＢ特性／Ｘ７
Ｒ特性を満足せず、信頼性が悪くなるので好ましくな
い。したがって、Ｒ2 Ｏ3 量αは０．００１≦α≦０．
０６の範囲が好ましい。
【００４２】また、試料番号３のように、ＢａＺｒＯ3
量βが０の場合には、絶縁抵抗が低く、ＢａＺｒＯ3 を
含む系よりも絶縁抵抗の電圧依存性が大きいので好まし
くない。一方、試料番号４のように、ＢａＺｒＯ3 量β
が０．０６を超えた場合には、温度特性もＢ特性／Ｘ７
Ｒ特性を満足せず、平均寿命時間が短いので好ましくな
い。したがって、ＢａＺｒＯ3 量βは０．００５≦β≦
０．０６の範囲が好ましい。
量βが０の場合には、絶縁抵抗が低く、ＢａＺｒＯ3 を
含む系よりも絶縁抵抗の電圧依存性が大きいので好まし
くない。一方、試料番号４のように、ＢａＺｒＯ3 量β
が０．０６を超えた場合には、温度特性もＢ特性／Ｘ７
Ｒ特性を満足せず、平均寿命時間が短いので好ましくな
い。したがって、ＢａＺｒＯ3 量βは０．００５≦β≦
０．０６の範囲が好ましい。
【００４３】また、試料番号５のように、ＭｇＯ量γが
０．００１の場合、絶縁抵抗が低く、温度特性がＢ特性
／Ｘ７Ｒ特性を満足しないので好ましくない。一方、試
料番号６のように、ＭｇＯ量γが０．１２を超えると、
焼結温度が高くなり、誘電損失が２．０％を超え、耐湿
負荷試験で不良個数が極端に増え、しかも、平均寿命時
間が短くなるので好ましくない。したがって、ＭｇＯ量
γは０．００１＜γ≦０．１２の範囲が好ましい。
０．００１の場合、絶縁抵抗が低く、温度特性がＢ特性
／Ｘ７Ｒ特性を満足しないので好ましくない。一方、試
料番号６のように、ＭｇＯ量γが０．１２を超えると、
焼結温度が高くなり、誘電損失が２．０％を超え、耐湿
負荷試験で不良個数が極端に増え、しかも、平均寿命時
間が短くなるので好ましくない。したがって、ＭｇＯ量
γは０．００１＜γ≦０．１２の範囲が好ましい。
【００４４】また、試料番号７のように、ＭｎＯ量ｇが
０．００１の場合、半導体化のため測定不能となり好ま
しくない。一方、試料番号８のように、ＭｎＯ量ｇが
０．１２を超える場合には、温度特性Ｘ７Ｒを満足せ
ず、絶縁抵抗が低く、平均寿命時間が短くなり好ましく
ない。したがって、ＭｎＯ量ｇは０．００１＜ｇ≦０．
１２の範囲が好ましい。
０．００１の場合、半導体化のため測定不能となり好ま
しくない。一方、試料番号８のように、ＭｎＯ量ｇが
０．１２を超える場合には、温度特性Ｘ７Ｒを満足せ
ず、絶縁抵抗が低く、平均寿命時間が短くなり好ましく
ない。したがって、ＭｎＯ量ｇは０．００１＜ｇ≦０．
１２の範囲が好ましい。
【００４５】また、試料番号９のように、ＭｇＯとＭｎ
Ｏ量の合計γ＋ｇが０．１３を超えると、誘電損失が
２．０％以上まで大きくなり、平均寿命時間が短くな
り、耐湿負荷試験不良個数が増加するので好ましくな
い。したがって、ＭｇＯとＭｎＯ量の合計γ＋ｇはγ＋
ｇ≦０．１３の範囲が好ましい。また、試料番号１０の
ように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが１．０００未満の場
合、半導体化のため測定不能となり好ましくない。ま
た、試料番号１１のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが
１．０００の場合、絶縁抵抗が低く、ＡＣおよびＤＣの
破壊電圧が低く、平均寿命時間が短く好ましくない。一
方、試料番号１２および１３のように、ＢａＯ／ＴｉＯ
2 比ｍが１．０３５を超えた場合、焼結不足のため測定
不能となり好ましくない。したがって、ＢａＯ／ＴｉＯ
2 比ｍは１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲が好まし
い。
Ｏ量の合計γ＋ｇが０．１３を超えると、誘電損失が
２．０％以上まで大きくなり、平均寿命時間が短くな
り、耐湿負荷試験不良個数が増加するので好ましくな
い。したがって、ＭｇＯとＭｎＯ量の合計γ＋ｇはγ＋
ｇ≦０．１３の範囲が好ましい。また、試料番号１０の
ように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが１．０００未満の場
合、半導体化のため測定不能となり好ましくない。ま
た、試料番号１１のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが
１．０００の場合、絶縁抵抗が低く、ＡＣおよびＤＣの
破壊電圧が低く、平均寿命時間が短く好ましくない。一
方、試料番号１２および１３のように、ＢａＯ／ＴｉＯ
2 比ｍが１．０３５を超えた場合、焼結不足のため測定
不能となり好ましくない。したがって、ＢａＯ／ＴｉＯ
2 比ｍは１．０００＜ｍ≦１．０３５の範囲が好まし
い。
【００４６】また、試料番号１４および１６のように、
第１の副成分の添加量または第２の副成分の添加量が０
の場合、焼結不足のため測定不能となり好ましくない。
一方、試料番号１５および１７のように、第１の副成分
の添加量または第２の副成分の添加量が３．０重量部を
超えた場合、誘電損失が１．０％を超え、また、絶縁抵
抗も破壊電圧も低く、しかも、平均寿命時間も短くなり
好ましくない。したがって、第１または第２の副成分の
どちらか一方の含有量は０．２〜３．０重量部の範囲が
好ましい。
第１の副成分の添加量または第２の副成分の添加量が０
の場合、焼結不足のため測定不能となり好ましくない。
一方、試料番号１５および１７のように、第１の副成分
の添加量または第２の副成分の添加量が３．０重量部を
超えた場合、誘電損失が１．０％を超え、また、絶縁抵
抗も破壊電圧も低く、しかも、平均寿命時間も短くなり
好ましくない。したがって、第１または第２の副成分の
どちらか一方の含有量は０．２〜３．０重量部の範囲が
好ましい。
【００４７】さらに、チタン酸バリウム中に不純物とし
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量を０．０２重量
％以下としたのは、試料番号１８のように、アルカリ金
属酸化物の含有量が０．０２重量％を超える場合には、
誘電率の低下を生じるからである。 （実施例２）誘電体粉末として、表１のＡのチタン酸バ
リウムを用いて、ＢａＯ1.010 ・ＴｉＯ2 ＋０．０３Ｇ
ｄ2 Ｏ3 ＋０．０２５ＢａＺｒＯ3 ＋０．０５ＭｇＯ＋
０．０１ＭｎＯ（モル比）の原料を準備し、これに、１
２００〜１５００℃で加熱して作製した表６に示す平均
粒径１μｍ以下のＬｉ2 Ｏ−（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 −ＭＯ
系の酸化物を第１の副成分として添加して、その他は実
施例１と同様にして積層セラミックコンデンサを作製し
た。なお、作製した積層セラミックコンデンサの寸法形
状は実施例１と同様である。
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量を０．０２重量
％以下としたのは、試料番号１８のように、アルカリ金
属酸化物の含有量が０．０２重量％を超える場合には、
誘電率の低下を生じるからである。 （実施例２）誘電体粉末として、表１のＡのチタン酸バ
リウムを用いて、ＢａＯ1.010 ・ＴｉＯ2 ＋０．０３Ｇ
ｄ2 Ｏ3 ＋０．０２５ＢａＺｒＯ3 ＋０．０５ＭｇＯ＋
０．０１ＭｎＯ（モル比）の原料を準備し、これに、１
２００〜１５００℃で加熱して作製した表６に示す平均
粒径１μｍ以下のＬｉ2 Ｏ−（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 −ＭＯ
系の酸化物を第１の副成分として添加して、その他は実
施例１と同様にして積層セラミックコンデンサを作製し
た。なお、作製した積層セラミックコンデンサの寸法形
状は実施例１と同様である。
【００４８】
【表６】
【００４９】次いで、実施例１と同様にして電気的特性
を測定した。その結果を表７に示す。
を測定した。その結果を表７に示す。
【００５０】
【表７】
【００５１】表６および表７から明らかなように、図４
に示すＬｉ2 Ｏ−（Ｓｉw Ｔｉ1-w）Ｏ2 −ＭＯ系の酸
化物の三元組成図のＡ（ｘ＝２０、ｙ＝８０、ｚ＝
０）、Ｂ（ｘ＝１０、ｙ＝８０、ｚ＝１０）、Ｃ（ｘ＝
１０、ｙ＝７０、ｚ＝２０）、Ｄ（ｘ＝３５、ｙ＝４
５、ｚ＝２０）、Ｅ（ｘ＝４５、ｙ＝４５、ｚ＝１
０）、Ｆ（ｘ＝４５、ｙ＝５５、ｚ＝０）（ただし、
ｘ、ｙ、ｚはモル％、ｗはモル比であり、直線Ａ−Ｆ上
の組成の場合、ｗは０．３≦ｗ＜１．０の範囲内）で示
される各点を結ぶ直線で囲まれた領域の内部または線上
にある酸化物が添加された試料番号１０１〜１１２、１
１８および１２０のものは、５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印
加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘電損失は
１．０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が−２
５℃〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性規格
を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規格に規
定するＸ７Ｒ特性規格を満足するという好ましい結果が
得られる。
に示すＬｉ2 Ｏ−（Ｓｉw Ｔｉ1-w）Ｏ2 −ＭＯ系の酸
化物の三元組成図のＡ（ｘ＝２０、ｙ＝８０、ｚ＝
０）、Ｂ（ｘ＝１０、ｙ＝８０、ｚ＝１０）、Ｃ（ｘ＝
１０、ｙ＝７０、ｚ＝２０）、Ｄ（ｘ＝３５、ｙ＝４
５、ｚ＝２０）、Ｅ（ｘ＝４５、ｙ＝４５、ｚ＝１
０）、Ｆ（ｘ＝４５、ｙ＝５５、ｚ＝０）（ただし、
ｘ、ｙ、ｚはモル％、ｗはモル比であり、直線Ａ−Ｆ上
の組成の場合、ｗは０．３≦ｗ＜１．０の範囲内）で示
される各点を結ぶ直線で囲まれた領域の内部または線上
にある酸化物が添加された試料番号１０１〜１１２、１
１８および１２０のものは、５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印
加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘電損失は
１．０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が−２
５℃〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性規格
を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規格に規
定するＸ７Ｒ特性規格を満足するという好ましい結果が
得られる。
【００５２】しかも、１０ｋＶ／ｍｍの高電界強度下で
使用した時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣＲ積
で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２００
Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧がＡＣ
電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ
以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、２５ｋＶ／
ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間以上
と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で焼成
可能である。
使用した時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣＲ積
で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２００
Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧がＡＣ
電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ
以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、２５ｋＶ／
ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間以上
と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で焼成
可能である。
【００５３】これに対して、Ｌｉ2 Ｏ−（Ｓｉw Ｔｉ
1-w ）Ｏ2 −ＭＯ系の酸化物が上記組成範囲外の場合
は、試料番号１１３〜１１７および１１９に示すとお
り、焼結不足となるか、焼結しても耐湿負荷試験におい
て不良が発生する。また、点Ａ−Ｆ上の組成かつｗ＝
１．０の場合には、試料番号１１９および１２１のよう
に焼結温度が高くなり、耐湿負荷試験において不良が発
生する。また、ｗの値が０．３０未満の場合には、試料
番号１２２に示すように、焼結温度が高くなり、耐湿負
荷試験において不良が発生する。 （実施例３）誘電体粉末として、表１のＡのチタン酸バ
リウムを用いて、ＢａＯ1.010 ・ＴｉＯ2 ＋０．０３Ｄ
ｙ2 Ｏ3 ＋０．０２ＢａＺｒＯ3 ＋０．０５ＭｇＯ＋
０．０１ＭｎＯ（モル比）の原料を準備し、これに、１
２００〜１５００℃で加熱して作製した表８に示す平均
粒径１μｍ以下のＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＸＯ系の酸化物
を第２の副成分として添加して、その他は実施例１と同
様にして積層セラミックコンデンサを作製した。なお、
Ａｌ2 Ｏ3 およびＺｒＯ2 の各添加量は、第２の副成分
［ｘＳｉＯ2 −ｙＴｉＯ2 −ｚＸＯ］１００重量部に対
する添加部数である。また、作製した積層コンデンサの
外形寸法などは、実施例１と同様である。
1-w ）Ｏ2 −ＭＯ系の酸化物が上記組成範囲外の場合
は、試料番号１１３〜１１７および１１９に示すとお
り、焼結不足となるか、焼結しても耐湿負荷試験におい
て不良が発生する。また、点Ａ−Ｆ上の組成かつｗ＝
１．０の場合には、試料番号１１９および１２１のよう
に焼結温度が高くなり、耐湿負荷試験において不良が発
生する。また、ｗの値が０．３０未満の場合には、試料
番号１２２に示すように、焼結温度が高くなり、耐湿負
荷試験において不良が発生する。 （実施例３）誘電体粉末として、表１のＡのチタン酸バ
リウムを用いて、ＢａＯ1.010 ・ＴｉＯ2 ＋０．０３Ｄ
ｙ2 Ｏ3 ＋０．０２ＢａＺｒＯ3 ＋０．０５ＭｇＯ＋
０．０１ＭｎＯ（モル比）の原料を準備し、これに、１
２００〜１５００℃で加熱して作製した表８に示す平均
粒径１μｍ以下のＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＸＯ系の酸化物
を第２の副成分として添加して、その他は実施例１と同
様にして積層セラミックコンデンサを作製した。なお、
Ａｌ2 Ｏ3 およびＺｒＯ2 の各添加量は、第２の副成分
［ｘＳｉＯ2 −ｙＴｉＯ2 −ｚＸＯ］１００重量部に対
する添加部数である。また、作製した積層コンデンサの
外形寸法などは、実施例１と同様である。
【００５４】
【表８】
【００５５】次いで、実施例１と同様にして電気的特性
を測定した。その結果を表９に示す。
を測定した。その結果を表９に示す。
【００５６】
【表９】
【００５７】表８および表９から明らかなように、図５
に示すＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＸＯ系の酸化物の三元組成
図のＡ（ｘ＝８５、ｙ＝１、ｚ＝１４）、Ｂ（ｘ＝３
５、ｙ＝５１、ｚ＝１４）、Ｃ（ｘ＝３０、ｙ＝２０、
ｚ＝５０）、Ｄ（ｘ＝３９、ｙ＝１、ｚ＝６０）（ただ
し、ｘ、ｙ、ｚはモル％）で示される各点を結ぶ直線で
囲まれた領域の内部または線上にある酸化物が添加され
た試料番号２０１〜２１２のものは、５ｋＶ／ｍｍのＤ
Ｃ電圧印加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘
電損失は１．０％以下で温度に対する静電容量の変化率
が、−２５℃〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ
特性規格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲内でＥＩ
Ａ規格に規定するＸ７Ｒ特性規格を満足するという好ま
しい結果が得られる。
に示すＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＸＯ系の酸化物の三元組成
図のＡ（ｘ＝８５、ｙ＝１、ｚ＝１４）、Ｂ（ｘ＝３
５、ｙ＝５１、ｚ＝１４）、Ｃ（ｘ＝３０、ｙ＝２０、
ｚ＝５０）、Ｄ（ｘ＝３９、ｙ＝１、ｚ＝６０）（ただ
し、ｘ、ｙ、ｚはモル％）で示される各点を結ぶ直線で
囲まれた領域の内部または線上にある酸化物が添加され
た試料番号２０１〜２１２のものは、５ｋＶ／ｍｍのＤ
Ｃ電圧印加時の容量低下率が−４５％以内と小さく、誘
電損失は１．０％以下で温度に対する静電容量の変化率
が、−２５℃〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ
特性規格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲内でＥＩ
Ａ規格に規定するＸ７Ｒ特性規格を満足するという好ま
しい結果が得られる。
【００５８】しかも、１０ｋＶ／ｍｍの高い電界強度で
使用した時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣＲ積
で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２００
Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧がＡＣ
電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ
以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、２５ｋＶ／
ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間以上
と長く、耐湿負荷試験で不良発生が認められず、焼成温
度も１３００℃以下と比較的低温で焼成可能である。
使用した時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣＲ積
で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２００
Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧がＡＣ
電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ
以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、２５ｋＶ／
ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間以上
と長く、耐湿負荷試験で不良発生が認められず、焼成温
度も１３００℃以下と比較的低温で焼成可能である。
【００５９】これに対して、ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＸＯ
系の酸化物が上記組成範囲外の場合は、試料番号２１３
〜２１９に示すように焼結不足となるか、焼結しても耐
湿負荷試験において不良が発生する。また、試料番号２
１１および２１２のように、ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＸＯ
系の酸化物に、Ａｌ2 Ｏ3 および／またはＺｒＯ2 を含
有させることで、１０ｋＶ／ｍｍの電界強度下における
２５℃、１５０℃の絶縁抵抗が５４００Ω・Ｆ、３００
Ω・Ｆ以上の積層コンデンサが得られるが、試料番号２
１７および２１８のように、Ａｌ2 Ｏ3 添加量として１
５重量部およびＺｒＯ2 添加量として５重量部を超える
と、焼結性が極端に低下する。
系の酸化物が上記組成範囲外の場合は、試料番号２１３
〜２１９に示すように焼結不足となるか、焼結しても耐
湿負荷試験において不良が発生する。また、試料番号２
１１および２１２のように、ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＸＯ
系の酸化物に、Ａｌ2 Ｏ3 および／またはＺｒＯ2 を含
有させることで、１０ｋＶ／ｍｍの電界強度下における
２５℃、１５０℃の絶縁抵抗が５４００Ω・Ｆ、３００
Ω・Ｆ以上の積層コンデンサが得られるが、試料番号２
１７および２１８のように、Ａｌ2 Ｏ3 添加量として１
５重量部およびＺｒＯ2 添加量として５重量部を超える
と、焼結性が極端に低下する。
【００６０】（実施例４）実施例１と同様の方法によ
り、表１の４種類のチタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏ 3 ）、第１の副成分としての酸化物粉末、および第２
の副成分としての酸化物粉末を得た。次に、チタン酸バ
リウムのＢａ／Ｔｉモル比ｍを調整するためのＢａＣＯ
3 と、純度９９％以上のＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ
2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2
Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 、ＢａＺｒＯ3 およびＭｎＯを準備し
た。これらの原料粉末と第１または第２のどちらか一方
の副成分である上記酸化物粉末を表１０および表１１に
示す組成になるように秤量した。なお、第１、第２の副
成分の添加量は、主成分［｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ
2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋γＭｎＯ］１００重量部に対
する添加部数である。そして、この秤量物を用いて、実
施例１と同様の方法により、積層セラミックコンデンサ
を作製した。また、作製した積層セラミックコンデンサ
の外形寸法などは、実施例１と同様である。
り、表１の４種類のチタン酸バリウム（ＢａＴｉ
Ｏ 3 ）、第１の副成分としての酸化物粉末、および第２
の副成分としての酸化物粉末を得た。次に、チタン酸バ
リウムのＢａ／Ｔｉモル比ｍを調整するためのＢａＣＯ
3 と、純度９９％以上のＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ
2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2
Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 、ＢａＺｒＯ3 およびＭｎＯを準備し
た。これらの原料粉末と第１または第２のどちらか一方
の副成分である上記酸化物粉末を表１０および表１１に
示す組成になるように秤量した。なお、第１、第２の副
成分の添加量は、主成分［｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ
2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋γＭｎＯ］１００重量部に対
する添加部数である。そして、この秤量物を用いて、実
施例１と同様の方法により、積層セラミックコンデンサ
を作製した。また、作製した積層セラミックコンデンサ
の外形寸法などは、実施例１と同様である。
【００６１】
【表１０】
【００６２】
【表１１】
【００６３】次いで、実施例１と同様にして電気的特性
を測定した。その結果を表１２および表１３に示す。
を測定した。その結果を表１２および表１３に示す。
【００６４】
【表１２】
【００６５】
【表１３】
【００６６】表１０〜表１３から明らかなように、本発
明の積層セラミックコンデンサは５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電
圧印加時の容量低下率が−４０％以内と小さく、誘電損
失は１．０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が
−２５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特
性規格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規
格に規定するＸ７Ｒ特性規格を満足する。
明の積層セラミックコンデンサは５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電
圧印加時の容量低下率が−４０％以内と小さく、誘電損
失は１．０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が
−２５℃〜＋８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特
性規格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規
格に規定するＸ７Ｒ特性規格を満足する。
【００６７】しかも、１０ｋＶ／ｍｍという高電界強度
下で使用する時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣ
Ｒ積で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２
００Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧が
ＡＣ電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／
ｍｍ以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。
下で使用する時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣ
Ｒ積で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２
００Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧が
ＡＣ電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／
ｍｍ以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。
【００６８】ここで、本発明の組成限定理由について説
明する。 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｎＯ （ただし、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2
Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ 2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ
3 およびＹｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種で
あり、α、βおよびγはモル比を表す。）において、試
料番号３０１のように、Ｒ2 Ｏ3 量αが０．００１未満
の場合には、温度特性がＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足しな
くなり好ましくない。一方、試料番号３０２のようにＲ
2 Ｏ3 量αが０．０６を超える場合には、比誘電率が９
００未満まで小さくなり好ましくない。したがって、Ｒ
2 Ｏ3 量αは０．００１≦α≦０．０６の範囲が好まし
い。
明する。 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｎＯ （ただし、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2
Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ 2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ
3 およびＹｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種で
あり、α、βおよびγはモル比を表す。）において、試
料番号３０１のように、Ｒ2 Ｏ3 量αが０．００１未満
の場合には、温度特性がＢ特性／Ｘ７Ｒ特性を満足しな
くなり好ましくない。一方、試料番号３０２のようにＲ
2 Ｏ3 量αが０．０６を超える場合には、比誘電率が９
００未満まで小さくなり好ましくない。したがって、Ｒ
2 Ｏ3 量αは０．００１≦α≦０．０６の範囲が好まし
い。
【００６９】また、試料番号３０３のように、ＢａＺｒ
Ｏ3 量βが０の場合には、絶縁抵抗が低く、ＢａＺｒＯ
3 を含む系よりも絶縁抵抗の電圧依存性が大きいので好
ましくない。一方、試料番号３０４のように、ＢａＺｒ
Ｏ3 量βが０．０６を超えた場合には、温度特性もＢ特
性／Ｘ７Ｒ特性を満足せず、平均寿命時間が短いので好
ましくない。したがって、ＢａＺｒＯ3 量βは０．００
５≦β≦０．０６の範囲が好ましい。
Ｏ3 量βが０の場合には、絶縁抵抗が低く、ＢａＺｒＯ
3 を含む系よりも絶縁抵抗の電圧依存性が大きいので好
ましくない。一方、試料番号３０４のように、ＢａＺｒ
Ｏ3 量βが０．０６を超えた場合には、温度特性もＢ特
性／Ｘ７Ｒ特性を満足せず、平均寿命時間が短いので好
ましくない。したがって、ＢａＺｒＯ3 量βは０．００
５≦β≦０．０６の範囲が好ましい。
【００７０】また、試料番号３０５のように、ＭｎＯ量
γが０．００１の場合、半導体化のため測定不能となり
好ましくない。一方、試料番号３０６のように、ＭｎＯ
量γが０．１３を超える場合には、温度特性Ｘ７Ｒを満
足せず、絶縁抵抗が低く、平均寿命時間が短くなり好ま
しくない。したがって、ＭｎＯ量γは０．００１＜γ≦
０．１３の範囲が好ましい。
γが０．００１の場合、半導体化のため測定不能となり
好ましくない。一方、試料番号３０６のように、ＭｎＯ
量γが０．１３を超える場合には、温度特性Ｘ７Ｒを満
足せず、絶縁抵抗が低く、平均寿命時間が短くなり好ま
しくない。したがって、ＭｎＯ量γは０．００１＜γ≦
０．１３の範囲が好ましい。
【００７１】また、試料番号３０７のように、ＢａＯ／
ＴｉＯ2 比ｍが１．０００未満の場合、半導体化のため
測定不能となり好ましくない。また、試料番号３０８の
ように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが１．０００の場合、絶
縁抵抗が低く、ＡＣおよびＤＣの破壊電圧が低く、平均
寿命時間が短く好ましくない。一方、試料番号３０９お
よび３１０のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが１．０３
５を超えた場合、焼結不足のため測定不能となり好まし
くない。したがって、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍは１．００
０＜ｍ≦１．０３５の範囲が好ましい。
ＴｉＯ2 比ｍが１．０００未満の場合、半導体化のため
測定不能となり好ましくない。また、試料番号３０８の
ように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが１．０００の場合、絶
縁抵抗が低く、ＡＣおよびＤＣの破壊電圧が低く、平均
寿命時間が短く好ましくない。一方、試料番号３０９お
よび３１０のように、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍが１．０３
５を超えた場合、焼結不足のため測定不能となり好まし
くない。したがって、ＢａＯ／ＴｉＯ2 比ｍは１．００
０＜ｍ≦１．０３５の範囲が好ましい。
【００７２】また、試料番号３１１および３１３のよう
に、第１の副成分の添加量または第２の副成分の添加量
が０の場合、焼結不足のため測定不能となり好ましくな
い。一方、試料番号３１２および３１４のように、第１
の副成分の添加量または第２の副成分の添加量が３．０
重量部を超えた場合、誘電損失が１．０％を超え、ま
た、絶縁抵抗も破壊電圧も低く、しかも、平均寿命時間
も短くなり好ましくない。したがって、第１または第２
の副成分のどちらか一方の含有量は０．２〜３．０重量
部の範囲が好ましい。
に、第１の副成分の添加量または第２の副成分の添加量
が０の場合、焼結不足のため測定不能となり好ましくな
い。一方、試料番号３１２および３１４のように、第１
の副成分の添加量または第２の副成分の添加量が３．０
重量部を超えた場合、誘電損失が１．０％を超え、ま
た、絶縁抵抗も破壊電圧も低く、しかも、平均寿命時間
も短くなり好ましくない。したがって、第１または第２
の副成分のどちらか一方の含有量は０．２〜３．０重量
部の範囲が好ましい。
【００７３】さらに、チタン酸バリウム中に不純物とし
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量を０．０２重量
％以下としたのは、試料番号３１５のように、アルカリ
金属酸化物の含有量が０．０２重量％を超える場合に
は、誘電率の低下を生じるからである。 （実施例５）誘電体粉末として、表１のＡのチタン酸バ
リウムを用いて、ＢａＯ1.010 ・ＴｉＯ2 ＋０．０１５
Ｈｏ2 Ｏ3 ＋０．０１ＢａＺｒＯ3 ＋０．０３ＭｎＯ
（モル比）の原料を準備し、これに、１２００〜１５０
０℃で加熱して作製した表６に示すのと同様の平均粒径
１μｍ以下のＬｉ2 Ｏ−（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 −ＭＯ系の
酸化物を第１の副成分として添加して、その他は実施例
１と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。
なお、作製した積層セラミックコンデンサの寸法形状は
実施例１と同様である。そして、実施例１と同様にして
電気的特性を測定した。その結果を表１４に示す。な
お、表１４において、試料番号４０１〜４２２は、それ
ぞれ、表６の試料番号１０１〜１２２に対応しており、
たとえば、表１４の試料番号４０１は、表６の試料番号
１０１の副成分を添加して得たものである。
て含まれるアルカリ金属酸化物の含有量を０．０２重量
％以下としたのは、試料番号３１５のように、アルカリ
金属酸化物の含有量が０．０２重量％を超える場合に
は、誘電率の低下を生じるからである。 （実施例５）誘電体粉末として、表１のＡのチタン酸バ
リウムを用いて、ＢａＯ1.010 ・ＴｉＯ2 ＋０．０１５
Ｈｏ2 Ｏ3 ＋０．０１ＢａＺｒＯ3 ＋０．０３ＭｎＯ
（モル比）の原料を準備し、これに、１２００〜１５０
０℃で加熱して作製した表６に示すのと同様の平均粒径
１μｍ以下のＬｉ2 Ｏ−（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 −ＭＯ系の
酸化物を第１の副成分として添加して、その他は実施例
１と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。
なお、作製した積層セラミックコンデンサの寸法形状は
実施例１と同様である。そして、実施例１と同様にして
電気的特性を測定した。その結果を表１４に示す。な
お、表１４において、試料番号４０１〜４２２は、それ
ぞれ、表６の試料番号１０１〜１２２に対応しており、
たとえば、表１４の試料番号４０１は、表６の試料番号
１０１の副成分を添加して得たものである。
【００７４】
【表１４】
【００７５】図４に示すＬｉ2 Ｏ−（Ｓｉw Ｔｉ1-w ）
Ｏ2 −ＭＯ系の酸化物の三元組成図のＡ（ｘ＝２０、ｙ
＝８０、ｚ＝０）、Ｂ（ｘ＝１０、ｙ＝８０、ｚ＝１
０）、Ｃ（ｘ＝１０、ｙ＝７０、ｚ＝２０）、Ｄ（ｘ＝
３５、ｙ＝４５、ｚ＝２０）、Ｅ（ｘ＝４５、ｙ＝４
５、ｚ＝１０）、Ｆ（ｘ＝４５、ｙ＝５５、ｚ＝０）
（ただし、ｘ、ｙ、ｚはモル％、ｗはモル比であり、直
線Ａ−Ｆ上の組成の場合、ｗは０．３≦ｗ＜１．０の範
囲内）で示される各点を結ぶ直線で囲まれた領域の内部
または線上にある表６の試料番号１０１〜１１２、１１
８および１２０の酸化物を副成分として添加したもの
は、表１４の試料番号４０１〜４１２、４１８および４
２０において見られるように、５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧
印加時の容量低下率が−４０％以内と小さく、誘電損失
は１．０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が−
２５℃〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性規
格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規格に
規定するＸ７Ｒ特性規格を満足するという好ましい結果
が得られる。
Ｏ2 −ＭＯ系の酸化物の三元組成図のＡ（ｘ＝２０、ｙ
＝８０、ｚ＝０）、Ｂ（ｘ＝１０、ｙ＝８０、ｚ＝１
０）、Ｃ（ｘ＝１０、ｙ＝７０、ｚ＝２０）、Ｄ（ｘ＝
３５、ｙ＝４５、ｚ＝２０）、Ｅ（ｘ＝４５、ｙ＝４
５、ｚ＝１０）、Ｆ（ｘ＝４５、ｙ＝５５、ｚ＝０）
（ただし、ｘ、ｙ、ｚはモル％、ｗはモル比であり、直
線Ａ−Ｆ上の組成の場合、ｗは０．３≦ｗ＜１．０の範
囲内）で示される各点を結ぶ直線で囲まれた領域の内部
または線上にある表６の試料番号１０１〜１１２、１１
８および１２０の酸化物を副成分として添加したもの
は、表１４の試料番号４０１〜４１２、４１８および４
２０において見られるように、５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧
印加時の容量低下率が−４０％以内と小さく、誘電損失
は１．０％以下で、温度に対する静電容量の変化率が−
２５℃〜８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性規
格を満足し、−５５℃〜１２５℃の範囲でＥＩＡ規格に
規定するＸ７Ｒ特性規格を満足するという好ましい結果
が得られる。
【００７６】しかも、１０ｋＶ／ｍｍの高電界強度下で
使用した時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣＲ積
で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、１９０
Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧がＡＣ
電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ
以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、ＤＣ２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。
使用した時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣＲ積
で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、１９０
Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧がＡＣ
電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ
以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、ＤＣ２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、焼成温度も１３００℃以下と比較的低温で
焼成可能である。
【００７７】これに対して、表６の試料番号１１３〜１
１７および１１９のように、Ｌｉ2Ｏ−（Ｓｉw Ｔｉ
1-w ）Ｏ2 −ＭＯ系の酸化物が上記組成範囲外の場合
は、表１４の試料番号４１３〜４１７および４１９にお
いて見られるように、焼結不足となるか、焼結しても耐
湿負荷試験において不良が発生する。また、表６の試料
番号１１９および１２１のように、点Ａ−Ｆ上の組成か
つｗ＝１．０の場合には、表１４の試料番号４１９およ
び４２１において見られるように、焼結温度が高くな
り、耐湿負荷試験において不良が発生する。また、表６
の試料番号１２２のように、ｗの値が０．３０未満の場
合には、表１４の試料番号４２２において見られるよう
に、焼結温度が高くなり、耐湿負荷試験において不良が
発生する。
１７および１１９のように、Ｌｉ2Ｏ−（Ｓｉw Ｔｉ
1-w ）Ｏ2 −ＭＯ系の酸化物が上記組成範囲外の場合
は、表１４の試料番号４１３〜４１７および４１９にお
いて見られるように、焼結不足となるか、焼結しても耐
湿負荷試験において不良が発生する。また、表６の試料
番号１１９および１２１のように、点Ａ−Ｆ上の組成か
つｗ＝１．０の場合には、表１４の試料番号４１９およ
び４２１において見られるように、焼結温度が高くな
り、耐湿負荷試験において不良が発生する。また、表６
の試料番号１２２のように、ｗの値が０．３０未満の場
合には、表１４の試料番号４２２において見られるよう
に、焼結温度が高くなり、耐湿負荷試験において不良が
発生する。
【００７８】（実施例６）誘電体粉末として、表１のＡ
のチタン酸バリウムを用いて、ＢａＯ1.010 ・ＴｉＯ2
＋０．０２５Ｅｕ2 Ｏ3 ＋０．０１ＢａＺｒＯ3 ＋０．
０５ＭｎＯ（モル比）の原料を準備し、これに、１２０
０〜１５００℃で加熱して作製した表８に示すのと同様
の平均粒径１μｍ以下のＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＸＯ系の
酸化物を第２の副成分として添加して、その他は実施例
１と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。
作製した積層コンデンサの外形寸法などは、実施例１と
同様である。そして、実施例１と同様にして電気的特性
を測定した。その結果を表１５に示す。なお、表１５に
おいて、試料番号５０１〜５１９は、それぞれ、表８の
試料番号２０１〜２１９に対応しており、たとえば、表
１５の試料番号５０１は、表８の試料番号２０１の副成
分を添加して得たものである。
のチタン酸バリウムを用いて、ＢａＯ1.010 ・ＴｉＯ2
＋０．０２５Ｅｕ2 Ｏ3 ＋０．０１ＢａＺｒＯ3 ＋０．
０５ＭｎＯ（モル比）の原料を準備し、これに、１２０
０〜１５００℃で加熱して作製した表８に示すのと同様
の平均粒径１μｍ以下のＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＸＯ系の
酸化物を第２の副成分として添加して、その他は実施例
１と同様にして積層セラミックコンデンサを作製した。
作製した積層コンデンサの外形寸法などは、実施例１と
同様である。そして、実施例１と同様にして電気的特性
を測定した。その結果を表１５に示す。なお、表１５に
おいて、試料番号５０１〜５１９は、それぞれ、表８の
試料番号２０１〜２１９に対応しており、たとえば、表
１５の試料番号５０１は、表８の試料番号２０１の副成
分を添加して得たものである。
【００７９】
【表１５】
【００８０】図５に示すＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＸＯ系の
酸化物の三元組成図のＡ（ｘ＝８５、ｙ＝１、ｚ＝１
４）、Ｂ（ｘ＝３５、ｙ＝５１、ｚ＝１４）、Ｃ（ｘ＝
３０、ｙ＝２０、ｚ＝５０）、Ｄ（ｘ＝３９、ｙ＝１、
ｚ＝６０）（ただし、ｘ、ｙ、ｚはモル％）で示される
各点を結ぶ直線で囲まれた領域の内部または線上にある
表８の試料番号２０１〜２１２の酸化物を副成分として
添加したものは、表１５の試料番号５０１〜５１２にお
いて見られるように、５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印加時の
容量低下率が−４０％以内と小さく、誘電損失は１．０
％以下で温度に対する静電容量の変化率が、−２５℃〜
８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性規格を満足
し、−５５℃〜１２５℃の範囲内でＥＩＡ規格に規定す
るＸ７Ｒ特性規格を満足するという好ましい結果が得ら
れる。
酸化物の三元組成図のＡ（ｘ＝８５、ｙ＝１、ｚ＝１
４）、Ｂ（ｘ＝３５、ｙ＝５１、ｚ＝１４）、Ｃ（ｘ＝
３０、ｙ＝２０、ｚ＝５０）、Ｄ（ｘ＝３９、ｙ＝１、
ｚ＝６０）（ただし、ｘ、ｙ、ｚはモル％）で示される
各点を結ぶ直線で囲まれた領域の内部または線上にある
表８の試料番号２０１〜２１２の酸化物を副成分として
添加したものは、表１５の試料番号５０１〜５１２にお
いて見られるように、５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印加時の
容量低下率が−４０％以内と小さく、誘電損失は１．０
％以下で温度に対する静電容量の変化率が、−２５℃〜
８５℃の範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性規格を満足
し、−５５℃〜１２５℃の範囲内でＥＩＡ規格に規定す
るＸ７Ｒ特性規格を満足するという好ましい結果が得ら
れる。
【００８１】しかも、１０ｋＶ／ｍｍの高い電界強度で
使用した時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣＲ積
で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２００
Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧がＡＣ
電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ
以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、ＤＣ２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、耐湿負荷試験で不良発生が認められず、焼
成温度も１３００℃以下と比較的低温で焼成可能であ
る。
使用した時に、２５℃、１５０℃での絶縁抵抗をＣＲ積
で表したときに、それぞれ５０００Ω・Ｆ以上、２００
Ω・Ｆ以上と高い値を示す。また、絶縁破壊電圧がＡＣ
電圧で１２ｋＶ／ｍｍ以上、ＤＣ電圧で１４ｋＶ／ｍｍ
以上と大きい値を示す。さらに、１５０℃、ＤＣ２５ｋ
Ｖ／ｍｍの加速試験において平均寿命時間が８００時間
以上と長く、耐湿負荷試験で不良発生が認められず、焼
成温度も１３００℃以下と比較的低温で焼成可能であ
る。
【００８２】これに対して、表８の試料番号２１３〜２
１９のように、ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2−ＸＯ系の酸化物が
上記組成範囲外の場合は、表１５の試料番号５１３〜５
１９において見られるように、焼結不足となるか、焼結
しても耐湿負荷試験において不良が発生する。また、表
８の試料番号２１１および２１２のように、ＳｉＯ2 −
ＴｉＯ2 −ＸＯ系の酸化物に、Ａｌ2 Ｏ3 および／また
はＺｒＯ2 を含有させることで、表１５の試料番号５１
１および５１２のように、１０ｋＶ／ｍｍの電界強度下
における２５℃、１５０℃の絶縁抵抗が５４００Ω・
Ｆ、３３０Ω・Ｆ以上の積層コンデンサが得られるが、
また、表８の試料番号２１７および２１８のように、Ａ
ｌ 2 Ｏ3 添加量として１５重量部およびＺｒＯ2 添加量
として５重量部を超えると、表１５の試料番号５１７お
よび５１８のように、焼結性が極端に低下する。
１９のように、ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2−ＸＯ系の酸化物が
上記組成範囲外の場合は、表１５の試料番号５１３〜５
１９において見られるように、焼結不足となるか、焼結
しても耐湿負荷試験において不良が発生する。また、表
８の試料番号２１１および２１２のように、ＳｉＯ2 −
ＴｉＯ2 −ＸＯ系の酸化物に、Ａｌ2 Ｏ3 および／また
はＺｒＯ2 を含有させることで、表１５の試料番号５１
１および５１２のように、１０ｋＶ／ｍｍの電界強度下
における２５℃、１５０℃の絶縁抵抗が５４００Ω・
Ｆ、３３０Ω・Ｆ以上の積層コンデンサが得られるが、
また、表８の試料番号２１７および２１８のように、Ａ
ｌ 2 Ｏ3 添加量として１５重量部およびＺｒＯ2 添加量
として５重量部を超えると、表１５の試料番号５１７お
よび５１８のように、焼結性が極端に低下する。
【００８３】以上、各実施例では、チタン酸バリウムと
して、蓚酸法により作製した粉末を用いたが、これに限
定するものではなく、たとえばアルコキシド法あるいは
水熱合成法により作製されたチタン酸バリウム粉末を用
いてもよい。これらの粉末を用いることにより、積層セ
ラミックコンデンサの特性が、前述の各実施例で示した
特性よりも向上することもあり得る。
して、蓚酸法により作製した粉末を用いたが、これに限
定するものではなく、たとえばアルコキシド法あるいは
水熱合成法により作製されたチタン酸バリウム粉末を用
いてもよい。これらの粉末を用いることにより、積層セ
ラミックコンデンサの特性が、前述の各実施例で示した
特性よりも向上することもあり得る。
【００８４】また、出発原料として、Ｅｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ
2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、Ｅｒ2
Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＭｎＯ、Ｂａ
ＺｒＯ3 などの酸化物粉末を用いたが、本発明はこれに
限定されるものではなく、この発明の範囲の誘電体セラ
ミック層を構成するように配合すれば、アルコキシド、
有機金属などの溶液を用いても、得られる特性を何ら損
なうものではない。
2 Ｏ3 、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、Ｅｒ2
Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 、ＭｇＯ、ＭｎＯ、Ｂａ
ＺｒＯ3 などの酸化物粉末を用いたが、本発明はこれに
限定されるものではなく、この発明の範囲の誘電体セラ
ミック層を構成するように配合すれば、アルコキシド、
有機金属などの溶液を用いても、得られる特性を何ら損
なうものではない。
【００８５】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
係る誘電体磁器組成物によれば、還元雰囲気中で焼成し
ても還元されず、半導体化せず、しかも１３００℃以下
と比較的低温で焼結可能である。したがって、この誘電
体磁器組成物を誘電体セラミック層として用いて、積層
セラミックコンデンサを構成するようにすれば、電極材
料として卑金属であるニッケルまたはニッケル合金を用
いることができるので、積層セラミックコンデンサのコ
ストダウンを図ることができる。
係る誘電体磁器組成物によれば、還元雰囲気中で焼成し
ても還元されず、半導体化せず、しかも１３００℃以下
と比較的低温で焼結可能である。したがって、この誘電
体磁器組成物を誘電体セラミック層として用いて、積層
セラミックコンデンサを構成するようにすれば、電極材
料として卑金属であるニッケルまたはニッケル合金を用
いることができるので、積層セラミックコンデンサのコ
ストダウンを図ることができる。
【００８６】また、この誘電体磁器組成物を用いた積層
セラミックコンデンサは、従来の内部電極にニッケルま
たはニッケル合金を用いた積層セラミックコンデンサで
は絶縁抵抗が低く、信頼性が確保できなかった１０ｋＶ
／ｍｍの高い電界強度で使用した場合に、絶縁抵抗が静
電容量との積（ＣＲ積）で表したときに、室温および１
５０℃での絶縁抵抗がそれぞれ５０００Ω・Ｆ、１９０
〜２００Ω・Ｆ以上と高く、絶縁抵抗の電圧依存性が小
さく、５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印加時の容量低下率の絶
対値が４０〜４５％以下と小さく、絶縁耐力が高く、静
電容量の温度特性がＪＩＳ規格で規定するＢ特性および
ＥＩＡ規格で規定するＸ７Ｒ特性を満足し、１５０℃、
ＤＣ２５ｋＶ／ｍｍ印加の高温負荷、耐湿負荷などの耐
候性能に優れた積層セラミックコンデンサを得ることが
できる。
セラミックコンデンサは、従来の内部電極にニッケルま
たはニッケル合金を用いた積層セラミックコンデンサで
は絶縁抵抗が低く、信頼性が確保できなかった１０ｋＶ
／ｍｍの高い電界強度で使用した場合に、絶縁抵抗が静
電容量との積（ＣＲ積）で表したときに、室温および１
５０℃での絶縁抵抗がそれぞれ５０００Ω・Ｆ、１９０
〜２００Ω・Ｆ以上と高く、絶縁抵抗の電圧依存性が小
さく、５ｋＶ／ｍｍのＤＣ電圧印加時の容量低下率の絶
対値が４０〜４５％以下と小さく、絶縁耐力が高く、静
電容量の温度特性がＪＩＳ規格で規定するＢ特性および
ＥＩＡ規格で規定するＸ７Ｒ特性を満足し、１５０℃、
ＤＣ２５ｋＶ／ｍｍ印加の高温負荷、耐湿負荷などの耐
候性能に優れた積層セラミックコンデンサを得ることが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施形態による積層セラミックコン
デンサを示す断面図である。
デンサを示す断面図である。
【図２】図１の積層セラミックコンデンサのうち内部電
極を有する誘電体セラミック層部分を示す平面図であ
る。
極を有する誘電体セラミック層部分を示す平面図であ
る。
【図３】図１の積層セラミックコンデンサのうちセラミ
ック積層体部分を示す分解斜視図である。
ック積層体部分を示す分解斜視図である。
【図４】Ｌｉ2 Ｏ−（Ｓｉw Ｔｉ1-w ）Ｏ2 −ＭＯ系の
酸化物の三元組成図である。
酸化物の三元組成図である。
【図５】ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＸＯ系の酸化物の三元組
成図である。
成図である。
１ 積層セラミックコンデンサ ２ａ，２ｂ 誘電体セラミック層 ３ セラミック積層体 ４ 内部電極 ５ 外部電極 ６，７ めっき層
Claims (8)
- 【請求項１】 アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２
重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化ユーロピウム、
酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウ
ム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウムお
よび酸化イッテルビウムの中から選ばれる少なくとも１
種と、ジルコン酸バリウムと、酸化マンガンとからな
り、かつ、次の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｎＯ （ただし、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2
Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ 2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ
3 およびＹｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種で
あり、α、βおよびγはモル比を表し、 ０．００１≦α≦０．０６ ０．００５≦β≦０．０６ ０．００１＜γ≦０．１３ １．０００＜ｍ≦１．０３５ の範囲内にある。）で表される主成分を含有するととも
に、第１の副成分をＬｉ2 Ｏ−（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 −Ｍ
Ｏ系（ただし、ＭＯはＡｌ2Ｏ3 およびＺｒＯ2 の少な
くとも一方である。）の酸化物とし、第２の副成分をＳ
ｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＸＯ系（ただし、ＸＯはＢａＯ、Ｃ
ａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯおよびＭｎＯの中から選
ばれる少なくとも１種である。）の酸化物としたとき
に、該第１または第２の副成分のどちらか一方を、前記
主成分１００重量部に対して、０．２〜３．０重量部含
有していることを特徴とする、誘電体磁器組成物。 - 【請求項２】 アルカリ金属酸化物の含有量が０．０２
重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化ユーロピウム、
酸化ガドリニウム、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウ
ム、酸化ホルミウム、酸化エルビウム、酸化ツリウムお
よび酸化イッテルビウムの中から選ばれる少なくとも１
種と、ジルコン酸バリウムと、酸化マグネシウムと、酸
化マンガンとからなり、かつ、次の組成式、 ｛ＢａＯ｝m ＴｉＯ2 ＋αＲ2 Ｏ3 ＋βＢａＺｒＯ3 ＋
γＭｇＯ＋ｇＭｎＯ （ただし、Ｒ2 Ｏ3 はＥｕ2 Ｏ3 、Ｇｄ2 Ｏ3 、Ｔｂ2
Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ 2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｔｍ2 Ｏ
3 およびＹｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる少なくとも１種で
あり、α、β、γおよびｇはモル比を表し、 ０．００１≦α≦０．０６ ０．００１≦β≦０．０６ ０．００１＜γ≦０．１２ ０．００１＜ｇ≦０．１２ γ＋ｇ≦０．１３ １．０００＜ｍ≦１．０３５ の範囲内にある。）で表される主成分を含有するととも
に、第１の副成分をＬｉ2 Ｏ−（Ｓｉ，Ｔｉ）Ｏ2 −Ｍ
Ｏ系（ただし、ＭＯはＡｌ2Ｏ3 およびＺｒＯ2 の少な
くとも一方である。）の酸化物とし、第２の副成分をＳ
ｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＸＯ系（ただし、ＸＯはＢａＯ、Ｃ
ａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯおよびＭｎＯの中から選
ばれる少なくとも１種である。）の酸化物としたとき
に、該第１または第２の副成分のどちらか一方を、前記
主成分１００重量部に対して、０．２〜３．０重量部含
有していることを特徴とする、誘電体磁器組成物。 - 【請求項３】 前記第１の副成分は、ｘＬｉ2 Ｏ−ｙ
（Ｓｉw Ｔｉ1-w ）Ｏ 2 −ｚＭＯ（ただし、ｘ、ｙおよ
びｚはモル％であり、ｗは０．３０≦ｗ≦１．０の範囲
内にある。）で表したとき、それぞれの成分を頂点とす
る三元組成図の Ａ（ｘ＝２０、ｙ＝８０、ｚ＝０） Ｂ（ｘ＝１０、ｙ＝８０、ｚ＝１０） Ｃ（ｘ＝１０、ｙ＝７０、ｚ＝２０） Ｄ（ｘ＝３５、ｙ＝４５、ｚ＝２０） Ｅ（ｘ＝４５、ｙ＝４５、ｚ＝１０） Ｆ（ｘ＝４５、ｙ＝５５、ｚ＝０） （ただし、直線Ａ−Ｆ上の組成の場合は、ｗは０．３≦
ｗ＜１．０の範囲内）で示される各点を結ぶ直線で囲ま
れた領域の内部または線上にあることを特徴とする、請
求項１または２に記載の誘電体磁器組成物。 - 【請求項４】 前記第２の副成分は、ｘＳｉＯ2 −ｙＴ
ｉＯ2 −ｚＸＯ（ただし、ｘ、ｙおよびｚはモル％であ
る。）で表したとき、それぞれの成分を頂点とする三元
組成図の Ａ（ｘ＝８５、ｙ＝１、ｚ＝１４） Ｂ（ｘ＝３５、ｙ＝５１、ｚ＝１４） Ｃ（ｘ＝３０、ｙ＝２０、ｚ＝５０） Ｄ（ｘ＝３９、ｙ＝１、ｚ＝６０） で示される各点を結ぶ直線で囲まれた領域の内部または
線上にあることを特徴とする、請求項１または２に記載
の誘電体磁器組成物。 - 【請求項５】 前記第２の副成分中には、前記ＳｉＯ2
−ＴｉＯ2 −ＸＯ系の酸化物１００重量部に対してＡｌ
2 Ｏ3 およびＺｒＯ2 の少なくとも一方を合計で１５重
量部以下（ただし、ＺｒＯ2 は５重量部以下）含有する
ことを特徴とする、請求項４に記載の誘電体磁器組成
物。 - 【請求項６】 複数の誘電体セラミック層と、該誘電体
セラミック層間に形成された内部電極と、該内部電極に
電気的に接続された外部電極とを備える、積層セラミッ
クコンデンサにおいて、前記誘電体セラミック層が請求
項１ないし５のいずれかに記載の誘電体磁器組成物で構
成され、前記内部電極がニッケルまたはニッケル合金で
構成されていることを特徴とする、積層セラミックコン
デンサ。 - 【請求項７】 前記外部電極は、導電性金属粉末、また
はガラスフリットを添加した導電性金属粉末の焼結層を
備えることを特徴とする、請求項６に記載の積層セラミ
ックコンデンサ。 - 【請求項８】 前記外部電極は、導電性金属粉末、また
はガラスフリットを添加した導電性金属粉末の焼結層か
らなる第１層と、その上のめっき層からなる第２層とを
備えることを特徴とする、請求項６または７に記載の積
層セラミックコンデンサ。
Priority Applications (10)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12862698A JP3783403B2 (ja) | 1997-07-23 | 1998-05-12 | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ |
| SG1998002542A SG65086A1 (en) | 1997-07-23 | 1998-07-21 | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor using same |
| CNB981166059A CN1179423C (zh) | 1997-07-23 | 1998-07-22 | 介电陶瓷组合物及使用该组合物的叠层陶瓷电容器 |
| US09/120,760 US6051516A (en) | 1997-07-23 | 1998-07-22 | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor using same |
| DE69835044T DE69835044T2 (de) | 1997-07-23 | 1998-07-23 | Dielektrische Keramik und monolitischer keramischer Kondensator diese enthaltend |
| EP03010832A EP1357095A3 (en) | 1997-07-23 | 1998-07-23 | Dielectric ceramic and monolithic ceramic capacitor using same |
| EP98113795A EP0893419B1 (en) | 1997-07-23 | 1998-07-23 | Dielectric ceramic composition and monolithic ceramic capacitor using same |
| KR1019980029651A KR100313003B1 (ko) | 1997-07-23 | 1998-07-23 | 유전체세라믹조성물및이를이용한적층세라믹커패시터 |
| DE69822933T DE69822933T2 (de) | 1997-07-23 | 1998-07-23 | Dielektrische keramische Zusammensetzung und deren Verwendung in einem monolithischen keramischen Kondensator |
| EP03010920A EP1346965B1 (en) | 1997-07-23 | 1998-07-23 | Dielectric ceramic and monolithic ceramic capacitor using same |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19717297 | 1997-07-23 | ||
| JP9-197172 | 1997-07-23 | ||
| JP12862698A JP3783403B2 (ja) | 1997-07-23 | 1998-05-12 | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1192222A true JPH1192222A (ja) | 1999-04-06 |
| JP3783403B2 JP3783403B2 (ja) | 2006-06-07 |
Family
ID=26464240
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12862698A Expired - Lifetime JP3783403B2 (ja) | 1997-07-23 | 1998-05-12 | 誘電体磁器組成物および積層セラミックコンデンサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3783403B2 (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1146024A4 (en) * | 1999-10-05 | 2005-06-15 | Tdk Corp | PROCESS FOR PRODUCING DIELECTRIC CERAMIC COMPOSITION |
| JP2007234677A (ja) * | 2006-02-27 | 2007-09-13 | Murata Mfg Co Ltd | 誘電体セラミック組成物、およびそれを用いた積層セラミックコンデンサ |
| JP2008081351A (ja) * | 2006-09-27 | 2008-04-10 | Kyocera Corp | 誘電体セラミックス、および積層セラミックコンデンサ、ならびにその製造方法 |
| KR100979858B1 (ko) | 2007-09-28 | 2010-09-02 | 티디케이가부시기가이샤 | 유전체 자기 조성물 및 전자 부품 |
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